JP2003068612A - Apparatus for inspecting superposition - Google Patents
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、重ね合わせ検査装
置に関し、特に半導体素子や液晶表示素子の製造工程に
おけるパターンの重ね合わせ検査に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overlay inspection apparatus, and more particularly to a pattern overlay inspection in a manufacturing process of a semiconductor element or a liquid crystal display element.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子の製造では、
基板上にフォトレジストを塗布し、露光装置によってパ
ターンを転写し、所定のパターンを形成する。そして、
このパターンの上からエッチングまたは蒸着などの加工
を施す工程を繰り返し行うことにより、所定の機能を有
する素子を形成する。このとき、先に形成したパターン
の上に、次の加工をするためのレジストパターンを正確
に形成する必要がある。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements,
A photoresist is applied on the substrate, and the pattern is transferred by an exposure device to form a predetermined pattern. And
An element having a predetermined function is formed by repeating a process of performing processing such as etching or vapor deposition on the pattern. At this time, it is necessary to accurately form a resist pattern for the next process on the previously formed pattern.
【0003】重ね合わせ検査では、以前のパターンに対
してレジストパターンが正しく形成されているか否かを
検査する。従来の重ね合わせ検査では、以前の工程で形
成されている外側マークと露光によりレジスト上に形成
された内側マークとを顕微鏡で拡大観察し、外側マーク
と内側マークとの位置ずれを重ね合わせずれ量として検
出している。In the overlay inspection, it is inspected whether or not the resist pattern is correctly formed with respect to the previous pattern. In the conventional overlay inspection, the outer mark formed in the previous process and the inner mark formed on the resist by exposure are magnified and observed with a microscope, and the misalignment between the outer mark and the inner mark is determined by the amount of overlay misalignment. Is detected as.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
重ね合わせ検査における顕微鏡による拡大観察では、光
学系の収差、特に歪曲収差のため視野の位置により像が
変形し、重ね合わせずれ量を正確に計測することができ
ないという不都合があった。そこで、歪曲収差を含む各
種の収差を抑えた専用設計の光学系を採用し、視野面内
での像の歪みを最小限に抑えるようにしている。However, in the magnified observation with the microscope in the conventional overlay inspection, the image is deformed depending on the position of the visual field due to the aberration of the optical system, particularly the distortion aberration, and the overlay misalignment amount is accurately measured. There was the inconvenience of not being able to do it. Therefore, a specially designed optical system that suppresses various aberrations including distortion is adopted to minimize image distortion in the field of view.
【0005】近年、半導体素子などのパターンの線幅は
0.1μm程度となり、重ね合わせ精度として線幅の1
/3程度の精度、すなわち30nm程度の重ね合わせ精
度が求められるようになっている。この程度の精度の重
ね合わせ検査を行うには、重ね合わせずれ量の検出感度
として、3nm〜5nmの感度が要求される。これに対
し、重ね合わせ検査に用いる外側マークの大きさは20
μm〜30μm程度であるため、像の歪曲を0.01%
以下に抑える必要がある。しかしながら、このようにサ
イズの小さいマークを観察するための倍率の高い顕微鏡
において歪曲を抑えた設計および製造には限度がある。In recent years, the line width of a pattern of a semiconductor device or the like has been about 0.1 μm, and the line width is 1 of the overlay accuracy.
An accuracy of about / 3, that is, an overlay accuracy of about 30 nm is required. In order to perform the overlay inspection with such accuracy, a sensitivity of 3 nm to 5 nm is required as the detection sensitivity of the overlay deviation amount. On the other hand, the size of the outer mark used for overlay inspection is 20
The image distortion is 0.01% because it is about 30 μm
It is necessary to keep below. However, there is a limit in designing and manufacturing with suppressed distortion in a microscope having a high magnification for observing such a small mark.
【0006】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、光学系の歪曲収差の影響を良好に補正し、重
ね合わせずれ量の検査を正確に行うことのできる、重ね
合わせ検査装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an overlay inspection apparatus capable of properly correcting the influence of distortion aberration of an optical system and accurately inspecting an overlay deviation amount. The purpose is to provide.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明では、物体面上に形成された第1マークと第
2マークとからなる重ね合わせマークを照明するための
照明系と、前記重ね合わせマークの像を像面上に形成す
るための結像光学系と、前記像面上に形成された前記重
ね合わせマークの像を検出するための検出系とを備え、
前記第1マークと前記第2マークとの重ね合わせずれ量
を計測する重ね合わせ検査装置において、前記結像光学
系の歪曲収差および光軸の偏心に基づいて前記第1マー
クおよび前記第2マークの特徴点の位置を像面内の座標
に応じて補正し、補正された前記特徴点の位置に基づい
て前記重ね合わせずれ量を求めることを特徴とする重ね
合わせ検査装置を提供する。In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, an illumination system for illuminating an overlay mark composed of a first mark and a second mark formed on an object surface, An image forming optical system for forming an image of the overlay mark on an image plane, and a detection system for detecting an image of the overlay mark formed on the image plane,
In an overlay inspection apparatus that measures an overlay deviation amount between the first mark and the second mark, the first mark and the second mark are detected based on the distortion aberration of the imaging optical system and the eccentricity of the optical axis. There is provided an overlay inspection apparatus characterized in that the position of a feature point is corrected according to the coordinates in the image plane, and the overlay deviation amount is obtained based on the corrected position of the feature point.
