JP2003086751A - Lead frame, resin-sealed semiconductor device, and manufacturing method therefor - Google Patents

Lead frame, resin-sealed semiconductor device, and manufacturing method therefor

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To constitute a lead frame capable of bottom-surface mounting with a frame body integral with a die pad, and to improve reliability of a resin- sealing semiconductor device that uses the frame body. SOLUTION: The central part of a die pad 13, in which the profile of a lead frame 10 is almost square in top view, is provided with a holding region 23 formed by pushing the central part upward. Four openings 23a of bow-shape in plan view are provided to the peripheral part of the holding region 23, and the region surrounded with opening sides that are bowstrings of the openings 23a is a part to substantially secure and hold a semiconductor chip, which comes to be a central holding part 23b of the square in plan view. The corners of the central holding part 23b are connected to a die pad 13 using connection parts 23c provided between adjoining openings 23a.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、外部端子にランド
電極を備えたリードを有するリードフレームと、該リー
ドフレームを用いたランド・グリッド・アレイ（ＬＧ
Ａ）型の樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame having a lead having a land electrode on an external terminal, and a land grid array (LG) using the lead frame.
The present invention relates to an A) type resin-sealed semiconductor device and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置を含む半導体部品の高密度実
装が要求され、それに伴って、半導体部品の小型化及び
薄型化が進んでいる。また、樹脂封止型半導体装置は、
小型化及び薄型化を図りながら同時に多ピン化が進み、
ピンの配置を高密度にする樹脂封止型半導体装置が要望
されている。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, high density mounting of semiconductor components including resin-sealed semiconductor devices has been required, and accordingly miniaturization and thinning of semiconductor components have been advanced. I'm out. In addition, the resin-sealed semiconductor device is
The number of pins is increasing at the same time while aiming for miniaturization and thinning,
There is a demand for a resin-encapsulated semiconductor device that has a high pin density.

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に用い
るリードフレームについて図面を参照しながら説明す
る。A lead frame used in a conventional resin-sealed semiconductor device will be described below with reference to the drawings.

【０００４】図９（ａ）及び図９（ｂ）は従来のＱＦＰ
（quad flat package）型のリードフレームであって、
（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のIXｂ−IXｂ
線における断面構成を示している。9 (a) and 9 (b) are conventional QFPs.
(Quad flat package) type lead frame,
(A) shows a plane configuration, (b) shows (a) IXb-IXb
The cross-sectional structure along the line is shown.

【０００５】図９（ａ）に示すように、リードフレーム
１００は、方形状のフレーム枠部１０１とその内側に設
けられたタイバー部１０２と、タイバー部１０２の各隅
部と吊りリード１０３により支持されたダイパッド部１
０４と、一端がタイバー部１０２と接続され、他端がダ
イパッド部１０４と対向する複数のインナリード部１０
５と、一端がフレーム枠部１０１と接続され、他端がタ
イバー部１０２を介してインナリード部１０５と接続さ
れるアウタリード部１０６とを有している。As shown in FIG. 9 (a), the lead frame 100 is supported by a rectangular frame portion 101, a tie bar portion 102 provided inside the rectangular frame portion 101, corners of the tie bar portion 102 and suspension leads 103. Die pad part 1
04, a plurality of inner lead portions 10 having one end connected to the tie bar portion 102 and the other end facing the die pad portion 104.
5 and an outer lead portion 106 having one end connected to the frame frame portion 101 and the other end connected to the inner lead portion 105 via the tie bar portion 102.

【０００６】また、図９（ｂ）に示すように、ダイパッ
ド部１０４は、ディプレス加工により、そのチップ保持
面をインナーリード部１０５の上面よりも低くなるよう
に押し下げられている。なお、リードフレーム１００
は、通常、図９（ａ）に示した１つのパターンが同一面
内に繰り返し配列されている。Further, as shown in FIG. 9B, the die pad portion 104 is pressed down by depressing so that its chip holding surface is lower than the upper surface of the inner lead portion 105. The lead frame 100
In general, one pattern shown in FIG. 9A is repeatedly arranged in the same plane.

【０００７】図１０はリードフレーム１００を用いた従
来の樹脂封止型半導体装置の断面構成を示している。FIG. 10 shows a cross-sectional structure of a conventional resin-sealed semiconductor device using the lead frame 100.

【０００８】図１０に示すように、樹脂封止型半導体装
置はダイパッド部１０４の上に半田材等により固着され
た半導体チップ１０７を有し、該半導体チップ１０７は
各インナリード部１０５と金属細線１０８により電気的
に接続されている。As shown in FIG. 10, the resin-encapsulated semiconductor device has a semiconductor chip 107 fixed on a die pad portion 104 by a solder material or the like, and the semiconductor chip 107 has each inner lead portion 105 and a thin metal wire. It is electrically connected by 108.

【０００９】さらに、図９（ａ）に示したタイバー部１
０２の内側の領域、すなわち、半導体チップ１０７、ダ
イパッド部１０４及びインナリード部１０５が封止用樹
脂材により一体に封止されて、樹脂封止部１０９が形成
されている。タイバー部１０２は封止用樹脂材を注入す
るの際の樹脂止めとなり、フレーム枠部１０１を切断し
て除去した後には、互いに隣接するアウタリード部１０
６同士を絶縁するように互いに分離される。さらに、樹
脂封止部１０９の各側面から突き出すアウターリード部
１０６は、その端部が樹脂封止部１０９の底面と同程度
の高さとなるように加工される（ベンディング）。Further, the tie bar portion 1 shown in FIG. 9 (a).
A region inside 02, that is, the semiconductor chip 107, the die pad portion 104, and the inner lead portion 105 are integrally sealed with a sealing resin material to form a resin sealing portion 109. The tie bar portion 102 serves as a resin stopper when the sealing resin material is injected, and after the frame frame portion 101 is cut and removed, the outer lead portions 10 adjacent to each other are removed.
6 are separated from each other so as to insulate each other. Further, the outer lead portion 106 protruding from each side surface of the resin sealing portion 109 is processed so that the end portion thereof has the same height as the bottom surface of the resin sealing portion 109 (bending).

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のリードフレーム１００は、半導体チップ１０７に形
成される複数の半導体素子が高集積化し、さらに多ピン
構成となった場合に、インナリード部１０５及びアウタ
リード部１０６（以下、リード部１０５、１０６）の幅
寸法には限界が生じる。従って、多ピン構成に対応しよ
うとすると、リード部１０５、１０６の本数が多くな
り、リードフレーム１００自体が大きくなってしまう。
その結果、樹脂封止型半導体装置自体も大きくならざる
を得ず、樹脂封止型半導体装置の小型化及び薄型化を実
現することができない。However, in the conventional lead frame 100, when a plurality of semiconductor elements formed on the semiconductor chip 107 are highly integrated and have a multi-pin structure, the inner lead portion 105 and There is a limit to the width dimension of the outer lead portion 106 (hereinafter, the lead portions 105 and 106). Therefore, in order to cope with the multi-pin configuration, the number of lead portions 105 and 106 increases, and the lead frame 100 itself becomes large.
As a result, the resin-encapsulated semiconductor device itself is inevitably large, and it is not possible to realize the miniaturization and thinning of the resin-encapsulated semiconductor device.

【００１１】逆に、リードフレーム１００の外形寸法を
変更せず、リード部１０５、１０６の本数を増やすと、
各リード部１０５、１０６自体の幅を小さくしなければ
ならず、リードフレーム１００の作製時にエッチング等
の加工が困難となる。On the contrary, if the number of lead portions 105 and 106 is increased without changing the outer dimensions of the lead frame 100,
The width of each lead portion 105, 106 itself must be reduced, which makes it difficult to perform processing such as etching when manufacturing the lead frame 100.

【００１２】ところで、近年、面実装型の半導体装置と
して、底面にボール電極又はランド電極等の外部電極を
配したキャリア（配線基板）の上面に半導体チップを搭
載し、電気的な接続を行なった後、半導体チップを樹脂
封止した、例えばボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
型、又はランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）型と呼ば
れる樹脂封止型半導体装置が開発されている。これらの
半導体装置は、その底面でマザー基板（実装用基板）上
に実装される面実装タイプの半導体装置であり、このよ
うな面実装型の半導体装置が主流になりつつある。By the way, in recent years, as a surface-mounting type semiconductor device, a semiconductor chip is mounted on the upper surface of a carrier (wiring board) having external electrodes such as ball electrodes or land electrodes on the bottom surface to electrically connect them. After that, the semiconductor chip is sealed with resin, for example, ball grid array (BGA)
Type or a land grid array (LGA) type resin-sealed semiconductor device has been developed. These semiconductor devices are surface-mounting type semiconductor devices mounted on a mother substrate (mounting substrate) at the bottom surface thereof, and such surface-mounting type semiconductor devices are becoming mainstream.

【００１３】従って、図１０に示したパッケージ（樹脂
封止部１０９）の側面にのみアウタリード部１０６から
なる外部電極が形成されるＱＦＰ型の半導体装置、すな
わち従来のリードフレーム１００は、グリッドアレイ型
に対応できないという問題が顕在化してきている。Therefore, the QFP type semiconductor device in which the external electrode formed of the outer lead portion 106 is formed only on the side surface of the package (resin sealing portion 109) shown in FIG. 10, that is, the conventional lead frame 100 is a grid array type. The problem of not being able to deal with is becoming apparent.

【００１４】これに対し、ＢＧＡ型又はＬＧＡ型の半導
体装置は、半導体チップの保持部材として、比較的に高
価なキャリア（配線基板）を用いるため、製造コストを
容易に低減することができないという問題がある。On the other hand, the BGA type or LGA type semiconductor device uses a relatively expensive carrier (wiring substrate) as a holding member for the semiconductor chip, and therefore the manufacturing cost cannot be easily reduced. There is.

【００１５】本発明は、前記従来の問題を解決し、底面
による実装が可能なリードフレームをダイパッドと一体
化されたフレーム体を用いて構成できるようにすること
を目的とし、さらに、該フレーム体を用いた樹脂封止型
半導体装置の信頼性を向上できるようにすることを目的
とする。An object of the present invention is to solve the conventional problems described above, and to make it possible to construct a lead frame which can be mounted on the bottom surface by using a frame body integrated with a die pad. It is an object of the present invention to improve the reliability of a resin-encapsulated semiconductor device using.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るリードフレームは、フレーム枠部の内
側に吊りリードにより支持されたダイパッド部と、それ
ぞれの、一端がフレーム枠部と接続され、他端がダイパ
ッド部と対向する複数のリード部とを備え、ダイパッド
部は上面の一部がその残部よりも高くなるように形成さ
れた保持領域を有し、保持領域にはダイパッド部の表裏
方向に開口する複数の開口部が形成されており、複数の
開口部のうちの１つは、封止用樹脂材の注入用ゲートの
配置位置と対向する位置に設けられている。In order to achieve the above-mentioned object, a lead frame according to the present invention has a die pad portion supported by suspension leads inside a frame portion, and one end of each of the die pad portion is a frame portion. A plurality of lead portions that are connected to each other and the other end faces the die pad portion, and the die pad portion has a holding region formed so that a part of the upper surface is higher than the rest, and the holding region has the die pad portion. A plurality of openings that are open in the front-back direction are formed, and one of the plurality of openings is provided at a position facing the position where the injection gate for the sealing resin material is arranged.

