JP2003007671A - Apparatus and method for drying cleaned object - Google Patents
Apparatus and method for drying cleaned objectInfo
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Abstract
Description
【０００１】本発明は、洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置
に関し、特に半導体ウエハ等の基板の洗浄、すすぎ、及
び乾燥に適した洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置に関す
る。The present invention relates to a method and a device for drying a cleaning product, and more particularly to a method and a device for drying a cleaning product suitable for cleaning, rinsing and drying a substrate such as a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、微細化したウエハ等の洗浄物の精
密基板洗浄後の乾燥としては、トレンチに入り込んだ水
分の除去が重要な要素であり、有機溶剤ベ一パー（蒸
気）を用いた乾燥装置が使用されている。この有機溶剤
ペーパーを用いた乾燥装置としては、図５に示す装置が
知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, removal of water that has entered a trench is an important factor in the drying after cleaning a precision substrate such as a miniaturized wafer, and an organic solvent vapor (vapor) is used. Drying equipment is used. As a drying device using this organic solvent paper, a device shown in FIG. 5 is known.
【０００３】乾燥装置１０１は、図５に示すように、上
部が開口して断面略コ字状の箱状からなる乾燥槽１０２
と、この乾燥槽１０２の底面１０２ａに装着された加熱
装置（ヒータ）１０３と、乾燥槽１０２の上部に設けら
れた冷却コイル１０４と、冷却コイル１０４の下部に設
けられた溶液溜まり部１０５と、乾燥槽１０２内に配置
され洗浄物であるウエハ１０６を載置するウエハ載置台
１０７と、ウエハ載置台１０７の下部に配された溶液受
部１０８とからなる。As shown in FIG. 5, the drying device 101 has a box-shaped drying tank 102 having an open top and a substantially U-shaped cross section.
A heating device (heater) 103 mounted on the bottom surface 102a of the drying tank 102, a cooling coil 104 provided at the upper portion of the drying tank 102, and a solution reservoir 105 provided at the lower portion of the cooling coil 104, It is composed of a wafer mounting table 107 which is placed in the drying tank 102 and on which a wafer 106 as a cleaning object is mounted, and a solution receiving section 108 which is arranged below the wafer mounting table 107.
【０００４】乾燥装置１０１は、乾燥槽１０２内に注入
された有機溶剤１０９をヒータ１０３により沸点まで加
熱上昇させて上層に有機溶剤ベーパーを生成し、そのベ
ーパー中に水等で洗浄、すすぎが行われたウエハ１０６
を乾燥槽１０２内に挿入配置する。乾燥槽１０２内に挿
入配置されたウエハ１０６は、ウエハ１０６の表面で有
機溶剤の凝縮が起こり、ウエハ１０６の表面に付着して
いた水分は、より蒸発しやすい有機溶剤で置換されて乾
燥が進行する。有機溶剤ベーパー中のウエハ１０６は、
次第にベーパー温度（沸点）に達してミスト雰囲気外に
取り出されることによって、付着された溶剤成分はその
低い蒸発潜熱のため急速に蒸発して乾燥が終了する。The drying apparatus 101 heats and raises the organic solvent 109 injected into the drying tank 102 to the boiling point by the heater 103 to generate an organic solvent vapor in the upper layer, and the organic solvent 109 is washed and rinsed with water or the like. Broken wafer 106
Is inserted and placed in the drying tank 102. With respect to the wafer 106 inserted and arranged in the drying tank 102, the organic solvent is condensed on the surface of the wafer 106, and the moisture adhering to the surface of the wafer 106 is replaced with the organic solvent which is more easily evaporated, and the drying progresses. To do. The wafer 106 in the organic solvent vapor is
By gradually reaching the vapor temperature (boiling point) and being taken out of the mist atmosphere, the attached solvent component rapidly evaporates due to its low latent heat of vaporization, and the drying is completed.
