JP2003052843A - しわ取り用レーザー治療器 - Google Patents
しわ取り用レーザー治療器Info
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- JP2003052843A JP2003052843A JP2001275770A JP2001275770A JP2003052843A JP 2003052843 A JP2003052843 A JP 2003052843A JP 2001275770 A JP2001275770 A JP 2001275770A JP 2001275770 A JP2001275770 A JP 2001275770A JP 2003052843 A JP2003052843 A JP 2003052843A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安心してしわ取り治療を受けることができ
る、しわ取り用レーザー治療器を提供する。 【解決手段】患部表面に予め設定した波長のレーザー光
を設定時間照射し、その照射光の持つエネルギー、或い
は光活性作用によって真皮内部の代謝機能を活性化させ
る。これによって皮膚のはりや弾力性も回復でき、しわ
も必然的に解消して表皮の新陳代謝も促進される。
る、しわ取り用レーザー治療器を提供する。 【解決手段】患部表面に予め設定した波長のレーザー光
を設定時間照射し、その照射光の持つエネルギー、或い
は光活性作用によって真皮内部の代謝機能を活性化させ
る。これによって皮膚のはりや弾力性も回復でき、しわ
も必然的に解消して表皮の新陳代謝も促進される。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光照射に
よりしわ取り治療を行う、しわ取り用レーザー治療器に
関する。 【0002】 【従来の技術】皮膚の老化、しわの発生メカニズムは次
のように考えられている。皮膚は表面より順に表皮、真
皮、皮下組織と呼ばれ層になって構成されている。この
三つの層に於いてしわ発生に大きく関わっているのが真
皮であり、この中には主としてコラーゲンとエラスチン
というタンパク質からなる2種類の線維が網目状に詰ま
っている。又、これら線維の隙間にはゼリー状で保水力
に優れたヒアルロン酸が満たされ、皮膚の内側よりバネ
のような役割を果たし、はりや弾力を出している。 【0003】しかし、加齢と共に或いは紫外線によるダ
メージによって、コラーゲンとエラスチンの構造が崩
れ、保湿成分であるヒアルロン酸も減少し、皮膚がはり
や弾力を失いしわが発生する。これは真皮層に存在し
て、コラーゲン、エラスチン、ヒアルロン酸等の産生、
分解を制御する線維芽細胞の機能が低下するためでもあ
る。 【0004】一般的に、しわをはじめとする皮膚の老化
現象を少しでも遅らせようとするものとして、化粧用ク
リーム及び美容液等の皮膚化粧料があるが、一時的な効
果で持続しないものがほとんどである。次に、外科的な
治療方法として、顔のしわなどの治療に対して行われ
る、フェイス・リフトと呼ばれる皮膚を引っ張り上げる
手術、或いはコラーゲン、ヒアルロン酸、ボトックス等
の物質を直接患部に注入する治療方法もある。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しわ取りを希望する人
にとって一時的なものでは満足できず、又、外科的な治
療方法では、人体にメスを入れたり注射針を使用したり
するなど肉体的に苦痛を伴うもので、治療を希望する人
にとって負担となり、躊躇する要因となっている。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明はこのような問題
を解消するために成されたものである。治療箇所の皮膚
表面に予め設定した波長のレーザー光を設定時間照射
し、その照射光の持つエネルギー、或いは光活性作用に
よって真皮内部のコラーゲン、エラスチン等に刺激を与
え、同時にその産生分解に深く関わる線維芽細胞にも刺
激を与える。 【0007】又、皮膚表面に於いては熱による火傷を防
止するためにコンピュータ制御による冷却が行われる。
このような過程が繰り返されることによって、真皮内部
の機能は活性化し、これによって表皮の新陳代謝も促進
され、皮膚のはりや弾力性も回復ししわも解消される。 【0008】前述したレーザー光は波長600nm〜1
500nmのレーザー光を使用する。尚、このレーザー
光には皮膚内深部まで到達する性質と、低出力領域に於
いて光活性作用のあることが確認されている。患部を冷
却するために冷却ガス又は、冷却空気或いは冷却水を発
生させる装置又は、ペルチェ素子を具備している。又、
患部の冷却方法として冷却ジェル等を表皮に塗布して冷
却してもよいし、前述冷却装置と併用してもよい。 【0009】 【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態のし
わ取り用レーザー治療器を示している。本体フレーム1
1にはレーザー光発生装置用の電源とその冷却装置及び
制御用のコンピュータと表皮冷却装置が収容されてい
る。レーザー光発生装置は本体フレーム11に収容され
る場合とハンドピース13に収容される場合とがある。
レーザー光発生装置が本体に収容されている場合は、ケ
ーブル12にはレーザー光を伝達する光ファイバーが収
容されている。 【0010】レーザー光発生装置がハンドピース13に
