JP2003105544A - Film deposition apparatus - Google Patents
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- JP2003105544A JP2003105544A JP2001296360A JP2001296360A JP2003105544A JP 2003105544 A JP2003105544 A JP 2003105544A JP 2001296360 A JP2001296360 A JP 2001296360A JP 2001296360 A JP2001296360 A JP 2001296360A JP 2003105544 A JP2003105544 A JP 2003105544A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置に関し、
特に、自動生産制御を用いたＬＣＤ（Liquid Crystal D
isplay：液晶表示装置）製造用ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、一定数の被成膜基板を処
理した後、自動的にガスクリーニングを実施し、次の被
成膜基板の有無に関わらず自動的にシーズニングを実施
している。
【０００３】図１に従来の装置構成例を示す。このＬＣ
Ｄ製造用ＣＶＤ装置１は、成膜室１０１と、真空搬送室
１０２と、ロードロック室１０３と、大気搬送システム
１０４とを備えている。
【０００４】図５にタイミングチャートの例を示す。同
図において、１カセット（被成膜基板が２０枚）毎にガ
スクリーニングを行う場合、カセット１０５の被成膜基
板が成膜室１０１から搬出された後、自動的にガスクリ
ーニングが開始する。次のカセット１０６の被成膜基板
が投入されていない場合でも、ガスクリーニング終了後
に自動的にシーズニングを開始する。シーズニング終了
後は、カセット１０６の被成膜基板が成膜室に搬入され
るまで高真空状態になっている。
【０００５】また、１カセット毎のスケジュールが図６
のような構成になっており、最初に大気搬送システム１
０４に投入されるカセット１０５と次に大気搬送システ
ム１０４に投入されるカセット１０６との間に実施され
るガスクリーニングおよびシーズニングは、最初に投入
されるカセット１０５のスケジュールに指定されている
ガスクリーニングおよびシーズニングのレシピを実施す
ることにより行う。すなわち、次のカセット１０６の投
入とは連動することなくシーズニングが行われている。
【０００６】従来の制御構成には、図５に示すとおり、
カセット制御１２１、搬送制御１２２、成膜制御１２３
がある。まず、新規カセット１０５または１０６が大気
搬送システム１０４に投入されると、カセット制御１２
１が搬送制御１２２を起動し、カセット１０５または１
０６の１枚目の被成膜基板がロードロック室１０３に搬
入される。この時にガスクリーニング１２４およびシー
ズニング１２５のレシピを確定する。そして、搬送制御
１２２によって被成膜基板を成膜室１０１に搬入／搬出
し、その際に搬送制御１２２が成膜制御１２３を起動す
る。成膜制御１２３は、図７のフローチャートのよう
に、成膜室１０１から搬出された被成膜基板が該当カセ
ットの最終被成膜基板の場合（ステップ３０３）に、カ
セット制御１２１にて確定されたガスクリーニング（ス
テップ３０２）およびシーズニング（ステップ３０３）
のレシピを順に実施する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】成膜室をシーズニング
完了状態で長時間放置すると異物が発生し、次に被成膜
基板を処理する際に異物による不良になる場合があっ
た。
【０００８】従って、本発明の主な目的は、異物による
不良を抑制または防止できる成膜装置を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、以上の点に
鑑み、鋭意研究の結果、ガスクリーニング終了後は、次
の被成膜基板の投入を確認してからシーズニングを自動
的に開始することにより、成膜基板の歩留まりを向上で
きることを見出した。
【００１０】本発明はかかる知見に基づくものであり、
本発明によれば、被成膜物に成膜用ガスを用いて成膜を
行う成膜室と、前記被成膜物が投入される投入部と、前
記成膜室と前記投入部との間で前記被成膜物を搬送する
搬送部とを備え、第１の複数の前記被成膜物に前記成膜
室内で成膜を行い、その後自動的に前記成膜室のガスク
リーニングを行い、その後自動的に前記成膜用ガスの一
部、前記成膜用ガスと同じガスまたは前記成膜用ガスを
含むガスを用いて前記成膜室に堆積物を形成し、その
後、前記第１の複数の被成膜物とは異なる第２の複数の
前記被成膜物に前記成膜室内で成膜を行う成膜装置であ
って、前記第２の複数の被成膜物を前記投入部に投入す
るタイミングと連動して自動的に、前記成膜用ガスの一
部、前記成膜用ガスと同じガスまたは前記成膜用ガスを
含むガスを用いて前記成膜室に堆積物を形成することを
特徴とする成膜装置が提供される。
【００１１】ここで、成膜用ガスの一部、成膜用ガスと
同じガスまたは成膜用ガスを含むガスを用いて成膜室に
堆積物を形成することにより、プリデポジション（すな
わちシーズニング）を行う。
【００１２】なお、成膜用ガスの一部を用いて成膜室に
堆積物を形成するとは、例えば、不純物をドーピングし
た膜の成膜を行う場合に、シーズニングはドーピング用
のガスを使用しないで行う場合等をいい、成膜用ガスと
同じガスを用いて成膜室に堆積物を形成するとは、例え
ば、成膜用のガスとしてＳｉＨ４ガスと、ＮＨ３ガス
と、Ｎ２ガスとを用いて窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）パッシ
ベーション膜を成膜する場合に、成膜用ガスと同じＳｉ
Ｈ４ガスと、ＮＨ３ガスと、Ｎ２ガスとを用いて成膜室
に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を堆積する場合をいう。ま
た、成膜用ガスを含むガスを用いる場合とは、成膜用の
ガスに水素、窒素、希ガス等のキャリヤガスを加える場
合等をいう。なお、上記３つの例に関しては、パーティ
クルを閉じ込めるのにはどの例でもよいが、繰り返し成
膜されていく場合の処理均一性（膜厚、膜質）等を考慮
すると、成膜用ガスと同じガスを用いるのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施の形態のＬＣＤ製
造用ＣＶＤ装置の概略構成図である。このＬＣＤ製造用
ＣＶＤ装置１は、成膜室１０１と、真空搬送室１０２
と、ロードロック室１０３と、大気搬送システム１０４
とを備えている。
【００１５】成膜室１０１においては、成膜用ガスを用
いて被成膜基板（液晶表示素子形成用のガラス基板等）
上にプラズマＣＶＤ法により成膜を行う。大気搬送シス