【０００５】また、乾燥槽１０２の上部に配置されてい
る冷却コイル１０４によって加熱されてベーパーとなっ
た有機溶剤は、凝縮されて溶液溜まり部１０５に滴下し
て回収再利用が可能である。また、同様に、ウエハ１０
６から滴下した水分を含む溶液も溶液受部１０８での回
収が行われる。Further, the organic solvent heated by the cooling coil 104 arranged in the upper part of the drying tank 102 and turned into a vapor can be condensed and dropped into the solution reservoir 105 for recovery and reuse. Similarly, the wafer 10
The solution containing the water dropped from 6 is also collected by the solution receiving unit 108.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の乾燥
装置１０１は、有機溶剤をヒータ１０３により加熱する
ので火気に十分な注意が必要であり、また、加熱冷却を
行うのでエネルギーの消費が大きい。また、ヒータ１０
３によって加熱させてベーパー層を形成するまでの時間
がかかり、蒸発による有機溶剤の消耗量が多く、また、
洗浄物がミスト層に触れると、べーパー（気相）の熱が
洗浄物に奪われて急激な相変化（気体-→液体）が起こ
りベーパー層が減少して洗浄物が大気に曝露され、汚
染、乾燥不良等が起こりやすくなる。However, in the conventional drying device 101, since the organic solvent is heated by the heater 103, it is necessary to pay sufficient attention to the fire, and since heating and cooling are performed, energy consumption is large. Also, the heater 10
It takes time to heat by 3 to form the vapor layer, the amount of the organic solvent consumed by evaporation is large, and
When the cleaning material touches the mist layer, the heat of the vapor (gas phase) is deprived by the cleaning material, causing a rapid phase change (gas-> liquid), the vapor layer is reduced, and the cleaning material is exposed to the atmosphere. Contamination and poor drying are likely to occur.
【０００７】また、従来の乾燥装置１０１では、例え
ば、シリコンウエハなどの基板を装置内に搬入する際
に、装置内に大気が混入してＮ２などの不活性ガスを乾
燥前に充填しても完全に大気中の酸素を置換することは
困難であり、しかも基板表面が純水でぬれた状態から完
全に乾燥が終了するまで、基板の表面に酸素が接触する
ことを完全に防止することは難しい。その結果、基板表
面と酸素の接触により基板表面が酸化されて基板表面に
ウォーターマークや自然酸化膜が形成されて、半導体デ
バイスのコンタクト抵抗の劣化を招くおそれがある。Further, in the conventional drying apparatus 101, for example, when a substrate such as a silicon wafer is carried into the apparatus, air is mixed into the apparatus and an inert gas such as N2 is filled before drying. It is difficult to completely replace oxygen in the atmosphere, and it is impossible to completely prevent oxygen from coming into contact with the surface of the substrate until the substrate surface is completely wet with pure water and completely dried. difficult. As a result, the contact between the substrate surface and oxygen may oxidize the substrate surface to form a watermark or a natural oxide film on the substrate surface, resulting in deterioration of the contact resistance of the semiconductor device.
【０００８】本発明は、基板表面と酸素の接触により基
板表面が酸化されて基板表面にウォーターマークや自然
酸化膜が形成されて、半導体デバイスのコンタクト抵抗
の劣化を招くおそれがなく、しかも短時間で洗浄物の乾
燥を行うことが可能で、洗浄物の汚染のおそれがなく、
エネルギー損失などのない洗浄物の乾燥方法及び乾燥装
置の提供を目的とするものである。According to the present invention, there is no possibility that the contact resistance of a semiconductor device is deteriorated because a watermark or a natural oxide film is formed on the surface of the substrate due to the oxidation of the surface of the substrate due to the contact between the surface of the substrate and oxygen. It is possible to dry the washed items with, there is no risk of contamination of the washed items,
An object of the present invention is to provide a drying method and a drying device for a washed product without energy loss.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明による洗浄物の乾
燥方法は、薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送
手段により支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液
を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処
理を行うエッチング処理工程と、前記エッチング処理工
程完了後に純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬
液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスするリンス
処理工程と、前記リンス処理工程終了後に前記純水（Ｄ
ＩＷ）に代えて還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリ
ンスするリンス処理工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）
に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤ミスト
を供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前
記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成された
十分な厚さの層を形成する工程と、前記槽内に不活性ガ
スを供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する
工程と、前記洗浄物の表面上の還元性添加純水が前記有
機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換された
後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥す
る工程とを有するものである。A method of drying a cleaning product according to the present invention comprises a step of transferring a cleaning product into a tank to which a chemical solution is not supplied by a transfer means, and a step of supplying the chemical solution into the tank. Then, the cleaning treatment is performed by immersing the cleaning product in a chemical solution to perform etching treatment, and pure water (DIW) is supplied into the bath after completion of the etching treatment step to gradually add the chemical solution to pure water (DIW). And a rinse treatment step in which the rinse treatment step is completed, and the pure water (D
IW), rinse treatment step of rinsing the cleaning product using reducing added pure water, and pure water (DIW) in the tank
An organic solvent mist is supplied into the tank in a state where the cleaning material is immersed in the tank to form an atmosphere of the organic solvent mist, and the liquid surface of the pure water (DIW) has a sufficient thickness generated by the organic solvent mist. Forming a layer, a step of supplying an inert gas into the tank to form an inert gas atmosphere in a closed space, and the reducing additive pure water on the surface of the cleaning material is the organic solvent mist. After substituting the organic solvent in the layer produced in step 1, an inert gas is supplied to vaporize and dry the organic solvent.
