JP2003016612A - Method of manufacturing magnetoresistive head - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method capable of manufacturing a magnetoresistive head with high yield by preventing the dielectric breakdown of a magnetoresistive element. SOLUTION: A real element 41 of the magnetoresistive head and a resistor element 42 for working are respectively formed on a substrate, and after short- circuited wirings 37A, 37B are formed for electrically connecting a magnetoresistive element 14 of the real element 41 and the resistor element 42 for working, the magnetoresistive element 14 of the real element 41 is worked, and after that, the short-circuited wirings 37A, 37B are cut off to manufacture the magnetoresistive head provided with the magnetoresistive element 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
を有して成る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に係わ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a magnetoresistive head having a magnetoresistive effect element.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、磁気抵抗効果素子として巨大磁気
抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を用いた磁気抵抗効果型ヘ
ッド（ＧＭＲヘッド）が実用化されている。このＧＭＲ
ヘッドは、従来適用されていた磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）を用いた磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）と
比較して、数倍〜数十倍の出力が得られる。2. Description of the Related Art In recent years, a magnetoresistive head (GMR head) using a giant magnetoresistive effect element (GMR element) as a magnetoresistive effect element has been put into practical use. This GMR
The head is a magnetoresistive effect element (MR
The output is several to several tens of times higher than that of a magnetoresistive head (MR head) using an element.

【０００３】そして、ハードディスク装置の記録密度向
上のために、記録再生用の磁気ヘッドとして、上述のＧ
ＭＲヘッドと、インダクティブ型（誘導型）薄膜磁気ヘ
ッドとを積層した複合型磁気ヘッドも提案されている。In order to improve the recording density of the hard disk drive, a magnetic head for recording / reproducing is used as the above-mentioned G.
A composite magnetic head in which an MR head and an inductive (induction) thin film magnetic head are stacked is also proposed.

【０００４】ＧＭＲヘッドに限らず、磁気抵抗効果素子
を有して成る磁気抵抗効果型ヘッドの製造においては、
磁気記録媒体に対向する摺動面（ＡＢＳ）側から研磨を
行って、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）のハイト（高
さ）或いはデプス即ち摺動面（ＡＢＳ）からＭＲ素子の
後端部までの長さを制御している。Not only the GMR head but also the magnetoresistive head having the magnetoresistive effect element is manufactured.
Polishing is performed from the sliding surface (ABS) side facing the magnetic recording medium so that the height or depth of the magnetoresistive effect element (MR element), that is, the sliding surface (ABS) to the rear end of the MR element. Is controlling the length of.

【０００５】このとき、磁気抵抗効果型ヘッドの実素子
と共に、ウェハ上に加工用抵抗素子（ＥＬＧ：Electric
al Lapping Guide）を形成しておき、この加工用抵抗素
子の抵抗値を測定しながら研磨を行っている。この加工
用抵抗素子は、例えばウェハをチップに切り分ける際の
切りしろ等に設けられる。At this time, a resistance element for processing (ELG: Electric) is formed on the wafer together with the actual element of the magnetoresistive head.
al Lapping Guide) is formed and polishing is performed while measuring the resistance value of the processing resistance element. The processing resistance element is provided, for example, in a cutting margin when the wafer is cut into chips.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気抵
抗効果型ヘッドを製造する際に、磁気抵抗効果素子（Ｍ
Ｒ素子やＧＭＲ素子）が静電破壊されることが大きな問
題となっている。特に上述のＧＭＲヘッドの場合には、
静電破壊が起こりやすい。However, when manufacturing the magnetoresistive head, the magnetoresistive element (M
It is a big problem that the R element and the GMR element) are electrostatically destroyed. Especially in the case of the above-mentioned GMR head,
Electrostatic breakdown is likely to occur.

【０００７】これは、ＧＭＲヘッドのＧＭＲ素子を構成
する膜が、数ｎｍオーダーと非常に薄く、静電気により
破壊されやすいためである。This is because the film forming the GMR element of the GMR head is very thin, on the order of several nm, and is easily destroyed by static electricity.

【０００８】この静電破壊は、磁気抵抗効果型ヘッドの
製造工程のうち、特に記録媒体と対向するＡＢＳ（Air
Bearing Surface ）側からヘッドを加工し、ＭＲ素子を
規格の抵抗値にする研磨加工工程において、発生しやす
くなっている。これは、研磨加工工程において、研磨の
治具との摩擦によりＭＲ素子が帯電し、その電荷が蓄積
されることに起因する。This electrostatic breakdown is caused by ABS (Air) facing the recording medium in the manufacturing process of the magnetoresistive head.
It tends to occur in the polishing process in which the MR element is processed from the bearing surface side to make the MR element have a standard resistance value. This is because in the polishing process, the MR element is charged by friction with the polishing jig and the charge is accumulated.

【０００９】さらに、研磨加工の後に、ＭＲ素子の特性
を測定することがある。ＭＲ素子には抵抗変化を検出す
るための電極が形成され、この電極がリード線や配線を
介して端子に接続される。そして、端子をＭＲ素子の特
性測定等のためにアースした場合、帯電により蓄積され
た電荷が外部に放電されるため、このときにアースされ
ていない方の端子からＭＲ素子を通ってアース側に大電
流が流れ、その結果としてＭＲ素子の静電破壊を招くこ
とになる。Further, the characteristics of the MR element may be measured after polishing. An electrode for detecting a resistance change is formed on the MR element, and this electrode is connected to a terminal via a lead wire or a wiring. When the terminal is grounded for the purpose of measuring the characteristics of the MR element, the electric charge accumulated by the charging is discharged to the outside, and at this time, the terminal not grounded passes through the MR element to the ground side. A large current flows, resulting in electrostatic breakdown of the MR element.

【００１０】このような静電破壊により、磁気抵抗効果
型ヘッドの製造歩留まりが低下してしまう。Due to such electrostatic breakdown, the manufacturing yield of the magnetoresistive head decreases.

【００１１】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止することに
より、歩留まりよく製造することができる磁気抵抗効果
型ヘッドの製造方法を提供するものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method of manufacturing a magnetoresistive head which can be manufactured with high yield by preventing electrostatic breakdown of the magnetoresistive element. Is.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法は、磁気抵抗効果素子を有して成る磁
気抵抗効果型ヘッドを製造するものであって、基板上に
磁気抵抗効果型ヘッドの実素子と加工用抵抗素子とをそ
れぞれ形成し、実素子の磁気抵抗効果素子と加工用抵抗
素子とを電気的に接続する短絡配線を形成した後に、実
素子の磁気抵抗効果素子の加工を行い、その後短絡配線
を切断するものである。A method of manufacturing a magnetoresistive head according to the present invention is a method of manufacturing a magnetoresistive head having a magnetoresistive element, the magnetoresistive effect being formed on a substrate. After forming the real element of the mold head and the machining resistance element respectively, and forming short-circuit wiring for electrically connecting the magnetoresistive effect element of the real element and the machining resistance element, the magnetoresistive effect element of the real element is formed. Processing is performed, and then the short circuit wiring is cut.

【００１３】上述の本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法によれば、基板上に磁気抵抗効果型ヘッドの実素
子と加工用抵抗素子とをそれぞれ形成し、実素子の磁気
抵抗効果素子と加工用抵抗素子とを電気的に接続する短
絡配線を形成することにより、実素子の磁気抵抗効果素
子と加工用抵抗素子とが短絡配線により電気的に接続さ
れて等電位になる。その後に、実素子の磁気抵抗効果素
子の加工を行うことにより、実素子の加工の際に磁気抵
抗効果素子が帯電しても、加工用抵抗素子と等電位にな
っているため、電荷が蓄積されない。このとき、実素子
に電荷が蓄積されていないため、その後実素子の特性を
測定するために端子をアースしても、実素子の磁気抵抗
効果素子に静電破壊を発生しない。そして、その後短絡
配線を切断することにより、磁気抵抗効果型ヘッドの実
素子の配線が開放されて、実素子を動作させたり実素子
の特性の測定を行ったりすることが可能になり、磁気抵
抗効果型ヘッドを完成させることができる。According to the above-described method of manufacturing a magnetoresistive head of the present invention, the real element of the magnetoresistive head and the machining resistance element are formed on the substrate, and the magnetoresistive element of the real element is formed. By forming the short-circuit wiring that electrically connects the processing resistance element, the magnetoresistive effect element of the actual element and the processing resistance element are electrically connected by the short-circuit wiring to have the same potential. After that, by processing the magnetoresistive effect element of the actual element, even if the magnetoresistive effect element is charged during the processing of the actual element, the electric potential is equal to that of the resistance element for processing, so the electric charge is accumulated. Not done. At this time, since the electric charge is not accumulated in the actual element, even if the terminal is subsequently grounded to measure the characteristics of the actual element, electrostatic breakdown does not occur in the magnetoresistive effect element of the actual element. Then, by cutting the short-circuit wiring after that, the wiring of the actual element of the magnetoresistive head is opened, and it becomes possible to operate the actual element and measure the characteristics of the actual element. The effect type head can be completed.

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】本発明は、磁気抵抗効果素子を有
して成る磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法であっ
て、基板上に磁気抵抗効果型ヘッドの実素子と加工用抵
抗素子とをそれぞれ形成し、実素子の磁気抵抗効果素子
と加工用抵抗素子とを電気的に接続する短絡配線を形成
した後に、実素子の磁気抵抗効果素子の加工を行い、そ
の後短絡配線を切断する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is a method for manufacturing a magnetoresistive head having a magnetoresistive effect element, which comprises a real element of a magnetoresistive effect head and a machining resistance element on a substrate. After forming the respective short-circuit wiring that electrically connects the magnetoresistive effect element of the actual element and the resistance element for processing, the magnetoresistive effect element of the actual element is processed, and then the short-circuit wiring is cut off. It is a method of manufacturing a resistance effect head.

【００１５】また本発明は、上記磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法において、上記加工用抵抗素子を上記基板上
に複数形成し、複数の該加工用抵抗素子のうち一部に上
記短絡配線を接続せず、該短絡配線を接続していない加
工用抵抗素子の抵抗を測定しながら上記実素子の上記磁
気抵抗効果素子の加工を行う。Further, according to the present invention, in the method for manufacturing a magnetoresistive head, a plurality of processing resistance elements are formed on the substrate, and the short-circuit wiring is connected to a part of the plurality of processing resistance elements. Without doing so, the magnetoresistive effect element of the actual element is processed while measuring the resistance of the processing resistance element to which the short-circuit wiring is not connected.

【００１６】まず、本発明製法を適用する複合型磁気ヘ
ッドの一形態の概略構成図（断面図）を図１に示す。こ
の複合型磁気ヘッド１０は、磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍ
Ｒヘッド）１上にインダクティブ型薄膜磁気ヘッド２を
積層形成して構成されている。First, FIG. 1 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of one embodiment of a composite magnetic head to which the manufacturing method of the present invention is applied. The composite magnetic head 10 is a magnetoresistive head (M
An inductive thin film magnetic head 2 is laminated on an R head) 1 to form a structure.

【００１７】ＭＲヘッド１は、アルチック等の硬質材料
から成る基板１１に薄膜が積層された構造となってい
る。この場合は、特に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）と
して、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を用いてお
り、いわゆるＧＭＲヘッドを構成している。基板１１上
に下部磁気シールド層１２と非磁性の下部磁気ギャップ
膜１３が積層され、その上に磁気抵抗効果を有する磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）を構成するＭＲ膜１４を配置
している。ＭＲ膜１４は、磁気記録媒体との摺動面側に
設けられ、かつ一方の端面が磁気記録媒体側に露出する
ように形成されている。The MR head 1 has a structure in which thin films are laminated on a substrate 11 made of a hard material such as AlTiC. In this case, a giant magnetoresistive effect element (GMR element) is used as the magnetoresistive effect element (MR element), and a so-called GMR head is configured. A lower magnetic shield layer 12 and a non-magnetic lower magnetic gap film 13 are laminated on a substrate 11, and an MR film 14 constituting a magnetoresistive effect element (MR element) having a magnetoresistive effect is arranged on the lower magnetic shield layer 12. The MR film 14 is provided on the sliding surface side with respect to the magnetic recording medium, and is formed so that one end surface is exposed to the magnetic recording medium side.

【００１８】また、ＭＲ膜１４上に上部磁気ギャップ膜
１５が形成され、その上に例えばＮｉＦｅ合金から成る
中間磁気シールド層１６が形成されている。下部磁気ギ
ャップ膜１３及び上部磁気ギャップ膜１５により、ＭＲ
ヘッド１の磁気ギャップが形成されている。An upper magnetic gap film 15 is formed on the MR film 14, and an intermediate magnetic shield layer 16 made of, for example, a NiFe alloy is formed on the upper magnetic gap film 15. With the lower magnetic gap film 13 and the upper magnetic gap film 15, the MR
The magnetic gap of the head 1 is formed.

【００１９】一方、インダクティブ型薄膜磁気ヘッド２
は、ＭＲヘッド１を構成する中間磁気シールド層１６を
下層の磁気コアとして兼用させ、この中間磁気シールド
層１６上方の摺動面側に記録ギャップ膜１７を形成し、
この記録ギャップ膜１７上に磁性膜から成る記録ポール
１８が形成されている。On the other hand, the inductive thin film magnetic head 2
Uses the intermediate magnetic shield layer 16 constituting the MR head 1 also as a lower magnetic core, and forms the recording gap film 17 on the sliding surface side above the intermediate magnetic shield layer 16.
A recording pole 18 made of a magnetic film is formed on the recording gap film 17.

【００２０】中間磁気シールド層１６上に形成された絶
縁層２２により平坦化された面の上にコイル１９が形成
され、このコイル１９を覆って絶縁膜２０が形成されて
いる。さらに絶縁膜２０の上方に記録ポール１８に接続
して磁性膜から成る上層磁気コア２１が形成されてい
る。上層磁気コア２１の後方の部分２１Ｂはバックギャ
ップを構成し、ここで中間磁気シールド層１６と磁気的
に接続されるようになっている。A coil 19 is formed on the surface flattened by the insulating layer 22 formed on the intermediate magnetic shield layer 16, and an insulating film 20 is formed so as to cover the coil 19. Further, an upper magnetic core 21 made of a magnetic film is formed above the insulating film 20 and connected to the recording pole 18. The rear portion 21B of the upper magnetic core 21 constitutes a back gap, and is magnetically connected to the intermediate magnetic shield layer 16 here.

【００２１】この図１に示す複合型磁気ヘッド１０は、
ＭＲヘッド１を再生用の磁気ヘッドとして、インダクテ
ィブ型薄膜磁気ヘッド２を記録用の磁気ヘッドとして用
いることができ、例えばハードディスク用や磁気テープ
装置用の記録再生用磁気ヘッドに用いて好適なものであ
る。The composite magnetic head 10 shown in FIG.
The MR head 1 can be used as a reproducing magnetic head, and the inductive thin film magnetic head 2 can be used as a recording magnetic head. For example, it is suitable for use as a recording / reproducing magnetic head for a hard disk or a magnetic tape device. is there.

【００２２】さらに、図１のＭＲヘッド１のＭＲ膜１４
付近の斜視図を図２に示し、ＭＲヘッド１の斜視図を図
３に示す。図２に示すように、ＭＲ膜（この場合はＧＭ
Ｒ膜）１４の左右に、このＭＲ膜１４にバイアス磁界を
印加するハードバイアス膜（硬磁性膜）３１が配置され
ている。このハードバイアス膜３１は、バイアス磁界を
かけてＭＲ膜１４内のスピンの向きを規制するために設
けられる。Further, the MR film 14 of the MR head 1 shown in FIG.
A perspective view of the vicinity is shown in FIG. 2, and a perspective view of the MR head 1 is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the MR film (in this case, GM
Hard bias films (hard magnetic films) 31 for applying a bias magnetic field to the MR film 14 are disposed on the left and right of the R film) 14. The hard bias film 31 is provided to apply a bias magnetic field to regulate the direction of spins in the MR film 14.

【００２３】ＭＲ素子（ＧＭＲ素子）を構成するＭＲ膜
１４は、ＮｉＦｅ等の強磁性薄膜やＣｕ等の非磁性薄膜
やＰｔＭｎ等の反強磁性薄膜を数層〜十数層積層させて
形成されている。これらＭＲ膜（ＧＭＲ膜）１４及びハ
ードバイアス膜３１の膜厚は、ＭＲ素子の高感度化を図
るために数ｎｍ〜数十ｎｍであり、ＭＲ膜１４の幅に対
応する再生トラック幅は数百ｎｍ、ＭＲ素子（ＧＭＲ素
子）の高さ（ハイト：摺動面から感磁部即ちＭＲ素子の
後端部までの長さ）は数μｍである。The MR film 14 constituting the MR element (GMR element) is formed by laminating several to ten or more layers of a ferromagnetic thin film such as NiFe, a nonmagnetic thin film such as Cu or an antiferromagnetic thin film such as PtMn. ing. The film thicknesses of the MR film (GMR film) 14 and the hard bias film 31 are several nm to several tens of nm in order to increase the sensitivity of the MR element, and the reproduction track width corresponding to the width of the MR film 14 is several. The height of the MR element (GMR element) is 100 μm, and the height (height: length from the sliding surface to the magnetic sensitive portion, that is, the rear end portion of the MR element) is several μm.

【００２４】さらに、２つのリード電極３２がＭＲ膜１
４の左右両端にそれぞれ接続して形成されている。この
リード膜はＭＲ膜１４上に接続された例えばＴｉＷ膜か
ら成る電極膜と、この電極膜の後方に接続され広い面積
に形成されたリード膜とから構成される。これら２つの
リード電極３２により、ＭＲ素子の抵抗変化を電圧変化
として取り出すことができる。Further, the two lead electrodes 32 are formed on the MR film 1.
4 are formed by connecting to both left and right ends respectively. The lead film is composed of an electrode film made of, for example, a TiW film connected on the MR film 14, and a lead film formed behind the electrode film and formed in a large area. With these two lead electrodes 32, the resistance change of the MR element can be extracted as a voltage change.

【００２５】また、図３に示すように、ＭＲ膜１４は下
部磁気ギャップ膜１３及び上部磁気ギャップ膜１５を介
してＮｉＦｅ等の透磁率の高い強磁性を有する下部磁気
シールド層１２と中間磁気シールド層１６で挟み込むシ
ールド型構成となっている。このようにＭＲ膜１４から
成るＭＲ素子を透磁率の高いシールド１２，１６で挟み
込むことにより、信号の分解率を高めることができる。Further, as shown in FIG. 3, the MR film 14 includes the lower magnetic gap film 13 and the upper magnetic gap film 15, and the lower magnetic shield layer 12 having a high magnetic permeability such as NiFe and the intermediate magnetic shield. It is of a shield type configuration in which it is sandwiched between layers 16. Thus, by sandwiching the MR element made of the MR film 14 between the shields 12 and 16 having high magnetic permeability, the signal decomposition rate can be increased.

【００２６】続いて、図１〜図３に示した複合型磁気ヘ
ッド１０の下側のＭＲヘッド１において、本発明製法を
適用した実施の形態を説明する。本発明製法は、加工時
の研磨によりＭＲ素子に電荷が蓄積し、その電荷が後に
外部磁化によるＭＲ素子の抵抗値の変化を検出するため
の２つのリード電極に接続される端子から流れ、ＭＲ素
子の静電破壊を起こすことを防止することを目的として
いる。そのために、本実施の形態では、図４に斜視図を
示すように、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の実素子を
有する実ヘッド４１及び実素子の加工の際にデプスセン
サとなる加工用抵抗素子であるＥＬＧ（Electric Lappi
ng Guide）４２とを短絡配線３７Ａ及び３７Ｂにより電
気的に接続している。Next, an embodiment in which the manufacturing method of the present invention is applied to the MR head 1 on the lower side of the composite magnetic head 10 shown in FIGS. 1 to 3 will be described. In the manufacturing method of the present invention, electric charges are accumulated in the MR element by polishing during processing, and the electric charges flow from terminals connected to two lead electrodes for detecting a change in resistance value of the MR element due to external magnetization. The purpose is to prevent electrostatic breakdown of the device. Therefore, in the present embodiment, as shown in the perspective view of FIG. 4, a real head 41 having a real element of a magnetoresistive effect element (MR element) and a processing resistance element which becomes a depth sensor when processing the real element. ELG (Electric Lappi)
ng Guide) 42 is electrically connected by short-circuit wires 37A and 37B.

【００２７】具体的には、次のように構成されている。
実ヘッド４１のリード電極３２に接続されている配線３
３Ａ及び３３Ｂの末端部に、コンタクト層３５を介して
端子３６が接続されている。コンタクト層３５は、端子
３６と配線３３Ａ，３３Ｂとの間に形成される絶縁層を
貫通した孔の内部に形成されている。Specifically, it is constructed as follows.
Wiring 3 connected to the lead electrode 32 of the actual head 41
A terminal 36 is connected to the end portions of 3A and 33B via a contact layer 35. The contact layer 35 is formed inside the hole penetrating the insulating layer formed between the terminal 36 and the wirings 33A and 33B.

【００２８】ＥＬＧ４２には、実ヘッド４１の実素子と
同様に、ＭＲ膜１４とハードバイアス膜３１、並びにリ
ード電極３２が形成されている。ＥＬＧ４２のリード電
極３２に接続されている配線３４の末端部も、コンタク
ト層３５を介して端子３６が接続されている。In the ELG 42, the MR film 14, the hard bias film 31, and the lead electrode 32 are formed as in the actual element of the actual head 41. The terminal 36 is also connected via the contact layer 35 to the terminal end of the wiring 34 connected to the lead electrode 32 of the ELG 42.

【００２９】本実施の形態では、実ヘッド４１の端子３
６とＥＬＧ４２の端子３６を短絡配線３７Ａ及び３７Ｂ
で接続している。短絡配線３７Ａは、実ヘッド４１及び
ＥＬＧ４２の各ＭＲ膜１４の右端側のリード電極３２に
接続された端子３６同士を接続している。短絡配線３７
Ｂは同じく各ＭＲ膜１４の左端側のリード電極３２に接
続された端子３６同士を接続している。In this embodiment, the terminal 3 of the actual head 41 is used.
6 and the terminal 36 of the ELG 42 are short-circuited wiring 37A and 37B
Are connected with. The short circuit wiring 37A connects the terminals 36 connected to the lead electrode 32 on the right end side of each MR film 14 of the actual head 41 and the ELG 42. Short circuit wiring 37
B also connects the terminals 36 connected to the lead electrode 32 on the left end side of each MR film 14 to each other.

【００３０】ここで、この図４に示す本実施の形態の作
用効果を、図１０に示す短絡配線を設けない従来の構成
と比較して説明する。図１０に示す従来の構成は、図４
に示す短絡配線３７Ａ，３７Ｂがなく端子３６がいずれ
も独立して開放されている。その他の構成は図４と同じ
である。Here, the operation and effect of the present embodiment shown in FIG. 4 will be described in comparison with the conventional structure shown in FIG. The conventional configuration shown in FIG. 10 is shown in FIG.
There is no short-circuit wiring 37A, 37B shown in (3) and both terminals 36 are independently opened. Other configurations are the same as those in FIG.

【００３１】ＭＲ素子の抵抗値を所定の値にするために
は、実ヘッド４１の実素子（ＭＲ素子）のＭＲ膜１４に
対して、摺動面（ＡＢＳ）側から研磨加工を行って、デ
プスを規定する。まず、この研磨加工を行う装置の一形
態の概略構成を図５及び図６に示す。図６は図５のラッ
プ治具５６及びワークホルダー５７付近の拡大図であ
る。この装置は、ラップ装置本体５１内に、モーター５
２、ラッピングプレート（定盤）５３、インバーター５
４、シーケンサー５５を備え、ラッピングプレート５３
の上方にラップ治具５６及びワークホルダー５７が配置
され、このワークホルダー５７は導線５８を介して抵抗
値測定装置５９に接続される。さらに、ラップ装置本体
５１に接続されて、制御を行う制御装置６１があり、こ
の制御装置６１内には、ＤＡ変換ボード６２及び動作制
御部（例えばＰＩＯボード）６３がある。In order to set the resistance value of the MR element to a predetermined value, the MR film 14 of the actual element (MR element) of the actual head 41 is polished from the sliding surface (ABS) side, Specify the depth. First, FIG. 5 and FIG. 6 show a schematic configuration of an embodiment of an apparatus for performing the polishing process. FIG. 6 is an enlarged view of the vicinity of the lap jig 56 and the work holder 57 of FIG. This device consists of a motor 5
2, wrapping plate (surface plate) 53, inverter 5
4, equipped with sequencer 55, wrapping plate 53
A lapping jig 56 and a work holder 57 are disposed above the work holder 57, and the work holder 57 is connected to a resistance value measuring device 59 via a conducting wire 58. Further, there is a control device 61 that is connected to the wrapping device main body 51 to perform control, and in the control device 61, there is a DA conversion board 62 and an operation control section (for example, PIO board) 63.

【００３２】制御装置５１の動作制御部６３によりラッ
プ装置本体５１のシーケンサー５５が制御され、ラッピ
ングプレート５３の回転（回転速度や回転の向き）や停
止等が設定される。制御装置６１のＤＡ変換ボード６２
及びシーケンサー５５によりラップ装置本体５１のイン
バーター５４が制御される。インバーター５４によりモ
ーター５２が駆動してラッピングプレート５３をシーケ
ンサー５５で設定された条件で回転させる。The sequencer 55 of the lapping device main body 51 is controlled by the operation control section 63 of the control device 51, and the rotation (rotation speed and direction of rotation) and stop of the lapping plate 53 are set. DA conversion board 62 of controller 61
Also, the sequencer 55 controls the inverter 54 of the lapping apparatus main body 51. The motor 54 is driven by the inverter 54 to rotate the lapping plate 53 under the condition set by the sequencer 55.

【００３３】図６の拡大断面図に示すように、ラッピン
グプレート５３上には、加工を行うワーク６５、即ちＭ
Ｒ素子を有する実ヘッド４１及びＥＬＧ４２が形成され
た基板（例えばバー状又はチップ状）が、その加工面と
なる摺動面側がラッピングプレート５３に接するように
配置される。ラップ治具５６は、ワーク６５の外側に配
置してワーク６５を支持する。ワークホルダー５７は、
ワーク６５を取り付けると共に、ワーク６５内の加工用
抵抗素子（ＥＬＧ４２）に接続された導線５８を保持す
る。As shown in the enlarged sectional view of FIG. 6, on the lapping plate 53, a workpiece 65 to be processed, that is, M
A substrate (for example, a bar shape or a chip shape) on which the actual head 41 having the R element and the ELG 42 are formed is arranged so that the sliding surface side, which is the processing surface, contacts the lapping plate 53. The lapping jig 56 is arranged outside the work 65 to support the work 65. The work holder 57 is
The work 65 is attached and the conducting wire 58 connected to the processing resistance element (ELG 42) in the work 65 is held.

【００３４】そして、抵抗値測定装置５９によりワーク
６５内の加工用抵抗素子（ＥＬＧ４２）の抵抗値を測定
しながら、ラッピングプレート５３の回転によりワーク
６５の研磨加工を行う。このとき、ワーク６５として、
例えば図７に示すように実ヘッド４１とＥＬＧ４２とを
多数形成したバー状のものを使用することができる。こ
のバー状のワーク６５は、例えば複合型磁気ヘッド１０
が多数形成されたウェハを切断して形成することができ
る。While the resistance value measuring device 59 measures the resistance value of the processing resistance element (ELG 42) in the work 65, the lapping plate 53 is rotated to polish the work 65. At this time, as the work 65,
For example, as shown in FIG. 7, it is possible to use a bar-shaped one in which a large number of real heads 41 and ELGs 42 are formed. The bar-shaped work 65 is, for example, the composite magnetic head 10.
It can be formed by cutting a wafer on which a large number of are formed.

【００３５】図４に示す構成における等価回路を図８に
示す。この図８では、短絡配線３７Ａ及び３７Ｂをスイ
ッチのように表現している。短絡配線３７Ａ及び３７Ｂ
により、実ヘッド４１及びＥＬＧ４２を接続しているた
め、実ヘッド４１のＭＲ膜１４から成るＭＲ素子が、Ｅ
ＬＧ４２のＭＲ膜１４やそのリード電極３２等と閉回路
を構成する。そして、この閉回路内は等電位となり、実
ヘッド４１のＭＲ素子とＥＬＧ４２のＭＲ素子が等電位
となる。An equivalent circuit in the configuration shown in FIG. 4 is shown in FIG. In FIG. 8, the short-circuit wires 37A and 37B are expressed like switches. Short circuit wiring 37A and 37B
Therefore, since the real head 41 and the ELG 42 are connected to each other, the MR element formed of the MR film 14 of the real head 41 becomes
A closed circuit is formed with the MR film 14 of the LG 42 and its lead electrode 32. Then, the inside of this closed circuit becomes equipotential, and the MR element of the actual head 41 and the MR element of the ELG 42 become equipotential.

【００３６】一方、図１０に示した構成では、短絡配線
が形成されないため、実ヘッド４１の端子３６は開放さ
れた状態となる（図１１参照）。On the other hand, in the structure shown in FIG. 10, since the short-circuit wiring is not formed, the terminal 36 of the actual head 41 is opened (see FIG. 11).

【００３７】図１０に示した従来の構成では、図１１に
示すように、ＥＬＧ４２の端子３６に図５及び図６に示
した導線５８を介して抵抗値測定装置５９を接続して、
ＥＬＧ４２のＭＲ素子（ＭＲ膜１４）の抵抗値を測定し
ながら、ラッピングプレート５３による研磨加工を行
う。このとき、研磨摩擦により、実ヘッド４１のＭＲ膜
１４及びＥＬＧ４２のＭＲ膜１４に電荷が発生する。In the conventional configuration shown in FIG. 10, as shown in FIG. 11, the resistance value measuring device 59 is connected to the terminal 36 of the ELG 42 through the lead wire 58 shown in FIGS. 5 and 6.
Polishing with the lapping plate 53 is performed while measuring the resistance value of the MR element (MR film 14) of the ELG 42. At this time, due to polishing friction, charges are generated in the MR film 14 of the actual head 41 and the MR film 14 of the ELG 42.

【００３８】この研磨摩擦により発生した電荷のうち、
ＥＬＧ４２側で発生した電荷は、ＥＬＧ４２の端子３６
が導線５８により抵抗値測定装置５９に接続されている
ことから、＋の電荷は装置５９の−極側に、−の電荷は
装置５９の＋極側に、それぞれ移動して消失する。従っ
て、ＥＬＧ４２側では電荷は蓄積されない。Of the charges generated by this polishing friction,
The electric charge generated on the ELG 42 side is the terminal 36 of the ELG 42.
Is connected to the resistance value measuring device 59 by the conducting wire 58, the + charge moves to the − pole side of the device 59 and the − charge moves to the + pole side of the device 59 and disappears. Therefore, no charge is accumulated on the ELG 42 side.

【００３９】一方、実ヘッド４１側で発生した電荷は、
端子３６が開放されているため、逃げる場所がなく、加
工中そのまま蓄積されていく。その結果、実ヘッド４１
の２つの端子３６の間に電位差を有する状態になる。そ
の後、実ヘッド４１の特性の測定やワイヤビンディング
等のために、端子３６の一方を例えばアース（接地電
位）に接続した場合、蓄積された電荷が一気に外部に放
電され、このときアースしていない端子３６からＧＭＲ
素子を通ってアース側の端子３６に大電流が流れ、実ヘ
ッド４１のＭＲ素子を破壊してしまう可能性がある。On the other hand, the charge generated on the actual head 41 side is
Since the terminal 36 is open, there is no place to escape, and it accumulates as it is during processing. As a result, the actual head 41
There is a potential difference between the two terminals 36 of. After that, when one of the terminals 36 is connected to, for example, the ground (ground potential) in order to measure the characteristics of the actual head 41, wire binding, etc., the accumulated charge is discharged to the outside at once, and the ground is not grounded at this time. Terminal 36 to GMR
A large current may flow through the element to the ground-side terminal 36, and the MR element of the actual head 41 may be destroyed.

【００４０】これに対して、図４に示した構成における
研磨加工時の状態を図９に示す。実ヘッド４１及びＥＬ
Ｇ４２の端子３６に短絡配線３７Ａ及び３７Ｂを形成し
て端子３６間を短絡させていることにより、実ヘッド４
１とＥＬＧ４２が等電位となっているので、図９に示す
ように、研磨摩擦により発生した電荷が閉回路内に均等
に分布することになり、電荷の蓄積及び蓄積による端子
間の電位差も発生しない。On the other hand, FIG. 9 shows a state of the structure shown in FIG. 4 during polishing. Real head 41 and EL
By forming short-circuit wires 37A and 37B on the terminal 36 of G42 to short-circuit the terminals 36, the actual head 4
Since 1 and the ELG 42 are at the same potential, as shown in FIG. 9, the charge generated by polishing friction is evenly distributed in the closed circuit, and the potential difference between the terminals due to the charge accumulation and the charge accumulation also occurs. do not do.

【００４１】これにより、加工工程が終わった後に、実
ヘッド４１の特性の測定やワイヤビンディング等のため
に、端子３６の一方を例えばアース（接地電位）に接続
しても、大きな電流が流れることがなく、ＭＲ素子の静
電破壊は発生しない。このようにＭＲ素子の静電破壊を
防止することができるので、複合型磁気ヘッド１の製造
における不良率を低減して、製造歩留まりを向上するこ
とができる。As a result, even after one of the terminals 36 is connected to, for example, the ground (ground potential) for the purpose of measuring the characteristics of the actual head 41, wire binding, etc., after the processing step is completed, a large current flows. Therefore, the MR element is not electrostatically destroyed. Since the electrostatic breakdown of the MR element can be prevented in this manner, the defect rate in the manufacture of the composite magnetic head 1 can be reduced and the manufacturing yield can be improved.

【００４２】尚、図８及び図９に示すように、短絡配線
３７Ａ，３７Ｂにより実ヘッド４１とＥＬＧ４２とを等
電位にしていると、研磨加工時にＥＬＧ４２のＭＲ膜１
４の抵抗値を測定することができない。そこで、例えば
図７に示したバー状のような、多数の実ヘッド４１及び
ＥＬＧ４２が形成されたワーク６５において、少なくと
も１つのＥＬＧ４２には短絡配線３７Ａ，３７Ｂを形成
せず、実ヘッド４１とは電気的に独立させる。この電気
的に独立させたＥＬＧ４２に対して、図１１に示した従
来の構成のように、導線５８を通じて抵抗値測定装置５
９を接続して、研磨加工時にＥＬＧ４２の抵抗値をモニ
ターする。As shown in FIGS. 8 and 9, when the real head 41 and the ELG 42 are made to have the same potential by the short-circuit wirings 37A and 37B, the MR film 1 of the ELG 42 is polished.
The resistance value of 4 cannot be measured. Therefore, in the work 65 in which a large number of real heads 41 and ELGs 42 are formed, such as the bar shape shown in FIG. 7, at least one ELG 42 is not formed with the short-circuit wirings 37A and 37B, and is different from the real heads 41. Make it electrically independent. With respect to the electrically independent ELG 42, the resistance value measuring device 5 is connected through the conducting wire 58 as in the conventional configuration shown in FIG.
9 is connected to monitor the resistance value of the ELG 42 during polishing.

【００４３】短絡配線３７Ａ，３７Ｂは、例えば端子３
６と同じ金属により図４に示すように端子３６と同時に
一体して形成することができる。短絡配線は、端子３６
とは別に形成した構成や、コンタクト層３５や配線３３
Ａ，３３Ｂ及び３４の部分で実ヘッド４１及びＥＬＧ４
２を短絡する構成も可能であるが、上述のように端子３
６と同時に同じ材料により形成した方が、新たに形成工
程を設ける必要がなく有利である。The short-circuit wires 37A and 37B are, for example, the terminals 3
The same metal as 6 can be integrally formed simultaneously with the terminal 36 as shown in FIG. The short-circuit wire is the terminal 36
A structure formed separately from the contact layer 35 and the wiring 33.
A, 33B and 34 are the actual head 41 and ELG4
A configuration in which 2 is short-circuited is also possible, but as described above, the terminal 3
It is advantageous to form the same material at the same time as 6 because it is not necessary to newly provide a forming process.

【００４４】研磨加工が終了した後には、実ヘッド４１
のＭＲ素子の特性を測定することができるようにするた
めに、短絡配線３７Ａ，３７Ｂを切断する。この切断の
方法は特に問わないが、エッチングにより短絡配線３７
Ａ，３７Ｂを断線させる方法や、バーをチップに切断す
る際に短絡配線３７Ａ，３７Ｂも同時に切断する方法等
が考えられる。尚、実ヘッド４１のＭＲ素子の特性を測
定するためには、実ヘッド４１の端子３６間に電位差を
与えることができるように、少なくとも一方の短絡配線
３７Ａ，３７Ｂを切断する必要がある。After the polishing process is completed, the actual head 41
In order to measure the characteristics of the MR element, the short-circuit wires 37A and 37B are cut. The cutting method is not particularly limited, but the short-circuit wiring 37 is formed by etching.
A method of disconnecting A and 37B, a method of simultaneously disconnecting the short-circuit wirings 37A and 37B when cutting the bar into chips, and the like are possible. In order to measure the characteristics of the MR element of the real head 41, it is necessary to disconnect at least one of the short-circuit wirings 37A and 37B so that a potential difference can be applied between the terminals 36 of the real head 41.

【００４５】ここで、実際に複合型磁気ヘッド１０を作
製して比較を行った。具体的には、バーから１チップ毎
に切り離した後のチップにおいて特性を測定し、デプス
加工工程における不良発生率を調べた。デプス加工工程
における不良発生率が、従来の構成では３．２４％であ
ったのに対し、実ヘッド４１とＥＬＧ４２の端子３６間
を短絡させた場合には０．９６％となり、製造歩留まり
の向上が確認された。Here, the composite magnetic head 10 was actually manufactured and compared. Specifically, the characteristics of the chips after being separated from the bar for each chip were measured, and the defect occurrence rate in the depth processing step was examined. The defect occurrence rate in the depth processing step was 3.24% in the conventional configuration, whereas it was 0.96% when the actual head 41 and the terminal 36 of the ELG 42 were short-circuited, improving the manufacturing yield. Was confirmed.

【００４６】上述の本実施の形態によれば、短絡配線３
７Ａ，３７Ｂを形成して実ヘッド４１の端子３６とＥＬ
Ｇ４２の端子３６とを接続（短絡）することにより、実
ヘッド４１のＭＲ素子とＥＬＧ４２とを等電位にするこ
とができる。これにより、その後研磨加工を行ったとき
に、研磨によりＭＲ素子に電荷が発生しても、電荷の分
布が均等化されて電荷の蓄積が発生しない。従って、研
磨加工による電荷の蓄積が防止されるため、その後実ヘ
ッド４１のＭＲ素子の特性の測定のために端子３６に電
極等を介して例えばアース（接地電位）と接続しても、
大きな電流は流れない。According to the above-described present embodiment, the short circuit wiring 3
7A and 37B are formed to form the EL and the terminal 36 of the actual head 41.
By connecting (short-circuiting) the terminal 36 of G42, the MR element of the actual head 41 and the ELG 42 can be made to have the same potential. As a result, even if charges are generated in the MR element by polishing when the polishing process is performed thereafter, the distribution of the charges is equalized and the charges are not accumulated. Therefore, since the accumulation of charges due to the polishing process is prevented, even if the terminal 36 is subsequently connected to, for example, the ground (ground potential) via the electrode or the like for measuring the characteristics of the MR element of the actual head 41,
No large current flows.

【００４７】即ち本実施の形態によれば、実ヘッド４１
のＭＲ素子の静電破壊に起因する製造時における不良率
を低減して、製造歩留まりを向上することができる。That is, according to the present embodiment, the actual head 41
It is possible to reduce the defect rate during manufacturing due to electrostatic breakdown of the MR element and improve the manufacturing yield.

【００４８】上述の実施の形態では、ＭＲ膜１４の左右
にハードバイアス膜３１を配置してＭＲ素子（ＧＭＲ素
子）を構成した場合について説明したが、本発明製法は
上述の実施の形態の構成に限定されず、任意のＭＲ素子
やＧＭＲ素子を有してなる磁気抵抗効果型ヘッドに適用
することができる。In the above-described embodiment, the case where the hard bias films 31 are arranged on the left and right of the MR film 14 to form the MR element (GMR element) has been described, but the manufacturing method of the present invention is the same as that of the above-described embodiment. However, the present invention can be applied to a magnetoresistive head having an arbitrary MR element or GMR element.

【００４９】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various other configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【００５０】[0050]

【発明の効果】上述の本発明によれば、磁気抵抗効果型
ヘッドの実素子の加工を行ったときに、研磨により実素
子（磁気抵抗効果素子）に電荷が発生しても、短絡配線
を通じて形成される閉回路内が等電位になるため、電荷
の分布が均等化されて電荷の蓄積が発生しない。このよ
うに、加工による電荷の蓄積が防止されるため、その後
実素子の特性の測定のために端子を例えばアース（接地
電位）と接続しても、大きな電流は流れず実素子の静電
破壊が起こらない。従って、本発明により、実素子の静
電破壊に起因する製造時における不良率を低減して、製
造歩留まりを向上することができる。According to the present invention described above, even when electric charges are generated in the actual element (magneto-resistive effect element) by polishing when the actual element of the magnetoresistive head is processed, the short-circuit wiring is used. Since the formed closed circuit has the same potential, the charge distribution is equalized and no charge accumulation occurs. In this way, the accumulation of electric charges due to processing is prevented, so even if the terminal is subsequently connected to, for example, the earth (ground potential) to measure the characteristics of the actual element, a large current does not flow and electrostatic breakdown of the actual element occurs. Does not happen. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the defective rate at the time of manufacturing due to electrostatic breakdown of the actual element and improve the manufacturing yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明製法を適用する複合型磁気ヘッドの一形
態の概略構成図（断面図）である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of an embodiment of a composite magnetic head to which a manufacturing method of the present invention is applied.

【図２】図１のＭＲヘッドのＭＲ膜付近の斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view near the MR film of the MR head of FIG.

【図３】図１のＭＲヘッドの斜視図である。3 is a perspective view of the MR head of FIG. 1. FIG.

【図４】本発明の一実施の形態における実ヘッド及びＥ
ＬＧを短絡配線で接続した状態を示す斜視図である。FIG. 4 is an actual head and E according to an embodiment of the present invention.
It is a perspective view showing the state where LG was connected by short circuit wiring.

【図５】研磨加工を行う装置の一形態の概略構成を示す
図である。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of an embodiment of an apparatus for performing a polishing process.

【図６】図５のラップ治具及びワークホルダー付近の拡
大図である。FIG. 6 is an enlarged view of the vicinity of the lap jig and the work holder of FIG.

【図７】バー状のワークを示す図である。FIG. 7 is a view showing a bar-shaped work.

【図８】図４に示す構成における等価回路を示す図であ
る。8 is a diagram showing an equivalent circuit in the configuration shown in FIG.

【図９】図４の構成における研磨加工時の状態を示す図
である。9 is a diagram showing a state during polishing processing in the configuration of FIG.

【図１０】短絡配線を設けない従来の実ヘッド及びＥＬ
Ｇの構成を示す斜視図である。FIG. 10 is a conventional actual head and EL without a short-circuit wiring.
It is a perspective view which shows the structure of G.

【図１１】図１０の構成における研磨加工時の状態を示
す図である。11 is a diagram showing a state during polishing processing in the configuration of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ＭＲヘッド、２ インダクティブ型薄膜磁気ヘッ
ド、１０ 複合型磁気ヘッド、１２ 下部磁性シールド
層、１３ 下部磁気ギャップ膜、１４ ＭＲ膜、１５
上部磁気ギャップ膜、１６ 中間磁性シールド層、１９
コイル、２１ 上層磁気コア、３１ ハードバイアス
膜、３２ リード電極、３３Ａ，３３Ｂ，３４ 配線、
３６ 端子、３７Ａ，３７Ｂ 短絡配線、４１ 実ヘッ
ド、４２ ＥＬＧ、５１ ラップ装置本体、５３ ラッ
ピングプレート（定盤）、５７ ワークホルダー、５９
抵抗値測定装置、６１ 制御装置、６５ ワーク1 MR head, 2 inductive thin film magnetic head, 10 composite magnetic head, 12 lower magnetic shield layer, 13 lower magnetic gap film, 14 MR film, 15
Upper magnetic gap film, 16 intermediate magnetic shield layer, 19
Coil, 21 upper magnetic core, 31 hard bias film, 32 lead electrode, 33A, 33B, 34 wiring,
36 terminals, 37A, 37B short-circuit wiring, 41 actual head, 42 ELG, 51 lap device body, 53 lapping plate (surface plate), 57 work holder, 59
Resistance measuring device, 61 control device, 65 workpieces

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を有して成る磁気抵抗
効果型ヘッドを製造する方法であって、 基板上に、上記磁気抵抗効果型ヘッドの実素子と加工用
抵抗素子とをそれぞれ形成し、 上記実素子の上記磁気抵抗効果素子と、上記加工用抵抗
素子とを電気的に接続する短絡配線を形成した後に、 上記実素子の上記磁気抵抗効果素子の加工を行い、 その後、上記短絡配線を切断することを特徴とする磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法。1. A method of manufacturing a magnetoresistive effect head having a magnetoresistive effect element, wherein a real element and a machining resistance element of the magnetoresistive effect head are formed on a substrate, respectively. After forming a short-circuit wiring that electrically connects the magnetoresistive effect element of the real element and the processing resistance element, the magnetoresistive effect element of the real element is processed, and then the short-circuit wiring is formed. A method of manufacturing a magnetoresistive head, which comprises cutting the head. 【請求項２】 上記加工用抵抗素子を上記基板上に複数
形成し、複数の該加工用抵抗素子のうち一部に上記短絡
配線を接続せず、該短絡配線を接続していない加工用抵
抗素子の抵抗を測定しながら上記実素子の上記磁気抵抗
効果素子の加工を行うことを特徴とする請求項１に記載
の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。2. A processing resistance in which a plurality of the processing resistance elements are formed on the substrate, the short circuit wiring is not connected to a part of the plurality of processing resistance elements, and the short circuit wiring is not connected. 2. The method of manufacturing a magnetoresistive head according to claim 1, wherein the magnetoresistive effect element of the actual element is processed while measuring the resistance of the element.