JP2003041191A - 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 組成物の保存安定性に優れ、焼成条件による
比誘電率の差異が小さいシリカ系膜が形成可能な膜形成
用組成物を得る。 【解決手段】 （Ａ）アルコキシシラン化合物をアルカ
リ触媒と水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水
分解縮合物、（Ｂ）（Ａ）成分１００重量部（完全加水
分解縮合物換算）に対して０．００５〜０．５重量部
の、アンモニウム塩および第１〜４級アルキルアンモニ
ウム塩からなる群より選ばれる少なくとも１種ならびに
（Ｃ）有機溶剤を含有し、かつｐＨが２〜４であること
を特徴とする膜形成用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、組成物の保存安定性に優れ、焼成条件
による比誘電率の差異が小さいシリカ系膜が形成可能な
膜形成用組成物、その製造方法およびシリカ系膜に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間
絶縁膜が開発されている。特に半導体素子などのさらな
る高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間の電気絶
縁性が要求されており、したがって、より低比誘電率の
層間絶縁膜材料が求められるようになっている。

【０００３】低比誘電率の材料としては、アンモニアの
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物（特開平５−２６３０４５、同５−３１５
３１９）や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液（特開平１１−３４０２１９、同１１−３４０２２
０）が提案されているが、これらの方法で得られる材料
は、反応の生成物の性質が安定せず、組成物の保存安定
性が劣ったり、焼成条件による比誘電率の差異も大きい
ため、工業的生産には不向きであった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、組成物
の保存安定性に優れ、焼成条件による比誘電率の差異が
小さい膜形成用組成物および該組成物から得られるシリ
カ系膜を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）下記一
般式（１）で表される化合物（以下、「化合物（１）」
ともいう）、 Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
基、Ｒ¹ は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） 下記一般式（２）で表される化合物（以下、「化合物
（２）」ともいう）および Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ² は１価の有機基を示す。） 下記一般式（３）で表される化合物（以下、「化合物
（３）」ともいう） Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ⁶ _c ・・・・（３） 〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価
の有機基、ｂ〜ｃは同一または異なり、０〜２の整数、
Ｒ⁷ は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂）_n −
で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄ
は０または１を示す。〕の群から選ばれた少なくとも１
種の化合物をアルカリ触媒と水の存在下で加水分解、縮
合して得られる加水分解縮合物、および（Ｂ）（Ａ）成
分１００重量部（完全加水分解縮合物換算）に対して、
０．００５〜０．５重量部のアンモニウム塩、１〜４級
アルキルアンモニウム塩の群から選ばれる少なくとも１
種、および（Ｃ）有機溶剤を含有し、かつｐＨが２〜４
であることを特徴とする膜形成用組成物に関する。次
に、本発明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、加
熱することを特徴とする膜の形成方法に関する。次に、
本発明は、上記膜の形成方法によって得られるシリカ系
膜に関する。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明において、加水分解縮合物
とは、上記化合物（１）〜（３）の群から選ばれた少な
くとも１種の加水分解物および縮合物もしくはいずれか
一方である。ここで、（Ａ）成分における加水分解物と
は、上記化合物（１）〜（３）に含まれるＲ¹ Ｏ−基，
Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−基およびＲ⁵ Ｏ−基のすべてが加
水分解されている必要はなく、例えば、１個だけが加水
分解されているもの、２個以上が加水分解されているも
の、あるいは、これらの混合物であってもよい。また、
加水分解縮合物は、化合物（１）〜（３）の加水分解物
のシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成し
たものであるが、本発明では、シラノール基がすべて縮
合している必要はなく、僅かな一部のシラノール基が縮
合したもの、縮合の程度が異なっているものの混合物な
どをも包含した概念である。

【０００７】（Ａ）成分 （Ａ）成分は、上記化合物（１）〜（３）の群から選ば
れた少なくとも１種のシラン化合物である。 化合物（１）；上記一般式（１）において、ＲおよびＲ
¹ の１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式（１）において、Ｒは１価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜
５であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式（１）において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。

【０００８】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど；

【０００９】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メ
チルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ
−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピル
トリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラ
ン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−
プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキ
シシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プ
ロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−
ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅ
ｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシ
シラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓ
ｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ
−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−
ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキ
シシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチル
トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−
ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど；

【００１０】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−
プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメト
キシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−
ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど；を挙げることができる。

【００１１】化合物（１）として好ましい化合物は、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用して
もよい。

【００１２】化合物（２）；上記一般式（２）におい
て、Ｒ² で表される１価の有機基としては、先の一般式
（１）と同様な有機基を挙げることができる。一般式
（２）で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロ
ポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テ
トラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。

【００１３】化合物（３）；上記一般式（３）におい
て、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ で表される１価の有機基としては、先の
一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。一
般式（３）のうち、Ｒ⁷ が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，
３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、
１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシ
ロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３
−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメ
トキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３
−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，
１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサ
ン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニ
ルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ
−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペ
ンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−
１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テト
ラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエ
チルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−
１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジ
シロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−
トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−
１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−ト
リフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、
１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジ
シロキサン、、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３
−トリエチルジシロキサン、、１，１，３−トリフェノ
キシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、、１，
１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシ
ロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−ト
リフェニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ
−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジ
メトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，
３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−
１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−
ジエトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサ
ン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエ
チルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，
３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ
−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，
３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジ
シロキサンなどを挙げることができる。

【００１４】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジ
フェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシ
ロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。

【００１５】また、一般式（３）において、ｄが０の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，
２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチ
ルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２
−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキ
シ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタ
フェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２
−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，
１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、
１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニル
ジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−
ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−
１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフ
ェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２
−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，
１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラ
ン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエ
チルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，
２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエト
キシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−
テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，
１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラ
ン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチ
ルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２
−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−
１，２，２−トリエチルジシラン、、１，１，２−トリ
エトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、、１，
１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシ
ラン、、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリ
フェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，
２，２−トリフェニルジシラン、、１，１，２−トリフ
ェノキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２
−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−
テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−
１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフ
ェノキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、
１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニル
ジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テト
ラフェニルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。

【００１６】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメト
キシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テ
トラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，
２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テ
トラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。

【００１７】さらに、一般式（３）において、Ｒ⁷ が−
（ＣＨ₂ ）_n −で表される基の化合物としては、ビス
（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシ
リル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メ
タン、ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、ビ
ス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−
ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔ−ブ
トキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメト
キシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）
−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−
プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキ
シシリル）メタン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシ
リル）−１−（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、
１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−
ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブト
キシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
リル）メタン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）
−１−（トリ−ｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ
メトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）
エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリ
エトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメ
チルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）−２−
（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ
−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシ
シリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシ
リル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（ト
リ−ｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメ
チルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）
メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタ
ン、ビス（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）メタン、
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビ
ス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ
−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２
−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、
１，２−ビス（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，２−ビス（トリ-t- ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
３−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
４−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ンなど挙げることができる。

【００１８】これらのうち、ビス（トリメトキシシリ
ル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，
２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス
（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチ
ルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−
（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリ
ル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−
（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチ
ルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス
（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシ
メチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチ
ルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベ
ンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス
（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。

