JP2003015605A - Active matrix type display device, active matrix type organic electro-luiminescence display device, and driving method therefor - Google Patents
Active matrix type display device, active matrix type organic electro-luiminescence display device, and driving method thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、画素ごとに能動素
子を有して当該能動素子によって画素単位で表示制御が
行われるアクティブマトリクス型表示装置およびその駆
動方法に関し、特に流れる電流によって輝度が変化する
電気光学素子を画素の表示素子として用いるアクティブ
マトリクス型表示装置、電気光学素子として有機材料の
エレクトロルミネッセンス(以下、有機ＥＬ(electrolum
inescence)と記す)素子を用いるアクティブマトリクス
型有機ＥＬ表示装置およびそれらの駆動方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type display device in which an active element is provided for each pixel, and display control is performed in pixel units by the active element, and a driving method thereof. Active matrix type display device using an electro-optical element as a pixel display element, and electroluminescence of an organic material as an electro-optical element (hereinafter referred to as organic EL (electrolum
The present invention relates to an active matrix organic EL display device using an element referred to as (inescence)) and a driving method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】画像表示装置、例えば画素の電気光学素
子として液晶セルを用いた液晶表示装置においては、多
数の画素をマトリクス状に配列し、表示すべき画像情報
に応じて画素ごとに光強度を制御することによって画像
の表示駆動が行われるようになっている。この表示駆動
は、画素の電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた有
機ＥＬ表示装置でも同様である。2. Description of the Related Art In an image display device, for example, a liquid crystal display device using a liquid crystal cell as an electro-optical element of a pixel, a large number of pixels are arranged in a matrix and the light intensity of each pixel is changed according to the image information to be displayed. The display drive of the image is performed by controlling the. This display driving is also the same in an organic EL display device using an organic EL element as an electro-optical element of a pixel.
【０００３】ただし、有機ＥＬ表示装置の場合には、画
素の表示素子として発光素子を用いる、いわゆる自発光
型の表示装置であるため、液晶表示装置に比べて画像の
視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い等
の利点を有する。また、各発光素子の輝度がそれに流れ
る電流値によって制御される、即ち有機ＥＬ素子が電流
制御型であるという点で、液晶セルが電圧制御型である
液晶表示装置とは大きく異なる。However, in the case of an organic EL display device, since it is a so-called self-luminous display device that uses a light emitting element as a display element of a pixel, the backlight has a higher image visibility than a liquid crystal display device. Is unnecessary and has a fast response speed. Further, the brightness of each light emitting element is controlled by the value of the current flowing through it, that is, the organic EL element is a current control type, which is a great difference from the liquid crystal display device in which the liquid crystal cell is a voltage control type.
【０００４】有機ＥＬ表示装置においては、液晶表示装
置と同様に、その駆動方式として単純（パッシブ）マト
リクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることが
できる。ただし、前者は構造が単純であるものの、大型
かつ高精細の表示装置の実現が難しいなどの問題があ
る。このため、近年、画素内部の発光素子に流れる電流
を、同様に画素内部に設けた能動素子、例えば絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタ（一般には、薄膜トランジス
タ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)によって制御するア
クティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。In the organic EL display device, similarly to the liquid crystal display device, a simple (passive) matrix system and an active matrix system can be adopted as the driving system. However, although the former has a simple structure, it has a problem that it is difficult to realize a large-sized and high-definition display device. Therefore, in recent years, an active matrix method in which a current flowing in a light emitting element inside a pixel is controlled by an active element similarly provided inside the pixel, for example, an insulated gate field effect transistor (generally, a thin film transistor (TFT)) Is being actively developed.
【０００５】単純マトリクス方式では各発光素子が選択
された瞬間にのみ発光するのに対して、このアクティブ
マトリクス方式は、各画素における有機ＥＬ素子の発光
を１フレーム期間に亘って保持できるため、単純マトリ
クス方式に比べて発光素子のピーク輝度、ピーク電流を
下げられるなどの観点から、ディスプレイの大型化・高
精細化・高輝度化に適した方式と言える。In the simple matrix method, each light emitting element emits light only at the moment when it is selected, whereas in the active matrix method, the emission of the organic EL element in each pixel can be maintained for one frame period. It can be said that this method is suitable for increasing the size, definition, and brightness of the display because it can lower the peak brightness and peak current of the light emitting element compared to the matrix method.
【０００６】ところで、アクティブマトリクス型有機Ｅ
Ｌ表示装置において、各画素の輝度制御を行うための画
素回路では、能動素子として、ガラス基板上に形成され
たＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるのが一般的であ
る。ところが、このＴＦＴの形成に使用されるアモルフ
ァスシリコン（非晶質シリコン）やポリシリコン（多結
晶シリコン）は、単結晶シリコンに比べて結晶性が悪
く、導電機構の制御性が悪いため、形成されたＴＦＴは
特性のばらつきが大きいことが知られている。By the way, active matrix type organic E
In the L display device, a pixel circuit for controlling the brightness of each pixel generally uses a TFT (thin film transistor) formed on a glass substrate as an active element. However, amorphous silicon (amorphous silicon) and polysilicon (polycrystalline silicon) used for forming the TFT have poor crystallinity as compared with single crystal silicon and poor controllability of the conduction mechanism, so that they are formed. It is known that the TFT has a large variation in characteristics.
【０００７】特に、比較的大型のガラス基板上にポリシ
リコンＴＦＴを形成する場合には、ガラス基板の熱変形
等の問題を避けるため、通常、アモルファスシリコン膜
の形成後、レーザアニール法によって結晶化が行われ
る。しかしながら、大きなガラス基板に均一にレーザエ
ネルギーを照射することは難しく、ポリシリコンの結晶
化の状態が基板内の場所によってばらつきを生ずること
が避けられない。この結果、同一基板上に形成したＴＦ
Ｔでも、そのしきい値Ｖｔｈが画素によって数百ｍＶ、
場合によっては１Ｖ以上ばらつくこともまれではない。In particular, when a polysilicon TFT is formed on a relatively large glass substrate, in order to avoid problems such as thermal deformation of the glass substrate, it is usually crystallized by a laser annealing method after forming an amorphous silicon film. Is done. However, it is difficult to uniformly irradiate a large glass substrate with laser energy, and it is unavoidable that the crystallization state of polysilicon varies depending on the location in the substrate. As a result, the TF formed on the same substrate
Even at T, the threshold Vth is several hundred mV depending on the pixel,
In some cases, it is not uncommon to have variations of 1 V or more.
【０００８】したがって、画素回路として従来一般的に
用いられていた、輝度情報の書き込みを電圧値の形で行
う電圧書き込み型画素回路の場合には、例えば異なる画
素に対して同じ電位を書き込んでも、画素によってＴＦ
Ｔのしきい値Ｖｔｈがばらつくことになるため、有機Ｅ
Ｌ素子に流れる電流が画素ごとに大きくばらついて発光
輝度がばらつく結果となり、表示装置として高い画質を
期待することはできない。このことは、しきい値Ｖｔｈ
のみではなく、キャリアの移動度μなどのばらつきにつ
いても同様のことが言える。Therefore, in the case of a voltage writing type pixel circuit which is generally used as a pixel circuit in the past and which writes luminance information in the form of a voltage value, even if the same potential is written to different pixels, TF by pixel
Since the threshold value Vth of T varies, the organic E
The current flowing through the L element greatly varies from pixel to pixel, resulting in variation in emission luminance, and high image quality cannot be expected as a display device. This means that the threshold Vth
The same can be said not only for variations in carrier mobility μ and the like.
【０００９】そこで、本願出願人は、画素回路として電
圧書き込み型画素回路に代えて、輝度情報の書き込みを
電流値の形で行う電流書き込み型画素回路を用いること
により、発光輝度のばらつきを補償し、高画質の画像表
示を可能としたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装
置を提案している（特開２００１−６００７６号公報等
を参照）。Therefore, the applicant of the present application compensates for variations in light emission luminance by using a current writing type pixel circuit for writing luminance information in the form of a current value instead of the voltage writing type pixel circuit as the pixel circuit. , An active matrix type organic EL display device capable of displaying a high quality image has been proposed (see Japanese Patent Laid-Open No. 2001-60076).
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】このように、電流書き
込み型画素回路を用いたアクティブマトリクス型有機Ｅ
Ｌ表示装置において、低階調レベルの輝度データを書き
込むときには、データ線を通して小さな電流値の電流を
画素回路に書き込む必要がある。ここで、データ線は走
査線などとの間に寄生容量を持っている。したがって、
この寄生容量にデータ線の持つ抵抗成分を通して充電し
ながら画素回路への電流の書き込みを行うことになる。As described above, the active matrix type organic E using the current writing type pixel circuit is used.
In the L display device, when writing low gradation level luminance data, it is necessary to write a current of a small current value to the pixel circuit through the data line. Here, the data line has a parasitic capacitance between itself and the scanning line. Therefore,
A current is written to the pixel circuit while charging the parasitic capacitance through the resistance component of the data line.
【００１１】このため、電流書き込み型画素回路を用い
たアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置では、小さ
な電流値の電流の書き込みを行う際に、その書き込みに
長い時間を要することになる。したがって、走査線の選
択時間を長く設定せざるを得なくなり、走査線の本数が
制限される。換言すれば、走査線を増やして高解像度化
を図ることが難しくなる。また、書き込み時間が不足し
た場合には、黒レベルを完全に書き込めないことにな
り、現象的には、黒を書いたつもりの画素も実際は弱く
発光することになるため、コントラスト比が小さくなっ
てしまうという課題があった。Therefore, in the active matrix type organic EL display device using the current writing type pixel circuit, when writing a current having a small current value, it takes a long time to write the current. Therefore, there is no choice but to set a long scanning line selection time, and the number of scanning lines is limited. In other words, it becomes difficult to increase the number of scanning lines to achieve high resolution. In addition, if the writing time is insufficient, the black level cannot be written completely, and in theory, the pixels intended to write black will actually emit light weakly, and the contrast ratio will decrease. There was a problem of being lost.
【００１２】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、電流書き込み型画素
回路を用いた場合において、多階調の表示が可能でかつ
コントラスト比を大きくできるとともに、走査線本数の
増加に伴う高解像度化を可能としたアクティブマトリク
ス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機ＥＬ表
示装置、並びにそれらの駆動方法を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to enable multi-gradation display and increase the contrast ratio when a current writing type pixel circuit is used. Another object of the present invention is to provide an active matrix type display device and an active matrix type organic EL display device capable of achieving higher resolution with an increase in the number of scanning lines, and a driving method thereof.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、電気光学素子を有するとともに、輝度
情報を書き込む書き込み手段と、この書き込み手段によ
って書き込まれた輝度情報に基づいて点灯状態にある電
気光学素子を消灯状態にする消灯手段とを持つ画素回路
がマトリクス状に配置されてなるアクティブマトリクス
型表示装置において、フレーム周期を複数のサブフレー
ムに分割して画素回路ごとに書き込み手段および消灯手
段を駆動し、複数のサブフレームの輝度の平均によって
１つの画素の輝度を決定する構成を採っている。In order to achieve the above object, the present invention has an electro-optical element, writing means for writing luminance information, and a lighting state based on the luminance information written by the writing means. In an active matrix type display device in which pixel circuits having an extinguishing means for turning off the electro-optical element are arranged in a matrix, a frame period is divided into a plurality of subframes, and a writing means is provided for each pixel circuit. The configuration is such that the extinguishing means is driven and the luminance of one pixel is determined by the average of the luminances of a plurality of subframes.
【００１４】上記構成のアクティブマトリクス型表示装
置または電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いたアク
ティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、フレー
ム周期を例えば２つのサブフレーム（または、フィール
ド）に分割し、例えば前半のサブフレームで低輝度側の
表示を行い、後半のサブフレームで高輝度側の表示を行
うことで、高輝度と同程度の輝度情報の書き込みで低輝
度が得られる。これにより、小さな電流値の電流による
輝度情報の書き込みが必要なくなり、大きな電流値の電
流での輝度情報の書き込みとなるため、画素への輝度情
報の書き込みが短時間で終了する。In the active matrix type display device having the above-mentioned structure or the active matrix type organic EL display device using the organic EL element as the electro-optical element, the frame period is divided into, for example, two subframes (or fields), for example, the first half. By performing the display on the low luminance side in the sub-frame and the display on the high luminance side in the latter half of the sub-frame, the low luminance can be obtained by writing the luminance information about the same as the high luminance. This eliminates the need for writing the brightness information with a current having a small current value and writing the brightness information with a current having a large current value, so that the writing of the brightness information to the pixel is completed in a short time.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１６】図１は、本発明の一実施形態に係るアクテ
ィブマトリクス型表示装置の概略構成図である。ここで
は、各画素の電気光学素子として有機ＥＬ素子を、能動
素子として電界効果トランジスタ、例えばポリシリコン
ＴＦＴをそれぞれ用い、ポリシリコンＴＦＴを形成した
基板上に有機ＥＬ素子を形成してなるアクティブマトリ
クス型有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に採って説
明するものとする。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an active matrix type display device according to an embodiment of the present invention. Here, an organic EL element is used as an electro-optical element of each pixel, a field effect transistor such as a polysilicon TFT is used as an active element, and an organic EL element is formed on a substrate on which a polysilicon TFT is formed. The case of application to an organic EL display device will be described as an example.
【００１７】図１において、電流書き込み型画素回路１
１がマトリクス状にｍ列ｎ行分だけ配置されている。こ
れら画素回路１１の各々に対して、各行ごとに走査線１
２−１〜１２−ｎと消灯線１３−１〜１３−ｎとが配線
されている。そして、画素部の例えば左側には走査線１
２−１〜１２−ｎを駆動するための走査線駆動回路１４
が、画素部の例えば右側には消灯線１３−１〜１３−ｎ
を駆動するための消灯線駆動回路１５がそれぞれ設けら
れている。なお、走査線駆動回路１４と消灯線駆動回路
１５との配置は全く逆の関係であっても良く、また同じ
側（画素部の左側のみ、または右側のみ）に配置するこ
とも可能である。In FIG. 1, a current writing type pixel circuit 1
1s are arranged in a matrix for m columns and n rows. For each of these pixel circuits 11, a scan line 1 is provided for each row.
2-1 to 12-n and extinguishing lines 13-1 to 13-n are wired. Then, for example, on the left side of the pixel portion, the scanning line 1
Scan line driving circuit 14 for driving 2-1 to 12-n
However, the extinction lines 13-1 to 13-n are provided on the right side of the pixel portion, for example.
An extinguishing line drive circuit 15 for driving each of these is provided. Note that the scanning line driving circuit 14 and the extinguishing line driving circuit 15 may be arranged in a completely opposite relationship, and may be arranged on the same side (only the left side of the pixel portion or only the right side).
【００１８】走査線駆動回路１４は例えばシフトレジス
タによって構成され、タイミングジェネレータ１６で生
成される垂直スタートパルスＶＳＰ１が与えられること
で、同じくタイミングジェネレータ１６で生成される垂
直クロックパルスＶＣＫに同期して順次走査パルスＷＳ
(Write Scan)−１〜ＷＳ−ｎを順次出力して走査線１２
−１〜１２−ｎを駆動する。The scanning line drive circuit 14 is composed of, for example, a shift register, and is supplied with a vertical start pulse VSP1 generated by the timing generator 16, so that the scanning line drive circuit 14 is sequentially synchronized with the vertical clock pulse VCK generated by the timing generator 16. Scan pulse WS
(Write Scan) -1 to WS-n are sequentially output to scan line 12
Drive -1 to 12-n.
【００１９】消灯線駆動回路１５も例えばシフトレジス
タによって構成され、タイミングジェネレータ１６で生
成される垂直スタートパルスＶＳＰ２が与えられること
で、同じくタイミングジェネレータ１６で生成される垂
直クロックパルスＶＣＫに同期して順次消灯パルスＥＳ
(Erase Scan)−１〜ＥＳ−ｎを順次出力して消灯線１３
−１〜１３−ｎを駆動する。走査パルスＷＳと消去パル
スＥＳとのタイミング関係については後述する。The extinguishing line driving circuit 15 is also composed of, for example, a shift register, and is given the vertical start pulse VSP2 generated by the timing generator 16, so that it is sequentially synchronized with the vertical clock pulse VCK generated by the timing generator 16. Extinguishing pulse ES
(Erase Scan) -1 to ES-n are sequentially output and the light-off line 13
Drive -1 to 13-n. The timing relationship between the scan pulse WS and the erase pulse ES will be described later.
【００２０】画素回路１１の各々に対して、各列ごとに
データ線１７−１〜１７−ｍが配線されている。これら
データ線１７−１〜１７−ｍの各一端は、データ線駆動
回路１８の各列の出力端に接続されている。このデータ
線駆動回路１８は、データ線１７−１〜１７−ｍを通し
て画素回路１１の各々に対して輝度情報を電流値の形で
書き込む電流書き込み型の駆動回路構成となっている。For each pixel circuit 11, data lines 17-1 to 17-m are provided for each column. One end of each of the data lines 17-1 to 17-m is connected to the output end of each column of the data line drive circuit 18. The data line drive circuit 18 has a current writing type drive circuit configuration for writing the brightness information in the form of a current value to each of the pixel circuits 11 through the data lines 17-1 to 17-m.
【００２１】図２は、電流書き込み型画素回路１１の具
体的な回路構成の一例を示す回路図である。なお、ここ
では、回路構成の一例を示しているに過ぎず、電流書き
込み型画素回路１１としては、以下に説明する回路構成
のものに限られるものではなく、ＴＦＴの導電型などを
含めて種々の改変が可能である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a concrete circuit configuration of the current writing type pixel circuit 11. Note that, here, only one example of the circuit configuration is shown, and the current writing type pixel circuit 11 is not limited to the one having the circuit configuration described below, and various types including the conductivity type of the TFT and the like. Can be modified.
