JP2003098348A - 偏光板およびこれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
偏光板およびこれを用いた液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 ２枚の透明支持体Ａ、Ｂによって偏光層
を挟持してなる偏光板であって、該透明支持体のうち一
方の支持体Ｂの偏光層と反対側の面上には光学異方層を
備えてなる光学補償層が形成され、他方の透明支持体Ａ
の偏光層と反対側の面上には反射防止層が形成され、透
明支持体Ｂが総置換度2.55〜2.80のセルロースエステル
からなることを特徴とする偏光板を用いる。 【効果】 生産性、耐久性に優れた偏光板を提供するこ
とができ、さらに外光反射による表示品位の劣化を防止
できるとともに、視野角を拡大し、視野角特性が向上し
た液晶表示装置を提供することができる。
を挟持してなる偏光板であって、該透明支持体のうち一
方の支持体Ｂの偏光層と反対側の面上には光学異方層を
備えてなる光学補償層が形成され、他方の透明支持体Ａ
の偏光層と反対側の面上には反射防止層が形成され、透
明支持体Ｂが総置換度2.55〜2.80のセルロースエステル
からなることを特徴とする偏光板を用いる。 【効果】 生産性、耐久性に優れた偏光板を提供するこ
とができ、さらに外光反射による表示品位の劣化を防止
できるとともに、視野角を拡大し、視野角特性が向上し
た液晶表示装置を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、偏光板、およびこの偏光
板の製造方法ならびにこの偏光板を用いた液晶表示装置
に関する。より詳しくは生産性が高く、耐久性に優れ、
かつ視認性に優れる偏光板、およびこの偏光板の製造方
法ならびにこの偏光板を用いた液晶表示装置に関する。
板の製造方法ならびにこの偏光板を用いた液晶表示装置
に関する。より詳しくは生産性が高く、耐久性に優れ、
かつ視認性に優れる偏光板、およびこの偏光板の製造方
法ならびにこの偏光板を用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】液晶表示装置は、低電圧、低消費
電力でＩＣ回路への直結が可能であり、そして、特に薄
型化が可能であることから、ワードプロセッサやパーソ
ナルコンピュータなどの表示装置として広く採用されて
いる。このような液晶表示装置（ＬＣＤ）は、基本的に
は液晶セルを１対の偏光板で狭持した構造からなる。偏
光板は、一定方向の偏波面の光だけを通すものであり、
電界による液晶の配向の変化を可視化させる重要な役割
を担っている。即ち、偏光板の性能によってＬＣＤの性
能が大きく左右される。
電力でＩＣ回路への直結が可能であり、そして、特に薄
型化が可能であることから、ワードプロセッサやパーソ
ナルコンピュータなどの表示装置として広く採用されて
いる。このような液晶表示装置（ＬＣＤ）は、基本的に
は液晶セルを１対の偏光板で狭持した構造からなる。偏
光板は、一定方向の偏波面の光だけを通すものであり、
電界による液晶の配向の変化を可視化させる重要な役割
を担っている。即ち、偏光板の性能によってＬＣＤの性
能が大きく左右される。
【０００３】また最近、液晶表示装置においては、外部
からの像の映り込みや外光の反射によるコントラスト低
下を防止するため、反射防止層をディスプレイの最表面
に配置すること、すなわち、表示側の偏光板の最表面に
反射防止層を設けることが行われている。ところで、液
晶表示装置には、使用する液晶のタイプによって、ツイ
スト角が９０度のツイステッドネマティック（ＴＮ）液
晶を用いた液晶表示装置と、ツイスト角が９０度を超え
るスーパーツイステッドネマティック（ＳＴＮ）液晶を
用いた液晶表示装置などがある。
からの像の映り込みや外光の反射によるコントラスト低
下を防止するため、反射防止層をディスプレイの最表面
に配置すること、すなわち、表示側の偏光板の最表面に
反射防止層を設けることが行われている。ところで、液
晶表示装置には、使用する液晶のタイプによって、ツイ
スト角が９０度のツイステッドネマティック（ＴＮ）液
晶を用いた液晶表示装置と、ツイスト角が９０度を超え
るスーパーツイステッドネマティック（ＳＴＮ）液晶を
用いた液晶表示装置などがある。
【０００４】９０度の捻れ角および正の複屈折を有する
ＴＮ液晶を使用したＴＮ−ＬＣＤは、ＴＦＴ−ＬＣＤお
よびＭＩＭ（Metal Insulator Metal）−ＬＣＤのよう
なアクティブマトリックス駆動方式を採用することによ
り、高速応答性と高いコントラストを有しており、ＳＴ
Ｎ−ＬＣＤと比較して有利である。しかしながら、ＴＮ
−ＬＣＤはディスプレイ表示の色彩やコントラストが見
る角度によって変化する視野角特性を有するため、ＣＲ
Ｔに比べて見難いという問題があった。
ＴＮ液晶を使用したＴＮ−ＬＣＤは、ＴＦＴ−ＬＣＤお
よびＭＩＭ（Metal Insulator Metal）−ＬＣＤのよう
なアクティブマトリックス駆動方式を採用することによ
り、高速応答性と高いコントラストを有しており、ＳＴ
Ｎ−ＬＣＤと比較して有利である。しかしながら、ＴＮ
−ＬＣＤはディスプレイ表示の色彩やコントラストが見
る角度によって変化する視野角特性を有するため、ＣＲ
Ｔに比べて見難いという問題があった。
【０００５】特開平４−２２９８２８号公報および特開
平４−２５８９２３号公報には、１対の偏光板と液晶セ
ルとの間に、液晶セルの斜め方向で発生する位相差を補
償し、視野角特性を改善するための位相差板（光学補償
シート）を設けることが記載されている。このような光
学補償シートは、ネマティック液晶の正の複屈折を補償
するため、負の複屈折を有し、なおかつ光軸が傾いてい
る方が有効である。
平４−２５８９２３号公報には、１対の偏光板と液晶セ
ルとの間に、液晶セルの斜め方向で発生する位相差を補
償し、視野角特性を改善するための位相差板（光学補償
シート）を設けることが記載されている。このような光
学補償シートは、ネマティック液晶の正の複屈折を補償
するため、負の複屈折を有し、なおかつ光軸が傾いてい
る方が有効である。
【０００６】特開平８−５０２０６号公報には、ディス
コティック構造単位を有する化合物からなる負の複屈折
を有する層を有し、該ディスコティック化合物と支持体
とのなす角度が層の深さ方向において変化している光学
補償シートが記載されている。しかしながら、この光学
補償シート単独では外光反射による表示品位の劣化を改
良することはできなかった。
コティック構造単位を有する化合物からなる負の複屈折
を有する層を有し、該ディスコティック化合物と支持体
とのなす角度が層の深さ方向において変化している光学
補償シートが記載されている。しかしながら、この光学
補償シート単独では外光反射による表示品位の劣化を改
良することはできなかった。
【０００７】特開２００１−１０００４２号公報には、
上記ディスコティック構造単位を有する化合物からなる
光学異方層を含んでなる光学補償層と、偏光層と、反射
防止層とを有する偏光板およびこの偏光板を用いた液晶
表示装置が記載されている。しかしながら、この偏光板
では、反射防止層を塗布により形成しており、生産性は
高いが層間密着性や耐傷性、反射防止性能がいまだ充分
とはいえず、また視野角特性についてもさらに改善する
必要があった。
上記ディスコティック構造単位を有する化合物からなる
光学異方層を含んでなる光学補償層と、偏光層と、反射
防止層とを有する偏光板およびこの偏光板を用いた液晶
表示装置が記載されている。しかしながら、この偏光板
では、反射防止層を塗布により形成しており、生産性は
高いが層間密着性や耐傷性、反射防止性能がいまだ充分
とはいえず、また視野角特性についてもさらに改善する
必要があった。
【０００８】本発明者らは、このような状況に鑑みて鋭
意研究した結果、ディスコティック構造単位を有する化
合物からなる光学異方層を備えてなる光学補償層と、偏
光層と、反射防止層とを有する偏光板において、光学補
償層側の透明支持体に特定のセルロースエステルを用
い、さらに好ましくは反射防止層を大気圧プラズマ処理
で形成することによって、生産性が高く、耐久性に優
れ、かつ視認性に優れる偏光板とすることができ、さら
にこの偏光板を用いることで、液晶表示装置およびカラ
ー液晶表示装置の外光反射による表示品位劣化を防止す
るとともに、視野角特性をより向上することができるこ
とを見出し、本発明を完成させるに至った。
意研究した結果、ディスコティック構造単位を有する化
合物からなる光学異方層を備えてなる光学補償層と、偏
光層と、反射防止層とを有する偏光板において、光学補
償層側の透明支持体に特定のセルロースエステルを用
い、さらに好ましくは反射防止層を大気圧プラズマ処理
で形成することによって、生産性が高く、耐久性に優
れ、かつ視認性に優れる偏光板とすることができ、さら
にこの偏光板を用いることで、液晶表示装置およびカラ
ー液晶表示装置の外光反射による表示品位劣化を防止す
るとともに、視野角特性をより向上することができるこ
とを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、外光反射による表示品位の劣
化を防止するとともに、ＴＮモードの液晶表示装置およ
びカラー液晶表示装置の視野角特性を向上することがで
きる偏光板および偏光板の製造方法ならびにこの偏光板
を備え、すべての方向において表示品位に優れた液晶表
示装置を提供することを目的としている。
化を防止するとともに、ＴＮモードの液晶表示装置およ
びカラー液晶表示装置の視野角特性を向上することがで
きる偏光板および偏光板の製造方法ならびにこの偏光板
を備え、すべての方向において表示品位に優れた液晶表
示装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【発明の概要】本発明に係る偏光板は、２枚の透明支持
体Ａ、Ｂによって偏光層を挟持してなる偏光板におい
て、該透明支持体のうち一方の支持体Ｂの偏光層と反対
側の面上には光学異方層を備えてなる光学補償層が形成
され、他方の透明支持体Ａの偏光層と反対側の面上には
反射防止層が形成され、透明支持体Ｂが総置換度2.55〜
2.80のセルロースエステルからなることを特徴としてい
る。
体Ａ、Ｂによって偏光層を挟持してなる偏光板におい
て、該透明支持体のうち一方の支持体Ｂの偏光層と反対
側の面上には光学異方層を備えてなる光学補償層が形成
され、他方の透明支持体Ａの偏光層と反対側の面上には
反射防止層が形成され、透明支持体Ｂが総置換度2.55〜
2.80のセルロースエステルからなることを特徴としてい
る。
【００１１】本発明に係る偏光板においては、前記反射
防止層が大気圧プラズマ処理によって形成された金属酸
化物層および／または有機フッ素化合物層を有すること
を特徴としている。本発明では、前記偏光板を構成する
光学異方層がディスコティック構造単位を有する化合物
からなる負の複屈折を有する層であり、該ディスコティ
ック構造単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いてお
り、かつ該ディスコティック構造単位の円盤面と透明支
持体面とのなす角度が、光学異方層の深さ方向において
変化していることを特徴としている。
防止層が大気圧プラズマ処理によって形成された金属酸
化物層および／または有機フッ素化合物層を有すること
を特徴としている。本発明では、前記偏光板を構成する
光学異方層がディスコティック構造単位を有する化合物
からなる負の複屈折を有する層であり、該ディスコティ
ック構造単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いてお
り、かつ該ディスコティック構造単位の円盤面と透明支
持体面とのなす角度が、光学異方層の深さ方向において
変化していることを特徴としている。
【００１２】本発明に係る偏光板においては、前記ディ
スコティック構造単位の円盤面と透明支持体面とのなす
角度が光学異方層の支持体面側からの距離の増加ととも
に増加していることが好ましい。また、本発明に係る偏
光板においては、前記透明支持体Ｂが、２軸延伸された
セルロースエステルフィルムであることが好ましい。
スコティック構造単位の円盤面と透明支持体面とのなす
角度が光学異方層の支持体面側からの距離の増加ととも
に増加していることが好ましい。また、本発明に係る偏
光板においては、前記透明支持体Ｂが、２軸延伸された
セルロースエステルフィルムであることが好ましい。
【００１３】さらに本発明にかかる偏光板においては、
前記反射防止層が、少なくとも１層の低屈折率層と、透
明支持体Ａの屈折率よりも高くかつ2.0以上の屈折率を
有する少なくとも1層の高屈折率層とを備えてなり、該
高屈折率層が透明支持体Ａと低屈折率層との間に設けら
れていることを特徴としている。また、前記反射防止層
の少なくとも1層は、炭素含有量が5.0質量％以下である
ことが好ましく、特に0.2〜5.0質量％の金属酸化物層で
あることが好ましい。
前記反射防止層が、少なくとも１層の低屈折率層と、透
明支持体Ａの屈折率よりも高くかつ2.0以上の屈折率を
有する少なくとも1層の高屈折率層とを備えてなり、該
高屈折率層が透明支持体Ａと低屈折率層との間に設けら
れていることを特徴としている。また、前記反射防止層
の少なくとも1層は、炭素含有量が5.0質量％以下である
ことが好ましく、特に0.2〜5.0質量％の金属酸化物層で
あることが好ましい。
【００１４】本発明に係る偏光板は、450〜650nmの平均
反射率が0.2％未満であることを特徴としている。本発
明に係る偏光板の製造方法は、偏光板を製造するに際し
て、該偏光板を構成する透明支持体Ａの反射防止層とし
ての金属酸化物層および／または有機フッ素化合物層
を、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向す
る電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、か
つ、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力を供給して放電させ、反応
性ガスをプラズマ状態とし、基材を該プラズマ状態の反
応性ガスに晒すことによって形成することを特徴として
いる。
反射率が0.2％未満であることを特徴としている。本発
明に係る偏光板の製造方法は、偏光板を製造するに際し
て、該偏光板を構成する透明支持体Ａの反射防止層とし
ての金属酸化物層および／または有機フッ素化合物層
を、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向す
る電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、か
つ、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力を供給して放電させ、反応
性ガスをプラズマ状態とし、基材を該プラズマ状態の反
応性ガスに晒すことによって形成することを特徴として
いる。
【００１５】本発明に係る液晶表示装置は、前記偏光板
を、液晶セルの両側に配置された２枚の偏光板のうち、
表示側の偏光板として用い、かつ光学異方層を液晶セル
側へ向けて配置することを特徴としている。本発明に係
るカラー液晶表示装置は、透明電極、画素電極およびカ
ラーフィルタを有する一対の基板と、その基板間に封入
された捻れ配向したネマティック液晶とからなる液晶セ
ル、液晶セルの両側に設けられた一対の光学補償シート
とその外側に配置された一対の偏光板からなるカラー液
晶表示装置において、液晶セルの表示側光学補償シート
および偏光板として前記偏光板を用い、かつ該光学異方
層を液晶セル側へ向けて配置し、さらに液晶セルのバッ
クライト側にディスコティック構造単位を有する化合物
からなる負の複屈折を有する光学異方性層を有し、該デ
ィスコティック構造単位の円盤面が透明支持体面に対し
て傾いており、かつ該ディスコティック構造単位の円盤
面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方層の深さ方
向において変化している光学補償シートを有することを
特徴としている。
を、液晶セルの両側に配置された２枚の偏光板のうち、
表示側の偏光板として用い、かつ光学異方層を液晶セル
側へ向けて配置することを特徴としている。本発明に係
るカラー液晶表示装置は、透明電極、画素電極およびカ
ラーフィルタを有する一対の基板と、その基板間に封入
された捻れ配向したネマティック液晶とからなる液晶セ
ル、液晶セルの両側に設けられた一対の光学補償シート
とその外側に配置された一対の偏光板からなるカラー液
晶表示装置において、液晶セルの表示側光学補償シート
および偏光板として前記偏光板を用い、かつ該光学異方
層を液晶セル側へ向けて配置し、さらに液晶セルのバッ
クライト側にディスコティック構造単位を有する化合物
からなる負の複屈折を有する光学異方性層を有し、該デ
ィスコティック構造単位の円盤面が透明支持体面に対し
て傾いており、かつ該ディスコティック構造単位の円盤
面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方層の深さ方
向において変化している光学補償シートを有することを
特徴としている。
【００１６】
【発明の具体的説明】以下、本発明について具体的に説
明する。 ＜偏光板＞まず、本発明の偏光板の基本的な構成を図1
にもとづいて説明する。図１に本発明に係る偏光板の構
成の一例を示す。本発明に係る偏光板は、２枚の透明支
持体（Ａ、Ｂ）２０、２２によって偏光層２４を挟持し
てなり、該透明支持体のうち一方の支持体Ｂの偏光層と
反対側の面上に光学異方層２６を備えてなる光学補償層
２８が形成され、透明支持体Ａの偏光層と反対側の面上
に反射防止層３０が形成されている。 ［偏光層］偏光層は、ヨウ素などを高分子フィルムに吸
着・延伸した偏光膜からなる。このような偏光膜は、二
色性物質（ヨウ素）を含むＨインキと呼ばれる溶液を、
ポリビニルアルコールのフィルムに湿式吸着させた後、
このフィルムを一軸延伸することにより、二色性物質を
一方向に配向させたものである。 ［光学補償層］光学補償層は、透明支持体Ｂ上に直接あ
るいは必要に応じて配向層などを介した上に、光学異方
層を形成させたものである。図２に光学補償層の光学特
性を示す。図中、３４は配向層のラビング方向を示し、
ｎ１、ｎ２およびｎ３は光学補償層の直交する三軸の屈
折率を表しており、正面から見た場合にｎ１≦ｎ３≦ｎ
２の関係を満たしている。光学補償層は、透明支持体Ｂ
の法線方向から傾いた方向にリターデーションの絶対値
の最小値（ゼロを除く）を有する。図中３６はリターデ
ーションの絶対値の最小値を示す方向と透明支持体Ｂの
法線方向３２とが形成する角度を示している。ＴＮ−Ｌ
ＣＤの視野角特性を改善するためには、角度３６は好ま
しくは５〜５０度、より好ましくは１０〜４０度である
ことが望ましい。
明する。 ＜偏光板＞まず、本発明の偏光板の基本的な構成を図1
にもとづいて説明する。図１に本発明に係る偏光板の構
成の一例を示す。本発明に係る偏光板は、２枚の透明支
持体（Ａ、Ｂ）２０、２２によって偏光層２４を挟持し
てなり、該透明支持体のうち一方の支持体Ｂの偏光層と
反対側の面上に光学異方層２６を備えてなる光学補償層
２８が形成され、透明支持体Ａの偏光層と反対側の面上
に反射防止層３０が形成されている。 ［偏光層］偏光層は、ヨウ素などを高分子フィルムに吸
着・延伸した偏光膜からなる。このような偏光膜は、二
色性物質（ヨウ素）を含むＨインキと呼ばれる溶液を、
ポリビニルアルコールのフィルムに湿式吸着させた後、
このフィルムを一軸延伸することにより、二色性物質を
一方向に配向させたものである。 ［光学補償層］光学補償層は、透明支持体Ｂ上に直接あ
るいは必要に応じて配向層などを介した上に、光学異方
層を形成させたものである。図２に光学補償層の光学特
性を示す。図中、３４は配向層のラビング方向を示し、
ｎ１、ｎ２およびｎ３は光学補償層の直交する三軸の屈
折率を表しており、正面から見た場合にｎ１≦ｎ３≦ｎ
２の関係を満たしている。光学補償層は、透明支持体Ｂ
の法線方向から傾いた方向にリターデーションの絶対値
の最小値（ゼロを除く）を有する。図中３６はリターデ
ーションの絶対値の最小値を示す方向と透明支持体Ｂの
法線方向３２とが形成する角度を示している。ＴＮ−Ｌ
ＣＤの視野角特性を改善するためには、角度３６は好ま
しくは５〜５０度、より好ましくは１０〜４０度である
ことが望ましい。
【００１７】また、下記式１で表される光学補償層の厚
み方向のリターデーション値Ｒtは、好ましくは２０〜
４００nm、より好ましくは５０〜４００nm、さらに好ま
しくは１００〜４００nmであることが望ましい。
み方向のリターデーション値Ｒtは、好ましくは２０〜
４００nm、より好ましくは５０〜４００nm、さらに好ま
しくは１００〜４００nmであることが望ましい。
【００１８】
【数１】
【００１９】（ｄは光学補償層の厚み（ｎｍ）、ｎｘは
フィルム面内の屈折率が最も大きい方向の屈折率、ｎｙ
はｎｘに直角な方向でのフィルム面内の屈折率、ｎｚは
フィルムの厚み方向の屈折率をそれぞれ表す。）このよ
うな光学補償層は、ディップコート法、ローラーコート
法、ワイヤーバーコート法、エアーナイフコート法、カ
ーテンコート法、グラビアコート法やエクストルージョ
ンコート法（米国特許第２６８１２９４号明細書）を採
用して、透明支持体Ｂ上に配向層や光学異方層を塗布に
より設けることで形成することができる。その際、米国
特許第２７６１７９１号明細書、同２９４１８９８号明
細書、同３５０８９４７号明細書、同３５２６５２８号
明細書およびコーティング工学（原崎勇次著）、２５３
頁、朝倉書店（１９７３）に記載の方法を用いて二以上
の層を同時に塗布してもよい。 <透明支持体Ｂ>透明支持体Ｂは、透明であること、すな
わち、光透過率が好ましくは９０％以上、より好ましく
は９３％以上であることが望ましく、ヘイズは、好まし
くは１％以下、より好ましくは０．１％以下であること
が望ましい。また透明支持体Ｂは、１．４５〜１．５の
屈折率を有することが好ましい。
フィルム面内の屈折率が最も大きい方向の屈折率、ｎｙ
はｎｘに直角な方向でのフィルム面内の屈折率、ｎｚは
フィルムの厚み方向の屈折率をそれぞれ表す。）このよ
うな光学補償層は、ディップコート法、ローラーコート
法、ワイヤーバーコート法、エアーナイフコート法、カ
ーテンコート法、グラビアコート法やエクストルージョ
ンコート法（米国特許第２６８１２９４号明細書）を採
用して、透明支持体Ｂ上に配向層や光学異方層を塗布に
より設けることで形成することができる。その際、米国
特許第２７６１７９１号明細書、同２９４１８９８号明
細書、同３５０８９４７号明細書、同３５２６５２８号
明細書およびコーティング工学（原崎勇次著）、２５３
頁、朝倉書店（１９７３）に記載の方法を用いて二以上
の層を同時に塗布してもよい。 <透明支持体Ｂ>透明支持体Ｂは、透明であること、すな
わち、光透過率が好ましくは９０％以上、より好ましく
は９３％以上であることが望ましく、ヘイズは、好まし
くは１％以下、より好ましくは０．１％以下であること
が望ましい。また透明支持体Ｂは、１．４５〜１．５の
屈折率を有することが好ましい。
【００２０】このような透明支持体Ｂは、好ましくは総
置換度2.55〜2.80、より好ましくは総置換度2.60〜2.75
のセルロースエステルからなることが望ましい。総置換
度が上記の範囲にあるセルロースエステルを透明支持体
Ｂの基材として用いると、湿熱耐久性に優れるととも
に、透明支持体Ｂの厚み方向のリターデーションＲtを
大きくすることができ、偏光板として液晶表示装置に用
いたときに視野角を拡大できる。なお、本明細書におい
て総置換度とは、セルロース中の水酸基に結合した炭素
数6以下の低級脂肪酸数をグルコピラノース単位で表し
たものを意味し、ＡＳＴＭ-Ｄ８１７-９１、ＡＳＴＭ-
Ｄ８１７-９６に準拠して測定することができる。
置換度2.55〜2.80、より好ましくは総置換度2.60〜2.75
のセルロースエステルからなることが望ましい。総置換
度が上記の範囲にあるセルロースエステルを透明支持体
Ｂの基材として用いると、湿熱耐久性に優れるととも
に、透明支持体Ｂの厚み方向のリターデーションＲtを
大きくすることができ、偏光板として液晶表示装置に用
いたときに視野角を拡大できる。なお、本明細書におい
て総置換度とは、セルロース中の水酸基に結合した炭素
数6以下の低級脂肪酸数をグルコピラノース単位で表し
たものを意味し、ＡＳＴＭ-Ｄ８１７-９１、ＡＳＴＭ-
Ｄ８１７-９６に準拠して測定することができる。
【００２１】さらに本発明では透明支持体Ｂは、ｎｚ＜
ｎｙ＝ｎｘ（ｎｘは透明支持体Ｂ面内の屈折率が最も大
きい方向の屈折率、ｎｙはｎｘに直角な方向での支持体
Ｂ面内の屈折率、ｎｚは支持体Ｂの厚み方向の屈折率）
を満たす負の一軸性であって、厚み方向のリターデーシ
ョンＲｔが好ましくは６０〜３００ｎｍの範囲、より好
ましくは９０〜２００ｎｍの範囲、さらに好ましくは１
００〜１２０ｎｍの範囲にあることが望ましい。ただ
し、ｎｘとｎｙとは厳密に等しい必要はなく、｜ｎｘ−
ｎｙ｜／｜ｎｘ−ｎｚ｜≦０．２であればよい。また
（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される面内リターデーションＲ
oは、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎ
ｍ以下であることが望ましい。
ｎｙ＝ｎｘ（ｎｘは透明支持体Ｂ面内の屈折率が最も大
きい方向の屈折率、ｎｙはｎｘに直角な方向での支持体
Ｂ面内の屈折率、ｎｚは支持体Ｂの厚み方向の屈折率）
を満たす負の一軸性であって、厚み方向のリターデーシ
ョンＲｔが好ましくは６０〜３００ｎｍの範囲、より好
ましくは９０〜２００ｎｍの範囲、さらに好ましくは１
００〜１２０ｎｍの範囲にあることが望ましい。ただ
し、ｎｘとｎｙとは厳密に等しい必要はなく、｜ｎｘ−
ｎｙ｜／｜ｎｘ−ｎｚ｜≦０．２であればよい。また
（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される面内リターデーションＲ
oは、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎ
ｍ以下であることが望ましい。
【００２２】前記セルロースエステルとして具体的に
は、セルロースアセテート、セルロースプロピオネー
ト、セルロースブチレート、セルロースアセテートプロ
ピオネート、セルロースアセテートブチレートなどが好
ましく挙げられる。これらのうちではセルロースアセテ
ートが好ましく、セルローストリアセテートがより好ま
しい。
は、セルロースアセテート、セルロースプロピオネー
ト、セルロースブチレート、セルロースアセテートプロ