【００１９】本発明において、（Ａ）成分を構成する化
合物（１）〜（３）としては、上記化合物（１）、
（２）および（３）の１種もしくは２種以上を用いるこ
とができる。

【００２０】なお、上記（Ａ）成分を加水分解、縮合さ
せる際に、（Ａ）成分の総量１モル当たり２０モルを越
え１５０モル以下の水を用いることが好ましく、２０モ
ルを越え１３０モルの水を加えることが特に好ましい。
添加する水の量が２０モル以下であると塗膜の耐クラッ
ク性が劣る場合があり、１５０モルを越えると加水分解
および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化が生じる場
合がある。

【００２１】本発明において、上記化合物（１）〜
（３）の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物
を加水分解、縮合させる際に、アルカリ触媒を用いるこ
とが特に好ましい。アルカリ触媒を用いることにより、
低比誘電率のシリカ系膜を得ることができる。本発明で
使用することのできるアルカリ触媒としては、例えば、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、
ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリ
ジン、ピコリン、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジ
エタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシ
クロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロ
ウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、
テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テト
ラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニ
ア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ペンチ
ルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミ
ン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、
トリメチルイミジン、１−アミノ−３−メチルブタン、
ジメチルグリシン、３−アミノ−３−メチルアミンなど
を挙げることができ、好ましい例としてアンモニア、１
〜３級アルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、特に好ましくは１〜３級アルキルアミン、テトラア
ルキルアンモニウムハイドロオキサイドがシリカ系膜の
基板への密着性の点から特に好ましい。これらのアルカ
リ触媒は１種あるいは２種以上を同時に使用しても良
い。

【００２２】上記アルカリ触媒の使用量は、化合物
（１）〜（３）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−
基およびＲ⁵ Ｏ−基で表される基の総量１モルに対し
て、通常、０．００００１〜１０モル、好ましくは０．
００００５〜５モルである。アルカリ触媒の使用量が上
記範囲内であれば、反応中のポリマーの析出やゲル化の
恐れが少ない。

【００２３】このようにして得られる加水分解縮合物の
慣性半径は、ＧＰＣ（屈折率，粘度，光散乱測定）法に
よる慣性半径で、好ましくは５〜５０ｎｍ、さらに好ま
しくは８〜４０ｎｍ、特に好ましくは９〜２０ｎｍであ
る。加水分解縮合物の慣性半径が５〜５０ｎｍである
と、得られるシリカ系膜の比誘電率、弾性率および膜の
均一性に特に優れるものとできる。また、このようにし
て得られる加水分解縮合物は、粒子状の形態をとってい
ないことにより、基板状への塗布性が優れるという特徴
を有している。粒子状の形態をとっていないことは、例
えば透過型電子顕微鏡観察（ＴＥＭ）により確認され
る。

【００２４】なお、（Ａ）成分中、各成分を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物（２）は、化合物
（１）〜（３）の総量中、５〜７５重量％、好ましくは
１０〜７０重量％、さらに好ましくは１５〜７０重量％
である。また、化合物（１）および／または（３）は、
化合物（１）〜（３）の総量中、９５〜２５重量％、好
ましくは９０〜３０重量％、さらに好ましくは８５〜３
０重量％である。化合物（２）が、化合物（１）〜
（３）の総量中、５〜７５重量％であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物（１）〜（３）中のＲ¹Ｏ−基、Ｒ²Ｏ−基、Ｒ⁴Ｏ−
基およびＲ⁵Ｏ−基が１００％加水分解してＳｉＯＨ基
となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となった
ものをいう。また、（Ａ）成分としては、得られる組成
物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物（１）および
化合物（２）の加水分解縮合物であることが好ましい。

【００２５】さらに、加水分解縮合物では、化合物
（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種を、ア
ルカリ触媒の存在下に加水分解・縮合して、加水分解縮
合物とし、好ましくはその慣性半径を５〜５０ｎｍとな
すが、その後、組成物のｐＨを７以下に調整することが
好ましい。ｐＨを調整する方法としては、 ｐＨ調整剤を添加する方法、 常圧または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒を留
去する方法、 窒素、アルゴンなどのガスをバブリングすることによ
り、組成物中からアルカリ触媒を除去する方法、 イオン交換樹脂により、組成物中からアルカリ触媒を
除く方法、 抽出や洗浄によってアルカリ触媒を系外に除去する方
法、などが挙げられる。これらの方法は、それぞれ、組
み合わせて用いてもよい。

【００２６】ここで、上記ｐＨ調整剤としては、無機酸
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコ
ン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸、無水マレ
イン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物などを
挙げることができる。これら化合物は、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００２７】上記ｐＨ調整剤による組成物のｐＨは、７
以下、好ましくは１〜６に調整される。このように、加
水分解縮合物の慣性半径を５万〜１，０００万となした
のち、上記ｐＨ調整剤により上記範囲内にｐＨを調整す
ることにより、得られる組成物の貯蔵安定性が向上する
という効果が得られる。ｐＨ調整剤の使用量は、組成物
のｐＨが上記範囲内となる量であり、その使用量は、適
宜選択される。

【００２８】（Ｂ）成分 本発明に使用する（Ｂ）成分は、アンモニウム塩、１〜
４級アルキルアンモニウム塩の群から選ばれる少なくと
も１種である。（Ｂ）成分を組成物中に特定量含有する
ことで組成物の保存安定性が向上する。

【００２９】かかる（Ｂ）成分としては、アンモニア有
機酸塩、アンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア
硝酸塩、１〜４級アルキルアミン有機酸塩、１〜４級ア
ルキルアンモニウムハイドロオキサイド、１〜４級アル
キルアミン硝酸塩を挙げることが出来る。

