JP2003068679A - Semiconductor wafer dicing method and polymer porous film to be used therefor - Google Patents
Semiconductor wafer dicing method and polymer porous film to be used thereforInfo
- Publication number
- JP2003068679A JP2003068679A JP2001256315A JP2001256315A JP2003068679A JP 2003068679 A JP2003068679 A JP 2003068679A JP 2001256315 A JP2001256315 A JP 2001256315A JP 2001256315 A JP2001256315 A JP 2001256315A JP 2003068679 A JP2003068679 A JP 2003068679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- porous film
- dicing
- polymer
- porosity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＰＵ、メモリ、
ダイオード、トランジスタなどの半導体素子を形成した
シリコン等の半導体ウエハをダイシングする方法及びそ
のダイシング方法に用いる固定具である半導体ウエハダ
イシング用高分子多孔質膜に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a CPU, a memory,
The present invention relates to a method for dicing a semiconductor wafer such as silicon on which semiconductor elements such as diodes and transistors are formed, and a polymeric porous film for semiconductor wafer dicing, which is a fixture used in the dicing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子はシリコン等の半導体ウエハ
上に格子状に一括して複数個の回路パターンを形成し、
ダイシングソウと呼ばれる回転歯により切断され各素子
に切断・分割される。このとき、塩化ビニルやポリエス
テル等のベーステープに粘着剤が塗布されたダイシング
テープ上に半導体ウエハを固定し、切断後各素子はコレ
ットと呼ばれる吸引治具によりピックアップされ次工程
へ搬送される。このダイシングテープは切断時にはダイ
シングソウによる回転で各素子が飛散しない十分な粘着
力が必要である一方、ピックアップ時には各素子に負荷
がかからない程度の低い粘着力であるといった相反する
要求を満足する必要がある。そのため従来使用されてい
る感圧タイプのダイシングテープの場合は粘着力の公差
を小さくし、素子のサイズや加工条件に合った各種粘着
力のものを多品種揃え、工程毎に切替えるといった操作
をしている。また、近年はＵＶタイプと呼ばれ、切断時
には高粘着力で、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）
を照射し粘着力を数分の一から十分の一以下に下げ相反
する要求に応えるダイシングテープも広く採用されてい
る。ところが、感圧タイプの場合は品種を多く在庫しな
ければならないため在庫管理が必要であり、また工程毎
に切替え作業が必要となる。また、近年、半導体素子、
特にＣＰＵやメモリは大容量化が進み、その結果素子の
サイズが大型化する傾向にある。さらに、ＩＣカードあ
るいはメモリーカード等の製品では使用されるメモリの
薄型化が進んでいる。これらの素子の大型化や薄型化に
伴い、感圧タイプではダイシング時に固定力（高粘着
力）とピックアップ時の剥離性（低粘着力）という相反
する要求を満足できなくなってきている。また、ＵＶタ
イプでも照射による粘着力低下にバラツキがあったり、
あるいは粘着力が低下しても数ｇの粘着力は残るため、
ピックアップ時には下からピンで突上げる必要があり、
そのため従来でも突上げピンによる素子のダメージは皆
無ではなかった。さらに、素子の大型化、薄型化が進み
突上げピンによるダメージが顕著になり、その対策が重
要になってきている。本発明者らは多孔質材を用い減圧
で半導体ウエハおよび素子を固定する半導体ウエハダイ
シング方法を提案しているが、この方法では突上げピン
を使用せずにピックアップすることが可能になったが、
多孔質材を製造する方法として、加熱した針により全面
に穴を開ける方法は穴径を更に小さくしたり、穴開けの
間隔を細かくすることが困難で対応出来るチップサイズ
が限定された。一方、多孔質材として一般的な焼結シー
トは、一旦、焼結ブロックを作製した後切削加工により
フィルム状にするため長尺化が困難である。また圧縮し
たフォームの場合も、通常プレスにより製造されるため
長尺化が困難であり、連続的な生産ができずにコストが
上がったり、半導体ウエハダイシングを行うラインの改
造や切替え頻度の上昇によるコスト上昇が発生し好まし
くない。2. Description of the Related Art A semiconductor element has a plurality of circuit patterns collectively formed in a lattice on a semiconductor wafer such as silicon.
It is cut by a rotating tooth called a dicing saw and cut and divided into each element. At this time, the semiconductor wafer is fixed on a dicing tape in which a base tape such as vinyl chloride or polyester is coated with an adhesive, and after cutting, each element is picked up by a suction jig called a collet and conveyed to the next step. This dicing tape needs to have sufficient adhesive force so that each element does not scatter due to rotation by the dicing saw at the time of cutting, but it needs to satisfy conflicting requirements such as low adhesive force so that each element is not loaded at the time of pickup. is there. Therefore, in the case of the pressure-sensitive type dicing tape that has been used conventionally, the tolerance of the adhesive strength should be reduced, and various adhesives with various adhesive strengths that match the element size and processing conditions should be prepared and switched for each process. ing. In addition, it is called UV type in recent years, and it has a high adhesive force when cutting, and ultraviolet rays (UV) before it is picked up.
