JP2003031544A - Method and apparatus for drying substrate - Google Patents
Method and apparatus for drying substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスクや集
積回路の製造に用いられる基板などのワークピースを乾
燥させるための方法及び装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method and apparatus for drying a workpiece such as a magnetic disk or a substrate used in the manufacture of integrated circuits.
【０００２】[0002]
【従来の技術】多くの製造工程において、ワークピース
を液体で処理して、その後にこのワークピースを乾燥さ
せることが必要となる。例えば、磁気ディスクの製造中
には、代表的に以下の製造段階が実行される。BACKGROUND OF THE INVENTION In many manufacturing processes, it is necessary to treat a workpiece with a liquid and subsequently dry the workpiece. For example, the following manufacturing steps are typically performed during manufacture of a magnetic disk.
【０００３】１．最初に、アルミニウム基板にニッケル
リン層をメッキする。1. First, an aluminum substrate is plated with a nickel phosphorus layer.
【０００４】２．ニッケルリン層を磨いて、生地を作
る。2. Polish the nickel phosphorus layer to make a dough.
【０００５】３．基板を洗浄して、すすいで、乾燥させ
る。3. The substrate is washed, rinsed and dried.
【０００６】４．例えばスパッタリングによるＮｉＰ又
はＣｒの下地層と、磁気コバルト合金の層と、水素化炭
素の保護被覆層などの、一連の層を基板上にスパッタす
る。4. A series of layers are sputtered onto the substrate, such as a NiP or Cr underlayer by sputtering, a layer of magnetic cobalt alloy, and a protective coating of hydrogenated carbon.
【０００７】このような処理の例は、Ｂｅｒｔｅｒｏら
の米国特許第６，１５０，０１５号に開示されており、
ここで参照して引用する。An example of such a treatment is disclosed in Bertero et al., US Pat. No. 6,150,015,
Reference and quote here.
【０００８】スパッタリングの直前に、基板を洗浄して
から乾燥させる。基板が乾燥したときには、基板の表面
にはいかなる不純物も存在していないことが極めて重要
である。Immediately before sputtering, the substrate is washed and then dried. It is very important that when the substrate is dry, there are no impurities on the surface of the substrate.
【０００９】数多くの他の製造工程もワークピースの乾
燥を必要とする。例えば、半導体製造処理の様々な段階
において、半導体ウエハを液体に浸してから乾燥させ
る。乾燥の後には、これらのウエハの表面に全く不純物
が存在しないことが極めて重要である。Many other manufacturing processes also require drying of the workpiece. For example, at various stages of a semiconductor manufacturing process, a semiconductor wafer is immersed in a liquid and then dried. After drying, it is extremely important that the surface of these wafers is completely free of impurities.
【００１０】半導体ウエハを乾燥させるためのひとつの
装置が欧州特許出願０ ３８５ ５３６号に開示されてい
る。’５３６号の装置では、ウエハを液体に浸した後、
乾燥処理を促進するような蒸気の存在中で、ゆっくりと
ウエハを液体から取出す。この蒸気と液体との協働は、
いわゆるマランゴニ効果を引き起こして、ウエハの乾燥
を容易にする。’５３６号の装置では、「ナイフ形の部
材」がウエハを液体の外に押出して、ウエハを乾燥する
領域に運ぶ。One apparatus for drying semiconductor wafers is disclosed in European Patent Application 0 385 536. In the '536 device, after immersing the wafer in the liquid,
The wafer is slowly removed from the liquid in the presence of vapor to accelerate the drying process. This cooperation of vapor and liquid
It causes the so-called Marangoni effect to facilitate the drying of the wafer. In the '536 apparatus, a "knife-shaped member" pushes the wafer out of the liquid and carries the wafer to the drying area.
【００１１】半導体ウエハを乾燥させるための他の装置
は、Ｓｃｈｉｌｄらの米国特許第５，５６９，３３０号
に開示されている。Ｓｃｈｉｌｄもまた、ウエハを液体
から押出して、ウエハを乾燥する領域に運ぶための構造
を教示している。Another apparatus for drying semiconductor wafers is disclosed in Schild et al., US Pat. No. 5,569,330. Schild also teaches a structure for extruding a wafer from a liquid to bring the wafer to a drying area.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】従来技術のいくつかの
乾燥工程においては、乾燥中のウエハを保持構造によっ
て保持している。このために、乾燥するウエハを保持構
造で保持している箇所には、いくらかの汚染や乾燥跡を
生じる可能性がある。かかる問題点に対処するためのひ
とつの装置がＦｉｓｈｋｉｎらの米国特許第５，８８
４，６４０号に開示されている。Ｆｉｓｈｋｉｎの乾燥
装置では、流体を収容している液槽からウエハを押出す
代わりに、液槽から流体を排出させるようにしている。
ウエハに対して液面が下がるときにウエハは異なった箇
所にて保持されるため、ウエハの一部分が乾燥する間に
かかる部分が保持構造と機械的に接触することはない。In some prior art drying processes, the wafer being dried is held by a holding structure. For this reason, some contamination or drying marks may occur at the place where the wafer to be dried is held by the holding structure. One apparatus for addressing such problems is US Pat. No. 5,88,598 to Fishkin et al.
No. 4,640. In the Fishkin drying apparatus, the fluid is discharged from the liquid tank instead of extruding the wafer from the liquid tank containing the fluid.
Since the wafer is held at different locations when the liquid level drops with respect to the wafer, there is no mechanical contact with the holding structure during the drying of a portion of the wafer.
【００１３】Ｓｔｅｃｋの米国特許第４，７２２，７５
２号は、ウエハを乾燥させるための他の装置を開示して
いる。Ｓｔｅｃｋの装置は、ウエハを持上げて液体との
接触から取出すために２つの構造を備えている。第１の
構造（Ｓｔｅｃｋの図５におけるバール３４）は、Ｓｔ
ｅｃｋのウエハ２４の一部分を液体との接触から取出
す。この時間期間中には、カセット２５は液体に浸され
ている。Ｓｔｅｃｋの装置は、この後にカセット２５を
液体から押出す。最終的には、カセット２５が乾燥した
後に、ウエハ２４の乾燥した部分と接触するようにな
る。Ｓｔｅｃｋの装置では、カセット２５が液体との接
触から離れる時刻と、カセット２５がウエハ２４に接触
する時刻との間に十分な時間を確保して、カセットが乾
燥できるようにする必要がある。このことはＳｔｅｃｋ
の装置のスループットを潜在的に制限している。Stick US Pat. No. 4,722,75
No. 2 discloses another apparatus for drying a wafer. The Stick device comprises two structures for lifting the wafer and removing it from contact with the liquid. The first structure (bar 34 in Stick FIG. 5) is St
A portion of the eck wafer 24 is removed from contact with the liquid. During this time period, the cassette 25 is submerged in liquid. The Stick device then pushes the cassette 25 out of the liquid. Finally, after the cassette 25 dries, it comes into contact with the dried portion of the wafer 24. In the Stick device, it is necessary to ensure a sufficient time between the time when the cassette 25 moves away from the contact with the liquid and the time when the cassette 25 contacts the wafer 24 so that the cassette can be dried. This is Stick
Potentially limits the throughput of the device.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明によるワークピー
スを乾燥させる方法は、ワークピースの第１の部分が液
体から延出するまで、第１の保持構造を用いてワークピ
ースを液槽の外へ持上げるような段階を備える（工程の
かかる時点では、ワークピースの第２の部分は液体中に
残っている。）。方法におけるかかる部分では、第１の
保持構造は液体中に浸されていて、第１の保持構造とワ
ークピースとが接触しているワークピースの部分は液体
中に浸漬している。液体から延出しているワークピース
の部分は乾燥する。第２の保持構造は、液体から延出し
ているワークピースの乾燥した部分を把持した後に、ワ
ークピースを持上げて、第１の保持構造との接触から離
脱させ、液体との接触から離脱させる（ワークピースを
持上げる第２の保持構造の部分は乾燥していて、代表的
には第２の保持構造のかかる部分は決して液体中に浸漬
することがない。ひとつの実施形態では、第２の保持構
造には液体中に浸される部分が存在しない。）。次に、
ワークピースの第２の部分が乾燥する。ひとつの実施形
態では、ワークピースの乾燥部分が保持構造に接触する
ことは決してない。従って、ワークピースに乾燥跡や汚
染を生じる機会は最小になる。SUMMARY OF THE INVENTION A method of drying a workpiece in accordance with the present invention includes a first holding structure for moving the workpiece out of the bath until a first portion of the workpiece extends from the liquid. (Such that the second part of the workpiece remains in the liquid at this point in the process). In such a part of the method, the first holding structure is submerged in the liquid and the part of the workpiece where the first holding structure and the workpiece are in contact is submerged in the liquid. The portion of the workpiece that extends from the liquid dries. The second holding structure grips the dry portion of the workpiece extending from the liquid and then lifts the workpiece to release it from contact with the first holding structure and release it from contact with the liquid ( The portion of the second retaining structure that lifts the workpiece is dry and typically such portion of the second retaining structure is never submerged in the liquid. There is no part of the holding structure that is submerged in the liquid). next,
The second part of the workpiece dries. In one embodiment, the dry portion of the workpiece never contacts the retaining structure. Therefore, the chances of drying marks or contamination on the workpiece are minimized.