【００１０】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記還元性添加純水に添加されるガスは、水素である。Further, the gas added to the reducing-added pure water in the method for drying a washed product according to the present invention is hydrogen.
【００１１】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）であ
る。Further, the chemical liquid in the method for drying a washed product according to the present invention is DHF (HF / H 2 O) (diluted hydrofluoric acid).
【００１２】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記エッチング処理工程は、前記洗浄物を一定時間若しく
は予め設定した時間薬液中に浸漬するものである。Further, in the etching treatment step of the method for drying a cleaning product according to the present invention, the cleaning product is immersed in a chemical solution for a predetermined time or a preset time.
【００１３】また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を支持台上に搬送
する搬送手段と、前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物
を薬液中に浸漬してエッチング処理を行い、前記エッチ
ング処理完了後に純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して
前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンス処理
し、前記リンス処理終了後に前記純水（ＤＩＷ）に代え
て還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリンス処理し、
前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で
前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの
雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有
機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成し、前
記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス
雰囲気を形成し、前記洗浄物の表面上の還元性添加純水
が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換
された後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し
乾燥するものである。Further, the apparatus for drying washed products according to the present invention is
Conveying means for conveying the cleaning material onto the support table in the tank to which the chemical liquid is not supplied, and supplying the chemical liquid into the tank to immerse the cleaning material in the chemical liquid to perform the etching treatment, and the etching treatment is completed. After that, pure water (DIW) is supplied into the bath to gradually replace the chemical liquid with pure water (DIW) for rinsing treatment, and after the rinsing treatment is completed, the reducing additive pure water is substituted for the pure water (DIW). Rinsing the wash with water,
An organic solvent mist is supplied into the tank in a state where a cleaning product is immersed in pure water (DIW) in the tank to form an atmosphere of the organic solvent mist, and an organic solvent is added to the liquid surface of the pure water (DIW). A layer with a sufficient thickness generated by mist is formed, an inert gas is supplied into the tank to form an inert gas atmosphere in the closed space, and reducing reducing pure water on the surface of the washed material is formed. Is replaced with an organic solvent in the layer formed by the organic solvent mist, and then an inert gas is supplied to vaporize and dry the organic solvent.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明によ
る洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置の実施の形態について
説明する。図１は、本発明による実施の形態である乾燥
装置の構成を示す図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a method for drying a washed product and a drying apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a drying device according to an embodiment of the present invention.
【００１５】図１に示すように、乾燥装置１０は、純水
槽２０と、純水槽２０と接続される給排システム３０と
を有する。As shown in FIG. 1, the drying device 10 has a pure water tank 20 and a supply / discharge system 30 connected to the pure water tank 20.
【００１６】純水槽２０は、液供給弁２１から純水（Ｄ
ＩＷ）を供給し、純水槽２０内の純水が一定量に達する
と、それ以上は排水弁２２ｂの経路を経由してオーバー
フローする。したがって、純水槽２０内の上部には気相
部２３が形成されている。この気相部２３には、窒素ガ
ス供給口２４、外気に連通する排気弁２５が設けられて
おり、また、有機溶剤、すなわち、本実施の形態ではＩ
ＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）の有機
溶剤ミストを形成して先端から放射するスプレー式ノズ
ル２６（以下、ノズルと称する）が設けられている。ま
た、純水槽２０の上部には、洗浄物の出し入れを行うた
めの完全密閉型の開閉蓋２７が設けられ、これによって
密閉空間が形成される。また、純水槽２０の内部には、
半導体ウエハ等の基板からなる洗浄物５０を複数支持す
ることが可能な支持台２８が備えられており、支持台２
８は、通常、半導体ウエハであれば、例えば、直径が８
インチのウエハを１００枚載置可能であるが、径又は枚
数は適宜選定可能である。The pure water tank 20 is supplied with pure water (D
IW) is supplied, and when the amount of pure water in the pure water tank 20 reaches a certain amount, further overflow occurs via the path of the drain valve 22b. Therefore, the vapor phase portion 23 is formed in the upper portion of the pure water tank 20. The gas phase portion 23 is provided with a nitrogen gas supply port 24 and an exhaust valve 25 that communicates with the outside air. Further, an organic solvent, that is, I in the present embodiment, is used.