【0008】本発明の好ましい態様によれば、前記結像
光学系の倍率をβとし、前記結像光学系の歪曲収差係数
をDとし、像面での光軸中心を示す座標(像面上での補
正座標原点)を(Ξ,Η)としたとき、像面内の座標
(X,Y)に対して補正された特徴点の物体面上の座標
(x’,y’)を、
x'=(X-Ξ)/β-D×(X-Ξ)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3
y'=(Y-Η)/β-D×(Y-Η)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3
の式に従って求める。According to a preferred aspect of the present invention, the magnification of the image forming optical system is β, the distortion aberration coefficient of the image forming optical system is D, and the coordinates indicating the center of the optical axis on the image plane (on the image plane). When the corrected coordinate origin in () is (Ξ, Η), the coordinates (x ', y') on the object plane of the feature point corrected with respect to the coordinates (X, Y) in the image plane are expressed as x '= (X-Ξ) / β-D × (X-Ξ) × [(X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 y' = (Y-Η) / β-D × ( Y-Η) x [(X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 is calculated.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】重ね合わせ検査装置においては、
結像光学系と撮像面(像面)とは固定されているので、
視野の位置によって像の歪みは一意に決まっている。し
たがって、本発明では、結像光学系を介して形成された
重ね合わせマークの像を視野面内の位置に応じて補正し
てから重ね合わせずれ量を計算する。このとき、像の座
標(X,Y)を次の式で物体面上の補正座標(x’,
y’)に変換することにより、結像光学系の歪曲収差の
影響を除去することができる。換言すれば、像面内の座
標(X,Y)に対して補正された特徴点の物体面上の座
標(x’,y’)を次の式にしたがって求めることがで
きる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In an overlay inspection apparatus,
Since the imaging optical system and the imaging surface (image surface) are fixed,
The image distortion is uniquely determined by the position of the visual field. Therefore, in the present invention, the overlay deviation amount is calculated after correcting the image of the overlay mark formed via the imaging optical system according to the position in the field plane. At this time, the coordinates (X, Y) of the image are corrected coordinates (x ′,
By converting into y ′), the influence of the distortion aberration of the imaging optical system can be removed. In other words, the coordinates (x ', y') on the object plane of the feature point corrected with respect to the coordinates (X, Y) in the image plane can be obtained according to the following equation.
【0010】
x'=(X-Ξ)/β-D×(X-Ξ)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3
y'=(Y-Η)/β-D×(Y-Η)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3
ここで、βは結像光学系の倍率であり、Dは結像光学系
の歪曲収差係数(ディストーション係数)である。ま
た、(Ξ,Η)は、像面での光軸中心を示す座標(像面
上での補正座標原点)である。X '= (X-Ξ) / β-D × (X-Ξ) × [(X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 y' = (Y-Η) / β -D × (Y-Η) × [(X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 where β is the magnification of the imaging optical system and D is the distortion aberration of the imaging optical system. It is a coefficient (distortion coefficient). Further, (Ξ, Η) is a coordinate (correction coordinate origin on the image plane) indicating the center of the optical axis on the image plane.
【0011】本発明の実施形態を、添付図面に基づいて
説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる重ね合わ
せ検査装置の構成を概略的に示す図である。図1の重ね
合わせ検査装置は、被検物体であるウェハ11上のマー
クを観察するための観察系を備えている。ここで、観察
系は、たとえばハロゲンランプのような観察用光源1を
備えている。観察用光源1から供給された照明光は、コ
レクタレンズ2で集光された後、波長選択フィルター3
に入射する。Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an overlay inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. The overlay inspection apparatus of FIG. 1 includes an observation system for observing a mark on the wafer 11 which is an object to be inspected. Here, the observation system includes an observation light source 1 such as a halogen lamp. The illumination light supplied from the observation light source 1 is condensed by the collector lens 2 and then the wavelength selection filter 3
Incident on.
【0012】波長選択フィルター3により所望の波長範
囲(たとえば530nm〜800nm)が選択された照
明光は、第1リレーレンズ4、第2リレーレンズ5およ
びコンデンサレンズ6を介して、ハーフミラー7に入射
する。ハーフミラー7で反射された照明光は、ダイクロ
イックミラー8に入射する。ダイクロイックミラー8
は、波長選択フィルター3を介して波長選択された照明
光を透過させる特性を有する。したがって、ダイクロイ
ックミラー8を透過した照明光は、対物レンズ9を介し
て、ステージ10上に載置されたウェハ11を照明す
る。The illumination light whose desired wavelength range (for example, 530 nm to 800 nm) is selected by the wavelength selection filter 3 is incident on the half mirror 7 via the first relay lens 4, the second relay lens 5 and the condenser lens 6. To do. The illumination light reflected by the half mirror 7 enters the dichroic mirror 8. Dichroic mirror 8
Has a characteristic of transmitting the illumination light whose wavelength is selected through the wavelength selection filter 3. Therefore, the illumination light transmitted through the dichroic mirror 8 illuminates the wafer 11 placed on the stage 10 via the objective lens 9.
