JP2003048984A - ウェーブガイドおよび組成物 - Google Patents

ウェーブガイドおよび組成物

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    • C08L83/06Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】シルセスキオキサンよりなる光ウエーブガイド
用組成物を提供する。 【解決手段】重合単位として式(RSiO1.5)(式
中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒドロキシベンジ
ルから選択される)のモノマーを含むシルセスキオキサ
ンオリゴマーで、光活性成分を含み、該シルセスキオキ
サンオリゴマーの溶解度が露光すると変わるフォトデイ
ファイナブル組成物及び該フォトデイファイナブル組成
物を用いた光ウエーブガイド及び光ウエーブガイドを含
む電子デバイス。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、一般にウェーブガイド(wav
eguide)の分野に関する。特に、本発明は光ウェ
ーブガイドとして有用なフォトディファイナブルシルセ
スキオキサン組成物に関する。
【0002】データおよび情報の伝達において光はます
ます重要になってきている。たとえば、多くの用途にお
いて光ファイバーケーブルが従来の電線に取って代わっ
てきている。かかる情報を伝送する光を取り込み、伝達
し、配送するためには、ガイドおよびスイッチが必要で
ある。
【0003】光ウェーブガイドは個々に用いることがで
き、また基体上に支持されたアレイ(array)とし
て用いることができる。このようなウェーブガイドは、
典型的にはコア物質およびクラッディング層を含む。光
はコア物質中で伝搬され、コア物質よりも屈折率が低い
クラッディング層に含まれる。平面的光ウェーブガイド
は二次元基体表面を横切って光を伝達するように設計さ
れている。この装置は、通常、特定の経路において入力
シグナルから出力シグナルを修飾するために、光につい
て受動的機能を果たす。たとえば、スプリッターは1つ
のウェーブガイドにおける光シグナルを2またはそれ以
上のウェーブガイドに分割する。カップラーは、2また
はそれ以上のウェーブガイドからの光シグナルをより少
数のウェーブガイドに加える。スペクトルフィルター、
ポーラライザーおよびアイソレーターをウェーブガイド
の設計に組み込むことができる。波長分割多重(「WD
M」)構造は、通常、層アレイデザインまたはグレーテ
ィングのいずれかを用いることにより、入力光シグナル
をスペクトル的に別個の出力ウェーブガイドに分ける。
平面的光ウェーブガイドは、1つのプラットフォーム上
に複数の機能を含む点において特に有利である。
【0004】ウェーブガイドは活性な機能も含むことが
でき、すなわち、入力シグナルが第二の光または電気シ
グナルとの相互作用により変更される。活性機能の例と
しては、たとえば、電気−光、熱−光または音−光装置
での増幅およびスイッチングが挙げられる。
【0005】光ウェーブガイドとしての使用に適した多
くの構造、特に、シロキサンまたはシルセスキオキサン
から調製されるものが知られている。たとえば、WO9
7/24223(Risenら)は、高度にカルボキシ
ル化されたポリシロキサンの使用を開示している。かか
る物質は、メチルまたはビニル側鎖を含む場合、フリー
ラジカル光開始剤の存在下で光分解により架橋して、不
溶性シロキサンフィルムまたはパターンを形成すること
ができる。未架橋物質をその後、有機溶剤で除去するこ
とができる。残存する架橋物質をその後、熱により酸化
させて、光ウェーブガイドとして有用なパターン化され
たシリカフィルムが形成される。
【0006】米国特許第6144795号(Dawes
ら)は、トランスファープリント技術またはエンボス技
術のいずれかを用いて平面光ウェーブガイドコアを形成
する方法を開示している。コアおよびクラッディング物
質の少なくとも1つを有するこのようなウェーブガイド
は、珪素および酸素原子を含む拡大されたマトリックス
を包含する無機−有機ハイブリッドであり、珪素原子の
少なくとも一部は、置換または非置換炭化水素部分と直
接結合している。炭化水素部分は、アルキルまたはアリ
ールのいずれかである。メチルおよびフェニルのみが具
体的に開示されている炭化水素基である。
【0007】米国特許第6087064号(Linら)
は、フォトレジスト組成物において有用なある種のシル
セスキオキサンポリマーを開示している。該フォトレジ
スト組成物は、30〜90重量%の式(RSiO
1.5−(RSiO1.5(式中、nおよび
mは0より大きく、Rはアルキル基中に少なくとも2
個の炭素原子を有するヒドロキシフェニルアルキルであ
り、Rはアルキル、シクロアルキル、およびアリール
からなる群から選択される)のシルセスキオキサンポリ
マー;および70〜10重量%の非シルセスキオキサン
ポリマーを含む。ウェーブガイド、ウェーブガイドの製
造法のどちらもこの特許においては開示されていない。
【0008】ウェーブガイドの公知製造方法は、1)ガ
ラスファイバーを基体上の中空部分中に手作業で入れ
る;2)所望の構造の型にポリマー材料を充填し、これ
を熱硬化させ、その後、型から取り出す;および3)バ
ルクウェーブガイド物質を基体上に堆積させ、バルク物
質をフォトレジストでコーティングし、フォトレジスト
をイメージ化し、望ましくないバルク物質をエッチング
により除去し、その後、フォトレジストを除去すること
を含む。これらのプロセスのそれぞれは、ウェーブガイ
ドを画定するために複数の工程を必要とすること、潜在
的な側壁の粗さ、分解能が限定されることおよび労働コ
ストが増大していることなどの欠点を有している。
【0009】したがって、公知プロセスよりも必要とさ
れる工程が少なく、分解能がより良好で、側壁粗さが少
ないウェーブガイドの製造法が必要とされている。
【0010】意外にも、本発明のリソグラフィー法によ
りウェーブガイドを容易に調製できることが見いだされ
た。さまざまなウェーブガイド構造を本発明により調製
することができる。
【0011】第一の態様において、本発明は、重合単位
として(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフ
ェニルまたはヒドロキシベンジルから選択される)のモ
ノマーを含むシルセスキオキサンオリゴマー;および光
活性成分を含み、該シルセスキオキサンオリゴマーの溶
解度が化学線で露光することにより変更されるフォトデ
ィファイナブル組成物を提供する。
【0012】第二の態様において、本発明は、a)重合
単位として式(RSiO1.5)(式中、Rはヒドロキ
シフェニルまたはヒドロキシフェニル(C−C)ア
ルキルから選択される)のモノマーを含むシルセスキオ
キサンオリゴマー;および光活性成分を含むフォトディ
ファイナブル組成物の層を基体上に堆積させる段階;お
よびb)該組成物を化学線で露光して光ウェーブガイド
を形成する段階を含む、光ウェーブガイドの製造法を提
供する。
【0013】第三の態様において、本発明はコアおよび
クラッディングを含む光ウェーブガイドであって、コア
およびクラッディングの少なくとも1つが重合単位とし
て式(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフェ
ニルまたはヒドロキシフェニル(C−C)アルキル
から選択される)のモノマーを含むシルセスキオキサン
ポリマーを含む光ウェーブガイドを提供する。
【0014】第四の態様において、本発明はコアおよび
クラッディングを含む1またはそれ以上の光ウェーブガ
イドを含む電子デバイスであって、コアおよびクラッデ
ィングの少なくとも1つが、重合単位として式(RSi
1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒ
ドロキシフェニル(C−C)アルキルから選択され
る)のモノマーを含むシルセスキオキサンポリマーを含
む電子デバイスを提供する。
【0015】第五の態様において、本発明は、重合単位
として式(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシ
フェニルまたはヒドロキシベンジルから選択される)の
モノマーを含むシルセスキオキサンオリゴマー;1また
はそれ以上の架橋剤;および光活性成分を含むフォトデ
ィファイナブル組成物であって、該シルセスキオキサン
オリゴマーの溶解度が化学線で露光することにより変更
される組成物を提供する。
【0016】第六の態様において、本発明は、a)重合
単位として式(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロ
キシフェニルまたはヒドロキシベンジルから選択され
る)のモノマーを含むシルセスキオキサンオリゴマー;
1またはそれ以上の有機架橋剤;および光活性成分を含
むフォトディファイナブル組成物の層を基体上に堆積さ
せる段階;およびb)該組成物を化学線で露光して光ウ
ェーブガイドを形成する段階を含む、光ウェーブガイド
の製造法を提供する。
【0017】第七の態様において、本発明はコアおよび
クラッディングを含む光ウェーブガイドであって、コア
およびクラッディングの少なくとも1つは、重合単位と
して式(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフ
ェニルまたはヒドロキシベンジルから選択される)のモ
ノマーを含むシルセスキオキサンポリマー;および1ま
たはそれ以上の有機架橋剤を含むウェーブガイドを提供
する。
【0018】第八の態様において、本発明は、コアおよ
びクラッディングを含み、該コアおよびクラッディング
の少なくとも1つは重合単位として式(RSi
1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒ
ドロキシベンジルから選択される)のモノマーを含むシ
ルセスキオキサンポリマー;および1またはそれ以上の
有機架橋剤を含む1またはそれ以上のウェーブガイドを
含む電子デバイスを提供する。
【0019】本明細書において使用する場合、以下の略
号は特記しない限り以下の意味を有する:℃=摂氏度;