テム１０４には、一定数（本実施の形態では２０枚）の
被成膜基板をそれぞれ収容するカセット１０５、１０６
がそれぞれ投入される。そして、被成膜基板はカセット
１０５、１０６からロードロック室１０３にそれぞれ搬
入／搬出される。ロードロック室１０３は、その室（チ
ャンバ）内を大気圧／真空状態に切り替えて真空搬送室
１０２と大気搬送システム１０４との間で被成膜基板の
受け渡しを可能にする。真空搬送室１０２は、ロードロ
ック室１０３と成膜室１０１間で被成膜基板を搬送す
る。
【００１６】本実施の形態では、１カセット（被成膜基
板が２０枚）毎に、ガスクリーニングとシーズニングと
を行う。
【００１７】そして、カセット毎のスケジュールを、図
６の従来のガスクリーニング終了後にシーズニングを実
施する構成から、図３のように１枚目の成膜レシピの前
にシーズニングを実施する構成に変更する。すなわち、
最初に大気搬送システム１０４に投入されるカセット１
０５と次に大気搬送システム１０４に投入されるカセッ
ト１０６との間に実施されるガスクリーニングおよびシ
ーズニングは、最初に投入されるカセット１０５のスケ
ジュールに連動してガスクリーニングのレシピを実施
し、次に投入されるカセット１０６の投入と連動してシ
ーズニングのレシピを実施することにより行う。
【００１８】本実施の形態の制御構成には、図２に示す
とおり、カセット制御１２１、搬送制御１２２、成膜制
御１２３がある。図２のカセット制御にて、新規カセッ
トが大気搬送システム１０４に投入された時に、シーズ
ニングのレシピ１２５を確定する。また、カセットの最
初の被成膜基板がロードロック室１０３に投入された時
は、ガスクリーニングのレシピ１２４を確定し、シーズ
ニングのレシピ１２５を未確定にする。なお、新規カセ
ットの最初の被成膜基板は、前のカセットの全ての被成
膜基板が元のカセットに戻るまでロードロック室１０３
に搬送されない。
【００１９】すなわち、まず、カセット１０５の最初の
被成膜基板がロードロック室１０３に投入された時は、
ガスクリーニングのレシピ１２４を確定し、シーズニン
グのレシピ１２５を不確定にする。そして、搬送制御１
２２によってカセット１０５の被成膜基板を成膜室１０
１に搬入し、その際に搬送制御１２２が成膜制御１２３
を起動する。成膜制御１２３は、図４のフローチャート
のように、成膜室１０１から搬出された被成膜基板が該
当カセット１０５の最終被成膜基板の場合（ステップ２
０１）に、搬送制御１２２にて確定されたガスクリーニ
ング（ステップ２０２）のレシピを実施する。ガスクリ
ーニング終了後、シーズニングのレシピが不確定の場合
は確定するまでシーズニングを実施しないようにし、シ
ーズニングのレシピが確定した場合にシーズニングを実
施する（ステップ２０３、２０４）。なお、このシーズ
ニングのレシピは、次のカセット１０６が大気搬送シス
テム１０４に投入された時に確定する。
【００２０】次に、カセット１０５、１０６の投入が連
続している場合と間隔があいている場合のフローを以下
に説明する。なお、１つ目のカセット（カセット１０５
と呼ぶ）と２つ目のカセット（カセット１０６と呼ぶ）
の被成膜基板枚数は各２０枚とする。
【００２１】カセットが連続している場合は、以下の順
で処理する。
（１）カセット１０５を大気搬送システム１０４に投入
する。
（２）カセット１０５のスケジュールを取得し、シーズ
ニングレシピ１２５を確定状態に移行する。但し、この
時は成膜制御１２３が起動されていないのでシーズニン
グは実施されない。
（３）カセット１０５の１枚目の被成膜基板がロードロ
ック室１０３に搬入されると、ガスクリーニングレシピ
１２４を確定し、シーズニングレシピ１２５を不確定状
態に移行する。
（４）カセット１０５の２枚目から１９枚目の被成膜基
板に順に成膜する。
（５）カセット１０６を大気搬送システム１０４に投入
する。
（６）カセット１０５の２０枚目の被成膜基板がロード
ロック室１０３に搬入されると、カセット１０６のスケ
ジュールを取得し、シーズニングレシピ１２５を確定状
態に移行する。
（７）カセット１０５の２０枚目の被成膜基板が成膜室
１０１から搬出されると、成膜室１０１にてガスクリー
ニングとシーズニングを順に実施する。
（８）カセット１０６の１枚目の被成膜基板は、カセッ
ト１０５の２０枚目の被成膜基板がカセット１０５に戻
ってから、ロードロック室１０３に搬入されシーズニン
グが終了するまで待機する。
【００２２】次に、カセット１０５と１０６の投入の間
隔があいた場合は、以下の通り処理する。
（１）カセット１０５を大気搬送システム１０４に投入
する。
（２）カセット１０５のスケジュールを取得し、シーズ
ニングレシピ１２５を確定状態に移行する。但し、この
時は成膜制御１２３が起動されていないのでシーズニン
グは実施されない。
（９）カセット１０５の１枚目の被成膜基板がロードロ
ック室１０３に搬入されると、ガスクリーニングレシピ
１２４を確定し、シーズニングレシピ１２５を不確定状
態に移行する。
（１０）カセット１０５の２枚目から１９枚目の被成膜
基板に順に成膜する。
（１１）カセット１０５の２０枚目の被成膜基板が成膜
室１０１から搬出されると、成膜室１０１にてガスクリ
ーニングレシピ１２４を実施する。
（１２）全ての被成膜基板がカセット１０５に戻る。
（１３）ガスクリーニングが終了し、シーズニングレシ
ピ１２５確定待ち状態になる。
（１４）カセット１０６を大気搬送システム１０４に投
入する。
（１５）カセット１０６のスケジュールを取得し、シー
ズニングレシピ１２５を確定状態に移行する。
（１６）成膜室１０１にてシーズニングを実施する。
（１７）カセット１０６の１枚目の被成膜基板は、ロー
ドロック室１０３に搬入されシーズニングが終了するま
で待機する。
【００２３】これにより、カセットの投入間隔があいた
場合でも、次のカセットが投入されない限りシーズニン
グを実施しないようになる。
【００２４】以上のように、カセットの投入間隔があい
た場合でも、成膜室はガスクリーニング終了状態で待機
し、次のカセットの投入を確認してからシーズニングを
自動的に開始するので、シーズニング完了状態で長時間
放置することによる異物が発生せず、成膜基板の歩留ま
りが向上する。
【００２５】本実施の形態が好適に適用できる成膜、ガ
スクリーニング、シーズニングの一例としては、例え
ば、プラズマＣＶＤ法により、成膜用のガスとしてＳｉ
Ｈ４ガスと、ＮＨ３ガスと、Ｎ２ガスとを用いて窒化ケ
イ素（ＳｉＮｘ）パッシベーション膜を成膜する場合
に、ＮＦ３ガス（２０００ｓｃｃｍ）、Ｎ２ガス（１０
００ｓｃｃｍ）、パージＮ２ガス（５００ｓｃｃｍ）を
使用して圧力５３Ｐａ、ＲＦ（高周波電力）４０００Ｗ
でガスクリーニングを行い、シーズニングは、成膜用ガ
スと同じＳｉＨ４ガスと、ＮＨ３ガスと、Ｎ２ガスとを
用いて、ＳｉＨ４を４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３を２０００
ｓｃｃｍ、Ｎ２を３７５０ｓｃｃｍの流量で供給して、
