JP2003081674A - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003081674A JP2003081674A JP2001271641A JP2001271641A JP2003081674A JP 2003081674 A JP2003081674 A JP 2003081674A JP 2001271641 A JP2001271641 A JP 2001271641A JP 2001271641 A JP2001271641 A JP 2001271641A JP 2003081674 A JP2003081674 A JP 2003081674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element body
- ceramic
- glass
- electrode
- ceramic electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波かつ高電圧用途に向けられるセラミッ
クコンデンサでは、その自己発熱を小さくするため、誘
電正接が小さいことが望まれる。他方、セラミックコン
デンサに電極を安価に形成できる方法として、蒸着また
はスパッタリングがある。しかしながら、電極を蒸着ま
たはスパッタリングによって形成しようとすると、素子
本体は高真空の雰囲気にさらされるため、素子本体を構
成するセラミックが還元され、誘電正接が大きくなるな
ど、所望の特性が得られないことがある。 【解決手段】 素子本体２の外表面部分に、ガラス成分
を浸透させたガラス浸透層６を形成することによって、
蒸着またはスパッタリングを適用して高真空の雰囲気中
で成膜された金属薄膜からなる電極３を形成しても、素
子本体２を構成するセラミックの還元を抑制し得るよう
にする。
クコンデンサでは、その自己発熱を小さくするため、誘
電正接が小さいことが望まれる。他方、セラミックコン
デンサに電極を安価に形成できる方法として、蒸着また
はスパッタリングがある。しかしながら、電極を蒸着ま
たはスパッタリングによって形成しようとすると、素子
本体は高真空の雰囲気にさらされるため、素子本体を構
成するセラミックが還元され、誘電正接が大きくなるな
ど、所望の特性が得られないことがある。 【解決手段】 素子本体２の外表面部分に、ガラス成分
を浸透させたガラス浸透層６を形成することによって、
蒸着またはスパッタリングを適用して高真空の雰囲気中
で成膜された金属薄膜からなる電極３を形成しても、素
子本体２を構成するセラミックの還元を抑制し得るよう
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびその製造方法に関するもので、特に、その外
表面上に金属薄膜からなる電極が形成された、たとえば
セラミックコンデンサのようなセラミック電子部品およ
びその製造方法に関するものである。
部品およびその製造方法に関するもので、特に、その外
表面上に金属薄膜からなる電極が形成された、たとえば
セラミックコンデンサのようなセラミック電子部品およ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この発明にとって興味あるセラミック電
子部品として、誘電体セラミックからなる板状の素子本
体を備え、この素子本体の各主面上に互いに対向するよ
うに１対の電極が形成された、セラミックコンデンサが
ある。このようなセラミックコンデンサは、たとえば、
スイッチング電源のスナバ回路などの高周波かつ高電圧
用途に向けられている。
子部品として、誘電体セラミックからなる板状の素子本
体を備え、この素子本体の各主面上に互いに対向するよ
うに１対の電極が形成された、セラミックコンデンサが
ある。このようなセラミックコンデンサは、たとえば、
スイッチング電源のスナバ回路などの高周波かつ高電圧
用途に向けられている。
【０００３】上述したスイッチング電源については、近
年、その高周波化および小型化が急速に進んでいる。そ
のため、スイッチング電源のスナバ回路に用いられるコ
ンデンサに対しても、小型であるとともに、高周波領域
でも使用できる性能であること、すなわち自己発熱が小
さいことが求められている。
年、その高周波化および小型化が急速に進んでいる。そ
のため、スイッチング電源のスナバ回路に用いられるコ
ンデンサに対しても、小型であるとともに、高周波領域
でも使用できる性能であること、すなわち自己発熱が小
さいことが求められている。
【０００４】コンデンサに、高周波かつ高電圧（正弦
波）の信号を与えたときの発熱は、Ｗ Loss＝２πｆＣＶ
2 ｔａｎδで表すことができる。ここで、ＷLossはコン