【００１５】本発明による方法の他の利点は、第２の保
持構造が決して液体中に浸漬しないために、第２の保持
構造がワークピースを把持する前に乾燥することを待つ
必要がないという点にある。従って、本発明による方法
は上述のＳｔｅｃｋの方法よりも効率的であることが期
待される。Another advantage of the method according to the invention is that it is not necessary to wait for the second holding structure to dry before gripping the workpiece, since the second holding structure is never immersed in the liquid. In point. Therefore, the method according to the present invention is expected to be more efficient than the above-mentioned Stick method.
【００１６】ひとつの実施形態では、ワークピースは磁
気ディスクの製造に用いられる基板である。ワークピー
スは、ニッケルリンのメッキされたアルミニウム合金
や、ガラス、ガラスセラミック、又は他の材料である。
乾燥させた後には、ワークピースの上に様々な層、例え
ば下地層や、磁気層、及び保護層などを（例えばスパッ
タリングや、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、又は他の技術によっ
て）堆積させる。しかしながら、ワークピースは半導体
ウエハなどの他のタイプの構造物でも良い。In one embodiment, the workpiece is a substrate used in the manufacture of magnetic disks. The workpiece is a nickel phosphorus plated aluminum alloy, glass, glass ceramic, or other material.
After drying, various layers are deposited (eg, by sputtering, CVD, PECVD, or other techniques) on the workpiece, such as underlayers, magnetic layers, and protective layers. However, the workpiece may be another type of structure such as a semiconductor wafer.
【００１７】ひとつの実施形態では、数枚（又は多数
枚）のワークピースを同時に乾燥させる。In one embodiment, several (or many) workpieces are dried simultaneously.
【００１８】ひとつの実施形態では、ワークピースの上
部が液体の液面を通過する時には、第１の速度でワーク
ピースを上昇させる。ワークピースの上部が液体の液面
を通過した後には、ワークピースを第２の速度で上昇さ
せる。第１の速度は第２の速度よりも遅い。また、ひと
つの実施形態では、ワークピースの下部が液面を通過す
る時には、第３の速度でワークピースを上昇させる。第
３の速度は第２の速度よりも遅い。この理由は、ワーク
ピースの異なる部分は異なった速度で乾燥するためであ
る。ワークピースを上昇させる速度を調節して、基板の
異なる部分の乾燥速度に適応させることで、ワークピー
スの乾燥の全体としての速度が向上する。In one embodiment, the workpiece is raised at a first rate as the upper portion of the workpiece passes over the liquid surface. After the upper portion of the workpiece has passed the liquid surface, the workpiece is raised at the second speed. The first speed is slower than the second speed. Also, in one embodiment, when the lower part of the workpiece passes the liquid surface, the workpiece is raised at a third speed. The third speed is slower than the second speed. The reason for this is that different parts of the workpiece dry at different rates. Adjusting the rate at which the workpiece is raised to accommodate the drying rate of different portions of the substrate improves the overall rate of drying of the workpiece.
【００１９】ワークピースは、中央に形成された開口を
有するような基板でも良い。そのような実施形態では、
中央に形成された開口の上部が液面を通過する時と、中
央に形成された開口の下部が液面を通過する時には、ワ
ークピースを第４の速度で上昇させる。上述した理由か
ら、第４の速度は代表的に第２の速度よりも遅い。中央
に形成された開口の上部が液面を通過してから中央に形
成された開口の下部が液面を通過するまでの間には、基
板を第５の速度で上昇させる。第５の速度は代表的に第
４の速度よりも大きい。任意的には、第５の速度と第２
の速度とを等しくしても良い。さらに、第１と第３と第
４との速度を等しくしても良い。上述のように、基板の
上部及び下部と中央に形成された開口の上部及び下部と
が液面を通過する時には、基板の乾燥が遅くなるという
事実に対応させて、基板を上昇させる速度を変更する。The workpiece may be a substrate having a centrally formed opening. In such an embodiment,
The workpiece is raised at a fourth speed when the upper portion of the centrally formed opening passes the liquid surface and when the lower portion of the centrally formed opening passes the liquid surface. For the reasons mentioned above, the fourth speed is typically slower than the second speed. The substrate is raised at a fifth speed between the time when the upper part of the opening formed in the center passes the liquid surface and the time the lower part of the opening formed in the center passes the liquid surface. The fifth speed is typically greater than the fourth speed. Optionally, a fifth speed and a second
May be equal to the speed of. Furthermore, the first, third, and fourth speeds may be equal. As described above, when the upper and lower portions of the substrate and the upper and lower portions of the opening formed in the center pass through the liquid surface, the speed of raising the substrate is changed in response to the fact that the drying of the substrate becomes slow. To do.
【００２０】ひとつの実施形態では、液体の液面の上に
ガス又は蒸気を提供して乾燥を促進する。ひとつの実施
形態では、この蒸気はＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）から構成されるが、例えばアセトンなどの他の材料
を用いても良い。従って、本発明の実施形態は上述した
マランゴニ効果を使用する。In one embodiment, a gas or vapor is provided above the liquid surface to facilitate drying. In one embodiment, the vapor is composed of IPA (isopropyl alcohol), although other materials such as acetone may be used. Therefore, embodiments of the present invention use the Marangoni effect described above.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】本発明のひとつの実施形態による
方法は、図１に示す基板１０などの例えば円板形のワー
クピースを乾燥するために用いられる。基板１０は例え
ば磁気ディスクを製造するのに使用される基板である。
１の実施形態においては、基板１０は例えばニッケルリ
ン合金でメッキされているアルミニウム合金である。変
形例においては、基板１０は例えばガラスやガラスセラ
ミックなどの他の材料から形成される。基板１０は代表
的に中央に形成された開口１２を有する。当業者に知ら
れているように、製造の最後にディスクはスピンドル
（図示せず）に取付けられるが、開口１２はディスクを
かかるスピンドルに取付ける場所である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The method according to one embodiment of the present invention is used to dry a workpiece, for example a disc, such as the substrate 10 shown in FIG. The substrate 10 is, for example, a substrate used for manufacturing a magnetic disk.
In one embodiment, the substrate 10 is an aluminum alloy plated with, for example, a nickel phosphorus alloy. In a variant, the substrate 10 is made of another material such as glass or glass ceramic. Substrate 10 typically has an opening 12 formed in the center. As is known to those skilled in the art, at the end of manufacture the disc is mounted on a spindle (not shown), but the opening 12 is where the disc is mounted on such spindle.
【００２２】製造工程中には、基板１０を液体に接触さ
せて（例えば基板を洗浄又はすすいで）、その後に基板
１０を乾燥させることが求められる。従って、基板１０
は、液体（図示せず）を収容している第１のタンクに浸
漬させた後に、乾燥装置１３へと搬送され、表面汚染の
見込みを最小にするようにして乾燥させる。装置１３
は、容器１４を備えていて、この中には水１６（図１参
照）などの液体を収容するタンク１５が含まれている
（水１６は例えば脱イオン水であって、室温から約６０
℃までの間の温度であるが、他の液体や他の温度を使用
しても良い。）。上述したように、そのような工程中に
は、基板１０に乾燥跡や他の汚染物が付着することを防
止ないし最小にするようなやり方で基板１０を乾燥させ
ることが求められる。本発明による方法はこの目的を達
成する。During the manufacturing process, it is required to contact the substrate 10 with a liquid (eg, wash or rinse the substrate) and then dry the substrate 10. Therefore, the substrate 10
Is immersed in a first tank containing a liquid (not shown) and is then transported to a drying device 13 to dry with a minimal chance of surface contamination. Device 13
Includes a container 14 in which a tank 15 containing a liquid such as water 16 (see FIG. 1) is included (water 16 is, for example, deionized water, from room temperature to about 60 ° C.).