圧力５３Ｐａ、ＲＦ（高周波電力）４０００Ｗで成膜室
に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を堆積させることによって行
う場合が挙げられる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、異物による不良を抑制
または防止でき、成膜の歩留まりを向上させることがで
きる成膜装置が提供される。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus,
In particular, LCD (Liquid Crystal D) using automatic production control
isplay: LCD (Chemical Vapor) for manufacturing
Deposition) device. 2. Description of the Related Art A conventional apparatus automatically performs gas cleaning after processing a certain number of deposition substrates, and automatically performs seasoning regardless of the presence or absence of the next deposition substrate. We are implementing. FIG. 1 shows a configuration example of a conventional apparatus. This LC
The D manufacturing CVD apparatus 1 includes a film forming chamber 101, a vacuum transfer chamber 102, a load lock chamber 103, and an atmospheric transfer system 104. FIG. 5 shows an example of a timing chart. In the figure, when performing gas cleaning for each cassette (20 substrates to be deposited), gas cleaning is automatically started after the substrate to be deposited in the cassette 105 is carried out of the deposition chamber 101. Even when the substrate to be deposited in the next cassette 106 has not been loaded, the seasoning is automatically started after the gas cleaning is completed. After the seasoning is completed, the substrate is kept in a high vacuum state until the substrate to be deposited in the cassette 106 is carried into the deposition chamber. The schedule for each cassette is shown in FIG.
First, the atmosphere transfer system 1
The gas cleaning and seasoning performed between the cassette 105 to be loaded into the cassette 04 and the cassette 106 to be subsequently loaded into the atmospheric transfer system 104 include gas cleaning and seasoning specified in the schedule of the cassette 105 to be loaded first. This is performed by implementing a seasoning recipe. That is, the seasoning is performed without interlocking with the loading of the next cassette 106. In a conventional control configuration, as shown in FIG.
Cassette control 121, transport control 122, film formation control 123
There is. First, when a new cassette 105 or 106 is loaded into the atmospheric transfer system 104, the cassette control 12
1 activates the transport control 122 and the cassette 105 or 1
The first film deposition substrate 06 is carried into the load lock chamber 103. At this time, the recipe of the gas cleaning 124 and the seasoning 125 is determined. Then, the substrate to be deposited is loaded / unloaded into the deposition chamber 101 by the transport control 122, and at this time, the transport control 122 activates the deposition control 123. The film formation control 123 is determined by the cassette control 121 when the film formation target unloaded from the film formation chamber 101 is the final film formation target substrate of the relevant cassette (step 303) as shown in the flowchart of FIG. Gas cleaning (step 302) and seasoning (step 303)
