JP2003063891A - 半導体の単結晶引上装置 - Google Patents
半導体の単結晶引上装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の半導体の単結晶引上装置では、電磁石
を回転させて回転磁場を発生させるため、機械的な駆動
機構を要し、構造が複雑でメンテナンス性に劣るという
課題があった。 【解決手段】 チャンバー内に回転自在に支持され、溶
融シリコン３を収容するルツボ２と、前記ルツボの周囲
にコイル軸に対して１２０度毎に固定配置された３個の
鞍形コイル１と、前記コイルを順次励消磁することによ
り、前記ルツボ内の前記溶融シリコンに対して、単結晶
を引上げる軸と直交する向きで前記ルツボの回転と同期
している回転磁場を印加する励消磁制御装置とを備え
た。 【効果】 機械的な回転駆動機構無しに、水平回転磁場
を発生することができ、溶融シリコンとルツボ相対的な
動きを防止して品質のよい結晶を形成することができ
る。
を回転させて回転磁場を発生させるため、機械的な駆動
機構を要し、構造が複雑でメンテナンス性に劣るという
課題があった。 【解決手段】 チャンバー内に回転自在に支持され、溶
融シリコン３を収容するルツボ２と、前記ルツボの周囲
にコイル軸に対して１２０度毎に固定配置された３個の
鞍形コイル１と、前記コイルを順次励消磁することによ
り、前記ルツボ内の前記溶融シリコンに対して、単結晶
を引上げる軸と直交する向きで前記ルツボの回転と同期
している回転磁場を印加する励消磁制御装置とを備え
た。 【効果】 機械的な回転駆動機構無しに、水平回転磁場
を発生することができ、溶融シリコンとルツボ相対的な
動きを防止して品質のよい結晶を形成することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ルツボ内の溶融
半導体原料に磁場を印加し、種結晶を浸して該種結晶を
引上げることにより半導体の単結晶を引上げる半導体の
単結晶引上装置に関するものである。
半導体原料に磁場を印加し、種結晶を浸して該種結晶を
引上げることにより半導体の単結晶を引上げる半導体の
単結晶引上装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体の単結晶引上装置について
図面を参照しながら説明する。図５は、例えば特開昭６
０−０３３２９２号公報に示された従来の半導体の単結
晶引上装置の断面構成を示す図である。
図面を参照しながら説明する。図５は、例えば特開昭６
０−０３３２９２号公報に示された従来の半導体の単結
晶引上装置の断面構成を示す図である。
【０００３】図５において、１１はチャンバー、１２は
支持棒、１３は保護体、１４は石英ルツボ、１５は円筒
状のヒータ、１６は保温筒、１７はチェーン、１８は種
結晶、１９は溶融シリコン、２０は単結晶シリコン、２
１及び２２は電磁石である。
支持棒、１３は保護体、１４は石英ルツボ、１５は円筒
状のヒータ、１６は保温筒、１７はチェーン、１８は種
結晶、１９は溶融シリコン、２０は単結晶シリコン、２
１及び２２は電磁石である。
【０００４】つぎに、従来の半導体の単結晶引上装置の
動作について図面を参照しながら説明する。
動作について図面を参照しながら説明する。
【０００５】回転自在な支持棒１２が、チャンバー１１
の下部開口から挿入されており、この支持棒１２上には
保護体１３が支持され、石英ルツボ１４を保護してい
る。
の下部開口から挿入されており、この支持棒１２上には
保護体１３が支持され、石英ルツボ１４を保護してい
る。
【０００６】保護体１３の外周には、円筒状のヒータ１
５及び保温筒１６が順次配設されている。チャンバー１
１の上部開口からチェーン１７を引上げることにより、
種結晶１８を支持している。
５及び保温筒１６が順次配設されている。チャンバー１
１の上部開口からチェーン１７を引上げることにより、
種結晶１８を支持している。
【０００７】単結晶シリコン２０を製造する場合には、
石英ルツボ１４内にシリコン原料を入れ、ヒータ１５に
よりシリコン原料を溶融させ、この溶融シリコン１９に
種結晶１８を浸し、石英ルツボ１４と種結晶１８とを逆
方向に回転させながらチェーン１７を引上げることによ
り単結晶シリコン２０を引上げるものである。
石英ルツボ１４内にシリコン原料を入れ、ヒータ１５に
よりシリコン原料を溶融させ、この溶融シリコン１９に
種結晶１８を浸し、石英ルツボ１４と種結晶１８とを逆
方向に回転させながらチェーン１７を引上げることによ
り単結晶シリコン２０を引上げるものである。
【０００８】チャンバー１１の外筒の石英ルツボ１４の
両側方の位置に、２個の電磁石２１、２２がＮ極とＳ極
が対向するように配設されており、石英ルツボ１４内の
溶融シリコン１９に水平方向の磁場を印加するようにな
っている。
両側方の位置に、２個の電磁石２１、２２がＮ極とＳ極
が対向するように配設されており、石英ルツボ１４内の
溶融シリコン１９に水平方向の磁場を印加するようにな
っている。
【０００９】これらの電磁石２１、２２は、チャンバー
１１の周囲を石英ルツボ１４の回転と同期して機械的あ
るいは電気的に回転できるようになっている。電磁石２
１、２２によって発生する印加磁場を、石英ルツボ１４
と同期して回転することにより、石英ルツボ１４内の溶
融シリコン１９もを石英ルツボ１４と同期して回転し、
石英ルツボ１４と溶融シリコン１９は相対的に静止した
状況となり、溶融シリコン１９が石英ルツボ１４を浸食
することを防ぎ、単結晶半導体の純度を向上することが
できる。
１１の周囲を石英ルツボ１４の回転と同期して機械的あ
るいは電気的に回転できるようになっている。電磁石２
１、２２によって発生する印加磁場を、石英ルツボ１４
と同期して回転することにより、石英ルツボ１４内の溶
融シリコン１９もを石英ルツボ１４と同期して回転し、
石英ルツボ１４と溶融シリコン１９は相対的に静止した
状況となり、溶融シリコン１９が石英ルツボ１４を浸食
することを防ぎ、単結晶半導体の純度を向上することが
できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半導体の単結晶引上装置では、電磁石２１、２２を回転
させて回転磁場を発生させるため、機械的な駆動機構を
要し、構造が複雑でメンテナンス性に劣るという問題点
があった。
半導体の単結晶引上装置では、電磁石２１、２２を回転
させて回転磁場を発生させるため、機械的な駆動機構を
要し、構造が複雑でメンテナンス性に劣るという問題点
があった。
【００１１】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、コイルを静止させたまま、ルツボ
内の溶融半導体原料に、単結晶を引上げる軸と直交する
向きを持ち、且つ該軸の回りに回転する磁場を容易に印
加することができる半導体の単結晶引上装置を得ること
を目的とする。
めになされたもので、コイルを静止させたまま、ルツボ
内の溶融半導体原料に、単結晶を引上げる軸と直交する
向きを持ち、且つ該軸の回りに回転する磁場を容易に印
加することができる半導体の単結晶引上装置を得ること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体の
単結晶引上装置は、チャンバー内に回転自在に支持さ
れ、溶融シリコンを収容するルツボと、前記ルツボの周
囲に固定配置された複数のコイルと、前記複数のコイル
を順次励消磁することにより、前記ルツボ内の前記溶融
シリコンに対して、単結晶を引上げる軸と直交する向き
で前記ルツボの回転と同期している回転磁場を印加する
励消磁制御装置とを備えたものである。
単結晶引上装置は、チャンバー内に回転自在に支持さ
れ、溶融シリコンを収容するルツボと、前記ルツボの周
囲に固定配置された複数のコイルと、前記複数のコイル
を順次励消磁することにより、前記ルツボ内の前記溶融
シリコンに対して、単結晶を引上げる軸と直交する向き
で前記ルツボの回転と同期している回転磁場を印加する
励消磁制御装置とを備えたものである。
【００１３】また、この発明に係る半導体の単結晶引上
装置は、前記励消磁制御装置に代えて、前記複数のコイ
ルの励消磁時間を制御することにより、前記ルツボ内の
前記溶融シリコンに対して、単結晶を引上げる軸と直交
する向きで所定の回転速度の回転磁場を印加する励消磁
時間制御装置を備えたものである。
装置は、前記励消磁制御装置に代えて、前記複数のコイ
ルの励消磁時間を制御することにより、前記ルツボ内の
前記溶融シリコンに対して、単結晶を引上げる軸と直交
する向きで所定の回転速度の回転磁場を印加する励消磁
時間制御装置を備えたものである。
【００１４】さらに、この発明に係る半導体の単結晶引
上装置は、前記複数のコイルを、コイル軸に対して１２
０度毎に配置された３個の鞍形コイルとしたものであ
る。
上装置は、前記複数のコイルを、コイル軸に対して１２
０度毎に配置された３個の鞍形コイルとしたものであ
る。
【００１５】さらに、この発明に係る半導体の単結晶引
上装置は、前記複数のコイルを、コイル軸に対して６０
度毎に配置された６個の鞍形コイルとしたものである。
上装置は、前記複数のコイルを、コイル軸に対して６０
度毎に配置された６個の鞍形コイルとしたものである。
【００１６】またさらに、この発明に係る半導体の単結
晶引上装置は、前記複数のコイルを、コイル軸に対して
９０度毎に配置された２個の鞍形コイルとしたものであ
る。
晶引上装置は、前記複数のコイルを、コイル軸に対して
９０度毎に配置された２個の鞍形コイルとしたものであ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１に係る半導体の単結晶引上装置について図面を参
照しながら説明する。図１は、この発明の実施の形態１
に係る半導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
形態１に係る半導体の単結晶引上装置について図面を参
照しながら説明する。図１は、この発明の実施の形態１
に係る半導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００１８】図１において、１は３個の鞍形コイル、２
は石英ルツボ、３は溶融シリコンである。なお、他の構
成は、電磁石２１、２２を除いて図５に示す従来の半導
体の単結晶引上装置と同様である。
は石英ルツボ、３は溶融シリコンである。なお、他の構
成は、電磁石２１、２２を除いて図５に示す従来の半導
体の単結晶引上装置と同様である。
【００１９】図１（ａ）は、この実施の形態１に係る半
導体の単結晶引上装置の斜視図であり、同図（ｂ）は、
この実施の形態１に係る半導体の単結晶引上装置の横断
面図である。
導体の単結晶引上装置の斜視図であり、同図（ｂ）は、
この実施の形態１に係る半導体の単結晶引上装置の横断
面図である。
【００２０】図１（ｂ）に示すように、コイル１は、３
個の鞍形コイルＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、及びＣ−Ｃ’から
構成されている。
個の鞍形コイルＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、及びＣ−Ｃ’から
構成されている。
【００２１】図１に示すように、３個の鞍形コイル１を
それそれコイル軸に対して１２０度毎に配置し、電源
（図示せず）からインバータ等の励消磁制御装置（図示
せず）を通じて、三相交流電流を３個の鞍形コイル１に
通電し、単結晶を引上げる軸と直交する水平方向に、ル
ツボ２の回転と同期している２極の回転磁場を発生し、
石英ルツボ２に印加する。
それそれコイル軸に対して１２０度毎に配置し、電源
（図示せず）からインバータ等の励消磁制御装置（図示
せず）を通じて、三相交流電流を３個の鞍形コイル１に
通電し、単結晶を引上げる軸と直交する水平方向に、ル
ツボ２の回転と同期している２極の回転磁場を発生し、
石英ルツボ２に印加する。
【００２２】この水平回転磁場は、従来例のような機械
的な回転駆動機構無しに、溶融シリコン３と石英ルツボ
２の相対的な動きを防止し、品質のよい結晶を形成させ
る効果がある。
的な回転駆動機構無しに、溶融シリコン３と石英ルツボ
２の相対的な動きを防止し、品質のよい結晶を形成させ
る効果がある。
【００２３】すなわち、この実施の形態１に係る半導体
の単結晶引上装置は、チャンバー内に石英ルツボ２を回
転自在に支持し、該ルツボ２内の溶融シリコン３に回転
自在に吊下された種結晶を浸し、前記ルツボ２内の溶融
シリコン３に対して、単結晶を引上げる軸と直交する向
きに磁場を発生する３個のコイル１を静止させた状態で
配置し、これら３個のコイル１を励消磁制御装置によっ
て順次励消磁することにより、前記ルツボ２内の溶融シ
リコン３に回転する磁場を印加する。
の単結晶引上装置は、チャンバー内に石英ルツボ２を回
転自在に支持し、該ルツボ２内の溶融シリコン３に回転
自在に吊下された種結晶を浸し、前記ルツボ２内の溶融
シリコン３に対して、単結晶を引上げる軸と直交する向
きに磁場を発生する３個のコイル１を静止させた状態で
配置し、これら３個のコイル１を励消磁制御装置によっ
て順次励消磁することにより、前記ルツボ２内の溶融シ
リコン３に回転する磁場を印加する。
【００２４】実施の形態２．この発明の実施の形態２に
係る半導体の単結晶引上装置について図面を参照しなが
ら説明する。図２は、この発明の実施の形態２に係る半
導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
係る半導体の単結晶引上装置について図面を参照しなが
ら説明する。図２は、この発明の実施の形態２に係る半
導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
【００２５】図２において、４は６個の鞍形コイルであ
る。
る。
【００２６】上記実施の形態１では、３個の鞍型コイル
１の場合について説明した。この実施の形態２では、６
個の鞍型コイル４を用いた場合について説明する。
１の場合について説明した。この実施の形態２では、６
個の鞍型コイル４を用いた場合について説明する。
【００２７】図２（ａ）は、コイルの配置模式図であ
り、同図（ｂ）は、コイルの結線図の一例である。
り、同図（ｂ）は、コイルの結線図の一例である。
【００２８】図２（ｂ）に示すように、６個の鞍形コイ
ル４をそれぞれコイル軸に対して６０度毎に配置し、電
源（図示せず）からインバータ等の励消磁制御装置（図
示せず）を通じて、三相交流電流を上記６個のコイル４
に通電し、単結晶を引上げる軸と直交する水平方向に、
ルツボ２の回転と同期している４極の回転磁場を発生
し、石英ルツボ２に印加する。
ル４をそれぞれコイル軸に対して６０度毎に配置し、電
源（図示せず）からインバータ等の励消磁制御装置（図
示せず）を通じて、三相交流電流を上記６個のコイル４
に通電し、単結晶を引上げる軸と直交する水平方向に、
ルツボ２の回転と同期している４極の回転磁場を発生
し、石英ルツボ２に印加する。
【００２９】この水平回転磁場は、上記実施の形態１よ
りも滑らかな回転磁界となり、溶融シリコンとルツボの
相対的な動きをより防止する効果があり、品質のよい結
晶を形成させる。また、上記実施の形態１に比べて鞍形
コイルが小さくなったので、コイルが製作し易いという
効果もある。
りも滑らかな回転磁界となり、溶融シリコンとルツボの
相対的な動きをより防止する効果があり、品質のよい結
晶を形成させる。また、上記実施の形態１に比べて鞍形
コイルが小さくなったので、コイルが製作し易いという
効果もある。
【００３０】すなわち、この実施の形態２に係る半導体
の単結晶引上装置は、チャンバー内に石英ルツボ２を回
転自在に支持し、該ルツボ２内の溶融シリコン３に回転
自在に吊下された種結晶を浸し、前記ルツボ２内の溶融
シリコン３に対して、単結晶を引上げる軸と直交する向
きに磁場を発生する６個のコイル４を静止させた状態で
配置し、これら６個のコイル４を励消磁制御装置によっ
て順次励消磁することにより、前記ルツボ２内の溶融シ
リコン３に回転する磁場を印加する。
の単結晶引上装置は、チャンバー内に石英ルツボ２を回
転自在に支持し、該ルツボ２内の溶融シリコン３に回転
自在に吊下された種結晶を浸し、前記ルツボ２内の溶融
シリコン３に対して、単結晶を引上げる軸と直交する向
きに磁場を発生する６個のコイル４を静止させた状態で
配置し、これら６個のコイル４を励消磁制御装置によっ
て順次励消磁することにより、前記ルツボ２内の溶融シ
リコン３に回転する磁場を印加する。
【００３１】実施の形態３．この発明の実施の形態３に
係る半導体の単結晶引上装置について図面を参照しなが
ら説明する。図３は、この発明の実施の形態３に係る半
導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
係る半導体の単結晶引上装置について図面を参照しなが
ら説明する。図３は、この発明の実施の形態３に係る半
導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
【００３２】図３において、５は２個の鞍形コイルであ
る。
る。
【００３３】この実施の形態３は、２コイルの場合であ
る。図３（ａ）は、コイルの配置模式図であり、同図
（ｂ）は、コイルの結線図の一例である
る。図３（ａ）は、コイルの配置模式図であり、同図
（ｂ）は、コイルの結線図の一例である
【００３４】図３に示すように、２個の鞍形コイル５を
それぞれコイル軸に対して９０度毎に配置し、電源（図
示せず）からインバータ等の励消磁制御装置（図示せ
ず）を通じて、単相交流電流を上記２個のコイル５に通
電し、単結晶を引上げる軸と直交する水平方向に、ルツ
ボ２の回転と同期している２極の回転磁場を発生し、石
英ルツボ２に印加する。
それぞれコイル軸に対して９０度毎に配置し、電源（図
示せず）からインバータ等の励消磁制御装置（図示せ
ず）を通じて、単相交流電流を上記２個のコイル５に通
電し、単結晶を引上げる軸と直交する水平方向に、ルツ
ボ２の回転と同期している２極の回転磁場を発生し、石
英ルツボ２に印加する。
【００３５】この実施の形態３でも、ルツボ２と溶融シ
リコンの相対的な動きを防止することは可能であり、上
記実施の形態１及び２に比べて、鞍形コイルの数が最小
限になるので、コストを低減する効果がある。
リコンの相対的な動きを防止することは可能であり、上
記実施の形態１及び２に比べて、鞍形コイルの数が最小
限になるので、コストを低減する効果がある。
【００３６】すなわち、この実施の形態３に係る半導体
の単結晶引上装置は、チャンバー内に石英ルツボ２を回
転自在に支持し、該ルツボ２内の溶融シリコン３に回転
自在に吊下された種結晶を浸し、前記ルツボ２内の溶融
シリコン３に対して、単結晶を引上げる軸と直交する向
きに磁場を発生する２個のコイル５を静止させた状態で
配置し、これら２個のコイル５を励消磁制御装置によっ
て順次励消磁することにより、前記ルツボ２内の溶融シ
リコン３に回転する磁場を印加する。
の単結晶引上装置は、チャンバー内に石英ルツボ２を回
転自在に支持し、該ルツボ２内の溶融シリコン３に回転
自在に吊下された種結晶を浸し、前記ルツボ２内の溶融
シリコン３に対して、単結晶を引上げる軸と直交する向
きに磁場を発生する２個のコイル５を静止させた状態で
配置し、これら２個のコイル５を励消磁制御装置によっ
て順次励消磁することにより、前記ルツボ２内の溶融シ
リコン３に回転する磁場を印加する。
【００３７】実施の形態４．この発明の実施の形態４に
係る半導体の単結晶引上装置について図面を参照しなが
ら説明する。図４は、この発明の実施の形態４に係る半
導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
係る半導体の単結晶引上装置について図面を参照しなが
ら説明する。図４は、この発明の実施の形態４に係る半
導体の単結晶引上装置の構成を示す図である。
【００３８】図４において、６は交流三相、交流単相、
または直流の電源、７は励消磁時間制御装置、８は複数
のコイルである。
または直流の電源、７は励消磁時間制御装置、８は複数
のコイルである。
【００３９】この実施の形態４に係る半導体の単結晶引
上装置は、回転する磁場の回転速度を制御するものであ
る。
上装置は、回転する磁場の回転速度を制御するものであ
る。
【００４０】図４において、電源６は、上述したよう
に、交流三相、交流単相または直流電源である。励消磁
時間制御装置７は、インバータ等の電子装置である。こ
の励消磁時間制御装置７により、複数のコイル８を任意
の時間で励消磁可能となり、上記実施の形態１、２、又
は３と組合わせることにより、回転磁場の回転速度を任
意に調整でき、ルツボ２の回転と同期している回転速度
等の最適な速度の回転磁場を得ることが可能な効果があ
る。
に、交流三相、交流単相または直流電源である。励消磁
時間制御装置７は、インバータ等の電子装置である。こ
の励消磁時間制御装置７により、複数のコイル８を任意
の時間で励消磁可能となり、上記実施の形態１、２、又
は３と組合わせることにより、回転磁場の回転速度を任
意に調整でき、ルツボ２の回転と同期している回転速度
等の最適な速度の回転磁場を得ることが可能な効果があ
る。
【００４１】すなわち、この実施の形態４では、前記複
数個のコイルの励消磁時間を制御して回転する磁場の回
転速度を制御するものである。
数個のコイルの励消磁時間を制御して回転する磁場の回
転速度を制御するものである。
【００４２】
【発明の効果】この発明に係る半導体の単結晶引上装置
は、以上説明したとおり、チャンバー内に回転自在に支
持され、溶融シリコンを収容するルツボと、前記ルツボ
の周囲に固定配置された複数のコイルと、前記複数のコ
イルを順次励消磁することにより、前記ルツボ内の前記
溶融シリコンに対して、単結晶を引上げる軸と直交する
向きで前記ルツボの回転と同期している回転磁場を印加
する励消磁制御装置とを備えたので、機械的な回転駆動
機構無しに、水平回転磁場を発生することができ、溶融
シリコンとルツボ相対的な動きを防止して品質のよい結
晶を形成することができるという効果を奏する。
は、以上説明したとおり、チャンバー内に回転自在に支
持され、溶融シリコンを収容するルツボと、前記ルツボ
の周囲に固定配置された複数のコイルと、前記複数のコ
イルを順次励消磁することにより、前記ルツボ内の前記
溶融シリコンに対して、単結晶を引上げる軸と直交する
向きで前記ルツボの回転と同期している回転磁場を印加
する励消磁制御装置とを備えたので、機械的な回転駆動
機構無しに、水平回転磁場を発生することができ、溶融
シリコンとルツボ相対的な動きを防止して品質のよい結
晶を形成することができるという効果を奏する。
【００４３】また、この発明に係る半導体の単結晶引上
装置は、以上説明したとおり、前記励消磁制御装置に代
えて、前記複数のコイルの励消磁時間を制御することに
より、前記ルツボ内の前記溶融シリコンに対して、単結
晶を引上げる軸と直交する向きで所定の回転速度の回転
磁場を印加する励消磁時間制御装置を備えたので、回転
磁場の回転速度を任意に調整することができるという効
果を奏する。
装置は、以上説明したとおり、前記励消磁制御装置に代
えて、前記複数のコイルの励消磁時間を制御することに
より、前記ルツボ内の前記溶融シリコンに対して、単結
晶を引上げる軸と直交する向きで所定の回転速度の回転
磁場を印加する励消磁時間制御装置を備えたので、回転
磁場の回転速度を任意に調整することができるという効
果を奏する。
【００４４】さらに、この発明に係る半導体の単結晶引
上装置は、以上説明したとおり、前記複数のコイルを、
コイル軸に対して１２０度毎に配置された３個の鞍形コ
イルとしたので、機械的な回転駆動機構無しに、水平回
転磁場を発生することができ、溶融シリコンとルツボ相
対的な動きを防止して品質のよい結晶を形成することが
できるという効果を奏する。
上装置は、以上説明したとおり、前記複数のコイルを、
コイル軸に対して１２０度毎に配置された３個の鞍形コ
イルとしたので、機械的な回転駆動機構無しに、水平回
転磁場を発生することができ、溶融シリコンとルツボ相
対的な動きを防止して品質のよい結晶を形成することが
できるという効果を奏する。
【００４５】さらに、この発明に係る半導体の単結晶引
上装置は、以上説明したとおり、前記複数のコイルを、
コイル軸に対して６０度毎に配置された６個の鞍形コイ
ルとしたので、機械的な回転駆動機構無しに、水平回転
磁場を発生することができ、溶融シリコンとルツボ相対
的な動きを防止して品質のよい結晶を形成することがで
きるという効果を奏する。
上装置は、以上説明したとおり、前記複数のコイルを、
コイル軸に対して６０度毎に配置された６個の鞍形コイ
ルとしたので、機械的な回転駆動機構無しに、水平回転
磁場を発生することができ、溶融シリコンとルツボ相対
的な動きを防止して品質のよい結晶を形成することがで
きるという効果を奏する。
【００４６】またさらに、この発明に係る半導体の単結
晶引上装置は、以上説明したとおり、前記複数のコイル
を、コイル軸に対して９０度毎に配置された２個の鞍形
コイルとしたので、機械的な回転駆動機構無しに、水平
回転磁場を発生することができ、溶融シリコンとルツボ
相対的な動きを防止して品質のよい結晶を形成すること
ができるという効果を奏する。
晶引上装置は、以上説明したとおり、前記複数のコイル
を、コイル軸に対して９０度毎に配置された２個の鞍形
コイルとしたので、機械的な回転駆動機構無しに、水平
回転磁場を発生することができ、溶融シリコンとルツボ
相対的な動きを防止して品質のよい結晶を形成すること
ができるという効果を奏する。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る半導体の単結
晶引上装置の構成を示す図である。
晶引上装置の構成を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態２に係る半導体の単結
晶引上装置の構成を示す図である。
晶引上装置の構成を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態３に係る半導体の単結
晶引上装置の構成を示す図である。
晶引上装置の構成を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態４に係る半導体の単結
晶引上装置の構成を示す図である。
晶引上装置の構成を示す図である。
【図５】 従来の半導体の単結晶引上装置の構成を示す
図である。
図である。
１ ３個の鞍形コイル、２ 石英ルツボ、３ 溶融シリ
コン、４ ６個の鞍形コイル、５ ２個の鞍形コイル、
６ 電源、７ 励消磁時間制御装置、８ 複数のコイ
ル。
コン、４ ６個の鞍形コイル、５ ２個の鞍形コイル、
６ 電源、７ 励消磁時間制御装置、８ 複数のコイ
ル。
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(72)発明者 豊田 勝義
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EJ02 HA12
Claims (5)
- 【請求項１】 チャンバー内に回転自在に支持され、溶
融シリコンを収容するルツボと、 前記ルツボの周囲に固定配置された複数のコイルと、 前記複数のコイルを順次励消磁することにより、前記ル
ツボ内の前記溶融シリコンに対して、単結晶を引上げる
軸と直交する向きで前記ルツボの回転と同期している回
転磁場を印加する励消磁制御装置とを備えたことを特徴
とする半導体の単結晶引上装置。 - 【請求項２】 前記励消磁制御装置に代えて、 前記複数のコイルの励消磁時間を制御することにより、
前記ルツボ内の前記溶融シリコンに対して、単結晶を引
上げる軸と直交する向きで所定の回転速度の回転磁場を
印加する励消磁時間制御装置を備えたことを特徴とする
請求項１記載の半導体の単結晶引上装置。 - 【請求項３】 前記複数のコイルは、コイル軸に対して
１２０度毎に配置された３個の鞍形コイルであることを
特徴とする請求項１又は２記載の半導体の単結晶引上装
置。 - 【請求項４】 前記複数のコイルは、コイル軸に対して
６０度毎に配置された６個の鞍形コイルであることを特
徴とする請求項１又は２記載の半導体の単結晶引上装
置。 - 【請求項５】 前記複数のコイルは、コイル軸に対して
９０度毎に配置された２個の鞍形コイルであることを特
徴とする請求項１又は２記載の半導体の単結晶引上装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259621A JP2003063891A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 半導体の単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259621A JP2003063891A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 半導体の単結晶引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003063891A true JP2003063891A (ja) | 2003-03-05 |
Family
ID=19086966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001259621A Withdrawn JP2003063891A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 半導体の単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003063891A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123313A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 単結晶引上げ装置用超電導磁石装置における冷凍機の装着構造及び冷凍機のメンテナンス方法 |
| KR100793950B1 (ko) | 2005-07-27 | 2008-01-16 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장방법 |
| JP2008270463A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 超電導マグネット装置 |
| DE112022000585T5 (de) | 2021-03-15 | 2023-11-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Einkristall-ziehvorrichtung und verfahren zum ziehen von einkristallen |
-
2001
- 2001-08-29 JP JP2001259621A patent/JP2003063891A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123313A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 単結晶引上げ装置用超電導磁石装置における冷凍機の装着構造及び冷凍機のメンテナンス方法 |
| KR100793950B1 (ko) | 2005-07-27 | 2008-01-16 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장방법 |
| JP2008270463A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 超電導マグネット装置 |
| DE112022000585T5 (de) | 2021-03-15 | 2023-11-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Einkristall-ziehvorrichtung und verfahren zum ziehen von einkristallen |
| KR20230155456A (ko) | 2021-03-15 | 2023-11-10 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정 인상장치 및 단결정 인상방법 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081104 |