wt%=重量パーセント;mJ=ミリジュール;μm=
ミクロン=マイクロメートル;nm=ナノメートル;c
m=センチメートル;in.=インチ;N=規定;rp
m=1分間あたりの回転数;mil=0.001イン
チ。
【0020】「オリゴマー」とは、二量体、三量体、四
量体などを意味する。「ポリマー」なる用語は、オリゴ
マー、二量体、三量体、四量体などを包含し、ホモポリ
マーおよびコポリマーのどちらも意味する。「クロスリ
ンカー」および「架橋剤」なる用語は本明細書において
交換可能に用いられる。「樹脂」および「ポリマー」は
本明細書において交換可能に用いられる。「アルキル」
なる用語は、直鎖、分枝および環状アルキルを意味す
る。「ハロゲン」および「ハロ」なる用語は、フッ素、
塩素、臭素、およびヨウ素を包含する。したがって、
「ハロゲン化」なる用語は、フッ素化、塩素化、臭素
化、およびヨウ素化を意味する。「フルオロアルキル」
とは、部分的フッ素化および過フッ素化アルキルのどち
らも意味する。
【0021】特記しない限り、すべての量は重量パーセ
ントであり、すべての比は重量比である。このような数
の範囲が合計して100%になることが明らかである場
合以外は、すべての数の範囲は両端を含み、任意の順序
で組合せ可能である。
【0022】本発明は、重合単位として式(RSiO
1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒド
ロキシベンジルから選択される)のモノマーを含むシル
セスキオキサンオリゴマー;および光活性成分を含み、
該シルセスキオキサンオリゴマーの溶解度が化学線で露
光することにより変更されるフォトディファイナブル組
成物を提供する。シルセスキオキサンオリゴマー上の有
機部分は、架橋反応することができる1またはそれ以上
のヒドロキシル基を含む。このようなフォトディファイ
ナブル組成物はネガ型である。有機部分はヒドロキシベ
ンジルであるのが好ましい。
【0023】シルセスキオキサンオリゴマーがホモオリ
ゴマーであってよい、すなわち、1つのモノマーだけを
含んでもよいし、またはコオリゴマーであってもよい、
すなわち、2またはそれ以上のモノマーを含んでもよい
ことは当業者には理解できるであろう。1つだけモノマ
ーを用いる場合、本発明のシルセスキオキサンオリゴマ
ーは一般式(RSiO1.5(式中、Rはヒド
ロキシフェニルまたはヒドロキシベンジルであり、nは
0よりも大きい)を有する。1より多くのシルセスキオ
キサンモノマーを用いる場合、少なくとも1つのシルセ
スキオキサンモノマーは有機部分としてヒドロキシフェ
ニルまたはヒドロキシベンジルを含み、より好ましくは
ヒドロキシベンジルを含む。2以上のモノマーを使用す
る場合、このような第二のモノマーは、一般式(R
iO1.5(式中、Rは、ヒドロキシフェニルま
たはヒドロキシフェニル(C−C)アルキル、フェ
ニル、ハロフェニル、(C−C10)アルキルフェニ
ル、(C−C10)フルオロアルキルフェニル、(C
−C10)アルキルまたは(C−C10)フルオロ
アルキルであり、mは0よりも大きい)を有するのが好
ましい。このようなR基は所望により置換されていて
もよい。「置換」とは、アルキルおよび/またはフェニ
ル基上の1またはそれ以上の水素が、ヒドロキシル、
(C−C10)アルコキシ、(C−C10)アルキ
ルカルボニル、(C−C10)アルコキシカルボニ
ル、(C−C10)アルキルカルボニルオキシなどの
他の置換基で置換されていることを意味する。したがっ
て、2以上のシルセスキオキサンモノマーを含む特に適
当なシルセスキオキサンオリゴマーは、(RSiO
1.5(RSiO1.5(式中、R
、nおよびmは前記定義のとおりである)を含むも
のである。2以上のシルセスキオキサンモノマーを用い
る場合、少なくとも1つの有機部分は、ヒドロキシベン
ジルまたはヒドロキシフェニルエチルから選択されるの
が好ましい。さらに、3またはそれ以上のシルセスキオ
キサンモノマーが本発明のシルセスキオキサンオリゴマ
ー中に存在してもよいと理解される。
【0024】別の例において、一般式(RSiO
1.5(式中、Rはヒドロキシフェニルまたはヒ
ドロキシベンジルであり、nは0よりも大きい)のシル
セスキオキサンオリゴマーと1またはそれ以上のオリゴ
マーのブレンドが適当に用いられる。このような他のオ
リゴマーはシルセスキオキサンオリゴマー、たとえば、
式(RSiO1.5(式中、Rはヒドロキシフ
ェニル、ヒドロキシフェニル(C−C)アルキル、
フェニル、ハロフェニル、(C−C10)アルキルフ
ェニル、(C−C10)フルオロアルキルフェニル、
(C−C10)アルキルまたは(C−C10)フル
オロアルキルであり、mは0より大きい)を含むもの、
シロキサンオリゴマー、あるいは有機(非−珪素含有)
オリゴマーであってもよい。
【0025】本発明のシルセスキオキサンのヒドロキシ
フェニルおよびヒドロキシフェニル(C−C)アル
キル部分は、少なくとも1つのヒドロキシル基を含み、
2、3またはそれ以上のヒドロキシ基を含んでもよい。
このようなヒドロキシフェニルおよびヒドロキシフェニ
ル(C−C)アルキル部分は、さらに置換されてい
てもよい。「置換ヒドロキシフェニル」とは、1または
それ以上のフェニル水素が別の置換基で置換されている
ことを意味する。同様に、「置換ヒドロキシフェニル
(C−C)アルキル」とは、フェニルおよび/また
はアルキル基の1またはそれ以上の水素が他の置換基で
置換されていることを意味する。適当な置換基として
は、重水素、ハロゲン、好ましくはフッ素、(C−C
)アルキル、(C−C)ハロアルキルなどが挙げ
られる。一例において、本発明のシルセスキオキサンオ
リゴマーは、カルボン酸およびスルホン酸基などの酸含
有基を含まないのが好ましい。他の例においては、この
ような酸含有基が望ましい場合もある。
【0026】前記式において、nおよびmはシルセスキ
オキサンオリゴマーにおける繰り返し単位の数である。
本発明のシルセスキオキサンオリゴマーは広範囲の繰り
返し単位を含むことができる。したがって、nおよびm
は広範囲におよび、たとえば、1〜100000であ
る。好ましくは、nおよびmは独立して1〜5000
0、より好ましくは3〜10000、さらにより好まし
くは3〜1000である。したがって、シルセスキオキ
サンオリゴマーの分子量は広範囲に及ぶ。特に適当な分
子量は200〜100000の範囲であり、好ましくは
500〜25000、より好ましくは1000から20
000である。
【0027】光酸発生剤および光塩基発生剤を包含する
が、これに限定されないさまざまな光活性成分を本発明
において用いることができる。光酸発生剤が好ましい。
【0028】本発明において有用な光塩基発生剤は、典
型的には約320から420ナノメートルの波長の光に
露光すると塩基を放出する任意の化合物であるが、他の
波長が適当である場合もある。適当な光塩基発生剤とし
ては、これに限定されないが、ベンジルカルバメート、
ベンゾインカルバメート、O−カルバモイルヒドロキシ
アミン、O−カルバモイルオキシム、芳香族スルホンア
ミド、アルファ−ラクタム、N−(2−アリルエテニ
ル)アミド、アリールアジド化合物、N−アリールホル
ムアミド、および4−(オルト−ニトロフェニル)ジヒ
ドロピリジンが挙げられる。
【0029】本発明において有用な光酸発生剤は、典型
的には約320から420ナノメートル(他の波長が適
当である場合もある)の光に露光すると酸を放出する任
意の化合物である。適当な光酸発生剤としては、これに
限定されないが、ハロゲン化トリアジン、オニウム塩、
およびスルホン化エステルが挙げられる。
【0030】特に有用なハロゲン化トリアジンとして
は、ハロメチル−s−トリアジンが挙げられる。適当な
ハロゲン化トリアジンとしては、たとえば、2−(1−
(3,4−ベンゾジオキソリル))−4,6−ビス(ト
リクロロメチル)−1,2,5−トリアジン、2−(1
−(2,3−ベンゾジオキソリル))−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−
(1−(3,4−ベンゾジオキソリル))−4,6−ビ
ス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2
−(1−(2,3−ベンゾジオキソリル))−4,6−
ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2−フルフィルエチリデン)−4,6−ビス(ト
リクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2
−(5−メチルフリル)エチリデン)−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−
(2−(4−メチルフリル)エチリデン)−4,6−ビ
ス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2
−(2−(3−メチルフリル)エチリデン)−4,6−
ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2−(4,5−ジメチルフリル)エチリデン)−
4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリ
アジン、2−(2−(5−メトキシフリル)エチリデ
ン)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5
−トリアジン、2−(2−(4−メトキシフリル)エチ
リデン)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,
3,5−トリアジン、2−(2−(3−メトキシフリ
ル)エチリデン)−4,6−ビス(トリクロロメチル)
−1,3,5−トリアジン、2−(2−(4,5−ジメ
トキシフリル)エチリデン)−4,6−ビス(トリクロ
ロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−フル
フィルエチリデン)−4,6−ビス(トリブロモメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−(5−メチ
ルフリル)エチリデン)−4,6−ビス(トリブロモメ
