JP2003030807A - Magnetic head element, manufacturing method of the same, and magnetic head - Google Patents
Magnetic head element, manufacturing method of the same, and magnetic headInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を利用して
高密度記録情報の読み取りを行うことができる、磁気ヘ
ッド素子、磁気ヘッド素子の製造方法及び磁気ヘッドに
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head element, a method of manufacturing a magnetic head element, and a magnetic head capable of reading high density recording information by utilizing a magnetoresistive effect.
【０００２】[0002]
【従来技術及びその問題点】近年、高密度記録システム
における磁気ヘッドとして、磁気抵抗素子の電気抵抗が
記録媒体からの信号磁界によって変化する、所謂、磁気
抵抗効果を利用した磁気ヘッドが注目されている。ここ
で、１枚の基板（ウェハ）上に複数の磁気ヘッド素子が
形成され、前記基板（ウェハ）から磁気ヘッド素子が個
々に切出されて製品としての磁気ヘッドとして完成され
る。以下では、基板上に形成される磁気ヘッド素子の状
態を対象として説明する。2. Description of the Related Art In recent years, as a magnetic head in a high-density recording system, a magnetic head utilizing a so-called magnetoresistive effect, in which the electric resistance of a magnetoresistive element is changed by a signal magnetic field from a recording medium, has been attracting attention. There is. Here, a plurality of magnetic head elements are formed on one substrate (wafer), and the magnetic head elements are individually cut out from the substrate (wafer) to complete a magnetic head as a product. Below, the state of the magnetic head element formed on the substrate will be described.
【０００３】従来の磁気ヘッド素子は図１８（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、基板１００上に下部シールド層１
０１及び下部ギャップ層１０２が形成され、下部ギャッ
プ層１０２上に磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子１
０３ａが形成され、磁気抵抗素子１０３ａの両端部にバ
イアス膜１０４及び導電層１０５が形成され、導電層１
０５上に上部ギャップ層１０６と上部シールド層１０７
が形成された構造に構成されている。A conventional magnetic head element is shown in FIG.
As shown in (B), the lower shield layer 1 is formed on the substrate 100.
01 and the lower gap layer 102 are formed, the magnetoresistive element 1 exerting a magnetoresistive effect on the lower gap layer 102.
03a is formed, and the bias film 104 and the conductive layer 105 are formed on both ends of the magnetoresistive element 103a.
05 on the upper gap layer 106 and the upper shield layer 107.
Is formed in the structure.
【０００４】ところで、記録媒体に磁気記録するデータ
密度が増加する傾向にあり、この高記録密度化に伴って
磁気抵抗素子のトラック幅及びハイト方向の長さが狭く
なる。これにより、磁気抵抗素子をパターニングする際
に問題が生じている。この問題について従来の製造方法
を説明しながら、明らかにする。By the way, the data density for magnetically recording on a recording medium tends to increase, and as the recording density increases, the track width of the magnetoresistive element and the length in the height direction become narrower. This causes a problem when patterning the magnetoresistive element. This problem will be clarified while explaining the conventional manufacturing method.
【０００５】従来では図１９（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、基板（ウェハ）１００上に下部シールド層１０１と
下部ギャップ層１０２とを形成し、下部ギャップ層１０
２上に磁気抵抗素子１０３ａの抵抗層１０３を形成し、
その後、レジスト１０８を抵抗層１０３上に形成する。Conventionally, as shown in FIGS. 19A and 19B, a lower shield layer 101 and a lower gap layer 102 are formed on a substrate (wafer) 100, and the lower gap layer 10 is formed.
2, the resistance layer 103 of the magnetoresistive element 103a is formed,
After that, a resist 108 is formed on the resistance layer 103.
【０００６】図１９に示すように、レジスト１０８はパ
ターニングされたレジスト膜を用いている。パターニン
グされたレジスト１０８は、磁気抵抗素子１０３ａ及び
磁気抵抗素子１０３ａの端部に接合する構成要素を形成
するためのものであり、磁気抵抗素子１０３ａのトラッ
ク幅に対応したマスキング部１０８ｂとマスキング部１
０８ｂを挟む開口１０８ｃが形成されている。As shown in FIG. 19, the resist 108 uses a patterned resist film. The patterned resist 108 is for forming the magnetoresistive element 103a and the constituent elements that are joined to the ends of the magnetoresistive element 103a, and the masking portion 108b and the masking portion 1 corresponding to the track width of the magnetoresistive element 103a.
An opening 108c that sandwiches 08b is formed.
【０００７】そして図１９において、レジスト１０８の
マスキング部１０８ｂで抵抗層１０３をマスキングし、
抵抗層１０３をイオンミリング加工でエッチングして所
望の形状の磁気抵抗素子１０３ａ（図１８参照）に成形
する。このエッチング加工時に不要な抵抗層１０３がレ
ジスト１０８の開口１０８ｃを通してオーバーエッチン
グされる。Then, in FIG. 19, the resistance layer 103 is masked by the masking portion 108b of the resist 108,
The resistance layer 103 is etched by ion milling to form a magnetoresistive element 103a (see FIG. 18) having a desired shape. During this etching process, the unnecessary resistance layer 103 is over-etched through the opening 108c of the resist 108.
【０００８】さらに図１９において、レジスト１０８の
開口１０８ｃを通して、露出した下部ギャップ層１０２
上にバイアス下地層１０４ａ、バイアス層１０４を順に
形成し、次いでバイアス層１０４上に導電層１０５を形
成する。これらのバイアス下地層１０４ａ、バイアス層
１０４及び導電層１０５は磁気抵抗素子１０３ａの端部
に接合して形成される。Further, in FIG. 19, the lower gap layer 102 exposed through the opening 108c of the resist 108 is exposed.
The bias base layer 104a and the bias layer 104 are sequentially formed thereover, and then the conductive layer 105 is formed on the bias layer 104. The bias underlayer 104a, the bias layer 104, and the conductive layer 105 are formed by joining to the end of the magnetoresistive element 103a.
【０００９】上述したように、磁気抵抗素子１０３ａの
ハイト方向の長さＬが短くなり、またトラック幅ｗも狭
くなっている。As described above, the length L of the magnetoresistive element 103a in the height direction is shortened and the track width w is also narrowed.
【００１０】このことは、レジスト１０８とレジスト１
０８の下面との接合面積を小さくし、現像時に傾いた
り、或いは倒れて横臥するという不具合の影響を増加さ
せている。この不具合が生じると、バイアス層１０４を
エッチングするのにレジスト１０８が正常なマスクとし
て作用しなくなるばかりでなく、その後に行われるリフ
トオフにも影響を与えてしまうこととなる。This means that the resist 108 and the resist 1
The area of contact with the lower surface of 08 is made small, and the influence of the problem of tilting or falling down during development is increased. When this defect occurs, not only the resist 108 does not function as a normal mask for etching the bias layer 104, but also the lift-off performed thereafter is affected.
【００１１】[0011]
【発明の目的】本発明の目的は、レジストの傾斜、或い
は横臥等の問題を解決した高精度なばらつきの小さい磁
気ヘッド素子、その製造方法及び磁気ヘッドを得ること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnetic head element with high precision and small variation, a method of manufacturing the same, and a magnetic head, which solves the problems of resist inclination and recumbency.
【００１２】[0012]
【発明の概要】前記目的を達成するため、本発明に係る
磁気ヘッド素子は、基板上に、下部シールド層及び下部
ギャップ層と、前記下部ギャップ層上に形成した磁気抵
抗素子と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して設けら
れた対をなす電極層と、前記磁気抵抗素子及び前記電極
層上に設けられた上部ギャップ層と、前記上部ギャップ
層上に設けられた上部シールド層とを有し、前記対をな
す電極層で挟まれた磁気抵抗素子が、トラック幅方向の
幅が拡張される拡張部を有することを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION To achieve the above object, a magnetic head element according to the present invention comprises a lower shield layer and a lower gap layer on a substrate, a magnetoresistive element formed on the lower gap layer, and the magnetoresistive element. A pair of electrode layers bonded to both ends of the element, an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer. The magnetoresistive element sandwiched between the pair of electrode layers has an expansion portion whose width in the track width direction is expanded.
【００１３】前記対をなす電極層が拡張部に接したまま
で電極層の間隔を拡張して形成することができる。一
方、前記拡張部はトラック幅方向の幅が徐々に広がるテ
ーパ状に拡張して形成することができる。なお前記拡張
部は、媒体対向面となる面より一側に偏らせて設け、製
品化する段階で削除する。The electrode layers forming the pair can be formed by expanding the distance between the electrode layers while being in contact with the expanded portion. On the other hand, the expansion part may be formed by expanding in a taper shape in which the width in the track width direction gradually increases. The expansion portion is provided so as to be biased to one side from the surface facing the medium, and is deleted at the stage of commercialization.
【００１４】また本発明に係る磁気ヘッド素子は、基板
上に、下部シールド層及び下部ギャップ層と、前記下部
ギャップ層上に形成した磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗
素子の両端部に接合して設けられた対をなす電極層と、
前記磁気抵抗素子及び前記電極層上に設けられた上部ギ
ャップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられた上部シ
ールド層とを有し、磁気抵抗素子が、ハイト方向の長さ
とトラック幅方向の幅との比が異なる少なくとも３以上
の領域を有し、各領域の電気抵抗値をＲｂ、Ｒｃ、Ｒｄ
とし、前記各領域の電気抵抗値が、Ｒｃ＞Ｒｂ＞Ｒｄの
関係を有し、前記電気抵抗値Ｒｃの領域を介してハイト
方向両側に前記電気抵抗値Ｒｄの領域と前記電気抵抗値
Ｒｂの領域とが配置され、前記電気抵抗値Ｒｂの領域は
少なくともトラック幅寸法で形成され、前記電気抵抗値
Ｒｃの領域よりもハイト方向後方に設けられていること
を特徴とする。In the magnetic head element according to the present invention, a lower shield layer and a lower gap layer, a magnetoresistive element formed on the lower gap layer, and both ends of the magnetoresistive element are bonded to each other on a substrate. A pair of electrode layers provided,
An upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer, wherein the magnetoresistive element has a length in a height direction and a width in a track width direction. Has at least three regions having different ratios to Rb, Rc, and Rd.
The electric resistance values of the respective regions have a relationship of Rc>Rb> Rd, and the electric resistance value Rd and the electric resistance value Rb are provided on both sides in the height direction through the electric resistance value Rc region. And a region having the electric resistance value Rb is formed with at least a track width dimension, and is provided rearward in the height direction with respect to the region having the electric resistance value Rc.
【００１５】本発明に係る磁気ヘッド素子は、基板上
に、下部シールド層及び下部ギャップ層と、前記下部ギ
ャップ層上に形成した磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素
子の両端部に接合して設けられた対をなす電極層と、前
記磁気抵抗素子及び前記電極層上に設けられた上部ギャ
ップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられた上部シー
ルド層とを有し、磁気抵抗素子が、一定のトラック幅方
向の幅の第１の領域と、前記第１の領域よりもトラック
幅方向の幅が広い第２の領域を有し、前記第２の領域が
前記第１の領域中にあって、前記第２の領域が第１の領
域の全体のハイト方向長さに対しハイト方向後ろ寄りに
設けられていることを特徴とする。A magnetic head element according to the present invention is provided on a substrate by bonding a lower shield layer and a lower gap layer, a magnetoresistive element formed on the lower gap layer, and both ends of the magnetoresistive element. A pair of electrode layers, an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer, and the magnetoresistive element has a constant A first region having a width in the track width direction and a second region wider in the track width direction than the first region, and the second region is in the first region. The second region is provided rearward in the height direction with respect to the entire length of the first region in the height direction.
【００１６】前記磁気抵抗素子としては、記録媒体から
の信号磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を発
揮する構成であれば、いずれの構成のものでも用いるこ
とができる。As the magnetoresistive element, any structure can be used as long as it exhibits a magnetoresistive effect in which electric resistance is changed by a signal magnetic field from a recording medium.
【００１７】本発明に係る磁気ヘッドは、基板上に複数
形成された磁気ヘッド素子を個々に切出して磁気ヘッド
として構成される。この磁気ヘッド素子を切出す際に拡
張部が切削・除去される。The magnetic head according to the present invention is constructed as a magnetic head by individually cutting out a plurality of magnetic head elements formed on a substrate. When the magnetic head element is cut out, the expanded portion is cut and removed.
【００１８】本発明に係る磁気ヘッド素子の製造方法
は、基板上に、下部シールド層及び下部ギャップ層を形
成する工程と、前記下部ギャップ層上に磁気抵抗素子を
形成する工程と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して
対をなす電極層を形成する工程と、前記磁気抵抗素子及
び前記電極層上に設けられる上部ギャップ層と、前記上
部ギャップ層上に設けられる上部シールド層とを形成す
る工程とを含み、前記磁気抵抗素子を形成する工程にお
いて、磁気抵抗素子の形状を加工するためのレジスト
に、前記対をなす電極層に挟まれた磁気抵抗素子の所定
のハイト方向の長さと所定のトラック幅を確保し、その
一端をトラック幅よりも拡張させることを特徴とする。A method of manufacturing a magnetic head element according to the present invention comprises: a step of forming a lower shield layer and a lower gap layer on a substrate; a step of forming a magnetoresistive element on the lower gap layer; Forming a pair of electrode layers bonded to both ends of the element, forming an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer In the step of forming the magnetoresistive element, the resist for processing the shape of the magnetoresistive element, and a predetermined height direction length of the magnetoresistive element sandwiched between the pair of electrode layers, A feature is that a predetermined track width is secured and one end of the track width is made wider than the track width.
【００１９】また本発明に係る磁気ヘッド素子の製造方
法は、基板上に、下部シールド層及び下部ギャップ層を
形成する工程と、前記下部ギャップ層上に磁気抵抗素子
を形成する工程と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合し
て対をなす電極層を形成する工程と、前記磁気抵抗素子
及び前記電極層上に設けられる上部ギャップ層と、前記
上部ギャップ層上に設けられる上部シールド層とを形成
する工程とを含み、前記磁気抵抗素子を形成する工程に
おいて、磁気抵抗素子の形状を加工するためのレジスト
に、一定のトラック幅方向の幅の第１の領域と、前記第
１の領域よりもトラック幅方向の幅が広い第２の領域を
形成、かつ前記第２の領域が前記第１の領域中にあっ
て、前記第２の領域を第１の領域の全体のハイト方向長
さに対しハイト方向後ろ寄りに設けることを特徴とす
る。In the method of manufacturing a magnetic head element according to the present invention, a step of forming a lower shield layer and a lower gap layer on a substrate, a step of forming a magnetoresistive element on the lower gap layer, and Forming a pair of electrode layers bonded to both ends of the resistance element; an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer; and an upper shield layer provided on the upper gap layer. In the step of forming the magnetoresistive element, the resist for processing the shape of the magnetoresistive element includes a first region having a constant track width direction width, and a step of forming the magnetoresistive element. Also forms a second region having a wide width in the track width direction, and the second region is in the first region, and the second region has the entire length in the height direction of the first region. For height direction And characterized by providing the filter closer.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００２１】図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１の実施
形態に係る磁気ヘッド素子の構造を示す図である。また
図において、Ｘはトラック幅方向、Ｙはハイト方向、Ｚ
は積層（高さ）方向を示す。FIGS. 1A and 1B are views showing the structure of the magnetic head element according to the first embodiment of the present invention. In the figure, X is the track width direction, Y is the height direction, and Z is
Indicates the stacking (height) direction.
【００２２】図１に示す実施形態の磁気ヘッド素子１
は、基板（ウェハ）１２上に、保護層１３を介して下部
シールド層１４が形成され、下部シールド層１４上に下
部ギャップ層１５が形成され、下部ギャップ層１５上に
磁気抵抗素子２が形成されている。この実施形態に係る
磁気ヘッド素子１の磁気抵抗素子２には、巨大磁気抵抗
効果を利用したＧＭＲ（ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒ
ｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子の一種であるスピンバルブ型
の磁気抵抗素子を用いている。このスピンバルブ型磁気
抵抗素子２は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電
層、フリー磁性層を順に積層した構造のものであり、こ
の磁気抵抗素子２のトラック幅寸法（Ｔｗ）は記録媒体
のトラック幅に対応して設定されている。磁気抵抗素子
２にはスピンバルブ型磁気抵抗素子を用いたが、異方性
磁気抵抗素子（ＡＭＲ）、トンネル型磁気抵抗素子（Ｔ
ＭＲ）のいずれかを用いてもよく、要は、記録媒体から
の信号磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を発
揮するものであれば、記述した磁気抵抗素子に限定され
るものではない。The magnetic head element 1 of the embodiment shown in FIG.
On the substrate (wafer) 12, the lower shield layer 14 is formed via the protective layer 13, the lower gap layer 15 is formed on the lower shield layer 14, and the magnetoresistive element 2 is formed on the lower gap layer 15. Has been done. The magnetoresistive element 2 of the magnetic head element 1 according to the present embodiment uses a giant magnetoresistive effect as a GMR (giant magnetometer).
A spin-valve type magnetoresistive element, which is a type of an esisstance element, is used. The spin-valve magnetoresistive element 2 has a structure in which an antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, and a free magnetic layer are sequentially stacked. The track width dimension (Tw) of the magnetoresistive element 2 is It is set corresponding to the track width of the recording medium. Although a spin valve type magnetoresistive element is used as the magnetoresistive element 2, an anisotropic magnetoresistive element (AMR), a tunnel type magnetoresistive element (T
Any of MR) may be used. The point is not limited to the described magnetoresistive element as long as it exhibits a magnetoresistive effect in which electric resistance is changed by a signal magnetic field from the recording medium.
【００２３】さらに前記磁気抵抗素子２の両端部に接合
して対をなす電極層３７が設けられている。この実施形
態では、電極層３７は、下部ギャップ層１５上にバイア
ス下地層３２を介してバイアス層３３が磁気抵抗素子２
の両端部に接合され、バイアス層３３上に導電層３４が
形成され、磁気抵抗素子２の両端部に接合されている。
ここに、バイアス層３３は磁気抵抗素子２にバイアス磁
界を印加するものであり、導電層３４は磁気抵抗素子２
に外部より電流を導くものである。この実施形態では、
電極層３７は、磁気抵抗素子２に電流を通電するもので
あり、また磁気抵抗素子２にバイアス磁界を印加するバ
イアス層３３を有するので、磁気抵抗素子２にバイアス
磁界を印加することができる。なお、バイアス層３３
は、ＣｏＰｔ等からなるハードバイアス層を例示した
が、反強磁性層を用いたエクスチェンジバイアス層であ
ってもよい。Further, an electrode layer 37 is provided which is joined to both ends of the magnetoresistive element 2 to form a pair. In this embodiment, in the electrode layer 37, the bias layer 33 is provided on the lower gap layer 15 via the bias underlayer 32.
Are joined to both ends of the magnetoresistive element 2, and the conductive layer 34 is formed on the bias layer 33.
Here, the bias layer 33 is for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element 2, and the conductive layer 34 is for the magnetoresistive element 2.
The current is led to the outside. In this embodiment,
Since the electrode layer 37 supplies a current to the magnetoresistive element 2 and has the bias layer 33 for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element 2, the bias magnetic field can be applied to the magnetoresistive element 2. The bias layer 33
In the above, a hard bias layer made of CoPt or the like is illustrated, but an exchange bias layer using an antiferromagnetic layer may be used.
【００２４】さらに対をなす電極層３７で挟まれた磁気
抵抗素子２が、少なくとも磁気ヘッド用ハイト方向の長
さＬ及びトラック幅Ｔｗの寸法を有している。さらに磁
気抵抗素子２の一端に拡張部２ａを有している。拡張部
２ａは、対をなす電極層３７の間隔を拡張して形成され
る。具体的には図１(Ｂ)に示すように拡張部２ａが、対
をなす電極層３７の間隔を徐々に広げた少なくともテー
パ状（特にＹ型形状）に拡張して形成される。また拡張
部２ａが、媒体対向面となる面より一側に偏らせて設け
られる。さらに拡張部２ａが、磁気抵抗素子２のトラッ
ク幅Ｔｗを超える寸法を有している。Further, the magnetoresistive element 2 sandwiched between the pair of electrode layers 37 has at least the length L in the height direction for the magnetic head and the track width Tw. Further, the magnetoresistive element 2 has an extension 2a at one end. The extension portion 2a is formed by extending the interval between the pair of electrode layers 37. Specifically, as shown in FIG. 1B, the expansion portion 2a is formed by expanding at least a taper shape (particularly a Y-shape) in which the distance between the pair of electrode layers 37 is gradually widened. Further, the expansion portion 2a is provided so as to be biased to one side from the surface which becomes the medium facing surface. Further, the expansion portion 2a has a dimension exceeding the track width Tw of the magnetoresistive element 2.
【００２５】さらに下部ギャップ層１５上の磁気抵抗素
子２及び電極層３４上に上部ギャップ層３５が設けら
れ、上部ギャップ層３５上に上部シールド層３６が設け
られている。Further, an upper gap layer 35 is provided on the magnetoresistive element 2 and the electrode layer 34 on the lower gap layer 15, and an upper shield layer 36 is provided on the upper gap layer 35.
【００２６】以上のように、拡張部２ａでレジスト幅の
距離が徐々に大きくなるように設置され、レジストとレ
ジストの下面にある磁気抵抗素子２との接合面積が大き
くなるので、密着度を高めることができ、製造工程で用
いるレジストの傾斜或いは横臥等を防止することができ
る。さらにレジストの傾斜或いは横臥等がないので、磁
気抵抗素子２の寸法を高精度に定めることができ、基板
（ウェハ）上に複数の磁気ヘッド素子を形成した場合
に、各々のばらつきを抑えることができる。As described above, the resist is installed so that the distance of the resist width is gradually increased in the expanded portion 2a, and the bonding area between the resist and the magnetoresistive element 2 on the lower surface of the resist is increased. Therefore, it is possible to prevent the resist used in the manufacturing process from tilting or lying down. Further, since there is no inclination or recumbency of the resist, the dimensions of the magnetoresistive element 2 can be determined with high accuracy, and when a plurality of magnetic head elements are formed on a substrate (wafer), variations in each can be suppressed. it can.
【００２７】次に、図１に示す磁気ヘッド素子の製造方
法を図２乃至図８を用いて工程順に説明する。Next, a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 1 will be described in the order of steps with reference to FIGS.
【００２８】図２に示すように、先ず例えばアルチック
（ＡｌＴｉＣ）などのセラミックス材料で形成された基
板（ウエハ）１２上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などで保
護層（アンダコート）１３を形成し、保護層（アンダコ
ート）１３上に、磁性材料からなる下部シールド層１４
を形成し、下部シールド層１４上に、電気絶縁性の高い
セラミック、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの下部ギ
ャップ層１５を形成する。As shown in FIG. 2, first, a protective layer (undercoat) 13 is formed of alumina (Al 2 O 3 ) or the like on a substrate (wafer) 12 formed of a ceramic material such as AlTiC (AlTiC). The lower shield layer 14 made of a magnetic material is formed on the protective layer (undercoat) 13.
Then, a lower gap layer 15 made of a ceramic having a high electric insulation property such as alumina (Al 2 O 3 ) is formed on the lower shield layer 14.
【００２９】さらに図２に示すように、下部ギャップ層
１５上に、磁気抵抗効果を発揮する、磁気抵抗素子２を
形成するための抵抗層２０を形成する。Further, as shown in FIG. 2, a resistance layer 20 for forming the magnetoresistive element 2 that exhibits a magnetoresistive effect is formed on the lower gap layer 15.
【００３０】例えば、抵抗層２０がスピンバルブ型磁気
抵抗素子２を形成するための抵抗層である場合には、下
部ギャップ層１５上に、ＰｔＭｎ合金などの反強磁性層
を形成し、この反強磁性層上にＮｉＦｅ合金などの磁性
材料で形成された固定磁性層、Ｃｕなどで形成された非
磁性導電層、ＮｉＦｅ合金などで形成されたフリー磁性
層、及びＴａなどで形成された保護層などを順に積層形
成する。なお、反強磁性層を直接形成せずに、先ず下地
層を形成し、その上に反強磁性層を形成してもよい。For example, when the resistance layer 20 is a resistance layer for forming the spin-valve type magnetoresistive element 2, an antiferromagnetic layer such as PtMn alloy is formed on the lower gap layer 15, and this antiferromagnetic layer is formed. A fixed magnetic layer formed of a magnetic material such as NiFe alloy on the ferromagnetic layer, a non-magnetic conductive layer formed of Cu or the like, a free magnetic layer formed of NiFe alloy or the like, and a protective layer formed of Ta or the like. Etc. are sequentially laminated. Instead of directly forming the antiferromagnetic layer, the underlayer may be first formed and then the antiferromagnetic layer may be formed thereon.
【００３１】次に図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、抵
抗層２０上にレジスト膜によるレジスト４０を形成す
る。この実施形態では、レジスト４０のうち、磁気ヘッ
ドの媒体対向面となる面を越える側（図中、下方）に形
成される開口４０ｃの口縁４０ｄのトラック幅方向の幅
を徐々に広がるテーパ状（Ｙ型状）に拡張させて形成
し、レジスト４０の一部には、トラック幅方向の幅をト
ラック幅Ｔｗより拡張させた拡張部４０ｅを設ける。そ
してレジスト４０の拡張部４０ｅの用いて、抵抗層２０
のうち図１の磁気抵抗素子２の一端に形成される拡張部
２ａをマスキングして磁気抵抗素子２の拡張部２ａを露
光形成する。Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, a resist 40 made of a resist film is formed on the resistance layer 20. In this embodiment, in the resist 40, a taper shape in which the width in the track width direction of the rim 40d of the opening 40c formed on the side (downward in the drawing) that exceeds the surface facing the medium of the magnetic head is gradually widened. The resist 40 is formed by being expanded to have a (Y-shaped) shape, and a part of the resist 40 is provided with an expansion portion 40e having a width in the track width direction larger than the track width Tw. Then, by using the extended portion 40e of the resist 40, the resistance layer 20
The extended portion 2a of the magnetoresistive element 2 shown in FIG. 1 is masked to form the extended portion 2a of the magnetoresistive element 2 by exposure.
【００３２】したがって、この実施形態では、レジスト
４０の接合面積が拡張部４０ｅの面積分だけ増加される
こととなり、レジスト４０とレジスト４０の下面の抵抗
層２０との密着度を高めることができ、レジスト４０の
傾斜、横臥等の問題を解決することができる。Therefore, in this embodiment, the bonding area of the resist 40 is increased by the area of the expanded portion 40e, and the degree of adhesion between the resist 40 and the resistance layer 20 on the lower surface of the resist 40 can be increased. It is possible to solve the problems such as the inclination and the recumbency of the resist 40.
【００３３】次に図４に示すように、レジスト４０をマ
スクとしてイオンミリング加工することにより、抵抗層
２０を略台形形状にエッチングする。この場合、点線で
示すように下部ギャップ層１５の一部がオーバーエッチ
ングされる。なお、下部ギャップ層１５の一部は、オー
バーエッチングしなくてもよい。Next, as shown in FIG. 4, the resistance layer 20 is etched into a substantially trapezoidal shape by ion milling using the resist 40 as a mask. In this case, a part of the lower gap layer 15 is overetched as shown by the dotted line. Note that part of the lower gap layer 15 may not be over-etched.
【００３４】次に図５に示すように、レジスト４０をマ
スクとして、レジスト４０の開口４０ｃを通して、露出
した下部ギャップ層１５上に、バイアス下地層３２、バ
イアス層３３を順に形成し、その後、バイアス層３３上
に導電層３４を形成する。ここに、バイアス下地層３
２、バイアス層３３、導電層３４から電極層３７が形成
される。電極層３７が形成された後に、レジスト４０を
リフトオフする。Next, as shown in FIG. 5, using the resist 40 as a mask, the bias underlayer 32 and the bias layer 33 are sequentially formed on the exposed lower gap layer 15 through the opening 40c of the resist 40, and then the bias is applied. A conductive layer 34 is formed on the layer 33. Here, the bias base layer 3
2, the electrode layer 37 is formed from the bias layer 33 and the conductive layer 34. After the electrode layer 37 is formed, the resist 40 is lifted off.
【００３５】ここに、バイアス下地層３２は、Ｃｒ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａのうち、いずれか１種
以上を選択できる。このうちＣｒ膜でバイアス下地層３
２を形成することが好ましい。バイアス層３３は、Ｃｏ
ＰｔＣｒ合金などにより成膜する。導電層３４は、Ｃｒ
やＡｕなどでスパッタ成膜する。なお、バイアス下地層
３２、バイアス層３３、導電層３４は、垂直方向（図示
Ｚ方向）に対して、スパッタ粒子入射角度θを有してス
パッタ成膜される。The bias underlayer 32 is made of Cr,
Any one or more of W, Mo, V, Mn, Nb, and Ta can be selected. Of these, the Cr film is used as the bias underlayer 3
2 is preferably formed. The bias layer 33 is Co
It is formed of a PtCr alloy or the like. The conductive layer 34 is Cr
The film is formed by sputtering with Au or Au. The bias base layer 32, the bias layer 33, and the conductive layer 34 are formed by sputtering with a sputtered particle incident angle θ with respect to the vertical direction (Z direction in the drawing).
【００３６】次に図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、磁
気抵抗素子２及び電極層３７に対して磁気抵抗素子２の
ハイト方向奥側の面Ｈを決定する加工を行うためのレジ
スト４１を形成する。このレジスト４１は、対をなす電
極層３７及び磁気抵抗素子２の面積より小さく、このレ
ジスト４１のハイト方向の寸法Ｌ１は、磁気抵抗素子２
のハイト方向の寸法Ｌに拡張部２ａの一部を覆う寸法Ｌ
２を加えた寸法に設定されている。Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the magnetoresistive element 2 and the electrode layer 37 are processed to determine the surface H of the magnetoresistive element 2 on the rear side in the height direction. A resist 41 is formed. The resist 41 is smaller than the area of the pair of electrode layers 37 and the magnetoresistive element 2, and the dimension L1 of the resist 41 in the height direction is the magnetoresistive element 2.
L in the height direction that covers a part of the extension 2a
It is set to the size with 2 added.
【００３７】次に図７に示すように、図６（Ｂ）に示す
形状にパターニングされたレジスト４１を用いてイオン
ミリングによる加工を行い、磁気抵抗素子２及び電極層
３７のハイト方向奥側Ｈの寸法・形状を規定のものに成
形する。Next, as shown in FIG. 7, the resist 41 patterned in the shape shown in FIG. 6B is used to perform processing by ion milling, so that the magnetoresistive element 2 and the electrode layer 37 are deeper in the height direction H. The dimensions and shape of are molded into specified ones.
【００３８】レジスト４１を取り除いた後に、磁気抵抗
素子２及び電極層３７上に図１（Ａ）に示すように、電
気絶縁性の高いセラミック、例えばアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）などの上部ギャップ層３５を形成し、上部ギャッ
プ層３５上に上部シールド層３６を形成する。これによ
り、図１に示す磁気ヘッド素子１が完成する。After removing the resist 41, as shown in FIG. 1 (A), a ceramic having a high electric insulation, such as alumina (Al (Al), is formed on the magnetoresistive element 2 and the electrode layer 37.
An upper gap layer 35 such as 2 O 3 ) is formed, and an upper shield layer 36 is formed on the upper gap layer 35. As a result, the magnetic head element 1 shown in FIG. 1 is completed.
【００３９】図１に示す磁気ヘッド素子１は基板１２上
に複数形成されているものであり、基板１２から磁気ヘ
ッド素子１を単数又は複数切出し、この切出した磁気ヘ
ッド素子１に対して媒体対向面となる面まで研磨を行う
ことにより、製品としての磁気ヘッドが完成する。この
磁気ヘッドは、図示しないハードディスク装置等の磁気
記録装置に設けられたスライダのトレーリング側端部に
取付けられ、図示しない記録媒体に記録されている記録
磁気データを読み出す。図１において、磁気式でデータ
が記録される記録媒体の移動方向はＺ方向であり、この
記録媒体からの信号磁界がＹ方向から磁気抵抗素子２に
作用する。なお、図１に示す磁気ヘッド素子１は、記録
媒体からの記録データを再生する再生用として使用する
が、図１に示す上部シールド層３６上に誘電方式により
記録データ用の電流で記録媒体にデータを書き込む記録
用のインダクティブ磁気ヘッドを形成するようにしても
よい。A plurality of magnetic head elements 1 shown in FIG. 1 are formed on a substrate 12, and one or a plurality of magnetic head elements 1 are cut out from the substrate 12, and the cut magnetic head elements 1 face the medium. The magnetic head as a product is completed by polishing the surface to be the surface. This magnetic head is attached to the trailing side end of a slider provided in a magnetic recording device such as a hard disk device (not shown), and reads recorded magnetic data recorded on a recording medium (not shown). In FIG. 1, the moving direction of a magnetic recording medium for recording data is the Z direction, and the signal magnetic field from this recording medium acts on the magnetoresistive element 2 from the Y direction. The magnetic head element 1 shown in FIG. 1 is used for reproduction of reproducing recorded data from a recording medium. However, the magnetic head element 1 is recorded on the upper shield layer 36 shown in FIG. An inductive magnetic head for writing data may be formed.
【００４０】前記切出した磁気ヘッド素子に研磨加工を
施す場合を図８を用いて説明する。図８に示すように、
切出した磁気ヘッド素子１には、磁気抵抗素子２の電気
抵抗値を調整しながら、磁気ヘッド素子１の不要領域Ｕ
側からハイト（Ｙ）方向の媒体対向面となる面まで研磨
加工を行なう。この加工により、製品としての磁気ヘッ
ドが完成する。A case where the cut-out magnetic head element is subjected to polishing will be described with reference to FIG. As shown in FIG.
In the cut-out magnetic head element 1, the unnecessary area U of the magnetic head element 1 is adjusted while adjusting the electric resistance value of the magnetic resistance element 2.
Polishing is performed from the side to the surface which becomes the medium facing surface in the height (Y) direction. By this processing, the magnetic head as a product is completed.
【００４１】この実施形態では、磁気ヘッド素子１の磁
気抵抗素子２に設けた拡張部２ａは図８に示すように、
磁気ヘッド素子１の不要領域Ｕ側にあるので、研磨加工
により削除され、磁気ヘッドの一部に残ることはない。In this embodiment, the extended portion 2a provided on the magnetoresistive element 2 of the magnetic head element 1 is, as shown in FIG.
Since the magnetic head element 1 is on the unnecessary region U side, it is removed by polishing and does not remain in a part of the magnetic head.
【００４２】この実施形態では、レジスト４０の拡張部
４０ｅを設け、この拡張部４０ｅを用いて、磁気抵抗素
子２の拡張部２ａをテーパ状に拡張して設けたが、これ
に限定されるものではない。レジスト４０の拡張部４０
ｅは、例えば角型、略半丸型、略半楕円型などに拡張さ
せることができ、いずれの形状を用いてもよい。例え
ば、図９（Ａ）に示すように、他の磁気ヘッド素子とし
て、磁気抵抗素子２の一端のトラック幅方向の幅が拡張
される拡張部２ａを角型とするためには、レジスト４０
に、トラック幅Ｔｗとしたレジスト４０ｂと、トラック
幅の寸法を越えた角型の拡張部４０ｅとを設ける必要が
ある。レジスト４０の角型拡張部４０ｅの下面との接合
面積は、レジスト４０ｂよりも大きいので、密着度を高
めることができ、レジスト４０の傾斜、横臥等の問題を
解決することができる。In this embodiment, the extended portion 40e of the resist 40 is provided and the extended portion 2a of the magnetoresistive element 2 is provided in a tapered shape by using the extended portion 40e, but the present invention is not limited to this. is not. Extended portion 40 of resist 40
e can be expanded to, for example, a square shape, a substantially semi-circular shape, a substantially semi-elliptical shape, and any shape may be used. For example, as shown in FIG. 9A, as another magnetic head element, in order to make the extension portion 2a at one end of the magnetoresistive element 2 whose width in the track width direction is extended into a square shape, the resist 40 is used.
In addition, it is necessary to provide a resist 40b having a track width Tw and a rectangular extension 40e that exceeds the dimension of the track width. Since the bonding area of the resist 40 with the lower surface of the rectangular expanded portion 40e is larger than that of the resist 40b, the degree of adhesion can be increased, and problems such as inclination and recumbency of the resist 40 can be solved.
【００４３】ここで、図１の本発明の磁気ヘッド素子
と、図９（Ａ）のレジスト４０を用いて形成した磁気ヘ
ッド素子とを比較すると、磁気抵抗素子２の寸法をトラ
ック幅Ｔｗに規制するためのレジスト４０ｂのハイト方
向での長さＬが短くなった場合、拡張部４０ｅが角型で
あると、図９（Ｂ）に拡大して示すように矢印Ｐで示す
レジスト４０ｂとの接合角が露光の関係で丸くなってダ
レが発生する可能性がある。Here, comparing the magnetic head element of the present invention in FIG. 1 with the magnetic head element formed using the resist 40 in FIG. 9A, the size of the magnetoresistive element 2 is restricted to the track width Tw. When the length L of the resist 40b in the height direction for shortening is shortened, if the expanded portion 40e has a rectangular shape, it is joined to the resist 40b indicated by an arrow P as shown in an enlarged view in FIG. 9B. The corners may be rounded due to exposure, causing sagging.
【００４４】一方、図１に示す本発明の磁気ヘッド素子
は、拡張部４ｅをテーパ状（Ｙ型状）としたことによ
り、レジスト４０の変形が起き難いので、より磁気抵抗
素子２のハイト方向の長さが短くなった場合でも、磁気
抵抗素子２のトラック幅を高精度とする利点がある。On the other hand, in the magnetic head element of the present invention shown in FIG. 1, since the expansion portion 4e is tapered (Y-shaped), the resist 40 is less likely to be deformed. Even if the length becomes short, there is an advantage that the track width of the magnetoresistive element 2 is highly accurate.
【００４５】次に本発明の第２の実施形態を図１０〜図
１２を用いて説明する。この実施形態に係る磁気ヘッド
素子１は、基板１２上に保護層１３を介して形成した下
部シールド層１４と、下部ギャップ層１５と、前記下部
ギャップ層１５上に形成した磁気抵抗素子２と、前記磁
気抵抗素子２の両端部に接合して設けられた対をなす電
極層３７と、磁気抵抗素子２及び電極層３７上に設けら
れた上部ギャップ層３５と、上部ギャップ層３５上に設
けられた上部シールド層３６とを有し、対をなす電極層
３７で挟まれる磁気抵抗素子２が、ハイト方向の長さＬ
とトラック幅方向の幅寸法Ｔｗとの比に応じて電気抵抗
値が異なる領域（２ｂ、２ｃ、２ｄ）を有している。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. A magnetic head element 1 according to this embodiment includes a lower shield layer 14 formed on a substrate 12 via a protective layer 13, a lower gap layer 15, and a magnetoresistive element 2 formed on the lower gap layer 15. A pair of electrode layers 37 is provided to be bonded to both ends of the magnetoresistive element 2, an upper gap layer 35 provided on the magnetoresistive element 2 and the electrode layer 37, and an upper gap layer 35. The magnetic resistance element 2 having the upper shield layer 36 and sandwiched by the pair of electrode layers 37 has a length L in the height direction.
And regions (2b, 2c, 2d) having different electric resistance values depending on the ratio of the track width direction width dimension Tw.
【００４６】磁気抵抗素子２の電気抵抗値の異なる領域
（２ｂ、２ｃ、２ｄ）に、磁気ヘッド用ハイト方向の長
さＬ及びトラック幅Ｔｗの寸法を有する領域２ｂ部分の
電気抵抗値より小さな抵抗値をもつ領域２ｄが含まれて
いる。そして電気抵抗値が高い領域２ｃが、対をなす電
極層３７、３７の間隔を拡張して形成されている。磁気
抵抗素子２のうち、磁気ヘッド用ハイト方向の長さＬ及
びトラック幅Ｔｗの寸法を有する部分の電気抵抗値と異
なる領域（２ｃ、２ｄ）が、媒体対向面となる面より一
側に偏らせて形成されている。また図１１に示すように
磁気抵抗素子には、拡張部２ｅを上述した第１の実施形
態のように設けてもよい。これにより、製造工程におけ
るレジストの密着度をさらに向上させることができる。In the regions (2b, 2c, 2d) having different electric resistance values of the magnetoresistive element 2, the resistance smaller than the electric resistance value of the region 2b having the length L in the height direction for the magnetic head and the track width Tw. An area 2d having a value is included. Then, the region 2c having a high electric resistance value is formed by expanding the interval between the pair of electrode layers 37, 37. Regions (2c, 2d) of the magnetoresistive element 2 having a length L in the height direction for the magnetic head and a portion having dimensions of the track width Tw different from the electric resistance value are deviated to one side from the surface facing the medium. Is formed. Further, as shown in FIG. 11, the magnetoresistive element may be provided with the extension portion 2e as in the above-described first embodiment. Thereby, the adhesiveness of the resist in the manufacturing process can be further improved.
【００４７】図１０の要部を示す図１２において、磁気
抵抗素子２の領域２ｂ、２ｃ、２ｄの抵抗Ｒｂ、Ｒｃ、
Ｒｄについて考察する。この抵抗値はＲ＝Ｒｓ・ｗ（ト
ラック幅Ｔｗでの寸法）／Ｌ（ハイト方向での寸法）で
表せる。図１２において、磁気抵抗素子２の領域２ｂ、
２ｃ、２ｄのハイト方向での寸法をｂ、ｃ、ｄとし、ｄ
＞ｃ＞ｂの長さ関係にある。またトラック幅方向での幅
寸法は、領域２ｂと２ｄのトラック幅方向の幅寸法が等
しく、領域２ｃのトラック幅方向の幅寸法が一番広いも
のとする。In FIG. 12 showing the main part of FIG. 10, the resistances Rb, Rc of the regions 2b, 2c, 2d of the magnetoresistive element 2 are shown.
Consider Rd. This resistance value can be expressed by R = Rs · w (dimension in the track width Tw) / L (dimension in the height direction). In FIG. 12, a region 2b of the magnetoresistive element 2,
Let b, c, and d be the dimensions in the height direction of 2c and 2d, and d
There is a length relationship of>c> b. Regarding the width dimension in the track width direction, the width dimensions in the track width direction of the areas 2b and 2d are equal, and the width dimension in the track width direction of the area 2c is the largest.
【００４８】この条件からすると、磁気抵抗素子２の領
域２ｂ、２ｃ、２ｄの抵抗Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄは、Ｒｃ＞
Ｒｂ＞Ｒｄの関係にある。Under this condition, the resistances Rb, Rc, Rd of the regions 2b, 2c, 2d of the magnetoresistive element 2 are Rc>
There is a relationship of Rb> Rd.
【００４９】したがって、この実施形態によれば、少な
くとも磁気ヘッド用ハイト方向の長さ及びトラック幅Ｔ
ｗの寸法を有する領域２ｂに加えて、ハイト方向の長さ
とトラック幅方向の幅寸法ｗとの比が異なる領域２ｃ、
２ｄを有しており、領域２ｂ部分の電気抵抗値より小さ
な抵抗値２ｄをもつ領域ｄを含む。静電電流は抵抗値の
一番小さい領域２ｄを流れることとなり、磁気ヘッドと
して用いることとなる磁気抵抗素子２の領域２ｂは静電
破壊されることがない。Therefore, according to this embodiment, at least the length in the height direction for the magnetic head and the track width T.
In addition to the region 2b having the dimension w, a region 2c having a different ratio between the length in the height direction and the width dimension w in the track width direction,
2d and includes a region d having a resistance value 2d smaller than the electric resistance value of the region 2b portion. Since the electrostatic current flows through the region 2d having the smallest resistance value, the region 2b of the magnetoresistive element 2 used as the magnetic head is not electrostatically destroyed.
【００５０】さらに図１２に示すように磁気抵抗素子２
の電気抵抗値は、ハイト方向の長さとトラック幅方向の
幅寸法の比で決まるものであり、図１０に示すように磁
気抵抗素子２の領域２ｃは、領域２ｄ、領域２ｂに対し
てトラック幅方向の寸法が拡張されているため、電気抵
抗が高く、領域２ｂ、２ｄへの分流を容易にすることと
なる。さらに、この領域２ｃを製造するためのレジスト
４０の面積が他の領域２ｄ及び領域２ｂ上に設けられる
レジスト４０より拡張されることとなる（図１４）。な
お、領域２ｃを菱形としたが、曲線状であっても、三角
形状であってもよく、形状は問わない。Further, as shown in FIG. 12, the magnetoresistive element 2
Is determined by the ratio of the length in the height direction to the width in the track width direction. As shown in FIG. 10, the region 2c of the magnetoresistive element 2 has a track width larger than that of the regions 2d and 2b. Since the dimension in the direction is expanded, the electric resistance is high and the shunting into the regions 2b and 2d is facilitated. Further, the area of the resist 40 for manufacturing the region 2c is expanded as compared with the resist 40 provided on the other regions 2d and 2b (FIG. 14). Although the region 2c has a diamond shape, it may have a curved shape or a triangular shape, and the shape is not limited.
【００５１】したがって、この実施形態では、製造工程
においてレジスト４０の接合面積が領域（拡張部）２ｃ
の面積分だけ増加されることとなり、レジスト４０とレ
ジスト４０の下面の磁気抵抗素子の抵抗層との密着度を
高めることができ、レジスト４０の傾斜、横臥等の問題
を解決することができる。レジストの傾斜或いは横臥等
がないので、磁気抵抗素子の寸法を高精度に定めること
ができ、基板（ウェハ）上に複数の磁気ヘッド素子を形
成した場合に各々のばらつきを抑えることができる。Therefore, in this embodiment, the bonding area of the resist 40 is the region (extended portion) 2c in the manufacturing process.
Therefore, the degree of adhesion between the resist 40 and the resistance layer of the magnetoresistive element on the lower surface of the resist 40 can be increased, and problems such as inclination and recumbency of the resist 40 can be solved. Since there is no inclination or recumbency of the resist, the dimensions of the magnetoresistive element can be determined with high accuracy, and when a plurality of magnetic head elements are formed on a substrate (wafer), variations in each can be suppressed.
【００５２】次に、図１２に示す磁気ヘッド素子の製造
方法を図１３乃至図１６を用いて工程順に説明する。Next, a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 12 will be described in the order of steps with reference to FIGS.
【００５３】図１３に示すように、先ず例えばアルチッ
ク（ＡｌＴｉＣ）などのセラミックス材料で形成された
基板（ウェハ）１２上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などで
保護層（アンダコート）１３を形成し、保護層（アンダ
コート）１３上に、磁性材料からなる下部シールド層１
４を形成し、下部シールド層１４上に、電気絶縁性の高
いセラミック、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの下部
ギャップ層１５を形成する。As shown in FIG. 13, first, a protective layer (undercoat) 13 is formed of alumina (Al 2 O 3 ) or the like on a substrate (wafer) 12 formed of a ceramic material such as AlTiC (AlTiC). The lower shield layer 1 made of a magnetic material is formed on the protective layer (undercoat) 13.
4 is formed, and a lower gap layer 15 made of a ceramic having a high electric insulation, for example, alumina (Al 2 O 3 ) is formed on the lower shield layer 14.
【００５４】さらに図１３に示すように、下部ギャップ
層１５上に、磁気抵抗効果を発揮する、磁気抵抗素子２
を形成するための抵抗層２０を形成する。Further, as shown in FIG. 13, the magnetoresistive element 2 exerting a magnetoresistive effect is formed on the lower gap layer 15.
A resistance layer 20 for forming is formed.
【００５５】例えば、抵抗層２０がスピンバルブ型磁気
抵抗素子２を形成するための抵抗層である場合には、下
部ギャップ層１５上に、ＰｔＭｎ合金などの反強磁性層
を形成し、この反強磁性層上にＮｉＦｅ合金などの磁性
材料で形成された固定磁性層、Ｃｕなどで形成された非
磁性導電層、ＮｉＦｅ合金などで形成されたフリー磁性
層、及びＴａなどで形成された保護層などを順に積層形
成する。なお、反強磁性層を直接形成せずに、先ず下地
層を形成し、その上に反強磁性層を形成してもよい。For example, when the resistance layer 20 is a resistance layer for forming the spin-valve magnetoresistive element 2, an antiferromagnetic layer such as a PtMn alloy is formed on the lower gap layer 15, and this antiferromagnetic layer is formed. A fixed magnetic layer formed of a magnetic material such as NiFe alloy on the ferromagnetic layer, a non-magnetic conductive layer formed of Cu or the like, a free magnetic layer formed of NiFe alloy or the like, and a protective layer formed of Ta or the like. Etc. are sequentially laminated. Instead of directly forming the antiferromagnetic layer, the underlayer may be first formed and then the antiferromagnetic layer may be formed thereon.
【００５６】次に図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
抵抗層２０上にレジスト膜によるレジスト４０を形成す
る。この実施形態では、レジスト４０に、磁気抵抗素子
２の電気抵抗値の異なる領域（２ｂ、２ｃ、２ｄ）をマ
スキングする領域４０ｇ、４０ｈ、４０ｉを有してい
る。レジスト４０の領域４０ｇは、磁気ヘッド用ハイト
方向の長さＬ及びトラック幅Ｔｗの寸法を有する領域で
あり、露光時に磁気ヘッド素子としての電気抵抗値を有
する磁気抵抗素子２の領域２ｂを形成するものである。Next, as shown in FIGS. 14 (A) and 14 (B),
A resist 40 made of a resist film is formed on the resistance layer 20. In this embodiment, the resist 40 has regions 40g, 40h, 40i for masking regions (2b, 2c, 2d) of the magnetoresistive element 2 having different electric resistance values. A region 40g of the resist 40 is a region having a length L in the height direction for the magnetic head and a track width Tw, and forms a region 2b of the magnetoresistive element 2 having an electric resistance value as a magnetic head element during exposure. It is a thing.
【００５７】レジスト４０の領域４０ｈは、菱形形状を
なし、対をなす電極層３７、３７の間隔を拡張して形成
される、最も電気抵抗値が大きい磁気抵抗素子２の領域
２ｃを形成するものである。レジスト４０の領域４０ｉ
は、露光時に、ハイト方向の長さが最も長く、かつ領域
２ｂよりも電気抵抗値が小さい領域２ｄを形成するもの
である。レジストの領域２ｂと領域２ｄとのトラック幅
方向での幅寸法を等しくさせている。さらにレジストの
領域４０ｈ及び領域４０ｉは、媒体対向面となる面より
一側に偏らせて形成している。この場合、図１１に示す
ようにレジスト４０には、開口部４０ｃの口縁４０ｄを
テーパ状に拡張させた、磁気抵抗素子２の拡張部２ｅを
形成するための拡張部４０ｅを形成してもよい。The region 40h of the resist 40 has a diamond shape and forms the region 2c of the magnetoresistive element 2 having the largest electric resistance value, which is formed by expanding the interval between the pair of electrode layers 37, 37. Is. Region 40i of resist 40
Forms an area 2d having the longest length in the height direction and a smaller electric resistance value than the area 2b during exposure. The widths of the resist regions 2b and 2d in the track width direction are made equal. Further, the region 40h and the region 40i of the resist are formed so as to be biased to one side with respect to the medium facing surface. In this case, as shown in FIG. 11, the resist 40 is formed with an expanded portion 40e for forming the expanded portion 2e of the magnetoresistive element 2 in which the rim 40d of the opening 40c is expanded in a tapered shape. Good.
【００５８】したがって、レジスト４０の接合面積が領
域４０ｈ及び４０ｉの面積分だけ増加することとなり、
レジスト４０とレジスト４０の下面の抵抗層２０との密
着度を高めることができ、レジスト４０の傾斜、横臥等
の問題を解決することができる。Therefore, the bonding area of the resist 40 is increased by the area of the regions 40h and 40i,
The degree of adhesion between the resist 40 and the resistance layer 20 on the lower surface of the resist 40 can be increased, and problems such as inclination and recumbency of the resist 40 can be solved.
【００５９】次に図１５に示すように、レジスト４０を
マスクとしてイオンミリング加工することにより、抵抗
層２０を略台形形状にエッチングする。この場合、点線
で示すように下部ギャップ層１５の一部がオーバーエッ
チングされる。なお、下部ギャップ層１５の一部は、オ
ーバーエッチングしなくてもよい。Next, as shown in FIG. 15, the resistance layer 20 is etched into a substantially trapezoidal shape by ion milling using the resist 40 as a mask. In this case, a part of the lower gap layer 15 is overetched as shown by the dotted line. Note that part of the lower gap layer 15 may not be over-etched.
【００６０】次に図１６に示すように、レジスト４０を
マスクとして、レジスト４０の開口４０ｃを通して、露
出した下部ギャップ層１５上に、バイアス下地層３２、
バイアス層３３を順に形成し、その後、バイアス層３３
上に導電層３４を形成する。ここに、バイアス下地層３
２、バイアス層３３、導電層３４から電極層３７が形成
される。電極層３７が形成された後に、レジスト４０を
リフトオフする。Next, as shown in FIG. 16, with the resist 40 as a mask, the bias underlayer 32, is formed on the exposed lower gap layer 15 through the opening 40c of the resist 40.
The bias layer 33 is sequentially formed, and then the bias layer 33 is formed.
A conductive layer 34 is formed on top. Here, the bias base layer 3
2, the electrode layer 37 is formed from the bias layer 33 and the conductive layer 34. After the electrode layer 37 is formed, the resist 40 is lifted off.
【００６１】次に、第１の実施形態で説明した図６
（Ａ）、（Ｂ）、及び図７の製造工程を経て磁気ヘッド
素子を完成させる。Next, referring to FIG. 6 described in the first embodiment.
The magnetic head element is completed through the manufacturing steps of (A), (B) and FIG.
【００６２】図１０に示す磁気ヘッド素子１は基板１２
上に複数形成されているものであり、基板１２から磁気
ヘッド素子１を単数又は複数切出し、この切出した磁気
ヘッド素子１に対して媒体対向面となる面まで研磨を行
うことにより、製品としての磁気ヘッドが完成する。こ
の磁気ヘッドは、図示しないハードディスク装置等の磁
気記録装置に設けられたスライダのトレーリング側端部
に取付けられ、図示しない記録媒体に記録されている記
録磁気データを読み出す。図１０において、磁気式でデ
ータが記録される記録媒体の移動方向はＺ方向であり、
この記録媒体からの信号磁界がＹ方向から磁気抵抗素子
２に作用する。なお、図１０に示す磁気ヘッド素子１
は、記録媒体からの記録データを再生する再生用として
使用するが、図１に示す上部シールド層３６上に誘電方
式により記録データ用の電流で記録媒体にデータを書き
込む記録用のインダクティブ磁気ヘッドを形成するよう
にしてもよい。The magnetic head element 1 shown in FIG.
A plurality of magnetic head elements 1 are formed on the substrate 12, and one or more magnetic head elements 1 are cut out from the substrate 12, and the cut magnetic head elements 1 are polished to a surface which is a medium facing surface to obtain a product. The magnetic head is completed. This magnetic head is attached to the trailing side end of a slider provided in a magnetic recording device such as a hard disk device (not shown), and reads recorded magnetic data recorded on a recording medium (not shown). In FIG. 10, the moving direction of the recording medium on which data is magnetically recorded is the Z direction,
The signal magnetic field from this recording medium acts on the magnetoresistive element 2 from the Y direction. The magnetic head element 1 shown in FIG.
Is used for reproduction of reproducing recorded data from the recording medium. An inductive magnetic head for recording is used for writing data on the recording medium with a current for recording data by a dielectric method on the upper shield layer 36 shown in FIG. It may be formed.
【００６３】前記切出した磁気ヘッド素子に研磨加工を
施す場合を図１７を用いて説明する。図１７に示すよう
に、切出した磁気ヘッド素子１には、磁気抵抗素子の電
気抵抗値を調整しながら、磁気ヘッド素子１の不要領域
Ｕ側からハイト（Ｙ）方向の媒体対向面となる面まで研
磨加工を行なう。この加工により、製品としての磁気ヘ
ッドが完成する。A case where the cut-out magnetic head element is subjected to polishing will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 17, the cut magnetic head element 1 has a surface serving as the medium facing surface in the height (Y) direction from the unnecessary region U side of the magnetic head element 1 while adjusting the electric resistance value of the magnetic resistance element. Polishing process up to. By this processing, the magnetic head as a product is completed.
【００６４】以上の製造方法によれば、レジスト４０と
レジスト４０の下面との接合面積は、レジスト４０の領
域４０ｈ及び領域４０ｉとにより著しく増加されるた
め、レジスト４０の傾斜、横倒しを防止することができ
る。さらに磁気抵抗素子２に、電気抵抗値の異なる領域
を形成することにより、静電破壊を引起す静電電流を、
静電破壊により支障が生じない磁気抵抗素子の部分に強
制的に流すことができる。これにより、磁気抵抗素子を
静電破壊から確実に保護することができる。According to the above manufacturing method, since the bonding area between the resist 40 and the lower surface of the resist 40 is significantly increased by the regions 40h and 40i of the resist 40, it is possible to prevent the resist 40 from tilting and falling sideways. You can Further, by forming regions having different electric resistance values in the magnetoresistive element 2, an electrostatic current causing electrostatic breakdown is generated.
It can be forcibly flown to the portion of the magnetoresistive element that does not cause any trouble due to electrostatic breakdown. This makes it possible to reliably protect the magnetoresistive element from electrostatic breakdown.
【００６５】図１０〜図１２に示す実施形態は、静電破
壊対策を考慮して磁気抵抗素子に、ハイト方向の長さと
トラック幅方向の幅との比が異なる少なくとも３以上の
領域（２ｂ、２ｃ、２ｄ）を有し、それぞれの電気抵抗
値の違いにより、静電破壊を防止する。さらに、領域の
トラック幅方向での幅寸法が増大することを利用して、
レジストの傾斜、横倒しを防止する構成としたが、これ
に限定されるものではない。すなわち、レジストの傾
斜、横倒しの点に着目すれば、トラック幅方向の幅寸法
が異なる領域を磁気抵抗素子に形成した構成としてすれ
ばよい。具体的には磁気抵抗素子２に、一定のトラック
幅方向の幅の第１の領域（図１０の場合、領域２ｂ、２
ｄに相当する）と、該第１の領域よりもトラック幅方向
の幅が広い第２の領域（図１０の場合、領域２ｃに相当
する）とを設け、第２の領域（領域２ｃ）が第１の領域
中（領域２ｂと領域２ｄとの間）にあって、第２の領域
（領域２ｃ）が第１の領域（２ｂ、２ｄ）の全体のハイ
ト方向長さに対しハイト方向後ろ寄りに設ける。In the embodiment shown in FIGS. 10 to 12, the magnetoresistive element is provided with at least three regions (2b, 2b, 2b, 2b, 2b) having different ratios of the length in the height direction and the width in the track width direction in consideration of electrostatic breakdown. 2c, 2d), and prevents electrostatic breakdown due to the difference in the electric resistance value of each. Furthermore, by utilizing the fact that the width of the area in the track width direction increases,
Although the resist is prevented from tilting and falling sideways, the present invention is not limited to this. In other words, if attention is paid to the inclination and lateral fall of the resist, it may be configured such that regions having different width dimensions in the track width direction are formed in the magnetoresistive element. Specifically, in the magnetoresistive element 2, a first region having a constant width in the track width direction (in the case of FIG. 10, regions 2b, 2
(corresponding to d) and a second region (corresponding to the region 2c in FIG. 10) having a wider width in the track width direction than the first region, and the second region (region 2c) is provided. In the first region (between the regions 2b and 2d), the second region (region 2c) is rearward in the height direction with respect to the entire length in the height direction of the first region (2b, 2d). To be installed.
【００６６】この変更した実施形態では、その製造工程
に図１３〜図１６に示すような、基板上に、下部シール
ド層及び下部ギャップ層を形成する工程と、下部ギャッ
プ層上に磁気抵抗素子を形成する工程と、磁気抵抗素子
の両端部に接合して対をなす電極層を形成する工程と、
磁気抵抗素子及び前記電極層上に設けられる上部ギャッ
プ層と、上部ギャップ層上に設けられる上部シールド層
とを形成する工程とを含む。さらに磁気抵抗素子を形成
する工程において、磁気抵抗素子の形状を加工するため
のレジストに、一定のトラック幅方向の幅の第１の領域
（領域２ｂ、２ｄ）と、第１の領域（領域２ｂ、２ｄ）
よりもトラック幅方向の幅が広い第２の領域（領域２
ｃ）を形成し、第２の領域（領域２ｃ）が第１の領域中
（領域２ｂと領域２ｄとの間）にあって、第２の領域
（領域２ｃ）を第１の領域（領域２ｂ、２ｄ）の全体の
ハイト方向長さに対しハイト方向後ろ寄りに設ける。In this modified embodiment, in the manufacturing process, as shown in FIGS. 13 to 16, a step of forming a lower shield layer and a lower gap layer on a substrate, and a magnetoresistive element on the lower gap layer. A step of forming and a step of forming a pair of electrode layers by joining to both ends of the magnetoresistive element,
And a step of forming an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer. Further, in the step of forming the magnetoresistive element, the resist for processing the shape of the magnetoresistive element has a first region (regions 2b and 2d) having a constant width in the track width direction and a first region (region 2b). 2d)
The second area (area 2) having a wider width in the track width direction than
c), the second region (region 2c) is in the first region (between the regions 2b and 2d), and the second region (region 2c) is formed in the first region (region 2b). 2d) is provided rearward in the height direction with respect to the entire length in the height direction.
【００６７】これにより、レジストとレジストの下面と
の接合面積を増大させることができ、レジストの傾斜、
横倒しを防止することができる。As a result, the bonding area between the resist and the lower surface of the resist can be increased, and the inclination of the resist,
It is possible to prevent overturning.
【００６８】[0068]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
イアス層及び導電層などの電極層を形成する際にレジス
トが傾斜したり、横倒しになったりするといった各種の
不具合が発生するのを防止できる。さらに静電破壊から
磁気抵抗素子を保護することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent various problems such as the resist being tilted or lying sideways when the electrode layers such as the bias layer and the conductive layer are formed. It can be prevented. Further, the magnetoresistive element can be protected from electrostatic breakdown.
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施形態に係る磁気ヘ
ッド素子の構造を媒体対向面となる面から見た断面図、
(Ｂ)は磁気抵抗素子と端子部との関係を示す平面図であ
る。FIG. 1A is a cross-sectional view of a structure of a magnetic head element according to a first embodiment of the present invention viewed from a surface which is a medium facing surface;
FIG. 6B is a plan view showing the relationship between the magnetoresistive element and the terminal portion.
【図２】図１に示す磁気ヘッド素子の製造方法を示す工
程順に示す断面図である。2A to 2D are sectional views showing a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG.
【図３】（Ａ）は図１に示す磁気ヘッド素子の製造方法
を示す工程順に示す断面図、（Ｂ）は図３（Ａ）の工程
で用いるレジストを示す平面図である。3A is a sectional view showing a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 1 in order of steps, and FIG. 3B is a plan view showing a resist used in the step of FIG. 3A.
【図４】図１に示す磁気ヘッド素子の製造方法を示す工
程順に示す断面図である。4A to 4C are sectional views showing a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG.
【図５】（Ａ）は図１に示す磁気ヘッド素子の製造方法
を示す工程順に示す断面図、（Ｂ）は図５（Ａ）の工程
で用いるレジストを示す平面図である。5A is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 1 in order of steps, and FIG. 5B is a plan view showing a resist used in the step of FIG. 5A.
【図６】（Ａ）は図１に示す磁気ヘッド素子の製造方法
を示す工程順に示す断面図、（Ｂ）は図６（Ａ）の工程
で用いるレジストを示す平面図である。6A is a sectional view showing a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 1 in order of steps, and FIG. 6B is a plan view showing a resist used in the step of FIG. 6A.
【図７】図１に示す磁気ヘッド素子の製造方法を示す工
程順に示す断面図である。7A to 7C are sectional views showing a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG.
【図８】図１に示す磁気ヘッド素子における、磁気抵抗
素子、端子部及びレジストの関係を示す平面図である。8 is a plan view showing the relationship between a magnetoresistive element, a terminal portion and a resist in the magnetic head element shown in FIG.
【図９】（Ａ）は本発明に係る磁気ヘッド素子の他の製
造方法に使用するレジストの詳細を示す平面図、（Ｂ）
は磁気抵抗素子の一部を拡大した図である。9A is a plan view showing details of a resist used in another method of manufacturing a magnetic head element according to the present invention, FIG.
FIG. 4 is an enlarged view of a part of the magnetoresistive element.
【図１０】（Ａ）は本発明の第２の実施形態に係る磁気
ヘッド素子の構造を媒体対向面となる面から見た断面
図、(Ｂ)は磁気抵抗素子と端子部との関係を示す平面図
である。FIG. 10A is a cross-sectional view of the structure of a magnetic head element according to a second embodiment of the present invention as seen from a surface which is a medium facing surface, and FIG. 10B shows a relationship between a magnetoresistive element and a terminal portion. It is a top view shown.
【図１１】本発明の他の磁気ヘッド素子における、磁気
抵抗素子、端子部及びレジストの関係を示す平面図であ
る。FIG. 11 is a plan view showing the relationship between a magnetoresistive element, a terminal portion and a resist in another magnetic head element of the present invention.
【図１２】図１０に示す磁気ヘッド素子における、磁気
抵抗素子及び端子部の関係を示す平面図である。12 is a plan view showing a relationship between a magnetoresistive element and a terminal portion in the magnetic head element shown in FIG.
【図１３】（Ａ）は図１０に示す磁気ヘッド素子の製造
方法を示す工程順に示す断面図、（Ｂ）は図１０（Ａ）
の工程で用いるレジストを示す平面図である。13A is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 10 in the order of steps, and FIG. 13B is shown in FIG.
FIG. 6 is a plan view showing a resist used in the step of.
【図１４】（Ａ）は図１０に示す磁気ヘッド素子の製造
方法を示す工程順に示す断面図、（Ｂ）は図１４（Ａ）
の工程で用いるレジストを示す平面図である。14A is a sectional view showing a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 10 in order of steps, and FIG. 14B is a sectional view showing FIG.
FIG. 6 is a plan view showing a resist used in the step of.
【図１５】図１０に示す磁気ヘッド素子の製造方法を示
す工程順に示す断面図である。15A to 15D are cross-sectional views showing a method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG.
【図１６】（Ａ）は図１０に示す磁気ヘッド素子の製造
方法を示す工程順に示す断面図、（Ｂ）は図１６（Ａ）
の工程で用いるレジストを示す平面図である。16A is a sectional view showing the method of manufacturing the magnetic head element shown in FIG. 10 in the order of steps, and FIG.
FIG. 6 is a plan view showing a resist used in the step of.
【図１７】図１１に示す磁気ヘッド素子における、磁気
抵抗素子、端子部及びレジストの関係を示す平面図であ
る。17 is a plan view showing the relationship between the magnetoresistive element, the terminal portion and the resist in the magnetic head element shown in FIG.
【図１８】（Ａ）は従来例に係る磁気ヘッド素子の構造
を媒体対向面となる面から見た断面図、(Ｂ)は磁気抵抗
素子と端子部との関係を示す平面図である。18A is a cross-sectional view of the structure of a magnetic head element according to a conventional example as seen from a surface which is a medium facing surface, and FIG. 18B is a plan view showing a relationship between a magnetoresistive element and a terminal portion.
【図１９】（Ａ）は従来例に係る磁気ヘッド素子の構造
を媒体対向面となる面から見た断面図、(Ｂ)は磁気抵抗
素子と端子部との関係を示す平面図である。19A is a cross-sectional view of a structure of a magnetic head element according to a conventional example as seen from a surface which is a medium facing surface, and FIG. 19B is a plan view showing a relationship between a magnetoresistive element and a terminal portion.
１ 磁気ヘッド素子
２ 磁気抵抗素子
２ａ ２ｂ ２ｃ 磁気抵抗素子の電気抵抗値が異なる
領域
１２ 基板
１３ 保護層
１４ 下部シールド層
１５ 下部ギャップ層
２０ 磁気抵抗素子を形成するための抵抗層
３２ バイアス下地層
３３ バイアス層
３４ 電極層
３５ 上部ギャップ層
３６ 上部シールド層
３７ 電極層
４０ レジストDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 magnetic head element 2 magnetoresistive element 2a 2b 2c area | region where the electric resistance value of a magnetoresistive element differs 12 substrate 13 protective layer 14 lower shield layer 15 lower gap layer 20 resistance layer 32 for forming a magnetoresistive element 32 bias base layer 33 Bias layer 34 Electrode layer 35 Upper gap layer 36 Upper shield layer 37 Electrode layer 40 Resist
Claims (10)
プ層と、前記下部ギャップ層上に形成した磁気抵抗素子
と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して設けられた対
をなす電極層と、前記磁気抵抗素子及び前記電極層上に
設けられた上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に
設けられた上部シールド層とを有し、 前記対をなす電極層で挟まれた磁気抵抗素子が、トラッ
ク幅方向の幅が拡張された拡張部を有することを特徴と
する磁気ヘッド素子。1. A lower shield layer and a lower gap layer, a magnetoresistive element formed on the lower gap layer, and a pair of electrode layers bonded to both ends of the magnetoresistive element on a substrate. And an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer, and the magnetoresistive element sandwiched by the pair of electrode layers. However, the magnetic head element is characterized in that the magnetic head element has an expanded portion whose width in the track width direction is expanded.
張して形成されていることを特徴とする磁気ヘッド素
子。2. The magnetic head element according to claim 1, wherein a pair of electrode layers that are in contact with the extension portion are formed by extending the distance between the electrode layers.
いて、 前記拡張部のトラック幅方向の幅が徐々に広がるテーパ
状に拡張して形成されていることを特徴とする磁気ヘッ
ド素子。3. The magnetic head element according to claim 1, wherein the magnetic head element is formed by expanding in a taper shape in which the width of the expanding portion in the track width direction gradually increases.
において、 前記拡張部が、媒体対向面となる面より一側に偏らせて
設けられていることを特徴とする磁気ヘッド素子。4. The magnetic head element according to claim 1, 2 or 3, wherein the expansion portion is provided so as to be biased to one side from a surface which is a medium facing surface.
プ層と、前記下部ギャップ層上に形成した磁気抵抗素子
と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して設けられた対
をなす電極層と、前記磁気抵抗素子及び前記電極層上に
設けられた上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に
設けられた上部シールド層とを有し、 磁気抵抗素子が、ハイト方向の長さとトラック幅方向の
幅との比が異なる少なくとも３以上の領域を有し、 各領域の電気抵抗値をＲｂ、Ｒｃ、Ｒｄとし、 前記各領域の電気抵抗値が、Ｒｃ＞Ｒｂ＞Ｒｄの関係を
有し、 前記電気抵抗値Ｒｃの領域を介してハイト方向両側に前
記電気抵抗値Ｒｄの領域と前記電気抵抗値Ｒｂの領域と
が配置され、 前記電気抵抗値Ｒｂの領域は少なくともトラック幅寸法
で形成され、前記電気抵抗値Ｒｃの領域よりもハイト方
向後方に設けられていることを特徴とする磁気ヘッド素
子。5. A lower shield layer and a lower gap layer, a magnetoresistive element formed on the lower gap layer, and a pair of electrode layers bonded to both ends of the magnetoresistive element on a substrate. And an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer, wherein the magnetoresistive element has a length in a height direction and a track width direction. Has at least three regions with different ratios to the width of, the electric resistance value of each region is Rb, Rc, Rd, the electric resistance value of each region has a relationship of Rc>Rb> Rd, A region having the electric resistance value Rd and a region having the electric resistance value Rb are arranged on both sides in the height direction through the region having the electric resistance value Rc, and the region having the electric resistance value Rb is formed to have at least a track width dimension. The electrical resistance The magnetic head element, characterized in that provided in the height direction than the area of the value Rc.
プ層と、前記下部ギャップ層上に形成した磁気抵抗素子
と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して設けられた対
をなす電極層と、前記磁気抵抗素子及び前記電極層上に
設けられた上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に
設けられた上部シールド層とを有し、 磁気抵抗素子が、一定のトラック幅方向の幅の第１の領
域と、前記第１の領域よりもトラック幅方向の幅が広い
第２の領域とを有し、 前記第２の領域が前記第１の領域中にあって、前記第２
の領域が第１の領域の全体のハイト方向長さに対しハイ
ト方向後ろ寄りに設けられていることを特徴とする磁気
ヘッド素子。6. A lower shield layer and a lower gap layer, a magnetoresistive element formed on the lower gap layer, and a pair of electrode layers bonded to both ends of the magnetoresistive element on a substrate. And an upper gap layer provided on the magnetoresistive element and the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer, wherein the magnetoresistive element has a constant width in the track width direction. A first region and a second region having a wider width in the track width direction than the first region, wherein the second region is in the first region, and the second region
The magnetic head element is characterized in that the area (1) is provided rearward in the height direction with respect to the entire length of the first area in the height direction.
において、 前記磁気抵抗素子は、記録媒体からの信号磁界により電
気抵抗が変化する磁気抵抗効果を発揮するものであるこ
とを特徴とする磁気ヘッド素子。7. The magnetic head element according to claim 1, 5 or 6, wherein the magnetoresistive element exhibits a magnetoresistive effect in which electric resistance is changed by a signal magnetic field from a recording medium. A magnetic head element.
磁気ヘッド素子が複数基板上に形成され、磁気ヘッド素
子を基板から個々に切出して磁気ヘッドが形成されてい
ることを特徴とする磁気ヘッド。8. The magnetic head element according to claim 1, wherein the magnetic head element is formed on a plurality of substrates, and the magnetic head element is individually cut out from the substrate to form a magnetic head. And a magnetic head.
プ層を形成する工程と、 前記下部ギャップ層上に磁気抵抗素子を形成する工程
と、 前記磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす電極層を
形成する工程と、 前記磁気抵抗素子及び前記電極層上に設けられる上部ギ
ャップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられる上部シ
ールド層とを形成する工程とを含み、 前記磁気抵抗素子を形成する工程において、磁気抵抗素
子の形状を加工するためのレジストに、前記対をなす電
極層に挟まれた磁気抵抗素子の所定のハイト方向の長さ
と所定のトラック幅を確保し、その一端をトラック幅よ
りも拡張させることを特徴とする磁気ヘッド素子の製造
方法。9. A step of forming a lower shield layer and a lower gap layer on a substrate, a step of forming a magnetoresistive element on the lower gap layer, and a pair bonded to both ends of the magnetoresistive element to form a pair. And a step of forming an electrode layer formed on the magnetoresistive element and the upper gap layer provided on the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer. In the step of forming, a resist for processing the shape of the magnetoresistive element is provided with a predetermined height direction length and a predetermined track width of the magnetoresistive element sandwiched between the pair of electrode layers, and one end thereof is formed. A method of manufacturing a magnetic head element, characterized in that
ップ層を形成する工程と、 前記下部ギャップ層上に磁気抵抗素子を形成する工程
と、 前記磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす電極層を
形成する工程と、 前記磁気抵抗素子及び前記電極層上に設けられる上部ギ
ャップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられる上部シ
ールド層とを形成する工程とを含み、 前記磁気抵抗素子を形成する工程において、磁気抵抗素
子の形状を加工するためのレジストに、一定のトラック
幅方向の幅の第１の領域と、前記第１の領域よりもトラ
ック幅方向の幅が広い第２の領域を有形成し、かつ前記
第２の領域が前記第１の領域中にあって、前記第２の領
域を第１の領域の全体のハイト方向長さに対しハイト方
向後ろ寄りに設けることを特徴とする磁気ヘッド素子の
製造方法。10. A step of forming a lower shield layer and a lower gap layer on a substrate, a step of forming a magnetoresistive element on the lower gap layer, and bonding to both ends of the magnetoresistive element to form a pair. And a step of forming an electrode layer formed on the magnetoresistive element and the upper gap layer provided on the electrode layer, and an upper shield layer provided on the upper gap layer. In the step of forming the step, a first region having a constant width in the track width direction and a second region having a width in the track width direction wider than the first region are formed on the resist for processing the shape of the magnetoresistive element. Forming a region, and the second region is in the first region, and the second region is provided rearward in the height direction with respect to the entire length in the height direction of the first region. Characteristic magnetic Head element manufacturing method.
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