JP2003031549A - Apparatus for etching semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハのエ
ッチング装置に係り、さらに詳しくは半導体ウェーハの
循環式エッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、半導体の製造工程において
は、たとえばシリコン単結晶をスライシングしてウェー
ハ化した後、シリコンウェーハの割れや欠けを防止する
ため、外周エッジ部の面取り加工が行われる。さらに、
面取りしたシリコンウェーハにラッピング加工処理を施
し、シリコンウェーハ面を平坦化する一方、シリコンウ
ェーハの厚さを一様化する工程が採られている。
【0003】また、上記スライシング加工およびラッピ
ング加工によってシリコンウェーハに生じる加工歪みを
除去するため、さらには、研磨加工の精度を確保するた
めに、化学作用によるエッチング処理が行われる。ここ
で、エッチング液としては、通常、フッ酸・硝酸・酢酸
の混合液、あるいは水酸化ナトリウム水溶液などのアル
カリ水溶液が使用されており、このエッチング処理が施
されたシリコンウェーハは、次工程でポリッシング処理
を施される。
【0004】図3は、従来、半導体ウェーハのエッチン
グに使用されている循環式エッチング装置の概略構成例
を示す断面図である。1はエッチング液を収容するエッ
チング槽、2は前記槽1内に半導体ウェーハを鉛直に保
持し回転するキャリアであり、このキャリア2は、図示
を省略した回転機構で回転する。また、3は前記槽1内
でキャリア2に保持される半導体ウェーハの下方側に設
置されたエッチング液供給口、4は前記キャリア2より
も上方側に設置されたエッチング液回収口、5は前記供
給口3および回収口4との間を接続し循環するエッチン
グ液循環機構である。
【0005】さらに、図4(a)は、従来の循環式エッ
チング装置の他の概略構成例を示す断面図、図4(b)
は、(a)のA−A線に沿った断面図である。図4
(a),(b)において、1はエッチング液を収容する
エッチング槽、2は前記槽1内に半導体ウェーハを鉛直
に保持し回転するキャリアであり、このキャリア2は駆
動軸2aおよび従動軸2bなどから成る回転機構で回転
する一方、上下方向に進退可能に設置されている。ま
た、3a,3bは前記エッチング槽1内で前記キャリア
2に保持される半導体ウェーハの下方側に設置された一
対のエッチング液供給口、4は前記半導体ウェーハを保
持装着するキャリア2よりも上方側に設置されたエッチ
ング液回収口、5は前記エッチング液供給口3a,3b
およびエッチング液回収口4との間を接続し、エッチン
グ液を循環するエッチング液循環機構である。
【0006】上記各エッチング装置では、エッチング液
を収容するエッチング槽1内に、半導体ウェーハを鉛直
に保持し回転するキャリア2をセットする一方、エッチ
ング液循環機構5によってエッチング液を供給口3、あ
るいは3a,3bから送り込み、そのエッチング液を回
収口4から回収・循環することにより、前記キャリア2
の回転と相俟って半導体ウェーハの均一なエッチングが
行われるようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体ウェーハのエッチング手段は、近年の急速な半導体
ウェーハの集積度向上において、半導体ウェーハの能動
素子形成面の高い平行度・平坦度がポリッシング工程で
要求されるだけでなく、裏面に対しても高いエッチング
加工精度が要求されている。さらに、前記半導体ウェー
ハの平坦度向上とともに、高光沢度(面粗さ良化)を両
立させることが必須の条件になっている。
【0008】上記半導体ウェーハの平坦度向上および面
粗さ良化の両立を目的として、従来、エッチング液の組
成について検討されているが、半導体ウェーハ面内のエ
ッチングレートが不均一であったりし、結果的に、ラッ
ピング形状を維持できないなどの問題がある。つまり、
半導体ウェーハのエッチング処理過程において、エッチ
ング液の流れ状態の影響や、エッチング液が半導体ウェ
ーハと激しく反応して発熱するため、半導体ウェーハ面
内の温度維持ができなくなって、エッチングレートの不
均一化を招来する。なお、図4(c)は、上記図4
(a),(b)に図示したエッチング装置において、ト
レーサー注入懸濁法により可視化し、エッチング液循環
流の停滞・対流(矢印)の状態を確認したときの模式図
である。
【0009】上記エッチング液の流れ状態の影響などを
改善し、半導体ウェーハ面内のエッチングレート均一化
などを図るため、エッチング液の流速を半導体ウェーハ
中心部を最大に、中心部から外周に行くほどエッチング
液の流速を小さく制御することも試みられている(特許
第3020910号公報)。しかし、このような改善策
も、前記エッチングレートの不均一化を充分に解消する
に至らず、実用的な解決策の確立が待たれている。
【0010】本発明者らは、このような事情に鑑みて鋭
意検討を進めた結果、下方からエッチング液を供給させ
る循環方式において、半導体ウェーハの下方側でのエッ
チング液供給流の一部を半導体ウェーハの外周縁に沿わ
せるように制御すること、あるいはエッチング液供給口
側のエッチング槽内壁面をキャリアに保持させる半導体
ウェーハの外周縁に沿った曲面形状としてエッチング液
の流れを制御することにより、エッチング液の対流が抑
制されて、半導体ウェーハ面内のエッチングレートが容
易に均一化されることを見出した。
【0011】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
ので、半導体ウェーハ面内のエッチングレートが均一化
され、ラッピング形状を損なわずに所要のエッチング処
理を行える半導体ウェーハのエッチング装置の提供を目
的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、エッ
チング液を循環するエッチング槽と、前記槽内に半導体
ウェーハを保持し回転するキャリアと、前記槽の下部に
設置されたエッチング液供給口と、エッチング液流を前
記キャリアに保持された半導体ウェーハに向けて供給制
御する、前記供給口に隣接配置された整流体と、前記キ
ャリアよりも上方側に設置されたエッチング液回収口と
を有する半導体ウェーハのエッチング装置であって、前
記エッチング槽のエッチング液供給側内壁面は、前記キ
ャリアに保持される半導体ウェーハの外周縁に沿った曲
面を成していることを特徴とする半導体ウェーハのエッ
チング装置である。
【0013】請求項1の発明では、半導体ウェーハのほ
ぼ中心部に向かったエッチング液の供給、その供給流が
エッチング液槽で対流・停滞することなく、全体的に、
スムースに回収口側へ回収される操作が自動的に進行す
る。すなわち、半導体ウェーハは、保持されるキャリア
の回転とエッチング槽内の全体的にスムースなエッチン
グ液流とが相俟って、自動的に、半導体ウェーハ面内で
のエッチング反応による発熱も均一に保持され、一様な
エッチングレートとなり、かつラッピング形状も維持さ
れる。
【0014】
【発明の実施形態】以下、図1(a),(b)および図
2(a),(b)を参照して実施例を説明する。
【0015】図1(a)は、実施例に係るエッチング装
置の概略構成を示す断面図で、6はエッチング液を循環
するエッチング槽、7は前記槽6内に半導体ウェーハを
鉛直に保持し回転するキャリアである。エッチング槽6
の大きさは、深さ500mm程度、縦断面が略U字型
で、横断面略長方形(300×500mm程度)の形状
であり、また、キャリア7は、ポリテトラフルオロエチ
レン樹脂製で、1mm程度の間隙をおいて25枚程度の
半導体ウェーハを鉛直に支持できる構造を成している。
ここで、回転するキャリア7は、図示を省略してある回
転駆動源に連接する駆動ローラ7aおよび従動ローラ7
bによって、所定の方向に回転する構成を採っている。
なお、エッチング液槽6の横断面形状は、キャリア7の
形状やキャリア7に支持される半導体ウェーハの枚数な
どによって方形であっても差し支えない。
【0016】また、8は前記エッチング槽6内で前記キ
ャリア7に保持される半導体ウェーハの下方側に設置さ
れたエッチング液供給口、9は前記エッチング液供給口
8に隣接配置されてエッチング液流を前記キャリア7に
保持される半導体ウェーハに向けて供給制御する整流体
である。さらに、10は前記キャリア7よりも上方側に
設置されたエッチング液回収口である。
【0017】ここで、エッチング液供給口8は、300
×500mm程度の開口部であり、前記キャリア7に保
持される半導体ウェーハの下方側で、かつ半導体ウェー
ハ径の範囲領域内に設定される。また、整流体9は、エ
ッチング液流をキャリア7に保持された半導体ウェーハ
に向けて供給制御するため、一般的に筒状形であり、支
持されている半導体ウェーハ数などにもよるが、先端側
を広開させた構造などが選ばれる。なお、図示を省略し
てあるが、エッチング槽6内のエッチング液は、エッチ
ング液供給口8およびエッチング液回収口10間を接続
するエッチング液循環機構によって、供給・回収の循環
が行われる。
【0018】さらに、実施例に係るエッチング装置は、
エッチング槽6のエッチング液供給口8側の内壁面を、
キャリア7に保持される半導体ウェーハの外周縁に沿っ
た形状の曲面6aに加工してある。つまり、このエッチ
ング装置は、エッチング液供給口8をキャリア7に保持
される半導体ウェーハの直下領域に設定し、かつ整流体
9によってエッチング液流を強制する構成を採るだけで
なく、エッチング槽6の内壁底面側を略U字型に設定し
て、全体的に停滞や滞留、対流などを発生することのな
いエッチング液流の確保を図った点に特徴付けられる。
【0019】図1(b)は、上記エッチング装置におい
て、エッチング液循環機構によってエッチング液を循環
させたとき、そのエッチング液流の状態を模式的に示し
たものである。すなわち、トレーサー懸濁法により可視
化した液体を循環させ、エッチング槽6内の流れ(矢
印)状態を確認したところ、キャリア7領域への供給力
が増加するだけでなく、キャリア7領域の周辺部では、
対流など起こさずスムースな流れで供給される。そし
て、キャリア6の回転の影響などによる、液流の停滞・
対流も認められず、エッチング槽6内における液置換効
率が向上し、結果的に、エッチング反応熱が抑えられ
て、一定温度でのエッチングが進行するため、均一的な
エッチングレートが確保される。
【0020】さらに、上記エッチング装置の構成におい
て、エッチング液循環量を150リットル/minと
し、エッチング液供給口8の中心位置とキャリア6に保
持される半導体ウェーハの直下位置との間隔(距離)を
変えて、半導体ウェーハ面間に流入するエッチング液量
を測定して図2(a)で曲線Aに示す。また、キャリア
6に保持された半導体ウェーハに対するエッチング液供
給口8からの吐出角度を変えて、半導体ウェーハ面間に
流入するエッチング液量を測定した結果を図2(b)で
曲線Bに示す。なお、図2(a),(b)には、比較の
ために前記図4(a),(b)に図示した構成のエッチ
ング装置の場合を図2(a),(b)に、曲線a,bで
それぞれ示した。
【0021】上記、比較実験からも分かるように、この
発明に係るエッチング装置の場合は、エッチング液供給
口8をキャリア6に保持される半導体ウェーハの下方
で、かつ半導体ウェーハの径範囲内に設定することによ
り、同一量のエッチング液を供給しても半導体ウェーハ
面間に流入するエッチング液量を増加させることができ
る。また、整流体の設置によるエッチング液流の供給制
御と、エッチング槽6内壁面の形状6aの曲面化による
スムースな流れの確保とにより、エッチング液置換の効
率が高くなり、エッチング液による反応熱も抑制される
ため、半導体ウェーハ面内のエッチングレートのバラツ