ピオネート、セルロースアセテートブチレートなどが好
ましく挙げられる。これらのうちではセルロースアセテ
ートが好ましく、セルローストリアセテートがより好ま
しい。
【００２３】また、該セルロースエステルの数平均分子
量Ｍnは、好ましくは７０，０００〜２５０，０００の
範囲、より好ましくは、８０，０００〜１５０，０００
の範囲にあることが望ましい。また、該セルロースエス
テルの質量平均分子量Ｍwとの比、Ｍw／Ｍnは、好まし
くは１．０〜５．０、より好ましくは１．５〜４．５で
あることが望ましい。なお、セルロースエステルの平均
分子量および分子量分布は、高速液体クロマトグラフィ
ーを用いて測定でき、これを用いて上記ＭnおよびＭwを
算出し、Ｍw／Ｍnを計算することができる。
量Ｍnは、好ましくは７０，０００〜２５０，０００の
範囲、より好ましくは、８０，０００〜１５０，０００
の範囲にあることが望ましい。また、該セルロースエス
テルの質量平均分子量Ｍwとの比、Ｍw／Ｍnは、好まし
くは１．０〜５．０、より好ましくは１．５〜４．５で
あることが望ましい。なお、セルロースエステルの平均
分子量および分子量分布は、高速液体クロマトグラフィ
ーを用いて測定でき、これを用いて上記ＭnおよびＭwを
算出し、Ｍw／Ｍnを計算することができる。
【００２４】測定条件は以下の通りである。
溶媒：メチレンクロライド、カラム：Shodex K806,K80
5,K803G（昭和電工（株）製を3本接続して使用した）、
カラム温度：２５℃、試料濃度：０．１質量％、検出
器：RI Model 504（GLサイエンス社製）、ポンプ：L600
0（日立製作所（株）製）、流量：１．０ｍＬ／分、校
正曲線：標準ポリスチレンSTK standardポリスチレン
（東ソー（株）製）Ｍw＝1000000〜500までの１３サン
プルによる校正曲線を使用。
5,K803G（昭和電工（株）製を3本接続して使用した）、
カラム温度：２５℃、試料濃度：０．１質量％、検出
器：RI Model 504（GLサイエンス社製）、ポンプ：L600
0（日立製作所（株）製）、流量：１．０ｍＬ／分、校
正曲線：標準ポリスチレンSTK standardポリスチレン
（東ソー（株）製）Ｍw＝1000000〜500までの１３サン
プルによる校正曲線を使用。
【００２５】さらに該セルロースエステルは、フィルム
状であることが好ましく、２軸延伸されたセルロースエ
ステルフィルムであることがより好ましい。延伸は、好
ましくは、縦方向（機械進行方向ＭＤ）に１．００〜
１．５０倍および横方向（幅方向ＣＤ）に１．００〜
１．５０倍、より好ましくは縦方向に１．０１〜１．２
０倍かつ横方向に１．０１〜１．２０倍に行うことが望
ましい。延伸方法は、２軸延伸できる方法であれば特に
制限はないが、たとえば、数本の密間ロールにウェブを
通しつつクリップなどでウェブの両端を把持しクリップ
間隔を進行方向に広げて延伸する方法などが挙げられ
る。延伸は、基材フィルムの強度を増加させるだけでな
く、平面性を良くする効果があり、さらに厚み方向のリ
ターデーションＲtも増加させることができる。
状であることが好ましく、２軸延伸されたセルロースエ
ステルフィルムであることがより好ましい。延伸は、好
ましくは、縦方向（機械進行方向ＭＤ）に１．００〜
１．５０倍および横方向（幅方向ＣＤ）に１．００〜
１．５０倍、より好ましくは縦方向に１．０１〜１．２
０倍かつ横方向に１．０１〜１．２０倍に行うことが望
ましい。延伸方法は、２軸延伸できる方法であれば特に
制限はないが、たとえば、数本の密間ロールにウェブを
通しつつクリップなどでウェブの両端を把持しクリップ
間隔を進行方向に広げて延伸する方法などが挙げられ
る。延伸は、基材フィルムの強度を増加させるだけでな
く、平面性を良くする効果があり、さらに厚み方向のリ
ターデーションＲtも増加させることができる。
【００２６】該セルロースエステルフィルムは、特開平
１０−４５８０４号公報に記載の方法に準じて、好まし
くは原料として綿花リンターから得られたセルロースを
５０質量％以上用いて、総置換度2.55〜2.80セルロース
エステルを合成した後、特開２００１−１１４９０７号
公報、特開２００１−１８８１２８号公報に記載されて
いるように、セルロースエステルを塩素系有機溶媒また
は非塩素系有機溶媒に溶解しセルロースエステル溶液ま
たはドープを形成し、エンドレスベルトまたはドラム上
に流延し製膜する溶液流延法、あるいは特開２０００−
３５２６２０号公報に記載されているように、溶媒を用
いずセルロースエステルを流動性を示す温度まで加熱溶
融した後、エンドレスベルトまたはドラム上に流延し製
膜する溶融流延法などの公知の方法を採用して、製造す
ることができる。
１０−４５８０４号公報に記載の方法に準じて、好まし
くは原料として綿花リンターから得られたセルロースを
５０質量％以上用いて、総置換度2.55〜2.80セルロース
エステルを合成した後、特開２００１−１１４９０７号
公報、特開２００１−１８８１２８号公報に記載されて
いるように、セルロースエステルを塩素系有機溶媒また
は非塩素系有機溶媒に溶解しセルロースエステル溶液ま
たはドープを形成し、エンドレスベルトまたはドラム上
に流延し製膜する溶液流延法、あるいは特開２０００−
３５２６２０号公報に記載されているように、溶媒を用
いずセルロースエステルを流動性を示す温度まで加熱溶
融した後、エンドレスベルトまたはドラム上に流延し製
膜する溶融流延法などの公知の方法を採用して、製造す
ることができる。
【００２７】好ましくはセルロースエステル溶液または
ドープを、エンドレスベルトまたはドラム上に流延後、
剥離した後、ピンテンター方式、クリップテンター方式
などを採用したテンター装置を用いて縦横方向に同時に
延伸することで２軸延伸されたセルロースエステルフィ
ルムとすることが望ましい。また、該セルロースエステ
ルは、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、微粒子（マ
ット剤）を含有していることが好ましい。
ドープを、エンドレスベルトまたはドラム上に流延後、
剥離した後、ピンテンター方式、クリップテンター方式
などを採用したテンター装置を用いて縦横方向に同時に
延伸することで２軸延伸されたセルロースエステルフィ
ルムとすることが望ましい。また、該セルロースエステ
ルは、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、微粒子（マ
ット剤）を含有していることが好ましい。
【００２８】可塑剤としては特に限定されないが、具体
的には、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系
可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリッ
ト酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステ
ル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを好ましく用い
ることができる。可塑剤の使用量は、フィルム性能、加
工性などの点で、セルロースエステルに対して１〜２０
質量％であることが好ましい。
的には、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系
可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリッ
ト酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステ
ル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを好ましく用い
ることができる。可塑剤の使用量は、フィルム性能、加
工性などの点で、セルロースエステルに対して１〜２０
質量％であることが好ましい。
【００２９】また、紫外線吸収剤としては、波長３７０
ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示
性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少
ないものが好ましく用いられる。好ましく用いられる紫
外線吸収剤の具体例としては、たとえばオキシベンゾフ
ェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチ
ル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シア
ノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが
挙げられるが、これらに限定されない。又、特開平６−
１４８４３０号公報記載の高分子紫外線吸収剤も好まし
く用いられる。
ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示
性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少
ないものが好ましく用いられる。好ましく用いられる紫
外線吸収剤の具体例としては、たとえばオキシベンゾフ
ェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチ
ル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シア
ノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが
挙げられるが、これらに限定されない。又、特開平６−
１４８４３０号公報記載の高分子紫外線吸収剤も好まし
く用いられる。
【００３０】また、酸化防止剤としては、ヒンダードフ
ェノール系の化合物が好ましく用いられる。また、たと
えば、Ｎ，Ｎ′−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン
などのヒドラジン系の金属不活性剤やトリス（２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイトなどのリン系
加工安定剤を併用してもよい。これらの化合物の添加量
は、セルロースエステルに対して質量割合で１ｐｐｍ〜
１．０質量％が好ましく、１０〜１０００ｐｐｍがさら
に好ましい。この酸化防止剤は劣化防止剤ともいわれ、
高湿高温の状態に液晶画像表示装置がおかれた場合、セ
ルロースエステルフィルムの分解を遅らせたり、防いだ
りする。
ェノール系の化合物が好ましく用いられる。また、たと
えば、Ｎ，Ｎ′−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン
などのヒドラジン系の金属不活性剤やトリス（２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイトなどのリン系
加工安定剤を併用してもよい。これらの化合物の添加量
は、セルロースエステルに対して質量割合で１ｐｐｍ〜
１．０質量％が好ましく、１０〜１０００ｐｐｍがさら
に好ましい。この酸化防止剤は劣化防止剤ともいわれ、
高湿高温の状態に液晶画像表示装置がおかれた場合、セ
ルロースエステルフィルムの分解を遅らせたり、防いだ
りする。
【００３１】セルロースエステルフィルム中に添加され
る微粒子としては、無機化合物の例として、二酸化珪
素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレ
イ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カ
ルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウムお
よびリン酸カルシウムを挙げることができる。中でもケ
イ素を含むものが濁度が低くなる点、また、フィルムの
ヘイズを小さくできるので好ましく、特に二酸化珪素が
好ましく、さらに有機物により表面処理されていても良
い。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ
以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／Ｌ以上であるも
のが好ましい。微粒子は、セルロースエステルフィルム
の少なくとも一方の面の表層（深さ５μｍ以内）に含ま
れていることが好ましく、微粒子の添加量は、０．０１
〜０．５質量％であることが好ましく、０．０５〜０．
３質量％であることがより好ましく、０．０８〜０．２
質量％であることがさらに好ましい。
る微粒子としては、無機化合物の例として、二酸化珪
素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレ
イ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カ
ルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウムお
よびリン酸カルシウムを挙げることができる。中でもケ
イ素を含むものが濁度が低くなる点、また、フィルムの
ヘイズを小さくできるので好ましく、特に二酸化珪素が
好ましく、さらに有機物により表面処理されていても良
い。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ
以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／Ｌ以上であるも
のが好ましい。微粒子は、セルロースエステルフィルム
の少なくとも一方の面の表層（深さ５μｍ以内）に含ま
れていることが好ましく、微粒子の添加量は、０．０１
〜０．５質量％であることが好ましく、０．０５〜０．
３質量％であることがより好ましく、０．０８〜０．２
質量％であることがさらに好ましい。
【００３２】ポリマーの微粒子の例としては、シリコー
ン樹脂、弗素樹脂およびアクリル樹脂を挙げることがで
きる。これらのうちシリコーン樹脂が好ましく、特に三
次元の網状構造を有するものが好ましい。微粒子の１次
平均粒子径の測定は、透過型電子顕微鏡（倍率５０万〜
２００万倍）を用いて、粒子１００個を観察し、その平
均値をとることによって行うことができる。また、見掛
比重は一定量の二酸化珪素微粒子をメスシリンダーに採
り、この時の重さを測定し、見掛比重（ｇ／Ｌ）＝二酸
化珪素質量（ｇ）／二酸化珪素の容積（Ｌ）として算出
することができる。
ン樹脂、弗素樹脂およびアクリル樹脂を挙げることがで
きる。これらのうちシリコーン樹脂が好ましく、特に三
次元の網状構造を有するものが好ましい。微粒子の１次
平均粒子径の測定は、透過型電子顕微鏡（倍率５０万〜
２００万倍）を用いて、粒子１００個を観察し、その平
均値をとることによって行うことができる。また、見掛
比重は一定量の二酸化珪素微粒子をメスシリンダーに採
り、この時の重さを測定し、見掛比重（ｇ／Ｌ）＝二酸
化珪素質量（ｇ）／二酸化珪素の容積（Ｌ）として算出
することができる。
【００３３】なお、透明支持体Ｂ上には、隣接する層と
の密着性を付与するために下塗り層を設けてもよい。こ
のような下塗り層に用いられる材料は特に限定されない
が、透明支持体Ｂがセルローストリアセテートの場合に
は、たとえばゼラチンやポリ（メタ）アクリレート樹脂
およびその置換体、スチレン−ブタジエン樹脂などが好
ましく用いられる。さらに化学処理、機械処理、コロナ
処理、グロー放電処理などの表面処理を行ってもよい。 <配向層>配向層は、上述した透明支持体Ｂ上に必要に応
じて設けられる。該配向層は、配向層上に設けられる光
学異方層に含まれる液晶性ディスコティック化合物の配
向方向を規定する。この配向により液晶性ディスコティ
ック化合物に透明支持体Ｂの法線方向から傾いた光軸を
与えることができる。配向層としては、光学異方層に配
向性を付与できるものであれば特に限定されないが、具
体的には、表面をラビング処理した有機化合物層、無機
化合物の斜方蒸着層、レジストを用いたパターニングな
どにより形成されたマイクログルーブ層、またはω−ト
リコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロラ
イドおよびステアリル酸メチルなどのラングミュア・ブ
ロジェット膜、さらに電場もしくは磁場により配向され
た誘電体層、偏光紫外線を用いる光配向層を挙げること
ができる。これらのうち生産性の観点からは、表面をラ
ビング処理した有機化合物層が好ましい。
の密着性を付与するために下塗り層を設けてもよい。こ
のような下塗り層に用いられる材料は特に限定されない
が、透明支持体Ｂがセルローストリアセテートの場合に
は、たとえばゼラチンやポリ（メタ）アクリレート樹脂
およびその置換体、スチレン−ブタジエン樹脂などが好
ましく用いられる。さらに化学処理、機械処理、コロナ
処理、グロー放電処理などの表面処理を行ってもよい。 <配向層>配向層は、上述した透明支持体Ｂ上に必要に応
じて設けられる。該配向層は、配向層上に設けられる光
学異方層に含まれる液晶性ディスコティック化合物の配
向方向を規定する。この配向により液晶性ディスコティ
ック化合物に透明支持体Ｂの法線方向から傾いた光軸を
与えることができる。配向層としては、光学異方層に配
向性を付与できるものであれば特に限定されないが、具
体的には、表面をラビング処理した有機化合物層、無機
化合物の斜方蒸着層、レジストを用いたパターニングな
どにより形成されたマイクログルーブ層、またはω−ト
リコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロラ
イドおよびステアリル酸メチルなどのラングミュア・ブ
ロジェット膜、さらに電場もしくは磁場により配向され
た誘電体層、偏光紫外線を用いる光配向層を挙げること
ができる。これらのうち生産性の観点からは、表面をラ
ビング処理した有機化合物層が好ましい。
【００３４】このような配向層を形成する有機化合物と
しては、たとえば、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミ
ド）、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミ
ド、ニトロセルロース、カルボキシメチルセルロース、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ア
クリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／マレイン
イミド共重合体、スチレン／ビニルトルエン共重合体、
酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニ
ル共重合体などが挙げられ、必要に応じてシランカップ
リング剤などの添加剤を含有しても良い。
しては、たとえば、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミ
ド）、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミ
ド、ニトロセルロース、カルボキシメチルセルロース、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ア
クリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／マレイン
イミド共重合体、スチレン／ビニルトルエン共重合体、
酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニ
ル共重合体などが挙げられ、必要に応じてシランカップ
リング剤などの添加剤を含有しても良い。
【００３５】これらのうちではポリイミド、ポリスチレ
ン、ポリビニルアルコール、炭素数6以上のアルキル基
を含有するアルキル変性ポリビニルアルコールが好まし
く、さらに炭素数6以上のアルキル基含有アルキル変性
ポリビニルアルコールがより好ましい。該アルキル変性
ポリビニルアルコールとして、具体的にはＭＰ１０３、
ＭＰ２０３、Ｒ１１３０（いずれもクラレ（株）製）が
挙げられる。
ン、ポリビニルアルコール、炭素数6以上のアルキル基
を含有するアルキル変性ポリビニルアルコールが好まし
く、さらに炭素数6以上のアルキル基含有アルキル変性
ポリビニルアルコールがより好ましい。該アルキル変性
ポリビニルアルコールとして、具体的にはＭＰ１０３、
ＭＰ２０３、Ｒ１１３０（いずれもクラレ（株）製）が
挙げられる。
【００３６】また、前記ラビング処理はＬＣＤの液晶配
向処理工程において一般に採用されている処理方法によ
り行うことができる。たとえば、紙、ガーゼ、フェル
ト、ゴムまたはナイロン、ポリエステル繊維などを用い
て前記有機化合物からなる層の表面を一定方向に擦るこ
とによって配向層を得ることができる。具体的には、繊
維長および太さが均一な繊維を平均的に植毛した布を用
いて数回程度ラビングを行うことが一般的である。
向処理工程において一般に採用されている処理方法によ
り行うことができる。たとえば、紙、ガーゼ、フェル
ト、ゴムまたはナイロン、ポリエステル繊維などを用い
て前記有機化合物からなる層の表面を一定方向に擦るこ
とによって配向層を得ることができる。具体的には、繊
維長および太さが均一な繊維を平均的に植毛した布を用
いて数回程度ラビングを行うことが一般的である。
【００３７】なお、配向層を用いずに光学異方層形成を
配向させてもよく、この場合には配向層は設けなくても
良い。この場合には、光学異方層を形成する液晶性ディ
スコティック化合物層に電場もしくは磁場をかけるか、
偏光照射もしくは斜め非偏光照射することなどによって
配向させる。 <光学異方層>本発明において光学異方層は、透明支持体
Ｂ上に直接または配向層を介して設けられる。光学異方
層は、好ましくは液晶性ディスコティック化合物を有
し、該液晶性ディスコティック化合物の光軸は、透明支
持体Ｂの法線方向に対して傾斜角を形成する。この傾斜
角は光学異方層の透明支持体Ｂ側から表面側に向かうに
つれ増加していることが好ましい。このように本発明に
おいて光学異方層は、ディスコティック（円盤状）構造
単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層であ
る。すなわち、光学異方層は、液晶性ディスコティック
化合物の層であるか、または重合性ディスコティック化
合物の硬化により得られるポリマー層である。本発明に
適用できるディスコティック化合物としては、たとえ
ば、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒ
ｙｓｔ．７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されて
いるベンゼン誘導体、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．１２２巻、
１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｉｃｓ．Ｌｅｔｔ，
Ａ、７８巻、８２頁（１９９０年）に記載されているト
ルキセン誘導体、Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇ
ｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９６巻、７０頁（１９８４
年）に記載されたシクロヘキサン誘導体およびＪ．Ｍ．
Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．
１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの研究報
告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１６巻、２６５５
頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン系やフ
ェニルアセチレン系マクロサイクルなどを挙げることが
できる。ディスコティック化合物は、一般にこのような
芳香環を有する分子を核とし、直鎖のアルキル基やアル
コキシ基、置換ベンゾイルオキシ基などが側鎖としてそ
の周りに放射状に置換した平板状構造を有しており、液
晶性を示し、一般にディスコティック液晶と呼ばれるも
のを含む。但し、分子自身が負の一軸性を有し、一定の
配向を付与できるものであれば上記記載に限定されるも
のではない。また本発明においては、ディスコティック
構造単位を有する化合物には、上記化合物の他に、低分
子ディスコティック液晶が熱や電離放射線などで架橋し
うる官能基を有しており、熱または電離放射線照射によ
って高分子量化して液晶性を失ったものも含まれる。
配向させてもよく、この場合には配向層は設けなくても
良い。この場合には、光学異方層を形成する液晶性ディ
スコティック化合物層に電場もしくは磁場をかけるか、
偏光照射もしくは斜め非偏光照射することなどによって
配向させる。 <光学異方層>本発明において光学異方層は、透明支持体
Ｂ上に直接または配向層を介して設けられる。光学異方
層は、好ましくは液晶性ディスコティック化合物を有
し、該液晶性ディスコティック化合物の光軸は、透明支
持体Ｂの法線方向に対して傾斜角を形成する。この傾斜
角は光学異方層の透明支持体Ｂ側から表面側に向かうに
つれ増加していることが好ましい。このように本発明に
おいて光学異方層は、ディスコティック（円盤状）構造
単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層であ
る。すなわち、光学異方層は、液晶性ディスコティック
化合物の層であるか、または重合性ディスコティック化
合物の硬化により得られるポリマー層である。本発明に
適用できるディスコティック化合物としては、たとえ
ば、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒ
ｙｓｔ．７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されて
いるベンゼン誘導体、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．１２２巻、
１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｉｃｓ．Ｌｅｔｔ，
Ａ、７８巻、８２頁（１９９０年）に記載されているト
ルキセン誘導体、Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇ
ｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９６巻、７０頁（１９８４