The following recipes are implemented in order. [0007] If the film forming chamber is left for a long time in a state where the seasoning is completed, foreign matter may be generated, and a defect due to the foreign matter may occur when the substrate to be formed is processed next time. Accordingly, it is a main object of the present invention to provide a film forming apparatus capable of suppressing or preventing defects due to foreign matters. Means for Solving the Problems In view of the above points, the present inventor has conducted intensive studies. As a result, after completion of gas cleaning, it is confirmed that the next substrate to be deposited is charged, and then seasoning is automatically performed. It has been found that by starting the process, the yield of the film-formed substrate can be improved. [0010] The present invention is based on this finding,
According to the present invention, a film formation chamber for performing film formation on a film formation object using a film formation gas, a charging section into which the film formation object is charged, and a film forming chamber and the charging section And a transfer unit for transferring the object to be film-formed between the first plurality of film-forming objects, forming a film on the first plurality of film-forming objects in the film forming chamber, and then automatically performing gas cleaning of the film forming chamber Automatically forming a deposit in the film forming chamber by using a part of the film forming gas, the same gas as the film forming gas or a gas containing the film forming gas, and thereafter, A film formation apparatus for forming a film in the film formation chamber on a second plurality of film formation objects different from the plurality of film formation objects, wherein the second plurality of film formation objects are charged Automatically using a part of the film forming gas, the same gas as the film forming gas, or a gas containing the film forming gas in conjunction with the timing of charging into the unit. Film forming apparatus and forming a deposit film forming chamber is provided. Here, a deposit is formed in the film forming chamber using a part of the film forming gas, the same gas as the film forming gas, or a gas containing the film forming gas, thereby predeposition (that is, seasoning). )I do. Note that forming a deposit in a film formation chamber using a part of a film formation gas means that, for example, when a film doped with an impurity is formed, seasoning does not use a gas for doping. Forming a deposit in a film formation chamber using the same gas as a film formation gas means that, for example, a SiH 4 gas, an NH 3 gas, and a N 2 gas are used as a film formation gas. When a silicon nitride (SiNx) passivation film is formed using
