JP2003057254A - 被処理物の処理装置 - Google Patents
被処理物の処理装置Info
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- JP2003057254A JP2003057254A JP2001241220A JP2001241220A JP2003057254A JP 2003057254 A JP2003057254 A JP 2003057254A JP 2001241220 A JP2001241220 A JP 2001241220A JP 2001241220 A JP2001241220 A JP 2001241220A JP 2003057254 A JP2003057254 A JP 2003057254A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】例えば核酸のような被処理物を処理する作業が
容易であるとともに、その作業に要する手間と時間とを
軽減することができる被処理物の処理装置を提供するこ
と。 【解決手段】図1に示すマイクロアレイ処理装置(被処
理物の処理装置)1は、2つの密閉可能な処理槽(反応
槽)3、3を備える装置本体2と、パーソナルコンピュ
ータ110と、各処理槽3内に着脱自在に収納(設置)
される合計4つの処理ユニット30とを有している。装
置本体2は、水平ステージ2aと垂直ステージ2bとを
備え、水平ステージ2aには、チップ設置部21と、プ
ローブ液収納容器設置部22と、容器設置部23と、各
処理槽3とが設けられ、垂直ステージ2bには、プロー
ブ液供給手段(反応液供給手段)6が設けられている。
また、装置本体2の内部には、主に、供給用回路7と、
排出用回路8と、温度調整手段9とが設けられている。
容易であるとともに、その作業に要する手間と時間とを
軽減することができる被処理物の処理装置を提供するこ
と。 【解決手段】図1に示すマイクロアレイ処理装置(被処
理物の処理装置)1は、2つの密閉可能な処理槽(反応
槽)3、3を備える装置本体2と、パーソナルコンピュ
ータ110と、各処理槽3内に着脱自在に収納(設置)
される合計4つの処理ユニット30とを有している。装
置本体2は、水平ステージ2aと垂直ステージ2bとを
備え、水平ステージ2aには、チップ設置部21と、プ
ローブ液収納容器設置部22と、容器設置部23と、各
処理槽3とが設けられ、垂直ステージ2bには、プロー
ブ液供給手段(反応液供給手段)6が設けられている。
また、装置本体2の内部には、主に、供給用回路7と、
排出用回路8と、温度調整手段9とが設けられている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物の処理装
置に関するものである。
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、核酸(RNA、DNA)に対す
るハイブリダイゼーション等の処理を行なう場合には、
スライドガラス(支持体)上に、核酸(被処理物)を付
着させ、かかる核酸に反応液を供給して(接触させて)
処理することが行なわれる。
るハイブリダイゼーション等の処理を行なう場合には、
スライドガラス(支持体)上に、核酸(被処理物)を付
着させ、かかる核酸に反応液を供給して(接触させて)
処理することが行なわれる。
【0003】この場合、具体的には、以下のような操作
が行なわれる。 <1> まず、スライドガラス上に反応液を供給(滴
下)して、さらに、この上からカバーガラス(カバー部
材)を重ね合わせ、それらの間に形成された隙間に反応
液を展開することにより、核酸と反応液とを接触させ
る。 <2> 次に、カバーガラスの周囲を封止材により気密
的に封止する。 <3> 次に、このカバーガラスを重ね合わせたスライ
ドガラス(以下、「カバーガラス付きスライドガラス」
と言う。)を、例えば密閉容器内に収納し、かかる密閉
容器ごと、加温槽(加熱槽)内に設置する。そして、核
酸と反応液とを、加熱しつつ、反応させる。 <4> 反応終了後、前記密閉容器内から、カバーガラ
ス付きスライドガラスを取り出し、さらに、スライドガ
ラスからカバーガラスを取り外す。 <5> 次に、スライドガラス上に残存する余剰の反応
液を除去する。 <6> そして、核酸の反応結果を解析する。すなわ
ち、反応液と反応することにより、例えば、着色、蛍
光、放射能等による標識が施された核酸を解析する。
が行なわれる。 <1> まず、スライドガラス上に反応液を供給(滴
下)して、さらに、この上からカバーガラス(カバー部
材)を重ね合わせ、それらの間に形成された隙間に反応
液を展開することにより、核酸と反応液とを接触させ
る。 <2> 次に、カバーガラスの周囲を封止材により気密
的に封止する。 <3> 次に、このカバーガラスを重ね合わせたスライ
ドガラス(以下、「カバーガラス付きスライドガラス」
と言う。)を、例えば密閉容器内に収納し、かかる密閉
容器ごと、加温槽(加熱槽)内に設置する。そして、核
酸と反応液とを、加熱しつつ、反応させる。 <4> 反応終了後、前記密閉容器内から、カバーガラ
ス付きスライドガラスを取り出し、さらに、スライドガ
ラスからカバーガラスを取り外す。 <5> 次に、スライドガラス上に残存する余剰の反応
液を除去する。 <6> そして、核酸の反応結果を解析する。すなわ
ち、反応液と反応することにより、例えば、着色、蛍
光、放射能等による標識が施された核酸を解析する。
【0004】ところが、このような核酸の処理操作は、
非常に煩雑であり、時間と手間とを要するものである。
また、特に、前記工程<2>は、熟練した技術を必要と
するものである。
非常に煩雑であり、時間と手間とを要するものである。
また、特に、前記工程<2>は、熟練した技術を必要と
するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、例え
ば核酸のような被処理物を処理する作業が容易であると
ともに、その作業に要する手間と時間とを軽減すること
ができる被処理物の処理装置を提供することにある。
ば核酸のような被処理物を処理する作業が容易であると
ともに、その作業に要する手間と時間とを軽減すること
ができる被処理物の処理装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(16)の本発明により達成される。
(1)〜(16)の本発明により達成される。
【0007】(1) 密閉可能であり、その内部に被処
理物を設置する処理部を備える処理槽と、前記処理部の
温度を調整する温度調整手段と、前記被処理物と反応し
得る反応液を、前記被処理物に供給する反応液供給手段
とを有することを特徴とする被処理物の処理装置。
理物を設置する処理部を備える処理槽と、前記処理部の
温度を調整する温度調整手段と、前記被処理物と反応し
得る反応液を、前記被処理物に供給する反応液供給手段
とを有することを特徴とする被処理物の処理装置。
【0008】(2) 前記反応液供給手段は、前記反応
液を吸引および排出可能な分注装置と、該分注装置を移
動可能な移動機構とを有する上記(1)に記載の被処理
物の処理装置。
液を吸引および排出可能な分注装置と、該分注装置を移
動可能な移動機構とを有する上記(1)に記載の被処理
物の処理装置。
【0009】(3) 前記移動機構は、前記分注装置を
3次元的に移動可能である上記(2)に記載の被処理物
の処理装置。
3次元的に移動可能である上記(2)に記載の被処理物
の処理装置。
【0010】(4) 前記処理槽内の湿度を保つための
保湿液を供給する保湿液供給手段を有する上記(1)な
いし(3)のいずれかに記載の被処理物の処理装置。
保湿液を供給する保湿液供給手段を有する上記(1)な
いし(3)のいずれかに記載の被処理物の処理装置。
【0011】(5) 前記被処理物を洗浄するための洗
浄液を供給する洗浄液供給手段を有する上記(1)ない
し(4)のいずれかに記載の被処理物の処理装置。
浄液を供給する洗浄液供給手段を有する上記(1)ない
し(4)のいずれかに記載の被処理物の処理装置。
【0012】(6) 前記処理槽内から排液を行なう排
液手段を有する上記(1)ないし(5)のいずれかに記
載の被処理物の処理装置。
液手段を有する上記(1)ないし(5)のいずれかに記
載の被処理物の処理装置。
【0013】(7) 前記温度調整手段により、前記処
理部を加熱しつつ、前記被処理物と前記反応液とを反応
させる上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の被処
理物の処理装置。
理部を加熱しつつ、前記被処理物と前記反応液とを反応
させる上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の被処
理物の処理装置。
【0014】(8) 前記温度調整手段は、前記処理部
の温度を少なくとも2方向から調整し得るよう構成され
ている上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の被処
理物の処理装置。
の温度を少なくとも2方向から調整し得るよう構成され
ている上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の被処
理物の処理装置。
【0015】(9) 前記処理部を複数有し、前記温度
調整手段は、第1組の処理部と第2組の処理部との間で
異なる温度調整条件を設定し得るよう構成されている上
記(1)ないし(8)のいずれかに記載の被処理物の処
理装置。
調整手段は、第1組の処理部と第2組の処理部との間で
異なる温度調整条件を設定し得るよう構成されている上
記(1)ないし(8)のいずれかに記載の被処理物の処
理装置。
【0016】(10) 前記被処理物を乾燥させるため
の気体を供給する気体供給手段を有する上記(1)ない
し(9)のいずれかに記載の被処理物の処理装置。
の気体を供給する気体供給手段を有する上記(1)ない
し(9)のいずれかに記載の被処理物の処理装置。
【0017】(11) 前記処理装置の各部の作動を制
御する制御手段を有する上記(1)ないし(10)のい
ずれかに記載の被処理物の処理装置。
御する制御手段を有する上記(1)ないし(10)のい
ずれかに記載の被処理物の処理装置。
【0018】(12) 前記処理部は、前記被処理物を
付着させる支持体を有する上記(1)ないし(11)の
いずれかに記載の被処理物の処理装置。
付着させる支持体を有する上記(1)ないし(11)の
いずれかに記載の被処理物の処理装置。
【0019】(13) 前記支持体に重ね合わせること
により、前記支持体との間に形成される隙間に、前記被
処理物に供給された前記反応液を展開するカバー部材を
有する上記(12)に記載の被処理物の処理装置。
により、前記支持体との間に形成される隙間に、前記被
処理物に供給された前記反応液を展開するカバー部材を
有する上記(12)に記載の被処理物の処理装置。
【0020】(14) 前記処理槽は、凹部を備える本
体部と、該本体部に対して回動自在に設けられた蓋体と
を有する上記(1)ないし(13)のいずれかに記載の
被処理物の処理装置。
体部と、該本体部に対して回動自在に設けられた蓋体と
を有する上記(1)ないし(13)のいずれかに記載の
被処理物の処理装置。
【0021】(15) 前記本体部は、その上縁部に、
前記蓋体が前記凹部を塞いだ状態で圧接する封止部材を
有する上記(14)に記載の被処理物の処理装置。
前記蓋体が前記凹部を塞いだ状態で圧接する封止部材を
有する上記(14)に記載の被処理物の処理装置。
【0022】(16) 前記被処理物は、核酸である上
記(1)ないし(15)のいずれかに記載の被処理物の
処理装置。
記(1)ないし(15)のいずれかに記載の被処理物の
処理装置。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の被処理物の処理装
置を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明
する。
置を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明
する。
【0024】なお、以下では、被処理物の一例として、
核酸(DNA、cDNA、RNA等)を代表とし、この
核酸(核酸断片)をプレート(平板状の支持体)に散点
状に付着させたマイクロアレイ(DNAチップ)を処理
するマクロアレイ処理装置に、本発明の被処理物の処理
装置を適用した場合について説明する。
核酸(DNA、cDNA、RNA等)を代表とし、この
核酸(核酸断片)をプレート(平板状の支持体)に散点
状に付着させたマイクロアレイ(DNAチップ)を処理
するマクロアレイ処理装置に、本発明の被処理物の処理
装置を適用した場合について説明する。
【0025】また、反応液の一例として、被験者から採
取された核酸(例えばmRNA、DNA等)、または、
この核酸を基に合成されたもの(例えばcDNA等)を
標識(例えば、色素、蛍光物質、放射性物質等により標
識)した物質を含む液(以下、「プローブ液」と言
う。)を代表に説明する。
取された核酸(例えばmRNA、DNA等)、または、
この核酸を基に合成されたもの(例えばcDNA等)を
標識(例えば、色素、蛍光物質、放射性物質等により標
識)した物質を含む液(以下、「プローブ液」と言
う。)を代表に説明する。
【0026】図1は、本発明の被処理物の処理装置をマ
イクロアレイ処理装置に適用した場合の実施形態を示す
全体構成図である。
イクロアレイ処理装置に適用した場合の実施形態を示す
全体構成図である。
【0027】なお、以下の説明では、図1中、上側を
「上方」または「上端」、下側を「下方」または「下
端」、紙面左手前側を「前方」、紙面右手奥側を「後
方」と言う。
「上方」または「上端」、下側を「下方」または「下
端」、紙面左手前側を「前方」、紙面右手奥側を「後
方」と言う。
【0028】図1に示すマイクロアレイ処理装置1(以
下、単に「装置1」と言う。)は、2つの処理槽(反応
槽)3、3を備える装置本体2と、各部の作動を制御す
る制御手段10の一部を構成するパーソナルコンピュー
タ(以下、「パソコン」と言う。)110と、各処理槽
3内に着脱自在に収納(設置)される合計4つの処理ユ
ニット30とを有している。
下、単に「装置1」と言う。)は、2つの処理槽(反応
槽)3、3を備える装置本体2と、各部の作動を制御す
る制御手段10の一部を構成するパーソナルコンピュー
タ(以下、「パソコン」と言う。)110と、各処理槽
3内に着脱自在に収納(設置)される合計4つの処理ユ
ニット30とを有している。
【0029】この装置1によれば、核酸(被処理物)S
とプローブ液(反応液)Rとを反応させるとともに、各
種液体等により核酸Sを処理することができる。そし
て、核酸Sの反応結果からは、例えば、遺伝子DNA
(核酸)の変異解析、多型解析、塩基配列解析、発現解
析(存在の有無)、さらに、これらに基づいて各種疾患
の診断等を、好適に行なうことができる。
とプローブ液(反応液)Rとを反応させるとともに、各
種液体等により核酸Sを処理することができる。そし
て、核酸Sの反応結果からは、例えば、遺伝子DNA
(核酸)の変異解析、多型解析、塩基配列解析、発現解
析(存在の有無)、さらに、これらに基づいて各種疾患
の診断等を、好適に行なうことができる。
【0030】以下、各部の構成について説明する。ま
ず、処理ユニット30について、図2〜図6を参照しつ
つ説明する。なお、各処理ユニット30は、それぞれ同
一の構成であるので、以下では、1つを代表して説明す
る。
ず、処理ユニット30について、図2〜図6を参照しつ
つ説明する。なお、各処理ユニット30は、それぞれ同
一の構成であるので、以下では、1つを代表して説明す
る。
【0031】図2は、処理ユニットの分解斜視図(一部
を省略して示す)であり、図3は、処理ユニットが備え
る処理タブの一部を示す平面図であり、図4は、図3中
のA−A線断面図であり、図5は、図3中のB−B線断
面図であり、図6は、処理ユニットの作動状態を示す断
面図である。
を省略して示す)であり、図3は、処理ユニットが備え
る処理タブの一部を示す平面図であり、図4は、図3中
のA−A線断面図であり、図5は、図3中のB−B線断
面図であり、図6は、処理ユニットの作動状態を示す断
面図である。
【0032】なお、以下の説明では、図2〜図6中、上
側を「上方」または「上端」、下側を「下方」または
「下端」と言い、また、図2中、紙面右手前側を「前
方」、紙面左手奥側を「後方」と言う。
側を「上方」または「上端」、下側を「下方」または
「下端」と言い、また、図2中、紙面右手前側を「前
方」、紙面左手奥側を「後方」と言う。
【0033】処理ユニット30は、図2に示すように、
核酸Sを付着させたプレートP(以下、「マイクロアレ
イM」と言う。)を収納する処理タブ40と、この処理
タブ40に対して着脱自在に設置されるカバーカセット
50とを有している。
核酸Sを付着させたプレートP(以下、「マイクロアレ
イM」と言う。)を収納する処理タブ40と、この処理
タブ40に対して着脱自在に設置されるカバーカセット
50とを有している。
【0034】処理タブ40は、全体形状としてトレー状
(箱形)をなしており、底部41と、底部41の縁部に
沿って立設された側壁部42とで構成されている。
(箱形)をなしており、底部41と、底部41の縁部に
沿って立設された側壁部42とで構成されている。
【0035】また、底部41には、複数(本実施形態で
は、3つ)の枠状をなす隔壁部43が立設され、これに
より、各隔壁部43の内側にそれぞれ空間431と、各
隔壁部43と側壁部42とで囲まれる部分に空間421
とが画成されている。
は、3つ)の枠状をなす隔壁部43が立設され、これに
より、各隔壁部43の内側にそれぞれ空間431と、各
隔壁部43と側壁部42とで囲まれる部分に空間421
とが画成されている。
【0036】各空間431内には、それぞれマイクロア
レイMが収納される。そして、これらの空間431内に
おいて、核酸Sには、例えば、プローブ液Rとの反応、
洗浄液Wによる洗浄、気体Gによる乾燥等の各種処理が
施される。すなわち、本実施形態では、空間(処理空
間)431とプレートPとで、核酸(被処理物)Sを処
理する処理部300が構成される。
レイMが収納される。そして、これらの空間431内に
おいて、核酸Sには、例えば、プローブ液Rとの反応、
洗浄液Wによる洗浄、気体Gによる乾燥等の各種処理が
施される。すなわち、本実施形態では、空間(処理空
間)431とプレートPとで、核酸(被処理物)Sを処
理する処理部300が構成される。
【0037】なお、空間431の容積(容量)は、マイ
クロアレイM(プレートP)の寸法等により適宜設定さ
れ、特に限定されないが、通常、3〜10mL程度とす
るのが好ましい。
クロアレイM(プレートP)の寸法等により適宜設定さ
れ、特に限定されないが、通常、3〜10mL程度とす
