JP2003016614A

JP2003016614A - 磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JP2003016614A
Application number: JP2001198271A
Authority: JP
Inventors: Shinji Kudo; 伸二工藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】更なる狭トラック化への対応等が実現可能で
ある磁気ヘッドを、容易に製造し得るようにする。【解決手段】磁気抵抗効果素子１と、その両側に配設
される永久磁石膜２と、その永久磁石膜を覆うように配
設される低抵抗化電極膜３とを備えてなる磁気ヘッドの
製造するのに際し、二層レジスト膜または逆テーパレジ
スト膜の形成後、前記永久磁石膜２と前記低抵抗化電極
膜３とをそれぞれ異なる直進性のスパッタリングにより
成膜して、前記低抵抗化電極膜３のみを前記磁気抵抗効
果素子１の両端部近傍にオーバーラップさせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体の一種で
ある磁気テープに対して用いるための磁気ヘッドの製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えばＶＴＲ（Video Tape Recor
der）装置のような磁気テープを記録媒体として使用す
るシステムにおいても、再生用ヘッドとして、磁気抵抗
効果型のヘッド素子（以下「ＭＲ素子」という）を有し
て構成された磁気ヘッド（以下「ＭＲヘッド」という）
が用いられることがある。これは、一般に電磁誘導を利
用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッド素子
よりもＭＲ素子が高密度記録に適していることから、Ｍ
Ｒヘッドを用いることでより高密度記録化が図れるため
である。

【０００３】ＭＲヘッドとしては、例えば図３１に示す
ように、磁気テープからの漏洩磁界によって抵抗値が変
化するＭＲ素子１０１の他に、その両側に隣接して配設
された二つの永久磁石膜１０２と、各永久磁石膜１０２
を覆うように配設された低抵抗化電極膜１０３と、を備
えてなるものが知られている。永久磁石膜１０２は、Ｍ
Ｒ素子１０１を単磁区化して磁気的安定化を図りバルク
ハウゼンノイズの発生を抑制するために、ＭＲ素子１０
１の両側に埋め込まれたものである。また、低抵抗化電
極膜１０３は、ＭＲ素子１０１の抵抗値を減少させるた
めに、永久磁石膜１０２の上部にて、より抵抗値の低い
導電性材料によって形成されたものである。これら永久
磁石膜１０２および低抵抗化電極膜１０３は、通常スパ
ッタリングによって成膜されるが、いずれも同一の成膜
装置および同一の成膜条件によって成膜されるのが一般
的である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲヘッド
に対しては、近年、更なる狭トラック化への対応が求め
られている。狭トラック化への対応を実現するために
は、ＭＲヘッドにおける磁気的読み出しトラック幅を狭
くすればよい。ただし、ＭＲヘッドでは、通常、ＭＲ素
子１０１の永久磁石膜１０２との境界近傍部分が、ＭＲ
素子１０１の磁化に対する反磁界の影響やＭＲ素子１０
１の端部に強く働く水平バイアスの影響等のために、磁
気的に不安定な状態となっている。したがって、単に読
み出しトラック幅を狭くしただけでは、このような磁気
的に不安定な部分がトラック幅の大部分を占め、低抵抗
変化の無い高抵抗部分となって読み出し効率が低下して
しまうので、結果として狭トラック化への限界が生じる
ことになる。

【０００５】これに対しては、ＭＲ素子１０１の両端部
近傍、すなわち永久磁石膜１０２との境界近傍部分に、
低抵抗化電極膜１０３をオーバーラップさせることが考
えられる。低抵抗化電極膜１０３をオーバーラップさせ
れば、ＭＲ素子１０１の両端部近傍における活性化領域
（磁気的に不安定な状態の領域）を無視できるようにな
り、不均一な磁壁移動に伴うノイズの発生を抑えられ、
またＭＲ素子１０１全体の抵抗値を減少させ高Ｓ／Ｎ比
を実現できるからである。つまり、ＭＲ素子１０１の両
端部近傍に低抵抗化電極膜１０３をオーバーラップさせ
れば、更なる狭トラック化への対応も実現可能となり得
る。

【０００６】しかしながら、従来のＭＲヘッドの製造方
法では、ＭＲ素子１０１の両端部近傍に低抵抗化電極膜
１０３のみをオーバーラップさせることが非常に困難で
ある。これは、既に説明したように、永久磁石膜１０２
および低抵抗化電極膜１０３のいずれも、同一の成膜装
置および同一の成膜条件によって成膜されるからであ
る。すなわち、同一の成膜装置および同一の成膜条件に
よって成膜されるから、永久磁石膜１０２に続いて低抵
抗化電極膜１０３を成膜しても、低抵抗化電極膜１０３
のみをオーバーラップさせることはできず、オーバーラ
ップさせようとすると低抵抗化電極膜１０３の成膜まで
の間に多くの工程を経る必要が生じ、製造効率の大幅な
低下を招いてしまうことになる。

【０００７】そこで、本発明は、上述した事情を鑑み、
ヘッド素子両端部近傍に低抵抗化電極膜のみを容易にオ
ーバーラップさせることのできる磁気ヘッドの製造方法
を提案することで、その磁気ヘッドの更なる狭トラック
化への対応を実現可能にすることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために案出された磁気ヘッドの製造方法で、磁気
抵抗効果素子と、当該磁気抵抗効果素子の両側に隣接し
て配設される永久磁石膜と、当該永久磁石膜を覆うよう
に配設される低抵抗化電極膜とを備えてなる磁気ヘッド
の製造方法であって、前記磁気抵抗効果素子を構成する
ための膜を二層レジスト膜または逆テーパレジスト膜で
覆い、当該膜の前記二層レジスト膜または前記逆テーパ
レジスト膜で覆われた以外の部分をエッチングで除去
し、当該エッチングによる除去部分に前記永久磁石膜を
スパッタリングにより成膜し、さらに前記永久磁石膜の
成膜時とは異なる直進性のスパッタリングにより前記低
抵抗化電極膜を成膜して、前記磁気抵抗効果素子の両端
部近傍に当該低抵抗化電極膜のみをオーバーラップさせ
ることを特徴とする。

【０００９】上記手順の磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁気抵抗効果素子を形成するための膜の成膜後、永
久磁石膜が必要となる部分を開口部としてレジスト膜で
マスクする。このとき、レジスト膜は、上層側のほうが
下方側より突出した形状となっている二層構造または逆
テーパ構造とする。そして、開口部に露出している部分
をエッチング除去した後に、永久磁石膜の成膜をスパッ
タリングによって行う。ただし、このスパッタリング
は、例えばスパッタ粒子の入射角が一定（直進性が良
い）となる条件で行う。その後、低抵抗化電極膜の成膜
をスパッタリングによって行うが、このときのスパッタ
リングは、例えばスパッタ粒子の入射角がランダムとな
る条件で行うといったように、永久磁石膜の成膜時とは
異なる直進性で行う。これにより、二層構造または逆テ
ーパ構造による遮蔽部分には、低抵抗化電極膜のみが成
膜される。したがって、マスクとなっていたレジスト膜
を剥離すれば、磁気抵抗効果素子の両端部近傍には、低
抵抗化電極膜のみがオーバーラップしている状態とな
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明に係る
磁気ヘッドの製造方法について説明する。

【００１１】先ず、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
の説明に先立ち、その製造方法によって得られる磁気ヘ
ッドについて説明する。図１は本発明に係る製造方法に
よって得られる磁気ヘッドにおける素子構造の一例を示
す構成図であり、図２はその磁気ヘッドの全体の概略構
成図であり、図３はその磁気ヘッドが搭載される回転ド
ラムの一例の概略構成を示す模式図である。

【００１２】図１に示すように、本実施形態で説明する
磁気ヘッドは、従来のものと略同様に、ＭＲ素子１の他
に、その両側に隣接して配設された二つの永久磁石膜２
と、各永久磁石膜２を覆うように配設された低抵抗化電
極膜３と、を備えてなるものである。ただし、この磁気
ヘッドでは、ＭＲ素子１の両端部近傍に低抵抗化電極膜
３のみがオーバーラップしている点に特徴がある。な
お、これらは、後述するように、薄膜形成プロセスを経
て形成される。

【００１３】また、これらＭＲ素子１、永久磁石膜２お
よび低抵抗化電極膜３は、図２に示すように、磁気的な
シールドを行うために配された一対の磁性シールド層
４，５に挟支され、さらにこれらが一対の硬質非磁性基
板６，７によって挟支され、これによりＭＲヘッド８が
構成されている。そして、ＭＲヘッド８の一端面には、
略円弧状の摺動面８ａが形成されている。摺動面８ａ
は、記録媒体の一種である磁気テープと高速で摺動する
ためのものである。この摺動面８ａ上では、硬質非磁性
基板７、磁性シールド層５、ＭＲ素子１、磁性シールド
層４および硬質非磁性基板６が、順に磁気テープの走行
方向（図中矢印Ａ参照）に沿って積み重なる薄膜積層構
造を構成している。

【００１４】なお、図例では、特徴を分かりやすく示す
ために、ＭＲ素子１および磁性シールド層４，５付近の
部分を大きく表記しているが、実際には当該部分は各硬
質非磁性基板６，７に比べると非常に微細である。具体
的には、例えば硬質非磁性基板６，７の磁気テープ走行
方向長さは０．８ｍｍ程度であるが、ＭＲ素子１および
磁性シールド層４，５等を含む部分の磁気テープ走行方
向長さは５μｍ程度である。したがって、このＭＲヘッ
ド８において、摺動面８ａとなるのは、殆ど各硬質非磁
性基板６，７の上部端面だけである。

【００１５】このように構成されたＭＲヘッド８は、図
３に示すように、回転ドラム９に搭載され、ヘリカルス
キャンニング方式によって記録媒体である磁気テープ１
０から信号を検出し再生する。つまり、本実施形態で説
明するＭＲヘッド８は、ＶＴＲ装置のような磁気テープ
を記録媒体として使用するシステムにおいて、再生用ヘ
ッドとして用いられるものであり、インダクティブ型磁
気ヘッド素子よりも高密度記録化を図るのに適したもの
である。

【００１６】次に、以上のようなＭＲヘッド８の製造方
法について説明する。図４〜２８は、ＭＲヘッドの製造
手順を説明するための図である。なお、これらの図は、
特徴を分かりやすく示すために、図１，２と同様に、特
徴となる部分を拡大して示している場合があり、各部材
の寸法の比率が実際と同じであるとは限らない。また、
以下の説明では、ＭＲヘッドを構成する各部材、その材
料、大きさおよび膜厚等について具体的な例を挙げる
が、本発明は以下の例に限定されるものではない。例え
ば、以下の説明では、ハードディスク装置等で実用化さ
れているものと同様な構造を有するシールド型のＳＡＬ
（Soft Adjacent Layer）バイアス方式のＭＲ素子を用
いた例を挙げるが、ＧＭＲ（Giant ＭＲ）ヘッドやスピ
ンバルブヘッドといったＭＲ素子も勿論使用可能であ
る。

【００１７】ＭＲヘッドを製造する際には、先ず、図４
（ａ）および（ｂ）に示すように、例えば直径４インチ
の円盤状の基板１１を用意し、この基板１１の表面に対
して鏡面加工を施す。この基板１１は、硬質非磁性基板
６となるもので、その材料には高硬度の軟磁性材料であ
るＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ（アルチック）、α−Ｆｅ₂Ｏ₃（α
−ヘマタイト）、ＮｉＺｎフェライト等が好適である。

【００１８】そして、基板１１上に下層シールドを形成
する。ここでは、ＭＲ素子を基準とした場合に、ＭＲ素
子よりも前に形成されるシールドを下層シールド、ＭＲ
素子形成後に作成されるシールドを上層シールドとい
う。下層シールド形成のために、基板１１上には、図５
（ａ）および（ｂ）に示すように、軟磁性薄膜１２をス
パッタリングにより形成する。ここで用いる軟磁性薄膜
１２は、例えばＦｅＡｌＳｉ（センダスト）のように、
良好な軟磁性を示し、かつ、摩耗腐食に優れたものであ
れば、特に限定されるものではない。ただし、ＭＲヘッ
ドのシールドとして機能するためには、システムで使用
する最長波長の２倍以上の厚みが必要であり、積層膜全
体の厚みは必要に応じて決定される（例えば２．５μ
ｍ）。

【００１９】軟磁性薄膜１２を形成したら、その後は、
図６（ａ）および（ｂ）に示すように、シールド膜をヘ
ッド毎に分離するためのパターニングを行う。先ず、レ
ジスト膜を塗布した後に、必要な形状に露光および現像
を行う、いわゆるフォトリソグラフィ技術を用いて、下
層シールドが必要となる位置に、例えば横８０μｍ、縦
１００μｍ程度の大きさのレジストパターン１３を残
す。そして、エッチングによりレジストパターン１３が
形成されていない部分の軟磁性薄膜１２を除去する。こ
こでのエッチングは、ドライ方式でもウェット方式でも
構わないが、加工のし易さ等を考慮すると、イオンエッ
チングが好適である。その後、イオンエッチングによっ
て炭化したレジスト表面を除去するためにＯ₂アッシャ
ーを施し、アセトンまたはＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリド
ン）等の有機溶剤にてレジストパターン１３を剥離す
る。

【００２０】これにより、基板１１上には、図７（ｂ）
に示すように、レジストパターン１３に対応した下層シ
ールド１４が形成されることになる。この下層シールド
１４は、磁性シールド層４に相当するものである。下層
シールド１４を形成した後は、続いて、図７（ａ）およ
び（ｂ）に示すように、下層シールド１４として残った
部分の凹凸を無くして基板表面を平坦化するために、基
板全面にスパッタ法や蒸着等の形成方法によってＡｌ₂
Ｏ₃層１５を例えば３μｍ程度形成し、下層シールド１
４上面が現れるまで表面を研磨する。このとき、Ａｌ₂
Ｏ₃層１５の膜厚は、下層シールド１４が完全に埋まる
必要が有るため、その下層シールド１４の厚み以上にす
る。なお、Ａｌ₂Ｏ₃の代わりにＳｉＯ₂等を用いても構
わない。表面の研磨は、ダイヤモンド砥粒で粗く削った
後化学的研磨（バフ研磨）で表面を慣らしてもいいし、
はじめから化学的研磨のみでも良い。ただし、基板全面
にわたって、下層シールド１４の表面が露出するまで行
う必要がある。そして、下層シールド１４に用いた軟磁
性薄膜１２の種類に応じて、その材料に最適な熱処理を
施す。例えば、軟磁性薄膜１２がセンダストであれば、
５５０℃前後まで１時間で加熱した後、同温度で１時間
保持し、その後自然冷却させるといった熱処理を施す。
この熱処理によって、透磁率は８００前後の値を得るこ
とができる。

【００２１】このような熱処理を施した後は、図８
（ａ）および（ｂ）に示すように、ＭＲ素子の下層ギャ
ップとなる非磁性非導電性膜１６を、スパッタリング等
により成膜する。ここで、非磁性非導電性膜１６の材料
には、絶縁特性や耐磨耗性等の観点から、Ａｌ₂Ｏ₃が好
適である。なお、この非磁性非導電性膜１６の膜厚は、
記録信号の周波数等に応じて適切な値に設定すればよ
く、例えば１００ｎｍ程度と設定することが考えられ
る。ただし、このとき、下層ギャップの膜厚算出方法に
おいて、最終的にシステムに必要なシールドシールド間
距離（いわゆる再生ギャップ）をＧとして、Ｇ／２−
（下層Ｔａ５ｎｍ＋ＳＡＬバイアス層ＮｉＦｅＮｂ３２
ｎｍ＋中間絶縁層Ｔａ５ｎｍ＋ＭＲ層ＮｉＦｅ３０ｎｍ
／２）と決定することで、下層シールドと上層シールド
の真中間にＭＲ素子が設置されることになる。

【００２２】非磁性非導電性膜１６を成膜した後は、図
９（ａ）および（ｂ）に示すように、その非磁性非導電
性膜１６の上に、ＳＡＬバイアス方式のＭＲ素子を構成
するための薄膜（以下「ＭＲ素子用薄膜」という）１７
を成膜する。具体的には、ＭＲ素子用薄膜１７は、例え
ば、Ｔａ（５ｎｍ）／ＮｉＦｅＮｂ（３２ｎｍ）／Ｔａ
（５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（３０ｎｍ）／Ｔａ（１ｎｍ）
を、この順にスパッタリングにより順次成膜して形成す
る。この場合は、ＮｉＦｅが、磁気抵抗効果を有する軟
磁性膜であり、ＭＲ素子の感磁部となる。また、ＮｉＦ
ｅＮｂが、ＮｉＦｅに対してバイアス磁界を印加するた
めの軟磁性膜（いわゆるＳＡＬ膜）となる。なお、磁気
抵抗効果素子の材料や膜厚は、上記の例に限るものでは
なく、システムの要求等に応じて適切なものを用いるよ
うにすればよい。

【００２３】その後は、ＭＲ素子の動作の安定化を図る
ために、図１０〜１６に示すように、各ＭＲ素子毎に、
二つの矩形状の永久磁石膜１８ａ，１８ｂ（図１におけ
る永久磁石膜２に相当）を、フォトリソグラフィ技術を
用いて、ＭＲ素子用薄膜１７に埋め込むとともに、素子
の抵抗値を減少させるために、永久磁石膜１８ａ，１８
ｂの上部に、より抵抗値の低い導電性材料による低抵抗
化電極膜１９ａ，１９ｂ（図１における低抵抗化電極膜
３に相当）を形成する。なお、図１１〜１６（後述する
図１７〜図２１も含む）は、一つのＭＲ素子に対応する
部分、すなわち図１０中の矢印Ｂの部分を拡大して示し
ている。

【００２４】ここで形成する各永久磁石膜１８ａ，１８
ｂは、図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、例えば
長軸方向の長さｔ３を約５０μｍ、短軸方向の長さｔ４
を約１０μｍとして、その間隔ｔ５を約５μｍとする。
この間隔ｔ５が、最終的には、ＭＲ素子の素子幅（例え
ば、約５μｍ）になる。ただし、素子幅は、上記の例に
限るものではなく、システムの要求等に応して、適切な
値に設定するようにすればよい。これら永久磁石膜１８
ａ，１８ｂが設置される位置は、下層シールド１４上で
あり、下層シールドの内部に収まっている必要がある。
具体的には、幅方向は永久磁石膜１８ａ，１８ｂの中心
が下層シールド１４の中心と一致する位置で、縦方向は
下層シールド１４の上端部から３０μｍ程度離れた位置
とすることが考えられる。ただし、永久磁石膜１８ａ，
１８ｂの位置は、最終的にシールドとして残る部分がＭ
Ｒ素子の磁束進入方向の幅（デプス）の５倍程度以上あ
ればよく、上述した値に限定されるものではない。

【００２５】このような永久磁石膜１８ａ，１８ｂおよ
び低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂを埋め込む際には、先
ず、フォトリソグラフティ技術を用いて、永久磁石膜１
８ａ，１８ｂが必要となる部分に、二つの長方形の開口
部を有したレジスト膜２０で、ＭＲ素子用薄膜１７上を
マスクする。ただし、このときに、ＭＲ素子用薄膜１７
上に形成するレジスト膜２０は、図１２に示すような反
射防止膜２０ａとの二層構造のもの、または図１３に示
すように開口部分が逆テーパ形状となっている逆テーパ
構造のものとする。すなわち、レジスト膜２０は、上層
側のほうが下方側より突出した形状に形成する。

【００２６】図１２のような二層構造のレジスト膜２０
を形成するには、一層目に通常は反射防止膜として用い
られる、例えばブリューワーサイエンス（Brewer Scien
ce）社製ＡＲＣを用い、上層には一般に用いられるレジ
スト、例えばクライアント社製ＡＺ６１０８等を用い、
露光までは通常の工程で行われる手法で行い、現像のみ
通常より長時間行えばよい。これにより、一層目のＡＲ
Ｃのみが除去され、上層が突出した二層構造のレジスト
形状が形成される。また、図１３のような逆テーパ形状
のレジスト膜２０を形成するには、逆テーパ用のレジス
ト、例えば日本ゼオン社製ＺＰＮ−１１００やクライア
ント社製ＡＺ５２１４Ｅを用いて、通常のプリベーク・
露光後に１１０℃の温度で加熱（反転ベーキング）と過
大露光（反転露光）を行えばよい。

【００２７】そして、レジスト膜２０を形成すると、例
えば図１４（ａ）および（ｂ）に示すように、エッチン
グを施して、開口部に露呈していたＭＲ素子用薄膜１７
を除去する。なお、ここでのエッチングは、ドライ方式
でもウェット方式でも構わないが、加工のし易さ等を考
慮すると、イオンエッチングが好適である。

【００２８】ＭＲ素子用薄膜１７を除去した後は、図１
５（ａ）および（ｂ）に示すように、永久磁石膜１８
ａ，１８ｂをスパッタリングによって成膜する。このと
きのスパッタリングは、スパッタ粒子の直進性が良くな
る条件下で行う。すなわち、二層構造または逆テーパ形
状のレジスト膜２０の最外端部からスパッタ粒子が回り
込むことのない直進性のスパッタリングを行う。

【００２９】具体的には、永久磁石膜１８ａ，１８ｂの
ターゲットに対し、基板１１を略平行にセッティング
し、スパッタ粒子の入射角が一定となる条件下で、スパ
ッタリングを行う。スパッタ粒子の入射角が一定となる
条件、すなわち直進性が良いスパッタリングの条件とし
ては、ターゲット−被成膜部間の距離が３００ｍｍ以
上、ガス圧が２×１０²Ｐａ以下の領域、処理チャンバ
内の到達真空度が１×１０^- ⁶Ｐａ程度等が挙げられる。
これらの条件がいずれも満たされていれば、直進性の良
いスパッタリングが行えると言える。ただし、スパッタ
粒子がレジスト膜２０の最外端部から回り込むことがな
ければ、他の条件下でスパッタリングを行うようにして
もよい。

【００３０】なお、永久磁石膜１８ａ，１８ｂの材料と
しては、保磁力が１０００［Ｏｅ］以上ある材料、例え
ばＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が好適である。そし
て、その厚みは、ＭＲ素子１の厚みと等しくする。

【００３１】永久磁石膜１８ａ，１８ｂの成膜後は、図
１６（ａ）および（ｂ）に示すように、さらに低抵抗化
電極膜１９ａ，１９ｂをスパッタリングによって成膜す
る。このときのスパッタリングは、永久磁石膜１８ａ，
１８ｂの場合とは異なり、スパッタ粒子の直進性が悪く
なる条件下で行う。すなわち、二層構造または逆テーパ
形状のレジスト膜２０の最外端部からスパッタ粒子が回
り込む直進性のスパッタリングを行う。

【００３２】具体的には、スパッタ粒子の入射角がラン
ダムとなる条件下で、スパッタリングを行う。スパッタ
粒子の入射角がランダムとなる条件、すなわち直進性が
悪いスパッタリングの条件としては、ターゲット−被成
膜部間の距離が３００ｍｍ未満、ガス圧が２×１０²Ｐ
ａを超える領域、処理チャンバ内の到達真空度が２×１
０^-5〜８×１０^-4Ｐａ程度等が挙げられる。これらの条
件のいずれかが満たされていると、直進性の悪いスパッ
タリングが行えると言える。ただし、スパッタ粒子がレ
ジスト膜２０の最外端部から回り込めば、他の条件下で
スパッタリングを行うようにしてもよい。

【００３３】このような直進性が悪いスパッタリングを
行うことで、低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂは、スパッ
タ粒子の入射角が一定の場合には成膜されなかったレジ
スト遮蔽部にまで成膜されることになり、これによりＭ
Ｒ素子１の両端近傍に低抵抗化電極膜３がオーバーラッ
プすることになる。

【００３４】なお、低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂの材
料としては、例えばＴｉＷ，Ｔａ等が好適である。そし
て、その厚みは、例えば６０ｎｍとする。永久磁石膜１
８ａ，１８ｂも含め、これらの厚みは、システムで必要
な抵抗値、ＭＲ素子のトラック幅等で決定される。

【００３５】そして、永久磁石膜１８ａ，１８ｂおよび
低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂを形成すると、マスクと
なっていたレジスト膜２０を、そのレジスト膜２０上に
成膜された永久磁石膜１８ａ，１８ｂおよび低抵抗化電
極膜１９ａ，１９ｂとともに除去する。これにより、所
定パターンの永久磁石膜１８ａ，１８ｂがＭＲ素子用薄
膜１７に埋め込まれ、かつ、低抵抗化電極膜１９ａ，１
９ｂがＭＲ素子１の両端近傍にオーバーラップしている
状態となる。

【００３６】その後は、図１７（ａ）および（ｂ）に示
すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、最終的に
ＭＲ素子として動作する部分（以下「素子部分」とい
う）２１を残して、ＭＲ素子用薄膜１７を除去する。な
お、このとき、当該素子部分２１にセンス電流を供給す
るための端子となる部分（以下「端子部分」という）２
２ａ，２２ｂも残しておく。具体的には、例えば、先ず
フォトレジストにより各ＭＲ素子毎に、素子部分２１と
端子部分２２ａ，２２ｂとに開口部を有するマスクを形
成する。次に、エッチングを施して、開口部に露呈して
いたＭＲ素子用薄膜１７を除去する。ここでのエッチン
グは、ドライ方式でもウェット方式でも構わないが、加
工のし易さ等を考慮すると、イオンエッチングが好適で
ある。その後、マスクとなっていたフォトレジストを除
去することにより、ＭＲ素子用薄膜１７のうち、素子部
分２１と端子部分２２ａ，２２ｂとが残された状態とな
る。

【００３７】なお、素子部分２１の幅ｔ６は、例えば約
７μｍとする。この幅ｔ６は、最終的には、素子部分２
１のテープ摺動面側の端部から他端までの長さ、すなわ
ちデプス長ｄに相当する。したがって、本例では、素子
部分２１のデプス長ｄは約７μｍとなる。ただし、デブ
ス長ｄは、上記の例に限るものではなく、システムの要
求等に応じて、適切な値に設定するようにすればよい。
また、端子部分２２ａ，２２ｂについては、例えば、そ
れぞれの長さｔ７を約２ｍｍとし、それぞれの幅ｔ８を
約８０μｍとし、それらの間隔ｔ９を約４０μｍとする
ことが考えられる。

【００３８】次いで、図１８（ａ）および（ｂ）に示す
ように、フォトリソグラフィ技術を用いて、素子部分２
１にセンス電流を供給するための端子部分２２ａ，２２
ｂを、より電気抵抗の小さい導電膜に置き換えて、素子
部分２１にセンス電流を供給するための端子２２ａ′，
２２ｂ′を形成する。具体的には、先ず、フォトレジス
トにより、端子となる部分２２ａ，２２ｂに開口部を有
するマスクを形成する。そして、エッチングを施して、
開口部に露呈している部分、すなわち端子となる部分２
２ａ，２２ｂに残されていたＭＲ素子用薄膜１７を除去
する。続いて、フォトレジストのマスクをそのまま残し
た状態で、その上に導電膜を成膜する。ここで、導電膜
は、例えば、Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ｃｕ（９０ｎｍ）／Ｔ
ｉ（１０ｎｍ）をこの順にスパッタリングにより順次成
膜して形成する。その後、マスクとなっていたフォトレ
ジストを、当該フォトレジスト上に成膜された導電膜と
ともに除去する。これにより、導電膜からなる端子が形
成された状態となる。

【００３９】そして、図１９（ａ）および（ｂ）に示す
ように、端子２２ａ′，２２ｂ′を形成した後、ＭＲ素
子の上層ギャップとなる非磁性非導電性膜２３を、スパ
ッタリング等により成膜する。ここで、非磁性非導電性
膜２３の材料には、絶縁特性や耐磨耗性等の観点から、
Ａｌ₂Ｏ₃が好適である。この非磁性非導電性膜２３の膜
厚は、記録信号の周波数等に応じて適切な値に設定すれ
ばよく、具体的には、例えば１２０ｎｍ程度とする。こ
の上層ギャップの正確な膜厚算出方法は、最終的にシス
テムに必要なシールドとシールド間距離（いわゆる再生
ギャップ）をＧとして、Ｇ／２−（ＭＲ層ＮｉＦｅ３０
ｎｍ／２＋下層Ｔａ５ｎｍ）と決定することで、下層シ
ールドと上層シールドの真中間にＭＲ素子が設置される
ことになる。

【００４０】非磁性非導電性膜２３の成膜後は、図２０
（ａ）および（ｂ）に示すように、上層シールドとなる
軟磁性薄膜２４を成膜する。このとき、軟磁性薄膜２４
は、上層ギャップであるＡｌ₂Ｏ₃を形成した後、図２１
または図２２に示すように、上層シールドとして必要と
なる部分を開口部としてレジスト膜２５でマスクするこ
とで形成する。これにより、軟磁性薄膜２４の形状を、
必要とされるシールドの形状とする。この上層シールド
となる軟磁性薄膜２４は、磁性シールド層５に相当する
ものである。

【００４１】ただし、ここで重要なことは、開口部を形
作るレジスト膜２５が、図２１（ｂ）に示すように二層
構造か、または図２２（ｂ）に示す逆テーパ型になって
おり、上層側のほうが下方側より突出した形状となって
いることである。これは、スパッタしたシールド膜をリ
フトオフの手法により形成するためである。なお、これ
らのレジスト膜２５は、永久磁石膜１８ａ，１８ｂおよ
び低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂを形成した際に用いた
レジスト膜２０と同様の手法によって形成すればよい。

【００４２】このようなレジスト膜２５によるマスクを
経て、上層シールドを形成する軟磁性薄膜２４をスパッ
タにより形成する。ここで注意が必要なのは、既にＭＲ
素子が形成されているため、下層シールドで行ったよう
な高温での熱処理工程を要れることができないことであ
る。そのため、上層シールドとして用いる軟磁性薄膜２
４には、ＭＲ素子の耐熱温度である３５０℃以下の熱処
理、または熱処理無しで軟磁性を示す材料でなくてはい
けないという制限が有る。このことから、軟磁性薄膜２
４としては、Ｃｏ系のアモルファス材料を用いることが
考えられる。

【００４３】その後は、図２１または図２２で示したレ
ジスト膜２５を、その上にスパッタされた軟磁性膜と共
に除去することで、上層シールドとなる軟磁性薄膜２４
の形成を終了する。レジスト膜２５の剥離には、アセト
ンまたはＮＭＰ（Ｎ一メチルピロリドン）等の溶剤を用
いる。このレジスト膜２５と同時にレジスト膜２５上に
形成された材料を除去し、レジストで覆われていない部
分のみを残すことをリフトオフ手法と呼ぶが、このリフ
トオフ手法によってリフトオフされる材料の端部を明瞭
に分断させるためには、上述した二層構造や逆テーパー
タイプのレジスト形状が必要となる。すなわち、これら
の形状によって成膜される材料が分断され、その分断部
からレジストを除去する溶剤が入り込むことにより、明
瞭なパターニングが可能となる。

【００４４】このときの剥離は、超音波洗浄槽等を用い
れば、その剥離時間を短縮することができる。また、軟
磁性体シールドが軟磁性層と非磁性層を交互に堆積させ
た積層膜の場合は、イオンエッチングでシールドの形成
を行った時のような、積層膜端部が静磁結合されず、ノ
イズの原因となることがない。

【００４５】上層シールドを形成する軟磁性薄膜２４の
形成後は、図２３（ａ）および（ｂ）に示すように、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、外部回路と接続するた
めの外部接続端子２６ａ，２６ｂを、上述した端子２２
ａ′，２２ｂ′の端部上に形成する。具体的には、例え
ば、先ずフォトレジストにより、外部接続端子２６ａ，
２６ｂとなる部分に開口部を有するマスクを形成する。
続いて、エッチングを施して、開口部に露呈している部
分、すなわち外部接続端子２６ａ，２６ｂとなる部分の
非磁性非導電性膜２３を除去し、上記端子２２ａ′，２
２ｂ′の端部を露出させる。そして、フォトレジストの
マスクをそのまま残した状態で、その上に導電膜を成膜
する。ここで、導電膜は、例えば、硫酸銅溶液を用いた
電解メッキにより、Ｃｕを６μｍ程度の膜厚となるよう
に形成する。なお、この導電膜の形成方法は、他の膜に
影響を与えないものであれば、電解メッキ以外の方法で
もよい。その後、マスクとなっていたフォトレジスト
を、当該フォトレジスト上に成膜された導電膜とともに
除去する。これにより、外部接続端子２６ａ，２６ｂが
形成された状態となる。なお、この外部接続端子２６
ａ，２６ｂの長さｔ１２は、例えば約５０μｍとする。
また、この外部接続端子２６ａ，２６ｂの幅ｔ１３は、
上記端子２２ａ′，２２ｂ′の幅ｔ８と同じであり、例
えば約８０μｍとなる。

【００４６】外部接続端子２６ａ，２６ｂを形成する
と、次いで、図２４（ａ）および（ｂ）に示すように、
ＭＲ素子全体を外部と遮断するため、全面に保護膜２７
を形成する。具体的には、例えばスパッタリングによ
り、Ａｌ₂Ｏ₃を４μｍ程度の膜厚となるように形成す
る。なお、この保護膜２７の材料は、非磁性非導電性の
材料であれば、Ａｌ₂Ｏ₃以外も使用可能であるが、耐環
境性や耐磨耗性等を考慮すると、Ａｌ₂Ｏ₃が好適であ
る。また、この保護膜２７の形成方法は、スパッタリン
グ以外の方法によるものであってもよく、例えば蒸着等
によって形成するようにしてもよい。その後、外部接続
端子２６ａ，２６ｂが表面に露出するまで、全面に被覆
した保護膜２７を研磨する。ここでの研磨は、例えば粒
径が約２μｍのダイヤモンド砥粒により、外部接続端子
２６ａ，２６ｂの表面が露出するまで大まかに研磨した
後、シリコン砥粒によるバフ研磨を施して、表面を鏡面
状態に仕上げるようにする。

【００４７】このようにして保護膜２７を形成した後
は、基板１１上に形成された多数のＭＲ素子群に対し、
図２５に示すように、その基板を短冊状に切り分け、幾
つかのＭＲ素子が横方向に並ぶようなブロック２８を形
成する。横方向に並ぶＭＲ素子の数は生産性を考慮する
とできる限り多い方が良い。図例では簡略化のため５個
のみ示しているが、実際はこれ以上でも構わない。ブロ
ック２８の幅ｔ１４は２ｍｍとしている。

【００４８】短冊状に切り分けたブロック２８を形成す
ると、次いで、図２６に示すように、その切り出された
ブロック２８に、例えば厚さｔ１５が約０．７ｍｍの基
板２９を貼り付ける。基板２９の貼り付けには、例えば
樹脂等の接着剤が用いればよい。このとき、基板２９の
高さｔ１６を第１の基板１１の高さｔ１４よりも小さく
して、外部接続端子２６ａ，２６ｂを露出させ、これら
への電気的な接続を行い得るようにする。この基板２９
は、硬質非磁性基板７となるもので、基板１１と同種の
材料（多結晶フェライト等）を用いる。

【００４９】基板２９の貼り付け後は、図２７に示すよ
うに、摺動面８ａとなる面に対し研削加工を施し、円弧
状とする。具体的には、ＭＲ素子の前端が摺動面８ａ上
に露呈するとともに、当該ＭＲ素子のデプス長ｄが所定
の長さとなるまで、ブロック２８および基板２９の接合
体に対して円筒研磨を施す。これにより、摺動面８ａが
略円弧状の曲面とされる。なお、この研磨によって形成
されるテープ摺動面８ａのＲ形状は、テープテンション
等に応じた適切な形状とすればよく、特に限定されるも
のではない。

【００５０】そして、研磨が終了すると、ＭＲヘッドを
個別に分離するために、図２８に示すように、システム
で要求されるアジマス角度θをつけて、一定間隔でブロ
ック２８および基板２９からなる接合体の切断を行う。

【００５１】図１に示した本実施形態におけるＭＲヘッ
ド８は、以上のような手順によって製造される。そし
て、ＭＲヘッド８を使用する際には、そのＭＲヘッド８
をチップベースに貼り付けるとともに、外部接続端子２
６ａ，２６ｂとチップベースに設けられた端子とを電気
的に接続し、これらを磁気テープ装置１の回転ドラム２
ａに取り付ける。

【００５２】以上のように、本実施形態におけるＭＲヘ
ッドの製造方法では、永久磁石膜１８ａ，１８ｂおよび
低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂの埋め込みを、二層構造
または逆テーパ形状のレジスト膜２０の形成後、互いに
異なる直進性のスパッタリング、さらに詳しくはスパッ
タ粒子の入射角が一定となる（直進性が良い）スパッタ
リング条件と、スパッタ粒子の入射角がランダムな（直
進性が悪い）スパッタリング条件とで、それぞれ行うよ
うになっている。したがって、本実施形態のＭＲヘッド
の製造方法によれば、ＭＲ素子１の両端近傍に低抵抗化
電極膜３のみをオーバーラップさせた構成とすることが
でき、しかもそのために例えば多くの工程を要すること
がなく、容易に当該構成を実現することができる。

【００５３】また、ＭＲ素子１の両端近傍に低抵抗化電
極膜３のみをオーバーラップさせた構成とすることがで
きることから、本実施形態の製造方法によって得られる
ＭＲヘッドを用いれば、ＭＲ素子１の両端近傍の活性化
領域を無視できるようになり、不均一な磁壁移動に伴う
ノイズの発生を抑えられるようになる。さらに、ＭＲ素
子１全体の抵抗値を減少させ、抵抗値から発生する熱ノ
イズを抑えた高いＳＮ比を実現できる。さらにまた、サ
ブミクロンレベルの更なる狭トラック化を目指した場合
であっても、従来のような読み出し効率の低下を極力回
避でき、結果として更なる狭トラック化に好適なものと
なる。つまり、本実施形態のＭＲヘッドの製造方法によ
れば、低ノイズおよび狭トラックといった特徴を合わせ
持つＭＲヘッドを提供することができる。

【００５４】なお、本実施形態におけるＭＲヘッドの製
造方法では、低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂの埋め込み
時にスパッタ粒子の入射角がランダムな（直進性の悪
い）スパッタリングを行っているが、その際にスパッタ
粒子がレジスト遮蔽部に入り込む角度は、例えば図２９
に示すように、二層構造のレジスト膜２０におけるレジ
スト形状の切れ込み量をａ、反射防止膜２０ａの厚みを
ｂとすると、ａ，ｂのアスペクト比が０．５〜１．５程
度であることが望ましい。これは、逆テーパ形状のレジ
スト膜２０の場合についても全く同様である。

【００５５】また、スパッタリングを行う際におけるス
パッタ粒子の直進性の善し悪しについては、例えば成膜
時におけるカバレージ（COVERAGE）特性に基づいて判断
することが考えられる。カバレージ特性とは、例えば図
３０（ａ）に示すように、アスペクト比がｃ，ｄによっ
て特定されるホール（穴）部に成膜を行い、そのホール
部の深さに対して成膜がされた量ｅを測定して得られる
特性をいう。このようなカバレージ特性について、ター
ゲット−被成膜部間の距離を可変させて測定したとこ
ろ、図３０（ｂ）に示すように、当該距離（Ｔ／Ｓ）が
３００ｍｍ以上であれば、直進性の良いスパッタリング
が行え、３００ｍｍ未満であればスパッタ粒子の直進性
が悪くなることが分かった。また、カバレージ特性につ
いて、ガス圧を可変させて測定したところ、図３０
（ｃ）に示すように、当該ガス圧が２×１０²Ｐａ以下
の領域であれば、直進性の良いスパッタリングが行え、
２×１０²Ｐａ未満であればスパッタ粒子の直進性が悪
くなることが分かった。

【００５６】これらのことから、本実施形態におけるＭ
Ｒヘッドの製造方法では、既に説明したように、ターゲ
ット−被成膜部間の距離が３００ｍｍ以上、ガス圧が２
×１０²Ｐａ以下の領域、処理チャンバ内の到達真空度
が１×１０^-6Ｐａ程度といった条件がいずれも満たされ
ている状態で永久磁石膜１８ａ，１８ｂのスパッタリン
グを行う一方、これらの条件のいずれかが満たされてい
ない状態で低抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂのスパッタリ
ングを行っている。ただし、スパッタリングをの直進性
の善し悪しについては、必ずしもこれらの条件に限定さ
れるものではなく、永久磁石膜１８ａ，１８ｂおよび低
抵抗化電極膜１９ａ，１９ｂの大きさ等によっても変わ
ってくることが考えられる。つまり、本発明は、上述し
た条件に限定されるものではない。

【００５７】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係る磁
気ヘッドの製造方法によれば、ヘッド素子両端部近傍に
低抵抗化電極膜のみを容易にオーバーラップさせること
のできるようになり、これによりその磁気ヘッドの更な
る狭トラック化等への対応が実現可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る製造方法によって得られる磁気ヘ
ッドの素子構造の一例を示す構成図である。

【図２】図１の磁気ヘッドの全体の概略構成図である。

【図３】図１の磁気ヘッドが搭載される回転ドラムの一
例の概略構成を示す模式図である。

【図４】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法の手順を説
明するための図（その１）であり、（ａ）は基板の平面
図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図５】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法の手順を説
明するための図（その２）であり、（ａ）は基板上に軟
磁性膜を成膜した状態を示す平面図であり、（ｂ）はそ
の側面図である。

【図６】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法の手順を説
明するための図（その３）であり、（ａ）はシールド形
状にフォトレジストパターンを形成した状態を示す平面
図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図７】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明する
ための図（その４）であり、（ａ）は下層シールドを形
成した後の状態を示す平面図であり、（ｂ）はその側断
面図である。

【図８】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明する
ための図（その５）であり、（ａ）は非磁性非導電性膜
を成膜した状態を示す平面図であり、（ｂ）はその側断
面図である。

【図９】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明する
ための図（その６）であり、（ａ）は磁気抵抗効果型素
子用薄膜を成膜した後の状態を示す平面図であり、
（ｂ）はその側断面図である。

【図１０】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その７）であり、磁気抵抗効果型素子用薄
膜に永久磁石膜を埋め込んだ状態を示す平面図である。

【図１１】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その８）であり、（ａ）は図１０における
一つのヘッド素子に対応する部分を拡大した平面図であ
り、（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。

【図１２】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その９）であり、（ａ）は二層構造のレジ
スト膜について一つのヘッド素子に対応する部分を拡大
した平面図であり、（ｂ）はそのＤ−Ｄ断面図である。

【図１３】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１０）であり、（ａ）は逆テーパ形状
のレジスト膜について一つのヘッド素子に対応する部分
を拡大した平面図であり、（ｂ）はそのＥ−Ｅ断面図で
ある。

【図１４】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１１）であり、（ａ）は磁気抵抗効果
型素子用薄膜のエッチング状態の一例について一つのヘ
ッド素子に対応する部分を拡大した平面図であり、
（ｂ）はそのＦ−Ｆ断面図である。

【図１５】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１２）であり、（ａ）は永久磁石膜の
成膜状態について一つのヘッド素子に対応する部分を拡
大した平面図であり、（ｂ）はそのＧ−Ｇ断面図であ
る。

【図１６】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１３）であり、（ａ）は低抵抗化電極
膜の成膜状態について一つのヘッド素子に対応する部分
を拡大した平面図であり、（ｂ）はそのＨ−Ｈ断面図で
ある。

【図１７】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１４）であり、（ａ）は素子部分およ
び端子部分の形成後の状態について一つのヘッド素子に
対応する部分を拡大した平面図であり、（ｂ）はそのＩ
−Ｉ断面図である。

【図１８】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１５）であり、（ａ）は電気抵抗の小
さい端子の形成後の状態について一つのヘッド素子に対
応する部分を拡大した平面図であり、（ｂ）はそのＪ−
Ｊ断面図である。

【図１９】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１６）であり、（ａ）はヘッド素子の
上層ギャップとなる非磁性非導電性膜を成膜した状態に
ついて１つのヘッド素子に対応する部分を拡大した平面
図であり、（ｂ）はそのＫ−Ｋ断面図である。

【図２０】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１７）であり、（ａ）は上層ギャップ
の形成後の状態について１つのヘッド素子に対応する部
分を拡大した平面図であり、（ｂ）はそのＬ−Ｌ断面図
である。

【図２１】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１８）であり、（ａ）はリフトオフを
行うために二層構造に形成されたレジストの形状を表わ
す平面図であり、（ｂ）はそのＭ−Ｍ断面図である。

【図２２】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その１９）であり、（ａ）はリフトオフを
行うために逆テーパ型に形成されたレジストの形状を表
わす平面図であり、（ｂ）はそのＮ−Ｎ断面図である。

【図２３】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その２０）であり、（ａ）は外部回路と接
続するための外部接続端子を形成した状態を示す平面図
であり、（ｂ）はそのＯ−Ｏ断面図である。

【図２４】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その２１）であり、（ａ）は保護膜を成膜
した後その保護膜を外部接続端子が露出するまで研磨し
た状態を示す平面図であり、（ｂ）はそのＰ−Ｐ断面図
である。

【図２５】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その２２）であり、ヘッド素子が形成され
た硬質非磁性基板をブロック状に切断した状態を示す模
式図である。

【図２６】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その２３）であり、図２５のブロックに硬
質非磁性基板を張り合わせた状態を示す斜視図である。

【図２７】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その２４）であり、図２６のブロックの上
面部分を円弧状に加工した状態を示す斜視図である。

【図２８】本発明に係る磁気ヘッドの製造手順を説明す
るための図（その２５）であり、図２７のブロックをヘ
ッド素子毎に分断する様子を示す模式図である。

【図２９】二層構造のレジスト膜におけるアスペクト比
について説明する模式図である。

【図３０】スパッタリングの直進性について説明する図
であり、（ａ）はその判定の基になるカバレージ特性に
ついての説明図、（ｂ）はＴ／Ｓ距離に対するカバレー
ジ特性の一具体例を示す説明図、（ｃ）はガス圧に対す
るカバレージ特性の一具体例を示す説明図である。

【図３１】一般的な磁気抵抗効果型の磁気ヘッドの素子
構造を説明するための模式図である。

【符号の説明】

１…ＭＲ素子、２，１８ａ，１８ｂ…永久磁石膜、３，
１９ａ，１９ｂ…低抵抗化電極膜、８…ＭＲヘッド、１
７…ＭＲ素子用薄膜、２０…レジスト膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ０１Ｌ 43/12 43/12 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果素子と、当該磁気抵抗効果
素子の両側に隣接して配設される永久磁石膜と、当該永
久磁石膜を覆うように配設される低抵抗化電極膜とを備
えてなる磁気ヘッドの製造方法であって、前記磁気抵抗効果素子を構成するための膜を二層レジス
ト膜または逆テーパレジスト膜で覆い、当該膜の前記二層レジスト膜または前記逆テーパレジス
ト膜で覆われた以外の部分をエッチングで除去し、当該エッチングによる除去部分に前記永久磁石膜をスパ
ッタリングにより成膜し、さらに前記永久磁石膜の成膜時とは異なる直進性のスパ
ッタリングにより前記低抵抗化電極膜を成膜して、前記
磁気抵抗効果素子の両端部近傍に当該低抵抗化電極膜の
みをオーバーラップさせることを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法に
おいて、前記永久磁石膜の成膜時には、前記二層レジスト膜また
は前記逆テーパレジスト膜の最外端部からスパッタ粒子
が回り込むことのない直進性のスパッタリングを行い、前記低抵抗化電極膜の成膜時には、前記二層レジスト膜
または前記逆テーパレジスト膜の最外端部からスパッタ
粒子が回り込む直進性のスパッタリングを行うことを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法。