This refers to the case where silicon nitride (SiNx) is deposited in a deposition chamber using H 4 gas, NH 3 gas, and N 2 gas. The case where a gas containing a deposition gas is used refers to a case where a carrier gas such as hydrogen, nitrogen, or a rare gas is added to the deposition gas. Regarding the above three examples, any example may be used to confine the particles. However, considering the processing uniformity (film thickness and film quality) when the film is repeatedly formed, the same gas as the film forming gas is used. It is preferable to use Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a CVD apparatus for manufacturing an LCD according to an embodiment of the present invention. The LCD manufacturing CVD apparatus 1 includes a film forming chamber 101 and a vacuum transfer chamber 102.
, Load lock chamber 103, and atmospheric transfer system 104
And In the film forming chamber 101, a film forming substrate (a glass substrate for forming a liquid crystal display element or the like) is formed by using a film forming gas.
A film is formed thereon by a plasma CVD method. Cassettes 105 and 106 for accommodating a fixed number (20 in this embodiment) of film formation substrates are respectively provided in the atmospheric transfer system 104.
Are respectively input. Then, the film formation substrates are carried in / out of the load lock chamber 103 from the cassettes 105 and 106, respectively. The load lock chamber 103 switches the inside of the chamber (chamber) to the atmospheric pressure / vacuum state, and enables the transfer of the film formation substrate between the vacuum transfer chamber 102 and the atmospheric transfer system 104. The vacuum transfer chamber 102 transfers a deposition target substrate between the load lock chamber 103 and the film formation chamber 101. In this embodiment, gas cleaning and seasoning are performed for each cassette (20 substrates to be deposited). The schedule for each cassette is changed from the conventional configuration in which seasoning is performed after the completion of gas cleaning in FIG. 6 to a configuration in which seasoning is performed before the first film forming recipe as shown in FIG. . That is,
Cassette 1 to be initially loaded into atmospheric transport system 104
The gas cleaning and seasoning performed between the first cassette 05 and the cassette 106 to be subsequently loaded into the atmospheric transport system 104 are performed in accordance with the schedule of the first loaded cassette 105, and then the gas cleaning recipe is performed. This is performed by executing a seasoning recipe in conjunction with the loading of the loaded cassette 106. As shown in FIG. 2, the control configuration of this embodiment includes a cassette control 121, a transport control 122, and a film formation control 123. In the cassette control of FIG. 2, when a new cassette is loaded into the atmospheric transfer system 104, a seasoning recipe 125 is determined. When the first substrate to be deposited in the cassette is loaded into the load lock chamber 103, the gas cleaning recipe 124 is determined, and the seasoning recipe 125 is not determined. The first film formation substrate of the new cassette is loaded in the load lock chamber 103 until all the film formation substrates of the previous cassette return to the original cassette.
Not conveyed to That is, first, when the first substrate to be deposited in the cassette 105 is loaded into the load lock chamber 103,
The gas cleaning recipe 124 is determined, and the seasoning recipe 125 is determined. And transport control 1
22, the substrate on which the film is to be formed in the cassette 105 is
1 and at that time, the transport control 122
Start As shown in the flowchart of FIG. 4, the film formation control 123 determines that the film formation substrate carried out of the film formation chamber 101 is the final film formation substrate of the cassette 105 (step 2).
01), the gas cleaning (step 202) recipe determined by the transport control 122 is executed. After the gas cleaning is completed, if the seasoning recipe is not determined, the seasoning is not performed until the seasoning recipe is determined, and the seasoning is performed when the seasoning recipe is determined (steps 203 and 204). The seasoning recipe is determined when the next cassette 106 is loaded into the atmospheric transfer system 104. Next, the flow when the cassettes 105 and 106 are continuously loaded and when the intervals are long will be described below. The first cassette (cassette 105
) And the second cassette (called cassette 106)
Is 20 each. If the cassettes are continuous, the processing is performed in the following order. (1) The cassette 105 is put into the atmospheric transfer system 104. (2) The schedule of the cassette 105 is acquired, and the seasoning recipe 125 is shifted to a fixed state. However, at this time, since the film formation control 123 has not been activated, seasoning is not performed. (3) When the first film formation substrate in the cassette 105 is carried into the load lock chamber 103, the gas cleaning recipe 124 is determined, and the seasoning recipe 125 is shifted to an undefined state. (4) Films are sequentially formed on the second to nineteenth film formation substrates of the cassette 105. (5) The cassette 106 is loaded into the atmospheric transfer system 104. (6) When the twentieth substrate to be deposited in the cassette 105 is carried into the load lock chamber 103, the schedule of the cassette 106 is acquired, and the seasoning recipe 125 is shifted to a fixed state. (7) When the twentieth substrate to be deposited in the cassette 105 is unloaded from the deposition chamber 101, gas cleaning and seasoning are sequentially performed in the deposition chamber 101. (8) The first film formation substrate in the cassette 106 is carried into the load lock chamber 103 after the twentieth film formation substrate in the cassette 105 returns to the cassette 105, and waits until the seasoning ends. Next, when there is an interval between the loading of the cassettes 105 and 106, the following processing is performed. (1) The cassette 105 is put into the atmospheric transfer system 104. (2) The schedule of the cassette 105 is acquired, and the seasoning recipe 125 is shifted to a fixed state. However, at this time, since the film formation control 123 has not been activated, seasoning is not performed. (9) When the first film formation substrate in the cassette 105 is carried into the load lock chamber 103, the gas cleaning recipe 124 is determined, and the seasoning recipe 125 is shifted to an undefined state. (10) Film formation is sequentially performed on the second to nineteenth film formation substrates of the cassette 105. (11) When the twentieth substrate to be deposited in the cassette 105 is carried out of the deposition chamber 101, a gas cleaning recipe 124 is performed in the deposition chamber 101. (12) All the film formation substrates return to the cassette 105. (13) The gas cleaning is completed, and the seasoning recipe 125 waits for confirmation. (14) The cassette 106 is loaded into the atmospheric transfer system 104. (15) The schedule of the cassette 106 is acquired, and the seasoning recipe 125 is shifted to a fixed state. (16) Seasoning is performed in the film forming chamber 101. (17) The first film formation substrate in the cassette 106 is carried into the load lock chamber 103 and waits until the seasoning ends. As a result, even when the cassettes are inserted at intervals, the seasoning is not performed unless the next cassette is inserted. As described above, even when the cassette is inserted, the film forming chamber waits in a state where the gas cleaning is completed, and starts the seasoning automatically after confirming the next cassette insertion. No foreign matter is generated due to being left for a long time in the state, and the yield of the film-formed substrate is improved. As an example of film formation, gas cleaning, and seasoning to which the present embodiment can be suitably applied, for example, a plasma CVD method is used to form Si as a gas for film formation.