Temperatures up to ° C, but other liquids and other temperatures may be used. ). As mentioned above, during such a process, it is desired to dry the substrate 10 in a manner that prevents or minimizes the buildup of drying marks or other contaminants on the substrate 10. The method according to the invention achieves this aim.
【００２３】図１を参照すると、基板１０はシャトル１
８で支持されていて、基板１０はタンク１５の上方に位
置している。基板１０がタンク１５の上方に配置される
と直ちに、カバー２０は矢印Ａの方向へ動く。第１のホ
ルダ２２は上方（矢印Ｂ）へ動いて、ホルダ２２は基板
１０を保持する位置となる（１の実施形態では、ホルダ
２２は１．０〜２０mm／秒の速度で上方へ移動す
る。）。シャトル１８のアーム１８ａ及び１８ｂが外向
きに（矢印Ｃ、Ｄ）動いて、基板１０を解放する。工程
のこの時点においては、基板１０は第１のホルダ２２に
よって保持される（シャトル１８が基板１０を解放する
前に、ホルダ２２が所定の位置にあることを確実にする
ためにロボット操作の処理には適切な遅延時間を挿入す
ると良い。）。Referring to FIG. 1, the substrate 10 is a shuttle 1.
8 and the substrate 10 is located above the tank 15. As soon as the substrate 10 is placed above the tank 15, the cover 20 moves in the direction of arrow A. The first holder 22 moves upward (arrow B), and the holder 22 comes to a position for holding the substrate 10 (in the first embodiment, the holder 22 moves upward at a speed of 1.0 to 20 mm / sec). .). Arms 18a and 18b of shuttle 18 move outward (arrows C, D) to release substrate 10. At this point in the process, the substrate 10 is held by a first holder 22 (a robotic process to ensure that the holder 22 is in place before the shuttle 18 releases the substrate 10). It is good to insert an appropriate delay time in.
【００２４】ひとつの実施形態では、第１のホルダ２２
は５つの接触点２２ａ〜２２ｅにて基板１０を保持す
る。しかしながら他の実施形態では、異なる数の接触点
を使用できる。In one embodiment, the first holder 22
Holds the substrate 10 at five contact points 22a to 22e. However, in other embodiments, different numbers of contact points can be used.
【００２５】次に、第１のホルダ２２は基板１０を降ろ
して（方向Ｅ）、タンク１５の中へ入れて、基板１０を
水１６中に浸漬させる（図２参照）。この下降動作は比
較的高い速度（１．０〜２０mm／秒）で良い。基板１０
は約１０〜３００秒間、水１６の中に浸漬される。任意
的には、この部分の工程中に、水１６を機械的に撹拌し
て洗浄処理を促進しても良い。この撹拌は超音波やメガ
ソニックでも良い（メガソニックの撹拌とは極めて高い
周波数での撹拌である。）。カバー２０を矢印Ｆの方向
へ動かして、タンク１５が配置されている区画２４を閉
鎖する。Next, the first holder 22 lowers the substrate 10 (direction E), puts it in the tank 15, and immerses the substrate 10 in water 16 (see FIG. 2). This lowering operation may be performed at a relatively high speed (1.0 to 20 mm / sec). Board 10
Is immersed in water 16 for about 10-300 seconds. Optionally, water 16 may be mechanically agitated during this part of the process to facilitate the cleaning process. This agitation may be ultrasonic waves or megasonics (megasonic agitation is agitation at an extremely high frequency). The cover 20 is moved in the direction of arrow F to close the compartment 24 in which the tank 15 is located.
【００２６】その後、第１のホルダ２２は第１の比較的
高い速度で（図３の矢印Ｇを参照）、基板１０を持上げ
始める。この第１の速度は約１〜２０mm／秒である。基
板１０の上部表面１０ｔが水１６の液面１６ｔを通過す
る直前に、ホルダ２２の速度は遅くなって、例えば０．
２〜１．０mm／秒という第２のより遅い速度になる。基
板１０の上部１０ｔが水１６の液面１６ｔを通過し終え
るまで、この状態が継続する。区画２４にはＩＰＡを含
む蒸気が導入されて基板１０が乾燥するのを容易にする
と共に上述のマランゴニ効果を促進するが、この蒸気の
導入は、基板１０を持上げる前に開始して、基板１０を
持上げる間にわたって継続する。ひとつの実施形態で
は、ＩＰＡを提供するために、窒素をイソプロピルアル
コールに通して泡立たせて、ＩＰＡの蒸気を形成する。
この蒸気は、カバー２０の底面２０ｂに配置されてなる
「シャワーヘッド型の開口」又は孔（図示せず）を通し
て導入される。Thereafter, the first holder 22 begins to lift the substrate 10 at the first relatively high speed (see arrow G in FIG. 3). This first velocity is about 1-20 mm / sec. Immediately before the upper surface 10t of the substrate 10 passes the liquid surface 16t of the water 16, the speed of the holder 22 becomes low, for example, 0.
A second, slower speed of 2 to 1.0 mm / sec. This state continues until the upper part 10t of the substrate 10 finishes passing the liquid surface 16t of the water 16. The vapor containing IPA is introduced into the compartment 24 to facilitate the drying of the substrate 10 and to promote the Marangoni effect described above, but the introduction of this vapor is started before the substrate 10 is lifted and the substrate 10 is removed. Continues while lifting 10. In one embodiment, nitrogen is bubbled through isopropyl alcohol to provide IPA, forming a vapor of IPA.
This steam is introduced through "shower head type openings" or holes (not shown) arranged on the bottom surface 20b of the cover 20.
【００２７】基板１０の上部１０ｔが水１６の液面１６
ｔを通過した後には、ホルダ２２が基板１０を上昇させ
る速度が増加して、例えば約１．０〜２０mm／秒である
比較的高い速度になる。ホルダ２２がこの増加した速度
で基板１０を上昇させ続けるのは、開口１２の上部１２
ｔが水１６の液面１６ｔを通過する直前までである。こ
の時点で、ホルダ２２が基板１０を上昇させる速度は再
び遅くなって、例えば０．２〜１．０mm／秒になる。開
口１２の上部１２ｔが水１６の液面１６ｔを通過した後
には、再び、ホルダ２２の上昇速度が速くなって、例え
ば１．０〜２０mm／秒の速度になる。このように基板１
０が上昇する速度を変化させることは以下の利点を有す
る。基板１０（図１０参照）のＰ２とＰ４とＰ６の部分
の乾燥速度は、基板１０のＰ１とＰ３の部分（それぞれ
基板１０の上部１０ｔと開口１２の上部１２ｔとに位置
している）の乾燥速度に比べてより大きい。基板１０を
上昇させる速度を変化させて、基板１０の異なった部分
の乾燥速度の違いに適応することで、乾燥工程の全体の
速度が向上する。The upper surface 10t of the substrate 10 has a liquid surface 16 of water 16.
After passing t, the speed at which the holder 22 raises the substrate 10 increases to a relatively high speed, for example about 1.0 to 20 mm / sec. The reason why the holder 22 continues to raise the substrate 10 at this increased speed is because of the upper portion 12 of the opening 12.
It is until just before t passes the liquid surface 16t of the water 16. At this point, the speed at which the holder 22 raises the substrate 10 slows down again to, for example, 0.2 to 1.0 mm / sec. After the upper part 12t of the opening 12 has passed the liquid surface 16t of the water 16, the rising speed of the holder 22 becomes high again, for example, 1.0 to 20 mm / sec. Substrate 1
Varying the rate at which 0 rises has the following advantages. The drying speeds of the portions P2, P4, and P6 of the substrate 10 (see FIG. 10) are such that the portions P1 and P3 of the substrate 10 (which are located at the upper portion 10t of the substrate 10 and the upper portion 12t of the opening 12 respectively) are dried. Greater than speed. By varying the rate at which the substrate 10 is raised to accommodate the different drying rates of different portions of the substrate 10, the overall speed of the drying process is increased.