チル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−(4−メ
チルフリル)−エチリデン)−4,6−ビス(トリブロ
モメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−(3
−メチルフリル)エチリデン)−4,6−ビス(トリブ
ロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−
(4,5−ジメトキシフリル)エチリデン)−4,6−
ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2−(5−メトキシフリル)エチリデン−4,6
−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−(2−(4−メトキシフリル)エチリデン)−
4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリ
アジン、2−(2−(3−メトキシフリル)エチリデ
ン)−4,6−ビストリブロモメチル)−1,3,5−
トリアジン、2−(2−(4,5−ジメトキシフリル)
エチリデン)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−
1,3,5−トリアジン、2,4,6−tris−(ト
リクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,
6−tris−(トリブロモメチル)−1,3,5−ト
リアジン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメ
チル)−1,3,5−トリアジン、2−フェニル−4,
6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(ト
リクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4
−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリブロモメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−(1−ナフチル)
−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−ト
リアジン、2−(1−ナフチル)−4,6−ビス(トリ
ブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−
メトキシ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロロ
メチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキ
シ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリブロモメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−クロロフェ
ニル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,
5−トリアジン、2−スチリル−4,6−ビス(トリク
ロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−スチリル
−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−ト
リアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビ
ス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2
−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリブロ
モメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4,
5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロ
ロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4,
5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリブロ
モメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3−クロ
ロ−1−フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−(3−クロロフェ
ニル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,
5−トリアジンなどが挙げられる。本発明において有用
な他のトリアジンタイプの光酸発生剤は、米国特許第5
366846号に開示され、本発明の一部として参照さ
れる。
【0031】s−トリアジン化合物は、ある種のメチル
−ハロメチル−s−トリアジンとある種のアルデヒドま
たはアルデヒド誘導体との縮合反応生成物である。この
ようなs−トリアジン化合物は、米国特許第39544
75号およびWakabayashiら、Bullet
in of the Chemical Societ
y of Japan,42,2924−30(196
9)に開示されている方法により調製することができ
る。
【0032】弱求核アニオンとのオニウム塩は、本発明
において光酸発生剤として使用するのに特に適してい
る。このようなアニオンの例は、たとえば、アンチモ
ン、スズ、鉄、ビスマス、アルミニウム、ガリウム、イ
ンジウム、チタン、ジルコニウム、スカンジウム、クロ
ム、ハフニウム、銅,ホウ素、燐および砒素などの二価
から六価金属または非金属とのハロゲン複合体アニオン
である。適当なオニウム塩の例としては、これに限定さ
れないが、ジアリール−ジアゾニウム塩および周期律表
のVAおよびB、IIAおよびBならびにI群のオニウ
ム塩、たとえば、ハロニウム塩、第四アンモニウム塩、
ホスホニウムおよびアルソニウム塩、芳香族スルホニウ
ム塩およびスルホキソニウム塩またはセレニウム塩が挙
げられる。適当なオニウム塩の例は、米国特許第444
2197号;第4603101号;および第46249
12号に開示され、これらはすべて本発明の一部として
参照される。スルホニウム塩、たとえば、トリフェニル
スルホニウムヘキサフルオロホスフェートが好ましい。
【0033】本発明において光酸発生剤として有用なス
ルホン化エステルとしては、スフホニルオキシケトンが
挙げられる。適当なスルホン化エステルとしては、これ
に限定されないが:ベンゾイントシレート、t−ブチル
フェニルアルファ−(p−トルエンスルホニルオキシ)
−アセテート、およびt−ブチルアルファ−(p−トル
エンスルホニルオキシ)−アセテートが挙げられる。こ
のようなスルホン化エステルは、Journal of
Photopolymer Scienceand
Technology,vol4,No.3347−3
40(1991)に開示され、これは本発明の一部とし
て参照される。
【0034】本発明において有用な光活性成分の量は、
シルセスキオキサンオリゴマーの架橋を触媒するのに十
分な量である。光活性成分は、典型的には組成物の重量
に基づいて0.1〜25重量%の範囲において用いられ
る。光活性成分が0.1〜15重量%の範囲の量におい
て存在するのが好ましく、0.1〜12重量%の範囲が
より好ましく、5重量%以下がさらによりにより好まし
い。特に適当な範囲は0.1〜5重量%である。
【0035】本発明の組成物は、所望により1またはそ
れ以上の有機架橋剤を含んでもよい。シルセスキオキサ
ンオリゴマーと反応する任意の芳香族または脂肪族架橋
剤が本発明において使用するのに適している。このよう
な有機架橋剤は、硬化して、シルセスキオキサンオリゴ
マーと重合網状構造を形成し、選択された溶剤中の溶解
度を低下させる。このような有機架橋剤は、モノマーで
あってもよいし、ポリマーであってもよい。当業者ら
は、本発明において架橋剤は組み合わせて有効に用いら
れることを理解できるであろう。
【0036】本発明において有用な適当な有機架橋剤と
しては、これに限定されないが:アミン含有化合物、エ
ポキシ含有化合物、少なくとも2個のビニルエーテル基
を含む化合物、アリル置換芳香族化合物、およびその組
合せが挙げられる。好ましい架橋剤としては、アミン含
有化合物およびエポキシ含有物質が挙げられる。
【0037】本発明における架橋剤として有用なアミン
含有化合物としては、これに限定されないが、メラミン
モノマー、メラミンポリマー、アルキロールメチルメラ
ミン、ベンゾグアナミン樹脂、ベンゾグアナミン−ホル
ムアルデヒド樹脂、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、グリ
コールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、およびその組合
せが挙げられる。これらの樹脂は、アルコール含有溶液
中アクリルアミドまたはメタクリルアミドコポリマーと
ホルムアルデヒドとの反応により、あるいは別法とし
て、N−アルコキシメチルアクリルアミドまたはメタク
リルアミドを他の適当なモノマーと共重合させることに
より調製することができる。特に適当なアミン−ベース
のクロスリンカーとしては、Cytec of Wes
t Paterson,New Jerseyにより製
造されるメラミン、たとえば、CYMEL300、30
1、303、350、370、380、1116および
1130;ベンゾグアナミン樹脂、たとえば、CYME
L1123および1125;グリコールウリル樹脂CY
MEL1170、1171および1172;ならびに尿
素系樹脂BEETLE60、65および80(Cyte
c,West Paterson,New Jerse
yから入手可能)が挙げられる。多数の同様のアミン系
化合物がさまざまな供給業者から商業的に入手可能であ
る。
【0038】メラミンが好ましいアミン系クロスリンカ