【0013】なお、第1リレーレンズ4と第2リレーレ
ンズ5との間の光路中において対物レンズ9の瞳面と光
学的にほぼ共役な位置には、ウェハ11に入射する照明
光束の角度範囲を規定するための(すなわちウェハ11
の照明に寄与する光束を制限するための)開口絞り12
が設けられている。また、第2リレーレンズ5とコンデ
ンサレンズ6との間の光路中においてウェハ11と光学
的にほぼ共役な位置には、ウェハ11に形成される照明
領域の形状を規定するための視野絞り13が設けられて
いる。In the optical path between the first relay lens 4 and the second relay lens 5, the angular range of the illumination light beam incident on the wafer 11 is located at a position substantially optically conjugate with the pupil plane of the objective lens 9. (Ie, wafer 11
Aperture stop 12 for limiting the luminous flux that contributes to the illumination of
Is provided. A field stop 13 for defining the shape of the illumination area formed on the wafer 11 is provided at a position that is optically conjugate with the wafer 11 in the optical path between the second relay lens 5 and the condenser lens 6. It is provided.
【0014】さらに、ステージ10は、対物レンズ9の
光軸の方向に沿って移動可能で、且つ対物レンズ9の光
軸に垂直な平面に沿って二次元的に移動可能に構成され
ている。そして、ウェハ11は、ステージ10に取り付
けられたウェハホルダー14に真空吸着されている。ま
た、ウェハホルダー14は、ウェハ11の中心近傍に配
置された回転軸14cを中心として回転可能に構成され
ている。この目的のため、回転軸14cには、回転調整
用のモータ15が取り付けられている。Further, the stage 10 is constructed so as to be movable along the optical axis of the objective lens 9 and two-dimensionally movable along a plane perpendicular to the optical axis of the objective lens 9. The wafer 11 is vacuum-sucked by the wafer holder 14 attached to the stage 10. Further, the wafer holder 14 is configured to be rotatable about a rotation shaft 14c arranged near the center of the wafer 11. For this purpose, a rotation adjusting motor 15 is attached to the rotating shaft 14c.
【0015】照明されたウェハ11上のマークからの光
(反射光、回折光、散乱光)は、対物レンズ9およびダ
イクロイックミラー8を介して、ハーフミラー7に入射
する。ハーフミラー7を透過した光は、第2対物レンズ
16を介して、撮像素子17の撮像面上にウェハ11上
のマーク像を形成する。撮像素子17は、CCD(電荷
結合素子)のほぼ正方形の画素を直交した方向に敷き詰
めることによって構成されている。撮像素子17で検出
されたマーク像は光電変換され、その光強度に応じた像
信号がデジタル信号に変換され、画像処理系18に供給
される。Light (reflected light, diffracted light, scattered light) from the illuminated mark on the wafer 11 enters the half mirror 7 through the objective lens 9 and the dichroic mirror 8. The light transmitted through the half mirror 7 forms a mark image on the wafer 11 on the image pickup surface of the image pickup device 17 via the second objective lens 16. The image pickup device 17 is configured by laying out substantially square pixels of a CCD (charge coupled device) in a direction orthogonal to each other. The mark image detected by the image sensor 17 is photoelectrically converted, an image signal corresponding to the light intensity is converted into a digital signal, and the digital signal is supplied to the image processing system 18.
【0016】また、図1の重ね合わせ検査装置は、対物
レンズ9とウェハ11との間隔を一定に保つようにウェ
ハ11のピントのずれを検出してウェハホルダー14の
高さ位置を調整するためのオートフォーカス系を備えて
いる。ここで、オートフォーカス系は、観察光とは異な
る波長の光を供給する光源、たとえば赤外LED光源1
9を備えている。AF用光源19から供給された赤外照
明光は、コレクタレンズ20を介して、視野絞り21を
照明する。視野絞り21のスリット状の開口部(光透過
部)を透過した赤外照明光は、ハーフミラー22および
リレーレンズ23を介して、ダイクロイックミラー8に
入射する。The overlay inspection apparatus of FIG. 1 detects the focus shift of the wafer 11 and adjusts the height position of the wafer holder 14 so as to keep the distance between the objective lens 9 and the wafer 11 constant. It has an auto focus system. Here, the autofocus system is a light source that supplies light having a wavelength different from the observation light, for example, the infrared LED light source 1
9 is equipped. The infrared illumination light supplied from the AF light source 19 illuminates the field stop 21 via the collector lens 20. The infrared illumination light transmitted through the slit-shaped opening (light transmitting portion) of the field stop 21 enters the dichroic mirror 8 via the half mirror 22 and the relay lens 23.
【0017】ダイクロイックミラー8は、AF用光源1
9からの赤外照明光を反射する特性を有する。したがっ
て、ダイクロイックミラー8で反射された赤外照明光
は、対物レンズ9を介して、ウェハ11を照明する。こ
うして、ウェハ11上には、スリット状の照明領域が形
成される(すなわちスリット状の赤外光束が照射され
る)。この場合、スリット状の赤外光束が照射されたウ
ェハ11からの反射光は、対物レンズ9を介して、ダイ
クロイックミラー8に入射する。The dichroic mirror 8 is the AF light source 1
9 has the property of reflecting infrared illumination light. Therefore, the infrared illumination light reflected by the dichroic mirror 8 illuminates the wafer 11 via the objective lens 9. In this way, a slit-shaped illumination area is formed on the wafer 11 (that is, a slit-shaped infrared light flux is irradiated). In this case, the reflected light from the wafer 11 irradiated with the slit-shaped infrared light flux enters the dichroic mirror 8 via the objective lens 9.