When a silicon nitride (SiNx) passivation film is formed using H 4 gas, NH 3 gas, and N 2 gas, NF 3 gas (2000 sccm) and N 2 gas (10
00 sccm), pressure 53 Pa using purge N 2 gas (500 sccm), RF (high frequency power) 4000 W
Gas cleaning is performed, and the seasoning is performed using SiH 4 gas, NH 3 gas, and N 2 gas, which are the same as the film forming gas, with 400 sccm of SiH 4 and 2000 of NH 3 .
sccm, N 2 at a flow rate of 3750 sccm,
A case in which silicon nitride (SiNx) is deposited in a film formation chamber at a pressure of 53 Pa and an RF (high-frequency power) of 4000 W may be used. According to the present invention, there is provided a film forming apparatus capable of suppressing or preventing defects due to foreign matters and improving the film forming yield.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態および従来のＬＣＤ製造
用ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態および従来のＬＣＤ製造
用ＣＶＤ装置の制御構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態での１カセット毎のスケ
ジュール構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態での成膜制御のフローチ
ャートである。
【図５】従来技術の処理順序を説明するためのタイミン
グチャートである。
【図６】従来技術での１カセット毎のスケジュール構成
を示す図である。
【図７】従来技術の成膜制御のフローチャートである。
【符号の説明】
１…ＬＣＤ製造用ＣＶＤ装置
１０１…成膜室
１０２…真空搬送室
１０３…ロードロック室
１０４…大気搬送システム
１０５、１０６…カセットBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an embodiment of the present invention and a conventional CVD apparatus for manufacturing an LCD. FIG. 2 is a diagram showing a control configuration of an embodiment of the present invention and a conventional CVD apparatus for manufacturing an LCD. FIG. 3 is a diagram showing a schedule configuration for each cassette in one embodiment of the present invention. FIG. 4 is a flowchart of film formation control in one embodiment of the present invention. FIG. 5 is a timing chart for explaining a processing order according to the related art. FIG. 6 is a diagram showing a schedule configuration for each cassette in the related art. FIG. 7 is a flowchart of a conventional film formation control. [Description of Signs] 1 ... CVD apparatus 101 for LCD manufacturing ... film forming chamber 102 ... vacuum transfer chamber 103 ... load lock chamber 104 ... atmospheric transfer system 105, 106 ... cassette
Claims (1)
成膜室と、前記被成膜物が投入される投入部と、前記成
膜室と前記投入部との間で前記被成膜物を搬送する搬送
部とを備え、 第１の複数の前記被成膜物に前記成膜室内で成膜を行
い、その後自動的に前記成膜室のガスクリーニングを行
い、その後自動的に前記成膜用ガスの一部、前記成膜用
ガスと同じガスまたは前記成膜用ガスを含むガスを用い
て前記成膜室に堆積物を形成し、その後、前記第１の複
数の被成膜物とは異なる第２の複数の前記被成膜物に前
記成膜室内で成膜を行う成膜装置であって、 前記第２の複数の被成膜物を前記投入部に投入するタイ
ミングと連動して自動的に、前記成膜用ガスの一部、前
記成膜用ガスと同じガスまたは前記成膜用ガスを含むガ
スを用いて前記成膜室に堆積物を形成することを特徴と
する成膜装置。Claims: 1. A film forming chamber for forming a film on a film using a film forming gas, an input section into which the film is charged, and the film forming chamber. And a transport unit for transporting the object to be deposited between the charging unit and the input unit, wherein a film is formed on the first plurality of objects to be deposited in the film forming chamber, and then the film forming chamber is automatically formed. Performing a gas cleaning, then automatically form a deposit in the film forming chamber using a part of the film forming gas, the same gas as the film forming gas or a gas containing the film forming gas, Then, the film forming apparatus is configured to form a film in the film forming chamber on a second plurality of film formed objects different from the first plurality of film formed objects, A part of the film-forming gas, the same gas as the film-forming gas or the film-forming gas is automatically included in conjunction with the timing of charging the film object into the charging section. Film forming apparatus and forming a deposit on the deposition chamber using a gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001296360A JP2003105544A (en) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | Film deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001296360A JP2003105544A (en) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | Film deposition apparatus |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003105544A true JP2003105544A (en) | 2003-04-09 |
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ID=19117616
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| JP2001296360A Withdrawn JP2003105544A (en) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | Film deposition apparatus |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003105544A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004047655A (en) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
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| KR100914354B1 (en) | 2006-06-05 | 2009-08-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Elimination of first wafer effect for pecvd films |
| JP2010016179A (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Control device of plasma treatment device system, control method of plasma treatment system, and storage medium storing control program |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001296360A patent/JP2003105544A/en not_active Withdrawn
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