収容されている場合は、ケーブル12にはレーザー光発
生装置を冷却するための冷却水用ホースが収容されてい
ることがある。又、ケーブル12には、表皮冷却用の冷
却ガス又は、冷却空気又は、冷却水用のホース及び制御
線、電源線が収容されている。ハンドピース13の先端
にはレーザー光を収束する光学系14があり、光学系1
4の先端から収束されたレーザー光が設定された時間、
患部に照射される。 【0011】図2はハンドピース13の先端に設置され
た光学系14の一例を示す。600nm〜1500nm
のレーザー光又は、フラッシュランプ光15はレンズ1
6で収束されて患部の表皮20に照射される。光照射に
より患部の表皮が火傷などの損傷を起こさないように、
照射される寸前に冷却ガス又は、冷却された空気がパイ
プ17を介して設定した時間噴射され、表皮の温度を5
℃以下に冷却する。噴射される面積19は収束光の面積
18より若干広く設定している。 【0012】図3は患部の表皮20を冷却する別の方式
を示す。患部の表皮と接触する部分が平面又は、凸面の
形状である接触部21は固定金具22を介してペルチェ
素子23で5℃以下に冷却する。接触部21はサファイ
ア、溶融シリカ、又は、同様に光学的に透明なガラス又
は、プラスチックのような高密度の材料でできたもので
あることが好ましい。ペルチェ素子23の代わりに冷却
水又は、冷却ガス、冷却空気を供給して接触部21を冷
却してもよい。 【0013】図4は患部の表皮20を冷却する別の方式
を示す。レンズ16及び接触部21は、冷却水又は、気
体のような流体が出入りするために入り口25及び出口
26の双方を有するハウジング24内に配置されてい
る。ハウジング24内に冷却された流体を流すことによ
って接触部を冷却し、患部の表皮は5℃以下に冷却され
る。 【0014】患部の表皮を冷却する方法は、この他に冷
却ジェルを表皮に塗布する方法があり冷却ジェルは、冷
却ジェルのみを塗布する場合と表皮冷却装置と併用する
場合がある。 【0015】波長600nm〜1500nmのレーザー
光は、皮膚内部組織に侵達し易く1〜5mmの侵達長が
あり、低出力領域において光活性作用のあることが知ら
れている。この光活性作用により真皮内部の線維芽細胞
が刺激を受け、その細胞が本来有している機能が活性化
する。 【0016】本実施形態の一つによれば、照射光はパル
ス発光(QCW)を使用し、そのエネルギー出力は最小
6J/cm2最大60J/cm2とし、光学系で1mm
角〜10mm角又は直径1mm〜10mm程度のスポッ
トに収束して患部に照射する。照射時間は患部の状態に
合わせて選択する。 【0017】 【発明の効果】以上詳述したように本発明のしわ取り用
レーザー治療器によれば、しわ取り治療を希望する人
に、一時的なしわ取りではなく、肉体的に苦痛を伴う外
科的な治療方法でもない、自身の皮膚組織である細胞の
活性化によるしわの解消という、安心できるしわ取り治
療が可能となる。
よりしわ取り治療を行う、しわ取り用レーザー治療器に
関する。 【0002】 【従来の技術】皮膚の老化、しわの発生メカニズムは次
のように考えられている。皮膚は表面より順に表皮、真
皮、皮下組織と呼ばれ層になって構成されている。この
三つの層に於いてしわ発生に大きく関わっているのが真
皮であり、この中には主としてコラーゲンとエラスチン
というタンパク質からなる2種類の線維が網目状に詰ま
っている。又、これら線維の隙間にはゼリー状で保水力
に優れたヒアルロン酸が満たされ、皮膚の内側よりバネ
のような役割を果たし、はりや弾力を出している。 【0003】しかし、加齢と共に或いは紫外線によるダ
メージによって、コラーゲンとエラスチンの構造が崩
れ、保湿成分であるヒアルロン酸も減少し、皮膚がはり
や弾力を失いしわが発生する。これは真皮層に存在し
て、コラーゲン、エラスチン、ヒアルロン酸等の産生、
分解を制御する線維芽細胞の機能が低下するためでもあ
る。 【0004】一般的に、しわをはじめとする皮膚の老化
現象を少しでも遅らせようとするものとして、化粧用ク
リーム及び美容液等の皮膚化粧料があるが、一時的な効
果で持続しないものがほとんどである。次に、外科的な
治療方法として、顔のしわなどの治療に対して行われ
る、フェイス・リフトと呼ばれる皮膚を引っ張り上げる
手術、或いはコラーゲン、ヒアルロン酸、ボトックス等
の物質を直接患部に注入する治療方法もある。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しわ取りを希望する人
にとって一時的なものでは満足できず、又、外科的な治
療方法では、人体にメスを入れたり注射針を使用したり
するなど肉体的に苦痛を伴うもので、治療を希望する人
にとって負担となり、躊躇する要因となっている。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明はこのような問題
を解消するために成されたものである。治療箇所の皮膚
表面に予め設定した波長のレーザー光を設定時間照射
し、その照射光の持つエネルギー、或いは光活性作用に
よって真皮内部のコラーゲン、エラスチン等に刺激を与
え、同時にその産生分解に深く関わる線維芽細胞にも刺
激を与える。 【0007】又、皮膚表面に於いては熱による火傷を防
止するためにコンピュータ制御による冷却が行われる。
このような過程が繰り返されることによって、真皮内部
の機能は活性化し、これによって表皮の新陳代謝も促進