Is also widely used to meet the contradictory requirements by irradiating the surface with the adhesive force to reduce the adhesive force from a fraction of a tenth to a tenth or less. However, in the case of the pressure-sensitive type, a large number of types must be stocked, so inventory management is necessary, and switching work is required for each process. In addition, in recent years, semiconductor elements,
In particular, the capacity of CPUs and memories is increasing, and as a result, the size of elements tends to increase. Furthermore, in products such as IC cards and memory cards, the memory used is becoming thinner. With the increase in size and thickness of these elements, the pressure-sensitive type cannot satisfy the contradictory requirements of a fixing force (high adhesive force) during dicing and a peeling property (low adhesive force) during pickup. In addition, even in the UV type, there are variations in the adhesive strength reduction due to irradiation,
Or even if the adhesive strength decreases, several g of adhesive strength remains, so
It is necessary to push up with a pin from the bottom when picking up,
Therefore, even in the past, the element was not damaged by the push-up pin. Further, as the element becomes larger and thinner, the damage caused by the push-up pin becomes remarkable, and countermeasures against it are becoming important. The present inventors have proposed a semiconductor wafer dicing method of fixing a semiconductor wafer and an element under reduced pressure using a porous material, but this method makes it possible to pick up without using a push-up pin. ,
As a method for producing a porous material, a method of making holes on the entire surface with a heated needle makes it difficult to further reduce the hole diameter or make the intervals of making holes small, and thus the applicable chip size is limited. On the other hand, a general sintered sheet as a porous material is difficult to be elongated because a sintered block is once produced and then cut into a film. Also, in the case of compressed foam, it is difficult to lengthen it because it is usually manufactured by pressing, and it is not possible to perform continuous production, resulting in higher costs, and costs due to the modification of the line for semiconductor wafer dicing and the increase in switching frequency. This is not preferable because it causes an increase.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述の問題を
鑑みなされたもので、その目的は量産性に優れ、半導体
ウエハの切断時は素子が飛散せず、素子をピックアップ
により分割するときに素子にダメージを与えない半導体
ウエハダイシング方法及びそのための固定具として用い
る高分子多孔質膜を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its object is excellent in mass productivity, the elements do not scatter when a semiconductor wafer is cut, and the elements are separated by a pickup. It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer dicing method that does not damage an element and a polymer porous film used as a fixture therefor.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、［１］半導体
ウエハをダイシングにより素子に分割するに際し、減圧
することで半導体ウエハおよび素子を固定する半導体ウ
エハダイシング方法において、減圧装置のステージと半
導体ウエハの間に、焼結法で形成された気孔率が１０〜
５０％で、通気度が０．１〜１００秒である多孔質フィ
ルムに、剥離力が５０ｇｆ以下となる粘着層を設けた高
分子多孔質膜を介在させたことを特徴とする半導体ウエ
ハダイシング方法である。この場合、高分子多孔質膜
は、粘着層を設けない多孔質フィルムとすることもでき
る。また、［２］減圧装置のステージと半導体ウエハの
間に高分子多孔質膜を介在させ、さらに高分子多孔質膜
を高強度の多孔質支持体上に固定してなる上記［１］に
記載の半導体ウエハダイシング方法である。この場合、
高分子多孔質膜は、粘着層を設けない多孔質フィルムと
することもできる。さらに本発明は、［３］分散媒に微
粒子を分散させたスラリーをキャリア上に連続的に塗布
した後、分散媒の乾燥、焼結を行い気孔率が１０〜５０
％で、通気度が０．１〜１００秒である多孔質フィルム
に剥離力が５０ｇｆ以下となる粘着層を設けた半導体ウ
エハダイシング用高分子多孔質膜である。この場合、高
分子多孔質膜は、粘着層を設けない多孔質フィルムとし
てもよい。そして、［４］微粒子の平均粒径が５０μｍ
以下であり、材質が有機高分子である上記［３］に記載
の半導体ウエハダイシング用高分子多孔質膜である。こ
の場合も、高分子多孔質膜は、粘着層を設けない多孔質
フィルムとしてもよい。According to the present invention, there is provided a semiconductor wafer dicing method comprising: [1] a semiconductor wafer dicing method for fixing a semiconductor wafer and an element by decompressing when dividing the semiconductor wafer into elements by dicing. Between the wafers, the porosity formed by the sintering method is 10 to 10.
A method for dicing a semiconductor wafer, characterized in that a polymer porous film provided with an adhesive layer having a peeling force of 50 gf or less is interposed in a porous film having 50% and an air permeability of 0.1 to 100 seconds. Is. In this case, the polymer porous membrane may be a porous film having no adhesive layer. [2] The polymer porous film is interposed between a stage of a decompression device and a semiconductor wafer, and the polymer porous film is fixed on a high-strength porous support. Is a semiconductor wafer dicing method. in this case,
The polymer porous film may be a porous film having no adhesive layer. Further, according to the present invention, [3] a slurry in which fine particles are dispersed in a dispersion medium is continuously applied on a carrier, and then the dispersion medium is dried and sintered to obtain a porosity of 10 to 50.
%, A polymer porous membrane for semiconductor wafer dicing, comprising a porous film having an air permeability of 0.1 to 100 seconds and an adhesive layer having a peel force of 50 gf or less. In this case, the polymer porous film may be a porous film having no adhesive layer. [4] The average particle size of the fine particles is 50 μm
The polymer porous film for semiconductor wafer dicing according to the above [3], wherein the material is an organic polymer. Also in this case, the polymer porous membrane may be a porous film having no adhesive layer.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明は、半導体ウエハをダイシ
ングにより素子に分割するに際し、減圧することで半導
体ウエハおよび素子を固定する半導体ウエハダイシング
方法において、減圧する装置のステージと半導体ウエハ
（または素子）の間に、焼結法で形成し常圧時に分割さ
れた素子のばらけ防止のため弱粘着性を有し、気孔率が
１０％から５０％であり、通気度が０．１秒から１００
秒であり、製膜方法が分散媒に微粒子を分散させたスラ
リーをキャリア上に連続的に塗布した後、分散媒の乾
燥、焼結をして得られる多孔質フィルムに粘着層を設け
た高分子多孔質膜を介在させてダイシングする半導体ウ
エハダイシング方法であり、そのための固定具として用
いる高分子多孔質膜である。本発明について図面を用い
て説明する。図１は、本発明の半導体ウエハダイシング
方法で用いるダイシング装置（一部）の一例を示した断
面図である。図１において、半導体ウエハ１が、高分子
多孔質膜２及び多孔質支持体３を介して減圧ステージ４
の上に載置されている。減圧ステージは、パイプ等の減
圧系介在部品５を介して真空ポンプ６に連結されてい
る。なお、図１には、ダイシングするためのカッター装
置、半導体ウエハや素子の搬送装置は図示されていな
い。本発明において、減圧は、水封ポンプやツールポン
プあるいは油回転ホンプといった各種真空ポンプを用い
て行うことができる。真空ポンプ等による減圧で、切断
・分割する半導体ウエハを設置する台である減圧ステー
ジに固定するが、このとき、真空ラインと半導体ウエハ
の間に高分子多孔質膜を介在させると設置面が均一に減
圧するため、半導体ウエハや素子の破断や飛びといった
現象を防ぐことができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer dicing method for fixing a semiconductor wafer and an element by decompressing the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is divided into elements by dicing. ), Has a weak adhesive property to prevent the elements formed by the sintering method and divided at normal pressure from falling apart, and has a porosity of 10% to 50% and an air permeability of 0.1 seconds to 100
The film forming method is a coating method in which a slurry in which fine particles are dispersed in a dispersion medium is continuously applied on a carrier, and then the dispersion medium is dried and sintered to form an adhesive layer on a porous film. It is a semiconductor wafer dicing method for dicing with a molecular porous film interposed, and is a polymer porous film used as a fixture therefor. The present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of a dicing device (a part) used in the semiconductor wafer dicing method of the present invention. In FIG. 1, a semiconductor wafer 1 has a decompression stage 4 through a polymer porous membrane 2 and a porous support 3.
