JP2003043690A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される酸分解性基含有繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、酸分解性基含有繰り返し単位の平均含有率が異なる樹脂（Ａ）を少なくとも２種含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】

一般式（１）において、Ｒは水素原子又はメチル基を表し、Ａは単結合又は連結基を表し、ＡＬＧは下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶ）のいずれかを表す。
【化２】

（式中、Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、及びＲ₁₅、Ｒ₁₆のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ₂₃とＲ₂₄は、互いに結合して環を形成していてもよい。）
【請求項２】 請求項１に記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。 [Claims]
(A) a resin having an acid-decomposable group-containing repeating unit represented by the following general formula (1) and having a dissolution rate in an alkali developing solution increased by the action of an acid; and (B) an activity: A positive resist composition containing a compound capable of generating an acid upon irradiation with light or radiation, comprising at least two resins (A) having different average contents of the acid-decomposable group-containing repeating units. -Type resist composition.
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In the general formula (1), R represents a hydrogen atom or a methyl group, A represents a single bond or a linking group, and ALG represents any of the following general formulas (pI) to (pV).
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(Wherein, R ₁₁ represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z represents an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the atomic groups required to form.
R _{12 to} R ₁₆ each independently represent a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. However, at least one of R _{12 to} R ₁₄ and any of R ₁₅ and R ₁₆ represent an alicyclic hydrocarbon group.
R _{17 to} R ₂₁ each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R _{17 to} R ₂₁ One represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, either R ₁₉ or R ₂₁ represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
R _{22 to} R ₂₅ each independently represent a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R _{22 to} R ₂₅ is an aliphatic group; Represents a cyclic hydrocarbon group. R ₂₃ and R ₂₄ may be bonded to each other to form a ring. )
2. A pattern forming method comprising: forming a resist film from the positive resist composition according to claim 1; and exposing and developing the resist film.