JP2003071962A - Transfer film - Google Patents

Transfer film

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JP2003071962A
JP2003071962A JP2001265046A JP2001265046A JP2003071962A JP 2003071962 A JP2003071962 A JP 2003071962A JP 2001265046 A JP2001265046 A JP 2001265046A JP 2001265046 A JP2001265046 A JP 2001265046A JP 2003071962 A JP2003071962 A JP 2003071962A
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JP
Japan
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film
resin layer
inorganic particle
containing resin
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001265046A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Sakai
孝広 坂井
Takafumi Itano
考史 板野
Yukitomo Shibata
幸知 柴田
Setsuko Noma
節子 野間
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JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer film capable of preventing the generation of a pattern flaw due to bad photosensitivity by preventing adhesion of dust to a support film. SOLUTION: The transfer film is constituted of the support film, an inorganic particle-containing resin layer and a protective film and the transmissivity of radiation thereof is set to 50% or more by setting the surface resistivity of the support film and/or the protective film to 10<12> Ω/(square) or less to prevent the adhesion of dust due to static electricity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はPDPの誘電体、電
極、蛍光体、隔壁、カラーフィルターおよびブラックス
トライプ(マトリクス)の形成において、パターンの欠
陥が発生せずに好適に用いることができる転写フィルム
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer film which can be suitably used in the formation of PDP dielectrics, electrodes, phosphors, partitions, color filters and black stripes (matrix) without causing pattern defects. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、平板状の蛍光表示体としてプラズ
マディスプレイが注目されている。図1は交流型のプラ
ズマディスプレイパネル(以下、「PDP」ともいう)
の断面形状を示す模式図である。同図において、1およ
び2は対向配置されたガラス基板、3は隔壁であり、ガ
ラス基板1、ガラス基板2および隔壁3によりセルが区
画形成される。4はガラス基板1に固定された透明電
極、5は透明電極の抵抗を下げる目的で、透明電極上に
形成されたバス電極、6はガラス基板2に固定されたア
ドレス電極、7はセル内に保持された蛍光体、8は透明
電極4およびバス電極5を被覆するようガラス基板1の
表面に形成された誘電体層、9はアドレス電極6を被覆
するようにガラス基板2の表面に形成された誘電体層、
10は例えば酸化マグネシウムよりなる保護膜である。
なお、直流型のPDPにおいては、通常、電極端子(陽
極端子)と電極リード(陽極リード)との間に抵抗体を
設ける。また、PDPのコントラストを向上させるため
に、赤色、緑色、青色のカラーフィルターや、通常スト
ライプ状や格子状の形状を有するブラックストライプ
(マトリクス)を、上記ガラス基板1と誘電体層8の間
や上記誘電体層8と保護膜10の間などに設ける場合も
ある。
2. Description of the Related Art In recent years, a plasma display has attracted attention as a flat fluorescent display. FIG. 1 shows an AC type plasma display panel (hereinafter, also referred to as “PDP”).
It is a schematic diagram which shows the cross-sectional shape of. In the figure, 1 and 2 are glass substrates which are arranged opposite to each other, 3 is a partition wall, and cells are defined by the glass substrate 1, the glass substrate 2 and the partition wall 3. 4 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode, 6 is an address electrode fixed to the glass substrate 2, and 7 is inside the cell. The held phosphor, 8 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 1 so as to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5, and 9 is formed on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrode 6. Dielectric layer,
Reference numeral 10 is a protective film made of, for example, magnesium oxide.
In a DC PDP, a resistor is usually provided between the electrode terminal (anode terminal) and the electrode lead (anode lead). Further, in order to improve the contrast of the PDP, red, green, and blue color filters and a black stripe (matrix) having a normal stripe shape or a grid shape are provided between the glass substrate 1 and the dielectric layer 8. It may be provided between the dielectric layer 8 and the protective film 10 or the like.

【0003】このようなPDPの誘電体、電極、蛍光
体、カラーフィルター、隔壁およびブラックストライプ
(マトリクス)の製造方法としては、(1)非感光性の
無機粒子含有ペーストを基板上にスクリーン印刷してパ
ターンを得、これを焼成するスクリーン印刷法、(2)
感光性の無機粒子含有樹脂層を基板上に形成し、この膜
にフォトマスクを介して紫外線を照射した上で現像し、
必要に応じてエッチングすることにより基板上にパター
ンを残存させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法
などが知られている。
As a method of manufacturing such a PDP dielectric, electrode, phosphor, color filter, partition wall and black stripe (matrix), (1) screen-printing a non-photosensitive inorganic particle-containing paste on a substrate. Screen printing method to obtain a pattern and fire it (2)
A photosensitive inorganic particle-containing resin layer is formed on a substrate, and the film is irradiated with ultraviolet rays through a photomask and then developed,
There is known a photolithography method or the like in which a pattern is left on the substrate by etching if necessary and the pattern is baked.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ス
クリーン印刷法では、パネルの大型化および高精細化に
伴い、パターン精度の要求が非常に厳しくなり、通常の
印刷では対応できないという問題がある。これに対し
て、前記フォトリソグラフィー法は、原理的にパターン
精度に優れる。特に、無機粒子含有樹脂層を基板上に形
成する際、支持フィルム上に無機粒子含有樹脂層を形成
したフィルム(転写フィルム)を用い、当該無機粒子含
有樹脂層を基板上に転写する方法を用いると、膜厚の均
一性および表面の均一性に優れたパターンを形成するこ
とができる。しかしながら、転写フィルムを用いるフォ
トリソグラフィー法では、支持フィルム表面に塵が付着
しやすく、露光後に支持フィルムを剥離するシステムの
場合、この塵が遮光してしまうことにより感光不良を引
き起こしパターンに欠陥が発生するという問題がある。
However, in the screen printing method, there is a problem that the demand for pattern accuracy becomes very strict with the increase in size and definition of the panel, which cannot be handled by ordinary printing. On the contrary, the photolithography method is excellent in pattern accuracy in principle. In particular, when the inorganic particle-containing resin layer is formed on the substrate, a film (transfer film) in which the inorganic particle-containing resin layer is formed on the support film is used, and the method of transferring the inorganic particle-containing resin layer to the substrate is used. With this, it is possible to form a pattern having excellent film thickness uniformity and surface uniformity. However, in the photolithography method using a transfer film, dust is likely to adhere to the surface of the support film, and in the case of a system in which the support film is peeled off after exposure, this dust blocks light and causes defective photosensitivity, resulting in pattern defects. There is a problem of doing.

【0005】このような問題に対して、本発明者らは、
支持フィルム表面への塵の付着を防ぐ方法として、表面
抵抗率が低い支持フィルムおよび/または保護フィルム
を用いることが有効であることを見いだした。すなわ
ち、本発明の目的は、感光不良によるパターン欠陥の発
生を防止することができる転写フィルムを提供すること
にある。
With respect to such a problem, the present inventors have
As a method of preventing dust from adhering to the surface of the supporting film, it was found that using a supporting film and / or a protective film having a low surface resistivity is effective. That is, it is an object of the present invention to provide a transfer film capable of preventing the occurrence of pattern defects due to poor photosensitivity.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の転写フィルム
は、支持フィルム、無機粒子含有樹脂層および保護フィ
ルムを有し、当該支持フィルムおよび/または保護フィ
ルムの表面抵抗率が10 12Ω/□以下であることを特
徴とする。また、本発明の転写フィルムは、支持フィル
ムの透過率が、波長365nmの放射線に対して50%
以上であることが好ましい。本発明の転写フィルムは、
PDPの誘電体、電極、蛍光体、隔壁、カラーフィルタ
ーおよびブラックストライプ(マトリクス)の形成から
選ばれる少なくとも一種の部材を形成するために好適に
用いられる。
Transfer film of the present invention
Is a support film, a resin layer containing inorganic particles and a protective film.
The support film and / or protective film.
Rum has a surface resistivity of 10 12Ω / □ or less
To collect. In addition, the transfer film of the present invention is a support film.
The transmittance of the system is 50% for radiation of wavelength 365nm.
The above is preferable. The transfer film of the present invention is
PDP dielectrics, electrodes, phosphors, partitions, color filters
And the formation of black stripes (matrix)
Suitable for forming at least one member selected
Used.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の転写フィルムの詳
細について説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The transfer film of the present invention will be described in detail below.

【0008】<支持フィルム・保護フィルム>本発明の
転写フィルムに用いられる支持フィルムおよび/または
保護フィルムの表面抵抗率が1012Ω/□以下であ
り、好ましくは1×10〜1×10Ω/□である。
なお、支持フィルムの表面抵抗率が1012Ω/□以下
であるものが好ましく、支持フィルムおよび保護フィル
ムの表面抵抗率が1012Ω/□以下であるものがさら
に好ましい。
<Supporting Film / Protective Film> The surface resistivity of the supporting film and / or protective film used in the transfer film of the present invention is 10 12 Ω / □ or less, preferably 1 × 10 5 to 1 × 10 9 Ω / □.
The surface resistivity of the supporting film is preferably 10 12 Ω / □ or less, and the surface resistivity of the supporting film and the protective film is more preferably 10 12 Ω / □ or less.

【0009】ここでいう表面抵抗率とは、フィルム表面
に沿って流れる電流と平行方向の電位傾度を、表面の単
位幅当たりの電流で除した値をいう。本発明における表
面抵抗率は、二端子法を用いて測定される。二端子法
は、フィルム表面(同一表面)短針を二本立ててこの二
針間に電圧を印可し、その際の電流から抵抗(Ω)を求
め、この抵抗に電極の形状や大きさ、間隔、資料の形
状、大きさ、測定位置から決まる抵抗率補正係数(RCF:R
esistivity Correction Factor)を掛け合わせて表面抵
抗率(ρ)を求める方法であり、次式で表される。 ρ=(V/I)・RCF ρ:表面抵抗率 V:二針間の電圧 I:二針間の電流 RCF: 抵抗率補正係数 RCFは厳密にはマックスウェルの方程式から導かれるポ
アソンの式を解いて試料中の各場所の電流密度を計算し
なければならない。しかし、電極形状が単純な場合はガ
ウスの定理や鏡像法等のテクニックより簡単に求めるこ
とができる。本発明の支持フィルムおよび保護フィルム
の抵抗率を求める際に使用した2ピンプローブのRCF
は、次式により求めることができる。 RCF=(π/cosh-1(s/d)) π:円周率 s:プローブの直径 d:プローブ中心間の距離
The term "surface resistivity" as used herein means a value obtained by dividing the electric potential gradient in the direction parallel to the current flowing along the film surface by the current per unit width of the surface. The surface resistivity in the present invention is measured using the two-terminal method. In the two-terminal method, two short needles on the film surface (same surface) are set up, a voltage is applied between these two needles, the resistance (Ω) is calculated from the current at that time, and the shape and size of the electrodes, the interval, the data Resistivity correction coefficient (RCF: R) determined by the shape, size, and measurement position of
This is a method of obtaining the surface resistivity (ρ) by multiplying the esistivity Correction Factor) and is expressed by the following equation. ρ = (V / I) ・ RCF ρ: Surface resistivity V: Voltage between two needles I: Current between two needles RCF: Resistivity correction coefficient RCF is strictly Poisson's equation derived from Maxwell's equation. It must be solved and the current density at each location in the sample must be calculated. However, if the electrode shape is simple, it can be obtained more easily by techniques such as Gauss's theorem or mirror image method. RCF of a 2-pin probe used to determine the resistivity of the support film and protective film of the present invention
Can be obtained by the following equation. RCF = (π / cosh -1 (s / d)) π: Circularity s: Probe diameter d: Distance between probe centers

【0010】本発明の転写フィルムを構成する支持フィ
ルムおよび保護フィルムの表面抵抗率を達成する方法と
しては、フィルム表面またはフィルムを構成する樹脂に
親水性を持たせる方法が挙げられる。具体的には、フィ
ルム表面に界面活性剤等の親水性付与化合物を塗布また
は噴霧する方法、上記親水性付与化合物を加えた樹脂を
用いてフィルムを成形する方法、フィルム表面を化学処
理する方法、親水性モノマーをグラフト重合させた樹脂
を用いてフィルムを成形する方法、放電プラズマを照射
してフィルム表面をイオン化する方法等が挙げられる。
上記親水性付与化合物としては、特に限定されないが、
陽イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤、非イオ
ン性界面活性剤が好適に用いられる。
As a method for achieving the surface resistivity of the support film and the protective film constituting the transfer film of the present invention, there is a method of imparting hydrophilicity to the film surface or the resin constituting the film. Specifically, a method of coating or spraying a hydrophilicity-imparting compound such as a surfactant on the film surface, a method of molding a film using a resin containing the hydrophilicity-imparting compound, a method of chemically treating the film surface, Examples thereof include a method of forming a film using a resin obtained by graft-polymerizing a hydrophilic monomer and a method of irradiating discharge plasma to ionize the film surface.
The hydrophilicity-imparting compound is not particularly limited,
A cationic surfactant, an anionic surfactant, and a nonionic surfactant are preferably used.

