JP2003032440A - Digital image forming element and image forming method - Google Patents
Digital image forming element and image forming methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル画像形成
素子および画像形成プロセスに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital image forming device and an image forming process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年では、情報をデジタル信号に変換し
て光によって情報記録を行うデジタル記録方式を用いた
プリンタは、そのプリント品質、信頼性において向上が
著しい。またこのデジタル記録方式はプリンタのみなら
ず通常の複写機にも応用され、所謂デジタル複写機が開
発されている。さらに、このデジタル複写機は、種々様
々な情報処理機能が付加されるため今後その需要性が益
々高まっていくと予想される。更に近年ではカラー画像
の需要が高まり高画質化、光精彩化への要望として、感
光体及び関連の技術の更なる進展が望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, a printer using a digital recording system for converting information into a digital signal and recording information by light has been remarkably improved in print quality and reliability. This digital recording system is applied not only to printers but also to ordinary copying machines, and so-called digital copying machines have been developed. Further, this digital copying machine is expected to further increase in demand in the future since various digital information processing functions are added. Further, in recent years, the demand for color images has increased, and further progress in photoconductors and related technologies has been demanded as a demand for high image quality and light definition.
【０００３】現在、これらの方式に用いられる電子写真
感光体は、一般的には導電性支持体上に電荷発生層を形
成し、その上に電荷輸送層を設けたいわゆる機能分離型
積層感光体が主流である。この機能分離型積層感光体に
おいて、表面が帯電された感光体が露光されたとき、光
は電荷輸送層を透過し、電荷発生層中の電荷発生材料に
吸収される。電荷発生材料はこの光を吸収して電荷担体
を発生する。発生した電荷担体は電荷輸送層に注入さ
れ、帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層を
移動して感光体の表面電荷を中和する。その結果、感光
体の表面に静電潜像が形成される。このように電子写真
感光体を用いたプロセスでは、静電潜像の形成のため電
荷を移動する機能が必要であり、材料が著しく限定さ
れ、機械的強度の低下、耐溶剤性のなさが問題とされて
いる。また、電荷担体が電荷輸送層を移動する間に電荷
担体の散逸が起こり、表面の静電潜像が時間的、空間的
に不均一となり今後の高画質への要求に対応できない可
能性がある。At present, electrophotographic photoreceptors used in these systems are generally so-called function-separated laminated photoreceptors in which a charge generation layer is formed on a conductive support and a charge transport layer is provided thereon. Is the mainstream. In this function-separated layered photoconductor, when the photoconductor whose surface is charged is exposed, light passes through the charge transport layer and is absorbed by the charge generating material in the charge generating layer. The charge generating material absorbs this light and generates charge carriers. The generated charge carriers are injected into the charge transport layer and move in the charge transport layer along the electric field generated by charging to neutralize the surface charge of the photoreceptor. As a result, an electrostatic latent image is formed on the surface of the photoconductor. As described above, in the process using the electrophotographic photosensitive member, the function of transferring electric charges is required to form an electrostatic latent image, the material is significantly limited, the mechanical strength is lowered, and the solvent resistance is a problem. It is said that. In addition, the charge carriers may be dissipated while they move through the charge transport layer, and the electrostatic latent image on the surface may become non-uniform in time and space, and it may not be possible to meet future demands for high image quality. .
【０００４】このようなデジタル記録方式に対応させる
光源としては、例えば、半導体レーザー（ＬＤ）や発光
ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われているが、照射強度
が不均一で、電荷担体が不均一に発生し、その結果、表
面の静電潜像が空間的に不均一になる問題も危惧されて
いる。A semiconductor laser (LD) or a light emitting diode (LED) is often used as a light source compatible with such a digital recording method, but the irradiation intensity is non-uniform and the charge carriers are non-uniform. There is also a concern that the electrostatic latent image on the surface may be spatially non-uniform as a result.
【０００５】この分野における今後の要求として、高画
質化があり、可視化するトナーの粒径を微小にしていく
ことが必要とされているが、粉体の状態ではハンドリン
グに問題があり、液体トナーが高画質、カラー化では必
要とされているが、電子写真感光体ではこれに十分答え
られていない。As future demands in this field, there is a demand for higher image quality, and it is necessary to make the particle size of the toner to be visualized smaller, but in the state of powder, there is a problem in handling, and liquid toner is used. Is required for high image quality and colorization, but it has not been sufficiently answered by the electrophotographic photoreceptor.
【０００６】ところで、従来、光導電体の分極現象とし
て、光導電体材料の禁制帯内に捕獲された電荷キャリア
の誘電性に基く光導電性感光層の永続的内部分極（ＰＩ
Ｐ）を用いた画像形成法が知られているが、この画像形
成技術は、分極又は誘電現象に依存するものであるの
で、光導電性感光層に隣接して誘電性材料を積層した感
光体を用い、その光導電性感光層の分極に誘発されて分
極する誘電性材料の表面を用いて画像を形成することが
できる。このＰＩＰによる画像形成技術には、標準的な
ものとして次のステップがある。（ｉ）電圧を印加し、
露光する。(ii)露光してからすぐに電圧を印加する。(i
ii)電圧を印加し固有吸収光を均一に露光する。その
後、画像を露光して分極電荷を消去する。(iv)感光層に
電圧を加え、全面に固有吸収光で励起する。光しゃ断
後、印加電圧の極性を変え画像を露光する。画像部はま
えの分極電荷と逆極性なので、画像のＳ／Ｎがよくな
る。以上は直流の印加電圧を電源から加えたものである
が、同時にサンドイッチ型にするため透明電極が必要に
なる。そこで、コロナ放電を行って電極なしの方法が考
えられ、その場合は、透明絶縁性フィルムを感光層にの
せ、その下部に絶縁層を入れ、最下層に電導層をもつも
のとし、（ｉ）均一帯電のあと均一露光、(ii)画像露
光、(iii)均一帯電、(iv)逆性のコロナ放電を行う。こ
の結果、露光部は分極電荷と帯電電荷があり、未露光部
は均一な帯電による電荷のみとなる。これに全面の励起
光を照射すると、未露光部分と画像部分は絶縁層に残留
する電極の極性が逆になり、Ｓ／Ｎ比のよい画像が得ら
れるとされているが、デジタル画像形成のための微小に
分割され各々がスイッチング機能を有する部材を用いる
ものではなく、アナログ量の光照射に基本的に依存する
Ｓ／Ｎ比を得るものである。ＰＩＰ感光層としてはＣｄ
Ｓ，Ｓｅ−Ｔｅなどが代表的なものとして使われている
が、利得つまり光−電間の変換率には限りがある。By the way, conventionally, as a polarization phenomenon of the photoconductor, permanent internal polarization (PI) of the photoconductive photosensitive layer based on the dielectric property of the charge carriers trapped in the forbidden band of the photoconductor material (PI) is used.