【００１７】本発明のリードフレームによると、ダイパ
ッド部は吊りリードによりフレーム枠部と接続され、複
数のリード部はそれぞれの一端部によりフレーム枠部と
接続されている。従って、半導体チップを含むダイパッ
ド部及びリード部を樹脂封止によりパッケージを形成す
る際に、該パッケージの底面から各リード部の底面を露
出するように封止すれば、各リード部の底面が外部端子
を構成するため、ＬＧＡ型のパッケージを、配線基板を
用いることなくフレーム体により実現することができ
る。According to the lead frame of the present invention, the die pad portion is connected to the frame frame portion by the suspension lead, and the plurality of lead portions are connected to the frame frame portion by one ends thereof. Therefore, when the package is formed by resin sealing the die pad portion including the semiconductor chip and the lead portion, if the bottom surface of each lead portion is exposed from the bottom surface of the package, the bottom surface of each lead portion is externally exposed. Since the terminals are configured, the LGA type package can be realized by the frame body without using a wiring board.

【００１８】また、ダイパッド部の上面の一部がその残
部よりも高くなるように形成された保持領域を有し、保
持領域にはダイパッド部の表裏方向に開口する開口部が
形成されているため、封止用樹脂材がこの開口部を通し
てダイパッド部の底面側にも充填されるので、ダイパッ
ド部はその上側と下側とが共に封止用樹脂材により覆わ
れる。その結果、いわゆるダイパッド部及び半導体チッ
プの樹脂バランスが改善されるため、ダイパッド部と封
止用樹脂材又は半導体チップと封止用樹脂材との熱膨張
係数の差に起因する熱応力によって樹脂封止部に発生す
る樹脂剥がれやクラック、さらには半導体チップに発生
するクラック等を防止することができるので、本発明の
リードフレームを用いる樹脂封止型半導体装置の信頼性
が大きく向上する。その上、保持領域には複数の開口部
が設けられ、そのうちの１つは封止用樹脂材の注入用ゲ
ートの配置位置と対向する位置に設けられているため、
封止用樹脂材を注入用ゲートから注入する際に、注入用
ゲートの配置位置と対向する開口部から保持領域の下側
部分に封止用樹脂材が安定して注入される。その結果、
保持領域の下側部分に注入により充填される樹脂材に発
生するボイド（気泡）を防止することができる。Further, since a part of the upper surface of the die pad portion has a holding region formed so as to be higher than the remaining portion, and the holding region is formed with an opening that opens in the front-back direction of the die pad portion. Since the sealing resin material is also filled into the bottom surface side of the die pad portion through this opening, the die pad portion is covered with the sealing resin material on both the upper side and the lower side. As a result, the resin balance of the so-called die pad portion and the semiconductor chip is improved, so that the resin is sealed by the thermal stress due to the difference in the thermal expansion coefficient between the die pad portion and the sealing resin material or the semiconductor chip and the sealing resin material. Since it is possible to prevent resin peeling and cracks generated in the stopper portion, and further cracks generated in the semiconductor chip, the reliability of the resin-sealed semiconductor device using the lead frame of the present invention is greatly improved. In addition, a plurality of openings are provided in the holding region, and one of them is provided at a position facing the position of the injection gate for the sealing resin material,
When injecting the encapsulating resin material from the injecting gate, the encapsulating resin material is stably infused into the lower portion of the holding region from the opening portion facing the arrangement position of the injecting gate. as a result,
It is possible to prevent voids (air bubbles) generated in the resin material filled in the lower portion of the holding region by injection.

【００１９】また、本発明のリードフレームにおいて、
保持領域には４つの開口部が設けられ、保持領域は、互
いに隣接する開口部同士の間に設けられた連結部と、互
いに隣接する連結部同士を結ぶ各開口辺に囲まれてなる
平面方形状の中央保持部とを有し、開口辺のうちの少な
くとも１つは、その開口辺が延びる方向とフレーム枠部
が延びる方向とのなす角度が約４５°に設定されている
ことが好ましい。In the lead frame of the present invention,
The holding area is provided with four openings, and the holding area is a plane surface surrounded by connecting portions provided between the opening portions adjacent to each other and each opening side connecting the connecting portions adjacent to each other. It is preferable that at least one of the opening sides has a shape center holding portion, and an angle between the extending direction of the opening side and the extending direction of the frame portion is set to about 45 °.

【００２０】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、ダ
イパッド部と、ダイパッド部の上面に固着された半導体
チップと、それぞれダイパッド部の周囲に配置され、半
導体チップと導体線により電気的に接続されると共にそ
の底面が露出した複数のリード部と、半導体チップ、ダ
イパッド部及び複数のリード部を一体に封止する封止用
樹脂材からなる樹脂封止部とを備え、ダイパッド部は上
面の一部がその残部よりも高くなるように形成された保
持領域を有し、保持領域には、ダイパッド部の表裏方向
に開口する複数の開口部が形成されており、複数の開口
部のうちの１つは、樹脂封止部を形成する際の封止用樹
脂材の注入用ゲートの配置位置と対向する位置に設けら
れている。In the resin-sealed semiconductor device according to the present invention, the die pad portion, the semiconductor chip fixed to the upper surface of the die pad portion, and the semiconductor chip are respectively arranged around the die pad portion and electrically connected to the semiconductor chip by a conductor wire. And a bottom surface of the lead portion is exposed, and a semiconductor chip, a die pad portion and a resin sealing portion made of a sealing resin material that integrally seals the plurality of lead portions. Part of the plurality of openings has a holding area formed to be higher than the rest, and the holding area is formed with a plurality of openings that open in the front-back direction of the die pad portion. One is provided at a position facing the position where the gate for injecting the resin material for sealing when forming the resin sealing portion is arranged.

【００２１】本発明の樹脂封止型半導体装置によると、
本発明のリードフレームを用いて形成されているため、
封止用樹脂材がダイパッド部の保持領域に設けられた開
口部を通してダイパッド部の底面側面にも充填される。
これにより、ダイパッド部はその上側と下側とが共に封
止用樹脂材により覆われるため、ダイパッド部と封止用
樹脂材又は半導体チップと封止用樹脂材との熱膨張係数
の差に起因する熱応力によって樹脂封止部に発生する樹
脂剥がれやクラック等を防止することができるので、樹
脂封止型半導体装置の信頼性を向上することができる。According to the resin-sealed semiconductor device of the present invention,
Since it is formed using the lead frame of the present invention,
The sealing resin material is also filled in the bottom surface of the die pad portion through the opening provided in the holding area of the die pad portion.
As a result, the upper and lower sides of the die pad portion are both covered with the sealing resin material, which results from the difference in thermal expansion coefficient between the die pad portion and the sealing resin material or between the semiconductor chip and the sealing resin material. Since it is possible to prevent resin peeling, cracks, and the like that occur in the resin-sealed portion due to the applied thermal stress, it is possible to improve the reliability of the resin-sealed semiconductor device.

【００２２】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
保持領域には４つの開口部が設けられ、保持領域は、互
いに隣接する開口部同士の間に設けられた連結部と、互
いに隣接する連結部同士を結ぶ各開口辺に囲まれてなる
平面方形状の中央保持部とを有し、開口辺のうちの少な
くとも１つは、その開口辺が延びる方向と樹脂封止部の
側面とのなす角度が約４５°に設定されていることが好
ましい。In the resin-sealed semiconductor device of the present invention,
The holding area is provided with four openings, and the holding area is a plane surface surrounded by connecting portions provided between the opening portions adjacent to each other and each opening side connecting the connecting portions adjacent to each other. It is preferable that at least one of the opening sides has a shape center holding portion, and an angle between a direction in which the opening side extends and a side surface of the resin sealing portion is set to about 45 °.

【００２３】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
ダイパッド部における保持領域の下側にも封止用樹脂材
が充填されていることが好ましい。In the resin-sealed semiconductor device of the present invention,
It is preferable that the sealing resin material is also filled under the holding region in the die pad portion.

【００２４】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
複数のリード部のうち樹脂封止部の外側に配置されたリ
ード部の底面と側端面とが共に樹脂封止部から露出して
いることが好ましい。In the resin-sealed semiconductor device of the present invention,
It is preferable that, of the plurality of lead portions, both the bottom surface and the side end surface of the lead portion arranged outside the resin sealing portion are exposed from the resin sealing portion.

【００２５】この場合に、複数のリード部がダイパッド
部の周囲を少なくとも２列に配置されていることが好ま
しい。In this case, it is preferable that the plurality of lead portions are arranged in at least two rows around the die pad portion.

【００２６】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、フレーム枠部の内側に吊りリードにより支持さ
れたダイパッド部と、それぞれの、一端がフレーム枠部
と接続され、他端がダイパッド部と対向する複数のリー
ド部とを備えたリードフレームを用意する第１の工程
と、ダイパッド部の上に半導体チップを固着する第２の
工程と、導体線により半導体チップと複数のリード部と
を電気的に接続する第３の工程と、半導体チップ、ダイ
パッド部及び複数のリード部を封止用樹脂材により一体
に封止する第４の工程と、フレーム枠部から樹脂封止部
を分離する第５の工程とを備え、リードフレームにおけ
るダイパッド部は上面の一部がその残部よりも高くなる
ように形成された保持領域を有し、保持領域にはダイパ
ッド部の表裏方向に開口する開口部が形成されており、
複数の開口部のうちの１つは、封止用樹脂材の注入用ゲ
ートの配置位置と対向する位置に設けられている。In the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention, the die pad portion supported by the suspension leads inside the frame frame portion, one end of each is connected to the frame frame portion, and the other end is the die pad. A step of preparing a lead frame having a plurality of lead portions facing each other, a second step of fixing a semiconductor chip on a die pad portion, and a semiconductor chip and a plurality of lead portions by a conductor wire. And a fourth step of integrally sealing the semiconductor chip, the die pad portion and the plurality of lead portions with a sealing resin material, and separating the resin sealing portion from the frame portion. The die pad portion of the lead frame has a holding region formed so that a part of the upper surface of the die pad portion is higher than the rest of the die pad portion. Opening mouth is formed,
One of the plurality of openings is provided at a position facing the position where the injection gate for the sealing resin material is arranged.

【００２７】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
によると、本発明のリードフレームを用いて樹脂封止型
半導体装置を製造するため、樹脂封止工程において封止
用樹脂材がダイパッド部の保持領域に設けられた開口部
を通してダイパッド部の底面側にも充填される。これに
より、ダイパッド部はその上側と下側とが共に封止用樹
脂材により覆われるため、ダイパッド部と封止用樹脂材
又は半導体チップと封止用樹脂材との熱膨張係数の差に
起因する熱応力によって樹脂封止部に発生する樹脂剥が
れやクラック等を防止することができるので、樹脂封止
型半導体装置の信頼性を向上することができる。According to the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device of the present invention, since the resin-sealed semiconductor device is manufactured using the lead frame of the present invention, the resin material for sealing is used as the die pad portion in the resin sealing step. The bottom surface side of the die pad is also filled through the opening provided in the holding area. As a result, the upper and lower sides of the die pad portion are both covered with the sealing resin material, which results from the difference in thermal expansion coefficient between the die pad portion and the sealing resin material or between the semiconductor chip and the sealing resin material. Since it is possible to prevent resin peeling, cracks, and the like that occur in the resin-sealed portion due to the applied thermal stress, it is possible to improve the reliability of the resin-sealed semiconductor device.

