JP2003025220A - Polishing device for wafer - Google Patents

Polishing device for wafer

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Publication number
JP2003025220A
JP2003025220A JP2002189408A JP2002189408A JP2003025220A JP 2003025220 A JP2003025220 A JP 2003025220A JP 2002189408 A JP2002189408 A JP 2002189408A JP 2002189408 A JP2002189408 A JP 2002189408A JP 2003025220 A JP2003025220 A JP 2003025220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plate
holding plate
polishing
elastic member
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002189408A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Nakajima
誠 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikoshi Machinery Corp
Original Assignee
Fujikoshi Machinery Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujikoshi Machinery Corp filed Critical Fujikoshi Machinery Corp
Priority to JP2002189408A priority Critical patent/JP2003025220A/en
Publication of JP2003025220A publication Critical patent/JP2003025220A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device for a wafer furnished with a weighting device capable of favorably following inclination of a surface plate polishing surface and favorably loading a load of even pressure on an overall surface of the wafer. SOLUTION: This polishing device of the wafer to polish a wafer surface specular by pressurizing a holding plate 10 to hold the wafer 1 on the surface plate and making the wafer 1 contact with the polishing surface of the surface plate is furnished with a support member 24 having a recessed part 26 to open downward and to support the holding plate 10 so as not to drop in the recessed part 26, a ring elastic member 34 to allow movement of the holding plate 10 in the horizontal direction within a small region, a plate elastic member 38 to suspend the holding plate 10 free to move in the vertical direction and in the horizontal direction in a small region, a closed space 50 of the recessed part 26 defined by the plate elastic member 38 and a supply means of fluid to supply the fluid of specified pressure to the closed space 50.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、ウエハーの研磨装置に
関し、さらに詳細には、下面にてウエハーを保持する保
持プレートを、上面に研磨面を有する定盤に押圧するこ
とにより、該研磨面にウエハー表面を当接させ該ウエハ
ー表面に所定の荷重を与えつつ、ウエハーと定盤とを相
対的に運動させウエハー表面を鏡面研磨するウエハーの
研磨装置に関する。 【0002】 【従来の技術】近年の半導体装置の高集積化に伴い、シ
リコンウエハーの高い等厚度及び平坦度が要求されてい
る。この要求を満たすには、シリコンウエハーを研磨す
る際の保持プレートと定盤との平行度を高精度に保つ必
要がある 従来、上記の如く高精度のウエハーを加
工するため、図3に示すようなウエハーの研磨装置が使
用されている。このウエハーの研磨装置によれば、保持
プレート90が、球面軸受91を介して回転軸部材92
によって支持されている。すなわち、回転軸部材92に
固定された球面軸受91の凹球面91aに、保持プレー
ト90上面に突設された凸球面90aが滑動自在に嵌入
されており、保持プレート90は定盤の傾斜に追随して
自在に傾斜することができ、これにより、高い平行度及
び平坦度を維持しつつウエハー93の表面を鏡面研磨す
ることができる。 【0003】しかしながら、上記従来のウエハーの研磨
装置によれば、球面軸受91の凹球面91aに対して、
保持プレート90上面の凸球面90aが滑る際に摩擦力
が働くため、保持プレート90が、定盤の傾斜等に素早
く追随することが困難であった。また、保持プレート9
0の上面が半球状に突起した凸球面90aに形成され、
部材としての剛性が高くなっているため、保持プレート
90の外周部においても、該保持プレート90の中央部
に負荷される上方からの荷重が分散して作用できるもの
の、保持プレート90に保持されたウエハーの表面全面
について等圧の荷重を負荷することはできないという課
題がある。このため、非常に高精度な等厚度及び平坦度
を要求されるウエハーの加工を能率良く行うことは難し
いという課題があった。 【0004】そこで、本発明の目的は、定盤研磨面の傾
斜に対して好適に追随することができると共に、ウエハ
ーの表面全面に等圧の荷重を好適に負荷することのでき
る荷重装置を具備するウエハーの研磨装置を提供するこ
とにある。 【0005】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、本発明のウ
エハーの研磨装置によれば、下面にてウエハーを保持す
る保持プレートを、上面に研磨面を有する定盤に押圧す
ることにより、該研磨面にウエハー表面を当接させ該ウ
エハー表面に所定の荷重を与えつつ、ウエハーと定盤と
を相対的に運動させウエハー表面を鏡面研磨するウエハ
ーの研磨装置において、下方に向けて開放する凹部を有
し、該凹部内に前記保持プレートを、脱落しないように
支持する支持部材と、保持プレートの外周面と前記凹部
の内周面との間に配設され、該保持プレートの水平方向
の移動を微小範囲内で許容するリング状の弾性部材と、
前記凹部内面と保持プレートとの間に亘って固定され、
前記保持プレートを上下方向及び水平方向に微小範囲内
で移動可能に吊持する板状の弾性部材と、該板状の弾性
部材により画成された前記凹部の密閉空間と、該密閉空
間に所定圧力の流体を供給する流体の供給手段とを具備
することを特徴とする。 【0006】 【作用】本発明のウエハーの研磨装置によれば、リング
状の弾性部材と板状の弾性部材によって、上下方向及び
水平方向に微少範囲内で移動可能に支持部材に支持され
た保持プレートが、圧力流体の圧力によって定盤の研磨
面側へ押圧される。このため、保持プレートの下面に保
持されたウエハーが定盤の研磨面に当接・押圧される際
には、上記圧力流体が作用し、ウエハーは研磨面の傾斜
に素早く追随することができる。また、板状の弾性部材
により画成された支持部材の凹部の空間に、高圧流体が
供給されるため、保持プレートの上面に等圧の圧力を与
えることができる。これにより、保持プレートの下面に
保持されたウエハーが定盤の研磨面に当接・押圧される
際には、ウエハーの表面全面に等圧の荷重を負荷するこ
とのできる。 【0007】 【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図1は本発明にかかるウエハー
の研磨装置の一実施例を示す要部断面図であり、図2は
図1の実施例のウエハーの研磨装置にかかる駆動機構等
を示す断面図である。10は保持プレートであり、下面
11にてシリコンウエハー1に当接し、そのシリコンウ
エハー1を吸着して保持することができる。この保持プ
レート10には、下面に開口する複数の連通孔12が設
けられており、図1に示すように保持プレート10内部
の上記連通孔12の上端において水平方向に設けられた
連通空間14によって相互に連通している。この連通空
間14は連結部材16を介して吸引管18に連通されて
いる。図1に示すように、連結部材16はO−リング1
9を介して吸引管18に気密・嵌合されており、この連
結部材16が保持プレート10にO−リング17を介し
て気密・嵌入されている。これにより、吸引管18と保
持プレート10との間に若干の自由度を残しつつ、連通
空間14と吸引管18とが連通されている。 【0008】図2に示す20は定盤であり、通常、上面
に研磨布が貼着されており、これによってシリコンウエ
ハー1の表面を研磨する研磨面22が形成されている。
この研磨面22には、スラリーを含む研磨液が供給さ
れ、保持プレート10の下面に保持されたシリコンウエ
ハー1表面がその研磨面22に所定の荷重を与えられつ
つ当接・押圧されると共に、シリコンウエハー1と定盤
20とを相対的に運動させることでシリコンウエハー1
表面を鏡面研磨することができる。また、定盤20の回
転方向は、通常、シリコンウエハー1を下面に保持する
保持プレート10の回転と同方向に回転可能に設けられ
ており、回転軸のズレと相互の回転数の違いによりシリ
コンウエハー1表面と研磨面22とが相対的に運動され
ることによって、シリコンウエハー1の表面が鏡面研磨
される。 【0009】24は支持部材であり、下方に向けて開放
する凹部26を有し、この凹部26を形成する外周側壁
部の端部全周に設けられた突条状の係止部26a等によ
って、凹部26内から保持プレート10が脱落しないよ
うに、該保持プレート10を支持することができる。こ
の支持部材24には、中心軸に沿って棒状の回転軸部2
8が、上方に向かって設けられている。この回転軸部2
8には、軸心線に沿って貫通孔30が貫通されており、
この貫通孔30に前記吸引管18が嵌入されている。貫
通孔30の径は、吸引管18の外形よりも一回り大きく
形成されており、この貫通孔30内壁と吸引管18の外
壁との間隙が、高圧流体である圧縮空気の連通路32と
なっている。 【0010】34はリング状の弾性部材であり、例えば
ゴム等により成形されたO−リング状の部材からなる。
このリング状の弾性部材34は、保持プレートの外周面
10aと前記凹部の内周面24aとの間に双方に当接す
るように配設され、保持プレート10の水平方向の移動
を微小範囲内で許容している。これによってシリコンウ
エハー1が研磨される際に発生する水平方向の作用力を
好適に吸収することができる。36はリング状の規制部
材であり、支持部材24の前記凹部26に内嵌してい
る。このリング状の規制部材36は、例えば保持プレー
ト10に損傷を与えないようにデルリン等の樹脂材料に
よって形成されており、保持プレート10が凹部26内
で所定の範囲内よりも水平方向に移動しないよう保持プ
レート10の移動を規制する。 【0011】38は板状の弾性部材であり、例えば硬質
のゴム板材によってドーナツ状に成形されており、前記
凹部26内面と保持プレート10の上面との間に亘って
固定され、保持プレート10を上下方向及び水平方向に
微少範囲内で移動可能に吊持している。図1に示すよう
に、この板状の弾性部材38が凹部26内面に固定され
る位置は、凹部26周縁部全周に設けられた段部24b
であり、この段部24b表面に板状の弾性部材38の外
縁部近傍の上面が当接され、固定プレート40によって
挟まれ、ネジ42により締付られることで気密・固定さ
れている。また、板状の弾性部材38の内縁部近傍の下
面が保持プレート10の上面に当接され、上記外縁部近
傍を固定する固定手段と同様に気密・固定されている。
すなわち、板状の弾性部材38の外周部で支持部材24
側に、その内周部で保持プレート10側に気密・固定さ
れ、板状の弾性部材38の板面が水平となるように配設
さている。 【0012】50は密閉空間であり、支持部材24の凹
部に、上記板状の弾性部材38によって画成されて形成
された空間である。なお、保持プレート10の上面にお
ける板状の弾性部材38と当接可能な部位は、図1に示
すようにシリコンウエハー1の外径と略同径程度に設け
れられており、これに伴い密閉空間50もシリコンウエ
ハー1の外径よりも若干大きく広がっている。この密閉
空間50は前記圧縮空気の連通路32に連通しており、
シリコンウエハー1の表面を定盤20の研磨面22に当
接させた際に、この密閉空間50内に圧縮空気が導入さ
れると、支持部材24上面の略全面に均一な圧力が負荷
される。これにより、所望の圧力によってシリコンウエ
ハー1の表面をその全面に均等な荷重を負荷しつつ、定
盤20の研磨面22に押圧することができる。このと
き、密閉空間50に充填された圧縮空気は流体であるた
め、保持プレート10の全面を均等に押圧し、シリコン
ウエハー1の表面を定盤20の研磨面22の傾斜に素早
く追随させることができる。 【0013】図2に示すように、52はベース部材であ
り、保持プレート10によって保持されるシリコンウエ
ハー1を定盤20の研磨面22上へ供給し、また、その
研磨面22から排出するべく移動可能に、かつ、保持プ
レート10を支持する支持部材24を回転可能に支持し
ている。54は係止部であり、図2の図面上では支持部
材24の回転軸部28の上部に設けられ上下部がフラン
ジ状に形成されており、シリンダ装置56のロッド57
に固定されたアーム部58に回転及びスラスト方向の軸
受を介して係止されている。これにより、支持部材24
はシリンダ装置56によって上方に吊持された状態にあ
る。また、支持部材24は、その回転軸部28が、ベー
ス部材52に対して回転可能に設けられた回転伝達部材
60に、スラスト軸受62を介して嵌入されており、こ
れにより、ベース部材52に対して上下方向に移動可能
にガイドされている。このため、支持部材24は、シリ
ンダ装置56の駆動によって所定の範囲内で上下動可能
となっている。 【0014】64は駆動モータであり、ピニオンギア6
6及び従動ギア68を介して、その従動ギア68がキー
69によって連結された回転伝達部材60を回転させ
る。なお、この回転伝達部材60は、ベース部材52と
の間に配設された回転軸受53によって、ベース部材5
2に対して回転可能に設けられている。70はキー部で
あり、回転伝達部材60と一体に形成されており、回転
軸部28に設けられたキー溝72に係合している。これ
により、支持部材24は回転伝達部材60と共に回転す
ることができる。なお、キー溝72は軸線に沿って縦長
に形成されており、前述したように支持部材24がシリ
ンダ装置56によって上下方向に移動されても、キー部
70とキー溝72との係合状態は維持できる。 【0015】74は低圧源連結ポートであり、真空発生
源と連通するための連結ポートである。また、76は高
圧源連結ポートであり、圧縮空気発生源と連通するため
の連結ポートである。78はシール部材であり、上記の
低圧源連結ポート74には吸引管18が好適に連通し、
高圧源連結ポート76には圧縮空気の連通路32が好適
に連通するようにケース部79と回転軸部28とを好適
に気密している。なお、80はO−リングであり、回転
軸部28と吸引管18との間を気密している。 【0016】以上の構成からなるウエハーの研磨装置に
関して、図1と共にその作用効果について説明する。先
ず、吸引管18に連通する真空発生源により、連通空間
14及び連通路12内を減圧することにより、シリコン
ウエハー1を保持プレート10の下面に吸引して保持す
る。その状態で、ベース部材52を移動させることによ
りシリコンウエハー1を定盤20の上方まで搬送し、さ
らに、シリンダ装置56によって、支持部材24を下方
に下げることにより、シリコンウエハー1の表面を定盤
20の研磨面22に当接させる。 【0017】次に、所定の圧力の圧縮空気を密閉空間5
0に導入することによって、シリコンウエハー1の表面
を研磨面22に所望の圧力で押圧することができる。こ
のとき、圧縮空気は流体であるから保持プレート10の
全面を均等に押圧して、シリコンウエハー1の表面を研
磨面22の傾斜に素早く追随させることができる。ま
た、圧縮空気によって保持プレート10の上面全面に均
等な圧力を負荷することができる。このため、シリコン
ウエハー1の表面が研磨面22の傾斜に追随した状態に
おいても、シリコンウエハー1の表面全面を研磨面22
に均等な圧力で押圧することができる。 【0018】そして、上記の如く好適にシリコンウエハ
ー1に荷重が負荷された状態で、定盤20の研磨面22
上にスラリーを供給しつつ、定盤20が回転すると共に
駆動モータ64の動力により支持部材24が回転され
て、シリコンウエハー1が鏡面研磨される。このとき、
本発明の研磨装置によれば、シリコンウエハー1を研磨
する際に生ずる研磨面22の傾斜等による上下動の変位
に対しては、密閉空間50に充填された圧縮空気と主に
板状の弾性部材38とが作用して好適に追随することが
できる。そして、シリコンウエハー1に作用する水平方
向への作用力に関しては、板状の弾性部材38及びリン
グ状の弾性部材34によって好適に吸収することができ
る。 【0019】さらに、支持部材24と保持プレート10
とは、板面が水平に配設された板状の弾性部材38によ
って連結されているため、シリコンウエハー1の水平面
上の回転による捩じれ力によっても、平面に直交する方
向の力により発生する歪み量に比べその歪み量は非常に
小さく抑えることができる。このため、荷重が負荷され
た状態にあっても、支持部材24の回転に保持プレート
10の回転を好適に追随させてシリコンウエハー1を回
転させることができると同時に、上述の如く定盤20の
傾斜に素早く追随できる。なお、リング状の弾性部材3
4によっても保持プレート10の水平方向の移動が規制
されており、板状の弾性部材38と相乗効果的に保持プ
レート10の捩じれ等の変位を規制しつつ、シリコンウ
エハー1の表面を定盤20の傾斜等に素早く追随できる
のである。以上に説明してきた実施例では、圧縮空気に
よって保持プレート10を介してシリコンウエハー1を
研磨面に押圧する場合を説明したが、他の流体圧例えば
油圧を利用することもできる。以上、本発明の好適な実
施例について種々述べてきたが、本発明はこの実施例に
限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲
内でさらに多くの改変を施し得るのは勿論のことであ
る。 【0020】 【発明の効果】以上の構成を具備するウエハーの研磨装
置によれば、保持プレートの下面に保持されたウエハー
が定盤の研磨面に当接・押圧される際、リング状の弾性
部材と、板状の弾性部材、及び該板状の弾性部材により
画成された支持部材の凹部の密閉空間に供給される高圧
流体との作用により、ウエハー表面は研磨面の傾斜に素
早く追随できると共に、そのようにウエハー表面が研磨
面の傾斜に追随した状態においても、ウエハーの表面全
面を研磨面に均等な圧力で押圧できる。このため、本発
明ウエハーの研磨装置によれば、ウエハーの高い等厚度
及び平坦度を維持しつつウエハー表面を好適に鏡面研磨
することができるという著効を奏する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for polishing a wafer, and more particularly, to a polishing apparatus for holding a wafer on a lower surface and a polishing surface on an upper surface. The present invention relates to a wafer polishing apparatus for mirror-polishing the wafer surface by relatively moving the wafer and the surface plate while pressing the wafer surface against the polishing surface to apply a predetermined load to the wafer surface by pressing the wafer surface. . 2. Description of the Related Art With the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, high uniformity and flatness of silicon wafers are required. In order to satisfy this requirement, it is necessary to maintain high parallelism between the holding plate and the surface plate when polishing a silicon wafer. Conventionally, in order to process a high-precision wafer as described above, as shown in FIG. A wafer polishing apparatus is used. According to this wafer polishing apparatus, the holding plate 90 is rotated by the rotating shaft member 92 via the spherical bearing 91.
Supported by That is, the convex spherical surface 90a protruding from the upper surface of the holding plate 90 is slidably fitted into the concave spherical surface 91a of the spherical bearing 91 fixed to the rotating shaft member 92, and the holding plate 90 follows the inclination of the surface plate. As a result, the surface of the wafer 93 can be mirror-polished while maintaining high parallelism and flatness. However, according to the above-described conventional wafer polishing apparatus, the concave spherical surface 91a of the spherical bearing 91 is
Since a frictional force acts when the convex spherical surface 90a on the upper surface of the holding plate 90 slides, it is difficult for the holding plate 90 to quickly follow the inclination of the platen or the like. The holding plate 9
0 is formed on a convex spherical surface 90a protruding in a hemispherical shape,
Since the rigidity of the member is increased, the load applied to the central portion of the holding plate 90 from above can be dispersed and act on the outer peripheral portion of the holding plate 90, but the outer peripheral portion is held by the holding plate 90. There is a problem that an equal pressure load cannot be applied to the entire surface of the wafer. For this reason, there has been a problem that it is difficult to efficiently process a wafer that requires very high uniform thickness and flatness. Accordingly, an object of the present invention is to provide a load device capable of suitably following the inclination of the polished surface of the surface plate and capable of suitably applying an equal pressure load to the entire surface of the wafer. It is an object of the present invention to provide an apparatus for polishing a wafer. [0005] In order to achieve the above object, the present invention comprises the following arrangement. That is, according to the wafer polishing apparatus of the present invention, the holding plate for holding the wafer on the lower surface is pressed against a surface plate having a polishing surface on the upper surface, whereby the wafer surface is brought into contact with the polishing surface and the wafer is polished. In a wafer polishing apparatus for mirror-polishing a wafer surface by relatively moving a wafer and a surface plate while applying a predetermined load to the surface, the wafer has a concave portion opened downward, and the holding plate is provided in the concave portion. Is provided between the outer peripheral surface of the holding plate and the inner peripheral surface of the recess, and a ring-shaped member that allows the horizontal movement of the holding plate within a minute range. An elastic member;
Fixed between the inner surface of the recess and the holding plate,
A plate-like elastic member for suspending the holding plate movably in a small range in the vertical and horizontal directions, a closed space defined by the plate-like elastic member, and a predetermined space in the closed space. Fluid supply means for supplying fluid under pressure. According to the wafer polishing apparatus of the present invention, the holding member supported by the supporting member so as to be movable within a minute range in the vertical and horizontal directions by the ring-shaped elastic member and the plate-shaped elastic member. The plate is pressed against the polishing surface of the platen by the pressure of the pressure fluid. Therefore, when the wafer held on the lower surface of the holding plate is brought into contact with and pressed against the polishing surface of the surface plate, the above-described pressure fluid acts, and the wafer can quickly follow the inclination of the polishing surface. Further, since the high-pressure fluid is supplied to the space of the concave portion of the support member defined by the plate-like elastic member, an equal pressure can be applied to the upper surface of the holding plate. Thereby, when the wafer held on the lower surface of the holding plate is brought into contact with and pressed against the polishing surface of the platen, an equal pressure load can be applied to the entire surface of the wafer. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view of a principal part showing an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing a driving mechanism and the like of the wafer polishing apparatus of the embodiment of FIG. Reference numeral 10 denotes a holding plate, which abuts on the silicon wafer 1 on the lower surface 11 and can hold the silicon wafer 1 by suction. The holding plate 10 is provided with a plurality of communication holes 12 opened on the lower surface, and as shown in FIG. 1, a communication space 14 provided in a horizontal direction at an upper end of the communication hole 12 inside the holding plate 10. Are in communication with each other. The communication space 14 is connected to a suction pipe 18 via a connecting member 16. As shown in FIG. 1, the connecting member 16 is an O-ring 1.
The connection member 16 is airtightly fitted to the holding plate 10 via an O-ring 17. Thereby, the communication space 14 and the suction pipe 18 are communicated while leaving some degree of freedom between the suction pipe 18 and the holding plate 10. A surface plate 20 shown in FIG. 2 is usually provided with a polishing cloth adhered on an upper surface thereof, thereby forming a polishing surface 22 for polishing the surface of the silicon wafer 1.
A polishing liquid containing a slurry is supplied to the polishing surface 22, and the surface of the silicon wafer 1 held on the lower surface of the holding plate 10 is abutted and pressed while applying a predetermined load to the polishing surface 22. By relatively moving the silicon wafer 1 and the surface plate 20, the silicon wafer 1
The surface can be mirror polished. The rotation direction of the platen 20 is usually provided so as to be rotatable in the same direction as the rotation of the holding plate 10 for holding the silicon wafer 1 on the lower surface. The surface of the silicon wafer 1 is mirror-polished by relatively moving the surface of the wafer 1 and the polishing surface 22. Reference numeral 24 denotes a support member having a concave portion 26 which opens downward, and is provided with a ridge-shaped engaging portion 26a provided on the entire periphery of the outer peripheral side wall portion forming the concave portion 26. The holding plate 10 can be supported so that the holding plate 10 does not fall out of the recess 26. The support member 24 has a rod-shaped rotary shaft 2 along the central axis.
8 are provided upward. This rotating shaft 2
8, a through hole 30 is penetrated along the axial center line,
The suction tube 18 is fitted into the through hole 30. The diameter of the through hole 30 is slightly larger than the outer shape of the suction pipe 18, and a gap between the inner wall of the through hole 30 and the outer wall of the suction pipe 18 serves as a communication passage 32 for compressed air as a high-pressure fluid. ing. Reference numeral 34 denotes a ring-shaped elastic member, which is an O-ring-shaped member formed of, for example, rubber or the like.
The ring-shaped elastic member 34 is disposed between the outer peripheral surface 10a of the holding plate and the inner peripheral surface 24a of the concave portion so as to be in contact with each other, and allows the horizontal movement of the holding plate 10 within a minute range. I accept. Thereby, the horizontal acting force generated when the silicon wafer 1 is polished can be suitably absorbed. Reference numeral 36 denotes a ring-shaped regulating member, which is fitted in the recess 26 of the support member 24. The ring-shaped restricting member 36 is formed of a resin material such as Delrin, for example, so as not to damage the holding plate 10, and the holding plate 10 does not move more horizontally in the recess 26 than within a predetermined range. The movement of the holding plate 10 is restricted. Reference numeral 38 denotes a plate-like elastic member, which is formed into a donut shape by, for example, a hard rubber plate material, and is fixed between the inner surface of the concave portion 26 and the upper surface of the holding plate 10. It is suspended so that it can move within a small range in the vertical and horizontal directions. As shown in FIG. 1, the position at which the plate-like elastic member 38 is fixed to the inner surface of the concave portion 26 is a step portion 24b provided on the entire periphery of the peripheral portion of the concave portion 26.
The upper surface near the outer edge of the plate-like elastic member 38 is in contact with the surface of the step portion 24b, is sandwiched by the fixing plate 40, and is airtightly fixed by being tightened by the screw 42. The lower surface near the inner edge of the plate-like elastic member 38 is in contact with the upper surface of the holding plate 10, and is airtight and fixed in the same manner as the fixing means for fixing the vicinity of the outer edge.
That is, the support member 24 is formed around the outer periphery of the plate-like elastic member 38.
The inner peripheral portion is hermetically fixed to the holding plate 10 side, and is disposed so that the plate surface of the plate-shaped elastic member 38 is horizontal. Reference numeral 50 denotes a closed space, which is a space defined by the plate-shaped elastic member 38 in the concave portion of the support member 24. The portion of the upper surface of the holding plate 10 that can contact the plate-like elastic member 38 is provided with a diameter substantially equal to the outer diameter of the silicon wafer 1 as shown in FIG. The space 50 also extends slightly larger than the outer diameter of the silicon wafer 1. This closed space 50 communicates with the communication passage 32 of the compressed air,
When compressed air is introduced into the closed space 50 when the surface of the silicon wafer 1 is brought into contact with the polishing surface 22 of the surface plate 20, a uniform pressure is applied to substantially the entire upper surface of the support member 24. . This allows the surface of the silicon wafer 1 to be pressed against the polishing surface 22 of the platen 20 while applying a uniform load to the entire surface of the silicon wafer 1 with a desired pressure. At this time, since the compressed air filled in the closed space 50 is a fluid, the entire surface of the holding plate 10 is pressed evenly and the surface of the silicon wafer 1 can quickly follow the inclination of the polishing surface 22 of the platen 20. it can. As shown in FIG. 2, reference numeral 52 denotes a base member for supplying the silicon wafer 1 held by the holding plate 10 onto the polishing surface 22 of the platen 20 and discharging the silicon wafer 1 from the polishing surface 22. A support member 24 that supports the holding plate 10 is rotatably supported and is movable. Reference numeral 54 denotes a locking portion, which is provided above the rotary shaft portion 28 of the support member 24 in the drawing of FIG.
The arm 58 is fixed to the arm 58 via bearings in the rotation and thrust directions. Thereby, the support member 24
Is in a state of being suspended upward by the cylinder device 56. In addition, the support member 24 has its rotation shaft 28 inserted through a thrust bearing 62 into a rotation transmission member 60 rotatably provided with respect to the base member 52, whereby the base member 52 On the other hand, it is guided so as to be movable up and down. For this reason, the support member 24 can be moved up and down within a predetermined range by driving the cylinder device 56. Reference numeral 64 denotes a drive motor, and the pinion gear 6
The driven gear 68 rotates the rotation transmitting member 60 connected by the key 69 via the driven gear 6 and the driven gear 68. The rotation transmitting member 60 is rotated by a rotating bearing 53 disposed between the rotation transmitting member 60 and the base member 52.
2 is provided so as to be rotatable. Reference numeral 70 denotes a key portion, which is formed integrally with the rotation transmitting member 60 and engages with a key groove 72 provided in the rotation shaft portion 28. Thus, the support member 24 can rotate together with the rotation transmitting member 60. The key groove 72 is formed vertically long along the axis. Even if the support member 24 is vertically moved by the cylinder device 56 as described above, the engagement between the key portion 70 and the key groove 72 is maintained. Can be maintained. Reference numeral 74 denotes a low-pressure source connection port, which is a connection port for communicating with a vacuum generation source. A high-pressure source connection port 76 is a connection port for communicating with a compressed air generation source. Reference numeral 78 denotes a seal member, and the suction pipe 18 suitably communicates with the low-pressure source connection port 74.
The case 79 and the rotating shaft 28 are preferably airtightly sealed so that the communication passage 32 of the compressed air is preferably communicated with the high-pressure source connection port 76. Reference numeral 80 denotes an O-ring, which seals the space between the rotary shaft 28 and the suction tube 18. The operation and effect of the wafer polishing apparatus having the above configuration will be described with reference to FIG. First, the pressure in the communication space 14 and the communication path 12 is reduced by a vacuum source communicating with the suction pipe 18, so that the silicon wafer 1 is suctioned and held on the lower surface of the holding plate 10. In this state, the silicon wafer 1 is conveyed to a position above the platen 20 by moving the base member 52, and the support member 24 is lowered by the cylinder device 56 so that the surface of the silicon wafer 1 is fixed to the platen. 20 is brought into contact with the polishing surface 22. Next, compressed air of a predetermined pressure is supplied to the closed space 5.
In this case, the surface of the silicon wafer 1 can be pressed against the polishing surface 22 with a desired pressure. At this time, since the compressed air is a fluid, the entire surface of the holding plate 10 is evenly pressed, so that the surface of the silicon wafer 1 can quickly follow the inclination of the polishing surface 22. Further, a uniform pressure can be applied to the entire upper surface of the holding plate 10 by the compressed air. Therefore, even when the surface of the silicon wafer 1 follows the inclination of the polishing surface 22, the entire surface of the silicon wafer 1 is
Can be pressed with a uniform pressure. Then, while the load is suitably applied to the silicon wafer 1 as described above, the polishing surface 22 of the
While supplying the slurry thereon, the platen 20 rotates and the support member 24 is rotated by the power of the drive motor 64, so that the silicon wafer 1 is mirror-polished. At this time,
According to the polishing apparatus of the present invention, the compressed air filled in the closed space 50 and the plate-like elasticity mainly prevent the vertical movement caused by the inclination of the polishing surface 22 caused when polishing the silicon wafer 1. The member 38 works and can suitably follow. The horizontal acting force acting on the silicon wafer 1 can be suitably absorbed by the plate-shaped elastic member 38 and the ring-shaped elastic member 34. Further, the support member 24 and the holding plate 10
Is a strain generated by a force in a direction perpendicular to the plane even by a torsional force caused by rotation of the silicon wafer 1 on a horizontal plane, because the planes of the silicon wafer 1 are connected by a plate-shaped elastic member 38 disposed horizontally. The amount of distortion can be very small compared to the amount. Therefore, even when the load is applied, the silicon wafer 1 can be rotated by suitably following the rotation of the holding plate 10 with the rotation of the support member 24, and at the same time, the surface plate 20 is rotated as described above. Can quickly follow the slope. The ring-shaped elastic member 3
The movement of the holding plate 10 in the horizontal direction is also regulated by the plate 4, and the displacement of the holding plate 10, such as torsion, is regulated synergistically with the plate-like elastic member 38, and the surface of the silicon wafer 1 is placed on the surface plate 20. Can quickly follow the inclination of the vehicle. In the embodiment described above, the case where the silicon wafer 1 is pressed against the polishing surface by the compressed air via the holding plate 10 has been described. However, another fluid pressure, for example, a hydraulic pressure may be used. As described above, various preferred embodiments of the present invention have been described. However, the present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that many more modifications can be made without departing from the spirit of the invention. That is. According to the wafer polishing apparatus having the above structure, when the wafer held on the lower surface of the holding plate abuts and is pressed against the polishing surface of the surface plate, a ring-like elasticity is obtained. The wafer surface can quickly follow the inclination of the polishing surface by the action of the member, the plate-like elastic member, and the high-pressure fluid supplied to the closed space of the concave portion of the support member defined by the plate-like elastic member. In addition, even in such a state where the wafer surface follows the inclination of the polishing surface, the entire surface of the wafer can be pressed against the polishing surface with a uniform pressure. For this reason, according to the wafer polishing apparatus of the present invention, the wafer surface can be suitably mirror-polished while maintaining high uniform thickness and flatness of the wafer.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明にかかるウエハーの研磨装置の一実施例
を示す断面図 【図2】図1の実施例のウエハーの研磨装置にかかる駆
動機構等を示す断面図 【図3】従来の技術を示す断面図 【符号の説明】 1 シリコンウエハー 10 保持プレート 11 保持面 12 連通路 14 連通空間 16 連結部材 18 吸引管 20 定盤 22 研磨面 24 支持部材 26 凹部 28 回転軸部 30 貫通孔 32 圧縮空気の連通孔 34 リング状の弾性部材 36 リング状の規制部材 38 板状の弾性部材 50 密閉空間
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a drive mechanism and the like of the wafer polishing apparatus of the embodiment shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional technique [Description of symbols] 1 Silicon wafer 10 Holding plate 11 Holding surface 12 Communication path 14 Communication space 16 Connection member 18 Suction tube 20 Surface plate 22 Polishing surface 24 Support member 26 Depression 28 Rotation Shaft 30 Through-hole 32 Compressed air communication hole 34 Ring-shaped elastic member 36 Ring-shaped regulating member 38 Plate-shaped elastic member 50 Sealed space

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【手続補正書】 【提出日】平成14年7月15日(2002.7.1
5) 【手続補正1】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】全文 【補正方法】変更 【補正内容】 【書類名】 明細書 【発明の名称】 ウエハーの研磨装置 【特許請求の範囲】 【請求項1】 下面にてウエハーを保持する保持プレー
トを、上面に研磨面を有する定盤に押圧することによ
り、該研磨面にウエハー表面を当接させ該ウエハー表面
に所定の荷重を与えつつ、ウエハーと定盤とを相対的に
運動させウエハー表面を鏡面研磨するウエハーの研磨装
置において、 下方に向けて開放する凹部を有し、該凹部を囲む外周側
壁部の下端部全周にわたって内方に突出して設けられ、
前記保持プレートの外周側面に設けられた段部を、該
持プレートが該凹部内から脱落しないように支持する
周部を有する支持部材と、該支持部材の 凹部の内天井周縁または該内天井面周縁
の近傍と保持プレートの上部との間に亘って固定され、
保持プレートを上下方向及び水平方向に移動可能に吊
持すると共に、該保持プレートと共に該凹部の内天井面
を覆って密閉空間を画成する板状の弾性部材と 前記 密閉空間に所定圧力の流体を供給する流体の供給手
段と 前記支持部材の突周部の内周面に設けられた溝部内に嵌
められ、保持プレートの下端側の外周面に当接して配設
され、該保持プレートの水平方向の移動を許容するリン
グ状の弾性部材と、 該リング状の弾性部材と前記板状の弾性部材との間に位
置して、前記支持部材の凹部に内嵌されて配設され、該
保持プレートの上下方向の移動をガイドすると共に、該
保持プレートの水平方向の移動を所定の範囲内に規制す
るリング状の規制部材と を具備することを特徴とするウ
エハーの研磨装置。 【請求項2】 前記リング状の規制部材は、 断面がL字状に形成されて、 前記突周部の上面と前記保持プレートの前記段部との間
に位置して、該保持プレートの下方への移動を規制する
支持部と、 前記突周部の内周面と前記保持プレートの外周面との間
に進入し、該保持プレートの水平方向の移動を規制する
進入部とを備えることを特徴とする請求項1記載のウエ
ハーの研磨装置。 【請求項3】 前記リング状の規制部材は、デルリン等
の樹脂材料によって形成されていることを特徴とする請
求項1または2記載のウエハーの研磨装置。 【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、ウエハーの研磨装置に
関し、さらに詳細には、下面にてウエハーを保持する保
持プレートを、上面に研磨面を有する定盤に押圧するこ
とにより、該研磨面にウエハー表面を当接させ該ウエハ
ー表面に所定の荷重を与えつつ、ウエハーと定盤とを相
対的に運動させウエハー表面を鏡面研磨するウエハーの
研磨装置に関する。 【0002】 【従来の技術】近年の半導体装置の高集積化に伴い、シ
リコンウエハーの高い等厚度及び平坦度が要求されてい
る。この要求を満たすには、シリコンウエハーを研磨す
る際の保持プレートと定盤との平行度を高精度に保つ必
要がある。従来、上記の如く高精度のウエハーを加工す
るため、図3に示すようなウエハーの研磨装置が使用さ
れている。このウエハーの研磨装置によれば、保持プレ
ート90が、球面軸受91を介して回転軸部材92によ
って支持されている。すなわち、回転軸部材92に固定
された球面軸受91の凹球面91aに、保持プレート9
0上面に突設された凸球面90aが滑動自在に嵌入され
ており、保持プレート90は定盤の傾斜に追随して自在
に傾斜することができ、これにより、高い平行度及び平
坦度を維持しつつウエハー93の表面を鏡面研磨するこ
とができる。 【0003】しかしながら、上記従来のウエハーの研磨
装置によれば、球面軸受91の凹球面91aに対して、
保持プレート90上面の凸球面90aが滑る際に摩擦力
が働くため、保持プレート90が、定盤の傾斜等に素早
く追随することが困難であった。また、保持プレート9
0の上面が半球状に突起した凸球面90aに形成され、
部材としての剛性が高くなっているため、保持プレート
90の外周部においても、該保持プレート90の中央部
に負荷される上方からの荷重が分散して作用できるもの
の、保持プレート90に保持されたウエハーの表面全面
について等圧の荷重を負荷することはできないという課
題がある。このため、非常に高精度な等厚度及び平坦度
を要求されるウエハーの加工を能率良く行うことは難し
いという課題があった。 【0004】そこで、本発明の目的は、定盤研磨面の傾
斜に対して好適に追随することができると共に、ウエハ
ーの表面全面に等圧の荷重を好適に負荷することのでき
る荷重装置を具備するウエハーの研磨装置を提供するこ
とにある。 【0005】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、本発明のウ
エハーの研磨装置によれば、下面にてウエハーを保持す
る保持プレートを、上面に研磨面を有する定盤に押圧す
ることにより、該研磨面にウエハー表面を当接させ該ウ
エハー表面に所定の荷重を与えつつ、ウエハーと定盤と
を相対的に運動させウエハー表面を鏡面研磨するウエハ
ーの研磨装置において、下方に向けて開放する凹部を有
し、該凹部を囲む外周側壁部の下端部全周にわたって内
方に突出して設けられ、前記保持プレートの外周側面に
設けられた段部を、該保持プレートが該凹部内から脱落
しないように支持する突周部を有する支持部材と、該支
持部材の凹部の内天井周縁または該内天井面周縁の近
と保持プレートの上部との間に亘って固定され、
持プレートを上下方向及び水平方向に移動可能に吊持す
と共に、該保持プレートと共に該凹部の内天井面を覆
って密閉空間を画成する板状の弾性部材と、前記密閉空
間に所定圧力の流体を供給する流体の供給手段と、前記
支持部材の突周部の内周面に設けられた溝部内に嵌めら
れ、保持プレートの下端側の外周面に当接して配設さ
れ、該保持プレートの水平方向の移動を許容するリング
状の弾性部材と、該リング状の弾性部材と前記板状の弾
性部材との間に位置して、前記支持部材の凹部に内嵌さ
れて配設され、該保持プレートの上下方向の移動をガイ
ドすると共に、該保持プレートの水平方向の移動を所定
の範囲内に規制するリング状の規制部材とを具備するこ
とを特徴とする。 【0006】さらに、前記リング状の規制部材は、断面
がL字状に形成されて、前記突周部の上面と前記保持プ
レートの前記段部との間に位置して、該保持プレートの
下方への移動を規制する支持部と、前記突周部の内周面
と前記保持プレートの外周面との間に進入し、該保持プ
レートの水平方向の移動を規制する進入部とを備えるこ
とを特徴とする。 【0007】また、前記リング状の規制部材は、デルリ
ン等の樹脂材料によって形成されていることを特徴とす
る。 【0008】 【作用】本発明のウエハーの研磨装置によれば、保持プ
レートは、板状の弾性部材とリング状の弾性部材とに
って上部および下部を弾性的に支持されるので、研磨面
の傾斜に素早く追随すると共に、水平方向への作用力も
吸収される。また過度の作用力が加わった際には、保持
プレートはリング状の規制部材によって、所定の範囲よ
りも水平方向に移動しないように規制されるのである。
また、保持プレートは、板状の弾性部材を介して支持部
材から直接に回転力が伝達されるが、保持プレートは、
周方向に長く当接するリング状の弾性部材との間の摩擦
力によっても支持部材からの回転力が伝達され、これに
よって保持プレートの捩れ等の変位が規制され、つまり
は板状の弾性部材の捩れが規制され、板状の弾性部材の
損傷を防止できる。 【0009】 【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図1は本発明にかかるウエハー
の研磨装置の一実施例を示す要部断面図であり、図2は
図1の実施例のウエハーの研磨装置にかかる駆動機構等
を示す断面図である。10は保持プレートであり、下面
11にてシリコンウエハー1に当接し、そのシリコンウ
エハー1を吸着して保持することができる。この保持プ
レート10には、下面に開口する複数の連通孔12が設
けられており、図1に示すように保持プレート10内部
の上記連通孔12の上端において水平方向に設けられた
連通空間14によって相互に連通している。この連通空
間14は連結部材16を介して吸引管18に連通されて
いる。図1に示すように、連結部材16はO−リング1
9を介して吸引管18に気密・嵌合されており、この連
結部材16が保持プレート10にO−リング17を介し
て気密・嵌入されている。これにより、吸引管18と保
持プレート10との間に若干の自由度を残しつつ、連通
空間14と吸引管18とが連通されている。 【0010】図2に示す20は定盤であり、通常、上面
に研磨布が貼着されており、これによってシリコンウエ
ハー1の表面を研磨する研磨面22が形成されている。
この研磨面22には、スラリーを含む研磨液が供給さ
れ、保持プレート10の下面に保持されたシリコンウエ
ハー1表面がその研磨面22に所定の荷重を与えられつ
つ当接・押圧されると共に、シリコンウエハー1と定盤
20とを相対的に運動させることでシリコンウエハー1
表面を鏡面研磨することができる。また、定盤20の回
転方向は、通常、シリコンウエハー1を下面に保持する
保持プレート10の回転と同方向に回転可能に設けられ
ており、回転軸のズレと相互の回転数の違いによりシリ
コンウエハー1表面と研磨面22とが相対的に運動され
ることによって、シリコンウエハー1の表面が鏡面研磨
される。 【0011】24は支持部材であり、下方に向けて開放
する凹部26を有し、この凹部26を形成する外周側壁
部の端部全周にわたって内方に突出して設けられた突
部26a等によって、凹部26内から保持プレート1
0が脱落しないように、該保持プレート10の外周側面
に設けられた段部10bを支持することができる。この
支持部材24には、中心軸に沿って棒状の回転軸部28
が、上方に向かって設けられている。この回転軸部28
には、軸心線に沿って貫通孔30が貫通されており、こ
の貫通孔30に前記吸引管18が嵌入されている。貫通
孔30の径は、吸引管18の外形よりも一回り大きく形
成されており、この貫通孔30内壁と吸引管18の外壁
との間隙が、高圧流体である圧縮空気の連通路32とな
っている。 【0012】34はリング状の弾性部材であり、例えば
ゴム等により成形されたO−リング状の部材からなる。
このリング状の弾性部材34は、図1に示す様に、支持
部材24の突周部26aの内周面に設けられた溝部26
b内に嵌められ、保持プレートの下端側外周面10aに
当接するように配設され、保持プレート10の水平方向
の移動を微小範囲内で許容している。これによってシリ
コンウエハー1が研磨される際に発生する水平方向の作
用力を好適に吸収することができる。36はリング状の
規制部材であり、リング状の弾性部材34と後述する板
状の弾性部材38との間に位置し、支持部材24の前記
凹部26に内嵌している。リング状の規制部材36は、
図1に示す様に、断面がL字状に形成されて、前記突周
部26aの上面と保持プレート10の段部10bとの間
に位置して、保持プレート10の下方への移動を突周部
26aと共に規制する支持部36a(L字の水平部)
と、突周部26aの内周面と保持プレート10の外周面
との間に進入し、保持プレート10が凹部26内で所定
の範囲内よりも水平方向に移動しないよう保持プレート
10の移動を規制する進入部36b(L字の鉛直部)と
を備えるリング状の規制部材36によって、保持プレ
ート10は、支持部材24と直接に接触することがなく
なり、リング状の規制部材36を、例えばデルリン等の
樹脂材料によって形成することにより、保持プレート1
0に損傷を与えることがない。 【0013】38は板状の弾性部材であり、例えば硬質
のゴム板材によってドーナツ状に成形されており、前記
凹部26内面と保持プレート10の上面との間に亘って
固定され、保持プレート10を上下方向及び水平方向に
微少範囲内で移動可能に吊持している。図1に示すよう
に、この板状の弾性部材38が凹部26内面に固定され
る位置は、凹部26の内天井面の周縁部全周に設けられ
た段部24bであり、この段部24b表面に板状の弾性
部材38の外縁部近傍の上面が当接され、固定プレート
40によって挟まれ、ネジ42により締付られることで
気密・固定されている。また、板状の弾性部材38の内
縁部近傍の下面が保持プレート10の上面に当接され、
上記外縁部近傍を固定する固定手段と同様に気密・固定
されている。すなわち、板状の弾性部材38の外周部で
支持部材24側に、その内周部で保持プレート10側に
気密・固定され、板状の弾性部材38の板面が水平とな
るように配設さている。 【0014】50は密閉空間であり、支持部材24の凹
26内に、凹部26の内天井面が、保持プレート10
板状の弾性部材38によって覆われて画成されて形成
された空間である。なお、保持プレート10の上面にお
ける板状の弾性部材38と当接可能な部位は、図1に示
すようにシリコンウエハー1の外径と略同径程度に設け
れられており、これに伴い密閉空間50もシリコンウエ
ハー1の外径よりも若干大きく広がっている。この密閉
空間50は前記圧縮空気の連通路32に連通しており、
シリコンウエハー1の表面を定盤20の研磨面22に当
接させた際に、この密閉空間50内に圧縮空気が導入さ
れると、支持部材24上面の略全面に均一な圧力が負荷
される。これにより、所望の圧力によってシリコンウエ
ハー1の表面をその全面に均等な荷重を負荷しつつ、定
盤20の研磨面22に押圧することができる。このと
き、密閉空間50に充填された圧縮空気は流体であるた
め、保持プレート10の全面を均等に押圧し、シリコン
ウエハー1の表面を定盤20の研磨面22の傾斜に素早
く追随させることができる。 【0015】図2に示すように、52はベース部材であ
り、保持プレート10によって保持されるシリコンウエ
ハー1を定盤20の研磨面22上へ供給し、また、その
研磨面22から排出するべく移動可能に、かつ、保持プ
レート10を支持する支持部材24を回転可能に支持し
ている。54は係止部であり、図2の図面上では支持部
材24の回転軸部28の上部に設けられ上下部がフラン
ジ状に形成されており、シリンダ装置56のロッド57
に固定されたアーム部58に回転及びスラスト方向の軸
受を介して係止されている。これにより、支持部材24
はシリンダ装置56によって上方に吊持された状態にあ
る。また、支持部材24は、その回転軸部28が、ベー
ス部材52に対して回転可能に設けられた回転伝達部材
60に、スラスト軸受62を介して嵌入されており、こ
れにより、ベース部材52に対して上下方向に移動可能
にガイドされている。このため、支持部材24は、シリ
ンダ装置56の駆動によって所定の範囲内で上下動可能
となっている。 【0016】64は駆動モータであり、ピニオンギア6
6及び従動ギア68を介して、その従動ギア68がキー
69によって連結された回転伝達部材60を回転させ
る。なお、この回転伝達部材60は、ベース部材52と
の間に配設された回転軸受53によって、ベース部材5
2に対して回転可能に設けられている。70はキー部で
あり、回転伝達部材60と一体に形成されており、回転
軸部28に設けられたキー溝72に係合している。これ
により、支持部材24は回転伝達部材60と共に回転す
ることができる。なお、キー溝72は軸線に沿って縦長
に形成されており、前述したように支持部材24がシリ
ンダ装置56によって上下方向に移動されても、キー部
70とキー溝72との係合状態は維持できる。 【0017】74は低圧源連結ポートであり、真空発生
源と連通するための連結ポートである。また、76は高
圧源連結ポートであり、圧縮空気発生源と連通するため
の連結ポートである。78はシール部材であり、上記の
低圧源連結ポート74には吸引管18が好適に連通し、
高圧源連結ポート76には圧縮空気の連通路32が好適
に連通するようにケース部79と回転軸部28とを好適
に気密している。なお、80はO−リングであり、回転
軸部28と吸引管18との間を気密している。 【0018】以上の構成からなるウエハーの研磨装置に
関して、図1と共にその作用効果について説明する。先
ず、吸引管18に連通する真空発生源により、連通空間
14及び連通12内を減圧することにより、シリコン
ウエハー1を保持プレート10の下面に吸引して保持す
る。その状態で、ベース部材52を移動させることによ
りシリコンウエハー1を定盤20の上方まで搬送し、さ
らに、シリンダ装置56によって、支持部材24を下方
に下げることにより、シリコンウエハー1の表面を定盤
20の研磨面22に当接させる。 【0019】次に、所定の圧力の圧縮空気を密閉空間5
0に導入することによって、シリコンウエハー1の表面
を研磨面22に所望の圧力で押圧することができる。こ
のとき、圧縮空気は流体であるから保持プレート10の
全面を均等に押圧し、また、保持プレート10は、板状
の弾性部材38およびリング状の弾性部材34によって
上下方向および水平方向に移動可能に支持されるため、
保持プレート10は、シリコンウエハー1を伴って研磨
面22の傾斜に素早く追随することができ、従って、
リコンウエハー1の表面を研磨面22の傾斜に素早く追
随させることができる。また、圧縮空気によって保持プ
レート10の上面全面に均等な圧力を負荷することがで
きる。このため、シリコンウエハー1の表面が研磨面2
2の傾斜に追随した状態においても、シリコンウエハー
1の表面全面を研磨面22に均等な圧力で押圧すること
ができる。 【0020】そして、上記の如く好適にシリコンウエハ
ー1に荷重が負荷された状態で、定盤20の研磨面22
上にスラリーを供給しつつ、定盤20が回転すると共に
駆動モータ64の動力により支持部材24が回転され
て、シリコンウエハー1が鏡面研磨される。このとき、
本発明の研磨装置によれば、シリコンウエハー1を研磨
する際に生ずる研磨面22の傾斜等による上下動の変位
に対しては、密閉空間50に充填された圧縮空気と主に
板状の弾性部材38とが作用して好適に追随することが
できる。そして、シリコンウエハー1に作用する水平方
向への作用力は、保持プレート10の上部を支持する
状の弾性部材38及び保持プレート10の下部外周面に
当接するリング状の弾性部材34によって好適に吸収
る。そしてまたシリコンウエハー1に過度の作用力が
加わった場合には、リング状の規制部材36の進入部3
6bにより、保持プレート10が凹部26内で所定の範
囲よりも水平方向に移動しないように規制されるのであ
る。 【0021】さらに、保持プレート10は、板面が水平
に配設された板状の弾性部材38によって支持部材24
連結されていると共に、その下部外周面がリング状の
弾性部材34によっても水平方向の移動が規制されてい
るので、板状の弾性部材38とリング状の弾性部材34
との相乗効果により保持プレート10の捩れ等の変位を
規制する換言すれば、保持プレート10は、板状の弾
性部材38を介して支持部材24から直接に回転力が伝
達されるが、保持プレート10は、周方向に長く当接す
るリング状の弾性部材34との間の摩擦力によっても支
持部材24からの回転力が伝達され、これによって保持
プレート10の捩れ等の変位が規制される。つまりは板
状の弾性部材38の捩れが規制され、板状の弾性部材3
8の損傷を防止できるのである。以上に説明してきた実
施例では、圧縮空気によって保持プレート10を介して
シリコンウエハー1を研磨面に押圧する場合を説明した
が、他の流体圧例えば油圧を利用することもできる。以
上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが、
本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の
精神を逸脱しない範囲内でさらに多くの改変を施し得る
のは勿論のことである。 【0022】 【発明の効果】以上の構成を具備するウエハーの研磨装
置によれば、保持プレートは、板状の弾性部材とリング
状の弾性部材とによって上部および下部を弾性的に支持
されるので、研磨面の傾斜に素早く追随ると共に、
平方向への作用力も吸収される。また過度の作用力が加
わった際には、保持プレートはリング状の規制部材によ
って、所定の範囲よりも水平方向に移動しないように規
制されるのである。また、保持プレートは、板状の弾性
部材を介して支持部材から直接に回転力が伝達される
が、保持プレートは、周方向に長く当接するリング状の
弾性部材との間の摩擦力によっても支持部材からの回転
力が伝達され、これによって保持プレートの捩れ等の変
位が規制され、つまりは板状の弾性部材の捩れが規制さ
れ、板状の弾性部材の損傷を防止できる。 【図面の簡単な説明】 【図1】本発明にかかるウエハーの研磨装置の一実施例
を示す断面図 【図2】図1の実施例のウエハーの研磨装置にかかる駆
動機構等を示す断面図 【図3】従来の技術を示す断面図 【符号の説明】 1 シリコンウエハー 10 保持プレート 11 保持面 12 連通路 14 連通空間 16 連結部材 18 吸引管 20 定盤 22 研磨面 24 支持部材 26 凹部 28 回転軸部 30 貫通孔 32 圧縮空気の連通孔 34 リング状の弾性部材 36 リング状の規制部材 38 板状の弾性部材 50 密閉空間 【手続補正2】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図1 【補正方法】変更 【補正内容】 【図1】
────────────────────────────────────────────────── ───
[Procedure for Amendment] [Date of Submission] July 15, 2002 (2002.7.1
5) [Procedure amendment 1] [Document name to be amended] Description [Item name to be amended] Full text [Amendment method] Change [Content of amendment] [Document name] Description [Title of invention] Wafer polishing apparatus [Claim 1. A holding plate for holding a wafer on a lower surface thereof is pressed against a surface plate having a polishing surface on an upper surface, thereby bringing the wafer surface into contact with the polishing surface and applying a predetermined load to the wafer surface. A wafer polishing apparatus for mirror-polishing a wafer surface by relatively moving a wafer and a surface plate while giving the wafer, wherein the outer peripheral side surrounding the recess has a concave portion opened downward.
It is provided to protrude inward over the entire periphery of the lower end of the wall,
Collision for supporting the stepped portion provided on the outer peripheral side surface of the holding plate, such that the coercive <br/> lifting plate from falling off from the recess
A support member having a peripheral portion, the inner ceiling surface periphery or inner ceiling surface peripheral edge of the recess of the support member
Fixed between the vicinity of and the top of the holding plate,
With the holding plate to the vertical direction and suspended horizontally move possible, the inner ceiling surface of the recess together with the holding plate
A plate-like elastic member defining an enclosed space over the said sealing and feed means for fluid for supplying a predetermined pressure of the fluid in the space, the support member groove provided on the inner peripheral surface of the circular projection of the Fit into
And placed in contact with the outer peripheral surface at the lower end of the holding plate.
And a ring that allows the holding plate to move in the horizontal direction.
A grayed-like elastic member, position between the plate-like elastic member and the ring-shaped elastic member
Placed in the recess of the support member and disposed,
While guiding the vertical movement of the holding plate,
Restrict the horizontal movement of the holding plate within a specified range.
And a ring-shaped regulating member . 2. The ring-shaped restricting member has an L-shaped cross section, and is formed between an upper surface of the projecting peripheral portion and the step of the holding plate.
And restricts the downward movement of the holding plate.
Between a supporting portion, an inner peripheral surface of the projecting peripheral portion and an outer peripheral surface of the holding plate;
And restricts the horizontal movement of the holding plate
2. The wafer according to claim 1, further comprising an entry portion.
Her polishing equipment. 3. The ring-shaped regulating member is made of Delrin or the like.
Made of a resin material
3. The apparatus for polishing a wafer according to claim 1 or 2. Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for polishing a wafer, and more particularly, to a polishing apparatus for holding a wafer on a lower surface and a polishing surface on an upper surface. The present invention relates to a wafer polishing apparatus for mirror-polishing the wafer surface by relatively moving the wafer and the surface plate while pressing the wafer surface against the polishing surface to apply a predetermined load to the wafer surface by pressing the wafer surface. . 2. Description of the Related Art With the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, high uniformity and flatness of silicon wafers are required. In order to satisfy this requirement, it is necessary to maintain high parallelism between the holding plate and the surface plate when polishing a silicon wafer . Conventionally, for machining the precision of the wafer as described above, the polishing apparatus of the wafer as shown in FIG. 3 are used. According to this wafer polishing apparatus, the holding plate 90 is supported by the rotating shaft member 92 via the spherical bearing 91. That is, the holding plate 9 is attached to the concave spherical surface 91a of the spherical bearing 91 fixed to the rotating shaft member 92.
A convex spherical surface 90a protruding from the upper surface is slidably fitted, and the holding plate 90 can be freely inclined following the inclination of the surface plate, thereby maintaining high parallelism and flatness. Thus, the surface of the wafer 93 can be mirror-polished. However, according to the above-described conventional wafer polishing apparatus, the concave spherical surface 91a of the spherical bearing 91 is
Since a frictional force acts when the convex spherical surface 90a on the upper surface of the holding plate 90 slides, it is difficult for the holding plate 90 to quickly follow the inclination of the platen or the like. The holding plate 9
0 is formed on a convex spherical surface 90a protruding in a hemispherical shape,
Since the rigidity of the member is increased, the load applied to the central portion of the holding plate 90 from above can be dispersed and act on the outer peripheral portion of the holding plate 90, but the outer peripheral portion is held by the holding plate 90. There is a problem that an equal pressure load cannot be applied to the entire surface of the wafer. For this reason, there has been a problem that it is difficult to efficiently process a wafer that requires very high uniform thickness and flatness. Accordingly, an object of the present invention is to provide a load device capable of suitably following the inclination of the polished surface of the surface plate and capable of suitably applying an equal pressure load to the entire surface of the wafer. It is an object of the present invention to provide an apparatus for polishing a wafer. [0005] In order to achieve the above object, the present invention comprises the following arrangement. That is, according to the wafer polishing apparatus of the present invention, the holding plate for holding the wafer on the lower surface is pressed against a surface plate having a polishing surface on the upper surface, whereby the wafer surface is brought into contact with the polishing surface and the wafer is polished. In a wafer polishing apparatus for mirror-polishing a wafer surface by relatively moving a wafer and a surface plate while applying a predetermined load to the surface, an outer peripheral side wall surrounding the concave portion has a concave portion opened downward. Over the entire lower edge of the
On the outer peripheral side of the holding plate.
A supporting member having a projecting peripheral portion for supporting the provided step portion so that the holding plate does not fall out of the recess ;
Near the inner ceiling surface periphery or inner ceiling surface peripheral edge of the recess of the support member
It is fixed over between the upper beside the retaining plate, with the coercive <br/> lifting plate to the vertical direction and suspended horizontally move possible, the inner ceiling surface of the recess together with the holding plate Overturn
An elastic member of plate shape defining an enclosed space I, and a supply means for fluid for supplying a predetermined pressure of fluid in the enclosed space, the
The support member is fitted into a groove provided on the inner peripheral surface of the projecting peripheral portion.
And is arranged in contact with the outer peripheral surface on the lower end side of the holding plate.
Ring that allows horizontal movement of the holding plate
Elastic member, the ring-shaped elastic member and the plate-shaped elastic member.
Between the support member and the recess of the support member.
And guide the vertical movement of the holding plate.
The holding plate in the horizontal direction.
And a ring-shaped restricting member for restricting the pressure within the range . Further, the ring-shaped regulating member has a cross-section.
Are formed in an L shape, and the upper surface of the protruding peripheral portion and the holding plug are formed.
Of the holding plate located between the
A support portion that regulates downward movement, and an inner peripheral surface of the protruding peripheral portion
And the outer peripheral surface of the holding plate.
An access to regulate the horizontal movement of the rate.
And features. Further , the ring-shaped regulating member is
Characterized by being formed of a resin material such as
You. According to the wafer polishing apparatus of the present invention, the holding plate
Rates, since the supported top and bottom resiliently <br/> by the plate-shaped elastic member and the ring-shaped elastic member, with follow quickly to the inclination of the polishing surface, acting in the horizontal direction Power
Absorbed. Also, when excessive force is applied,
The plate is held in a predetermined range by a ring-shaped regulating member.
It is regulated so that it does not move horizontally.
Further, the holding plate is supported by a supporting portion via a plate-shaped elastic member.
Rotational force is transmitted directly from the material, but the holding plate is
Friction between a ring-shaped elastic member that abuts long in the circumferential direction
The rotational force from the support member is also transmitted by the force,
Therefore, displacement such as twisting of the holding plate is restricted,
The torsion of the plate-like elastic member is restricted, and the plate-like elastic member
Damage can be prevented. Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view of a principal part showing an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing a driving mechanism and the like of the wafer polishing apparatus of the embodiment of FIG. Reference numeral 10 denotes a holding plate, which abuts on the silicon wafer 1 on the lower surface 11 and can hold the silicon wafer 1 by suction. The holding plate 10 is provided with a plurality of communication holes 12 opened on the lower surface, and as shown in FIG. 1, a communication space 14 provided in a horizontal direction at an upper end of the communication hole 12 inside the holding plate 10. Are in communication with each other. The communication space 14 is connected to a suction pipe 18 via a connecting member 16. As shown in FIG. 1, the connecting member 16 is an O-ring 1.
The connection member 16 is airtightly fitted to the holding plate 10 via an O-ring 17. Thereby, the communication space 14 and the suction pipe 18 are communicated while leaving some degree of freedom between the suction pipe 18 and the holding plate 10. A surface plate 20 shown in FIG. 2 is usually provided with a polishing cloth adhered on the upper surface, thereby forming a polishing surface 22 for polishing the surface of the silicon wafer 1.
A polishing liquid containing a slurry is supplied to the polishing surface 22, and the surface of the silicon wafer 1 held on the lower surface of the holding plate 10 is abutted and pressed while applying a predetermined load to the polishing surface 22. By relatively moving the silicon wafer 1 and the surface plate 20, the silicon wafer 1
The surface can be mirror polished. The rotation direction of the platen 20 is usually provided so as to be rotatable in the same direction as the rotation of the holding plate 10 for holding the silicon wafer 1 on the lower surface. The surface of the silicon wafer 1 is mirror-polished by relatively moving the surface of the wafer 1 and the polishing surface 22. [0011] 24 is a support member, a recess 26 which opens downward, collision which protrudes inwardly over the entire circumference underneath edge portions of the peripheral side wall portion that forms the recess 26
With the peripheral portion 26a and the like, the holding plate 1
0 so as not to fall off, the outer peripheral side of the holding plate 10
It can support the stepped portion 10b provided. The support member 24 has a rod-shaped rotary shaft 28 along the central axis.
Are provided upward. This rotating shaft 28
, A through-hole 30 is penetrated along the axis, and the suction tube 18 is fitted into the through-hole 30. The diameter of the through hole 30 is slightly larger than the outer shape of the suction pipe 18, and a gap between the inner wall of the through hole 30 and the outer wall of the suction pipe 18 serves as a communication passage 32 for compressed air as a high-pressure fluid. ing. Reference numeral 34 denotes a ring-shaped elastic member, which is an O-ring-shaped member formed of, for example, rubber.
As shown in FIG. 1, the ring-shaped elastic member 34
Groove 26 provided on the inner peripheral surface of projecting peripheral portion 26a of member 24
fitted in b, it is arranged to <br/> abuts on the lower end side outer peripheral surface 10 a of the holding plate, are allowed in very small range horizontal movement of the holding plate 10. Thereby, the horizontal acting force generated when the silicon wafer 1 is polished can be suitably absorbed. Reference numeral 36 denotes a ring-shaped regulating member, which is a ring-shaped elastic member 34 and a plate described later.
And is fitted in the recess 26 of the support member 24. The ring-shaped regulating member 36 is
As shown in FIG. 1, the cross section is formed in an L-shape,
Between the upper surface of the portion 26a and the step 10b of the holding plate 10
, The downward movement of the holding plate 10 is
Supporting part 36a (L-shaped horizontal part) that regulates together with 26a
And the inner peripheral surface of the projecting peripheral portion 26a and the outer peripheral surface of the holding plate 10.
And an entry portion 36b (L-shaped vertical portion) for restricting the movement of the holding plate 10 so that the holding plate 10 does not move more horizontally than within a predetermined range in the concave portion 26.
Is provided . A holding press is provided by the ring-shaped regulating member 36.
The seat 10 does not directly contact the support member 24
The ring-shaped regulating member 36 is made of, for example, Delrin or the like.
The holding plate 1 is made of a resin material.
No damage to 0. Reference numeral 38 denotes a plate-like elastic member, which is formed in a donut shape by, for example, a hard rubber plate material, and is fixed between the inner surface of the concave portion 26 and the upper surface of the holding plate 10. It is suspended so that it can move within a small range in the vertical and horizontal directions. As shown in FIG. 1, the position at which the plate-like elastic member 38 is fixed to the inner surface of the concave portion 26 is a step portion 24 b provided on the entire periphery of the inner ceiling surface of the concave portion 26, and the step portion 24 b The upper surface of the plate-shaped elastic member 38 in the vicinity of the outer edge portion is in contact with the surface, is sandwiched by the fixing plate 40, and is airtightly fixed by being tightened by the screw 42. Further, the lower surface near the inner edge of the plate-like elastic member 38 abuts on the upper surface of the holding plate 10,
It is airtight and fixed in the same manner as the fixing means for fixing the vicinity of the outer edge. That is, the plate-shaped elastic member 38 is air-tightly fixed to the support member 24 at the outer peripheral portion and the holding plate 10 at the inner peripheral portion thereof, and is disposed so that the plate surface of the plate-shaped elastic member 38 is horizontal. It is. [0014] 50 is a closed space, into the recess 26 of the support member 24, the inner ceiling surface of the recess 26, the holding plate 10
And a space formed by being defined by being covered by the plate-like elastic member 38. The portion of the upper surface of the holding plate 10 that can contact the plate-like elastic member 38 is provided with a diameter substantially equal to the outer diameter of the silicon wafer 1 as shown in FIG. The space 50 also extends slightly larger than the outer diameter of the silicon wafer 1. This closed space 50 communicates with the communication passage 32 of the compressed air,
When compressed air is introduced into the closed space 50 when the surface of the silicon wafer 1 is brought into contact with the polishing surface 22 of the surface plate 20, a uniform pressure is applied to substantially the entire upper surface of the support member 24. . This allows the surface of the silicon wafer 1 to be pressed against the polishing surface 22 of the platen 20 while applying a uniform load to the entire surface of the silicon wafer 1 with a desired pressure. At this time, since the compressed air filled in the closed space 50 is a fluid, the entire surface of the holding plate 10 is pressed evenly and the surface of the silicon wafer 1 can quickly follow the inclination of the polishing surface 22 of the platen 20. it can. As shown in FIG. 2, reference numeral 52 denotes a base member for supplying the silicon wafer 1 held by the holding plate 10 onto the polishing surface 22 of the surface plate 20 and discharging the silicon wafer 1 from the polishing surface 22. A support member 24 that supports the holding plate 10 is rotatably supported and is movable. Reference numeral 54 denotes a locking portion, which is provided above the rotary shaft portion 28 of the support member 24 in the drawing of FIG.
The arm 58 is fixed to the arm 58 via bearings in the rotation and thrust directions. Thereby, the support member 24
Is in a state of being suspended upward by the cylinder device 56. In addition, the support member 24 has its rotation shaft 28 inserted through a thrust bearing 62 into a rotation transmission member 60 rotatably provided with respect to the base member 52, whereby the base member 52 On the other hand, it is guided so as to be movable up and down. For this reason, the support member 24 can be moved up and down within a predetermined range by driving the cylinder device 56. Reference numeral 64 denotes a drive motor, and the pinion gear 6
The driven gear 68 rotates the rotation transmitting member 60 connected by the key 69 via the driven gear 6 and the driven gear 68. The rotation transmitting member 60 is rotated by a rotating bearing 53 disposed between the rotation transmitting member 60 and the base member 52.
2 is provided so as to be rotatable. Reference numeral 70 denotes a key portion, which is formed integrally with the rotation transmitting member 60 and engages with a key groove 72 provided in the rotation shaft portion 28. Thus, the support member 24 can rotate together with the rotation transmitting member 60. The key groove 72 is formed vertically long along the axis. Even if the support member 24 is vertically moved by the cylinder device 56 as described above, the engagement between the key portion 70 and the key groove 72 is maintained. Can be maintained. Reference numeral 74 denotes a low pressure source connection port, which is a connection port for communicating with a vacuum generation source. A high-pressure source connection port 76 is a connection port for communicating with a compressed air generation source. Reference numeral 78 denotes a seal member, and the suction pipe 18 suitably communicates with the low-pressure source connection port 74.
The case 79 and the rotating shaft 28 are preferably airtightly sealed so that the communication passage 32 of the compressed air is preferably communicated with the high-pressure source connection port 76. Reference numeral 80 denotes an O-ring, which seals the space between the rotary shaft 28 and the suction tube 18. The operation and effect of the wafer polishing apparatus having the above configuration will be described with reference to FIG. First, by the vacuum source in communication with the suction pipe 18, by reducing the pressure of the communicating space 14 and the communication hole 12, to hold by suction the silicon wafer 1 to the lower surface of the holding plate 10. In this state, the silicon wafer 1 is conveyed to a position above the platen 20 by moving the base member 52, and the support member 24 is further lowered by the cylinder device 56 so that the surface of the silicon wafer 1 is fixed to the platen. 20 is brought into contact with the polishing surface 22. Next, compressed air of a predetermined pressure is supplied to the closed space 5.
In this case, the surface of the silicon wafer 1 can be pressed against the polishing surface 22 with a desired pressure. At this time, since the compressed air is a fluid, the entire surface of the holding plate 10 is evenly pressed , and the holding plate 10 has a plate shape.
Elastic member 38 and ring-shaped elastic member 34
Because it is supported so that it can move vertically and horizontally,
The holding plate 10 is polished with the silicon wafer 1
The inclination of the surface 22 can be quickly followed, and therefore, the surface of the silicon wafer 1 can quickly follow the inclination of the polishing surface 22. Further, a uniform pressure can be applied to the entire upper surface of the holding plate 10 by the compressed air. Therefore, the surface of the silicon wafer 1 is
2, the entire surface of the silicon wafer 1 can be pressed against the polishing surface 22 with a uniform pressure. Then, with the load suitably applied to the silicon wafer 1 as described above, the polishing surface 22 of the
While supplying the slurry thereon, the platen 20 rotates and the support member 24 is rotated by the power of the drive motor 64, so that the silicon wafer 1 is mirror-polished. At this time,
According to the polishing apparatus of the present invention, the compressed air filled in the closed space 50 and the plate-like elasticity mainly prevent the vertical movement caused by the inclination of the polishing surface 22 caused when polishing the silicon wafer 1. The member 38 works and can suitably follow. The horizontal acting force acting on the silicon wafer 1 is applied to the plate-like elastic member 38 supporting the upper portion of the holding plate 10 and the lower outer peripheral surface of the holding plate 10.
It is suitably absorbed by the ring-shaped elastic member 34 that abuts.
Re that. Also, excessive action force is applied to the silicon wafer 1 again.
If it is added, the entrance 3 of the ring-shaped regulating member 36
6b allows the holding plate 10 to move within the recess 26 within a predetermined range.
It is regulated not to move more horizontally than the enclosure.
You. Furthermore, hold the plate 1 0, supported by a plate-shaped elastic member 38 in which the plate surface is arranged horizontally member 24
And its lower outer peripheral surface is ring-shaped.
Horizontal movement is also restricted by the elastic member 34.
Therefore, the plate-shaped elastic member 38 and the ring-shaped elastic member 34
The displacement of the holding plate 10 such as torsion is regulated by a synergistic effect with the above . In other words, the holding plate 10 is a plate-shaped
The rotational force is directly transmitted from the support member 24 through the elastic member 38.
Is reached, but the holding plate 10 abuts long in the circumferential direction.
Also supported by the frictional force between the
The rotational force from the holding member 24 is transmitted, thereby holding
Displacement such as twist of the plate 10 is regulated. In other words, a board
The torsion of the plate-like elastic member 38 is restricted, and the plate-like elastic member 3 is formed.
8 can be prevented. In the embodiment described above, the case where the silicon wafer 1 is pressed against the polishing surface by the compressed air via the holding plate 10 has been described. However, another fluid pressure, for example, a hydraulic pressure may be used. As described above, various preferred embodiments of the present invention have been described.
The present invention is not limited to this embodiment, and it goes without saying that many more modifications can be made without departing from the spirit of the invention. According to the wafer polishing apparatus having the above structure, the upper and lower portions of the holding plate are elastically supported by the plate-like elastic member and the ring-like elastic member.
Since the, The rewritable follow quickly the inclination of the polishing surface, water
The acting force in the horizontal direction is also absorbed. Also, excessive action force is applied.
When holding, the holding plate is
So that it does not move more horizontally than the specified range.
It is controlled. The holding plate has a plate-like elasticity.
Rotational force is transmitted directly from the support member via the member
However, the holding plate is a ring-shaped
Rotation from the support member due to frictional force between the elastic member
The force is transmitted, which causes changes such as twisting of the holding plate.
Position, that is, the torsion of the plate-like elastic member is restricted.
Thus, damage to the plate-like elastic member can be prevented. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a drive mechanism and the like of the wafer polishing apparatus of the embodiment shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional technique [Description of symbols] 1 Silicon wafer 10 Holding plate 11 Holding surface 12 Communication path 14 Communication space 16 Connection member 18 Suction tube 20 Surface plate 22 Polishing surface 24 Support member 26 Depression 28 Rotation Shaft 30 Through hole 32 Compressed air communication hole 34 Ring-shaped elastic member 36 Ring-shaped regulating member 38 Plate-shaped elastic member 50 Closed space [Procedure correction 2] [Document name to be corrected] Drawing [Item name to be corrected] Fig. 1 [Correction method] Change [Details of correction] [Fig. 1]

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 下面にてウエハーを保持する保持プレー
トを、上面に研磨面を有する定盤に押圧することによ
り、該研磨面にウエハー表面を当接させ該ウエハー表面
に所定の荷重を与えつつ、ウエハーと定盤とを相対的に
運動させウエハー表面を鏡面研磨するウエハーの研磨装
置において、 下方に向けて開放する凹部を有し、該凹部内に前記保持
プレートを、脱落しないように支持する支持部材と、 保持プレートの外周面と前記凹部の内周面との間に配設
され、該保持プレートの水平方向の移動を微小範囲内で
許容するリング状の弾性部材と、 前記凹部内面と保持プレートとの間に亘って固定され、
前記保持プレートを上下方向及び水平方向に微小範囲内
で移動可能に吊持する板状の弾性部材と、 該板状の弾性部材により画成された前記凹部の密閉空間
と、 該密閉空間に所定圧力の流体を供給する流体の供給手段
とを具備することを特徴とするウエハーの研磨装置。
Claims: 1. A holding plate for holding a wafer at a lower surface thereof is pressed against a surface plate having a polishing surface on an upper surface so that the surface of the wafer comes into contact with the polishing surface and the surface of the wafer is brought into contact with the surface of the wafer. A wafer polishing apparatus for mirror-polishing the wafer surface by relatively moving the wafer and the surface plate while applying a predetermined load.The wafer polishing apparatus has a concave portion opened downward, and the holding plate is provided in the concave portion. A ring-shaped elastic member disposed between the outer peripheral surface of the holding plate and the inner peripheral surface of the concave portion, for allowing horizontal movement of the holding plate within a minute range; And, fixed between the inner surface of the recess and the holding plate,
A plate-shaped elastic member for suspending the holding plate movably in the vertical and horizontal directions within a minute range; a closed space of the concave portion defined by the plate-shaped elastic member; A wafer supply device for supplying a pressure fluid.
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