JP2003060289A - Semiconductor laser drive circuit and imaging apparatus - Google Patents
Semiconductor laser drive circuit and imaging apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ駆動
回路及び画像形成装置に関し、より詳細には、レーザプ
リンタ、光デイスク装置、デジタル複写機、光通信装置
等に利用される半導体レーザの半導体レーザ駆動回路及
び画像形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser drive circuit and an image forming apparatus, and more particularly, to a semiconductor laser of a semiconductor laser used in a laser printer, an optical disk device, a digital copying machine, an optical communication device or the like. The present invention relates to a drive circuit and an image forming apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体レーザの駆動回路は、無バ
イアス方式と有バイアス方式に大別される。無バイアス
方式は、半導体レーザのバイアス電流を０に設定して、
入力信号に対応するパルス電流でレーザダイオード（以
下、「ＬＤ」と言う。）を駆動する方式であり、有バイ
アス方式は、半導体レーザのバイアス電流を半導体レー
ザの閾値電流に設定し、常時上記バイアス電流を流しな
がら、入力信号に対応するパルス電流を上記バイアス電
流に加えてＬＤを駆動する方式である。2. Description of the Related Art Conventional semiconductor laser drive circuits are roughly classified into a non-bias type and a bias type. In the non-biased method, the bias current of the semiconductor laser is set to 0,
This is a method of driving a laser diode (hereinafter referred to as "LD") with a pulse current corresponding to an input signal. In the biased method, the bias current of the semiconductor laser is set to the threshold current of the semiconductor laser, and the bias is always applied. This is a method of driving a LD by applying a pulse current corresponding to an input signal to the bias current while flowing a current.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、閾値電流の
大きな半導体レーザを無バイアス方式で駆動する場合、
入力信号に対応する駆動電流がＬＤに印加されても、レ
ーザ発振が可能な濃度のキャリアが生成されるまでにあ
る程度の時間を要し、発光するまでに時間遅延が生じ
る。その結果、入力信号が発光遅延時間より十分大き
く、発光遅延量が無視できる場合には問題ないが、レー
ザプリンタ、光デイスク装置、デジタル複写機等におけ
る半導体レーザを高速に駆動したい場合は、所望のパル
ス幅より小さいパルスしか得ることができない。By the way, when a semiconductor laser having a large threshold current is driven by a non-biased method,
Even if a drive current corresponding to the input signal is applied to the LD, it takes some time until carriers with a concentration capable of laser oscillation are generated, and a time delay occurs until light emission. As a result, there is no problem if the input signal is sufficiently larger than the light emission delay time and the light emission delay amount can be ignored, but if the semiconductor laser in a laser printer, an optical disk device, a digital copying machine, etc. is to be driven at high speed, it is desirable. Only pulses smaller than the pulse width can be obtained.
【０００４】そこで、レーザ発光までの時間遅延を小さ
くするために、予め半導体レーザの発振閾値電流分を流
す有バイアス方式が提案されている。この有バイアス方
式は、予め半導体レーザの発振閾値電流分を流している
ので、発光遅延時間はなくなるが、発光しない場合にで
も、常時、発振閾値付近で発光している（通常は２００
μＷ〜３００μＷ）ため、光通信の場合には消光比が小
さくなり、レーザプリンタ、光デイスク装置、デジタル
複写機等の場合には、地肌汚れの原因となる。Therefore, in order to reduce the time delay until the laser emission, a biased method in which the oscillation threshold current of the semiconductor laser is supplied in advance has been proposed. In this biased method, since the oscillation threshold current of the semiconductor laser is supplied in advance, the light emission delay time is eliminated, but even when light is not emitted, light is always emitted near the oscillation threshold (usually 200).
.mu.W to 300 .mu.W), the extinction ratio becomes small in the case of optical communication, and causes a background stain in the case of a laser printer, an optical disk device, a digital copying machine and the like.
【０００５】このような問題を解決するために、光通信
の分野においては、特開平４−２８３９７８号公報や特
開平９−８３０５０号公報等において、基本的に無バイ
アス方式を用い、発光させる直前に発振閾値電流を流す
構成が提案されている。ところが、最近では、レーザプ
リンタ、光デイスク装置、デジタル複写機等において、
更なる高解像度化を求めて、６５０ｎｍの赤色ＬＤや、
更に４００ｎｍの紫外ＬＤ等を用いたシステムが実用化
され始めている。これらの半導体レーザは、従来の１．
３μｍや１．５μｍ、７８０ｎｍ帯のＬＤに比べて、レ
ーザ発振が可能な濃度のキャリアが生成されるまでに多
くの時間を要する特性を有しており、上記方法において
も所望のパルス幅より小さいパルス幅しか得ることがで
きないという問題がある。In order to solve such a problem, in the field of optical communication, in JP-A-4-283978, JP-A-9-83050, etc., a bias-free method is basically used and immediately before light emission. A configuration has been proposed in which an oscillation threshold current is passed through. However, recently, in laser printers, optical disk devices, digital copying machines, etc.,
In pursuit of higher resolution, a 650 nm red LD,
Furthermore, a system using a 400 nm ultraviolet LD or the like has begun to be put into practical use. These semiconductor lasers are conventional 1.
Compared with LDs of 3 μm, 1.5 μm, and 780 nm band, it has a characteristic that it takes a longer time to generate carriers with a concentration capable of laser oscillation, and even in the above method, it is smaller than the desired pulse width. There is a problem that only the pulse width can be obtained.
【０００６】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、高速で高精度な半導体レーザ駆動回路及び画像形
成装置を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a high-speed and highly-accurate semiconductor laser drive circuit and an image forming apparatus.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本件発明は、以下の特徴を有する課題を解決するた
めの手段を採用している。In order to solve the above problems, the present invention employs means for solving the problems having the following features.
【０００８】請求項１に記載された発明は、半導体レー
ザに常時微小なバイアス電流を供給するバイアス電流生
成手段と、半導体レーザに閾値電流を供給する閾値電流
生成手段と、入力信号に応じて前記半導体レーザを発光
させるように駆動する駆動電流生成手段とを有し、前記
閾値電流生成手段は、前記入力信号から閾値電流を生成
し、前記閾値電流生成手段により生成された閾値電流の
オン期間は、前記駆動電流生成手段により発光する発光
期間より長く、かつ、該発光期間を含む期間であり、前
記バイアス電流、前記駆動電流、前記閾値電流の３つの
電流の和電流で半導体レーザを駆動することを特徴とす
る半導体レーザ駆動回路である。According to a first aspect of the present invention, there is provided bias current generating means for constantly supplying a minute bias current to the semiconductor laser, threshold current generating means for supplying a threshold current to the semiconductor laser, and the bias current generating means according to an input signal. A driving current generating means for driving the semiconductor laser to emit light, the threshold current generating means generates a threshold current from the input signal, and the on-period of the threshold current generated by the threshold current generating means is Driving the semiconductor laser with a sum current of three currents of the bias current, the drive current, and the threshold current, which is a period longer than the light emission period for emitting light by the drive current generating means and includes the light emission period. Is a semiconductor laser driving circuit.
【０００９】請求項１に記載された発明によれば、半導
体レーザに常時微小なバイアス電流を供給するバイアス
電流生成手段と、半導体レーザに閾値電流を供給する閾
値電流生成手段と、入力信号に応じて前記半導体レーザ
を発光させるように駆動する駆動電流生成手段とを有
し、前記閾値電流生成手段は、前記入力信号から閾値電
流を生成し、前記閾値電流生成手段により生成された閾
値電流のオン期間は、前記駆動電流生成手段により発光
する発光期間より長く、かつ、該発光期間を含む期間で
あり、前記バイアス電流、前記駆動電流、前記閾値電流
の３つの電流の和電流で半導体レーザを駆動することに
より、高速かつ高精度な半導体レーザ駆動回路を提供す
ることができる。According to the invention described in claim 1, a bias current generating means for constantly supplying a minute bias current to the semiconductor laser, a threshold current generating means for supplying a threshold current to the semiconductor laser, and an input signal according to the input signal. Drive current generating means for driving the semiconductor laser to emit light, the threshold current generating means generating a threshold current from the input signal, and turning on the threshold current generated by the threshold current generating means. The period is longer than the light emission period of light emission by the drive current generating means and includes the light emission period, and the semiconductor laser is driven by the sum current of the three currents of the bias current, the drive current, and the threshold current. By doing so, a high-speed and highly accurate semiconductor laser drive circuit can be provided.
【００１０】請求項２に記載された発明は、請求項１記
載の半導体レーザ駆動回路において、前記バイアス電流
生成手段において生成される電流は数ｍＡ以下であるこ
とを特徴とする。According to a second aspect of the invention, in the semiconductor laser drive circuit according to the first aspect, the current generated by the bias current generating means is several mA or less.
【００１１】請求項２に記載された発明によれば、バイ
アス電流生成手段において生成される電流は数ｍＡ以下
であることにより、消光比が十分確保でき、かつ高速・
高精度な半導体レーザ駆動回路を提供することができ
る。According to the second aspect of the present invention, the current generated by the bias current generating means is several mA or less, so that the extinction ratio can be sufficiently secured and high speed / high speed
A highly accurate semiconductor laser drive circuit can be provided.