され、皮膚のはりや弾力性も回復ししわも解消される。 【0008】前述したレーザー光は波長600nm〜1
500nmのレーザー光を使用する。尚、このレーザー
光には皮膚内深部まで到達する性質と、低出力領域に於
いて光活性作用のあることが確認されている。患部を冷
却するために冷却ガス又は、冷却空気或いは冷却水を発
生させる装置又は、ペルチェ素子を具備している。又、
患部の冷却方法として冷却ジェル等を表皮に塗布して冷
却してもよいし、前述冷却装置と併用してもよい。 【0009】 【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態のし
わ取り用レーザー治療器を示している。本体フレーム1
1にはレーザー光発生装置用の電源とその冷却装置及び
制御用のコンピュータと表皮冷却装置が収容されてい
る。レーザー光発生装置は本体フレーム11に収容され
る場合とハンドピース13に収容される場合とがある。
レーザー光発生装置が本体に収容されている場合は、ケ
ーブル12にはレーザー光を伝達する光ファイバーが収
容されている。 【0010】レーザー光発生装置がハンドピース13に
収容されている場合は、ケーブル12にはレーザー光発
生装置を冷却するための冷却水用ホースが収容されてい
ることがある。又、ケーブル12には、表皮冷却用の冷
却ガス又は、冷却空気又は、冷却水用のホース及び制御
線、電源線が収容されている。ハンドピース13の先端
にはレーザー光を収束する光学系14があり、光学系1
4の先端から収束されたレーザー光が設定された時間、
患部に照射される。 【0011】図2はハンドピース13の先端に設置され
た光学系14の一例を示す。600nm〜1500nm
のレーザー光又は、フラッシュランプ光15はレンズ1
6で収束されて患部の表皮20に照射される。光照射に
より患部の表皮が火傷などの損傷を起こさないように、
照射される寸前に冷却ガス又は、冷却された空気がパイ
プ17を介して設定した時間噴射され、表皮の温度を5
℃以下に冷却する。噴射される面積19は収束光の面積
18より若干広く設定している。 【0012】図3は患部の表皮20を冷却する別の方式
を示す。患部の表皮と接触する部分が平面又は、凸面の
形状である接触部21は固定金具22を介してペルチェ
素子23で5℃以下に冷却する。接触部21はサファイ
ア、溶融シリカ、又は、同様に光学的に透明なガラス又
は、プラスチックのような高密度の材料でできたもので
あることが好ましい。ペルチェ素子23の代わりに冷却
水又は、冷却ガス、冷却空気を供給して接触部21を冷
却してもよい。 【0013】図4は患部の表皮20を冷却する別の方式
を示す。レンズ16及び接触部21は、冷却水又は、気
体のような流体が出入りするために入り口25及び出口
26の双方を有するハウジング24内に配置されてい
る。ハウジング24内に冷却された流体を流すことによ
って接触部を冷却し、患部の表皮は5℃以下に冷却され
る。 【0014】患部の表皮を冷却する方法は、この他に冷
却ジェルを表皮に塗布する方法があり冷却ジェルは、冷
却ジェルのみを塗布する場合と表皮冷却装置と併用する
場合がある。 【0015】波長600nm〜1500nmのレーザー
光は、皮膚内部組織に侵達し易く1〜5mmの侵達長が
あり、低出力領域において光活性作用のあることが知ら
れている。この光活性作用により真皮内部の線維芽細胞
が刺激を受け、その細胞が本来有している機能が活性化
する。 【0016】本実施形態の一つによれば、照射光はパル
ス発光(QCW)を使用し、そのエネルギー出力は最小
6J/cm2最大60J/cm2とし、光学系で1mm
角〜10mm角又は直径1mm〜10mm程度のスポッ
トに収束して患部に照射する。照射時間は患部の状態に
合わせて選択する。 【0017】 【発明の効果】以上詳述したように本発明のしわ取り用
レーザー治療器によれば、しわ取り治療を希望する人
に、一時的なしわ取りではなく、肉体的に苦痛を伴う外
科的な治療方法でもない、自身の皮膚組織である細胞の
活性化によるしわの解消という、安心できるしわ取り治
療が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるしわ取り用レーザー
治療器の概念図 【図2】図1に使用されるの光学系の一例を示す。 【図3】患部の表皮を冷却する方式の一例を示す。 【図4】患部の表皮を冷却する別の方式を示す。 【符号の説明】 11 本体フレーム 12 ケーブル 13 ハンドピース 14 光学系 15 600nm〜1500nmの光 16 レンズ 17 パイプ 18 収束光の面積 19 噴射される面積 20 表皮 21 接触部 22 固定金具 23 ペルチェ素子 24 ハウジング 25 入り口 26 出口
治療器の概念図 【図2】図1に使用されるの光学系の一例を示す。 【図3】患部の表皮を冷却する方式の一例を示す。 【図4】患部の表皮を冷却する別の方式を示す。 【符号の説明】 11 本体フレーム 12 ケーブル 13 ハンドピース 14 光学系 15 600nm〜1500nmの光 16 レンズ 17 パイプ 18 収束光の面積 19 噴射される面積 20 表皮 21 接触部 22 固定金具 23 ペルチェ素子 24 ハウジング 25 入り口 26 出口
フロントページの続き
Fターム(参考) 4C026 AA01 BB08 DD02 DD03 DD06
FF22 FF33 FF39 FF59
4C082 RA01 RC09 RE22 RE24 RE34
RE36 RG02 RG03 RG06
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】半導体レーザー光を使用して、皮膚組織に
おける真皮層を活性化させ、該組織が有する代謝機能を
向上させることを特徴とした、しわ取り用レーザー治療
器
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001275770A JP2003052843A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | しわ取り用レーザー治療器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001275770A JP2003052843A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | しわ取り用レーザー治療器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003052843A true JP2003052843A (ja) | 2003-02-25 |
Family
ID=19100576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001275770A Pending JP2003052843A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | しわ取り用レーザー治療器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003052843A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008536653A (ja) * | 2005-04-22 | 2008-09-11 | サイノシュア・インコーポレーテッド | 断面強度分布が不均一な出力ビームを用いたレーザによる処置方法およびシステム |
US8915948B2 (en) | 2002-06-19 | 2014-12-23 | Palomar Medical Technologies, Llc | Method and apparatus for photothermal treatment of tissue at depth |
US9028536B2 (en) | 2006-08-02 | 2015-05-12 | Cynosure, Inc. | Picosecond laser apparatus and methods for its operation and use |
CN106730403A (zh) * | 2017-01-05 | 2017-05-31 | 海南瑞韩医学美容医院管理有限公司海口龙华京华城红妆医学美容门诊部 | 一种痤疮治疗器 |
US9780518B2 (en) | 2012-04-18 | 2017-10-03 | Cynosure, Inc. | Picosecond laser apparatus and methods for treating target tissues with same |
US10245107B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-02 | Cynosure, Inc. | Picosecond optical radiation systems and methods of use |
US11418000B2 (en) | 2018-02-26 | 2022-08-16 | Cynosure, Llc | Q-switched cavity dumped sub-nanosecond laser |
-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001275770A patent/JP2003052843A/ja active Pending
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US10556123B2 (en) | 2002-06-19 | 2020-02-11 | Palomar Medical Technologies, Llc | Method and apparatus for treatment of cutaneous and subcutaneous conditions |
US10500413B2 (en) | 2002-06-19 | 2019-12-10 | Palomar Medical Technologies, Llc | Method and apparatus for treatment of cutaneous and subcutaneous conditions |
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US8317779B2 (en) | 2005-04-22 | 2012-11-27 | Cynosure, Inc. | Methods and systems for laser treatment using non-uniform output beam |