【００２２】図２に示すように、本例に係る電流書き込
み型画素回路は、カソードが第１の電源（例えば、負電
源ＶＳＳ）に接続された有機ＥＬ素子２１と、ドレイン
が有機ＥＬ素子２１のアノードに、ソースが第２の電源
（例えば、グランドＧＮＤ）にそれぞれ接続されたＰチ
ャネルＴＦＴ２２と、このＴＦＴ２２のゲートと第２の
電源との間に接続されたキャパシタ２３と、ソースがデ
ータ線１７（１７−１〜１７ｍ）に、ゲートが走査線１
２（１２−１〜１２−ｎ）にそれぞれ接続されたＮチャ
ネルＴＦＴ２４と、ドレインがＴＦＴ２４のドレイン
に、ソースが第２の電源に、ゲートがＴＦＴ２２のゲー
トにそれぞれ接続されたＰチャネルＴＦＴ２５と、ソー
スがＴＦＴ２５のドレインに、ドレインがＴＦＴ２２の
ゲートに、ゲートが消灯線１３（１３−１〜１３−ｎ）
にそれぞれ接続されたＮチャネルＴＦＴ２６とを有する
構成となっている。As shown in FIG. 2, in the current writing type pixel circuit according to this example, the cathode is connected to the first power source (for example, the negative power source VSS), and the drain is the organic EL element 21. , A source connected to a second power source (eg, ground GND), a P-channel TFT 22, a capacitor 23 connected between the gate of the TFT 22 and the second power source, and a data line source. At 17 (17-1 to 17 m), the gate is scanning line 1
2 (12-1 to 12-n) respectively, an N-channel TFT 24, a drain connected to the drain of the TFT 24, a source connected to the second power source, and a gate connected to the gate of the TFT 22. The source is the drain of the TFT 25, the drain is the gate of the TFT 22, and the gate is the extinction line 13 (13-1 to 13-n).
And an N-channel TFT 26 connected to each.
【００２３】上記構成の電流書き込み型画素回路１１に
おいて、ＴＦＴ２４およびＴＦＴ２６はアナログスイッ
チとしての機能を持つ。ＴＦＴ２５は、書き込む輝度情
報に応じた電流を電圧に変換する機能を持つ。キャパシ
タ２３は、ＴＦＴ２５で電流から電圧に変換された輝度
情報を保持する機能を持つ。ＴＦＴ２２は、キャパシタ
２３に保持された輝度情報を電圧から再び電流に変換
し、この変換した電流を有機ＥＬ素子２１に流す機能を
持つ。また、ＴＦＴ２５とＴＦＴ２２とはカレントミラ
ー回路を形成している。In the current writing type pixel circuit 11 having the above structure, the TFT 24 and the TFT 26 have a function as an analog switch. The TFT 25 has a function of converting current into voltage according to the brightness information to be written. The capacitor 23 has a function of holding the luminance information converted from current to voltage by the TFT 25. The TFT 22 has a function of converting the luminance information held in the capacitor 23 from a voltage to a current again and flowing the converted current to the organic EL element 21. Further, the TFT 25 and the TFT 22 form a current mirror circuit.
【００２４】続いて、有機ＥＬ素子の構造の一例につい
て説明する。図３に、有機ＥＬ素子の断面構造を示す。
同図から明らかなように、有機ＥＬ素子は、透明ガラス
などからなる基板３１上に、透明導電膜からなる第１の
電極（例えば、陽極）３２を形成し、その上にさらに正
孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５および電子
注入層３６を順次堆積させて有機層３７を形成した後、
この有機層３７の上に金属からなる第２の電極（例え
ば、陰極）３８を形成した構成となっている。そして、
第１の電極３２と第２の電極３８との間に直流電圧Ｅを
印加することで、発光層３４において電子と正孔が再結
合する際に発光するようになっている。Next, an example of the structure of the organic EL element will be described. FIG. 3 shows a cross-sectional structure of the organic EL element.
As is clear from the figure, in the organic EL element, a first electrode (for example, an anode) 32 made of a transparent conductive film is formed on a substrate 31 made of transparent glass or the like, and a hole transport layer is further formed thereon. 33, the light emitting layer 34, the electron transport layer 35, and the electron injection layer 36 are sequentially deposited to form the organic layer 37,
A second electrode (for example, a cathode) 38 made of metal is formed on the organic layer 37. And
By applying a DC voltage E between the first electrode 32 and the second electrode 38, light is emitted when electrons and holes are recombined in the light emitting layer 34.
【００２５】上記構成の本実施形態に係るアクティブマ
トリクス型有機ＥＬ表示装置において、本発明の特徴と
するところは、電流書き込み型画素回路１１（図２を参
照）が有機ＥＬ素子２１を強制的に消灯させるためのＴ
ＦＴ２６を有する一方、画素回路１１の各々に対して各
行ごとに消灯線１３−１〜１３−ｎを配線するととも
に、これら消灯線１３−１〜１３−ｎを駆動するための
消灯線駆動回路１５を設け、走査線駆動回路１４から順
次出力される走査パルスＷＳ−１〜ＷＳ−ｎに対して適
当なタイミングで消灯線駆動回路１５から消灯パルスＥ
Ｓ−１〜ＥＳ−ｎを順次出力するようにした点にある。The feature of the present invention in the active matrix type organic EL display device according to this embodiment having the above structure is that the current writing type pixel circuit 11 (see FIG. 2) forces the organic EL element 21. T to turn off
While having the FT 26, the extinguishing lines 13-1 to 13-n are wired for each row to each of the pixel circuits 11, and the extinguishing line driving circuit 15 for driving these extinguishing lines 13-1 to 13-n. Is provided, and the extinguishing pulse E from the extinguishing line driving circuit 15 at appropriate timing with respect to the scanning pulses WS-1 to WS-n sequentially output from the scanning line driving circuit 14.
The point is that S-1 to ES-n are sequentially output.
【００２６】ここで先ず、電流書き込み型画素回路１１
における基本的な動作について、図２の画素回路図を用
いて説明する。First, the current writing type pixel circuit 11 is described.
The basic operation of the above will be described with reference to the pixel circuit diagram of FIG.