A spray type nozzle 26 (hereinafter referred to as a nozzle) that forms an organic solvent mist of PA (Iso-propoxy alcohol) and radiates the mist from the tip is provided. Further, on the upper portion of the deionized water tank 20, there is provided a completely closed type opening / closing lid 27 for loading / unloading the cleaning product, and thereby a sealed space is formed. In addition, inside the pure water tank 20,
A support base 28 capable of supporting a plurality of cleaning objects 50 made of a substrate such as a semiconductor wafer is provided.
If the semiconductor wafer 8 is a semiconductor wafer, for example, the diameter is usually 8.
Although 100 inch wafers can be placed, the diameter or the number of wafers can be appropriately selected.
【００１７】また、純水槽２０内の下部中央には、排水
弁２２ａが設けられており、この排水弁２２ａを経由し
て排水される。そして、純水槽２０内には、更に液面セ
ンサー２９が設けられている。この液面センサー２９
は、液面の下降速度が２〜４ｍｍ／ｓｅｃ前後で下降
し、この液面の下降速度を１ｍｍ／ｓｅｃ前後に切り替
えるためのセンサーである。なお、液供給弁２１の給液
の速度並びに排水弁２２ａ，２２ｂの制御は、弁の開閉
をコンピュータなどからなる制御手段（図示せず）によ
り制御する構成となっている。A drain valve 22a is provided in the center of the lower portion of the deionized water tank 20, and water is drained through this drain valve 22a. A liquid level sensor 29 is further provided in the pure water tank 20. This liquid level sensor 29
Is a sensor for lowering the descending speed of the liquid surface at around 2 to 4 mm / sec, and switching the descending speed of this liquid surface to around 1 mm / sec. The liquid supply speed of the liquid supply valve 21 and the drain valves 22a and 22b are controlled by controlling the opening and closing of the valves by a control means (not shown) such as a computer.
【００１８】次に、純水槽２０と接続される給排システ
ム３０について説明する。給排システム３０は、(1)窒
素ガス供給口２４に窒素ガス（Ｎ２）を供給する経路、
(2)ノズル２６にＩＰＡの有機溶剤ミストを供給する経
路、(3)純水槽２０から排水する経路とを有する。Next, the supply / discharge system 30 connected to the pure water tank 20 will be described. The supply / discharge system 30 includes (1) a path for supplying nitrogen gas (N 2 ) to the nitrogen gas supply port 24,
(2) A path for supplying the organic solvent mist of IPA to the nozzle 26, and (3) a path for draining the pure water tank 20.
【００１９】(1)まず、窒素ガス供給口２４に窒素ガス
（Ｎ２）を供給する経路は、窒素ガス（Ｎ２）を加温す
るためのヒータ４１，温度制御のための温調器４２，弁
４３、フィルタ４４とからなる。弁４３は、図示せぬ制
御手段によって開閉制御可能となっており、弁４３の開
閉によって窒素ガス供給口２４から窒素ガス（Ｎ２）が
純水槽２０内に適宜供給される。(1) First, the route for supplying the nitrogen gas (N 2 ) to the nitrogen gas supply port 24 includes a heater 41 for heating the nitrogen gas (N 2 ) and a temperature controller 42 for controlling the temperature. , A valve 43 and a filter 44. The valve 43 can be controlled to be opened / closed by a control means (not shown), and by opening / closing the valve 43, nitrogen gas (N 2 ) is appropriately supplied into the pure water tank 20 from the nitrogen gas supply port 24.