【００３０】（Ｂ）成分の具体例としては、例えばアン
モニア酢酸塩、アンモニアプロピオン酸塩、アンモニア
ブタン酸塩、アンモニアペンタン酸塩、アンモニアヘキ
サン酸塩、アンモニアヘプタン酸塩、アンモニアオクタ
ン酸塩、アンモニアノナン酸塩、アンモニアデカン酸
塩、アンモニアシュウ酸塩、アンモニアマレイン酸塩、
アンモニアメチルマロン酸塩、アンモニアアジピン酸
塩、アンモニアセバシン酸塩、アンモニア没食子酸塩、
アンモニア酪酸塩、アンモニアメリット酸塩、アンモニ
アアラキドン酸塩、アンモニアシキミ酸塩、アンモニア
２−エチルヘキサン酸塩、アンモニアオレイン酸塩、ア
ンモニアステアリン酸塩、アンモニアリノール酸塩、ア
ンモニアリノレイン酸塩、アンモニアサリチル酸塩、ア
ンモニア安息香酸塩、アンモニアｐ−アミノ安息香酸
塩、アンモニアｐ−トルエンスルホン酸塩、アンモニア
ベンゼンスルホン酸塩、アンモニアモノクロロ酢酸塩、
アンモニアジクロロ酢酸塩、アンモニアトリクロロ酢酸
塩、アンモニアトリフルオロ酢酸塩、アンモニアギ酸
塩、アンモニアマロン酸塩、アンモニアスルホン酸塩、
アンモニアフタル酸塩、アンモニアフマル酸塩、アンモ
ニアクエン酸塩、アンモニア酒石酸塩、アンモニアコハ
ク酸塩、アンモニアフマル酸塩、アンモニアイタコン酸
塩、アンモニアメサコン酸塩、アンモニアシトラコン酸
塩、アンモニアリンゴ酸塩、アンモニアグルタル酸塩、
アンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア硝酸塩、
（モノ、ジ、トリ）メチルアミン酢酸塩、（モノ、ジ、
トリ）メチルアミンプロピオン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）メチルアミンブタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチ
ルアミンペンタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミ
ンヘキサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンヘプ
タン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンオクタン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンノナン酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）メチルアミンデカン酸塩、（モノ、ジ、
トリ）メチルアミンシュウ酸塩、（モノ、ジ、トリ）メ
チルアミンマレイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルア
ミンメチルマロン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミ
ンアジピン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンセバ
シン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミン没食子酸
塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミン酪酸塩、（モノ、
ジ、トリ）メチルアミンメリット酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）メチルアミンアラキドン酸塩、（モノ、ジ、トリ）
メチルアミンシキミ酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルア
ミン２−エチルヘキサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチ
ルアミンオレイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミ
ンステアリン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンリ
ノール酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンリノレイ
ン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンサリチル酸
塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミン安息香酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）メチルアミンｐ−アミノ安息香酸塩、
（モノ、ジ、トリ）メチルアミンｐ−トルエンスルホン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンベンゼンスルホ
ン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンモノクロロ酢
酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンジクロロ酢酸
塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミントリクロロ酢酸
塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミントリフルオロ酢酸
塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンギ酸塩、（モノ、
ジ、トリ）メチルアミンマロン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）メチルアミンスルホン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メ
チルアミンフタル酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミ
ンフマル酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンクエン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミン酒石酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）メチルアミンコハク酸塩、（モノ、ジ、
トリ）メチルアミンフマル酸塩、（モノ、ジ、トリ）メ
チルアミンイタコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルア
ミンメサコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンシ
トラコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミンリンゴ
酸塩、（モノ、ジ、トリ）メチルアミングルタル酸塩、
（モノ、ジ、トリ）メチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、（モノ、ジ、トリ）メチルアミン硝酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）エチルアミン酢酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エチルアミンプロピオン酸塩、（モノ、ジ、トリ）
エチルアミンブタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルア
ミンペンタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンヘ
キサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンヘプタン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンオクタン酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアミンノナン酸塩、（モノ、
ジ、トリ）エチルアミンデカン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エチルアミンシュウ酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチ
ルアミンマレイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミ
ンメチルマロン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミン
アジピン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンセバシ
ン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミン没食子酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアミン酪酸塩、（モノ、ジ、
トリ）エチルアミンメリット酸塩、（モノ、ジ、トリ）
エチルアミンアラキドン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチ
ルアミンシキミ酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミン
２−エチルヘキサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルア
ミンオレイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンス
テアリン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンリノー
ル酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンリノレイン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンサリチル酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアミン安息香酸塩、（モノ、
ジ、トリ）エチルアミンｐ−アミノ安息香酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）エチルアミンｐ−トルエンスルホン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンベンゼンスルホン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンモノクロロ酢酸
塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンジクロロ酢酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアミントリクロロ酢酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアミントリフルオロ酢酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアミンギ酸塩、（モノ、ジ、
トリ）エチルアミンマロン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エ
チルアミンスルホン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルア
ミンフタル酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンフマ
ル酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンクエン酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアミン酒石酸塩、（モノ、
ジ、トリ）エチルアミンコハク酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エチルアミンフマル酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチ
ルアミンイタコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミ
ンメサコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンシト
ラコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミンリンゴ酸
塩、（モノ、ジ、トリ）エチルアミングルタル酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、（モノ、ジ、トリ）エチルアミン硝酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）プロピルアミン酢酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）プロピルアミンプロピオン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）プロピルアミンブタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プ
ロピルアミンペンタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピ
ルアミンヘキサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルア
ミンヘプタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミン
オクタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンノナ
ン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンデカン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンシュウ酸塩、
（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンマレイン酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）プロピルアミンメチルマロン酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）プロピルアミンアジピン酸塩、（モノ、
ジ、トリ）プロピルアミンセバシン酸塩、（モノ、ジ、
トリ）プロピルアミン没食子酸塩、（モノ、ジ、トリ）
プロピルアミン酪酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルア
ミンメリット酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミン
アラキドン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンシ
キミ酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミン２−エチ
ルヘキサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンオ
レイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンステア
リン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンリノール
酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンリノレイン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンサリチル酸塩、
（モノ、ジ、トリ）プロピルアミン安息香酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）プロピルアミンｐ−アミノ安息香酸塩、
（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンｐ−トルエンスルホ
ン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンベンゼンス
ルホン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンモノク
ロロ酢酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンジクロ
ロ酢酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミントリクロ
ロ酢酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミントリフル
オロ酢酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンギ酸
塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンマロン酸塩、
（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンスルホン酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）プロピルアミンフタル酸塩、（モノ、
ジ、トリ）プロピルアミンフマル酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）プロピルアミンクエン酸塩、（モノ、ジ、トリ）プ
ロピルアミン酒石酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルア
ミンコハク酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンフ
マル酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンイタコン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンメサコン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンシトラコン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミンリンゴ酸塩、
（モノ、ジ、トリ）プロピルアミングルタル酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）プロピルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、（モノ、ジ、トリ）プロピルアミン硝酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）ブチルアミン酢酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）ブチルアミンプロピオン酸塩、（モノ、ジ、トリ）
ブチルアミンブタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルア
ミンペンタン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンヘ
キサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンヘプタン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンオクタン酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンノナン酸塩、（モノ、
ジ、トリ）ブチルアミンデカン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）ブチルアミンシュウ酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチ
ルアミンマレイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミ
ンメチルマロン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミン
アジピン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンセバシ
ン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミン没食子酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアミン酪酸塩、（モノ、ジ、
トリ）ブチルアミンメリット酸塩、（モノ、ジ、トリ）
ブチルアミンアラキドン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチ
ルアミンシキミ酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミン
２−エチルヘキサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルア
ミンオレイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンス
テアリン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンリノー
ル酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンリノレイン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンサリチル酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアミン安息香酸塩、（モノ、
ジ、トリ）ブチルアミンｐ−アミノ安息香酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）ブチルアミンｐ−トルエンスルホン酸
塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンベンゼンスルホン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンモノクロロ酢酸
塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンジクロロ酢酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアミントリクロロ酢酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアミントリフルオロ酢酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンギ酸塩、（モノ、ジ、
トリ）ブチルアミンマロン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブ
チルアミンスルホン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルア
ミンフタル酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンフマ
ル酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンクエン酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアミン酒石酸塩、（モノ、
ジ、トリ）ブチルアミンコハク酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）ブチルアミンフマル酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチ
ルアミンイタコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミ
ンメサコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンシト
ラコン酸塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミンリンゴ酸
塩、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミングルタル酸塩、
（モノ、ジ、トリ）ブチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、（モノ、ジ、トリ）ブチルアミン硝酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）エタノールアミン酢酸塩、（モノ、ジ、
トリ）エタノールアミンプロピオン酸塩、（モノ、ジ、
トリ）エタノールアミンブタン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エタノールアミンペンタン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エタノールアミンヘキサン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エタノールアミンヘプタン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エタノールアミンオクタン酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エタノールアミンノナン酸塩、（モノ、ジ、トリ）
エタノールアミンデカン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタ
ノールアミンシュウ酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノー
ルアミンマレイン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノール
アミンメチルマロン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノー
ルアミンアジピン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノール
アミンセバシン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールア
ミン没食子酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミン
酪酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンメリット
酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンアラキドン
酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンシキミ酸
塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミン２−エチルヘ
キサン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンオレ
イン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンステア
リン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンリノー
ル酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンリノレイ
ン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンサリチル
酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミン安息香酸
塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンｐ−アミノ安
息香酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンｐ−ト
ルエンスルホン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールア
ミンベンゼンスルホン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノ
ールアミンモノクロロ酢酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタ
ノールアミンジクロロ酢酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタ
ノールアミントリクロロ酢酸塩、（モノ、ジ、トリ）エ
タノールアミントリフルオロ酢酸塩、（モノ、ジ、ト
リ）エタノールアミンギ酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタ
ノールアミンマロン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノー
ルアミンスルホン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノール
アミンフタル酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミ
ンフマル酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンク
エン酸塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミン酒石酸
塩、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンコハク酸塩、
（モノ、ジ、トリ）エタノールアミンフマル酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）エタノールアミンイタコン酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）エタノールアミンメサコン酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）エタノールアミンシトラコン酸塩、（モ
ノ、ジ、トリ）エタノールアミンリンゴ酸塩、（モノ、
ジ、トリ）エタノールアミングルタル酸塩、（モノ、
ジ、トリ）エタノールアンモニウムハイドロオキサイ
ド、（モノ、ジ、トリ）エタノールアミン硝酸塩、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド酢酸塩、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドプロピオン酸
塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドブタ
ン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
ペンタン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドヘキサン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドヘプタン酸塩、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイドオクタン酸塩、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドノナン酸塩、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドデカン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドシュウ酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドマレイン酸塩、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドメチルマ
ロン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドアジピン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドセバシン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド没食子酸塩、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド酪酸塩、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイドメリット酸塩、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドアラキドン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドシキミ酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド２−エチルヘキ
サン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドオレイン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドステアリン酸塩、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドリノール酸塩、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドリノレイン酸塩、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドサリチル酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド安息香酸塩、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドｐ−アミノ
安息香酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドｐ−トルエンスルホン酸塩、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドベンゼンスルホン酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドモノクロロ酢酸
塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドジク
ロロ酢酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドトリクロロ酢酸塩、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドトリフルオロ酢酸塩、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドギ酸塩、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドブチルアミンマロン酸塩、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドスルホン
酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドフ
タル酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドフマル酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドクエン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド酒石酸塩、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドコハク酸塩、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドフマル酸塩、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドイタコン酸塩、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドメサコン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドシトラコン酸塩、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドリンゴ酸
塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドグル
タル酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド硝酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド硝酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド酢酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドプロ
ピオン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イドブタン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオ
キサイドペンタン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドヘキサン酸塩、テトラエチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドヘプタン酸塩、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイドオクタン酸塩、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドノナン酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドデカン酸塩、テ
トラエチルアンモニウムハイドロオキサイドシュウ酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドマレ
イン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドメチルマロン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイド
ロオキサイドアジピン酸塩、テトラエチルアンモニウム
ハイドロオキサイドセバシン酸塩、テトラエチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド没食子酸塩、テトラエチルア
ンモニウムハイドロオキサイド酪酸塩、テトラエチルア
ンモニウムハイドロオキサイドメリット酸塩、テトラエ
チルアンモニウムハイドロオキサイドアラキドン酸塩、
テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドシキミ酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド２−
エチルヘキサン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイド
ロオキサイドオレイン酸塩、テトラエチルアンモニウム
ハイドロオキサイドステアリン酸塩、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイドリノール酸塩、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドリノレイン酸塩、テ
トラエチルアンモニウムハイドロオキサイドサリチル酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド安息
香酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
ｐ−アミノ安息香酸塩、テトラエチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドｐ−トルエンスルホン酸塩、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドベンゼンスルホン酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドモノ
クロロ酢酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキ
サイドジクロロ酢酸塩、テトラエチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドトリクロロ酢酸塩、テトラエチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドトリフルオロ酢酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドギ酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドブチルアミンマ
ロン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドスルホン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオ
キサイドフタル酸塩、テトラエチルアンモニウムハイド
ロオキサイドフマル酸塩、テトラエチルアンモニウムハ
イドロオキサイドクエン酸塩、テトラエチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド酒石酸塩、テトラエチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドコハク酸塩、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイドフマル酸塩、テトラエチル
アンモニウムハイドロオキサイドイタコン酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドメサコン酸塩、
テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドシトラコ
ン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
リンゴ酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イドグルタル酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロ
オキサイド硝酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロ
オキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イド硝酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキ
サイド酢酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオ
キサイドプロピオン酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドブタン酸塩、テトラプロピルアンモ
ニウムハイドロオキサイドペンタン酸塩、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロオキサイドヘキサン酸塩、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドヘプタン酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドオ
クタン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキ
サイドノナン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロオキサイドデカン酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドシュウ酸塩、テトラプロピルアンモ
ニウムハイドロオキサイドマレイン酸塩、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロオキサイドメチルマロン酸塩、
テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドアジピ
ン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイ
ドセバシン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロ
オキサイド没食子酸塩、テトラプロピルアンモニウムハ
イドロオキサイド酪酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドメリット酸塩、テトラプロピルアン
モニウムハイドロオキサイドアラキドン酸塩、テトラプ
ロピルアンモニウムハイドロオキサイドシキミ酸塩、テ
トラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド２−エチ
ルヘキサン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロ
オキサイドオレイン酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドステアリン酸塩、テトラプロピルア
ンモニウムハイドロオキサイドリノール酸塩、テトラプ
ロピルアンモニウムハイドロオキサイドリノレイン酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドサ
リチル酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキ
サイド安息香酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロオキサイドｐ−アミノ安息香酸塩、テトラプロピルア
ンモニウムハイドロオキサイドｐ−トルエンスルホン酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドベ
ンゼンスルホン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイドモノクロロ酢酸塩、テトラプロピルアン
モニウムハイドロオキサイドジクロロ酢酸塩、テトラプ
ロピルアンモニウムハイドロオキサイドトリクロロ酢酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドト
リフルオロ酢酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロオキサイドギ酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイドブチルアミンマロン酸塩、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロオキサイドスルホン酸塩、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドフタル酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドフ
マル酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサ
イドクエン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロ
オキサイド酒石酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイドコハク酸塩、テトラプロピルアンモニウ
ムハイドロオキサイドフマル酸塩、テトラプロピルアン
モニウムハイドロオキサイドイタコン酸塩、テトラプロ
ピルアンモニウムハイドロオキサイドメサコン酸塩、テ
トラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドシトラコ
ン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイ
ドリンゴ酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオ
キサイドグルタル酸塩、テトラプロピルアンモニウムハ
イドロオキサイド硝酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイド硝酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド酢酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドプロピオン酸塩、テトラブチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドブタン酸塩、テトラブチルアン
モニウムハイドロオキサイドペンタン酸塩、テトラブチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドヘキサン酸塩、テト
ラブチルアンモニウムハイドロオキサイドヘプタン酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドオク
タン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドノナン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキ
サイドデカン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドシュウ酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドマレイン酸塩、テトラブチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドメチルマロン酸塩、テトラブチル
アンモニウムハイドロオキサイドアジピン酸塩、テトラ
ブチルアンモニウムハイドロオキサイドセバシン酸塩、
テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド没食子酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド酪酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドメリ
ット酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドアラキドン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドシキミ酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド２−エチルヘキサン酸塩、テトラブチル
アンモニウムハイドロオキサイドオレイン酸塩、テトラ
ブチルアンモニウムハイドロオキサイドステアリン酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドリノ
ール酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドリノレイン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドサリチル酸塩、テトラブチルアンモニウムハ
イドロオキサイド安息香酸塩、テトラブチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドｐ−アミノ安息香酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイドｐ−トルエンスル
ホン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドベンゼンスルホン酸塩、テトラブチルアンモニウムハ
イドロオキサイドモノクロロ酢酸塩、テトラブチルアン
モニウムハイドロオキサイドジクロロ酢酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイドトリクロロ酢酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドトリ
フルオロ酢酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオ
キサイドギ酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオ
キサイドブチルアミンマロン酸塩、テトラブチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドスルホン酸塩、テトラブチル
アンモニウムハイドロオキサイドフタル酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイドフマル酸塩、テト
ラブチルアンモニウムハイドロオキサイドクエン酸塩、
テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド酒石酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドコハ
ク酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド
フマル酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサ
イドイタコン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドメサコン酸塩、テトラブチルアンモニウムハ
イドロオキサイドシトラコン酸塩、テトラブチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドリンゴ酸塩、テトラブチルア
ンモニウムハイドロオキサイドグルタル酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイド硝酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルア
ンモニウムハイドロオキサイド硝酸塩などを挙げること
が出来る。なお、上記の化合物名表記において（モノ、
ジ、トリ）と記載されているものは、それぞれ対応する
３種の化合物をまとめて記載したものであり、例えば
（モノ、ジ、トリ）メチルアミン酢酸塩と記載されてい
るのはモノメチルアミン酢酸塩、ジメチルアミン酢酸
塩、トリメチルアミン酢酸塩をの３種をまとめて表すも
のである。