【0011】本発明の転写フィルムを構成する支持フィ
ルムの波長365nmの放射線に対する透過率は、好ま
しくは50%以上、特に好ましくは60%以上、さらに
好ましくは70%以上である。透過率が低いと感度を達
成するために露光量を増やさなくてはならず、露光に時
間がかかるという問題が生じる。
The transmittance of the support film constituting the transfer film of the present invention for radiation having a wavelength of 365 nm is preferably 50% or more, particularly preferably 60% or more, and further preferably 70% or more. If the transmittance is low, the exposure amount must be increased in order to achieve the sensitivity, which causes a problem that the exposure takes time.

【0012】本発明の転写フィルムを構成する支持フィ
ルムおよび保護フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有
すると共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好
ましい。支持フィルムおよび保護フィルムが可撓性を有
することにより、ロールコータによってペースト状組成
物を塗布することによって無機粒子含有樹脂層を形成す
ることができ、無機粒子含有樹脂層をロール状に巻回し
た状態で保存し、供給することができる。支持フィルム
および保護フィルムを形成する樹脂としては、例えばポ
リエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリ
ビニルアルコール、ポリフロロエチレンなどの含フッ素
樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができ
る。支持フィルムの表面には離型処理が施されているこ
とが好ましい。これにより、後述のパターンの形成工程
において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことが
できる。なお、保護フィルムの表面には通常離型処理が
施され、保護フィルム/無機粒子含有樹脂層間の剥離強
度が、支持フィルム/無機粒子含有樹脂層間の剥離強度
よりも小さいことが必要である。本発明で用いられる支
持フィルムの膜厚は、通常75〜25μm、好ましくは
40〜30μmである。また、本発明で用いられる保護
フィルムの膜厚は、通常、75〜25μm、好ましくは
40〜30μmである。
The support film and the protective film constituting the transfer film of the present invention are preferably resin films having heat resistance, solvent resistance and flexibility. Since the support film and the protective film have flexibility, the inorganic particle-containing resin layer can be formed by applying the paste-like composition with a roll coater, and the inorganic particle-containing resin layer was wound into a roll shape. Can be stored and supplied in state. Examples of the resin forming the support film and the protective film include polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, fluorine-containing resins such as polyfluoroethylene, nylon, and cellulose. The surface of the support film is preferably subjected to a release treatment. Accordingly, the peeling operation of the support film can be easily performed in the pattern forming step described below. The surface of the protective film is usually subjected to a release treatment, and the peel strength between the protective film / inorganic particle-containing resin layer is required to be smaller than the peel strength between the support film / inorganic particle-containing resin layer. The thickness of the support film used in the present invention is usually 75 to 25 μm, preferably 40 to 30 μm. The thickness of the protective film used in the present invention is usually 75 to 25 μm, preferably 40 to 30 μm.

【0013】<無機粒子含有樹脂層>本発明の転写フィ
ルムは、無機粒子含有樹脂層が、支持フィルムと保護フ
ィルムに挟まれた構造を有する。当該無機粒子含有樹脂
層は、感光性であっても非感光性であってもよい。ま
た、本発明の転写フィルムは、支持フィルムと無機粒子
含有樹脂層との間にレジスト層を有するものであっても
よく、保護フィルムと無機粒子含有樹脂層との間に反射
防止層を有するものであってもよい。本発明に用いられ
る無機粒子含有樹脂層は、(A)無機粒子および(B)
アルカリ可溶性樹脂を必須成分として含有するペースト
状の組成物(無機粒子含有樹脂組成物)を前記支持フィ
ルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部又は全部を
除去することにより形成することができる。
<Inorganic particle-containing resin layer> The transfer film of the present invention has a structure in which the inorganic particle-containing resin layer is sandwiched between a support film and a protective film. The inorganic particle-containing resin layer may be photosensitive or non-photosensitive. Further, the transfer film of the present invention may have a resist layer between the support film and the inorganic particle-containing resin layer, and has an antireflection layer between the protective film and the inorganic particle-containing resin layer. May be The inorganic particle-containing resin layer used in the present invention includes (A) inorganic particles and (B)
Formed by applying a paste composition (inorganic particle-containing resin composition) containing an alkali-soluble resin as an essential component on the support film, and drying the coating film to remove a part or all of the solvent. be able to.

【0014】<無機粒子含有樹脂組成物>転写フィルム
を構成する無機粒子含有樹脂層を作製するために使用さ
れる無機粒子含有樹脂組成物は、通常、(A)無機粒
子、(B)アルカリ可溶性樹脂および(C)溶剤を含有
してなるペースト状の組成物である。また、本発明の無
機粒子含有樹脂組成物は、上記(A)〜(C)成分に加
えて(D)エチレン性不飽和基含有化号物および(E)
光重合開始剤を含有する、感光性無機粒子含有樹脂組成
物であってもよい。上記のようにして調製される本発明
の無機粒子含有樹脂組成物は、塗布に適した流動性を有
するペースト状の組成物であり、その粘度は、通常10
0〜100,000cpとされ、好ましくは500〜1
0,000cpとされる。以下、無機粒子含有樹脂組成
物を構成する各成分について説明する。
<Inorganic Particle-Containing Resin Composition> The inorganic particle-containing resin composition used for preparing the inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film is usually (A) inorganic particles and (B) alkali-soluble. A paste-like composition containing a resin and a solvent (C). Further, the resin composition containing an inorganic particle of the present invention includes (D) an ethylenically unsaturated group-containing compound and (E) in addition to the components (A) to (C).
It may be a photosensitive inorganic particle-containing resin composition containing a photopolymerization initiator. The inorganic particle-containing resin composition of the present invention prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for coating, and its viscosity is usually 10
0 to 100,000 cp, preferably 500 to 1
It is set to 10,000 cp. Hereinafter, each component constituting the resin composition containing inorganic particles will be described.

【0015】(A)無機粒子 無機粒子含有樹脂組成物を構成する無機粒子は、形成材
料の種類によって異なる。PDPを構成する誘電体およ
び隔壁形成材料に使用される無機粒子としては、低融点
ガラスフリットなどが挙げられる。この低融点ガラスフ
リットは、その軟化点が400〜600℃の範囲内にあ
ることが好ましい。ガラスフリットの軟化点が400℃
未満である場合には、当該組成物による無機粒子含有樹
脂層の焼成工程において、アルカリ可溶性樹脂などの有
機物質が完全に分解除去されない段階でガラスフリット
が溶融してしまうため、形成される焼結体中に有機物質
の一部が残留し、この結果、焼結体が着色されて、その
光透過率が低下する傾向がある。一方、ガラスフリット
の軟化点が600℃を超える場合には、600℃より高
温で焼成する必要があるために、ガラス基板に歪みなど
が発生しやすい。具体的には、酸化鉛、酸化ホウ素、
酸化ケイ素系(PbO−B23 −SiO2 系)、酸
化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム系
(PbO−B23 −SiO2 −Al23 系)、酸
化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素系(ZnO−B23
−SiO2 系)、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ
素、酸化アルミニウム系(ZnO−B23 −SiO2
−Al23 系)、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、
酸化ケイ素系(PbO−ZnO−B23 −SiO2
系)、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、
酸化アルミニウム系(PbO−ZnO−B23 −Si
2 −Al23 系)、酸化ビスマス、酸化ホウ素、
酸化ケイ素系(Bi23 −B23 −SiO2 系)、
酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミ
ニウム系(Bi23 −B23 −SiO2−Al23
系)、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化
ケイ素系(Bi23 −ZnO−B23 −SiO2
系)、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケ
イ素、酸化アルミニウム系(Bi23 −ZnO−B2
3 −SiO2 −Al23 系)などのガラスフリット
を挙げることができる。ガラスフリットの形状としては
特に限定されず、平均粒径としては、好ましくは0.1
〜10μm、より好ましくは0.5〜5μmである。上
記ガラスフリットは単独であるいは異なるガラスフリッ
ト組成、異なる軟化点、異なる形状、異なる平均粒径を
有するガラスフリットを2種以上組み合わせて使用する
ことができる。これらの低融点ガラスフリットは、誘電
体および隔壁以外の構成要素(例えば電極・抵抗体・蛍
光体・カラーフィルター・ブラックマトリックス)を形
成するための組成物中に含有されていてもよい。この場
合の低融点ガラスフリットの含有量は、用途によって異
なるが、低融点ガラスフリットを含む無機粒子全量10
0質量部に対して、通常、70質量部以下であり、好ま
しくは50質量部以下であり、より好ましくは30質量
部以下である。
(A) Inorganic Particles The inorganic particles constituting the resin composition containing inorganic particles differ depending on the type of forming material. Examples of the inorganic particles used for the dielectric material and the partition wall forming material forming the PDP include low melting point glass frit. This low melting point glass frit preferably has a softening point in the range of 400 to 600 ° C. Softening point of glass frit is 400 ℃
When the amount is less than, the glass frit will be melted at a stage where the organic material such as the alkali-soluble resin is not completely decomposed and removed in the firing step of the inorganic particle-containing resin layer by the composition, so that the sintering formed. Part of the organic substance remains in the body, and as a result, the sintered body tends to be colored and its light transmittance tends to decrease. On the other hand, when the softening point of the glass frit exceeds 600 ° C., it is necessary to bake at a temperature higher than 600 ° C., so that the glass substrate is likely to be distorted. Specifically, lead oxide, boron oxide,
Silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 system), lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide-based (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 system), zinc oxide, boron, silicon oxide (ZnO-B 2 O 3
-SiO 2 type), zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide type (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2
-Al 2 O 3 system), lead oxide, zinc oxide, boron oxide,
Silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2
System), lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide,
Based on aluminum oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -Si
O 2 -Al 2 O 3 system), bismuth oxide, boron oxide,
Silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system),
Bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide-based (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3
System), bismuth oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide system (Bi 2 O 3 —ZnO—B 2 O 3 —SiO 2
System), bismuth oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide system (Bi 2 O 3 —ZnO—B 2
Glass frit such as O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 system) can be used. The shape of the glass frit is not particularly limited, and the average particle diameter is preferably 0.1.
10 to 10 μm, and more preferably 0.5 to 5 μm. The above glass frits may be used alone or in combination of two or more glass frits having different glass frit compositions, different softening points, different shapes, and different average particle diameters. These low-melting-point glass frits may be contained in the composition for forming constituent elements (for example, electrodes, resistors, phosphors, color filters, black matrices) other than the dielectric and partition walls. The content of the low-melting glass frit in this case depends on the use, but the total amount of the inorganic particles containing the low-melting glass frit is 10
It is usually 70 parts by mass or less, preferably 50 parts by mass or less, and more preferably 30 parts by mass or less with respect to 0 parts by mass.

【0016】電極形成材料に使用される無機粒子として
は、Ag、Au、Al、Ni、Ag−Pd合金、Cu、
Crなどを挙げることができる。これらの中でも、大気
中で焼成した場合においても酸化による導電性の低下が
生じず、比較的安価なAgを用いることが好ましい。電
極形成材料に使用される無機粒子の形状としては、粒
状、球状、フレーク状等特に限定されず、単独であるい
は二種以上の形状の無機粒子を混合して使用することも
できる。また、平均粒径としては、好ましくは0.01
〜10μm、より好ましくは0.05〜5μmであり、
異なる平均粒径を有する無機粒子を混合して使用するこ
ともできる。
The inorganic particles used for the electrode forming material include Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd alloy, Cu,
Examples thereof include Cr. Among these, it is preferable to use Ag which is relatively inexpensive, because the conductivity does not decrease due to oxidation even when fired in the air. The shape of the inorganic particles used for the electrode-forming material is not particularly limited, and may be granular, spherical, flake, or the like, and the inorganic particles having a shape of two or more kinds may be mixed and used. The average particle size is preferably 0.01
10 to 10 μm, more preferably 0.05 to 5 μm,
It is also possible to mix and use inorganic particles having different average particle sizes.