Is placed on. The decompression stage is connected to a vacuum pump 6 via a decompression system intervening component 5 such as a pipe. It should be noted that FIG. 1 does not show a cutter device for dicing, a semiconductor wafer or an element transfer device. In the present invention, depressurization can be performed using various vacuum pumps such as a water ring pump, a tool pump, and an oil rotary pump. It is fixed to a decompression stage, which is a table on which the semiconductor wafer to be cut and divided is installed by decompressing with a vacuum pump etc. At this time, if a polymer porous film is interposed between the vacuum line and the semiconductor wafer, the installation surface will be uniform. Since the pressure is reduced to 1, it is possible to prevent a phenomenon such as breakage or flying of the semiconductor wafer or the element.
【０００６】本発明において、微粒子としてはセラミッ
クや金属および有機高分子が挙げられる。特に有機高分
子は他の材料と比較して低温で焼結できることから望ま
しい。有機高分子は、熱可塑性樹脂ないし熱硬化性樹脂
の粉末であり、例えばポリテトラフルオロエチレン、ポ
リ−４−フッ化エチレン−６−フッ化プロピレン共重合
体などのフッ素樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ−４−メチル−１−ペンテンなどのポリオレフィン
系樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹
脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケ
トン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリサル
フォン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂などの粒子
が好適に用いられる。これらを単独で用いてもよく、ま
た２種類以上を混合してもかまわない。この中でも超高
分子量ポリエチレンが多孔質フィルムに成形しやすく耐
熱性があるので特に好ましい。超高分子量ポリエチレン
の平均分子量は粘度法による測定で１００〜５００万と
一般のポリエチレンの２〜２０万に比べて極めて大きい
分子量を持つものであり、例えば三井石油化学工業株式
会社（ハイゼックスミリオン、ミペロン）、旭化成工業
株式会社（サンテック）、***ヘキスト社（ＨＯＳＴＡ
ＬＥＮ．ＧＵＲ）、米国ハーキュレス社（ＨＩＦＡＸ．
１０００）など上市しているものが挙げられる。これら
の微粒子の大きさは目的とする多孔質フィルムの厚みに
より適宜選択すれば良いが、ダイシング用途では一般に
５０〜２００μｍの厚みが望ましい。そのため使用する
微粒子の粒径は５０μｍ以下が望ましい。５０μｍを超
えると、前述した厚みのフィルムを作製することが困難
となる。In the present invention, the fine particles include ceramics, metals and organic polymers. In particular, organic polymers are desirable because they can be sintered at a lower temperature than other materials. The organic polymer is a powder of a thermoplastic resin or a thermosetting resin, for example, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene, poly-4-fluoroethylene-6-fluoropropylene copolymer, polyethylene, polypropylene,
Polyolefin resin such as poly-4-methyl-1-pentene, polystyrene resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, polyether ether ketone resin, polyphenylene sulfide resin, polysulfone resin, polyimide resin, polyester resin, epoxy resin, bis Particles of maleimide / triazine resin or the like are preferably used. These may be used alone, or two or more kinds may be mixed. Among these, ultra-high molecular weight polyethylene is particularly preferable because it is easy to form into a porous film and has heat resistance. Ultrahigh molecular weight polyethylene has an average molecular weight of 1 to 5,000,000 as measured by a viscosity method, which is extremely larger than that of general polyethylene of 2 to 200,000. For example, Mitsui Petrochemical Industry Co., Ltd. (Hi-Zex Million, Miperon) ), Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd. (Suntec), West Germany Hoechst (HOSTA)
LEN. GUR), Hercules, Inc. (HIFAX.
1000) such as those on the market. The size of these fine particles may be appropriately selected according to the intended thickness of the porous film, but for dicing applications, a thickness of 50 to 200 μm is generally desirable. Therefore, the particle size of the fine particles used is preferably 50 μm or less. When it exceeds 50 μm, it becomes difficult to produce a film having the above-mentioned thickness.