【0018】ダイクロイックミラー8で反射された光
は、リレーレンズ23を介して、ハーフミラー22に入
射する。ハーフミラー22で反射された光は、リレーレ
ンズ24を介して、瞳分割プリズム25に入射する。瞳
分割プリズム25は、対物レンズ9の瞳共役面の近傍に
おいて入射光束を2つの光束に分割して互いに異なる方
向に導くための瞳分割素子である。こうして、瞳分割プ
リズム25により二等分された光束は、結像レンズ26
および円筒レンズ27を介して、一次元撮像素子(ライ
ンセンサ)28の撮像面上に2つの像を形成する。The light reflected by the dichroic mirror 8 enters the half mirror 22 through the relay lens 23. The light reflected by the half mirror 22 enters the pupil division prism 25 via the relay lens 24. The pupil division prism 25 is a pupil division element for dividing the incident light flux into two light fluxes in the vicinity of the pupil conjugate plane of the objective lens 9 and guiding the light fluxes in different directions. In this way, the light beam divided into two by the pupil division prism 25 is formed by the imaging lens 26.
And, two images are formed on the image pickup surface of the one-dimensional image pickup device (line sensor) 28 via the cylindrical lens 27.
【0019】ここで、瞳分割プリズム25は、オートフ
ォーカス光を2つに分岐し、投影されたスリット光束の
短手方向に相当する所定の方向へ分割した光をそれぞれ
導く。そして、結像レンズ26により2つの分割された
スリット像の短手方向成分が、一次元撮像素子28上に
結像する。さらに、円筒レンズ27によりスリット像の
長手方向の広がりを圧縮して一次元撮像素子28に投影
し、ウェハ11の表面の検出感度を向上させる。一次元
撮像素子28の出力は、AF処理系29へ供給される。Here, the pupil splitting prism 25 splits the autofocus light into two and guides the split light in predetermined directions corresponding to the lateral direction of the projected slit light flux. Then, the short-side component of the two slit images divided by the imaging lens 26 forms an image on the one-dimensional image sensor 28. Further, the longitudinal spread of the slit image is compressed by the cylindrical lens 27 and projected on the one-dimensional image pickup device 28 to improve the detection sensitivity of the surface of the wafer 11. The output of the one-dimensional image pickup device 28 is supplied to the AF processing system 29.
【0020】こうして、AF処理系29では、一次元撮
像素子28上に形成された2つのスリット像の間隔に基
づいて、対物レンズ9の物体面に対するウェハ11のフ
ォーカスずれ量を検出する。そして、検出したフォーカ
スずれ量に基づいてステージ10(ひいてはウェハホル
ダー14)を駆動し、ウェハ11の表面を対物レンズ9
に対して合焦状態に設定する。In this way, the AF processing system 29 detects the focus shift amount of the wafer 11 with respect to the object plane of the objective lens 9 based on the interval between the two slit images formed on the one-dimensional image pickup device 28. Then, the stage 10 (and thus the wafer holder 14) is driven based on the detected focus shift amount, and the surface of the wafer 11 is moved to the objective lens 9
Is set to the in-focus state.
【0021】なお、本実施形態のオートフォーカス系で
は、瞳分割されたスリット像の間隔を測定してウェハホ
ルダー14の移動量を決める方式を採用しているが、オ
ートフォーカス機構についてはこの方式に限定されるこ
とはない。例えば、スリット像を斜めに投影してフォー
カス位置のずれを検知し、そのずれ量に応じた分だけウ
ェハホルダー14を上下させるスリット像投影方式や、
ステージを鉛直方向に移動させて取り込んだ画像のコン
トラストが最大になる位置の画像を画像信号とする画像
処理方式などを用いてもよい。The autofocus system of this embodiment employs a method of determining the amount of movement of the wafer holder 14 by measuring the distance between the pupil-divided slit images, but this method is used for the autofocus mechanism. There is no limitation. For example, a slit image projection method in which a slit image is obliquely projected to detect a shift in the focus position, and the wafer holder 14 is moved up and down by an amount corresponding to the shift amount,
An image processing method or the like may be used in which an image at a position where the contrast of the image captured by moving the stage in the vertical direction is maximized is used as the image signal.
【0022】図2は、ウェハに形成された外側マークと
内側マークとからなる重ね合わせマークを示す図であ
る。なお、図2では、図面の明瞭化のために、外側マー
クと内側マークとがx方向にのみ位置ずれている状態を
示している。図2を参照すると、重ね合わせマークは、
第一の層に形成された一辺がLの正方形の外側マークと
第二の層に形成された一辺がSの正方形の内側マークと
が重なって構成されている。ここで、外側マークの大き
さLは20μm〜30μm程度であり、内側マークの大
きさSは10μm〜15μm程度である。FIG. 2 is a view showing an overlay mark composed of an outer mark and an inner mark formed on the wafer. Note that FIG. 2 shows a state in which the outer mark and the inner mark are displaced only in the x direction for the sake of clarity. Referring to FIG. 2, the overlay mark is
An outer mark having a square shape of L on one side formed on the first layer and an inner mark having a square shape of S having one side formed on the second layer are overlapped with each other. Here, the size L of the outer mark is about 20 μm to 30 μm, and the size S of the inner mark is about 10 μm to 15 μm.
【0023】外側マークに対する内側マークのx方向の
重ね合わせずれ量δxは、外側マークの像のエッジの座
標(XoL,Y),(XoR,Y)と内側マークの像の
エッジの座標(XiL,Y),(XiR,Y)とから、
次の式(1)で表される。
δx=(XiL+XiR−XoL−XoR)/2 (1)The overlay deviation amount δx of the inner mark with respect to the outer mark in the x direction is determined by the coordinates (XoL, Y), (XoR, Y) of the edge of the image of the outer mark and the coordinate (XiL, of the edge of the image of the inner mark. From Y), (XiR, Y),
It is expressed by the following equation (1). δx = (XiL + XiR−XoL−XoR) / 2 (1)
【0024】同様に、外側マークに対する内側マークの
y方向の重ね合わせずれ量δyは、外側マークの像のエ
ッジの座標(X,YoD),(X,YoU)と内側マー
クの像のエッジの座標(X,YiD),(X,YiU)
とから、次の式(2)で表される。
δy=(YiD+YiU−YoD−YoU)/2 (2)Similarly, the overlay deviation amount δy of the inner mark with respect to the outer mark in the y direction is determined by the coordinates (X, YoD), (X, YoU) of the edge of the image of the outer mark and the coordinate of the edge of the image of the inner mark. (X, YiD), (X, YiU)
Therefore, it is expressed by the following equation (2). δy = (YiD + YiU-YoD-YoU) / 2 (2)
【0025】ところが、ウェハ11上の座標(x,y)
にある点は、結像光学系(9,8,7,16)により、
撮像素子17の像面(結像面)上の点(X(x,y),
Y(x,y))に結像する。このとき、結像光学系に歪
曲収差があると、撮像素子17の像面上の点は、次の式
(3)および(4)で表される。ただし、βは結像光学
系の倍率を示し、ξ,ηは光軸の偏心を示し、Dは歪曲
収差係数を示している。
X(x,y)=β{(x−ξ)+D(x−ξ)[(x−ξ)2+(y−η)2]} (3)
Y(x,y)=β{(y−η)+D(y−η)[(y−ξ)2+(y−η)2]} (4)However, the coordinates (x, y) on the wafer 11
The point at is due to the imaging optics (9,8,7,16)
A point (X (x, y), on the image plane (image plane) of the image sensor 17
An image is formed on Y (x, y). At this time, if the imaging optical system has distortion, the points on the image plane of the image sensor 17 are expressed by the following equations (3) and (4). Here, β represents the magnification of the imaging optical system, ξ and η represent the decentering of the optical axis, and D represents the distortion aberration coefficient. X (x, y) = β {(x−ξ) + D (x−ξ) [(x−ξ) 2 + (y−η) 2 ]} (3) Y (x, y) = β {(y −η) + D (y−η) [(y−ξ) 2 + (y−η) 2 ]} (4)
【0026】重ね合わせずれ量の測定時において、外側
マークの位置座標(x,y)は、画像を取り込んだ際に
読み込むことができる。結像光学系の歪曲収差係数D、
および画面内の座標に対する光軸中心のずれ量ξ,η
は、結像光学系を変更しない限り一定と考えることがで
きる。そして、歪曲収差があまり大きくないときには、
近似的に取り込んだ画像の座標X,Yを次の式(5)お
よび(6)で物体面上の補正座標(x’,y’)に変換
することにより、結像光学系の歪曲収差の影響を除去す
ることができる。At the time of measuring the overlay deviation amount, the position coordinates (x, y) of the outer mark can be read when the image is captured. Distortion aberration coefficient D of the imaging optical system,
And the amount of deviation of the optical axis center from the coordinates on the screen ξ, η
Can be considered to be constant unless the imaging optical system is changed. And when the distortion is not so large,
By converting the coordinates X and Y of the approximately captured image into the corrected coordinates (x ′, y ′) on the object surface by the following equations (5) and (6), the distortion aberration of the imaging optical system The effect can be eliminated.
【0027】
x'=(X-Ξ)/β-D×(X-Ξ)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3 (5)
y'=(Y-Η)/β-D×(Y-Η)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3 (6)
ここで、(Ξ,Η)は、像面上での光軸中心を示す座
標、つまり補正座標原点である。厳密には、光軸が像面
を通過する位置を像面の座標系で表したものである。こ
れに対して、(ξ,η)は、光軸が像面を通過する位置
を物体面の座標系で表したものである。X ′ = (X-Ξ) / β-D × (X-Ξ) × [(X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 (5) y ′ = (Y-Η ) / β-D × (Y-Η) × [(X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 (6) where (Ξ, Η) is the optical axis on the image plane. Coordinates indicating the center, that is, the corrected coordinate origin. Strictly speaking, the position where the optical axis passes through the image plane is represented by the coordinate system of the image plane. On the other hand, (ξ, η) represents the position where the optical axis passes through the image plane in the coordinate system of the object plane.