Although an image forming method using P) is known, this image forming technique relies on polarization or a dielectric phenomenon. Therefore, a photoconductor in which a dielectric material is laminated adjacent to a photoconductive photosensitive layer. Can be used to form an image with the surface of a dielectric material that is polarized by the polarization of its photoconductive photosensitive layer. This PIP-based image forming technique has the following steps as standard. (I) applying a voltage,
Expose. (ii) A voltage is applied immediately after exposure. (i
ii) A voltage is applied to uniformly expose the intrinsically absorbed light. The image is then exposed to erase the polarization charge. (iv) A voltage is applied to the photosensitive layer, and the entire surface is excited with intrinsically absorbed light. After the light is cut off, the polarity of the applied voltage is changed and the image is exposed. Since the image portion has the opposite polarity to the previous polarization charge, the S / N ratio of the image is improved. The above is a case where a direct current applied voltage is applied from a power source, but at the same time, a transparent electrode is required to form a sandwich type. Therefore, a method without corona discharge and without electrodes is conceivable. In that case, a transparent insulating film is placed on the photosensitive layer, an insulating layer is put under the photosensitive layer, and a conductive layer is provided at the bottom, (i) After uniform charging, uniform exposure, (ii) image exposure, (iii) uniform charging, and (iv) reverse corona discharge are performed. As a result, the exposed area has a polarization charge and a charging charge, and the unexposed area has only a uniform charge. When the whole surface is irradiated with excitation light, the polarities of the electrodes remaining in the insulating layer in the unexposed portion and the image portion are reversed, and it is said that an image with a good S / N ratio can be obtained. It does not use a member that is minutely divided and each has a switching function, but obtains an S / N ratio that basically depends on light irradiation of an analog amount. Cd as the PIP photosensitive layer
S, Se-Te, etc. are used as typical ones, but the gain, that is, the photoelectric conversion rate is limited.
【０００７】また、特開昭５３−５７０３８号公報に
は、「導電性支持基板の上に絶縁性層、光導電性層及び
表面絶縁性層を順次積層してなる感光体に、一次帯電−
全面露光−逆極性二次帯電−像露光を繰り返す電子写真
プロセスを施して、複写物を得ること」が記載されてお
り、特開昭５３−２２４２１号公報には、「導電性基板
上に絶縁層、光導電層、絶縁層を有する感光体の絶縁層
表面を明所または暗所において、基板に対して正または
負のいずれか一方の極性に帯電した後、光像を照射する
ことにより絶縁層表面に基板に対して正および負の電位
分布よりなる静電潜像を形成することを特徴とする電子
写真法」、及び「導電性基板上に絶縁層、光導電層、絶
縁層を有する感光体の絶縁層表面を明所または暗所にお
いて、基板に対して正または負のいずれか一方の極性に
帯電し、光像を与えながら前と逆極性の電位に帯電し、
全面露光を行うことにより絶縁表面に基板に対して正お
よび負の電位分布よりなる静電潜像を形成することを特
徴とする電子写真法」の例として、光導電性物質の両側
をそれぞれ高絶縁性の樹脂シートでサンドイッチ状に挟
んだ構成の感光体、例えば、ガラスに導電層を形成した
透明電極板の上に１２μ厚のポリエチレンテレフタレー
トフィルム、５０μ厚のＣｄＳ−エポキシ樹脂光導電
層、１２μ厚のポリエステルフィルムからなる感光体
を、コロナ放電器６、高圧直流電流７により（＋）、
（−）自由に選択された極性、例えば−６．５ｋｖの帯
電を与えて、約−２ｋｖの表面電位を得、捕獲電荷を生
じさせ、次に光模様Ｂ，Ｄを照射し、同時にまたは直後
に、前の一次帯電と逆極性の二次帯電（÷７ｋｖ）をコ
ロナ放電器、電源で与えて、光の当っている非画像部Ｂ
では、光導電性物質のキャリアを開放して捕獲電荷が中
和し、容易に逆極性に帯電され約＋５００Ｖの表面電位
となるが、光の当らない画像部Ｄはキャリアは捕獲され
たままであるから、捕獲電荷は中和されないことを利用
して画像を形成することが記載されているが、これらの
技術も、基本的にＣｄＳ等のＰＩＰ現象によるものであ
り、デジタル画像形成のための微小に分割され各々がス
イッチング機能を有する部材を用いるものではなく、ア
ナログ量の光照射による光電変換利得に基本的に依存す
るものである。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 53-57038 discloses that "a photosensitive member formed by sequentially laminating an insulating layer, a photoconductive layer and a surface insulating layer on a conductive supporting substrate is used for primary charging.
An electrophotographic process in which whole surface exposure-reverse polarity secondary charging-image exposure is repeatedly performed to obtain a copy "is disclosed in JP-A-53-22421. Insulation by irradiating a light image on the surface of the insulating layer of a photoconductor having a layer, a photoconductive layer, and an insulating layer in a bright place or a dark place, after charging the substrate with either positive or negative polarity. An electrophotographic method characterized by forming an electrostatic latent image having a positive and negative potential distribution on a layer surface with respect to a substrate ", and" having an insulating layer, a photoconductive layer, and an insulating layer on a conductive substrate " The surface of the insulating layer of the photoconductor is charged in a positive or negative polarity with respect to the substrate in a bright place or a dark place, and while being given an optical image, is charged to a potential of the opposite polarity to the previous one.