【０００７】本発明で使用する多孔質フィルムは、分散
媒に前述の微粒子を分散させたスラリーをキャリア上に
連続的に塗布した後、分散媒の乾燥、焼結することで製
造することができる。ここで分散媒として用いられる液
体は樹脂粉末の溶解度が小さく、それらへの濡れ性がよ
く、かつ、それらとの密度の差が少ないものが好まし
い。具体的には、トルエン、キシレン、ヘキサン、メチ
ルエチルケトンあるいはブタノールなどの各種有機溶
媒、界面活性剤を添加した水等が用いられる。スラリー
は微粒子が凝集していない場合は、一般流体用攪拌機の
プロペラミキサー、タービンミキサーやディゾルバーで
混合すればよく、凝集している場合には高速回転高剪断
型攪拌分散機を用いればよい。そして、微粒子と分散媒
からなるスラリーを金属やプラスチックフィルム等の長
尺基材もしくはエンドレスベルトからなるキャリア上に
コンマコータ、ダイコータ、ロールバー、Ｌ字バー等を
用いて塗布し、この塗布物を乾燥して液体を除去し、次
いで微粒子を焼結させる。これを連続的に行うことで長
尺の多孔質フィルムを得ることができる。このようにし
て得られる多孔質フィルムの気孔率、通気性は、加熱温
度、加熱時間を変えることにより変化させることがで
き、加熱温度、加熱時間が長いほど得られる多孔質フィ
ルムの気孔率は小さくなるので、これらを調整すること
により所望の気孔率の多孔質フィルムを得ることができ
る。The porous film used in the present invention can be produced by continuously coating a carrier with a slurry prepared by dispersing the aforementioned fine particles in a dispersion medium, and then drying and sintering the dispersion medium. . It is preferable that the liquid used as the dispersion medium has a low solubility of the resin powder, a good wettability to them, and a small difference in density with them. Specifically, various organic solvents such as toluene, xylene, hexane, methyl ethyl ketone or butanol, and water containing a surfactant are used. When the fine particles are not aggregated in the slurry, they may be mixed with a propeller mixer, turbine mixer or dissolver of a stirrer for general fluid, and when they are aggregated, a high-speed rotating high-shear type stirring / dispersing machine may be used. Then, a slurry consisting of fine particles and a dispersion medium is applied onto a long base material such as a metal or plastic film or a carrier consisting of an endless belt by using a comma coater, a die coater, a roll bar, an L-shaped bar or the like, and the coated product is dried. To remove the liquid and then sinter the particulates. By continuously performing this, a long porous film can be obtained. The porosity and air permeability of the porous film thus obtained can be changed by changing the heating temperature and the heating time. The longer the heating temperature and the lower the heating time, the smaller the porosity of the obtained porous film. Therefore, by adjusting these, a porous film having a desired porosity can be obtained.
【０００８】気孔率は式（１）、（２）により算出す
る。
気孔率＝（空孔容積÷膜全容積）×１００ ・・・・・（１）
空孔容積＝膜全容積−（膜重量÷樹脂密度） ・・・・・（２）
以上の方法で求めた気孔率が、１０％から５０％、好ま
しくは２０％から４５％であることが望ましい。１０％
未満では、減圧してもウエハや素子を十分に固定するこ
とができずダイシング時にウエハやチップがずれたり、
著しい時にはチップが飛んだりする。また５０％を超え
て大きい時は多孔質フィルムの強度が不十分となり、製
膜できなかったり、ダイシング時や搬送時にフィルムが
切れたりする場合がある。The porosity is calculated by the equations (1) and (2). Porosity = (pore volume ÷ total membrane volume) × 100 (1) Pore volume = total membrane volume− (membrane weight ÷ resin density) (2) Obtained by the above method It is desirable that the porosity is 10% to 50%, preferably 20% to 45%. 10%
If the pressure is less than 1, the wafer or element cannot be sufficiently fixed even if the pressure is reduced, and the wafer or chip may shift during dicing,
Chips fly off at remarkable times. On the other hand, when it is larger than 50%, the strength of the porous film becomes insufficient, and the film may not be formed, or the film may be broken during dicing or transportation.
【０００９】通気度はＪＩＳ Ｐ８１１７に従って測定
する。市販の測定機材として、東洋精機製作所製Ｂ型ガ
ーレ式デンソーメータ（商品名）を用いた。以上の方法
で求めた通気度が通気度が０．１秒から１００秒、好ま
しくは１秒から５０秒が望ましい。通気度が０．１秒未
満ではフィルムの強度が不十分となり、製膜できなかっ
たり、ダイシング時や搬送時にフィルムが切れたりする
ため使用することが出来ない。また１００秒より大きい
と減圧してもウエハや素子を十分に固定することができ
ず、ダイシング時にウエハやチップがずれたり著しい時
はチップが飛んだりする。The air permeability is measured according to JIS P8117. As a commercially available measuring instrument, a B type Gurley type densometer (trade name) manufactured by Toyo Seiki Seisakusho was used. The air permeability determined by the above method is 0.1 to 100 seconds, preferably 1 to 50 seconds. If the air permeability is less than 0.1 seconds, the strength of the film will be insufficient and the film cannot be formed, or the film will be cut during dicing or transportation, and therefore cannot be used. Further, if it is longer than 100 seconds, the wafer or the element cannot be sufficiently fixed even if the pressure is reduced, and the wafer or the chip is displaced during dicing or the chip is blown out when it is remarkable.
【００１０】前述の気孔率、通気度を有する多孔質フィ
ルムを得るには、液体がトルエンやメチルエチルケト
ン、ブタノール等の場合で、微粒子が超高分子量ポリエ
チレンの場合、乾燥は通常、１００〜１８０℃で２〜１
０分間、焼結は通常、１３０〜２００℃で５〜6０分間
加熱して行うとよい。この場合乾燥と焼結を同一条件で
行ってもかまわない。また分散媒に分散された流動性の
よい状態で微粒子の賦形を行うことができるため、薄い
多孔質フィルムを得ることができる。In order to obtain the above-mentioned porous film having porosity and air permeability, when the liquid is toluene, methyl ethyl ketone, butanol, etc., and when the fine particles are ultra high molecular weight polyethylene, drying is usually carried out at 100 to 180 ° C. 2-1
The sintering is usually performed for 0 minutes by heating at 130 to 200 ° C. for 5 to 60 minutes. In this case, drying and sintering may be performed under the same conditions. Further, since the fine particles can be shaped in a state where they are dispersed in the dispersion medium and have good fluidity, a thin porous film can be obtained.