【0028】外側マークの中心と内側マークの中心とが
δx,δyだけずれている重ね合わせマークを、外側マ
ークの中心が座標(x,y)にあるときに撮像し、重ね
合わせずれ量Δx,Δyを測定する。x軸方向の重ね合
わせずれ量δxは、内側マークの2つのエッジのx座標
(x+δx−S/2)と(x+δx+S/2)との平均
から、外側マークの2つのエッジのx座標(x−L/
2)と(x+L/2)との平均を差し引くことにより求
められる。ところが、歪曲収差のある結像光学系を介し
てマーク像を取り込んだ場合には、前述したように光軸
からの物体高(x,y)に応じて結像する位置が位置ず
れしてX(x,y),Y(x,y)となる。したがっ
て、測定される重ね合わせずれ量Δx,Δyは、次の式
(7)および(8)で表される。An image of the overlay mark in which the center of the outer mark and the center of the inner mark are displaced by δx, δy is imaged when the center of the outer mark is at the coordinates (x, y), and the overlay displacement amount Δx, Measure Δy. The overlay deviation amount δx in the x-axis direction is calculated by averaging the x-coordinates (x + δx−S / 2) and (x + δx + S / 2) of the two edges of the inner mark, and calculating the x-coordinate (x− of the two edges of the outer mark). L /
It is obtained by subtracting the average of 2) and (x + L / 2). However, when the mark image is captured via the image forming optical system having distortion, the image forming position is displaced according to the object height (x, y) from the optical axis as described above, and X is shifted. (X, y), Y (x, y). Therefore, the measured overlay deviation amounts Δx and Δy are expressed by the following equations (7) and (8).
【0029】[0029]
【数2】 [Equation 2]
【0030】つまり、本来の重ね合わせずれ量δx,δ
yに、歪曲収差係数Dに比例し且つマークの光軸からの
座標(x−ξ,y−η)に依存した項が加わる。画像と
して取り込むことのできる量として補正座標原点(Ξ,
Η)を用いて補正された重ね合わせずれ量Δx’,Δ
y’は、次の式(9)および(10)に従って求められ
る。That is, the original overlay deviation amounts δx, δ
A term that is proportional to the distortion aberration coefficient D and that depends on the coordinates (x-ξ, y-η) from the optical axis of the mark is added to y. The correction coordinate origin (Ξ,
Η) corrected overlay deviation amount Δx ′, Δ
y'is calculated according to the following equations (9) and (10).
【0031】[0031]
【数3】 [Equation 3]
【0032】結像光学系と撮像面(像面)とは固定され
ているため移動することがないものとすると、マークの
位置座標(X,Y)は視野(像面)内での外側マークの
エッジの位置から求めることができ、視野内での絶対的
なマーク位置を決めるために高精度なステージや干渉計
を用いたシステムや厳密にパターンが形成された歪曲収
差測定用のパターンは必要がない。Assuming that the image forming optical system and the image pickup surface (image surface) do not move because they are fixed, the position coordinates (X, Y) of the mark are the outer marks within the visual field (image surface). It is possible to obtain from the position of the edge of the, and a system using a high-precision stage and interferometer to determine the absolute mark position in the field of view and a pattern for strictly measuring the distortion aberration are necessary. There is no.
【0033】像面内の座標系でのエッジ位置を用いて補
正することができるので、同じマークについて視野面内
で異なる複数の位置で重ね合わせずれ量Δx,Δyを計
測することにより、本来のウェハ上のマークの重ね合わ
せずれ量δx,δyは光学系の視野位置に関係なく一定
であることから、補正重ね合わせずれ量Δx’,Δy’
と歪曲収差係数Dと補正座標原点(Ξ,Η)とを、統計
的に最小二乗法などでフィッティングして同時に求める
ことができる。つまり、前述の補正式(9)および(1
0)より求まったΔx’,Δy’の真の重ね合わせずれ
量δx,δyに対する残差が最も少なくなるように補正
重ね合わせずれ量Δx’,Δy’と歪曲収差係数Dと補
正座標原点(Ξ,Η)とを求めることができる。このと
き、マーク中心として計測する位置は、補正座標原点
(Ξ,Η)を中心にランダムな値をとっていることが望
ましい。具体的には、複数のずれ量Δx,Δyを計測す
る場合には、ステージ10を制御して撮像素子17の視
野面内で同一マークを動かし、例えば、観察している状
態で被検物体を視野面内の第1の位置でずれ量Δx,Δ
yを計測した後に、第1の位置と異なる第2の位置で更
にずれ量Δx,Δyを計測し、視野面内での位置を変え
ながらこの動作を少なくとも3回以上計測を繰り返す。Since the correction can be performed by using the edge position in the coordinate system in the image plane, the original displacement is measured by measuring the overlay deviation amounts Δx and Δy at a plurality of different positions in the field plane for the same mark. Since the overlay deviation amounts δx and δy of the marks on the wafer are constant regardless of the visual field position of the optical system, the corrected overlay deviation amounts Δx ′ and Δy ′.
The distortion aberration coefficient D and the correction coordinate origin (Ξ, Η) can be statistically fitted by the least square method or the like to be simultaneously obtained. That is, the correction equations (9) and (1
0), Δx ′ and Δy ′ are calculated so that the residual error with respect to the true overlay deviation amounts δx and δy is minimized, the correction overlay deviation amounts Δx ′ and Δy ′, the distortion aberration coefficient D, and the correction coordinate origin (Ξ , Η) and can be obtained. At this time, it is desirable that the position measured as the center of the mark has a random value centered on the corrected coordinate origin (Ξ, Η). Specifically, when measuring a plurality of shift amounts Δx and Δy, the stage 10 is controlled to move the same mark within the field of view of the image pickup device 17, and, for example, the object to be inspected while being observed. Deviations Δx, Δ at the first position in the field of view
After measuring y, the shift amounts Δx and Δy are further measured at a second position different from the first position, and this operation is repeated at least three times or more while changing the position within the visual field plane.