ーである。特に好ましいのは、アルキロールメチルメラ
ミン樹脂である。これらの樹脂は、典型的にはエーテ
ル、たとえば、トリアルキロールメチルメラミンおよび
ヘキサアルキロールメチルメラミンである。アルキル基
は、1〜8個またはそれ以上の炭素原子を有してもよい
が、メチルが好ましい。反応条件およびホルムアルデヒ
ドの濃度によって、メチルエーテルは互いに反応してさ
らに複雑な単位を形成することができる。
【0039】本発明においてクロスリンカーとして有用
なエポキシ含有物質は、開環により重合可能な1または
それ以上のオキシラン環を有する任意の有機化合物であ
る。このような物質は、一般にエポキシドと呼ばれ、こ
れに限定されないが:モノマーエポキシ化合物、および
脂肪族、脂環式、芳香族または複素環式化合物であって
もよいポリマーエポキシドが挙げられる。好ましいエポ
キシ架橋物質は、一般に一分子あたり平均して少なくと
も2個の重合性エポキシ基を有する。ポリマーエポキシ
ドとしては、末端エポキシ基を有する直鎖ポリマー(た
とえば、ポリオキシアルキレングリコールのジグリシジ
ルエーテル)、骨格オキシラン単位を有するポリマー
(たとえば、ポリブタジエンポリオキシド)、およびペ
ンダントエポキシ基を有するポリマー(たとえば、グリ
シジルメタクリレートポリマーまたはコポリマー)が挙
げられる。エポキシドは、純粋な化合物であってもよい
が、一般には1分子あたり1、2またはそれ以上のエポ
キシ基を含む混合物である。
【0040】有用なエポキシ含有物質は、低分子量モノ
マー物質およびオリゴマーから比較的高分子量のポリマ
ーまでさまざまであり、その主鎖および置換基の性質が
大きく異なる。たとえば、主鎖は任意の種類のものであ
ってもよく、置換基はオキシラン環と室温で反応する任
意の置換基を含まない任意の基である。適当な置換基と
しては、これに限定されないが:ハロゲン、エステル
基、エーテル、スルホネート基、シロキサン基、ニトロ
基、ホスフェート基などが挙げられる。
【0041】本発明において特に有用なエポキシ含有物
質としては、グリシジルエーテルが挙げられる。例は、
多価フェノールを過剰のクロロヒドリン、たとえば、エ
ピクロロヒドリン(たとえば、2,2−ビス−(2,3
−エポキシプロポキシフェノール)プロパンのジグリシ
ジルエーテル)と反応させることにより得られる多価フ
ェノールのグリシジルエーテルである。このようなグリ
シジルエーテルとしては、ビスフェノールAエポキシ
ド、たとえば、ビスフェノールAエトキシル化ジエポキ
シドが挙げられる。このタイプのエポキシドのさらなる
例は、米国特許第3018262号に開示され、該特許
がこのようなエポキシドの調製について記載している範
囲において本発明の一部として参照される。
【0042】本発明において有用な適当なエポキシドと
しては、これに限定されないが、エピクロロヒドリン、
グリシドール、グリシジルメタクリレート、p−ターシ
ャリーブチルフェノールのグリシジルエーテル(たとえ
ば、CelaneseからEPI−REZ5014の商
品名で入手可能なもの);ビスフェノールAのジグリシ
ジルエーテル(たとえば、Shell Chemica
l Co.からEPON828、EPON1004およ
びEPON1010の商品名で入手可能なもの;ならび
にDow Chemical Co.から得られるDE
R−331、DER−332およびDER−334)、
ビニルシクロヘキセンジオキシド(たとえば、Unio
n Carbide Corp.から得られるERL−
4206)、3,4−エポキシ−6−メチル−シクロヘ
キシルメチル−3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘ
キセンカルボキシレート(たとえば、Union Ca
rbide Corp.から得られるERL−420
1)、ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキ
シルメチル)アジペート(たとえば、Union Ca
rbide Corp.から得られるERL−428
9)、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテ
ル(たとえば、Union Carbide Cor
p.から得られるERL−0400)、ポリプロピレン
グリコールで変成された脂肪族エポキシ(たとえば、U
nion Carbide Corp.から得られるE
RL−4050およびERL−4269)、ジペンテン
ジオキシド(たとえば、Union Carbide
Corp.から得られるERL−4269)、難燃性エ
ポキシ樹脂(たとえば、Dow Chemical C
o.から得られる臭素化ビスフェノールタイプのエポキ
シ樹脂であるDER−580)、フェノールホルムアル
デヒドノボラックの1,4−ブタンジオールジグリシジ
ルエーテル(たとえば、Dow Chemical C
o.から得られるDEN−431およびDEN−43
8)、およびレゾルシノールジグリシジルエーテル(た
とえば、Koppers Company,Inc.か
ら得られるKOPOXITE)が挙げられる。
【0043】少なくとも2個のビニルエーテル基を含む
化合物としては、これに限定されないが、脂肪族、脂環
式、芳香族または芳香族脂肪族ジオールのジビニルエー
テルが挙げられる。このような物質の例としては、1〜
12個の炭素原子を有する脂肪族ジオール、ポリエチレ
ングリコール、プロピレングリコール、ポリブチレング
リコール、ジメチルシクロヘキサンなどのジビニルエー
テルが挙げられる。少なくとも2個のビニルエーテル基
を有する特に有用な化合物としては、エチレングリコー
ル、トリメチレン−1,3−ジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコ
ール、トリプロピレングリコール、レゾルシノール、ビ
スフェノールAなどのジビニルエーテルが挙げられる。
【0044】本発明においてクロスリンカーとして有用
な適当なアリル置換芳香族化合物は、1またはそれ以上
のアリル置換基を含むものである(すなわち、芳香族化
合物は1またはそれ以上の環の位置でアルキレン基のア
リル炭素で置換されている)。適当なアリル芳香族化合
物としては、アリルフェニル化合物、たとえば、アリル
フェノールが挙げられる。アリルフェノールクロスリン
カーは、1またはそれ以上のフェノール単位を含むモノ
マーまたはポリマーであり、該フェノール単位は1また
はそれ以上の環の位置でアルキレン基のアリル炭素によ
り置換されている。典型的には、アルキレン置換基は、
プロペニルであり、すなわち、フェノールは1またはそ
れ以上のプロペニル置換基を有する。好ましいアリルフ
ェノールとしては、フェノールおよびヒドロキシベンズ
アルデヒドおよびアリルハライド、たとえばアリルクロ
ライドの重縮合物が挙げられる。多数の適当なアリルフ
ェノールが商業的に入手可能であり、たとえば、Ken
nedy and Klim,Inc.(Little
Silver,N.J.)からTHERMAXSH−
150ARの商品名で販売されているアリルフェノール
である。アリルフェノールをはじめとするアリルフェニ
ル化合物は、米国特許第4987264号に記載され、
これは、このような化合物の調製について記載している
限りにおいて本発明の一部として参照される。
【0045】特に適当な有機架橋剤としては、1または
それ以上のメトキシメチル基を含むもの、たとえば、メ
トキシメチル置換メラミンおよびメトキシメチル置換グ
リコールウリルが挙げられる。ヘキサメトキシメチルメ
ラミンは好ましいメトキシメチル置換メラミンである。
有機架橋剤の1またはそれ以上の水素、より好ましく
は、メトキシメチル置換基における1またはそれ以上の
メチル水素がハロゲン、好ましくはフッ素で置換されて
いるのが好ましい。したがって、好ましいクロスリンカ
ーとしては、1またはそれ以上のメトキシフルオロメチ
ルおよび/またはメトキシジフルオロメチル置換基を含
むものが挙げられる。好ましいフッ素化架橋剤の例とし
ては、メトキシフルオロメチル−およびメトキシジフル
オロメチル−置換メラミンおよびグリコールウリル、た
とえば、ヘキサメトキシフルオロメチルメラミンおよび
ヘキサメトキシジフルオロメチルメラミンが挙げられ
る。フッ素化エポキシ架橋剤も適当である。ある種の用
途については、架橋剤がフッ素化されているのが好まし
い。
【0046】本発明の組成物は1種類の有機クロスリン
カーのみ、たとえば、1つのアミン含有クロスリンカー
を含んでもよいし、または2またはそれ以上の異なるク
ロスリンカーを含んでもよい。有機クロスリンカーの組
合せが本発明において用いられる場合、この組合せはア
ミン含有化合物およびエポキシ含有化合物を含むのが好
ましい。本発明の組成物中の有機クロスリンカーの濃度
は、比較的広範囲に及ぶ。当業者らは、適当なクロスリ
ンカー濃度は、クロスリンカーの反応性および組成物の
具体的な用途などのファクターにより変わることを理解
できるであろう。典型的には、架橋剤は、組成物の全重
量に基づいて0.1重量%〜80重量%の範囲の量にお
いて、好ましくは0.5%〜50%、より好ましくは1
%〜25%において存在する。架橋剤を本発明の組成物
において用いるのが好ましい。
【0047】したがって、本発明はさらに、重合単位と
して式(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフ
ェニルまたはヒドロキシベンジルから選択される)のモ
ノマーを含むシルセスキオキサンオリゴマー;1または
それ以上の有機架橋剤;および光活性成分を含み、該シ
ルセスキオキサンオリゴマーの溶解度が化学線で露光す
ることにより変更される、フォトディファイナブル組成
物を提供する。
【0048】本発明の組成物において所望により存在し
てもよい他の添加剤としては、これに限定されないが:
染料、たとえば、Ciba−Geigyから入手可能な
ORASOL BLUE、レベリング剤、フィラー、顔
料、湿潤剤、消泡剤、接着促進剤、チキソトロープ剤、
難燃剤などが挙げられる。このような添加剤は、コーテ
ィング組成物の分野においてはよく知られている。2以
上の添加剤を本発明の組成物において組み合わせること
ができることは理解できるであろう。たとえば、湿潤剤
をチキソトロープ剤と組み合わせることができる。適当
なフィラーおよびチキソトロープ剤としては、シリカ、
ヒュームドシリカ、タルクなどが挙げられる。適当な湿
潤剤としては、シリコン系試薬、たとえば、Dowから
入手可能なSILWETが挙げられる。このような任意
の添加剤はさまざまな供給源から商業的に入手可能であ
る。本発明の組成物において用いられるこのような任意
の添加剤の量は、当業者によって決められる。
【0049】本発明の組成物は、任意に1またはそれ以
上の溶剤を含んでもよい。このような溶剤は、本発明の
組成物の配合および本発明の組成物の基体上へのコーテ
ィングを助ける。広範囲におよぶ溶剤を用いることがで
きる。適当な溶剤としては、これに限定されないが、グ
リコールエーテル、たとえば、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、二塩基性エステルなどのエステル、カーボネー
ト、たとえば、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラ
クトン、エステル、たとえば、エチルラクテート、n−
アミルアセテートおよびn−ブチルアセテート、アルコ
ール、たとえば、n−プロパノール、iso−プロパノ
ール、ケトン、たとえば、シクロヘキサノン、メチルイ
ソブチルケトン、ジイソブチルケトンおよび2−へプタ
ノン、ラクトン、たとえば、γ−ブチロラクトンおよび
ε−カプロラクトン、エーテル、たとえば、ジフェニル
エーテルおよびアニソール、炭化水素、たとえば、メシ
チレン、トルエンおよびキシレン、ならびに複素環式化
合物、たとえば、N−メチル−2−ピロリドン、N,
N’−ジメチルプロピレン尿素、またはその混合物が挙
げられる。
【0050】本発明のフォトディファイナブル組成物
は、シルセスキオキサンオリゴマー、光活性成分、任意
の溶剤、任意の1またはそれ以上の有機架橋剤および任
意の添加剤を任意の順序で組み合わせることにより調製
することができる。
【0051】本発明のフォトディファイナブル組成物
は、光ウェーブガイドの製造において使用するのに特に
適している。「光ウェーブガイド」とは、光を二次元基
体表面にわたって伝達する任意の装置を意味する。適当
な光ウェーブガイドとしては、これに限定されないが、
スプリッター、カップラー、スペクトルフィルター、ポ
ーラライザー、アイソレーター、波長分割多重構造など
が挙げられる。このようなウェーブガイドはさらに、活
性機能、たとえば、増幅およびスイッチング、たとえ
ば、電気−光、熱−光または音−光装置などを含んでも
よい。増幅器として有用にするために、本発明のウェー
ブガイドは典型的には1またはそれ以上のドーパント
(dopant)を含む。エルビウムがドーパントの例
である。このようなドーパントは、当該分野においてよ
く知られている。したがって、増幅器として適当な本発
明のウェーブガイドは1またはそれ以上のドーパントを
含む。
【0052】本発明のウェーブガイドは、個々のウェー
ブガイドまたはウェーブガイドのアレイとして製造する
ことができる。このようなウェーブガイドをアレイとし
て調製するかどうかは具体的な用途によって決まり、当
業者が決定できる。
【0053】本発明の利点は、本発明の組成物を直接イ
メージ化することによりウェーブガイドを調製できるこ
とである。したがって、本発明は、a)重合単位として
式(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフェニ
ルまたはヒドロキシフェニル(C−C)アルキルか
ら選択される)のモノマーを含むシルセスキオキサンオ
リゴマー;および光活性成分を含むフォトディファイナ
ブル組成物の層を基体上に堆積させる段階;およびb)
該組成物を化学線で露光して光ウェーブガイドを形成す
る段階を含む、光ウェーブガイドの製造法を提供する。
別の例において、本発明は、a)重合単位として式(R
SiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフェニルまた
はヒドロキシベンジルから選択される)のモノマーを含
むシルセスキオキサンオリゴマー;1またはそれ以上の
架橋剤;および光活性成分を含むフォトディファイナブ
ル組成物の層を基体上に堆積させる段階;およびb)該
組成物を化学線で露光して光ウェーブガイドを形成する
段階を含む、光ウェーブガイドの製造法を提供する。
【0054】本発明の組成物は典型的には、まず、これ
に限定されないが、スクリーンコーティング(またはス
クリーンプリンティング)、カーテンコーティング、ロ
ーラーコーティング、スロットコーティング、スピンコ
ーティング、フラッドコーティング、静電スプレー、ス
プレーコーティング、ディップコーティングをはじめと
する任意の手段により基体上に層として、または乾燥フ
ィルムとして堆積させる。本発明の組成物がスプレーコ
ートされる場合、加熱されたスプレーガンを所望により
用いてもよい。該組成物の粘度は、粘度改良剤、チキソ
トロープ剤、フィラー等により各施用法の要件に合うよ
うに調節することができる。ウェーブガイドを支持する
のに適した任意の基体を本発明の組成物に関して用いる
ことができる。適当な基体としては、これに限定されな
いが、プリント配線板および集積回路などの電子デバイ
スの製造において用いられる基体が挙げられる。特に適
した基体は、銅クラッド板のラミネート表面および銅表
面、プリント配線板内層および外層、集積回路の製造に
おいて用いられるウェハ、液晶ディスプレー(「LC
D」)ガラス基体などが挙げられる。
【0055】コートされた基体は典型的にはその後ベー
キングなどにより硬化させて、溶剤を除去する。このよ
うな硬化は、選択された溶剤によってさまざまな温度で
あってよい。適当な温度は、存在する任意の溶剤を実質
的に除去するのに十分なものである。典型的には、硬化
は室温(すなわち、25℃)から170℃までの任意の
温度であってよい。このような硬化は、典型的には5秒
から30分の間で起こる。このような硬化は、オーブン
またはホットプレート中基体を加熱することにより行わ
れることができる。
【0056】硬化後、基体上に堆積された本発明の組成
物の層を、次に適当なアートワークまたはマスクを介し
て化学線で露光することによりイメージ化する。露光
後、組成物を40℃〜170℃の温度で硬化させる。硬
化時間はさまざまであるが、一般に約30秒から1時間
である。理論に限定されることを意図しないが、化学線
で露光することにより、シルセスキオキサンオリゴマー
は架橋し、特に光学架橋剤と架橋すると考えられる。露
光部分は未露光部分よりも溶解性が低くなる。したがっ
て、未露光部分を、たとえば、適当な溶剤、水性現像液
または溶剤−水混合物と接触させることにより除去し、
露光部分だけが基体上に残る。適当な水性現像液として
は、水中アルカリ金属水酸化物、たとえば、水酸化ナト
リウムおよびカリウムならびに水中テトラアルキルアン
モニウムヒドロキシドが挙げられる。このような現像液
は、典型的には、水中0.1〜0.3Nで用いられ、た
とえば、0.15〜0.26Nの濃度のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシドが用いられる。当業者らは現像
液を選択できる。このような現像は、さまざまな温度、
たとえば、室温から約100℃であってよい。このよう
な現像の時間は、除去される物質および用いられる温度
によって変わるが、一般に約10秒から約1時間であ
る。
【0057】現像後、本発明のウェーブガイドは最終硬
化段階、またはリフロー段階に供される。このような最
終硬化段階において、ウェーブガイドは、空気または不
活性雰囲気、たとえば窒素またはアルゴン中、約130
℃〜225℃の温度で加熱することができる。このよう
な最終硬化段階は、架橋剤の量を増加させることによる
などして残存する溶剤の除去、シルセスキオキサンポリ
マーからのヒドロキシル基の除去を助け、たとえば表面
粗さを低下させるためにウェーブガイド特性を変更し、
物質の光伝達性を向上させる。
【0058】光ウェーブガイドは典型的にはコアおよび
クラッディングを有し、該クラッディングは該コアと比
べて低い屈折率を有する。特に有用なウェーブガイド
は、1.4〜1.55の屈折率を有するコアを有する。
典型的には、適当なクラッディングは1.3〜1.54
の屈折率を有する。
【0059】クラッディング層をまず基体上に堆積させ
るのが好ましい。クラッディング層が光硬化性または熱
硬化性であるならば、これは第一段階としてブランケッ
ト硬化させることができる。フォトディファイナブルコ
ア物質をその後クラッディング層上に堆積させ、イメー
ジ化させ、未露光部分を所望により除去してもよい。第
二のクラッディング層をイメージ化されたウェーブガイ
ド上に堆積させる。第二のクラッディング層は第一クラ
ッディング層と同一であってもよいし、異なっていても
よい。しかしながら、第一および第二クラッディング層
の屈折率は同じでなければならない。第二のクラッディ
ング層を次に硬化させるか、または光硬化性クラッディ
ング組成物の場合にはイメージ化させて、ウェーブガイ
ド構造を得る。
【0060】本発明のシルセスキオキサンオリゴマーお
よびポリマーは、本発明の光ウェーブガイドのクラッデ
ィングおよび/またはコアにおいて用いるのに適してい
る。好ましくは、本発明のフォトディファイナブル組成
物は、光ウェーブガイドのコアを調製するために用いる
ことができる。本発明のシルセスキオキサンオリゴマー
および1またはそれ以上の有機架橋剤を含むフォトディ
ファイナブル組成物の屈折率は、選択された1またはそ
れ以上の架橋剤および/または光活性成分の量および種
類を変えることにより変えることができる。したがっ
て、本発明の組成物は、選択された架橋剤の種類および
量によって、コアまたはクラッディング物質として有用
である。
【0061】本発明の光ウェーブガイドはさまざまな波
長で優れた透明度を有する。したがって、本発明の光ウ
ェーブガイドは、0.83から0.85、1.35およ
び1.55ミクロン波長で用いることができる。本発明
の光ウェーブガイドは、他の波長でも有利に用いること
ができることは理解できるであろう。シルセスキオキサ
ンポリマーのヒドロキシル含量が高いならば、ウェーブ
ガイドは0.83から0.85ミクロンの波長で用いる
のが好ましい。したがって、本発明の光ウェーブガイド
は電気通信用途において使用するのに特に適している。
【0062】したがって、本発明はさらに、コアおよび
クラッディングの少なくとも1つが重合単位として式
(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロキシフェニル
またはヒドロキシフェニル(C−C)アルキルから
選択される)のモノマーを含むシルセスキオキサンポリ
マーを含む、コアおよびクラッディングを含む光ウェー
ブガイドを提供する。もう一つの例において、本発明
は、コアおよびクラッディングの少なくとも1つが重合
単位として式(RSiO1.5)(式中、Rは、ヒドロ
キシフェニルまたはヒドロキシベンジルから選択され
る)のモノマーを含むシルセスキオキサンポリマー;お
よび1またはそれ以上の有機架橋剤を含む、コアおよび
クラッディングを含む光ウェーブガイドを提供する。
【0063】本発明のウェーブガイドはさまざまな用
途、特にプリント配線板、集積回路、インターコネクト
などの電子デバイスの製造において用いることができ
る。したがって、本発明は、コアおよびクラッディング
の少なくとも一つが、重合単位として式(RSiO
1.5(式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒ
ドロキシフェニル(C−C)アルキルから選択さ
れ、nは0より大きい)のシルセスキオキサンオリゴマ
ーを含む、コアおよびクラッディングを含む1またはそ
れ以上のウェーブガイドを含む電子デバイスを提供す
る。さらにもう一つの例において、本発明は、コアおよ
びクラッディングを含む1以上のウェーブガイドを含
み、コアおよびクラッディングの少なくとも一つが重合
単位として式(RSiO 1.5)n(式中、Rは、ヒド
ロキシフェニルまたはヒドロキシベンジルから選択され
る、nは0よりも大きい)のシルセスキオキサンオリゴ
マー;および架橋剤を含む電子デバイスを提供する。
【0064】以下の実施例は、本発明のさまざまな態様
をさらに説明することを意図するものであって、本発明
のどの態様も限定するものではない。
【0065】実施例1 21.0部のプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート中に、10.5部のヒドロキシベンジルシル
セスキオキサン、架橋剤として3.0部のヘキサメチロ
ールメチルメラミン、光活性成分として1.0部のトリ
フェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、
0.06部のシロキサン湿潤剤および1.0部のビスフ
ェノールAエトキシル化ジエポキシドを添加する。
【0066】組成物を酸化珪素ウェハ上8μmの厚さに
スピンコートした。オーブン中、90℃で30分間ソフ
トベーキングすることにより溶剤を除去した。ハロゲン
水銀ランプを用いて、マスクを介して組成物を露光した
(1000mJ)。ウェハを次に100℃で30分間ベ
ーキングした。ウェハをその後0.26N水性テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド中に、室温で30秒間浸
漬した。ウェハをその後リンスし、乾燥させ、150℃
で1時間熱硬化させて、ウェーブガイド構造を得た。ウ
ェーブガイドの屈折率は、1.550ミクロンで1.5
710±0.0002であった。
【0067】実施例2 重合単位として4−ヒドロキシベンジルシルセスキオキ
サンモノマーを含み、分子量が約5000である10部
のシルセスキオキサンオリゴマー、4部のCYMEL3
03の商標で販売されているメラミン架橋剤、1部のト
リフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートお
よび28部のエチルラクテートを組み合わせることによ
り、フォトディファイナブル組成物を調製した。組成物
を未処理の6インチ(約15cm)シリコンウェハ上に
420rpmでスピンコートして、0.3milの厚さ
のコーティングを得た。コーティングを次にTamar
ack平行光源、365nmのアウトプット1000m
Jの感光性ポリマーバルブの石英ガラスフォトツールを
介して露光した。露光後、コーティングを90℃で30
分間ベーキングした。ベーキング後、0.14N水性水
酸化ナトリウムを用いて露光したコーティングを現像
し、光ウェーブガイドを得た。
【0068】実施例3 架橋剤の量を変える以外は、実施例1の手順を繰り返し
た。さまざまな波長でのサンプルの屈折率(「RI」)
を測定した。結果を表1に記載する。
【0069】
【表1】 前記データから、本発明の組成物中の架橋剤の量が増加
するにつれ、物質の屈折率も増加することは明らかであ
る。
【0070】実施例4 光活性成分の量を変える以外は、実施例1を繰り返し
た。さまざまな波長でのサンプルの屈折率(「RI」)
を測定した。結果を表2に示す。
【0071】
【表2】 前記データから、本発明の組成物中の光活性成分の量が
増大するにつれ、物質の屈折率も増加することは明らか
である。
フロントページの続き (72)発明者 ジェームズ・ジー・シェルナット アメリカ合衆国マサチューセッツ州01532, ノースボロ,バブコック・ドライブ・5 (72)発明者 マシュー・エル・モイナイハン アメリカ合衆国マサチューセッツ州01564, ステアリング,ブルーベリー・レーン・3 Fターム(参考) 2H050 AB42 4J035 BA04 CA161 LB20

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 重合単位として式(RSiO1.5
    (式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒドロキシベ
    ンジルから選択される)のモノマーを含むシルセスキオ
    キサンオリゴマー;および光活性成分を含み、該シルセ
    スキオキサンオリゴマーの溶解度が化学線で露光すると
    変わるフォトディファイナブル組成物。
  2. 【請求項2】 重合単位として式(RSiO1.5
    (式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒドロキシベ
    ンジルから選択される)のモノマーを含むシルセスキオ
    キサンオリゴマー;1またはそれ以上の架橋剤;および
    光活性成分をを含み、該シルセスキオキサンオリゴマー
    の溶解度が化学線で露光すると変わるフォトディファイ
    ナブル組成物。
  3. 【請求項3】 シルセスキオキサンオリゴマーが重合単
    位としてさらに式(RSiO1.5)(式中、Rは、
    ヒドロキシフェニル、ヒドロキシフェニル(C
    )アルキル、フェニル、ハロフェニル、(C−C
    10)アルキルフェニル、(C−C10)フルオロア
    ルキルフェニル、(C−C10)アルキルおよび(C
    −C10)フルオロアルキル(RおよびRは同一で
    ない)から選択される)のモノマーを含む請求項1また
    は2記載のフォトディファイナブル組成物。
  4. 【請求項4】 a)重合単位として(RSiO1.5
    (式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒドロキシフ
    ェニル(C−C)アルキルから選択される)のモノ
    マーを含むシルセスキオキサンオリゴマー;および光活
    性成分を含むフォトディファイナブル組成物の層を基体
    上に堆積させる段階;およびb)該組成物を化学線で露
    光して、光ウェーブガイドを形成する段階を含む光ウェ
    ーブガイドの製造法。
  5. 【請求項5】 シルセスキオキサンオリゴマーが重合単
    位としてさらに式(RSiO1.5)(式中、R
    は、ヒドロキシフェニル、ヒドロキシフェニル(C
    −C)アルキル、フェニル、ハロフェニル、(C
    10)アルキルフェニル、(C−C10)フルオロ
    アルキルフェニル、(C−C10)アルキルおよび
    (C−C10)フルオロアルキルをさらに含み、Rお
    よびRは同一でない)のモノマーを含む請求項4記載
    の方法。
  6. 【請求項6】 フォトディファイナブル組成物がさらに
    1またはそれ以上の有機架橋剤を含む請求項4〜5のい
    ずれか一つに記載の方法。
  7. 【請求項7】 コアおよびクラッディングを含む光ウェ
    ーブガイドであって、コアおよびクラッディングの少な
    くとも1つが、重合単位として式(RSiO 1.5
    (式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒドロキシフ
    ェニル(C−C)アルキルから選択される)のモノ
    マーを含むシルセスキオキサンポリマーを含む光ウェー
    ブガイド。
  8. 【請求項8】 コアおよびクラッディングを含む光ウェ
    ーブガイドであって、コアおよびクラッディングの少な
    くとも1つが、重合単位として式(RSiO 1.5
    (式中、Rは、ヒドロキシフェニルまたはヒドロキシフ
    ェニルベンジルから選択される)のモノマーを含むシル
    セスキオキサンポリマー;および1またはそれ以上の有
    機架橋剤を含むウェーブガイド。
  9. 【請求項9】 シルセスキオキサンポリマーがさらに重
    合単位として式(R SiO1.5)(式中、Rは、
    ヒドロキシフェニル、ヒドロキシフェニル(C
    )アルキル、フェニル、ハロフェニル、(C−C
    10)アルキルフェニル、(C−C10)フルオロア
    ルキルフェニル、(C−C10)アルキルおよび(C
    −C10)フルオロアルキルから選択され、Rおよび
    が同一でない)のモノマーを含む請求項7から8の
    いずれか一つに記載の光ウェーブガイド。
  10. 【請求項10】 請求項7から9のいずれか一つに記載
    の1またはそれ以上の光ウェーブガイドを含む電子デバ
    イス。
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TW (1) TW593603B (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004038143A (ja) * 2002-03-03 2004-02-05 Shipley Co Llc シランモノマー及びポリマーを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物
US6731857B2 (en) * 2001-03-29 2004-05-04 Shipley Company, L.L.C. Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom
JP2004184999A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトイメージャブル導波路組成物及びそれから形成される導波路
JP2005154715A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 導波路組成物およびこれから形成された導波路
JP2005325344A (ja) * 2004-04-14 2005-11-24 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 導波路組成物およびそれより形成された導波路
JP2006072352A (ja) * 2004-08-19 2006-03-16 Rohm & Haas Electronic Materials Llc プリント回路板を形成する方法
US7024093B2 (en) 2002-12-02 2006-04-04 Shipley Company, Llc Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom
JP2006178467A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学乾燥フィルム及び乾燥フィルムを有する光学デバイス形成方法
JP2006178466A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学乾燥フィルム及び乾燥フィルムを有する光学デバイス形成方法
JP2006184902A (ja) * 2004-12-22 2006-07-13 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学デバイスを形成する方法
WO2008010415A1 (fr) * 2006-07-21 2008-01-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Matériau à indice de réfraction élevé

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1281367C (zh) * 2001-07-06 2006-10-25 惠亚集团公司 对用于电路板间通信的pcb中的光层进行集成的方法
US6856745B2 (en) * 2002-07-02 2005-02-15 Lucent Technologies Inc. Waveguide and applications therefor
JP4014519B2 (ja) * 2002-07-17 2007-11-28 日東電工株式会社 ポリマー光導波路の製造方法
JP2005092177A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学部品形成方法
KR20080034522A (ko) * 2003-10-07 2008-04-21 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 방사선 경화성 조성물, 경화막 형성방법 및 패턴 형성방법
US7072564B2 (en) * 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
JP2005181958A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Rohm & Haas Electronic Materials Llc レーザーアブレーションを用いる電子部品および光学部品の形成方法
US7906180B2 (en) * 2004-02-27 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
EP1772482B1 (en) * 2004-04-14 2009-06-17 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
US20050272179A1 (en) * 2004-05-24 2005-12-08 Andrew Frauenglass Three-dimensional lithographic fabrication technique
TWI294258B (en) * 2004-08-03 2008-03-01 Rohm & Haas Elect Mat Methods of forming devices having optical functionality
US20060081557A1 (en) 2004-10-18 2006-04-20 Molecular Imprints, Inc. Low-k dielectric functional imprinting materials
WO2006086841A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-24 Rpo Pty Limited Photolithographic patterning of polymeric materials
EP1693484A3 (en) * 2005-02-15 2007-06-20 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Plating Method
US7212723B2 (en) * 2005-02-19 2007-05-01 The Regents Of The University Of Colorado Monolithic waveguide arrays
US7373060B2 (en) * 2005-02-28 2008-05-13 Chisso Corporation Optical waveguide using polymer composed of silsesquioxane derivative
JP4762630B2 (ja) * 2005-08-03 2011-08-31 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US20070202435A1 (en) * 2005-12-29 2007-08-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods of forming optical waveguides
TWI343226B (en) * 2006-12-31 2011-06-01 Rohm & Haas Elect Mat Printed circuit boards having optical functionality and methods forming the same
US8415010B2 (en) * 2008-10-20 2013-04-09 Molecular Imprints, Inc. Nano-imprint lithography stack with enhanced adhesion between silicon-containing and non-silicon containing layers
WO2021137481A1 (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 주식회사 동진쎄미켐 실세스퀴옥산 올리고머를 포함하는 습식 코팅용 발수 코팅 조성물

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036503A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 光伝送用ポリマークラッドファイバ
JPH04247406A (ja) * 1991-02-01 1992-09-03 Sumitomo Electric Ind Ltd プラスチック光伝送体
JPH08160605A (ja) * 1994-12-09 1996-06-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料
JPH0987391A (ja) * 1995-09-25 1997-03-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
JPH11352348A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路型偏光子
JP2000187125A (ja) * 1998-12-24 2000-07-04 Kyocera Corp 光導波路
US6087064A (en) * 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57168246A (en) 1981-04-09 1982-10-16 Fujitsu Ltd Formation of negative pattern
JPS6025061B2 (ja) 1981-12-02 1985-06-15 日立化成工業株式会社 感光性シリコ−ン樹脂組成物
JPS63279245A (ja) 1987-05-12 1988-11-16 Fujitsu Ltd ネガ型レジスト組成物
FR2656617A1 (fr) 1989-12-28 1991-07-05 Thomson Csf Procede de synthese de polysilsesquioxanes et applications des produits contenus.