【００２７】輝度情報の書き込みは、図１の走査線駆動
回路１４から走査パルスＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｎ）が出力
され、走査線１２が選択された状態で、データ線１７を
通して輝度情報が電流の形で供給されることによって行
われる。すなわち、走査線１２が選択されることで、Ｔ
ＦＴ２４がオン状態となってデータ線１７から電流輝度
情報を取り込む。この電流輝度情報は、ＴＦＴ２５によ
って電圧に変換されてキャパシタ２３に保持される。To write the brightness information, the scan line drive circuit 14 of FIG. 1 outputs the scan pulse WS (WS1 to WSn), and the scan line 12 is selected. It is done by being supplied with. That is, when the scanning line 12 is selected, T
The FT 24 is turned on and the current brightness information is fetched from the data line 17. This current brightness information is converted into a voltage by the TFT 25 and held in the capacitor 23.
【００２８】そして、キャパシタ２３に保持された電圧
輝度情報がＴＦＴ２２によって電流に変換され、有機Ｅ
Ｌ素子２１に供給される。これにより、有機ＥＬ素子２
１は、ＴＦＴ２２の駆動制御によって供給される電流輝
度情報に応じた輝度で点灯（発光）する。この書き込ま
れた輝度情報は、走査線１２が非選択となった後もキャ
パシタ２３に保持される。したがって、有機ＥＬ素子２
１はその保持された電圧輝度情報に応じた輝度で点灯状
態を持続する。Then, the voltage brightness information held in the capacitor 23 is converted into a current by the TFT 22, and the organic E
It is supplied to the L element 21. Thereby, the organic EL element 2
1 is turned on (emits light) with a brightness according to the current brightness information supplied by the drive control of the TFT 22. The written brightness information is held in the capacitor 23 even after the scanning line 12 is deselected. Therefore, the organic EL element 2
1 maintains the lighting state with the brightness according to the held voltage brightness information.
【００２９】有機ＥＬ素子２１の点灯が持続している状
態において、消灯線駆動回路１５から消灯パルスＥＳ
（ＥＳ−１〜ＥＳ−ｎ）が出力され、消灯線１３が選択
されると、ＴＦＴ２６がオン状態となる。これにより、
キャパシタ２３に保持されていた電圧輝度情報（電荷）
がＴＦＴ２６を通して放電される。そして、ＴＦＴ２２
のゲート-ソース間電位がしきい値を下回ると、ＴＦＴ
２２がオフ状態となって有機ＥＬ素子２１に流れる電流
を遮断する。その結果、点灯状態にあった有機ＥＬ素子
２１が消灯状態に移行する。In the state where the organic EL element 21 is continuously lit, the extinction line drive circuit 15 produces an extinction pulse ES.
When (ES-1 to ES-n) is output and the extinguishing line 13 is selected, the TFT 26 is turned on. This allows
Voltage luminance information (charge) held in the capacitor 23
Are discharged through the TFT 26. And the TFT 22
When the gate-source potential of the
22 is turned off to cut off the current flowing through the organic EL element 21. As a result, the organic EL element 21 that has been in the turned-on state shifts to the unlit state.
【００３０】この電流書き込み型画素回路１１における
基本的な動作を踏まえて、本実施形態に係るアクティブ
マトリクス型有機ＥＬ表示装置の特徴となる動作につい
て、図４のタイミングチャートを用いて説明する。Based on the basic operation of the current writing type pixel circuit 11, the characteristic operation of the active matrix type organic EL display device according to this embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG.
【００３１】ここでは、ｋ行、ｌ列目の画素（ｋ，ｌ）
に着目してその動作について説明する。図４は、ｋ行目
の走査線１２−ｋ（図中、走査線ｋと記す）とｌ列目の
データ線１７−ｌ（図中、データ線ｌと記す）とによっ
て画素（ｋ，ｌ）に対して電流輝度情報を書き込む場合
において、走査線ｋの電圧波形とデータ線ｌの電流波形
およびｋ行目の消灯線１３−ｋ（図中、消灯線ｋと記
す）の電圧波形を示すタイミングチャートである。Here, the pixel (k, l) at the k-th row and the l-th column
The operation will be described focusing on. In FIG. 4, the pixel (k, l) is formed by the scanning line 12-k in the k-th row (denoted as scanning line k in the figure) and the data line 17-l in the l-th column (denoted as data line 1 in the figure). ), The voltage waveform of the scanning line k, the current waveform of the data line 1 and the voltage waveform of the extinguishing line 13-k of the kth row (denoted by extinguishing line k in the figure) are shown. It is a timing chart.
【００３２】図４のタイミングチャートでは、一例とし
て、フレーム周期Ｔの前半のサブフレーム（または、フ
ィールド）で低輝度側の表示を行い、後半のサブフレー
ムで高輝度側の表示を行う場合のタイミング関係を示し
ている。In the timing chart of FIG. 4, as an example, the timing when the low luminance side is displayed in the first half subframe (or field) of the frame cycle T and the high luminance side is displayed in the second half subframe. It shows the relationship.
【００３３】先ず、前半のサブフレームにおいて、走査
パルスＷＳ−ｋのパルス幅ｔ１は、低輝度情報の書き込
み時間に相当し、この書き込み時間ｔ１で画素（ｋ，
ｌ）に対して低階調側輝度情報がデータ線ｌを通して書
き込まれる。また、その書き込まれた輝度情報が図２の
キャパシタ２３に保持されることで、有機ＥＬ素子２１
の点灯状態が持続する。First, in the first half sub-frame, the pulse width t1 of the scanning pulse WS-k corresponds to the writing time of the low luminance information, and at this writing time t1, the pixel (k, k,
For 1), low gradation side luminance information is written through the data line 1. Further, the written brightness information is held in the capacitor 23 of FIG.
Lights up continuously.
【００３４】この低階調側輝度情報の書き込み開始タイ
ミングから時間ｔ２が経過した時点で消灯パルスＥＳ−
ｋが消灯線ｋに与えられることにより、図２のＴＦＴ２
６がオン状態となってキャパシタ２３に保持されていた
低輝度情報に基づく電荷を放電する。その結果、点灯状
態にあった有機ＥＬ素子２１が消灯状態に移行する。こ
れにより、走査パルスＷＳ−ｋの発生タイミングから消
灯パルスＥＳ−ｋの発生タイミングまでの期間ｔ２にお
いて、有機ＥＬ素子２１が輝度Ｌ１で点灯することにな
る。An extinguishing pulse ES- at a time point t2 after the start timing of writing the low gradation side luminance information.
When k is given to the extinction line k, the TFT2 of FIG.
6 is turned on, and the electric charge based on the low luminance information held in the capacitor 23 is discharged. As a result, the organic EL element 21 that has been in the turned-on state shifts to the unlit state. As a result, the organic EL element 21 is turned on at the brightness L1 in the period t2 from the generation timing of the scan pulse WS-k to the generation timing of the extinguishing pulse ES-k.
【００３５】次に、後半のサブフレームにおいて、走査
パルスＷＳ−ｋのパルス幅ｔ３は、高輝度情報の書き込
み時間に相当し、この書き込み時間ｔ３で画素（ｋ，
ｌ）に対して高階調側輝度情報がデータ線ｌを通して書
き込まれる。また、その書き込まれた輝度情報が図２の
キャパシタ２３に保持されることで、有機ＥＬ素子２１
の点灯状態が持続する。Next, in the latter sub-frame, the pulse width t3 of the scanning pulse WS-k corresponds to the writing time of the high luminance information, and at this writing time t3, the pixel (k,
The luminance information on the high gradation side is written through the data line 1 for 1). Further, the written brightness information is held in the capacitor 23 of FIG.
Lights up continuously.
【００３６】この高階調側輝度情報の書き込み開始タイ
ミングから時間ｔ４が経過した時点で消灯パルスＥＳ−
ｋが消灯線ｋに与えられることにより、図２のＴＦＴ２
６がオン状態となってキャパシタ２３に保持されていた
高輝度情報に基づく電荷を放電する。その結果、点灯状
態にあった有機ＥＬ素子２１が消灯状態に移行する。こ
れにより、走査パルスＷＳ−ｋの発生タイミングから消
灯パルスＥＳ−ｋの発生タイミングまでの期間ｔ４にお
いて、有機ＥＬ素子２１が輝度Ｌ２で点灯することにな
る。An extinguishing pulse ES- at a time point t4 from the writing start timing of the high gradation side luminance information.
When k is given to the extinction line k, the TFT2 of FIG.
6 is turned on to discharge the electric charge based on the high brightness information held in the capacitor 23. As a result, the organic EL element 21 that has been in the turned-on state shifts to the unlit state. As a result, the organic EL element 21 is turned on at the brightness L2 in the period t4 from the generation timing of the scan pulse WS-k to the generation timing of the extinction pulse ES-k.
【００３７】上述したように、電流書き込み型画素回路
１１を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置
において、フレーム周期Ｔの前半のサブフレームで低輝
度側の表示を行い、後半のサブフレームで高輝度側の表
示を行う駆動制御を行うと、フレーム周期Ｔの期間で得
られる画素（ｋ，ｌ）の平均輝度Ｌは、
Ｌ＝（Ｌ１・ｔ２＋Ｌ２・ｔ４）／Ｔ ……（１）
となる。As described above, in the active matrix type organic EL display device using the current writing type pixel circuit 11, the low luminance side is displayed in the first sub-frame of the frame period T, and the high luminance is displayed in the second sub-frame. When drive control is performed to perform display on the side, the average luminance L of the pixel (k, l) obtained during the frame period T is L = (L1 · t2 + L2 · t4) / T (1)
【００３８】ここで、例えばｔ４＝１００ｔ２とすれ
ば、上記（１）式から、
Ｌ２＝０のとき、Ｌ＝Ｌ１・ｔ２／Ｔ
Ｌ１＝０のとき、Ｌ＝１００Ｌ２・ｔ２／Ｔ
となり、同じ輝度情報の書き込みでも１００倍の平均輝
度Ｌの差を得ることができる。すなわち、高輝度と同程
度の輝度情報の書き込みで低輝度を得ることができる。
したがって、小さな電流値の電流（低電流）による輝度
情報の書き込みが必要なくなる、換言すれば画素に低輝
度情報を書き込む必要がなくなる。Here, if t4 = 100t2, for example, from the above equation (1), when L2 = 0, L = L1 · t2 / T When L1 = 0, L = 100L2 · t2 / T Even when the brightness information is written, it is possible to obtain a 100 times difference in average brightness L. That is, the low brightness can be obtained by writing the brightness information about the same as the high brightness.
Therefore, it is not necessary to write the brightness information with a current having a small current value (low current), in other words, it is not necessary to write the low brightness information to the pixel.
【００３９】このように、画素に低輝度情報の書き込み
を行わなくても低輝度の表示を行えることで、大きな電
流値の電流での輝度情報の書き込みとなるため、画素へ
の輝度情報の書き込みが短時間で終了する。これによ
り、より正確な低輝度の表示ができ、多階調の表示が可
能になり、しかも黒レベルについても完全に書き込める
ことになるためコントラスト比を大きくできる。また、
輝度情報の書き込みが短時間で終了することで、同一の
フレーム周期の中に輝度情報の書き込み時間を多数持つ
ことができるため、走査線の本数を増やすことができ、
その結果、高解像度化を図ることができる。As described above, since low-luminance display can be performed without writing low-luminance information to a pixel, the luminance information can be written with a current having a large current value. Therefore, writing the luminance information to the pixel. Ends in a short time. As a result, more accurate low-luminance display can be performed, multi-gradation display can be performed, and the black level can be completely written, so that the contrast ratio can be increased. Also,
Since the writing of the luminance information is completed in a short time, the writing time of the luminance information can be increased in the same frame period, so that the number of scanning lines can be increased.
As a result, higher resolution can be achieved.
【００４０】なお、図４のタイミングチャートに示した
動作例において、パルス幅ｔ１とパルス幅ｔ３とは同一
であって、異なっていても良い。In the operation example shown in the timing chart of FIG. 4, the pulse width t1 and the pulse width t3 may be the same or different.
【００４１】図４のタイミングチャートに示した動作例
では、フレーム周期Ｔの前半のサブフレームで低輝度側
の表示を行い、後半のサブフレームで高輝度側の表示を
行うようにしたが、フレーム周期Ｔの後半のサブフレー
ムで低輝度側の表示を行い、前半のサブフレームで高輝
度側の表示を行うことも可能である。また、フレーム周
期Ｔを前半、後半の２つのサブフレームに分割する例に
限定されるものではなく、フレーム周期Ｔを３つ以上の
サブフレームに分割し、それらの輝度の平均をとること
によって輝度を表現することも可能である。In the operation example shown in the timing chart of FIG. 4, the low luminance side is displayed in the first sub-frame of the frame period T, and the high luminance side is displayed in the second half of the frame period T. It is also possible to display on the low luminance side in the latter half of the period T and display on the higher luminance side in the first half of the subframe. Further, the frame period T is not limited to the example in which the first half and the second half are divided into two sub-frames, and the frame period T is divided into three or more sub-frames and the luminance is averaged to obtain the luminance. It is also possible to express.
【００４２】また、全走査線に亘って低輝度情報の表示
と高輝度情報の表示とを同じサブフレームで行うことも
可能であり、さらに１つまたは複数の隣り合う走査線ご
とに同じサブフレーム内で低輝度情報の表示と高輝度情
報の表示とを交互に行うようにすることも可能である。
要は、フレーム周期Ｔを複数のサブフレームに分割して
画素回路ごとに輝度情報の書き込みおよび消灯駆動を行
い、複数のサブフレームの輝度の平均によって１つの画
素の輝度を決定する構成であれば良い。It is also possible to display the low-brightness information and the high-brightness information in the same sub-frame over all the scanning lines, and further, in the same sub-frame for each one or a plurality of adjacent scanning lines. It is also possible to alternately display the low-brightness information and the high-brightness information therein.
In short, if the frame period T is divided into a plurality of sub-frames, the luminance information is written and turned off for each pixel circuit, and the luminance of one pixel is determined by the average of the luminances of the plurality of sub-frames. good.
【００４３】なお、上記実施形態では、電流書き込み型
画素回路を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示
装置に適用した場合を例に採って説明したが、フレーム
周期Ｔを複数のサブフレームに分割し、これら複数のサ
ブフレームの輝度の平均をとることによって１つの画素
の輝度を決定する考え方は、点灯状態にある有機ＥＬ素
子を強制的に消灯状態にする消灯手段を持つものであれ
ば、輝度情報を電圧値の形で書き込む電圧書き込み型画
素回路を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装
置にも適用可能である。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the active matrix type organic EL display device using the current writing type pixel circuit has been described as an example, but the frame period T is divided into a plurality of subframes, The idea of determining the brightness of one pixel by averaging the brightness of the plurality of sub-frames is that the brightness information can be set as long as it has a light-off means for forcibly turning off the organic EL element in the lighted state. It is also applicable to an active matrix type organic EL display device using a voltage writing type pixel circuit for writing in the form of a voltage value.
【００４４】また、上記実施形態においては、画素の発
光素子として有機ＥＬ素子を、能動素子としてポリシリ
コン薄膜トランジスタをそれぞれ用い、ポリシリコン薄
膜トランジスタを形成した基板上に有機ＥＬ素子を形成
してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に適
用する場合を例に採って説明したが、本発明はこれに限
られるものではなく、画素の発光素子として、流れる電
流によって輝度が変化する電流制御型の電気光学素子を
用いるアクティブマトリクス型表示装置全般に適用可能
である。In the above embodiment, the organic EL element is used as the light emitting element of the pixel, the polysilicon thin film transistor is used as the active element, and the organic EL element is formed on the substrate on which the polysilicon thin film transistor is formed. Although the present invention is not limited to this, the present invention is not limited to this, and a current control type electro-optical element whose luminance changes according to a flowing current is used as a light emitting element of a pixel. It is applicable to all active matrix display devices used.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フレーム周期を複数のサブフレームに分割して画素回路
ごとに輝度情報の書き込みおよび消灯駆動を行い、複数
のサブフレームの輝度の平均によって１つの画素の輝度
を決定することにより、高輝度と同程度の輝度情報の書
き込みで低輝度を得ることができ、小さな電流値の電流
による輝度情報の書き込みが必要なくなり、大きな電流
値の電流での輝度情報の書き込みとなるため、画素への
輝度情報の書き込みが短時間で終了する。これにより、
より正確な低輝度の表示ができ、多階調の表示が可能に
なるとともに、コントラスト比を大きくでき、しかも輝
度情報の書き込みが短時間で終了することで、同一のフ
レーム周期の中に輝度情報の書き込み時間を多数持つこ
とができ、走査線の本数を増やすことができるため高解
像度化を図ることができる。As described above, according to the present invention,
By dividing the frame period into a plurality of sub-frames, writing and turning off the brightness information for each pixel circuit, and deciding the brightness of one pixel by the average of the brightness of a plurality of sub-frames, the brightness is comparable to that of high brightness. Since it is possible to obtain low brightness by writing the brightness information of, it is not necessary to write the brightness information by the current of the small current value, and the brightness information is written by the current of the large current value. Therefore, the brightness information is written to the pixel. Ends in a short time. This allows
More accurate low-luminance display and multi-gradation display are possible, the contrast ratio can be increased, and the writing of luminance information is completed in a short time, so that luminance information can be displayed in the same frame cycle. Since it is possible to have a large number of writing times and the number of scanning lines can be increased, high resolution can be achieved.
【図１】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリク
ス型表示装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an active matrix type display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】電流書き込み型画素回路の具体的な回路構成の
一例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a specific circuit configuration of a current writing type pixel circuit.
【図３】有機ＥＬ素子の構造の一例を示す断面構造図で
ある。FIG. 3 is a cross-sectional structure diagram showing an example of the structure of an organic EL element.
【図４】画素（ｋ，ｌ）に電流輝度情報を書き込む際の
走査線ｋの電圧波形とデータ線ｌの電流波形および消灯
線ｋの電圧波形を示すタイミングチャートである。FIG. 4 is a timing chart showing a voltage waveform of a scanning line k, a current waveform of a data line l, and a voltage waveform of a light-off line k when writing current luminance information in a pixel (k, l).
１１…電流書き込み型画素回路、１２，１２−１〜１２
−ｎ…走査線、１３，１３−１〜１３−ｎ…消去線、１
４…走査線駆動回路、１５…消去線駆動回路、１６…タ
イミングジェネレータ、１７，１７−１〜１７−ｍ…デ
ータ線、１８…データ線駆動回路11 ... Current writing type pixel circuit, 12, 12-1 to 12
-N ... Scan line, 13, 13-1 to 13-n ... Erase line, 1
4 ... Scan line drive circuit, 15 ... Erase line drive circuit, 16 ... Timing generator, 17, 17-1 to 17-m ... Data line, 18 ... Data line drive circuit
Claims (8)
報を書き込む書き込み手段とこの書き込み手段によって
書き込まれた輝度情報に基づいて点灯状態にある前記電
気光学素子を消灯状態にする消灯手段とを持つ画素回路
がマトリクス状に配置されてなる画素部と、 フレーム周期を複数のサブフレームに分割してこれら複
数のサブフレームの輝度の平均によって１つの画素の輝
度を決定すべく前記複数の画素回路を駆動する駆動手段
とを備えたことを特徴とするアクティブマトリクス型表
示装置。1. A pixel having an electro-optical element and having writing means for writing luminance information and extinguishing means for extinguishing the electro-optical element in a lit state based on the luminance information written by the writing means. A pixel unit in which circuits are arranged in a matrix, and a plurality of sub-frames are divided into a frame period to drive the plurality of pixel circuits so as to determine the brightness of one pixel by averaging the brightness of the plurality of sub-frames. An active matrix type display device comprising:
記電気光学素子の消灯と前記書き込み手段による輝度情
報の書き込みとのタイミングを、平均輝度を決定する複
数のサブフレーム間において、少なくとも１つのサブフ
ィールドが他のサブフィールドのタイミングと異なるよ
うに設定することを特徴とする請求項１記載のアクティ
ブマトリクス型表示装置。2. The driving means sets the timing of turning off the electro-optical element by the extinguishing means and writing the brightness information by the writing means in at least one sub-frame among a plurality of sub-frames that determine the average brightness. 2. The active matrix type display device according to claim 1, wherein the field is set so as to be different from the timing of other subfields.
電流値の形で行う電流書き込み型画素回路であることを
特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型表示
装置。3. The active matrix display device according to claim 1, wherein the pixel circuit is a current writing type pixel circuit that writes luminance information in the form of a current value.
報を書き込む書き込み手段と、この書き込み手段によっ
て書き込まれた輝度情報に基づいて点灯状態にある前記
電気光学素子を消灯状態にする消灯手段とを持つ画素回
路がマトリクス状に配置されてなるアクティブマトリク
ス型表示装置において、 フレーム周期を複数のサブフレームに分割して前記画素
回路ごとに前記書き込み手段および前記消灯手段を駆動
し、 前記複数のサブフレームの輝度の平均によって１つの画
素の輝度を決定することを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置の駆動方法。4. An electro-optical element, write means for writing luminance information, and extinguishing means for turning off the electro-optical element in a lit state based on the luminance information written by the writing means. In an active matrix display device in which pixel circuits are arranged in a matrix, a frame cycle is divided into a plurality of sub-frames, and the writing unit and the extinguishing unit are driven for each pixel circuit. A method for driving an active matrix display device, characterized in that the brightness of one pixel is determined by the average of the brightness.
発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を有するとともに、輝度情報を書き込む書き込
み手段とこの書き込み手段によって書き込まれた輝度情
報に基づいて点灯状態にある前記有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を消灯状態にする消灯手段とを持つ画素回
路がマトリクス状に配置されてなる画素部と、 フレーム周期を複数のサブフレームに分割してこれら複
数のサブフレームの輝度の平均によって１つの画素の輝
度を決定すべく前記複数の画素回路を駆動する駆動手段
とを備えたことを特徴とするアクティブマトリクス型有
機エレクトロルミネッセンス表示装置。5. An organic electroluminescence device having first and second electrodes and an organic layer including a light emitting layer between these electrodes, and a writing unit for writing luminance information and a luminance information written by the writing unit. A pixel portion in which a pixel circuit having an extinguishing means for extinguishing the organic electroluminescence element in a lighted state based on a matrix is arranged, and a frame period is divided into a plurality of subframes to divide the plurality of subframes. An active matrix organic electroluminescence display device, comprising: a driving unit that drives the plurality of pixel circuits so as to determine the luminance of one pixel by averaging the luminance of frames.
記有機エレクトロルミネッセンス素子の消灯と前記書き
込み手段による輝度情報の書き込みとのタイミングを、
平均輝度を決定する複数のサブフレーム間において、少
なくとも１つのサブフィールドが他のサブフィールドの
タイミングと異なるように設定することを特徴とする請
求項５記載のアクティブマトリクス型有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置。6. The driving means sets timings of turning off the organic electroluminescent element by the extinguishing means and writing brightness information by the writing means,
6. The active matrix organic electroluminescence display device according to claim 5, wherein at least one subfield is set so as to be different from the timing of other subfields among a plurality of subframes that determine the average luminance.
電流値の形で行う電流書き込み型画素回路であることを
特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクス型有機
エレクトロルミネッセンス表示装置。7. The active matrix type organic electroluminescence display device according to claim 5, wherein the pixel circuit is a current writing type pixel circuit which writes luminance information in the form of a current value.
発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を有するとともに、輝度情報を書き込む書き込
み手段とこの書き込み手段によって書き込まれた輝度情
報に基づいて点灯状態にある前記有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を消灯状態にする消灯手段とを持つ画素回
路がマトリクス状に配置されてなるアクティブマトリク
ス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、 フレーム周期を複数のサブフレームに分割して前記画素
回路ごとに前記書き込み手段および前記消灯手段を駆動
し、 前記複数のサブフレームの輝度の平均によって１つの画
素の輝度を決定することを特徴とするアクティブマトリ
クス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方
法。8. An organic electroluminescence device having first and second electrodes and an organic layer including a light emitting layer between these electrodes, and a writing unit for writing luminance information and a luminance information written by the writing unit. In an active matrix type organic electroluminescence display device in which pixel circuits having a light-off means for turning off the organic electroluminescence element in a lighted state based on a matrix are arranged, a frame cycle is divided into a plurality of subframes. Then, the writing means and the extinguishing means are driven for each of the pixel circuits, and the brightness of one pixel is determined by the average of the brightnesses of the plurality of sub-frames of the active matrix type organic electroluminescence display device. Driving method.
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