【００２８】開口１２の下部１２ｂと基板１０の下部１
０ｂとが乾燥する速度は、Ｐ２とＰ４とＰ６の部分の乾
燥速度に比べて遅い。従って、基板１０のＰ５とＰ７の
部分が水１６の液面１６ｔを通過する時には、再び、基
板１０の上昇速度を遅くする。Lower portion 12b of opening 12 and lower portion 1 of substrate 10
The drying speed of 0b is slower than the drying speed of the portions P2, P4, and P6. Therefore, when the portions P5 and P7 of the substrate 10 pass the liquid surface 16t of the water 16, the rising speed of the substrate 10 is slowed down again.
【００２９】図４を参照すると、開口１２の下部１２ｂ
が水１６の液面１６ｔを通過した後には、第２のホルダ
のアーム２６ａ及び２６ｂが内側へと動く（矢印Ｈ及び
Ｉ参照）。次に、第２のホルダは上方（図５の矢印Ｊ）
へ動き始めて、基板１０を上昇させてホルダ２２との接
触から離して、さらに、基板１０を液槽の外へ引上げる
（図６）。重要なことは、本発明による方法において
は、第２のホルダのアーム２６ａ及び２６ｂは決して水
１６に浸漬しないということである。従って、基板１０
を保持する前に、第２のホルダが乾燥するのを待つ必要
がない。従って、本発明による乾燥方法は迅速で効率的
である。Referring to FIG. 4, the lower portion 12b of the opening 12
After the water has passed the liquid surface 16t of the water 16, the arms 26a and 26b of the second holder move inward (see arrows H and I). Next, the second holder is above (arrow J in FIG. 5).
Then, the substrate 10 is lifted to move away from the contact with the holder 22, and the substrate 10 is further pulled out of the liquid tank (FIG. 6). Importantly, the arms 26a and 26b of the second holder are never submerged in the water 16 in the method according to the invention. Therefore, the substrate 10
It is not necessary to wait for the second holder to dry before holding. Therefore, the drying method according to the present invention is fast and efficient.
【００３０】ひとつの実施形態では、アーム２６ａ及び
２６ｂは、停止ポイントに達するまで、内向きに動かさ
れる。この停止ポイントに達したときには、依然として
アーム２６ａ及び２６ｂは基板１０に接触してはいな
い。アーム２６ａ及び２６ｂは、それらが上方へ動くま
では基板１０に接触しない。しかしながら、他の実施形
態においては、アーム２６ａ及び２６ｂは内向きに動く
と直ちに基板１０に接触しても良い。In one embodiment, the arms 26a and 26b are moved inward until a stop point is reached. When this stop point is reached, the arms 26a and 26b are not yet in contact with the substrate 10. Arms 26a and 26b do not contact substrate 10 until they move upward. However, in other embodiments, the arms 26a and 26b may contact the substrate 10 as soon as they move inward.
【００３１】また、ひとつの実施形態においては、ホル
ダ２２の上方向への動きは、基板１０がアーム２６ａ及
び２６ｂ（これらはホルダ２２より速い速度で上方向へ
動いている。）へ引渡されても、依然として続けられ
る。この実施形態では、基板２２のアーム２６への引渡
しは、リレー競争のバトンの引渡しに類似している。Further, in one embodiment, the upward movement of the holder 22 is transferred by the substrate 10 to the arms 26a and 26b (these are moving upward at a faster speed than the holder 22). Even continues. In this embodiment, the delivery of the substrate 22 to the arm 26 is similar to the delivery of batons in a relay race.
【００３２】ひとつの実施形態では、アーム２６が基板
１０を上昇させ続けて水１６との接触から離す間、ホル
ダ２２は水１６に浸漬したままである。In one embodiment, holder 22 remains submerged in water 16 while arm 26 continues to raise substrate 10 away from contact with water 16.
【００３３】図７を参照すると、基板１０が完全に区画
２４の乾燥した部分に位置したときに、第２のホルダは
停止する。この時点で、水１６はタンク１５から例えば
容器１４の底部へと排出される（この排出はかなり迅速
に例えば２〜５秒間で行なわれる。そして水は容器１４
の底部の位置１４ｂに排出される。）。次に、区画２４
へのＩＰＡの蒸気の流入を停止させてから、１又は複数
のノズル２９を介して区画２４へ高温の窒素を導入す
る。窒素は約１５０〜３００℃（例えば２００℃）の温
度であって、約５〜１２０秒間（例えば３０秒間）の
間、導入される。窒素によって基板１０に残留している
すべての水分が確実に取除かれる。水は容器１５から排
出されているので、この部分の工程では水が飛散する可
能性はない。Referring to FIG. 7, when the substrate 10 is completely located in the dry portion of the compartment 24, the second holder stops. At this point, the water 16 is drained from the tank 15 to, for example, the bottom of the container 14 (this draining occurs fairly quickly, for example, in 2 to 5 seconds.
Is discharged to position 14b at the bottom of the. ). Next, section 24
The flow of IPA vapor into the is stopped and hot nitrogen is introduced into the compartment 24 through one or more nozzles 29. Nitrogen is at a temperature of about 150-300 ° C. (eg 200 ° C.) and is introduced for about 5-120 seconds (eg 30 seconds). Nitrogen ensures that all moisture remaining on the substrate 10 is removed. Since the water is discharged from the container 15, there is no possibility that the water will be scattered in the process of this part.
【００３４】ひとつの実施形態においては、工程の全体
にわたって、常温の窒素を区画２４に流通させる。言換
えれば、この窒素は、乾燥を容易にするためのプロセス
ガスの一部として、区画２４に導入され排出される。こ
の常温の窒素の流れは乾燥工程の全体にわたって行なわ
れて、それが中断されるのは、ａ）ＩＰＡ蒸気を区画２
４に流入させる時と、ｂ）高温の窒素を区画２４に流入
させる時とである。In one embodiment, ambient temperature nitrogen is passed through compartment 24 throughout the process. In other words, this nitrogen is introduced and discharged in compartment 24 as part of the process gas to facilitate drying. This ambient nitrogen flow is carried out throughout the drying process, which is interrupted by a) the IPA vapor in compartment 2
4) and b) when hot nitrogen is introduced into the compartment 24.
【００３５】上述した高温の窒素の導入が完了した後
に、カバー２０はＫ方向へ動いて開く。次に、第２のホ
ルダが基板１０を持上げて装置１３の外に取出す（図８
参照）。次に、第２のシャトル３０がＬ方向に動いて、
基板１０の下方に位置する（図９）。次に、第２のホル
ダが降りて（Ｍ方向）、基板１０をシャトル３０に引渡
して、このシャトルが基板１０をＮ方向に搬送して、次
段のステーション、例えば基板１０をカセットに収容す
るステーションへ搬送する。After the introduction of the high temperature nitrogen described above is completed, the cover 20 moves in the K direction and opens. Next, the second holder lifts the substrate 10 and takes it out of the device 13 (FIG. 8).
reference). Next, the second shuttle 30 moves in the L direction,
It is located below the substrate 10 (FIG. 9). Next, the second holder descends (M direction), the substrate 10 is handed over to the shuttle 30, the shuttle conveys the substrate 10 in the N direction, and the next stage station, for example, the substrate 10 is accommodated in the cassette. Transport to the station.
【００３６】上述したように、第１のホルダと第２のホ
ルダとは異なった速度で昇降動作することができる。ひ
とつの実施形態では、第１のホルダ２２はモータに結合
されて（図１１にモータ３２として模式的に示してい
る。）、このモータがホルダ２２を昇降させる。このモ
ータはＤＣブラシレスサーボモータか、または、ステッ
プモータである。モータは、例えばＣｏｎｔｒｏｌ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が製造しているＣＴＣ制御装置な
どの電子制御装置によって制御される。同様に、第２の
ホルダの垂直動作を制御するためのモータ（図示せず）
も、ＤＣブラシレスサーボモータ又はステップモータで
あって、ＣＴＣ制御装置によって制御される。しかしな
がら、他のメカニズム（他のタイプのモータを含む）を
用いて第１及び第２のホルダを昇降させても良い。これ
らのモータは、「リードネジ」型の連結機構によって第
１及び第２のホルダに結合される。言換えれば、第１及
び第２のホルダはリードネジ構造に機械的に結合され
て、このリードネジが上述のモータによって回転して、
第１及び第２のホルダを昇降させる。図１１は、ホルダ
２２を螺旋ネジ駆動体４０に結合するやり方を模式的に
示している。駆動体４０はモータ３２によって回転す
る。モータ３２が駆動体４０を回転させると、ホルダ２
２に結合されているキャリッジ４４が駆動体４０を昇降
して、ホルダ２０を昇降させる。図１１は、ホルダを昇
降させるためのやり方を示した単なる例示的な図である
ことを強調しておきたい。第２のホルダも同様にキャリ
ッジに取付けられて昇降する。As described above, the first holder and the second holder can move up and down at different speeds. In one embodiment, the first holder 22 is coupled to a motor (schematically shown as motor 32 in FIG. 11), which raises and lowers the holder 22. This motor is a DC brushless servomotor or a stepper motor. The motor is, for example, Control T
It is controlled by an electronic controller such as a CTC controller manufactured by technology. Similarly, a motor (not shown) for controlling the vertical movement of the second holder.
Is a DC brushless servomotor or stepper motor and is controlled by the CTC controller. However, other mechanisms (including other types of motors) may be used to raise and lower the first and second holders. These motors are coupled to the first and second holders by a "lead screw" type coupling mechanism. In other words, the first and second holders are mechanically coupled to the lead screw structure and the lead screw is rotated by the motor described above,
The first and second holders are moved up and down. FIG. 11 schematically shows how the holder 22 is coupled to the spiral screw driver 40. The driving body 40 is rotated by the motor 32. When the motor 32 rotates the driving body 40, the holder 2
The carriage 44 coupled to the two moves up and down the driving body 40 and moves up and down the holder 20. It should be emphasized that FIG. 11 is merely an exemplary diagram showing how to raise and lower the holder. Similarly, the second holder is also attached to the carriage and moved up and down.
【００３７】ひとつの実施形態では、第２のホルダのア
ーム２６ａ及び２６ｂは、例えば空気シリンダなどの空
気圧装置によって、内向き及び外向きに動かされる。し
かしながら、他のメカニズムを用いてアーム２６ａ及び
２６ｂを内外に動かしても良い。In one embodiment, the arms 26a and 26b of the second holder are moved inward and outward by a pneumatic device such as an air cylinder. However, other mechanisms may be used to move the arms 26a and 26b in and out.
【００３８】図１０は、基板１０の平面図であって、基
板１０の上部１０ｔの第１の領域Ｐ１と、基板１０の上
部１０ｔと開口１２の上部１２ｔとの間の第２の領域Ｐ
２と、開口１２の上部１２ｔの第３の領域Ｐ３と、開口
１２の上部１２ｔと下部１２ｂとの間の第４の領域Ｐ４
と、開口１２の下部１２ｂの第５の領域Ｐ５と、開口１
２の下部１２ｂと基板１０の下部１０ｂとの間の第６の
領域Ｐ６と、基板１０の下部１０ｂの第７の領域Ｐ７
と、を示している。上述のように、領域Ｐ１、Ｐ３、Ｐ
５、及びＰ７が水１６の液面１６ｔを通過するときに
は、基板１０は比較的遅い速度で動く。領域Ｐ２、Ｐ
４、及びＰ６が水１６の液面１６ｔを通過するときに
は、基板１０は比較的速い速度で動く領域Ｐ１が水１６
の液面１６ｔに到達する前と、領域Ｐ７が水１６の液面
１６ｔを通過した後とには、基板１０を比較的速い速度
で動かすと良い。また、基板１０を降ろして水１６に入
れるときには、基板を比較的速い速度で動かすと良
い。）。領域Ｐ１の区域Ｄは、基板１０の上部１０ｔを
中心とした５〜１０mmの幅である。同様に、領域Ｐ３、
Ｐ５、及びＰ７の区域Ｄは、それぞれ上部１２ｔと下部
１２ｂと下部１０ｂとを中心とした、５〜１０mmの幅で
ある。基板１０は例えば９５mmの直径である。しかしな
がら、これらの寸法は単なる例示にすぎない。FIG. 10 is a plan view of the substrate 10, showing a first region P1 on the upper portion 10t of the substrate 10 and a second region P between the upper portion 10t of the substrate 10 and the upper portion 12t of the opening 12.
2, a third region P3 on the upper portion 12t of the opening 12, and a fourth region P4 between the upper portion 12t and the lower portion 12b of the opening 12.
And a fifth region P5 of the lower portion 12b of the opening 12 and the opening 1
Second region P6 between the lower part 12b of the substrate 2 and the lower part 10b of the substrate 10, and a seventh region P7 of the lower part 10b of the substrate 10.
, And are shown. As described above, the areas P1, P3, P
When 5 and P7 pass through the liquid surface 16t of the water 16, the substrate 10 moves at a relatively slow speed. Area P2, P
4 and P6 pass through the liquid surface 16t of the water 16, the substrate 10 moves at a relatively high speed.
It is preferable to move the substrate 10 at a relatively high speed before reaching the liquid surface 16t of 6 and after the region P7 passes the liquid surface 16t of the water 16. Further, when the substrate 10 is unloaded and put in the water 16, it is preferable to move the substrate at a relatively high speed. ). The area D of the region P1 has a width of 5 to 10 mm centered on the upper portion 10t of the substrate 10. Similarly, the region P3,
The area D of P5 and P7 has a width of 5 to 10 mm centered on the upper part 12t, the lower part 12b and the lower part 10b, respectively. The substrate 10 has a diameter of 95 mm, for example. However, these dimensions are merely exemplary.
【００３９】いくつかの実施形態においては、領域Ｐ１
が水１６の液面１６ｔを通過するときの速度は一定では
なくて、むしろ変化するものであることに留意された
い。同じく、いくつかの実施形態においては、領域Ｐ２
ないしＰ７が水１６の液面１６ｔを通過するときの基板
１０の速度を変化させることもできる。任意的には、領
域Ｐ１、Ｐ３、Ｐ５、及びＰ７が水１６の液面１６ｔを
通過するときの基板１０の上昇速度は同一にしても良
い。さらに任意的には、領域Ｐ２、Ｐ４、及びＰ６が水
１６の液面１６ｔを通過するときの基板１０の速度も同
一にしても良い。しかしながら、他の実施形態において
は、それらが異なるようにしても良い。In some embodiments, region P1
It should be noted that the speed at which the water passes through the liquid surface 16t of the water 16 is not constant but rather changes. Similarly, in some embodiments, region P2
It is also possible to change the speed of the substrate 10 when P7 passes through the liquid surface 16t of the water 16. Optionally, the rising speed of the substrate 10 when the regions P1, P3, P5, and P7 pass the liquid surface 16t of the water 16 may be the same. Further optionally, the speed of the substrate 10 when the regions P2, P4, and P6 pass the liquid surface 16t of the water 16 may be the same. However, they may be different in other embodiments.
【００４０】本発明について特定の実施形態に関連して
説明したけれども、発明の精神及び範囲から逸脱せず
に、これらの形態や詳細を変更できることを当業者は認
識するだろう。例えば、本発明によれば、異なったタイ
プのワークピースをすすいで乾燥させることができる。
ワークピースや様々な昇降機構の速度やタイミングにつ
いてのパラメータや、本願で説明した温度やガス及び液
体の組成などの他のパラメータは、例示的なものであっ
て、他のパラメータを用いることができる。図面には１
枚だけの基板１０をすすいで乾燥させるように示してい
るけれども、代表的には数枚ないし多数枚（例えば５０
枚）の基板を同時にすすいで乾燥させる。様々なホルダ
とシャトルとは、アームの組として、図面の平面に対し
て垂直である軸線に沿った縦方向に延在している。これ
らのアームは代表的に、多数の基板を保持するための切
欠を含む。Although the present invention has been described in relation to particular embodiments, those skilled in the art will recognize that changes can be made in these forms and details without departing from the spirit and scope of the invention. For example, the present invention allows different types of workpieces to be rinsed and dried.
The parameters for the speed and timing of the workpieces and various lifting mechanisms, and other parameters such as temperature and gas and liquid composition described herein are exemplary and other parameters may be used. . 1 in the drawing
Although only one substrate 10 is shown to be rinsed and dried, typically several to many (eg 50
Substrate) substrates are rinsed and dried at the same time. The various holders and shuttles, as a set of arms, extend longitudinally along an axis that is perpendicular to the plane of the drawing. These arms typically include notches for holding multiple substrates.
【００４１】本発明による装置は、光学的な又は他のタ
イプのセンサやエンコーダを備えることで、装置の様々
な要素の位置を制御装置に伝達することができる。制御
装置は、この情報を用いて、本願に説明した様々なシャ
トルやホルダの動きを制御する。The device according to the invention can be equipped with optical or other types of sensors or encoders to communicate the position of the various elements of the device to the control device. The controller uses this information to control the movement of the various shuttles and holders described herein.
【００４２】ひとつの実施形態では、タンク１５が水１
６で満たされている時には常時、タンク１５には常に余
分な量の水が導入されて、タンク１５の上部１５ｔから
ゆっくりと溢れ続ける。水１６の中に何らかの汚染物が
あるとするならば、それは水１６の液面１６ｔの近くに
存在すると考えられている。従って、タンク１５から常
に水を溢れ出させることで、あらゆる汚染物を装置１３
から洗い流すことができると考えられる。In one embodiment, the tank 15 contains water 1
Whenever the tank is filled with 6, an excessive amount of water is always introduced into the tank 15 and slowly overflows from the upper portion 15t of the tank 15. If there is any contaminant in the water 16, it is considered to exist near the liquid surface 16t of the water 16. Therefore, by constantly overflowing water from the tank 15, any contaminants can be removed from the device 13
It is thought that it can be washed off from.
【００４３】上述した実施形態はワークピースを液体の
外へ持上げるホルダを備えているけれども、他の実施形
態においては、液槽から液体を排出させるようにして、
ワークピースは静止状態に維持する。ひとつの実施形態
は、異なった速度で液槽から液体を取除くための排水路
ないしポンプを備えていて、水１６の液面１６ｔは、ワ
ークピースに対して相対的に変化する速度で移動する。
従って、水１６の液面１６ｔがワークピースの乾きの遅
い部分を通過するときには、液面１６ｔがワークピース
の乾きの速い部分を通過するときの速度と比較して、液
面１６ｔはより遅い速度で移動する。Although the embodiment described above includes a holder that lifts the workpiece out of the liquid, in another embodiment the liquid is drained from the liquid bath,
Keep the workpiece stationary. One embodiment includes a drain or pump to remove liquid from the liquid bath at different speeds, with the liquid level 16t of the water 16 moving at a varying speed relative to the workpiece. .
Therefore, when the liquid surface 16t of the water 16 passes through the slow-drying portion of the workpiece, the liquid surface 16t is slower than the speed at which the liquid surface 16t passes through the fast-drying portion of the workpiece. To move.
【００４４】また、ひとつの実施形態では、ワークピー
スの第１の部分の下へ水１６の液面１６ｔが下がるまで
の間、第１のホルダ２２がワークピースを保持する。ワ
ークピースのかかる第１の部分が乾燥した後における、
ワークピースの第２の部分がまだ水１６に浸されている
間に、ワークピースの乾燥した部分を第２のホルダ２６
が把持して、第１のホルダ２２はワークピースを解放す
る。水１６の液面１６ｔは液槽から排水され続けること
で、最後には、ワークピースから水１６と接触している
部分が無くなる。この実施形態では、第２のホルダ２６
は水１６とは接触しない。In one embodiment, the first holder 22 holds the work piece until the liquid surface 16t of the water 16 drops below the first portion of the work piece. After the first part of the workpiece has dried,
While the second portion of the workpiece is still submerged in water 16, the dried portion of the workpiece is moved to the second holder 26.
Is gripped and the first holder 22 releases the workpiece. The liquid surface 16t of the water 16 continues to be drained from the liquid tank, and finally, there is no part in contact with the water 16 from the workpiece. In this embodiment, the second holder 26
Does not come into contact with water 16.
【００４５】さらに他の実施形態では、ホルダ２２及び
２６と水１６の液面１６ｔとのいずれもが同時に移動す
る。In still another embodiment, both the holders 22 and 26 and the liquid surface 16t of the water 16 move simultaneously.
【００４６】本願で説明した発明の異なる観点は、発明
の他の観点とは独立して実施できることを理解された
い。従って、そのようなあらゆる変更は本発明に含まれ
る。It is to be understood that different aspects of the invention described herein can be implemented independently of other aspects of the invention. Therefore, all such modifications are included in the present invention.
【図１】図１は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 1 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図２】図２は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 2 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図３】図３は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 3 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図４】図４は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 4 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図５】図５は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 5 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図６】図６は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 6 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図７】図７は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 7 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図８】図８は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 8 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図９】図９は、本発明による基板を乾燥させる装置を
示した図である。FIG. 9 is a view showing an apparatus for drying a substrate according to the present invention.
【図１０】図１０は、基板を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a substrate.
【図１１】図１１は、本発明のひとつの実施形態による
装置を図１乃至図９とは垂直な平面において示した横断
面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a device according to one embodiment of the present invention in a plane perpendicular to FIGS. 1-9.
１０ 基板 １３ 乾燥装置 １５ タンク １８ シャトル ２２ ホルダ ２６ アーム ３２ モータ 10 substrates 13 Dryer 15 tanks 18 shuttle 22 Holder 26 arms 32 motor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ムハマド アジフ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95132 サン ホセ ヴィア レッジオ コート 1956 (72)発明者 ロバート ピュイ チ ファン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94402 サン マテオ ウェスト ポプラ ー アベニュー 241 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB08 BB92 CC01 CC12 3L113 AA05 AB01 AC76 BA34 DA24 5F031 CA01 CA02 FA01 FA02 FA07 FA12 FA18 HA45 HA58 HA73 LA07 LA09 LA15 PA21 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Muhammad Azif United States California 95132 San Jose Via Reggio Coat 1956 (72) Inventor Robert Puichi Fan United States California 94402 San Mateo West Poplar -Avenue 241 F term (reference) 3B201 AA03 AB08 BB92 CC01 CC12 3L113 AA05 AB01 AC76 BA34 DA24 5F031 CA01 CA02 FA01 FA02 FA07 FA12 FA18 HA45 HA58 HA73 LA07 LA09 LA15 PA21
Claims (28)
あって、 ワークピースを液体中に提供する段階であって、前記ワ
ークピースは第１のホルダで保持されて、前記ワークピ
ースが前記液体に浸漬されるような上記段階と、 前記ワークピースを上昇させる段階であって、前記ワー
クピースの第１の部分は前記液体から延出するが前記ワ
ークピースの第２の部分は前記液体中に残されるような
上記段階と、 前記第２の部分が未だ前記液体中にある間に、第２のホ
ルダで前記ワークピースの前記第１の部分を持上げる段
階であって、前記方法中に、前記ワークピースの前記第
１の部分を持上げるための前記第２のホルダの部分は前
記液体と接触することがないような上記段階と、 前記持上げ段階の後に、前記第２のホルダで前記ワーク
ピースを上昇させて前記液体との接触から離脱させる段
階と、 を備えていることを特徴とする方法。1. A method for drying a workpiece, the method comprising: providing a workpiece in a liquid, the workpiece being held by a first holder, wherein the workpiece is exposed to the liquid. The step of being immersed, and the step of raising the workpiece, wherein a first portion of the workpiece extends from the liquid but a second portion of the workpiece remains in the liquid. Lifting said first part of said workpiece with a second holder while said second part is still in said liquid, said method comprising: The step of ensuring that the part of the second holder for lifting the first part of the workpiece does not come into contact with the liquid; and, after the lifting step, the work piece with the second holder. Method characterized in that comprises a the steps of disengaging from contact with the liquid is raised.
ワークピースを前記液体中へ降ろす段階を備え、前記第
１のホルダを降ろす前記動作の後には、前記第１のホル
ダが前記液体中に浸漬されることを特徴とする請求項１
に記載の方法。2. The providing step comprises the step of the first holder lowering the workpiece into the liquid, the first holder being in the liquid after the operation of lowering the first holder. It is immersed in
The method described in.
円板形の基板であって、前記上昇動作の段階が、 前記基板の上部が前記液体から延出する時よりも前にお
ける、前記基板を第１の速度で上昇させる段階と、 前記基板の上部が前記液体の液面を通過する間におけ
る、前記基板を前記第１の速度よりも遅い第２の速度で
上昇させる段階と、 前記基板の上部が前記液体の液面を通過してから前記開
口の上部が前記液体の液面を通過するまでの間におけ
る、前記基板を前記第２の速度よりも速い第３の速度で
上昇させる段階と、 前記開口の上部が前記液体の液面を通過する間におけ
る、前記基板を前記第３の速度よりも遅い第４の速度で
上昇させる段階と、 前記開口の上部が前記液体の液面を通過してから前記開
口の下部が前記液体の液面を通過するまでの間におけ
る、前記基板を前記第４の速度よりも速い第５の速度で
上昇させる段階と、 前記開口の下部が前記液体の液面を通過する間におけ
る、前記基板を前記第５の速度よりも遅い第６の速度で
上昇させる段階と、 前記開口の下部が前記液体の液面を通過してから前記基
板の下部が前記液体の液面を通過するまでの間におけ
る、前記基板を前記第６の速度よりも速い第７の速度で
上昇させる段階と、 前記基板の下部が前記液体の液面を通過する間におけ
る、前記基板を前記第７の速度よりも遅い第８の速度で
上昇させる段階と、 を備えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。3. The workpiece is a disk-shaped substrate having an opening, wherein the step of raising the substrate is performed before the top of the substrate extends from the liquid. Raising the substrate at a first velocity, raising the substrate at a second velocity slower than the first velocity while the upper portion of the substrate passes the liquid surface of the liquid; Elevating the substrate at a third speed that is higher than the second speed between the time when the upper portion passes the liquid surface of the liquid and the time when the upper portion of the opening passes the liquid surface of the liquid; A step of raising the substrate at a fourth speed slower than the third speed while the upper part of the opening passes the liquid surface of the liquid; and the upper part of the opening passes the liquid surface of the liquid. After that, the lower part of the opening makes the liquid surface of the liquid The step of raising the substrate at a fifth speed that is faster than the fourth speed, and the step of moving the substrate to the fifth speed while the lower part of the opening passes the liquid surface of the liquid. Rising at a sixth speed slower than the speed of the substrate, and the substrate during the period from when the lower part of the opening passes the liquid level of the liquid to when the lower part of the substrate passes the liquid level of the liquid. At a seventh speed that is faster than the sixth speed; and an eighth speed that is lower than the seventh speed for moving the substrate while the lower part of the substrate passes the liquid surface of the liquid. The method according to claim 1, further comprising:
て、前記方法が、 前記ワークピースを液体中に提供する段階と、 前記ワークピースを上昇させて前記ワークピースを前記
液体から取出す段階であって、前記ワークピースの前記
上昇は、前記ワークピースが前記液体から取出されると
きに、異なった速度にて行なわれるような段階と、 を備えていることを特徴とする方法。4. A method of drying a workpiece, the method comprising: providing the workpiece in a liquid; and raising the workpiece to remove the workpiece from the liquid. The raising of the workpiece is performed at different rates when the workpiece is removed from the liquid.
面を通過する間には前記ワークピースを第１の速度で上
昇させ、前記ワークピースの上部が前記液体の液面を通
過した後の時間期間中には前記ワークピースを第２の速
度で上昇させ、前記ワークピースの下部が前記液体の液
面を通過する間には前記ワークピースを第３の速度で上
昇させ、ここで、前記第１及び第３の速度は前記第２の
速度よりも遅い速度であることを特徴とする請求項４に
記載の方法。5. The work piece is raised at a first speed while the upper part of the workpiece passes the liquid surface of the liquid, and the upper part of the work piece after passing the liquid surface of the liquid. Raising the workpiece at a second speed during a period of time, and raising the workpiece at a third speed while the lower portion of the workpiece passes the liquid surface, where: The method of claim 4, wherein the first and third speeds are slower than the second speed.
る開口を有しており、前記中央に配置されている開口の
上部が前記液体の液面を通過する間には前記ワークピー
スを第４の速度で上昇させ、前記開口の上部が前記液体
の液面を通過してから前記開口の下部が前記液体の液面
を通過するまでの時間期間中には前記ワークピースを第
５の速度で上昇させ、前記開口の下部が前記液体の液面
を通過する間には前記ワークピースを第６の速度で上昇
させ、ここで、前記第４及び第６の速度は前記第５の速
度よりも遅い速度であることを特徴とする請求項５に記
載の方法。6. The workpiece has an opening arranged in the center, and while the upper portion of the opening arranged in the center passes through the liquid surface of the liquid, the workpiece is moved to a fourth position. The workpiece at a fifth speed during a time period from the upper portion of the opening passing the liquid surface of the liquid to the lower portion of the opening passing the liquid surface of the liquid. And the workpiece is raised at a sixth velocity while the lower portion of the opening passes the liquid surface of the liquid, wherein the fourth and sixth velocities are greater than the fifth velocity. The method of claim 5, wherein the method is slow.
記液体の液面を通過する間には、前記ワークピースの乾
きの速い部分が前記液体の液面を通過する間に比べて、
前記ワークピースをより遅く上昇させることを特徴とす
る請求項４に記載の方法。7. While the slow-drying portion of the workpiece passes the liquid surface of the liquid, as compared with the fast-drying portion of the workpiece passing the liquid surface of the liquid,
The method of claim 4, wherein the workpiece is raised more slowly.
口を有してなる基板であって、基板の上部及び下部と、
中央に配置された開口の上部及び下部とは基板における
乾きの遅い部分を構成し、基板のその他の部分は乾きの
速い部分であることを特徴とする請求項７に記載の方
法。8. The workpiece is a substrate having a centrally located opening, the substrate having an upper portion and a lower portion,
8. The method according to claim 7, wherein the upper part and the lower part of the centrally arranged opening constitute the slow-drying part of the substrate, and the other part of the substrate is the fast-drying part.
ークピースを上昇させて前記液体から部分的に外に出さ
せる第１のホルダと、 前記液体に浸漬されることのない第２のホルダであっ
て、前記ワークピースの前記乾燥した部分が前記液体か
ら延出した後における前記ワークピースの第２の部分が
前記液体中に残されている間に前記ワークピースの乾燥
した部分を把持し、前記ワークピースが前記液体から完
全に離脱するように上昇させる前記第２のホルダと、 を備えていることを特徴とする装置。9. A container for containing a liquid, a first holder for holding a work piece in the liquid, and then raising the work piece to partly come out of the liquid, the liquid A second holder that is not submerged in, while the second portion of the workpiece remains in the liquid after the dried portion of the workpiece extends from the liquid A second holder for gripping a dried portion of the workpiece and raising the workpiece so that it is completely separated from the liquid.
が前記ワークピースを上昇させる時間中に異なる速度で
上昇し、前記第２のホルダは前記第２のホルダが前記ワ
ークピースを上昇させる時間中に異なる速度で上昇する
ことを特徴とする請求項９に記載の装置。10. The first holder rises at different speeds during the time that the first holder raises the workpiece, and the second holder raises the workpiece by the second holder. Device according to claim 9, characterized in that it rises at different rates over time.
を把持するときに前記第１のホルダは前記液体中に浸漬
されており、前記第２の保持構造は前記液体に浸漬され
ることが無いことを特徴とする請求項９に記載の装置。11. The first holder is immersed in the liquid when the second holder grips the dried portion, and the second holding structure is immersed in the liquid. The device of claim 9, wherein the device is absent.
を保持するための少なくとも第１のホルダであって、前
記第１のホルダは前記ワークピースを異なった複数の速
度にて上昇させて前記液体の外に取出すような上記第１
のホルダと、 を備えていることを特徴とする装置。12. A container for containing a liquid, and at least a first holder for holding the workpiece while the workpiece is in the liquid, the first holder being the workpiece. To raise the liquid at a plurality of different speeds to take it out of the liquid.
And a holder of.
体から取出す速度は、前記ワークピースの異なる部分に
ついての異なる乾燥速度に適応していることを特徴とす
る請求項１２に記載の装置。13. The apparatus of claim 12, wherein the rate of raising the workpiece and withdrawing it from the liquid accommodates different drying rates for different portions of the workpiece.
液面を通過する間には前記ワークピースを第１の速度で
上昇させ、前記ワークピースの上部が前記液体の液面を
通過した後の時間期間中には前記ワークピースを第２の
速度で上昇させ、前記ワークピースの下部が前記液体の
液面を通過する間には前記ワークピースを第３の速度で
上昇させ、ここで、前記第２の速度は前記第１及び第３
の速度よりも速い速度であることを特徴とする請求項１
２に記載の装置。14. The workpiece is raised at a first speed while the upper portion of the workpiece passes over the liquid surface of the liquid, and the upper portion of the workpiece after the upper surface of the workpiece passes through the liquid surface of the liquid. Raising the workpiece at a second speed during a period of time, and raising the workpiece at a third speed while the lower portion of the workpiece passes the liquid surface, where: The second speed is the first and the third
2. The speed is faster than the speed of 1.
The apparatus according to 2.
開口を有している基板であり、前記装置は、前記中央の
開口の上部が前記液体の液面を通過する間には前記ワー
クピースを第４の速度で上昇させ、前記開口の下部が前
記液体の液面を通過する間には前記ワークピースを第５
の速度で上昇させ、前記開口の上部が前記液体の液面を
通過する時と前記開口の下部が前記液体の液面を通過す
る時との間には前記ワークピースを第６の速度で上昇さ
せ、ここで、前記第６の速度は前記第４及び第５の速度
よりも速い速度であることを特徴とする請求項１４に記
載の装置。15. The workpiece is a substrate having a centrally located opening, wherein the apparatus holds the workpiece while the upper portion of the central opening passes the liquid surface of the liquid. The workpiece is raised at a fourth speed and the workpiece is moved to a fifth position while the lower part of the opening passes the liquid surface of the liquid.
The workpiece at a sixth speed between the time when the upper portion of the opening passes the liquid surface of the liquid and the time when the lower portion of the opening passes the liquid surface of the liquid. 15. The apparatus of claim 14, wherein the sixth speed is faster than the fourth and fifth speeds.
ダは前記開口の下部が前記液体の液面を通過し終える時
まで前記ワークピースを上昇させ、第２のホルダは前記
開口の下部が前記液体の液面を通過した後に前記ワーク
ピースを上昇させることを特徴とする請求項１５に記載
の装置。16. A second holder is provided, wherein the first holder raises the work piece until the time when the lower portion of the opening finishes passing the liquid surface of the liquid, and the second holder lowers the lower portion of the opening. 16. The apparatus according to claim 15, wherein the workpiece is raised after passing through the liquid surface of the liquid.
であって、この方法が、 前記ワークピースを液体中に提供する段階であって、前
記ワークピースは第１のホルダで保持されて、前記ワー
クピースが前記液体中に浸漬するような上記段階と、 前記ワークピースと前記液体の液面との間に相対的な動
きを生じさせる段階であって、前記ワークピースの第１
の部分は前記液体から延出するが、前記ワークピースの
第２の部分は前記液体中に残されて、前記ワークピース
は前記第１のホルダに保持される段階と、 前記第２の部分が未だ前記液体中にある間に、第２のホ
ルダで前記ワークピースの前記第１の部分を保持する段
階であって、前記方法中には、前記ワークピースの前記
第１の部分を保持するための前記第２のホルダの部分は
前記液体と接触することがないような上記段階と、 を備えていることを特徴とする方法。17. A method for drying a workpiece, the method comprising: providing the workpiece in a liquid, the workpiece being held by a first holder, The step of soaking the piece in the liquid; the step of causing relative movement between the workpiece and the liquid surface of the liquid, the first step of the workpiece
Portion of the workpiece extends from the liquid, but a second portion of the workpiece is left in the liquid and the workpiece is held in the first holder, and the second portion is Retaining the first portion of the workpiece with a second holder while still in the liquid, for retaining the first portion of the workpiece during the method. The step of ensuring that the portion of the second holder does not come into contact with the liquid.
であって、前記方法が、 前記ワークピースを液体中に提供する段階と、 前記ワークピースと前記液体の液面との間に相対的な動
きを生じさせる段階であって、前記ワークピースを前記
液体から取出し、前記液体の液面に対する前記ワークピ
ースの相対的な動きは、前記ワークピースが前記液体と
の接触から取出されるときに、異なった速度にて行なわ
れるような上記段階と、 を備えていることを特徴とする方法。18. A method for drying a workpiece, the method comprising: providing the workpiece in a liquid; relative movement between the workpiece and a liquid surface of the liquid. Causing the workpiece to be removed from the liquid and the relative movement of the workpiece with respect to the liquid level of the liquid is different when the workpiece is removed from contact with the liquid. And a step as described above, which is performed at a different speed.
ピースは基板であり、前記相対的な動きを生じさせる動
作は前記容器から液体を取除くことによることを特徴と
する請求項１７又は１８のいずれか１項に記載の方法。19. The method of claim 17 or 18 wherein the liquid is in a container and the workpiece is a substrate and the action of causing the relative movement is by removing liquid from the container. The method according to any one of 1.
ピースは基板であり、前記相対的な動きを生じさせる動
作は、前記容器から液体を取除くことと、前記ワークピ
ースを前記液体の外へ上昇させることとの両方によるこ
とを特徴とする請求項１７又は１８のいずれか１項に記
載の方法。20. The liquid is in a container, the workpiece is a substrate, and the act of causing the relative movement includes removing liquid from the container and removing the workpiece from the liquid. 19. A method according to any one of claims 17 or 18 both by raising to.
ダと、 前記ワークピースと液体の液面との間に相対的な動きを
生じさせるための第１の手段であって、前記ワークピー
スを前記液体から部分的に延出させるようにする前記第
１の手段と、 前記液体に浸漬されることのない第２のホルダであっ
て、前記ワークピースの乾燥した部分が前記液体から延
出した後における前記ワークピースの第２の部分が前記
液体中に残されている間に前記ワークピースの前記乾燥
した部分を把持するような上記第２のホルダと、 前記ワークピースと液体の液面との間に相対的な動きを
生じさせるための第２の手段であって、前記ワークピー
スを前記液体との接触から完全に離脱させるような前記
第２の手段と、 を備えていることを特徴とする装置。21. A container for containing a liquid, a first holder for holding a workpiece in the liquid, and a relative movement between the workpiece and a liquid surface of the liquid. First means for causing the workpiece to partially extend from the liquid, and a second holder that is not submerged in the liquid, A second portion such as gripping the dried portion of the workpiece while the second portion of the workpiece remains in the liquid after the dried portion of the workpiece extends from the liquid. No. 2 holder and second means for producing relative movement between the workpiece and the liquid surface, such that the workpiece is completely removed from contact with the liquid. With the second means An apparatus comprising:
から液体を取除く手段から構成されていて、前記ワーク
ピースと液体の液面との間の相対的な動きを生じさせる
ことを特徴とする請求項２１に記載の方法。22. The first and second means comprise means for removing a liquid from the container and are configured to cause relative movement between the workpiece and a liquid surface. 22. The method of claim 21 characterized.
から液体を取除く手段と、前記第１のホルダを上昇させ
る手段と、前記第２のホルダを上昇させる手段とから構
成されていることを特徴とする請求項２１に記載の方
法。23. The first and second means comprises means for removing liquid from the container, means for raising the first holder, and means for raising the second holder. 22. The method of claim 21, wherein
を保持するための少なくとも第１のホルダと、 前記液体の液面と前記ワークピースとの間において複数
の異なった速度の相対的な動きを生じさせるための手段
と、 を備えていることを特徴とする装置。24. A container for containing a liquid; at least a first holder for holding the workpiece while the workpiece is in the liquid; a liquid surface of the liquid and the workpiece. Means for producing a plurality of relative movements at different speeds in between.
くとも部分的に前記液体中にある間に、前記液体の液面
と前記ワークピースとの間に異なった複数の速度の相対
的な動きを生じさせることを特徴とする請求項２４に記
載の装置。25. The means provide a plurality of different rates of relative movement between a surface of the liquid and the workpiece while the workpiece is at least partially in the liquid. The device according to claim 24, characterized in that
の異なった速度で上昇させるホルダであることを特徴と
する請求項２５に記載の装置。26. The apparatus according to claim 25, wherein said means is a holder for raising said workpiece at a plurality of different speeds.
複数の異なった速度で取除くための手段であることを特
徴とする請求項２５に記載の装置。27. The apparatus of claim 25, wherein the means is means for removing the liquid from the liquid bath at a plurality of different rates.
取除くための手段と、前記第１のホルダを上昇させる手
段とから構成されていることを特徴とする請求項２５に
記載の装置。28. The apparatus of claim 25, wherein the means comprises means for removing the liquid from the container and means for raising the first holder.
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