【００１１】半導体ウエハ及びチップ（素子）は、ダイ
シング時だけでなく、ダイシング装置への搬送時および
ダイシング後の次工程への搬送時にも固定する必要があ
る。しかし、搬送工程では減圧状態を維持することがコ
ストおよびスぺース等の制約から難しい。そこで、多孔
質材が搭載している半導体ウエハやチップを、その搬送
時に常圧にしてもずれがなく、また、チップのピックア
ップに支障のないようにするために、多孔質材は剥離力
が５０ｇｆ以下となる粘着性を有する粘着層を設ける。
そのためには、多孔質材に粘着剤を塗布しておくことが
好ましい。その粘着剤としてはダイシングテープに使用
されているものが挙げられるが、これに制限されるもの
ではない。粘着層は、多孔質フィルムの気孔率、通気度
を著しく阻害しないように薄くするか、メッシュ・点状
など不連続に設けることが好ましい。多孔質フィルムに
粘着層を設けた高分子多孔質膜は、気孔率、通気度が多
孔質フィルムのそれと同じ範囲に入るようにするのが好
ましい。そして、粘着層は、半導体ウエハや素子を固定
する側に配置すると良いが制限するものではない。粘着
層として具体的には感圧接着タイプのアクリル系やゴム
系粘着剤あるいはＵＶタイプで使用される粘着剤等が好
ましい。その粘着力は、１０ｍｍ角のシリコンチップを
垂直方向に２００ｍｍ／分で剥離した時の最大剥離力が
５０ｇｆ以下、好ましくは２０ｇｆ以下さらに好ましく
は１０ｇｆ以下になるように調整される。５０ｇｆを超
えるとピックアップ時にコレットだけでは剥離すること
ができないので、突上げピンが必要になる。The semiconductor wafer and the chips (elements) need to be fixed not only during dicing but also during transportation to the dicing device and transportation to the next step after dicing. However, it is difficult to maintain a depressurized state in the transfer process due to cost and space constraints. Therefore, in order to prevent the semiconductor wafer and the chips mounted with the porous material from being displaced even at normal pressure during their transportation, and not to hinder the pickup of the chips, the porous material has a peeling force. An adhesive layer having an adhesive property of 50 gf or less is provided.
For that purpose, it is preferable to apply an adhesive to the porous material. Examples of the adhesive include, but are not limited to, those used for dicing tape. The pressure-sensitive adhesive layer is preferably thin so as not to significantly impair the porosity and air permeability of the porous film, or is discontinuously provided such as mesh or dots. It is preferable that the porosity and air permeability of the porous polymer film provided with an adhesive layer on the porous film fall within the same ranges as those of the porous film. The adhesive layer may be arranged on the side where the semiconductor wafer or the element is fixed, but is not limited thereto. As the pressure-sensitive adhesive layer, specifically, a pressure-sensitive adhesive type acrylic or rubber type adhesive, a UV type adhesive or the like is preferable. The adhesive force is adjusted so that the maximum peeling force when a 10 mm square silicon chip is peeled vertically at 200 mm / min is 50 gf or less, preferably 20 gf or less, and more preferably 10 gf or less. If it exceeds 50 gf, the collet cannot be peeled off only at the time of pickup, so a push-up pin is required.
【００１２】この粘着剤の多孔質フィルムへの塗工は、
ナイフコータ、コンマコータ、リバースロールコータ、
キスコータ、カレンダーコータ、グラビアロールゴー
タ、ロッドコー夕等の通常使用される全面に均一に粘着
剤を塗布する塗工方式が挙げられる。さらに凸版、平
版、グラビア、スクリーン印刷のような方式やスプレ
イ、浸漬といった方法でもかまわない。ただし塗工方
式、粘度、塗れ性、濃度等の調整で粘着剤溶液を孔へ浸
入をさせないようにするか又は浸入しても孔がふさがら
ないようにする必要があり、また、塗工後圧縮空気等で
孔にはいった粘着剤溶液を除去するといった方法も採用
することができる。The application of this adhesive to the porous film is
Knife coater, comma coater, reverse roll coater,
Examples of the coating method include a kiss coater, a calendar coater, a gravure roll goter, a rod coater, and the like, which are used to uniformly apply an adhesive to the entire surface that is normally used. Further, a method such as letterpress, planographic printing, gravure, screen printing, spraying or dipping may be used. However, it is necessary to prevent the adhesive solution from entering the pores by adjusting the coating method, viscosity, wettability, concentration, etc., or to prevent the pores from being blocked even if it penetrates. A method of removing the adhesive solution that has entered the holes with air or the like can also be adopted.
【００１３】前記の多孔質フィルムに粘着層を設けた高
分子多孔質膜は、半導体ウエハを減圧で支えるには強度
を補強した方が好ましい。このため、高強度の多孔質支
持体と併せて使用することが好ましい。この高強度の多
孔質支持体としては前述の無機化合物の多孔質材、金
属、セラミック、硬質プラスチック等の非多孔質材を針
やドリルで孔あけ加工したものが挙げられる。It is preferable that the polymeric porous film having the above-mentioned porous film provided with an adhesive layer be reinforced in strength in order to support the semiconductor wafer under reduced pressure. Therefore, it is preferably used in combination with a high-strength porous support. Examples of the high-strength porous support include the above-mentioned porous materials of inorganic compounds, non-porous materials such as metals, ceramics, and hard plastics, which have been punched with a needle or a drill.
【００１４】本発明によれば、半導体ウエハあるいは素
子に対し切断のためダイシングソウによる応力がかかっ
ている時は半導体もしくは素子を固定する台や治具を減
圧し、大気圧により台や治具と密着させ飛散防止を図
り、切断・分割後の素子をピックアップする時は常圧
（大気圧）に戻すことで固定する力を実質的に零にし、
突上げピンを使用せず素子にダメージを与えることなく
ハンドリングすることができる。また、多孔質材の介在
により、半導体ウエハや素子の設置面が均一に減圧され
るため、それらの破断や飛びといった現象を防ぐことが
できる。According to the present invention, when a semiconductor wafer or an element is stressed by a dicing saw for cutting, the table or the jig for fixing the semiconductor or the element is decompressed, and the table or the jig is fixed by the atmospheric pressure. When the element after cutting and dividing is picked up, it is returned to normal pressure (atmospheric pressure) to make the fixing force practically zero, in order to prevent scattering and to adhere closely.
It is possible to handle without using the push-up pin without damaging the element. Moreover, since the surface of the semiconductor wafer or the device on which the device is installed is uniformly depressurized by the interposition of the porous material, it is possible to prevent such phenomena as breakage and jumping.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、実施例により本発明の内容を具体的に
説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
（実施例１）図２に示したように、コンマコーターを備
えた装置を用い、微粒子としてミペロンＸＭ−２２０
（超高分子量ポリエチレン、平均粒子径０．０３mm、融
点１３６℃、真密度０．９４ｇ／ｃｍ３、三井石油化学
工業株式会社製商品名）、分散媒としてブタノールを用
い、それぞれが重量比で１：１の割合で分散させてスラ
リーとした。厚さ５０μｍの離型処理ポリエステルフィ
ルム（Ｓ−３１、帝人株式会社製商品名）をキャリアフ
ィルムとして、この上に焼結後の厚みが１００μｍにな
るように塗布し、１６０℃に設定した加熱炉で加熱して
焼結を行い気孔率３５％、通気度５秒の多孔質フィルム
を得た。上記で得られた多孔質フィルムの巻き取り品を
コロナ処理装置にて濡れ指数を５４ｄｙｎｅ／ｃｍ以上
になるように両面を処理し、次にガラス転移点、マイナ
ス３５℃のアクリル系粘着剤（水酸基を２−ヒドロキシ
エチルアクリレート換算で２重量％含有）１００重量部
に対し多官能ポリイソシアネート（コロネートＬ、日本
ポリウレタン株式会社製商品名）２重量部からなる粘着
剤溶液（１重量％トルエン溶液）を乾燥後の固形分で
０．３ｇ／ｍ２になるように塗工して高分子多孔質膜を
作製した。つぎに、図１に示すように、厚さ５０μｍの
半導体ウエハをダイシング装置上に載置した。すなわ
ち、真空装置を具備するダイシング装置の減圧ステージ
上に多孔質支持体として孔径が１６０〜２５０μｍのガ
ラスフィルタを、さらにその上に上記の高分子多孔質膜
を設置し、その上に半導体ウエハを載置した。ついで、
真空装置を作動させ、真空度が８００Ｐａになるまで減
圧し、半導体ウエハをダイシング装置上に固定した。そ
して、常法により半導体ウエハをダイシングし、ピック
アップ装置にて切断したチップをピックアップした。こ
れらの操作におけるダイシング時のチップ飛び、ピック
アップ時のチップ割れ、剥離時の剥離力について評価・
測定し、それらの結果を表１に示した。EXAMPLES The contents of the present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. (Example 1) As shown in FIG. 2, an apparatus equipped with a comma coater was used, and Miperon XM-220 was used as fine particles.
(Ultra-high molecular weight polyethylene, average particle diameter 0.03 mm, melting point 136 ° C., true density 0.94 g / cm 3 , trade name manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd.), butanol was used as a dispersion medium, and each was 1 by weight. It was dispersed at a ratio of 1 to obtain a slurry. A heating furnace in which a release-treated polyester film (S-31, trade name, manufactured by Teijin Limited) having a thickness of 50 μm was used as a carrier film so that the thickness after sintering was 100 μm, and the temperature was set to 160 ° C. Then, the mixture was heated and sintered to obtain a porous film having a porosity of 35% and an air permeability of 5 seconds. The rolled film of the porous film obtained above was treated on both sides with a corona treatment device so that the wetting index was 54 dyne / cm or more, and then an acrylic pressure-sensitive adhesive (hydroxyl group having a glass transition point of −35 ° C.). 2% by weight in terms of 2-hydroxyethyl acrylate) to 100 parts by weight of an adhesive solution (1% by weight toluene solution) consisting of 2 parts by weight of a polyfunctional polyisocyanate (Coronate L, trade name of Nippon Polyurethane Co., Ltd.) Coating was performed so that the solid content after drying was 0.3 g / m 2 , to prepare a polymer porous membrane. Next, as shown in FIG. 1, a semiconductor wafer having a thickness of 50 μm was placed on a dicing device. That is, a glass filter having a pore diameter of 160 to 250 μm is provided as a porous support on a decompression stage of a dicing device equipped with a vacuum device, and the above-mentioned polymer porous film is placed on the glass filter, and a semiconductor wafer is placed thereon. Placed. Then,
The vacuum device was operated, the pressure was reduced to 800 Pa, and the semiconductor wafer was fixed on the dicing device. Then, the semiconductor wafer was diced by a conventional method, and the cut chips were picked up by a pickup device. Evaluation of chip flying during dicing, chip cracking during pickup, and peeling force during peeling in these operations.
The measurement was performed and the results are shown in Table 1.
【００１６】（実施例２）実施例１と同様に、微粒子と
してミペロンＸＭ−２２１Ｕ（超高分子量ポリエチレ
ン、平均粒子径０．０２５ｍｍ、融点１３６℃、真密度
０．９４ｇ/ｃｍ３、三井石油化学工業株式会社製商品
名）を用い、焼結後の気孔率が４０％、通気度３秒で、
粘着剤の塗布量が乾燥後の固形分で０．２ｇ／ｍ２であ
る他は実施例１と同様にして高分子多孔質膜を作製し
た。実施例１と同様に半導体ウエハをダイシング装置で
ダイシングし、その評価結果を表１に示した。(Example 2) As in Example 1, as fine particles, Miperon XM-221U (ultra high molecular weight polyethylene, average particle size 0.025 mm, melting point 136 ° C., true density 0.94 g / cm 3 , Mitsui Petrochemical) (Trade name, manufactured by Kogyo Co., Ltd.), the porosity after sintering is 40%, the air permeability is 3 seconds,
A polymer porous membrane was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating amount of the adhesive was 0.2 g / m 2 in terms of solid content after drying. The semiconductor wafer was diced with a dicing device in the same manner as in Example 1, and the evaluation results are shown in Table 1.
【００１７】（比較例１）気孔率を５％，通気度１５０
秒にした他は実施例１と同様にして高分子多孔質膜を作
製した。そして、実施例１と同様に半導体ウエハをダイ
シング装置でダイシングし、評価結果を表１に示した。Comparative Example 1 Porosity 5%, Air permeability 150
A polymer porous membrane was produced in the same manner as in Example 1 except that the time was set to seconds. Then, the semiconductor wafer was diced with a dicing apparatus in the same manner as in Example 1, and the evaluation results are shown in Table 1.