【００２８】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、リードフレームの保持領域には４つの開口部
が設けられ、保持領域が、互いに隣接する開口部同士の
間に設けられた連結部と、互いに隣接する連結部同士を
結ぶ各開口辺に囲まれてなる平面方形状の中央保持部と
を有し、開口辺のうちの少なくとも１つは、その開口辺
が延びる方向とフレーム枠部が延びる方向とのなす角度
を約４５°に設定していることが好ましい。In the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the holding area of the lead frame is provided with four openings, and the holding area is provided between the openings adjacent to each other. And a central holding portion having a planar rectangular shape surrounded by the respective opening sides that connect adjacent connecting portions to each other, and at least one of the opening sides has a direction in which the opening sides extend and a frame frame portion. It is preferable to set the angle formed by the extending direction of the angle .about.45 °.

【００２９】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、第３の工程と第４の工程との間に、フレーム枠部、
ダイパッド部及び複数のリード部の各底面と密着するよ
うに封止用シート材を貼付する工程をさらに備えている
ことが好ましい。In the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention, a frame frame portion is provided between the third step and the fourth step.
It is preferable to further include a step of attaching a sealing sheet material so as to be in close contact with the bottom surfaces of the die pad portion and the plurality of lead portions.

【００３０】[0030]

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。(First Embodiment) First Embodiment of the Present Invention
Embodiments will be described with reference to the drawings.

【００３１】図１は本発明の第１の実施形態に係るリー
ドフレームの平面構成を示している。FIG. 1 shows a plan configuration of a lead frame according to the first embodiment of the present invention.

【００３２】図１に示すように、第１の実施形態に係る
リードフレーム１０は、平面方形状のフレーム枠部１１
と、該フレーム枠部１１の各隅部と吊りリード１２によ
り中央部に支持されたダイパッド部１３と、それぞれの
一端がフレーム枠部１１と接続され、他端がダイパッド
部１３の側面と対向する複数のリード部１４と、それぞ
れリード部１４同士の間に配置され、一端がフレーム枠
部１１と接続され、他端がリード部１４の他端よりもダ
イパッド部１３の近くに位置する複数のランドリード部
１５とを備えている。As shown in FIG. 1, the lead frame 10 according to the first embodiment has a frame frame portion 11 having a rectangular shape in plan view.
And a die pad portion 13 supported in the center by the corners of the frame frame portion 11 and the suspension leads 12, one end of each is connected to the frame frame portion 11, and the other end faces a side surface of the die pad portion 13. A plurality of lead portions 14 and a plurality of lands disposed between the lead portions 14 and having one end connected to the frame frame portion 11 and the other end located closer to the die pad portion 13 than the other end of the lead portion 14. And a lead portion 15.

【００３３】リードフレーム１０は、通常用いられる、
板状の銅合金又は４２−アロイと呼ばれる鉄合金からな
り、ダイパッド部１３及びリード部１４等はフレーム枠
部１１と一体に形成されている。また、フレーム枠部１
１の内側の領域３０は、封止用樹脂材による封止領域を
表わしている。The lead frame 10 is usually used,
It is made of a plate-shaped copper alloy or an iron alloy called 42-alloy, and the die pad portion 13, the lead portion 14 and the like are formed integrally with the frame portion 11. Also, the frame part 1
A region 30 inside 1 represents a sealing region made of a sealing resin material.

【００３４】第１の実施形態の特徴として、平面形状が
ほぼ正方形のダイパッド部１３は、その中央部に、該中
央部が上方に押し上げられてなる保持領域２３を有して
いる。保持領域２３の周縁部には、平面弓形状の４つの
開口部２３ａが設けられ、各開口部２３ａの弦である開
口辺に囲まれた領域が、半導体チップを実質的に保持す
る部位であって、平面方形状の中央保持部２３ｂとな
る。中央保持部２３ｂの各角部は互いに隣接する開口部
２３ａ同士の間に設けられた連結部２３ｃによってダイ
パッド部１３と接続されている。なお、ダイパッド部１
３の平面形状は方形に限られない。As a feature of the first embodiment, the die pad portion 13 having a substantially square planar shape has a holding region 23 at the center thereof, which is pushed upward. Four openings 23a having a plane bow shape are provided in the peripheral portion of the holding area 23, and the area surrounded by the opening sides which are the chords of each opening 23a is a portion that substantially holds the semiconductor chip. Thus forming the central holding portion 23b having a planar rectangular shape. Each corner of the central holding portion 23b is connected to the die pad portion 13 by a connecting portion 23c provided between the openings 23a adjacent to each other. The die pad 1
The planar shape of 3 is not limited to a square.

【００３５】図１に示す矢印３１は、樹脂封止工程にお
いて封止用樹脂材が注入される注入用ゲートの配置位置
の方向を表わしており、矢印３１の方向から封止用樹脂
材がダイパッド部１３に向けて注入される。このとき、
図１に示すように、４つの開口部２３ａのうちの１つ
は、注入用ゲートの配置位置と対向する位置に設けられ
ていることが好ましい。このようにすると、連結部２３
ｃが注入用ゲートの配置方向からずれるため、注入され
た封止用樹脂材が保持領域２３の開口部２３ａを流通す
る際に、連結部２３ｃが封止用樹脂材の流れの障害とな
らない。その結果、保持領域２３の下側にも封止用樹脂
材が安定して充填されるので、保持領域２３の下側部分
に充填された封止用樹脂材にボイド等が生じることがな
い。The arrow 31 shown in FIG. 1 indicates the direction of the arrangement position of the injection gate into which the sealing resin material is injected in the resin sealing step. From the direction of the arrow 31, the sealing resin material is the die pad. It is injected toward the part 13. At this time,
As shown in FIG. 1, it is preferable that one of the four openings 23a is provided at a position facing the position where the injection gate is arranged. In this way, the connecting portion 23
Since c is displaced from the arrangement direction of the injection gate, the connecting portion 23c does not obstruct the flow of the sealing resin material when the injected sealing resin material flows through the opening 23a of the holding region 23. As a result, the encapsulating resin material is also stably filled in the lower side of the holding area 23, so that voids and the like do not occur in the encapsulating resin material filled in the lower side portion of the holding area 23.

【００３６】例えば、図１に示すように、ダイパッド部
１３の中央保持部２３ｂの平面形状がほぼ正方形の場合
で、注入用ゲートの配置位置が中央保持部２３ｂの対角
線方向に設定されている場合には、中央保持部の各辺の
いずれもがフレーム枠部１１からほぼ４５°ずれること
になる。For example, as shown in FIG. 1, when the planar shape of the central holding portion 23b of the die pad portion 13 is substantially square and the placement position of the implantation gate is set in the diagonal direction of the central holding portion 23b. In addition, each of the sides of the central holding portion deviates from the frame portion 11 by about 45 °.

【００３７】ここで、ダイパッド部１３を拡大した平面
構成及び断面構成を図２（ａ）〜図２（ｃ）に示す。図
２（ａ）〜図２（ｃ）において、図１に示す構成部材と
同一の構成部材には同一の符号を付している。図２
（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、ダイパッド部１３
における保持領域２３は、半切断状態とするプレス加工
により、ダイパッド部１３の周縁部から上方に突き出す
ように形成されている。その結果、ダイパッド部１３に
おける保持領域２３の底面はその周囲よりも高くなり、
その下側には空隙が形成される。従って、樹脂封止工程
においては、封止用樹脂材が、保持領域２３の下側に形
成された空隙に各開口部２３ａを通して充填される。Here, an enlarged plan view and a sectional view of the die pad portion 13 are shown in FIGS. 2 (a) to 2 (c). 2A to 2C, the same components as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. Figure 2
As shown in FIGS. 2B and 2C, the die pad portion 13
The holding region 23 is formed by press working in a semi-cut state so as to project upward from the peripheral edge of the die pad portion 13. As a result, the bottom surface of the holding area 23 in the die pad portion 13 becomes higher than its surroundings,
Voids are formed below it. Therefore, in the resin sealing step, the sealing resin material is filled in the voids formed under the holding region 23 through the openings 23a.

【００３８】具体的には、保持領域２３は、例えばダイ
パッド部１３の厚さが約２００μｍとすると、５０μｍ
〜１００μｍ程度（厚さの２５％〜５０％程度）分だけ
上方にずらせて形成されている。また、ダイパッド部１
３の中央部分を上方にずらせて保持領域２３を形成して
いるため、保持領域２３の上に該保持領域２３よりも底
面積が大きい半導体チップを保持した場合には、半導体
チップの底面とダイパッド部１３の周縁部の上面との間
も他の空隙が形成される。Specifically, the holding region 23 has a thickness of, for example, 50 μm when the die pad portion 13 has a thickness of about 200 μm.
˜100 μm (about 25% to 50% of the thickness) is formed so as to be shifted upward. Also, the die pad 1
Since the holding region 23 is formed by shifting the central portion of the semiconductor chip 3 upward, when a semiconductor chip having a larger bottom area than the holding region 23 is held on the holding region 23, the bottom surface of the semiconductor chip and the die pad are Another void is also formed between the upper surface of the peripheral portion of the portion 13.

【００３９】なお、第１の実施形態においては、各開口
部２３ａの平面形状（開口形状）を弓形状としている
が、これに限らず、長円形状、菱形状又は三角形状でも
よい。従って、各開口部２３ａにより囲まれてなる中央
保持部２３ｂの平面形状も方形状に限られない。例え
ば、各開口部２３ａの開口形状が菱形状の場合には、中
央保持部２３ｂの平面形状は十字形状となる。このよう
に、開口部２３ａ及び中央保持部２３ｂの平面形状は、
上面に保持する半導体チップの底面積に応じて決定すれ
ばよい。In the first embodiment, the planar shape (opening shape) of each opening 23a is an arc shape, but the shape is not limited to this, and may be an elliptical shape, a rhombus shape, or a triangular shape. Therefore, the planar shape of the central holding portion 23b surrounded by the openings 23a is not limited to the rectangular shape. For example, when the opening shape of each opening 23a is a rhombus, the planar shape of the central holding portion 23b is a cross shape. Thus, the planar shapes of the opening 23a and the central holding portion 23b are
It may be determined according to the bottom area of the semiconductor chip held on the upper surface.

【００４０】なお、第１の実施形態のように、開口部２
３ａの開口形状を弓形状とすると、外側の弧状部には角
部分が生じないことから、封止用樹脂材の開口部２３ａ
における流通が滑らかになり且つ機械的強度を保てるこ
と、また、内側の弦状部は直線であることから、中央保
持部２３ｂの面積を相対的に大きくできることから好ま
しい。As in the first embodiment, the opening 2
When the opening shape of 3a is arched, no corner portion is formed in the outer arc-shaped portion, so that the opening portion 23a of the sealing resin material is formed.
Is smooth and the mechanical strength can be maintained, and since the inner chordal portion is a straight line, the area of the central holding portion 23b can be relatively large, which is preferable.