US8322348B2 (en) | 2005-04-22 | 2012-12-04 | Cynosure, Inc. | Methods and systems for laser treatment using non-uniform output beam |
JP2008536653A (ja) * | 2005-04-22 | 2008-09-11 | サイノシュア・インコーポレーテッド | 断面強度分布が不均一な出力ビームを用いたレーザによる処置方法およびシステム |
US10849687B2 (en) | 2006-08-02 | 2020-12-01 | Cynosure, Llc | Picosecond laser apparatus and methods for its operation and use |
US9028536B2 (en) | 2006-08-02 | 2015-05-12 | Cynosure, Inc. | Picosecond laser apparatus and methods for its operation and use |
US11712299B2 (en) | 2006-08-02 | 2023-08-01 | Cynosure, LLC. | Picosecond laser apparatus and methods for its operation and use |
US10966785B2 (en) | 2006-08-02 | 2021-04-06 | Cynosure, Llc | Picosecond laser apparatus and methods for its operation and use |
US11095087B2 (en) | 2012-04-18 | 2021-08-17 | Cynosure, Llc | Picosecond laser apparatus and methods for treating target tissues with same |
US10581217B2 (en) | 2012-04-18 | 2020-03-03 | Cynosure, Llc | Picosecond laser apparatus and methods for treating target tissues with same |
US9780518B2 (en) | 2012-04-18 | 2017-10-03 | Cynosure, Inc. | Picosecond laser apparatus and methods for treating target tissues with same |
US11664637B2 (en) | 2012-04-18 | 2023-05-30 | Cynosure, Llc | Picosecond laser apparatus and methods for treating target tissues with same |
US10305244B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-05-28 | Cynosure, Llc | Picosecond laser apparatus and methods for treating target tissues with same |
US10765478B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-09-08 | Cynosurce, Llc | Picosecond optical radiation systems and methods of use |
US10245107B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-02 | Cynosure, Inc. | Picosecond optical radiation systems and methods of use |
US10285757B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-05-14 | Cynosure, Llc | Picosecond optical radiation systems and methods of use |
US11446086B2 (en) | 2013-03-15 | 2022-09-20 | Cynosure, Llc | Picosecond optical radiation systems and methods of use |
CN106730403A (zh) * | 2017-01-05 | 2017-05-31 | 海南瑞韩医学美容医院管理有限公司海口龙华京华城红妆医学美容门诊部 | 一种痤疮治疗器 |
US11418000B2 (en) | 2018-02-26 | 2022-08-16 | Cynosure, Llc | Q-switched cavity dumped sub-nanosecond laser |
US11791603B2 (en) | 2018-02-26 | 2023-10-17 | Cynosure, LLC. | Q-switched cavity dumped sub-nanosecond laser |
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