年）に記載されたシクロヘキサン誘導体およびＪ．Ｍ．
Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．
１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの研究報
告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１６巻、２６５５
頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン系やフ
ェニルアセチレン系マクロサイクルなどを挙げることが
できる。ディスコティック化合物は、一般にこのような
芳香環を有する分子を核とし、直鎖のアルキル基やアル
コキシ基、置換ベンゾイルオキシ基などが側鎖としてそ
の周りに放射状に置換した平板状構造を有しており、液
晶性を示し、一般にディスコティック液晶と呼ばれるも
のを含む。但し、分子自身が負の一軸性を有し、一定の
配向を付与できるものであれば上記記載に限定されるも
のではない。また本発明においては、ディスコティック
構造単位を有する化合物には、上記化合物の他に、低分
子ディスコティック液晶が熱や電離放射線などで架橋し
うる官能基を有しており、熱または電離放射線照射によ
って高分子量化して液晶性を失ったものも含まれる。
【００３８】該ディスコティック化合物の好ましい例を
下記に示す。
下記に示す。
【００３９】
【化１】
【００４０】
【化２】
【００４１】
【化３】
【００４２】
【化４】
【００４３】
【化５】
【００４４】
【化６】
【００４５】
【化７】
【００４６】
【化８】
【００４７】
【化９】
【００４８】
【化１０】
【００４９】
【化１１】
【００５０】
【化１２】
【００５１】光学異方層は、ディスコティック化合物お
よび他の化合物を溶解した塗布液を配向層上に塗布、乾
燥した後、ディスコティックネマティック相形成温度ま
で加熱し、その配向状態を維持しつつ冷却することによ
り形成することができる。また、ディスコティックネマ
ティック相形成温度まで加熱した後、電離放射線照射に
より重合させてもよい。ディスコティックネマティック
液晶相−固相転移温度としては、好ましくは５０〜３０
０℃、より好ましくは７０〜１７０℃が望ましい。
よび他の化合物を溶解した塗布液を配向層上に塗布、乾
燥した後、ディスコティックネマティック相形成温度ま
で加熱し、その配向状態を維持しつつ冷却することによ
り形成することができる。また、ディスコティックネマ
ティック相形成温度まで加熱した後、電離放射線照射に
より重合させてもよい。ディスコティックネマティック
液晶相−固相転移温度としては、好ましくは５０〜３０
０℃、より好ましくは７０〜１７０℃が望ましい。
【００５２】なお、光学異方層には、可塑剤、界面活性
剤、重合性モノマー、高分子化合物など、ディスコティ
ック化合物の配向を阻害しない限り必要に応じていかな
る化合物を添加してもよい。重合性モノマーとしては、
アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基およびビ
ニルオキシ基を有するものが好ましく、ディスコティッ
ク化合物に対して１〜５０質量％、好ましくは５〜３０
質量％用いることができる。
剤、重合性モノマー、高分子化合物など、ディスコティ
ック化合物の配向を阻害しない限り必要に応じていかな
る化合物を添加してもよい。重合性モノマーとしては、
アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基およびビ
ニルオキシ基を有するものが好ましく、ディスコティッ
ク化合物に対して１〜５０質量％、好ましくは５〜３０
質量％用いることができる。
【００５３】高分子化合物としては、ディスコティック
化合物との相溶性を有していればよく、好ましくはセル
ロースエステル、より好ましくはセルロースアセテート
ブチレートが望ましい。高分子化合物はディスコティッ
ク化合物に対し、０．１〜１０質量％、好ましくは０．
１〜５質量％用いることができる。また、セルロースア
セテートブチレートのアセチル化度は３０〜８０％が好
ましく、ブチリル化度は３０〜８０％が好ましい。 ［反射防止層］反射防止層は、透明支持体Ａ上に、直接
あるいは必要に応じてハードコート層もしくは防眩層な
どの活性線硬化樹脂層を介して設けられる。
化合物との相溶性を有していればよく、好ましくはセル
ロースエステル、より好ましくはセルロースアセテート
ブチレートが望ましい。高分子化合物はディスコティッ
ク化合物に対し、０．１〜１０質量％、好ましくは０．
１〜５質量％用いることができる。また、セルロースア
セテートブチレートのアセチル化度は３０〜８０％が好
ましく、ブチリル化度は３０〜８０％が好ましい。 ［反射防止層］反射防止層は、透明支持体Ａ上に、直接
あるいは必要に応じてハードコート層もしくは防眩層な
どの活性線硬化樹脂層を介して設けられる。
【００５４】反射防止層の構成としては、単層、多層な
ど、各種の構成が知られているが、多層のものとしては
高屈折率層および低屈折率層を交互に積層したものが一
般的である。反射防止層の構成の例として、具体的に
は、透明支持体側から高屈折率層／低屈折率層の順に２
層を積層したものや、屈折率の異なる３層を透明支持体
側から中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に積層
したもの、さらに多くの異なる屈折率を有する層を積層
したものなどが挙げられるが、これらのうちでは特に３
層以上からなる反射防止層が好ましい。
ど、各種の構成が知られているが、多層のものとしては
高屈折率層および低屈折率層を交互に積層したものが一
般的である。反射防止層の構成の例として、具体的に
は、透明支持体側から高屈折率層／低屈折率層の順に２
層を積層したものや、屈折率の異なる３層を透明支持体
側から中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に積層
したもの、さらに多くの異なる屈折率を有する層を積層
したものなどが挙げられるが、これらのうちでは特に３
層以上からなる反射防止層が好ましい。
【００５５】本発明に用いる反射防止層は、好ましくは
少なくとも低屈折率層と、透明支持体Ａの屈折率よりも
高くかつ2.0以上の屈折率を有する高屈折率層とを備
え、高屈折率層が透明支持体Ａと低屈折率層との間に設
けられた構成のもの、より好ましくはさらに透明支持体
Ａと高屈折率層の間に中屈折率層を設けた構成のものが
望ましい。具体的には、耐久性、光学特性、コストや生
産性などから、ハードコート層もしくは防眩層を有する
透明支持体上に、中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
の順に積層した構成が好ましく、さらに高屈折率層の屈
折率が2.1以上であることがより好ましい。
少なくとも低屈折率層と、透明支持体Ａの屈折率よりも
高くかつ2.0以上の屈折率を有する高屈折率層とを備
え、高屈折率層が透明支持体Ａと低屈折率層との間に設
けられた構成のもの、より好ましくはさらに透明支持体
Ａと高屈折率層の間に中屈折率層を設けた構成のものが
望ましい。具体的には、耐久性、光学特性、コストや生
産性などから、ハードコート層もしくは防眩層を有する
透明支持体上に、中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
の順に積層した構成が好ましく、さらに高屈折率層の屈
折率が2.1以上であることがより好ましい。
【００５６】反射防止層を構成する各層の屈折率と膜厚
は分光反射率を測定することにより算出し得るが、屈折
率の高低はそこに含まれる金属あるいは化合物によって
ほぼ決まり、その組み合わせによって屈折率が設定され
る。以下に中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に
積層した構成の反射防止層を例にして、本発明に係る偏
光板に好ましく用いることができる反射防止層の形成方
法について説明する。
は分光反射率を測定することにより算出し得るが、屈折
率の高低はそこに含まれる金属あるいは化合物によって
ほぼ決まり、その組み合わせによって屈折率が設定され
る。以下に中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に
積層した構成の反射防止層を例にして、本発明に係る偏
光板に好ましく用いることができる反射防止層の形成方
法について説明する。
【００５７】中屈折率層としては、透明支持体Ａあるい
はハードコート層よりも屈折率が高く、高屈折率層より
も屈折率の低い層であることが望ましい。中屈折率層の
屈折率は好ましくは１．６〜１．９、より好ましくは
１．６５〜１．８５であることが望ましく、また膜厚は
０．０１〜０．１μｍであることが望ましい。該中屈折
率層は、酸化チタンと酸化ケイ素の混合物または酸化ス
ズを主成分とするものが好ましく、これらのうちでは、
均一な膜を得ることができ、光学特性、強度などに優れ
る点から酸化スズを主成分とするものが望ましい。
はハードコート層よりも屈折率が高く、高屈折率層より
も屈折率の低い層であることが望ましい。中屈折率層の
屈折率は好ましくは１．６〜１．９、より好ましくは
１．６５〜１．８５であることが望ましく、また膜厚は
０．０１〜０．１μｍであることが望ましい。該中屈折
率層は、酸化チタンと酸化ケイ素の混合物または酸化ス
ズを主成分とするものが好ましく、これらのうちでは、
均一な膜を得ることができ、光学特性、強度などに優れ
る点から酸化スズを主成分とするものが望ましい。
【００５８】高屈折率層としては、透明支持体Ａの屈折
率よりも高くかつ２．０以上の屈折率を有する層である
ことが好ましく、屈折率が２．０〜２．３であることが
より好ましく、屈折率が２．１〜２．３であることがさ
らに好ましい。また膜厚は０．０１〜０．１μｍである
ことが望ましい。該高屈折率層として、具体的には、酸
化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズなどを主成分と
するものが好ましく、酸化チタンを主成分とするものが
より好ましい。
率よりも高くかつ２．０以上の屈折率を有する層である
ことが好ましく、屈折率が２．０〜２．３であることが
より好ましく、屈折率が２．１〜２．３であることがさ
らに好ましい。また膜厚は０．０１〜０．１μｍである
ことが望ましい。該高屈折率層として、具体的には、酸
化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズなどを主成分と
するものが好ましく、酸化チタンを主成分とするものが
より好ましい。
【００５９】低屈折率層としては、好ましくは屈折率が
１．３〜１．５、より好ましくは屈折率が１．４〜１．
５であることが望ましく、また膜厚は０．０１〜０．１
μｍであることが望ましい。該低屈折率層として、具体
的には酸化ケイ素や有機フッ素化合物を主成分とするも
のが好ましい。本発明において、反射防止層を構成する
各屈折率層を形成する方法は、本発明の目的を損なわな
い限り、特に限定されないが、好ましい屈折率を有し、
物理的特性に優れた膜を効率的に得ることができる点か
ら、大気圧プラズマ処理によって形成することが好まし
い。
１．３〜１．５、より好ましくは屈折率が１．４〜１．
５であることが望ましく、また膜厚は０．０１〜０．１
μｍであることが望ましい。該低屈折率層として、具体
的には酸化ケイ素や有機フッ素化合物を主成分とするも
のが好ましい。本発明において、反射防止層を構成する
各屈折率層を形成する方法は、本発明の目的を損なわな
い限り、特に限定されないが、好ましい屈折率を有し、
物理的特性に優れた膜を効率的に得ることができる点か
ら、大気圧プラズマ処理によって形成することが好まし
い。
【００６０】すなわち、相対する電極間隙を大気圧もし
くはその近傍の圧力とし、該相対する電極の間隙を通過
する基材フィルムを、それぞれの反応ガスを用いてプラ
ズマ放電処理する方法により、反射防止層を形成するこ
とが好ましい。より好ましくは相対する電極間に１００
ｋＨｚを越える高周波電圧を印加し、また１Ｗ／ｃｍ 2
以上の電力を供給することによってプラズマ処理するこ
とが望ましい。このようにして得られた反射防止層の金
属酸化物層に含まれる炭素は５質量％以下であることが
好ましく、より好ましくは０．２〜５質量％であること
が望ましい。炭素含有率を上記の範囲とすることによっ
て、膜強度に優れ、クラックが入りにくく、層間密着性
の良い、優れた反射防止層を得ることができる。すなわ
ち、プラズマ処理によって形成された層は有機物（炭素
原子）を含んでおり、これが膜に柔軟性を与えるため、
膜の密着性に優れ好ましい。一方、炭素の比率が多くな
りすぎると経時で屈折率が変動しやすくなる傾向があ
る。
くはその近傍の圧力とし、該相対する電極の間隙を通過
する基材フィルムを、それぞれの反応ガスを用いてプラ
ズマ放電処理する方法により、反射防止層を形成するこ
とが好ましい。より好ましくは相対する電極間に１００
ｋＨｚを越える高周波電圧を印加し、また１Ｗ／ｃｍ 2
以上の電力を供給することによってプラズマ処理するこ
とが望ましい。このようにして得られた反射防止層の金
属酸化物層に含まれる炭素は５質量％以下であることが
好ましく、より好ましくは０．２〜５質量％であること
が望ましい。炭素含有率を上記の範囲とすることによっ
て、膜強度に優れ、クラックが入りにくく、層間密着性
の良い、優れた反射防止層を得ることができる。すなわ
ち、プラズマ処理によって形成された層は有機物（炭素
原子）を含んでおり、これが膜に柔軟性を与えるため、
膜の密着性に優れ好ましい。一方、炭素の比率が多くな
りすぎると経時で屈折率が変動しやすくなる傾向があ
る。
【００６１】本発明での反射防止層を形成するための大
気圧プラズマ放電処理は、相対する電極間に、１００ｋ
Ｈｚを越えた高周波電圧で、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力を
供給し、反応ガスを励起してプラズマを発生させること
により行うことができる。このようなハイパワーの電界
を印加することによって、緻密で、膜厚均一性の高い高
機能性の薄膜を、生産効率高く得ることができる。な
お、この場合、相対する電極間に印加する高周波電圧の
周波数は、好ましくは２００ｋＨｚ以上、さらに好まし
くは８００ｋＨｚ以上であり、１５０ＭＨｚ以下である
ことが望ましい。また、相対する電極間に供給する電力
は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ2以上であり、好ましく
は５０Ｗ／ｃｍ2以下、さらに好ましくは２０Ｗ／ｃｍ2
以下であることが望ましい。なお、ここで相対する電極
における電圧の印加面積（／ｃｍ2）は、放電が起こる
範囲の面積のことを指す。相対する電極間に印加する高
周波電圧は、断続的なパルス波であっても、連続したサ
イン波であってもよいが、効果を高く得るためには、連
続したサイン波であることが好ましい。
気圧プラズマ放電処理は、相対する電極間に、１００ｋ
Ｈｚを越えた高周波電圧で、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力を
供給し、反応ガスを励起してプラズマを発生させること
により行うことができる。このようなハイパワーの電界
を印加することによって、緻密で、膜厚均一性の高い高
機能性の薄膜を、生産効率高く得ることができる。な
お、この場合、相対する電極間に印加する高周波電圧の
周波数は、好ましくは２００ｋＨｚ以上、さらに好まし
くは８００ｋＨｚ以上であり、１５０ＭＨｚ以下である
ことが望ましい。また、相対する電極間に供給する電力
は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ2以上であり、好ましく
は５０Ｗ／ｃｍ2以下、さらに好ましくは２０Ｗ／ｃｍ2
以下であることが望ましい。なお、ここで相対する電極
における電圧の印加面積（／ｃｍ2）は、放電が起こる
範囲の面積のことを指す。相対する電極間に印加する高
周波電圧は、断続的なパルス波であっても、連続したサ
イン波であってもよいが、効果を高く得るためには、連
続したサイン波であることが好ましい。
【００６２】図３に、本発明に適用することができるプ
ラズマ放電処理装置の一例を示す。図３中、回転電極１
１０とそれに対向して配置された複数の対向電極１１１
を有し、図示されていない元巻きロールまたは前工程か
ら搬送されて来る基材フィルムＦがガイドロール１２
０、ニップロール１２２を経て回転電極１１０に導か
れ、基材フィルムＦは回転電極１１０に接した状態で回
転電極１１０の回転と同期しながら移送され、大気圧も
しくはその近傍の圧力下にある放電部１５０に反応ガス
発生装置１３１で調製された反応ガスＧが給気管１３０
から供給され、対向電極１１１に対向している基材フィ
ルム面に薄膜が形成される。それぞれの対向電極１１１
の間に図３では省略されているが、反応ガスＧを導入す
る給気管１３０は複数設けられており、基材フィルムＦ
の幅手で均一な濃度、流量で反応ガスＧを供給できるよ
うになっていることが望ましい。回転電極１１０と対向
電極には、プラズマ放電を発生させるための電圧を印加
できる電源１８０が電圧供給手段１８１、１８２を介し
て接続されている。なお、図示してないが、必要に応じ
て、回転電極１１０および対向電極１１１は温度調節の
ための温度制御された媒体を循環するようになってい
る。また、回転電極１１０、対向電極１１１、放電部１
５０はプラズマ放電処理容器１９０で覆われ、外界と遮
断されている。処理に使用された排ガスＧ′は処理室の
下部にあるガス排気口１４０から排出される。あるいは
図では省略されているが、対向電極１１１の間に設けら
れたガス排気口から排気することもできる。プラズマ放
電処理された基材フィルムＦはニップロール１２３およ
びガイドロール１２１を経て次工程または図示してない
巻き取りロールへ搬送される。プラズマ放電処理容器の
出入り部分のニップロール１２２および１２３のところ
には外界との仕切板１２４および１２５が設けられてお
り、外界からニップロール１２２と共に基材フィルムＦ
に同伴して来る空気を遮断し、また出口においても、内
部に空気が侵入するのを防止することが望ましい。プラ
ズマ放電処理容器１９０内は圧力を高くすることが好ま
しく、外に対して＋０．１ｋＰａ以上、さらには０．３
〜１０ｋＰａ圧力を高くすることが好ましい。
ラズマ放電処理装置の一例を示す。図３中、回転電極１
１０とそれに対向して配置された複数の対向電極１１１
を有し、図示されていない元巻きロールまたは前工程か
ら搬送されて来る基材フィルムＦがガイドロール１２
０、ニップロール１２２を経て回転電極１１０に導か
れ、基材フィルムＦは回転電極１１０に接した状態で回
転電極１１０の回転と同期しながら移送され、大気圧も
しくはその近傍の圧力下にある放電部１５０に反応ガス
発生装置１３１で調製された反応ガスＧが給気管１３０
から供給され、対向電極１１１に対向している基材フィ
ルム面に薄膜が形成される。それぞれの対向電極１１１
の間に図３では省略されているが、反応ガスＧを導入す
る給気管１３０は複数設けられており、基材フィルムＦ
の幅手で均一な濃度、流量で反応ガスＧを供給できるよ
うになっていることが望ましい。回転電極１１０と対向
電極には、プラズマ放電を発生させるための電圧を印加
できる電源１８０が電圧供給手段１８１、１８２を介し
て接続されている。なお、図示してないが、必要に応じ
て、回転電極１１０および対向電極１１１は温度調節の
ための温度制御された媒体を循環するようになってい
る。また、回転電極１１０、対向電極１１１、放電部１
５０はプラズマ放電処理容器１９０で覆われ、外界と遮
断されている。処理に使用された排ガスＧ′は処理室の
下部にあるガス排気口１４０から排出される。あるいは
図では省略されているが、対向電極１１１の間に設けら
れたガス排気口から排気することもできる。プラズマ放
電処理された基材フィルムＦはニップロール１２３およ
びガイドロール１２１を経て次工程または図示してない
巻き取りロールへ搬送される。プラズマ放電処理容器の
出入り部分のニップロール１２２および１２３のところ
には外界との仕切板１２４および１２５が設けられてお
り、外界からニップロール１２２と共に基材フィルムＦ
に同伴して来る空気を遮断し、また出口においても、内
部に空気が侵入するのを防止することが望ましい。プラ
ズマ放電処理容器１９０内は圧力を高くすることが好ま
しく、外に対して＋０．１ｋＰａ以上、さらには０．３
〜１０ｋＰａ圧力を高くすることが好ましい。
【００６３】この同伴される空気は、プラズマ放電処理
容器１９０内の気体の全体積に対し、１体積％以下に抑
えることが好ましく、０．１体積％以下に抑えることが
より好ましい。前記ニップロール１２２により、それを
達成することが可能である。電源１８０より対向電極１
１１に印加される電圧の値は適宜決定されるが、たとえ
ば、電圧が０．５〜１０ｋＶ程度で、電源周波数は１０
０ｋＨｚを越えて１５０ＭＨｚ以下に調整される。ここ
で電圧の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続
サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれる
ＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを
採用しても良いが連続モードの方がより緻密で良質な薄
膜が得られる。相対する電極間に電圧を印加する電源と
しては、特に限定はないが、パール工業製高周波電源
（２００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（８００ｋ
Ｈｚ）、日本電子製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、
パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）などが使用で
きる。
容器１９０内の気体の全体積に対し、１体積％以下に抑
えることが好ましく、０．１体積％以下に抑えることが
より好ましい。前記ニップロール１２２により、それを
達成することが可能である。電源１８０より対向電極１
１１に印加される電圧の値は適宜決定されるが、たとえ
ば、電圧が０．５〜１０ｋＶ程度で、電源周波数は１０
０ｋＨｚを越えて１５０ＭＨｚ以下に調整される。ここ
で電圧の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続
サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれる
ＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを
採用しても良いが連続モードの方がより緻密で良質な薄
膜が得られる。相対する電極間に電圧を印加する電源と
しては、特に限定はないが、パール工業製高周波電源
（２００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（８００ｋ
Ｈｚ）、日本電子製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、
パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）などが使用で
きる。
【００６４】放電部１５０の電極間隙は、電極の母材に
設置した固体誘電体（図示してない）の厚さ、印加電圧
や周波数、プラズマを利用する目的などを考慮して決定
される。上記電極の一方に固体誘電体を設置した場合の
固体誘電体と電極の最短距離、上記電極の双方に固体誘
電体を設置した場合の固体誘電体同士の距離としては、
何れの場合も均一な放電を行う観点から０．５ｍｍ〜２
０ｍｍが好ましく、さらに好ましくは０．５〜５ｍｍで
あり、特に好ましくは１ｍｍ±０．５ｍｍである。
設置した固体誘電体（図示してない）の厚さ、印加電圧
や周波数、プラズマを利用する目的などを考慮して決定
される。上記電極の一方に固体誘電体を設置した場合の
固体誘電体と電極の最短距離、上記電極の双方に固体誘
電体を設置した場合の固体誘電体同士の距離としては、
何れの場合も均一な放電を行う観点から０．５ｍｍ〜２
０ｍｍが好ましく、さらに好ましくは０．５〜５ｍｍで
あり、特に好ましくは１ｍｍ±０．５ｍｍである。
【００６５】プラズマ放電処理容器１９０はパイレック
ス（Ｒ）ガラス製あるいはプラスティック製の処理容器
などが好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば
金属製を用いることも可能である。たとえば、アルミま
たは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂な
どを張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス
溶射を行い絶縁性をとっても良い。
ス（Ｒ）ガラス製あるいはプラスティック製の処理容器
などが好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば
金属製を用いることも可能である。たとえば、アルミま
たは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂な
どを張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス
溶射を行い絶縁性をとっても良い。
【００６６】また、放電プラズマ処理時の基材フィルム
への影響を最小限に抑制するために、放電プラズマ処理
時の基材フィルムの温度を常温（１５℃〜２５℃）以
上、２００℃未満の温度に調整することが好ましく、さ
らに好ましくは５０℃以上、１５０℃未満に調整するこ
とであり、さらに好ましくは６０℃以上、１２０℃未満
に調整することである。上記の温度範囲に調整する為、
必要に応じて電極、基材フィルムは冷却手段で冷却ある
いは加熱しながら放電プラズマ処理される。
への影響を最小限に抑制するために、放電プラズマ処理
時の基材フィルムの温度を常温（１５℃〜２５℃）以
上、２００℃未満の温度に調整することが好ましく、さ
らに好ましくは５０℃以上、１５０℃未満に調整するこ
とであり、さらに好ましくは６０℃以上、１２０℃未満
に調整することである。上記の温度範囲に調整する為、
必要に応じて電極、基材フィルムは冷却手段で冷却ある
いは加熱しながら放電プラズマ処理される。
【００６７】本発明においては、上記の放電プラズマ処
理が大気圧または大気圧近傍で行われるが、ここで大気
圧近傍とは、２０ｋＰａ〜２００ｋＰａの圧力を表す
が、本発明に記載の効果を好ましく得るためには９０ｋ
