JP2003056830A - Processing apparatus for waste gas - Google Patents

Processing apparatus for waste gas

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JP2003056830A
JP2003056830A JP2001243169A JP2001243169A JP2003056830A JP 2003056830 A JP2003056830 A JP 2003056830A JP 2001243169 A JP2001243169 A JP 2001243169A JP 2001243169 A JP2001243169 A JP 2001243169A JP 2003056830 A JP2003056830 A JP 2003056830A
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Japan
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exhaust gas
combustion chamber
pipe
combustion
treating apparatus
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Japanese (ja)
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Kazutaka Okuda
和孝 奥田
Rikiya Nakamura
力弥 中村
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Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing apparatus for waste gas wherein a product is prevented from adhering to a waste gas passage of a burner, etc., or from being unlikely to adhere to the same. SOLUTION: In the processing apparatus for waste gas provided with a burner section 51 and a combustion chamber 52, wherein waste gas is introduced into the combustion chamber 52, and a combustion flame is formed toward the combustion chamber 52 with the aid of the burner section 51 to oxidize and decompose the waste gas by the combustion flame, there is further provided pre-heating means 1 for pre-heating the waste gas before the waste gas to be processed is introduced into the combustion chamber 52.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置や
液晶パネル製造装置などから排出される有害可燃性排ガ
スを燃焼処理するための排ガス処理装置に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust gas processing apparatus for burning and processing harmful combustible exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus, a liquid crystal panel manufacturing apparatus or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造装置や液晶パネル製造装置な
どからは、その製造工程において、シランガス(SiH
)、或いはハロゲン系のガス(NF,ClF,S
,CHF,C,CF等)を含む排ガスが
排出される。これらのガスは有害可燃性、若しくは難分
解性のガスであるため、そのままでは大気中に放出する
ことができない。そのため、これらの排ガスを排ガス処
理装置に導いて、該排ガスを燃焼させて無害化処理する
ことが一般に行われている。このような排ガス処理装置
として、バーナ部と、該バーナ部の下流側に燃焼室を備
え、該バーナ部に供給された助燃ガスを燃焼させて燃焼
火炎を形成し、この燃焼火炎に有害可燃性の排ガスを接
触させて燃焼処理する装置が知られている。
2. Description of the Related Art From a semiconductor manufacturing apparatus or a liquid crystal panel manufacturing apparatus, silane gas (SiH
4 ) or halogen-based gas (NF 3 , ClF 3 , S
Exhaust gas containing F 6 , CHF 3 , C 2 F 6 , CF 4, etc. is discharged. Since these gases are harmful flammable or hardly decomposable gases, they cannot be released into the atmosphere as they are. Therefore, it is generally practiced to introduce these exhaust gases to an exhaust gas treatment device and burn the exhaust gases to detoxify them. As such an exhaust gas treatment device, a burner section and a combustion chamber downstream of the burner section are provided, and the combustion-assisted gas supplied to the burner section is burned to form a combustion flame, which is harmful to the combustion flame. There is known a device for burning the exhaust gas by contacting the exhaust gas.

【0003】上述した構成をもつ従来の排ガス処理装置
を図9に示す。図9(a)は従来の排ガス処理装置を示
す断面図であり、図9(b)は図9(a)のC−C線断
面図である。図9(a)に示すように、排ガス処理装置
は、バーナ部51と、バーナ部51の下流側に燃焼室5
2を備えている。バーナ部51の上壁には排ガス配管5
3が設けられており、半導体製造装置等から排出された
排ガスは、矢印G方向から排ガス配管53を通じて排ガ
ス処理装置内部に導入される。バーナ部51を形成する
円筒部材54には、空気を噴射するための空気噴射孔5
5と、助燃ガスを噴射して燃焼火炎(図示せず)を形成
するための助燃ガス噴射孔56が設けられている。
FIG. 9 shows a conventional exhaust gas treating apparatus having the above-mentioned structure. 9A is a cross-sectional view showing a conventional exhaust gas treatment device, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 9A. As shown in FIG. 9A, the exhaust gas treating apparatus includes a burner section 51 and a combustion chamber 5 downstream of the burner section 51.
Equipped with 2. Exhaust gas piping 5 is provided on the upper wall of the burner section 51.
3 is provided, and the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus or the like is introduced into the exhaust gas processing apparatus from the direction of arrow G through the exhaust gas pipe 53. An air injection hole 5 for injecting air is formed in the cylindrical member 54 forming the burner portion 51.
5 and auxiliary combustion gas injection holes 56 for forming auxiliary combustion gas (not shown) by injecting auxiliary combustion gas.

【0004】図9(b)に示すように、空気噴射孔55
はバーナ部を形成する円筒部材54の接線方向に対して
所定の角度をなして形成されており、空気噴射孔55か
ら噴出された空気がバーナ部51の内部で旋回流を形成
するようになっている。また、図示はしないが、助燃ガ
ス噴射孔56も空気噴射孔55と同様に、バーナ部を形
成する円筒部材54の接線方向と所定の角度をなして形
成されている。なお、助燃ガスとしては、燃焼用ガス
(水素ガス、都市ガス、プロパンガス等)に酸化剤(酸
素若しくは空気)を混合した予混合ガスが通常使用され
ている。
As shown in FIG. 9B, the air injection hole 55
Is formed at a predetermined angle with respect to the tangential direction of the cylindrical member 54 forming the burner portion, and the air jetted from the air jet hole 55 forms a swirling flow inside the burner portion 51. ing. Although not shown, the auxiliary combustion gas injection hole 56 is also formed at a predetermined angle with the tangential direction of the cylindrical member 54 forming the burner portion, like the air injection hole 55. A premixed gas obtained by mixing a combustion gas (hydrogen gas, city gas, propane gas, etc.) with an oxidant (oxygen or air) is usually used as the auxiliary gas.

【0005】燃焼室52の側壁には、助燃ガス噴射孔5
6から噴射された助燃ガスに点火するためのパイロット
バーナ57が設けられており、燃焼室52の上端部には
排ガスを酸化させるための空気を噴射する2次空気噴射
孔58が周設されている。燃焼室52の下部には排ガス
を冷却するための冷却部59が設けられており、冷却部
59の上部には冷却部59の中心に向かって冷却水61
を噴射する複数の冷却水噴射ノズル60が周設されてい
る。
On the side wall of the combustion chamber 52, the auxiliary combustion gas injection hole 5
A pilot burner 57 for igniting the auxiliary combustion gas injected from 6 is provided, and a secondary air injection hole 58 for injecting air for oxidizing exhaust gas is provided around the upper end of the combustion chamber 52. There is. A cooling unit 59 for cooling exhaust gas is provided below the combustion chamber 52, and cooling water 61 is provided above the cooling unit 59 toward the center of the cooling unit 59.
A plurality of cooling water jet nozzles 60 for jetting water are provided around.

【0006】助燃ガス噴射孔56から噴射された助燃ガ
スはパイロットバーナ57により点火されて燃焼し、バ
ーナ部51から燃焼室52に向かって旋回する燃焼火炎
が形成される。同時に、空気噴射孔55からは空気が噴
射され、この空気により燃焼火炎の旋回が加速される。
また、燃焼時には2次空気噴射孔58から空気が供給さ
れており、酸素過剰な状態で燃焼火炎が形成される。
The auxiliary combustion gas injected from the auxiliary combustion gas injection hole 56 is ignited by the pilot burner 57 and burned to form a combustion flame that swirls from the burner portion 51 toward the combustion chamber 52. At the same time, air is injected from the air injection hole 55, and the swirling of the combustion flame is accelerated by this air.
Further, at the time of combustion, air is supplied from the secondary air injection hole 58, and combustion flame is formed in an oxygen excess state.

【0007】処理すべき排ガスは排ガス配管53を通じ
てバーナ部51から燃焼室52に導入されて燃焼火炎に
接触し、燃焼して酸化分解処理される。処理後の排ガス
は冷却部59に向かい、冷却部59において冷却水噴射
ノズル60から噴射された冷却水61によって冷却され
る。冷却水61は冷却水排出管62から排水され、冷却
された排ガスは排気管63から装置外に排出される。
The exhaust gas to be treated is introduced from the burner section 51 into the combustion chamber 52 through the exhaust gas pipe 53, comes into contact with the combustion flame, burns, and undergoes oxidative decomposition treatment. The treated exhaust gas is directed to the cooling unit 59 and cooled by the cooling water 61 sprayed from the cooling water spray nozzle 60 in the cooling unit 59. The cooling water 61 is discharged from the cooling water discharge pipe 62, and the cooled exhaust gas is discharged to the outside of the device from the exhaust pipe 63.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】このように、上述した
排ガス処理装置は半導体製造装置などから排出された有
害可燃性排ガスの無害化処理に有効に利用されている。
しかしながら、被処理排ガス中にWF等が含まれてい
る場合に、この被処理排ガスを上述した従来の排ガス処
理装置を用いて処理すると、バーナ部などの内壁に硬い
生成物が付着してしまい、助燃ガス噴射孔等が閉塞して
しまうといった問題があった。また、付着した生成物は
硬質であって除去しにくく、その除去作業に手間を要す
るといった問題もあった。
As described above, the exhaust gas treating apparatus described above is effectively used for the detoxification treatment of the harmful combustible exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus and the like.
However, when the exhaust gas to be treated contains WF 6 and the like, when the exhaust gas to be treated is treated by using the above-mentioned conventional exhaust gas treating apparatus, a hard product adheres to the inner wall of the burner part or the like. However, there is a problem that the auxiliary combustion gas injection holes are blocked. Further, there is another problem that the attached product is hard and difficult to remove, and the removing work requires time and effort.

【0009】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
ものであり、バーナ等の排ガス流路に生成物が付着する
ことを防止又は付着しにくい排ガス処理装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an exhaust gas treating apparatus which prevents or hardly adheres a product to an exhaust gas passage such as a burner. .

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の第1の態様は、バーナ部と燃焼室とを備
え、排ガスを前記燃焼室に導入するとともに、前記バー
ナ部により前記燃焼室に向けて燃焼火炎を形成し、該燃
焼火炎によって排ガスを酸化分解して処理する排ガス処
理装置において、処理すべき排ガスを前記燃焼室に導入
する前に該排ガスを予熱する予熱手段を設けたことを特
徴とする。
In order to solve the above problems, a first aspect of the present invention is provided with a burner section and a combustion chamber, and introduces exhaust gas into the combustion chamber, and at the same time, the burner section In an exhaust gas treatment device for forming a combustion flame toward a combustion chamber and oxidizing and decomposing the exhaust gas by the combustion flame, a preheating means for preheating the exhaust gas before introducing the exhaust gas to be treated into the combustion chamber is provided. It is characterized by that.

【0011】上述した硬質な生成物は、バーナ部などの
内壁に付着したWが結晶成長してできたものであり、こ
のWの結晶成長は、WがWFの状態でバーナ内に付着
した場合に起こる。上述のように構成された本発明によ
れば、排ガスを予熱することにより、排ガス中に含まれ
るWFの一部をWSi又はWOなどの固体(粉体)
に変化させることができる。その結果、WFの状態で
バーナ部などの内壁に付着するWを低減させ、Wを結晶
成長させないようにすることが可能となる。
The above-mentioned hard product is formed by crystal growth of W adhering to the inner wall of the burner portion, etc. This crystal growth of W adheres inside the burner when W is WF 6 . Happens when. According to the present invention configured as described above, by preheating the exhaust gas, a part of WF 6 contained in the exhaust gas is solid (powder) such as WSi or WO 3.
Can be changed to. As a result, it is possible to reduce W adhering to the inner wall such as the burner portion in the state of WF 6 and prevent W crystal growth.

【0012】また、本発明の第2の態様は、バーナ部と
燃焼室とを備え、排ガスを前記燃焼室に導入するととも
に、前記バーナ部により前記燃焼室に向けて燃焼火炎を
形成し、該燃焼火炎によって排ガスを酸化分解して処理
する排ガス処理装置において、処理すべき排ガスを前記
燃焼室に導入する前に該排ガスに水を散布する散布手段
を設けたことを特徴とする。
A second aspect of the present invention comprises a burner section and a combustion chamber, introduces exhaust gas into the combustion chamber, and forms a combustion flame toward the combustion chamber by the burner section, An exhaust gas treatment apparatus for oxidizing and treating exhaust gas with a combustion flame is characterized by comprising a spraying means for spraying water to the exhaust gas before introducing the exhaust gas to be treated into the combustion chamber.

【0013】このように構成された本発明によれば、排
ガス中のWFは、燃焼室で燃焼処理される前に、散布
された水分によって加水分解されるため、上述した本発
明の第1の態様と同様に、WFの状態でバーナ部など
の内壁に付着するWを低減させ、Wの結晶成長を防ぐこ
とが可能となる。
According to the present invention thus constructed, the WF 6 in the exhaust gas is hydrolyzed by the sprayed water before being burnt in the combustion chamber. In the same manner as in the above aspect, it becomes possible to reduce W adhering to the inner wall such as the burner portion in the state of WF 6 and prevent W crystal growth.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明の第1の実施形態に
ついて図1を参照して説明する。図1(a)は本実施形
態における排ガス処理装置を説明するための模式図であ
り、図1(b)は図1(a)における予熱装置の1詳細
例を示す概略斜視図である。なお、予熱装置以降の構成
については、従来の技術の項で述べた構成と同様である
ので説明を省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a schematic diagram for explaining the exhaust gas treating apparatus in the present embodiment, and FIG. 1B is a schematic perspective view showing one detailed example of the preheating apparatus in FIG. 1A. Note that the configuration after the preheating device is the same as the configuration described in the section of the related art, and thus the description thereof is omitted.

【0015】図1(a)に示すように、予熱手段を構成
する予熱装置1は、半導体製造装置(図示せず)とバー
ナ部51とを接続する排ガス配管53の途中に設置され
ている。この予熱装置1は、電源3と、電源3に接続さ
れて発熱するヒーター2とを備えており、ヒーター2は
排ガス配管53の内部に配置されて、直接排ガスと接触
するようになっている。また、予熱装置1の下流側には
温度センサ4が設置され、温度センサ4の検出値に基づ
いて予熱装置1が調整されるようになっている。これに
より、予熱装置1によって加熱された排ガスの温度が2
00℃程度にまで昇温されるように調整されている。
As shown in FIG. 1 (a), the preheating device 1 constituting the preheating means is installed in the middle of the exhaust gas pipe 53 connecting the semiconductor manufacturing device (not shown) and the burner section 51. The preheating device 1 includes a power source 3 and a heater 2 that is connected to the power source 3 to generate heat. The heater 2 is disposed inside the exhaust gas pipe 53 and is in direct contact with the exhaust gas. Further, a temperature sensor 4 is installed on the downstream side of the preheating device 1, and the preheating device 1 is adjusted based on the detection value of the temperature sensor 4. As a result, the temperature of the exhaust gas heated by the preheating device 1 becomes 2
The temperature is adjusted to about 00 ° C.

【0016】図1(b)に示す予熱装置1は、図1
(a)に示す予熱装置1の好適な詳細例である。図1
(b)に示すように、予熱装置1は、加熱室5と、加熱
室5の内部に設置された3枚の板状ヒーター6a,6
b,6cとを備えている。加熱室5の上面および下面に
は排ガス配管53が接続されており、排ガス配管53中
の排ガスが加熱室5の内部を流通するようになってい
る。対向する2枚の板状ヒーター6a,6bは互いにや
や上方を向くように傾斜して配置され、これら2枚のヒ
ーター6a,6bの下方に配置された板状ヒーター6c
は排ガスの流動方向に対して垂直に設置されており、そ
れぞれ電源(図1(a)参照)に接続されて発熱するよ
うになっている。
The preheating device 1 shown in FIG.
It is a suitable detailed example of the preheating apparatus 1 shown to (a). Figure 1
As shown in (b), the preheating device 1 includes a heating chamber 5 and three plate-shaped heaters 6 a, 6 installed inside the heating chamber 5.
b and 6c. Exhaust gas pipes 53 are connected to the upper surface and the lower surface of the heating chamber 5, so that the exhaust gas in the exhaust gas pipes 53 flows through the inside of the heating chamber 5. The two plate-shaped heaters 6a, 6b facing each other are arranged so as to be inclined slightly upward, and the plate-shaped heater 6c arranged below the two heaters 6a, 6b.
Are installed perpendicularly to the flow direction of the exhaust gas, and are connected to a power source (see FIG. 1A) to generate heat.

【0017】このように構成された本実施形態によれ
ば、図1(a)および図1(b)に示すように、半導体
製造装置等から排出された排ガスはG方向から排ガス配
管53に流入し、ヒーター2(6a,6b,6c)に接
触して200℃程度にまで加熱される。ここで、排ガス
中のWFは200℃から900℃の範囲内で加熱され
ると次のように反応する。WF(気)+SiH
(気)→WSi(固)+4HF(気)+F(気)上
記反応後、排ガスは排ガス配管53を通じてバーナ部5
1より燃焼室52に流入して燃焼処理される。このと
き、上記反応により生成されたWSiは燃焼火炎に接触
して900℃以上に加熱され、酸化分解される。ここ
で、排ガス中のWSiは900℃以上で加熱されると次
のように反応する。 2WSi+5O → 2WO+2SiO
According to the present embodiment configured as described above, as shown in FIGS. 1A and 1B, the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus or the like flows into the exhaust gas pipe 53 from the G direction. Then, the heater 2 (6a, 6b, 6c) is brought into contact with the heater and heated to about 200 ° C. Here, WF 6 in the exhaust gas reacts as follows when heated in the range of 200 ° C to 900 ° C. WF 6 (Qi) + SiH
4 (gas) → WSi (solid) + 4HF (gas) + F 2 (gas) After the above reaction, the exhaust gas is burned through the exhaust gas pipe 53 to the burner section 5
From 1 to the combustion chamber 52, the combustion process is performed. At this time, the WSi produced by the above reaction comes into contact with the combustion flame, is heated to 900 ° C. or higher, and is oxidatively decomposed. Here, WSi in the exhaust gas reacts as follows when heated at 900 ° C. or higher. 2WSi + 5O 2 → 2WO 3 + 2SiO 2

【0018】このように、燃焼室52の上流側に設けら
れた予熱装置1によって、燃焼室52で処理される前に
排ガスを予熱し、WFを変化させることにより、WF
の状態でバーナ部51などの内壁に付着するWを低減
させることができ、Wを結晶成長させないようにするこ
とが可能となる。その結果として、空気噴射孔(図9参
照)や助燃ガス噴射孔(図9参照)を閉塞させずに良好
な燃焼火炎を形成させて、排ガスの処理を正常に行うこ
とが可能となる。また、ヒーター2(6a,6b,6
c)は排ガス配管53の内部に配置されて直接排ガスを
加熱するように構成されているため、高い加熱効果を得
ることが可能となっている。
As described above, by the preheating device 1 provided on the upstream side of the combustion chamber 52, the exhaust gas is preheated before being processed in the combustion chamber 52, and the WF 6 is changed.
In the state of 6 , W adhering to the inner wall of the burner portion 51 or the like can be reduced, and W can be prevented from crystal growth. As a result, a favorable combustion flame can be formed without blocking the air injection hole (see FIG. 9) and the auxiliary combustion gas injection hole (see FIG. 9), and the exhaust gas can be normally treated. In addition, the heater 2 (6a, 6b, 6
Since c) is arranged inside the exhaust gas pipe 53 to directly heat the exhaust gas, a high heating effect can be obtained.

【0019】特に、図1(b)に示す本実施形態によれ
ば、板状ヒーター6a,6b,6cは板状の部材により
構成されているので、線状や棒状のヒーターに比べてヒ
ーターの表面積が大きく、高い加熱効果を得ることがで
きる。また、図1(b)に示すように、本実施形態に係
る予熱装置1は、排ガスの流動抵抗が大きくなるように
板状ヒーター6a,6b,6cが配置されてコンダクタ
ンスが小さくなるように構成されているので、排ガス中
のWが板状ヒーター6a,6b,6cによって捕捉され
やすく、高いトラップ効果を得ることが可能となる。さ
らに、析出したWによって板状ヒーター6a,6b,6
cの表面が覆われても、板状ヒーター6a,6b,6c
の表面積が大きいため排ガスの加熱効果の低下を防止す
ることが可能となる。
In particular, according to the present embodiment shown in FIG. 1 (b), since the plate heaters 6a, 6b, 6c are composed of plate members, the heaters of the heaters are different from those of linear or rod heaters. The surface area is large and a high heating effect can be obtained. Further, as shown in FIG. 1B, the preheating device 1 according to the present embodiment is configured such that the plate-shaped heaters 6a, 6b, 6c are arranged so that the flow resistance of the exhaust gas is increased and the conductance is decreased. Therefore, W in the exhaust gas is easily captured by the plate heaters 6a, 6b, 6c, and a high trap effect can be obtained. Further, depending on the deposited W, the plate heaters 6a, 6b, 6
Even if the surface of c is covered, plate heaters 6a, 6b, 6c
Since the surface area of the exhaust gas is large, it is possible to prevent deterioration of the heating effect of the exhaust gas.

【0020】次に、本発明の第2の実施形態について図
2を参照して説明する。図2は本実施形態における熱交
換器を示す概略断面図である。なお、特に説明しない構
成および効果については第1の実施形態と同様であるの
で説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the heat exchanger according to this embodiment. Note that the configurations and effects not particularly described are the same as those in the first embodiment, so description thereof will be omitted.

【0021】本実施形態では、排ガス配管53を流れる
排ガスを予熱するための予熱手段として熱交換器11が
用いられている。図2に示すように、熱交換器11は波
状に成形された排ガス管12を備えており、この排ガス
管12には図示はしないがフィンが設けられている。そ
して、この排ガス管12の周囲を囲むようにヒーター線
14が配設されており、さらにヒーター線14および排
ガス管12は断熱材13によって囲まれている。なお、
排ガス管12の形状としては、波状以外にらせん状など
が好適である。
In the present embodiment, the heat exchanger 11 is used as a preheating means for preheating the exhaust gas flowing through the exhaust gas pipe 53. As shown in FIG. 2, the heat exchanger 11 includes an exhaust gas pipe 12 formed in a wave shape, and the exhaust gas pipe 12 is provided with fins (not shown). A heater wire 14 is arranged so as to surround the exhaust gas pipe 12, and the heater wire 14 and the exhaust gas pipe 12 are surrounded by a heat insulating material 13. In addition,
As the shape of the exhaust gas pipe 12, a spiral shape or the like is preferable in addition to the wavy shape.

【0022】排ガス管12を流れる排ガスは、排ガス管
12を介して、ヒーター線14によって加熱された断熱
材13の内部の気体と熱交換が行われ、これにより該排
ガスが昇温されるため、第1の実施形態と同様の作用効
果を得ることが可能となる。本実施形態では、排ガス管
12が波状に成形されているため、高温となっている熱
交換器11の内部を流れる排ガスの滞留時間が長くなる
とともに、熱交換壁の伝熱面積が増し、排ガスの加熱効
果が高められている。また、排ガス管12を介した間接
的な加熱であるため排ガスが直接ヒーター線14に触れ
ることがなく、排ガスによるヒーター線14の腐食が防
止される。
The exhaust gas flowing through the exhaust gas pipe 12 is heat-exchanged with the gas inside the heat insulating material 13 heated by the heater wire 14 through the exhaust gas pipe 12, and thereby the temperature of the exhaust gas is raised. It is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment. In the present embodiment, since the exhaust gas pipe 12 is formed in a wavy shape, the residence time of the exhaust gas flowing inside the heat exchanger 11 that is at a high temperature becomes longer, and the heat transfer area of the heat exchange wall increases, so that the exhaust gas The heating effect of is enhanced. Further, since the heating is indirect through the exhaust gas pipe 12, the exhaust gas does not directly contact the heater wire 14, and the corrosion of the heater wire 14 due to the exhaust gas is prevented.

【0023】次に、本発明の第3の実施形態について図
3を参照して説明する。第3の実施形態においては、排
ガスの予熱手段として、処理すべき排ガスに加熱された
(窒素)ガスを混合する装置を用いている。図3
(a)は本実施形態におけるN加熱装置を説明するた
めの模式図であり、図3(b)は本実施形態における混
合槽の概略図である。なお、特に説明しない構成および
効果については第1の実施形態と同様であるので説明を
省略する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment, a device for mixing heated N 2 (nitrogen) gas with the exhaust gas to be treated is used as the exhaust gas preheating means. Figure 3
(A) is a schematic diagram for explaining the N 2 heating device in the present embodiment, and FIG. 3 (b) is a schematic diagram of the mixing tank in the present embodiment. Note that the configurations and effects not particularly described are the same as those in the first embodiment, so description thereof will be omitted.

【0024】図3(a)に示すように、排ガス配管53
にはポート22を有したN供給管24が挿入されてお
り、N供給管24は、N加熱装置21に接続されて
いる。そして、N加熱装置21の上流にはN供給源
(図示せず)が接続されている。N供給源から供給さ
れたNは、N加熱装置21の内部に配置されたヒー
ター2に接触して200℃程度に加熱され、その後、N
供給管24およびポート22を通じて排ガス配管53
内に導入される。ポート22は排ガス配管53の断面中
心部付近に位置しており、加熱されたNと排ガスとが
効率良く混合されるようになっている。このように、加
熱されたNをポート22を介して排ガス中に混合する
ことにより排ガスを昇温させ、上述した第1の実施形態
と同様に、バーナ部51などの内壁にWの結晶が析出し
てしまうことを防止することが可能となる。また、N
を介して排ガスを予熱するので、ヒーター2等にWが直
接析出することがなく、Wの結晶を除去するためのメン
テナンスが不要になる。なお、図3(b)に示すよう
に、排ガス配管53の途中に混合槽23を設け、N
熱装置21により加熱されたNをN供給管24を通
じて混合槽23に導き、Nと排ガスとを混合させて排
ガスを昇温させるようにしてもよい。
As shown in FIG. 3A, the exhaust gas pipe 53
A N 2 supply pipe 24 having a port 22 is inserted in the N 2 supply pipe 24, and the N 2 supply pipe 24 is connected to the N 2 heating device 21. An N 2 supply source (not shown) is connected upstream of the N 2 heating device 21. N 2 supplied from the N 2 supply source is heated in contact with the heater 2 placed inside the N 2 heating device 21 to approximately 200 ° C., then, N
2 exhaust pipe 53 through the supply pipe 24 and the port 22
Will be introduced in. The port 22 is located near the center of the cross section of the exhaust gas pipe 53 so that the heated N 2 and the exhaust gas are efficiently mixed. Thus, the temperature of the exhaust gas is raised by mixing the heated N 2 into the exhaust gas through the port 22, and W crystals are formed on the inner wall of the burner portion 51 and the like, as in the first embodiment described above. It becomes possible to prevent precipitation. Also, N 2
Since the exhaust gas is preheated via the W, the W is not directly deposited on the heater 2 or the like, and the maintenance for removing the W crystal is not required. Incidentally, as shown in FIG. 3 (b), the mixing vessel 23 in the middle of the exhaust gas pipe 53 is provided to guide the N 2 heated by N 2 heating device 21 to the mixing tank 23 through N 2 supply pipe 24, N 2 The exhaust gas may be heated by mixing the exhaust gas with the exhaust gas.

【0025】次に、本発明の第4の実施形態について図
4を参照して説明する。図4は本実施形態における排ガ
ス処理装置を示す概略断面図である。なお、特に説明し
ない構成および効果については第1の実施形態と同様で
あるので説明を省略する。図4に示すように、排ガス配
管53には下流側に向かって下方に傾斜する傾斜部31
が設けられており、傾斜部31の頂部付近および下流側
にはスプレーノズル32が設置されている。これらのス
プレーノズル32には、水供給源35より水が供給さ
れ、排ガス配管53内に水33を散布するようになって
いる。また、傾斜部31の途中には、上流側のスプレー
ノズル32から散布された水33を排出するための排水
管34が設けられている。なお、傾斜部31の水平方向
に対する傾斜角度θは0.2〜90°、好ましくは30
〜90°、更に好ましくは45〜90°の範囲で設定す
ることが好ましい。このように、傾斜角度θは、例えば
30°以上、更には45°以上と、他要因が許す限り急
角度に設定することが好ましい。何故ならば、配管の傾
斜角度θが大きくなるとスプレーノズル32から噴霧し
た水が排ガスと混合した後、排ガス配管53内にとどま
る時間が少なくなるので、処理水(HFなど)が配管内
壁を腐蝕することを防ぐことができるためである。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the exhaust gas treating apparatus in this embodiment. Note that the configurations and effects not particularly described are the same as those in the first embodiment, so description thereof will be omitted. As shown in FIG. 4, in the exhaust gas pipe 53, an inclined portion 31 that inclines downward toward the downstream side.
The spray nozzle 32 is installed near the top of the inclined portion 31 and on the downstream side. Water is supplied from a water supply source 35 to these spray nozzles 32, and the water 33 is sprayed in the exhaust gas pipe 53. A drain pipe 34 for discharging the water 33 sprayed from the upstream spray nozzle 32 is provided in the middle of the inclined portion 31. The inclination angle θ of the inclined portion 31 with respect to the horizontal direction is 0.2 to 90 °, preferably 30.
It is preferable to set in the range of up to 90 °, more preferably 45 to 90 °. Thus, it is preferable that the inclination angle θ is set to a steep angle, for example, 30 ° or more, further 45 ° or more, as long as other factors allow. This is because when the inclination angle θ of the pipe becomes large, the water sprayed from the spray nozzle 32 stays in the exhaust gas pipe 53 for a short time after mixing with the exhaust gas, so that the treated water (HF, etc.) corrodes the inner wall of the pipe. This is because it can be prevented.

【0026】上述したように構成された本実施形態で
は、傾斜部31を流れる排ガス中のWFはスプレーノ
ズル32から散布される水33により次のように加水分
解される。 WF+3HO → WO+6HF このように、予め排ガス中のWFを加水分解させるこ
とにより、バーナ部51などの内壁でWが結晶成長しな
いようにすることが可能となる。また、スプレーノズル
32より散布された水33の一部は傾斜部31を流下し
て排水管34を通じて排出される。したがって、バーナ
部51内に流入する水の量が減り、バーナ部51や燃焼
室52の温度の低下を防止して、排ガス処理性能を維持
することが可能となる。また、上記水33は、純水や市
水等に限らず、いかなる態様で、例えば溶媒として存在
してもよく、例えば、水33にアルカリ性薬剤を混合し
た溶液を用いてもよい。なお、アルカリ性薬剤には、N
aOH,KOH等がある。下記は水分介在下における理
想反応式である。 WF+6NaOH+(xHO)→WO+6NaF
+((x+3)HO)
In the present embodiment configured as described above, WF 6 in the exhaust gas flowing through the inclined portion 31 is hydrolyzed by the water 33 sprayed from the spray nozzle 32 as follows. WF 6 + 3H 2 O → WO 3 + 6HF By thus preliminarily hydrolyzing WF 6 in the exhaust gas, it becomes possible to prevent W crystal growth on the inner wall of the burner portion 51 or the like. A part of the water 33 sprayed from the spray nozzle 32 flows down the inclined portion 31 and is discharged through the drain pipe 34. Therefore, the amount of water flowing into the burner portion 51 is reduced, the temperature of the burner portion 51 and the combustion chamber 52 can be prevented from lowering, and the exhaust gas treatment performance can be maintained. The water 33 is not limited to pure water or city water, and may be present in any form, for example, as a solvent. For example, a solution obtained by mixing the water 33 with an alkaline chemical may be used. It should be noted that N is an alkaline drug.
There are aOH, KOH, etc. The following is the ideal reaction formula under the presence of water. WF 6 + 6NaOH + (xH 2 O) → WO 3 + 6NaF
+ ((X + 3) H 2 O)

【0027】次に、本発明の第5の実施形態について図
5を参照して説明する。なお、特に説明しない構成およ
び効果については第1の実施形態と同様であるので説明
を省略する。図5(a)は排ガス配管を燃焼室内に通し
た後にバーナ部上部に接続した排ガス処理装置を示す概
略図であり、図5(b)は排ガス配管を燃焼室内に通し
た後に燃焼室の側壁に接続した排ガス処理装置を示す概
略図である。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the configurations and effects not particularly described are the same as those in the first embodiment, so description thereof will be omitted. FIG. 5 (a) is a schematic diagram showing an exhaust gas treatment device connected to the upper part of the burner after passing the exhaust gas pipe into the combustion chamber, and FIG. 5 (b) is a side wall of the combustion chamber after passing the exhaust gas pipe into the combustion chamber. It is a schematic diagram showing an exhaust gas treatment equipment connected to.

【0028】図5(a)および図5(b)に示すよう
に、本実施形態における排ガス処理装置は、排ガス配管
53の一部が燃焼室52の内部を通過するように構成さ
れており、燃焼室52の内部に形成されている燃焼火炎
によって排ガス配管53中の排ガスが加熱されるように
なっている。排ガス配管53は、図5(a)に示すよう
にバーナ部51の上部に接続してもよく、また、図5
(b)に示すように、燃焼室52の側壁に接続してもよ
い。このように燃焼室内の熱を利用して排ガスを予熱す
る予熱手段を備える本実施形態によれば、上述した第1
の実施形態と同様に、バーナ部51などでのWの結晶成
長を防ぐことが可能となる。
As shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), the exhaust gas treating apparatus of this embodiment is constructed such that a part of the exhaust gas pipe 53 passes through the inside of the combustion chamber 52. The exhaust gas in the exhaust gas pipe 53 is heated by the combustion flame formed inside the combustion chamber 52. The exhaust gas pipe 53 may be connected to the upper portion of the burner portion 51 as shown in FIG.
As shown in (b), it may be connected to the side wall of the combustion chamber 52. As described above, according to the present embodiment including the preheating unit that preheats the exhaust gas by utilizing the heat in the combustion chamber,
Similar to the embodiment described above, it is possible to prevent W crystal growth in the burner portion 51 and the like.

【0029】次に、本発明の第6の実施形態について図
6を参照して説明する。図6は本実施形態における排ガ
ス処理装置を示す概略図である。なお、特に説明しない
構成および効果については第1の実施形態と同様である
ので説明を省略する。図6に示すように、本実施形態で
は、排ガスを予熱するための予熱手段として、排ガス配
管53の一部は燃焼室52の側壁に巻回されて構成され
ている。燃焼室52の外壁は燃焼火炎により高温となっ
ているため、この外壁の熱を利用して排ガス配管53を
通過する排ガスが加熱されるようになっている。このよ
うに燃焼室内の熱を利用して排ガスを予熱する予熱手段
を備える本実施形態によれば、上述した第1の実施形態
と同様に、バーナ部51などでのWの結晶成長を防ぐこ
とが可能となる。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic diagram showing the exhaust gas treating apparatus in this embodiment. Note that the configurations and effects not particularly described are the same as those in the first embodiment, so description thereof will be omitted. As shown in FIG. 6, in the present embodiment, a part of the exhaust gas pipe 53 is wound around the side wall of the combustion chamber 52 as a preheating means for preheating the exhaust gas. Since the outer wall of the combustion chamber 52 has a high temperature due to the combustion flame, the heat of the outer wall is used to heat the exhaust gas passing through the exhaust gas pipe 53. According to the present embodiment including the preheating means for preheating the exhaust gas by using the heat in the combustion chamber in this manner, it is possible to prevent W crystal growth in the burner portion 51 and the like, as in the first embodiment described above. Is possible.

【0030】次に、本発明の第7の実施形態について図
7を参照して説明する。図7(a)は本実施形態におけ
る排ガス処理装置を示す概略図であり、図7(b)は図
7(a)のA−A線断面図である。なお、特に説明しな
い構成および効果については第1の実施形態と同様であ
るので説明を省略する。
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7A is a schematic diagram showing the exhaust gas treating apparatus in the present embodiment, and FIG. 7B is a sectional view taken along the line AA of FIG. 7A. Note that the configurations and effects not particularly described are the same as those in the first embodiment, so description thereof will be omitted.

【0031】図7(a)に示すように、本実施形態で
は、気体または液体などの媒体が循環する配管41が設
けられており、ファン42またはポンプ42によって媒
体が配管41内を循環するようになっている。配管41
の一部は燃焼室52の外壁に巻回されており、高温とな
っている燃焼室52の熱を利用して配管41内を循環す
る媒体が加熱されるようになっている。そして、図7
(b)に示すように、排ガス配管53は、配管41の所
定の部位に設けられた円筒状の加熱室5を貫通して配設
されており、配管41を循環する媒体が排ガス配管53
の外周面に接触することによって排ガス配管53中の排
ガスが加熱されるようになっている。このように燃焼室
の熱を利用して排ガスを予熱する予熱手段を備える本実
施形態によれば、上述した第1の実施形態と同様に、バ
ーナ部51などでのWの結晶成長を防ぐことが可能とな
る。
As shown in FIG. 7A, in this embodiment, a pipe 41 for circulating a medium such as gas or liquid is provided, and the medium is circulated in the pipe 41 by a fan 42 or a pump 42. It has become. Piping 41
Is partially wound around the outer wall of the combustion chamber 52, and the heat circulated in the combustion chamber 52 is used to heat the medium circulating in the pipe 41. And FIG.
As shown in (b), the exhaust gas pipe 53 is arranged so as to penetrate the cylindrical heating chamber 5 provided at a predetermined portion of the pipe 41, and the medium circulating in the pipe 41 is the exhaust gas pipe 53.
The exhaust gas in the exhaust gas pipe 53 is heated by contacting the outer peripheral surface of the exhaust gas. According to the present embodiment including the preheating means for preheating the exhaust gas by using the heat of the combustion chamber in this way, it is possible to prevent W crystal growth in the burner portion 51 or the like, as in the first embodiment described above. Is possible.

【0032】次に、本発明の第8の実施形態について図
8を参照して説明する。図8(a)は本実施形態におけ
る排ガス処理装置を示す概略図であり、図8(b)は図
8(a)のB−B線断面図である。なお、特に説明しな
い構成および効果については第1の実施形態と同様であ
るので説明を省略する。
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8A is a schematic diagram showing the exhaust gas treating apparatus in the present embodiment, and FIG. 8B is a sectional view taken along line BB of FIG. 8A. Note that the configurations and effects not particularly described are the same as those in the first embodiment, so description thereof will be omitted.

【0033】図8(a)に示すように、燃焼室52の外
壁には燃焼室52の内部にまで連通する配管41が接合
されている。配管41の端部にはスクラバ43が接続さ
れており、燃焼室52の内部から流出した気体がスクラ
バ43によって処理されるようになっている。また、図
8(b)に示すように、配管41には加熱室5が設けら
れ、排ガス配管53はこの加熱室5を貫通して設けられ
ている。
As shown in FIG. 8A, a pipe 41 communicating with the inside of the combustion chamber 52 is joined to the outer wall of the combustion chamber 52. A scrubber 43 is connected to the end of the pipe 41, and the gas flowing out from the inside of the combustion chamber 52 is processed by the scrubber 43. Further, as shown in FIG. 8B, the pipe 41 is provided with the heating chamber 5, and the exhaust gas pipe 53 is provided so as to penetrate the heating chamber 5.

【0034】燃焼室52の内部の気体は燃焼火炎により
高温となっており、その気体の一部が燃焼室52から流
出してスクラバ43によって処理される。即ち、燃焼室
52内の気体の一部は、配管接合部に取り付けられたフ
ィルター44によって異物が除去された後、配管41お
よび加熱室5を通過し、スクラバ43で浄化処理され
る。そして、高温となっている気体は、加熱室5を通過
する際に排ガス配管53と接触し、これにより、排ガス
配管53中の排ガスが加熱されるようになっている。こ
のように燃焼室内の熱を利用して排ガスを予熱する予熱
手段を備える本実施形態によれば、上述した第1の実施
形態と同様に、バーナ部51などでのWの結晶成長を防
ぐことが可能となる。なお、実施形態においては、付着
性の生成物としてWを説明したが、本発明は他の付着性
の生成物に対しても有効である。
The gas inside the combustion chamber 52 has a high temperature due to the combustion flame, and a part of the gas flows out from the combustion chamber 52 and is processed by the scrubber 43. That is, a part of the gas in the combustion chamber 52 is passed through the pipe 41 and the heating chamber 5 after the foreign matter is removed by the filter 44 attached to the pipe joint portion, and is purified by the scrubber 43. Then, the high temperature gas comes into contact with the exhaust gas pipe 53 when passing through the heating chamber 5, whereby the exhaust gas in the exhaust gas pipe 53 is heated. According to the present embodiment including the preheating means for preheating the exhaust gas by using the heat in the combustion chamber in this manner, it is possible to prevent W crystal growth in the burner portion 51 and the like, as in the first embodiment described above. Is possible. Although W has been described as an adhesive product in the embodiments, the present invention is also effective for other adhesive products.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理排ガスを燃焼処理する前に予め加熱することによ
り、該被処理排ガス中に含まれるW等がバーナ部などの
内壁で結晶成長してしまうことを防ぐことができ、これ
により、助燃ガス噴射孔等の閉塞を防止して、排ガス処
理を正常かつ安全に行うことが可能となる。また、硬質
なW等の結晶を除去する手間が省け、排ガス処理装置の
メンテナンスを簡略化することが可能となる。
As described above, according to the present invention,
By preheating the exhaust gas to be treated before the combustion treatment, it is possible to prevent W or the like contained in the exhaust gas from undergoing crystal growth on the inner wall of the burner portion, etc. It becomes possible to normally and safely perform the exhaust gas treatment by preventing clogging of holes and the like. Further, it is possible to save the labor of removing the hard crystal such as W, and simplify the maintenance of the exhaust gas treatment device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)は本発明の第1の実施形態である排
ガス処理装置を説明するための模式図であり、図1
(b)は図1(a)における予熱装置の1詳細例を示す
概略斜視図である。
FIG. 1 (a) is a schematic view for explaining an exhaust gas treating apparatus which is a first embodiment of the present invention.
FIG. 1B is a schematic perspective view showing one detailed example of the preheating device in FIG.

【図2】本発明の第2の実施形態における熱交換器の概
略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of a heat exchanger according to a second embodiment of the present invention.

【図3】図3(a)は本発明の第3の実施形態における
加熱装置を説明するための模式図であり、図3
(b)は混合槽の概略図である。
FIG. 3 (a) is a schematic diagram for explaining an N 2 heating device according to a third embodiment of the present invention.
(B) is a schematic diagram of a mixing tank.

【図4】本発明の第4の実施形態における排ガス処理装
置を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an exhaust gas treating apparatus in a fourth embodiment of the present invention.

【図5】図5(a)は本発明の第5の実施形態において
排ガス配管を燃焼室内に通した後にバーナ部上部に接続
した排ガス処理装置を示す概略図であり、図5(b)は
本発明の第5の実施形態において排ガス配管を燃焼室内
に通した後に燃焼室の側壁に接続した排ガス処理装置を
示す概略図である
FIG. 5 (a) is a schematic view showing an exhaust gas treating apparatus connected to an upper part of a burner part after passing an exhaust gas pipe into a combustion chamber in a fifth embodiment of the present invention, and FIG. It is the schematic which shows the exhaust gas processing apparatus which connected the side wall of a combustion chamber, after making an exhaust gas pipe pass in a combustion chamber in the 5th Embodiment of this invention.

【図6】本発明の第6の実施形態における排ガス処理装
置を示す概略図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing an exhaust gas treating apparatus in a sixth embodiment of the present invention.

【図7】図7(a)は本発明の第7の実施形態における
排ガス処理装置を示す概略図であり、図7(b)は図7
(a)のA−A線断面図である。
FIG. 7 (a) is a schematic diagram showing an exhaust gas treating apparatus in a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 7 (b) is a schematic diagram showing FIG.
It is the sectional view on the AA line of (a).

【図8】図8(a)は本発明の第8の実施形態における
排ガス処理装置を示す概略図であり、図8(b)は図8
(a)のB−B線断面図である。
FIG. 8 (a) is a schematic diagram showing an exhaust gas treating apparatus in an eighth embodiment of the present invention, and FIG. 8 (b) is a schematic diagram showing FIG.
It is the BB sectional drawing of (a).

【図9】図9(a)は従来の排ガス処理装置を示す断面
図であり、図9(b)は図9(a)のC−C線断面図で
ある。
9 (a) is a cross-sectional view showing a conventional exhaust gas treatment apparatus, and FIG. 9 (b) is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 9 (a).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 予熱装置 2 ヒーター 3 電源 4 温度センサ 5 加熱室 6 板状ヒーター 11 熱交換器 12 排ガス管 13 断熱材 14 ヒーター線 21 N加熱装置 22 ポート 23 混合槽 24 N供給管 31 傾斜部 32 スプレーノズル 33 水 34 排水管 41 配管 42 ファンまたはポンプ 43 スクラバ 44 フィルター 51 バーナ部 52 燃焼室 53 排ガス配管 54 円筒部材 55 空気噴射孔 56 助燃ガス噴射孔 57 パイロットガス 58 2次空気噴射孔 59 冷却部 60 冷却水噴射ノズル 61 冷却水 62 冷却水排出管 63 排気管1 Preheating Device 2 Heater 3 Power Supply 4 Temperature Sensor 5 Heating Chamber 6 Plate Heater 11 Heat Exchanger 12 Exhaust Gas Pipe 13 Heat Insulation Material 14 Heater Wire 21 N 2 Heating Device 22 Port 23 Mixing Tank 24 N 2 Supply Pipe 31 Slope 32 Spray Nozzle 33 Water 34 Drain pipe 41 Pipe 42 Fan or pump 43 Scrubber 44 Filter 51 Burner part 52 Combustion chamber 53 Exhaust gas pipe 54 Cylindrical member 55 Air injection hole 56 Combustion gas injection hole 57 Pilot gas 58 Secondary air injection hole 59 Cooling part 60 Cooling water injection nozzle 61 Cooling water 62 Cooling water discharge pipe 63 Exhaust pipe

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バーナ部と燃焼室とを備え、排ガスを前
記燃焼室に導入するとともに、前記バーナ部により前記
燃焼室に向けて燃焼火炎を形成し、該燃焼火炎によって
排ガスを酸化分解して処理する排ガス処理装置におい
て、 処理すべき排ガスを前記燃焼室に導入する前に該排ガス
を予熱する予熱手段を設けたことを特徴とする排ガス処
理装置。
1. A burner section and a combustion chamber are provided, and exhaust gas is introduced into the combustion chamber, and a combustion flame is formed toward the combustion chamber by the burner section, and the exhaust gas is oxidatively decomposed by the combustion flame. An exhaust gas treating apparatus for treating, comprising a preheating means for preheating the exhaust gas to be treated before being introduced into the combustion chamber.
【請求項2】 前記予熱手段は、排ガスを前記燃焼室に
導くための排ガス配管に設置されていることを特徴とす
る請求項1に記載の排ガス処理装置。
2. The exhaust gas treating apparatus according to claim 1, wherein the preheating means is installed in an exhaust gas pipe for guiding the exhaust gas to the combustion chamber.
【請求項3】 前記予熱手段は排ガスを加熱するための
ヒーターを備え、前記ヒーターを排ガスに直接接触させ
るように配置したことを特徴とする請求項1又は2に記
載の排ガス処理装置。
3. The exhaust gas treating apparatus according to claim 1 or 2, wherein the preheating means includes a heater for heating the exhaust gas, and the heater is arranged so as to be in direct contact with the exhaust gas.
【請求項4】 前記ヒーターとして板状のヒーターを用
いたことを特徴とする請求項3に記載の排ガス処理装
置。
4. The exhaust gas treating apparatus according to claim 3, wherein a plate-shaped heater is used as the heater.
【請求項5】 前記予熱手段として熱交換器を用いたこ
とを特徴とする請求項1又は2に記載の排ガス処理装
置。
5. The exhaust gas treating apparatus according to claim 1, wherein a heat exchanger is used as the preheating means.
【請求項6】 前記熱交換器は、所定の形状に成形され
た排ガス管と、前記排ガス管の周囲に配置されたヒータ
ー線と、前記排ガス管および前記ヒーター線の周囲に配
置された断熱材とを備えることを特徴とする請求項5に
記載の排ガス処理装置。
6. The heat exchanger comprises an exhaust gas pipe formed in a predetermined shape, a heater wire arranged around the exhaust gas pipe, and a heat insulating material arranged around the exhaust gas pipe and the heater wire. The exhaust gas treatment apparatus according to claim 5, further comprising:
【請求項7】 前記予熱手段は、Nを昇温する昇温手
段と、前記昇温手段によって昇温されたNを排ガスに
混合する混合手段とを備えたことを特徴とする請求項1
又は2に記載の排ガス処理装置。
7. The preheating means comprises a temperature raising means for raising the temperature of N 2 and a mixing means for mixing the N 2 raised by the temperature raising means with the exhaust gas. 1
Or the exhaust gas treatment device according to 2.
【請求項8】 前記予熱手段は、前記燃焼室の熱を利用
して排ガスを予熱することを特徴とする請求項1に記載
の排ガス処理装置。
8. The exhaust gas treating apparatus according to claim 1, wherein the preheating means preheats the exhaust gas by utilizing heat of the combustion chamber.
【請求項9】 バーナ部と燃焼室とを備え、排ガスを前
記燃焼室に導入するとともに、前記バーナ部により前記
燃焼室に向けて燃焼火炎を形成し、該燃焼火炎によって
排ガスを酸化分解して処理する排ガス処理装置におい
て、 処理すべき排ガスを前記燃焼室に導入する前に該排ガス
に水を散布する散布手段を設けたことを特徴とする排ガ
ス処理装置。
9. A burner section and a combustion chamber are provided, and exhaust gas is introduced into the combustion chamber, and the burner section forms a combustion flame toward the combustion chamber, and the exhaust flame is oxidatively decomposed by the combustion flame. An exhaust gas treatment apparatus for treating, wherein an exhaust gas treatment apparatus is provided with a spraying means for spraying water to the exhaust gas before introducing the exhaust gas to be treated into the combustion chamber.
【請求項10】 処理すべき排ガスを前記燃焼室に導入
するための排ガス配管の内部に前記散布手段を設置した
ことを特徴とする請求項9に記載の排ガス処理装置。
10. The exhaust gas treating apparatus according to claim 9, wherein the spraying means is installed inside an exhaust gas pipe for introducing exhaust gas to be treated into the combustion chamber.
【請求項11】 前記排ガス配管に、前記散布手段から
下流側に向かって下降する傾斜部を設けたことを特徴と
する請求項10に記載の排ガス処理装置。
11. The exhaust gas treating apparatus according to claim 10, wherein the exhaust gas pipe is provided with an inclined portion that descends from the spraying unit toward a downstream side.
【請求項12】 前記燃焼室の上流側に、前記散布手段
から散布された水を排出するための排水口を設けたこと
を特徴とする請求項9乃至11のいずれかに記載の排ガ
ス処理装置。
12. The exhaust gas treatment apparatus according to claim 9, further comprising a drain port provided on the upstream side of the combustion chamber for discharging the water sprayed from the spraying means. .
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008096466A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-14 Kanken Techno Co., Ltd. Gas treating apparatus and, using the apparatus, gas treating system and method of gas treatment
CN102853436A (en) * 2012-08-29 2013-01-02 北京七星华创电子股份有限公司 Exhaust gas treatment system
JP2014081190A (en) * 2012-10-15 2014-05-08 Csk Inc Burner for scrubber
JP2016526648A (en) * 2013-06-10 2016-09-05 エドワーズ リミテッド Process gas abatement apparatus and abatement method
WO2021245496A1 (en) * 2020-06-02 2021-12-09 Csk Inc. A scrubber burner
JP2022072981A (en) * 2020-10-30 2022-05-17 栗田工業株式会社 Exhaust gas treatment facility

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008096466A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-14 Kanken Techno Co., Ltd. Gas treating apparatus and, using the apparatus, gas treating system and method of gas treatment
JPWO2008096466A1 (en) * 2007-02-07 2010-05-20 カンケンテクノ株式会社 Gas processing apparatus, gas processing system and gas processing method using the apparatus
CN102853436A (en) * 2012-08-29 2013-01-02 北京七星华创电子股份有限公司 Exhaust gas treatment system
JP2014081190A (en) * 2012-10-15 2014-05-08 Csk Inc Burner for scrubber
JP2016526648A (en) * 2013-06-10 2016-09-05 エドワーズ リミテッド Process gas abatement apparatus and abatement method
WO2021245496A1 (en) * 2020-06-02 2021-12-09 Csk Inc. A scrubber burner
KR20210149317A (en) * 2020-06-02 2021-12-09 씨에스케이(주) Burner for Scrubber
KR102427056B1 (en) * 2020-06-02 2022-08-01 씨에스케이(주) Burner for Scrubber
JP2022072981A (en) * 2020-10-30 2022-05-17 栗田工業株式会社 Exhaust gas treatment facility

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