【0017】また、透明電極形成材料に使用される無機
粒子としては、酸化インジウム、酸化錫、錫含有酸化イ
ンジウム(ITO)、アンチモン含有酸化錫(AT
O)、フッ素添加酸化インジウム(FIO)、フッ素添
加酸化錫(FTO)、フッ素添加酸化亜鉛(FZO)、
ならびに、Al、Co、Fe、In、SnおよびTiか
ら選ばれた一種もしくは二種以上の金属を含有する酸化
亜鉛微粒子などを挙げることができる。
The inorganic particles used for the transparent electrode forming material include indium oxide, tin oxide, tin-containing indium oxide (ITO), antimony-containing tin oxide (AT).
O), fluorine-added indium oxide (FIO), fluorine-added tin oxide (FTO), fluorine-added zinc oxide (FZO),
Other examples include zinc oxide fine particles containing one or more metals selected from Al, Co, Fe, In, Sn and Ti.

【0018】抵抗体形成材料に使用される無機粒子とし
ては、RuOなどからなる粒子を挙げることができ
る。蛍光体形成材料に使用される無機粒子は、赤色用と
してはY23 :Eu3+、Y2 SiO5 :Eu3+、Y3
Al512:Eu3+、YVO4 :Eu3+、(Y,Gd)
BO3 :Eu3+、Zn3 (PO42 :Mnなど、緑色
用としてはZn2 SiO4 :Mn、BaAl1219:M
n、BaMgAl1423:Mn、LaPO4:(Ce,
Tb)、Y3 (Al,Ga)512:Tbなど、青色用
としてはY2SiO5 :Ce、BaMgAl1017:E
2+、BaMgAl1423:Eu2+、(Ca,Sr,B
a)10(PO46 Cl2 :Eu2+、(Zn,Cd)
S:Agなどを挙げることができる。カラーフィルター
形成材料に使用される無機粒子は、赤色用としてはFe
2 3 など、緑色用としてはCr23 など、青色用と
してはCoO・Al23 などを挙げることができる。
ブラックストライプ(マトリックス)形成材料に使用さ
れる無機粒子としては、例えば、Co、Cr、Cu、F
e、Mn、Ni、Ti、Znなどの金属およびその酸化
物、複合酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、けい化物、
ほう化物やカーボンブラック、グラファイトなどを挙げ
ることができ、単独であるいは二種以上を混合して使用
することができる。この中で好ましい無機粒子としては
Co、Cr、Cu、Fe、Mn、NiおよびTiの群か
ら選ばれた金属粒子、金属酸化物粒子および複合酸化物
粒子が挙げられる。これらの平均粒径としては、好まし
くは0.01〜10μm、より好ましくは0.05〜5
μmであり、特に好ましくは0.1〜2μmである。
Inorganic particles used for the resistor forming material
For RuOTwoCan include particles consisting of
It The inorganic particles used for the phosphor-forming material are for red
Then Y2 O3 : Eu3+, Y2 SiOFive : Eu3+, Y3 
AlFive O12: Eu3+, YVOFour : Eu3+, (Y, Gd)
BO3 : Eu3+, Zn3 (POFour )2 : Green such as Mn
For use Zn2 SiOFour : Mn, BaAl12O19: M
n, BaMgAl14Otwenty three: Mn, LaPOFour: (Ce,
Tb), Y3 (Al, Ga)Five O12: For blue such as Tb
As Y2SiOFive : Ce, BaMgAlTenO17: E
u2+, BaMgAl14Otwenty three: Eu2+, (Ca, Sr, B
a)Ten(POFour )6 Cl2 : Eu2+, (Zn, Cd)
S: Ag etc. can be mentioned. Color filter
The inorganic particles used for the forming material are Fe for red.
2 O 3 For green, Cr2 O3 Such as for blue
Then CoO / Al2 O3 And so on.
Used for black stripe (matrix) forming material
Examples of the inorganic particles to be used include Co, Cr, Cu, F
e, Mn, Ni, Ti, Zn and other metals and their oxidation
Compounds, complex oxides, carbides, nitrides, sulfides, silicides,
Borides, carbon black, graphite, etc.
Can be used alone or in combination of two or more
can do. Among these preferred inorganic particles are
Is it a group of Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Ni and Ti?
Selected metal particles, metal oxide particles and composite oxides
Particles may be mentioned. As the average particle size of these,
0.01 to 10 μm, more preferably 0.05 to 5
μm, and particularly preferably 0.1 to 2 μm.

【0019】(B)アルカリ可溶性樹脂 無機粒子含有樹脂組成物を構成するアルカリ可溶性樹脂
としては、種々の樹脂を用いることができる。ここに、
「アルカリ可溶性」とは、アルカリ性の現像液によって
溶解し、目的とする現像処理が遂行される程度に溶解性
を有する性質をいう。かかるアルカリ可溶性樹脂の具体
例としては、例えば(メタ)アクリル系樹脂、ヒドロキ
シスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂な
どを挙げることができる。このようなアルカリ可溶性樹
脂のうち、特に好ましいものとしては、下記のモノマー
(イ)とモノマー(ハ)との共重合体、モノマー
(イ)、モノマー(ロ)およびモノマー(ハ)の共重合
体などのアクリル樹脂を挙げることができる。
(B) Alkali-Soluble Resin Various resins can be used as the alkali-soluble resin constituting the inorganic particle-containing resin composition. here,
“Alkali-soluble” refers to the property of being dissolved in an alkaline developing solution and having such a solubility that an intended developing treatment is carried out. Specific examples of such alkali-soluble resins include (meth) acrylic resins, hydroxystyrene resins, novolac resins, polyester resins and the like. Among such alkali-soluble resins, particularly preferable are copolymers of the following monomers (a) and (c), monomers (a), (b) and (c): Acrylic resins such as

【0020】モノマー(イ):カルボキシル基含有モノ
マー類 アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、ク
ロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケ
イ皮酸、コハク酸モノ(2−(メタ)アクリロイロキシ
エチル)、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ
(メタ)アクリレートなど。 モノマー(ロ):OH含有モノマー類 (メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)ア
クリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸
3−ヒドロキシプロピルなどの水酸基含有モノマー類;
o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p
−ヒドロキシスチレンなどのフェノール性水酸基含有モ
ノマー類など。 モノマー(ハ):その他の共重合可能なモノマー類 (メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチ
ル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル
酸n−ラウリル、(メタ)アクリル酸ベンジル、グリシ
ジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メ
タ)アクリレートなどのモノマー(イ)以外の(メタ)
アクリル酸エステル類;スチレン、α−メチルスチレン
などの芳香族ビニル系モノマー類;ブタジエン、イソプ
レンなどの共役ジエン類;ポリスチレン、ポリ(メタ)
アクリル酸メチル、ポリ(メタ)アクリル酸エチル、ポ
リ(メタ)アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の
末端に(メタ)アクリロイル基などの重合性不飽和基を
有するマクロモノマー類:
Monomer (a): Carboxyl group-containing monomers Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth)) Acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate and the like. Monomer (b): OH-containing monomers Hydroxy group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate;
o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p
-Phenolic hydroxyl group-containing monomers such as hydroxystyrene. Monomer (c): Other copolymerizable monomers methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid (Meth) other than monomer (a) such as benzyl, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate
Acrylic esters; Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; Conjugated dienes such as butadiene and isoprene; Polystyrene, poly (meth)
Macromonomers having a polymerizable unsaturated group such as (meth) acryloyl group at one end of the polymer chain such as methyl acrylate, ethyl poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate:

【0021】上記モノマー(イ)とモノマー(ハ)との
共重合体や、モノマー(イ)、モノマー(ロ)およびモ
ノマー(ハ)の共重合体は、モノマー(イ)および/ま
たはモノマー(ロ)のフェノール性水酸基含有モノマー
に由来する共重合成分の存在により、アルカリ可溶性を
有するものとなる。中でもモノマー(イ)、モノマー
(ロ)およびモノマー(ハ)の共重合体は、(A)無機
粒子の分散安定性や後述するアルカリ現像液への溶解性
の観点から特に好ましい。この共重合体におけるモノマ
ー(イ)に由来する共重合成分の含有率は、好ましくは
1〜50質量%、特に好ましくは5〜30質量%であ
り、モノマー(ロ)に由来する共重合成分の含有率は、
好ましくは1〜50質量%、特に好ましくは5〜30質
量%である。また、モノマー(ロ)成分としては、(メ
タ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリ
ル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−
ヒドロキシプロピルなどの水酸基含有モノマー類が好ま
しい。
The above-mentioned copolymer of the monomer (a) and the monomer (c), or the copolymer of the monomer (a), the monomer (b) and the monomer (c) is a monomer (a) and / or a monomer (b). The presence of the copolymerization component derived from the phenolic hydroxyl group-containing monomer of 1) makes it alkali-soluble. Among them, the copolymers of the monomer (a), the monomer (b) and the monomer (c) are particularly preferable from the viewpoint of dispersion stability of the inorganic particles (A) and solubility in an alkaline developer described later. The content of the copolymerization component derived from the monomer (a) in this copolymer is preferably 1 to 50 mass%, particularly preferably 5 to 30 mass%, and the content of the copolymerization component derived from the monomer (b) is The content rate is
It is preferably 1 to 50% by mass, and particularly preferably 5 to 30% by mass. In addition, as the monomer (b) component, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-methacrylate (meth) acrylate
Hydroxyl group-containing monomers such as hydroxypropyl are preferred.

【0022】無機粒子含有樹脂組成物を構成するアルカ
リ可溶性樹脂の分子量としては、GPCによるポリスチ
レン換算の重量平均分子量(以下、単に「重量平均分子
量(Mw)」ともいう)として、5,000〜5,00
0,000であることが好ましく、さらに好ましくは1
0,000〜300,000とされる。無機粒子含有樹
脂組成物におけるアルカリ可溶性樹脂の含有割合として
は、無機粒子100質量部に対して、通常1〜500質
量部とされ、好ましくは10〜200質量部とされる。
なお、無機粒子含有樹脂組成物中にアルカリ可溶性樹脂
以外の樹脂を含有してもよい。
The molecular weight of the alkali-soluble resin constituting the inorganic particle-containing resin composition is 5,000 to 5 as a weight average molecular weight in terms of polystyrene by GPC (hereinafter, also simply referred to as "weight average molecular weight (Mw)"). , 00
It is preferably 10,000, more preferably 1
It is set to 30,000 to 300,000. The content ratio of the alkali-soluble resin in the inorganic particle-containing resin composition is usually 1 to 500 parts by mass, and preferably 10 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic particles.
The inorganic particle-containing resin composition may contain a resin other than the alkali-soluble resin.

【0023】(C)溶剤 本発明の無機粒子含有樹脂組成物には、通常、溶剤が含
有される。上記溶剤としては、(A)無機粒子との親和
性、(B)アルカリ可溶性樹脂および必要に応じて含有
される後述の各種成分の溶解性が良好で、無機粒子含有
樹脂組成物に適度な粘性を付与することができ、乾燥さ
れることによって容易に蒸発除去できるものであること
が好ましい。かかる溶剤の具体例としては、ジエチルケ
トン、メチルブチルケトン、ジプロピルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン類;n−ペンタノール、4−メ
チル−2−ペンタノール、シクロヘキサノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール類;エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテルなどのエーテル系アルコー
ル類;酢酸−n−ブチル、酢酸アミルなどの飽和脂肪族
モノカルボン酸アルキルエステル類;乳酸エチル、乳酸
−n−ブチルなどの乳酸エステル類;メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル−3
−エトキシプロピオネートなどのエーテル系エステル類
などを例示することができ、これらは、単独でまたは2
種以上を組み合わせて使用することができる。無機粒子
含有樹脂組成物における溶剤の含有割合としては、良好
な転写層形成性能(流動性または可塑性)が得られる範
囲内において適宜選択することができるが、通常、
(A)無機粒子100質量部に対して、1〜10,00
0質量部であり、好ましくは10〜1,000質量部と
される。
(C) Solvent The inorganic particle-containing resin composition of the present invention usually contains a solvent. As the solvent, (A) the affinity for the inorganic particles, (B) the solubility of the alkali-soluble resin and various components described below, which are optionally contained, are good, and the solvent has a suitable viscosity for the inorganic particle-containing resin composition. It is preferable that it is capable of being added, and can be easily evaporated and removed by being dried. Specific examples of such a solvent include ketones such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, and cyclohexanone; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol, and diacetone alcohol; Ether-based alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether; saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl salts such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate Esters; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactate-n-butyl; methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether Seteto, ethyl-3
Examples thereof include ether esters such as ethoxypropionate, which may be used alone or in combination with 2
Combinations of more than one species can be used. The content ratio of the solvent in the inorganic particle-containing resin composition can be appropriately selected within a range where good transfer layer forming performance (fluidity or plasticity) can be obtained, but usually,
(A) 1 to 100,000 relative to 100 parts by mass of the inorganic particles
The amount is 0 parts by mass, and preferably 10 to 1,000 parts by mass.