【００１２】請求項３に記載された発明は、請求項１記
載の半導体レーザ駆動回路において、前記入力信号を所
定時間遅延させる遅延信号生成手段と、前記遅延信号生
成手段により遅延された遅延信号に基づき前記半導体レ
ーザを駆動する駆動電流生成手段と、前記入力信号と前
記遅延信号の論理和を生成する前記閾値電流生成手段と
を備え、前記閾値電流生成手段が生成した前記閾値電流
は、前記駆動電流がオフになる前にオフとならないこと
を特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit according to the first aspect, a delay signal generating means for delaying the input signal for a predetermined time and a delay signal delayed by the delay signal generating means are provided. Drive current generating means for driving the semiconductor laser based on the above, and the threshold current generating means for generating a logical sum of the input signal and the delay signal, the threshold current generated by the threshold current generating means is the drive It is characterized in that it does not turn off before the current turns off.
【００１３】請求項３に記載された発明によれば、閾値
電流生成手段から生成される閾値電流は、駆動電流がオ
フになる前にオフとならないことにより、変調信号より
先に閾値オン信号がオフになることが無く、入力信号に
応じてＬＤの発光を正確に行うことができるＬＤ駆動回
路を提供することができる。According to the third aspect of the present invention, the threshold current generated by the threshold current generating means is not turned off before the drive current is turned off. It is possible to provide an LD drive circuit that can accurately emit light from an LD according to an input signal without being turned off.
【００１４】請求項４に記載された発明は、請求項１記
載の半導体レーザ駆動回路において、前記駆動電流生成
手段は、電源投入時又はリセット解除時に動作する初期
化手段を有し、前記初期化手段より、前記半導体レーザ
の発光時の光量が所定の値となるよう設定されることを
特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit according to the first aspect, the drive current generating means has an initialization means that operates when the power is turned on or when reset is released. According to another aspect of the present invention, the amount of light emitted from the semiconductor laser is set to a predetermined value.
【００１５】請求項５に記載された発明は、請求項４記
載の半導体レーザ駆動回路において、前記初期化手段
は、前記半導体レーザの光量が所定値の場合の電流又は
電圧と、前記半導体レーザの光量が所定値より小さい場
合の電流又は電圧との差分を検出して、前記半導体レー
ザの発光時の光量が所定の値となるよう設定することを
特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit according to the fourth aspect, the initialization means includes a current or a voltage when the light intensity of the semiconductor laser is a predetermined value, and the semiconductor laser drive circuit. It is characterized in that a difference from a current or a voltage when the light quantity is smaller than a predetermined value is detected, and the light quantity when the semiconductor laser emits light is set to a predetermined value.
【００１６】請求項６に記載された発明は、請求項４記
載の半導体レーザ駆動回路において、前記初期化手段
は、前記半導体レーザの光量が所定値の場合の電流又は
電圧と、前記半導体レーザをオフセット発光させた場合
の電流又は電圧との差分を検出して、前記半導体レーザ
の発光時の光量が所定の値となるよう設定することを特
徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit according to the fourth aspect, the initialization means sets the current or voltage when the light amount of the semiconductor laser is a predetermined value and the semiconductor laser. It is characterized in that a difference from a current or a voltage in the case of offset light emission is detected, and the light amount of the semiconductor laser at the time of light emission is set to a predetermined value.
【００１７】請求項７に記載された発明は、請求項４記
載の半導体レーザ駆動回路において、前記初期化手段
は、前記半導体レーザの光量が所定値の場合の電流又は
電圧と、前記半導体レーザの光量が所定値の１／Ｎ（Ｎ
は、２以上の自然数）の場合の電流又は電圧との差分を
検出して、前記半導体レーザの発光時の光量が所定の値
となるよう設定することを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit according to the fourth aspect, the initialization means is a current or voltage when the light amount of the semiconductor laser is a predetermined value, and the semiconductor laser driving circuit. The amount of light is 1 / N (N
Is characterized by detecting a difference from a current or a voltage in the case of a natural number of 2 or more) and setting the light amount of the semiconductor laser at the time of light emission to be a predetermined value.
【００１８】請求項８に記載された発明は、請求項５な
いし７いずれか一項記載の半導体レーザ駆動回路におい
て、前記初期化手段は、タイミング生成部と、前記差分
を検出する検出部と、前記半導体レーザの発光時の光量
を設定する電流設定部と、前記タイミング生成部より生
成されるタイミングに基づき前記検出部が検出した値
と、前記電流設定部により設定した値とが対応するよう
に逐次比較を行う比較部とで構成されていることを特徴
とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit according to any one of the fifth to seventh aspects, the initialization means includes a timing generation section and a detection section for detecting the difference. A current setting unit that sets a light amount when the semiconductor laser emits light, a value detected by the detection unit based on the timing generated by the timing generation unit, and a value set by the current setting unit correspond to each other. It is characterized in that it is configured with a comparison unit that performs successive comparison.
【００１９】請求項４〜８に記載された発明によれば、
初期化手段より、当初の半導体レーザの発光時の光量が
所定の値となるよう設定され、簡単な構成でオーバーシ
ュート等が生じない、より高速・高精度パルス出力が可
能な半導体レーザ駆動回路を提供することができる。According to the invention described in claims 4 to 8,
A semiconductor laser drive circuit capable of high-speed and high-accuracy pulse output, in which the initial amount of light emitted from the semiconductor laser is set to a predetermined value by the initialization means, overshoot, etc. does not occur with a simple configuration. Can be provided.
【００２０】請求項９に記載された発明は、請求項１な
いし８いずれか一項記載の半導体レーザ駆動回路におい
て、前記半導体レーザの光出力を検知する受光部と、前
記受光部によって検知された前記半導体レーザの光出力
に比例した受光信号に基づいて、前記半導体レーザに供
給される電流を制御する電流制御手段を有することを特
徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit according to any one of the first to eighth aspects, a light receiving section for detecting the optical output of the semiconductor laser, and the light receiving section detect the light output. It is characterized by further comprising current control means for controlling a current supplied to the semiconductor laser based on a light receiving signal proportional to an optical output of the semiconductor laser.
【００２１】請求項１０に記載された発明は、請求項９
記載の半導体レーザ駆動回路において、前記電流制御手
段は、前記受光信号の大きさと所定の値とを比較して制
御信号を生成し、この制御信号により前記閾値電流生成
手段を制御することを特徴とする。The invention described in claim 10 is claim 9
In the semiconductor laser drive circuit described above, the current control means generates a control signal by comparing the magnitude of the received light signal with a predetermined value, and controls the threshold current generation means by this control signal. To do.
【００２２】請求項９又は１０に記載された発明によれ
ば、受光信号と所定の値の制御信号とに基づいて制御信
号を生成し、この制御信号により前記閾値電流生成手段
等を制御することにより、温度による変化があっても、
安定な出力の半導体レーザ駆動回路を提供することがで
きる。According to the invention described in claim 9 or 10, the control signal is generated based on the light receiving signal and the control signal having a predetermined value, and the threshold current generating means and the like are controlled by this control signal. Therefore, even if there is a change due to temperature,
A semiconductor laser drive circuit with stable output can be provided.
【００２３】請求項１１に記載された発明は、請求項１
０記載の半導体レーザ駆動回路において、前記電流制御
手段は、前記駆動電流生成手段がオン状態のときの前記
制御信号をサンプルし、そのサンプル値に基づいて、前
記閾値電流生成手段を制御することを特徴とする。The invention described in claim 11 is claim 1
0 in the semiconductor laser drive circuit, the current control means samples the control signal when the drive current generation means is in an ON state, and controls the threshold current generation means based on the sampled value. Characterize.
【００２４】請求項１１に記載された発明によれば、前
記駆動電流生成手段がオン状態のときの前記制御信号を
サンプルし、そのサンプル値に基づいて、前記閾値電流
生成手段を制御することにより、例えば、画像書込み領
域外でのみ光量調整を行うだけでなく、書込み領域内で
も、ＬＤがオンになっていれば、その都度サンプリング
を行って制御することにより、温度による変化があって
も、安定な出力の半導体レーザ駆動回路を提供すること
ができる。According to the eleventh aspect of the present invention, by sampling the control signal when the drive current generating means is in the ON state and controlling the threshold current generating means based on the sampled value. For example, not only the light amount adjustment is performed only outside the image writing area, but also in the writing area, if the LD is turned on, by sampling and controlling each time, even if there is a change due to temperature, A semiconductor laser drive circuit with stable output can be provided.
【００２５】請求項１２に記載された発明は、請求項１
ないし１１いずれか一項記載の半導体レーザ駆動回路に
おいて、前記半導体レーザを駆動する出力部の電圧を検
出し、その検出値に基づき前記半導体レーザに供給する
電源の電圧を制御する手段を有することを特徴とする。The invention described in claim 12 is the same as claim 1.
11. The semiconductor laser drive circuit according to claim 11, further comprising means for detecting a voltage of an output section for driving the semiconductor laser and controlling a voltage of a power supply supplied to the semiconductor laser based on the detected value. Characterize.
【００２６】請求項１２に記載された発明によれば、半
導体レーザを駆動する出力部の電圧を検出し、その検出
値に基づき前記半導体レーザに供給する電源の電圧を制
御する手段を有することにより、消費電力が少なく多数
のＬＤを駆動できるＬＤ駆動回路を実現することができ
る。According to the twelfth aspect of the present invention, there is provided means for detecting the voltage of the output section for driving the semiconductor laser and controlling the voltage of the power supply to be supplied to the semiconductor laser based on the detected value. It is possible to realize an LD drive circuit that consumes less power and can drive a large number of LDs.
【００２７】請求項１３に記載された発明は、画像変調
信号によりその出力が変調される半導体レーザと、前記
半導体レーザの光で回転感光体を走査する走査手段と、
前記回転感光体に前記画像変調信号に応じた静電潜像を
形成する画像形成装置において、請求項１ないし１２い
ずれか一項記載の半導体レーザ駆動回路により、前記半
導体レーザが駆動されることを特徴とする画像形成装置
である。According to a thirteenth aspect of the present invention, a semiconductor laser whose output is modulated by an image modulation signal, and a scanning means for scanning the rotating photoconductor with the light of the semiconductor laser,
An image forming apparatus for forming an electrostatic latent image on the rotating photoconductor according to the image modulation signal, wherein the semiconductor laser driving circuit according to any one of claims 1 to 12 drives the semiconductor laser. A characteristic image forming apparatus.
【００２８】請求項１３に記載された発明によれば、請
求項１ないし１２いずれか一項記載の半導体レーザ駆動
回路を用いているので、より高速・高精度パルス出力が
可能な画像形成装置を実現することができる。According to the thirteenth aspect of the present invention, since the semiconductor laser drive circuit according to any one of the first to twelfth aspects is used, an image forming apparatus capable of high speed and high precision pulse output is provided. Can be realized.
【００２９】請求項１４に記載された発明は、請求項１
３記載の画像形成装置において、前記駆動電流生成手段
のフルスケール値を、前記走査手段の走査に応じて変化
させることによりシェーデイング補正を行うことを特徴
とする。The invention described in claim 14 is claim 1
In the image forming apparatus described in 3, shading correction is performed by changing the full-scale value of the drive current generating means according to the scanning of the scanning means.
【００３０】請求項１４に記載された発明によれば、駆
動電流生成手段のフルスケール値を、操作手段の走査に
応じて変化させることによりシェーデイング補正を行う
ことにより、確実にシェーデイング補正を行うことがで
きる。According to the fourteenth aspect of the present invention, the shading correction is surely performed by performing the shading correction by changing the full scale value of the drive current generating means in accordance with the scanning of the operating means. It can be carried out.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００３２】本発明は、ＬＤの特性に着目し、バイアス
電流と発振閾値電流と発光電流の３つの電流の和電流で
半導体レーザを駆動する。ここで、バイアス電流は、上
記有バイアス方式のバイアス電流と異なり、ごく微量の
電流とする。半導体レーザの特性は、無バイアス状態で
はインピーダンスはかなり大きく、この状態から閾値電
流を流しても、半導体レーザ内インダクタンス成分等の
影響によりすぐに発光遅延時間が無くなるレベルには行
かないが、例えば、１ｍＡ程度でも半導体レーザに電流
を流しておけば、半導体レーザのインピーダンスはかな
り低下しているので、この状態から閾値電流を流すと、
容易に発光遅延時間が無くなるレベルとなるため、かな
り微小なバイアス電流でも有効である。また、この場合
には、半導体レーザの発光量としては、十分小さいレベ
ルにあるため、有バイアス方式で問題となる、光通信の
場合の消光比が小さくなることも無いし、レーザプリン
タ、光デイスク装置、デジタル複写機等の場合の地肌汚
れの原因となることも無い半導体レーザ駆動回路並びに
画像形成装置を提供することができる。
(本発明の基本構成)本発明の基本概念図（基本構成）を
図１に示す。図１において、半導体レーザ１０に流す駆
動電流源は、バイアス電流源１２、閾値電流源１１、変
調電流源１３の３電流源からの和の電流で構成されてい
る。この内、バイアス電流源１２は、１ｍＡ程度でせい
ぜい数ｍＡ程度の電流を流す電流源とする。閾値電流源
１１は、半導体レーザ１０が発光する閾値を流す電流源
である。図１では、バイアス電流源１２あるので、その
電流値を引いた電流値(閾値電流―バイアス電流)であっ
てもよい。また、変調電流源１３は、入力された信号に
応じて変調される電流源で、これにより、半導体レーザ
１０の発光が制御される。In the present invention, attention is paid to the characteristics of the LD, and the semiconductor laser is driven by the sum current of the bias current, the oscillation threshold current and the light emission current. Here, the bias current is a very small amount of current, unlike the bias current of the bias type. The characteristics of the semiconductor laser are that the impedance is considerably large in the non-biased state, and even if a threshold current is flown from this state, it does not go to a level where the light emission delay time immediately disappears due to the influence of the inductance component in the semiconductor laser. If a current is applied to the semiconductor laser even at about 1 mA, the impedance of the semiconductor laser is considerably lowered. Therefore, if a threshold current is applied from this state,
Since the light emission delay time is easily eliminated, a very small bias current is effective. Further, in this case, since the light emission amount of the semiconductor laser is at a sufficiently small level, the extinction ratio in the case of optical communication, which is a problem in the biased system, does not decrease, and the laser printer, the optical disc, and the like. It is possible to provide a semiconductor laser drive circuit and an image forming apparatus that do not cause a background stain in an apparatus, a digital copying machine, or the like. (Basic Structure of the Present Invention) A basic conceptual diagram (basic structure) of the present invention is shown in FIG. In FIG. 1, the drive current source to be passed through the semiconductor laser 10 is composed of the sum current from the three current sources of the bias current source 12, the threshold current source 11, and the modulation current source 13. Of these, the bias current source 12 is a current source which allows a current of about 1 mA to flow at most about several mA. The threshold current source 11 is a current source that supplies a threshold value at which the semiconductor laser 10 emits light. In FIG. 1, since there is the bias current source 12, a current value obtained by subtracting the current value (threshold current-bias current) may be used. The modulation current source 13 is a current source that is modulated according to the input signal, and the emission of the semiconductor laser 10 is controlled by this.
【００３３】ここで、バイアス電流源について、図２、
図３を用いて説明する。図２、図３には、あるＬＤに微
小電流を流した場合の出力Ｐ(μＷ)とＬＤ降下電圧ＶＬ
ＤＤＯＷＮの実測定結果を示す。図２、図３を見ると、
ＬＤ降下電圧ＶＬＤＤＯＷＮはＬＤ電流ＩＬＤが２５０
μＡ時に既に１．４Ｖ程度発生しており、ＩＬＤが増え
るにつれ、少しずつ大きくなる。ＬＤには直流抵抗成分
があるため、ＩＬＤが増えるとＶＬＤＤＯＷＮも少しず
つ大きくなる。ＩＬＤが０の時にＶＬＤＤＯＷＮが０で
あるのに対し、ＩＬＤが２５０μＡ時は、ＶＬＤＤＯＷ
Ｎが１．４Ｖ発生しており、ＩＬＤに僅か２５０μＡ流
しただけで、ＬＤのインピーダンスが十分小さくなって
いることが分かる。これにより、２５０μＡ流した後に
閾値電流を流せば、その応答特性が十分向上することが
予測できる。つまり、例えば、ＬＤに１ｍＡ程度の微小
なバイアス電流を流しておくことで、ＬＤの降下電圧変
化も少なく、高速にＬＤが応答することが判る。また、
この時のＬＤの発光出力は１ｍＡ時でも１．２６μＷで
あり、通常のＬＤ発光量が１ｍＷ以上であることを考え
れば、０．１％程度であり、光通信における消光比や、
レーザプリンタ、デジタル複写機における地汚れが発生
することはないレベルであることが判る。また、ＬＤア
レイの様に、1つのＰＤ(フォトダイオード)及び多くの
ＬＤを有している場合でも、１つのＬＤの光量の制御に
対して、他のＬＤが約１μＷ程度の微発光をしているこ
とは問題とならない。また、図２、図３では、あるＬＤ
の特性を実測して、例として説明しているが、他のＬＤ
でも同様の特性を示している。
(第１の構成：閾値電流源の制御信号の生成)図４に、本
発明の第1の構成例を示す。図４は、閾値電流源の制御
信号を生成する構成例を示している。ＬＤの閾値電流源
１１は、温度により大きく変化するので、閾値電流源を
常時又はサンプルホールド回路を用いて制御する。図で
は、半導体レーザ１０の光出力を検知するＰＤ２０の出
力電圧と発光制御電圧とを比較し、ＰＤ２０の出力と発
光制御電圧とが一致するように、閾値電流源１１を制御
する。Here, regarding the bias current source, as shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. 2 and 3 show the output P (μW) and the LD drop voltage VL when a small current is passed through a certain LD.
The actual measurement result of DDOWN is shown. Looking at FIG. 2 and FIG.
LD drop voltage VLDDOWN has LD current ILD of 250
About 1.4V has already been generated at μA, and gradually increases as ILD increases. Since LD has a DC resistance component, VLDDOWN gradually increases as ILD increases. When ILD is 0, VLDDOWN is 0, while when ILD is 250 μA, VLDDOWN is
It can be seen that N of 1.4 V is generated, and the impedance of the LD is sufficiently small only by applying 250 μA to the ILD. Accordingly, it can be predicted that the response characteristic is sufficiently improved by passing the threshold current after passing 250 μA. That is, for example, it can be seen that by allowing a minute bias current of about 1 mA to flow through the LD, the LD drop voltage change is small and the LD responds at high speed. Also,
The light emission output of the LD at this time is 1.26 μW even at 1 mA, and considering that the normal LD light emission amount is 1 mW or more, it is about 0.1%, and the extinction ratio in optical communication,
It can be seen that the level is such that the scumming does not occur in the laser printer and the digital copying machine. In addition, even if one LD (photodiode) and many LDs are provided like the LD array, the other LD emits a slight light emission of about 1 μW in response to the control of the light amount of one LD. It doesn't matter. In addition, in FIG. 2 and FIG.
It is explained as an example by actually measuring the characteristics of
However, it shows the same characteristics. (First Configuration: Generation of Control Signal of Threshold Current Source) FIG. 4 shows a first configuration example of the present invention. FIG. 4 shows a configuration example for generating a control signal for the threshold current source. Since the threshold current source 11 of the LD largely changes depending on the temperature, the threshold current source is controlled constantly or by using a sample hold circuit. In the figure, the output voltage of the PD 20 that detects the optical output of the semiconductor laser 10 is compared with the emission control voltage, and the threshold current source 11 is controlled so that the output of the PD 20 and the emission control voltage match.
【００３４】一方、バイアス電流源１２は、固定の微小
電流で良く、また、変調電流源１３は、初期設定時にＬ
Ｄ固有の特性を測定して設定をすれば、温度による変化
が少ないので、同じく、固定電流として良い。On the other hand, the bias current source 12 may be a fixed minute current, and the modulation current source 13 is L at the time of initial setting.
If the characteristic peculiar to D is measured and set, since there is little change due to temperature, a fixed current may be used as well.
【００３５】このような構成にしたので、高速で高精度
な半導体レーザ駆動回路を提供することができる。
(第２の構成)図５に、本発明の第２の構成例を示す。図
５では、閾値電流源と変調電流源にスイッチ回路が直列
接続された構成を示している。スイッチ回路３１に閾値
オン信号が印加されると、閾値電流源１１の電流がＬＤ
１０に供給される。同様に、スイッチ回路３２に変調信
号が印加されると、変調電流源１３の電流がＬＤ１０に
供給される。変調信号と閾値オン信号のタイミングの例
を図６、図７に示す。With such a structure, it is possible to provide a high-speed and highly accurate semiconductor laser drive circuit. (Second Configuration) FIG. 5 shows a second configuration example of the present invention. In FIG. 5, a switch circuit is connected in series to the threshold current source and the modulation current source. When the threshold ON signal is applied to the switch circuit 31, the current of the threshold current source 11 is LD
Supplied to 10. Similarly, when the modulation signal is applied to the switch circuit 32, the current of the modulation current source 13 is supplied to the LD 10. 6 and 7 show examples of the timings of the modulation signal and the threshold value ON signal.
【００３６】図６には、発光指令信号(Ａ)、発光指令信
号の遅延パルス（Ｂ）、変調信号（Ｃ）、閾値オン信号
(Ｄ)、ＬＤ駆動電流(Ｅ)及びＬＤ出力である光波形(Ｆ)
が示されている。図６には示していないが、外部より入
力される発光指令信号（Ａ）が、遅延回路により遅延さ
れ変調信号(Ｃ)となり、発光指令信号（Ａ）と遅延信号
（Ｂ）の論理和が閾値オン信号(Ｄ)となる。FIG. 6 shows a light emission command signal (A), a light emission command signal delay pulse (B), a modulation signal (C), and a threshold value ON signal.
(D), LD drive current (E) and LD output optical waveform (F)
It is shown. Although not shown in FIG. 6, the light emission command signal (A) input from the outside is delayed by the delay circuit to become the modulation signal (C), and the logical sum of the light emission command signal (A) and the delay signal (B) is obtained. It becomes the threshold value ON signal (D).
【００３７】このとき、ＬＤ１０には、ＬＤ駆動電流
(Ｅ)が、供給される。ＬＤ駆動電流(Ｅ)は、図６(Ｅ)に
示すようにバイアス電流＋閾値電流＋変調電流と３電流
の和となる。また、閾値電流は、変調電流のオンの１〜
１０ｎｓ前にオンとなり、変調電流と同時にオフする構
成となっている。この閾値電流と変調電流の時間差は、
短い程良いが、実際のレーザプリンタやデジタル複写機
を想定した場合に、１ドット分程度以下であれば閾値電
流による微弱な発光があっても、その発光は僅かであ
り、また、僅かに地汚れが出る程度であるので問題にな
らない。赤色ＬＤや紫外ＬＤを用いる場合には、赤外の
ＬＤに比較してレーザ発振が可能な濃度のキャリアが生
成されるまでに多くの時間を要する特性を有しているこ
とから、ＬＤによっては１０ｎｓ程度前に閾値電流を流
す必要がある場合もあり、ＬＤドライバをＡＳＩＣ（Ap
plication Specific ＩＣ）化する場合には、遅延時
間を外部より制御する機能を有していれば、多種多様な
ＬＤに対応したＬＤドライバのＡＳＩＣが実現できる。At this time, the LD drive current is applied to the LD 10.
(E) is supplied. The LD drive current (E) is the sum of the bias current + threshold current + modulation current and three currents, as shown in FIG. 6 (E). Further, the threshold current is 1 to 1 when the modulation current is on.
It is turned on 10 ns ago and turned off at the same time as the modulation current. The time difference between this threshold current and the modulation current is
Shorter is better, but assuming an actual laser printer or digital copying machine, if there is about 1 dot or less, even if there is a weak light emission due to the threshold current, the light emission is small and slightly There is no problem as it is only dirty. When a red LD or an ultraviolet LD is used, it takes a longer time to generate a carrier having a concentration capable of laser oscillation than an infrared LD, and therefore, depending on the LD, In some cases, it may be necessary to pass the threshold current about 10 ns before the LD driver,
In the case of a replication specific IC), an LD driver ASIC compatible with a wide variety of LDs can be realized as long as it has a function of externally controlling the delay time.
【００３８】図７は、図６とは別の変調信号と閾値オン
信号のタイミングの例を示す。図７には、図６と同じ
く、発光指令信号(Ａ)、発光指令信号の遅延パルス
（Ｂ）、変調信号（Ｃ）、閾値オン信号(Ｄ)、ＬＤ駆動
電流(Ｅ)及びＬＤ出力である光波形(Ｆ)が示されてい
る。FIG. 7 shows an example of the timings of the modulation signal and the threshold value ON signal different from those of FIG. Similar to FIG. 6, in FIG. 7, the light emission command signal (A), the delay pulse (B) of the light emission command signal, the modulation signal (C), the threshold ON signal (D), the LD drive current (E), and the LD output are used. An optical waveform (F) is shown.
【００３９】図７では、閾値オン信号を変調信号がオフ
になった後に、閾値電流をオフとするタイミングの例を
示している。通常、閾値オン信号を変調信号を同時にオ
フすると言っても、高速に全く同一のタイミングでオフ
させることが困難である為、変調信号のオフを確認後に
閾値オン信号がオフとしている。しかしながら、その差
はせいぜい数ｎｓであり、レーザプリンタやデジタル複
写機を想定した場合にでも僅か数ｎｓ間に地汚れが出る
程度であるので画像上は問題にならない。このように構
成することにより、変調信号より先に閾値オン信号がオ
フになることが無く、パルスを正確に出力できるＬＤ駆
動回路が実現できる。
(半導体レーザの微分量子効率の検出と変調電流源の初
期設定)電源電圧投入時（又はＬＤオフ解除時）に、Ｌ
Ｄの微分量子効率（ＬＤの電流に対する出力パワーの傾
斜特性（微分特性））を検出して、その特性に基づい
て、変調電流を初期設定する。そのときの半導体レーザ
の微分量子効率の検出と変調電流源の初期設定に係る構
成を図８に示す。図８は、タイミング生成部５１、微分
量子効率検出部５２及びＤ／Ａ(デジタル・アナログ変
換)部５３を有している。FIG. 7 shows an example of the timing at which the threshold current is turned off after the modulation signal for the threshold on signal is turned off. Normally, even if it is said that the threshold on signal is turned off at the same time as the modulation signal, it is difficult to turn off at the same timing at high speed, so the threshold on signal is turned off after confirming that the modulation signal is off. However, the difference is at most a few ns, and even if a laser printer or a digital copying machine is assumed, the background stain is generated within only a few ns, so there is no problem on the image. With this configuration, it is possible to realize an LD drive circuit that can accurately output a pulse without turning off the threshold value ON signal before the modulation signal. (Detection of differential quantum efficiency of semiconductor laser and initial setting of modulation current source) When power supply voltage is turned on (or LD off is released), L
The differential quantum efficiency of D (the slope characteristic (differential characteristic) of the output power with respect to the LD current) is detected, and the modulation current is initialized based on the characteristic. FIG. 8 shows a configuration relating to detection of the differential quantum efficiency of the semiconductor laser and initial setting of the modulation current source at that time. FIG. 8 includes a timing generation unit 51, a differential quantum efficiency detection unit 52, and a D / A (digital / analog conversion) unit 53.
【００４０】変調電流源の初期設定は、ＬＤ１０のフル
パワー（最大のパワー）のときにＬＤ１０に印加されて
いる電圧ＶＬＤＦＵＬＬ(そのときＬＤに流れている電
流をＩＯＰとする)とし、また、閾値電流が流れたとき
のＬＤ１０に印加されている電圧ＶＬＤＴＨ(そのとき
ＬＤに流れている電流をＩＴＨとする)とした場合に、
これらの電圧の差をＶＬＤＤとし、これらの電流の差を
ＩＤとする。このＶＬＤ Ｄ又はＩＤを用いて、初期の変
調電流源の電流値を（ＩＯＰ−ＩＴＨ）に設定する。そ
の結果、変調信号がオンのとき、閾値電流源１１の電流
と合わせられて、ＬＤがフルパワーで発光する電流を、
変調電流源１３から供給することができる。また、変調
電流源１３から供給される電流が、閾値電流源１１の電
流と合わせられて、ＬＤがフルパワーで発光する略臨界
的な電流値であることから、変調電流の消耗を最低にす
ることができる。また、閾値電流源１１の電流及びバイ
アス電流源と合わせられても、過剰な電流をＬＤに供給
することがなくなり、ＬＤの寿命を延ばすことができ
る。The initial setting of the modulation current source is as follows:
Applied to the LD10 at the time of power (maximum power)
Voltage VLDFULL(The current flowing in the LD at that time
Flow IOPAnd when a threshold current flows.
VLD applied to the LD10 of theTH(then
The current flowing through the LD is ITHAnd)
The difference between these voltages is VLDDAnd the difference between these currents
IDAnd This VLD DOr IDUsing the
Set the current value of the adjusting current source to (IOP-ITH). So
As a result, when the modulation signal is on, the current of the threshold current source 11
Combined with, the current that the LD emits at full power,
It can be supplied from the modulation current source 13. Also the modulation
The current supplied from the current source 13 is the current of the threshold current source 11.
Combined with the current, the LD emits light at full power and is almost critical
Since this is a typical current value, the consumption of modulation current is minimized.
You can In addition, the current of the threshold current source 11 and the bypass current
Supplying excess current to LD even when combined with ass current source
And the life of the LD can be extended.
It
【００４１】ここでは、設定方法について、二つの例を
説明する。Here, two examples of setting methods will be described.
【００４２】図９、図１０に基づいて、第１の方法を説
明する。図９は、ＬＤの微分量子効率特性を示す図であ
り、ＬＤに供給される電流が増加し、電流値ＩＴＨにな
ると、ＬＤが発光し始める(そのときＬＤに印加されて
いる電圧がＶＬＤＴＨであり、そのときのＬＤの出力電
力はＰＴＨである。)。また、規格等で決まる最大のパ
ワーＰＯを出力する電流が電流をＩＯＰである(そのと
きＬＤに印加されている電圧がＶＬＤＯＰである。)。The first method will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a diagram showing a differential quantum efficiency characteristic of an LD. When the current supplied to the LD increases and reaches a current value I TH , the LD starts to emit light (the voltage applied to the LD at that time is VLD. TH , and the output power of the LD at that time is P TH ). The current that outputs the maximum power P O determined by the standard is I OP (the voltage applied to the LD at that time is VLD OP ).
【００４３】図１０(Ａ)は、タイミング生成部５１から
のタイミング信号ＬＶＣＯであり、図１０(Ｂ)は、ＬＤ
に供給される電流であり、図１０(Ｃ)は、Ｄ／Ａから出
力されるディジタル値である。なお、図１０(Ｃ)の値
は、一例であり、これに限られない。FIG. 10A shows the timing signal LVCO from the timing generator 51, and FIG. 10B shows the LD.
10C is a current supplied to the D / A and is a digital value output from the D / A. Note that the values in FIG. 10C are examples and are not limited thereto.
【００４４】また、タイミング生成部５１は、初期化時
のみ動作して、図１０(Ａ)に示すタイミング信号ＬＶＣ
Ｏを微分量子効率検出部５２に供給する。微分量子効率
検出部５２は、タイミング信号ＬＶＣＯに基づいて、Ｔ
＝０からＴ＝９までの１０タイミングを生成する。微分
量子効率検出部５２は、各タイミングに応じて処理を行
い、タイミング生成部５１からのタイミングに合わせて
Ｄ／Ａ部５３に、例えば、８ビットの値を出力する。Ｄ
／Ａ部５３から、例えば、１、０．５、０．２５、０．
１２５、等の値を大きい順に出力する。The timing generator 51 operates only at the time of initialization, and the timing signal LVC shown in FIG.
O is supplied to the differential quantum efficiency detection unit 52. The differential quantum efficiency detection unit 52, based on the timing signal LVCO,
10 timings from = 0 to T = 9 are generated. The differential quantum efficiency detection unit 52 performs processing according to each timing, and outputs an 8-bit value to the D / A unit 53 in synchronization with the timing from the timing generation unit 51. D
/ A section 53, for example, 1, 0.5, 0.25, 0.
Values such as 125 are output in descending order.
【００４５】微分量子効率検出部５２は、Ｔ＝０にて、
ＬＤを強制点灯(フルパワー点灯)し、Ｔ＝１にてＬＤを
オフセット発光（ＩＴＨ近傍）させ、Ｔ＝９にてＬＤを
オフ(バイアス電流約１ｍＡ)と変化させる。また、Ｔ＝
１において、ＩＯＰ−ＩＴＨの差分をホールドする。一
方、タイミング生成部５１からのタイミングに合わせて
Ｄ／Ａ部５３に、Ｔ＝０からＴ＝９まで、１、０．５、
０．２５、０．１２５、等の値を順に出力する。ここ
で、例えば、ＩＯＰ−ＩＴＨの差分が、０．７ｍＡであ
り、Ｄ／Ａ部５３の値、１、０．５、０．２５、０．１
２５等が、１ｍＡ、０．５ｍＡ、０．２５ｍＡ、０．１
２５ｍＡ等に対応するように、変調電流源１３を制御す
るものであるとして、以下説明する。The differential quantum efficiency detector 52, at T = 0,
The LD is forcibly turned on (full power lighting), the LD is caused to perform offset light emission (near I TH ) at T = 1, and the LD is turned off (at a bias current of about 1 mA) at T = 9. Also, T =
At 1, the difference of I OP −I TH is held. On the other hand, in accordance with the timing from the timing generation unit 51, the D / A unit 53 causes T = 0 to T = 9 to be 1, 0.5,
Values such as 0.25, 0.125, etc. are output in order. Here, for example, the difference of I OP −I TH is 0.7 mA, and the value of the D / A unit 53 is 1, 0.5, 0.25, 0.1.
25 etc. is 1 mA, 0.5 mA, 0.25 mA, 0.1
The following description will be given on the assumption that the modulation current source 13 is controlled so as to correspond to 25 mA or the like.
【００４６】Ｔ＝２で、Ｄ／Ａ部５３から、１の出力が
変調電流源１３に印加され、変調電流源１３から１ｍＡ
の電流が流れる。この電流を微分量子効率検出部５２
は、検出して、ホールドされている０．７ｍＡと比較す
る。その結果、１ｍＡ＞０．７ｍＡであるので、微分量
子効率検出部５２は、「１」を無視して、次のタイミン
グに備える。At T = 2, the output of 1 is applied from the D / A section 53 to the modulation current source 13, and the modulation current source 13 outputs 1 mA.
Current flows. This current is supplied to the differential quantum efficiency detector 52.
Is detected and compared with the held 0.7 mA. As a result, since 1 mA> 0.7 mA, the differential quantum efficiency detection unit 52 ignores “1” and prepares for the next timing.
【００４７】Ｔ＝３で、Ｄ／Ａ部５３から、０．５の出
力が変調電流源１３に印加され、変調電流源１３から
０．５ｍＡの電流が流れる。この電流を微分量子効率検
出部５２は、検出して、ホールドされている０．７ｍＡ
と比較する。その結果、０．５ｍＡ＜０．７ｍＡである
ので、微分量子効率検出部５２は、「０．５」をセット
して、次のタイミングに備える。At T = 3, an output of 0.5 is applied from the D / A section 53 to the modulation current source 13, and a current of 0.5 mA flows from the modulation current source 13. The differential quantum efficiency detection unit 52 detects this current and holds it at 0.7 mA.
Compare with. As a result, since 0.5 mA <0.7 mA, the differential quantum efficiency detection unit 52 sets “0.5” and prepares for the next timing.
【００４８】Ｔ＝４で、Ｄ／Ａ部５３から、０．２５の
出力が変調電流源１３に印加され、変調電流源１３から
０．２５ｍＡの電流が流れる。この電流を微分量子効率
検出部５２は検出して、先にセットされている「０．
５」に対応する「０．５ｍＡ」と合算した０．７５ｍＡ
と、ホールドされている０．７ｍＡと比較する。その結
果、０．７５ｍＡ＞０．７ｍＡであるので、微分量子効
率検出部５２は、「０．５」を無視して、次のタイミン
グに備える。At T = 4, an output of 0.25 is applied from the D / A section 53 to the modulation current source 13, and a current of 0.25 mA flows from the modulation current source 13. This current is detected by the differential quantum efficiency detection unit 52, and “0.
0.75mA summed with "0.5mA" corresponding to "5"
Is compared with the held 0.7 mA. As a result, 0.75 mA> 0.7 mA, so the differential quantum efficiency detection unit 52 ignores "0.5" and prepares for the next timing.
【００４９】Ｔ＝５で、Ｄ／Ａ部５３から、０．１２５
の出力が変調電流源１３に印加され、変調電流源１３か
ら０．１２５ｍＡの電流が流れる。この電流を微分量子
効率検出部５２は検出して、先にセットされている
「０．５」に対応する「０．５ｍＡ」と合算した０．６
２５ｍＡと、ホールドされている０．７ｍＡと比較す
る。その結果、０．６２５ｍＡ＜０．７ｍＡであるの
で、微分量子効率検出部５２は、「０．１２５」をセッ
トして、次のタイミングに備える。At T = 5, from the D / A section 53, 0.125
Is applied to the modulation current source 13, and a current of 0.125 mA flows from the modulation current source 13. The differential quantum efficiency detection unit 52 detects this current, and adds it to “0.5 mA” corresponding to “0.5” previously set to 0.6.
25 mA is compared with the held 0.7 mA. As a result, since 0.625 mA <0.7 mA, the differential quantum efficiency detection unit 52 sets “0.125” and prepares for the next timing.
【００５０】Ｔ＝６で、Ｄ／Ａ部５３から、０．０６２
５の出力が変調電流源１３に印加され、変調電流源１３
から０．０６２５ｍＡの電流が流れる。この電流を微分
量子効率検出部５２は検出して、先にセットされている
「０．５」及び「０．１２５」に対応する「０．６２５
ｍＡ」と合算した０．６８７５ｍＡと、ホールドされて
いる０．７ｍＡと比較する。その結果、０．６８７５ｍ
Ａ＜０．７ｍＡであるので、微分量子効率検出部５２
は、「０．０６２５」をセットして、次のタイミングに
備える。When T = 6, the D / A section 53 outputs 0.062.
5 is applied to the modulation current source 13 and the modulation current source 13
A current of 0.0625 mA flows. This current is detected by the differential quantum efficiency detection unit 52, and "0.625" corresponding to the previously set "0.5" and "0.125" is detected.
0.6875 mA summed with “mA” is compared with the held 0.7 mA. As a result, 0.6875m
Since A <0.7 mA, the differential quantum efficiency detection unit 52
Sets "0.0625" to prepare for the next timing.
【００５１】Ｔ＝７で、Ｄ／Ａ部５３から、０．０３１
２５の出力が変調電流源１３に印加され、変調電流源１
３から０．０３１２５ｍＡの電流が流れる。この電流を
微分量子効率検出部５２は検出して、先にセットされて
いる「０．５」、「０．１２５」及び「０．０６２５」
に対応する「０．６８７５ｍＡ」と合算した０．７１８
７５ｍＡと、ホールドされている０．７ｍＡと比較す
る。その結果、０．７１８７５ｍＡ＞０．７ｍＡである
ので、微分量子効率検出部５２は、「０．０３１２５」
及びそれ以降を無視する。このようにして、変調電流源
の初期設定の電流値を（ＩＯＰ−ＩＴＨ）に設定する。
この例では、微分量子効率検出部５２は、セットされた
「０．５」、「０．１２５」及び「０．０６２５」の値
をＤ／Ａ部５３の出力値とし、この出力値に対応する
「０．６８７５ｍＡ」の電流が、変調電流源１３から流
れる。At T = 7, from the D / A section 53, 0.031
The output of 25 is applied to the modulation current source 13,
A current of 3 to 0.03125 mA flows. The differential quantum efficiency detection unit 52 detects this current, and sets “0.5”, “0.125”, and “0.0625” set in advance.
0.718 combined with "0.6875 mA" corresponding to
Compare 75 mA with the held 0.7 mA. As a result, since 0.71875 mA> 0.7 mA, the differential quantum efficiency detection unit 52 displays “0.03125”.
And ignore it. In this way, the initial setting current value of the modulation current source is set to (I OP −I TH ).
In this example, the differential quantum efficiency detection unit 52 sets the set values of “0.5”, “0.125”, and “0.0625” as the output value of the D / A unit 53 and corresponds to this output value. A current of “0.6875 mA” that flows is supplied from the modulation current source 13.
【００５２】なお、上記数値は、一例である。また、任
意に丸めた数値とすることもできる。また、図１０の例
は、Ｄ／Ａが８ビット構成の場合であるが、Ｄ／Ａを構
成するビット数により必要となるタイミング数を変更す
る。The above numerical values are examples. It can also be a rounded value. Further, although the example of FIG. 10 is a case where the D / A has an 8-bit configuration, the required timing number is changed depending on the number of bits configuring the D / A.
【００５３】また、この例の場合には、初期化時の閾値
電流ＩＴＨを得るために、外部端子より所望のオフセッ
ト発光値が得られる様に設定を行う初期化時のみ動作す
る電流源を設けておくようにしても良い。また、タイミ
ング信号ＬＶＣＯは、外部端子によりそのタイミング゛
を調整できる構成としても良い。Further, in the case of this example, in order to obtain the threshold current I TH at the time of initialization, the current source which operates only at the time of initialization is set so that the desired offset light emission value can be obtained from the external terminal. It may be provided. Further, the timing signal LVCO may be configured so that its timing can be adjusted by an external terminal.
【００５４】図１１、図１２に基づいて、第２の方法を
説明する。第１の方法と異なるのは、微分量子効率検出
部５２にホールドする値として、（ＩＯＰ−ＩＴＨ）を
用いる代わりに、（ＩＯＰ／２−ＩＴＨ）を用いている
点である。従って、微分量子効率検出部５２では、ホー
ルドされている（ＩＯＰ／２−ＩＴＨ）を２倍した値
と、Ｔ＝２からＴ＝９におけるＤ／Ａ部５３の値に対応
する電流と比較する。それ以外は、第１の方法と同じで
あるので、説明は省略する。The second method will be described with reference to FIGS. 11 and 12. Differs from the first method, as a value held in the differential quantum efficiency detection unit 52, instead of using the (I OP -I TH), is that it uses an (I OP / 2-I TH ). Therefore, in the differential quantum efficiency detection unit 52, a value obtained by doubling the held (I OP / 2-I TH ) and a current corresponding to the value of the D / A unit 53 from T = 2 to T = 9 are obtained. Compare. Other than that, since it is the same as the first method, description thereof will be omitted.
【００５５】なお、上記説明では、微分量子効率検出部
５２にホールドする値として電流値（ＩＯＰ−ＩＴＨ）
又は（ＩＯＰ／２−ＩＴＨ）を用いたが、この電流値
（ＩＯ Ｐ−ＩＴＨ）又は（ＩＯＰ／２−ＩＴＨ）に対応
するＬＤ電圧（ＶＬＤＦＵＬＬ−ＶＬＤＴＨ）又は（Ｖ
ＬＤＦＵＬＬ／２−ＶＬＤＴＨ）を用いて、ＬＤ電圧に
よって、変調電流源の初期設定を行ってもよい。[0055] In the above description, the current value as a value held in the differential quantum efficiency detection unit 52 (I OP -I TH)
Or (I OP / 2-I TH ) a was used, the current value (I O P -I TH) or (I OP / 2-I TH ) to the corresponding LD voltage (VLD FULL -VLD TH) or ( V
LD FULL / 2-VLD TH ) may be used to initialize the modulation current source by the LD voltage.
【００５６】また、第１の方法では、Ｄ／Ａ部５３か
ら、例えば、１、０．５、０．２５、０．１２５、等の
ように、大きい順で、ＬＤを駆動して比較している。そ
の結果、最初の値が大きいので、ＬＤの規格を大幅に越
えて駆動する場合が生じ、ＬＤの破損又は寿命の減縮の
原因となる場合が生じる。しかしながら、第２の方法で
は、（ＩＯＰ−ＩＴＨ）を用いる代わりに、（ＩＯＰ／
２−ＩＴＨ）を用いているので、このような問題は生じ
ない。しかしながら、第２の方法では、（ＩＯＰ／２−
ＩＴＨ）を２倍した値と比較しているので、制御精度
が、第１の方法より落ちる。
(第３の構成：閾値電流源の制御信号の生成)図１３は、
図４とは別の閾値電流源の制御信号を生成する構成例を
示している。図１３では、閾値電流を制御するタイミン
グを、変調信号がオンのときにサンプリングを行い、変
調信号がオフのときにホールドする構成例を示してい
る。この構成の場合では、例えば、画像書込み領域外で
のみ光量調整を行うだけでなく、書込み領域内でも、Ｌ
Ｄがオンになっていれば、その都度サンプリングを行
い、制御する構成が可能となる。
(第４の構成)図１４は、本発明の第４の構成例を示す。
図１４では、図６、図７で示したタイミング図の具体的
構成例を１チップのＡＳＩＣ５０で構成した場合の例を
示している。発光指令信号は、遅延部５４を経て変調信
号となる。また、発光指令信号(Ａ)及び遅延信号（Ｂ）
は閾値信号生成部５５を経て閾値オン信号(Ｄ)となる。
それぞれ変調信号(Ｃ)は、変調電流のスイッチを、閾値
オン信号が閾値電流のスイッチを駆動することにより、
図６、図７に示すようなＬＤ駆動電流(Ｅ)を生成する。
また、閾値電流は、図１３と同じく、変調信号がオン時
にサンプリングされ、変調信号がオフ時にホールドされ
ている。変調電流を決定するＤ／Ａ部は、図９〜図１２
に示されるタイミングに従い、変調電流源１３を制御し
て、ＬＤ１０から所望の光量が得られる様に設定する。
(第５の構成)図１５は、本発明の第５の構成例を示す。
図１５では、図１４と同一部分の他に、シェーデイング
補正機能とＬＤ電源（ＶＬＤ）制御機能を有する構成例
を示している。In the first method, the D / A section 53 drives the LDs in descending order such as 1, 0.5, 0.25, 0.125, etc., and compares them. ing. As a result, since the initial value is large, there are cases where the LD is drastically exceeded the standard, and this may cause damage to the LD or shorten the life of the LD. However, in the second method, instead of using (I OP −I TH ), (I OP /
2- ITH ) does not cause such a problem. However, in the second method, (I OP / 2-
Since I TH ) is compared with a doubled value, the control accuracy is lower than that of the first method. (Third Configuration: Generation of Control Signal of Threshold Current Source) FIG.
An example of a configuration for generating a control signal of a threshold current source different from that of FIG. 4 is shown. FIG. 13 shows a configuration example in which the timing for controlling the threshold current is sampled when the modulation signal is on and held when the modulation signal is off. In the case of this configuration, for example, not only the light amount adjustment is performed only outside the image writing area, but L
If D is turned on, it is possible to perform sampling and control each time. (Fourth Configuration) FIG. 14 shows a fourth configuration example of the present invention.
FIG. 14 shows an example of a specific configuration example of the timing diagrams shown in FIGS. 6 and 7 when it is configured by the one-chip ASIC 50. The light emission command signal becomes a modulation signal through the delay unit 54. Also, the light emission command signal (A) and the delay signal (B)
Becomes a threshold ON signal (D) via the threshold signal generator 55.
The modulation signal (C) drives the switch of the modulation current, and the threshold ON signal drives the switch of the threshold current.
An LD drive current (E) as shown in FIGS. 6 and 7 is generated.
Further, the threshold current is sampled when the modulation signal is on and is held when the modulation signal is off, as in FIG. The D / A unit that determines the modulation current is shown in FIGS.
The modulation current source 13 is controlled in accordance with the timing shown in (3) so that a desired light amount can be obtained from the LD 10.
(Fifth Configuration) FIG. 15 shows a fifth configuration example of the present invention.
FIG. 15 shows a configuration example having a shading correction function and an LD power source (VLD) control function in addition to the same parts as in FIG.
【００５７】まず、シェーデイング補正機能を説明す
る。電源投入時やリセット解除時に検出されたＬＤの微
分量子効率は、Ｄ／Ａにセットされている。このＤ／Ａ
電流のフルスケールを決定する電流又は電圧を外部端子
より入力して、そのフルスケールを変更すると、ＬＤの
発光量を変化させることが可能となる。例えば、ラスタ
ースキャンを行うＬＤ書込み系では、中央部のエネルギ
ー密度が高くなるため、ＬＤの発光量としては逆補正を
かけるように、走査する端は発光量を大きく、中央部は
発光量を小さくする補正（シェーデイング補正）を行
う。この補正のスピードは、ＬＤが１ラインを走査する
時間内に変化が追従すれば良く、ゆっくりで良い。外部
より１ライン走査する時間に従い、発光量を上記のよう
に変化させる信号により、上記Ｄ／Ａの電流値を変化さ
せることでシェーデイング補正を行う。First, the shading correction function will be described. The differential quantum efficiency of the LD detected when the power is turned on or when the reset is released is set to D / A. This D / A
When the current or voltage that determines the full scale of the current is input from the external terminal and the full scale is changed, the light emission amount of the LD can be changed. For example, in an LD writing system that performs a raster scan, the energy density of the central portion is high, so that the scanning end has a large light emission amount and the central portion has a small light emission amount so that the LD light emission amount is inversely corrected. Correction (shading correction). The speed of this correction may be slow, as long as the change follows the time during which the LD scans one line. Shading correction is performed by changing the current value of the D / A by a signal that changes the amount of light emission as described above according to the time for scanning one line from the outside.
【００５８】次に、ＬＤ電源（ＶＬＤ）制御機能を説明
する。ＶＬＤを制御する目的は、ＬＤ駆動部をＡＳＩＣ
化した場合に、ＬＤの駆動電流は、ＬＤにもよるが１０
０ｍＡ程度の大きな電流を流す必要があるため、ＡＳＩ
Ｃとしての消費電力に影響する。例えば、５Ｖ電源で、
ＬＤの降下電圧を２Ｖと仮定すれば、ＡＳＩＣとしては
ＬＤ電流だけで３Ｖで１００ｍＡ、つまり３００ｍＷを
必要とする。駆動するＬＤ数が２個の場合にはＬＤ電流
だけで６００ｍＷ，駆動するＬＤ数が４個の場合にはＬ
Ｄ電流だけで１２００ｍＷも必要とすることとなる。こ
のままでは、多数のＬＤを駆動することが困難になる
為、ＶＬＤの制御を行う。先の例では、例えば、ＬＤの
カソード部が３Ｖとなるため、消費電力が大きくなった
が、ＬＤのカソード部が１Ｖ程度に制御できれば、ＬＤ
電流によるＡＳＩＣの消費電力は１／３となる。ＶＬＤ
の検出は閾値オン信号又は変調信号がオン時にＬＤのカ
ソード電位を検出し、ある所望の電圧（例えば１Ｖ）に
なる様、ＶＬＤ制御信号をＡＳＩＣ外に出力する。ＶＬ
Ｄ制御信号は、例えばパワートランジスタのベースに入
力され、パワートランジスタのエミッタがＬＤ電源に接
続されていればＶＬＤを制御する構成が実現できる。こ
の制御速度は、ＬＤの変調速度より十分遅いスピード゛
で良いので、上記パワートランジスタは、ＬＤに十分な
電流を供給できるものであれば、どのようなものを用い
ても良い。このようなＶＬＤ制御機能を有することによ
り、消費電力が少なく多数のＬＤを駆動できるＬＤ駆動
回路を実現することができる。Next, the LD power source (VLD) control function will be described. The purpose of controlling VLD is to drive the LD drive unit to the ASIC.
Drive current of the LD is 10 depending on the LD.
Since it is necessary to pass a large current of about 0 mA, ASI
The power consumption as C is affected. For example, with a 5V power supply,
Assuming that the voltage drop of the LD is 2 V, the ASIC requires 100 mA at 3 V, that is, 300 mW with the LD current alone. When the number of LDs to drive is 2, 600mW only by the LD current, and when the number of LDs to drive is 4, L
The D current alone would require 1200 mW. Since it becomes difficult to drive a large number of LDs as they are, VLD is controlled. In the above example, for example, since the cathode portion of the LD has a voltage of 3V, the power consumption has increased, but if the cathode portion of the LD can be controlled to about 1V, the LD
The current consumption of the ASIC is 1/3. VLD
Detection of the threshold ON signal or the modulation signal detects the cathode potential of the LD when it is ON, and outputs a VLD control signal to the outside of the ASIC so that it becomes a certain desired voltage (for example, 1 V). VL
The D control signal is input to, for example, the base of the power transistor, and if the emitter of the power transistor is connected to the LD power source, VLD can be controlled. Since this control speed may be a speed sufficiently slower than the modulation speed of the LD, any power transistor may be used as long as it can supply a sufficient current to the LD. By having such a VLD control function, an LD drive circuit that consumes less power and can drive a large number of LDs can be realized.
【００５９】[0059]
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、高速で高精
度な半導体レーザ駆動回路及び画像形成装置を提供する
ことができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a high-speed and highly accurate semiconductor laser drive circuit and image forming apparatus.
【図１】本発明の基本概念図（基本構成）を説明するた
めの図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a basic conceptual diagram (basic configuration) of the present invention.
【図２】ＬＥＤのバイアス電流源を説明するための図
(その１)である。FIG. 2 is a diagram for explaining a bias current source of an LED.
(Part 1).
【図３】ＬＥＤのバイアス電流源を説明するための図
(その２)である。FIG. 3 is a diagram for explaining a bias current source of an LED.
(Part 2).
【図４】本発明の第1の構成例を説明するための図であ
る。FIG. 4 is a diagram for explaining a first configuration example of the present invention.
【図５】本発明の第２の構成例を説明するための図であ
る。FIG. 5 is a diagram for explaining a second configuration example of the present invention.
【図６】変調信号と閾値オン信号のタイミングの例(そ
の１)を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an example (part 1) of timings of a modulation signal and a threshold value ON signal.
【図７】変調信号と閾値オン信号のタイミングの例(そ
の２)を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining an example (part 2) of timings of a modulation signal and a threshold value ON signal.
【図８】変調電流源の初期設定のための構成例を説明す
るための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a configuration example for initial setting of a modulation current source.
【図９】変調電流源の初期設定の第１の方法を説明する
ための図(その１)である。FIG. 9 is a diagram (No. 1) for explaining the first method of initial setting of the modulation current source.
【図１０】変調電流源の初期設定の第１の方法を説明す
るための図(その２)である。FIG. 10 is a diagram (No. 2) for explaining the first method of initial setting of the modulation current source.
【図１１】変調電流源の初期設定の第２の方法を説明す
るための図(その１)である。FIG. 11 is a diagram (No. 1) for explaining the second method of initial setting of the modulation current source.
【図１２】変調電流源の初期設定の第２の方法を説明す
るための図(その２)である。FIG. 12 is a diagram (No. 2) for explaining the second method of initial setting of the modulation current source.
【図１３】閾値電流源の制御信号を生成する構成例を説
明するための図である。FIG. 13 is a diagram for explaining a configuration example for generating a control signal for a threshold current source.
【図１４】本発明の第４の構成例を説明するための図で
ある。FIG. 14 is a diagram illustrating a fourth configuration example of the present invention.
【図１５】本発明の第５の構成例を説明するための図で
ある。FIG. 15 is a diagram illustrating a fifth configuration example of the present invention.
１０ レーザダイオード（ＬＤ） １１ 閾値電流源 １２ バイアス電流源 １３ 変調電流源 ２０ フォトダイオード（ＰＤ） ２１ 差動増幅器 ３１、３２ スイッチ回路 ４１ サンプルホールド回路 ５０ ＡＳＩＣ ５１ タイミング生成部 ５２ 微分量子効率検出部 ５３ Ｄ／Ａ部 ５４ 遅延部 ５５ 閾値信号生成部 ６１ ＶＬＤ制御部 ６２ ＶＬＤ検出部 10 Laser diode (LD) 11 Threshold current source 12 Bias current source 13 Modulated current source 20 Photodiode (PD) 21 Differential amplifier 31, 32 switch circuit 41 Sample and hold circuit 50 ASIC 51 Timing generator 52 Differential quantum efficiency detector 53 D / A section 54 Delay unit 55 Threshold signal generator 61 VLD controller 62 VLD detector
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二瓶 靖厚 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2C362 AA03 AA53 AA55 AA56 AA57 AA61 5C051 AA02 CA07 DB02 DB07 DC03 DE03 DE17 FA01 5C072 AA03 BA03 HA02 HB01 XA05 5D119 AA23 AA24 HA03 HA12 HA44 5F073 BA01 BA06 BA07 FA01 GA02 GA03 GA12 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Nihei Yasushi 1-3-3 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stocks Company Ricoh F-term (reference) 2C362 AA03 AA53 AA55 AA56 AA57 AA61 5C051 AA02 CA07 DB02 DB07 DC03 DE03 DE17 FA01 5C072 AA03 BA03 HA02 HB01 XA05 5D119 AA23 AA24 HA03 HA12 HA44 5F073 BA01 BA06 BA07 FA01 GA02 GA03 GA12
Claims (14)
を供給するバイアス電流生成手段と、半導体レーザに閾
値電流を供給する閾値電流生成手段と、入力信号に応じ
て前記半導体レーザを発光させるように駆動する駆動電
流生成手段とを有し、 前記閾値電流生成手段は、前記入力信号から閾値電流を
生成し、前記閾値電流生成手段により生成された閾値電
流のオン期間は、前記駆動電流生成手段により発光する
発光期間より長く、かつ、該発光期間を含む期間であ
り、 前記バイアス電流、前記駆動電流、前記閾値電流の３つ
の電流の和電流で半導体レーザを駆動することを特徴と
する半導体レーザ駆動回路。1. A bias current generating means for constantly supplying a minute bias current to a semiconductor laser, a threshold current generating means for supplying a threshold current to the semiconductor laser, and a drive for causing the semiconductor laser to emit light according to an input signal. Driving current generating means, the threshold current generating means generates a threshold current from the input signal, the threshold current generated by the threshold current generating means ON period, the drive current generating means emits light. The semiconductor laser drive circuit is a period longer than the light emission period and including the light emission period, and drives the semiconductor laser with a sum current of three currents of the bias current, the drive current, and the threshold current. .
おいて、 前記バイアス電流生成手段において生成される電流は数
ｍＡ以下であることを特徴とする半導体レーザ駆動回
路。2. The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, wherein the current generated by the bias current generating means is several mA or less.
おいて、 前記入力信号を所定時間遅延させる遅延信号生成手段
と、前記遅延信号生成手段により遅延された遅延信号に
基づき前記半導体レーザを駆動する駆動電流生成手段
と、前記入力信号と前記遅延信号の論理和を生成する前
記閾値電流生成手段とを備え、 前記閾値電流生成手段が生成した前記閾値電流は、前記
駆動電流がオフになる前にオフとならないことを特徴と
する半導体レーザ駆動回路。3. The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, wherein the input signal is delayed by a predetermined time, and a drive for driving the semiconductor laser based on the delay signal delayed by the delay signal generation means. A threshold current generating means for generating a logical sum of the input signal and the delay signal, wherein the threshold current generated by the threshold current generating means is turned off before the drive current is turned off. A semiconductor laser drive circuit characterized in that
おいて、 前記駆動電流生成手段は、電源投入時又はリセット解除
時に動作する初期化手段を有し、 前記初期化手段より、前記半導体レーザの発光時の光量
が所定の値となるよう設定されることを特徴とする半導
体レーザ駆動回路。4. The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, wherein the drive current generating means has an initialization means that operates when power is turned on or reset is released, and the initialization means emits light from the semiconductor laser. A semiconductor laser drive circuit, wherein the amount of light at time is set to a predetermined value.
おいて、 前記初期化手段は、前記半導体レーザの光量が所定値の
場合の電流又は電圧と、前記半導体レーザの光量が所定
値より小さい場合の電流又は電圧との差分を検出して、
前記半導体レーザの発光時の光量が所定の値となるよう
設定することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。5. The semiconductor laser drive circuit according to claim 4, wherein the initialization unit is a current or a voltage when the light quantity of the semiconductor laser is a predetermined value, and a current or voltage when the light quantity of the semiconductor laser is smaller than a predetermined value. Detects the difference from the current or voltage,
A semiconductor laser drive circuit, characterized in that the amount of light emitted from the semiconductor laser is set to a predetermined value.
おいて、 前記初期化手段は、前記半導体レーザの光量が所定値の
場合の電流又は電圧と、前記半導体レーザをオフセット
発光させた場合の電流又は電圧との差分を検出して、前
記半導体レーザの発光時の光量が所定の値となるよう設
定することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。6. The semiconductor laser drive circuit according to claim 4, wherein the initialization means is a current or a voltage when the light intensity of the semiconductor laser is a predetermined value and a current or a voltage when the semiconductor laser is caused to emit an offset light. A semiconductor laser drive circuit, wherein a difference from a voltage is detected and the amount of light emitted from the semiconductor laser is set to a predetermined value.
おいて、 前記初期化手段は、前記半導体レーザの光量が所定値の
場合の電流又は電圧と、前記半導体レーザの光量が所定
値の１／Ｎ（Ｎは、２以上の自然数）の場合の電流又は
電圧との差分を検出して、前記半導体レーザの発光時の
光量が所定の値となるよう設定することを特徴とする半
導体レーザ駆動回路。7. The semiconductor laser drive circuit according to claim 4, wherein the initialization means is a current or voltage when the light intensity of the semiconductor laser is a predetermined value, and the light intensity of the semiconductor laser is 1 / N of the predetermined value. A semiconductor laser driving circuit, wherein a difference from a current or a voltage in the case of (N is a natural number of 2 or more) is detected, and the light amount of the semiconductor laser at the time of light emission is set to a predetermined value.
導体レーザ駆動回路において、 前記初期化手段は、タイミング生成部と、前記差分を検
出する検出部と、前記半導体レーザの発光時の光量を設
定する電流設定部と、前記タイミング生成部より生成さ
れるタイミングに基づき前記検出部が検出した値と、前
記電流設定部により設定した値とが対応するように逐次
比較を行う比較部とで構成されていることを特徴とする
半導体レーザ駆動回路。8. The semiconductor laser drive circuit according to claim 5, wherein the initialization unit includes a timing generation unit, a detection unit that detects the difference, and a light amount when the semiconductor laser emits light. A current setting unit and a comparison unit that performs successive comparison so that the value detected by the detection unit based on the timing generated by the timing generation unit and the value set by the current setting unit correspond to each other. A semiconductor laser drive circuit characterized in that it is configured.
導体レーザ駆動回路において、 前記半導体レーザの光出力を検知する受光部と、前記受
光部によって検知された前記半導体レーザの光出力に比
例した受光信号に基づいて、前記半導体レーザに供給さ
れる電流を制御する電流制御手段を有することを特徴と
する半導体レーザ駆動回路。9. The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, wherein a light receiving section for detecting a light output of the semiconductor laser and a light output of the semiconductor laser detected by the light receiving section are in proportion to each other. A semiconductor laser drive circuit comprising a current control means for controlling a current supplied to the semiconductor laser based on the received light receiving signal.
において、 前記電流制御手段は、前記受光信号の大きさと所定の値
とを比較して制御信号を生成し、この制御信号により前
記閾値電流生成手段を制御することを特徴とする半導体
レーザ駆動回路。10. The semiconductor laser drive circuit according to claim 9, wherein the current control means compares the magnitude of the received light signal with a predetermined value to generate a control signal, and the control signal generates the threshold current. A semiconductor laser drive circuit characterized by controlling means.
路において、 前記電流制御手段は、前記駆動電流生成手段がオン状態
のときの前記制御信号をサンプルし、そのサンプル値に
基づいて、前記閾値電流生成手段を制御することを特徴
とする半導体レーザ駆動回路。11. The semiconductor laser drive circuit according to claim 10, wherein the current control unit samples the control signal when the drive current generation unit is in an ON state, and the threshold current is based on the sampled value. A semiconductor laser drive circuit characterized by controlling a generation means.
の半導体レーザ駆動回路において、 前記半導体レーザを駆動する出力部の電圧を検出し、そ
の検出値に基づき前記半導体レーザに供給する電源の電
圧を制御する手段を有することを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。12. The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, wherein a voltage of an output section that drives the semiconductor laser is detected, and a voltage of a power supply supplied to the semiconductor laser based on the detected value. A semiconductor laser drive circuit having means for controlling the semiconductor laser.
れる半導体レーザと、前記半導体レーザの光で回転感光
体を走査する走査手段と、前記回転感光体に前記画像変
調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置におい
て、 請求項１ないし１２いずれか一項記載の半導体レーザ駆
動回路により、前記半導体レーザが駆動されることを特
徴とする画像形成装置。13. A semiconductor laser whose output is modulated by an image modulation signal, scanning means for scanning the rotating photoconductor with the light of the semiconductor laser, and an electrostatic latent image on the rotating photoconductor according to the image modulation signal. An image forming apparatus for forming an image, wherein the semiconductor laser is driven by the semiconductor laser drive circuit according to any one of claims 1 to 12.
て、 前記駆動電流生成手段のフルスケール値を、前記走査手
段の走査に応じて変化させることによりシェーデイング
補正を行うことを特徴とする画像形成装置。14. The image forming apparatus according to claim 13, wherein a shading correction is performed by changing a full scale value of the drive current generating means in accordance with scanning by the scanning means. apparatus.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001242523A JP4698086B2 (en) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | Semiconductor laser driving circuit and image forming apparatus |
| US10/214,559 US6917639B2 (en) | 2001-08-09 | 2002-08-09 | Laser driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242523A JP4698086B2 (en) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | Semiconductor laser driving circuit and image forming apparatus |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003060289A true JP2003060289A (en) | 2003-02-28 |
| JP2003060289A5 JP2003060289A5 (en) | 2007-11-15 |
| JP4698086B2 JP4698086B2 (en) | 2011-06-08 |
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|---|---|
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| A977 | Report on retrieval |
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