【００２０】(2)次に、ノズル２６にＩＰＡの有機溶剤
ミストを供給する経路は、ＩＰＡを貯留するＩＰＡタン
ク４５、このＩＰＡタンク４５、ポンプ４６、フィルタ
４７、弁４８とでＩＰＡを循環する回路が構成される。
そして、弁４９が開状態で弁４８が閉状態の場合には、
ＩＰＡは循環されず、ＩＰＡタンク４５から供給される
常温のＩＰＡがフィルタ４７，５１を通してノズル２６
に供給される。そして、同時に、ノズル２６には、フィ
ルタ５２を介して常温の窒素ガス（Ｎ２）が供給される
ようになっている。したがって、ノズル２６からは、Ｉ
ＰＡの有機溶剤ミストが放射される。なお、弁４９が閉
状態で、弁４８が開状態の場合には、ＩＰＡタンク４５
にＩＰＡが循環されるようになっており、また、弁４
８，弁４９の開閉制御は、図示せぬ制御手段により制御
されるようになっている。(2) Next, the path for supplying the organic solvent mist of IPA to the nozzle 26 circulates the IPA with the IPA tank 45 storing the IPA, the IPA tank 45, the pump 46, the filter 47 and the valve 48. The circuit is constructed.
When the valve 49 is open and the valve 48 is closed,
The IPA is not circulated, and the room temperature IPA supplied from the IPA tank 45 passes through the filters 47 and 51 and the nozzle 26.
Is supplied to. At the same time, nitrogen gas (N 2 ) at room temperature is supplied to the nozzle 26 via the filter 52. Therefore, from the nozzle 26, I
The organic solvent mist of PA is emitted. When the valve 49 is closed and the valve 48 is open, the IPA tank 45
IPA is circulated in the
8, the opening / closing control of the valve 49 is controlled by a control means (not shown).
【００２１】また、ＩＰＡタンク４５には、ＩＰＡ供給
路から常時必要な量のＩＰＡが供給されると共に、窒素
ガス（Ｎ２）が供給される。この窒素ガス（Ｎ２）は、
安全性を担保するためのものである。Further, the IPA tank 45 is constantly supplied with a required amount of IPA from the IPA supply path and also with nitrogen gas (N 2 ). This nitrogen gas (N 2 ) is
This is to ensure safety.
【００２２】(3)また、純水槽２０から排水する経路
は、(a)オーバーフロー用の排水弁２２ｂ、(b)排水用の
排水弁２２ａ、ポンプ５３の経路（ＤＲＡＩＮ）と、
(c)排気経路（ＥＸＨ）とからなる。なお、液供給弁２
１及び排水弁２２ａを液供給排出手段と称する。(3) Further, the route for draining water from the pure water tank 20 is (a) a drain valve 22b for overflow, (b) a drain valve 22a for drain, and a route (DRAIN) for a pump 53,
(c) Exhaust path (EXH). The liquid supply valve 2
1 and the drain valve 22a are referred to as liquid supply / discharge means.
【００２３】しかして、本発明による乾燥方法及び乾燥
装置は、次のような点に特徴を有するものである。すな
わち、純水（ＤＩＷ）によるリンス処理工程終了後の乾
燥工程において、 純水（ＤＩＷ）に代えて、還元性を
示す水素添加純水を用いてリンス処理するものである。
すなわち、シリコンウエハなどの基板を乾燥する際に気
層空間や純水中に極微量含まれる酸素によって基板表面
が酸化されてウォーターマークや自然酸化膜が生成され
るが、水素ガスを純水中に飽和近くまで溶解させてある
ため、水素添加純水は還元性を示し、その結果、酸化の
抑制作用を有する。However, the drying method and the drying apparatus according to the present invention are characterized by the following points. That is, in the drying process after the rinsing process with pure water (DIW) is completed, the rinsing process is performed using hydrogenated pure water exhibiting reducibility instead of pure water (DIW).
That is, when a substrate such as a silicon wafer is dried, a very small amount of oxygen contained in the gas phase space or pure water oxidizes the substrate surface to generate a watermark or a natural oxide film. Since the hydrogenated pure water has been dissolved up to near saturation, the hydrogenated pure water exhibits a reducing property, and as a result, it has an effect of suppressing oxidation.