【0024】(D)エチレン性不飽和基含有化合物 無機粒子含有樹脂組成物を感光性無機粒子含有樹脂組成
物として用いる際には、エチレン性不飽和基含有化合物
が含有されることが好ましい。上記エチレン性不飽和基
含有化合物としては、エチレン性不飽和基を含有し、後
述する光重合開始剤により、ラジカル重合反応し得る化
合物である限り特に限定はされないが、通常、(メタ)
アクリレート化合物が用いられる。かかる(メタ)アク
リレート化合物の具体例としては、エチレングリコー
ル、プロピレングリコールなどのアルキレングリコール
のジ(メタ)アクリレート類;ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコールなどのポリアルキレング
リコールのジ(メタ)アクリレート類;両末端ヒドロキ
シポリブタジエン、両末端ヒドロキシポリイソプレン、
両末端ヒドロキシポリカプロラクトンなどの両末端ヒド
ロキシル化重合体のジ(メタ)アクリレート類;グリセ
リン、1,2,4−ブタントリオール、トリメチロール
アルカン、テトラメチロールアルカン、ペンタエリスリ
トール、ジペンタエリスリトールなどの3価以上の多価
アルコールのポリ(メタ)アクリレート類;3価以上の
多価アルコールのポリアルキレングリコール付加物のポ
リ(メタ)アクリレート類;1,4−シクロヘキサンジ
オール、1,4−ベンゼンジオール類などの環式ポリオ
ールのポリ(メタ)アクリレート類;ポリエステル(メ
タ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ウ
レタン(メタ)アクリレート、アルキド樹脂(メタ)ア
クリレート、シリコーン樹脂(メタ)アクリレート、ス
ピラン樹脂(メタ)アクリレート等のオリゴ(メタ)ア
クリレート類などを挙げることができる。なお、前述し
たアルカリ可溶性樹脂を構成するモノマー(イ)、
(ロ)および(ハ)に示された化合物を使用してもよ
い。これらの(メタ)アクリレート化合物は、単独でま
たは2種以上を組み合わせて使用することができ、通
常、前述のアルカリ可溶性樹脂100質量部に対して2
0〜500質量部、より好ましくは、40〜250質量
部で用いられる。
(D) Ethylenically Unsaturated Group-Containing Compound When the inorganic particle-containing resin composition is used as the photosensitive inorganic particle-containing resin composition, it is preferable that the ethylenically unsaturated group-containing compound is contained. The ethylenically unsaturated group-containing compound is not particularly limited as long as it is a compound containing an ethylenically unsaturated group and capable of undergoing a radical polymerization reaction by a photopolymerization initiator described later, but usually (meth)
An acrylate compound is used. Specific examples of such (meth) acrylate compounds include di (meth) acrylates of alkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; hydroxy at both ends. Polybutadiene, hydroxypolyisoprene at both ends,
Di (meth) acrylates of hydroxylated polymers at both ends such as hydroxypolycaprolactone; trivalent such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol Poly (meth) acrylates of the above polyhydric alcohols; poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of polyhydric alcohols of trivalent or more hydration; 1,4-cyclohexanediol, 1,4-benzenediol, etc. Poly (meth) acrylates of cyclic polyols; polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, spirane resin (meth Such as oligo (meth) acrylates such as acrylate. Incidentally, the monomer (a) constituting the alkali-soluble resin described above,
The compounds shown in (b) and (c) may be used. These (meth) acrylate compounds can be used alone or in combination of two or more, and usually 2 per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
It is used in an amount of 0 to 500 parts by mass, more preferably 40 to 250 parts by mass.

【0025】(E)光重合開始剤 無機粒子含有樹脂組成物を感光性とする際に含有される
光重合開始剤としては、後述する露光工程においてラジ
カルを発生し、前述したエチレン性不飽和基含有化合物
の重合反応を開始せしめる化合物である限り特に限定は
されない。かかる光重合開始剤の具体例としては、ベン
ジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、
4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、カンフ
ァーキノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニ
ルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシル
フェニルケトン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルア
セトフェノン、2−メチル−〔4’−(メチルチオ)フ
ェニル〕−2−モルフォリノ−1−プロパノン、2−ベ
ンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノ
フェニル)−ブタン−1−オン、2,4−ジエチルチオ
キサントン、イソプロピルチオキサントンなどのカルボ
ニル化合物;ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−
2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイ
ド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェ
ニルホスフィンオキサイドなどのホスフィンオキサイド
化合物;アゾイソブチロニトリル、4−アジドベンズア
ルデヒドなどのアゾ化合物あるいはアジド化合物;メル
カプタンジスルフィドなどの有機硫黄化合物;ベンゾイ
ルパーオキシド、ジ−tert−ブチルパーオキシド、
tert−ブチルハイドロパーオキシド、クメンハイド
ロパーオキシド、パラメタンハイドロパーオキシドなど
の有機パーオキシド;2,4−ビス(トリクロロメチ
ル)−6−(2’−クロロフェニル)−1,3,5−ト
リアジン、2−〔2−(2−フラニル)エチレニル〕−
4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリ
アジン、などのトリハロメタン類;2,2’−ビス(2
−クロロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェ
ニル1,2’−ビイミダゾールなどのイミダゾール二量
体などを挙げることができ、これらは単独でまたは2種
以上を組み合わせて使用することができる。また、増感
剤、増感助剤、水素供与体、連鎖移動剤を併用してもよ
い。光重合開始剤の含有割合としては、前記アルカリ可
溶性樹脂とエチレン性不飽和基含有化合物の合計量10
0質量部に対して、通常、0.1〜100質量部とさ
れ、好ましくは1〜50質量部である。
(E) Photopolymerization Initiator As a photopolymerization initiator contained when the resin composition containing an inorganic particle is made to be photosensitive, a radical is generated in the exposure step described below, and the above-mentioned ethylenically unsaturated group is generated. There is no particular limitation as long as it is a compound that initiates the polymerization reaction of the contained compound. Specific examples of such a photopolymerization initiator include benzyl, benzoin, benzophenone, Michler's ketone,
4,4′-bisdiethylaminobenzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl -[4 '-(Methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2,4-diethylthioxanthone A carbonyl compound such as isopropylthioxanthone; bis (2,6-dimethoxybenzoyl)-
Phosphine oxide compounds such as 2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide and bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide; azo compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azidobenzaldehyde or azide compounds; Organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide,
Organic peroxides such as tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and parametric hydroperoxide; 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2 -[2- (2-furanyl) ethylenyl]-
Trihalomethanes such as 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; 2,2'-bis (2
-Chlorophenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl 1,2'-biimidazole and other imidazole dimers, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. You can Further, a sensitizer, a sensitization aid, a hydrogen donor and a chain transfer agent may be used in combination. As the content ratio of the photopolymerization initiator, the total amount of the alkali-soluble resin and the ethylenically unsaturated group-containing compound is 10
It is usually 0.1 to 100 parts by mass, preferably 1 to 50 parts by mass, relative to 0 parts by mass.

【0026】各種添加剤 無機粒子含有樹脂組成物には、上記(A)〜(E)の成
分のほかに、可塑剤、接着助剤、分散剤、保存安定剤、
消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、レベリング剤、現
像促進剤などの各種添加剤が任意成分として含有されて
いてもよい。 可塑剤 可塑剤は、形成される無機粒子含有樹脂層に良好な可撓
性と燃焼性とを発現させるために添加される。具体的に
は、下記一般式(2)または(3)で表される化合物
が、熱により容易に分解除去され、得られるパターンの
性能に悪影響を及ぼさないため、好ましく用いられる。
Various Additives In addition to the components (A) to (E) described above, the resin composition containing inorganic particles contains a plasticizer, an adhesion aid, a dispersant, a storage stabilizer,
Various additives such as a defoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a leveling agent and a development accelerator may be contained as optional components. Plasticizer The plasticizer is added to the inorganic particle-containing resin layer to be formed so as to exhibit good flexibility and flammability. Specifically, the compound represented by the following general formula (2) or (3) is preferably used because it is easily decomposed and removed by heat and does not adversely affect the performance of the obtained pattern.

【0027】[0027]

【化1】 [Chemical 1]

【0028】(式中、R1 およびR4 は、それぞれ、同
一または異なる炭素数1〜30のアルキル基を示し、R
2 およびR3 は、それぞれ、同一または異なるメチレン
基または炭素数2〜30のアルキレン基を示し、sは0
〜5の数であり、tは1〜10の数である。)
(In the formula, R 1 and R 4 each represent the same or different alkyl group having 1 to 30 carbon atoms;
2 and R 3 are the same or different methylene groups or alkylene groups having 2 to 30 carbon atoms, and s is 0.
Is a number of 5 and t is a number of 1-10. )

【0029】[0029]

【化2】 [Chemical 2]

【0030】(式中、R5 は炭素数1〜30のアルキル
基またはアルケニル基を示す。)
(In the formula, R 5 represents an alkyl group or an alkenyl group having 1 to 30 carbon atoms.)

【0031】上記式(2)において、R1 またはR4
示されるアルキル基、並びにR2 またはR3 で示される
アルキレン基は、直鎖状であっても分岐状であってもよ
く、また、飽和基であっても不飽和基であってもよい。
1 またはR4 で示されるアルキル基の炭素数は、1〜
30とされ、好ましくは2〜20、さらに好ましくは4
〜10とされる。当該アルキル基の炭素数が30を超え
る場合には、溶剤に対する可塑剤の溶解性が低下し、転
写フィルムの良好な可撓性が得られない場合がある。
In the above formula (2), the alkyl group represented by R 1 or R 4 and the alkylene group represented by R 2 or R 3 may be linear or branched, and It may be a saturated group or an unsaturated group.
The number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 1 or R 4 is 1 to
30 and preferably 2 to 20, more preferably 4
It is considered to be 10. When the number of carbon atoms of the alkyl group exceeds 30, the solubility of the plasticizer in the solvent may decrease, and good flexibility of the transfer film may not be obtained.

【0032】上記式(2)で示される化合物の具体例と
しては、ジブチルアジペート、ジイソブチルアジペー
ト、ジ−2−エチルヘキシルアジペート、ジ−2−エチ
ルヘキシルアゼレート、ジブチルセバケート、ジブチル
ジグリコールアジペート、などが挙げられる。好ましく
は、nが2〜6で表される化合物である。
Specific examples of the compound represented by the above formula (2) include dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2-ethylhexyl azelate, dibutyl sebacate, dibutyl diglycol adipate. Can be mentioned. Preferably, n is a compound represented by 2 to 6.

【0033】上記式(3)において、R5 で示されるア
ルキル基およびアルケニル基は、直鎖状であっても分岐
状であってもよく、また、飽和基であっても不飽和基で
あってもよい。R5 で示されるアルキル基またはアルケ
ニル基の炭素数は、1〜30とされ、好ましくは2〜2
0、さらに好ましくは10〜18とされる。上記式
(3)で示される化合物の具体例としては、プロピレン
グリコールモノラウレート、プロピレングリコールモノ
オレートなどが挙げられる。
In the above formula (3), the alkyl group and alkenyl group represented by R 5 may be linear or branched, and may be a saturated group or an unsaturated group. May be. The alkyl group or alkenyl group represented by R 5 has 1 to 30 carbon atoms, preferably 2 to 2 carbon atoms.
It is set to 0, more preferably 10 to 18. Specific examples of the compound represented by the above formula (3) include propylene glycol monolaurate and propylene glycol monooleate.

【0034】無機粒子含有樹脂組成物における可塑剤の
含有割合としては、無機粒子100重量部に対して、
0.1〜20重量部であることが好ましく、さらに好ま
しくは0.5〜10重量部とされる。
The content ratio of the plasticizer in the resin composition containing inorganic particles is 100 parts by weight of the inorganic particles.
The amount is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight.

【0035】接着助剤 接着助剤としては、シランカップリング剤〔アルキル基
含有(アルキル)アルコキシシラン〕が好適に用いられ
る。
Adhesion Aid As the adhesion aid, a silane coupling agent [alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilane] is preferably used.

【0036】[0036]

【化3】 [Chemical 3]

【0037】(式中、pは3〜20の整数、mは1〜3
の整数、nは1〜3の整数、aは1〜3の整数であ
る。)
(In the formula, p is an integer of 3 to 20, m is 1 to 3)
Is an integer, n is an integer of 1 to 3, and a is an integer of 1 to 3. )

【0038】上記式(3)において、飽和アルキル基の
炭素数を示すpは3〜20の整数とされ、好ましくは4
〜16の整数とされる。
In the above formula (3), p representing the carbon number of the saturated alkyl group is an integer of 3 to 20, preferably 4
It is an integer of ˜16.

【0039】上記式(3)で表されるシランカップリン
グ剤の具体例としては、n−プロピルジメチルメトキシ
シラン、n−ブチルジメチルメトキシシラン、n−デシ
ルジメチルメトキシシラン、n−ヘキサデシルジメチル
メトキシシラン、n−イコサンジメチルメトキシシラン
などの飽和アルキルジメチルメトキシシラン類(a=
1,m=1,n=1);n−プロピルジエチルメトキシ
シラン、n−ブチルジエチルメトキシシラン、n−デシ
ルジエチルメトキシシラン、n−ヘキサデシルジエチル
メトキシシラン、n−イコサンジエチルメトキシシラン
などの飽和アルキルジエチルメトキシシラン類(a=
1,m=1,n=2);n−ブチルジプロピルメトキシ
シラン、n−デシルジプロピルメトキシシラン、n−ヘ
キサデシルジプロピルメトキシシラン、n−イコサンジ
プロピルメトキシシランなどの飽和アルキルジプロピル
メトキシシラン類(a=1,m=1,n=3);n−プ
ロピルジメチルエトキシシラン、n−ブチルジメチルエ
トキシシラン、n−デシルジメチルエトキシシラン、n
−ヘキサデシルジメチルエトキシシラン、n−イコサン
ジメチルエトキシシランなどの飽和アルキルジメチルエ
トキシシラン類(a=1,m=2,n=1);n−プロ
ピルジエチルエトキシシラン、n−ブチルジエチルエト
キシシラン、n−デシルジエチルエトキシシラン、n−
ヘキサデシルジエチルエトキシシラン、n−イコサンジ
エチルエトキシシランなどの飽和アルキルジエチルエト
キシシラン類(a=1,m=2,n=2);n−ブチル
ジプロピルエトキシシラン、n−デシルジプロピルエト
キシシラン、n−ヘキサデシルジプロピルエトキシシラ
ン、n−イコサンジプロピルエトキシシランなどの飽和
アルキルジプロピルエトキシシラン類(a=1,m=
2,n=3);n−プロピルジメチルプロポキシシラ
ン、n−ブチルジメチルプロポキシシラン、n−デシル
ジメチルプロポキシシラン、n−ヘキサデシルジメチル
プロポキシシラン、n−イコサンジメチルプロポキシシ
ランなどの飽和アルキルジメチルプロポキシシラン類
(a=1,m=3,n=1);n−プロピルジエチルプ
ロポキシシラン、n−ブチルジエチルプロポキシシラ
ン、n−デシルジエチルプロポキシシラン、n−ヘキサ
デシルジエチルプロポキシシラン、n−イコサンジエチ
ルプロポキシシランなどの飽和アルキルジエチルプロポ
キシシラン類(a=1,m=3,n=2);n−ブチル
ジプロピルプロポキシシラン、n−デシルジプロピルプ
ロポキシシラン、n−ヘキサデシルジプロピルプロポキ
シシラン、n−イコサンジプロピルプロポキシシランな
どの飽和アルキルジプロピルプロポキシシラン類(a=
1,m=3,n=3);
Specific examples of the silane coupling agent represented by the above formula (3) include n-propyldimethylmethoxysilane, n-butyldimethylmethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane and n-hexadecyldimethylmethoxysilane. , Saturated alkyldimethylmethoxysilanes such as n-icosanedimethylmethoxysilane (a =
1, m = 1, n = 1); saturation of n-propyldiethylmethoxysilane, n-butyldiethylmethoxysilane, n-decyldiethylmethoxysilane, n-hexadecyldiethylmethoxysilane, n-icosanediethylmethoxysilane, etc. Alkyldiethylmethoxysilanes (a =
1, m = 1, n = 2); saturated alkyldipropylmethoxy such as n-butyldipropylmethoxysilane, n-decyldipropylmethoxysilane, n-hexadecyldipropylmethoxysilane, and n-icosanedipropylmethoxysilane. Silanes (a = 1, m = 1, n = 3); n-propyldimethylethoxysilane, n-butyldimethylethoxysilane, n-decyldimethylethoxysilane, n
-Saturated alkyldimethylethoxysilanes such as hexadecyldimethylethoxysilane and n-icosanedimethylethoxysilane (a = 1, m = 2, n = 1); n-propyldiethylethoxysilane, n-butyldiethylethoxysilane, n-decyldiethylethoxysilane, n-
Saturated alkyldiethylethoxysilanes such as hexadecyldiethylethoxysilane and n-icosanediethylethoxysilane (a = 1, m = 2, n = 2); n-butyldipropylethoxysilane, n-decyldipropylethoxysilane , Saturated alkyldipropylethoxysilanes such as n-hexadecyldipropylethoxysilane and n-icosanedipropylethoxysilane (a = 1, m =
2, n = 3); saturated alkyldimethylpropoxysilane such as n-propyldimethylpropoxysilane, n-butyldimethylpropoxysilane, n-decyldimethylpropoxysilane, n-hexadecyldimethylpropoxysilane, and n-icosanedimethylpropoxysilane. (A = 1, m = 3, n = 1); n-propyldiethylpropoxysilane, n-butyldiethylpropoxysilane, n-decyldiethylpropoxysilane, n-hexadecyldiethylpropoxysilane, n-icosanediethylpropoxy Saturated alkyldiethylpropoxysilanes such as silane (a = 1, m = 3, n = 2); n-butyldipropylpropoxysilane, n-decyldipropylpropoxysilane, n-hexadecyldipropylpropoxysilane, n- Ikosan Saturated alkyl dipropyl propoxysilane such as propyl propoxysilane (a =
1, m = 3, n = 3);

【0040】n−プロピルメチルジメトキシシラン、n
−ブチルメチルジメトキシシラン、n−デシルメチルジ
メトキシシラン、n−ヘキサデシルメチルジメトキシシ
ラン、n−イコサンメチルジメトキシシランなどの飽和
アルキルメチルジメトキシシラン類(a=2,m=1,
n=1);n−プロピルエチルジメトキシシラン、n−
ブチルエチルジメトキシシラン、n−デシルエチルジメ
トキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジメトキシシラ
ン、n−イコサンエチルジメトキシシランなどの飽和ア
ルキルエチルジメトキシシラン類(a=2,m=1,n
=2);n−ブチルプロピルジメトキシシラン、n−デ
シルプロピルジメトキシシラン、n−ヘキサデシルプロ
ピルジメトキシシラン、n−イコサンプロピルジメトキ
シシランなどの飽和アルキルプロピルジメトキシシラン
類(a=2,m=1,n=3)n−プロピルメチルジエ
トキシシラン、n−ブチルメチルジエトキシシラン、n
−デシルメチルジエトキシシラン、n−ヘキサデシルメ
チルジエトキシシラン、n−イコサンメチルジエトキシ
シランなどの飽和アルキルメチルジエトキシシラン類
(a=2,m=2,n=1);n−プロピルエチルジエ
トキシシラン、n−ブチルエチルジエトキシシラン、n
−デシルエチルジエトキシシラン、n−ヘキサデシルエ
チルジエトキシシラン、n−イコサンエチルジエトキシ
シランなどの飽和アルキルエチルジエトキシシラン類
(a=2,m=2,n=2);n−ブチルプロピルジエ
トキシシラン、n−デシルプロピルジエトキシシラン、
n−ヘキサデシルプロピルジエトキシシラン、n−イコ
サンプロピルジエトキシシランなどの飽和アルキルプロ
ピルジエトキシシラン類(a=2,m=2,n=3);
n−プロピルメチルジプロポキシシラン、n−ブチルメ
チルジプロポキシシラン、n−デシルメチルジプロポキ
シシラン、n−ヘキサデシルメチルジプロポキシシラ
ン、n−イコサンメチルジプロポキシシランなどの飽和
アルキルメチルジプロポキシシラン類 (a=2,m=
3,n=1);n−プロピルエチルジプロポキシシラ
ン、n−ブチルエチルジプロポキシシラン、n−デシル
エチルジプロポキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジ
プロポキシシラン、n−イコサンエチルジプロポキシシ
ランなどの飽和アルキルエチルジプロポキシシラン類
(a=2,m=3,n=2);n−ブチルプロピルジプ
ロポキシシラン、n−デシルプロピルジプロポキシシラ
ン、n−ヘキサデシルプロピルジプロポキシシラン、n
−イコサンプロピルジプロポキシシランなどの飽和アル
キルプロピルジプロポキシシラン類(a=2,m=3,
n=3);
N-propylmethyldimethoxysilane, n
Saturated alkylmethyldimethoxysilanes such as -butylmethyldimethoxysilane, n-decylmethyldimethoxysilane, n-hexadecylmethyldimethoxysilane, and n-icosanemethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1,
n = 1); n-propylethyldimethoxysilane, n-
Saturated alkylethyldimethoxysilanes such as butylethyldimethoxysilane, n-decylethyldimethoxysilane, n-hexadecylethyldimethoxysilane, and n-icosaneethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n
= 2); saturated alkylpropyldimethoxysilanes such as n-butylpropyldimethoxysilane, n-decylpropyldimethoxysilane, n-hexadecylpropyldimethoxysilane, and n-icosanepropyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 3) n-propylmethyldiethoxysilane, n-butylmethyldiethoxysilane, n
-Saturated alkylmethyldiethoxysilanes such as decylmethyldiethoxysilane, n-hexadecylmethyldiethoxysilane, and n-icosanemethyldiethoxysilane (a = 2, m = 2, n = 1); n-propyl Ethyldiethoxysilane, n-butylethyldiethoxysilane, n
-Saturated alkylethyldiethoxysilanes such as decylethyldiethoxysilane, n-hexadecylethyldiethoxysilane, and n-icosaneethyldiethoxysilane (a = 2, m = 2, n = 2); n-butyl Propyldiethoxysilane, n-decylpropyldiethoxysilane,
saturated alkylpropyldiethoxysilanes such as n-hexadecylpropyldiethoxysilane and n-icosanepropyldiethoxysilane (a = 2, m = 2, n = 3);
Saturated alkylmethyldipropoxysilanes such as n-propylmethyldipropoxysilane, n-butylmethyldipropoxysilane, n-decylmethyldipropoxysilane, n-hexadecylmethyldipropoxysilane and n-icosanemethyldipropoxysilane (A = 2, m =
3, n = 1); n-propylethyldipropoxysilane, n-butylethyldipropoxysilane, n-decylethyldipropoxysilane, n-hexadecylethyldipropoxysilane, n-icosaneethyldipropoxysilane, etc. Saturated alkylethyldipropoxysilanes
(A = 2, m = 3, n = 2); n-butylpropyldipropoxysilane, n-decylpropyldipropoxysilane, n-hexadecylpropyldipropoxysilane, n
-Saturated alkylpropyldipropoxysilanes such as icosanepropyldipropoxysilane (a = 2, m = 3
n = 3);

【0041】n−プロピルトリメトキシシラン、n−ブ
チルトリメトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラ
ン、n−ヘキサデシルトリメトキシシラン、n−イコサ
ントリメトキシシランなどの飽和アルキルトリメトキシ
シラン類(a=3,m=1);n−プロピルトリエトキ
シシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−デシル
トリエトキシシラン、n−ヘキサデシルトリエトキシシ
ラン、n−イコサントリエトキシシランなどの飽和アル
キルトリエトキシシラン類(a=3,m=2);n−プ
ロピルトリプロポキシシラン、n−ブチルトリプロポキ
シシラン、n−デシルトリプロポキシシラン、n−ヘキ
サデシルトリプロポキシシラン、n−イコサントリプロ
ポキシシランなどの飽和アルキルトリプロポキシシラン
類(a=3,m=3)などを挙げることができ、これら
は、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用すること
ができる。
Saturated alkyltrimethoxysilanes (a = 3) such as n-propyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane and n-icosanetrimethoxysilane. , M = 1); saturated alkyltriethoxysilanes such as n-propyltriethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, and n-icosanetriethoxysilane ( a = 3, m = 2); saturated alkyltripropoxy such as n-propyltripropoxysilane, n-butyltripropoxysilane, n-decyltripropoxysilane, n-hexadecyltripropoxysilane, and n-icosanetripropoxysilane. Silanes (a = 3, m = ) And the like can be illustrated, these may be used alone or in combination of two or more.

【0042】これらのうち、n−ブチルトリメトキシシ
ラン、n−デシルトリメトキシシラン、n−ヘキサデシ
ルトリメトキシシラン、n−デシルジメチルメトキシシ
ラン、n−ヘキサデシルジメチルメトキシシラン、n−
ブチルトリエトキシシラン、n−デシルトリエトキシシ
ラン、n−ヘキサデシルトリエトキシシラン、n−デシ
ルエチルジエトキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジ
エトキシシラン、n−ブチルトリプロポキシシラン、n
−デシルトリプロポキシシラン、n−ヘキサデシルトリ
プロポキシシランなどが特に好ましい。
Of these, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n-
Butyltriethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-decylethyldiethoxysilane, n-hexadecylethyldiethoxysilane, n-butyltripropoxysilane, n
-Decyltripropoxysilane, n-hexadecyltripropoxysilane and the like are particularly preferable.

【0043】無機粒子含有樹脂組成物における接着助剤
の含有割合としては、無機粒子100重量部に対して、
0.001〜10重量部であることが好ましく、さらに
好ましくは0.001〜5重量部とされる。
The content ratio of the adhesion aid in the inorganic particle-containing resin composition is 100 parts by weight of the inorganic particles.
The amount is preferably 0.001 to 10 parts by weight, more preferably 0.001 to 5 parts by weight.

【0044】分散剤 無機粒子の分散剤としては、脂肪酸が好ましく用いられ
る。特に、炭素数8〜30の脂肪酸が好ましい。上記脂
肪酸の好ましい具体例としては、オクタン酸、ウンデシ
ル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ペン
タデカン酸、ステアリン酸、アラキン酸等の飽和脂肪
酸;エライジン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン
酸、アラキドン酸、カルボキシポリカプロラクトン(n
=2)モノアクリレートなどの不飽和脂肪酸を挙げるこ
とができ、これらは、単独でまたは2種以上を組み合わ
せて使用することができる。
Dispersant A fatty acid is preferably used as a dispersant for the inorganic particles. Particularly, fatty acids having 8 to 30 carbon atoms are preferable. Preferred specific examples of the above fatty acids include octanoic acid, undecyl acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, pentadecanoic acid, stearic acid, arachidic acid, and other saturated fatty acids; elaidic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, and arachidone. Acid, carboxypolycaprolactone (n
= 2) Unsaturated fatty acids such as monoacrylate can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more kinds.

【0045】無機粒子含有樹脂組成物における分散剤の
含有割合としては、無機粒子100重量部に対して、
0.001〜10重量部であることが好ましく、さらに
好ましくは0.01〜5重量部とされる。
The content ratio of the dispersant in the resin composition containing inorganic particles is 100 parts by weight of the inorganic particles.
The amount is preferably 0.001 to 10 parts by weight, more preferably 0.01 to 5 parts by weight.

【0046】本発明の無機粒子含有樹脂組成物は、本発
明の転写フィルムを製造するために特に好適に使用する
ことができる。
The inorganic particle-containing resin composition of the present invention can be particularly preferably used for producing the transfer film of the present invention.

【0047】本発明の転写フィルムは、本発明の無機粒
子含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾
燥して溶剤の一部または全部を除去して無機粒子含有樹
脂層を形成し、通常、当該無機粒子含有樹脂層上に保護
フィルムを設ける(圧着する)ことにより製造すること
ができる。
In the transfer film of the present invention, the inorganic particle-containing resin composition of the present invention is applied onto a support film, and the coating film is dried to remove a part or all of the solvent to form an inorganic particle-containing resin layer. However, usually, it can be manufactured by providing (compression-bonding) a protective film on the inorganic particle-containing resin layer.

【0048】無機粒子含有樹脂組成物を支持フィルム上
に塗布し、無機粒子含有樹脂層を得る方法としては、膜
厚の均一性に優れた膜厚の大きい(例えば1μm以上)
塗膜を効率よく形成することができるものであることが
好ましく、具体的には、ロールコータによる塗布方法、
ブレードコータによる塗布方法、スリットコータによる
塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ワイヤーコ
ータによる塗布方法などを好ましいものとして挙げるこ
とができる。塗膜の乾燥条件としては、50〜150℃
で0.5〜30分間程度とされ、乾燥後における溶剤の
残存割合(無機粒子含有樹脂層中の含有率)は、通常、
2質量%以下とされる。上記のようにして支持フィルム
上に形成される無機粒子含有樹脂層の膜厚は5〜300
μmであり、好ましくは8〜250μmであり、さらに
好ましくは10〜200μmである。
As a method of applying the resin composition containing inorganic particles onto a support film to obtain a resin layer containing inorganic particles, it is possible to obtain a resin film having excellent uniformity of film thickness and a large film thickness (for example, 1 μm or more).
It is preferable that the coating film can be efficiently formed, specifically, a coating method using a roll coater,
Preferred examples include a coating method using a blade coater, a coating method using a slit coater, a coating method using a curtain coater, and a coating method using a wire coater. The drying conditions for the coating film are 50 to 150 ° C.
And the residual ratio of the solvent after drying (content in the inorganic particle-containing resin layer) is usually 0.5 to 30 minutes.
It is set to 2% by mass or less. The inorganic particle-containing resin layer formed on the support film as described above has a thickness of 5 to 300.
μm, preferably 8-250 μm, and more preferably 10-200 μm.

【0049】<パターンの形成方法>本発明の転写フィ
ルムを用いて得られるパネル材料、すなわち、隔壁、電
極、蛍光体、抵抗体、カラーフィルター、ブラックスト
ライプ(マトリクス)などを形成する場合のパターンの
形成方法は、例えば、転写フィルムを構成する無機粒子
含有樹脂層が感光性を有する場合、〔1〕無機粒子含有
樹脂層の転写工程、〔2〕無機粒子含有樹脂層の露光工
程、〔3〕無機粒子含有樹脂層の現像工程、〔4〕無機
粒子含有樹脂層パターンの焼成工程の各工程を有する。 〔1〕無機粒子含有樹脂層の転写工程 転写工程では、本発明の転写フィルムを使用し、当該転
写フィルムを構成する無機粒子含有樹脂層を基板上に転
写する。基板材料としては、例えばガラス、シリコー
ン、アルミナなどからなる板状部材が用いられ、PDP
用にはガラス基板が用いられる。この板状部材の表面に
予め所望のパターンを形成したものを用いても差し支え
ない。基板表面に対しては、必要に応じて、シランカッ
プリング剤などによる薬品処理;プラズマ処理;イオン
プレーティング法、スパッタリング法、気相反応法、真
空蒸着法などによる薄膜形成処理のような適宜の前処理
を施していてもよい。転写工程の一例を示せば以下のと
おりである。必要に応じて使用される転写フィルムの保
護フィルムを剥離した後、基板上に、無機粒子含有樹脂
層の表面が当接されるように転写フィルムを重ね合わ
せ、この転写フィルムを加熱ローラなどにより熱圧着す
る。これにより、基板上に無機粒子含有樹脂層が転写さ
れて密着した状態となる。ここで、転写条件としては、
例えば、加熱ローラの表面温度が20〜140℃、加熱
ローラによるロール圧が1〜5kg/cm2 、加熱ロー
ラの移動速度が0.1〜10.0m/分を示すことがで
きる。また、基板は予熱されていてもよく、予熱温度と
しては例えば40〜100℃とすることができる。
<Pattern Forming Method> A panel material obtained by using the transfer film of the present invention, that is, a pattern for forming partition walls, electrodes, phosphors, resistors, color filters, black stripes (matrix), etc. The forming method is, for example, when the inorganic particle-containing resin layer forming the transfer film has photosensitivity, [1] the transfer step of the inorganic particle-containing resin layer, [2] the exposure step of the inorganic particle-containing resin layer, [3] Each step includes a developing step of the resin layer containing inorganic particles and a baking step [4] of the resin layer pattern containing inorganic particles. [1] Transfer Step of Inorganic Particle-Containing Resin Layer In the transferring step, the transfer film of the present invention is used, and the inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film is transferred onto the substrate. As the substrate material, for example, a plate-shaped member made of glass, silicone, alumina or the like is used.
A glass substrate is used for the purpose. A plate-shaped member having a desired pattern formed on its surface may be used. If necessary, a chemical treatment with a silane coupling agent or the like may be applied to the substrate surface; a plasma treatment; an appropriate thin film forming treatment such as an ion plating method, a sputtering method, a vapor phase reaction method, or a vacuum deposition method. Pretreatment may be performed. An example of the transfer process is as follows. After peeling off the protective film of the transfer film that is used as necessary, stack the transfer film on the substrate so that the surface of the resin layer containing the inorganic particles is in contact, and heat the transfer film with a heating roller or the like. Crimp. As a result, the inorganic particle-containing resin layer is transferred and closely adhered onto the substrate. Here, as the transfer condition,
For example, the surface temperature of the heating roller may be 20 to 140 ° C., the roll pressure by the heating roller may be 1 to 5 kg / cm 2 , and the moving speed of the heating roller may be 0.1 to 10.0 m / min. The substrate may be preheated, and the preheating temperature may be 40 to 100 ° C, for example.

【0050】〔2〕無機粒子含有樹脂層の露光工程 露光工程においては、無機粒子含有樹脂層の表面に、露
光用マスクを介して、放射線を選択的照射(露光)し
て、無機粒子含有樹脂層のパターンの潜像を形成する。
なお、転写層上の支持フィルムは露光工程の前に剥離除
去してもよく、また、露光工程の後、後述する現像工程
の前に剥離除去してもよいが、露光の際の酸素障害によ
る、結着樹脂の硬化速度の低下を防止するため、また露
光用マスクへの結着樹脂の付着を防止するため、転写層
上の支持フィルムは、露光工程の後、後述する現像工程
の前に剥離除去することが好ましい。露光工程において
放射線を選択的照射(露光)される放射線としては、可
視光線、紫外線、遠紫外線、電子線あるいはX線等を含
むものであり、好ましくは可視光線、紫外線および遠紫
外線が用いられ、さらに好ましくは紫外線が用いられ
る。露光用マスクの露光パターンは目的によって異なる
が、例えば、10〜500μm幅のストライプが用いら
れる。放射線照射装置としては、フォトリソグラフィー
法で使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶
表示装置を製造する際に使用されている露光装置など特
に限定されるものではない。
[2] Exposure Step of Inorganic Particle-Containing Resin Layer In the exposure step, the surface of the inorganic particle-containing resin layer is selectively irradiated (exposed) with radiation through an exposure mask to obtain an inorganic particle-containing resin layer. Form a latent image of the pattern of layers.
The support film on the transfer layer may be peeled and removed before the exposure step, or may be peeled and removed after the exposure step and before the developing step, which will be described later. In order to prevent a decrease in the curing rate of the binder resin and to prevent the binder resin from adhering to the exposure mask, the support film on the transfer layer is exposed after the exposure step and before the development step described later. It is preferable to remove by peeling. The radiation which is selectively irradiated (exposed) with the radiation in the exposure step includes visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like, and preferably visible rays, ultraviolet rays and far ultraviolet rays are used. More preferably, ultraviolet rays are used. The exposure pattern of the exposure mask varies depending on the purpose, but for example, a stripe having a width of 10 to 500 μm is used. The radiation irradiation device is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiation device used in the photolithography method and an exposure device used in manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device.

【0051】〔3〕無機粒子含有樹脂層の現像工程 現像工程においては、露光された無機粒子含有樹脂層を
現像処理することにより、無機粒子含有樹脂層のパター
ン(潜像)を顕在化させる。無機粒子含有樹脂層の現像
工程で使用される現像液としては、アルカリ現像液を使
用することができる。これにより、無機粒子含有樹脂層
に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に溶解除去する
ことができる。なお、無機粒子含有樹脂層に含有される
無機粒子は、アルカリ可溶性樹脂により均一に分散され
ているため、バインダーであるアルカリ可溶性樹脂を溶
解させ、洗浄することにより、無機粒子も同時に除去さ
れる。アルカリ現像液の有効成分としては、例えば水酸
化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン
酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸
水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水
素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素
ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ
酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリ
ウム、アンモニアなどの無機アルカリ性化合物;テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルアミ
ン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルア
ミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプ
ロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノールアミ
ンなどの有機アルカリ性化合物などを挙げることができ
る。無機粒子含有樹脂層の現像工程で使用されるアルカ
リ現像液は、前記アルカリ性化合物の1種または2種以
上を水などに溶解させることにより調製することができ
る。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ性化合
物の濃度は、通常0.001〜10質量%とされ、好ま
しくは0.01〜5質量%とされる。アルカリ現像液に
は、ノニオン系界面活性剤や有機溶剤などの添加剤が含
有されていてもよい。なお、アルカリ現像液による現像
処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。ま
た、必要に応じて現像処理後に無機粒子含有樹脂層パタ
ーン側面および基板露出部に残存する不要分を擦り取る
工程を含んでもよい。ここに、現像処理条件としては、
現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度、現像
方法(例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー
法、パドル法)、現像装置などを適宜選択することがで
きる。この現像工程により、無機粒子含有樹脂層残留部
と、無機粒子含有樹脂層除去部とから構成される無機粒
子含有樹脂層パターン(露光用マスクに対応するパター
ン)が形成される。
[3] Development Step of Inorganic Particle-Containing Resin Layer In the developing step, the exposed inorganic particle-containing resin layer is subjected to a development treatment to reveal the pattern (latent image) of the inorganic particle-containing resin layer. An alkaline developer can be used as the developer used in the step of developing the inorganic particle-containing resin layer. Thereby, the alkali-soluble resin contained in the inorganic particle-containing resin layer can be easily dissolved and removed. Since the inorganic particles contained in the inorganic particle-containing resin layer are uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic particles are simultaneously removed by dissolving the alkali-soluble resin as the binder and washing. Examples of the active ingredient of the alkaline developer include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate. Inorganic, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate, ammonia, etc. Alkaline compounds; tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopro Triethanolamine, and organic alkaline compounds such as ethanol amine. The alkaline developer used in the step of developing the resin layer containing inorganic particles can be prepared by dissolving one or more of the alkaline compounds in water or the like. Here, the concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10% by mass, preferably 0.01 to 5% by mass. The alkaline developer may contain additives such as nonionic surfactants and organic solvents. Incidentally, after the development processing with the alkaline developer, a washing treatment is usually carried out. Further, if necessary, a step of scraping off unnecessary parts remaining on the side surface of the inorganic particle-containing resin layer pattern and the exposed portion of the substrate after the development processing may be included. Here, as the development processing conditions,
The type / composition / concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the rocking method, the shower method, the spray method, the paddle method), the developing device and the like can be appropriately selected. By this developing step, an inorganic particle-containing resin layer pattern (a pattern corresponding to the exposure mask) composed of the inorganic particle-containing resin layer remaining portion and the inorganic particle-containing resin layer removing portion is formed.

【0052】〔4〕無機粒子含有樹脂層パターンの焼成
工程 この工程においては、無機粒子含有樹脂層パターンを焼
成処理して、パターンを形成する。これにより、無機粒
子含有樹脂層残留部中の有機物質が焼失して、基板の表
面に無機パターンを得ることができる。ここに、焼成処
理の温度としては、無機粒子含有樹脂層残留部中の有機
物質が焼失される温度であることが必要であり、通常、
大気中、400〜600℃とされる。また、焼成時間
は、通常10〜90分間とされる。
[4] Baking Step of Inorganic Particle-Containing Resin Layer Pattern In this step, the inorganic particle-containing resin layer pattern is baked to form a pattern. As a result, the organic substance in the residual portion of the resin layer containing the inorganic particles is burned off, and an inorganic pattern can be obtained on the surface of the substrate. Here, the temperature of the firing treatment needs to be a temperature at which the organic substance in the residual portion of the inorganic particle-containing resin layer is burned off, and usually,
The temperature is 400 to 600 ° C. in the atmosphere. The firing time is usually 10 to 90 minutes.

【0053】[0053]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において「部」は「質量部」を示す。重量平均
分子量(Mw)は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエー
ションクロマトグラフィー(GPC)(商品名HLC−
802A)により測定したポリスチレン換算の平均分子
量である。また、表面抵抗率は、三菱油化株式会社製ハ
イレスタMODEL HT-210において、HAプローブを用いて測
定した値である。なお、測定時の印可電圧は500Vで
測定した。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
The present invention is not limited to these. In the following, "part" means "part by mass". The weight average molecular weight (Mw) is gel permeation chromatography (GPC) manufactured by Tosoh Corporation (trade name: HLC-
It is an average molecular weight in terms of polystyrene measured by 802A). The surface resistivity is a value measured with a HA probe in Hiresta MODEL HT-210 manufactured by Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. The applied voltage at the time of measurement was 500V.

【0054】<実施例1> (1)無機粒子含有樹脂組成物の調製: (A)無機粒子として平均粒径0.3μmのCu−Fe
−Mn複合酸化物粒子(粒状)50部およびガラスフリ
ット50部、(B)アルカリ可溶性樹脂としてメタクリ
ル酸n−ブチル/メタクリル酸3−ヒドロキシプロピル
/メタクリル酸=60/20/20(質量%)共重合体
(Mw=100,000)36部、(C)溶剤としてプ
ロピレングリコールモノメチルエーテル150部、
(D)エチレン性不飽和基含有化合物としてトリメチロ
ールプロパントリアクリレート24部、(E)光重合開
始剤として2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−
(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン5
部、ならびに分散剤としてオレイン酸1部をビーズミル
で混練りした後、ステンレスメッシュ(25μm径)で
フィルタリングすることにより、ブラックストライプの
形成に用いる無機粒子含有樹脂組成物を調製した。
<Example 1> (1) Preparation of resin composition containing inorganic particles: (A) Cu-Fe having an average particle size of 0.3 μm as inorganic particles
-Mn composite oxide particles (granular) 50 parts, glass frit 50 parts, (B) n-butyl methacrylate / 3-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid = 60/20/20 (mass%) as an alkali-soluble resin 36 parts of polymer (Mw = 100,000), 150 parts of propylene glycol monomethyl ether as (C) solvent,
(D) 24 parts of trimethylolpropane triacrylate as an ethylenically unsaturated group-containing compound, (E) 2-benzyl-2-dimethylamino-1- as a photopolymerization initiator
(4-morpholinophenyl) -butan-1-one 5
Parts, and 1 part of oleic acid as a dispersant were kneaded with a bead mill and then filtered with a stainless mesh (diameter of 25 μm) to prepare an inorganic particle-containing resin composition used for forming black stripes.

【0055】(2)転写フィルムの作製:表面抵抗率が
2×10Ω/□であり、波長365nmの放射線に対
する透過率が71.2%である、離型PETフィルムよ
りなる支持フィルム(幅200mm、長さ30m、厚さ
38μm)上に、無機粒子含有樹脂組成物をブレードコ
ータを用いて塗布し、塗膜を100℃で5分間乾燥して
溶剤を完全に除去し、厚さ10μmの無機粒子含有樹脂
層を支持フィルム上に形成し、無機粒子含有樹脂層が支
持フィルム上に形成されてなる本発明の転写フィルムを
作製した。
(2) Preparation of transfer film: A support film (width) composed of a release PET film having a surface resistivity of 2 × 10 8 Ω / □ and a transmittance of 71.2% for radiation having a wavelength of 365 nm. 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm), the inorganic particle-containing resin composition is applied using a blade coater, the coating film is dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and the thickness of 10 μm. An inorganic particle-containing resin layer was formed on a support film, and an inorganic particle-containing resin layer was formed on the support film to prepare a transfer film of the present invention.

【0056】(3)無機粒子含有樹脂層の転写工程:上
記(2)で作製した転写フィルムを、作製した直後に6
インチパネル用のガラス基板の表面に、無機粒子含有樹
脂層の表面が当接されるよう転写フィルムを重ね合わ
せ、この転写フィルムを加熱ローラにより熱圧着した。
ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を1
20℃、ロール圧を4kg/cm2 、加熱ローラの移動
速度を0.5m/分とした。これにより、ガラス基板の
表面に無機粒子含有樹脂層が転写されて密着した状態と
なった。この無機粒子含有樹脂層について膜厚を測定し
たところ、10μm±1μmの範囲にあった。
(3) Transferring step of resin layer containing inorganic particles: Immediately after producing the transfer film produced in the above (2), 6
The transfer film was superposed on the surface of the glass substrate for inch panel so that the surface of the resin layer containing the inorganic particles was in contact, and the transfer film was thermocompression bonded by a heating roller.
Here, as the pressure bonding condition, the surface temperature of the heating roller is 1
The temperature was 20 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm 2 , and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. As a result, the resin layer containing the inorganic particles was transferred and brought into close contact with the surface of the glass substrate. When the film thickness of this inorganic particle-containing resin layer was measured, it was in the range of 10 μm ± 1 μm.

【0057】(4)無機粒子含有樹脂層の露光工程・現
像工程:無機粒子含有樹脂層に対して、露光用マスク
(50μm幅のストライプパターン)を介して、超高圧
水銀灯により、i線(波長365nmの紫外線)を照射
した。ここに、照射量は400mJ/cm2とした。
(4) Exposure Step / Development Step of Inorganic Particle-Containing Resin Layer: The inorganic particle-containing resin layer is exposed to an i-line (wavelength) with an ultrahigh pressure mercury lamp through an exposure mask (50 μm wide stripe pattern). (UV light of 365 nm). Here, the irradiation amount was 400 mJ / cm 2 .

【0058】露光工程の終了後、無機粒子含有樹脂層よ
り支持フィルムを剥離除去した後、露光処理された無機
粒子含有樹脂層に対して、0.5質量%の炭酸ナトリウ
ム水溶液(30℃)を現像液とするシャワー法により現
像処理を行った。次いで超純水による水洗処理を行い、
これにより、紫外線が照射されていない未硬化の無機粒
子含有樹脂層を除去しパターンを形成した。
After completion of the exposure step, the support film was peeled off from the inorganic particle-containing resin layer, and then 0.5% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) was added to the exposed inorganic particle-containing resin layer. Development processing was performed by a shower method using a developer. Next, wash with ultrapure water,
As a result, the uncured inorganic particle-containing resin layer that was not irradiated with ultraviolet rays was removed to form a pattern.

【0059】(5)無機粒子含有樹脂層パターンの焼成
工程:無機粒子含有樹脂層パターンが形成されたガラス
基板を焼成炉内で600℃の温度雰囲気下で30分間に
わたり焼成処理を行った。これにより、ガラス基板の表
面に無機粒子含有樹脂層パターンが形成されてなるパネ
ル材料が得られた。形成されたブラックストライプにつ
いて、光学顕微鏡観察を行ったところ、パターンの欠
損、欠落は観測されなかった。
(5) Step of firing the resin layer pattern containing inorganic particles: The glass substrate on which the resin layer pattern containing inorganic particles was formed was fired in a firing furnace at a temperature of 600 ° C. for 30 minutes. As a result, a panel material was obtained in which the inorganic particle-containing resin layer pattern was formed on the surface of the glass substrate. When the formed black stripes were observed under an optical microscope, no pattern defects or defects were observed.

【0060】<実施例2> (1)無機粒子含有樹脂組成物の調製: (A)無機粒子としてガラスフリット100部、(B)
アルカリ可溶性樹脂としてメタクリル酸n−ブチル/メ
タクリル酸3−ヒドロキシエチル/メタクリル酸/メタ
クリル酸2−オキシエチルコハク酸=50/20/20
/20(質量%)共重合体(Mw=100,000)2
0部、(C)溶剤としてプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート100部、可塑剤としてトリプロ
ピレングリコールジアクリレート10部および分散剤と
してオレイン酸5部をビーズミルで混練りした後、ステ
ンレスメッシュ(25μm径)でフィルタリングするこ
とにより、隔壁形成に用いる無機粒子含有樹脂組成物を
調製した。
<Example 2> (1) Preparation of resin composition containing inorganic particles: (A) 100 parts of glass frit as inorganic particles, (B)
As an alkali-soluble resin, n-butyl methacrylate / 3-hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid / 2-oxyethyl succinic acid methacrylate = 50/20/20
/ 20 (mass%) copolymer (Mw = 100,000) 2
0 parts, (C) 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, 10 parts of tripropylene glycol diacrylate as a plasticizer, and 5 parts of oleic acid as a dispersant were kneaded with a bead mill, and then filtered with a stainless mesh (25 μm diameter). By doing so, an inorganic particle-containing resin composition used for forming partition walls was prepared.

【0061】(2)レジスト組成物の調製 アルカリ可溶性樹脂としてn−ブチルメタクリレート/
メタクリル酸=85/15(質量%)共重合体(Mw=5
0,000)50部、エチレン性不飽和基含有化合物と
してペンタエリスリトールテトラアクリレート40部、
光重合開始剤として2−ベンジル−2−ジメチルアミノ
−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オ
ン5部および溶剤としてシクロヘキサノン150部とを
混練りすることにより、ペースト状のアルカリ現像型感
放射線性レジスト組成物を調整した。
(2) Preparation of resist composition n-butyl methacrylate / alkali-soluble resin /
Methacrylic acid = 85/15 (mass%) copolymer (Mw = 5
50,000) 50 parts, 40 parts of pentaerythritol tetraacrylate as an ethylenically unsaturated group-containing compound,
By mixing 5 parts of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as a photopolymerization initiator and 150 parts of cyclohexanone as a solvent, alkali development in a paste form was performed. A radiation-sensitive resist composition was prepared.

【0062】転写フィルムの作製 表面抵抗率が2×10Ω/□であり、波長365nm
の放射線に対する透過率が71.2%である、離型PE
Tフィルムよりなる支持フィルム(幅200mm、長さ
30m、厚さ38μm)に、上記(2)で得られたレジ
スト組成物をロールコータにより塗布して塗膜を形成
し、形成された塗膜を100℃で5分間乾燥することに
より溶剤を除去し、これにより、厚さ10μmのレジス
ト膜を支持フィルム上に形成した。その後、上記(1)
で得られた隔壁形成用の無機粒子含有樹脂組成物を当該
レジスト膜上に同様に塗布、乾燥し、厚さ200μmの
無機粒子含有樹脂層を形成した。ついで当該無機粒子含
有樹脂層上に、予め離型処理したPETよりなる保護フ
ィルム(幅200mm、長さ30m、厚さ25μm)を
貼りつけることにより、本発明の転写フィルムを製造し
た。
Preparation of Transfer Film The surface resistivity was 2 × 10 8 Ω / □ and the wavelength was 365 nm.
Release PE with a transmittance of 71.2% for
A support film (width 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of a T film is coated with the resist composition obtained in the above (2) by a roll coater to form a coating film, and the formed coating film is The solvent was removed by drying at 100 ° C. for 5 minutes, whereby a resist film having a thickness of 10 μm was formed on the support film. Then, above (1)
The inorganic particle-containing resin composition for forming partition walls obtained in the above step was similarly applied onto the resist film and dried to form an inorganic particle-containing resin layer having a thickness of 200 μm. Then, a transfer film of the present invention was manufactured by sticking a protective film (width 200 mm, length 30 m, thickness 25 μm) made of PET on the inorganic particle-containing resin layer, which was previously subjected to a release treatment.

【0063】(4)無機粒子含有樹脂層の転写工程:上
記(3)により得られた転写フィルムから保護フィルム
を剥離した後、6インチパネル用のガラス基板の表面
に、無機粒子含有樹脂層の表面が当接されるよう転写フ
ィルムを重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラに
より熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ロー
ラの表面温度を120℃、ロール圧を4kg/cm2
加熱ローラの移動速度を0.5m/分とした。これによ
り、ガラス基板の表面に無機粒子含有樹脂層が転写され
て密着した状態となった。
(4) Inorganic particle-containing resin layer transfer step: After removing the protective film from the transfer film obtained in (3) above, the inorganic particle-containing resin layer was formed on the surface of the glass substrate for a 6-inch panel. The transfer films were superposed so that the surfaces were in contact with each other, and the transfer films were thermocompression bonded by a heating roller. Here, as the pressure bonding conditions, the surface temperature of the heating roller is 120 ° C., the roll pressure is 4 kg / cm 2 ,
The moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. As a result, the resin layer containing the inorganic particles was transferred and brought into close contact with the surface of the glass substrate.

【0064】(5)レジスト膜の露光工程・現像工程:
上記レジスト膜に対して、露光用マスク(50μm幅の
ストライプパターン)を介して、超高圧水銀灯により、
i線(波長365nmの紫外線)を照射した。ここに、
照射量は400mJ/cm2とした。
(5) Exposure and development steps of resist film:
Through the exposure mask (50 μm wide stripe pattern), an ultrahigh pressure mercury lamp was used to expose the resist film.
Irradiation with i-line (ultraviolet ray having a wavelength of 365 nm) was performed. here,
The irradiation dose was 400 mJ / cm 2 .

【0065】露光工程の終了後、無機粒子含有樹脂層よ
り支持フィルムを剥離除去した後、露光処理されたレジ
スト層に対して、0.5質量%の炭酸ナトリウム水溶液
(30℃)を現像液とするシャワー法により現像処理を
行った。次いで超純水による水洗処理を行い、これによ
り、紫外線が照射されていない未硬化の無機粒子含有樹
脂層を除去しパターンを形成した。
After completion of the exposure step, the support film was peeled off from the inorganic particle-containing resin layer, and a 0.5 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) was used as a developing solution for the resist layer subjected to the exposure treatment. Was developed by the shower method. Then, a water washing treatment with ultrapure water was performed, whereby the uncured inorganic particle-containing resin layer not irradiated with ultraviolet rays was removed to form a pattern.

【0066】(6)無機粒子含有樹脂層パターンの焼成
工程:無機粒子含有樹脂層パターンが形成されたガラス
基板を焼成炉内で600℃の温度雰囲気下で30分間に
わたり焼成処理を行った。これにより、ガラス基板の表
面に無機粒子含有樹脂層パターンが形成されてなるパネ
ル材料が得られた。形成された隔壁パターンについて、
光学顕微鏡観察を行ったところ、パターンの欠損、欠落
は観測されなかった。
(6) Step of firing the resin layer pattern containing inorganic particles: The glass substrate on which the resin layer pattern containing inorganic particles was formed was fired in a firing furnace at a temperature of 600 ° C. for 30 minutes. As a result, a panel material was obtained in which the inorganic particle-containing resin layer pattern was formed on the surface of the glass substrate. Regarding the formed partition pattern,
When observed with an optical microscope, no pattern defects or defects were observed.

【0067】<実施例3> (A)無機粒子として、Ag粒子(粒状)95部、平均
粒径3μmのBi2 3 −ZnO−B23 −SiO2
−Al23 系低融点ガラスフリット(不定形、軟化点
520℃)5部を用いたこと以外は実施例1と同様にし
て、無機粒子含有組成物を調製した。当該無機粒子含有
組成物を用い、表面抵抗率が3×10Ω/□であり、
波長365nmの放射線に対する透過率が75.9%で
ある、離型PETフィルムよりなる支持フィルム(幅2
00mm、長さ30m、厚さ38μm)を用いたこと以
外は、実施例1と同様にして、転写フィルムを作製し
た。当該転写フィルムを用いたこと以外は実施例1と同
様にして、無機粒子含有樹脂層の転写工程および無機粒
子含有樹脂層の露光工程・現像・焼成工程を行い、銀電
極パターンを形成した。形成した銀電極パターンについ
て、光学顕微鏡観察を行ったところ、パターンの欠損、
欠落は観測されなかった。
<Example 3> (A) As inorganic particles, 95 parts of Ag particles (granular), average
Bi with a particle size of 3 μm2 O 3 -ZnO-B2 O3 -SiO2 
-Al2 O3 System low melting point glass frit (amorphous, softening point
(520 ° C.) Same as Example 1 except using 5 parts
Thus, a composition containing inorganic particles was prepared. Containing the inorganic particles
Surface resistivity of the composition is 3 × 107Ω / □,
With a transmittance of 75.9% for radiation of wavelength 365 nm
A supporting film made of a release PET film (width 2
00 mm, length 30 m, thickness 38 μm)
A transfer film was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.
It was Same as Example 1 except that the transfer film was used.
In the same manner, the transfer process of the inorganic particle-containing resin layer and the inorganic particles
The silver-containing resin layer is exposed, developed, and baked to
A polar pattern was formed. About the formed silver electrode pattern
Then, when observing with an optical microscope, pattern defects,
No omission was observed.

【0068】<比較例1>表面抵抗率が1014Ω/□
であり、波長365nmの放射線に対する透過率が8
1.1%である、離型PETフィルムからなる支持フィ
ルムを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、転写
フィルムを作製した。作製した転写フィルムを用いて実
施例1と同様にしてブラックストライプを形成したとこ
ろ、パターンに欠損や欠落が発生して良好のパターン形
状を持つブラックストライプを得ることができなかっ
た。
Comparative Example 1 Surface resistivity is 10 14 Ω / □
And the transmittance for radiation of wavelength 365 nm is 8
A transfer film was produced in the same manner as in Example 1 except that a supporting film made of a release PET film, which was 1.1%, was used. When a black stripe was formed using the produced transfer film in the same manner as in Example 1, the pattern had defects or omissions, and a black stripe having a good pattern shape could not be obtained.

【0069】<比較例2>表面抵抗率が1014Ω/□
であり、波長365nmの放射線に対する透過率が8
1.1%である、離型PETフィルムからなる支持フィ
ルムを用いたこと以外は、実施例2と同様にして転写フ
ィルムを作製した。作製した転写フィルムを用いて実施
例2と同様にして隔壁を形成したところ、パターンに欠
損や欠落が発生して良好なパターン形状を持つ隔壁を得
ることができなかった。
<Comparative Example 2> Surface resistivity of 10 14 Ω / □
And the transmittance for radiation of wavelength 365 nm is 8
A transfer film was produced in the same manner as in Example 2 except that a supporting film made of a release PET film, which was 1.1%, was used. When barrier ribs were formed using the produced transfer film in the same manner as in Example 2, the barrier ribs having a good pattern shape could not be obtained because the pattern was defective or missing.

【0070】<比較例3>表面抵抗率が1014Ω/□
であり、波長365nmの放射線に対する透過率が8
1.1%である、離型PETフィルムからなる支持フィ
ルムを用いたこと以外は、実施例3と同様にして転写フ
ィルムを作製した。作製した転写フィルムを用いて実施
例3と同様にして銀電極を形成したところ、パターンに
欠損や欠落が発生して良好なパターン形状を持つ隔壁を
得ることができなかった。
<Comparative Example 3> Surface resistivity of 10 14 Ω / □
And the transmittance for radiation of wavelength 365 nm is 8
A transfer film was produced in the same manner as in Example 3 except that a supporting film made of a release PET film, which was 1.1%, was used. When a silver electrode was formed by using the produced transfer film in the same manner as in Example 3, the pattern was defective or missing, and the partition wall having a good pattern shape could not be obtained.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明の転写フィルムによれば、パター
ンに欠陥を発生せず良好な形状を持つパターンを簡便に
形成することができる。本発明の転写フィルムは、PD
Pの誘電体、電極、蛍光体、カラーフィルター、隔壁お
よびブラックストライプ(マトリクス)形成のために好
適に使用することができる。また、PDPの他、LC
D、有機EL素子、プリント回路基板、多層回路基板、
マルチチップモジュールおよびLSIなどにおけるパタ
ーンの形成にも好適に使用することができる。
According to the transfer film of the present invention, it is possible to easily form a pattern having a good shape without causing defects in the pattern. The transfer film of the present invention is PD
It can be suitably used for forming the P dielectric, electrode, phosphor, color filter, partition wall and black stripe (matrix). In addition to PDP, LC
D, organic EL element, printed circuit board, multilayer circuit board,
It can also be suitably used for forming a pattern in a multi-chip module, an LSI or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 交流型のプラズマディスプレイパネルの断面
形状を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a cross-sectional shape of an AC type plasma display panel.

【符号の説明】 1 ガラス基板(前面基板) 2 ガラス基
板(背面基板) 3 隔壁 4 透明電極 5 バス電極 6 アドレス
電極 7 蛍光体 8 誘電体層
(前面基板) 9 誘電体層(背面基板) 10 保護膜
[Description of Reference Signs] 1 glass substrate (front substrate) 2 glass substrate (rear substrate) 3 partition wall 4 transparent electrode 5 bus electrode 6 address electrode 7 phosphor 8 dielectric layer (front substrate) 9 dielectric layer (rear substrate) 10 Protective film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野間 節子 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 4F100 AA00B AA00H AA33 AG00 AK01A AK01B AK01C AK25 AK42 AL01 AR00C AT00 AT00A BA03 BA07 BA10C CA10 DE01 DE01B DE01H EH46 EJ86 GB41 JB14 JG04A JG04C JL02 JL05 JL14 JN01A YY00A YY00C 5C027 AA01 AA05 AA09 AA10 5C040 GC18 GD07 GF18 JA09 JA19 KA14 KB06 KB13 KB29 MA23   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Setsuko Noma             2-11-21 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo J             Within SRL Co., Ltd. F-term (reference) 4F100 AA00B AA00H AA33 AG00                       AK01A AK01B AK01C AK25                       AK42 AL01 AR00C AT00                       AT00A BA03 BA07 BA10C                       CA10 DE01 DE01B DE01H                       EH46 EJ86 GB41 JB14 JG04A                       JG04C JL02 JL05 JL14                       JN01A YY00A YY00C                 5C027 AA01 AA05 AA09 AA10                 5C040 GC18 GD07 GF18 JA09 JA19                       KA14 KB06 KB13 KB29 MA23

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持フィルム、無機粒子含有樹脂層およ
び保護フィルムを有し、当該支持フィルムおよび/また
は保護フィルムの表面抵抗率が1012Ω/□以下であ
ることを特徴とする転写フィルム。
1. A transfer film comprising a support film, a resin layer containing inorganic particles and a protective film, wherein the surface resistivity of the support film and / or the protective film is 10 12 Ω / □ or less.
【請求項2】 支持フィルムの波長365nmの放射線
に対する透過率が、50%以上であることを特徴とす
る、請求項1記載の転写フィルム。
2. The transfer film according to claim 1, wherein the support film has a transmittance of 50% or more for radiation having a wavelength of 365 nm.
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