【0034】上記の方法では同じマークを複数回測定す
る手間がかかるが、1つのマークを測定する毎に結像光
学系に関する変動要因を求めて補正しているので、結像
光学系やメカ系の安定性が十分でない場合も高精度な計
測が行うことができる。In the above method, it takes time and labor to measure the same mark a plurality of times, but since the variation factor relating to the imaging optical system is calculated and corrected every time one mark is measured, the imaging optical system and the mechanical system are corrected. Even if the stability of is not sufficient, highly accurate measurement can be performed.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、光学
系(結像光学系)の歪曲収差の影響を良好に補正し、重
ね合わせずれ量の検査を正確に行うことができる。ま
た、重ね合わせ検査用のマークを用いて歪曲収差係数D
と像面上の補正座標原点(Ξ,Η)とを求めることがで
きるので、補正式に複雑な影響を与える因子を含む実際
のプロセスウェハ毎にこれらの係数を決めることも可能
である。さらに、処理時間に余裕があれば、同じ重ね合
わせマークについて視野内の複数の位置で重ね合わせず
れ量を計測し、個々の重ね合わせマークについて真の重
ね合わせずれ量を求めることもできる。As described above, according to the present invention, the influence of the distortion aberration of the optical system (imaging optical system) can be satisfactorily corrected, and the overlay deviation amount can be accurately inspected. In addition, the distortion aberration coefficient D is determined by using the overlay inspection mark.
Since it is possible to obtain the correction coordinate origin (Ξ, Η) on the image plane, it is also possible to determine these coefficients for each actual process wafer including factors that have a complicated influence on the correction formula. Further, if the processing time has a margin, it is possible to measure the overlay deviation amount at a plurality of positions within the field of view for the same overlay mark and obtain the true overlay deviation amount for each overlay mark.
【図1】本発明の実施形態にかかる重ね合わせ検査装置
の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an overlay inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】ウェハに形成された外側マークと内側マークと
からなる重ね合わせマークを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an overlay mark composed of an outer mark and an inner mark formed on a wafer.
【符号の説明】 1 観察用光源 2 コレクタレンズ 3 波長選択フィルター 6 コンデンサレンズ 7 ハーフミラー 8 ダイクロイックミラー 9 対物レンズ 10 ステージ 11 ウェハ 12 開口絞り 13 視野絞り 14 ウェハホルダー 15 回転調整用のモータ 16 第2対物レンズ 17 撮像素子 18 画像処理系 19 AF用光源 20 コレクタレンズ 21 視野絞り 22 ハーフミラー 25 瞳分割プリズム 26 結像レンズ 27 円筒レンズ 28 一次元撮像素子(ラインセンサ) 29 AF処理系[Explanation of symbols] 1 Observation light source 2 collector lens 3 wavelength selection filter 6 condenser lens 7 Half mirror 8 dichroic mirror 9 Objective lens 10 stages 11 wafers 12 Aperture stop 13 Field stop 14 Wafer holder 15 Motor for rotation adjustment 16 Second objective lens 17 Image sensor 18 Image processing system 19 AF light source 20 collector lens 21 Field stop 22 Half mirror 25 pupil division prism 26 Imaging lens 27 Cylindrical lens 28 One-dimensional image sensor (line sensor) 29 AF processing system
フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA03 AA20 BB27 BB28 CC17 CC19 CC25 EE08 FF04 FF10 GG02 GG07 JJ02 JJ26 LL00 LL20 LL22 LL47 MM03 MM04 QQ24 QQ25 QQ31 5F046 ED01 FA11 FB17 FC04 Continued front page F term (reference) 2F065 AA03 AA20 BB27 BB28 CC17 CC19 CC25 EE08 FF04 FF10 GG02 GG07 JJ02 JJ26 LL00 LL20 LL22 LL47 MM03 MM04 QQ24 QQ25 QQ31 5F046 ED01 FA11 FB17 FC04
Claims (5)
マークとからなる重ね合わせマークを照明するための照
明系と、前記重ね合わせマークの像を像面上に形成する
ための結像光学系と、前記像面上に形成された前記重ね
合わせマークの像を検出するための検出系とを備え、前
記第1マークと前記第2マークとの重ね合わせずれ量を
計測する重ね合わせ検査装置において、 前記結像光学系の歪曲収差および光軸の偏心に基づいて
前記第1マークおよび前記第2マークの特徴点の位置を
像面内の座標に応じて補正し、補正された前記特徴点の
位置に基づいて前記重ね合わせずれ量を求めることを特
徴とする重ね合わせ検査装置。1. A first mark and a second mark formed on an object surface.
An illumination system for illuminating an overlay mark composed of a mark, an imaging optical system for forming an image of the overlay mark on an image plane, and an overlaying system for the overlay mark formed on the image plane. An overlay inspection apparatus, comprising: a detection system for detecting an image, for measuring an overlay deviation amount between the first mark and the second mark, wherein distortion of the imaging optical system and decentering of an optical axis are detected. The positions of the characteristic points of the first mark and the second mark are corrected based on the coordinates in the image plane based on the above, and the overlay deviation amount is obtained based on the corrected position of the characteristic points. Overlay inspection device.
像光学系の歪曲収差係数をDとし、像面での光軸中心を
示す座標(像面上での補正座標原点)を(Ξ,Η)とし
たとき、像面内の座標(X,Y)に対して補正された特
徴点の物体面上の座標(x’,y’)を、 x'=(X-Ξ)/β-D×(X-Ξ)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3 y'=(Y-Η)/β-D×(Y-Η)×[(X-Ξ)2+(Y-Η)2]/β3 の式に従って求めることを特徴とする請求項1に記載の
重ね合わせ検査装置。2. The magnification of the image forming optical system is β, the distortion aberration coefficient of the image forming optical system is D, and the coordinates indicating the center of the optical axis on the image plane (correction coordinate origin on the image plane) are defined. When (Ξ, Η), the coordinates (x ', y') on the object plane of the feature point corrected with respect to the coordinates (X, Y) in the image plane are x '= (X-Ξ) / β-D × (X-Ξ) × [(X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 y '= (Y-Η) / β-D × (Y-Η) × [( The overlay inspection apparatus according to claim 1, wherein the overlay inspection apparatus is obtained according to an equation of X-Ξ) 2 + (Y-Η) 2 ] / β 3 .
複数の位置で前記重ね合わせマークの中心位置および前
記重ね合わせマークの重ね合わせずれ量Δx,Δyを計
測し、歪曲収差係数Dと像面上の補正座標原点(Ξ,
Η)とをフィッティングすることにより求め、求めた歪
曲収差係数Dおよび補正座標原点(Ξ,Η)を補正係数
として、測定された重ね合わせずれ量Δx,Δyを前記
重ね合わせマークの像面上での位置に応じて補正するこ
とを特徴とする請求項2に記載の重ね合わせ検査装置。3. The center position of the overlay mark and the overlay deviation amounts Δx, Δy of the overlay mark are measured at a plurality of different positions within the visual field of the imaging optical system, and the distortion aberration coefficient D and the image plane are measured. Upper correction coordinate origin (Ξ,
Η) and the calculated distortion aberration coefficient D and the correction coordinate origin (Ξ, Η) are used as correction coefficients, and the measured overlay deviations Δx and Δy are measured on the image plane of the overlay mark. The overlay inspection apparatus according to claim 2, wherein the correction is performed according to the position of.
形状のマークであり、前記第2マークは一辺の長さがS
の正方形状のマークであり、 前記結像光学系の倍率をβとし、前記結像光学系の歪曲
収差係数をDとし、像面での光軸中心を示す座標(像面
上での補正座標原点)を(Ξ,Η)とし、測定された重
ね合わせずれ量をΔx,Δyとしたとき、補正座標原点
(Ξ,Η)を用いて補正された重ね合わせずれ量Δ
x’,Δy’は、 【数1】 の式に従って求められることを特徴とする請求項3に記
載の重ね合わせ検査装置。4. The first mark is a square mark having a side length of L, and the second mark has a side length of S.
Is a square mark, the magnification of the image forming optical system is β, the distortion aberration coefficient of the image forming optical system is D, and the coordinates indicating the center of the optical axis on the image plane (correction coordinates on the image plane). When the origin is (Ξ, Η) and the measured overlay deviations are Δx, Δy, the overlay deviations Δ corrected using the corrected coordinate origin (Ξ, Η).
x ′ and Δy ′ are as follows: The overlay inspection device according to claim 3, wherein the overlay inspection device is obtained according to
複数の位置で前記重ね合わせマークの中心位置および前
記重ね合わせマークの重ね合わせずれ量Δx,Δyを計
測し、補正された重ね合わせずれ量Δx’,Δy’と、
歪曲収差係数Dと、像面上の補正座標原点(Ξ,Η)と
をフィッティングすることにより求めることを特徴とす
る請求項4に記載の重ね合わせ検査装置。5. A corrected overlay shift amount corrected by measuring the center position of the overlay mark and overlay shift amounts Δx and Δy of the overlay mark at a plurality of different positions within the visual field of the imaging optical system. Δx ', Δy',
The overlay inspection apparatus according to claim 4, wherein the distortion aberration coefficient D and the correction coordinate origin (Ξ, Η) on the image plane are obtained by fitting.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102749815A (en) * | 2012-07-26 | 2012-10-24 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Detection method for alignment precision |
CN102809900A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Semiconductor element overlap system and semiconductor element overlap method |
US11921277B2 (en) * | 2017-12-18 | 2024-03-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image acquisition device and image acquisition method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08201021A (en) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Mazda Motor Corp | Calibration method |
JP2000350239A (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Sony Corp | Camera.calibration device and method, image processing unit and method, program serving medium and camera |
JP2001066108A (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Nikon Corp | Pattern information measuring device |
-
2001
- 2001-08-27 JP JP2001255428A patent/JP2003068612A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08201021A (en) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Mazda Motor Corp | Calibration method |
JP2000350239A (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Sony Corp | Camera.calibration device and method, image processing unit and method, program serving medium and camera |
JP2001066108A (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Nikon Corp | Pattern information measuring device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102809900A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Semiconductor element overlap system and semiconductor element overlap method |
CN102749815A (en) * | 2012-07-26 | 2012-10-24 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Detection method for alignment precision |
US11921277B2 (en) * | 2017-12-18 | 2024-03-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image acquisition device and image acquisition method |
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