【００３１】これら（Ｂ）成分の（Ａ）成分に対する使
用割合は、（Ａ）成分１００重量部（完全加水分解縮合
物換算）に対して、（Ｂ）成分０．００５〜０．０５重
量部、より好ましくは０．００７〜０．０３重量部であ
る。（Ｂ）成分の使用割合が０．０００５重量部未満で
あると組成物の保存安定性が劣る場合があり、０．０５
重量部を越えると塗膜の塗布均一性が劣る場合がある。

【００３２】また、（Ｂ）成分添加後の膜形成用組成物
のｐＨは２〜４、より好ましくは２．２〜３．８であ
る。膜形成用組成物のｐＨが２未満の場合や、４を越え
る場合は膜形成用組成物の保存安定性が劣るものとな
る。

【００３３】（Ｃ）有機溶媒 本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）加水分解縮合物と
（Ｂ）成分を、通常、（Ｃ）有機溶媒に溶解または分散
してなる。この（Ｃ）有機溶媒としては、アルコール系
溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒お
よび非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも１種
が挙げられる。ここで、アルコール系溶媒としては、メ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパ
ノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブ
タノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペ
ンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノ
ール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ
−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘ
キサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノ
ール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチ
ルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルア
ルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デ
カノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチル
ノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、
ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロ
ヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５
−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコー
ル、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶
媒；

【００３４】エチレングリコール、１，２−プロピレン
グリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，
４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−
２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒；などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００３５】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−
ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチ
ルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−
ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、２，
４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５
−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−
オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナ
ンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時
に使用してもよい。

【００３６】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオン
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリ
ン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジ
ン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジ
ン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００３７】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブ
チル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸
３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エ
チルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、１
種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。非プロト
ン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラエチルスルファミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモルホ
ロン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ−
メチル−Δ3 −ピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−
エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−
メチルイミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ
−メチル−２−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３
−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンな
どを挙げることができる。

【００３８】これらの有機溶剤の中で、特に下記一般式
（４）で表される有機溶剤が特に好ましい。 Ｒ^８Ｏ（ＣＨＣＨ₃ＣＨ₂Ｏ）_eＲ^９ ・・・・・（４） （Ｒ^８およびＲ^９は、それぞれ独立して水素原子、炭素
数１〜４のアルキル基またはＣＨ₃ＣＯ−から選ばれる
１価の有機基を示し、ｅは１〜２の整数を表す。）以上
の（Ｃ）有機溶媒は、１種あるいは２種以上を混合して
使用することができる。

【００３９】本発明の膜形成用組成物は、化合物（１）
〜（３）を加水分解、縮合する際に、同様の溶媒を使用
することができる。

【００４０】具体的には、化合物（１）〜（３）を溶解
させた溶媒中に水または溶媒で希釈した水を断続的ある
いは連続的に添加する。この際、アルカリ触媒は溶媒中
に予め添加しておいてもよいし、水添加時に水中に溶解
あるいは分散させておいてもよい。この際の反応温度と
しては、通常、０〜１００℃、好ましくは１５〜９０℃
である。

【００４１】その他の添加剤 本発明で得られる膜形成用組成物には、さらにコロイド
状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活
性剤、シランカップリング剤、ラジカル発生剤、トリア
ゼン化合物などの成分を添加してもよい。コロイド状シ
リカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を前記親水性有
機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が５〜
３０ｎｍ、好ましくは１０〜２０ｎｍ、固形分濃度が１
０〜４０重量％程度のものである。このような、コロイ
ド状シリカとしては、例えば、日産化学工業（株）製、
メタノールシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾ
ル；触媒化成工業（株）製、オスカルなどが挙げられ
る。コロイド状アルミナとしては、日産化学工業（株）
製のアルミナゾル５２０、同１００、同２００；川研フ
ァインケミカル（株）製のアルミナクリアーゾル、アル
ミナゾル１０、同１３２などが挙げられる。有機ポリマ
ーとしては、例えば、糖鎖構造を有する化合物、ビニル
アミド系重合体、（メタ）アクリル系重合体、芳香族ビ
ニル化合物、デンドリマー、ポリイミド，ポリアミック
酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、
ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレ
ンオキサイド構造を有する化合物などを挙げることがで
きる。