【００１８】（比較例２）実施例１と同様にして乾燥後
の粘着剤の塗布量を３．０ｇ／ｍ２にした他は同様にし
て高分子多孔質膜を作製した。そして、実施例１と同様
に半導体ウエハをダイシング装置でダイシングし、その
評価結果を表１に示した。(Comparative Example 2) A polymeric porous membrane was prepared in the same manner as in Example 1, except that the coating amount of the adhesive after drying was 3.0 g / m 2 . Then, the semiconductor wafer was diced with a dicing apparatus in the same manner as in Example 1, and the evaluation results are shown in Table 1.
【００１９】（比較例３）トレファンＢＯ２５７５（東
レ株式会社製商品名、厚さ４０μｍ）にガラス転移点マ
イナス３５℃のアクリル系粘着剤（水酸基を２−ヒドロ
キシエチルアクリレート換算で２重量％含有）１００重
量部に対し多官能ポリイソシアネート（コロネートＬ、
日本ポリウレタン株式会社製商品名）２重量部からなる
粘着剤を固形分で０．１ｇ／ｍ２になるように塗工した
後、２ｍｍ間隔、孔径２００μｍになるように、加熱し
た針で全面に孔あけ加工し、通気度１０秒、気孔率１％
の高分子多孔質膜を作製した。そして、実施例１と同様
に半導体ウエハをダイシング装置でダイシングし、その
評価結果を表１に示した。(Comparative example 3) Trefan BO2575 (trade name, manufactured by Toray Industries, Inc., thickness: 40 μm) has an acrylic adhesive having a glass transition point of minus 35 ° C. (containing 2% by weight of hydroxyl group in terms of 2-hydroxyethyl acrylate). 100 parts by weight of polyfunctional polyisocyanate (Coronate L,
Product name: Nippon Polyurethane Co., Ltd.) 2 parts by weight of an adhesive is applied so that the solid content is 0.1 g / m 2 , and then the whole surface is heated with a needle so as to have an interval of 2 mm and a hole diameter of 200 μm. Perforated, air permeability 10 seconds, porosity 1%
The polymer porous membrane of was produced. Then, the semiconductor wafer was diced with a dicing apparatus in the same manner as in Example 1, and the evaluation results are shown in Table 1.
【００２０】[0020]
【表１】 [Table 1]
【００２１】表１の結果より、多孔質フィルムの気孔率
が１０〜５０％であり、剥離力が５０ｇｆ以下である実
施例１、２、３は、ダイシング時のチップ飛び、ピック
アップ時のチップ割れがなく極めて良好にダイシングす
ることができる。これに対して、多孔質フィルムの気孔
率が５％である比較例１では、減圧によるウエハの固定
力（剥離力）が小さくダイシング時にチップ飛びが生じ
た。さらに、比較例２の粘着材の塗布量が多く常圧時に
おいても剥離力の大きい高分子多孔質膜では、ピックア
ップ時にチップ割れが生じた。また、比較例３の針で孔
あけ加工した高分子多孔質膜では、チップサイズの大き
いチップでは、ダイシング時にチップ飛びは生じない
が、チップサイズの小さいチップでは、チップ飛びが生
じた。From the results shown in Table 1, in Examples 1, 2 and 3 in which the porosity of the porous film was 10 to 50% and the peeling force was 50 gf or less, chip flying during dicing and chip cracking during picking up were performed. It is possible to satisfactorily perform dicing without any problem. On the other hand, in Comparative Example 1 in which the porosity of the porous film was 5%, the fixing force (peeling force) of the wafer due to the reduced pressure was small and chip fly occurred during dicing. Furthermore, in the polymeric porous film having a large coating amount of the adhesive material of Comparative Example 2 and having a large peeling force even at normal pressure, chip cracking occurred at the time of pickup. Further, in the polymer porous film punched by the needle of Comparative Example 3, chips with a large chip size did not cause chip jumps during dicing, but chips with a small chip size caused chip skips.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明よれば、半導体ウエハ及び素子
（チップ）の破損や飛散なく、効率的にかつ安全に半導
体ウエハのダイシングを行うことができる。また、半導
体ウエハ、チップの搬送も破損や飛散がなく、効率的に
かつ安全に行うことができる。According to the present invention, it is possible to perform the dicing of a semiconductor wafer efficiently and safely without damaging or scattering the semiconductor wafer and elements (chips). Further, the semiconductor wafer and the chips can be transported efficiently and safely without damage or scattering.
【図１】 本発明で用いたダイシング装置（一部）の一
例を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a dicing device (a part) used in the present invention.
【図２】 本発明で用いた多孔質フィルムの製造装置
（一部）の一例を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example (part) of a porous film manufacturing apparatus used in the present invention.
１ 半導体ウエハ ２ 高分子多孔質膜 ３ 多孔質支持体 ４ 減圧ステージ ５ 減圧系（介在部品） ６ 真空ポンプ １１ コンマコータ １２ 加熱炉 １３ キャリアフィルム（ＰＥＴ） １４ スラリー １５ 多孔質フィルム 1 Semiconductor wafer 2 Polymer porous membrane 3 Porous support 4 decompression stage 5 Pressure reduction system (intervening parts) 6 vacuum pump 11 Comma coater 12 heating furnace 13 Carrier film (PET) 14 Slurry 15 Porous film
Claims (4)
分割するに際し、減圧することで半導体ウエハおよび素
子を固定する半導体ウエハダイシング方法において、減
圧装置のステージと半導体ウエハの間に、焼結法で形成
された気孔率が１０〜５０％で、通気度が０．１〜１０
０秒である多孔質フィルムに、剥離力が５０ｇｆ以下と
なる粘着層を設けた高分子多孔質膜を介在させたことを
特徴とする半導体ウエハダイシング方法。1. A semiconductor wafer dicing method for fixing a semiconductor wafer and an element by decompressing the same when dividing the semiconductor wafer into elements by dicing, which is formed by a sintering method between a stage of a decompression device and the semiconductor wafer. Porosity is 10 to 50% and air permeability is 0.1 to 10
A semiconductor wafer dicing method, characterized in that a porous polymer film having an adhesive layer having a peeling force of 50 gf or less is interposed on a porous film of 0 seconds.