EP0464614B1 (en) 1990-06-25 1999-09-29 Matsushita Electronics Corporation A composition having sensitivity to light or radiation
JPH04271306A (ja) 1991-02-27 1992-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd プラスチック光伝送体
JPH04366958A (ja) 1991-06-14 1992-12-18 Oki Electric Ind Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
US5296332A (en) 1991-11-22 1994-03-22 International Business Machines Corporation Crosslinkable aqueous developable photoresist compositions and method for use thereof
JP3273519B2 (ja) 1992-12-04 2002-04-08 日本電信電話株式会社 ポリシロキサン系光導波路の製造方法
JPH06256523A (ja) 1993-03-02 1994-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 遷移金属元素を含むポリシロキサンおよびそれを用いた光導波路
JPH08176444A (ja) 1994-10-26 1996-07-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光学材料及びこれを用いた光導波路
TW397936B (en) 1994-12-09 2000-07-11 Shinetsu Chemical Co Positive resist comosition based on a silicone polymer containing a photo acid generator
JP3724004B2 (ja) 1995-03-28 2005-12-07 東レ株式会社 熱硬化性組成物、その製造方法およびカラーフィルタ
JP3204359B2 (ja) 1995-04-28 2001-09-04 日本電信電話株式会社 フレキシブル高分子光導波路
JPH08327842A (ja) 1995-05-29 1996-12-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路
US5972516A (en) 1996-02-29 1999-10-26 Kyocera Corporation Method for manufacturing optical waveguide using siloxane polymer, and optoelectronic hybrid substrate using the optical waveguide
JPH10148729A (ja) 1996-11-21 1998-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光導波路コア部のリッジ・パターン形成方法
US5991493A (en) 1996-12-13 1999-11-23 Corning Incorporated Optically transmissive bonding material
US6144795A (en) 1996-12-13 2000-11-07 Corning Incorporated Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
JP3571482B2 (ja) 1997-03-13 2004-09-29 日本電信電話株式会社 口径変換用高分子光導波路パターン形成方法
US6054253A (en) 1997-10-10 2000-04-25 Mcgill University-The Royal Institute For The Advancement Of Learning Solvent-assisted lithographic process using photosensitive sol-gel derived glass for depositing ridge waveguides on silicon
JP3133039B2 (ja) 1998-10-05 2001-02-05 日本電信電話株式会社 光導波路用感光性組成物およびその製造方法および高分子光導波路パターン形成方法
US6187505B1 (en) 1999-02-02 2001-02-13 International Business Machines Corporation Radiation sensitive silicon-containing resists
US6731857B2 (en) * 2001-03-29 2004-05-04 Shipley Company, L.L.C. Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036503A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 光伝送用ポリマークラッドファイバ
JPH04247406A (ja) * 1991-02-01 1992-09-03 Sumitomo Electric Ind Ltd プラスチック光伝送体
JPH08160605A (ja) * 1994-12-09 1996-06-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料
JPH0987391A (ja) * 1995-09-25 1997-03-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
JPH11352348A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路型偏光子
US6087064A (en) * 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
JP2000187125A (ja) * 1998-12-24 2000-07-04 Kyocera Corp 光導波路

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6731857B2 (en) * 2001-03-29 2004-05-04 Shipley Company, L.L.C. Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom
JP4557497B2 (ja) * 2002-03-03 2010-10-06 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. シランモノマー及びポリマーを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物
JP2004038143A (ja) * 2002-03-03 2004-02-05 Shipley Co Llc シランモノマー及びポリマーを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物
JP2004184999A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトイメージャブル導波路組成物及びそれから形成される導波路
US6842577B2 (en) 2002-12-02 2005-01-11 Shipley Company L.L.C. Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom
US7024093B2 (en) 2002-12-02 2006-04-04 Shipley Company, Llc Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom
JP2005154715A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 導波路組成物およびこれから形成された導波路
JP2005325344A (ja) * 2004-04-14 2005-11-24 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 導波路組成物およびそれより形成された導波路
JP2006072352A (ja) * 2004-08-19 2006-03-16 Rohm & Haas Electronic Materials Llc プリント回路板を形成する方法
JP2006178466A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学乾燥フィルム及び乾燥フィルムを有する光学デバイス形成方法
JP2006184902A (ja) * 2004-12-22 2006-07-13 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学デバイスを形成する方法
JP2006178467A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学乾燥フィルム及び乾燥フィルムを有する光学デバイス形成方法
WO2008010415A1 (fr) * 2006-07-21 2008-01-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Matériau à indice de réfraction élevé
JP2008024832A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高屈折率材料
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