るのが好ましい。
【0038】また、空間421内には、処理ユニット3
0(処理槽3)内の湿度を保つための保湿液Hが供給さ
れる。すなわち、本実施形態では、保湿液Hは、各処理
部300の周囲に供給される。
0(処理槽3)内の湿度を保つための保湿液Hが供給さ
れる。すなわち、本実施形態では、保湿液Hは、各処理
部300の周囲に供給される。
【0039】各隔壁部43には、それぞれ、図2および
図3中左側に、処理タブ40(隔壁部43および底部4
1)を厚さ方向に貫通して、第1供給路451が形成さ
れている。各第1供給路451を介して、それぞれ、洗
浄液W、気体G等が空間431内に供給される。
図3中左側に、処理タブ40(隔壁部43および底部4
1)を厚さ方向に貫通して、第1供給路451が形成さ
れている。各第1供給路451を介して、それぞれ、洗
浄液W、気体G等が空間431内に供給される。
【0040】また、各隔壁部43の内側に位置する底部
41には、第1供給路451と反対側(図2および図3
中右側)に斜面432がそれぞれ形成され、各斜面43
2が最も深くなる位置には、それぞれ溝436が形成さ
れている。
41には、第1供給路451と反対側(図2および図3
中右側)に斜面432がそれぞれ形成され、各斜面43
2が最も深くなる位置には、それぞれ溝436が形成さ
れている。
【0041】さらに、各溝436の中央付近には、それ
ぞれ、処理タブ40(底部41)を厚さ方向に貫通し
て、第1排出路461が形成されている。これにより、
各空間431内からは、それぞれ、使用後の洗浄液W、
余剰のプローブ液R等(以下、これらを総称して、「廃
液」と言う。)を、斜面432、溝436および第1排
出路461を介して、速やかに処理ユニット30(処理
槽3)の外部に排出(排液)することができる。
ぞれ、処理タブ40(底部41)を厚さ方向に貫通し
て、第1排出路461が形成されている。これにより、
各空間431内からは、それぞれ、使用後の洗浄液W、
余剰のプローブ液R等(以下、これらを総称して、「廃
液」と言う。)を、斜面432、溝436および第1排
出路461を介して、速やかに処理ユニット30(処理
槽3)の外部に排出(排液)することができる。
【0042】また、各隔壁部43の内側には、それぞ
れ、空間431内にマイクロアレイMを収納した状態
で、マイクロアレイMの周囲を囲むようにして、複数の
切欠きが形成されている。
れ、空間431内にマイクロアレイMを収納した状態
で、マイクロアレイMの周囲を囲むようにして、複数の
切欠きが形成されている。
【0043】具体的には、図3中左側の上下に、一対の
大型切欠き433a、433bが、四隅に切欠き434
a〜434dが、また、斜面432の周囲に切欠き43
5a〜435eが、それぞれ形成されている。
大型切欠き433a、433bが、四隅に切欠き434
a〜434dが、また、斜面432の周囲に切欠き43
5a〜435eが、それぞれ形成されている。
【0044】これらの大型切欠き433a、433b、
および、切欠き434a〜434d、435a〜435
eを設けることにより、図3中矢印で示すように、前記
廃液をマイクロアレイMの上面(図3中紙面手前)側か
ら下面(図3中紙面奥)側へ、より迅速かつ確実に移送
することができる。
および、切欠き434a〜434d、435a〜435
eを設けることにより、図3中矢印で示すように、前記
廃液をマイクロアレイMの上面(図3中紙面手前)側か
ら下面(図3中紙面奥)側へ、より迅速かつ確実に移送
することができる。
【0045】なお、空間431内からマイクロアレイM
を取り出したり、空間431内にマイクロアレイMを収
納(設置)したりする操作の際には、大型切欠き433
a、433bに、それぞれ、例えば親指と人指し指を挿
入するようにすると、その操作をより容易かつ確実に行
なうことができる。
を取り出したり、空間431内にマイクロアレイMを収
納(設置)したりする操作の際には、大型切欠き433
a、433bに、それぞれ、例えば親指と人指し指を挿
入するようにすると、その操作をより容易かつ確実に行
なうことができる。
【0046】また、底部41には、空間421に連通す
る第2供給路471と第2排出路481とが、それぞ
れ、底部41を厚さ方向に貫通して形成されている。第
2供給路471を介して、空間421内に保湿液H等を
供給することができ、第2排出路481を介して、空間
421内から使用後の保湿液H等を排出(排液)するこ
とができる。
る第2供給路471と第2排出路481とが、それぞ
れ、底部41を厚さ方向に貫通して形成されている。第
2供給路471を介して、空間421内に保湿液H等を
供給することができ、第2排出路481を介して、空間
421内から使用後の保湿液H等を排出(排液)するこ
とができる。
【0047】また、底部41の下面(図4および図5中
下側の面)には、底部41の縁部に沿って脚部44が、
また、略筒状をなす突部45、45、45、46、4
6、46、47、48が、それぞれ下方に向って突出形
成されている。
下側の面)には、底部41の縁部に沿って脚部44が、
また、略筒状をなす突部45、45、45、46、4
6、46、47、48が、それぞれ下方に向って突出形
成されている。
【0048】そして、各突部45の内部には、第1供給
路451が、各突部46の内部には、第1排出路461
が、突部47の内部には、第2供給路471が、また、
突部48の内部には、第2排出路481が、それぞれ連
続して形成されている。
路451が、各突部46の内部には、第1排出路461
が、突部47の内部には、第2供給路471が、また、
突部48の内部には、第2排出路481が、それぞれ連
続して形成されている。
【0049】処理ユニット30を処理槽3内に収納(設
置)した状態では、処理タブ40の脚部44が、後述す
る処理槽3の溝36内に挿入され、換言すれば、処理タ
ブ40の脚部44の内側の部分に、後述する処理槽3の
ベース35が挿入され、これにより、処理タブ40(処
理ユニット30)が処理槽3内に固定される。
置)した状態では、処理タブ40の脚部44が、後述す
る処理槽3の溝36内に挿入され、換言すれば、処理タ
ブ40の脚部44の内側の部分に、後述する処理槽3の
ベース35が挿入され、これにより、処理タブ40(処
理ユニット30)が処理槽3内に固定される。
【0050】このような処理タブ40の上部には、着脱
自在にカバーカセット50が装着される。このカバーカ
セット50を処理タブ40に装着することにより、処理
ユニット30の内部空間は、比較的高い気密性が保持さ
れる。
自在にカバーカセット50が装着される。このカバーカ
セット50を処理タブ40に装着することにより、処理
ユニット30の内部空間は、比較的高い気密性が保持さ
れる。
【0051】このカバーカセット50は、図2に示すよ
うに、フレーム500と、スライド扉540、550
と、カバープレート(カバー部材)560とを有してい
る。
うに、フレーム500と、スライド扉540、550
と、カバープレート(カバー部材)560とを有してい
る。
【0052】フレーム500は、第1部材510と、第
1部材510の上部に、順次、設置された第2部材52
0および第3部材530とで構成されており、これら3
つの部材510、520、530は、例えばネジ等によ
り、相互に連結されている。
1部材510の上部に、順次、設置された第2部材52
0および第3部材530とで構成されており、これら3
つの部材510、520、530は、例えばネジ等によ
り、相互に連結されている。
【0053】第1部材510は、フレーム500の主要
部を構成する部材である。この第1部材510には、処
理タブ40の各空間431に対応する位置に、それぞ
れ、上面および下面(図3中上下の面)に開放する空間
511が形成され、全体形状として枠状をなしている。
部を構成する部材である。この第1部材510には、処
理タブ40の各空間431に対応する位置に、それぞ
れ、上面および下面(図3中上下の面)に開放する空間
511が形成され、全体形状として枠状をなしている。
【0054】また、各空間511に臨む一対の内壁面5
12、512には、それぞれ、第1案内溝512aおよ
び第2案内溝512bが形成されている。各第1案内溝
512aには、後述するカバープレート560の第1軸
563の端部が、それぞれ挿入され、一方、各第2案内
溝512bには、カバープレート560の第2軸564
の端部が、それぞれ挿入されている。
12、512には、それぞれ、第1案内溝512aおよ
び第2案内溝512bが形成されている。各第1案内溝
512aには、後述するカバープレート560の第1軸
563の端部が、それぞれ挿入され、一方、各第2案内
溝512bには、カバープレート560の第2軸564
の端部が、それぞれ挿入されている。
【0055】また、図6に示すように、第1部材510
の下端部には、その縁部に沿って係合部513が形成さ
れている。カバーカセット50を処理タブ40に装着し
た状態で、この係合部513が、処理タブ40の側壁部
42の上縁部に係合する。これにより、カバーカセット
50が処理タブ40に固定、位置決めされる。
の下端部には、その縁部に沿って係合部513が形成さ
れている。カバーカセット50を処理タブ40に装着し
た状態で、この係合部513が、処理タブ40の側壁部
42の上縁部に係合する。これにより、カバーカセット
50が処理タブ40に固定、位置決めされる。
【0056】この第1部材510の上部には、第2部材
520が設置されている。この第2部材520は、平板
状の部材で構成され、第1部材510の各空間511に
対応する位置に、それぞれ凹部521が凹没形成されて
いる。
520が設置されている。この第2部材520は、平板
状の部材で構成され、第1部材510の各空間511に
対応する位置に、それぞれ凹部521が凹没形成されて
いる。
【0057】また、各凹部521には、それぞれ、その
底部の図2中右側に開口部522が形成されている。こ
れらの開口部522を介して、後述するスライド扉55
0のフック553が、それぞれ下方に向って突出してい
る。
底部の図2中右側に開口部522が形成されている。こ
れらの開口部522を介して、後述するスライド扉55
0のフック553が、それぞれ下方に向って突出してい
る。
【0058】なお、各開口部522は、それぞれ、実質
的にカバーカセット50の窓部50aを構成する部分で
ある(図6参照)。処理タブ40にカバーカセット50
を装着した状態で、核酸Sへプローブ液Rを供給する操
作を行なう際には、これらの窓部50aを介して、その
操作を行なうことができる。
的にカバーカセット50の窓部50aを構成する部分で
ある(図6参照)。処理タブ40にカバーカセット50
を装着した状態で、核酸Sへプローブ液Rを供給する操
作を行なう際には、これらの窓部50aを介して、その
操作を行なうことができる。
【0059】第2部材520の上部には、第3部材53
0が設置されている。この第3部材530も、平板状の
部材で構成され、第2部材520の各凹部521に対応
する位置には、それぞれ開口部531が形成されてい
る。これらの開口部531を介して、後述するスライド
扉540の操作ノブ542およびスライド扉550の操
作ノブ552が、それぞれ、上方に向かって突出してい
る。
0が設置されている。この第3部材530も、平板状の
部材で構成され、第2部材520の各凹部521に対応
する位置には、それぞれ開口部531が形成されてい
る。これらの開口部531を介して、後述するスライド
扉540の操作ノブ542およびスライド扉550の操
作ノブ552が、それぞれ、上方に向かって突出してい
る。
【0060】また、各開口部531の開口面積は、第2
部材520の各凹部521の開口面積より小さく設定さ
れている。このため、第3部材530を第2部材520
に接合した状態では、各凹部521と第3部材530と
の間には、それぞれスライド空間521aが形成されて
いる。これらのスライド空間521aには、スライド扉
540の扉本体541とスライド扉550の扉本体55
1とが、それぞれ、スライド(水平移動)可能に設置さ
れている。
部材520の各凹部521の開口面積より小さく設定さ
れている。このため、第3部材530を第2部材520
に接合した状態では、各凹部521と第3部材530と
の間には、それぞれスライド空間521aが形成されて
いる。これらのスライド空間521aには、スライド扉
540の扉本体541とスライド扉550の扉本体55
1とが、それぞれ、スライド(水平移動)可能に設置さ
れている。
【0061】スライド扉540は、カバーカセット50
の窓部50aを開閉する部材であり、平板状の扉本体5
41と、扉本体541から上方に向って突出形成された
板片状の操作ノブ542とを有している。
の窓部50aを開閉する部材であり、平板状の扉本体5
41と、扉本体541から上方に向って突出形成された
板片状の操作ノブ542とを有している。
【0062】扉本体541は、スライド空間521a内
に位置し、操作ノブ542は、第3部材530の開口部
531を介して上方に向って突出している。操作ノブ5
42をスライドさせる操作を行なうと、扉本体541
は、フレーム500に対してスライドする。
に位置し、操作ノブ542は、第3部材530の開口部
531を介して上方に向って突出している。操作ノブ5
42をスライドさせる操作を行なうと、扉本体541
は、フレーム500に対してスライドする。
【0063】また、扉本体541の下部には、スライド
扉550の扉本体551が挿入される溝543が形成さ
れている。なお、このスライド扉540は、必要に応じ
て、省略することもできる。
扉550の扉本体551が挿入される溝543が形成さ
れている。なお、このスライド扉540は、必要に応じ
て、省略することもできる。
【0064】スライド扉550も、前記スライド扉54
0と同様の機能を有しており、平板状の扉本体551
と、扉本体551から上方に向って突出形成された板片
状の操作ノブ552とを有している。操作ノブ552を
スライドさせる操作を行なうと、扉本体551は、フレ
ーム500に対してスライドする。
0と同様の機能を有しており、平板状の扉本体551
と、扉本体551から上方に向って突出形成された板片
状の操作ノブ552とを有している。操作ノブ552を
スライドさせる操作を行なうと、扉本体551は、フレ
ーム500に対してスライドする。
【0065】さらに、扉本体551には、操作ノブ55
2と反対側(図2および図6中右側)に、下方に向って
突出するフック553が形成されている。このフック5
53は、2つの板片状の脚部で構成され、これらの脚部
同士の間には、カバープレート560の第1軸563が
係合可能なフック溝553aが形成されている。
2と反対側(図2および図6中右側)に、下方に向って
突出するフック553が形成されている。このフック5
53は、2つの板片状の脚部で構成され、これらの脚部
同士の間には、カバープレート560の第1軸563が
係合可能なフック溝553aが形成されている。
【0066】カバープレート560は、マイクロアレイ
M上にプローブ液Rを供給した後、このマイクロアレイ
Mに重ね合わせることにより、これらの間に形成された
隙間にプローブ液Rを展開させるための部材である。こ
れにより、必要最小限の量(微量)のプローブ液Rを利
用しつつも、核酸Sとプローブ液Rとを均一に接触させ
ることができる。このため、貴重なプローブ液Rを無駄
にすることがないという利点がある。
M上にプローブ液Rを供給した後、このマイクロアレイ
Mに重ね合わせることにより、これらの間に形成された
隙間にプローブ液Rを展開させるための部材である。こ
れにより、必要最小限の量(微量)のプローブ液Rを利
用しつつも、核酸Sとプローブ液Rとを均一に接触させ
ることができる。このため、貴重なプローブ液Rを無駄
にすることがないという利点がある。
【0067】なお、後述するように、核酸Sとプローブ
液Rとの反応は、マイクロアレイMにカバープレート5
60を重ねた状態で行なわれる。
液Rとの反応は、マイクロアレイMにカバープレート5
60を重ねた状態で行なわれる。
【0068】このカバープレート560は、カバープレ
ート本体561と、カバープレート本体561から立設
された一対の側壁部562、562と、第1軸563お
よび第2軸564とを有している。
ート本体561と、カバープレート本体561から立設
された一対の側壁部562、562と、第1軸563お
よび第2軸564とを有している。
【0069】カバープレート本体561は、平板状の部
材で構成され、マクロアレイMに重ね合わせた状態で、
核酸Sの付着領域を包含することができる大きさ(寸
法)を有している。
材で構成され、マクロアレイMに重ね合わせた状態で、
核酸Sの付着領域を包含することができる大きさ(寸
法)を有している。
【0070】また、第1軸563および第2軸564
は、それぞれ、棒状の部材で構成され、一対の側壁部5
62、562を貫通するようにして設置されている。そ
して、第1軸563の両端部は、それぞれ第1部材51
0の各第1案内溝512aに、第2軸564の両端部
は、それぞれ第1部材510の各第2案内溝512bに
挿入され、これにより、カバープレート560は、第1
部材510(フレーム500)に支持されている。
は、それぞれ、棒状の部材で構成され、一対の側壁部5
62、562を貫通するようにして設置されている。そ
して、第1軸563の両端部は、それぞれ第1部材51
0の各第1案内溝512aに、第2軸564の両端部
は、それぞれ第1部材510の各第2案内溝512bに
挿入され、これにより、カバープレート560は、第1
部材510(フレーム500)に支持されている。
【0071】また、この状態で、第1軸563の中央部
分は、スライド扉550のフック溝553aに係合して
いる。これらの係合作用により、スライド扉550をフ
レーム500に対してスライドさせる操作を行なうと、
このスライド扉550の移動に伴って、カバープレート
560も移動する。なお、このとき、カバープレート5
60の移動は、各第1案内溝512aおよび各第2案内
溝512bによって、案内(規制)されている。
分は、スライド扉550のフック溝553aに係合して
いる。これらの係合作用により、スライド扉550をフ
レーム500に対してスライドさせる操作を行なうと、
このスライド扉550の移動に伴って、カバープレート
560も移動する。なお、このとき、カバープレート5
60の移動は、各第1案内溝512aおよび各第2案内
溝512bによって、案内(規制)されている。
【0072】このような処理ユニット30の各部は、非
金属材料で構成されているのが好ましい。これにより、
プローブ液R中に金属イオンが混入し、核酸Sとプロー
ブ液Rとの反応が阻害されるのを好適に防止することが
できる。
金属材料で構成されているのが好ましい。これにより、
プローブ液R中に金属イオンが混入し、核酸Sとプロー
ブ液Rとの反応が阻害されるのを好適に防止することが
できる。
【0073】具体的には、処理ユニット30の各部の構
成材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−ス
チレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート等のポリ
エステル、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアミ
ド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホンのような各種
樹脂材料が挙げられ、これらの1種または2種以上を組
み合わせて用いることができる。
成材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−ス
チレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート等のポリ
エステル、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアミ
ド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホンのような各種
樹脂材料が挙げられ、これらの1種または2種以上を組
み合わせて用いることができる。
【0074】次に、装置本体2について、図1、図7お
よび図8を参照しつつ説明する。図7は、処理槽の構成
を示す斜視図であり、図8は、装置本体の内部構成を示
す模式図である。なお、図8では、2つの処理槽のうち
の、一方のみを示してある。
よび図8を参照しつつ説明する。図7は、処理槽の構成
を示す斜視図であり、図8は、装置本体の内部構成を示
す模式図である。なお、図8では、2つの処理槽のうち
の、一方のみを示してある。
【0075】また、以下の説明では、図7中、上側を
「上方」または「上端」、下側を「下方」または「下
端」、紙面左手前側を「前方」、紙面右手奥側を「後
方」と言う。
「上方」または「上端」、下側を「下方」または「下
端」、紙面左手前側を「前方」、紙面右手奥側を「後
方」と言う。
【0076】図1に示す装置本体2は、前方に水平ステ
ージ2aと、後方に垂直ステージ2bとを備えている。
水平ステージ2aには、チップ設置部21と、プローブ
液収納容器設置部22と、容器設置部23と、2つの密
閉可能な処理槽3、3とが設けられ、垂直ステージ2b
には、プローブ液供給手段(反応液供給手段)6が設け
られている。
ージ2aと、後方に垂直ステージ2bとを備えている。
水平ステージ2aには、チップ設置部21と、プローブ
液収納容器設置部22と、容器設置部23と、2つの密
閉可能な処理槽3、3とが設けられ、垂直ステージ2b
には、プローブ液供給手段(反応液供給手段)6が設け
られている。
【0077】また、装置本体2の内部には、主に、供給
用回路7と、排出用回路8と、温度調整手段9と、制御
手段10の一部を構成する部材と、各部の作動に必要な
電力を供給する電源部(図示せず)とが設けられてい
る。
用回路7と、排出用回路8と、温度調整手段9と、制御
手段10の一部を構成する部材と、各部の作動に必要な
電力を供給する電源部(図示せず)とが設けられてい
る。
【0078】<チップ設置部21>チップ設置部21
は、後述する分注装置61のノズル612に装着される
複数のチップ(管状部材)を設置する場所である。
は、後述する分注装置61のノズル612に装着される
複数のチップ(管状部材)を設置する場所である。
【0079】このチップ設置部21は、水平ステージ2
aの上面(図1中上側の面)に形成された複数の穴(凹
部)211で構成されている。各穴211には、それぞ
れ、チップを起立状態で設置することができる。
aの上面(図1中上側の面)に形成された複数の穴(凹
部)211で構成されている。各穴211には、それぞ
れ、チップを起立状態で設置することができる。
【0080】このように、チップ設置部21には、複数
のチップを設置しておくことができるので、1回のマイ
クロアレイMの処理操作において、複数の異なるプロー
ブ液Rを用いる場合には、各プローブ液Rごとに用いる
チップを取り替えることができる。これにより、1のプ
ローブ液Rへの他のプローブ液Rの混入(コンタミネー
ション)を防止することができ、各核酸Sに対して正確
な処理を施すことができる。
のチップを設置しておくことができるので、1回のマイ
クロアレイMの処理操作において、複数の異なるプロー
ブ液Rを用いる場合には、各プローブ液Rごとに用いる
チップを取り替えることができる。これにより、1のプ
ローブ液Rへの他のプローブ液Rの混入(コンタミネー
ション)を防止することができ、各核酸Sに対して正確
な処理を施すことができる。
【0081】<プローブ液収納容器設置部22>プロー
ブ液収納容器設置部22は、プローブ液Rが収納された
複数の容器を設置する場所である。
ブ液収納容器設置部22は、プローブ液Rが収納された
複数の容器を設置する場所である。
【0082】このプローブ液収納容器設置部22は、水
平ステージ2aの上面(図1中上側の面)に形成された
複数の穴(凹部)221で構成されている。各穴221
には、それぞれ、前記容器を起立状態で設置することが
できる。
平ステージ2aの上面(図1中上側の面)に形成された
複数の穴(凹部)221で構成されている。各穴221
には、それぞれ、前記容器を起立状態で設置することが
できる。
【0083】また、プローブ液収納容器設置部22に
は、ヒータ付蓋体222が回動自在に設置されている。
ヒータ付蓋体222は、平板状の部材で構成されてお
り、水平ステージ2aに当接した状態で、全ての穴22
1を覆うことができ、穴221に設置された各容器とと
もに、気密性が保持されるようになっている。
は、ヒータ付蓋体222が回動自在に設置されている。
ヒータ付蓋体222は、平板状の部材で構成されてお
り、水平ステージ2aに当接した状態で、全ての穴22
1を覆うことができ、穴221に設置された各容器とと
もに、気密性が保持されるようになっている。
【0084】なお、このヒータ付蓋体222が備えるヒ
ータ(図示せず)は、後述する温度調整手段9の一部を
構成する。
ータ(図示せず)は、後述する温度調整手段9の一部を
構成する。
【0085】また、ヒータ付蓋体222の内面(図1中
下側の面)には、その縁部付近に沿って、例えばシリコ
ンゴム等の弾性材料で構成される封止部材(図示せず)
が設置されている。これにより、ヒータ付蓋体222が
水平ステージ2aに当接した状態での気密性を向上する
ことができる。
下側の面)には、その縁部付近に沿って、例えばシリコ
ンゴム等の弾性材料で構成される封止部材(図示せず)
が設置されている。これにより、ヒータ付蓋体222が
水平ステージ2aに当接した状態での気密性を向上する
ことができる。
【0086】なお、このヒータ付蓋体222の作動(回
動)機構としては、例えば、後述する処理槽3における
蓋体37の作動機構と同様のものを採用することができ
る。
動)機構としては、例えば、後述する処理槽3における
蓋体37の作動機構と同様のものを採用することができ
る。
【0087】<容器設置部23>容器設置部23は、後
述する複数の容器72a〜72hを設置する場所であ
る。
述する複数の容器72a〜72hを設置する場所であ
る。
【0088】この容器設置部23は、水平ステージ2a
の上面(図1中上側の面)に形成された複数の穴(凹
部)231で構成されている。各穴231には、それぞ
れ、各容器72a〜72hを起立状態で設置することが
できる。
の上面(図1中上側の面)に形成された複数の穴(凹
部)231で構成されている。各穴231には、それぞ
れ、各容器72a〜72hを起立状態で設置することが
できる。
【0089】<処理槽3>各処理槽3は、図7に示すよ
うに、それぞれ、処理ユニット収納部(凹部)31を備
える本体部32と、本体部32に対して回動自在に設け
られた蓋体37とを有しており、各処理ユニット収納部
31には、それぞれ、処理ユニット30を2つずつ収納
(設置)することができるよう構成されている。
うに、それぞれ、処理ユニット収納部(凹部)31を備
える本体部32と、本体部32に対して回動自在に設け
られた蓋体37とを有しており、各処理ユニット収納部
31には、それぞれ、処理ユニット30を2つずつ収納
(設置)することができるよう構成されている。
【0090】すなわち、装置本体2には、処理ユニット
30を合計4つ設置することができ、装置本体2では、
最大12個のマイクロアレイMを、同時に処理すること
ができる。
30を合計4つ設置することができ、装置本体2では、
最大12個のマイクロアレイMを、同時に処理すること
ができる。
【0091】なお、各処理槽3は、それぞれ同一の構成
であるので、以下では、1つを代表して説明する。
であるので、以下では、1つを代表して説明する。
【0092】図7に示すように、本体部32は、全体形
状としてトレー状(箱形)をなしており、底部33と、
底部33の縁部に沿って立設する側壁部34とで構成さ
れている。
状としてトレー状(箱形)をなしており、底部33と、
底部33の縁部に沿って立設する側壁部34とで構成さ
れている。
【0093】この底部33には、2つの略直方体状をな
すベース35、35が、底部33と一体的に形成されて
いる。換言すれば、底部33には、溝36が設けられ、
これにより、ベース35、35が形成されている。
すベース35、35が、底部33と一体的に形成されて
いる。換言すれば、底部33には、溝36が設けられ、
これにより、ベース35、35が形成されている。
【0094】これらのベース35には、それぞれ、連通
孔351、351、351、352、352、352、
353、354が、底部33(ベース35)を厚さ方向
に貫通して形成されている。
孔351、351、351、352、352、352、
353、354が、底部33(ベース35)を厚さ方向
に貫通して形成されている。
【0095】また、各連通孔351の下端部には、後述
する各下流側分岐ライン74a〜74cを構成するチュ
ーブの端部が、連通孔353の下端部には、後述する下
流側分岐ライン74dを構成するチューブの端部が、各
連通孔352の下端部には、後述する各分岐ライン81
a〜81cを構成するチューブの端部が、また、連通孔
354の下端部には、後述する分岐ライン81dを構成
するチューブの端部が、それぞれ、接続されている(図
8参照)。
する各下流側分岐ライン74a〜74cを構成するチュ
ーブの端部が、連通孔353の下端部には、後述する下
流側分岐ライン74dを構成するチューブの端部が、各
連通孔352の下端部には、後述する各分岐ライン81
a〜81cを構成するチューブの端部が、また、連通孔
354の下端部には、後述する分岐ライン81dを構成
するチューブの端部が、それぞれ、接続されている(図
8参照)。
【0096】処理ユニット収納部31内には、2つの処
理ユニット30が設置される。この際、溝36には、処
理タブ40の脚部44が挿入され、換言すれば、処理タ
ブ40の脚部44の内側の部分にベース35が挿入さ
れ、これにより、各処理タブ40(処理ユニット30)
が、それぞれ本体部32に固定される。
理ユニット30が設置される。この際、溝36には、処
理タブ40の脚部44が挿入され、換言すれば、処理タ
ブ40の脚部44の内側の部分にベース35が挿入さ
れ、これにより、各処理タブ40(処理ユニット30)
が、それぞれ本体部32に固定される。
【0097】また、このとき、各連通孔351には各突
部45が挿入され、各連通孔351と各第1供給路45
1とが連通し、連通孔353には突部47が挿入され、
連通孔353と第2供給路471とが連通し、各連通孔
352には各突部46が挿入され、各連通孔352と各
第1排出路461とが連通し、連通孔354には突部4
8が挿入され、連通孔354と第2排出路481とが連
通する。
部45が挿入され、各連通孔351と各第1供給路45
1とが連通し、連通孔353には突部47が挿入され、
連通孔353と第2供給路471とが連通し、各連通孔
352には各突部46が挿入され、各連通孔352と各
第1排出路461とが連通し、連通孔354には突部4
8が挿入され、連通孔354と第2排出路481とが連
通する。
【0098】また、各連通孔351〜354の内周部に
は、それぞれ、弾性を有する材料で構成されるOリング
(図示せず)が設置されており、これにより、各連通孔
351〜354に各突部45〜48が挿入された状態で
は、それらの接続が液密になされる。
は、それぞれ、弾性を有する材料で構成されるOリング
(図示せず)が設置されており、これにより、各連通孔
351〜354に各突部45〜48が挿入された状態で
は、それらの接続が液密になされる。
【0099】なお、本実施形態では、各処理ユニット3
0は、処理槽3に対して着脱自在なものであるが、処理
槽3に固定されているものであってもよい。すなわち、
各処理タブ40が、処理槽3の底部33(ベース35)
に固着(固定)されているものや、処理タブ40と同様
の構成が底部33(ベース35)に形成されたもの等で
あってもよい。
0は、処理槽3に対して着脱自在なものであるが、処理
槽3に固定されているものであってもよい。すなわち、
各処理タブ40が、処理槽3の底部33(ベース35)
に固着(固定)されているものや、処理タブ40と同様
の構成が底部33(ベース35)に形成されたもの等で
あってもよい。
【0100】また、側壁部34の上縁部には、処理ユニ
ット収納部31の開口部を囲むように、弾性材料で構成
される封止部材341が設置されている。蓋体37によ
り処理ユニット収納部31を塞いだ状態(処理槽3を閉
じた状態)では、封止部材341に蓋体37が圧接す
る。これにより、処理槽3を気密的に封止することがで
きる。
ット収納部31の開口部を囲むように、弾性材料で構成
される封止部材341が設置されている。蓋体37によ
り処理ユニット収納部31を塞いだ状態(処理槽3を閉
じた状態)では、封止部材341に蓋体37が圧接す
る。これにより、処理槽3を気密的に封止することがで
きる。
【0101】このような弾性材料(封止部材341およ
び前記Oリングの構成材料)としては、例えば、シリコ
ーンゴム、フッ素ゴムのような各種ゴム材料や、スチレ
ン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレ
タン系、ポリエステル系等の各種熱可塑性エラストマー
等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組
み合わせて用いることができる。
び前記Oリングの構成材料)としては、例えば、シリコ
ーンゴム、フッ素ゴムのような各種ゴム材料や、スチレ
ン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレ
タン系、ポリエステル系等の各種熱可塑性エラストマー
等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組
み合わせて用いることができる。
【0102】蓋体37は、平板状の部材で構成されてお
り、その後方には、軸371が蓋体37と一体的に形成
されている。一方、本体部32(側壁部34)の後方に
は、軸受け(図示せず)が本体部32と一体的に形成さ
れている。軸371が軸受けに挿入、支持されることに
より、蓋体37は、本体部32に対して回動自在に設置
されている。
り、その後方には、軸371が蓋体37と一体的に形成
されている。一方、本体部32(側壁部34)の後方に
は、軸受け(図示せず)が本体部32と一体的に形成さ
れている。軸371が軸受けに挿入、支持されることに
より、蓋体37は、本体部32に対して回動自在に設置
されている。
【0103】軸371の図7中右側には、ギア(歯車)
372が装着されている。また、処理槽3の後方には、
モータ38が設置され、その回転軸381には、ギア
(歯車)382が装着されている。これらのギア372
と382とは、噛み合わされている。
372が装着されている。また、処理槽3の後方には、
モータ38が設置され、その回転軸381には、ギア
(歯車)382が装着されている。これらのギア372
と382とは、噛み合わされている。
【0104】モータ38(回転軸381)を図7中後方
(時計周り)に回転すると、ギア382がこれに伴って
同方向に回転する。このとき、このギア382に噛み合
うギア372は、図7中前方(反時計周り)に回転し、
軸371もギア372と同方向に回転する。これによ
り、蓋体37が本体部32に接近するように回動し、や
がて、蓋体37が本体部32に当接して、処理槽3が閉
状態とされる。
(時計周り)に回転すると、ギア382がこれに伴って
同方向に回転する。このとき、このギア382に噛み合
うギア372は、図7中前方(反時計周り)に回転し、
軸371もギア372と同方向に回転する。これによ
り、蓋体37が本体部32に接近するように回動し、や
がて、蓋体37が本体部32に当接して、処理槽3が閉
状態とされる。
【0105】一方、モータ38(回転軸381)が図7
中前方(時計周り)に回転すると、前述とは逆に、蓋体
37が本体部32から離間するように回動して、処理槽
3が開状態とされる。
中前方(時計周り)に回転すると、前述とは逆に、蓋体
37が本体部32から離間するように回動して、処理槽
3が開状態とされる。
【0106】また、図7および図8に示すように、蓋体
37には、処理槽3の開閉状態を検知するための開閉セ
ンサ373が設けられている。
37には、処理槽3の開閉状態を検知するための開閉セ
ンサ373が設けられている。
【0107】なお、蓋体37は、本体部32に対して回
動可能に設置されたもの(回動式のもの)に代わり、例
えば、本体部32に対してスライド可能に設置されたも
の(スライド式のもの)等とすることもできる。この蓋
体37の本体部32に対するスライド機構(スライド式
の移動機構)としては、例えば、特願2001−159
161号(容器の蓋開閉機構)に記載の機構を採用する
ことができる。
動可能に設置されたもの(回動式のもの)に代わり、例
えば、本体部32に対してスライド可能に設置されたも
の(スライド式のもの)等とすることもできる。この蓋
体37の本体部32に対するスライド機構(スライド式
の移動機構)としては、例えば、特願2001−159
161号(容器の蓋開閉機構)に記載の機構を採用する
ことができる。
【0108】また、本実施形態では、封止部材341
は、側壁部34(本体部32)の上縁部に設置されてい
るが、封止部材341の設置位置(設置箇所)は、これ
に限定されない。封止部材341は、例えば、蓋体37
の内面(図7中下側の面)に、その縁部付近に沿って設
置されていてもよく、側壁部34(本体部32)および
蓋体37の双方に設置されていてもよい。
は、側壁部34(本体部32)の上縁部に設置されてい
るが、封止部材341の設置位置(設置箇所)は、これ
に限定されない。封止部材341は、例えば、蓋体37
の内面(図7中下側の面)に、その縁部付近に沿って設
置されていてもよく、側壁部34(本体部32)および
蓋体37の双方に設置されていてもよい。
【0109】<プローブ液供給手段6>プローブ液供給
手段(反応液供給手段)6は、主に、核酸(被処理物)
Sと反応し得るプローブ液(反応液)Rを、核酸(被処
理物)Sに供給する機能を有するものであり、図1に示
すように、分注装置61と、分注装置61を3次元方向
に移動可能な移動機構62とを有している。
手段(反応液供給手段)6は、主に、核酸(被処理物)
Sと反応し得るプローブ液(反応液)Rを、核酸(被処
理物)Sに供給する機能を有するものであり、図1に示
すように、分注装置61と、分注装置61を3次元方向
に移動可能な移動機構62とを有している。
【0110】分注装置61は、液体の吸引および排出が
可能な装置であり、分注ポンプ611と、その下端部
(先端部)に設けられ、管状のチップを装着可能なノズ
ル612とを備えている。
可能な装置であり、分注ポンプ611と、その下端部
(先端部)に設けられ、管状のチップを装着可能なノズ
ル612とを備えている。
【0111】分注ポンプ611は、例えば、ピストン型
ポンプ、シリンジ型(プランジャー型)ポンプ等で構成
することができる。
ポンプ、シリンジ型(プランジャー型)ポンプ等で構成
することができる。
【0112】移動機構62は、分注装置61をx軸方向
(図1中左右方向)に移動可能なx軸方向移動機構62
aと、分注装置61をy軸方向(図1中前後方向)に移
動可能なy軸方向移動機構62bと、分注装置61をz
軸方向(図1中上下方向)に移動可能なz軸方向移動機
構62cとで構成されており、分注装置61は、z軸方
向移動機構62cを構成する部材に固定されている。
(図1中左右方向)に移動可能なx軸方向移動機構62
aと、分注装置61をy軸方向(図1中前後方向)に移
動可能なy軸方向移動機構62bと、分注装置61をz
軸方向(図1中上下方向)に移動可能なz軸方向移動機
構62cとで構成されており、分注装置61は、z軸方
向移動機構62cを構成する部材に固定されている。
【0113】また、図1に示すように、z軸方向移動機
構62cを構成する部材の下端部には、棒状をなす操作
部材(係合部材)63が設置されている。移動機構62
によって、この操作部材63を移動させて、スライド扉
540およびスライド扉550のスライド操作を行なう
ことができる。
構62cを構成する部材の下端部には、棒状をなす操作
部材(係合部材)63が設置されている。移動機構62
によって、この操作部材63を移動させて、スライド扉
540およびスライド扉550のスライド操作を行なう
ことができる。
【0114】なお、このスライド扉540およびスライ
ド扉550のスライド操作は、操作部材63に代わり、
分注装置61のノズル612を用いて行なうようにして
もよい。
ド扉550のスライド操作は、操作部材63に代わり、
分注装置61のノズル612を用いて行なうようにして
もよい。
【0115】<供給用回路7>供給用回路7は、処理槽
3(処理ユニット30)内へ、各種液体(洗浄液W、保
湿液H、フラッシング液F)や、気体Gを供給するため
の回路である。
3(処理ユニット30)内へ、各種液体(洗浄液W、保
湿液H、フラッシング液F)や、気体Gを供給するため
の回路である。
【0116】この供給用回路7は、図8に示すように、
主供給ライン70と、上流側分岐ライン71a〜71h
と、下流側分岐ライン74a〜74d、ドレーンライン
76とを有している。
主供給ライン70と、上流側分岐ライン71a〜71h
と、下流側分岐ライン74a〜74d、ドレーンライン
76とを有している。
【0117】主供給ライン70は、供給用回路7の主要
部を構成し、その途中には、上流側から順に、ポンプ7
8と、三方バルブ79とが設けられている。この主供給
ライン70は、三方バルブ79において、2つの処理槽
3、3に向って二股に分岐した後、さらに、分岐した主
供給ライン70は、それぞれ各処理槽3の内部におい
て、2つのベース35、35に向って二股に分岐してい
る。
部を構成し、その途中には、上流側から順に、ポンプ7
8と、三方バルブ79とが設けられている。この主供給
ライン70は、三方バルブ79において、2つの処理槽
3、3に向って二股に分岐した後、さらに、分岐した主
供給ライン70は、それぞれ各処理槽3の内部におい
て、2つのベース35、35に向って二股に分岐してい
る。
【0118】主供給ライン70の上流側には、各上流側
分岐ライン71a〜71hの一端(下流端)が接続され
ている。これらの上流側分岐ライン71a〜71hの他
端(上流端)には、それぞれ、容器72a〜72hが接
続されている。
分岐ライン71a〜71hの一端(下流端)が接続され
ている。これらの上流側分岐ライン71a〜71hの他
端(上流端)には、それぞれ、容器72a〜72hが接
続されている。
【0119】本実施形態では、各容器72a〜72e内
には、それぞれ、洗浄液Wが充填されており、容器72
f内には、保湿液Hが、容器72g内には、フラッシン
グ液Fが、また、容器72h内には、気体Gが、それぞ
れ、充填されている。
には、それぞれ、洗浄液Wが充填されており、容器72
f内には、保湿液Hが、容器72g内には、フラッシン
グ液Fが、また、容器72h内には、気体Gが、それぞ
れ、充填されている。
【0120】また、各上流側分岐ライン71a〜71h
の途中には、それぞれ、それらの流路を開閉し得る上流
側バルブ73a〜73hが設けられている。
の途中には、それぞれ、それらの流路を開閉し得る上流
側バルブ73a〜73hが設けられている。
【0121】一方、主供給ライン70の下流側には、各
下流側分岐ライン74a〜74dの一端(上流端)、お
よび、ドレーンライン76の一端(上流端)が、それぞ
れ接続されている。
下流側分岐ライン74a〜74dの一端(上流端)、お
よび、ドレーンライン76の一端(上流端)が、それぞ
れ接続されている。
【0122】各下流側分岐ライン74a〜74cの他端
(下流端)は、それぞれベース35の各連通孔351に
接続され、下流側分岐ライン74dの他端(下流端)
は、ベース35の連通孔353に接続されている。ま
た、ドレーンライン76の他端(下流端)は、後述する
主排出ライン80の途中に接続されている。
(下流端)は、それぞれベース35の各連通孔351に
接続され、下流側分岐ライン74dの他端(下流端)
は、ベース35の連通孔353に接続されている。ま
た、ドレーンライン76の他端(下流端)は、後述する
主排出ライン80の途中に接続されている。
【0123】また、各下流側分岐ライン74a〜74
d、および、ドレーンライン76の途中には、それぞ
れ、それらの流路を開閉し得る下流側バルブ75a〜7
5d、77が設けられている。
d、および、ドレーンライン76の途中には、それぞ
れ、それらの流路を開閉し得る下流側バルブ75a〜7
5d、77が設けられている。
【0124】このような構成において、各容器72a〜
72e、各上流側分岐ライン71a〜71e、各上流側
バルブ73a〜73e、主供給ライン70の一部、ポン
プ78、三方バルブ79、各下流側分岐ライン74a〜
74c、および、各下流側バルブ75a〜75cによ
り、核酸(被処理物)Sを洗浄するための洗浄液Wを供
給する洗浄液供給手段7Wが構成されている。
72e、各上流側分岐ライン71a〜71e、各上流側
バルブ73a〜73e、主供給ライン70の一部、ポン
プ78、三方バルブ79、各下流側分岐ライン74a〜
74c、および、各下流側バルブ75a〜75cによ
り、核酸(被処理物)Sを洗浄するための洗浄液Wを供
給する洗浄液供給手段7Wが構成されている。
【0125】また、容器72f、上流側分岐ライン71
f、上流側バルブ73f、主供給ライン70の一部、ポ
ンプ78、三方バルブ79、下流側分岐ライン74d、
および、下流側バルブ75dにより、処理ユニット30
(処理槽3)内の湿度を保つための保湿液Hを供給する
保湿液供給手段7Hが構成されている。
f、上流側バルブ73f、主供給ライン70の一部、ポ
ンプ78、三方バルブ79、下流側分岐ライン74d、
および、下流側バルブ75dにより、処理ユニット30
(処理槽3)内の湿度を保つための保湿液Hを供給する
保湿液供給手段7Hが構成されている。
【0126】また、容器72h、上流側分岐ライン71
h、上流側バルブ73h、主供給ライン70の一部、ポ
ンプ78、三方バルブ79、各下流側分岐ライン74a
〜74c、および、各下流側バルブ75a〜75cによ
り、核酸(被処理物)Sを乾燥するための気体Gを供給
する気体供給手段7Gが構成されている。
h、上流側バルブ73h、主供給ライン70の一部、ポ
ンプ78、三方バルブ79、各下流側分岐ライン74a
〜74c、および、各下流側バルブ75a〜75cによ
り、核酸(被処理物)Sを乾燥するための気体Gを供給
する気体供給手段7Gが構成されている。
【0127】さらに、容器72g、上流側分岐ライン7
1g、上流側バルブ73g、主供給ライン70の一部、
ポンプ78、三方バルブ79、各下流側分岐ライン74
a〜74d、76および、各下流側バルブ75a〜75
d、77により、処理槽3(各空間431、421)、
供給用回路7および排出用回路8内を洗浄するためのフ
ラッシング液Fを供給するフラッシング液供給手段7F
が構成されている。
1g、上流側バルブ73g、主供給ライン70の一部、
ポンプ78、三方バルブ79、各下流側分岐ライン74
a〜74d、76および、各下流側バルブ75a〜75
d、77により、処理槽3(各空間431、421)、
供給用回路7および排出用回路8内を洗浄するためのフ
ラッシング液Fを供給するフラッシング液供給手段7F
が構成されている。
【0128】図8に示すように、処理槽3内に、処理ユ
ニット30を収納した状態では、各空間431(処理槽
3)内と、洗浄液供給手段7W、気体供給手段7Gおよ
びフラッシング液供給手段7Fとが接続され、空間42
1(処理槽3)内と、保湿液供給手段7Hおよびフラッ
シング液供給手段7Fとが接続されている。
ニット30を収納した状態では、各空間431(処理槽
3)内と、洗浄液供給手段7W、気体供給手段7Gおよ
びフラッシング液供給手段7Fとが接続され、空間42
1(処理槽3)内と、保湿液供給手段7Hおよびフラッ
シング液供給手段7Fとが接続されている。
【0129】具体的には、:各連通孔351に各突部
45が、それぞれ挿入され、各連通孔351と各第1供
給路451とが、それぞれ連通し、これにより、各空間
431内と、洗浄液供給手段7W、気体供給手段7Gお
よびフラッシング液7Fの流路(内部空間)とが連通し
ている。
45が、それぞれ挿入され、各連通孔351と各第1供
給路451とが、それぞれ連通し、これにより、各空間
431内と、洗浄液供給手段7W、気体供給手段7Gお
よびフラッシング液7Fの流路(内部空間)とが連通し
ている。
【0130】また、:連通孔353には突部47が挿
入され、連通孔353と第2供給路471とが連通し、
これにより、空間421内と、保湿液供給手段7Hおよ
びフラッシング液7Fの流路(内部空間)とが連通して
いる。
入され、連通孔353と第2供給路471とが連通し、
これにより、空間421内と、保湿液供給手段7Hおよ
びフラッシング液7Fの流路(内部空間)とが連通して
いる。
【0131】また、前述したように、洗浄液供給手段7
W、保湿液供給手段7H、気体供給手段7Gおよびフラ
ッシング液供給手段7Fは、それらの一部(主供給ライ
ン70の一部、ポンプ78、三方バルブ79等)を共用
するように構成されている。これにより、回路構成を簡
易にすることができ、装置本体2(装置1全体)の簡略
化と小型化とを図ることができる。
W、保湿液供給手段7H、気体供給手段7Gおよびフラ
ッシング液供給手段7Fは、それらの一部(主供給ライ
ン70の一部、ポンプ78、三方バルブ79等)を共用
するように構成されている。これにより、回路構成を簡
易にすることができ、装置本体2(装置1全体)の簡略
化と小型化とを図ることができる。
【0132】なお、本発明では、洗浄液供給手段7W、
保湿液供給手段7H、気体供給手段7Gおよびフラッシ
ング液供給手段7Fのうちの任意の2または3の各手段
が、それらの一部を共用するように構成されていてもよ
く、各手段が、それぞれ、個別に(独立して)設けられ
ていてもよい。
保湿液供給手段7H、気体供給手段7Gおよびフラッシ
ング液供給手段7Fのうちの任意の2または3の各手段
が、それらの一部を共用するように構成されていてもよ
く、各手段が、それぞれ、個別に(独立して)設けられ
ていてもよい。
【0133】ここで、洗浄液W、保湿液H、気体G、フ
ラッシング液Fについて、それぞれ説明する。
ラッシング液Fについて、それぞれ説明する。
【0134】洗浄液Wは、主に、核酸Sとプローブ液R
とを反応させた後、余剰のプローブ液Rを洗い流すため
に用いられるものであり、核酸Sの反応結果に影響を与
えないものであるのが好ましく、例えば、クエン酸緩衝
液、リン酸緩衝液、ホウ酸緩衝液等の緩衝液を主とする
ものであるのが好ましい。このような緩衝液を主とする
洗浄液Wは、プローブとの反応性に乏しく、また、核酸
Sへのダメージ(損傷)を極めて小さくすることができ
るという利点がある。
とを反応させた後、余剰のプローブ液Rを洗い流すため
に用いられるものであり、核酸Sの反応結果に影響を与
えないものであるのが好ましく、例えば、クエン酸緩衝
液、リン酸緩衝液、ホウ酸緩衝液等の緩衝液を主とする
ものであるのが好ましい。このような緩衝液を主とする
洗浄液Wは、プローブとの反応性に乏しく、また、核酸
Sへのダメージ(損傷)を極めて小さくすることができ
るという利点がある。
【0135】また、洗浄液W中には、必要に応じて、例
えば、ドデシル硫酸ナトリウム、硫酸デキストラン、Tw
een-20、NP-40、Triton X-100のような界面活性剤等の
各種添加剤を添加してもよい。
えば、ドデシル硫酸ナトリウム、硫酸デキストラン、Tw
een-20、NP-40、Triton X-100のような界面活性剤等の
各種添加剤を添加してもよい。
【0136】各容器72a〜72e内に充填される洗浄
液Wは、全てが同一の条件のものであってもよいし、少
なくとも1つが異なる条件のものであってもよい。洗浄
液Wの条件を変える場合には、例えば、組成、濃度、温
度等のうちの1または2以上を適宜変更するようにすれ
ばよい。
液Wは、全てが同一の条件のものであってもよいし、少
なくとも1つが異なる条件のものであってもよい。洗浄
液Wの条件を変える場合には、例えば、組成、濃度、温
度等のうちの1または2以上を適宜変更するようにすれ
ばよい。
【0137】例えば、容器72a内に洗浄液Waを充填
し、容器72b内に洗浄液Waと異なる条件の洗浄液W
bを充填しておけば、バルブ73aと73bとを切替え
ること、すなわち、容器72aと容器72bとを切替え
ることで、容易に、互いに異なる条件の洗浄液W(洗浄
液Waおよび洗浄液Wb)を、核酸Sに対して供給し、
核酸Sを洗浄することができる。
し、容器72b内に洗浄液Waと異なる条件の洗浄液W
bを充填しておけば、バルブ73aと73bとを切替え
ること、すなわち、容器72aと容器72bとを切替え
ることで、容易に、互いに異なる条件の洗浄液W(洗浄
液Waおよび洗浄液Wb)を、核酸Sに対して供給し、
核酸Sを洗浄することができる。
【0138】したがって、各容器72a〜72e内に充
填する洗浄液Wの条件を全て異なる条件としておくこと
により、本実施形態では、5種類の異なる条件の洗浄液
Wにより、核酸(被処理物)Sの洗浄を行なうことがで
きる。
填する洗浄液Wの条件を全て異なる条件としておくこと
により、本実施形態では、5種類の異なる条件の洗浄液
Wにより、核酸(被処理物)Sの洗浄を行なうことがで
きる。
【0139】保湿液Hは、処理ユニット30(処理槽
3)内の湿度を保持し、これにより、例えば、核酸Sと
プローブ液Rとの反応等に際して、プローブ液R中の液
性成分の蒸発を防止(抑制)するためのものである。こ
の保湿液Hとしては、特に限定されないが、例えば、蒸
留水、イオン交換水、超純水、RO水のような各種水等
が挙げられる。なお、保湿液Hは、前記洗浄液Wをその
まま用いるようにしてもよい。
3)内の湿度を保持し、これにより、例えば、核酸Sと
プローブ液Rとの反応等に際して、プローブ液R中の液
性成分の蒸発を防止(抑制)するためのものである。こ
の保湿液Hとしては、特に限定されないが、例えば、蒸
留水、イオン交換水、超純水、RO水のような各種水等
が挙げられる。なお、保湿液Hは、前記洗浄液Wをその
まま用いるようにしてもよい。
【0140】気体Gは、各種処理の終了後、核酸(被処
理物)Sを乾燥するのに用いるものである。この気体G
としては、例えば、空気、窒素、アルゴン、ヘリウムの
ような不活性ガス等が挙げられる。
理物)Sを乾燥するのに用いるものである。この気体G
としては、例えば、空気、窒素、アルゴン、ヘリウムの
ような不活性ガス等が挙げられる。
【0141】フラッシング液Fは、処理槽3(各空間4
31、421)、供給用回路7および排出用回路8内を
洗浄するために用いるものである。このフラッシング液
Fとしては、特に限定されないが、例えば、蒸留水、イ
オン交換水、超純水、RO水のような各種水が挙げられ
る。
31、421)、供給用回路7および排出用回路8内を
洗浄するために用いるものである。このフラッシング液
Fとしては、特に限定されないが、例えば、蒸留水、イ
オン交換水、超純水、RO水のような各種水が挙げられ
る。
【0142】<排出用回路8>排出用回路(排液手段)
8は、処理ユニット30(処理槽3)内から、廃液(例
えば、余剰のプローブ液R、使用後の洗浄液W、使用後
の保湿液H等)を排出(排液)するための回路である。
8は、処理ユニット30(処理槽3)内から、廃液(例
えば、余剰のプローブ液R、使用後の洗浄液W、使用後
の保湿液H等)を排出(排液)するための回路である。
【0143】この排出用回路8は、図8に示すように、
主排出ライン80と、分岐ライン81a〜81dとを有
している。
主排出ライン80と、分岐ライン81a〜81dとを有
している。
【0144】各分岐ライン81a〜81cの一端(上流
端)は、それぞれベース35の各連通孔352に接続さ
れ、分岐ライン81dの一端(上流端)は、ベース35
の連通孔354に接続されている。
端)は、それぞれベース35の各連通孔352に接続さ
れ、分岐ライン81dの一端(上流端)は、ベース35
の連通孔354に接続されている。
【0145】図8に示すように、処理槽3内に、処理ユ
ニット30を収納した状態では、各空間431および空
間421内と、排出用回路(排液手段)8とが、それぞ
れ接続されている。
ニット30を収納した状態では、各空間431および空
間421内と、排出用回路(排液手段)8とが、それぞ
れ接続されている。
【0146】具体的には、各連通孔352に各突部46
が、連通孔354に突部48が、それぞれ挿入され、各
連通孔352と各第1排出路461とが、連通孔354
と第2排出路481とが、それぞれ連通し、これによ
り、各空間431および空間421と、排出用回路(排
出手段)8の流路(内部空間)とが連通している。
が、連通孔354に突部48が、それぞれ挿入され、各
連通孔352と各第1排出路461とが、連通孔354
と第2排出路481とが、それぞれ連通し、これによ
り、各空間431および空間421と、排出用回路(排
出手段)8の流路(内部空間)とが連通している。
【0147】また、各分岐ライン81a〜81dの他端
(下流端)は、それぞれ、排出用回路8の主要部を構成
する主排出ライン80に接続され、さらに、主排出ライ
ン80の途中には、ドレーンライン76が合流している
(接続されている)。
(下流端)は、それぞれ、排出用回路8の主要部を構成
する主排出ライン80に接続され、さらに、主排出ライ
ン80の途中には、ドレーンライン76が合流している
(接続されている)。
【0148】各ベース35から延在する4つの主排出ラ
イン80は、処理槽3の外部に設置されたマニホールド
83において合流して1つとなり、1つになった主排出
ライン80の端部には、廃液回収容器85が接続されて
いる。
イン80は、処理槽3の外部に設置されたマニホールド
83において合流して1つとなり、1つになった主排出
ライン80の端部には、廃液回収容器85が接続されて
いる。
【0149】また、各分岐ライン81a〜81dの途中
には、それぞれ、バルブ82a〜82dが設置され、主
排出ライン80の下流側(マニホールド83と廃液回収
容器85との間)には、ポンプ84が設置されている。
には、それぞれ、バルブ82a〜82dが設置され、主
排出ライン80の下流側(マニホールド83と廃液回収
容器85との間)には、ポンプ84が設置されている。
【0150】また、廃液回収容器85の近傍には、廃液
の回収量(貯留量)をモニタするための液量センサ(廃
液量検知手段)86が設置されている。本実施形態で
は、これらの廃液回収容器85および液量センサ86
は、廃液回収部800に設置されており、この廃液回収
部800は、図1に示すように、装置本体2の外部に設
置されている。なお、廃液回収容器85および液量セン
サ86は、装置本体2の内部に設置する(組み込む)よ
うにしてもよい。
の回収量(貯留量)をモニタするための液量センサ(廃
液量検知手段)86が設置されている。本実施形態で
は、これらの廃液回収容器85および液量センサ86
は、廃液回収部800に設置されており、この廃液回収
部800は、図1に示すように、装置本体2の外部に設
置されている。なお、廃液回収容器85および液量セン
サ86は、装置本体2の内部に設置する(組み込む)よ
うにしてもよい。
【0151】このような排出用回路8および供給用回路
7は、複数の可撓性を有するチューブが接続されて、構
成されている。これらチューブの構成材料としては、例
えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエステル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポ
リテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオ
ロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル重合
体(PFA)のようなフッ素系樹脂等の各種樹脂材料が
挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合
わせて(例えば、2層以上の積層体として)用いること
ができる。
7は、複数の可撓性を有するチューブが接続されて、構
成されている。これらチューブの構成材料としては、例
えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエステル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポ
リテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオ
ロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル重合
体(PFA)のようなフッ素系樹脂等の各種樹脂材料が
挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合
わせて(例えば、2層以上の積層体として)用いること
ができる。
【0152】また、前記各容器72a〜72hおよび廃
液回収容器85の構成材料としては、それぞれ、例え
ば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、アク
リルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリエ
チレンテレフタレート等のポリエステル、ブタジエン−
スチレン共重合体、ポリアミド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリスルホンのような各種樹脂材料、各種ガラス材
料等が挙げられる。
液回収容器85の構成材料としては、それぞれ、例え
ば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、アク
リルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリエ
チレンテレフタレート等のポリエステル、ブタジエン−
スチレン共重合体、ポリアミド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリスルホンのような各種樹脂材料、各種ガラス材
料等が挙げられる。
【0153】また、各上流側バルブ73a〜73h、各
下流側バルブ75a〜75d、77、各バルブ82a〜
82d、および、三方バルブ79は、それぞれ、例え
ば、電磁モータ、ソレノイド、または、シリンダ(油圧
または空気圧)等の各種駆動源で駆動し得るもので構成
することができる。
下流側バルブ75a〜75d、77、各バルブ82a〜
82d、および、三方バルブ79は、それぞれ、例え
ば、電磁モータ、ソレノイド、または、シリンダ(油圧
または空気圧)等の各種駆動源で駆動し得るもので構成
することができる。
【0154】<温度調整手段9>温度調整手段9は、装
置本体2の各部の温度を調整するものである。この温度
調整手段9は、図1および図8に示すように、第1温度
調整ユニット91と、第2温度調整ユニット92と、第
3温度調整ユニット93と、第4温度調整ユニット94
とを有している。
置本体2の各部の温度を調整するものである。この温度
調整手段9は、図1および図8に示すように、第1温度
調整ユニット91と、第2温度調整ユニット92と、第
3温度調整ユニット93と、第4温度調整ユニット94
とを有している。
【0155】第1温度調整ユニット91および第2温度
調整ユニット92は、それぞれ、各処理部300の温度
を調整するものである。
調整ユニット92は、それぞれ、各処理部300の温度
を調整するものである。
【0156】第1温度調整ユニット91は、処理槽3の
本体部32(底部33)に設けられ、一方、第2温度調
整ユニット92は、処理槽3の蓋体37に設けられてい
る。
本体部32(底部33)に設けられ、一方、第2温度調
整ユニット92は、処理槽3の蓋体37に設けられてい
る。
【0157】すなわち、本実施形態では、第1温度調整
ユニット91および第2温度調整ユニット92により、
各処理ユニット30(各処理部300)の温度を上下方
向(2方向)から調整し得るよう構成されている。
ユニット91および第2温度調整ユニット92により、
各処理ユニット30(各処理部300)の温度を上下方
向(2方向)から調整し得るよう構成されている。
【0158】なお、各処理部300の温度は、上下方向
に加え、さらに他の方向(例えば、側方等)から調整し
得るよう構成してもよい。
に加え、さらに他の方向(例えば、側方等)から調整し
得るよう構成してもよい。
【0159】また、第1温度調整ユニット91は、所定
距離(所定間隔)離間して設けられたペルチェ素子91
1a、911bと、これらの近傍にそれぞれ設置された
温度センサ912a、912bとを有し、各処理部30
0を加熱および/または冷却することにより、核酸Sお
よび反応液Rの温度を調整することができる。
距離(所定間隔)離間して設けられたペルチェ素子91
1a、911bと、これらの近傍にそれぞれ設置された
温度センサ912a、912bとを有し、各処理部30
0を加熱および/または冷却することにより、核酸Sお
よび反応液Rの温度を調整することができる。
【0160】一方、第2温度調整ユニット92は、所定
距離(所定間隔)離間して設けられたヒータ921a、
921bと、これらの近傍にそれぞれ設置された温度セ
ンサ922a、922bとを有し、各処理部300を加
熱することにより、核酸Sおよびプローブ液Rの温度を
調整することができる。
距離(所定間隔)離間して設けられたヒータ921a、
921bと、これらの近傍にそれぞれ設置された温度セ
ンサ922a、922bとを有し、各処理部300を加
熱することにより、核酸Sおよびプローブ液Rの温度を
調整することができる。
【0161】このように、処理槽3では、ペルチェ素子
911a、911b、および、ヒータ921a、921
bを、それぞれ、離間して設けることにより、複数の処
理部300のうち、第1組の処理部300と第2組の処
理部300との間で、すなわち、各処理ユニット30ご
とに、異なる温度調整条件を設定し得るよう構成されて
いる。本実施形態では、4つの処理ユニット30におい
て、それぞれ、異なる温度調整条件を設定することがで
きる。
911a、911b、および、ヒータ921a、921
bを、それぞれ、離間して設けることにより、複数の処
理部300のうち、第1組の処理部300と第2組の処
理部300との間で、すなわち、各処理ユニット30ご
とに、異なる温度調整条件を設定し得るよう構成されて
いる。本実施形態では、4つの処理ユニット30におい
て、それぞれ、異なる温度調整条件を設定することがで
きる。
【0162】この温度調整条件としては、例えば、温
度、昇温速度、降温速度、加熱(加温)時間、温度履歴
パターン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種
以上を組み合わせて用いることができる。
度、昇温速度、降温速度、加熱(加温)時間、温度履歴
パターン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種
以上を組み合わせて用いることができる。
【0163】なお、第2温度調整ユニット92では、ヒ
ータに代わり、ペルチェ素子を用いるようにしてもよ
い。
ータに代わり、ペルチェ素子を用いるようにしてもよ
い。
【0164】第3温度調整ユニット93は、プローブ液
収納容器設置部22の温度を調整するものである。
収納容器設置部22の温度を調整するものである。
【0165】この第3温度調整ユニット93は、図1に
示すように、プローブ液収納容器設置部22の下部(装
置本体2の内部)に設置されたペルチェ素子931と、
その近傍に設置された温度センサ932とを有し、プロ
ーブ液収納容器設置部22を加熱および/または冷却す
ることにより、プローブ液Rの温度を調整することがで
きる。
示すように、プローブ液収納容器設置部22の下部(装
置本体2の内部)に設置されたペルチェ素子931と、
その近傍に設置された温度センサ932とを有し、プロ
ーブ液収納容器設置部22を加熱および/または冷却す
ることにより、プローブ液Rの温度を調整することがで
きる。
【0166】第4温度調整ユニット94は、容器設置部
23の温度を調整するものである。この第4温度調整ユ
ニット94は、所定の穴231に対応する位置の下部
(装置本体2の内部)に設けられた複数(本実施形態で
は、5つ)のヒータ941a〜941d、941fと、
それらの近傍に設置された温度センサ942a〜942
d、942fとを有しており、所定の穴231内に設置
された容器を加熱することにより、前記容器内に充填さ
れた液体(あるいは気体)の温度を調整することができ
る。
23の温度を調整するものである。この第4温度調整ユ
ニット94は、所定の穴231に対応する位置の下部
(装置本体2の内部)に設けられた複数(本実施形態で
は、5つ)のヒータ941a〜941d、941fと、
それらの近傍に設置された温度センサ942a〜942
d、942fとを有しており、所定の穴231内に設置
された容器を加熱することにより、前記容器内に充填さ
れた液体(あるいは気体)の温度を調整することができ
る。
【0167】なお、本実施形態では、所定(5つ)の穴
231内には、それぞれ容器72a〜72d、72fが
設置されている。
231内には、それぞれ容器72a〜72d、72fが
設置されている。
【0168】なお、第4温度調整ユニット94では、ヒ
ータに代わり、ペルチェ素子を用いるようにしてもよ
い。
ータに代わり、ペルチェ素子を用いるようにしてもよ
い。
【0169】<制御手段10>制御手段10は、装置本
体2(装置1)の各部の作動を制御するものである。
体2(装置1)の各部の作動を制御するものである。
【0170】この制御手段10は、図1に示すように、
パソコン110と、装置本体2の内部に設置されたCP
Uボード120と、装置制御ボード130、温度制御ボ
ード140、I/Oボード(入出力ボード)150およ
びリレーボード160とを有している。
パソコン110と、装置本体2の内部に設置されたCP
Uボード120と、装置制御ボード130、温度制御ボ
ード140、I/Oボード(入出力ボード)150およ
びリレーボード160とを有している。
【0171】パソコン110は、モニタ(表示手段)1
11およびキーボード(入力手段)112とを有してい
る。このパソコン110は、CPUボード120を介し
て装置本体2に電気的に接続されている。
11およびキーボード(入力手段)112とを有してい
る。このパソコン110は、CPUボード120を介し
て装置本体2に電気的に接続されている。
【0172】CPUボード120は、所定のプログラ
ム、テーブル等が記録されたメモリ(記憶部)121を
備えており、プローブ液供給手段6(分注装置61、移
動機構62)およびモータ38等を制御する装置制御ボ
ード130と、ペルチェ素子911a、911b、93
1およびヒータ921a、921b、941a〜941
d、941fを制御する温度制御ボード140と、I/
Oボード150を介してリレーボード160とが、それ
ぞれ電気的に接続されている。
ム、テーブル等が記録されたメモリ(記憶部)121を
備えており、プローブ液供給手段6(分注装置61、移
動機構62)およびモータ38等を制御する装置制御ボ
ード130と、ペルチェ素子911a、911b、93
1およびヒータ921a、921b、941a〜941
d、941fを制御する温度制御ボード140と、I/
Oボード150を介してリレーボード160とが、それ
ぞれ電気的に接続されている。
【0173】さらに、リレーボード160には、各上流
側バルブ73a〜73h、各下流側バルブ75a〜75
d、77、各バルブ82a〜82d、三方バルブ79お
よび各ポンプ78、84が、それぞれ電気的に接続され
ており、これらへの通電を制御している。
側バルブ73a〜73h、各下流側バルブ75a〜75
d、77、各バルブ82a〜82d、三方バルブ79お
よび各ポンプ78、84が、それぞれ電気的に接続され
ており、これらへの通電を制御している。
【0174】また、CPUボード120には、各温度セ
ンサ912a、912b、922a、922b、93
2、942a〜942d、942f、開閉センサ373
および液量センサ86が、それぞれ電気的に接続され、
これらからの情報(検出信号)がCPUボード120に
随時入力されている。
ンサ912a、912b、922a、922b、93
2、942a〜942d、942f、開閉センサ373
および液量センサ86が、それぞれ電気的に接続され、
これらからの情報(検出信号)がCPUボード120に
随時入力されている。
【0175】なお、CPUボード120には、図示しな
い電源部が電気的に接続され、電力の供給を必要とする
各部に電力が供給されている。
い電源部が電気的に接続され、電力の供給を必要とする
各部に電力が供給されている。
【0176】以下、CPUボード120が、装置制御ボ
ード130、温度制御ボード140およびI/Oボード
150を介して行なう装置本体2の各部の制御を、単
に、「制御手段10の制御」と記載する。
ード130、温度制御ボード140およびI/Oボード
150を介して行なう装置本体2の各部の制御を、単
に、「制御手段10の制御」と記載する。
【0177】また、本実施形態では、パソコン110が
装置本体2の外部に設けられた構成であるが、装置本体
2には、パソコン110に相当する構成を組み込むよう
にしてもよい。
装置本体2の外部に設けられた構成であるが、装置本体
2には、パソコン110に相当する構成を組み込むよう
にしてもよい。
【0178】次に、マイクロアレイ処理装置1の使用方
法および作用の一例について、説明する。
法および作用の一例について、説明する。
【0179】[1] まず、操作者(測定者)は、洗浄
液W(洗浄液Wa〜We)をそれぞれ充填した容器72
a〜72e、保湿液Hを充填した容器72f、フラッシ
ング液Fを充填した容器72g、および、気体Gを充填
した容器72hを、それぞれ用意する。
液W(洗浄液Wa〜We)をそれぞれ充填した容器72
a〜72e、保湿液Hを充填した容器72f、フラッシ
ング液Fを充填した容器72g、および、気体Gを充填
した容器72hを、それぞれ用意する。
【0180】次いで、各容器72a〜72hを、容器設
置部23の所定の穴231内に設置し、それぞれ各上流
側分岐ライン71a〜71h(洗浄液供給手段7W、保
湿液供給手段7H、気体供給手段7Gおよびフラッシン
グ液供給手段7F)に接続する。
置部23の所定の穴231内に設置し、それぞれ各上流
側分岐ライン71a〜71h(洗浄液供給手段7W、保
湿液供給手段7H、気体供給手段7Gおよびフラッシン
グ液供給手段7F)に接続する。
【0181】なお、図8に示すように、本実施形態で
は、容器72a〜72d、72fが、それぞれ加熱可能
(温度調整可能)とされている。
は、容器72a〜72d、72fが、それぞれ加熱可能
(温度調整可能)とされている。
【0182】[2] 次に、操作者は、装置本体2の電
源スイッチ(図示せず)をONする。これにより、各ペ
ルチェ素子911a、911b、各ヒータ921a、9
21bを作動して、処理槽3(処理ユニット収納部3
1)内に設置された各処理ユニット30を、それぞれ所
定温度(例えば25〜30℃程度)に予備加熱(加温)
する。
源スイッチ(図示せず)をONする。これにより、各ペ
ルチェ素子911a、911b、各ヒータ921a、9
21bを作動して、処理槽3(処理ユニット収納部3
1)内に設置された各処理ユニット30を、それぞれ所
定温度(例えば25〜30℃程度)に予備加熱(加温)
する。
【0183】また、このとき、ヒータ941a〜941
d、941fを、それぞれ作動して、洗浄液Wa〜Wd
および保湿液Hを、それぞれ所定温度に加熱(加温)す
る。
d、941fを、それぞれ作動して、洗浄液Wa〜Wd
および保湿液Hを、それぞれ所定温度に加熱(加温)す
る。
【0184】[3] 次に、操作者は、パソコン110
の電源スイッチ(図示せず)をONする。これにより、
メモリ121に記録されたプログラムを実行する。
の電源スイッチ(図示せず)をONする。これにより、
メモリ121に記録されたプログラムを実行する。
【0185】そして、操作者は、モニタ111に表示さ
れた表示画面に従って、キーボード112を操作して、
マイクロアレイMの処理における各種処理条件、使用す
る洗浄液W(Wa〜We)の選択(設定)等の情報の入
力を行なう。なお、本実施形態では、洗浄液Wa〜Wd
を使用するように設定する。
れた表示画面に従って、キーボード112を操作して、
マイクロアレイMの処理における各種処理条件、使用す
る洗浄液W(Wa〜We)の選択(設定)等の情報の入
力を行なう。なお、本実施形態では、洗浄液Wa〜Wd
を使用するように設定する。
【0186】[4] 次に、操作者がモニタ111の表
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、プライミング処理を行なう。
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、プライミング処理を行なう。
【0187】まず、各上流側バルブ73a〜73d、7
3f〜73gおよび下流側バルブ77をそれぞれ開放
し、ポンプ78を作動する。これにより、各洗浄液Wa
〜Wd、保湿液H、フラッシング液Fを、それぞれ各上
流側分岐ライン71a〜71d、71f〜71gへ導入
する。
3f〜73gおよび下流側バルブ77をそれぞれ開放
し、ポンプ78を作動する。これにより、各洗浄液Wa
〜Wd、保湿液H、フラッシング液Fを、それぞれ各上
流側分岐ライン71a〜71d、71f〜71gへ導入
する。
【0188】次いで、ポンプ78を所定回数、回転する
と、各バルブ73a〜73d、73f〜73gおよび下
流側バルブ77をそれぞれ閉塞し、かつ、ポンプ78を
停止する。これにより、各上流側分岐ライン71a〜7
1d、71f〜71gには、それぞれ、各バルブ73a
〜73d、73f〜73gの位置まで、洗浄液Wa〜W
d、保湿液Hおよびフラッシング液Fが導入された状態
となる。
と、各バルブ73a〜73d、73f〜73gおよび下
流側バルブ77をそれぞれ閉塞し、かつ、ポンプ78を
停止する。これにより、各上流側分岐ライン71a〜7
1d、71f〜71gには、それぞれ、各バルブ73a
〜73d、73f〜73gの位置まで、洗浄液Wa〜W
d、保湿液Hおよびフラッシング液Fが導入された状態
となる。
【0189】[5] 次に、操作者がモニタ111の表
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、処理槽3を開状態とする。
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、処理槽3を開状態とする。
【0190】まず、制御手段10の制御により、回転軸
381の回転方向が図7中前方(反時計周り)となるよ
うに、モータ38の回転をすると、ギア382がこれに
伴って同方向に回転する。このとき、このギア382に
噛み合うギア372は、図7中後方(時計周り)に回転
し、軸371もギア372と同方向に回転する。これに
より、蓋体37が本体部32から離間するように回動し
て、処理槽3は、開状態とされる。
381の回転方向が図7中前方(反時計周り)となるよ
うに、モータ38の回転をすると、ギア382がこれに
伴って同方向に回転する。このとき、このギア382に
噛み合うギア372は、図7中後方(時計周り)に回転
し、軸371もギア372と同方向に回転する。これに
より、蓋体37が本体部32から離間するように回動し
て、処理槽3は、開状態とされる。
【0191】[6] 次に、操作者は、処理槽3(処理
ユニット収納部31)内に設置された各処理ユニット3
0のカバーカセット50を、それぞれ取り外す。なお、
この状態では、各処理タブ40は、処理槽3内にそれぞ
れ設置されている。
ユニット収納部31)内に設置された各処理ユニット3
0のカバーカセット50を、それぞれ取り外す。なお、
この状態では、各処理タブ40は、処理槽3内にそれぞ
れ設置されている。
【0192】次いで、操作者は、所定数のマイクロアレ
イMを、各処理タブ40の各空間431に、それぞれ収
納(設置)する。
イMを、各処理タブ40の各空間431に、それぞれ収
納(設置)する。
【0193】そして、操作者は、各処理タブ40に、カ
バーカセット50をそれぞれ装着する。なお、このと
き、各カバーカセット50の各窓部50aは、好ましく
は閉状態(図6(A)に示す状態)とされている。
バーカセット50をそれぞれ装着する。なお、このと
き、各カバーカセット50の各窓部50aは、好ましく
は閉状態(図6(A)に示す状態)とされている。
【0194】[7] 次に、操作者がモニタ111の表
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、核酸Sとプローブ液Rとの反応処理、核酸S
の洗浄処理、核酸Sの乾燥処理を、順次行なう。
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、核酸Sとプローブ液Rとの反応処理、核酸S
の洗浄処理、核酸Sの乾燥処理を、順次行なう。
【0195】[7−1] 核酸Sとプローブ液Rとの反
応 まず、プローブ液供給手段6の移動機構62を作動す
る。この移動機構62によって、操作部材63を移動さ
せて、スライド扉540の操作ノブ542に図6中右側
から当接させる。この状態から、操作部材63を図6中
左側に向って移動させると、スライド扉540が同方向
に移動して、これにより、窓部50aが開状態(図6
(B)に示す状態)とされる。
応 まず、プローブ液供給手段6の移動機構62を作動す
る。この移動機構62によって、操作部材63を移動さ
せて、スライド扉540の操作ノブ542に図6中右側
から当接させる。この状態から、操作部材63を図6中
左側に向って移動させると、スライド扉540が同方向
に移動して、これにより、窓部50aが開状態(図6
(B)に示す状態)とされる。
【0196】次いで、移動機構62によって、分注装置
61を、チップ設置部21の所定の穴211に設置され
たチップの上方より接近させ、ノズル612にチップを
装着する。
61を、チップ設置部21の所定の穴211に設置され
たチップの上方より接近させ、ノズル612にチップを
装着する。
【0197】次いで、かかるチップが装着された分注装
置61を、移動機構62によって移動させ、プローブ液
収納容器設置部22の所定の穴221に設置された容器
内から、プローブ液Rをチップ内に吸引する。
置61を、移動機構62によって移動させ、プローブ液
収納容器設置部22の所定の穴221に設置された容器
内から、プローブ液Rをチップ内に吸引する。
【0198】なお、プローブとして、特にDNAあるい
はcDNAのような二本鎖の核酸に標識したものを用い
る場合には、プローブ液Rのチップ内への吸引に先立っ
て、プローブ液Rを、例えば65〜95℃程度に加熱
(加温)した後、例えば4〜10℃程度まで急冷、また
は、例えば20〜30℃程度まで除冷して、プローブを
一本鎖としておくのが好ましい。これにより、核酸Sと
プローブ液Rとの反応に際し、この反応をより迅速かつ
精度よく行なうことができる。
はcDNAのような二本鎖の核酸に標識したものを用い
る場合には、プローブ液Rのチップ内への吸引に先立っ
て、プローブ液Rを、例えば65〜95℃程度に加熱
(加温)した後、例えば4〜10℃程度まで急冷、また
は、例えば20〜30℃程度まで除冷して、プローブを
一本鎖としておくのが好ましい。これにより、核酸Sと
プローブ液Rとの反応に際し、この反応をより迅速かつ
精度よく行なうことができる。
【0199】また、このプローブ液Rの加熱(加温)
は、ヒータ付蓋体222によりプローブ液収納容器設置
部22(各穴221)を覆い、各容器の気密性を保持し
た状態で行なうのが好ましい。これにより、プローブ液
R中の液性成分の蒸発をより確実に防止することができ
る。
は、ヒータ付蓋体222によりプローブ液収納容器設置
部22(各穴221)を覆い、各容器の気密性を保持し
た状態で行なうのが好ましい。これにより、プローブ液
R中の液性成分の蒸発をより確実に防止することができ
る。
【0200】その後、移動機構62によって分注装置6
1を移動させ、チップの先端部(下端部)を、開状態の
窓部50aから処理ユニット30の内部に挿入し、マイ
クロアレイMの上方近傍に位置させる。この状態で、チ
ップ内のプローブ液Rを排出することにより、核酸Sへ
プローブ液Rを供給する。
1を移動させ、チップの先端部(下端部)を、開状態の
窓部50aから処理ユニット30の内部に挿入し、マイ
クロアレイMの上方近傍に位置させる。この状態で、チ
ップ内のプローブ液Rを排出することにより、核酸Sへ
プローブ液Rを供給する。
【0201】次いで、移動機構62によって、分注装置
61をチップ設置部21の上方に移動させる。そして、
使用済みのチップをノズル612から、例えばチップ離
脱手段(図示せず)等により取り外し、チップ設置部2
1の所定の穴211に再設置する(戻す)。
61をチップ設置部21の上方に移動させる。そして、
使用済みのチップをノズル612から、例えばチップ離
脱手段(図示せず)等により取り外し、チップ設置部2
1の所定の穴211に再設置する(戻す)。
【0202】なお、使用済みのチップは、別途、チップ
廃棄部を設け、このチップ廃棄部に廃棄するようにして
もよい。
廃棄部を設け、このチップ廃棄部に廃棄するようにして
もよい。
【0203】次いで、移動機構62によって、操作部材
63を移動させて、スライド扉550の操作ノブ552
に図6中左側から当接させる。この状態から、操作部材
63を図6中右側に向って移動させると、操作ノブ55
2がスライド扉540の扉本体541に当接して、スラ
イド扉550およびスライド扉540が、一体的に図6
中右側に向って移動する。これにより、窓部50aが閉
状態(図6(C)に示す状態)とされる。
63を移動させて、スライド扉550の操作ノブ552
に図6中左側から当接させる。この状態から、操作部材
63を図6中右側に向って移動させると、操作ノブ55
2がスライド扉540の扉本体541に当接して、スラ
イド扉550およびスライド扉540が、一体的に図6
中右側に向って移動する。これにより、窓部50aが閉
状態(図6(C)に示す状態)とされる。
【0204】また、スライド扉550のフック553に
は、カバープレート560の第1軸563の中央部分が
係合しており、スライド扉550の移動に伴って、カバ
ープレート560も図6中右側に向って移動する。この
とき、カバープレート560は、図6(B)において二
点鎖線で示すように、カバープレート本体561が図6
中左側から順に、マイクロアレイM(プレートP)に接
近していき、窓部50aが閉状態となるとほぼ同時に、
マイクロアレイMに重ね合わせられる。これにより、カ
バープレート本体561(カバープレート560)とマ
イクロアレイMとの間に形成された隙間には、プローブ
液Rが均一に展開され、核酸Sとプローブ液Rとを均一
に接触させることができる。
は、カバープレート560の第1軸563の中央部分が
係合しており、スライド扉550の移動に伴って、カバ
ープレート560も図6中右側に向って移動する。この
とき、カバープレート560は、図6(B)において二
点鎖線で示すように、カバープレート本体561が図6
中左側から順に、マイクロアレイM(プレートP)に接
近していき、窓部50aが閉状態となるとほぼ同時に、
マイクロアレイMに重ね合わせられる。これにより、カ
バープレート本体561(カバープレート560)とマ
イクロアレイMとの間に形成された隙間には、プローブ
液Rが均一に展開され、核酸Sとプローブ液Rとを均一
に接触させることができる。
【0205】以上のような操作を繰り返し行なって、各
マイクロアレイM(核酸S)に対して、プローブ液Rを
それぞれ供給する。
マイクロアレイM(核酸S)に対して、プローブ液Rを
それぞれ供給する。
【0206】また、この工程に併行して、各処理タブ4
0の空間421内には、それぞれ保湿液Hが供給され
る。
0の空間421内には、それぞれ保湿液Hが供給され
る。
【0207】具体的には、上流側バルブ73f、三方バ
ルブ79および下流側バルブ75dを、それぞれ開放
し、ポンプ78を作動する。
ルブ79および下流側バルブ75dを、それぞれ開放
し、ポンプ78を作動する。
【0208】これにより、容器72f内から、上流側分
岐ライン71f、主供給ライン70、下流側分岐ライン
74d、連通孔353および第2供給路471を介し
て、所定量の保湿液Hを移送し、各空間421内に供給
する。
岐ライン71f、主供給ライン70、下流側分岐ライン
74d、連通孔353および第2供給路471を介し
て、所定量の保湿液Hを移送し、各空間421内に供給
する。
【0209】この保湿液Hの供給量としては、特に限定
されないが、例えば、5.0〜10.0mL程度とする
のが好ましい。
されないが、例えば、5.0〜10.0mL程度とする
のが好ましい。
【0210】まず、次に、制御手段10の制御により、
回転軸381の回転方向が図7中後方(時計周り)とな
るように、モータ38の回転をすると、ギア382がこ
れに伴って同方向に回転する。このとき、このギア38
2に噛み合うギア372は、図7中前方(反時計周り)
に回転し、軸371もギア372と同方向に回転する。
これにより、蓋体37が本体部32に接近するように回
動し、やがて、本体部32の上縁部に当接して、処理槽
3は、閉状態となる。
回転軸381の回転方向が図7中後方(時計周り)とな
るように、モータ38の回転をすると、ギア382がこ
れに伴って同方向に回転する。このとき、このギア38
2に噛み合うギア372は、図7中前方(反時計周り)
に回転し、軸371もギア372と同方向に回転する。
これにより、蓋体37が本体部32に接近するように回
動し、やがて、本体部32の上縁部に当接して、処理槽
3は、閉状態となる。
【0211】このとき、蓋体37は、封止部材341に
圧着して、処理槽3は、気密的に封止される(密閉され
る)。
圧着して、処理槽3は、気密的に封止される(密閉され
る)。
【0212】次いで、制御手段10は、各ペルチェ素子
911a、911b、各ヒータ921a、921bの温
度が上昇するように制御する。これにより、各処理ユニ
ット30の内部温度が上昇し、これに伴って各処理部3
00の温度が上昇する。すなわち、各処理部300にお
いて、それぞれ核酸Sおよびプローブ液Rが加熱され
る。
911a、911b、各ヒータ921a、921bの温
度が上昇するように制御する。これにより、各処理ユニ
ット30の内部温度が上昇し、これに伴って各処理部3
00の温度が上昇する。すなわち、各処理部300にお
いて、それぞれ核酸Sおよびプローブ液Rが加熱され
る。
【0213】この加熱状態を維持しつつ、核酸Sとプロ
ーブ液Rとを反応させる。核酸Sとプローブ液Rとを、
加熱しつつ、反応させることにより、この反応を効率よ
く(精度よく)進行させることができるとともに、反応
時間の短縮を図ることができる。
ーブ液Rとを反応させる。核酸Sとプローブ液Rとを、
加熱しつつ、反応させることにより、この反応を効率よ
く(精度よく)進行させることができるとともに、反応
時間の短縮を図ることができる。
【0214】この加熱の温度(加熱温度)としては、特
に限定されないが、例えば、45〜75℃程度とするの
が好ましく、50〜70℃程度とするのがより好まし
い。加熱温度が低くすぎると、核酸Sとプローブ液Rと
を十分に反応させることができない場合がある。一方、
加熱温度を高くし過ぎると、プローブ液R中のプローブ
の種類等によっては、プローブに熱分解が生じ、解析精
度の低下を招く場合がある。
に限定されないが、例えば、45〜75℃程度とするの
が好ましく、50〜70℃程度とするのがより好まし
い。加熱温度が低くすぎると、核酸Sとプローブ液Rと
を十分に反応させることができない場合がある。一方、
加熱温度を高くし過ぎると、プローブ液R中のプローブ
の種類等によっては、プローブに熱分解が生じ、解析精
度の低下を招く場合がある。
【0215】また、加熱の時間(加熱時間)も、前記加
熱温度等により適宜設定され、特に限定されないが、例
えば、2〜20時間程度とするのが好ましく、16〜1
8時間程度とするのがより好ましい。加熱時間が短すぎ
ると、核酸Sとプローブ液Rとを十分に反応させること
ができない場合がある。一方、加熱時間を長くしても、
それ以上、効果の増大が認められず、加熱温度等によっ
ては、プローブ液R中のプローブに熱分解が生じ、解析
精度の低下を招く場合がある。
熱温度等により適宜設定され、特に限定されないが、例
えば、2〜20時間程度とするのが好ましく、16〜1
8時間程度とするのがより好ましい。加熱時間が短すぎ
ると、核酸Sとプローブ液Rとを十分に反応させること
ができない場合がある。一方、加熱時間を長くしても、
それ以上、効果の増大が認められず、加熱温度等によっ
ては、プローブ液R中のプローブに熱分解が生じ、解析
精度の低下を招く場合がある。
【0216】前述したように、各処理部300の周囲
(各空間421内)には、それぞれ保湿液Hが供給さ
れ、湿度が好適に維持されているため、核酸Sとプロー
ブ液Rとの反応に際し、各処理部300の温度上昇に伴
う、プローブ液R中の液性成分の蒸発が好適に防止(抑
制)される。
(各空間421内)には、それぞれ保湿液Hが供給さ
れ、湿度が好適に維持されているため、核酸Sとプロー
ブ液Rとの反応に際し、各処理部300の温度上昇に伴
う、プローブ液R中の液性成分の蒸発が好適に防止(抑
制)される。
【0217】また、本実施形態では、各処理ユニット3
0(各処理部300)の温度を上下方向から加熱(調
整)し得るよう構成されているため、処理槽3内の温度
をより均一とすることができる。これにより、各処理ユ
ニット30(処理槽3)内の湿度を、より均一に保つこ
とができ、前記効果をより向上することができる。
0(各処理部300)の温度を上下方向から加熱(調
整)し得るよう構成されているため、処理槽3内の温度
をより均一とすることができる。これにより、各処理ユ
ニット30(処理槽3)内の湿度を、より均一に保つこ
とができ、前記効果をより向上することができる。
【0218】なお、このときの湿度としては、例えば、
45〜80%RH程度とするのが好ましい。
45〜80%RH程度とするのが好ましい。
【0219】さらに、制御手段10により、各ペルチェ
素子911a、911b、各ヒータ921a、921b
の作動を適宜制御することにより、各処理ユニット30
内に設置されているマイクロアレイMを1組として、各
組の間で異なる温度調整条件を設定することができる。
このため、例えば、同一の被験者から採取して調製した
プローブ液Rに対して、異なる種類のマイクロアレイM
を用いて、異なる検査を行ないたい場合等には、かかる
検査を同時に行なうことができ、有利である。
素子911a、911b、各ヒータ921a、921b
の作動を適宜制御することにより、各処理ユニット30
内に設置されているマイクロアレイMを1組として、各
組の間で異なる温度調整条件を設定することができる。
このため、例えば、同一の被験者から採取して調製した
プローブ液Rに対して、異なる種類のマイクロアレイM
を用いて、異なる検査を行ないたい場合等には、かかる
検査を同時に行なうことができ、有利である。
【0220】[7−2] 核酸Sの洗浄
次に、所定の加熱時間が経過すると、制御手段10の制
御により、各ヒータ921a、921bを停止するとと
もに、モータ38を図7中前方(反時計周り)に回転す
る。これにより、前記と同様にして、処理槽3が開状態
とされる。
御により、各ヒータ921a、921bを停止するとと
もに、モータ38を図7中前方(反時計周り)に回転す
る。これにより、前記と同様にして、処理槽3が開状態
とされる。
【0221】なお、処理槽3の開放は、蓋体37が所定
温度(例えば、25〜30℃程度)にまで低下してから
行なうようにしてもよい。
温度(例えば、25〜30℃程度)にまで低下してから
行なうようにしてもよい。
【0222】次いで、プローブ液供給手段6の移動機構
62を作動する。この移動機構62によって、操作部材
63を移動させて、スライド扉550の操作ノブ552
に図6中右側から当接させる。この状態から、操作部材
63を図6中左側に向って移動させると、スライド扉5
50が同方向に移動する。このとき、スライド扉550
のフック553には、カバープレート560の第1軸5
63の中央部分が係合し、カバープレート560も図6
中左側に向って移動して、図6(A)に示す状態とされ
る。すなわち、マイクロアレイMからカバープレート5
60を離間させる(取り外す)。
62を作動する。この移動機構62によって、操作部材
63を移動させて、スライド扉550の操作ノブ552
に図6中右側から当接させる。この状態から、操作部材
63を図6中左側に向って移動させると、スライド扉5
50が同方向に移動する。このとき、スライド扉550
のフック553には、カバープレート560の第1軸5
63の中央部分が係合し、カバープレート560も図6
中左側に向って移動して、図6(A)に示す状態とされ
る。すなわち、マイクロアレイMからカバープレート5
60を離間させる(取り外す)。
【0223】かかる操作を繰り返し行なって、各マイク
ロアレイMから、それぞれカバープレート560を離間
させる。
ロアレイMから、それぞれカバープレート560を離間
させる。
【0224】なお、このとき、各ペルチェ素子911
a、911bによる加熱は、継続されている。換言すれ
ば、マイクロアレイMからカバープレート560を離間
させる操作は、各処理部300の温度を比較的高温に維
持しつつ、行なうのが好ましい。これにより、例えば、
核酸Sがカバープレート560のカバープレート本体5
61に接触しているような場合であっても、核酸Sと反
応したプローブ、このプローブが有する標識、あるい
は、核酸S自体がカバープレート本体561へ付着(移
行)してしまうのを防止(抑制)して、核酸Sの反応結
果の解析に際し、その解析精度の低下を防止(抑制)す
ることができる。
a、911bによる加熱は、継続されている。換言すれ
ば、マイクロアレイMからカバープレート560を離間
させる操作は、各処理部300の温度を比較的高温に維
持しつつ、行なうのが好ましい。これにより、例えば、
核酸Sがカバープレート560のカバープレート本体5
61に接触しているような場合であっても、核酸Sと反
応したプローブ、このプローブが有する標識、あるい
は、核酸S自体がカバープレート本体561へ付着(移
行)してしまうのを防止(抑制)して、核酸Sの反応結
果の解析に際し、その解析精度の低下を防止(抑制)す
ることができる。
【0225】また、前記操作の開始とほぼ同時に、また
は、これに先立って、制御手段10の制御により、上流
側バルブ73a、三方バルブ79および各下流側バルブ
75a〜75cを開放し、ポンプ78を作動する。これ
により、洗浄液Waを、上流側分岐ライン71a、主供
給ライン70、各下流側分岐ライン74a〜74c、各
連通孔351および第1供給路451を介して移送し、
各空間431内にそれぞれ供給する。
は、これに先立って、制御手段10の制御により、上流
側バルブ73a、三方バルブ79および各下流側バルブ
75a〜75cを開放し、ポンプ78を作動する。これ
により、洗浄液Waを、上流側分岐ライン71a、主供
給ライン70、各下流側分岐ライン74a〜74c、各
連通孔351および第1供給路451を介して移送し、
各空間431内にそれぞれ供給する。
【0226】すなわち、洗浄液Waを供給しつつ、マイ
クロアレイMからカバープレート560を離間させる操
作を行なうようにする。これにより、マイクロアレイM
の核酸Sの付着部位(処理部300の被処理物Sの設置
部位)において、プローブ液(反応液)Rが空気と接触
することによる急激な乾燥を防止(抑制)して、未反応
のプローブ(不要なプローブ)が析出するのを好適に防
止(抑制)することができる。このため、余剰のプロー
ブ液Rをより効率よく洗い流すことができ、その結果、
核酸Sの反応結果の解析に際し、その解析精度の向上を
図ることができる。
クロアレイMからカバープレート560を離間させる操
作を行なうようにする。これにより、マイクロアレイM
の核酸Sの付着部位(処理部300の被処理物Sの設置
部位)において、プローブ液(反応液)Rが空気と接触
することによる急激な乾燥を防止(抑制)して、未反応
のプローブ(不要なプローブ)が析出するのを好適に防
止(抑制)することができる。このため、余剰のプロー
ブ液Rをより効率よく洗い流すことができ、その結果、
核酸Sの反応結果の解析に際し、その解析精度の向上を
図ることができる。
【0227】なお、各空間431内に所定量の洗浄液W
aを供給すると、上流側バルブ73a、三方バルブ79
および各下流側バルブ75a〜75cを閉塞し、ポンプ
78を停止する。
aを供給すると、上流側バルブ73a、三方バルブ79
および各下流側バルブ75a〜75cを閉塞し、ポンプ
78を停止する。
【0228】この洗浄液Waの所定量(供給量)として
は、例えば、プローブ液Rの供給量の50〜200倍程
度であるのが好ましく、100〜150倍程度であるの
がより好ましい。
は、例えば、プローブ液Rの供給量の50〜200倍程
度であるのが好ましく、100〜150倍程度であるの
がより好ましい。
【0229】また、前述したように、マイクロアレイM
からカバープレート560を離間させる操作は、比較的
高温で行なうのが好ましい。したがって、洗浄液Waと
しては、前記操作の開始時点における各処理部300の
温度が、急激に低下するのを防止(抑制)することがで
きる程度の温度(例えば、40〜70℃程度)のものを
用いるのが好ましく、45〜65℃程度のものを用いる
のがより好ましい。
からカバープレート560を離間させる操作は、比較的
高温で行なうのが好ましい。したがって、洗浄液Waと
しては、前記操作の開始時点における各処理部300の
温度が、急激に低下するのを防止(抑制)することがで
きる程度の温度(例えば、40〜70℃程度)のものを
用いるのが好ましく、45〜65℃程度のものを用いる
のがより好ましい。
【0230】次いで、全てのマイクロアレイMからカバ
ープレート560を離間させる操作を完了すると、各バ
ルブ82a〜82cを開放し、ポンプ84を作動する。
これにより、各空間431内の廃液(使用後の洗浄液W
aおよび余剰のプローブ液R)を、各第1排出路46
1、各連通孔352、分岐ライン81a〜81cおよび
主排出ライン80を介して移送し、廃液回収容器85内
に回収する。すなわち、各空間431(処理槽3)内か
ら排液を行なう。
ープレート560を離間させる操作を完了すると、各バ
ルブ82a〜82cを開放し、ポンプ84を作動する。
これにより、各空間431内の廃液(使用後の洗浄液W
aおよび余剰のプローブ液R)を、各第1排出路46
1、各連通孔352、分岐ライン81a〜81cおよび
主排出ライン80を介して移送し、廃液回収容器85内
に回収する。すなわち、各空間431(処理槽3)内か
ら排液を行なう。
【0231】その後、ポンプ84を所定回数、回転する
と、各バルブ82a〜82cを閉塞し、ポンプ84を停
止する。これにより、排液を終了する。
と、各バルブ82a〜82cを閉塞し、ポンプ84を停
止する。これにより、排液を終了する。
【0232】なお、この排液操作は、例えば、マニホー
ルド83とポンプ84との間に、主排出ライン80の流
路内を流れる気泡を検出することができる気泡センサを
設け、この気泡センサからの情報(検出信号)に基づい
て、すなわち、気泡センサによる気泡の検出により、終
了するようにしてもよい。
ルド83とポンプ84との間に、主排出ライン80の流
路内を流れる気泡を検出することができる気泡センサを
設け、この気泡センサからの情報(検出信号)に基づい
て、すなわち、気泡センサによる気泡の検出により、終
了するようにしてもよい。
【0233】次いで、上流側バルブ73b、三方バルブ
79および各下流側バルブ75a〜75cを開放し、ポ
ンプ78を作動する。これにより、洗浄液Wbを、上流
側分岐ライン71b、主供給ライン70、各下流側分岐
ライン74a〜74c、各連通孔351および第1供給
路451を介して移送し、各空間431内にそれぞれ供
給する。
79および各下流側バルブ75a〜75cを開放し、ポ
ンプ78を作動する。これにより、洗浄液Wbを、上流
側分岐ライン71b、主供給ライン70、各下流側分岐
ライン74a〜74c、各連通孔351および第1供給
路451を介して移送し、各空間431内にそれぞれ供
給する。
【0234】その後、各空間431内に、それぞれ所定
量の洗浄液Wbを供給すると、上流側バルブ73b、三
方バルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉
塞し、ポンプ78を停止する。
量の洗浄液Wbを供給すると、上流側バルブ73b、三
方バルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉
塞し、ポンプ78を停止する。
【0235】次いで、制御手段10は、各ペルチェ素子
911a、911bが所定温度(例えば、25〜30℃
程度)となるように制御する。これにより、各処理部3
00の温度を低下させる。
911a、911bが所定温度(例えば、25〜30℃
程度)となるように制御する。これにより、各処理部3
00の温度を低下させる。
【0236】次いで、前記と同様にして、各空間431
内から排液を行なう。次いで、前記と同様にして、各空
間431内に洗浄液Wbをそれぞれ供給した後、各空間
431内からそれぞれ排液を行なう。
内から排液を行なう。次いで、前記と同様にして、各空
間431内に洗浄液Wbをそれぞれ供給した後、各空間
431内からそれぞれ排液を行なう。
【0237】この洗浄液Wbは、例えば、その組成およ
び濃度を、前記洗浄液Waと同様のものとし、また、そ
の温度を、20〜30℃程度とするのが好ましい。
び濃度を、前記洗浄液Waと同様のものとし、また、そ
の温度を、20〜30℃程度とするのが好ましい。
【0238】また、洗浄液Wbの供給量としては、好ま
しくは、前記洗浄液Waとほぼ同量とする。
しくは、前記洗浄液Waとほぼ同量とする。
【0239】次いで、上流側バルブ73c、三方バルブ
79および各下流側バルブ75a〜75cを開放し、ポ
ンプ78を作動する。これにより、洗浄液Wcを、上流
側分岐ライン71c、主供給ライン70、各下流側分岐
ライン74a〜74c、各連通孔351および第1供給
路451を介して移送し、各空間431内にそれぞれ供
給する。
79および各下流側バルブ75a〜75cを開放し、ポ
ンプ78を作動する。これにより、洗浄液Wcを、上流
側分岐ライン71c、主供給ライン70、各下流側分岐
ライン74a〜74c、各連通孔351および第1供給
路451を介して移送し、各空間431内にそれぞれ供
給する。
【0240】その後、各空間431内に、それぞれ所定
量の洗浄液Wcを供給すると、上流側バルブ73c、三
方バルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉
塞し、ポンプ78を停止する。
量の洗浄液Wcを供給すると、上流側バルブ73c、三
方バルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉
塞し、ポンプ78を停止する。
【0241】次いで、制御手段10は、各ペルチェ素子
911a、911bが所定温度(例えば、35〜45℃
程度)となるように制御する。これにより、各処理部3
00の温度を上昇させる。
911a、911bが所定温度(例えば、35〜45℃
程度)となるように制御する。これにより、各処理部3
00の温度を上昇させる。
【0242】次いで、前記と同様にして、各空間431
内から排液を行なう。次いで、前記と同様にして、各空
間431内に洗浄液Wcをそれぞれ供給した後、各空間
431内からそれぞれ排液を行なう。
内から排液を行なう。次いで、前記と同様にして、各空
間431内に洗浄液Wcをそれぞれ供給した後、各空間
431内からそれぞれ排液を行なう。
【0243】この洗浄液Wcは、その濃度(例えば、塩
濃度、界面活性剤濃度等)を、例えば前記洗浄液Wbよ
り低いものとし、また、その温度を、例えば前記洗浄液
Wbより若干高い温度(例えば、35〜45℃程度)と
するのが好ましい。
濃度、界面活性剤濃度等)を、例えば前記洗浄液Wbよ
り低いものとし、また、その温度を、例えば前記洗浄液
Wbより若干高い温度(例えば、35〜45℃程度)と
するのが好ましい。
【0244】また、洗浄液Wcの供給量としては、好ま
しくは、前記洗浄液Waとほぼ同量とする。
しくは、前記洗浄液Waとほぼ同量とする。
【0245】次いで、上流側バルブ73d、三方バルブ
79および各下流側バルブ75a〜75cを開放し、ポ
ンプ78を作動する。これにより、洗浄液Wdを、上流
側分岐ライン71d、主供給ライン70、各下流側分岐
ライン74a〜74c、各連通孔351および第1供給
路451を介して移送し、各空間431内にそれぞれ供
給する。
79および各下流側バルブ75a〜75cを開放し、ポ
ンプ78を作動する。これにより、洗浄液Wdを、上流
側分岐ライン71d、主供給ライン70、各下流側分岐
ライン74a〜74c、各連通孔351および第1供給
路451を介して移送し、各空間431内にそれぞれ供
給する。
【0246】その後、各空間431内に、それぞれ所定
量の洗浄液Wdを供給すると、上流側バルブ73d、三
方バルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉
塞し、ポンプ78を停止する。
量の洗浄液Wdを供給すると、上流側バルブ73d、三
方バルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉
塞し、ポンプ78を停止する。
【0247】次いで、制御手段10は、各ペルチェ素子
911a、911bが所定温度(例えば、20〜30℃
程度)となるように制御する。これにより、各処理部3
00の温度を低下させる。
911a、911bが所定温度(例えば、20〜30℃
程度)となるように制御する。これにより、各処理部3
00の温度を低下させる。
【0248】次いで、前記と同様にして、各空間431
内から排液を行なう。次いで、前記と同様にして、各空
間431内に洗浄液Wdをそれぞれ供給した後、各空間
431内からそれぞれ排液を行なう。
内から排液を行なう。次いで、前記と同様にして、各空
間431内に洗浄液Wdをそれぞれ供給した後、各空間
431内からそれぞれ排液を行なう。
【0249】この洗浄液Wdは、その組成を、前記洗浄
液Wa〜Wcと異なるもの(例えば、界面活性剤を添加
しないもの等)とし、また、その温度を、例えば、20
〜30℃程度とするのが好ましい。
液Wa〜Wcと異なるもの(例えば、界面活性剤を添加
しないもの等)とし、また、その温度を、例えば、20
〜30℃程度とするのが好ましい。
【0250】また、洗浄液Wdの供給量としては、好ま
しくは、前記洗浄液Waとほぼ同量とする。
しくは、前記洗浄液Waとほぼ同量とする。
【0251】以上のように、各洗浄液Wa〜Wdの条件
を適宜設定して用いることにより、核酸Sの洗浄をより
確実に行なうこと、すなわち、余剰のプローブ液R(未
反応のプローブ)をより確実に、核酸Sから除去するこ
とができる。その結果、核酸Sの反応結果の解析に際
し、その解析精度をより向上することができる。
を適宜設定して用いることにより、核酸Sの洗浄をより
確実に行なうこと、すなわち、余剰のプローブ液R(未
反応のプローブ)をより確実に、核酸Sから除去するこ
とができる。その結果、核酸Sの反応結果の解析に際
し、その解析精度をより向上することができる。
【0252】なお、各洗浄液Wa〜Wdの条件設定は、
前述したものに限定されるものでないことは、言うまで
もない。また、核酸Sの洗浄処理では、必要に応じて、
異なる条件の洗浄液を、さらに追加して用いるようにし
てもよいし、洗浄液Wb〜Wdのいずれかを省略するよ
うにしてもよい。
前述したものに限定されるものでないことは、言うまで
もない。また、核酸Sの洗浄処理では、必要に応じて、
異なる条件の洗浄液を、さらに追加して用いるようにし
てもよいし、洗浄液Wb〜Wdのいずれかを省略するよ
うにしてもよい。
【0253】[7−3] 核酸Sの乾燥
次に、上流側バルブ73h、三方バルブ79および各下
流側バルブ75a〜75cを開放し、ポンプ78を作動
する。これにより、気体Gを、上流側分岐ライン71
h、主供給ライン70、各下流側分岐ライン74a〜7
4c、各連通孔351および第1供給路451を介して
移送し、各空間431内にそれぞれ供給する。
流側バルブ75a〜75cを開放し、ポンプ78を作動
する。これにより、気体Gを、上流側分岐ライン71
h、主供給ライン70、各下流側分岐ライン74a〜7
4c、各連通孔351および第1供給路451を介して
移送し、各空間431内にそれぞれ供給する。
【0254】気体Gの各空間431内への供給により、
各空間431内において、それぞれ核酸Sに気体Gを接
触させ、核酸Sの乾燥を行なう。
各空間431内において、それぞれ核酸Sに気体Gを接
触させ、核酸Sの乾燥を行なう。
【0255】その後、各空間431内に、それぞれ所定
量の気体Gを供給すると、上流側バルブ73h、三方バ
ルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉塞
し、ポンプ78を停止する。
量の気体Gを供給すると、上流側バルブ73h、三方バ
ルブ79および各下流側バルブ75a〜75cを閉塞
し、ポンプ78を停止する。
【0256】なお、以上のような核酸Sの洗浄処理およ
び乾燥処理において、各空間431内に供給する洗浄液
Wや気体Gを変更する(切替える)場合には、次のよう
にすることもできる。
び乾燥処理において、各空間431内に供給する洗浄液
Wや気体Gを変更する(切替える)場合には、次のよう
にすることもできる。
【0257】例えば、各空間431内へ供給する洗浄液
Wbを洗浄液Wcに変更する場合には、まず、上流側バ
ルブ73c、三方バルブ79および下流側バルブ77を
開放し、各ポンプ78、84を作動する。これにより、
一旦、主供給ライン70の流路内に残存する洗浄液Wb
を、ドレーンライン76および主排出ライン80を介し
て移送し、廃液回収容器85内に回収する。
Wbを洗浄液Wcに変更する場合には、まず、上流側バ
ルブ73c、三方バルブ79および下流側バルブ77を
開放し、各ポンプ78、84を作動する。これにより、
一旦、主供給ライン70の流路内に残存する洗浄液Wb
を、ドレーンライン76および主排出ライン80を介し
て移送し、廃液回収容器85内に回収する。
【0258】次いで、主供給ライン70の流路内を、十
分に満たすことができる洗浄液Wcを供給した後、下流
側バルブ77を閉塞し、ポンプ84を停止するととも
に、各下流側バルブ75a〜75cを開放して、洗浄液
Wcを、各空間431内にそれぞれ供給するようにす
る。
分に満たすことができる洗浄液Wcを供給した後、下流
側バルブ77を閉塞し、ポンプ84を停止するととも
に、各下流側バルブ75a〜75cを開放して、洗浄液
Wcを、各空間431内にそれぞれ供給するようにす
る。
【0259】このような操作は、洗浄液Wbを洗浄液W
cへ変更する場合だけでなく、その他、例えば、洗浄液
Waを洗浄液Wbへ変更する場合、洗浄液Wcを洗浄液
Wdへ変更する場合、洗浄液Wdを気体Gへ変更する場
合等にも、行なうことができる。
cへ変更する場合だけでなく、その他、例えば、洗浄液
Waを洗浄液Wbへ変更する場合、洗浄液Wcを洗浄液
Wdへ変更する場合、洗浄液Wdを気体Gへ変更する場
合等にも、行なうことができる。
【0260】これにより、例えば、各洗浄液Wa〜Wd
および気体Gを、互いに混合したくないような場合等に
は、これらが混合されるのを好適に低減(抑制)するこ
とができる。
および気体Gを、互いに混合したくないような場合等に
は、これらが混合されるのを好適に低減(抑制)するこ
とができる。
【0261】[8] 次に、操作者は、処理槽3(処理
ユニット収納部31)内に設置された各処理ユニット3
0のカバーカセット50をそれぞれ取り外し、各マイク
ロアレイMを、各処理タブ40の各空間431内から回
収する。そして、各マイクロアレイMを、それぞれ核酸
Sの反応結果の解析に供する。
ユニット収納部31)内に設置された各処理ユニット3
0のカバーカセット50をそれぞれ取り外し、各マイク
ロアレイMを、各処理タブ40の各空間431内から回
収する。そして、各マイクロアレイMを、それぞれ核酸
Sの反応結果の解析に供する。
【0262】[9] 次に、操作者がモニタ111の表
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、フラッシング処理を行なう。
示画面に従って、キーボード112を操作すると、装置
本体2は、フラッシング処理を行なう。
【0263】まず、上流側バルブ73g、三方バルブ7
9、各下流側バルブ75a〜75d、77および各バル
ブ82a〜82dを開放し、各ポンプ78、84を作動
する。これにより、フラッシング液Fを、上流側分岐ラ
イン71gおよび主供給ライン70を通過させ、さら
に、このうちの一部を、処理槽3(各空間431、42
1)内を介して、また、残りを、ドレーンライン76か
ら直接、主排出ライン80へ移送して、廃液回収容器8
5内に回収する。
9、各下流側バルブ75a〜75d、77および各バル
ブ82a〜82dを開放し、各ポンプ78、84を作動
する。これにより、フラッシング液Fを、上流側分岐ラ
イン71gおよび主供給ライン70を通過させ、さら
に、このうちの一部を、処理槽3(各空間431、42
1)内を介して、また、残りを、ドレーンライン76か
ら直接、主排出ライン80へ移送して、廃液回収容器8
5内に回収する。
【0264】次いで、所定量のフラッシング液Fを供給
すると、上流側バルブ73gを閉塞する。なお、三方バ
ルブ79、各下流側バルブ75a〜75d、77および
各バルブ82a〜82dの開放状態、および、各ポンプ
78、84の作動状態を維持する。これにより、供給用
回路7、処理槽3(各空間431、421)および排出
用回路8内に残存するフラッシング液Fを移送し、廃液
回収容器85内に回収する。これにより、供給用回路
7、処理槽3(各空間431、421)および排出用回
路8内を洗浄する。
すると、上流側バルブ73gを閉塞する。なお、三方バ
ルブ79、各下流側バルブ75a〜75d、77および
各バルブ82a〜82dの開放状態、および、各ポンプ
78、84の作動状態を維持する。これにより、供給用
回路7、処理槽3(各空間431、421)および排出
用回路8内に残存するフラッシング液Fを移送し、廃液
回収容器85内に回収する。これにより、供給用回路
7、処理槽3(各空間431、421)および排出用回
路8内を洗浄する。
【0265】その後、ポンプ78およびポンプ84を所
定回数、回転すると、三方バルブ79、各下流側バルブ
75a〜75d、77および各バルブ82a〜82dを
閉塞し、各ポンプ78、84を停止する。これにより、
フラッシング処理を終了する。
定回数、回転すると、三方バルブ79、各下流側バルブ
75a〜75d、77および各バルブ82a〜82dを
閉塞し、各ポンプ78、84を停止する。これにより、
フラッシング処理を終了する。
【0266】なお、フラッシング処理は、前述したよう
な気泡センサからの情報(検出信号)に基づいて終了す
るようにしてもよい。
な気泡センサからの情報(検出信号)に基づいて終了す
るようにしてもよい。
【0267】[10] 次に、操作者は、各処理タブ4
0に、新たに用意したカバーカセット50を、それぞれ
装着する。
0に、新たに用意したカバーカセット50を、それぞれ
装着する。
【0268】そして、操作者がモニタ111の表示画面
に従って、キーボード112を操作すると、装置本体2
は、前記と同様にして、処理槽3を閉状態とする。
に従って、キーボード112を操作すると、装置本体2
は、前記と同様にして、処理槽3を閉状態とする。
【0269】次いで、操作者は、パソコン110および
装置本体2の電源スイッチをオフして、1回のマイクロ
アレイMの処理を終了する。
装置本体2の電源スイッチをオフして、1回のマイクロ
アレイMの処理を終了する。
【0270】なお、以上の工程[1]〜[10]には、
必要に応じて、任意の工程を追加するようにしてもよ
い。
必要に応じて、任意の工程を追加するようにしてもよ
い。
【0271】以上、本発明の被処理物の処理装置を図示
の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定
されず、被処理物の処理装置の構成要素は、同様の機能
を発揮する任意のものに置換することができる。
の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定
されず、被処理物の処理装置の構成要素は、同様の機能
を発揮する任意のものに置換することができる。
【0272】また、被処理物としては、例えば、生体組
織、細胞、タンパク質、脂質、ホルモン類等であっても
よい。
織、細胞、タンパク質、脂質、ホルモン類等であっても
よい。
【0273】また、反応液としては、例えば、染色液、
標識化抗原や標識化抗体を含む液等であってもよい。
標識化抗原や標識化抗体を含む液等であってもよい。
【0274】このようなことから、本発明の被処理物の
処理装置は、マイクロアレイ処理装置のみならず、各種
被処理物を処理するための処理装置に適用することがで
きる。この場合、各種処理条件は、前述したようなもの
に限定されることなく、例えば、被処理物の種類、処理
目的(検査目的)等に応じて、適宜設定することができ
る。
処理装置は、マイクロアレイ処理装置のみならず、各種
被処理物を処理するための処理装置に適用することがで
きる。この場合、各種処理条件は、前述したようなもの
に限定されることなく、例えば、被処理物の種類、処理
目的(検査目的)等に応じて、適宜設定することができ
る。
【0275】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の被処理物
の処理装置によれば、例えば核酸のような被処理物を処
理する作業が容易であるとともに、その作業に要する手
間と時間とを軽減することができ、特に、その実施の自
動化に貢献する。
の処理装置によれば、例えば核酸のような被処理物を処
理する作業が容易であるとともに、その作業に要する手
間と時間とを軽減することができ、特に、その実施の自
動化に貢献する。
【0276】このようなことから、本発明の被処理物の
処理装置を用いることにより、例えばガン遺伝子、変異
遺伝子等の探索を、より簡便かつ効率よく行うことがで
きる。
処理装置を用いることにより、例えばガン遺伝子、変異
遺伝子等の探索を、より簡便かつ効率よく行うことがで
きる。
【図1】本発明の被処理物の処理装置をマイクロアレイ
処理装置に適用した場合の実施形態を示す全体構成図で
ある。
処理装置に適用した場合の実施形態を示す全体構成図で
ある。
【図2】処理ユニットの分解斜視図(一部を省略して示
す)である。
す)である。
【図3】処理ユニットが備える処理タブの一部を示す平
面図である。
面図である。
【図4】図3中のA−A線断面図である。
【図5】図3中のB−B線断面図である。
【図6】処理ユニットの作動状態を示す断面図である。
【図7】処理槽の構成を示す斜視図である。
【図8】装置本体の内部構成を示す模式図である。
1 マイクロアレイ処理装置
2 装置本体
2a 水平ステージ
2b 垂直ステージ
21 チップ設置部
211 穴
22 プローブ液収納容器設置部
221 穴
222 ヒータ付蓋体
23 容器設置部
231 穴
3 処理槽
31 処理ユニット収納部
32 本体部
33 底部
34 側壁部
341 封止部材
35 ベース
351〜354 連通孔
36 溝
37 蓋体
371 軸
372 ギア
373 開閉センサ
38 モータ
381 回転軸
382 ギア
30 処理ユニット
300 処理部
40 処理タブ
41 底部
42 側壁部
421 空間
43 隔壁部
431 空間
432 斜面
433a、433b 大型切欠き
434a〜434d 切欠き
435a〜435e 切欠き
436 溝
44 脚部
45 突部
451 第1供給路
46 突部
461 第1排出路
47 突部
471 第2供給路
48 突部
481 第2排出路
50 カバーカセット
50a 窓部
500 フレーム
510 第1部材
511 空間
512 内壁面
512a 第1案内溝
512b 第2案内溝
513 係合部
520 第2部材
521 凹部
521a スライド空間
522 開口部
530 第3部材
531 開口部
540 スライド扉
541 扉本体
542 操作ノブ
543 溝
550 スライド扉
551 扉本体
552 操作ノブ
553 フック
553a フック溝
560 カバープレート
561 カバープレート本体
562 側壁部
563 第1軸
564 第2軸
6 プローブ液供給手段
61 分注装置
611 分注ポンプ
612 ノズル
62 移動機構
62a x軸方向移動機構
62b y軸方向移動機構
62c z軸方向移動機構
63 操作部材
7 供給用回路
7W 洗浄液供給手段
7H 保湿液供給手段
7G 気体供給手段
7F フラッシング液供給手段
70 主供給ライン
71a〜71h 上流側分岐ライン
72a〜72h 容器
73a〜73h 上流側バルブ
74a〜74d 下流側分岐ライン
75a〜75d 下流側バルブ
76 ドレーンライン
77 下流側バルブ
78 ポンプ
79 三方バルブ
8 排出用回路
80 主排出ライン
81a〜81d 分岐ライン
82a〜82d バルブ
83 マニホールド
84 ポンプ
85 廃液回収容器
86 液量センサ
800 廃液回収部
9 温度調節手段
91 第1温度調整ユニット
911a、911b ペルチェ素子
912a、912b 温度センサ
92 第2温度調整ユニット
921a、921b ヒータ
922a、922b 温度センサ
93 第3温度調整ユニット
931 ペルチェ素子
932 温度センサ
94 第4温度調整ユニット
941a〜941d、941f ヒータ
942a〜942d、942f 温度センサ
10 制御手段
110 パーソナルコンピュータ
111 モニタ
112 キーボード
120 CPUボード
121 メモリ
130 装置制御ボード
140 温度制御ボード
150 I/Oボード
160 リレーボード
S 核酸
P プレート
M マイクロアレイ
R プローブ液
W(Wa〜We) 洗浄液
H 保湿液
F フラッシング液
G 気体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 修
東京都三鷹市牟礼6丁目22番1号 アロカ
株式会社内
Fターム(参考) 2G058 BB02 BB03 CA01 CA02 CC02
CD01 FB02 FB25
4B024 AA11 AA19 CA01 CA11 HA11
4B029 AA23 BB20
Claims (16)
- 【請求項1】 密閉可能であり、その内部に被処理物を
設置する処理部を備える処理槽と、 前記処理部の温度を調整する温度調整手段と、 前記被処理物と反応し得る反応液を、前記被処理物に供
給する反応液供給手段とを有することを特徴とする被処
理物の処理装置。 - 【請求項2】 前記反応液供給手段は、前記反応液を吸
引および排出可能な分注装置と、該分注装置を移動可能
な移動機構とを有する請求項1に記載の被処理物の処理
装置。 - 【請求項3】 前記移動機構は、前記分注装置を3次元
的に移動可能である請求項2に記載の被処理物の処理装
置。 - 【請求項4】 前記処理槽内の湿度を保つための保湿液
を供給する保湿液供給手段を有する請求項1ないし3の
いずれかに記載の被処理物の処理装置。 - 【請求項5】 前記被処理物を洗浄するための洗浄液を
供給する洗浄液供給手段を有する請求項1ないし4のい
ずれかに記載の被処理物の処理装置。 - 【請求項6】 前記処理槽内から排液を行なう排液手段
を有する請求項1ないし5のいずれかに記載の被処理物
の処理装置。 - 【請求項7】 前記温度調整手段により、前記処理部を
加熱しつつ、前記被処理物と前記反応液とを反応させる
請求項1ないし6のいずれかに記載の被処理物の処理装
置。 - 【請求項8】 前記温度調整手段は、前記処理部の温度
を少なくとも2方向から調整し得るよう構成されている
請求項1ないし7のいずれかに記載の被処理物の処理装
置。 - 【請求項9】 前記処理部を複数有し、前記温度調整手
段は、第1組の処理部と第2組の処理部との間で異なる
温度調整条件を設定し得るよう構成されている請求項1
ないし8のいずれかに記載の被処理物の処理装置。 - 【請求項10】 前記被処理物を乾燥させるための気体
を供給する気体供給手段を有する請求項1ないし9のい
ずれかに記載の被処理物の処理装置。 - 【請求項11】 前記処理装置の各部の作動を制御する
制御手段を有する請求項1ないし10のいずれかに記載
の被処理物の処理装置。 - 【請求項12】 前記処理部は、前記被処理物を付着さ
せる支持体を有する請求項1ないし11のいずれかに記
載の被処理物の処理装置。 - 【請求項13】 前記支持体に重ね合わせることによ
り、前記支持体との間に形成される隙間に、前記被処理
物に供給された前記反応液を展開するカバー部材を有す
る請求項12に記載の被処理物の処理装置。 - 【請求項14】 前記処理槽は、凹部を備える本体部
と、該本体部に対して回動自在に設けられた蓋体とを有
する請求項1ないし13のいずれかに記載の被処理物の
処理装置。 - 【請求項15】 前記本体部は、その上縁部に、前記蓋
体が前記凹部を塞いだ状態で圧接する封止部材を有する
請求項14に記載の被処理物の処理装置。 - 【請求項16】 前記被処理物は、核酸である請求項1
ないし15のいずれかに記載の被処理物の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001241220A JP2003057254A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 被処理物の処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001241220A JP2003057254A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 被処理物の処理装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2003057254A true JP2003057254A (ja) | 2003-02-26 |
Family
ID=19071710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001241220A Pending JP2003057254A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 被処理物の処理装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2003057254A (ja) |
-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001241220A patent/JP2003057254A/ja active Pending
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