デンサの自己発熱、Ｃはコンデンサの静電容量、ｆは印
加信号の周波数、Ｖは印加信号の電圧、ｔａｎδはコン
デンサの誘電正接である。
波）の信号を与えたときの発熱は、Ｗ Loss＝２πｆＣＶ
2 ｔａｎδで表すことができる。ここで、ＷLossはコン
デンサの自己発熱、Ｃはコンデンサの静電容量、ｆは印
加信号の周波数、Ｖは印加信号の電圧、ｔａｎδはコン
デンサの誘電正接である。
【０００５】したがって、コンデンサの自己発熱を小さ
くするためには、コンデンサにおいて用いられる誘電体
セラミック材料として、高周波領域での誘電正接が小さ
いものであることが望ましく、このような要望を満たし
得る誘電体セラミック組成物として、たとえば、特公昭
５９−８９２３号公報および特公平８−１５００５号公
報に記載されたものがある。
くするためには、コンデンサにおいて用いられる誘電体
セラミック材料として、高周波領域での誘電正接が小さ
いものであることが望ましく、このような要望を満たし
得る誘電体セラミック組成物として、たとえば、特公昭
５９−８９２３号公報および特公平８−１５００５号公
報に記載されたものがある。
【０００６】他方、セラミックコンデンサの電極材料と
しては、従来から多く用いられている銀に代わり、安価
な銅やニッケルが用いられるようになってきている。そ
の中でも、銅については、銀電極の欠点とされるエレク
トロマイグレーションの発生が少なく、信頼性も高く、
また、比較的安価に電極を形成できることから、有望な
電極材料と考えられている。
しては、従来から多く用いられている銀に代わり、安価
な銅やニッケルが用いられるようになってきている。そ
の中でも、銅については、銀電極の欠点とされるエレク
トロマイグレーションの発生が少なく、信頼性も高く、
また、比較的安価に電極を形成できることから、有望な
電極材料と考えられている。
【０００７】また、電極の形成のために蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング等の高真空中で行なう乾
式めっきのような薄膜形成技術を適用すると、電極を薄
膜にすることができる。そのため、これら薄膜形成技術
は、安価に電極を形成することを可能にする有望な電極
形成技術として注目されつつある。
リング、イオンプレーティング等の高真空中で行なう乾
式めっきのような薄膜形成技術を適用すると、電極を薄
膜にすることができる。そのため、これら薄膜形成技術
は、安価に電極を形成することを可能にする有望な電極
形成技術として注目されつつある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような蒸着やスパッタリングのような薄膜形成技術を電
極の形成に適用したとき、セラミックをもって構成され
る素子本体が、電極形成工程中に、１０-1Ｐａ程度の高
真空の雰囲気にさらされる。そのため、前述した特公昭
５９−８９２３号公報または特公平８−１５００５号公
報に記載されたようなセラミック組成物を、素子本体を
構成するセラミックにおいて用いたとき、このセラミッ
ク組成物自体が還元されやすく、得られたセラミックコ
ンデンサにおいて所望の特性を得ることができないとい
う問題を招く。
ような蒸着やスパッタリングのような薄膜形成技術を電
極の形成に適用したとき、セラミックをもって構成され
る素子本体が、電極形成工程中に、１０-1Ｐａ程度の高
真空の雰囲気にさらされる。そのため、前述した特公昭
５９−８９２３号公報または特公平８−１５００５号公
報に記載されたようなセラミック組成物を、素子本体を
構成するセラミックにおいて用いたとき、このセラミッ
ク組成物自体が還元されやすく、得られたセラミックコ
ンデンサにおいて所望の特性を得ることができないとい
う問題を招く。
【０００９】同様の問題は、セラミックコンデンサに限
らず、セラミックをもって構成される素子本体と、この
素子本体の外表面上に形成される電極とを備える、セラ
ミック電子部品全般にわたって遭遇し得る。
らず、セラミックをもって構成される素子本体と、この
素子本体の外表面上に形成される電極とを備える、セラ
ミック電子部品全般にわたって遭遇し得る。
【００１０】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、セラミック電子部品およびその製
造方法を提供しようとすることである。
な問題を解決し得る、セラミック電子部品およびその製
造方法を提供しようとすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
をもって構成される素子本体と、素子本体の外表面上に
形成される電極とを備え、この電極が、高真空の雰囲気
中で成膜された金属薄膜からなる、セラミック電子部品
にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を
解決するため、素子本体の外表面部分には、ガラス成分
を浸透させたガラス浸透層が形成されていることを特徴
としている。
をもって構成される素子本体と、素子本体の外表面上に
形成される電極とを備え、この電極が、高真空の雰囲気
中で成膜された金属薄膜からなる、セラミック電子部品
にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を
解決するため、素子本体の外表面部分には、ガラス成分
を浸透させたガラス浸透層が形成されていることを特徴
としている。
【００１２】上述したガラス浸透層は、素子本体に対し
て耐還元性を与えるように作用する。
て耐還元性を与えるように作用する。
【００１３】この発明に係るセラミック電子部品におい
て、ガラス浸透層は、その厚みが２０〜３０μｍである
ことが好ましい。
て、ガラス浸透層は、その厚みが２０〜３０μｍである
ことが好ましい。
【００１４】この発明は、たとえば、セラミックコンデ
ンサに適用される。この場合、素子本体は、誘電体セラ
ミックからなる板状のものであり、１対の電極が、素子
本体の各主面上に互いに対向するように形成される。
ンサに適用される。この場合、素子本体は、誘電体セラ
ミックからなる板状のものであり、１対の電極が、素子
本体の各主面上に互いに対向するように形成される。
【００１５】この発明は、また、セラミック電子部品の
製造方法にも向けられる。
製造方法にも向けられる。
【００１６】この発明に係るセラミック電子部品の製造
方法は、セラミックをもって構成される素子本体を用意
する工程と、素子本体の外表面部分にガラス成分を浸透
させてガラス浸透層を形成する工程と、ガラス浸透層が
形成された素子本体の外表面上に、高真空の雰囲気中で
金属薄膜を成膜することによって、電極を形成する工程
とを備えることを特徴としている。
方法は、セラミックをもって構成される素子本体を用意
する工程と、素子本体の外表面部分にガラス成分を浸透
させてガラス浸透層を形成する工程と、ガラス浸透層が
形成された素子本体の外表面上に、高真空の雰囲気中で
金属薄膜を成膜することによって、電極を形成する工程
とを備えることを特徴としている。
【００１７】上述したガラス浸透層を形成する工程で
は、たとえば、上述したガラス成分を与えるガラス粉末
に接触させた状態で、 素子本体を熱処理する工程が実施
される。
は、たとえば、上述したガラス成分を与えるガラス粉末
に接触させた状態で、 素子本体を熱処理する工程が実施
される。
【００１８】この発明において、電極は、典型的には、
乾式めっきによって形成された金属薄膜から構成され
る。
乾式めっきによって形成された金属薄膜から構成され
る。
【００１９】また、素子本体が、金属元素として、少な
くともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含むセラミックを
もって構成されるとき、この発明が特に有利に適用され
る。
くともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含むセラミックを
もって構成されるとき、この発明が特に有利に適用され
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よるセラミック電子部品としてのセラミックコンデンサ
１を示す断面図である。
よるセラミック電子部品としてのセラミックコンデンサ
１を示す断面図である。
【００２１】図示したセラミックコンデンサ１は、ラジ
アルタイプのものであり、たとえば円板状の素子本体２
を備えている。素子本体２は、金属元素として、少なく
ともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含む誘電体セラミッ
クから構成される。
アルタイプのものであり、たとえば円板状の素子本体２
を備えている。素子本体２は、金属元素として、少なく
ともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含む誘電体セラミッ
クから構成される。
【００２２】この誘電体セラミックとして、より具体的
には、特公昭５９−８９２３号公報に記載されるよう
に、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、
酸化ビスマス、酸化チタンおよび酸化鉛よりなり、それ
ぞれをＳｒＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 およびＰｂ3 Ｏ4 と表したとき、ＳｒＴｉＯ3 が３
０．０〜６０．０重量％、ＭｇＴｉＯ3 が２．０〜３
２．０重量％、Ｂｉ2 Ｏ3が１０．０〜３４．０重量
％、ＴｉＯ2 が３．０〜１５．０重量％、Ｐｂ3 Ｏ4が
２．０〜２０．０重量％であり、かつＰｂ3 Ｏ4 ／Ｍｇ
ＴｉＯ3 の重量比が０．６２５〜１０．０とされた組成
比率となるようにされた、誘電体セラミック組成物、あ
るいは、特公平８−１５００５号公報に記載されるよう
に、ＳｒＴｉＯ 3 を２５〜５０重量％、ＰｂＴｉＯ3 を
１０〜３５重量％、ＣａＴｉＯ3 を５〜２０重量％、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 を５〜３５重量％、ＴｉＯ2 を５〜１８重量
％、およびＭｎＯ2 を０．０２〜０．５０重量％含む主
成分に対して、ガラス成分を０．２〜１５重量％添加し
てなり、かつ、このガラス成分が、Ｌｉ2 Ｏを１０〜４
５モル％、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯのうち
少なくとも１種を５〜４０モル％、ＳｉＯ2 およびＴｉ
Ｏ2 を合わせて３０〜７０モル％（ただし、ＳｉＯ2は
１５モル％以上含む。）、およびＣｕＯを１〜３５モル
％含む、誘電体セラミック組成物が用いられる。
には、特公昭５９−８９２３号公報に記載されるよう
に、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、
酸化ビスマス、酸化チタンおよび酸化鉛よりなり、それ
ぞれをＳｒＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 およびＰｂ3 Ｏ4 と表したとき、ＳｒＴｉＯ3 が３
０．０〜６０．０重量％、ＭｇＴｉＯ3 が２．０〜３
２．０重量％、Ｂｉ2 Ｏ3が１０．０〜３４．０重量
％、ＴｉＯ2 が３．０〜１５．０重量％、Ｐｂ3 Ｏ4が
２．０〜２０．０重量％であり、かつＰｂ3 Ｏ4 ／Ｍｇ
ＴｉＯ3 の重量比が０．６２５〜１０．０とされた組成
比率となるようにされた、誘電体セラミック組成物、あ
るいは、特公平８−１５００５号公報に記載されるよう
に、ＳｒＴｉＯ 3 を２５〜５０重量％、ＰｂＴｉＯ3 を
１０〜３５重量％、ＣａＴｉＯ3 を５〜２０重量％、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 を５〜３５重量％、ＴｉＯ2 を５〜１８重量
％、およびＭｎＯ2 を０．０２〜０．５０重量％含む主
成分に対して、ガラス成分を０．２〜１５重量％添加し
てなり、かつ、このガラス成分が、Ｌｉ2 Ｏを１０〜４
５モル％、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯのうち
少なくとも１種を５〜４０モル％、ＳｉＯ2 およびＴｉ
Ｏ2 を合わせて３０〜７０モル％（ただし、ＳｉＯ2は
１５モル％以上含む。）、およびＣｕＯを１〜３５モル
％含む、誘電体セラミック組成物が用いられる。
【００２３】上述のような誘電体セラミックは、比較的
高い比誘電率を与えることができるとともに、高周波領
域での誘電正接が小さく、したがって、セラミックコン
デンサ１の自己発熱を小さくできるという利点を有して
いる。
高い比誘電率を与えることができるとともに、高周波領
域での誘電正接が小さく、したがって、セラミックコン
デンサ１の自己発熱を小さくできるという利点を有して
いる。
【００２４】素子本体２の各主面上には、１対の電極３
が互いに対向するように形成される。電極３は、たとえ
ば、蒸着またはスパッタリングのような乾式めっきを適
用して、高真空の雰囲気中で成膜した金属薄膜から構成
される。
が互いに対向するように形成される。電極３は、たとえ
ば、蒸着またはスパッタリングのような乾式めっきを適
用して、高真空の雰囲気中で成膜した金属薄膜から構成
される。
【００２５】これら電極３には、半田４を介して、端子
となるリード線５が接続される。
となるリード線５が接続される。
【００２６】このようなセラミックコンデンサ１におい
て、その特徴とするところは、素子本体２の外表面部分
に、図１に斜線で示すように、ガラス成分を浸透させた
ガラス浸透層６が形成されていることにある。
て、その特徴とするところは、素子本体２の外表面部分
に、図１に斜線で示すように、ガラス成分を浸透させた
ガラス浸透層６が形成されていることにある。
【００２７】上述のガラス浸透層６を形成するため、た
とえば、ガラス成分を与えるガラス粉末に接触させた状
態で、素子本体２を熱処理することが行なわれる。より
具体的には、ガラス粉末を、素子本体２とともにポット
に入れ、ポットを回転させながら、８００〜９００℃程
度の温度で焼成することが行なわれる。
とえば、ガラス成分を与えるガラス粉末に接触させた状
態で、素子本体２を熱処理することが行なわれる。より
具体的には、ガラス粉末を、素子本体２とともにポット
に入れ、ポットを回転させながら、８００〜９００℃程
度の温度で焼成することが行なわれる。
【００２８】ガラス浸透層６は、電極３を高真空の雰囲
気中で形成するとき、素子本体２を構成するセラミック
が還元されることを防止し、このセラミックの特性を損
なわないようにする、といった作用を有している。
気中で形成するとき、素子本体２を構成するセラミック
が還元されることを防止し、このセラミックの特性を損
なわないようにする、といった作用を有している。
【００２９】ガラス浸透層６の厚みは、２０〜３０μｍ
であることが好ましい。厚みが２０μｍ未満であると、
上述のようなセラミックの還元を防止する効果が低い。
他方、厚みが３０μｍを超えるガラス浸透層６の形成
は、素子本体２の外部からのガラス成分の浸透による限
り困難であるとともに、たとえ、それが可能としても、
素子本体２全体としての比誘電率の低下など、特性に悪
影響を及ぼす可能性がある。
であることが好ましい。厚みが２０μｍ未満であると、
上述のようなセラミックの還元を防止する効果が低い。
他方、厚みが３０μｍを超えるガラス浸透層６の形成
は、素子本体２の外部からのガラス成分の浸透による限
り困難であるとともに、たとえ、それが可能としても、
素子本体２全体としての比誘電率の低下など、特性に悪
影響を及ぼす可能性がある。
【００３０】次に、この発明による効果を確認するため
に実施した実験例について説明する。
に実施した実験例について説明する。
【００３１】まず、素子本体を構成するセラミック組成
物を得るため、素原料として、ＳｒＣＯ3 、Ｐｂ
2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＭｇＯを、特公昭
５９−８９２３号公報に記載された組成範囲に含まれる
組成である、ＳｒＴｉＯ3 が５１．６重量％、ＭｇＴｉ
Ｏ3 が４．０重量％、Ｂｉ2 Ｏ3 が２２．９重量％、Ｔ
ｉＯ 2 が１１．５重量％およびＰｂ3 Ｏ4 が１０．０重
量％となるように秤量し、樹脂製ポットに純水とともに
加えて混合した。次に、この混合物を、セラミック製の
ボールにおいて、１６時間湿式混合し、粉砕した。
物を得るため、素原料として、ＳｒＣＯ3 、Ｐｂ
2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＭｇＯを、特公昭
５９−８９２３号公報に記載された組成範囲に含まれる
組成である、ＳｒＴｉＯ3 が５１．６重量％、ＭｇＴｉ
Ｏ3 が４．０重量％、Ｂｉ2 Ｏ3 が２２．９重量％、Ｔ
ｉＯ 2 が１１．５重量％およびＰｂ3 Ｏ4 が１０．０重
量％となるように秤量し、樹脂製ポットに純水とともに
加えて混合した。次に、この混合物を、セラミック製の
ボールにおいて、１６時間湿式混合し、粉砕した。
【００３２】次に、この混合物を脱水乾燥した後、セラ
ミック製の匣に入れ、９５０〜１０００℃の温度で２時
間仮焼した。
ミック製の匣に入れ、９５０〜１０００℃の温度で２時
間仮焼した。
【００３３】次に、得られた仮焼物を、バインダととも
に樹脂製ポットに入れ、１６時間湿式混合した。
に樹脂製ポットに入れ、１６時間湿式混合した。
【００３４】次に、この混合物を、蒸発乾燥し、整粒し
た後、加圧して、直径７．３ｍｍおよび厚み０．７ｍｍ
の円板状に成形し、この成形物を１１５０〜１２００℃
の温度で２時間焼成した。
た後、加圧して、直径７．３ｍｍおよび厚み０．７ｍｍ
の円板状に成形し、この成形物を１１５０〜１２００℃
の温度で２時間焼成した。
【００３５】このようにして得られた焼結体すなわち素
子本体を、この発明の範囲内にある実施例については、
セラミック製のポットに入れ、さらに、このポット内
に、ＢおよびＢｉを主成分とするガラス粉末を０．５〜
１．０重量％入れ、ポットを回転させながら、８００〜
９００℃の温度で焼成し、ガラス成分を素子本体に浸透
させて、素子本体の外表面部分にガラス浸透層を形成し
た。
子本体を、この発明の範囲内にある実施例については、
セラミック製のポットに入れ、さらに、このポット内
に、ＢおよびＢｉを主成分とするガラス粉末を０．５〜
１．０重量％入れ、ポットを回転させながら、８００〜
９００℃の温度で焼成し、ガラス成分を素子本体に浸透
させて、素子本体の外表面部分にガラス浸透層を形成し
た。
【００３６】他方、比較例については、上述のようなガ
ラス浸透層の形成を行なわなかった。
ラス浸透層の形成を行なわなかった。
【００３７】このようにして得られた実施例および比較
例の各々に係る素子本体の各主面上に、スパッタリング
によって、銅を主成分とする金属薄膜からなる電極を形
成し、試料となるセラミックコンデンサを得た。
例の各々に係る素子本体の各主面上に、スパッタリング
によって、銅を主成分とする金属薄膜からなる電極を形
成し、試料となるセラミックコンデンサを得た。
【００３８】次に、得られたセラミックコンデンサにつ
いて、素子本体の比誘電率および誘電正接ならびにコン
デンサの自己発熱を評価した。
いて、素子本体の比誘電率および誘電正接ならびにコン
デンサの自己発熱を評価した。
【００３９】なお、比誘電率および静電正接について
は、１ｋＨｚ、１Ｖおよび周囲温度２０℃の条件下で測
定し、コンデンサの自己発熱については、１８０ｋＨ
ｚ、１０００Ｖp-p および周囲温度２５℃の条件下で測
定した。
は、１ｋＨｚ、１Ｖおよび周囲温度２０℃の条件下で測
定し、コンデンサの自己発熱については、１８０ｋＨ
ｚ、１０００Ｖp-p および周囲温度２５℃の条件下で測
定した。
【００４０】これらの評価結果が、以下の表１に示され
ている。
ている。
【００４１】
【表１】
【００４２】表１からわかるように、実施例によれば、
比較例と比較して、素子本体の外表面部分にガラス浸透
層が形成されるため、比誘電率については若干の低下が
見られるものの、電極形成時に素子本体を構成するセラ
ミックの還元が防止され、この還元による誘電正接の上
昇を抑えることができる。その結果、実施例では、高周
波領域での発熱を小さくすることができる。
比較例と比較して、素子本体の外表面部分にガラス浸透
層が形成されるため、比誘電率については若干の低下が
見られるものの、電極形成時に素子本体を構成するセラ
ミックの還元が防止され、この還元による誘電正接の上
昇を抑えることができる。その結果、実施例では、高周
波領域での発熱を小さくすることができる。
【００４３】以上、この発明を、図１に示すような特定
的な構造を有するセラミックコンデンサについて説明し
たが、この発明は、他の構造のセラミックコンデンサ、
あるいはセラミックコンデンサ以外のセラミック電子部
品に対しても適用することができる。
的な構造を有するセラミックコンデンサについて説明し
たが、この発明は、他の構造のセラミックコンデンサ、
あるいはセラミックコンデンサ以外のセラミック電子部
品に対しても適用することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、素子
本体の外表面部分に、ガラス成分を浸透させたガラス浸
透層が形成されるので、素子本体上に電極となる金属薄
膜を高真空の雰囲気中で成膜しても、素子本体を構成す
るセラミックの還元を抑制することができる。
本体の外表面部分に、ガラス成分を浸透させたガラス浸
透層が形成されるので、素子本体上に電極となる金属薄
膜を高真空の雰囲気中で成膜しても、素子本体を構成す
るセラミックの還元を抑制することができる。
【００４５】したがって、素子本体を構成するセラミッ
クの特性劣化、特に、素子本体が誘電体セラミックから
構成される場合には、その誘電正接の上昇を抑えること
ができる。したがって、この発明がセラミックコンデン
サに適用される場合には、高周波領域での発熱を小さく
することができ、たとえばスイッチング電源のスナバ回
路等の用途に適したコンデンサを提供することができ
る。
クの特性劣化、特に、素子本体が誘電体セラミックから
構成される場合には、その誘電正接の上昇を抑えること
ができる。したがって、この発明がセラミックコンデン
サに適用される場合には、高周波領域での発熱を小さく
することができ、たとえばスイッチング電源のスナバ回
路等の用途に適したコンデンサを提供することができ
る。
【００４６】また、前述したように、素子本体を構成す
るセラミックの還元がガラス浸透層によって抑制され得
るので、電極を、蒸着、スパッタリングまたはイオンプ
レーティング等の乾式めっきのような高真空の雰囲気中
で成膜する薄膜形成技術によって問題なく形成できるよ
うになり、そのため、安価で信頼性の高いセラミック電
子部品を提供することができる。
るセラミックの還元がガラス浸透層によって抑制され得
るので、電極を、蒸着、スパッタリングまたはイオンプ
レーティング等の乾式めっきのような高真空の雰囲気中
で成膜する薄膜形成技術によって問題なく形成できるよ
うになり、そのため、安価で信頼性の高いセラミック電
子部品を提供することができる。
【００４７】この発明において、素子本体が、金属元素
として、少なくともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含む
セラミックをもって構成される場合には、高真空の雰囲
気中において還元されやすいが、比較的高い比誘電率を
与え得るとともに、誘電正接が小さいという特徴を有し
ている。したがって、この発明によれば、セラミックの
還元が抑制されるので、このセラミックの上述した特徴
を効果的に発揮させながら、高真空の雰囲気中で成膜さ
れた金属薄膜をもって構成された電極を備えるセラミッ
ク電子部品を提供することができる。
として、少なくともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含む
セラミックをもって構成される場合には、高真空の雰囲
気中において還元されやすいが、比較的高い比誘電率を
与え得るとともに、誘電正接が小さいという特徴を有し
ている。したがって、この発明によれば、セラミックの
還元が抑制されるので、このセラミックの上述した特徴
を効果的に発揮させながら、高真空の雰囲気中で成膜さ
れた金属薄膜をもって構成された電極を備えるセラミッ
ク電子部品を提供することができる。
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック電子部
品としてのセラミックコンデンサ１を示す断面図であ
る。
品としてのセラミックコンデンサ１を示す断面図であ
る。
１ セラミックコンデンサ
２ 素子本体
３ 電極
６ ガラス浸透層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 永島 満
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
(72)発明者 山岡 修
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA05 AA11 AA32 AA35
BA09 GA18
5E001 AB01 AD04 AE00 AE01 AE03
AH00 AH07 AJ01 AJ02
Claims (9)
- 【請求項１】 セラミックをもって構成される素子本体
と、前記素子本体の外表面上に形成される電極とを備え
る、セラミック電子部品であって、 前記素子本体の外表面部分には、ガラス成分を浸透させ
たガラス浸透層が形成され、前記電極は、高真空の雰囲
気中で成膜された金属薄膜からなることを特徴とする、
セラミック電子部品。 - 【請求項２】 前記ガラス浸透層は、その厚みが２０〜
３０μｍである、請求項１に記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項３】 前記電極は、乾式めっきによって形成さ
れた金属薄膜からなる、請求項１または２に記載のセラ
ミック電子部品。 - 【請求項４】 前記素子本体は、金属元素として、少な
くともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含むセラミックを
もって構成される、請求項１ないし３のいずれかに記載
のセラミック電子部品。 - 【請求項５】 前記素子本体は、誘電体セラミックから
なる板状のものであり、１対の前記電極が、前記素子本
体の各主面上に互いに対向するように形成され、それに
よって、セラミックコンデンサを構成する、請求項１な
いし４のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 【請求項６】 セラミックをもって構成される素子本体
を用意する工程と、 前記素子本体の外表面部分に、ガラス成分を浸透させて
ガラス浸透層を形成する工程と、 前記ガラス浸透層が形成された前記素子本体の外表面上
に、高真空の雰囲気中で金属薄膜を成膜することによっ
て、電極を形成する工程とを備える、セラミック電子部
品の製造方法。 - 【請求項７】 前記ガラス浸透層を形成する工程は、前
記ガラス成分を与えるガラス粉末に接触させた状態で、
前記素子本体を熱処理する工程を含む、請求項６に記載
のセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 前記電極を形成する工程は、乾式めっき
によって、前記電極となる金属薄膜を形成する工程を含
む、請求項６または７に記載のセラミック電子部品の製
造方法。 - 【請求項９】 前記素子本体は、金属元素として、少な
くともＳｒ、Ｐｂ、ＢｉおよびＴｉを含むセラミックを
もって構成される、請求項６ないし８のいずれかに記載
のセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001271641A JP2003081674A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001271641A JP2003081674A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003081674A true JP2003081674A (ja) | 2003-03-19 |
Family
ID=19097123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001271641A Pending JP2003081674A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003081674A (ja) |
-
2001
- 2001-09-07 JP JP2001271641A patent/JP2003081674A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100278417B1 (ko) | 유전체 세라믹과 이것의 제조방법, 및 적층 세라믹 전자부품과 | |
| US7567426B2 (en) | Polymer-ceramic dielectric composition, embedded capacitor using the dielectric composition and printed circuit board having the capacitor embedded therein | |
| US5335139A (en) | Multilayer ceramic chip capacitor | |
| US5757610A (en) | Dielectric ceramic and monolithic ceramic electronic part using the same | |
| EP1017069A2 (en) | Capacitor and dielectric ceramic powder based upon a barium borate and zinc silicate dual-component sintering flux | |
| JP2762427B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP6249004B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP2001015374A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3327045B2 (ja) | 誘電体ペースト及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JPH025019B2 (ja) | ||
| US20010006928A1 (en) | Electronic device, dielectric ceramic composition, and method for producing same | |
| JP3146966B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JP2975459B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP2003081674A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2915217B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP2779740B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3319704B2 (ja) | 誘電体磁器組成物と磁器コンデンサ | |
| KR100781964B1 (ko) | 내장형 커패시터 및 그 제조 방법 | |
| KR100242930B1 (ko) | 유전체 페이스트와 이것을 이용한 후막 커패시터 | |
| JPH09162452A (ja) | セラミック素子及びその製造方法 | |
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPH0521266A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器物質の製造方法 | |
| JPS58163102A (ja) | 磁器コンデンサの内部電極用導電性ペ−スト | |
| JPH0734415B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JPH06260023A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |