JP2003022947A - Heat treatment system - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
やＬＣＤ基板等の被処理体を載置台で熱処理する熱処理
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat treating an object to be processed such as a semiconductor wafer or LCD substrate on a mounting table.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウエハの製造工程におい
ては、半導体ウエハやＬＣＤ基板等（以下にウエハ等と
いう）の表面に、レジストのパターンを形成するため
に、フォトリソグラフィ技術が用いられている。このフ
ォトリソグラフィ技術は、ウエハ等の表面にレジスト液
を塗布するレジスト塗布工程と、形成されたレジスト膜
に回路パターンを露光する露光処理工程と、露光処理後
のウエハ等に現像液を供給する現像処理工程とを有して
いる。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor wafer manufacturing process, a photolithography technique is used to form a resist pattern on the surface of a semiconductor wafer, an LCD substrate or the like (hereinafter referred to as a wafer or the like). This photolithography technique includes a resist coating step of coating a resist solution on the surface of a wafer, an exposure processing step of exposing a circuit pattern on the formed resist film, and a developing step of supplying a developing solution to the wafer after the exposure processing. And a processing step.
【０００３】また、上記処理工程間においては、例えば
レジスト塗布工程と露光処理工程との間で行われる、レ
ジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてウエハ等とレジスト
膜との密着性を向上させるための加熱処理（プリベー
ク）や、露光処理工程と現像処理工程との間で行われ
る、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅
型レジスト（ＣＡＲ：chemically amplified resist）
における酸触媒反応を誘起するための加熱処理（ポスト
エクスポージャーベーク（ＰＥＢ））や、現像処理工程
後に行われる、レジスト中の残留溶媒や現像時にレジス
ト中に取り込まれたリンス液を除去し、ウェットエッチ
ング時の浸み込みを改善するための加熱処理（ポストベ
ーク）等、種々の加熱処理が行われている。In order to improve the adhesion between the wafer and the resist film by evaporating the residual solvent in the resist film, which is carried out between the resist coating process and the exposure processing process, for example, between the above processing steps. Heat treatment (prebake), or to prevent the occurrence of fringes that occur between the exposure processing step and the development processing step, or a chemically amplified resist (CAR).
Wet etching for removing the residual solvent in the resist and the rinse solution taken in during the development, which is performed after the heat treatment (post exposure bake (PEB)) for inducing the acid-catalyzed reaction in Various heat treatments such as a heat treatment (post-baking) for improving the soaking are performed.
【０００４】上記加熱処理は、レジストパターンの形成
に影響するため重要であるが、特に、高感度、高解像
性、高ドライエッチング耐性を実現できることで、近年
注目されている化学増幅型レジストを用いる場合には、
ＰＥＢ時にレジスト膜の各部に与えられる熱量の差が最
終的な製品における回路パターン形成に極めて大きな影
響を与えるため、加熱処理の条件を厳しく管理すること
が必要とされる。The above-mentioned heat treatment is important because it affects the formation of a resist pattern. In particular, a chemically amplified resist, which has been attracting attention in recent years, can be obtained because it can realize high sensitivity, high resolution and high dry etching resistance. When used,
Since the difference in the amount of heat given to each part of the resist film during PEB has an extremely large influence on the circuit pattern formation in the final product, it is necessary to strictly control the heat treatment conditions.
【０００５】加熱処理に使用される熱処理装置として
は、図７に示すように、従来より、ヒータ２６を有しウ
エハＷを所定の温度に加熱可能な載置台２５と、加熱処
理時にウエハＷを載置台２５に対して僅かに隙間を空け
て支持するギャップピン７０と、載置台２５の同心円上
の複数箇所に等間隔に設けられた支持ピン案内用貫通孔
２７を貫通し、ウエハＷをギャップピン７０上に載置す
ると共に、ギャップピン７０上方に移動する昇降可能な
支持ピン８０とを有するものが用いられている。As a heat treatment apparatus used for heat treatment, as shown in FIG. 7, conventionally, a mounting table 25 having a heater 26 and capable of heating the wafer W to a predetermined temperature, and a wafer W at the time of heat treatment are used. The gap pin 70, which supports the mounting table 25 with a slight gap, and the support pin guiding through holes 27 provided at equal intervals at a plurality of concentric circles of the mounting table 25, penetrate the wafer W to form a gap. A support pin 80 that is mounted on the pin 70 and that can move up and down and that moves above the gap pin 70 is used.
【０００６】このように構成された熱処理装置において
は、始めに、支持ピン８０を支持ピン案内用貫通孔２７
を介して載置台２５上部へ突出させた後、支持ピン８０
にウエハＷを載置する。次に、支持ピン８０を載置台２
５下部へ収容することによりウエハＷをギャップピン７
０上に載置し、熱処理を行う。このとき、ギャップピン
７０は、載置台２５の上面から僅かに突出しているた
め、ウエハＷと載置台２５との間には微小な隙間が空い
ており、ウエハＷにはパーティクル等が付着することが
なく、効率良く加熱することが可能である。In the heat treatment apparatus constructed as described above, first, the support pin 80 is attached to the support pin guiding through hole 27.
After being projected to the upper part of the mounting table 25 via the support pin 80
The wafer W is placed on. Next, the support pin 80 is attached to the mounting table 2
5, the wafer W is accommodated in the lower part and the gap pin 7
0, and heat treatment is performed. At this time, since the gap pin 70 slightly protrudes from the upper surface of the mounting table 25, there is a minute gap between the wafer W and the mounting table 25, and particles or the like may adhere to the wafer W. It is possible to heat efficiently without heat.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のギャ
ップピン７０は、図８に示すように、載置台２５に取り
付ける基台部７１と、この基台部７１に起立しウエハＷ
を載置台２５と０．１〜０．３ｍｍの隙間を空けて支持
する支持部７２とで構成されており、支持部７２と載置
台２５との間には、ギャップピン７０が抜き出たり、浮
き上がったりするのを防止するために、例えばＥリング
等の押え部材９０によって固定するための空間Ｓが設け
られている。この空間Ｓの近傍では載置台２５とウエハ
Ｗとの距離が大きくなるため、その他の部分よりも温度
が低くなる。逆に、支持部７２上では、支持部７２から
ウエハＷに直接熱が伝わるため、その他の部分よりも温
度が高くなる。その結果、ベーク後のウエハ上に転写跡
が残り、歩留まりの低下をきたすという問題があった。By the way, as shown in FIG. 8, the conventional gap pin 70 has a base portion 71 attached to the mounting table 25 and a wafer W standing upright on the base portion 71.
It is composed of a mounting table 25 and a support portion 72 for supporting the mounting table 25 with a gap of 0.1 to 0.3 mm. The gap pin 70 is pulled out between the supporting portion 72 and the mounting table 25. A space S for fixing by a holding member 90 such as an E-ring is provided in order to prevent it from rising. In the vicinity of this space S, the distance between the mounting table 25 and the wafer W becomes large, so that the temperature becomes lower than the other portions. On the contrary, since the heat is directly transferred from the support 72 to the wafer W on the support 72, the temperature becomes higher than that of other portions. As a result, there is a problem that transfer marks remain on the wafer after baking, resulting in a decrease in yield.
【０００８】また、支持ピン８０は、図７に示すよう
に、載置台２５を貫通して昇降移動可能に形成されるた
め、載置台２５との間には僅かな隙間が設けられてい
る。この隙間の近傍では載置台２５とウエハＷとの距離
が大きくなるため、その他の部分よりも温度が低くな
る。また、支持ピン８０と載置台２５とは接触していな
いため、載置台２５の温度が上昇しても支持ピン８０側
に熱が速やかに伝わらず、支持ピン８０と載置台２５と
で温度差が生じる場合がある。その結果、ベーク後のウ
エハ上に転写跡が残り、歩留まりの低下をきたすという
問題があった。Further, as shown in FIG. 7, the support pin 80 is formed so as to be capable of moving up and down through the mounting table 25, so that a small gap is provided between the supporting pin 80 and the mounting table 25. Since the distance between the mounting table 25 and the wafer W becomes large in the vicinity of this gap, the temperature becomes lower than in other portions. Further, since the support pin 80 and the mounting table 25 are not in contact with each other, heat is not quickly transferred to the support pin 80 side even if the temperature of the mounting table 25 rises, and the temperature difference between the support pin 80 and the mounting table 25 is different. May occur. As a result, there is a problem that transfer marks remain on the wafer after baking, resulting in a decrease in yield.
【０００９】この発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、半導体ウエハやＬＣＤ基板等に対する均一な熱処理
が可能な熱処理装置を提供することを目的とするもので
ある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a heat treatment apparatus capable of performing uniform heat treatment on a semiconductor wafer, an LCD substrate, or the like.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の熱処理装置は、熱源を有する載置台と、
被処理体を上記載置台上に隙間をもたせて支持するギャ
ップピンと、上記載置台を貫通し、上記被処理体を上記
ギャップピン上に載置すると共に、ギャップピン上方に
移動する昇降可能な支持ピンとを具備し、上記熱源から
発せられる熱量を上記載置台表面から輻射して被処理体
に熱処理を施す熱処理装置を前提とし、上記ギャップピ
ン及び支持ピンは、ギャップピン及び支持ピンから上記
被処理体に与えられる熱と上記載置台表面から上記被処
理体に与えられる熱との差が可及的に小さくなるよう形
成されることを特徴とする（請求項１）。In order to achieve the above object, the heat treatment apparatus of the present invention comprises a mounting table having a heat source,
A gap pin that supports the object to be processed on the mounting table with a gap, and a support that penetrates the mounting table and mounts the object to be processed on the gap pin, and that moves up and down while moving the gap pin. Assuming a heat treatment apparatus that includes a pin and radiates the heat amount emitted from the heat source from the surface of the mounting table to perform heat treatment on the object to be processed, the gap pin and the support pin are the same as the object to be processed from the gap pin and the support pin. It is characterized in that the difference between the heat applied to the body and the heat applied to the object to be processed from the surface of the mounting table is made as small as possible (claim 1).
【００１１】この発明の熱処理装置において、上記支持
ピンの先端部と載置台とを接触可能に形成する方が好ま
しい（請求項２）。この場合、支持ピンの先端部表面
に、高熱伝導性被膜を形成する方が好ましい（請求項
３）。また、支持ピンの上面に、合成樹脂製支持部を形
成する方が好ましい（請求項４）。また、上記支持ピン
の先端部に、被処理体側に向かって熱を反射する反射板
を設ける方が好ましく（請求項５）、更に、上記反射板
の表面に、高熱伝導性被膜を形成する方が好ましい（請
求項６）。In the heat treatment apparatus of the present invention, it is preferable that the tip end portion of the support pin and the mounting table are formed so as to be in contact with each other (claim 2). In this case, it is preferable to form a high thermal conductive film on the tip surface of the support pin (claim 3). Further, it is preferable to form a synthetic resin support portion on the upper surface of the support pin (claim 4). Further, it is preferable to provide a reflecting plate for reflecting heat toward the object to be processed at the tip of the support pin (Claim 5), and further, a method for forming a high thermal conductive film on the surface of the reflecting plate. Is preferred (claim 6).
【００１２】また、この発明の熱処理装置において、上
記ギャップピンを、載置台表面に形成された凹部内に取
り付けられる基台部と、この基台部に起立する支持部と
で構成し、上記凹部内の基台部上方の空間に保持部材を
埋設する方が好ましい（請求項７）。この場合、上記保
持部材の表面に、高熱伝導性被膜を形成する方が好まし
い（請求項８）。また、上記保持部材の上面に、反射性
被膜を形成する方が好ましい（請求項９）。更に、上記
支持部を上端に曲面を有する尖先状に形成する方が好ま
しい（請求項１０）。また、少なくとも上記支持部に、
断熱用の空洞部を形成するか、又は、少なくとも上記支
持部を多孔質材にて形成するか、あるいは、少なくとも
上記支持部を断熱性を有する合成樹脂製部材にて形成す
る方が好ましい（請求項１１，１２，１３）。Further, in the heat treatment apparatus of the present invention, the gap pin is composed of a base portion mounted in a concave portion formed on the surface of the mounting table and a support portion standing upright in the base portion, and the concave portion is formed. It is preferable to embed the holding member in the space above the base portion (Claim 7). In this case, it is preferable to form a high thermal conductive film on the surface of the holding member (claim 8). Further, it is preferable to form a reflective coating on the upper surface of the holding member (claim 9). Further, it is preferable to form the supporting portion in a pointed shape having a curved surface at the upper end (claim 10). In addition, at least the support portion,
It is preferable to form a hollow portion for heat insulation, or to form at least the support portion with a porous material, or to form at least the support portion with a synthetic resin member having a heat insulating property. (Items 11, 12, 13).
【００１３】請求項１記載の発明によれば、ギャップピ
ン及び支持ピンは、ギャップピン及び支持ピンから被処
理体に与えられる熱と載置台表面から被処理体に与えら
れる熱との差が可及的に小さくなるよう形成されるの
で、被処理体に熱を均一に供給することができ、被処理
体表面にギャップピン及び支持ピンの転写跡が残るのを
抑制して、歩留まりの向上を図ることができる。According to the first aspect of the present invention, the gap pin and the support pin have a difference between the heat applied to the object to be processed by the gap pin and the support pin and the heat applied to the object to be processed from the surface of the mounting table. Since it is formed so as to be as small as possible, heat can be uniformly supplied to the object to be processed, the transfer marks of the gap pin and the support pin are prevented from remaining on the surface of the object to be processed, and the yield is improved. Can be planned.
【００１４】請求項２記載の発明によれば、支持ピンの
先端部と載置台とを接触可能に形成するので、載置台と
の間に隙間を生じることがなく、載置台と支持ピンとの
間の熱勾配を小さくすることができ、被処理体表面に支
持ピンの転写跡が残るのを抑制して、歩留まりの向上を
図ることができる。また、接触部を通じて載置台から支
持ピンへ熱を供給することができるので、載置台と支持
ピンとの間の熱勾配を更に小さくすることができる。こ
の場合、支持ピンの先端部表面に、高熱伝導性被膜を形
成することにより、載置台の熱を支持ピンに効率よく伝
えることができ、載置台と支持ピンとの間の熱勾配を更
に確実に小さくすることができる（請求項３）。また、
支持ピンの上面に、合成樹脂製支持部を形成することに
より、パーティクルの発生を抑制することができる（請
求項４）。According to the second aspect of the present invention, since the tip end portion of the support pin and the mounting table are formed so as to be in contact with each other, there is no gap between the mounting table and the mounting table, and there is no gap between the mounting table and the supporting pin. It is possible to reduce the thermal gradient of No. 3, and to suppress the transfer traces of the support pins from remaining on the surface of the object to be processed, thereby improving the yield. Moreover, since heat can be supplied from the mounting table to the support pins through the contact portion, the thermal gradient between the mounting table and the support pins can be further reduced. In this case, by forming a high thermal conductive coating on the surface of the tip of the support pin, the heat of the mounting table can be efficiently transferred to the support pin, and the thermal gradient between the mounting table and the support pin can be more reliably achieved. It can be made small (claim 3). Also,
By forming the synthetic resin support portion on the upper surface of the support pin, the generation of particles can be suppressed (claim 4).
【００１５】請求項５記載の発明によれば、支持ピンの
先端部に、被処理体側に向かって熱を反射する反射板を
設けるので、輻射熱を確実に被処理体に供給することが
でき、載置台と支持ピンとの間の熱勾配を確実に小さく
することができる。この場合、反射板の表面に、高熱伝
導性被膜を形成することにより、載置台の熱を反射板に
均一に伝えることができ、載置台と支持ピンとの間の熱
勾配を更に確実に小さくすることができる（請求項
６）。According to the fifth aspect of the present invention, since the reflecting plate for reflecting heat toward the object to be processed is provided at the tip of the support pin, the radiant heat can be reliably supplied to the object to be processed. It is possible to reliably reduce the thermal gradient between the mounting table and the support pin. In this case, by forming a high thermal conductive film on the surface of the reflecting plate, the heat of the mounting table can be uniformly transferred to the reflecting plate, and the thermal gradient between the mounting table and the support pin can be further surely reduced. It is possible (claim 6).
【００１６】請求項７記載の発明によれば、ギャップピ
ンを、載置台表面に形成された凹部内に取り付けられる
基台部と、この基台部に起立する支持部とで構成し、凹
部内の基台部上方の空間に保持部材を埋設するので、載
置台とギャップピンとの間の熱勾配を小さくすることが
でき、被処理体表面にギャップピンの転写跡が残るのを
抑制することができる。この場合、保持部材の表面に、
高熱伝導性被膜を形成することにより、載置台の熱を保
持部材に効率よく伝えることができ、載置台とギャップ
ピンとの間の熱勾配を更に小さくすることができる（請
求項８）。また、保持部材の上面に、反射性被膜を形成
することにより、被処理体裏面から放射される輻射熱を
反射して、被処理体に供給することができるので、ギャ
ップピン上の被処理体に効率よく輻射熱を供給すること
ができる（請求項９）。According to the seventh aspect of the present invention, the gap pin is composed of a base part mounted in the recess formed on the surface of the mounting table and a support part standing upright in the base part, and the gap pin is provided in the recess. Since the holding member is embedded in the space above the base part of the device, the thermal gradient between the mounting table and the gap pin can be reduced, and it is possible to prevent the transfer mark of the gap pin from remaining on the surface of the object to be processed. it can. In this case, on the surface of the holding member,
By forming the high thermal conductive film, the heat of the mounting table can be efficiently transferred to the holding member, and the thermal gradient between the mounting table and the gap pin can be further reduced (claim 8). Further, by forming a reflective coating on the upper surface of the holding member, the radiant heat radiated from the back surface of the object to be processed can be reflected and supplied to the object to be processed. Radiant heat can be efficiently supplied (Claim 9).
【００１７】請求項１０記載の発明によれば、支持部を
上端に曲面を有する尖先状に形成することにより、被処
理体との接触面積を小さくして、支持部の熱が直接被処
理体に伝わるのを抑制することができる。また、支持部
で遮られる輻射熱を可及的に減少させることができる。
したがって、被処理体表面にギャップピンの転写跡が残
るのを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる。According to the tenth aspect of the present invention, the support portion is formed in a pointed shape having a curved surface at the upper end, so that the contact area with the object to be treated is reduced and the heat of the support portion is directly treated. It can be suppressed from being transmitted to the body. Further, the radiant heat shielded by the supporting portion can be reduced as much as possible.
Therefore, it is possible to prevent the transfer marks of the gap pins from remaining on the surface of the object to be processed and improve the yield.
【００１８】請求項１１，１２，１３記載の発明によれ
ば、支持部を断熱用の空洞部を形成するか、又は、少な
くとも支持部を多孔質材にて形成するか、あるいは少な
くとも支持部を断熱性を有する合成樹脂製部材にて形成
するので、支持部の熱が直接被処理体に伝わるのを抑制
することができる。したがって、被処理体表面にギャッ
プピンの転写跡が残るのを抑制し、歩留まりの向上を図
ることができる。According to the eleventh, twelfth and thirteenth aspects of the present invention, the support portion is formed with a cavity for heat insulation, or at least the support portion is formed of a porous material, or at least the support portion is formed. Since it is formed of a synthetic resin member having a heat insulating property, it is possible to suppress the heat of the supporting portion from being directly transferred to the object to be processed. Therefore, it is possible to prevent the transfer marks of the gap pins from remaining on the surface of the object to be processed and improve the yield.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明の熱処理装置を、半導体ウエハの加熱処理を行う
ホットプレートユニットに適用した場合について説明す
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In this embodiment, a case where the heat treatment apparatus of the present invention is applied to a hot plate unit that heats a semiconductor wafer will be described.
【００２０】図１はレジスト液塗布・現像処理システム
の一実施形態の概略平面図、図２は図１の正面図、図３
は図２の背面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of one embodiment of a resist solution coating / developing system, FIG. 2 is a front view of FIG. 1, and FIG.
FIG. 3 is a rear view of FIG.
【００２１】上記処理システムは、被処理体として半導
体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット
１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入
又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対し
てウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステ
ーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ず
つウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニッ
トを所定位置に多段配置してなるこの発明の処理装置を
具備する処理ステーション２０と、この処理ステーショ
ン２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との
間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３
０とで主要部が構成されている。In the above processing system, a plurality of semiconductor wafers W (hereinafter referred to as wafers W) as objects to be processed are transferred into or out of the system from the outside in units of a plurality of wafer cassettes, for example, 25 wafers, in the wafer cassette 1. On the other hand, a cassette station 10 (conveying section) for carrying out and carrying in the wafer W, and various single-wafer processing units for performing a predetermined process on the wafer W one by one in a coating / developing process are set at predetermined positions. An interface unit for transferring a wafer W between a processing station 20 including the processing apparatus of the present invention arranged in multiple stages and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 20. Three
The main part is composed of 0 and.
【００２２】上記カセットステーション１０は、図１に
示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数
個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエ
ハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方
向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方
向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容さ
れたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能な
ウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択
的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送
用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されてお
り、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の
多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送
できるようになっている。In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of wafer cassettes 1, for example, up to four wafer cassettes 1 are provided at the positions of the protrusions 3 on the cassette mounting table 2, with their respective wafer entrances and exits facing the processing station 20 side. Wafer transfer which is placed in a row along the horizontal X direction and is movable in the wafer arrangement direction (Z direction) of the wafers W accommodated in the cassette arrangement direction (X direction) and in the wafer cassette 1 along the vertical direction. The tweezers 4 are configured to be selectively transported to each wafer cassette 1. The wafer transfer tweezers 4 is configured to be rotatable in the θ direction, and is included in the alignment unit (ALI) belonging to the multi-stage unit section of the third set G3 on the processing station 20 side described later.
M) and the extension unit (EXT).
【００２３】上記処理ステーション２０は、図１に示す
ように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が
設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２
の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡っ
て多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ
２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及
び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面
（図１において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多
段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェー
ス部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニ
ットは背部側に配置されている。As shown in FIG. 1, the processing station 20 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 21 at the center thereof, and a chamber 22 for accommodating the main wafer transfer mechanism 21.
All the processing units are arranged in a multi-stage around one set or a plurality of sets. In this example, 5 sets G1, G
2, G3, G4 and G5 are arranged in multiple stages, the first and second sets G1 and G2 of the multistage units are arranged in parallel on the front side of the system (front side in FIG. 1), and the third set of G3 multistage units are The multistage unit of the fourth group G4 is arranged adjacent to the cassette station 10, the multistage unit of the fourth group G4 is arranged adjacent to the interface portion 30, and the multistage unit of the fifth group G5 is arranged on the back side.
【００２４】この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ
１では、カップ２３内でウエハＷをスピンチャック（図
示せず）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処
理ユニット例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び
レジストパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が
垂直方向の下から順に２段に重ねられている。第２の組
Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニット例えばレジ
スト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。こ
のようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配
置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナ
ンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応
じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置する
ことも可能である。In this case, as shown in FIG. 2, the first set G
In the first example, two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (COT) and a developing unit (for developing a resist pattern) that place a wafer W on a spin chuck (not shown) in the cup 23 and perform predetermined processing. DEV) are vertically stacked in two stages from the bottom. Similarly, the second set G2 also includes two spinner type processing units such as a resist coating unit (COT) and a developing unit (DE).
V) are vertically stacked in two stages from the bottom. The reason for arranging the resist coating unit (COT) on the lower side in this way is that draining of the resist solution is troublesome both mechanically and in terms of maintenance. However, it is also possible to arrange the resist coating unit (COT) on the upper stage if necessary.
【００２５】図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウ
エハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行う
オーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を
行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置
合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエ
ハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニ
ット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ね
られている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユ
ニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エク
ステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット
（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプ
レートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユ
ニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重
ねられている。As shown in FIG. 3, in the third group G3, an oven type processing unit for mounting the wafer W on the wafer mounting table 24 and performing a predetermined process, for example, a cooling unit (COL) for cooling the wafer W. , An adhesion unit (AD) for hydrophobicizing the wafer W, an alignment unit (ALIM) for aligning the wafer W, and an extension unit (EX for loading / unloading the wafer W).
T), four hot plate units (HP) for baking the wafer W are sequentially stacked from the bottom in the vertical direction in eight stages, for example. Similarly, the fourth set G4 is also an oven type processing unit such as a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), and two chilling hot plate units having a quenching function. (CHP) and two hot plate units (HP) are stacked, for example, in eight stages from the bottom in the vertical direction.
【００２６】上記のように処理温度の低いクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
ホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレ
ートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット
（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な
相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな
多段配置とすることも可能である。As described above, the cooling unit (COL) having a low processing temperature and the extension cooling unit (EXTCOL) are arranged in the lower stage, and the hot plate unit (HP), the chilling hot plate unit (CHP) and the add processing unit having a high processing temperature are provided. By arranging the fusion unit (AD) in the upper stage, it is possible to reduce thermal mutual interference between the units. Of course, it is also possible to make a random multi-stage arrangement.
【００２７】なお、図１に示すように、処理ステーショ
ン２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユ
ニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第
４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニ
ット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂
直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６
５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度
調整された空気が流されるようになっている。このダク
ト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブ
ン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第
２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばない
ようになっている。As shown in FIG. 1, in the processing station 20, the third and fourth groups G3 and G4 adjacent to the multistage unit (spinner type processing unit) of the first and second groups G1 and G2 are arranged. Ducts 65 and 66 are vertically provided in the side wall of the multi-stage unit (oven type processing unit). These ducts 6
Downflow clean air or specially temperature-controlled air is made to flow through the valves 5, 66. With this duct structure, the heat generated in the oven type processing units of the third and fourth groups G3 and G4 is blocked and does not reach the spinner type processing units of the first and second groups G1 and G2. ing.
【００２８】また、この処理システムでは、主ウエハ搬
送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の
組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。
この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に
沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユ
ニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。Further, in this processing system, the multistage unit of the fifth group G5 can be arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 21 as shown by the dotted line in FIG.
The multi-stage unit of the fifth group G5 can move laterally along the guide rail 67 as viewed from the main wafer transfer mechanism 21. Therefore, even when the multistage unit of the fifth group G5 is provided, the space is secured by sliding the unit, so that the main wafer transfer mechanism 21
The maintenance work can be easily performed from behind.
【００２９】上記インター・フェース部３０は、奥行き
方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、
幅方向では小さなサイズに作られている。このインター
・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカ
セット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配
置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央
部には、ウエハ搬送アーム３４が配設されている。この
ウエハ搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセ
ット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように
構成されている。また、ウエハ搬送アーム３４は、θ方
向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第
４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台（図示せず）にも搬送できるように構成されてい
る。The interface section 30 has the same dimensions as the processing station 20 in the depth direction,
It is made small in the width direction. A portable pickup cassette 31 and a stationary buffer cassette 32 are arranged in two stages on the front surface of the interface portion 30, a peripheral exposure device 33 is arranged on the rear surface, and a wafer is formed in the central portion. A transfer arm 34 is provided. The wafer transfer arm 34 is configured to move in the X and Z directions and transfer it to both the cassettes 31, 32 and the peripheral exposure device 33. Further, the wafer transfer arm 34 is configured to be rotatable in the θ direction, and an extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit of the fourth group G4 on the processing station 20 side and a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side. It is configured so that it can also be transported.
【００３０】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内
でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高め
ている。The processing system configured as described above is
Although it is installed in the clean room 40, the cleanliness of each part is enhanced by an efficient vertical laminar flow system in the system.
【００３１】次に、上記処理システムの動作について説
明する。まず、カセットステーション１０において、ウ
エハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理
のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、
そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ
搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り
出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段
ユニット内に配置されているアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ
載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ
載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受け
る。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニ
ット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置
台２４からウエハＷを受け取る。Next, the operation of the above processing system will be described. First, in the cassette station 10, the wafer transfer tweezers 4 access the cassette 1 containing the unprocessed wafer W on the cassette mounting table 2,
One wafer W is taken out from the cassette 1. When the wafer W is taken out of the cassette 1, the wafer transfer tweezers 4 is arranged in the alignment unit (A) arranged in the multistage unit of the third set G3 on the processing station 20 side.
The wafer W is placed on the wafer mounting table 24 in the unit (ALIM). The wafer W undergoes orientation flat alignment and centering on the wafer mounting table 24. Then, the main wafer transfer mechanism 21 accesses the alignment unit (ALIM) from the opposite side and receives the wafer W from the wafer mounting table 24.
【００３２】処理ステーション２０において、主ウエハ
搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユ
ニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入
する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハ
Ｗは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主
ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４
の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット
（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例え
ば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウ
エハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット
（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ1又は第２の組
Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に
一様な膜厚でレジストを塗布する。At the processing station 20, the main wafer transfer mechanism 21 first carries the wafer W into the adhesion unit (AD) belonging to the multistage unit of the third set G3. The wafer W is subjected to a hydrophobizing process in this adhesion unit (AD). When the hydrophobic treatment is completed, the main wafer transfer mechanism 21 carries the wafer W out of the adhesion unit (AD), and then the third group G3 or the fourth group G3.
It is carried into the cooling unit (COL) belonging to the multi-stage unit of the group G4. This cooling unit (CO
In L), the wafer W is cooled to a set temperature before the resist coating process, for example, 23 ° C. When the cooling process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 carries the wafer W out of the cooling unit (COL), and then the resist coating unit (C) belonging to the multistage unit of the first group G1 or the second group G2.
OT). This resist coating unit (CO
In T), the wafer W is coated with a resist having a uniform film thickness on the wafer surface by a spin coating method.
【００３３】レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ
搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内
でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１０
０℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、
ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することが
できる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２
１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から
搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエク
ステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ
搬送する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工
程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適
した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主
ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（Ｅ
ＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置す
る。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台
上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３
０のウエハ搬送アーム３４が反対側からアクセスして、
ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送アーム３４は
ウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置
３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を
受ける。When the resist coating process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 applies the wafer W to the resist coating unit (C
OT), then the hot plate unit (H
P). The wafer W is mounted on the mounting table in the hot plate unit (HP) and kept at a predetermined temperature, for example, 10
Prebaking is performed at 0 ° C. for a predetermined time. by this,
The residual solvent can be removed by evaporation from the coating film on the wafer W. When the pre-baking is completed, the main wafer transfer mechanism 2
1, the wafer W is unloaded from the hot plate unit (HP) and then transferred to the extension cooling unit (EXTCOL) belonging to the multi-stage unit of the fourth group G4. In this unit (COL), the wafer W is cooled to a temperature suitable for the next step, that is, the peripheral exposure processing in the peripheral exposure apparatus 33, for example, 24 ° C. After this cooling, the main wafer transfer mechanism 21 transfers the wafer W to the extension unit (EXT) immediately above, and this unit (E
The wafer W is mounted on a mounting table (not shown) in the XT). When the wafer W is mounted on the mounting table of the extension unit (EXT), the interface unit 3
0 wafer transfer arm 34 accesses from the opposite side,
The wafer W is received. Then, the wafer transfer arm 34 carries the wafer W into the peripheral exposure apparatus 33 in the interface section 30. Here, the wafer W is exposed to the edge portion.
【００３４】周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム
３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接
する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送す
る。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、
バッファカセット３２に一時的に収納されることもあ
る。When the peripheral exposure is completed, the wafer transfer arm 34 carries the wafer W out of the peripheral exposure apparatus 33 and transfers it to a wafer receiving table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side. In this case, before the wafer W is transferred to the exposure apparatus,
It may be temporarily stored in the buffer cassette 32.
【００３５】露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが
露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・
フェース部３０のウエハ搬送アーム３４はそのウエハ受
取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取った
ウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多
段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合
にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される
前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３
２に一時的に収納されることもある。When the entire surface is exposed by the exposure apparatus and the wafer W is returned to the wafer receiving table on the exposure apparatus side,
The wafer transfer arm 34 of the face unit 30 accesses the wafer receiving table to receive the wafer W, and the received wafer W is an extension unit (EX) belonging to the multistage unit of the fourth group G4 on the processing station 20 side.
T) and place it on the wafer receiving table. Also in this case, the wafer W is transferred to the buffer cassette 3 in the interface unit 30 before being transferred to the processing station 20 side.
It may be temporarily stored in 2.
【００３６】ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷ
は、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレ
ートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を
防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）
における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージ
ャーベーク処理が施される。Wafer W placed on the wafer receiving table
Is transferred to the chilling hot plate unit (CHP) by the main wafer transfer mechanism 21 to prevent the generation of fringes, or is chemically amplified resist (CAR).
A post-exposure bake treatment is performed to induce the acid-catalyzed reaction in.
【００３７】その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第
２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内で
は、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えば
スプレー方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液
が満遍なくかけられる。現像が終了すると、ウエハＷ表
面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。After that, the wafer W is transferred to the developing unit (DE) belonging to the multistage unit of the first group G1 or the second group G2.
V). In this developing unit (DEV), the wafer W is placed on a spin chuck, and the developing solution is evenly applied to the resist on the surface of the wafer W by, for example, a spray method. When the development is completed, the rinse liquid is applied to the surface of the wafer W and the developer is washed off.
【００３８】現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構
２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出し
て、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニット
に属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。
このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で
所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像
で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。When the developing process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 carries the wafer W out of the developing unit (DEV) and then the hot plate unit belonging to the multistage unit of the third group G3 or the fourth group G4. Carry in to (HP).
In this unit (HP), the wafer W is post-baked at 100 ° C. for a predetermined time. As a result, the resist swollen by development is cured and chemical resistance is improved.
【００３９】ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送
機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット
（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った
後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組
Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移
送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載
置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセッ
トステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反
対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、
ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカ
セット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の
所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。When the post bake is completed, the main wafer transfer mechanism 21 transfers the wafer W to the hot plate unit (H
P) and then to any cooling unit (COL). Here, after the wafer W has returned to room temperature, the main wafer transfer mechanism 21 then transfers the wafer W to the extension unit (EXT) belonging to the third set G3. When the wafer W is mounted on the mounting table (not shown) of the extension unit (EXT), the wafer transfer tweezers 4 on the cassette station 10 side is accessed from the opposite side to receive the wafer W. And
The wafer transfer tweezers 4 inserts the received wafer W into a predetermined wafer accommodation groove of the cassette 1 for accommodating the processed wafer on the cassette mounting table, and the processing is completed.
【００４０】次に、本発明の熱処理装置の一実施形態で
あるホットプレートユニット（ＨＰ）について、図４の
断面図を参照しながら説明する。Next, a hot plate unit (HP) which is an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention will be described with reference to the sectional view of FIG.
【００４１】ホットプレートユニット（ＨＰ）は、主ウ
エハ搬送機構２１により搬入されたウエハＷを加熱処理
する処理室５０が形成されており、この処理室５０に
は、外気と遮断するためのシャッタ５１と、ウエハＷを
載置する載置台２５と、載置台２５上でウエハＷを昇降
可能な支持ピン８０とを有している。The hot plate unit (HP) is provided with a processing chamber 50 for heating the wafer W carried in by the main wafer transfer mechanism 21, and the processing chamber 50 has a shutter 51 for shutting off the outside air. And a mounting table 25 on which the wafer W is mounted, and support pins 80 capable of moving the wafer W up and down on the mounting table 25.
【００４２】シャッタ５１は、昇降シリンダ５２の作動
により上下動自在であり、シャッタ５１が上昇した際に
は、シャッタ５１と上部中央に排気口５３を有するカバ
ー５４から垂下したストッパ５５とが接触して、処理室
５０内が気密に維持されるように構成されている。ま
た、ストッパ５５には給気口（図示せず）が設けられて
おり、この給気口から処理室５０内に流入した空気は上
記排気口５３から排気されるように構成されている。な
お、かかる給気口から流入された空気は処理室５０内の
ウエハＷに直接触れないように構成されており、ウエハ
Ｗを所定の処理温度で加熱処理することができる。The shutter 51 is movable up and down by the operation of the elevating cylinder 52, and when the shutter 51 rises, the shutter 51 and the stopper 55 hanging from the cover 54 having the exhaust port 53 at the center of the upper part come into contact with each other. Thus, the inside of the processing chamber 50 is configured to be kept airtight. Further, the stopper 55 is provided with an air supply port (not shown), and the air flowing into the processing chamber 50 through the air supply port is exhausted from the exhaust port 53. The air introduced from the air supply port is configured not to directly contact the wafer W in the processing chamber 50, and the wafer W can be heated at a predetermined processing temperature.
【００４３】載置台２５は、ウエハＷより大きい円盤状
に形成され、ウエハＷを加熱するための熱源例えばヒー
タ２６が内蔵されている。また、載置台２５上には、ウ
エハＷを載置台２５と隙間をもたせて支持するギャップ
ピン７０が取り付けられており、ウエハＷにパーティク
ル等が付着するのを防止している。また、載置台２５の
同心円上には、支持ピン８０が出入りするための支持ピ
ン案内用貫通孔２７が等間隔で複数、例えば３つ設けら
れている。このように構成される載置台２５は、例えば
アルミニウム合金等の熱伝導性の良好な材料で形成され
ている。The mounting table 25 is formed in a disk shape larger than the wafer W and has a built-in heat source such as a heater 26 for heating the wafer W. Further, on the mounting table 25, a gap pin 70 that supports the wafer W with a gap from the mounting table 25 is attached to prevent particles and the like from adhering to the wafer W. Further, on the concentric circle of the mounting table 25, a plurality of, for example, three support pin guide through holes 27 for allowing the support pins 80 to come in and out are provided at equal intervals. The mounting table 25 configured in this manner is formed of a material having good thermal conductivity such as an aluminum alloy.
【００４４】ギャップピン７０は、図５に示すように、
載置台２５の表面に設けられた凹部２５ａ内に取り付け
られる基台部７１と、この基台部７１に起立しウエハＷ
を載置台２５と０．１〜０．３ｍｍの隙間を空けて支持
する支持部７２とで構成されており、ギャップピン７０
からウエハＷに与えられる熱と載置台２５表面からウエ
ハＷに与えられる熱との差が可及的に小さくなるように
形成されている。The gap pin 70, as shown in FIG.
A base portion 71 mounted in a recess 25a provided on the surface of the mounting table 25, and a wafer W standing upright on the base portion 71.
And the supporting portion 72 for supporting the mounting table 25 with a gap of 0.1 to 0.3 mm.
Is formed so that the difference between the heat applied to the wafer W from the above and the heat applied to the wafer W from the surface of the mounting table 25 is as small as possible.
【００４５】具体的には、図５（ａ）に示すように、凹
部２５ａ内の基台部７１の上方の空間Ｓに保持部材７３
を埋設し、載置台２５とギャップピン７０との間の熱勾
配が小さくなるように構成される。この場合、保持部材
７３は、載置台２５と同一材にて形成する方が好ましい
が、載置台２５と同程度の熱伝導率を有するものであれ
ば他の材料を用いることも可能である。また、保持部材
７３の表面は、載置台２５の表面と同色となるように形
成する方が好ましい。Specifically, as shown in FIG. 5A, the holding member 73 is provided in the space S above the base 71 in the recess 25a.
Is embedded in the mounting table 25 and the gap between the mounting table 25 and the gap pin 70 is reduced. In this case, the holding member 73 is preferably formed of the same material as the mounting table 25, but other materials can be used as long as they have the same thermal conductivity as that of the mounting table 25. Further, it is preferable that the surface of the holding member 73 is formed to have the same color as the surface of the mounting table 25.
【００４６】また、図５（ｂ）に示すように、保持部材
７３の載置台２５側表面に、例えば金や銀等の高熱伝導
性被膜７４を形成すれば、載置台２５の熱を保持部材７
３に均一に伝えることができ、載置台２５とギャップピ
ン７０との間の熱勾配を更に小さくすることができる。
なお、高熱伝導性被膜７４を載置台２５の表面に形成す
ることも勿論可能である。この場合、高熱伝導性被膜７
４は少なくとも保持部材７３と接触する部位に形成すれ
ばよい。Further, as shown in FIG. 5B, if a heat-conductive coating 74 of, for example, gold or silver is formed on the surface of the holding member 73 on the side of the mounting table 25, the heat of the mounting table 25 is retained. 7
3 can be uniformly transmitted, and the thermal gradient between the mounting table 25 and the gap pin 70 can be further reduced.
Of course, it is also possible to form the high thermal conductive film 74 on the surface of the mounting table 25. In this case, the high thermal conductivity coating 7
4 may be formed at least at a portion in contact with the holding member 73.
【００４７】また、図５（ｃ）に示すように、保持部材
７３の上面に、例えば、金や銀等の反射性被膜７６を形
成すれば、ウエハＷ裏面から放射される輻射熱を反射す
ることができるので、ギャップピン７０上のウエハＷに
輻射熱を効率よく供給することができる。Further, as shown in FIG. 5C, if a reflective coating 76 such as gold or silver is formed on the upper surface of the holding member 73, the radiant heat emitted from the back surface of the wafer W can be reflected. Therefore, the radiant heat can be efficiently supplied to the wafer W on the gap pin 70.
【００４８】また、図５（ｄ）に示すように、支持部７
２を上端に曲面を有する尖先状例えば円錐状に形成すれ
ば、支持部７２とウエハＷとの接触面積を小さくして、
支持部７２の熱が直接ウエハＷに伝わるのを抑制するこ
とができる。また、支持部７２で遮られる輻射熱を可及
的に減少させることができるので、従来支持部の影にな
って熱が輻射されなかった部分にも、熱を輻射すること
ができ、ウエハＷを均一に熱処理することができる。な
お、支持部７２の形状は、上端に曲面を有する尖先状に
形成されるものであれば任意のものでよく、例えば、三
角錐や四角錐等であってもよい。Further, as shown in FIG. 5D, the supporting portion 7
If 2 is formed in a pointed shape having a curved surface at the upper end, for example, a conical shape, the contact area between the supporting portion 72 and the wafer W is reduced,
It is possible to suppress the heat of the supporting portion 72 from being directly transferred to the wafer W. Further, since the radiant heat shielded by the supporting portion 72 can be reduced as much as possible, the heat can be radiated also to the portion which has not been radiated due to the shadow of the conventional supporting portion, and the wafer W can be radiated. It can be heat-treated uniformly. The shape of the support portion 72 may be any shape as long as it is formed in a pointed shape having a curved surface at the upper end, and may be, for example, a triangular pyramid or a quadrangular pyramid.
【００４９】また、図５（ｅ）に示すように、少なくと
も支持部７２に、断熱用の空洞部７５を形成すれば、支
持部７２からウエハＷに直接伝えられる熱を極力少なく
することができる。この場合、支持部７２に空洞部７５
を形成する代わりに、少なくとも支持部７２を多孔質材
にて形成するか、あるいは、断熱性を有する合成樹脂製
部材にて形成することも可能である。Further, as shown in FIG. 5E, if a heat insulating hollow portion 75 is formed in at least the supporting portion 72, the heat directly transferred from the supporting portion 72 to the wafer W can be minimized. . In this case, the support portion 72 has a hollow portion 75.
Instead of forming the above, it is also possible to form at least the support portion 72 with a porous material or a synthetic resin member having a heat insulating property.
【００５０】支持ピン８０は、図４に示すように、その
下部を連結ガイド８９に固定されており、連結ガイド８
９はタイミングベルト８８に連結されている。タイミン
グベルト８８は、ステッピングモータ８１により駆動さ
れる駆動プーリ８６と、この駆動プーリ８６の上方に配
設される従動プーリ８７とに掛け渡されており、ステッ
ピングモータ８１の正逆回転によって、支持ピン８０と
載置台２５とが相対的に上下移動自在に形成されてい
る。したがって、支持ピン８０は、ウエハＷを２点鎖線
で示す位置で支持することができると共に、この状態か
ら支持ピン８０を下降させると、実線で示すようにウエ
ハＷを載置台２５上に載置することができる。この支持
ピン８０も、上述したギャップピン７０と同様、支持ピ
ン８０からウエハＷに与えられる熱と載置台２５表面か
ら与えられる熱との差が可及的に小さくなるように形成
されている。As shown in FIG. 4, the lower portion of the support pin 80 is fixed to the connection guide 89, and the connection guide 8
9 is connected to the timing belt 88. The timing belt 88 is stretched around a drive pulley 86 driven by the stepping motor 81 and a driven pulley 87 disposed above the drive pulley 86, and by the forward and reverse rotation of the stepping motor 81, the support pin 88 is supported. 80 and the mounting table 25 are formed so as to be vertically movable relative to each other. Therefore, the support pin 80 can support the wafer W at the position indicated by the chain double-dashed line, and when the support pin 80 is lowered from this state, the wafer W is placed on the mounting table 25 as indicated by the solid line. can do. Like the gap pin 70 described above, the support pin 80 is also formed so that the difference between the heat applied to the wafer W from the support pin 80 and the heat applied from the surface of the mounting table 25 is as small as possible.
【００５１】具体的には、図６（ａ）に示すように、支
持ピン８０の先端部８０ａの形状を逆円錐状に形成する
と共に、載置台２５の支持ピン案内用貫通孔２７の開口
部２７ａを拡開テーパ状に形成し、熱処理時に支持ピン
８０の先端部が載置台２５と接触するように形成する。
このように形成することにより、従来支持ピン８０と、
載置台２５との間に生じていた隙間を支持ピンの先端部
で閉じることができるので、支持ピン８０と載置台２５
との間の熱勾配を小さくすることができる。また、載置
台２５の熱を接触部を通じて支持ピン８０へ伝えること
ができるので、支持ピン８０と載置台２５との温度差を
速やかに小さくし、均一な熱処理を行うことができる。
この場合、支持ピン８０は、載置台２５と同一材にて形
成する方が好ましい。また、支持ピン８０の先端部の表
面は、載置台２５の表面と同色となるように形成する方
が好ましい。Specifically, as shown in FIG. 6A, the tip 80a of the support pin 80 is formed in an inverted conical shape and the opening of the support pin guide through hole 27 of the mounting table 25 is formed. 27a is formed in an expanded taper shape so that the tip of the support pin 80 contacts the mounting table 25 during heat treatment.
By forming in this way, the conventional support pin 80,
Since the gap between the mounting table 25 and the mounting table 25 can be closed by the tip of the support pin, the support pin 80 and the mounting table 25 can be closed.
The thermal gradient between and can be reduced. Moreover, since the heat of the mounting table 25 can be transferred to the support pins 80 through the contact portions, the temperature difference between the support pins 80 and the mounting table 25 can be quickly reduced, and uniform heat treatment can be performed.
In this case, it is preferable that the support pin 80 is formed of the same material as the mounting table 25. Further, it is preferable that the surface of the tip end portion of the support pin 80 is formed to have the same color as the surface of the mounting table 25.
【００５２】また、図６（ｂ）に示すように、支持ピン
８０の先端部の載置台２５側表面に、例えば金や銀等の
高熱伝導性被膜８２を形成すれば、載置台２５の熱を支
持ピン８０に均一に伝えることができるので、載置台２
５と支持ピン８０との温度差を更に速やかに小さくする
ことができる。なお、高熱伝導性被膜８２を載置台２５
の表面に形成することも勿論可能である。この場合、高
熱伝導性被膜８２は少なくとも支持ピン８０の先端部と
接触する部位に形成すればよい。また、図６（ｃ）に示
すように、支持ピン８０の上面に、例えば半球状の合成
樹脂製支持部８３を形成すれば、ウエハＷの受け渡し時
に、パーティクルの発生を抑えることができる点で更に
好ましい。Further, as shown in FIG. 6B, if a highly heat conductive coating 82 of, for example, gold or silver is formed on the surface of the tip of the support pin 80 on the side of the mounting table 25, the heat of the mounting table 25 will be reduced. Can be evenly transmitted to the support pins 80, so that the mounting table 2
The temperature difference between 5 and the support pin 80 can be reduced more quickly. In addition, the high thermal conductive coating 82 is placed on the mounting table 25.
Of course, it can be formed on the surface of. In this case, the high heat conductive coating 82 may be formed at least at a portion in contact with the tip portion of the support pin 80. Further, as shown in FIG. 6C, if a hemispherical synthetic resin support portion 83 is formed on the upper surface of the support pin 80, generation of particles can be suppressed when the wafer W is transferred. More preferable.
【００５３】なお、上記説明では、支持ピン８０の先端
部の形状を逆円錐状とする場合について説明したが、支
持ピン８０の先端部と載置台２５とを接触可能に形成す
るものであれば他の形状でもよく、例えば、半球状にす
ることも勿論可能である。In the above description, the case where the shape of the tip of the support pin 80 is an inverted conical shape has been described, but if the tip of the support pin 80 and the mounting table 25 are formed so as to be in contact with each other. Other shapes may be used, for example, a hemispherical shape is also possible.
【００５４】また、図６（ｄ）に示すように、支持ピン
８０の先端部に、熱処理時に載置台２５と接触すると共
に、ウエハＷに向かって熱を反射するすり鉢状の反射板
８４を設けることもできる。この場合、反射板８４は、
支持ピン８０がウエハＷを支持する時にウエハＷと接触
しない位置、すなわち、支持ピン８０の先端部８０ａよ
り低い位置に形成される。支持ピンの先端部を、このよ
うに構成すれば、支持ピン８０上部のウエハＷに熱を効
率的に輻射することができるので、支持ピン８０上で温
度が低くなるのを防止することができる。Further, as shown in FIG. 6D, a mortar-shaped reflecting plate 84, which is in contact with the mounting table 25 during the heat treatment and reflects heat toward the wafer W, is provided at the tip of the support pin 80. You can also In this case, the reflector 84 is
The support pin 80 is formed at a position where it does not contact the wafer W when supporting the wafer W, that is, at a position lower than the tip portion 80a of the support pin 80. With this configuration of the tips of the support pins, heat can be efficiently radiated to the wafer W above the support pins 80, so that the temperature on the support pins 80 can be prevented from lowering. .
【００５５】また、反射板８４の載置台２５側表面に、
例えば金や銀等の高熱伝導性被膜８５を形成すれば、載
置台２５の熱を反射板８４に均一に伝えることができる
ので、載置台２５と反射板８４との間の熱勾配を小さく
することができ、更に均一な熱処理を行うことができ
る。なお、高熱伝導性被膜８５を載置台２５の表面に形
成することも勿論可能である。この場合、高熱伝導性被
膜８５は少なくとも反射板８４と接触する部位に形成す
ればよい。Further, on the surface of the reflecting plate 84 on the mounting table 25 side,
For example, by forming the highly heat-conductive coating 85 of gold or silver, the heat of the mounting table 25 can be uniformly transferred to the reflecting plate 84, so that the thermal gradient between the mounting table 25 and the reflecting plate 84 is reduced. Therefore, uniform heat treatment can be performed. It is of course possible to form the high thermal conductive film 85 on the surface of the mounting table 25. In this case, the high heat conductive coating 85 may be formed at least at a portion in contact with the reflection plate 84.
【００５６】なお、上記説明では、反射板８４の形状を
すり鉢状とする場合について説明したが、ウエハＷに向
かって熱を反射することができるものであれば他の形状
でもよく、例えば、断面円弧状にすることも勿論可能で
ある。また、反射板８４を設ける代わりに、支持ピン８
０の先端部８０ａの上面に、ウエハＷに向かって熱を反
射する金や銀等の反射性被膜を設けることも可能であ
る。In the above description, the case where the reflecting plate 84 is shaped like a mortar has been described, but any other shape is possible as long as it can reflect heat toward the wafer W, for example, a cross section. Of course, an arc shape is also possible. Further, instead of providing the reflection plate 84, the support pin 8
It is also possible to provide a reflective coating of gold, silver, or the like, which reflects heat toward the wafer W, on the upper surface of the tip portion 80a of 0.
【００５７】なお、上記の実施の形態では、この発明の
熱処理装置をホットプレートユニット（ＨＰ）に適用し
た場合について説明したが、本発明はこれに限らず、熱
処理を行うものであれば、例えばチリングホットプレー
トユニット（ＣＨＰ）やアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）等に適用することも可能である。また、加熱処理を
行うものだけでなく、冷却処理を行うもの、例えばこの
発明の熱処理装置をウエハＷを冷却するクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）等に適用することも可能である。また、
被処理体はウエハＷに限らず、ＬＣＤ基板や、ＣＤ基
板、マスクレチクル基板等に適用することも可能であ
る。In the above embodiment, the case where the heat treatment apparatus of the present invention is applied to the hot plate unit (HP) has been described. However, the present invention is not limited to this, and if heat treatment is performed, for example, Chilling hot plate unit (CHP) and adhesion unit (A
It is also possible to apply to D) and the like. Further, not only the heat treatment but also the cooling treatment, for example, the heat treatment apparatus of the present invention can be applied to a cooling unit (COL) for cooling the wafer W. Also,
The object to be processed is not limited to the wafer W, but can be applied to an LCD substrate, a CD substrate, a mask reticle substrate, or the like.
【００５８】[0058]
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。As described above, according to the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.
【００５９】１）請求項１記載の発明によれば、ギャッ
プピン及び支持ピンは、ギャップピン及び支持ピンから
被処理体に与えられる熱と載置台表面から被処理体に与
えられる熱との差が可及的に小さくなるよう形成される
ので、被処理体に熱を均一に供給することができ、被処
理体表面にギャップピン及び支持ピンの転写跡が残るの
を抑制して、歩留まりの向上を図ることができる。1) According to the invention described in claim 1, the gap pin and the support pin have a difference between heat applied to the object to be processed by the gap pin and the support pin and heat applied to the object to be processed from the surface of the mounting table. Is formed so as to be as small as possible, so that heat can be uniformly supplied to the object to be processed, the transfer marks of the gap pins and the support pins are prevented from remaining on the surface of the object to be processed, and the yield of It is possible to improve.
【００６０】２）請求項２記載の発明によれば、支持ピ
ンの先端部と載置台とを接触可能に形成するので、載置
台との間に隙間を生じることがなく、載置台と支持ピン
との間の熱勾配を小さくすることができ、被処理体表面
に支持ピンの転写跡が残るのを抑制して歩留まりの向上
を図ることができる。また、接触部を通じて載置台から
支持ピンへ熱を供給することができるので、載置台と支
持ピンとの間の熱勾配を更に小さくすることができる。2) According to the second aspect of the present invention, since the tip end portion of the support pin and the mounting table are formed so as to be in contact with each other, there is no gap between the mounting table and the mounting table, and the mounting table and the supporting pin are not formed. It is possible to reduce the thermal gradient between the two, suppress the transfer marks of the support pins remaining on the surface of the object to be processed, and improve the yield. Moreover, since heat can be supplied from the mounting table to the support pins through the contact portion, the thermal gradient between the mounting table and the support pins can be further reduced.
【００６１】３）請求項３記載の発明によれば、支持ピ
ンの先端部表面に、高熱伝導性被膜を形成することによ
り、載置台の熱を支持ピンに効率よく伝えることがで
き、載置台と支持ピンとの間の熱勾配を更に確実に小さ
くすることができる。3) According to the third aspect of the invention, the heat of the mounting table can be efficiently transmitted to the supporting pin by forming the high thermal conductive coating on the surface of the tip of the supporting pin, so that the mounting table can be efficiently transferred. It is possible to more reliably reduce the thermal gradient between the support pin and the support pin.
【００６２】４）請求項４記載の発明によれば、支持ピ
ンの上面に、合成樹脂製支持部を形成することにより、
パーティクルの発生を抑制し、歩留まりの向上を図るこ
とができる。4) According to the invention described in claim 4, by forming the synthetic resin support portion on the upper surface of the support pin,
Generation of particles can be suppressed and yield can be improved.
【００６３】５）請求項５記載の発明によれば、支持ピ
ンの先端部に、被処理体側に向かって熱を反射する反射
板を設けるので、輻射熱を確実に被処理体に供給するこ
とができ、載置台と支持ピンとの間の熱勾配を確実に小
さくすることができる。5) According to the fifth aspect of the invention, since the reflecting plate for reflecting the heat toward the object to be processed is provided at the tip of the support pin, the radiant heat can be reliably supplied to the object to be processed. Therefore, the thermal gradient between the mounting table and the support pin can be surely reduced.
【００６４】６）請求項６記載の発明によれば、反射板
の表面に、高熱伝導性被膜を形成することにより、載置
台の熱を反射板に均一に伝えることができ、載置台と支
持ピンとの間の熱勾配を更に確実に小さくすることがで
きる。6) According to the sixth aspect of the invention, by forming a high thermal conductive coating on the surface of the reflection plate, the heat of the mounting table can be uniformly transferred to the reflection plate, and the mounting table and the support can be supported. The thermal gradient between the pin and the pin can be surely reduced.
【００６５】７）請求項７記載の発明によれば、ギャッ
プピンを、載置台表面に形成された凹部に取り付けられ
る基台部と、この基台部に起立する支持部とで構成し、
凹部内の基台部上方の空間に保持部材を埋設するので、
載置台とギャップピンとの間の熱勾配を小さくすること
ができ、被処理体表面にギャップピンの転写跡が残るの
を抑制することができる。7) According to the invention described in claim 7, the gap pin is composed of a base portion attached to a concave portion formed on the surface of the mounting table, and a support portion standing upright on the base portion.
Since the holding member is embedded in the space above the base in the recess,
The thermal gradient between the mounting table and the gap pin can be reduced, and it is possible to prevent the transfer trace of the gap pin from remaining on the surface of the target object.
【００６６】８）請求項８記載の発明によれば、保持部
材の表面に、高熱伝導性被膜を形成することにより、載
置台の熱を保持部材に効率よく伝えることができ、載置
台とギャップピンとの間の熱勾配を更に小さくすること
ができる。8) According to the invention described in claim 8, by forming the high thermal conductive coating on the surface of the holding member, the heat of the mounting table can be efficiently transmitted to the holding member, and the gap between the mounting table and the gap can be improved. The thermal gradient with the pin can be further reduced.
【００６７】９）請求項９記載の発明によれば、保持部
材の上面に、反射性被膜を形成することにより、被処理
体裏面から放射される輻射熱を反射して、被処理体に供
給することができるので、ギャップピン上の被処理体に
効率よく輻射熱を供給することができる。9) According to the invention described in claim 9, by forming a reflective coating on the upper surface of the holding member, the radiant heat radiated from the back surface of the object to be processed is reflected and supplied to the object to be processed. Therefore, radiant heat can be efficiently supplied to the object to be processed on the gap pin.
【００６８】１０）請求項１０記載の発明によれば、支
持部を上端に曲面を有する尖先状に形成することによ
り、被処理体との接触面積を小さくして、支持部の熱が
直接被処理体に伝わるのを抑制することができる。ま
た、支持部で遮られる輻射熱を可及的に減少させること
ができる。したがって、被処理体表面にギャップピンの
転写跡が残るのを抑制し、歩留まりの向上を図ることが
できる。10) According to the tenth aspect of the invention, by forming the support portion into a pointed shape having a curved surface at the upper end, the contact area with the object to be processed can be reduced and the heat of the support portion can be directly applied. It can be suppressed from being transmitted to the object to be processed. Further, the radiant heat shielded by the supporting portion can be reduced as much as possible. Therefore, it is possible to prevent the transfer marks of the gap pins from remaining on the surface of the object to be processed and improve the yield.
【００６９】１１）請求項１１，１２，１３記載の発明
によれば、支持部を断熱用の空洞部を形成するか、又
は、少なくとも支持部を多孔質材にて形成するか、ある
いは少なくとも支持部を断熱性を有する合成樹脂製部材
にて形成するので、支持部の熱が直接被処理体に伝わる
のを抑制することができる。したがって、被処理体表面
にギャップピンの転写跡が残るのを抑制し、歩留まりの
向上を図ることができる。11) According to the invention of claims 11, 12, and 13, the support portion is formed with a cavity for heat insulation, or at least the support portion is formed of a porous material, or at least the support portion is formed. Since the part is formed of a synthetic resin member having a heat insulating property, it is possible to suppress the heat of the support part from being directly transferred to the object to be processed. Therefore, it is possible to prevent the transfer marks of the gap pins from remaining on the surface of the object to be processed and improve the yield.
【図１】この発明の熱処理装置を適用したレジスト液塗
布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a resist solution coating / development processing system to which a heat treatment apparatus of the present invention is applied.
【図２】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略
正面図である。FIG. 2 is a schematic front view of the resist solution coating / developing system.
【図３】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略
背面図である。FIG. 3 is a schematic rear view of the resist solution coating / developing system.
【図４】この発明に係る熱処理装置の一例を示す概略断
面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing an example of a heat treatment apparatus according to the present invention.
【図５】この発明におけるギャップピンの異なる形態を
示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a different form of the gap pin according to the present invention.
【図６】この発明における支持ピンの異なる形態を示す
断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a different form of the support pin according to the present invention.
【図７】従来の熱処理装置を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view showing a conventional heat treatment apparatus.
【図８】従来のギャップピンを示す概略断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view showing a conventional gap pin.
Ｓ 空間 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ２５ａ 凹部 ２５ 載置台 ２６ ヒータ（熱源） ２７ 支持ピン案内用貫通孔 ２７ａ 開口部 ７０ ギャップピン ７１ 基台部 ７２ 支持部 ７３ 保持部材 ７４ 高熱伝導性被膜 ７５ 空洞部 ７６ 反射性被膜 ８０ 支持ピン ８０ａ 先端部 ８２ 高熱伝導性被膜 ８３ 合成樹脂製支持部 ８４ 反射板 ８５ 高熱伝導性被膜 S space W Semiconductor wafer (Processing object) 25a recess 25 table 26 Heater (heat source) 27 Support pin through hole 27a opening 70 Gap pin 71 Base 72 Support 73 holding member 74 High thermal conductivity coating 75 Cavity 76 Reflective coating 80 support pins 80a tip 82 High thermal conductivity coating 83 Synthetic resin support 84 Reflector 85 High thermal conductivity coating
Claims (13)
載置台上に隙間をもたせて支持するギャップピンと、上
記載置台を貫通し、上記被処理体を上記ギャップピン上
に載置すると共に、ギャップピン上方に移動する昇降可
能な支持ピンとを具備し、上記熱源から発せられる熱量
を上記載置台表面から輻射して被処理体に熱処理を施す
熱処理装置において、 上記ギャップピン及び支持ピンは、ギャップピン及び支
持ピンから上記被処理体に与えられる熱と上記載置台表
面から上記被処理体に与えられる熱との差が可及的に小
さくなるよう形成されることを特徴とする熱処理装置。1. A mounting table having a heat source, a gap pin for supporting the object to be processed on the mounting table with a gap, and a plate which penetrates the mounting table and mounts the object to be processed on the gap pin. In addition, in a heat treatment apparatus that includes a support pin that can move up and down to move above the gap pin, and radiates the amount of heat emitted from the heat source from the surface of the mounting table to heat treat the object, the gap pin and the support pin are A heat treatment apparatus, wherein the difference between the heat applied to the object to be processed from the gap pin and the support pin and the heat applied to the object to be processed from the surface of the mounting table is as small as possible. .
なることを特徴とする熱処理装置。2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the tip end portion of the support pin and the mounting table are formed so as to be in contact with each other.
てなることを特徴とする熱処理装置。3. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein a high thermal conductive film is formed on the surface of the tip of the support pin.
て、 上記支持ピンの上面に、合成樹脂製支持部を形成してな
ることを特徴とする熱処理装置。4. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein a synthetic resin support portion is formed on an upper surface of the support pin.
射する反射板を設けたことを特徴とする熱処理装置。5. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein a reflecting plate that reflects heat toward the object to be processed is provided at the tip of the support pin.
とを特徴とする熱処理装置。6. The heat treatment apparatus according to claim 5, wherein a high thermal conductive film is formed on the surface of the reflection plate.
取り付けられる基台部と、この基台部に起立する支持部
とで構成し、 上記凹部内の基台部上方の空間に保持部材を埋設したこ
とを特徴とする熱処理装置。7. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the gap pin is composed of a base portion mounted in a recess formed on the surface of the mounting table, and a support portion standing upright on the base portion, A heat treatment apparatus, wherein a holding member is embedded in a space above the base in the recess.
ことを特徴とする熱処理装置。8. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein a high thermal conductive film is formed on the surface of the holding member.
て、 上記保持部材の上面に、反射性被膜を形成してなること
を特徴とする熱処理装置。9. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein a reflective coating is formed on the upper surface of the holding member.
熱処理装置において、 上記支持部を上端に曲面を有する尖先状に形成してなる
ことを特徴とする熱処理装置。10. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein the support portion is formed in a pointed shape having a curved surface at an upper end.
記載の熱処理装置において、 少なくとも上記支持部に、断熱用の空洞部を形成してな
ることを特徴とする熱処理装置。11. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein a heat insulating hollow portion is formed at least in the support portion.
記載の熱処理装置において、 少なくとも上記支持部を多孔質材にて形成してなること
を特徴とする熱処理装置。12. The heat treatment apparatus according to any one of claims 7 to 10, wherein at least the support portion is formed of a porous material.
記載の熱処理装置において、 少なくとも上記支持部を断熱性を有する合成樹脂製部材
にて形成してなることを特徴とする熱処理装置。13. The heat treatment apparatus according to any one of claims 7 to 10, wherein at least the support portion is formed of a synthetic resin member having a heat insulating property.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001204770A JP4148387B2 (en) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | Heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001204770A JP4148387B2 (en) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | Heat treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003022947A true JP2003022947A (en) | 2003-01-24 |
| JP4148387B2 JP4148387B2 (en) | 2008-09-10 |
Family
ID=19041186
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001204770A Expired - Fee Related JP4148387B2 (en) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | Heat treatment equipment |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP4148387B2 (en) |
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| CN106531662A (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-22 | 细美事有限公司 | Substrate heating device |
| CN109671644A (en) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 荣有限公司 | The support member of annealing device and the processed material being used by |
| JP2019075443A (en) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 株式会社サカエ | Thermal treatment equipment and support component of processed material for use therein |
| CN109671644B (en) * | 2017-10-13 | 2023-04-14 | 荣有限公司 | Heat treatment apparatus and support member for material to be treated used in the same |
| WO2022092022A1 (en) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | 京セラ株式会社 | Gap pin |
| KR20230061543A (en) | 2020-10-28 | 2023-05-08 | 교세라 가부시키가이샤 | gap pin |
| JP7398011B2 (en) | 2020-10-28 | 2023-12-13 | 京セラ株式会社 | gap pin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4148387B2 (en) | 2008-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071017 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140704 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |