JP2003014572A - 圧力センサ及び圧力センサシステム - Google Patents
圧力センサ及び圧力センサシステムInfo
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Abstract
で圧力検出が可能な圧力センサと該圧力センサを用いて
高精度に圧力を検出できる圧力センサシステムを提供す
る。 【解決手段】 圧力を半導体ピエゾ抵抗素子141によっ
て検知して、圧力変化に対応して変化する電圧値に変換
して第1ディジタル値とすると共にピエゾ抵抗素子141
の温度又は素子近傍の温度をサーミスタ151によって検
知して、温度変化に対応して変化する電圧値に変換して
第2ディジタル値とし、これら2つのディジタル値を含
む検知情報を圧力センサ10からワイヤレスで送信す
る。さらに、受信装置20によって検知情報を受信し、
第1ディジタル値の圧力値を第2ディジタル値の温度値
によって温度補償する演算処理を行い、正確な圧力値を
算出する。
Description
力センサシステムに関するものである。
て運転席において空気圧の検出結果をモニターできる空
気圧監視装置が知られており、車両走行の安全性を高め
るために一般に普及しつつある。この種の装置の一例と
して特開2001−14581号公報に開示される装置
がある。この空気圧監視装置は、圧力センサによって検
知した圧力データを送信機によって電波を用いて送信
し、この電波をモニター装置において受信して表示する
ものである。
開2000−214027号公報に開示されるような半
導体圧力センサが知られている。この半導体圧力センサ
は、シリコン基板の主表面側に薄肉のダイヤフラムを形
成し、ダイヤフラムの主表面側に4つのピエゾ抵抗素子
を設けることによって構成されたものである。また、4
つのピエゾ抵抗素子はホイートストンブリッジを構成す
るように接続され、ダイヤフラムが圧力を受けて撓む
と、各ピエゾ抵抗素子にダイヤフラムの撓み量に応じた
応力が発生し、この応力に応じて各ピエゾ抵抗素子の抵
抗値が変化するようになっている。これにより、ピエゾ
抵抗素子の抵抗値変化を電圧信号として取り出すことに
よって圧力を検出することができる。
補償も行うことができるので、正確な圧力を検知するこ
とができる。
たようなダイヤフラムの表面にピエゾ抵抗素子を設けた
半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗素子のブリッジ回路を
形成しなければならず、回路構成が複雑であると共にブ
リッジ回路の調整が面倒であるため製造コストの削減に
限界があった。
製造コストの低減が望めず、一般への普及が遅れてい
る。
な圧力検知回路の構成を有しワイヤレスで圧力検出が可
能な圧力センサと該圧力センサを用いて高精度に圧力を
検出できる圧力センサシステムを提供することである。
成するために請求項1では、圧力を検知して検知結果に
対応する圧力検知情報をワイヤレスで送信する圧力セン
サであって、素子に加わる圧力に対応して抵抗値が変化
する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値に対応して値が
変化する第1の電気信号を発生する手段と、前記第1の
電気信号の値を第1のディジタル値に変換する手段と、
前記抵抗素子の近傍の温度或いは前記抵抗素子の温度を
検知して該温度に対応して値が変化する第2の電気信号
を出力する温度検知回路と、前記第2の電気信号の値を
第2のディジタル値に変換する手段と、前記第1のディ
ジタル値を圧力検知情報とし、前記第2のディジタル値
を温度補償情報として、前記第1及び第2のディジタル
値を含む検知情報をワイヤレスで送信する手段とを備え
ている圧力センサを提案する。
知対象となる圧力が印加されると、該抵抗素子に加わる
圧力に対応してその抵抗値が変化する。さらに、前記抵
抗素子の抵抗値に対応して値が変化する第1の電気信号
が発生され、前記第1の電気信号の値は第1のディジタ
ル値に変換される。また、温度検知回路によって、前記
抵抗素子の近傍の温度或いは前記抵抗素子の温度が検知
されて、該温度に対応して値が変化する第2の電気信号
が出力される。前記第2の電気信号の値は第2のディジ
タル値に変換され、前記第1のディジタル値を圧力検知
情報とし、前記第2のディジタル値を温度補償情報とし
て、前記第1及び第2のディジタル値を含む検知情報が
ワイヤレスで送信される。従って、前記第1のディジタ
ル値は温度による誤差を含む値であるが、前記検知情報
の受信側において、前記第2のディジタル値を用いて前
記第1のディジタル値を温度補償することにより誤差の
ない圧力値を得ることができる。
力センサにおいて、前記抵抗素子が半導体ピエゾ抵抗素
子である圧力センサを提案する。
導体ピエゾ抵抗素子からなるため、ヒステリシスやクリ
ープの少ない安定な特性を得ることができる。
力センサにおいて、前記検知情報は個々のセンサに固有
の識別情報を含んでいる圧力センサを提案する。
個々のセンサに固有の識別情報が含まれているので、前
記識別情報によって個々の圧力センサを識別することが
できる。
結果に対応する圧力検知情報をワイヤレスで送信する圧
力センサと、前記圧力検知情報を受信して圧力の検出結
果を出力する受信装置とからなる圧力センサシステムで
あって、前記圧力センサは、素子に加わる圧力に対応し
て抵抗値が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値
に対応して値が変化する第1の電気信号を発生する手段
と、前記第1の電気信号の値を第1のディジタル値に変
換する手段と、前記抵抗素子の近傍の温度或いは前記抵
抗素子の温度を検知して該温度に対応して値が変化する
第2の電気信号を出力する温度検知回路と、前記第2の
電気信号の値を第2のディジタル値に変換する手段と、
前記第1のディジタル値を圧力検知情報とし、前記第2
のディジタル値を温度補償情報として、前記第1及び第
2のディジタル値を含む検知情報をワイヤレスで送信す
る手段とを備え、前記受信装置は、前記検知情報を受信
する受信手段と、受信した検知情報から前記第1のディ
ジタル値と第2のディジタル値とを抽出する手段と、予
め用意された温度補償関数或いは温度補償テーブルが記
憶されている記憶手段と、前記温度補償関数或いは温度
補償テーブルと前記第2のディジタルデータに基づい
て、前記第1のディジタルデータから温度補償した圧力
値を算出して出力する演算手段とを備えている圧力セン
サシステムを提案する。
センサの抵抗素子に検知対象となる圧力が印加される
と、該抵抗素子に加わる圧力に対応してその抵抗値が変
化し、該抵抗値に対応して値が変化する第1の電気信号
が発生され、前記第1の電気信号の値は第1のディジタ
ル値に変換される。また、前記圧力センサの温度検知回
路によって、前記抵抗素子の近傍の温度或いは前記抵抗
素子の温度が検知されて、該温度に対応して値が変化す
る第2の電気信号が出力される。さらに、前記第2の電
気信号の値は第2のディジタル値に変換され、前記第1
のディジタル値を圧力検知情報とし、前記第2のディジ
タル値を温度補償情報として、前記第1及び第2のディ
ジタル値を含む検知情報が前記圧力センサから前記受信
装置へワイヤレスで送信される。
て前記検知情報が受信され、受信した検知情報から前記
第1のディジタル値と第2のディジタル値とが抽出され
る。また、前記受信装置には、予め用意された温度補償
関数或いは温度補償テーブルが記憶手段に記憶されてお
り、前記温度補償関数或いは温度補償テーブルと前記第
2のディジタルデータに基づいて、前記第1のディジタ
ルデータから温度補償した圧力値が演算手段によって算
出されて出力される。
に送信される第1のディジタル値は温度による誤差を含
む値であるが、前記受信装置の演算手段によって、前記
第2のディジタル値を用いて前記第1のディジタル値が
温度補償されるので、誤差のない圧力値を検出すること
ができる。
ンサシステムにおいて、前記抵抗素子が半導体ピエゾ抵
抗素子である圧力センサシステムを提案する。
素子が半導体ピエゾ抵抗素子からなるため、ヒステリシ
スやクリープの少ない安定な特性を得ることができる。
力センサシステムにおいて、前記検知情報は個々のセン
サに固有の識別情報を含んでいる圧力センサシステムを
提案する。
センサから送信される検知情報には個々のセンサに固有
の識別情報が含まれているため、前記受信装置は前記識
別情報によって個々の圧力センサを識別することができ
るので、複数の圧力センサを用いた複数箇所の圧力検知
を行うことができる。
実施形態を説明する。
ンサシステムを示す構成図である。図において、1は圧
力センサシステムで、複数の圧力センサ10と受信装置
20とから構成され、圧力センサ10と受信装置20と
の間では電波を用いて検知情報の授受が行われる。
波送信部12、中央演算処理部13、圧力検知回路1
4、温度検知回路15とから構成されている。
されたループコイルアンテナからなる。
から入力した検知情報を高周波信号に変換してアンテナ
11を介して送信する。
体として構成され、メモリに予め格納されているプログ
ラムに従って、圧力検知回路14と温度検知回路15と
から取得した情報を含む検知情報をディジタルデータで
高周波送信部12に出力して送信する。この送信処理は
上記プログラムに予め設定されている時間T1毎に繰り
返して行われる。
子141と、電源142、増幅器143、A/D変換器144とから
構成され、半導体ピエゾ抵抗素子141によって検知した
圧力に対応した8ビットのディジタルデータ(第1のデ
ィジタル値)を中央演算処理部13に出力する。
コン結晶に圧力が作用して結晶格子に歪みが生じたとき
に結晶の電気抵抗が変化する素子であり、その一端の電
極が電源142の正極に接続され、他端の電極が増幅器143
の入力に接続されている。
素子141の一端側電極に接続され、負極がA/D変換器1
44の一方の入力端子に接続され、所定の定電圧V1を保
ちながら半導体ピエゾ抵抗素子141に微弱な電流I1を流
す。これにより、半導体ピエゾ抵抗素子141にはその抵
抗値R1に比例した電圧降下が生じ、半導体ピエゾ抵抗
素子141の両端の電極間には電圧V2が発生する。
器144の他方の入力端子に接続され、半導体ピエゾ抵抗
素子141の他端側電極の電位を所定の増幅度A1で増幅し
てA/D変換器144に入力する。これにより、A/D変
換器144の2つの入力端子間には電圧Va(=A1(V1−
V2))が入力される。
値を例えば8ビットのディジタル値に変換して中央演算
処理部13に出力する。
電源152、増幅器153、A/D変換器154とから構成さ
れ、サーミスタ151によって検知した温度に対応した8
ビットのディジタルデータ(第2のディジタル値)を中
央演算処理部23に出力する。
応して抵抗値が変化する素子で、半導体ピエゾ抵抗素子
141の温度或いはその近傍の温度を検知できるように配
置され、その一端の電極が電源152の正極に接続され、
他端の電極が増幅器153の入力に接続されている。
端側電極に接続され、負極がA/D変換器154の一方の
入力端子に接続され、所定の定電圧V3を保ちながら半
導体ピエゾ抵抗素子141に微弱な電流I2を流す。これに
より、サーミスタ151にはその抵抗値R2に比例した電圧
降下が生じ、サーミスタ151の両端の電極間には電圧V
4が発生する。
器154の他方の入力端子に接続され、サーミスタ151の他
端側電極の電位を所定の増幅度A2で増幅してA/D変
換器154に入力する。これにより、A/D変換器154の2
つの入力端子間には電圧Vb(=A2(V3−V4))が入
力される。
を例えば8ビットのディジタル値に変換して中央演算処
理部13に出力する。
高周波受信部22、中央演算処理部23、表示部24と
から構成されている。
周波数に整合されている。
から送信された検知情報を受信してディジタルデータに
変換して中央演算処理部23に出力する。
体として構成され、メモリに予め格納されているプログ
ラムに従って高周波受信部22から入力した検知情報か
ら上記の第1及び第2のディジタル値を抽出し、これら
のディジタル値から前記半導体ピエゾ抵抗素子141が検
知した圧力値に対して温度補償を施した圧力値を算出し
て表示部24の表示器に表示する。
予め実験によって求められた温度補償テーブルが格納さ
れており、上記圧力値の算出時には上記温度補償テーブ
ルが用いられる。この温度補償テーブルは、同じ圧力下
においても半導体ピエゾ抵抗素子141の温度の違いによ
ってピエゾ抵抗素子141の抵抗値が変化するため、この
温度変化による抵抗値の変化を補償するためのものであ
る。
に、サーミスタ151の検知温度に対応した8ビットの第
2ディジタル値D2とピエゾ抵抗素子141の検知圧力に
対応した8ビットの第1ディジタル値D1とから1つの
圧力値P(00/00)〜P(FF/FF)が求まるようになってい
る。即ち、第2ディジタル値D2の1つ毎に、第1ディ
ジタル値D1の変化に対応して256個の圧力値Pが記
載され、合計では256×256個の圧力値データが記
載されている。
ステム1の動作を図3及び図4に示すフローチャートを
参照して説明する。図3は圧力センサの処理フローチャ
ートであり、図4は受信装置の処理フローチャートであ
る。
前述したように時間T1毎に検知情報を送信する。即
ち、圧力センサ10が動作を開始すると、中央演算処理
部13は、A/D変換器144,154のそれぞれから圧力検
知回路14によって検知した圧力検知データ(第1ディ
ジタル値D1)と温度検知回路15によって検知した温
度検知データ(第2ディジタル値D2)を取得し(SA
1,SA2)、これらを含む検知情報を作成して送信す
る(SA3)。
計時を開始し(SA4)、タイマーの計時時間Tが時間
T1以上になったときに(SA5)、前記SA1の処理
に移行して前記処理を繰り返す。本実施形態では、時間
T1を10分に設定し、10分毎に最新の圧力値を検出
できるようにしている。
中央演算処理部23は、圧力センサ10から送信された
検知情報を受信したか否かを監視し(SB1)、検知情
報を受信したときにこれを取得してメモリに記憶する
(SB2)。次いで、記憶した検知情報から圧力検知デ
ータ(第1ディジタル値D1)と温度検知データ(第2
ディジタル値D2)とを抽出して(SB3,SB4)、
前述した温度補償テーブルを用いて演算処理を行い、温
度補償した圧力値を算出して(SB5)、表示部24に
表示する(SB6)。
記検知情報に含まれる第1ディジタル値D1は温度によ
る誤差を含む値であるが、受信装置20において、第2
ディジタル値D2を用いて第1ディジタル値D1を温度
補償することにより誤差のない圧力値を得ることができ
る。これにより、従来例のようなダイヤフラムのブリッ
ジ抵抗回路を用いる必要がなくなるので、圧力センサ1
0の構成を従来例よりも簡略化することができる。従っ
て、圧力センサシステム製造時の手間及びコストを削減
することができる。
ステム1Bを示す構成図、図6は第2実施形態における
圧力センサ10Bを示す構成図、図7は第2実施形態に
おける受信装置20Bを示す構成図である。これらの図
において、前述した第1実施形態と同一構成部分は同一
符号をもって表しその説明を省略する。
違点は、第2実施形態では複数の圧力センサ10Bのそ
れぞれに固有の識別情報を付与し、受信装置20Bから
の要求があったときに各圧力センサ10Bは識別情報を
含む検知情報を送信する用にしたことである。
1Bは、複数の圧力センサ10Bと1つの受信装置20
Bとから構成されている。
高周波送信部12、中央演算処理部13、圧力検知回路
14、温度検知回路15、高周波受信部16、アンテナ
切替器17とから構成されている。
送信された要求信号をアンテナ11を介して受信し、デ
ィジタルデータに変換して中央演算処理部13に出力す
る。
チ等から構成され、アンテナ11を高周波送信部12又
は高周波受信部16の何れかに接続するもので、中央演
算処理部13からの制御信号によって接続状態を切り替
える。
PROM等の電気的に書き換え可能なメモリとプログラ
ムが記憶されたメモリとを備え、この電気的に書き換え
可能なメモリに個々の圧力センサ10Bに固有の識別情
報が記憶されている。このメモリに記憶されている識別
情報は、中央演算処理部13のプログラムに基づいて、
外部からの命令信号によって書き換え可能になってい
る。さらに、中央演算処理部13は、メモリに予め格納
されているプログラムに従って、受信装置20Bから送
信された要求信号を受信したときに、圧力検知回路14
と温度検知回路15とから取得した情報と自己の識別信
号を含む検知情報をディジタルデータで高周波送信部1
2に出力して送信する。
波受信部22、中央演算処理部23、表示部24、高周
波送信部25、アンテナ切替器26とから構成されてい
る。
から入力した要求信号を高周波信号に変換してアンテナ
21を介して送信する。
チ等から構成され、アンテナ21を高周波受信部22又
は高周波送信部25の何れかに接続するもので、中央演
算処理部23からの制御信号によって接続状態を切り替
える。
PROM等の電気的に書き換え可能なメモリとプログラ
ムが記憶されたメモリとを備え、この電気的に書き換え
可能なメモリに各圧力センサ10Bの識別情報が記憶さ
れている。このメモリに記憶されている識別情報は、中
央演算処理部23のプログラムに基づいて、外部からの
命令信号によって書き換え可能になっている。
予め格納されているプログラムに従って、各圧力センサ
10Bに対して検知情報の送信を要求する要求信号を、
予め設定されている時間T1毎に繰り返して送信する。
さらに、各圧力センサ10Bから送信された検知情報を
受信し、検知情報から上記の第1及び第2のディジタル
値を抽出すると共に、これらのディジタル値から前記半
導体ピエゾ抵抗素子141が検知した圧力値に対して温度
補償を施した圧力値を算出して表示部24の表示器に表
示する。
ステム1Bの動作を図8及び図9に示すフローチャート
を参照して説明する。図8は圧力センサの処理フローチ
ャートであり、図9は受信装置の処理フローチャートで
ある。
は、受信装置20Bから送信された要求信号を受信した
か否かを監視し(SC1)、要求信号を受信したとき
に、A/D変換器144,154のそれぞれから圧力検知回路
14によって検知した圧力検知データ(第1ディジタル
値D1)と温度検知回路15によって検知した温度検知
データ(第2ディジタル値D2)を取得し(SC2,S
C3)、これらを含む検知情報を作成して送信する(S
C4)。この後、前記SC1の処理に移行し、上記の処
理を繰り返す。
は、各圧力センサ10Bに対して検知情報の送信を要求
す売る要求信号を送信し(SD1)、この後、圧力セン
サ10から送信された検知情報を受信したか否かを監視
し(SD2)、検知情報を受信したときにこれを取得し
てメモリに記憶する(SD3)。
に含まれる識別情報と、メモリに記憶されている識別情
報とに基づいて、全ての圧力センサ10Bからの検知情
報を受信したか否かを判定する(SD4)。
い圧力センサ10Bが存在するときは前記SD2の処理
へ移行し、全ての圧力センサ10Bから検知情報を受信
したときは、メモリに記憶した各圧力センサ10Bの検
知情報から圧力検知データ(第1ディジタル値D1)と
温度検知データ(第2ディジタル値D2)とを抽出して
(SD5,SD6)、前述した温度補償テーブルを用い
て演算処理を行い、温度補償した圧力値を算出して(S
D7)、算出した圧力値を前記識別情報に対応させて表
示部24に表示する(SD8)。
をリセットしてタイマー計時を開始し(SD9)、タイ
マーの計時時間Tが時間T1以上になったときに(SD
10)、前記SD1の処理に移行して前記処理を繰り返
す。本実施形態では、時間T1を10分に設定し、10
分毎に要求信号を送信して各圧力センサ10Bが感知し
た最新の圧力値を検出できるようにしている。
複数の圧力センサ10Bのそれぞれに固有の識別情報を
付与し、識別情報によってそれぞれの圧力センサ10B
を容易に判別することができる。また、第2実施形態に
よっても上記第1実施形態と同様の効果が得られること
は言うまでもない。
の一具体例であり、本願発明がこれらの構成のみに限定
されることはない。例えば、上記実施形態では圧力の検
出に半導体ピエゾ抵抗素子141を用い、温度の検出にサ
ーミスタ151を用いたが、これら以外の素子を用いても
良い。また、圧力センサ10,10Bと受信装置20,
20Bとの間のワイヤレス通信に電磁波以外の光や音波
などを用いても良い。
記載の圧力センサによれば、第1のディジタル値は温度
による誤差を含む値であるが、検知情報の受信側におい
て、第2のディジタル値を用いて前記第1のディジタル
値を温度補償することにより誤差のない圧力値を得るこ
とができるので、従来例のようなダイヤフラムのブリッ
ジ抵抗回路を用いる必要がなくなる。これにより、圧力
センサの構成を簡略化することができるので、製造時の
手間及びコストを削減することができるという非常に優
れて効果を奏するものである。
ば、上記の効果に加えて、抵抗素子が半導体ピエゾ抵抗
素子からなるため、ヒステリシスやクリープの少ない安
定な特性を得ることができる。
ば、上記の効果に加えて、検知情報には個々のセンサに
固有の識別情報が含まれているので、前記識別情報によ
って個々の圧力センサを識別することができる。
ムによれば、圧力センサから受信装置に送信される第1
のディジタル値は温度による誤差を含む値であるが、受
信装置の演算手段によって、第2のディジタル値を用い
て前記第1のディジタル値が温度補償されるので、誤差
のない圧力値を検出することができる。これにより、従
来例のようなダイヤフラムのブリッジ抵抗回路を用いる
必要がなくなり、圧力センサの構成を簡略化することが
できるので、製造時の手間及びコストを削減することが
できるという非常に優れた効果を奏するものである。
ムによれば、上記の効果に加えて、抵抗素子が半導体ピ
エゾ抵抗素子からなるため、ヒステリシスやクリープの
少ない安定な特性を得ることができる。
ムによれば、上記の効果に加えて、圧力センサから送信
される検知情報には個々のセンサに固有の識別情報が含
まれているため、受信装置は識別情報によって個々の圧
力センサを識別することができるので、複数の圧力セン
サを用いた複数箇所の圧力検知を行うことができる。
テムを示す構成図
ルの一例を示す構成図
理フローチャートを示す図
フローチャートを示す図
テムを示す構成図
す構成図
構成図
理フローチャートを示す図
フローチャートを示す図
ンサ、11…アンテナ、12…高周波送信部、13…中
央演算処理部、14…圧力検知回路、141…半導体ピエ
ゾ抵抗素子、142…電源、143…増幅器、144…A/D変
換器、15…温度検知回路、151…サーミスタ、152…電
源、153…増幅器、154…A/D変換器、16…高周波受
信部、17…アンテナ切替器、20,20B…受信装
置、21…アンテナ、22…高周波受信部、23…中央
演算処理部、24…表示部、25…高周波送信部、26
…アンテナ切替器。
Claims (6)
- 【請求項1】 圧力を検知して検知結果に対応する圧力
検知情報をワイヤレスで送信する圧力センサであって、 素子に加わる圧力に対応して抵抗値が変化する抵抗素子
と、 前記抵抗素子の抵抗値に対応して値が変化する第1の電
気信号を発生する手段と、 前記第1の電気信号の値を第1のディジタル値に変換す
る手段と、 前記抵抗素子の近傍の温度或いは前記抵抗素子の温度を
検知して該温度に対応して値が変化する第2の電気信号
を出力する温度検知回路と、 前記第2の電気信号の値を第2のディジタル値に変換す
る手段と、 前記第1のディジタル値を圧力検知情報とし、前記第2
のディジタル値を温度補償情報として、前記第1及び第
2のディジタル値を含む検知情報をワイヤレスで送信す
る手段とを備えていることを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項2】 前記抵抗素子が半導体ピエゾ抵抗素子で
あることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。 - 【請求項3】 前記検知情報は個々のセンサに固有の識
別情報を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の
圧力センサ。 - 【請求項4】 圧力を検知して検知結果に対応する圧力
検知情報をワイヤレスで送信する圧力センサと、前記圧
力検知情報を受信して圧力の検出結果を出力する受信装
置とからなる圧力センサシステムであって、 前記圧力センサは、 素子に加わる圧力に対応して抵抗値が変化する抵抗素子
と、 前記抵抗素子の抵抗値に対応して値が変化する第1の電
気信号を発生する手段と、 前記第1の電気信号の値を第1のディジタル値に変換す
る手段と、 前記抵抗素子の近傍の温度或いは前記抵抗素子の温度を
検知して該温度に対応して値が変化する第2の電気信号
を出力する温度検知回路と、 前記第2の電気信号の値を第2のディジタル値に変換す
る手段と、 前記第1のディジタル値を圧力検知情報とし、前記第2
のディジタル値を温度補償情報として、前記第1及び第
2のディジタル値を含む検知情報をワイヤレスで送信す
る手段とを備え、 前記受信装置は、 前記検知情報を受信する受信手段と、 受信した検知情報から前記第1のディジタル値と第2の
ディジタル値とを抽出する手段と、 予め用意された温度補償関数或いは温度補償テーブルが
記憶されている記憶手段と、 前記温度補償関数或いは温度補償テーブルと前記第2の
ディジタルデータに基づいて、前記第1のディジタルデ
ータから温度補償した圧力値を算出して出力する演算手
段とを備えていることを特徴とする圧力センサシステ
ム。 - 【請求項5】 前記抵抗素子が半導体ピエゾ抵抗素子で
あることを特徴とする請求項4に記載の圧力センサシス
テム。 - 【請求項6】 前記検知情報は個々のセンサに固有の識
別情報を含んでいることを特徴とする請求項4に記載の
圧力センサシステム。
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---|---|---|---|
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JP2001201313A JP2003014572A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 圧力センサ及び圧力センサシステム |
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