【００４２】ポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチ
レンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、
ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキ
シド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオ
キシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホル
マリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなど
のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸
塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エス
テル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコ
ール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエー
テルエステル型化合物などを挙げることができる。ポリ
オキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
としては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙
げられる。 −（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ− −（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ−（Ｘ）l- （式中、Ｘは−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−で表される基を、Ｙは−
ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）Ｏ−で表される基を示し、ｊは１〜
９０、ｋは１０〜９９、ｌは０〜９０の数を示す） これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポ
リマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、
などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げる
ことができる。これらは１種あるいは２種以上を同時に
使用しても良い。

【００４３】界面活性剤としては、例えば、ノニオン系
界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活
性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキ
レンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート
系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げること
ができる。

【００４４】フッ素系界面活性剤としては、例えば１，
１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−
テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）
エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，
２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロ
ロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフ
ロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロ
デカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンア
ミド）プロピル］-Ｎ，Ｎ‘−ジメチル−Ｎ−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル
−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少
なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオ
ロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活
性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガ
ファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１
８３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エフト
ップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成
（株）製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１
（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−
１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１
０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０
００、ＢＭ−１１００（裕商（株）製）、ＮＢＸ−１５
（（株）ネオス）などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１
００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。

【００４５】シリコーン系界面活性剤としては、例えば
ＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４Ｐ
Ａ（いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）
製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記Ｓ
Ｈ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡが特に好ましい。

【００４６】界面活性剤の使用量は、（Ａ）成分（完全
加水分解縮合物）に対して通常０．０００１〜１０重量
部である。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用
しても良い。

【００４７】シランカップリング剤としては、例えば３
−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ア
ミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリ
シジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルト
リメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシ
リルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキ
シシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリ
メトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−
トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９
−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテー
ト、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルア
セテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシ
エチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシランな
どが挙げられる。これらは１種あるいは２種以上を同時
に使用しても良い。

【００４８】ラジカル発生剤としては、例えばイソブチ
リルパーオキサイド、α、α’ビス（ネオデカノイルパ
ーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシ
ネオデカノエート、ジ−ｎプロピルパーオキシジカーボ
ネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、
１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデ
カノエート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ
ーオキシジカーボネート、１−シクロヘキシル−１−メ
チルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−２−エト
キシエチルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチル
ヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ヘキシルパ
ーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシ
ジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル
パーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネ
オデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキ
サイド、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチ
ルパーオキシピバレート、３，５，５−トリメチルヘキ
サノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイ
ド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキ
サイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキ
シ２−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサ
イド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキ
サノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−
１−メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノエー
ト、ｔ−ヘキシルパーオキシ２−エチルヘキサノエー
ト、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、
ｍ−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチ
レート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−２−メチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス
（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−
ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロデカン、ｔ−ヘキ
シルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブ
チルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−
３，３，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパ
ーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシ２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘ
キシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブ
チルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエー
ト、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレ
ート、α、α’ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプ
ロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサ
ン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチル
パーオキサイド、ｐ−メンタンヒドロパーオキサイド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパー
オキサイド、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイ
ド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオ
キサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシル
ヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイ
ド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン等を
挙げることができる。

【００４９】ラジカル発生剤の配合量は、重合体１００
重量部に対し、０．１〜１０重量部が好ましい。これら
は１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。

【００５０】トリアゼン化合物としては、例えば、１，
２−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、
１，３−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベ
ンゼン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニ
ル）エーテル、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフ
ェニル）メタン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル
フェニル）スルホン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼ
ニルフェニル）スルフィド、２，２−ビス〔４−（３，
３−ジメチルトリアゼニルフェノキシ）フェニル〕−
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス〔４−（３，３−ジメチルトリアゼニルフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、１，３，５−トリス
（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、２，７−
ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス
［４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フ
ルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニ
ル）−９，９−ビス［３−メチル−４−（３，３−ジメ
チルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビ
ス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス
［３−フェニル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニ
ル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジ
メチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−プロペニル
−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フ
ルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニ
ル）−９，９−ビス［３−フルオロ−４−（３，３−ジ
メチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−
ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス
［３，５−ジフルオロ−４−（３，３−ジメチルトリア
ゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３
−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−トリフ
ルオロメチル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）
フェニル］フルオレンなどが挙げられる。これらは１種
あるいは２種以上を同時に使用しても良い。

【００５１】膜形成用組成物の調製方法 本発明の膜形成用組成物を調製するに際しては、例え
ば、溶媒中化合物（１）〜（３）を混合して、水を連続
的または断続的に添加して、加水分解し、縮合しすれば
よく、特に限定されない。

【００５２】本発明の組成物の調製方法の具体例として
は、下記1)〜11)の方法などを挙げることができる。 1)化合物（１）〜（３）、アルカリ触媒および有機溶媒
からなる混合物に、所定量の水を加えて、加水分解・縮
合反応を行う方法。 2)化合物（１）〜（３）、アルカリ触媒および有機溶媒
からなる混合物に、所定量の水を連続的あるいは断続的
に添加して、加水分解、縮合反応を行う方法。 3)化合物（１）〜（３）および有機溶媒からなる混合物
に、所定量の水およびアルカリ触媒を加えて、加水分解
・縮合反応を行う方法。 4)化合物（１）〜（３）および有機溶剤からなる混合物
に、所定量の水およびアルカリ触媒を連続的あるいは断
続的に添加して、加水分解、縮合反応を行う方法。 5)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物（１）〜（３）を加えて、加水分解・縮
合反応を行う方法。 6)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物（１）〜（３）を連続的あるいは断続的
に添加して、加水分解・縮合反応を行う方法。 7)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物（１）〜（３）を加えて、加水分解・縮
合反応を行い、ｐＨ調整剤を添加する方法。 8)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物（１）〜（３）を加えて、加水分解・縮
合反応を行い、溶液の一定濃度に濃縮した後ｐＨ調整剤
を添加する方法。 9)上記1)〜8)の方法で得られた溶液を、別な有機溶剤で
抽出する方法。 10)上記1)〜8)の方法で得られた溶液を、別な有機溶剤
で置換する方法。 11)上記1)〜8)の方法で得られた溶液を、別な有機溶剤
で抽出した後、更に別な有機溶剤で置換する方法。

【００５３】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０重量％であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記（Ｃ）有機溶剤による希釈によって行われる。

【００５４】本発明の組成物を、シリコンウエハ、Ｓｉ
Ｏ₂ウエハ、ＳｉＮウエハなどの基材に塗布する際に
は、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー
法などの塗装手段が用いられる。

【００５５】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗
りで厚さ０．０２〜２．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ
０．０４〜５．０μｍ程度の塗膜を形成することができ
る。その後、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００
℃程度の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥
することにより、ガラス質または巨大高分子の絶縁膜を
形成することができる。この際の加熱方法としては、ホ
ットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用するこ
とが出来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、
アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした
減圧下などで行うことができる。また、電子線や紫外線
を照射することによっても塗膜を形成させることができ
る。また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に
応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧
などの雰囲気を選択することができる。このようにして
得られる本発明のシリカ系膜は、膜密度が、通常、０．
３５〜１．２ｇ／ｃｍ³ 、好ましくは０．４〜１．１ｇ
／ｃｍ³ 、さらに好ましくは０．５〜１．０ｇ／ｃｍ³
である。膜密度が０．３５ｇ／ｃｍ³ 未満では、塗膜の
機械的強度が低下し、一方、１．２ｇ／ｃｍ³ を超える
と低比誘電率が得られない。また、本発明のシリカ系膜
は、ＢＪＨ法による細孔分布測定において、１０ｎｍ以
上の空孔が認められず、微細配線間の層間絶縁膜材料と
して好ましい。さらに、本発明のシリカ系膜は、吸水性
が低い点に特徴を有し、例えば、塗膜を１２７℃、２．
５ａｔｍ、１００％ＲＨの環境に１時間放置した場合、
放置後の塗膜のＩＲスペクトル観察からは塗膜への水の
吸着は認められない。この吸水性は、本発明における膜
形成用組成物に用いられる化合物（１）のテトラアルコ
キシシラン類の量により、調整することができる。さら
に、本発明のシリカ系膜の比誘電率は、通常、２．６〜
１．２、好ましくは２．５〜１．２、さらに好ましくは
２．４〜１．２である。

【００５６】このようにして得られる層間絶縁膜は、焼
成条件による比誘電率の差異が小さく、さらに基板との
優れた密着性を示すことから、ＬＳＩ、システムＬＳ
Ｉ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡ
Ｍなどの半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパ
ー膜、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レ
ジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板
の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などの
用途に有用である。

【００５７】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および％は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量％であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。

【００５８】慣性半径 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）（屈折率，粘度，光散乱測定）法により測
定した。試料溶液：シラン化合物の加水分解縮合物を、
固形分濃度が０．２５％となるように、１０ｍＭのＬｉ
Ｂｒを含むメタノールで希釈し、ＧＰＣ（屈折率，粘
度，光散乱測定）用試料溶液とした。 装置：東ソー（株）製、ＧＰＣシステム モデル ＧＰＣ−８０２０ 東ソー（株）製、カラム Ａｌｐｈａ５０００／３０００ ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル Ｔ−６０ デュアルメーター キャリア溶液：１０ｍＭのＬｉＢｒを含むメタノール キャリア送液速度：１ｍｌ／ｍｉｎ カラム温度：４０℃

【００５９】比誘電率 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で９０℃で３分
間、窒素雰囲気２００℃で３分間基板を乾燥し、さらに
３９０℃並びに４１５℃の窒素雰囲気ファーネスで３０
分基板を焼成した。得られた膜に対して、蒸着法により
アルミニウム電極パターンを形成させ比誘電率測定用サ
ンプルを作成した。該サンプルを周波数１００ｋＨｚの
周波数で、横河・ヒューレットパッカード（株）製、Ｈ
Ｐ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４Ａプレシジョン
ＬＣＲメータを用いてＣＶ法により当該塗膜の比誘電率
を測定した。

【００６０】組成物のｐＨ 膜形成用組成物をエタノール／超純水＝３／１（重量
比）の溶液で１０倍に希釈し、組成物のｐＨを測定し
た。

【００６１】組成物の保存安定性 ４０℃で３０日保存した膜形成用組成物を、スピンコー
ト法を用いて組成物試料を塗布し、ホットプレート上で
９０℃で３分間、窒素雰囲気２００℃で３分間基板を乾
燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気ファーネスで３０分
基板を焼成した。このようにして得られた塗膜の膜厚
を、光学式膜厚計（Ｒｕｄｏｌｐｈ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｉｅｓ社製、Ｓｐｅｃｔｒａ Ｌａｓｅｒ２００）を
用いて塗膜面内で５０点測定した。得られた膜厚の膜厚
を測定し、下式により求めた膜厚増加率により、保存安
定性を評価した。 膜厚増加率（％）＝（（保存後の膜厚）−（保存前の膜
厚））÷（保存前の膜厚）×１００ 〇：膜厚増加率４％以下 ×：膜厚増加率４％超える

【００６２】合成例１ 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール４７０．
９ｇ、イオン交換水２２６．５ｇと２５％テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド水溶液１７．２ｇを入
れ、均一に攪拌した。この溶液にメチルトリメトキシシ
ラン４４．９ｇとテトラエトキシシラン６８．６ｇの混
合物を１時間かけて添加した。溶液を５５℃に保ったま
ま、２時間反応を行った。この溶液に２０％硝酸水溶液
５０ｇを添加し、十分攪拌した後、室温まで冷却した。
この溶液に蒸留酢酸ブチル７００ｇを加え、十分攪拌し
層分離した溶液から上層のみを取り出した。この溶液に
イオン交換水５００ｇを加え、十分攪拌し下層の水層を
除去した。この操作を１０回繰り返した後、上層溶液に
蒸留プロピレングリコールモノプロピルエーテル４００
ｇを添加し、５０℃のエバポレーターを用いて溶液を１
３％（完全加水分解縮合物換算）となるまで濃縮し、反
応液を得た。このようにして得られた縮合物等の慣性
半径は、２０．０ｎｍであった。また、溶液中のテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド量を炎光光度測
定器で測定したところ、固形分１００重量部（完全加水
分解縮合物換算）に対して、０．００１重量部であっ
た。

【００６３】合成例２ 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール４７０．
９ｇ、イオン交換水２３３．３ｇと２５％水酸化カリウ
ム水溶液１０．４ｇを入れ、均一に攪拌した。この溶液
にメチルトリメトキシシラン４４．９ｇとテトラエトキ
シシラン６８．６ｇの混合物を２０分間かけて添加し
た。溶液を５０℃に保ったまま、２時間反応を行った。
この溶液に２０％マレイン酸水溶液５０ｇを添加し、十
分攪拌した後、室温まで冷却した。この溶液にイオン交
換水５００ｇを加え、十分攪拌し下層の水層を除去し
た。この操作を１０回繰り返した後、上層溶液に蒸留プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテル４００ｇを添
加し、５０℃のエバポレーターを用いて溶液を１３％
（完全加水分解縮合物換算）となるまで濃縮し、反応液
を得た。このようにして得られた縮合物等の慣性半径
は、１９．６ｎｍであった。

【００６４】合成例３ 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール５７０
ｇ、イオン交換水１６０ｇと１０％メチルアミンのイオ
ン交換水溶液９０ｇを入れ、均一に攪拌した。この溶液
に蒸留メチルトリメトキシシラン１３．６ｇと蒸留テト
ラエトキシシラン２０．９ｇの混合物を３０分間かけて
添加した。溶液を６５℃に保ったまま、２時間反応を行
った。この溶液に２０％マレイン酸水溶液５０ｇを添加
し、十分攪拌した後、室温まで冷却した。この溶液にイ
オン交換水５００ｇを加え、十分攪拌し下層の水層を除
去した。この操作を１０回繰り返した後、上層溶液に蒸
留プロピレングリコールモノプロピルエーテル４００ｇ
を添加し、５０℃のエバポレーターを用いて溶液を１３
％（完全加水分解縮合物換算）となるまで濃縮し、反応
液を得た。このようにして得られた縮合物等の慣性半
径は、１７．０ｎｍであった。また、溶液中のメチルア
ミンマレイン酸塩量を炎光光度測定器で測定したとこ
ろ、固形分１００重量部（完全加水分解縮合物換算）に
対して、０．００１重量部であった。

【００６５】比較合成例１ 合成例１において、２５％テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液の代わりにコハク酸２．４ｇを
使用した以外は合成例１と同様にして反応液を得た。
このようにして得られた縮合物等の慣性半径は、０．２
ｎｍであった。

【００６６】実施例１ 合成例１で得られた反応液の固形分１００重量部（完
全加水分解縮合物換算）に対して、アンモニアマレイン
酸塩を０．００７重量部となるよう添加し、十分攪拌し
た。この溶液を０．２μｍ孔径のテフロン（登録商標）
製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得
た。この組成物のｐＨは３．３であった。得られた組成
物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。３
９０℃焼成の塗膜の比誘電率は２．２２、４１５℃焼成
の塗膜の比誘電率は２．２１と比誘電率の焼成依存は非
常に小さかった。また、組成物の保存安定性を評価した
ところ、膜厚増加率は２．３％と保存安定性に優れてい
た。

【００６７】実施例２〜８ 表１に示す組成で膜形成用組成物を作製し、実施例１と
同様に評価を行った。評価結果を表１に併せて示す。

【００６８】

【表１】

【００６９】比較例１ 合成例３で得られた反応液のみを使用したこと以外は
実施例１と同様にして塗膜の評価を行った。この組成物
のｐＨは４．１であった。３９０℃焼成の塗膜の比誘電
率は２．２１、４１５℃焼成の塗膜の比誘電率は２．２
３と比誘電率の焼成依存は非常に小さかったが、組成物
の保存安定性を評価したところ、膜厚増加率は４．８％
と保存安定性に劣るものであった。

【００７０】比較例２ 合成例２で得られた反応液のみを使用したこと以外は
実施例１と同様にして塗膜の評価を行った。この組成物
のｐＨは４．２であった。３９０℃焼成の塗膜の比誘電
率は２．０３、４１５℃焼成の塗膜の比誘電率は２．０
５と比誘電率の焼成依存は非常に小さかったが、組成物
の保存安定性を評価したところ、膜厚増加率は５．２％
と保存安定性に劣るものであった。

【００７１】比較例３ 合成例３で得られた反応液の固形分１００重量部（完
全加水分解縮合物換算）に対して、アンモニアマレイン
酸塩を０．２重量部となるよう添加したこと以外は実施
例１と同様にして塗膜の評価を行った。この組成物のｐ
Ｈは２．１であった。３９０℃焼成の塗膜の比誘電率は
２．１８、４１５℃焼成の塗膜の比誘電率は２．２０と
比誘電率の焼成依存は非常に小さかったが、組成物の保
存安定性を評価したところ、膜厚増加率は６．３％と保
存安定性に劣るものであった。

【００７２】比較例４ 合成例３で得られた反応液の固形分１００重量部（完
全加水分解縮合物換算）に対して、アンモニア硫酸塩を
１重量部となるよう添加したこと以外は実施例１と同様
にして塗膜の評価を行った。この組成物のｐＨは１．９
であった。３９０℃焼成の塗膜の比誘電率は２．１８、
４１５℃焼成の塗膜の比誘電率は２．２０と比誘電率の
焼成依存は非常に小さかったが、組成物の保存安定性を
評価したところ、膜厚増加率は６．９％と保存安定性に
劣るものであった。

【００７３】比較例５ 比較合成例１で得られた反応液の固形分１００重量部
（完全加水分解縮合物換算）に対して、アンモニアマレ
イン酸塩を０．０１重量部となるよう添加したこと以外
は実施例１と同様にして塗膜の評価を行った。この組成
物のｐＨは３．７であった。３９０℃焼成の塗膜の比誘
電率は３．２４、４１５℃焼成の塗膜の比誘電率は２．
７８と比誘電率の焼成依存が劣るものであった。

【００７４】

【発明の効果】本発明によれば、（Ａ）アルコキシシラ
ン加水分解重合体、（Ｂ）特定量のアンモニウム塩、１
〜４級アルキルアンモニウム塩の群から選ばれる少なく
とも１種、および（Ｃ）有機溶剤を含有し、かつｐＨ２
〜４の組成物で、焼成条件による比誘電率の差異が小さ
く、さらに組成物の保存安定性に優れた膜形成用組成物
（層間絶縁膜用材料）を提供することが可能である。

フロントページの続き (72)発明者 西川 通則 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社内 (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4J038 DL021 DL031 DL071 DL161 HA176 HA316 JA16 JA30 JA53 JB01 JB11 JB12 KA04 KA06 LA03 NA21 NA26 PA19 PB09

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化
   合物、 Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
   基、Ｒ¹ は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） 下記一般式（２）で表される化合物および Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ² は１価の有機基を示す。） 下記一般式（３）で表される化合物 Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ⁶ _c ・・・・（３） 〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価
   の有機基、ｂ〜ｃは同一または異なり、０〜２の整数、
   Ｒ⁷ は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂）_n −
   で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄ
   は０または１を示す。〕の群から選ばれた少なくとも１
   種の化合物をアルカリ触媒と水の存在下で加水分解、縮
   合して得られる加水分解縮合物、（Ｂ）（Ａ）成分１０
   ０重量部（完全加水分解縮合物換算）に対して０．００
   ５〜０．５重量部の、アンモニウム塩および第１〜４級
   アルキルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なく
   とも１種ならびに（Ｃ）有機溶剤を含有し、かつｐＨが
   ２〜４であることを特徴とする膜形成用組成物。
2. 【請求項２】（Ｃ）有機溶剤が、下記一般式（４）で表
   される溶剤であることを特徴とする請求項１記載の膜形
   成用組成物。 Ｒ^８Ｏ（ＣＨＣＨ₃ＣＨ₂Ｏ）_eＲ^９ ・・・・・（４） （Ｒ^８およびＲ^９は、それぞれ独立して水素原子、炭素
   数１〜４のアルキル基またはＣＨ₃ＣＯ−から選ばれる
   １価の有機基を示し、ｅは１〜２の整数を表す。）
3. 【請求項３】 アルカリ触媒が、アンモニア、１〜３級
   アルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムハイドロ
   オキサイド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムである
   ことを特徴とする請求項１記載の膜形成用組成物。
4. 【請求項４】 （Ｂ）成分がアンモニア有機酸塩、アン
   モニウムハイドロオキサイド、アンモニア硝酸塩、１〜
   ４級アルキルアミン有機酸塩、１〜４級アルキルアンモ
   ニウムハイドロオキサイド、１〜４級アルキルアミン硝
   酸塩であることを特徴とする請求項１記載の膜形成用組
   成物。
5. 【請求項５】 請求項１項に記載の膜形成用組成物を
   基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜の形成方
   法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の膜の形成方法によって
   得られるシリカ系膜。
7. 【請求項７】 比誘電率が２．４以下であることを特
   徴とする請求項６記載のシリカ系膜。