に高分子多孔質膜を介在させ、さらに高分子多孔質膜を
高強度の多孔質支持体上に固定してなる請求項１に記載
の半導体ウエハダイシング方法。2. The polymer porous film is interposed between the stage of the pressure reducing device and the semiconductor wafer, and the polymer porous film is fixed on a high-strength porous support. Semiconductor wafer dicing method.
キャリア上に連続的に塗布した後、分散媒の乾燥、焼結
を行い気孔率が１０〜５０％で、通気度が０．１〜１０
０秒である多孔質フィルムに、剥離力が５０ｇｆ以下と
なる粘着層を設けた半導体ウエハダイシング用高分子多
孔質膜。3. A slurry in which fine particles are dispersed in a dispersion medium is continuously applied on a carrier, and then the dispersion medium is dried and sintered to have a porosity of 10 to 50% and an air permeability of 0.1 to 10. 10
A polymeric porous film for semiconductor wafer dicing, comprising an adhesive layer having a peeling force of 50 gf or less on a porous film of 0 seconds.
り、材質が有機高分子である請求項３に記載の半導体ウ
エハダイシング用高分子多孔質膜。4. The polymer porous film for semiconductor wafer dicing according to claim 3, wherein the fine particles have an average particle size of 50 μm or less and the material is an organic polymer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001256315A JP2003068679A (en) | 2001-08-27 | 2001-08-27 | Semiconductor wafer dicing method and polymer porous film to be used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001256315A JP2003068679A (en) | 2001-08-27 | 2001-08-27 | Semiconductor wafer dicing method and polymer porous film to be used therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068679A true JP2003068679A (en) | 2003-03-07 |
Family
ID=19084144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001256315A Pending JP2003068679A (en) | 2001-08-27 | 2001-08-27 | Semiconductor wafer dicing method and polymer porous film to be used therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003068679A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522336A (en) * | 2002-04-09 | 2005-07-28 | ストラスボー インコーポレーテッド | Workpiece protection during surface treatment |
| JP2007242812A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device and supporting tape |
| JP2009149730A (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Nitto Denko Corp | Manufacturing method of porous sheet of ultra-high molecular weight polyethylene |
| US20100196700A1 (en) * | 2005-09-30 | 2010-08-05 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive Tools Having a Permeable Structure |
| WO2024062988A1 (en) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Resin film, scribing device, and scribing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58109541A (en) * | 1981-12-24 | 1983-06-29 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Preparation of porous body |
| JPH08257474A (en) * | 1995-03-23 | 1996-10-08 | Nitto Denko Corp | Sucking and fixing sheet and sucking and fixing method using the sheet |
| JP2001196448A (en) * | 1999-10-27 | 2001-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Fixing implement for semiconductor wafer or semiconductor element and method for processing semiconductor wafer or semiconductor element |
-
2001
- 2001-08-27 JP JP2001256315A patent/JP2003068679A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58109541A (en) * | 1981-12-24 | 1983-06-29 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Preparation of porous body |
| JPH08257474A (en) * | 1995-03-23 | 1996-10-08 | Nitto Denko Corp | Sucking and fixing sheet and sucking and fixing method using the sheet |
| JP2001196448A (en) * | 1999-10-27 | 2001-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Fixing implement for semiconductor wafer or semiconductor element and method for processing semiconductor wafer or semiconductor element |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522336A (en) * | 2002-04-09 | 2005-07-28 | ストラスボー インコーポレーテッド | Workpiece protection during surface treatment |
| US20100196700A1 (en) * | 2005-09-30 | 2010-08-05 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive Tools Having a Permeable Structure |
| JP2007242812A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device and supporting tape |
| JP4619308B2 (en) * | 2006-03-07 | 2011-01-26 | 三洋電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing method and supporting tape |
| JP2009149730A (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Nitto Denko Corp | Manufacturing method of porous sheet of ultra-high molecular weight polyethylene |
| WO2024062988A1 (en) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Resin film, scribing device, and scribing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1724106B1 (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet for use in dicing and method of processing products worked with it | |
| KR100191227B1 (en) | Polymeric substrate with polymeric microelements | |
| US20080053000A1 (en) | Extended life abrasive article and method | |
| US20020127821A1 (en) | Process for the production of thinned wafer | |
| JP2001316648A (en) | Water-permeable adhesive tape | |
| CN101117397B (en) | Adsorption film and manufacturing method and adsorption film with separative film and manufacturing method thereof | |
| WO2007050559A3 (en) | Films packages prepared therefrom, and methods of use | |
| CN101542689A (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet for water jet laser dicing | |
| JP2003068679A (en) | Semiconductor wafer dicing method and polymer porous film to be used therefor | |
| JP2006026981A (en) | Sucking and fixing sheet and its manufacturing method | |
| JP2001196448A (en) | Fixing implement for semiconductor wafer or semiconductor element and method for processing semiconductor wafer or semiconductor element | |
| JP2009023777A (en) | Sheet for suction fixing | |
| KR102293573B1 (en) | A film-form baking material, and a film-form baking material having a support sheet | |
| CN102648072A (en) | Resin bonded abrasive | |
| JP2002270553A (en) | Manufacturing method of electronic component | |
| JPH11243135A (en) | Vacuum chucking board | |
| JP2003277702A (en) | Double-sided pressure-sensitive adhesive tape and adsorptive fixing sheet using the same | |
| KR102313686B1 (en) | A film-form baking material, and a film-form baking material having a support sheet | |
| JPH08257474A (en) | Sucking and fixing sheet and sucking and fixing method using the sheet | |
| JP2001291760A (en) | Method and tape for peeling | |
| JP2003249471A (en) | Protection sheet for semiconductor wafer processing | |
| JPWO2020022321A1 (en) | Liquid filter base material | |
| JP5297823B2 (en) | Adsorption fixing sheet and manufacturing method thereof | |
| KR20190137144A (en) | Laminated body and wound body | |
| JP2009107880A (en) | Joined body, adsorption member, adsorption device, and working apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080731 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110421 |