キ発生も解消して、安定したエッチング処理が進行す
る。
【0022】次に、上記構成のエッチング装置によっ
て、シリコンウェーハをエッチング処理した例を説明す
る。先ず、直径200mm、N型10Ω・cmのシリコ
ン単結晶をスライシングし、アルミナ砥粒を用いてラッ
ピングした複数枚のシリコンウェーハを回転型のキャリ
ア7に保持させ、エッチング槽6内にセットする。次い
で、エッチング液循環機構の駆動により、フッ酸、硝酸
および酢酸の混酸エッチング液を循環させて、エッチン
グ槽6内に2セットしたシリコンウェーハのエッチング
を行った。なお、エッチング液の温度は20〜40℃、
循環量は毎分100〜200リットルである。
【0023】上記エッチング処理した各シリコンウェー
ハについて、その平坦度および高光沢度(面祖さの良化
度合)を測定・評価したところ、各シリコンウェーハと
も面内がほぼ均一であり、一様なエッチングレートでの
エッチングが行われていることが確認された。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェーハは、キ
ャリアの回転と、エッチング槽内の全体的にスムースな
エッチング液流とが相俟って、自動的に、半導体ウェー
ハ面内でのエッチング反応による発熱も均一に保持され
る。したがって、一様なエッチングレートのエッチング
が行われ、かつラッピング形状も維持されるので、歩留
りよく、かつ高精度な半導体ウェーハに加工できる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer etching apparatus, and more particularly, to a semiconductor wafer circulation etching apparatus. 2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing process, for example, after slicing a silicon single crystal into a wafer, in order to prevent cracking or chipping of the silicon wafer, chamfering of an outer peripheral edge portion is performed. Done. further,
A process is performed in which a chamfered silicon wafer is subjected to a lapping process to flatten the surface of the silicon wafer and to make the thickness of the silicon wafer uniform. Further, in order to remove the processing distortion generated in the silicon wafer by the slicing process and the lapping process, and to secure the accuracy of the polishing process, an etching process by a chemical action is performed. Here, as the etching solution, a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, and acetic acid, or an alkaline aqueous solution such as an aqueous solution of sodium hydroxide is used, and the silicon wafer subjected to this etching treatment is polished in the next step. Processed. FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration example of a circulation type etching apparatus conventionally used for etching a semiconductor wafer. Reference numeral 1 denotes an etching tank that stores an etching solution, and 2 denotes a carrier that holds a semiconductor wafer vertically in the tank 1 and rotates. The carrier 2 is rotated by a rotation mechanism (not shown). Reference numeral 3 denotes an etchant supply port provided below the semiconductor wafer held by the carrier 2 in the tank 1; 4 denotes an etchant recovery port provided above the carrier 2; An etchant circulation mechanism that connects and circulates between the supply port 3 and the recovery port 4. FIG. 4A is a cross-sectional view showing another schematic configuration example of a conventional circulating etching apparatus, and FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view along the line AA in FIG. FIG.
1A and 1B, reference numeral 1 denotes an etching tank containing an etching solution, and 2 denotes a carrier which holds a semiconductor wafer vertically in the tank 1 and rotates. The carrier 2 includes a driving shaft 2a and a driven shaft 2b. It is installed so that it can be rotated up and down in the vertical direction while being rotated by a rotating mechanism including 3a and 3b are a pair of etching solution supply ports provided below the semiconductor wafer held by the carrier 2 in the etching tank 1 and 4 are above the carrier 2 holding and mounting the semiconductor wafer. And an etching solution supply port 3a, 3b.
And an etching solution circulation mechanism for connecting the etching solution recovery port 4 and circulating the etching solution. In each of the above-described etching apparatuses, a carrier 2 which holds and rotates a semiconductor wafer vertically and is set in an etching tank 1 containing an etching solution is supplied by an etching solution circulating mechanism 5 to supply an etching solution 3 or an etching solution. 3a and 3b, and the etchant is recovered and circulated from the recovery port 4, thereby forming the carrier 2
In combination with the rotation of the wafer, uniform etching of the semiconductor wafer is performed. [0007] However, in the recent rapid improvement in the degree of integration of a semiconductor wafer, the above-mentioned means for etching a semiconductor wafer requires high parallelism and flatness of the active element forming surface of the semiconductor wafer for polishing. Not only is the process required, but also high etching accuracy is required for the back surface. Further, it is an essential condition to improve the flatness of the semiconductor wafer and to achieve both high glossiness (improved surface roughness). Conventionally, the composition of the etchant has been studied for the purpose of improving both the flatness and the surface roughness of the semiconductor wafer. However, the etching rate in the semiconductor wafer is not uniform. As a result, there is a problem that the wrapping shape cannot be maintained. That is,
In the process of etching a semiconductor wafer, the influence of the flow state of the etchant, and the intense reaction of the etchant with the semiconductor wafer generates heat, so that the temperature within the semiconductor wafer surface cannot be maintained and the etching rate becomes non-uniform. Invite you. FIG. 4 (c) is the same as FIG.
FIG. 4 is a schematic diagram when visualization is performed by a tracer injection suspension method in the etching apparatus illustrated in (a) and (b) and a state of stagnation and convection (arrow) of an etchant circulation flow is confirmed. In order to improve the influence of the flow state of the etchant and to make the etching rate uniform in the semiconductor wafer surface, the flow rate of the etchant should be maximized in the central portion of the semiconductor wafer and increased from the central portion toward the outer periphery. Attempts have also been made to control the flow rate of the etchant to be small (Japanese Patent No. 3020910). However, even such an improvement does not sufficiently eliminate the nonuniformity of the etching rate, and the establishment of a practical solution is awaited. The inventors of the present invention have made intensive studies in view of such circumstances, and as a result, in a circulation system for supplying an etching solution from below, a part of the etching solution supply flow on the lower side of the semiconductor wafer has been removed. By controlling the flow along the outer edge of the wafer, or by controlling the flow of the etchant as a curved shape along the outer edge of the semiconductor wafer holding the inner wall of the etching tank on the side of the etchant supply port to the carrier, It has been found that the convection of the etchant is suppressed and the etching rate in the semiconductor wafer surface is easily made uniform. The present invention has been made based on the above findings, and has as its object to provide a semiconductor wafer etching apparatus capable of uniformizing an etching rate in a semiconductor wafer surface and performing a required etching process without impairing a lapping shape. And According to a first aspect of the present invention, there is provided an etching tank for circulating an etching solution, a carrier for holding and rotating a semiconductor wafer in the tank, and a carrier installed below the tank. An etchant supply port, a rectifier disposed adjacent to the supply port for controlling supply of an etchant flow toward the semiconductor wafer held by the carrier, and an etchant recovery disposed above the carrier; An etching apparatus for a semiconductor wafer having a mouth, wherein an inner wall surface of the etching bath on an etching solution supply side has a curved surface along an outer peripheral edge of the semiconductor wafer held by the carrier. This is a semiconductor wafer etching apparatus. According to the first aspect of the present invention, the supply of the etching solution toward the substantially central portion of the semiconductor wafer, and the supply flow does not convect and stagnate in the etching solution tank, and
The operation to be smoothly collected to the collection port side automatically proceeds. In other words, the semiconductor wafer automatically and uniformly retains the heat generated by the etching reaction in the semiconductor wafer surface, in combination with the rotation of the retained carrier and the overall smooth flow of the etching solution in the etching tank. As a result, the etching rate becomes uniform and the lapping shape is maintained. An embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b) and FIGS. 2 (a) and 2 (b). FIG. 1A is a sectional view showing a schematic configuration of an etching apparatus according to an embodiment. 6 is an etching tank for circulating an etching solution, and 7 is a semiconductor wafer held vertically in the tank 6 and rotated. A career to do. Etching tank 6
Has a depth of about 500 mm, a substantially U-shaped vertical section, and a substantially rectangular cross section (about 300 × 500 mm). The carrier 7 is made of polytetrafluoroethylene resin and is about 1 mm. , And about 25 semiconductor wafers can be supported vertically.
Here, the rotating carrier 7 includes a driving roller 7a and a driven roller 7a connected to a rotation driving source (not shown).
By b, a configuration of rotating in a predetermined direction is adopted.
The cross-sectional shape of the etching solution tank 6 may be rectangular depending on the shape of the carrier 7, the number of semiconductor wafers supported by the carrier 7, and the like. Reference numeral 8 denotes an etching solution supply port provided below the semiconductor wafer held by the carrier 7 in the etching tank 6, and 9 denotes an etching solution supply port which is disposed adjacent to the etching solution supply port 8. Is a rectifier that controls supply to the semiconductor wafer held by the carrier 7. Further, reference numeral 10 denotes an etching liquid recovery port provided above the carrier 7. Here, the etching solution supply port 8 is
An opening of about × 500 mm is set below the semiconductor wafer held by the carrier 7 and within the range of the semiconductor wafer diameter. The rectifier 9 is generally cylindrical in shape to control the supply of the etchant flow toward the semiconductor wafer held by the carrier 7, and depends on the number of semiconductor wafers supported. A structure with a wide open side is selected. Although not shown, the etching liquid in the etching tank 6 is supplied and recovered by an etching liquid circulation mechanism that connects the etching liquid supply port 8 and the etching liquid recovery port 10. Further, the etching apparatus according to the embodiment includes:
The inner wall surface of the etching bath 6 on the side of the etching solution supply port 8 is
The semiconductor wafer is processed into a curved surface 6 a having a shape along the outer peripheral edge of the semiconductor wafer held by the carrier 7. That is, this etching apparatus not only adopts a configuration in which the etching solution supply port 8 is set in a region directly below the semiconductor wafer held by the carrier 7 and the flow of the etching solution is forced by the rectifier 9, It is characterized in that the bottom surface side of the inner wall is set to be substantially U-shaped to secure an etchant flow that does not generate stagnation, stagnation, convection and the like as a whole. FIG. 1B schematically shows the state of the flow of the etchant when the etchant is circulated by the etchant circulation mechanism in the etching apparatus. That is, when the liquid visualized by the tracer suspension method was circulated and the flow (arrow) state in the etching tank 6 was confirmed, not only the supply power to the carrier 7 region increased, but also the peripheral portion of the carrier 7 region. ,
Smooth flow is provided without convection. The stagnation of the liquid flow due to the influence of the rotation of the carrier 6 and the like
No convection is observed, and the liquid replacement efficiency in the etching bath 6 is improved. As a result, the etching reaction heat is suppressed and the etching proceeds at a constant temperature, so that a uniform etching rate is secured. Further, in the configuration of the above etching apparatus, the circulation amount of the etching solution is set to 150 liter / min, and the distance (distance) between the center position of the etching solution supply port 8 and the position immediately below the semiconductor wafer held by the carrier 6 is set. Alternately, the amount of the etchant flowing between the semiconductor wafer surfaces was measured and is shown as a curve A in FIG. In addition, the curve B in FIG. 2B shows the result of measuring the amount of the etchant flowing between the semiconductor wafer surfaces while changing the discharge angle of the semiconductor wafer held by the carrier 6 from the etchant supply port 8. FIGS. 2 (a) and 2 (b) show, for comparison, FIGS. 2 (a) and 2 (b) each showing a case of the etching apparatus having the structure shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). These are indicated by a and b, respectively. As can be seen from the above comparative experiments, in the case of the etching apparatus according to the present invention, the etching solution supply port 8 is set below the semiconductor wafer held by the carrier 6 and within the diameter range of the semiconductor wafer. By doing so, it is possible to increase the amount of the etchant flowing between the semiconductor wafer surfaces even when the same amount of the etchant is supplied. In addition, by controlling the supply of the etchant flow by installing a rectifier and ensuring a smooth flow by making the shape 6a of the inner wall surface of the etching tank 6 curved, the efficiency of replacement of the etchant is increased, and the reaction heat by the etchant is also reduced. As a result, the occurrence of variation in the etching rate in the semiconductor wafer surface is also eliminated, and a stable etching process proceeds. Next, an example in which a silicon wafer is subjected to an etching process by the etching apparatus having the above-described configuration will be described. First, a silicon single crystal having a diameter of 200 mm and N type of 10 Ω · cm is sliced, and a plurality of silicon wafers wrapped using alumina abrasive grains are held by a rotary carrier 7 and set in an etching bath 6. Next, by driving the etchant circulation mechanism, a mixed acid etchant of hydrofluoric acid, nitric acid, and acetic acid was circulated to etch two sets of silicon wafers in the etching bath 6. The temperature of the etching solution is 20 to 40 ° C.
The circulation rate is 100 to 200 liters per minute. When the flatness and high glossiness (degree of improvement in surface roughness) of each of the silicon wafers subjected to the etching treatment were measured and evaluated, the in-plane of each silicon wafer was substantially uniform and uniform. It was confirmed that etching was performed at the etching rate. According to the present invention, the semiconductor wafer is automatically formed in the semiconductor wafer plane by the rotation of the carrier and the smooth flow of the etching solution in the etching bath. The heat generated by the etching reaction in the step is kept uniform. Therefore, since the etching at a uniform etching rate is performed and the lapping shape is maintained, the semiconductor wafer can be processed with high yield and high accuracy.
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は実施例に係るエッチング装置の概略構
成を示す縦断面図、(b)は実施例に係るエッチング装
置におけるエッチング液流の状態を模式的に示す断面
図。
【図2】(a)はエッチング装置において、エッチング
液供給口の位置と半導体ウェーハ面間に流入するエッチ
ング液量の関係を比較して示す曲線図、(b)は半導体
ウェーハに対するエッチング液供給口の角度と半導体ウ
ェーハ面間に流入するエッチング液量の関係を比較して
示す曲線図。
【図3】従来のエッチング装置の概略構成を示す縦断
面。
【図4】(a)は従来の他のエッチング装置の概略構成
を示す縦断面、(b)は(a)のA−Aに沿った断面
図、(c)はエッチング槽内におけるエッチング液流の
状態を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
6……エッチング槽
6a……エッチング槽の内壁曲面部
7……キャリア
8……エッチング液供給口
9……整流体
10……エッチング液回収口BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 (a) is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of an etching apparatus according to an embodiment, and FIG. 1 (b) schematically shows a state of an etching liquid flow in the etching apparatus according to the embodiment. FIG. FIG. 2 (a) is a curve diagram showing the relationship between the position of an etchant supply port and the amount of etchant flowing between semiconductor wafer surfaces in an etching apparatus, and FIG. 2 (b) is an etchant supply port for a semiconductor wafer. FIG. 4 is a curve diagram showing the relationship between the angle of the semiconductor wafer and the amount of etchant flowing between the semiconductor wafer surfaces. FIG. 3 is a longitudinal section showing a schematic configuration of a conventional etching apparatus. FIG. 4A is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of another conventional etching apparatus, FIG. 4B is a sectional view along AA in FIG. 4A, and FIG. 4C is an etchant flow in an etching bath. Sectional drawing which shows the state of FIG. [Description of Signs] 6 Etching bath 6a Inner wall curved surface portion 7 of etching bath Carrier 8 Etching liquid supply port 9 Rectifier 10 Etching liquid recovery port
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇坂 宣範 新潟県北蒲原郡聖籠町東港6丁目861番5 号 新潟東芝セラミックス株式会社内 (72)発明者 柳澤 寛高 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 Fターム(参考) 4K057 WA04 WA10 WB06 WE02 WE07 WE12 WM01 WM13 WM18 WN01 5F043 AA02 BB01 EE01 EE08 EE09 EE21 EE28 EE33 EE35 FF07 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Noriaki Wakisaka 6865-15 Higashiko, Seirocho, Kitakanbara-gun, Niigata Prefecture No. Niigata Toshiba Ceramics Co., Ltd. (72) Inventor Hirotaka Yanagisawa 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Toshiba Production Technology Center F term (reference) 4K057 WA04 WA10 WB06 WE02 WE07 WE12 WM01 WM13 WM18 WN01 5F043 AA02 BB01 EE01 EE08 EE09 EE21 EE28 EE33 EE35 FF07
Claims (1)
と、前記槽内に半導体ウェーハを保持し回転するキャリ
アと、前記槽の下部に設置されたエッチング液供給口
と、エッチング液流を前記キャリアに保持された半導体
ウェーハに向けて供給制御する、前記供給口に隣接配置
された整流体と、前記キャリアよりも上方側に設置され
たエッチング液回収口とを有する半導体ウェーハのエッ
チング装置であって、 前記エッチング槽のエッチング液供給側内壁面は、前記
キャリアに保持される半導体ウェーハの外周縁に沿った
曲面を成していることを特徴とする半導体ウェーハのエ
ッチング装置。Claims: 1. An etching tank for circulating an etchant, a carrier holding and rotating a semiconductor wafer in the tank, an etchant supply port installed in a lower part of the tank, and an etchant. Controlling the flow of the flow toward the semiconductor wafer held by the carrier, etching of the semiconductor wafer having a rectifier disposed adjacent to the supply port and an etchant recovery port disposed above the carrier; An apparatus for etching a semiconductor wafer, wherein an inner wall surface on an etching solution supply side of the etching bath forms a curved surface along an outer peripheral edge of the semiconductor wafer held by the carrier.
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Cited By (1)
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- 2001-07-16 JP JP2001214646A patent/JP2003031549A/en active Pending
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