【００４１】また、図１及び図２（ａ）〜図２（ｃ）に
示すように、ダイパッド部１３の上面には、保持領域２
３を囲むように平面円形の第１の環状溝１３ａが形成さ
れている。第１の環状溝１３ａを設けることにより、該
第１の環状溝１３ａには、注入された封止用樹脂材が入
り込むため、熱膨張により生じる応力によってダイパッ
ド部１３の上面において封止用樹脂材の剥離が生じたと
しても、生じた剥離を第１の環状溝１３ａによってトラ
ップすることができるので、リードフレーム１０を用い
た樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。なお、第
１の環状溝１３ａの平面形状は、円形でも方形でも良
く、さらには環状に限られない。例えば、孤立した溝部
を不連続に配置してもよく、また、その本数も２本以上
としてもよい。すなわち、ダイパッド部１３の面積と、
それに保持される半導体チップの面積によって決定すれ
ばよい。Further, as shown in FIGS. 1 and 2A to 2C, the holding region 2 is formed on the upper surface of the die pad portion 13.
A first circular groove 13 a having a circular plane shape is formed so as to surround 3. By providing the first annular groove 13a, the injected sealing resin material enters the first annular groove 13a, so that the stress generated by thermal expansion causes the sealing resin material on the upper surface of the die pad portion 13. Even if the peeling occurs, the peeling can be trapped by the first annular groove 13a, so that the reliability of the resin-sealed semiconductor device using the lead frame 10 is improved. The planar shape of the first annular groove 13a may be circular or rectangular, and is not limited to annular. For example, the isolated groove portions may be discontinuously arranged, and the number thereof may be two or more. That is, the area of the die pad portion 13,
It may be determined according to the area of the semiconductor chip held by it.

【００４２】また、ダイパッド部１３の底面には、平面
方形で且つ角部を丸めた第２の環状溝１３ｂが保持領域
２３を囲むように形成されている。第２の環状溝１３ｂ
を設けることにより、ダイパッド部１３の底面上にはん
だ材等の固着材（接合材）を用いて実装用基板に実装す
る際に、固着材がダイパッド部１３の周囲にまで流出す
ることを防止できるため、実装用基板への実装精度が向
上する。その上、半導体チップの放熱によりダイパッド
部１３が受ける熱応力をも吸収することができる。な
お、ここでも、第２の環状溝部１３ｂの平面形状は方形
状に限られず、さらには、第２の環状溝部１３ｂの内側
又は外側に第３の環状溝部を設けてもよい。On the bottom surface of the die pad portion 13, there is formed a second annular groove 13b having a square shape and rounded corners so as to surround the holding region 23. Second annular groove 13b
By providing the above, it is possible to prevent the fixing material from flowing out to the periphery of the die pad portion 13 when the fixing material (bonding material) such as a solder material is used to mount the mounting substrate on the bottom surface of the die pad portion 13. Therefore, the mounting accuracy on the mounting substrate is improved. In addition, the thermal stress applied to the die pad portion 13 due to the heat radiation of the semiconductor chip can be absorbed. Here, also in this case, the planar shape of the second annular groove portion 13b is not limited to the rectangular shape, and further, the third annular groove portion may be provided inside or outside the second annular groove portion 13b.

【００４３】ところで、第１の実施形態は、リード部１
４及びランドリード部１５にも特徴を有している。By the way, in the first embodiment, the lead portion 1
4 and the land lead portion 15 also have features.

【００４４】すなわち、リード部１４とランドリード部
１５とは、それぞれの底面で外部端子（ランド部）を構
成し、リード部１４はその底面に加えて、フレーム枠部
１１との切断端面（側端面）においても外部端子として
実装用基板と電気的に接続が可能である。That is, the lead portion 14 and the land lead portion 15 form an external terminal (land portion) at their bottom surfaces, and the lead portion 14 has a cut end surface (side surface) with the frame frame portion 11 in addition to the bottom surface thereof. Also on the end face), it can be electrically connected to the mounting substrate as an external terminal.

【００４５】図１に示したように、リード部１４とラン
ドリード部１５とは、フレーム枠部１１に交互に形成さ
れており、それぞれの端部は、ランドリード部１５の方
がリード部１４よりもダイパッド部１３に近くなるよう
に形成されている。この構成により、リードフレーム１
０を樹脂封止した場合には、樹脂封止部（パッケージ）
の底面の周縁部に２列の外部端子が千鳥状に配置され
る。その結果、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）型
のパッケージを、配線基板を用いることなく、板状の金
属部材からなるリードフレーム１０によって実現するこ
とができる。As shown in FIG. 1, the lead portions 14 and the land lead portions 15 are alternately formed on the frame portion 11, and the end portions of the land lead portions 15 are different from each other. It is formed so as to be closer to the die pad portion 13. With this configuration, the lead frame 1
When 0 is resin-sealed, resin-sealed part (package)
Two rows of external terminals are arranged in a staggered manner on the peripheral portion of the bottom surface of the. As a result, a land grid array (LGA) type package can be realized by the lead frame 10 made of a plate-shaped metal member without using a wiring board.

【００４６】以下、リード部１４とランドリード部１５
の詳細な構成について図面を参照しながら説明する。Hereinafter, the lead portion 14 and the land lead portion 15
The detailed configuration of the above will be described with reference to the drawings.

【００４７】図３（ａ）〜図３（ｃ）は第１の実施形態
に係るリードフレームのリード部及びランドリード部で
あって、（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のII
Ib−IIIb線におけるリード部の断面構成を示し、（ｃ）
は（ａ）のIIIc−IIIc線におけるランドリード部の断面
構成を示している。3 (a) to 3 (c) are a lead portion and a land lead portion of the lead frame according to the first embodiment, where (a) shows a planar structure and (b) shows (a). ) II
The cross-sectional structure of the lead portion along the Ib-IIIb line is shown (c).
Shows the cross-sectional structure of the land lead portion taken along the line IIIc-IIIc in (a).

【００４８】まず、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すよ
うに、リード部１４は、直線状のリードであり、端部に
丸みを持たせると共に該端部の上縁部にハーフエッチに
より形成されたボンディングパッド部となる張り出し部
１４ａが設けられている。さらに、リード部１４の上面
であって、張り出し部１４ａとフレーム枠部１１との間
の領域には、ハーフエッチによる溝部１４ｂが設けられ
ている。樹脂封止された後には、リード部１４の底面の
全体が露出してランド部となる。First, as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), the lead portion 14 is a linear lead, and the end portion is rounded and the upper edge portion of the end portion is half-shaped. An overhanging portion 14a which is a bonding pad portion formed by etching is provided. Further, on the upper surface of the lead portion 14 and between the projecting portion 14a and the frame portion 11, a groove portion 14b formed by half etching is provided. After the resin sealing, the entire bottom surface of the lead portion 14 is exposed and becomes a land portion.

【００４９】次に、図３（ａ）及び図３（ｃ）に示すよ
うに、ランドリード部１５も、直線状のリードであり、
端部に丸みを持たせると共に該端部の上縁部にハーフエ
ッチにより形成されたボンディングパッド部となる張り
出し部１５ａが設けられている。さらに、ランドリード
部１５の底面であって、張り出し部１５ａとフレーム枠
部１１との間の領域には、ハーフエッチによる薄肉部１
５ｂが設けられている。従って、ランドリード部１５の
底面における薄肉部１５ｂを除く部分、すなわち、張り
出し部１５ａを含む端部がランド部１５ｃとなる。Next, as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (c), the land lead portion 15 is also a linear lead,
A rounded end portion is provided, and an overhanging portion 15a serving as a bonding pad portion formed by half etching is provided at an upper edge portion of the end portion. Furthermore, in the area on the bottom surface of the land lead portion 15 between the projecting portion 15a and the frame portion 11, the thin portion 1 formed by half etching is used.
5b is provided. Therefore, a portion of the bottom surface of the land lead portion 15 excluding the thin portion 15b, that is, an end portion including the protruding portion 15a becomes the land portion 15c.

【００５０】第１の実施形態に係るリードフレーム１０
を用いて樹脂封止型半導体装置を製造すると、樹脂封止
を行なった後には、リード部１４はその底面とフレーム
枠部１１の切断後の側端面とが露出される片面封止構成
となる。従って、従来例に示したＱＦＰ型のようなフル
モールドパッケージのリード部とは異なり、封止用樹脂
材による応力及び基板実装後の応力がリード部１４に印
加される場合がある。The lead frame 10 according to the first embodiment.
When a resin-encapsulated semiconductor device is manufactured using, the lead portion 14 has a single-sided encapsulation structure in which the bottom surface and the side end surface of the frame frame portion 11 after cutting are exposed after resin encapsulation. . Therefore, unlike the lead portion of the full mold package such as the QFP type shown in the conventional example, the stress due to the sealing resin material and the stress after mounting on the substrate may be applied to the lead portion 14.

【００５１】これに対し、第１の実施形態においては、
リード部１４の上面に溝部１４ｂを設けているため、封
止用樹脂材による応力及び基板実装後の応力等がリード
部１４に印加されたとしても、溝部１４ｂによって応力
が吸収される。その結果、ワイヤボンディングされた金
属細線の接続部分における破壊を防止でき、実装後の半
導体装置の信頼性を確保できる。On the other hand, in the first embodiment,
Since the groove portion 14b is provided on the upper surface of the lead portion 14, even if the stress due to the sealing resin material, the stress after mounting on the substrate, or the like is applied to the lead portion 14, the groove portion 14b absorbs the stress. As a result, it is possible to prevent breakage of the connection portion of the wire-bonded metal fine wires, and to secure the reliability of the semiconductor device after mounting.

【００５２】なお、リード部１４及びランドリード部１
５の本数は、搭載する半導体チップのピンの数によって
決定すればよい。The lead portion 14 and the land lead portion 1
The number of five may be determined by the number of pins of the mounted semiconductor chip.

【００５３】また、第１の実施形態に係るリードフレー
ム１０は、その表面がめっき処理されており、例えば必
要に応じて、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）又
は金（Ａｕ）等の金属を積層した後に、めっき処理が施
される。The surface of the lead frame 10 according to the first embodiment is plated, and if necessary, a metal such as nickel (Ni), palladium (Pd) or gold (Au) is used. After stacking, a plating process is performed.

【００５４】また、リードフレーム１０は、半導体装置
としての１つ分の領域のみを図示しており、実際には、
１つ分のパターンが繰り返して形成されている。Further, the lead frame 10 shows only one region as a semiconductor device, and actually,
One pattern is repeatedly formed.

【００５５】さらに、吊りリード１２にダミーランド部
を設けたり、また、吊りリード１２に屈曲部を設けても
よい。Further, the suspension lead 12 may be provided with a dummy land portion, or the suspension lead 12 may be provided with a bent portion.

【００５６】以上説明したように、第１の実施形態によ
ると、リードフレーム１０は、フレーム枠部１１に、互
いに長さが異なるリード部１４とランドリード部１５と
を交互に、いわゆる千鳥状に配置しているため、板状の
金属からなるフレーム体からＬＧＡ型のパッケージを作
製することができる。As described above, according to the first embodiment, the lead frame 10 has the frame frame portion 11 in which the lead portions 14 and the land lead portions 15 having different lengths are alternately arranged in a so-called zigzag pattern. Since they are arranged, the LGA type package can be manufactured from the frame body made of a plate-shaped metal.

【００５７】また、半導体チップを保持するダイパッド
部１３には、その中央部分が押し上げられてなる保持領
域２３を有しており、該保持領域２３には、封止用樹脂
材をダイパッド部１３の底面側に流通させる開口部２３
ａを設けている。この開口部２３ａにより、封止用樹脂
材がダイパッド部１３の底面側にも充填されるため、ダ
イパッド部１３の上面側と底面側との樹脂バランスが改
善される。その結果、封止用樹脂材の樹脂剥がれや半導
体チップ又は樹脂材に生じるクラック等を防止すること
ができる。Further, the die pad portion 13 for holding the semiconductor chip has a holding region 23 whose central portion is pushed up, and the holding region 23 is provided with a sealing resin material for the die pad portion 13. Opening part 23 that circulates to the bottom side
a is provided. The opening 23a fills the bottom surface side of the die pad portion 13 with the sealing resin material, so that the resin balance between the top surface side and the bottom surface side of the die pad portion 13 is improved. As a result, resin peeling of the sealing resin material and cracks or the like generated in the semiconductor chip or the resin material can be prevented.

【００５８】その上、保持領域２３に設けた開口部２３
ａは、封止用樹脂材の注入用ゲートの配置位置と対向す
る位置に設けているため、該開口部２３ａにより囲まれ
てなる中央保持部２３ｂを支持する連結部２３ｃが、注
入される封止用樹脂材の障害とならない位置にずれる。
このため、ダイパッド部１３の下側に充填される封止用
樹脂材の流れが安定し、該ダイパッド部１３の下側に充
填された樹脂封止部４１にボイド等の欠陥が生じるおそ
れがなくなるので、樹脂封止されてなる半導体装置の信
頼性が向上する。In addition, the opening 23 provided in the holding region 23
Since a is provided at a position facing the position where the injection gate of the sealing resin material is arranged, the connecting portion 23c that supports the central holding portion 23b surrounded by the opening 23a is sealed. The stopping resin material shifts to a position that does not hinder it.
Therefore, the flow of the sealing resin material filling the lower side of the die pad portion 13 is stabilized, and the resin sealing portion 41 filling the lower side of the die pad portion 13 is free from the possibility of defects such as voids. Therefore, the reliability of the resin-sealed semiconductor device is improved.

【００５９】また、注入される封止用樹脂材がダイパッ
ド部１３の下側にも充填されるようになることから、保
持領域２３に保持された半導体チップが受ける樹脂材の
注入圧力が緩和されるので、該半導体チップの位置ずれ
を防止することができる。Further, since the sealing resin material to be injected is also filled in the lower side of the die pad portion 13, the injection pressure of the resin material received by the semiconductor chip held in the holding region 23 is relaxed. Therefore, the displacement of the semiconductor chip can be prevented.

【００６０】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００６１】図４（ａ）及び図４（ｂ）は本発明の第２
の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、図４
（ａ）は平面構成を示し、図４（ｂ）は底面構成を示し
ている。FIG. 4A and FIG. 4B show the second embodiment of the present invention.
4 is a resin-encapsulated semiconductor device according to the embodiment of FIG.
4A shows a plan configuration, and FIG. 4B shows a bottom configuration.

【００６２】第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置は、本発明の第１の実施形態に係るリードフレームを
用いて作製されている。従って、図４及び図５におい
て、図１及び図３に示す構成部材と同一の構成部材には
同一の符号を付すことにする。The resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment is manufactured using the lead frame according to the first embodiment of the present invention. Therefore, in FIGS. 4 and 5, the same components as those shown in FIGS. 1 and 3 are designated by the same reference numerals.

【００６３】図４（ａ）に示すように、第２の実施形態
に係る樹脂封止型半導体装置４０の上面は封止用樹脂材
からなる樹脂封止部４１により全面的に覆われている。As shown in FIG. 4A, the upper surface of the resin-sealed semiconductor device 40 according to the second embodiment is entirely covered with a resin-sealed portion 41 made of a sealing resin material. .

【００６４】一方、図４（ｂ）に示すように、樹脂封止
型半導体装置４０の底面には、周縁部に配置されたリー
ド部１４の底面と、互いに隣接するリード部１４同士の
間で且つその内側に配置されたランドリード部１５のラ
ンド部１５ｃの底面とが、樹脂封止部４１から、いわゆ
る千鳥状に露出している。さらに、樹脂封止部４１の底
面の中央部には、ダイパッド部１３の底面が樹脂封止部
４１から露出している。また、ダイパッド部１３の保持
領域２３の内側には、第１の実施形態で説明した複数の
開口部２３ａを通して充填された樹脂封止部４１が露出
する。On the other hand, as shown in FIG. 4B, on the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device 40, between the bottom surface of the lead portion 14 arranged in the peripheral portion and the lead portions 14 adjacent to each other. Further, the bottom surface of the land portion 15c of the land lead portion 15 arranged inside thereof is exposed from the resin sealing portion 41 in a so-called zigzag pattern. Further, the bottom surface of the die pad portion 13 is exposed from the resin sealing portion 41 at the center of the bottom surface of the resin sealing portion 41. Further, the resin sealing portion 41 filled through the plurality of openings 23a described in the first embodiment is exposed inside the holding area 23 of the die pad portion 13.

【００６５】このように、樹脂封止部４１の底面から露
出するリード部１４の底面及び側端面とランドリード部
１５のランド部１５ｃの底面とは、プリント基板等の実
装用基板に実装される際に、２列の千鳥状のランド電極
（外部電極）となる。As described above, the bottom surface and the side end surface of the lead portion 14 exposed from the bottom surface of the resin sealing portion 41 and the bottom surface of the land portion 15c of the land lead portion 15 are mounted on a mounting board such as a printed board. At this time, the two rows of staggered land electrodes (external electrodes) are formed.

【００６６】次に、樹脂封止型半導体装置４０の内部構
造を説明する。Next, the internal structure of the resin-sealed semiconductor device 40 will be described.

【００６７】図５（ａ）及び図５（ｂ）は本発明の第２
の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、図５
（ａ）は図４（ａ）及び図４（ｂ）のＶａ−Ｖａ線にお
ける断面構成を示し、図５（ｂ）は図４（ａ）及び図４
（ｂ）のＶｂ−Ｖｂ線における断面構成を示している。FIG. 5A and FIG. 5B show the second embodiment of the present invention.
5 is a resin-encapsulated semiconductor device according to the embodiment of FIG.
4A shows a cross-sectional structure taken along line Va-Va of FIGS. 4A and 4B, and FIG. 5B shows FIGS. 4A and 4A.
The cross-sectional structure taken along line Vb-Vb in FIG.

【００６８】リード部１４を含む断面である図５（ａ）
に示すように、ダイパッド部１３における保持領域２３
の上には、半導体チップ４２が銀ペースト材等からなる
導電性の固着材４３により固着されている。半導体チッ
プ４２の複数の電極パッド（図示せず）の一部はリード
部１４の上面と金（Ａｕ）からなる金属細線４４により
電気的に接続されている。FIG. 5A, which is a cross section including the lead portion 14.
As shown in FIG.
A semiconductor chip 42 is fixed on the upper surface of the semiconductor chip by a conductive fixing material 43 made of a silver paste material or the like. Some of a plurality of electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 42 are electrically connected to the upper surface of the lead portion 14 by a thin metal wire 44 made of gold (Au).

【００６９】同様に、ランドリード部１５を含む断面で
ある図５（ｂ）に示すように、半導体チップ４２の複数
の電極パッドの残部はランドリード部１５の上面と金属
細線４４により電気的に接続されている。Similarly, as shown in FIG. 5B, which is a cross section including the land lead portion 15, the remaining portions of the plurality of electrode pads of the semiconductor chip 42 are electrically connected to the upper surface of the land lead portion 15 and the thin metal wire 44. It is connected.

【００７０】さらに、半導体チップ４２及び金属細線４
４は樹脂封止部４１により覆われると共に、ダイパッド
部１３、リード部１４及びランドリード部１５は各露出
部を残して樹脂封止部４１により覆われている。ここ
で、リード部１４及びランドリード部１５の各底部は、
２０μｍ程度の厚さ分が樹脂封止部４１の底面から突き
出しており、この突き出し部分は、実装用基板への実装
時のスタンドオフとなる。同様に、ダイパッド部１３の
底面も同量が突き出しており、基板への実装時にはんだ
接合によって、ダイパッド部１３の放熱効率を向上する
ことができる。Further, the semiconductor chip 42 and the thin metal wire 4
4 is covered with the resin sealing portion 41, and the die pad portion 13, the lead portion 14, and the land lead portion 15 are covered with the resin sealing portion 41 except for the exposed portions. Here, the bottom portions of the lead portion 14 and the land lead portion 15 are
A thickness of about 20 μm protrudes from the bottom surface of the resin sealing portion 41, and this protruding portion becomes a standoff at the time of mounting on the mounting board. Similarly, the bottom surface of the die pad portion 13 also protrudes by the same amount, and the heat dissipation efficiency of the die pad portion 13 can be improved by soldering when mounting on the substrate.

【００７１】また、前述したように、ダイパッド部１３
における保持領域２３の下側部分にも封止用樹脂材が充
填されているため、保持領域２３の開口部２３ａにより
囲まれた中央保持部２３ｂに対して上方から印加される
圧力を吸収できるので、樹脂封止型半導体装置４０の信
頼性が向上する。Further, as described above, the die pad portion 13
Since the sealing resin material is also filled in the lower portion of the holding region 23 in the above, the pressure applied from above to the central holding portion 23b surrounded by the opening 23a of the holding region 23 can be absorbed. The reliability of the resin-sealed semiconductor device 40 is improved.

【００７２】さらに、樹脂封止型半導体装置４０は、図
６に示すように、リード部１４と実装用基板５０の電極
パッドとをはんだ材等の固着材５１により固着して実装
する。ここで、ランドリード部１５の場合はその底面部
分でのみ実装用基板５０と固着されるが、リード部１４
の場合は、その底面部分及び切断されて露出した側端面
が共に固着されて実装される。Further, as shown in FIG. 6, the resin-sealed semiconductor device 40 is mounted by fixing the lead portion 14 and the electrode pad of the mounting substrate 50 with a fixing material 51 such as a solder material. Here, in the case of the land lead portion 15, the lead portion 14 is fixed to the mounting substrate 50 only at its bottom surface portion.
In this case, the bottom surface portion and the side end surface exposed by cutting are fixed and mounted together.

【００７３】具体的には、通常、ランド電極は、その底
面部分でのみ実装用基板に固着されるが、第２の実施形
態においては、２列構成のランド電極のうち外側のラン
ド電極であるリード部１４の側端面が樹脂封止部４１か
ら露出している。このため、リード部１４の側端面に対
しても固着材５１を塗布することにより、固着材５１に
よりフィレットが形成され、該リード部１４は底面と側
端面との２点接合構造となって、実装用基板５０に対す
る電気的且つ機械的な接続強度が向上する。その結果、
実装用基板５０を含めて樹脂封止型半導体装置４０の信
頼性を向上することができる。Specifically, the land electrode is usually fixed to the mounting substrate only at the bottom surface thereof, but in the second embodiment, it is the outer land electrode of the land electrodes of two rows. The side end surface of the lead portion 14 is exposed from the resin sealing portion 41. Therefore, by applying the fixing material 51 also to the side end surface of the lead portion 14, a fillet is formed by the fixing material 51, and the lead portion 14 has a two-point joining structure of the bottom surface and the side end surface. The electrical and mechanical connection strength to the mounting substrate 50 is improved. as a result,
The reliability of the resin-encapsulated semiconductor device 40 including the mounting substrate 50 can be improved.

【００７４】このような２点接合構造となる実装形態
は、通常のリードフレームを用いたＬＧＡ型半導体装置
では実現することができない。第２の実施形態において
は、ランド電極の構成をランド電極（リード部１４）
と、リード型ランド電極（ランドリード部１５）との互
いに構成が異なる２種類のリードを用いた２列構成を採
用しているため、樹脂封止部４１の側面にも接続部分を
設けることができる。すなわち、リード部１４の底面及
び側端面の２点接合構造により、実装用基板５０との接
続の信頼性が格段に向上する。Such a mounting structure having a two-point junction structure cannot be realized by an LGA type semiconductor device using an ordinary lead frame. In the second embodiment, the structure of the land electrode is the land electrode (lead portion 14).
And a lead-type land electrode (land lead portion 15) having a two-row configuration using two types of leads having different configurations from each other, a connection portion can be provided also on the side surface of the resin sealing portion 41. it can. That is, the two-point bonding structure of the bottom surface and the side end surface of the lead portion 14 significantly improves the reliability of connection with the mounting substrate 50.

【００７５】以上説明したように、第２の実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置４０は、第１の実施形態に係る
リードフレーム１０を用いているため、樹脂封止部４１
の底面に半導体チップ４２と電気的に接続されたリード
部１４及びランドリード部１５からなる２列のランド電
極が千鳥状に配列された面実装型のパッケージを実現で
きる。その結果、従来例に示したＱＦＰ型パッケージに
おけるリード接合による基板への実装と比べて、実装位
置及び実装強度の信頼性が大きく向上する。As described above, since the resin-sealed semiconductor device 40 according to the second embodiment uses the lead frame 10 according to the first embodiment, the resin-sealed portion 41 is used.
It is possible to realize a surface-mounting type package in which two rows of land electrodes, which are composed of the lead portions 14 and the land lead portions 15 electrically connected to the semiconductor chip 42, are arranged in a zigzag pattern on the bottom surface of the. As a result, the reliability of the mounting position and the mounting strength is greatly improved as compared with the mounting on the substrate by the lead bonding in the QFP type package shown in the conventional example.

【００７６】その上、ダイパッド部１３の中央部分が上
方に押し上げられてなる保持領域２３には、複数の開口
部２３ａが設けられ、さらに、開口部２３ａの少なくと
も１つは樹脂材の注入用ゲートの配置位置と対向する位
置に設けられている。このため、各開口部２３ａにより
囲まれてなる中央保持部２３ｂを支持する連結部２３ｃ
が、注入される封止用樹脂材の障害とならない位置に配
置される。その結果、ダイパッド部１３の下側に充填さ
れる封止用樹脂材の流れが安定し、ダイパッド部１３の
下側に充填された樹脂封止部４１にボイド等の欠陥が生
じにくくなるので、半導体装置の信頼性が向上すること
になる。In addition, a plurality of openings 23a are provided in the holding area 23 formed by pushing up the central portion of the die pad portion 13, and at least one of the openings 23a is a gate for injecting a resin material. Is provided at a position facing the arrangement position. Therefore, the connecting portion 23c that supports the central holding portion 23b surrounded by the openings 23a.
Are arranged at positions that do not hinder the injected sealing resin material. As a result, the flow of the sealing resin material filled below the die pad portion 13 is stabilized, and defects such as voids are less likely to occur in the resin sealing portion 41 filled below the die pad portion 13. The reliability of the semiconductor device is improved.

【００７７】また、第２の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置４０は、従来のＢＧＡ型の半導体装置のよう
に、ランド電極を設けたポリイミド、セラミック又はプ
ラスティック等からなる配線基板を用いることなく、板
状の金属からなるリードフレーム１０からＬＧＡ型の半
導体装置を形成することができる。その結果、量産性に
優れるため、製造コストを低減することが可能となる。Further, the resin-sealed semiconductor device 40 according to the second embodiment uses a wiring substrate made of polyimide, ceramic, plastic or the like provided with a land electrode like the conventional BGA type semiconductor device. Instead, it is possible to form an LGA type semiconductor device from the lead frame 10 made of a plate-shaped metal. As a result, since the mass productivity is excellent, the manufacturing cost can be reduced.

【００７８】以下、前記のように構成された樹脂封止型
半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明
する。Hereinafter, a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device configured as described above will be described with reference to the drawings.

【００７９】図７（ａ）〜図７（ｃ）及び図８（ａ）〜
図８（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法の工程順の断面構成を示してい
る。7 (a) to 7 (c) and 8 (a) to
FIG. 8C shows a cross-sectional configuration in the order of steps of the method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

【００８０】まず、図７（ａ）に示すように、第１の実
施形態に係る板状の金属からなるリードフレーム１０を
用意する。前述したように、ダイパッド部１３のほぼ中
央部には、半切段状態となるようにプレス加工されて上
方に押し上げられた保持領域２３が形成されている。保
持領域２３の周縁部には平面弓形状の４つの開口部２３
ａが形成され、それぞれの内側の開口辺（弦）に囲まれ
た中央部分が平面方形状で且つその上面で半導体チップ
を実質的に保持する中央保持部２３ｂとなる。First, as shown in FIG. 7A, a lead frame 10 made of a plate-shaped metal according to the first embodiment is prepared. As described above, the holding region 23 that is pressed into the half-stepped state and pushed upward is formed in the substantially central portion of the die pad portion 13. At the periphery of the holding area 23, four opening portions 23 having a plane bow shape are formed.
a is formed, and the central portion surrounded by the inside opening sides (chords) is a planar rectangular shape and the upper surface thereof serves as a central holding portion 23b that substantially holds the semiconductor chip.

【００８１】ダイパッド部１３の周囲にはランドリード
部１５及びリード部（図示せず）が交互に配置されて形
成されている。Land lead portions 15 and lead portions (not shown) are alternately arranged around the die pad portion 13.

【００８２】次に、図７（ｂ）のダイボンド工程に示す
ように、用意されたリードフレーム１０におけるダイパ
ッド部１３の中央保持部２３ｂの上に、半導体チップ４
２を銀ペースト材等からなる導電性の固着材４３により
固着する。ここで、固着材４３は、半導体チップ４２が
保持領域２３の各開口部２３ａを塞がないようにする必
要がある。Next, as shown in the die bonding step of FIG. 7B, the semiconductor chip 4 is placed on the central holding portion 23b of the die pad portion 13 of the prepared lead frame 10.
2 is fixed by a conductive fixing material 43 made of a silver paste material or the like. Here, the fixing material 43 needs to prevent the semiconductor chip 42 from blocking each opening 23 a of the holding region 23.

【００８３】次に、図７（ｃ）のワイヤボンド工程に示
すように、ダイパッド部１３の上に固着された半導体チ
ップ４２の主面上に設けられた電極パッド（図示せず）
と、リードフレーム１０のランドリード部１５及びリー
ド部（図示せず）の各端部の上面とを金属細線４４によ
り電気的に接続する。ここで、ランドリード部１５にお
ける金属細線４４のボンディング領域となる端部の上面
の面積は張り出し部１５ａを含めて、例えば１００μｍ
2 以上としている。リード部の端部の上面の面積も同様
である。Next, as shown in the wire bonding step of FIG. 7C, electrode pads (not shown) provided on the main surface of the semiconductor chip 42 fixed onto the die pad portion 13.
And the land lead portions 15 of the lead frame 10 and the upper surfaces of the respective end portions of the lead portions (not shown) are electrically connected by the fine metal wires 44. Here, the area of the upper surface of the end portion of the land lead portion 15 which becomes the bonding region of the metal fine wire 44, including the protruding portion 15a, is, for example, 100 μm.
2 and above. The same applies to the area of the upper surface of the end portion of the lead portion.

【００８４】また、リードフレーム１０は、保持領域２
３に中央保持部２３ｂを有しており、半導体チップ４２
は固着材４３により中央保持部２３ｂの上に固着されて
いるため、金属細線４４のボンディング時の機械的な衝
撃、並びにワイヤボンド工程に伴う、半導体チップ４２
が搭載された状態のリードフレーム１０の移動時及び搬
送時の振動や衝撃によって、搭載された半導体チップ４
２が位置ずれを生じたり、ダイパッド部１３から脱落し
たりするという不具合を防止することができる。Further, the lead frame 10 has a holding area 2
3 has a central holding portion 23b, and the semiconductor chip 42
Is fixed on the central holding portion 23b by a fixing material 43, so that the semiconductor chip 42 associated with the mechanical impact at the time of bonding the fine metal wire 44 and the wire bonding process.
The semiconductor chip 4 mounted by the vibration and impact of the lead frame 10 with the mounted
It is possible to prevent the problem that the position 2 is displaced or is dropped from the die pad portion 13.

【００８５】次に、図８（ａ）に示すように、リードフ
レーム１０の底面、すなわち、ダイパッド部１３の周縁
部、ランドリード部１５のランド部１５ｃ及びリード部
（図示せず）の各底面に封止用テープ材又は封止用シー
ト材５２を密着するように貼付する。ここで、例えば封
止用シート材５２は、リードフレーム１０に対して接着
力がなく、後述する樹脂封止工程の後にピールオフ等に
より容易に除去可能な樹脂材からなり、樹脂封止工程に
おいてリードフレーム１０における樹脂封止部からの露
出部分に封止用樹脂材が回り込まないような材料を選
ぶ。その結果、ダイパッド部１３、ランドリード部１５
及びリード部（図示せず）の各底面に対する樹脂バリの
付着を防止できるため、通常は樹脂バリを除去するのに
必要なウォータジェット工程を省略することができる。Next, as shown in FIG. 8A, the bottom surface of the lead frame 10, that is, the peripheral portion of the die pad portion 13, the land portion 15c of the land lead portion 15, and the bottom portions of the lead portions (not shown). Then, the sealing tape material or the sealing sheet material 52 is attached so as to be in close contact. Here, for example, the sealing sheet material 52 is made of a resin material that has no adhesive force to the lead frame 10 and can be easily removed by peeling off after the resin sealing step described later. A material is selected so that the sealing resin material does not wrap around the exposed portion of the frame 10 from the resin sealing portion. As a result, the die pad portion 13 and the land lead portion 15
Since the resin burrs can be prevented from adhering to the respective bottom surfaces of the lead portions (not shown), the water jet process normally required for removing the resin burrs can be omitted.

【００８６】次に、図８（ｂ）の樹脂封止工程に示すよ
うに、封止用シート材５２を貼付した状態で、リードフ
レーム１０の上面を封止用樹脂材により、半導体チップ
４２、金属細線４４、ダイパッド部１３、ランドリード
部１５及びリード部（図示せず）を封止することによ
り、樹脂封止部４１を形成する。ここで、通常の上金型
及び下金型からなる封止金型を用いたトランスファモー
ルドにより片面封止を行なう。封止用樹脂材を注入する
際には、ランドリード部１５及びリード部（図示せず）
のフレーム枠部との接続部分、すなわち樹脂封止されな
い外側のリード部分に対して、上下封止金型により封止
用シート材５２を介して押圧する。このように、ランド
リード部１５及びリード部（図示せず）の各底面を封止
用シート材５２に押圧し且つ密着させた状態で封止する
ことにより、樹脂バリの発生を確実に防止することがで
きる。その上、ダイパッド部１３、ランドリード部１５
及びリード部（図示せず）の各底部に樹脂封止部４１の
底面から露出する、いわゆるスタンドオフを形成するこ
とができる。Next, as shown in the resin sealing step of FIG. 8B, the semiconductor chip 42, the upper surface of the lead frame 10 is sealed with the sealing resin material while the sealing sheet material 52 is attached. The resin sealing portion 41 is formed by sealing the thin metal wire 44, the die pad portion 13, the land lead portion 15, and the lead portion (not shown). Here, single-sided sealing is performed by transfer molding using a sealing mold including a normal upper mold and a lower mold. When injecting the sealing resin material, the land lead portion 15 and the lead portion (not shown)
The connecting portion with the frame frame portion, that is, the outer lead portion which is not resin-sealed is pressed by the upper and lower sealing dies via the sealing sheet material 52. As described above, the bottom surface of each of the land lead portion 15 and the lead portion (not shown) is pressed against and closely adhered to the sealing sheet material 52, and sealing is performed, thereby reliably preventing the occurrence of resin burr. be able to. In addition, the die pad portion 13 and the land lead portion 15
Also, a so-called standoff, which is exposed from the bottom surface of the resin sealing portion 41, can be formed on each bottom portion of the lead portion (not shown).

【００８７】なお、前述したように、リードフレーム１
０におけるダイパッド部１３の保持領域２３には開口部
２３ａが設けられているため、注入された封止用樹脂材
はダイパッド部１３の保持領域２３の下側部分にも充填
されるため、注入される封止樹脂材の圧力が半導体チッ
プ４２の片面にのみ印加されることによる該半導体チッ
プ４２の損傷を防止することができる。As described above, the lead frame 1
Since the holding area 23 of the die pad portion 13 at 0 has the opening 23a, the injected sealing resin material is also filled in the lower portion of the holding area 23 of the die pad portion 13 and is therefore injected. It is possible to prevent the semiconductor chip 42 from being damaged by the pressure of the sealing resin material applied to only one surface of the semiconductor chip 42.

【００８８】さらに、保持領域２３に設けた４つの平面
弓形状の開口部２３ａのうちの１つは、封止金型に設け
られた封止用樹脂材の注入用ゲートの配置位置（設定位
置）と対向する位置に開口されている。このため、保持
領域２３における中央保持部２３ｂを支持する連結部
が、封止用樹脂材の流通の大きな障害とならなくなるの
で、封止用樹脂材の保持領域２３の下側部分への流れが
安定する。その結果、保持領域２３の下側部分に充填さ
れた封止用樹脂材中のボイドの発生を防止することがで
きる。Further, one of the four planar bow-shaped openings 23a provided in the holding region 23 is disposed at the position (setting position) of the injection gate of the sealing resin material provided in the sealing mold. ) Is opened at a position opposite to. For this reason, the connecting portion that supports the central holding portion 23b in the holding area 23 does not become a major obstacle to the circulation of the sealing resin material, so that the flow of the sealing resin material to the lower side portion of the holding area 23 is prevented. Stabilize. As a result, it is possible to prevent generation of voids in the sealing resin material filled in the lower portion of the holding region 23.

【００８９】なお、封止用シート材５２をリードフレー
ム１０の底面に貼付する工程において、上金型又は下金
型の内部にあらかじめ封止用シート材５２を供給してお
き、封止用樹脂材の注入前に密着させてもよい。また、
封止前の別工程で封止用シート材５２をリードフレーム
１０の底面に貼付し、封止用シート材５２が貼付された
状態のリードフレーム１０を封止金型に供給してもよ
い。In the step of attaching the sealing sheet material 52 to the bottom surface of the lead frame 10, the sealing sheet material 52 is previously supplied to the inside of the upper mold or the lower mold to obtain the sealing resin. You may make it adhere | attach before injection of a material. Also,
The sealing sheet material 52 may be attached to the bottom surface of the lead frame 10 in another step before sealing, and the lead frame 10 with the sealing sheet material 52 attached may be supplied to the sealing die.

【００９０】次に、図８（ｃ）に示すように、封止用シ
ート材５２をリードフレーム１０から剥がして除去した
後、吊りリード、ランドリード部及びリード部の各リー
ド部をフレーム枠部から切断する。このとき、各リード
部の外側の端面が樹脂封止部４１の側面と実質的に同一
となるように切断する。これにより、図４（ｂ）に示し
たように、リード部１４及びランドリード部１５の各底
面は、樹脂封止部４１の底面から露出してランド電極と
なる。また、ダイパッド部１３の底面も露出して放熱性
が向上する。さらに、このとき、図５（ａ）に示したよ
うに、リード部１４の側端面も外部電極となる。なお、
封止用樹脂材が注入される注入用ゲートの配置位置は、
封止用樹脂材が固化する際に形成されるランナー部を除
去した後の痕跡として樹脂封止部４１の側面に残るため
判別が可能である。Next, as shown in FIG. 8C, after the sealing sheet material 52 is peeled off from the lead frame 10 and removed, the suspension leads, the land lead portions, and the lead portions are removed from the lead frame 10. Disconnect from. At this time, cutting is performed so that the outer end surface of each lead portion is substantially the same as the side surface of the resin sealing portion 41. As a result, as shown in FIG. 4B, the bottom surfaces of the lead portion 14 and the land lead portion 15 are exposed from the bottom surface of the resin encapsulation portion 41 to become land electrodes. In addition, the bottom surface of the die pad portion 13 is also exposed to improve heat dissipation. Further, at this time, as shown in FIG. 5A, the side end surface of the lead portion 14 also serves as an external electrode. In addition,
The position of the injection gate where the sealing resin material is injected is
It can be discriminated because it remains on the side surface of the resin sealing portion 41 as a trace after the runner portion formed when the sealing resin material is solidified is removed.

【００９１】以上説明したように、第２の実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、第１の実
施形態に係るリードフレーム１０を用いているため、パ
ッケージ（樹脂封止部４１）の底面には、その周縁部に
配置されたリード部１４と該リード部１４と交互に千鳥
状に配置されたランドリード部１５のランド部１５ｃと
により２列構成の外部端子が形成されて、ＬＧＡ型のパ
ッケージを実現できる。また、リード部１４の切断後の
側端面は、パッケージの側面から露出するため、該側端
面と底面との両面で実装用基板と電気的且つ機械的な接
合が可能となるので、実装の信頼性を向上することがで
きる。As described above, according to the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment, the lead frame 10 according to the first embodiment is used. 41), the external terminals having a two-row configuration are formed on the bottom surface of 41) by the lead portions 14 arranged in the peripheral portion thereof and the land portions 15c of the land lead portions 15 alternately arranged in the zigzag pattern. As a result, an LGA type package can be realized. In addition, since the side end surface of the lead portion 14 after cutting is exposed from the side surface of the package, both the side end surface and the bottom surface can be electrically and mechanically bonded to the mounting substrate, so that the mounting reliability can be improved. It is possible to improve the property.

【００９２】その上、リードフレーム１０のダイパッド
部１３の保持領域２３に形成された開口部２３ａは、封
止用樹脂材の注入用ゲートと対向する位置に設けられて
いるため、開口部２３ａにより囲まれた中央保持部２３
ｂをダイパッド部１３に連結する連結部２３ｃの位置
が、注入される封止用樹脂材の流れの方向からずれる。
このため、連結部２３ｃが封止用樹脂材の流通の大きな
障害とならなくなるので、封止用樹脂材の保持領域２３
の下側部分への流れが安定する。その結果、保持領域２
３の下側部分に充填された封止用樹脂材中のボイドの発
生が防止されるため、樹脂封止型半導体装置の信頼性が
向上する。Moreover, since the opening 23a formed in the holding region 23 of the die pad portion 13 of the lead frame 10 is provided at a position facing the injection gate of the sealing resin material, the opening 23a is formed by the opening 23a. Surrounded central holding part 23
The position of the connecting portion 23c connecting b to the die pad portion 13 is displaced from the direction of the flow of the injected sealing resin material.
For this reason, the connecting portion 23c does not become a major obstacle to the circulation of the sealing resin material, so that the holding area 23 for the sealing resin material is held.
The flow to the lower part of the is stable. As a result, the holding area 2
Since voids are prevented from being generated in the encapsulating resin material filled in the lower portion of No. 3, the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device is improved.

【００９３】[0093]

【発明の効果】本発明に係るリードフレーム及びそれを
用いた樹脂封止型半導体装置によると、パッケージの底
面に配置されるランド電極を、キャリア（配線基板）等
を用いることなく、板状のフレーム体から形成すること
ができる。その上、パッケージを構成する封止用樹脂材
が、ダイパッド部の上面の一部をその残部よりも高くし
てなる保持領域に開口した開口部を通してダイパッド部
の底面側にも充填されるため、ダイパッド部はその上側
と下側とが共に封止用樹脂材により覆われるので、ダイ
パッド部及び半導体チップの樹脂バランスが改善され
る。これにより、ダイパッド部と封止用樹脂材又は半導
体チップと封止用樹脂材との熱膨張係数の差に起因する
熱応力によって樹脂封止部に発生する樹脂剥がれやクラ
ック、及び半導体チップに発生するクラック等を防止す
ることができる。According to the lead frame and the resin-encapsulated semiconductor device using the same according to the present invention, the land electrode disposed on the bottom surface of the package is formed into a plate-like shape without using a carrier (wiring board) or the like. It can be formed from a frame body. Furthermore, since the sealing resin material that constitutes the package is filled also in the bottom surface side of the die pad portion through the opening portion that is opened in the holding region in which a part of the upper surface of the die pad portion is made higher than the rest, Since both the upper side and the lower side of the die pad portion are covered with the sealing resin material, the resin balance between the die pad portion and the semiconductor chip is improved. As a result, resin peeling or cracks generated in the resin sealing portion due to thermal stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the die pad portion and the sealing resin material or the semiconductor chip and the sealing resin material, and the semiconductor chip are generated. It is possible to prevent cracks and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention.

【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係
るリードフレームのダイパッド部を示し、（ａ）は平面
図であり、（ｂ）は（ａ）のIIｂ−IIｂ線における断面
図であり、（ｃ）は（ａ）のIIｃ−IIｃ線における断面
図である。2A to 2C show a die pad portion of the lead frame according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2A is a plan view, and FIG. 2B is IIb-IIb of FIG. It is sectional drawing in the line, (c) is sectional drawing in the IIc-IIc line of (a).

【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係
るリードフレームのリード部及びランドリード部を示
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のIIIｂ−I
IIｂ線におけるリード部の断面図であり、（ｃ）は
（ａ）のIIIｃ−IIIｃ線におけるランドリード部の断面
図である。3A to 3C show a lead portion and a land lead portion of the lead frame according to the first embodiment of the present invention, FIG. 3A is a plan view, and FIG. IIIb-I
FIG. 11B is a cross-sectional view of the lead portion taken along line IIb, and FIG. 13C is a cross-sectional view of the land lead portion taken along line IIIc-IIIc of FIG.

【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に
係る樹脂封止型半導体装置を示し、（ａ）は平面図であ
り、（ｂ）は底面図である。4A and 4B show a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, FIG. 4A is a plan view, and FIG. 4B is a bottom view.