As an example of the "electrophotographic method characterized by forming an electrostatic latent image consisting of positive and negative potential distributions on the insulating surface on the insulating surface by exposing the entire surface", each side of the photoconductive material is A photoreceptor having a sandwiched structure of insulating resin sheets, for example, a 12 μm thick polyethylene terephthalate film on a transparent electrode plate having a conductive layer formed on glass, a 50 μm thick CdS-epoxy resin photoconductive layer, 12 μm The photosensitive body made of a thick polyester film is set to (+) by the corona discharger 6 and the high voltage direct current 7.
(-) A charge of freely selected polarity, e.g. -6.5 kv, is applied to obtain a surface potential of about -2 kv, a trapping charge is generated, and then light patterns B and D are irradiated, simultaneously or immediately after. Then, a secondary charge (÷ 7 kv) having a polarity opposite to that of the previous primary charge is applied by a corona discharger and a power source, and the non-image part B exposed to light is irradiated.
Then, the carriers of the photoconductive substance are opened to neutralize the trapped charges, and the charges are easily charged to the opposite polarity to have a surface potential of about +500 V, but the carriers are still trapped in the image area D where light is not applied. Describes that an image is formed by utilizing the fact that the trapped charge is not neutralized. However, these techniques are also basically based on the PIP phenomenon such as CdS, and are very small for digital image formation. It does not use a member that is divided into two and each has a switching function, but basically depends on the photoelectric conversion gain by light irradiation of an analog amount.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、デジ
タル画像記録方式で今後要求される、高画質、さらには
高品質(プリント間での品質の均一性)に対応できる高耐
久性、液体現像への対応性を可能とするデジタル画像形
成素子及び画像形成プロセスを提供することにある。DISCLOSURE OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a high durability and a liquid which can meet the high image quality and further high quality (uniformity of quality between prints) required in the digital image recording system in the future. An object of the present invention is to provide a digital image forming element and an image forming process that enable compatibility with development.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するためにデジタル画像形成素子について鋭意検
討した結果、本発明を開発するに到った。したがって上
記課題は、本発明の（１）「基板電極の上に下部有機絶
縁層さらにフロート電極、その上に上部有機絶縁層を形
成したことを特徴とするデジタル画像形成素子」、
（２）「基盤の上に基板電極を形成しこの上に下部無機
絶縁層さらにフロート電極、その上に上部有機絶縁層を
形成したことを特徴とするデジタル画像形成素子」、
（３）「フロート電極が微小に分割され各々がスイッチ
ング機能を有する部材で基板電極と接続されていること
を特徴とする前記第（１）項または第（２）項に記載の
デジタル画像形成素子」、（４）「スイッチング機能を
有する部材がトランジスタであることを特徴とする前記
第（３）項に記載のデジタル画像形成素子」、（５）
「スイッチング機能を有する部材が光スイッチング素子
であることを特徴とする前記第（３）項に記載のデジタ
ル画像形成素子」、（６）「トランジスタを構成する材
料が有機材料であることを特徴とする前記第（４）項に
記載のデジタル画像形成素子」、（７）「トランジスタ
を構成する材料が有機材料と無機材料の組み合わせであ
ることを特徴とする前記第（４）項に記載のデジタル画
像形成素子」、（８）「フロート電極の仕事関数と、そ
の上の上部有機絶縁層のイオン化ポテンシャルが近傍に
存在し電極からの電荷注入が可能であること特徴とする
前記第（１）項または第（２）項に記載のデジタル画像
形成素子」、（９）「下部有機絶縁層及び／又は上部有
機絶縁層が有機半導体層であることを特徴とする前記第
（８）項に記載のデジタル画像形成素子」、（１０）
「フロート電極が有機導電性材料であることを特徴とす
る前記第（３）項または第（４）項に記載のデジタル画
像形成素子」、（１１）「フロート電極および基板電極
が有機導電性材料であることを特徴とする前記第（３）
項または第（４）項に記載のデジタル画像形成素子」に
より達成される。DISCLOSURE OF THE INVENTION The inventors of the present invention have earnestly studied a digital image forming element to solve the above problems, and as a result, have developed the present invention. Therefore, the above-mentioned problem is (1) "a digital image forming element characterized in that a lower organic insulating layer, a float electrode, and an upper organic insulating layer are formed on the substrate electrode," of the present invention,
(2) "Digital image forming element characterized in that a substrate electrode is formed on a substrate, a lower inorganic insulating layer, a float electrode, and an upper organic insulating layer are formed thereon".
(3) "The digital image forming element described in the above item (1) or (2), wherein the float electrode is minutely divided and each is connected to the substrate electrode by a member having a switching function. And (4) "the member having a switching function is a transistor, and the digital image forming element according to the above (3)", (5)
"The digital image forming element described in the item (3), wherein the member having a switching function is an optical switching element", (6) "the material forming the transistor is an organic material (7) The digital image forming element described in the above (4), (7) "The material forming the transistor is a combination of an organic material and an inorganic material, and the digital according to the above (4). "Image forming element", (8) "The work function of the float electrode and the ionization potential of the upper organic insulating layer thereabove are present in the vicinity to enable charge injection from the electrode. Or (9) "the lower organic insulating layer and / or the upper organic insulating layer is an organic semiconductor layer". Digital imaging device ", (10)
“Digital image forming element according to the item (3) or (4), wherein the float electrode is an organic conductive material”, (11) “The float electrode and the substrate electrode are organic conductive materials. The above (3), characterized in that
Item or the digital image forming element described in the item (4).
【００１０】また、上記課題は、本発明の（１２）「前
記第（３）項または第（４）項に記載のデジタル画像形
成素子を用い、（１）フロート電極と基板電極とのスイ
ッチを全てオフで、均一帯電を行ない、（２）ついで画
像形成に応じスイッチをオンすることによりデジタルな
電位潜像を得、トナーなどにより可視化することを特徴
とする画像形成方法」、（１３）「トナーが湿式トナー
であることを特徴とする前記第（１２）項に記載の画像
形成方法」、（１４）「トナーなどにより可視化した画
像を紙などに転写し、その後デジタル画像形成素子を必
要により電気的、機械的、物理的に初期化し次の画像形
成プロセスに使用することを特徴とする前記第（１２）
項に記載の画像形成方法」により達成される。Further, the above-mentioned problem is (12) of the present invention, wherein the digital image forming element according to the above (3) or (4) is used, and (1) a switch between a float electrode and a substrate electrode is provided. Image forming method characterized by performing uniform charging with all off, (2) then obtaining a digital potential latent image by turning on a switch according to image formation, and visualizing with a toner or the like ", (13) The toner is a wet toner, and the image forming method according to (12) above, (14) “transferring an image visualized with toner or the like to paper or the like, and then using a digital image forming element if necessary. The above-mentioned (12) characterized in that it is initialized electrically, mechanically and physically and is used in the next image forming process.
The image forming method described in the above section.
【００１１】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明のデジタル画像形成素子は、基板電極の上に下部絶
縁層さらにフロート電極、その上に上部絶縁層を形成し
たものであるが、上下の両絶縁層は画素単位に領域分割
され、それぞれ電気的に直列に接続されている。そして
このような各画素単位は、露光によらず、それぞれの画
素単位に付された電気スイッチにより瞬時に電位変化さ
せられる。上部絶縁層のキャパシタンスを加減すること
より、例えば非画像部（又は画像部）の画素電位を自由
に選択することができ、下部絶縁層のキャパシタンスを
加減することより画像部（又は非画像部）の画素電位を
自由に選択することができる。本発明のデジタル画像形
成素子における基盤電極材料、またはフロート電極材料
には、一般的な導電性材料を用いることができ、例えば
アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、金、白金、ステ
ンレス、鉄、銀、亜鉛、鉛、錫、アンチモン、インジウ
ムなどの金属や合金、あるいは前記金属の亜酸化物、酸
化物、カーボン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの
導電性ポリマー、それらの混合物などが挙げられ、これ
らは基盤電極に用いる場合には基盤材料上に塗布、電
鋳、蒸着、スパッタリング、イオンインジェクション等
の各種方法により設けることができ、又は基盤材料を省
略した形の自己支持性の基盤電極とすることもできる。
下部有機絶縁層上に設けられるフロート電極の場合も同
様である。The present invention will be described in detail below. The digital image forming element of the present invention is one in which a lower insulating layer, a float electrode, and an upper insulating layer are formed on a substrate electrode, and both upper and lower insulating layers are divided into regions on a pixel-by-pixel basis. Are connected in series. The potential of each pixel unit is instantaneously changed by an electric switch attached to each pixel unit, regardless of exposure. By adjusting the capacitance of the upper insulating layer, for example, the pixel potential of the non-image portion (or image portion) can be freely selected, and by adjusting the capacitance of the lower insulating layer, the image portion (or non-image portion). The pixel potential of can be freely selected. As the base electrode material or the float electrode material in the digital image forming element of the present invention, a general conductive material can be used, for example, aluminum, nickel, copper, titanium, gold, platinum, stainless steel, iron, silver, Examples thereof include metals and alloys such as zinc, lead, tin, antimony and indium, or suboxides, oxides, carbons, conductive polymers such as polyaniline and polythiophene of the above metals, and mixtures thereof. When used, it can be provided on the base material by various methods such as coating, electroforming, vapor deposition, sputtering, ion injection, or a self-supporting base electrode without the base material.
The same applies to the float electrode provided on the lower organic insulating layer.
【００１２】本発明のデジタル画像形成素子における下
部有機絶縁層及び上部有機絶縁層のための材料には、例
えばポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合
体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マ
レイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポ
リカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロー
ス樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。また、ポリシラン化合物やポリー
Ｎービニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げら
れる。Materials for the lower organic insulating layer and the upper organic insulating layer in the digital image forming device of the present invention include, for example, polystyrene, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-maleic anhydride copolymer. Polymer, polyester, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyvinyl acetate, polyvinylidene chloride, polyarylate, phenoxy resin, polycarbonate, cellulose acetate resin, ethyl cellulose resin, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyvinyl toluene, Examples thereof include thermoplastic or thermosetting resins such as acrylic resins, silicone resins, epoxy resins, melamine resins, urethane resins, phenol resins, and alkyd resins. Further, polymer organic semiconductors such as polysilane compounds and poly-N-vinylcarbazole are also included.
【００１３】本発明のデジタル画像形成素子において、
下部の絶縁層が無機絶縁層である場合には、蒸着、スパ
ッタリング、電鋳により、基板電極上に強固に積層する
ことができ、また、フロート電極を蒸着、スパッタリン
グ、電鋳により、フロート電極に強固に積層することが
できる。In the digital image forming element of the present invention,
When the lower insulating layer is an inorganic insulating layer, it can be firmly laminated on the substrate electrode by vapor deposition, sputtering, electroforming, and the float electrode can be formed on the float electrode by vapor deposition, sputtering, electroforming. It can be firmly laminated.
【００１４】本発明のデジタル画像形成素子におけるフ
ロート電極とその上の上部有機絶縁層との関係に関し、
フロート電極の仕事関数と、その上の上部有機絶縁層の
イオン化ポテンシャルが近傍に存在することが好まし
い。フロート電極の仕事関数と、上部有機絶縁層のイオ
ン化ポテンシャルが近傍に存在することにより、フロー
ト電極に電界がかかったときに、フロート電極からの電
荷注入が容易になり、表面電位が低下しさらに効果的な
電位差が得られることが判明した。フロート電極の仕事
関数と、その上の上部有機絶縁層のイオン化ポテンシャ
ルの相対的な差が０．５ｅＶ以内の場合に特に有効であ
る。本発明を限定するためでなく理解を容易にするため
説明すれば、具体的にはたとえば、フロート電極が白金
（５．４３ｅＶ）、その上の上部有機絶縁層が有機高分
子有機半導体であるポリメチルポリフェニルシラン
（５．６２ｅＶ）の場合、非常に有効な電荷注入が可能
である。Regarding the relationship between the float electrode and the upper organic insulating layer thereon in the digital image-forming element of the present invention,
It is preferable that the work function of the float electrode and the ionization potential of the upper organic insulating layer on the float electrode exist in the vicinity. Since the work function of the float electrode and the ionization potential of the upper organic insulating layer are close to each other, when an electric field is applied to the float electrode, charge injection from the float electrode is facilitated and the surface potential is lowered, which is more effective. It was found that a potential difference could be obtained. It is particularly effective when the relative difference between the work function of the float electrode and the ionization potential of the upper organic insulating layer above it is within 0.5 eV. For the purpose of facilitating the understanding and not for limiting the present invention, specifically, for example, the float electrode is platinum (5.43 eV), and the upper organic insulating layer on the float electrode is an organic polymer organic semiconductor. In the case of methylpolyphenylsilane (5.62 eV), very effective charge injection is possible.
【００１５】また、本発明のデジタル画像形成素子にお
いては、上下の絶縁層の厚みの和に対する上部絶縁層の
厚み（換言すれば上部絶縁層と下部絶縁層との厚みの割
合）は、画像形成素子の電位減衰特性に密接に関係し、
上部絶縁層の厚みは、絶縁層全体の厚みに対して、１〜
９０％であることが好ましく、より好ましくは１〜６０
％である。１％未満であると上部絶縁層の機械的強度が
充分ではなく、繰り返し安定した画像が得られない。９
０％を越えるとスイッチ導通時でも電位差が少ないた
め、高コントラスト像を得ることができない。Further, in the digital image forming element of the present invention, the thickness of the upper insulating layer (in other words, the ratio of the thickness of the upper insulating layer and the lower insulating layer) to the sum of the thicknesses of the upper and lower insulating layers is the image formation. Closely related to the potential decay characteristics of the element,
The thickness of the upper insulating layer is 1 to the total thickness of the insulating layer.
It is preferably 90%, more preferably 1 to 60.
%. If it is less than 1%, the mechanical strength of the upper insulating layer is insufficient, and a stable image cannot be obtained repeatedly. 9
If it exceeds 0%, a high-contrast image cannot be obtained because the potential difference is small even when the switch is conductive.
【００１６】本発明のデジタル画像形成素子におけるス
イッチング素子はトランジスタであることができ、ま
た、電気的な光スイッチング素子であることができる。
用いられるトランジスタとしては、ＴＦＴ（Thin Film
Transistor），ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconduc
tor Field Effect Transistor），ＭＩＳＦＥＴ（Metal
Insulator Semiconductor Field Effect Transisto
r），ＭＥＳＦＥＴ（Metal Semiconductor Field Effec
t Transistor），ＳＩＴ（Static Induction Transisto
r）などが挙げられる。光スイッチング素子としては、
光半導体を用いたもの或いはフォトクロミック化合物を
用いた光電気化学的スイッチング素子などが挙げられ
る。The switching element in the digital image forming element of the present invention can be a transistor and can be an electrical optical switching element.
The transistors used are TFT (Thin Film).
Transistor), MOSFET (Metal Oxide Semiconduc)
tor Field Effect Transistor), MISFET (Metal
Insulator Semiconductor Field Effect Transisto
r), MESFET (Metal Semiconductor Field Effec
t Transistor), SIT (Static Induction Transisto)
r) and the like. As an optical switching element,
A photoelectrochemical switching element using an optical semiconductor or a photochromic compound may be used.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の素子の原理構成
を示す断面図である。このデジタル画像形成素子は、基
板電極（１）の上に下部絶縁層（３）を有しその上にフ
ロート電極（５）を設けさらにその上にもう一層、上部
絶縁層（７）を重ねて、基板電極（１）とフロート電極
（５）とをスイッチング機能を有するスイッチング素子
（９）で接続することにより構成される。上記のよう
に、スイッチング素子（９）としては、トランジスタが
挙げられ、或いは光半導体を用いた光電気化学的スイッ
チング素子などの電気的スイッチであるが、本発明にお
いて、デジタル画像形成素子に構成するには、各デジタ
ル画素レセプタと、これらをそれぞれ制御するためのス
イッチング素子（９）からそれぞれの画素ユニットと
し、これを図１の構造を図２のようにアレイとして集積
化することにより得ることができる。1 is a sectional view showing the principle configuration of an element of the present invention. This digital image forming device has a lower insulating layer (3) on a substrate electrode (1), a float electrode (5) provided on the lower insulating layer (3), and an upper insulating layer (7) overlaid thereon. , The substrate electrode (1) and the float electrode (5) are connected by a switching element (9) having a switching function. As described above, the switching element (9) may be a transistor or an electric switch such as a photoelectrochemical switching element using an optical semiconductor, but in the present invention, it is configured as a digital image forming element. Can be obtained by integrating each digital pixel receptor and a switching element (9) for controlling each digital pixel receptor into each pixel unit, and integrating the pixel unit with the structure of FIG. 1 as an array as shown in FIG. it can.
【００１８】このデジタル画像形成素子を用い、デジタ
ル画像を形成するには例えば、コロナ放電を用いて帯電
又は充電し、例えば次に若しくは同時に、画像情報に応
じたスイッチング素子（９）部分については導通若しく
は放電して、又は逆極性化して、その部分の基板電極
（１）とフロート電極（５）間の電位スイッチングを行
ないデジタルな電位潜像を得ることができる。To form a digital image using this digital image forming element, for example, charging or charging is performed using corona discharge, and then, for example, next or at the same time, the switching element (9) portion corresponding to the image information is made conductive. Alternatively, by discharging or reversing the polarity, it is possible to perform potential switching between the substrate electrode (1) and the float electrode (5) in that portion to obtain a digital potential latent image.
【００１９】本発明においては、各画素ユニット自体の
駆動源自体（例えば基板電極（１）とフロート電極
（５）間の印加電源）と、そのためのスイッチング素子
（９）の駆動源（例えばＴＦＴの導通電圧）とは異な
り、したがって、画素ユニットの駆動源を制御すること
によって、例えば、情報を増幅し、つぎに増幅された情
報を、再度、スイッチング素子（９）の制御によって再
度増幅することができ、或いは逆に、画素ユニットの駆
動源自体の制御による増幅済みの画像情報のノイズ除去
や歪み部分除去のため、スイッチング素子（９）の制御
モードを変更することが可能となる。In the present invention, the drive source itself of each pixel unit itself (for example, the power supply applied between the substrate electrode (1) and the float electrode (5)) and the drive source of the switching element (9) for that (for example, of the TFT). Therefore, by controlling the driving source of the pixel unit, for example, information can be amplified, and then the amplified information can be amplified again by controlling the switching element (9). Alternatively, or conversely, it is possible to change the control mode of the switching element (9) in order to remove the noise and the distortion portion of the amplified image information by controlling the driving source itself of the pixel unit.
【００２０】図３に、このようなスイッチング素子
（９）の１例としてのＴＦＴの場合の構成例及びアクテ
ィブマトリックスＯ−ＴＥＤ(Transfered Election Dev
ice)の回路構成例を示す。一般に、アクティブマトリッ
クス形のスイッチング素子により制御される画素を有す
るイメージ技術では、画素ユニット毎にスイッチング素
子を配置して、スイッチング素子をマトリックス駆動す
るダイナミックなものであるので、動画分野(映像分野)
に適しているものではあるが、本発明においてはプリン
トアウトされた静止画映像分野でこれを使用する。図３
（ａ）の構造図に示されるように、このＴＦＴでは、Ｔ
ＦＴ基板の縦方向に走る各ゲートバスと横方向に走る各
ソースバスとは、各ゲートバス上の交差点で積層されて
おり、図３（ｂ）に示されるように、各交差点でのこの
積層構造は絶縁されたものである。また、ソースバスか
ら、それぞれのＴＦＴのためのソースが出てドレインに
達するソース−ドレインラインが設けられ、このソース
−ドレインの間に、ゲートバスから延びるゲートが挿入
接触されているので、ゲート信号によってソース−ドレ
イン間の導通が制御される。そして各ドレインにはＴＥ
Ｄとしての外部に連なるコンデンサが駆動源として接続
しており、その結果、該コンデンサのキャパシタンス
は、各ＴＦＴのゲート信号に依存するソース−ドレイン
間の導通如何により、選択的に変化させられる。そし
て、このような多数のＴＦＴを含むデジタル画像形成ア
レイ素子からなる本発明のデジタル画像形成素子は、高
画質、さらには高品質(プリント間での品質の均一性)に
対応できる高耐久性、液体現像への対応性を可能とす
る。FIG. 3 shows a configuration example of a TFT as an example of such a switching element (9) and an active matrix O-TED (Transfered Election Dev).
Here is an example of the circuit configuration of ice Generally, in the image technology having pixels controlled by active matrix type switching elements, the switching elements are arranged in each pixel unit and the switching elements are driven in a matrix.
However, in the present invention, it is used in the field of printed out still images. Figure 3
As shown in the structural diagram of (a), in this TFT, T
Each gate bus running in the vertical direction of the FT substrate and each source bus running in the horizontal direction are stacked at the intersections on each gate bus. As shown in FIG. 3B, this stacking at each intersection is performed. The structure is insulated. In addition, a source-drain line is provided from the source bus for each TFT to reach the drain, and a gate extending from the gate bus is inserted and contacted between the source and drain. This controls the conduction between the source and the drain. And each drain has TE
A capacitor connected to the outside as D is connected as a driving source, and as a result, the capacitance of the capacitor is selectively changed by the conduction between the source and the drain depending on the gate signal of each TFT. Then, the digital image forming element of the present invention comprising the digital image forming array element including such a large number of TFTs has a high durability, which can correspond to high image quality and further high quality (uniformity of quality between prints). Enables compatibility with liquid development.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明する。
［実施例１］
〈デジタル画像形成素子の製造〉厚さ２０ｎｍのＰｔ層
を基板電極とし、この基板電極上に下部有機絶縁層とし
て厚さ１００μｍのポリエステルフイルムを接着積層
し、さらにこの下部有機絶縁層上に厚さ２０ｎｍのＰｔ
層をスパッタリングにより形成してフロート電極とし、
このフロート電極にリード線を付すと共に、その上に上
部有機絶縁層として厚さ６６μｍのポリエステルフイル
ムを接着積層し、基板電極にもリード線を付して、図４
に示されるような本発明のデジタル画像形成素子を製造
した。
〈デジタル画像形成素子の潜像形成特性〉このデジタル
画像形成素子をコロナ帯電処理により初期電位１１５０
Ｖに帯電した。このデジタル画像形成素子の非導通時電
位及び導通時電位を測定した。図５に示されるような結
果が得られた。EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. Example 1 <Manufacture of Digital Image Forming Element> A Pt layer having a thickness of 20 nm was used as a substrate electrode, and a polyester film having a thickness of 100 μm was adhesively laminated on the substrate electrode as a lower organic insulating layer. 20 nm thick Pt on the layer
A layer is formed by sputtering to form a float electrode,
A lead wire is attached to the float electrode, a 66 μm-thick polyester film as an upper organic insulating layer is adhesively laminated on the float electrode, and the lead wire is attached to the substrate electrode.
A digital image forming element of the present invention as shown in FIG. <Latent Image Forming Characteristics of Digital Image Forming Element> This digital image forming element is subjected to corona charging treatment to obtain an initial potential of 1150.
It was charged to V. The non-conducting potential and the conducting potential of this digital image forming element were measured. The result as shown in FIG. 5 was obtained.
【００２２】［比較例１］
〈デジタル画像形成素子の製造〉比較のため、厚さ２０
ｎｍのＰｔ層を基板電極とし、この基板電極上に有機絶
縁層として厚さ１００μｍのポリエステルフイルムを接
着積層して、図６に示さ
れるような比較用のデジタル画像形成素子を製造した。
〈デジタル画像形成素子の潜像形成特性〉このデジタル
画像形成素子をコロナ帯電処理により初期電位１２４０
Ｖに帯電した。このデジタル画像形成素子の非導通時電
位及び導通時電位を測定した。図７に示されるような結
果が得られた。Comparative Example 1 <Manufacturing of Digital Image Forming Element> For comparison, a thickness of 20
A Pt layer having a thickness of 10 nm is used as a substrate electrode, and a polyester film having a thickness of 100 μm is adhesively laminated on the substrate electrode as an organic insulating layer to manufacture a digital image forming element for comparison as shown in FIG.
<Latent Image Forming Characteristics of Digital Image Forming Element> This digital image forming element is subjected to corona charging treatment to obtain an initial potential of 1240.
It was charged to V. The non-conducting potential and the conducting potential of this digital image forming element were measured. The result as shown in FIG. 7 was obtained.
【００２３】［実施例２］上部有機絶縁層として厚さ
９．６μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外
は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子
を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定し
た。図８に示されるような結果が得られた。[Example 2] A digital image forming element of the present invention was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a polyester film having a thickness of 9.6 μm was adhesively laminated as the upper organic insulating layer, and the same as in Example 1. And the latent image forming characteristics were measured. The result as shown in FIG. 8 was obtained.
【００２４】［実施例３］上部有機絶縁層として厚さ
８．４μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外
は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子
を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定し
た。図９に示されるような結果が得られた。Example 3 A digital image forming element of the present invention was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a polyester film having a thickness of 8.4 μm was adhesively laminated as the upper organic insulating layer, and the same as in Example 1. And the latent image forming characteristics were measured. The result as shown in FIG. 9 was obtained.
【００２５】［実施例４］上部有機絶縁層として厚さ
６．９μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外
は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子
を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定し
た。図１０に示されるような結果が得られた。[Example 4] A digital image forming element of the present invention was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a polyester film having a thickness of 6.9 μm was adhesively laminated as the upper organic insulating layer, and the same as in Example 1. And the latent image forming characteristics were measured. The result as shown in FIG. 10 was obtained.
【００２６】［実施例５］上部有機絶縁層として厚さ
４．１μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外
は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子
を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定し
た。図１１に示されるような結果が得られた。Example 5 A digital image forming element of the present invention was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a 4.1 μm-thick polyester film was adhesively laminated as the upper organic insulating layer, and the same as in Example 1. And the latent image forming characteristics were measured. The result as shown in FIG. 11 was obtained.
【００２７】本発明のデジタル画像形成素子の等価回路
は図１２で与えられ、ここで、スイッチ（ＳＷ）により
フロート電極が導通すると下部絶縁層のキャパシタンス
（Ｃ １）中の電荷が瞬時に接地されて基板電極−フロー
ト電極間の電位（Ｖ１）が瞬時になくなり、したがって
この部分の画素の総電位（Ｖ）は上部絶縁層による電位
（Ｖ２）のみ依存するようになる。一方、上記実施例の
結果を整理し、図表化すると、図１３のとおりである。
図１３から、本発明のデジタル画像形成素子においては
非導通時電位は、上下両絶縁層の厚みに極く依存し、導
通による電位減衰率は下部絶縁層の厚みに極く依存して
いることが分かり、これは、図１２に示される等価回路
の結果とよく一致している。したがって、本発明のデジ
タル画像形成素子においては、上下の絶縁層の厚みの和
に対する上部絶縁層の厚み（換言すれば上部絶縁層と下
部絶縁層との厚みの割合）は、画像形成素子の電位減衰
特性に密接に関係していることが判る。上部絶縁層の厚
みは、絶縁層全体の厚みに対して、１．５〜９０％であ
ることが好ましく、より好ましくは３〜７０％である。Equivalent Circuit of Digital Image Forming Element of the Present Invention
Is given in FIG. 12, where by switch (SW)
When the float electrode is conducting, the capacitance of the lower insulating layer
(C 1) In the substrate electrode-flow
Potential between electrodes (V1) Disappears instantly, so
The total potential (V) of the pixel in this portion is the potential of the upper insulating layer.
(VTwo) Will only depend. On the other hand, in the above embodiment
The results are organized and tabulated as shown in FIG.
From FIG. 13, in the digital image forming element of the present invention,
The non-conducting potential depends very much on the thickness of the upper and lower insulating layers,
The potential decay rate due to conduction depends very much on the thickness of the lower insulating layer.
It is found that the equivalent circuit shown in FIG.
It is in good agreement with the result of. Therefore, the digital
In total, the total thickness of the upper and lower insulating layers is
The thickness of the upper insulating layer with respect to
The ratio of the thickness to the insulating layer is the potential decay of the image forming element.
It turns out that it is closely related to the characteristics. Thickness of upper insulating layer
Is 1.5 to 90% of the total thickness of the insulating layer.
Is preferable, and more preferably 3 to 70%.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明により、デジタル画像記録方式で今後
要求される、高画質、さらには高品質(プリント間での
品質の均一性)に対応できる高耐久性、液体現像への対
応性を可能とするデジタル画像形成素子及び画像形成プ
ロセスが提供されることになる。As is apparent from the detailed and specific description above, according to the present invention, high image quality and further high quality (uniformity of quality between prints) required in the digital image recording system in the future. The present invention provides a digital image forming element and an image forming process capable of achieving high durability and compatibility with liquid development.
【図１】本発明のデジタル画像形成素子におけるスイッ
チング素子の原理を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the principle of a switching element in a digital image forming element of the present invention.
【図２】図１の原理の素子を集積化したものを示した図
である。FIG. 2 is a diagram showing an integrated device of the principle of FIG.
【図３】本発明のデジタル画像形成素子の構成及びアク
ティブマトリックスの回路構成例を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a digital image forming element of the present invention and a circuit configuration example of an active matrix.
【図４】本発明のデジタル画像形成素子の具体的構成例
を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a specific configuration example of a digital image forming element of the present invention.
【図５】本発明のデジタル画像形成素子の具体的潜像形
成特性例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a specific example of latent image forming characteristics of the digital image forming element of the present invention.
【図６】比較例の素子の具体的構成例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a specific configuration example of an element of a comparative example.
【図７】比較例の素子の具体的潜像形成特性例を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing an example of specific latent image forming characteristics of an element of a comparative example.
【図８】本発明の他のデジタル画像形成素子の具体的潜
像形成特性例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a specific example of latent image forming characteristics of another digital image forming element of the present invention.
【図９】本発明のまた他のデジタル画像形成素子の具体
的潜像形成特性例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example of specific latent image forming characteristics of still another digital image forming element of the present invention.
【図１０】本発明の更に他のデジタル画像形成素子の具
体的潜像形成特性例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of specific latent image forming characteristics of still another digital image forming element of the present invention.
【図１１】本発明の更に他のデジタル画像形成素子の具
体的潜像形成特性例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of specific latent image forming characteristics of still another digital image forming element of the present invention.
【図１２】本発明のデジタル画像形成素子の等価回路を
示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an equivalent circuit of the digital image forming element of the present invention.
【図１３】本発明のデジタル画像形成素子における電位
減衰率の上部絶縁層厚み依存性を示すグラフである。FIG. 13 is a graph showing the dependency of the potential attenuation rate on the thickness of the upper insulating layer in the digital image forming element of the present invention.
１ 基板電極 ３ 下部絶縁層 ５ フロート電極 ７ 上部絶縁層 ９ スイッチング素子 1 substrate electrode 3 Lower insulation layer 5 float electrodes 7 Upper insulating layer 9 switching elements
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 正明 兵庫県西宮市柏堂西町10−９ (72)発明者 長山 智男 大阪府吹田市千里山西６−８−30−5016 Ｆターム(参考） 2H068 FB32 GA18 2H069 FA00 5C051 AA02 CA03 DA02 DB02 DB04 DB06 DB08 DB18 DC02 DC03 DC07 5C074 AA15 BB17 BB26 CC04 CC26 DD15 GG01 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Masaaki Yokoyama 10-9 Kashiwadou Nishimachi, Nishinomiya City, Hyogo Prefecture (72) Inventor Tomoo Nagayama 6-8-30-5016 Senriyama Nishi, Suita City, Osaka Prefecture F-term (reference) 2H068 FB32 GA18 2H069 FA00 5C051 AA02 CA03 DA02 DB02 DB04 DB06 DB08 DB18 DC02 DC03 DC07 5C074 AA15 BB17 BB26 CC04 CC26 DD15 GG01
Claims (14)
ロート電極、その上に上部有機絶縁層を形成したことを
特徴とするデジタル画像形成素子。1. A digital image forming element comprising a substrate electrode, a lower organic insulating layer, a float electrode, and an upper organic insulating layer formed on the lower organic insulating layer.
部無機絶縁層さらにフロート電極、その上に上部有機絶
縁層を形成したことを特徴とするデジタル画像形成素
子。2. A digital image forming device comprising a substrate electrode formed on a base, a lower inorganic insulating layer, a float electrode, and an upper organic insulating layer formed on the substrate electrode.
イッチング機能を有する部材で基板電極と接続されてい
ることを特徴とする請求項１または２に記載のデジタル
画像形成素子。3. The digital image forming element according to claim 1, wherein the float electrode is minutely divided and each is connected to the substrate electrode by a member having a switching function.
ジスタであることを特徴とする請求項３に記載のデジタ
ル画像形成素子。4. The digital image forming element according to claim 3, wherein the member having a switching function is a transistor.
ッチング素子であることを特徴とする請求項３に記載の
デジタル画像形成素子。5. The digital image forming element according to claim 3, wherein the member having a switching function is an optical switching element.
であることを特徴とする請求項４に記載のデジタル画像
形成素子。6. The digital image forming element according to claim 4, wherein the material forming the transistor is an organic material.
と無機材料の組み合わせであることを特徴とする請求項
４に記載のデジタル画像形成素子。7. The digital image forming element according to claim 4, wherein the material forming the transistor is a combination of an organic material and an inorganic material.
部有機絶縁層のイオン化ポテンシャルが近傍に存在し電
極からの電荷注入が可能であること特徴とする請求項１
または２に記載のデジタル画像形成素子。8. The work function of the float electrode and the ionization potential of the upper organic insulating layer thereabove are present in the vicinity, and charge injection from the electrode is possible.
Alternatively, the digital image forming element according to the item 2.
層が有機半導体層であることを特徴とする請求項８に記
載のデジタル画像形成素子。9. The digital image forming element according to claim 8, wherein the lower organic insulating layer and / or the upper organic insulating layer are organic semiconductor layers.
ことを特徴とする請求項３または４に記載のデジタル画
像形成素子。10. The digital image forming element according to claim 3, wherein the float electrode is made of an organic conductive material.
電性材料であることを特徴とする請求項３または４に記
載のデジタル画像形成素子。11. The digital image forming element according to claim 3, wherein the float electrode and the substrate electrode are made of an organic conductive material.
像形成素子を用い、（１）フロート電極と基板電極との
スイッチを全てオフで、均一帯電を行ない、（２）つい
で画像形成に応じスイッチをオンすることによりデジタ
ルな電位潜像を得、トナーなどにより可視化することを
特徴とする画像形成方法。12. The digital image forming element according to claim 3 or 4, wherein (1) all switches of a float electrode and a substrate electrode are turned off to perform uniform charging, and (2) a switch according to image formation. The image forming method is characterized in that a digital potential latent image is obtained by turning on, and visualized with toner or the like.
とする請求項１２に記載の画像形成方法。13. The image forming method according to claim 12, wherein the toner is a wet toner.
などに転写し、その後デジタル画像形成素子を必要によ
り電気的、機械的、物理的に初期化し次の画像形成プロ
セスに使用することを特徴とする請求項１２に記載の画
像形成方法。14. An image visualized with toner or the like is transferred to a paper or the like, and then a digital image forming element is initialized electrically, mechanically, or physically as needed, and is used in the next image forming process. The image forming method according to claim 12.
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