Ｐａ〜１１０ｋＰａ、特に９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが
好ましい。また、本発明に使用する放電用の電極におい
て、電極の少なくとも基材フィルムと接する側の表面が
ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ
（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整すること
が好ましいが、さらに好ましくは、表面粗さの最大値が
８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整
することである。
理が大気圧または大気圧近傍で行われるが、ここで大気
圧近傍とは、２０ｋＰａ〜２００ｋＰａの圧力を表す
が、本発明に記載の効果を好ましく得るためには９０ｋ
Ｐａ〜１１０ｋＰａ、特に９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが
好ましい。また、本発明に使用する放電用の電極におい
て、電極の少なくとも基材フィルムと接する側の表面が
ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ
（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整すること
が好ましいが、さらに好ましくは、表面粗さの最大値が
８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整
することである。
【００６８】本発明に用いられる電極の表面は固体誘電
体で被覆されていることが望ましく、特に金属などの導
電性母材に対し固体誘電体で被覆されていることが望ま
しい。固体誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスティッ
ク、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）などの金属酸化物、チタン酸バリウムなど
の複酸化物などを挙げることができる。特に好ましく
は、セラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理
したセラミック被覆処理誘電体であることが望ましい。
ここで、金属などの導電性母材としては、銀、白金、ス
テンレス、アルミニウム、鉄などの金属などを挙げるこ
とができるが、加工の観点からステンレスが好ましい。
また、ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ
酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラ
ス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジ
ン酸塩ガラスなどが好ましく用いられるが、この中でも
ホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、さらに好ましく用
いられる。
体で被覆されていることが望ましく、特に金属などの導
電性母材に対し固体誘電体で被覆されていることが望ま
しい。固体誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスティッ
ク、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）などの金属酸化物、チタン酸バリウムなど
の複酸化物などを挙げることができる。特に好ましく
は、セラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理
したセラミック被覆処理誘電体であることが望ましい。
ここで、金属などの導電性母材としては、銀、白金、ス
テンレス、アルミニウム、鉄などの金属などを挙げるこ
とができるが、加工の観点からステンレスが好ましい。
また、ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ
酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラ
ス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジ
ン酸塩ガラスなどが好ましく用いられるが、この中でも
ホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、さらに好ましく用
いられる。
【００６９】本発明において、電極は、その裏面側（内
側）から、必要に応じて、加熱あるいは冷却することが
できるようになっている。電極がベルトの場合には、そ
の裏面より気体で冷却することもできるが、ロールを用
いた回転電極では内部に媒体を供給して電極表面の温度
および基材フィルムの温度を制御することが好ましい。
側）から、必要に応じて、加熱あるいは冷却することが
できるようになっている。電極がベルトの場合には、そ
の裏面より気体で冷却することもできるが、ロールを用
いた回転電極では内部に媒体を供給して電極表面の温度
および基材フィルムの温度を制御することが好ましい。
【００７０】プラズマ放電処理の際、基材フィルムの温
度によって得られる薄膜の物性や組成は変化することが
あり、これに対して適宜制御することが好ましい。媒体
としては、蒸留水、油などの絶縁性材料が好ましく用い
られる。基材フィルムの温度は処理条件によって異なる
が、室温〜２００℃が好ましく、より好ましくは室温〜
１２０℃である。プラズマ放電処理の際、幅手方向ある
いは長手方向での基材フィルムの温度ムラができるだけ
生じないようにロールを用いた回転電極の内部の温度を
制御することが望まれる。温度ムラは±１０℃以内であ
ることが好ましく、さらに好ましくは±５℃以内であ
り、より好ましくは±１℃以内であり、最も好ましくは
±０．１℃以内である。
度によって得られる薄膜の物性や組成は変化することが
あり、これに対して適宜制御することが好ましい。媒体
としては、蒸留水、油などの絶縁性材料が好ましく用い
られる。基材フィルムの温度は処理条件によって異なる
が、室温〜２００℃が好ましく、より好ましくは室温〜
１２０℃である。プラズマ放電処理の際、幅手方向ある
いは長手方向での基材フィルムの温度ムラができるだけ
生じないようにロールを用いた回転電極の内部の温度を
制御することが望まれる。温度ムラは±１０℃以内であ
ることが好ましく、さらに好ましくは±５℃以内であ
り、より好ましくは±１℃以内であり、最も好ましくは
±０．１℃以内である。
【００７１】本発明において、使用する反応ガスは、基
材フィルム上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、
基本的に、不活性ガスと、薄膜を形成するための反応性
ガスが混合された反応ガスである。反応性ガスは、反応
ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好
ましい。薄膜の膜厚としては、０．１〜１０００ｎｍの
範囲の薄膜が好ましく得られる。
材フィルム上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、
基本的に、不活性ガスと、薄膜を形成するための反応性
ガスが混合された反応ガスである。反応性ガスは、反応
ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好
ましい。薄膜の膜厚としては、０．１〜１０００ｎｍの
範囲の薄膜が好ましく得られる。
【００７２】上記不活性ガスとは、周期表の第１８属元
素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプ
トン、キセノン、ラドンなどが挙げられるが、本発明に
記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ま
しく用いられる。酸化錫を主成分とする中屈折率層を形
成するために反応性ガスとして、用いる錫化合物として
は、有機錫化合物、錫水素化合物、ハロゲン化錫などが
挙げられる。
素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプ
トン、キセノン、ラドンなどが挙げられるが、本発明に
記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ま
しく用いられる。酸化錫を主成分とする中屈折率層を形
成するために反応性ガスとして、用いる錫化合物として
は、有機錫化合物、錫水素化合物、ハロゲン化錫などが
挙げられる。
【００７３】有機錫化合物としては、たとえばテトラエ
チル錫、テトラメチル錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル錫、テ
トラブチル錫、テトラオクチル錫、テトラエトキシ錫、
メチルトリエトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、トリイ
ソプロピルエトキシ錫、ジエチル錫、ジメチル錫、ジイ
ソプロピル錫、ジブチル錫、ジエトキシ錫、ジメトキシ
錫、ジイソプロポキシ錫、ジブトキシ錫、錫ジブチラー
ト、錫ジアセトアセトナート、エチル錫アセトアセトナ
ート、エトキシ錫アセトアセトナート、ジメチル錫ジア
セトアセトナートなどが挙げられ、ハロゲン化錫として
は、たとえば二塩化錫、四塩化錫などを挙げることがで
きる。
チル錫、テトラメチル錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル錫、テ
トラブチル錫、テトラオクチル錫、テトラエトキシ錫、
メチルトリエトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、トリイ
ソプロピルエトキシ錫、ジエチル錫、ジメチル錫、ジイ
ソプロピル錫、ジブチル錫、ジエトキシ錫、ジメトキシ
錫、ジイソプロポキシ錫、ジブトキシ錫、錫ジブチラー
ト、錫ジアセトアセトナート、エチル錫アセトアセトナ
ート、エトキシ錫アセトアセトナート、ジメチル錫ジア
セトアセトナートなどが挙げられ、ハロゲン化錫として
は、たとえば二塩化錫、四塩化錫などを挙げることがで
きる。
【００７４】これらは何れも好ましく用いることがで
き、これらの反応性ガスを２種以上同時に混合して使用
してもよい。なお、このようにして形成された酸化錫層
は反射防止フィルムの表面比抵抗値を１０12Ω／ｃｍ2
以下に下げることができるため、帯電防止層としても有
用である。酸化チタンを主成分とする高屈折率層を形成
するために反応性ガスとして用いるチタン化合物として
は、有機チタン化合物、チタン水素化合物、ハロゲン化
チタンなどが挙げられる。
き、これらの反応性ガスを２種以上同時に混合して使用
してもよい。なお、このようにして形成された酸化錫層
は反射防止フィルムの表面比抵抗値を１０12Ω／ｃｍ2
以下に下げることができるため、帯電防止層としても有
用である。酸化チタンを主成分とする高屈折率層を形成
するために反応性ガスとして用いるチタン化合物として
は、有機チタン化合物、チタン水素化合物、ハロゲン化
チタンなどが挙げられる。
【００７５】有機チタン化合物としては、たとえばトリ
エチルチタン、トリメチルチタン、トリイソプロピルチ
タン、トリブチルチタン、テトラエチルチタン、テトラ
イソプロピルチタン、テトラブチルチタン、トリエトキ
シチタン、トリメトキシチタン、トリイソプロポキシチ
タン、トリブトキシチタン、テトラエトキシチタン、テ
トライソプロポキシチタン、メチルジメトキシチタン、
エチルトリエトキシチタン、メチルトリイソプロポキシ
チタン、テトラジメチルアミノチタン、ジメチルチタン
ジアセトアセトナート、エチルチタントリアセトアセト
ナートなど、チタン水素化合物としては、たとえばモノ
チタン水素化合物、ジチタン水素化合物など、ハロゲン
化チタンとしては、たとえば三塩化チタン、四塩化チタ
ンなどを挙げることができる。
エチルチタン、トリメチルチタン、トリイソプロピルチ
タン、トリブチルチタン、テトラエチルチタン、テトラ
イソプロピルチタン、テトラブチルチタン、トリエトキ
シチタン、トリメトキシチタン、トリイソプロポキシチ
タン、トリブトキシチタン、テトラエトキシチタン、テ
トライソプロポキシチタン、メチルジメトキシチタン、
エチルトリエトキシチタン、メチルトリイソプロポキシ
チタン、テトラジメチルアミノチタン、ジメチルチタン
ジアセトアセトナート、エチルチタントリアセトアセト
ナートなど、チタン水素化合物としては、たとえばモノ
チタン水素化合物、ジチタン水素化合物など、ハロゲン
化チタンとしては、たとえば三塩化チタン、四塩化チタ
ンなどを挙げることができる。
【００７６】これらは、何れも好ましく用いることがで
き、また、これらの反応性ガスを２種以上同時に混合し
て使用することもできる。酸化ケイ素を主成分とする低
屈折率層を形成するために反応性ガスとして用いる珪素
化合物としては、有機珪素化合物、珪素水素化合物、ハ
ロゲン化珪素化合物などを挙げることができる。
き、また、これらの反応性ガスを２種以上同時に混合し
て使用することもできる。酸化ケイ素を主成分とする低
屈折率層を形成するために反応性ガスとして用いる珪素
化合物としては、有機珪素化合物、珪素水素化合物、ハ
ロゲン化珪素化合物などを挙げることができる。
【００７７】有機珪素化合物としては、たとえばテトラ
エチルシラン、テトラメチルシラン、テトライソプロピ
ルシラン、テトラブチルシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラ
ン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシ
ラン、ジエチルシランジアセトアセトナート、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチル
トリエトキシシランなど、珪素水素化合物としては、た
とえばテトラ水素化シラン、ヘキサ水素化ジシラン、あ
るいはＦＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＨＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＨＳ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）3などを挙げることができる。
エチルシラン、テトラメチルシラン、テトライソプロピ
ルシラン、テトラブチルシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラ
ン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシ
ラン、ジエチルシランジアセトアセトナート、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチル
トリエトキシシランなど、珪素水素化合物としては、た
とえばテトラ水素化シラン、ヘキサ水素化ジシラン、あ
るいはＦＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＨＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＨＳ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）3などを挙げることができる。
【００７８】これらは何れも好ましく用いることがで
き、またこれらの反応性ガスを２種以上同時に混合して
使用することもできる。上記の有機錫化合物、有機チタ
ン化合物または有機珪素化合物は、取り扱い上の観点か
ら金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食
性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ない
ことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。ま
た、上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機
珪素化合物を放電空間である電極間に導入するには、常
温常圧で、気体、液体、固体何れの状態であっても構わ
ない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できる
が、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射など
の手段により気化させて使用される。有機錫化合物、有
機チタン化合物または有機珪素化合物を加熱により気化
して用いる場合、金属テトラエトキシド、金属テトライ
ソプロポキシドなどの常温で液体で、沸点が２００℃以
下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に
用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希
釈して使用されても良く、この場合、希ガスでバブリン
グして反応ガスに使用すればよい。溶媒としては、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、
ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒およびこれらの混合溶媒が
使用できる。
き、またこれらの反応性ガスを２種以上同時に混合して
使用することもできる。上記の有機錫化合物、有機チタ
ン化合物または有機珪素化合物は、取り扱い上の観点か
ら金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食
性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ない
ことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。ま
た、上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機
珪素化合物を放電空間である電極間に導入するには、常
温常圧で、気体、液体、固体何れの状態であっても構わ
ない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できる
が、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射など
の手段により気化させて使用される。有機錫化合物、有
機チタン化合物または有機珪素化合物を加熱により気化
して用いる場合、金属テトラエトキシド、金属テトライ
ソプロポキシドなどの常温で液体で、沸点が２００℃以
下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に
用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希
釈して使用されても良く、この場合、希ガスでバブリン
グして反応ガスに使用すればよい。溶媒としては、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、
ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒およびこれらの混合溶媒が
使用できる。
【００７９】上記金属化合物ガスは、反応ガス中０．０
１〜１０体積％含有することが好ましく、より好ましく
は０．１〜５体積％である。また、酸化珪素層の上に防
汚層として、あるいは酸化珪素層に替えて低屈折率層と
して有機フッ素化合物層を設けることができる。この場
合には、下記有機フッ素化合物を反応ガスに混合して使
用することが好ましい。有機フッ素化合物としては、フ
ッ化炭素ガスあるいはフッ化炭化水素ガスであってもよ
く、たとえば、四フッ化メタン、六フッ化エチレン、六
フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン、二フッ化メ
タン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化
プロピレン、一塩化三フッ化メタン、一塩化二フッ化メ
タン、二塩化四フッ化シクロブタン、ヘキサフルオロア
セトン、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタノール、
ペンタフルオロエタノール、１−ヒドロ−１，２，３−
ヘキサフルオロプロパノールなどを挙げることができ
る。反応ガスに有機フッ素化合物を混合させる場合、反
応ガス中の有機フッ素化合物は、０．０１〜５体積％、
さらに０．１〜０．５体積％であることが好ましい。ま
た、有機フッ素化合物を反応ガスに混合して用いると、
薄膜表面のエネルギーが低下し、撥水性あるいは防汚性
を付与することができ、特に、有機フッ素化合物より形
成される薄膜が低屈折率層となるため、有機珪素化合物
と混合して使用することもできる。上記有機フッ素化合
物が常温、常圧で気体である場合は、反応ガスの構成成
分として、そのまま使用できるので最も容易に使用する
ことができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧
で液体または固体である場合には、加熱、減圧などの方
法により気化して使用すればよく、また、適切な溶剤に
溶解して希ガスをバブリングして用いてもよい。溶媒と
しては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、
ブタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒およびこれら
の混合溶媒が使用できる。
１〜１０体積％含有することが好ましく、より好ましく
は０．１〜５体積％である。また、酸化珪素層の上に防
汚層として、あるいは酸化珪素層に替えて低屈折率層と
して有機フッ素化合物層を設けることができる。この場
合には、下記有機フッ素化合物を反応ガスに混合して使
用することが好ましい。有機フッ素化合物としては、フ
ッ化炭素ガスあるいはフッ化炭化水素ガスであってもよ
く、たとえば、四フッ化メタン、六フッ化エチレン、六
フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン、二フッ化メ
タン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化
プロピレン、一塩化三フッ化メタン、一塩化二フッ化メ
タン、二塩化四フッ化シクロブタン、ヘキサフルオロア
セトン、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタノール、
ペンタフルオロエタノール、１−ヒドロ−１，２，３−
ヘキサフルオロプロパノールなどを挙げることができ
る。反応ガスに有機フッ素化合物を混合させる場合、反
応ガス中の有機フッ素化合物は、０．０１〜５体積％、
さらに０．１〜０．５体積％であることが好ましい。ま
た、有機フッ素化合物を反応ガスに混合して用いると、
薄膜表面のエネルギーが低下し、撥水性あるいは防汚性
を付与することができ、特に、有機フッ素化合物より形
成される薄膜が低屈折率層となるため、有機珪素化合物
と混合して使用することもできる。上記有機フッ素化合
物が常温、常圧で気体である場合は、反応ガスの構成成
分として、そのまま使用できるので最も容易に使用する
ことができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧
で液体または固体である場合には、加熱、減圧などの方
法により気化して使用すればよく、また、適切な溶剤に
溶解して希ガスをバブリングして用いてもよい。溶媒と
しては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、
ブタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒およびこれら
の混合溶媒が使用できる。
【００８０】これらの各層の形成に用いられる反応ガス
中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭
素、二酸化窒素、一酸化窒素、水素、窒素から選択され
る成分を好ましくは０．０１〜１０体積％、より好まし
くは０．１〜５体積％含有させることにより、反応が促
進され、かつ、薄膜の硬度を著しく向上させたり、緻密
で良質な薄膜を形成することができる。特に、酸素また
は水素を添加することが好ましい。
中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭
素、二酸化窒素、一酸化窒素、水素、窒素から選択され
る成分を好ましくは０．０１〜１０体積％、より好まし
くは０．１〜５体積％含有させることにより、反応が促
進され、かつ、薄膜の硬度を著しく向上させたり、緻密
で良質な薄膜を形成することができる。特に、酸素また
は水素を添加することが好ましい。
【００８１】本発明に用いる反射防止層は、前述の大気
圧プラズマ放電処理により、好ましくは酸化錫を主成分
とする中屈折率層、酸化チタンを主成分とする高屈折率
層、酸化珪素を主成分とする低屈折率層を後述する透明
支持体Ａ上に、直接または他の層を介して、積層したも
のである。積層が３層の場合には、図３で示したような
プラズマ放電処理装置を長尺フィルム状の透明支持体Ａ
の基材の移送方向に直列に、薄膜の積層が３層の場合は
三つの装置を直列につなげてプラズマ放電処理を連続し
て行ってもよく、同じ装置または別々の装置で逐次処理
を行ってもよい。これにより各層の間の密着性が良好と
なる。好ましくは基材フィルム上に後述の活性線硬化樹
脂層を設けた後、直ちにプラズマ処理によって各屈折率
層を設けることが望ましい。
圧プラズマ放電処理により、好ましくは酸化錫を主成分
とする中屈折率層、酸化チタンを主成分とする高屈折率
層、酸化珪素を主成分とする低屈折率層を後述する透明
支持体Ａ上に、直接または他の層を介して、積層したも
のである。積層が３層の場合には、図３で示したような
プラズマ放電処理装置を長尺フィルム状の透明支持体Ａ
の基材の移送方向に直列に、薄膜の積層が３層の場合は
三つの装置を直列につなげてプラズマ放電処理を連続し
て行ってもよく、同じ装置または別々の装置で逐次処理
を行ってもよい。これにより各層の間の密着性が良好と
なる。好ましくは基材フィルム上に後述の活性線硬化樹
脂層を設けた後、直ちにプラズマ処理によって各屈折率
層を設けることが望ましい。
【００８２】本発明において、上記のようにして透明支
持体Ａに反射防止層を設ける場合、各屈折率層で平均膜