【図５】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に
係る樹脂封止型半導体装置を示し、（ａ）は図４（ａ）
及び（ｂ）のＶａ−Ｖａ線における断面図であり、
（ｂ）は図４（ａ）及び（ｂ）のＶｂ−Ｖｂ線における
断面図である。5 (a) and 5 (b) show a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 (a) is FIG. 4 (a).
And (b) is a sectional view taken along line Va-Va,
4B is a cross-sectional view taken along the line Vb-Vb in FIGS. 4A and 4B.

【図６】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の実装用基板上に実装した状態を示す断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment of the present invention is mounted on a mounting substrate.

【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程順の構成
断面図である。FIG. 7A to FIG. 7C are structural cross-sectional views in order of the steps, showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程順の構成
断面図である。FIGS. 8A to 8C are configuration cross-sectional views in process order showing a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図９】（ａ）及び（ｂ）は従来のリードフレームを示
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のIXｂ−IX
ｂ線における断面図である。9A and 9B show a conventional lead frame, FIG. 9A is a plan view, and FIG. 9B is a view IXb-IX of FIG. 9A.
It is sectional drawing in the b line.

【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図で
ある。FIG. 10 is a sectional view showing a conventional resin-sealed semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ リードフレーム １１ フレーム枠部 １２ 吊りリード １３ ダイパッド部 １３ａ 第１の環状溝 １３ｂ 第２の環状溝 １４ リード部 １４ａ 張り出し部 １４ｂ 溝部 １５ ランドリード部 １５ａ 張り出し部 １５ｂ 薄肉部 １５ｃ ランド部 ２３ 保持領域 ２３ａ 開口部 ２３ｂ 中央保持部 ２３ｃ 連結部 ３０ 封止領域 ３１ 注入用ゲートの配置位置 ４０ 樹脂封止型半導体装置 ４１ 樹脂封止部 ４２ 半導体チップ ４３ 固着材 ４４ 金属細線（導体線） ５０ 実装用基板 ５１ 固着材 ５２ 封止用シート材 10 lead frame 11 frame frame 12 hanging leads 13 Die pad part 13a First annular groove 13b Second annular groove 14 Lead 14a Overhang part 14b groove 15 Land lead part 15a Overhang part 15b Thin part 15c Land section 23 holding area 23a opening 23b Central holding part 23c connection part 30 sealing area 31 Position of injection gate 40 Resin-sealed semiconductor device 41 Resin sealing part 42 semiconductor chips 43 Adhesive 44 Fine metal wire (conductor wire) 50 mounting board 51 Adhesive 52 Sealing sheet material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 高志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA06 AA07 AB00 BA03 BC11 BD05 BE01 BE03    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Takashi Ono             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 5F067 AA01 AA06 AA07 AB00 BA03                       BC11 BD05 BE01 BE03

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 フレーム枠部の内側に吊りリードにより
支持されたダイパッド部と、 それぞれの、一端が前記フレーム枠部と接続され、他端
が前記ダイパッド部と対向する複数のリード部とを備
え、 前記ダイパッド部は、上面の一部がその残部よりも高く
なるように形成された保持領域を有し、 前記保持領域には、前記ダイパッド部の表裏方向に開口
する複数の開口部が形成されており、 前記複数の開口部のうちの１つは、封止用樹脂材の注入
用ゲートの配置位置と対向する位置に設けられているこ
とを特徴とするリードフレーム。1. A die pad portion supported by suspension leads inside a frame frame portion, and a plurality of lead portions each having one end connected to the frame frame portion and the other end facing the die pad portion. The die pad portion has a holding region formed so that a part of the upper surface of the die pad portion is higher than the rest of the die pad portion, and the holding region is formed with a plurality of opening portions that open in the front-back direction of the die pad portion. The lead frame is characterized in that one of the plurality of openings is provided at a position facing a position where an injection gate for the sealing resin material is arranged. 【請求項２】 前記保持領域には４つの開口部が設けら
れ、 前記保持領域は、互いに隣接する開口部同士の間に設け
られた連結部と、互いに隣接する連結部同士を結ぶ各開
口辺に囲まれてなる平面方形状の中央保持部とを有し、 前記開口辺のうちの少なくとも１つは、その開口辺が延
びる方向と前記フレーム枠部が延びる方向とのなす角度
が約４５°に設定されていることを特徴とする請求項１
に記載のリードフレーム。2. The holding area is provided with four openings, and the holding area has connecting portions provided between the opening portions adjacent to each other and opening sides connecting the connecting portions adjacent to each other. And at least one of the opening sides forms an angle of about 45 ° between the extending direction of the opening side and the extending direction of the frame frame portion. It is set to 1.
Lead frame described in. 【請求項３】 ダイパッド部と、 前記ダイパッド部の上面に固着された半導体チップと、 それぞれ、前記ダイパッド部の周囲に配置され、前記半
導体チップと導体線により電気的に接続されると共にそ
の底面が露出した複数のリード部と、 前記半導体チップ、ダイパッド部及び複数のリード部を
一体に封止する封止用樹脂材からなる樹脂封止部とを備
え、 前記ダイパッド部は、上面の一部がその残部よりも高く
なるように形成された保持領域を有し、 前記保持領域には、前記ダイパッド部の表裏方向に開口
する複数の開口部が形成されており、 前記複数の開口部のうちの１つは、前記樹脂封止部を形
成する際の前記封止用樹脂材の注入用ゲートの配置位置
と対向する位置に設けられていることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。3. A die pad portion, a semiconductor chip fixed to an upper surface of the die pad portion, respectively, arranged around the die pad portion, electrically connected to the semiconductor chip by a conductor wire, and having a bottom surface thereof. A plurality of exposed lead portions and a resin sealing portion made of a sealing resin material that integrally seals the semiconductor chip, the die pad portion and the plurality of lead portions are provided, and the die pad portion has a part of the upper surface. It has a holding region formed so as to be higher than the remaining portion, and in the holding region, a plurality of openings that are open in the front-back direction of the die pad portion are formed, and among the plurality of openings. One is a resin-encapsulated semiconductor device, which is provided at a position facing a position where an injection gate of the encapsulating resin material is formed when the resin encapsulation portion is formed. 【請求項４】 前記保持領域には４つの開口部が設けら
れ、 前記保持領域は、互いに隣接する開口部同士の間に設け
られた連結部と、互いに隣接する連結部同士を結ぶ各開
口辺に囲まれてなる平面方形状の中央保持部とを有し、 前記開口辺のうちの少なくとも１つは、その開口辺が延
びる方向と前記樹脂封止部の側面とのなす角度が約４５
°に設定されていることを特徴とする請求項３に記載の
樹脂封止型半導体装置。4. The holding area is provided with four openings, and the holding area is a connecting portion provided between the opening portions adjacent to each other and each opening side connecting the connecting portions adjacent to each other. And a central holding portion having a planar rectangular shape surrounded by, and at least one of the opening sides has an angle between the extending direction of the opening side and the side surface of the resin sealing portion of about 45.
The resin-sealed semiconductor device according to claim 3, wherein the resin-sealed semiconductor device is set at 0 °. 【請求項５】 前記ダイパッド部における前記保持領域
の下側にも前記封止用樹脂材が充填されていることを特
徴とする請求項３又は４に記載の樹脂封止型半導体装
置。5. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 3, wherein the encapsulating resin material is also filled under the holding region in the die pad portion. 【請求項６】 前記複数のリード部のうち前記樹脂封止
部の外側に配置されたリード部は、その底面と側端面と
が共に前記樹脂封止部から露出していることを特徴とす
る請求項３〜５のうちのいずれか１項に記載の樹脂封止
型半導体装置。6. The lead portion of the plurality of lead portions, which is arranged outside the resin sealing portion, has a bottom surface and a side end surface both exposed from the resin sealing portion. The resin-sealed semiconductor device according to any one of claims 3 to 5. 【請求項７】 前記複数のリード部は、前記ダイパッド
部の周囲を少なくとも２列に配置されていることを特徴
とする請求項３〜６のうちのいずれか１項に記載の樹脂
封止型半導体装置。7. The resin-sealed mold according to any one of claims 3 to 6, wherein the plurality of lead portions are arranged in at least two rows around the die pad portion. Semiconductor device. 【請求項８】 フレーム枠部の内側に吊りリードにより
支持されたダイパッド部と、それぞれの、一端が前記フ
レーム枠部と接続され、他端が前記ダイパッド部と対向
する複数のリード部とを備えたリードフレームを用意す
る第１の工程と、 前記ダイパッド部の上に半導体チップを固着する第２の
工程と、 導体線により前記半導体チップと前記複数のリード部と
を電気的に接続する第３の工程と、 前記半導体チップ、ダイパッド部及び複数のリード部を
封止用樹脂材により一体に封止する第４の工程と、 前記フレーム枠部から前記樹脂封止部を分離する第５の
工程とを備え、 前記リードフレームにおけるダイパッド部は、上面の一
部がその残部よりも高くなるように形成された保持領域
を有し、 前記保持領域には、前記ダイパッド部の表裏方向に開口
する複数の開口部が形成されており、 前記複数の開口部のうちの１つは、前記封止用樹脂材の
注入用ゲートの配置位置と対向する位置に設けられてい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。8. A die pad portion supported by suspension leads inside a frame frame portion, and a plurality of lead portions each having one end connected to the frame frame portion and the other end facing the die pad portion. A first step of preparing a lead frame, a second step of fixing a semiconductor chip on the die pad portion, and a third step of electrically connecting the semiconductor chip and the plurality of lead portions by a conductor wire. And a fourth step of integrally sealing the semiconductor chip, the die pad portion and the plurality of lead portions with a sealing resin material, and a fifth step of separating the resin sealing portion from the frame frame portion. The die pad portion of the lead frame has a holding region formed so that a part of the upper surface thereof is higher than the remaining portion, and the holding region includes front and back surfaces of the die pad portion. A plurality of opening portions that are opened in the direction are formed, and one of the plurality of opening portions is provided at a position facing the arrangement position of the injection gate of the sealing resin material. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, which is characterized. 【請求項９】 前記リードフレームの前記保持領域には
４つの開口部が設けられ、 前記保持領域は、互いに隣接する開口部同士の間に設け
られた連結部と、互いに隣接する連結部同士を結ぶ各開
口辺に囲まれてなる平面方形状の中央保持部とを有し、 前記開口辺のうちの少なくとも１つは、その開口辺が延
びる方向と前記フレーム枠部が延びる方向とのなす角度
を約４５°に設定していることを特徴とする請求項８に
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。9. The holding area of the lead frame is provided with four openings, and the holding area includes a connecting portion provided between the opening portions adjacent to each other and a connecting portion adjacent to each other. And a central holding portion having a planar rectangular shape surrounded by the connecting opening sides, and at least one of the opening sides forms an angle between the extending direction of the opening side and the extending direction of the frame frame portion. 9. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 8, wherein is set to about 45 °. 【請求項１０】 前記第３の工程と前記第４の工程との
間に、 前記フレーム枠部、ダイパッド部及び複数のリード部の
各底面と密着するように封止用シート材を貼付する工程
をさらに備えていることを特徴とする請求項８又は９に
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。10. A step of attaching a sealing sheet material between the third step and the fourth step so as to be in close contact with the bottom surfaces of the frame frame portion, the die pad portion and the lead portions. 10. The method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to claim 8, further comprising:
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