厚に対する膜厚偏差を±１０％になるように設けること
が好ましく、さらに好ましくは±５％以内であり、特に
好ましくは±１％以内になるように設けることが好まし
い。また、プラズマ処理を行った後に紫外線照射するこ
とも、形成された皮膜を早期に安定化させるために有効
である。
持体Ａに反射防止層を設ける場合、各屈折率層で平均膜
厚に対する膜厚偏差を±１０％になるように設けること
が好ましく、さらに好ましくは±５％以内であり、特に
好ましくは±１％以内になるように設けることが好まし
い。また、プラズマ処理を行った後に紫外線照射するこ
とも、形成された皮膜を早期に安定化させるために有効
である。
【００８３】このため、紫外線照射光量として５０〜２
０００ｍＪ／ｃｍ2をプラズマ処理後にプラズマ処理面
に照射することが好ましい。これらの処理はプラズマ処
理の後、巻き取り工程までの間に行うことが好ましい。
また、プラズマ処理後の基材は５０〜１３０℃に調整さ
れた乾燥ゾーンにおいて１〜３０分処理されることが好
ましい。
０００ｍＪ／ｃｍ2をプラズマ処理後にプラズマ処理面
に照射することが好ましい。これらの処理はプラズマ処
理の後、巻き取り工程までの間に行うことが好ましい。
また、プラズマ処理後の基材は５０〜１３０℃に調整さ
れた乾燥ゾーンにおいて１〜３０分処理されることが好
ましい。
【００８４】また、反射防止層を有する透明支持体Ａに
は、両面にプラズマ処理が施されていることが処理後の
カールが少なくなるため好ましい。裏面のプラズマ処理
は別々に行ってもよいが、両面同時にプラズマ処理を行
うことが好ましく、低反射加工側の裏面側には、プラズ
マ処理による裏面加工を行うことが好ましい。裏面加工
としては、たとえば易接着加工、帯電防止加工などが挙
げられるが、特にこれらに限定されない。<透明支持体
Ａ>透明支持体Ａは、透明であること、すなわち、光透
過率が好ましくは９０％以上、より好ましくは９３％以
上であることが望ましく、ヘイズは、好ましくは１％以
下、より好ましくは０．１％以下であることが望まし
い。また透明支持体Ａは、１．４５〜１．５の屈折率を
有することが好ましい。
は、両面にプラズマ処理が施されていることが処理後の
カールが少なくなるため好ましい。裏面のプラズマ処理
は別々に行ってもよいが、両面同時にプラズマ処理を行
うことが好ましく、低反射加工側の裏面側には、プラズ
マ処理による裏面加工を行うことが好ましい。裏面加工
としては、たとえば易接着加工、帯電防止加工などが挙
げられるが、特にこれらに限定されない。<透明支持体
Ａ>透明支持体Ａは、透明であること、すなわち、光透
過率が好ましくは９０％以上、より好ましくは９３％以
上であることが望ましく、ヘイズは、好ましくは１％以
下、より好ましくは０．１％以下であることが望まし
い。また透明支持体Ａは、１．４５〜１．５の屈折率を
有することが好ましい。
【００８５】該透明支持体Ａとして用いられる基材は、
特に限定されないが、好ましくはセルロースエステル、
ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレンなどが
挙げられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィ
ルム；ポリエチレンフィルム；ポリプロピレンフィル
ム；セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セ
ルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースア
セテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテー
トフタレートフィルム、セルローストリアセテート、セ
ルロースナイトレートなどのセルロースエステル類また
はそれらの誘導体からなるフィルム；ポリ塩化ビニリデ
ンフィルム；ポリビニルアルコールフィルム；エチレン
ビニルアルコールフィルム；シンジオタクティックポリ
スチレン系フィルム；ポリカーボネートフィルム；ノル
ボルネン樹脂系フィルム；ポリメチルペンテンフィル
ム；ポリエーテルケトンフィルム；ポリイミドフィル
ム；ポリエーテルスルホンフィルム；ポリスルホン系フ
ィルム；ポリエーテルケトンイミドフィルム；ポリアミ
ドフィルム；フッ素樹脂フィルム；ナイロンフィルム；
ポリメチルメタクリレートフィルム；アクリルフィルム
あるいはポリアリレート系フィルムなどを挙げることが
できる。
特に限定されないが、好ましくはセルロースエステル、
ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレンなどが
挙げられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィ
ルム；ポリエチレンフィルム；ポリプロピレンフィル
ム；セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セ
ルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースア
セテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテー
トフタレートフィルム、セルローストリアセテート、セ
ルロースナイトレートなどのセルロースエステル類また
はそれらの誘導体からなるフィルム；ポリ塩化ビニリデ
ンフィルム；ポリビニルアルコールフィルム；エチレン
ビニルアルコールフィルム；シンジオタクティックポリ
スチレン系フィルム；ポリカーボネートフィルム；ノル
ボルネン樹脂系フィルム；ポリメチルペンテンフィル
ム；ポリエーテルケトンフィルム；ポリイミドフィル
ム；ポリエーテルスルホンフィルム；ポリスルホン系フ
ィルム；ポリエーテルケトンイミドフィルム；ポリアミ
ドフィルム；フッ素樹脂フィルム；ナイロンフィルム；
ポリメチルメタクリレートフィルム；アクリルフィルム
あるいはポリアリレート系フィルムなどを挙げることが
できる。
【００８６】これらは単独であるいは適宜混合して使用
することもできる。これらのうちでは、ゼオネックス
（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム
（株）製）などの市販品を好ましく使用することができ
る。さらに、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ
スルフォンおよびポリエーテルスルフォンなどの固有複
屈折率の大きい素材であっても、溶液流延、溶融押し出
しなどの条件、さらには縦、横方向に延伸条件などを適
宜設定することにより使用することができる。膜厚とし
ては１０μｍ〜１０００μｍのフィルムが好ましく用い
られる。
することもできる。これらのうちでは、ゼオネックス
（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム
（株）製）などの市販品を好ましく使用することができ
る。さらに、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ
スルフォンおよびポリエーテルスルフォンなどの固有複
屈折率の大きい素材であっても、溶液流延、溶融押し出
しなどの条件、さらには縦、横方向に延伸条件などを適
宜設定することにより使用することができる。膜厚とし
ては１０μｍ〜１０００μｍのフィルムが好ましく用い
られる。
【００８７】本発明に用いる透明支持体Ａとしては、こ
れらのうち低反射率の積層体が得られることからセルロ
ースエステルフィルムが好ましい。該セルロースエステ
ルとしては、たとえばセルロースアセテート、セルロー
スアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピ
オネートを好ましく用いることができ、これらのうちセ
ルローストリアセテートをより好ましく用いることがで
きる。
れらのうち低反射率の積層体が得られることからセルロ
ースエステルフィルムが好ましい。該セルロースエステ
ルとしては、たとえばセルロースアセテート、セルロー
スアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピ
オネートを好ましく用いることができ、これらのうちセ
ルローストリアセテートをより好ましく用いることがで
きる。
【００８８】透明支持体Ａの厚み方向のリターデーショ
ンＲｔは０〜３００nm、面内リターデーションＲoは０
〜１０００nmであることが好ましい。また、本発明にお
いて透明支持体Ａとしてセルロースエステルを用いる場
合には、透明支持体Ｂと同様に前述した可塑剤、紫外線
吸収剤、酸化防止剤、微粒子（マット剤）を含有してい
ることが好ましい。ただし、可塑剤や紫外線吸収剤吸収
剤を含むセルロースエステルフィルムを透明支持体Ａの
基材として用いた場合、大気圧プラズマ処理に際して、
これらがブリードアウトしてプラズマ処理部に付着し、
工程を汚染し、これがフィルムに付着する可能性が考え
られる。この問題を解決するためには、セルロースエス
テルと可塑剤とを有する支持体が、８０℃、９０％ＲＨ
で４８時間処理した前後の質量変化が±２質量％未満で
あることが好ましい。
ンＲｔは０〜３００nm、面内リターデーションＲoは０
〜１０００nmであることが好ましい。また、本発明にお
いて透明支持体Ａとしてセルロースエステルを用いる場
合には、透明支持体Ｂと同様に前述した可塑剤、紫外線
吸収剤、酸化防止剤、微粒子（マット剤）を含有してい
ることが好ましい。ただし、可塑剤や紫外線吸収剤吸収
剤を含むセルロースエステルフィルムを透明支持体Ａの
基材として用いた場合、大気圧プラズマ処理に際して、
これらがブリードアウトしてプラズマ処理部に付着し、
工程を汚染し、これがフィルムに付着する可能性が考え
られる。この問題を解決するためには、セルロースエス
テルと可塑剤とを有する支持体が、８０℃、９０％ＲＨ
で４８時間処理した前後の質量変化が±２質量％未満で
あることが好ましい。
【００８９】なお、透明支持体Ａ上に下塗り層としてゼ
ラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル樹
脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂などを塗設し
てもよい。また、透明支持体Ａ上に防眩層やクリアハー
ドコート層を塗設したり、バックコート層、帯電防止層
を塗設することもできる。また、化学処理、機械処理、
コロナ処理、グロー放電処理などの表面処理を行っても
よい。 <活性線硬化樹脂層>本発明において、反射防止層は透明
支持体Ａ上に直接形成させてもよいが、透明支持体Ａと
反射防止層との層間密着性を向上させる点から、他の層
を少なくとも１層設けた上に形成させてもよい。他の層
としては、防眩層やクリアハードコート層などを挙げる
ことができ、これらの層が紫外線などの活性線により硬
化する活性線硬化樹脂層であることが好ましい。このよ
うな紫外線で硬化された樹脂層の上に金属酸化物を主成
分とする各屈折率層を形成させることによって耐傷性に
優れた反射防止層を得ることができる。
ラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル樹
脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂などを塗設し
てもよい。また、透明支持体Ａ上に防眩層やクリアハー
ドコート層を塗設したり、バックコート層、帯電防止層
を塗設することもできる。また、化学処理、機械処理、
コロナ処理、グロー放電処理などの表面処理を行っても
よい。 <活性線硬化樹脂層>本発明において、反射防止層は透明
支持体Ａ上に直接形成させてもよいが、透明支持体Ａと
反射防止層との層間密着性を向上させる点から、他の層
を少なくとも１層設けた上に形成させてもよい。他の層
としては、防眩層やクリアハードコート層などを挙げる
ことができ、これらの層が紫外線などの活性線により硬
化する活性線硬化樹脂層であることが好ましい。このよ
うな紫外線で硬化された樹脂層の上に金属酸化物を主成
分とする各屈折率層を形成させることによって耐傷性に
優れた反射防止層を得ることができる。
【００９０】防眩層あるいはクリアハードコート層など
の活性線硬化樹脂層は、エチレン性不飽和モノマーを含
む成分を重合させて形成した樹脂層であることが好まし
い。ここで、活性線硬化樹脂層とは、紫外線や電子線の
ような活性線照射により架橋反応などを経て硬化する樹
脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂として
は紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代表的な
ものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性線
照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化性樹脂
としては、たとえば、紫外線硬化型アクリルウレタン系
樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、
紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化
型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型
エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらの樹脂
は通常公知の光増感剤と共に使用される。
の活性線硬化樹脂層は、エチレン性不飽和モノマーを含
む成分を重合させて形成した樹脂層であることが好まし
い。ここで、活性線硬化樹脂層とは、紫外線や電子線の
ような活性線照射により架橋反応などを経て硬化する樹
脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂として
は紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代表的な
ものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性線
照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化性樹脂
としては、たとえば、紫外線硬化型アクリルウレタン系
樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、
紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化
型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型
エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらの樹脂
は通常公知の光増感剤と共に使用される。
【００９１】本発明に用いられる活性線硬化樹脂層は公
知の方法で塗設することができる。活性線硬化性樹脂を
光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源とし
ては、紫外線を発生する光源であれば何れでも使用でき
る。たとえば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、
超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドラン
プ、キセノンランプなどを用いることができる。照射条
件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２
０〜１００００ｍＪ／ｃｍ2程度あればよく、好ましく
は、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。近紫外線領域
〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増
感剤を用いることによって使用できる。
知の方法で塗設することができる。活性線硬化性樹脂を
光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源とし
ては、紫外線を発生する光源であれば何れでも使用でき
る。たとえば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、
超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドラン
プ、キセノンランプなどを用いることができる。照射条
件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２
０〜１００００ｍＪ／ｃｍ2程度あればよく、好ましく
は、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。近紫外線領域
〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増
感剤を用いることによって使用できる。
【００９２】活性線硬化樹脂層を塗設する際の溶媒とし
ては、たとえば、炭化水素類、アルコール類、ケトン
類、エステル類、グリコールエーテル類、その他の溶媒
の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用でき
る。好ましくは、プロピレングリコールモノ（炭素数１
〜４のアルキル基）アルキルエーテルできはプロピレン
グリコールモノ（炭素数１〜４のアルキル基）アルキル
エーテルエステルを５質量％以上、さらに好ましくは５
〜８０質量％以上含有する溶媒が用いられる。
ては、たとえば、炭化水素類、アルコール類、ケトン
類、エステル類、グリコールエーテル類、その他の溶媒
の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用でき
る。好ましくは、プロピレングリコールモノ（炭素数１
〜４のアルキル基）アルキルエーテルできはプロピレン
グリコールモノ（炭素数１〜４のアルキル基）アルキル
エーテルエステルを５質量％以上、さらに好ましくは５
〜８０質量％以上含有する溶媒が用いられる。
【００９３】紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法
としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイ
ヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコータ
ー、押し出しコーター、エアードクターコーターなど公
知の方法を用いることができる。塗布量はウェット膜厚
で０．１〜３０μｍが適当で、好ましくは、０．５〜１
５μｍである。塗布速度は好ましくは１０〜１００ｍ／
分で行われる。
としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイ
ヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコータ
ー、押し出しコーター、エアードクターコーターなど公
知の方法を用いることができる。塗布量はウェット膜厚
で０．１〜３０μｍが適当で、好ましくは、０．５〜１
５μｍである。塗布速度は好ましくは１０〜１００ｍ／
分で行われる。
【００９４】紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥された
後、紫外線を光源より照射するが、照射時間は０．５秒
〜５分がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率、作業効率
から３秒〜２分がより好ましい。こうして得た硬化皮膜
層に、ブロッキングを防止するため、また耐傷性などを
高めるために無機あるいは有機の微粒子を加えることが
好ましい。たとえば、無機微粒子としては酸化ケイ素、
酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭
酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸
カルシウムなどを挙げることができ、また有機微粒子と
しては、ポリメタアクリル酸メチルアクリレート樹脂粉
末、アクリルスチレン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリ
レート樹脂粉末、シリコン系樹脂粉末、ポリスチレン系
樹脂粉末、ポリカーボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミ
ン系樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系
樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂
粉末、ポリイミド系樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレ
ン系樹脂粉末などを挙げることができ、紫外線硬化性樹
脂組成物に加えることができる。これらの微粒子粉末の
平均粒径としては、０．００５μｍ〜１μｍが好ましく
０．０１〜０．１μｍであることが特に好ましい。
後、紫外線を光源より照射するが、照射時間は０．５秒
〜５分がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率、作業効率
から３秒〜２分がより好ましい。こうして得た硬化皮膜
層に、ブロッキングを防止するため、また耐傷性などを
高めるために無機あるいは有機の微粒子を加えることが
好ましい。たとえば、無機微粒子としては酸化ケイ素、
酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭
酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸
カルシウムなどを挙げることができ、また有機微粒子と
しては、ポリメタアクリル酸メチルアクリレート樹脂粉
末、アクリルスチレン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリ
レート樹脂粉末、シリコン系樹脂粉末、ポリスチレン系
樹脂粉末、ポリカーボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミ
ン系樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系
樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂
粉末、ポリイミド系樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレ
ン系樹脂粉末などを挙げることができ、紫外線硬化性樹
脂組成物に加えることができる。これらの微粒子粉末の
平均粒径としては、０．００５μｍ〜１μｍが好ましく
０．０１〜０．１μｍであることが特に好ましい。
【００９５】紫外線硬化樹脂組成物と微粒子粉末との割
合は、樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜１０
質量部となるように配合することが望ましい。このよう
にして形成された紫外線硬化樹脂を硬化させた層は、Ｊ
ＩＳ Ｂ ０６０１に準拠して測定される中心線平均粗
さＲａが１〜５０ｎｍのクリアハードコート層であって
もよく、Ｒａが０．１〜１μｍ程度の防眩層であっても
よい。本発明では、透明支持体Ａ上に設けたこれらの層
の上にプラズマ放電処理で均一な低屈折率層あるいは中
屈折率層、高屈折率層などの光学干渉膜を設けることが
できる。 ［偏光板の作成］上述した光学補償層、反射防止層を有
する透明支持体をＮａＯＨ溶液に浸漬しアルカリ処理し
た後、これらの透明支持体面が接するようにして、上述
の偏光膜からなる偏光層を挟んで接着することで、本発
明に係る偏光板を形成することができる。
合は、樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜１０
質量部となるように配合することが望ましい。このよう
にして形成された紫外線硬化樹脂を硬化させた層は、Ｊ
ＩＳ Ｂ ０６０１に準拠して測定される中心線平均粗
さＲａが１〜５０ｎｍのクリアハードコート層であって
もよく、Ｒａが０．１〜１μｍ程度の防眩層であっても
よい。本発明では、透明支持体Ａ上に設けたこれらの層
の上にプラズマ放電処理で均一な低屈折率層あるいは中
屈折率層、高屈折率層などの光学干渉膜を設けることが
できる。 ［偏光板の作成］上述した光学補償層、反射防止層を有
する透明支持体をＮａＯＨ溶液に浸漬しアルカリ処理し
た後、これらの透明支持体面が接するようにして、上述
の偏光膜からなる偏光層を挟んで接着することで、本発
明に係る偏光板を形成することができる。
【００９６】このような構成からなる本発明に係る偏光
板は、450〜650nmの平均反射率が、好ましくは0.2％未
満、より好ましくは0.1％未満であることが望ましい。
上記範囲の波長の平均反射率が小さいほど可視光領域で
の反射防止機能に優れるといえる。 ［液晶表示装置］本発明に係る偏光板は、液晶表示装置
に適用することができる。このような液晶表示装置とし
ては、たとえば本発明に係る偏光板を表示側偏光板と
し、反射防止層が表示側に向くように配置し、光学補償
層を粘着剤などを介して液晶セルに貼合した構成が挙げ
られる。この場合、バックライト側偏光板には光学補償
層を有する偏光板を用い、この光学補償層は粘着剤など
を介して液晶セルに貼合される。また、勿論、液晶セル
の両側に本発明に係る偏光板を用いても良い。
板は、450〜650nmの平均反射率が、好ましくは0.2％未
満、より好ましくは0.1％未満であることが望ましい。
上記範囲の波長の平均反射率が小さいほど可視光領域で
の反射防止機能に優れるといえる。 ［液晶表示装置］本発明に係る偏光板は、液晶表示装置
に適用することができる。このような液晶表示装置とし
ては、たとえば本発明に係る偏光板を表示側偏光板と
し、反射防止層が表示側に向くように配置し、光学補償
層を粘着剤などを介して液晶セルに貼合した構成が挙げ
られる。この場合、バックライト側偏光板には光学補償
層を有する偏光板を用い、この光学補償層は粘着剤など
を介して液晶セルに貼合される。また、勿論、液晶セル
の両側に本発明に係る偏光板を用いても良い。
【００９７】図４に光学補償を行うための本発明に係る
偏光板の代表的な配置図を示す。バックライト５２側を
下側として、下側光学補償層４４ａのラビング方向は４
６ａ、上側光学補償層４４ｂのラビング方向は４６ｂで
ある。液晶セル５４の破線矢印４８ａはバックライト側
の液晶セル基板のラビング方向を、実線４８ｂは表示側
の液晶セル基板のラビング方向を示し、５０ａ、５０ｂ
はそれぞれ偏光板の透過軸を示す。このうち４０が本発
明に係る偏光板を示している。 ［カラー液晶表示装置］本発明に係る偏光板は、カラー
液晶装置に好ましく適用される。本発明に係るカラー液
晶表示装置としては、たとえば対向透明電極とカラーフ
ィルタを備えたガラス基板と、画素電極とＴＦＴを備え
たガラス基板の間に封入された捻れ配向ネマティック液
晶からなる液晶セルの両側に一対の偏光板を設けたカラ
ー液晶表示装置が挙げられる。このうち、表示側の偏光
板が本発明に係る偏光板であるが、バックライト側にも
使用しても良い。この他、フィールドシーケンシャル方
式のカラー液晶表示装置においても好ましく用いること
ができる。
偏光板の代表的な配置図を示す。バックライト５２側を
下側として、下側光学補償層４４ａのラビング方向は４
６ａ、上側光学補償層４４ｂのラビング方向は４６ｂで
ある。液晶セル５４の破線矢印４８ａはバックライト側
の液晶セル基板のラビング方向を、実線４８ｂは表示側
の液晶セル基板のラビング方向を示し、５０ａ、５０ｂ
はそれぞれ偏光板の透過軸を示す。このうち４０が本発
明に係る偏光板を示している。 ［カラー液晶表示装置］本発明に係る偏光板は、カラー
液晶装置に好ましく適用される。本発明に係るカラー液
晶表示装置としては、たとえば対向透明電極とカラーフ
ィルタを備えたガラス基板と、画素電極とＴＦＴを備え
たガラス基板の間に封入された捻れ配向ネマティック液
晶からなる液晶セルの両側に一対の偏光板を設けたカラ
ー液晶表示装置が挙げられる。このうち、表示側の偏光
板が本発明に係る偏光板であるが、バックライト側にも
使用しても良い。この他、フィールドシーケンシャル方
式のカラー液晶表示装置においても好ましく用いること
ができる。
【００９８】
【発明の効果】本発明の偏光板は光学補償機能と反射防
止機能を兼ね備え、これを液晶表示装置に用いることに
より、外光反射による表示品位の劣化を防止できるとと
もに、視野角を拡大し、視野角特性が向上した液晶表示
装置を提供することができる。なお、該偏光板は、大気
圧プラズマ処理により形成することができるため、生産
性、耐久性に優れる。
止機能を兼ね備え、これを液晶表示装置に用いることに
より、外光反射による表示品位の劣化を防止できるとと
もに、視野角を拡大し、視野角特性が向上した液晶表示
装置を提供することができる。なお、該偏光板は、大気
圧プラズマ処理により形成することができるため、生産
性、耐久性に優れる。
【００９９】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。なお、以下の実施例においては便宜上、
セルロースエステルフィルムに下塗り層、ＢＣ層、ＣＨ
Ｃ層、ＡＧ層などを設けたものを透明支持体フィルムと
呼ぶことにする。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。なお、以下の実施例においては便宜上、
セルロースエステルフィルムに下塗り層、ＢＣ層、ＣＨ
Ｃ層、ＡＧ層などを設けたものを透明支持体フィルムと
呼ぶことにする。
【０１００】＜透明支持体の作製＞
〔ドープＡ〜Ｄの調製〕下記組成物を密閉容器に投入
し、加圧して８０℃に保温、攪拌しながら完全に溶解さ
せた。これを流延する温度（３０℃）まで冷却した後、
静置して、脱泡操作した後、安積濾紙（株）製の安積濾
紙Ｎｏ．２４４を用いて濾過し各ドープを得た。
し、加圧して８０℃に保温、攪拌しながら完全に溶解さ
せた。これを流延する温度（３０℃）まで冷却した後、
静置して、脱泡操作した後、安積濾紙（株）製の安積濾
紙Ｎｏ．２４４を用いて濾過し各ドープを得た。
【０１０１】
（ドープＡ組成物）
セルロースアセテート（総置換度２．６５） １００ｋｇ
メチレンクロライド ２８０Ｌ
エタノール ６０Ｌ
チヌビン１７１（チバスペシャルティケミカルズ社製） ０．５ｋｇ
チヌビン１０９（チバスペシャルティケミカルズ社製） ０．５ｋｇ
チヌビン３２６（チバスペシャルティケミカルズ社製） ０．３ｋｇ
フタル酸ジシクロヘキシル １１ｋｇ
（ドープＢ組成物）
セルロースアセテート（総置換度２．８０） １００ｋｇ
メチレンクロライド ２８０Ｌ
エタノール ６０Ｌ
チヌビン１７１ ０．５ｋｇ
チヌビン１０９ ０．５ｋｇ
チヌビン３２６ ０．３ｋｇ
トリフェニルホスフェート ８ｋｇ
エチルフタリルエチルグリコレート ２ｋｇ
（ドープＣ組成物）
セルロースアセテート（総置換度２．７０） １００ｋｇ
メチレンクロライド ２８０Ｌ
エタノール ６０Ｌ
チヌビン１７１ ０．５ｋｇ
チヌビン１０９ ０．５ｋｇ
チヌビン３２６ ０．３ｋｇ
フタル酸ジシクロヘキシル １１ｋｇ
（ドープＤ組成物）
セルロースアセテート（総置換度２．９０） １００ｋｇ
メチレンクロライド ２８０Ｌ
エタノール ６０Ｌ
チヌビン１７１ ０．５ｋｇ
チヌビン１０９ ０．５ｋｇ
チヌビン３２６ ０．３ｋｇ
フタル酸ジシクロヘキシル １１ｋｇ
（ドープＥ組成物）
セルロースアセテート（総置換度２．５０） １００ｋｇ
メチレンクロライド ２８０Ｌ
エタノール ６０Ｌ
チヌビン１７１ ０．５ｋｇ
チヌビン１０９ ０．５ｋｇ
チヌビン３２６ ０．３ｋｇ
フタル酸ジシクロヘキシル １１ｋｇ
〔セルロースエステルフィルム１〜８の作製〕３０℃に
温度調整したドープＡをダイに導入し、ダイスリットか
らドープをエンドレスステンレスベルト上に均一に流延
した。エンドレスステンレスベルトの流延部は裏面から
３５℃の温水で加熱した。流延後のドープ膜（ステンレ
スベルトに流延以降はウェブということにする）に４４
℃の温風をあてて乾燥させ、流延から９０秒後に剥離残
留溶媒量を８０質量％として剥離し、多数のロールで搬
送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレ
スベルトの温度は１１℃とした。なお、ここで剥離残留
溶媒量とは、剥離時の残留溶媒量を意味し、残留溶媒量
はウェブの任意時点での質量をＭ、これを１１０℃で３
時間乾燥させたときの質量をＮとした場合に［（Ｍ−
Ｎ）/Ｎ］×１００（質量％）で表される。
温度調整したドープＡをダイに導入し、ダイスリットか
らドープをエンドレスステンレスベルト上に均一に流延
した。エンドレスステンレスベルトの流延部は裏面から
３５℃の温水で加熱した。流延後のドープ膜（ステンレ
スベルトに流延以降はウェブということにする）に４４
℃の温風をあてて乾燥させ、流延から９０秒後に剥離残
留溶媒量を８０質量％として剥離し、多数のロールで搬
送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレ
スベルトの温度は１１℃とした。なお、ここで剥離残留
溶媒量とは、剥離時の残留溶媒量を意味し、残留溶媒量
はウェブの任意時点での質量をＭ、これを１１０℃で３
時間乾燥させたときの質量をＮとした場合に［（Ｍ−
Ｎ）/Ｎ］×１００（質量％）で表される。
【０１０２】次に剥離されたウェブを、５０℃に設定さ
れた第１乾燥ゾーンを１分間ロール搬送させた後、第２
乾燥ゾーンとしてテンター乾燥装置を用い、８５℃に設
定して縦方向に１．０１倍、横方向に１．０７倍に２軸
延伸を行い、３０秒間搬送させた（２軸延伸しない場合
にはこのテンター乾燥装置を用いない）。さらに１２０
℃に設定された第３乾燥ゾーンで２０分間ロール搬送さ
せて、乾燥を行い、膜厚８０μｍのセルロースエステル
フィルム１を得た。なお、フィルム巻き取り時の残留溶
媒量は何れも０．０１質量％未満であった。
れた第１乾燥ゾーンを１分間ロール搬送させた後、第２
乾燥ゾーンとしてテンター乾燥装置を用い、８５℃に設
定して縦方向に１．０１倍、横方向に１．０７倍に２軸
延伸を行い、３０秒間搬送させた（２軸延伸しない場合
にはこのテンター乾燥装置を用いない）。さらに１２０
℃に設定された第３乾燥ゾーンで２０分間ロール搬送さ
せて、乾燥を行い、膜厚８０μｍのセルロースエステル
フィルム１を得た。なお、フィルム巻き取り時の残留溶
媒量は何れも０．０１質量％未満であった。
【０１０３】ドープＡ〜Ｅを用いて、同様にして表1に
記載の構成のセルロースエステルフィルム２〜８を作製
した。
記載の構成のセルロースエステルフィルム２〜８を作製
した。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】［透明支持体フィルムの作製］前述の方法
で作製したセルロースエステルフィルム１〜８を用い
て、透明支持体フィルム１〜１０を作製した。 （透明支持体フィルム１の作製）表１に記載のセルロー
スエステルフィルム６のａ面（流延乾燥工程金属支持体
上でのウェブの空気側の面）に下記のバックコート層用
塗布組成物を、ウェット膜厚１４μｍとなるようにグラ
ビアコーターで塗布し、乾燥温度８５℃にて乾燥させて
バックコート（ＢＣ）層を塗設した。
で作製したセルロースエステルフィルム１〜８を用い
て、透明支持体フィルム１〜１０を作製した。 （透明支持体フィルム１の作製）表１に記載のセルロー
スエステルフィルム６のａ面（流延乾燥工程金属支持体
上でのウェブの空気側の面）に下記のバックコート層用
塗布組成物を、ウェット膜厚１４μｍとなるようにグラ
ビアコーターで塗布し、乾燥温度８５℃にて乾燥させて
バックコート（ＢＣ）層を塗設した。
【０１０６】次に、セルロースエステルフィルム６のｂ
面側（流延乾燥工程金属支持体上でのウェブの金属支持
体側の面）に下記のクリアハードコート（ＣＨＣ）層用
塗布組成物をウェット膜厚で１５μｍとなるようにバー
コーターで塗布し、次いで８５℃に設定された乾燥部で
乾燥した後、２００ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照
射し、乾燥膜厚６μｍ、中心線平均表面粗さＲａ１０ｎ
ｍのクリアハードコート層を塗設し、透明支持体フィル
ム１を作製した。
面側（流延乾燥工程金属支持体上でのウェブの金属支持
体側の面）に下記のクリアハードコート（ＣＨＣ）層用
塗布組成物をウェット膜厚で１５μｍとなるようにバー
コーターで塗布し、次いで８５℃に設定された乾燥部で
乾燥した後、２００ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照
射し、乾燥膜厚６μｍ、中心線平均表面粗さＲａ１０ｎ
ｍのクリアハードコート層を塗設し、透明支持体フィル
ム１を作製した。
【０１０７】（透明支持体フィルム２の作製）前述の方
法でセルロースエステルフィルム６のａ面にＢＣ層を設
けた後、ｂ面に前記防眩層用塗布組成物をウェット膜厚
で１３μｍとなるようにグラビアコーターで塗布し、次
いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照射し、乾燥膜厚で３μ
ｍ、中心線平均粗さＲａ０．２６μｍの防眩（ＡＧ）層
を設け、透明支持体フィルム２を作製した。
法でセルロースエステルフィルム６のａ面にＢＣ層を設
けた後、ｂ面に前記防眩層用塗布組成物をウェット膜厚
で１３μｍとなるようにグラビアコーターで塗布し、次
いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照射し、乾燥膜厚で３μ
ｍ、中心線平均粗さＲａ０．２６μｍの防眩（ＡＧ）層
を設け、透明支持体フィルム２を作製した。
【０１０８】（透明支持体フィルム３の作製）上記の透
明支持体フィルム１の作製において、セルロースエステ
ルフィルム６をセルロースエステルフィルム７に変更し
た以外は同様にして、透明支持体フィルム３を作製し
た。 （透明支持体フィルム４の作製）表１に記載のセルロー
スエステル１のａ面に下記のバックコート層用塗布組成
物を、ウェット膜厚１４μｍとなるようにグラビアコー
ターで塗布し、乾燥温度８５℃にて乾燥させてＢＣ層を
塗設した。次にｂ面にゼラチン薄膜０．１μｍの下塗り
層を設け、透明支持体フィルム４を作製した。
明支持体フィルム１の作製において、セルロースエステ
ルフィルム６をセルロースエステルフィルム７に変更し
た以外は同様にして、透明支持体フィルム３を作製し
た。 （透明支持体フィルム４の作製）表１に記載のセルロー
スエステル１のａ面に下記のバックコート層用塗布組成
物を、ウェット膜厚１４μｍとなるようにグラビアコー
ターで塗布し、乾燥温度８５℃にて乾燥させてＢＣ層を
塗設した。次にｂ面にゼラチン薄膜０．１μｍの下塗り
層を設け、透明支持体フィルム４を作製した。
【０１０９】（透明支持体フィルム５〜１０の作製）上
記の透明支持体フィルム４の作製において、セルロース
エステルフィルム１をセルロースエステルフィルム２〜
５、８、７に変更した以外は同様にして、透明支持体フ
ィルム５〜１０を作製した。透明支持体フィルム１〜１
０の構成を表２に示す。
記の透明支持体フィルム４の作製において、セルロース
エステルフィルム１をセルロースエステルフィルム２〜
５、８、７に変更した以外は同様にして、透明支持体フ
ィルム５〜１０を作製した。透明支持体フィルム１〜１
０の構成を表２に示す。
【０１１０】
【表２】
【０１１１】
＜各塗布組成物の調整＞
［バックコート（ＢＣ）層用塗布組成物の調製］
アセトン ３０質量部
酢酸エチル ４５質量部
イソプロピルアルコール １０質量部
セルロースジアセテート ０．５質量部
アエロジル２００Ｖ（日本アエロジル（株）製） ０．１質量部
アエロジル２００Ｖは、予め添加するアセトンの一部に
分散して添加した。すなわちアエロジル２００Ｖにアセ
トンを添加し、これらを高速攪拌機（ＴＫホモミキサ
ー、特殊機化工業（株）製）で攪拌した後、衝突型分散
機（マントンゴーリン、ゴーリン（株）製）で分散し、
ＢＣ層用塗布組成物を調製した。
分散して添加した。すなわちアエロジル２００Ｖにアセ
トンを添加し、これらを高速攪拌機（ＴＫホモミキサ
ー、特殊機化工業（株）製）で攪拌した後、衝突型分散
機（マントンゴーリン、ゴーリン（株）製）で分散し、
ＢＣ層用塗布組成物を調製した。
【０１１２】
［クリアハードコート（ＣＨＣ）層用塗布組成物の調製］
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペンタエリスリトールヘキサ
アクリレートの混合物（ＤＰＨＡ、日本化薬（株）製） ２５０ｇ
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（５０／５０質量％） ４３９ｇ
光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギー社製） ７．５ｇ
光増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製） ５．０ｇ
メチルエチルケトン ４９ｇ
これらを溶解した後、孔径３０μｍのポリプロピレン製
フィルターで濾過して、ＣＨＣ層用塗布組成物を調製し
た。
フィルターで濾過して、ＣＨＣ層用塗布組成物を調製し
た。
【０１１３】
［防眩（ＡＧ）層用塗布組成物の調製］
酢酸エチル ５０質量部
メチルエチルケトン ５０質量部
イソプロピルアルコール ５０質量部
サイリシア４３１（平均粒径２．５μｍ、（富士シリシア化学（株）製））
２質量部
アエロジルＲ９７２Ｖ ３質量部
これらを高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業
（株）製）で攪拌した後、衝突型分散機（マントンゴー
リン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の成分を
添加し、ＡＧ層用塗布組成物を調製した。
（株）製）で攪拌した後、衝突型分散機（マントンゴー
リン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の成分を
添加し、ＡＧ層用塗布組成物を調製した。
【０１１４】
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分
２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤 ４質量部
［配向層用塗布液の調製］下記の組成物を攪拌、溶解し
た後、孔径３０μｍのポリプロピレン製フィルターで濾
過して、配向層用塗布液を調製した。
た後、孔径３０μｍのポリプロピレン製フィルターで濾
過して、配向層用塗布液を調製した。
【０１１５】
直鎖アルキル変性ポリビニルアルコール（ＭＰ−２０３、クラレ（株）製）
３０ｇ
水 １３０ｇ
メタノール ４０ｇ
［光学異方層用塗布液の調製］
（光学異方層用塗布液Ａの調製）下記組成物を溶解した
後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィルターで濾過し
て、光学異方層用塗布液Ａを調製した。
後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィルターで濾過し
て、光学異方層用塗布液Ａを調製した。
【０１１６】
液晶性ディスコティック化合物［前記一般式［Ｉ］で表される化合物
（Ｒ＝（８）、ｍ＝４）］ １．６ｇ
フェノキシジエチレングリコールアクリレート
（Ｍ−１０１、東亜合成（株）製） ０．４ｇ
セルロースアセテートブチレート
（ＣＡＢ５３１−１、イーストマンケミカル社製） ０．０５ｇ
光重合開始剤（イルガキュア−９０７、チバガイギー社製） ０．０１ｇ
メチルエチルケトン ３．６５ｇ
（光学異方層用塗布液Ｂの調製）塗布液の組成を下記に
した他は光学異方層用塗布液Ａと同様にして調製した。
した他は光学異方層用塗布液Ａと同様にして調製した。
【０１１７】
液晶性ディスコティック化合物［前記一般式［Ｉ］で表される化合物
（Ｒ＝（８）、ｍ＝４）］ １．８ｇ
エチレングリコール変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学工業（株）製） ０．２ｇ
セルロースアセテートブチレート
（ＣＡＢ５３１−１、イーストマンケミカル社製） ０．０４ｇ
光重合開始剤（イルガキュア−９０７、チバガイギー社製） ０．０６ｇ
光増感剤（カヤキュア−ＤＥＴＸ、日本化薬（株）製） ０．０２ｇ
メチルエチルケトン ３．４３ｇ
（光学異方層用塗布液Ｃの調製）下記組成物を溶解した
後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィルターで濾過し
て、光学異方層用塗布液Ｃを調製した。
後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィルターで濾過し
て、光学異方層用塗布液Ｃを調製した。
【０１１８】
液晶性ディスコティック化合物［前記一般式［Ｉ］で表される化合物
（Ｒ＝（３））］ １．８ｇ
メチルエチルケトン ７．２ｇ
［反射防止層用塗布組成物−１］
（二酸化チタン分散物の調製）下記の組成物をサンドグ
ラインダーにより分散し、二酸化チタン分散物を調製し
た。
ラインダーにより分散し、二酸化チタン分散物を調製し
た。
【０１１９】
二酸化チタン
（一次粒子質量平均粒径：５０ｎｍ、屈折率２．７０） ３０質量部
アニオン性ジアクリレートモノマー
（ＰＭ２１、日本化薬（株）製） ４．５質量部
カチオン性メタクリレートモノマー（ＤＭＡＥＡ、興人（株）製）
０．３質量部
メチルエチルケトン ６５．２質量部
（中屈折率層用塗布液−１の調製）
シクロヘキサノン １５１．９ｇ
メチルエチルケトン ３７．０ｇ
光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギー社製） ０．１４ｇ
光増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製） ０．０４ｇ
上記組成物を溶解し、二酸化チタン分散物６．１ｇとジ
ペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート混合物（ＤＰＨＡ、日
本化薬（株）製）２．４ｇを加え、室温で３０分間攪拌
した後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィルターでろ
過して、中屈折率層用塗布液−１を調製した。
ペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート混合物（ＤＰＨＡ、日
本化薬（株）製）２．４ｇを加え、室温で３０分間攪拌
した後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィルターでろ
過して、中屈折率層用塗布液−１を調製した。
【０１２０】
（高屈折率層用塗布液−１の調製）
シクロヘキサノン １１５２．８ｇ
メチルエチルケトン ３７．２ｇ
光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギー社製） ０．０６ｇ
光増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製） ０．０２ｇ
上記組成物を溶解し、二酸化チタン分散物１３．１３ｇ
とジペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート混合物（ＤＰＨ
Ａ、日本化薬（株）製）０．７６ｇを加え、室温で３０
分間攪拌した後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィル
ターでろ過して、高屈折率層用塗布液−１を調製した。
とジペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート混合物（ＤＰＨ
Ａ、日本化薬（株）製）０．７６ｇを加え、室温で３０
分間攪拌した後、孔径１μｍのポリプロピレン製フィル
ターでろ過して、高屈折率層用塗布液−１を調製した。
【０１２１】（低屈折率層用塗布液−１の調製）シリカ
微粒子のメタノール分散液（Ｒ５０７、日産化学（株）
製）２００ｇにシランカップリング剤（ＫＢＮ−８０
３、信越シリコーン（株）製）１０ｇと０．１Ｎ塩酸２
ｇを添加し、室温で５時間撹拌後、４日間室温で静置し
て、シランカップリング処理したシリカ微粒子の分散物
を調製した。この分散物１４９ｇに、イソプロピルアル
コール７８９ｇおよびメタノール４５０ｇを添加した
後、光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギー
社製）３．２１ｇおよび光増感剤（カヤキュアーＤＥＴ
Ｘ、日本化薬（株）製）１．６０５ｇを３１．６２ｇの
イソプロピルアルコールに溶解した溶液を加え、さら
に、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート混合物（ＤＰＨ
Ａ、日本化薬（株）製）２．１７ｇを７８．１３ｇのイ
ソプロピルアルコールに溶解した溶液を加えた。この混
合物を２０分間室温で撹拌した後、１μｍのメッシュの
フィルターで濾過して、低屈折率層用塗布液−１を調製
した。
微粒子のメタノール分散液（Ｒ５０７、日産化学（株）
製）２００ｇにシランカップリング剤（ＫＢＮ−８０
３、信越シリコーン（株）製）１０ｇと０．１Ｎ塩酸２
ｇを添加し、室温で５時間撹拌後、４日間室温で静置し
て、シランカップリング処理したシリカ微粒子の分散物
を調製した。この分散物１４９ｇに、イソプロピルアル
コール７８９ｇおよびメタノール４５０ｇを添加した
後、光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギー
社製）３．２１ｇおよび光増感剤（カヤキュアーＤＥＴ
Ｘ、日本化薬（株）製）１．６０５ｇを３１．６２ｇの
イソプロピルアルコールに溶解した溶液を加え、さら
に、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート混合物（ＤＰＨ
Ａ、日本化薬（株）製）２．１７ｇを７８．１３ｇのイ
ソプロピルアルコールに溶解した溶液を加えた。この混
合物を２０分間室温で撹拌した後、１μｍのメッシュの
フィルターで濾過して、低屈折率層用塗布液−１を調製
した。
【０１２２】
【実施例１】［反射防止フィルムの作製］透明支持体フ
ィルム１を用い、図３に示したプラズマ放電処理装置を
３基連続して設置し、大気圧プラズマ放電処理を下記の
条件で行い、透明支持体フィルム１のｂ面側から、順に
酸化錫層（屈折率１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チ
タン層（屈折率２．１４、膜厚０．１１μｍ）、酸化珪
素層（屈折率１．４４、膜厚０．０９μｍ）を設けた反
射防止フィルム１を作製した。なお、膜厚は、分光光度
計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、反射防止
フィルムの観察側の裏面を粗面化処理した後、黒色のス
プレーを用いて光吸収処理を行い、フィルム裏面での光
の反射を防止して、５度正反射の条件にて４５０ｎｍ〜
６５０ｎｍの波長で反射率の測定を行い、該スペクトル
から算出した。また、該スペクトルのλ／４値から光学
膜厚を算出し、それをもとに屈折率を算出した。
ィルム１を用い、図３に示したプラズマ放電処理装置を
３基連続して設置し、大気圧プラズマ放電処理を下記の
条件で行い、透明支持体フィルム１のｂ面側から、順に
酸化錫層（屈折率１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チ
タン層（屈折率２．１４、膜厚０．１１μｍ）、酸化珪
素層（屈折率１．４４、膜厚０．０９μｍ）を設けた反
射防止フィルム１を作製した。なお、膜厚は、分光光度
計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、反射防止
フィルムの観察側の裏面を粗面化処理した後、黒色のス
プレーを用いて光吸収処理を行い、フィルム裏面での光
の反射を防止して、５度正反射の条件にて４５０ｎｍ〜
６５０ｎｍの波長で反射率の測定を行い、該スペクトル
から算出した。また、該スペクトルのλ／４値から光学
膜厚を算出し、それをもとに屈折率を算出した。
【０１２３】（大気圧プラズマ放電処理条件）ロール電
極として、冷却水による冷却機能を有するステンレス製
ジャケットロール母材（冷却機能は図３には図示してい
ない）を用い、これにセラミック溶射してアルミナを１
ｍｍ被覆し、その上にテトラメトキシシランを酢酸エチ
ルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化
させて封孔処理を行いＲｍａｘ１μｍの誘電体を有する
ロール電極を製作しアース（接地）した。一方、対向電
極としては、中空のステンレスパイプに対し、上記同様
の誘電体を同条件にて被覆し、相対する電極群とし、第
１のプラズマ放電処理装置を中屈折率層用に、第２のそ
れを高屈折率層用に、さらに第３のそれを低屈折率層用
として、それぞれ必要な膜厚が各々得られるように調整
した。また、第１，２および３のプラズマ放電処理装置
の電源は、パール工業（株）製高周波電源を使用し、連
続周波数を８００ＭＨｚとし、１５Ｗ／ｃｍ2の電力を
供給した。但し、ロール電極は、ドライブを用いて基材
フィルムの搬送に同期して回転させた。なお、電極間隙
は１．２ｍｍ、反応ガスの圧力を１０２ｋＰａとして下
記の組成の反応ガスを用いて、大気圧プラズマ放電処理
を行った。
極として、冷却水による冷却機能を有するステンレス製
ジャケットロール母材（冷却機能は図３には図示してい
ない）を用い、これにセラミック溶射してアルミナを１
ｍｍ被覆し、その上にテトラメトキシシランを酢酸エチ
ルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化
させて封孔処理を行いＲｍａｘ１μｍの誘電体を有する
ロール電極を製作しアース（接地）した。一方、対向電
極としては、中空のステンレスパイプに対し、上記同様
の誘電体を同条件にて被覆し、相対する電極群とし、第
１のプラズマ放電処理装置を中屈折率層用に、第２のそ
れを高屈折率層用に、さらに第３のそれを低屈折率層用
として、それぞれ必要な膜厚が各々得られるように調整
した。また、第１，２および３のプラズマ放電処理装置
の電源は、パール工業（株）製高周波電源を使用し、連
続周波数を８００ＭＨｚとし、１５Ｗ／ｃｍ2の電力を
供給した。但し、ロール電極は、ドライブを用いて基材
フィルムの搬送に同期して回転させた。なお、電極間隙
は１．２ｍｍ、反応ガスの圧力を１０２ｋＰａとして下
記の組成の反応ガスを用いて、大気圧プラズマ放電処理
を行った。
【０１２４】
（酸化錫層形成用反応ガス）
不活性ガス（アルゴン） ９８．９体積％
反応ガス（酸素ガス） ０．８体積％
反応ガス（テトラブチル錫蒸気） ０．３体積％
（酸化チタン層形成用反応ガス）
不活性ガス（アルゴン） ９８．９体積％
反応ガス（酸素ガス） ０．８体積％
反応ガス（テトライソプロポキシチタン蒸気） ０．３体積％
（酸化珪素層形成用反応ガス）
不活性ガス（アルゴン） ９８．９体積％
反応ガス（酸素ガス） ０．８体積％
反応ガス（テトラエトキシシラン蒸気） ０．３体積％
［光学補償フィルムの作製］透明支持体フィルム４を用
いて、ゼラチン下塗り層の上に前記配向層用塗布液をバ
ーコーターで塗布し、６０℃で乾燥後、ラビング処理を
行い、配向層を設けた。配向層の膜厚は０．５μｍであ
った。
いて、ゼラチン下塗り層の上に前記配向層用塗布液をバ
ーコーターで塗布し、６０℃で乾燥後、ラビング処理を
行い、配向層を設けた。配向層の膜厚は０．５μｍであ
った。
【０１２５】この配向層上に前記光学異方層用塗布液Ａ
をバーコーターで塗布し、１２０℃で乾燥し、さらにこ
の温度で３分間保持し液晶を熟成させ、ディスコティッ
ク化合物を配向させた後、該温度のまま、１６０Ｗ／cm
の空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス
（株）製）を用いて、照度４００ｍＷ／ｃｍ2、照射量
３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射して塗布層を硬化さ
せ、膜厚１．８μｍの光学異方層を備えた光学補償フィ
ルム１を作製した。 ［偏光板の作製］ １．偏光膜の作製 厚さ１２０μｍの長尺のポリビニルアルコールフィルム
を、一軸延伸（温度１１０℃、延伸倍率５倍）した。こ
れをヨウ素０．０７５ｇ、ヨウ化カリウム５ｇ、水１０
０ｇの比率からなる水溶液に６０秒間浸漬し、次いでヨ
ウ化カリウム６ｇ、ホウ酸７．５ｇ、水１００ｇの比率
からなる６８℃の水溶液に浸漬した。これを水洗、乾燥
し長尺の偏光膜を得た。 ２．偏光板の作製 次いで、下記工程１〜５に従って、反射防止フィルムと
光学補償フィルムの双方の透明支持体面で偏光膜を挟
み、貼り合わせて偏光板を作製した。
をバーコーターで塗布し、１２０℃で乾燥し、さらにこ
の温度で３分間保持し液晶を熟成させ、ディスコティッ
ク化合物を配向させた後、該温度のまま、１６０Ｗ／cm
の空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス
（株）製）を用いて、照度４００ｍＷ／ｃｍ2、照射量
３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射して塗布層を硬化さ
せ、膜厚１．８μｍの光学異方層を備えた光学補償フィ
ルム１を作製した。 ［偏光板の作製］ １．偏光膜の作製 厚さ１２０μｍの長尺のポリビニルアルコールフィルム
を、一軸延伸（温度１１０℃、延伸倍率５倍）した。こ
れをヨウ素０．０７５ｇ、ヨウ化カリウム５ｇ、水１０
０ｇの比率からなる水溶液に６０秒間浸漬し、次いでヨ
ウ化カリウム６ｇ、ホウ酸７．５ｇ、水１００ｇの比率
からなる６８℃の水溶液に浸漬した。これを水洗、乾燥
し長尺の偏光膜を得た。 ２．偏光板の作製 次いで、下記工程１〜５に従って、反射防止フィルムと
光学補償フィルムの双方の透明支持体面で偏光膜を挟
み、貼り合わせて偏光板を作製した。
【０１２６】工程１：長尺の反射防止フィルムと、長尺
の光学補償フィルムをそれぞれ２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナ
トリウム溶液に４５℃で６０秒間浸漬し、次いで水洗、
乾燥させた。なお、この際、反射防止層表面は、ＰＥＴ
フィルムを粘着剤で貼り付けて保護した。 工程２：前述の長尺の偏光膜を固形分２質量％のポリビ
ニルアルコール接着剤槽中に１〜２秒間浸漬した。
の光学補償フィルムをそれぞれ２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナ
トリウム溶液に４５℃で６０秒間浸漬し、次いで水洗、
乾燥させた。なお、この際、反射防止層表面は、ＰＥＴ
フィルムを粘着剤で貼り付けて保護した。 工程２：前述の長尺の偏光膜を固形分２質量％のポリビ
ニルアルコール接着剤槽中に１〜２秒間浸漬した。
【０１２７】工程３：工程２で偏光膜に付着した過剰の
接着剤を軽く取り除き、それを工程１でアルカリ処理し
た反射防止フィルムと光学補償フィルムで挟み込んで、
積層配置した。 工程４：２つの回転するローラにて２０〜３０Ｎ／ｃｍ
2の圧力で約２ｍ／ｍｉｎの速度で気泡が入らないよう
に注意して張り合わせた。
接着剤を軽く取り除き、それを工程１でアルカリ処理し
た反射防止フィルムと光学補償フィルムで挟み込んで、
積層配置した。 工程４：２つの回転するローラにて２０〜３０Ｎ／ｃｍ
2の圧力で約２ｍ／ｍｉｎの速度で気泡が入らないよう
に注意して張り合わせた。
【０１２８】工程５：７０℃の乾燥機中にて５分間乾燥
処理し、偏光板１を作製した。
処理し、偏光板１を作製した。
【０１２９】
【実施例２】透明支持体フィルム１を用いて、図３に示
したプラズマ放電処理装置を３基連続して設置し、大気
圧プラズマ放電処理を下記の条件で行い、透明支持体フ
ィルム１のｂ面に順に酸化錫層（屈折率１．７、膜厚
０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折率２．１、膜厚
０．１３μｍ）、有機フッ素化合物層（屈折率１．３
３、膜厚０．１μｍ）を設け、反射防止フィルム２を作
製した。なお、大気圧プラズマ放電処理は、低屈折率層
の反応ガスの組成を下記に代えた他は実施例１と同様に
して行った。
したプラズマ放電処理装置を３基連続して設置し、大気
圧プラズマ放電処理を下記の条件で行い、透明支持体フ
ィルム１のｂ面に順に酸化錫層（屈折率１．７、膜厚
０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折率２．１、膜厚
０．１３μｍ）、有機フッ素化合物層（屈折率１．３
３、膜厚０．１μｍ）を設け、反射防止フィルム２を作
製した。なお、大気圧プラズマ放電処理は、低屈折率層
の反応ガスの組成を下記に代えた他は実施例１と同様に
して行った。
【０１３０】この反射防止フィルム２を用いた他は実施
例１と同様にして偏光板２を作製した。 （有機フッ素化合物層形成用反応ガス） 不活性ガス（アルゴン） ９８．７体積％ 反応ガス（水素ガス） １．０体積％ 反応ガス（六フッ化プロピレン蒸気） ０．３体積％
例１と同様にして偏光板２を作製した。 （有機フッ素化合物層形成用反応ガス） 不活性ガス（アルゴン） ９８．７体積％ 反応ガス（水素ガス） １．０体積％ 反応ガス（六フッ化プロピレン蒸気） ０．３体積％
【０１３１】
【実施例３】透明支持体フィルム１を用いて、図３に示
したプラズマ放電処理装置を４基連続して設置して、大
気圧プラズマ放電処理を下記の条件で行い、透明支持体
フィルム１のｂ面に、順に酸化錫層（屈折率１．７、膜
厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折率２．１４、膜
厚０．１１μｍ）、酸化珪素層（屈折率１．４６、膜厚
０．０８μｍ）、有機フッ素化合物層（屈折率１．３
１、膜厚０．０１μｍ）を設け、反射防止フィルム３を
作製した。大気圧プラズマ放電処理は、４基目の大気圧
プラズマ放電処理装置において、実施例２に記載の有機
フッ素化合物層形成用反応ガスを用いた他は実施例１と
同様にして行った。
したプラズマ放電処理装置を４基連続して設置して、大
気圧プラズマ放電処理を下記の条件で行い、透明支持体
フィルム１のｂ面に、順に酸化錫層（屈折率１．７、膜
厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折率２．１４、膜
厚０．１１μｍ）、酸化珪素層（屈折率１．４６、膜厚
０．０８μｍ）、有機フッ素化合物層（屈折率１．３
１、膜厚０．０１μｍ）を設け、反射防止フィルム３を
作製した。大気圧プラズマ放電処理は、４基目の大気圧
プラズマ放電処理装置において、実施例２に記載の有機
フッ素化合物層形成用反応ガスを用いた他は実施例１と
同様にして行った。
【０１３２】この反射防止フィルム３を用いた他は実施
例１と同様にして偏光板３を作製した。
例１と同様にして偏光板３を作製した。
【０１３３】
【実施例４】透明支持体フィルム２を用いて、図３に示
したプラズマ放電処理装置を３基連続して設置して、実
施例１と同様にして大気圧プラズマ放電処理を行い、透
明支持体フィルム２のｂ面に、順に酸化錫層（屈折率
１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折率
２．１４、膜厚０．１１μｍ）、酸化珪素層（屈折率
１．４４、膜厚０．０９μｍ）を設け、反射防止フィル
ム４を作製した。
したプラズマ放電処理装置を３基連続して設置して、実
施例１と同様にして大気圧プラズマ放電処理を行い、透
明支持体フィルム２のｂ面に、順に酸化錫層（屈折率
１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折率
２．１４、膜厚０．１１μｍ）、酸化珪素層（屈折率
１．４４、膜厚０．０９μｍ）を設け、反射防止フィル
ム４を作製した。
【０１３４】この反射防止フィルム４を用いた他は実施
例１と同様にして偏光板４を作製した。
例１と同様にして偏光板４を作製した。
【０１３５】
【実施例５】透明支持体フィルム２を用いて、図３に示
したプラズマ放電処理装置を３基連続して設置して用い
て、実施例２と同様にして大気圧プラズマ放電処理を行
い、透明支持体フィルム２のｂ面に、順に酸化錫層（屈
折率１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折
率２．１、膜厚０．１μｍ）、有機フッ素化合物層（屈
折率１．３１、膜厚０．１μｍ）を設け、反射防止フィ
ルム５を作製した。
したプラズマ放電処理装置を３基連続して設置して用い
て、実施例２と同様にして大気圧プラズマ放電処理を行
い、透明支持体フィルム２のｂ面に、順に酸化錫層（屈
折率１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折
率２．１、膜厚０．１μｍ）、有機フッ素化合物層（屈
折率１．３１、膜厚０．１μｍ）を設け、反射防止フィ
ルム５を作製した。
【０１３６】この反射防止フィルム５を用いた他は実施
例１と同様にして偏光板５を作製した。
例１と同様にして偏光板５を作製した。
【０１３７】
【実施例６】透明支持体フィルム２を用いて、図３に示
したプラズマ放電処理装置を４基連続して設置して用い
て、実施例３と同様にして大気圧プラズマ放電処理を行
い、透明支持体フィルム２のｂ面に、順に酸化錫層（屈
折率１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折
率２．１４、膜厚０．１μｍ）、酸化珪素層（屈折率
１．４４、膜厚０．０９μｍ）、有機フッ素化合物層
（屈折率１．３、膜厚０．０１μｍ）を設け、反射防止
フィルム６を作製した。
したプラズマ放電処理装置を４基連続して設置して用い
て、実施例３と同様にして大気圧プラズマ放電処理を行
い、透明支持体フィルム２のｂ面に、順に酸化錫層（屈
折率１．７、膜厚０．０７μｍ）、酸化チタン層（屈折
率２．１４、膜厚０．１μｍ）、酸化珪素層（屈折率
１．４４、膜厚０．０９μｍ）、有機フッ素化合物層
（屈折率１．３、膜厚０．０１μｍ）を設け、反射防止
フィルム６を作製した。
【０１３８】この反射防止フィルム６を用いた他は実施
例１と同様にして偏光板６を作製した。
例１と同様にして偏光板６を作製した。
【０１３９】
【実施例７】透明支持体フィルム１を用いて、図３に示
したプラズマ放電処理装置を５基連続して設置して用
い、大気圧プラズマ放電処理を下記の条件で行い、透明
支持体フィルム１のｂ面側から、順に酸化チタン層（屈
折率２．１４、膜厚０．０１μｍ）、酸化珪素層（屈折
率１．４４、膜厚０．０３μｍ）、酸化チタン層（屈折
率２．１４、膜厚０．１２μｍ）、酸化珪素層（屈折率
１．４４、膜厚０．０６μｍ）、有機フッ素化合物層
（屈折率１．３、膜厚０．０４μｍ）を設け、反射防止
フィルム７を作製した。大気圧プラズマ放電処理は、実
施例１および実施例２に記載の反応ガスのうちから各層
に応じた反応ガスを用いた他は実施例１と同様の条件で
行った。
したプラズマ放電処理装置を５基連続して設置して用
い、大気圧プラズマ放電処理を下記の条件で行い、透明
支持体フィルム１のｂ面側から、順に酸化チタン層（屈
折率２．１４、膜厚０．０１μｍ）、酸化珪素層（屈折
率１．４４、膜厚０．０３μｍ）、酸化チタン層（屈折
率２．１４、膜厚０．１２μｍ）、酸化珪素層（屈折率
１．４４、膜厚０．０６μｍ）、有機フッ素化合物層
（屈折率１．３、膜厚０．０４μｍ）を設け、反射防止
フィルム７を作製した。大気圧プラズマ放電処理は、実
施例１および実施例２に記載の反応ガスのうちから各層
に応じた反応ガスを用いた他は実施例１と同様の条件で
行った。
【０１４０】この反射防止フィルム７を用いた他は実施
例１と同様にして偏光板７を作製した。
例１と同様にして偏光板７を作製した。
【０１４１】
【実施例８】透明支持体フィルム１に代えて２を用いた
他は、実施例７と同様にして反射防止フィルム８を作製
した。この反射防止フィルム８を用いた他は実施例１と
同様にして偏光板８を作製した。
他は、実施例７と同様にして反射防止フィルム８を作製
した。この反射防止フィルム８を用いた他は実施例１と
同様にして偏光板８を作製した。
【０１４２】
【比較例１】［反射防止フィルムの作製］透明支持体フ
ィルム１の上に、上記のＣＨＣ層用塗布組成物をウェッ
ト膜厚で１５μｍとなるようにバーコーターで塗布し、
次いで１２０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、３０
０ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照射し、乾燥膜厚４
μｍのＣＨＣ層を形成した。その上に、上記の中屈折率
層用塗布液−１をバーコーターを用いて塗布し、１２０
℃で乾燥後、３００ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照
射し塗布層を硬化させ、厚さ０．０８μｍの中屈折率層
を形成した。その上に、上記の高屈折率層用塗布液−１
をバーコーターを用いて塗布し、１２０℃で乾燥後、３
００ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照射し塗布層を硬
化させ、厚さ０．０６μｍの高屈折率層を形成した。さ
らにその上に、上記の低屈折率層用塗布液−１をバーコ
ーターで塗布し、１２０℃で乾燥の後、３００ｍＪ／ｃ
ｍ2の照射強度で紫外線照射し塗布層を硬化させ、厚さ
０．０９μｍの低屈折率層を形成した。その上にオーバ
ーコート層用塗布液（熱架橋性含フッ素ポリマー（ＪＮ
−７２１９、ＪＳＲ（株）製）のメチルイソブチルケト
ン１．０質量％溶液）をバーコーターで塗布し、１２０
℃で乾燥して、厚さ０．０２μｍのオーバーコート層を
形成することにより反射防止フィルム９を作製した。
ィルム１の上に、上記のＣＨＣ層用塗布組成物をウェッ
ト膜厚で１５μｍとなるようにバーコーターで塗布し、
次いで１２０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、３０
０ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照射し、乾燥膜厚４
μｍのＣＨＣ層を形成した。その上に、上記の中屈折率
層用塗布液−１をバーコーターを用いて塗布し、１２０
℃で乾燥後、３００ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照
射し塗布層を硬化させ、厚さ０．０８μｍの中屈折率層
を形成した。その上に、上記の高屈折率層用塗布液−１
をバーコーターを用いて塗布し、１２０℃で乾燥後、３
００ｍＪ／ｃｍ2の照射強度で紫外線照射し塗布層を硬
化させ、厚さ０．０６μｍの高屈折率層を形成した。さ
らにその上に、上記の低屈折率層用塗布液−１をバーコ
ーターで塗布し、１２０℃で乾燥の後、３００ｍＪ／ｃ
ｍ2の照射強度で紫外線照射し塗布層を硬化させ、厚さ
０．０９μｍの低屈折率層を形成した。その上にオーバ
ーコート層用塗布液（熱架橋性含フッ素ポリマー（ＪＮ
−７２１９、ＪＳＲ（株）製）のメチルイソブチルケト
ン１．０質量％溶液）をバーコーターで塗布し、１２０
℃で乾燥して、厚さ０．０２μｍのオーバーコート層を
形成することにより反射防止フィルム９を作製した。
【０１４３】［光学補償フィルムの作製］透明支持体フ
ィルム５を用いた他は実施例１と同様にして光学補償フ
ィルム２を作製した。 ［偏光板の作製］この反射防止フィルム９と、光学補償
フィルム２を用いた他は実施例１と同様にして偏光板９
を作製した。
ィルム５を用いた他は実施例１と同様にして光学補償フ
ィルム２を作製した。 ［偏光板の作製］この反射防止フィルム９と、光学補償
フィルム２を用いた他は実施例１と同様にして偏光板９
を作製した。
【０１４４】
【比較例２】透明支持体フィルム２のＡＧ層の上に、下
記の中屈折率層用塗布液−２を押出しコーターで塗布
し、８０℃で５分乾燥後、高圧水銀ランプ（８０Ｗ）を
用いて紫外線を１８０ｍJ／cm2照射して硬化させ、中屈
折率層（屈折率１．７０、膜厚０．０８μｍ）を設け
た。
記の中屈折率層用塗布液−２を押出しコーターで塗布
し、８０℃で５分乾燥後、高圧水銀ランプ（８０Ｗ）を
用いて紫外線を１８０ｍJ／cm2照射して硬化させ、中屈
折率層（屈折率１．７０、膜厚０．０８μｍ）を設け
た。
【０１４５】次に中屈折率層の上に、下記の高屈折率層
用塗布液−２を押出しコーターで塗布し、８０℃で５分
乾燥後、高圧水銀ランプ（８０Ｗ）を用いて紫外線を１
８０ｍJ／cm2照射して硬化させ、高屈折率層（屈折率
１．８５、膜厚０．０７μｍ）を設けた。さらに高屈折
率層の上に、下記の低屈折率層用塗布液−２を押出しコ
ーターで塗布し、８０℃で５分乾燥後、高圧水銀ランプ
（８０Ｗ）を用いて紫外線を１８０ｍJ／cm2照射して硬
化させ、低屈折率層（屈折率１．４５、膜厚０．１μ
ｍ）を設け、反射防止フィルム１０を作製した。
用塗布液−２を押出しコーターで塗布し、８０℃で５分
乾燥後、高圧水銀ランプ（８０Ｗ）を用いて紫外線を１
８０ｍJ／cm2照射して硬化させ、高屈折率層（屈折率
１．８５、膜厚０．０７μｍ）を設けた。さらに高屈折
率層の上に、下記の低屈折率層用塗布液−２を押出しコ
ーターで塗布し、８０℃で５分乾燥後、高圧水銀ランプ
（８０Ｗ）を用いて紫外線を１８０ｍJ／cm2照射して硬
化させ、低屈折率層（屈折率１．４５、膜厚０．１μ
ｍ）を設け、反射防止フィルム１０を作製した。
【０１４６】
（中屈折率層用塗布液−２）
テトラブトキシチタン ２５０質量部
末端反応性ジメチルシリコーンオイル（日本ユニカー社製Ｌ-9000）
０．４８質量部
アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製KBE903） ２２質量部
ＵＶ硬化性エポキシ樹脂（旭電化社製KR500） ２１質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ４９００質量部
イソプロピルアルコール ４８４０質量部
（高屈折率層用塗布液−２）
テトラブトキシチタン ３１０質量部
末端反応性ジメチルシリコーンオイル（日本ユニカー社製Ｌ-9000）
０．４質量部
アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製KBE903） ４．８質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ４９００質量部
イソプロピルアルコール ４８００質量部
（低屈折率層用塗布液−２）
テトラエトキシシラン加水分解物＊ １０２０質量部
末端反応性ジメチルシリコーンオイル（日本ユニカー社製Ｌ-9000）
０．４２質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２７００質量部
イソプロピルアルコール ６３００質量部
＊テトラエトキシシラン加水分解物は、テトラエトキシシラン３００ｇとエ
タノール４５５ｇを混合し、これに１．０質量％クエン酸水溶液２９５ｇを添加
した後、室温で１時間撹拌して調製した。
【０１４７】この反射防止フィルム１０と、光学補償フ
ィルム２を用いた他は実施例１と同様にして偏光板１０
を作製した。
ィルム２を用いた他は実施例１と同様にして偏光板１０
を作製した。
【０１４８】
【実施例９】［反射防止フィルムの作製］透明支持体フ
ィルム３を用いて、図３に示したプラズマ放電処理装置
を４基連続して設置して用い、大気圧プラズマ放電処理
を下記の条件で行い、透明支持体フィルム３のｂ面側か
ら、順に酸化チタン層（屈折率２．２、膜厚０．０９μ
ｍ）、酸化珪素層（屈折率１．４４、膜厚０．１２μ
ｍ）、酸化チタン層（屈折率２．２、膜厚０．０４μ
ｍ）、酸化珪素層（屈折率１．４４、膜厚０．０１μ
ｍ）を設け、反射防止フィルム１１を作製した。大気圧
プラズマ放電処理は、実施例１の反応ガスのうちから各
層に応じた反応ガスを用いて、電源周波数を１３．５６
ＭＨｚとした他は実施例１と同様の条件で行った。
ィルム３を用いて、図３に示したプラズマ放電処理装置
を４基連続して設置して用い、大気圧プラズマ放電処理
を下記の条件で行い、透明支持体フィルム３のｂ面側か
ら、順に酸化チタン層（屈折率２．２、膜厚０．０９μ
ｍ）、酸化珪素層（屈折率１．４４、膜厚０．１２μ
ｍ）、酸化チタン層（屈折率２．２、膜厚０．０４μ
ｍ）、酸化珪素層（屈折率１．４４、膜厚０．０１μ
ｍ）を設け、反射防止フィルム１１を作製した。大気圧
プラズマ放電処理は、実施例１の反応ガスのうちから各
層に応じた反応ガスを用いて、電源周波数を１３．５６
ＭＨｚとした他は実施例１と同様の条件で行った。
【０１４９】［光学補償フィルムの作製］透明支持体フ
ィルム６を用いた他は実施例１と同様にして光学補償フ
ィルム３を作製した。 ［偏光板の作製］この反射防止フィルム１１と、光学補
償フィルム３を用いた他は実施例１と同様にして偏光板
１１を作製した。
ィルム６を用いた他は実施例１と同様にして光学補償フ
ィルム３を作製した。 ［偏光板の作製］この反射防止フィルム１１と、光学補
償フィルム３を用いた他は実施例１と同様にして偏光板
１１を作製した。
【０１５０】
【実施例１０】透明支持体フィルム７を用いた他は実施
例１と同様にして光学補償フィルム４を作製した。この
光学補償フィルム４を用いた他は実施例９と同様にして
偏光板１２を作製した。
例１と同様にして光学補償フィルム４を作製した。この
光学補償フィルム４を用いた他は実施例９と同様にして
偏光板１２を作製した。
【０１５１】
【実施例１１】透明支持体フィルム８を用いた他は実施
例１と同様にして光学補償フィルム５を作製した。この
光学補償フィルム５を用いた他は実施例９と同様にして
偏光板１３を作製した。
例１と同様にして光学補償フィルム５を作製した。この
光学補償フィルム５を用いた他は実施例９と同様にして
偏光板１３を作製した。
【０１５２】
【実施例１２】透明支持体フィルム７のゼラチン下塗り
層の上に前記配向層用塗布液をバーコーターで塗布し、
６０℃で乾燥後、ラビング処理を行い、配向層を設け
た。配向層の膜厚は０．５μｍであった。この配向層上
に、上記光学異方層用塗布液Ｂをバーコーターで塗布
し、１２０℃で乾燥の後さらに３分間加熱し、液晶の熟
成を行ってディスコティック化合物を配向させた後、１
２０℃のまま１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドラン
プ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照度４０
０ｍＷ／ｃｍ2、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照
射して塗布層を硬化させ、厚さ１．８μｍの光学異方層
を形成し、光学補償フィルム６を作製した。この光学補
償フィルム６を用いた他は実施例９と同様にして偏光板
１４を作製した。
層の上に前記配向層用塗布液をバーコーターで塗布し、
６０℃で乾燥後、ラビング処理を行い、配向層を設け
た。配向層の膜厚は０．５μｍであった。この配向層上
に、上記光学異方層用塗布液Ｂをバーコーターで塗布
し、１２０℃で乾燥の後さらに３分間加熱し、液晶の熟
成を行ってディスコティック化合物を配向させた後、１
２０℃のまま１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドラン
プ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照度４０
０ｍＷ／ｃｍ2、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照
射して塗布層を硬化させ、厚さ１．８μｍの光学異方層
を形成し、光学補償フィルム６を作製した。この光学補
償フィルム６を用いた他は実施例９と同様にして偏光板
１４を作製した。
【０１５３】
【実施例１３】透明支持体フィルム８を用いた他は実施
例１２と同様にして光学補償フィルム７を作製した。こ
の光学補償フィルム７を用いた他は実施例９と同様にし
て偏光板１５を作製した。
例１２と同様にして光学補償フィルム７を作製した。こ
の光学補償フィルム７を用いた他は実施例９と同様にし
て偏光板１５を作製した。
【０１５４】
【比較例３】透明支持体フィルム８のゼラチン下塗り層
の上に前記配向層用塗布液をバーコーターで塗布し、６
０℃で乾燥後、ラビング処理を行い、配向層を設けた。
配向層の膜厚は０．５μｍであった。この配向層上に、
上記光学異方層用塗布液Ｃをバーコーターで塗布し、１
８０℃で乾燥の後さらに１分間加熱し、液晶の熟成を行
ってディスコティック化合物を配向させた後、室温まで
冷却し、厚さ１．０μｍの光学異方層を形成し、光学補
償フィルム８を作成した。この光学補償フィルム８を用
いた他は実施例９と同様にして偏光板１６を作製した。
の上に前記配向層用塗布液をバーコーターで塗布し、６
０℃で乾燥後、ラビング処理を行い、配向層を設けた。
配向層の膜厚は０．５μｍであった。この配向層上に、
上記光学異方層用塗布液Ｃをバーコーターで塗布し、１
８０℃で乾燥の後さらに１分間加熱し、液晶の熟成を行
ってディスコティック化合物を配向させた後、室温まで
冷却し、厚さ１．０μｍの光学異方層を形成し、光学補
償フィルム８を作成した。この光学補償フィルム８を用
いた他は実施例９と同様にして偏光板１６を作製した。
【０１５５】
【比較例４】透明支持体フィルム９を用いた他は実施例
１と同様にして光学補償フィルム９を作製した。この光
学補償フィルム９を用いた他は実施例９と同様にして偏
光板１７を作製した。
１と同様にして光学補償フィルム９を作製した。この光
学補償フィルム９を用いた他は実施例９と同様にして偏
光板１７を作製した。
【０１５６】
【比較例５】透明支持体フィルム１０を用いた他は実施
例１と同様にして光学補償フィルム１０を作製した。こ
の光学補償フィルム１０を用いた他は実施例９と同様に
して偏光板１８を作製した。上記の実施例および比較例
で作成した反射防止フィルム、光学補償フィルム、およ
び偏光板の構成を表３に示す。
例１と同様にして光学補償フィルム１０を作製した。こ
の光学補償フィルム１０を用いた他は実施例９と同様に
して偏光板１８を作製した。上記の実施例および比較例
で作成した反射防止フィルム、光学補償フィルム、およ
び偏光板の構成を表３に示す。
【０１５７】
【表３】
【０１５８】＜測定および評価＞上記の実施例および比
較例で作製した反射防止フィルム、光学補償フィルム、
偏光板について以下のようにして測定、評価した。 ［反射防止フィルムの評価］ 《平均反射率の測定》分光光度計Ｕ−４０００型（日立
製作所製）を用いて、５度正反射の条件にて反射率の測
定を行った。測定は、観察側の裏面を粗面化処理した
後、黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、フィル
ム裏面での光の反射を防止して、反射率の測定を行って
４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長の平均反射率を求めた。
結果を表４に示す。
較例で作製した反射防止フィルム、光学補償フィルム、
偏光板について以下のようにして測定、評価した。 ［反射防止フィルムの評価］ 《平均反射率の測定》分光光度計Ｕ−４０００型（日立
製作所製）を用いて、５度正反射の条件にて反射率の測
定を行った。測定は、観察側の裏面を粗面化処理した
後、黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、フィル
ム裏面での光の反射を防止して、反射率の測定を行って
４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長の平均反射率を求めた。
結果を表４に示す。
【０１５９】《耐傷性の測定》１×１ｃｍの面にスチー
ルウール（＃００００）を貼り付けたプローブを、反射
防止フィルムの薄膜面に２５０ｇの荷重をかけて押し付
け１０回往復運動させた後、擦り傷の入る本数をカウン
トし、以下のように評価した。結果を表４に示す。
ルウール（＃００００）を貼り付けたプローブを、反射
防止フィルムの薄膜面に２５０ｇの荷重をかけて押し付
け１０回往復運動させた後、擦り傷の入る本数をカウン
トし、以下のように評価した。結果を表４に示す。
【０１６０】Ａ：傷は認められない
Ｂ：１〜３本認められる
Ｃ：４〜１０本認められる
Ｄ：１１本以上認められる。
《剥離試験》JIS D 0202に準拠したテープ剥離試験を
行った。反射防止フィルム１〜１１を60℃、95％RHの条
件で100時間静置した後、反射防止膜の表面に片刃のカ
ミソリの刃を面に対して９０°の角度で切り込みを１ｍ
ｍ間隔で縦横に１１本入れ、１ｍｍ角の碁盤目を１００
個作製した。この上に市販のセロファン製テープを張り
付け、その一端を手で持って垂直に力強く引張って剥が
し、切り込み線からの貼られたテープ面積に対する薄膜
が剥がされた面積の割合を以下のように評価した。結果
を表４に示す。
行った。反射防止フィルム１〜１１を60℃、95％RHの条
件で100時間静置した後、反射防止膜の表面に片刃のカ
ミソリの刃を面に対して９０°の角度で切り込みを１ｍ
ｍ間隔で縦横に１１本入れ、１ｍｍ角の碁盤目を１００
個作製した。この上に市販のセロファン製テープを張り
付け、その一端を手で持って垂直に力強く引張って剥が
し、切り込み線からの貼られたテープ面積に対する薄膜
が剥がされた面積の割合を以下のように評価した。結果
を表４に示す。
【０１６１】Ａ：全く剥離されなかった
Ｂ：剥離された面積割合が１０％未満であった
Ｃ：剥離された面積割合が１０％以上であった
《鉛筆硬度試験》鉛筆硬度をJIS K 6894に準拠して測
定した。結果を表４に示す。
定した。結果を表４に示す。
【０１６２】《指紋付着試験》各反射防止フィルムに指
紋を付着させ、布で5回ふき取った後、目視評価したと
ころ、何れの反射防止フィルムも良好であった。 《反射防止層を構成する金属酸化物薄膜中の炭素含有率
の測定》炭素含有率は、ＸＰＳ表面分析装置を用いてそ
の値を測定した。ＸＰＳ表面分析装置としては、特に限
定なくいかなる機種も使用することができるが、本実施
例においてはＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡ
ＬＡＢ−２００Ｒを用いた。測定をおこなう前に、汚染
による影響を除くために、薄膜の膜厚の１０〜２０％の
厚さに相当する表面層を、Ａｒイオンエッチングを用い
て除去した。Ｘ線アノードにはＭｇを用い、出力６００
Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流４０ｍＡ）、
エネルギー分解能を清浄なＡｇ３ｄ５／２ピークの半値
幅で規定したとき、１．５〜１．７ｅＶとなるように設
定し、測定した。
紋を付着させ、布で5回ふき取った後、目視評価したと
ころ、何れの反射防止フィルムも良好であった。 《反射防止層を構成する金属酸化物薄膜中の炭素含有率
の測定》炭素含有率は、ＸＰＳ表面分析装置を用いてそ
の値を測定した。ＸＰＳ表面分析装置としては、特に限
定なくいかなる機種も使用することができるが、本実施
例においてはＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡ
ＬＡＢ−２００Ｒを用いた。測定をおこなう前に、汚染
による影響を除くために、薄膜の膜厚の１０〜２０％の
厚さに相当する表面層を、Ａｒイオンエッチングを用い
て除去した。Ｘ線アノードにはＭｇを用い、出力６００
Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流４０ｍＡ）、
エネルギー分解能を清浄なＡｇ３ｄ５／２ピークの半値
幅で規定したとき、１．５〜１．７ｅＶとなるように設
定し、測定した。
【０１６３】先ず、結合エネルギー０ｅＶから１１００
ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定
し、いかなる元素が検出されるかを求めた。次に、検出
されたエッチングイオン種を除く全ての元素について、
データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最大強
度を与える光電子ピークについてナロースキャンをおこ
ない、各元素のスペクトルを測定した。得られたスペク
トルは、測定装置、あるいは、コンピューターの違いに
よる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするため
に、ＶＡＭＡＳ−ＳＣＡ−ＪＡＰＡＮ製のＣＯＭＭＯＮ
ＤＡＴＡ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭ （Ｖ
ｅｒ．２．３）上に転送した後、同ソフトで処理をおこ
ない、炭素含有率の値を原子数濃度（ａｔｏｍｉｃ ｃ
ｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）として求めた。
ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定
し、いかなる元素が検出されるかを求めた。次に、検出
されたエッチングイオン種を除く全ての元素について、
データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最大強
度を与える光電子ピークについてナロースキャンをおこ
ない、各元素のスペクトルを測定した。得られたスペク
トルは、測定装置、あるいは、コンピューターの違いに
よる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするため
に、ＶＡＭＡＳ−ＳＣＡ−ＪＡＰＡＮ製のＣＯＭＭＯＮ
ＤＡＴＡ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭ （Ｖ
ｅｒ．２．３）上に転送した後、同ソフトで処理をおこ
ない、炭素含有率の値を原子数濃度（ａｔｏｍｉｃ ｃ
ｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）として求めた。
【０１６４】定量処理をおこなう前に、各元素について
Ｃｏｕｎｔ Ｓｃａｌｅのキャリブレーションをおこな
い、５ポイントのスムージング処理をおこなった。定量
処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強
度（ｃｐｓ＊ｅＶ）を用いた。バックグラウンド処理に
は、Ｓｈｉｒｌｅｙ法を用いた。Ｓｈｉｒｌｅｙ法につ
いては、Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅ
ｖ．，Ｂ５，４７０９（１９７２）を参考にすることが
できる。結果を表５に示す。 ［光学補償光学補償フィルムの評価］ 《光学特性（光軸、傾斜角変化）の評価》光学補償フィ
ルム１〜１０について、ラビング軸を含み光学補償フィ
ルム面に垂直な面におけるあらゆる方向からのリターデ
ーションをエリプソメータ（ＡＥＰ−１００、（株）島
津製作所製）で測定し、測定部分の光学異方層を除去し
た後、支持体及び配向層のみの場合のリターデーション
を同様に測定した。この２つの測定値から光学異方層単
独の光学特性（リターデーションの測定角依存性）を得
て、リターデーションがゼロの方向を光軸とし、光軸の
有無を調べた。また、光学特性のフィッティングにより
ディスコティック化合物の支持体表面からの傾き（傾斜
角変化）を算出した。結果を表４に示す。 ［偏光板および液晶表示装置の評価］ 《正面コントラスト、視野角の評価》市販の液晶ディス
プレイ（たとえばＮＥＣ（株）製、カラー液晶表示装置
15インチディスプレイMulti Sync LCD1525J）の予め貼
合されていた両面の偏光板を注意深く剥がし、代わり
に、実施例１〜１３および比較例１〜５で作製した偏光
板１〜１８をそれぞれ両面に貼合して、ELDIM社製EZ-co
ntrastにより、正面コントラストおよび視野角を測定し
た。視野角は、液晶パネルの白表示時と黒表示時のコン
トラスト比が１０以上を示す範囲を液晶パネル正面から
見たときの上下方向および左右方向の角度として求め
た。結果を表４に示す。
Ｃｏｕｎｔ Ｓｃａｌｅのキャリブレーションをおこな
い、５ポイントのスムージング処理をおこなった。定量
処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強
度（ｃｐｓ＊ｅＶ）を用いた。バックグラウンド処理に
は、Ｓｈｉｒｌｅｙ法を用いた。Ｓｈｉｒｌｅｙ法につ
いては、Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅ
ｖ．，Ｂ５，４７０９（１９７２）を参考にすることが
できる。結果を表５に示す。 ［光学補償光学補償フィルムの評価］ 《光学特性（光軸、傾斜角変化）の評価》光学補償フィ
ルム１〜１０について、ラビング軸を含み光学補償フィ
ルム面に垂直な面におけるあらゆる方向からのリターデ
ーションをエリプソメータ（ＡＥＰ−１００、（株）島
津製作所製）で測定し、測定部分の光学異方層を除去し
た後、支持体及び配向層のみの場合のリターデーション
を同様に測定した。この２つの測定値から光学異方層単
独の光学特性（リターデーションの測定角依存性）を得
て、リターデーションがゼロの方向を光軸とし、光軸の
有無を調べた。また、光学特性のフィッティングにより
ディスコティック化合物の支持体表面からの傾き（傾斜
角変化）を算出した。結果を表４に示す。 ［偏光板および液晶表示装置の評価］ 《正面コントラスト、視野角の評価》市販の液晶ディス
プレイ（たとえばＮＥＣ（株）製、カラー液晶表示装置
15インチディスプレイMulti Sync LCD1525J）の予め貼
合されていた両面の偏光板を注意深く剥がし、代わり
に、実施例１〜１３および比較例１〜５で作製した偏光
板１〜１８をそれぞれ両面に貼合して、ELDIM社製EZ-co
ntrastにより、正面コントラストおよび視野角を測定し
た。視野角は、液晶パネルの白表示時と黒表示時のコン
トラスト比が１０以上を示す範囲を液晶パネル正面から
見たときの上下方向および左右方向の角度として求め
た。結果を表４に示す。
【０１６５】《視認性の評価》上記のようにして得られ
た液晶パネルの視認性を以下のように評価した。液晶パ
ネルを床から７０ｃｍの高さの机上に配置し、床から
２．５ｍの高さの天井部に昼色光直管蛍光灯（FLR40S・D
/M-X 松下電器産業（株）製）４０Ｗ×２本を1セット
として１．５ｍ間隔で１０セット配置した。このとき評
価者が液晶パネル表示面正面にいるときに、評価者の頭
上より後方に向けて天井部に前記蛍光灯がくるように配
置した。液晶パネルは机に対する垂直方向から２０°傾
けて蛍光灯が映り込むようにして画面の見易さを下記の
ように評価した。結果を表４に示す。
た液晶パネルの視認性を以下のように評価した。液晶パ
ネルを床から７０ｃｍの高さの机上に配置し、床から
２．５ｍの高さの天井部に昼色光直管蛍光灯（FLR40S・D
/M-X 松下電器産業（株）製）４０Ｗ×２本を1セット
として１．５ｍ間隔で１０セット配置した。このとき評
価者が液晶パネル表示面正面にいるときに、評価者の頭
上より後方に向けて天井部に前記蛍光灯がくるように配
置した。液晶パネルは机に対する垂直方向から２０°傾
けて蛍光灯が映り込むようにして画面の見易さを下記の
ように評価した。結果を表４に示す。
【０１６６】◎： 蛍光灯の映り込みが気にならず、黒
もしまって見える。 ○： 近くの蛍光灯の映り込みは気になるが、遠くは気
にならず、黒はしまって見える。 △： 遠くの蛍光灯の映り込みも気になり、黒のしまり
が悪くなる。 ×： 蛍光灯の映り込みが気になり、黒のしまりが悪
い。
もしまって見える。 ○： 近くの蛍光灯の映り込みは気になるが、遠くは気
にならず、黒はしまって見える。 △： 遠くの蛍光灯の映り込みも気になり、黒のしまり
が悪くなる。 ×： 蛍光灯の映り込みが気になり、黒のしまりが悪
い。
【０１６７】
【表４】
【０１６８】
【表５】
【図１】図１は、本発明に係る偏光板の構成の一例を表
す図である。
す図である。
【図２】図２は、光学補償層の構成および光学特性を説
明するための概略図である。
明するための概略図である。
【図３】図３は、本発明において反射防止層の形成に用
いる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を表す図であ
る。
いる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を表す図であ
る。
【図４】図４は、本発明に係る液晶表示装置の構造の一
例を示す図である。
例を示す図である。
２０ …透明支持体Ａ
２２ …透明支持体Ｂ
２４ …偏光層
２５ …配向層
２６ …光学異方層
２８ …光学補償層
３０ …反射防止層
３２ …透明支持体Ｂの法線方向
３４ …ラビング方向
３６ …リターデーション値（絶対値）の最小値を示す
方向と透明支持体Ｂの法線方向とが形成する角度 ３８ …偏光層 ４０ …本発明に係る偏光板 ４４ａ、４４ｂ …光学補償層 ４６ａ、４６ｂ …光学補償層のラビング方向 ４８ａ、４８ｂ …液晶セルのラビング方向 ５０ａ、５０ｂ …偏光層の透過方向 ５２ …バックライト ５４ …液晶セル Ｆ …基材フィルム Ｇ …反応ガス Ｇ′ …排ガス １１０ …回転電極 １１１ …対向電極 １２０，１２１ …ガイドロール １２２，１２３ …ニップロール １２４，１２５ …仕切り板 １３０ …給気管 １３１ …反応ガス発生装置 １４０ …ガス排気口 １５０ …放電部 １８０ …電源 １８１，１８２ …電圧供給手段 １９０ …プラズマ放電処理容器
方向と透明支持体Ｂの法線方向とが形成する角度 ３８ …偏光層 ４０ …本発明に係る偏光板 ４４ａ、４４ｂ …光学補償層 ４６ａ、４６ｂ …光学補償層のラビング方向 ４８ａ、４８ｂ …液晶セルのラビング方向 ５０ａ、５０ｂ …偏光層の透過方向 ５２ …バックライト ５４ …液晶セル Ｆ …基材フィルム Ｇ …反応ガス Ｇ′ …排ガス １１０ …回転電極 １１１ …対向電極 １２０，１２１ …ガイドロール １２２，１２３ …ニップロール １２４，１２５ …仕切り板 １３０ …給気管 １３１ …反応ガス発生装置 １４０ …ガス排気口 １５０ …放電部 １８０ …電源 １８１，１８２ …電圧供給手段 １９０ …プラズマ放電処理容器
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA06 BA27 BA42 BB03
BB43 BB49 BB65 BC03 BC22
2H091 FA08X FA08Z FB04 FC09
HA07 HA10 KA10 LA04 LA12
LA16 LA19
2K009 AA06 AA07 BB28 CC03 CC26
DD02 DD04
Claims (11)
- 【請求項１】２枚の透明支持体Ａ、Ｂによって偏光層を
挟持してなる偏光板において、該透明支持体のうち一方
の支持体Ｂの偏光層と反対側の面上には光学異方層を備
えてなる光学補償層が形成され、他方の透明支持体Ａの
偏光層と反対側の面上には反射防止層が形成され、透明
支持体Ｂが総置換度2.55〜2.80のセルロースエステルか
らなることを特徴とする偏光板。 - 【請求項２】前記偏光板を構成する反射防止層が、大気
圧プラズマ処理によって形成された金属酸化物層および
／または有機フッ素化合物層を有することを特徴とする
請求項１に記載の偏光板。 - 【請求項３】前記偏光板を構成する光学異方層が、ディ
スコティック構造単位を有する化合物からなる負の複屈
折を有する層であり、該ディスコティック構造単位の円
盤面が透明支持体面に対して傾いており、かつ該ディス
コティック構造単位の円盤面と透明支持体面とのなす角
度が、光学異方層の深さ方向において変化していること
を特徴とする請求項１または２に記載の偏光板。 - 【請求項４】前記ディスコティック構造単位の円盤面と
透明支持体面とのなす角度が光学異方層の支持体面側か
らの距離の増加とともに増加していることを特徴とする
請求項３に記載の偏光板。 - 【請求項５】前記透明支持体Ｂが、２軸延伸されたセル
ロースエステルフィルムであることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の偏光板。 - 【請求項６】前記反射防止層が、少なくとも低屈折率層
と、透明支持体Ａの屈折率よりも高くかつ2.0以上の屈
折率を有する高屈折率層と、を備えてなり、該高屈折率
層が透明支持体Ａと低屈折率層との間に設けられている
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の偏光
板。 - 【請求項７】前記反射防止層の少なくとも1層が、炭素
含有量0.2〜5.0質量％の金属酸化物層であることを特徴
とする請求項１〜６のいずれかに記載の偏光板。 - 【請求項８】450〜650nmの平均反射率が0.2％未満であ
ることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の偏
光板。 - 【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の偏光板を
製造するに際して、該偏光板を構成する透明支持体Ａの
反射防止層としての金属酸化物層および／または有機フ
ッ素化合物層を、大気圧または大気圧近傍の圧力下にお
いて、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波
電圧で、かつ、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力を供給して放電
させ、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を該プラズ
マ状態の反応性ガスに晒すことによって形成することを
特徴とする偏光板の製造方法。 - 【請求項１０】請求項１〜８のいずれかに記載の偏光板
を、液晶セルの両側に配置された２枚の偏光板のうち、
表示側の偏光板として用い、かつ光学異方層を液晶セル
側へ向けて配置したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】透明電極、画素電極およびカラーフィル
タを有する一対の基板と、その基板間に封入された捻れ
配向したネマティック液晶とからなる液晶セル、液晶セ
ルの両側に設けられた一対の光学補償シートとその外側
に配置された一対の偏光板からなるカラー液晶表示装置
において、 液晶セルの表示側光学補償シートおよび偏光板として請
求項１〜８のいずれかに記載の偏光板を用い、かつ該光
学異方層を液晶セル側へ向けて配置し、 さらに液晶セルのバックライト側にディスコティック構
造単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する光学
異方性層を有し、該ディスコティック構造単位の円盤面
が透明支持体面に対して傾いており、かつ該ディスコテ
ィック構造単位の円盤面と透明支持体面とのなす角度
が、光学異方層の深さ方向において変化している光学補
償シートを有するカラー液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289270A JP2003098348A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 偏光板およびこれを用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289270A JP2003098348A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 偏光板およびこれを用いた液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003098348A true JP2003098348A (ja) | 2003-04-03 |
Family
ID=19111787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001289270A Pending JP2003098348A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 偏光板およびこれを用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003098348A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007125857A1 (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Konica Minolta Opto, Inc. | 凹凸構造が設けられた光学フィルムの製造方法、光学フィルム、ワイヤグリッド偏光子、及び位相差フィルム |
| KR100777482B1 (ko) | 2005-07-01 | 2007-11-16 | 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 | 액정 표시 장치 |
| WO2008010421A1 (fr) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Konica Minolta Opto, Inc. | éléments optiques, son procédé de fabrication, plaque polarisante et dispositif d'affichage à cristaux liquides |
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-
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- 2001-09-21 JP JP2001289270A patent/JP2003098348A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080827 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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