【００２４】つまり、純水中に含まれる溶存酸素がウォ
ーターマークや自然酸化膜の生成原因である場合（シリ
コンウエハが純水中に浸漬している場合）、水素添加純
水は還元性を示して基板表面の酸化を抑制する。特に、
ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）等のエッチング
液の処理後のリンス・乾燥工程に用いると、水素添加純
水自信は還元性を示してシリコンウエハの基板表面の酸
化抑制作用があると同時に、水素添加純水中に水素原子
を通常の純水と比較して非常に多く持っており、シリコ
ンウエハの基板表面が水素でターミネート、すなわちＳ
ｉＨの形態となり、水素終端と呼ばれる安定な表面状態
を形成することが可能となる。That is, when the dissolved oxygen contained in pure water is the cause of the formation of the watermark and the natural oxide film (when the silicon wafer is immersed in pure water), the hydrogenated pure water shows a reducing property. Suppresses the oxidation of the substrate surface. In particular,
When used in the rinsing / drying process after the treatment of an etching solution such as DHF (HF / H 2 O) (diluted hydrofluoric acid), hydrogenated pure water exhibits a reducing property and has an effect of suppressing the oxidation of the substrate surface of the silicon wafer. At the same time, hydrogen-containing pure water has much more hydrogen atoms than normal pure water, and the substrate surface of the silicon wafer is terminated by hydrogen, that is, S.
The iH form is formed, and a stable surface state called hydrogen termination can be formed.
【００２５】また、シリコンウエハが気層空間に露出し
ている場合、気層、液層、基板表面の３つの界面が共存
する場所の気層側近傍には、極微量の水素添加純水の極
小水滴又は極薄い水膜として基板表面に存在するが、こ
の水滴や水膜には水素が飽和近くまで溶存されているた
め、気層空間中に極わずか存在する酸素分子はこの中に
はとけ込めない。また、水素ガスを含んだ水滴や水膜が
蒸発する際には基板表面には還元性のある水素ガス分子
と水分子で基板表面近傍を覆うので、酸素原子はシリコ
ンウエハ表面を直接アタックすることが出来ない。その
結果、基板表面の局部的酸化が防止できる。したがっ
て、基板表面にウォーターマークや自然酸化膜成長抑制
が可能で半導体デバイスのコンタクト抵抗に代表される
特性の向上を図ることができる。Further, when the silicon wafer is exposed in the air-layer space, an extremely small amount of hydrogenated pure water is present near the air-layer side where the three interfaces of the air-layer, the liquid layer and the substrate surface coexist. It exists on the substrate surface as a very small water droplet or an extremely thin water film, but since hydrogen is dissolved in this water droplet and water film to near saturation, the oxygen molecules that are present in the air space very little are dissolved in it. I can't put it in. Also, when water droplets or water films containing hydrogen gas evaporate, the substrate surface is covered with reducing hydrogen gas molecules and water molecules near the substrate surface, so oxygen atoms should directly attack the silicon wafer surface. I can't. As a result, local oxidation of the substrate surface can be prevented. Therefore, it is possible to suppress the growth of a watermark or a natural oxide film on the surface of the substrate and improve the characteristics represented by the contact resistance of the semiconductor device.
【００２６】また、基板表面や水素添加純水から揮発し
てくる水素ガス濃度は、水素添加純水に含まれる溶存水
素ガス濃度も数ＰＰＭ以下と非常に薄いので気層空間に
充満しているＮ２やアルゴン等に代表される不活性ガス
又はＩＰＡなどの親水性ガスとＮ２やアルゴン等に代表
される不活性ガスの混合ガス中には、極微量の水素しか
混合しないので、安全性にも全く影響を及ぼさない。Further, the concentration of hydrogen gas volatilized from the substrate surface or hydrogen-added pure water is so thin that the concentration of dissolved hydrogen gas contained in the hydrogen-added pure water is several PPM or less, so that it fills the gas phase space. Only a very small amount of hydrogen is mixed in a mixed gas of an inert gas typified by N2 or argon or a hydrophilic gas such as IPA and an inert gas typified by N2 or argon. It has no effect.
【００２７】以上のような構成からなる本発明による実
施の形態である洗浄物の乾燥装置を用いた乾燥方法につ
いて以下に説明する。A drying method using the apparatus for drying washed objects, which is an embodiment of the present invention having the above-mentioned structure, will be described below.
【００２８】まず、図１に示す乾燥装置１０を始動する
前に乾燥のための準備を行う。すなわち、有機溶剤（Ｉ
ＰＡ）がＩＰＡ供給路からＩＰＡタンク４５内に所定量
供給される。次に、純水槽２０の蓋２７を開けて洗浄若
しくはすすぎ（リンス）が完了したウエハなどの洗浄物
５０を図示せぬ搬送手段により支持台２８に収納して載
置支持させる。なお、蓋２７は、洗浄物５０が純水槽２
０内にロード若しくはアンロードされるときには、自動
若しくは手動により開閉可能な構成である。First, preparation for drying is carried out before starting the drying apparatus 10 shown in FIG. That is, the organic solvent (I
A predetermined amount of PA) is supplied from the IPA supply path into the IPA tank 45. Next, the lid 27 of the deionized water tank 20 is opened, and the cleaning object 50 such as a wafer that has been cleaned or rinsed is stored in the support base 28 by a transfer means (not shown) and placed and supported. It should be noted that the lid 27 is such that the cleaning object 50 is the pure water tank 2
When it is loaded into or unloaded from 0, it can be opened or closed automatically or manually.
【００２９】次に、本発明による乾燥方法について、図
２乃至図４を参照して説明する。図２は、本発明による
乾燥方法の工程を示すフローチャート、図３（ａ）乃至
（ｅ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す図、図４（ｆ）乃至
（ｊ）は、本発明による乾燥方法の乾燥工程を説明する
図である。Next, the drying method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 is a flowchart showing the steps of the drying method according to the present invention, FIGS. 3 (a) to 3 (e) are diagrams showing the steps of DHF cleaning, and FIGS. 4 (f) to (j) are the drying methods according to the present invention. It is a figure explaining the drying process of.
【００３０】図２及び図３（ａ）に示すように、図１に
示す純水槽２０内に洗浄物である半導体ウエハ等の洗浄
物５０を搬送して支持台２８上に収納載置する（ステッ
プＳ１）。As shown in FIGS. 2 and 3 (a), a cleaning product 50 such as a semiconductor wafer, which is a cleaning product, is transported into the pure water tank 20 shown in FIG. Step S1).
【００３１】次に、洗浄処理工程（ステップＳ２）は、
図３（ｂ）に示すように、液供給排出手段としての液供
給弁２１から予め調合されたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）
（希釈フッ酸）を純水槽２０内に十分な量を供給して洗
浄処理する。この場合の純水槽２０は、薬液槽としての
作用をなす槽となっているが、純水槽としての呼称を使
用している。したがって、単に槽とも称する。Next, the cleaning process (step S2)
As shown in FIG. 3B, DHF (HF / H 2 O) prepared in advance from the liquid supply valve 21 as the liquid supply / discharge means.
A sufficient amount of (diluted hydrofluoric acid) is supplied into the pure water tank 20 for cleaning treatment. The deionized water tank 20 in this case is a tank that acts as a chemical solution tank, but is used as a deionized water tank. Therefore, it is also simply referred to as a tank.
【００３２】槽としての純水槽２０内へのＤＨＦ（ＨＦ
／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）の供給が完了すると、図３
（ｃ）に示すように、ウエハなどの洗浄物５０がＤＨＦ
に浸漬されてエッチング処理が行われる。この浸漬処
理、すなわち洗浄処理は、例えば一定時間行われる。な
お、本実施の形態では、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈
フッ酸）によるエッチング処理を洗浄処理の名称で説明
している。DHF (HF) in the pure water tank 20 as a tank
/ H 2 O) (diluted hydrofluoric acid) supply is completed,
As shown in (c), the cleaning object 50 such as the wafer is DHF.
And is subjected to an etching process. The immersion treatment, that is, the cleaning treatment is performed for a certain period of time, for example. In this embodiment, the etching process using DHF (HF / H 2 O) (diluted hydrofluoric acid) is described by the name of the cleaning process.
【００３３】図３（ｃ）のエッチング処理が完了する
と、図３（ｄ）に示すように、液供給排出手段としての
液供給弁２１から常温の純水（ＤＩＷ）を一定量以上の
量まで供給してオーバーフローさせ、純水槽２０内のＤ
ＨＦを徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする（図
２に示すステップＳ３）。When the etching process of FIG. 3C is completed, as shown in FIG. 3D, normal temperature pure water (DIW) is supplied to a predetermined amount or more from the liquid supply valve 21 as a liquid supply / discharge means. Supply and overflow, D in the pure water tank 20
HF is gradually replaced with pure water (DIW) for rinsing (step S3 shown in FIG. 2).
【００３４】以上のように、図３（ａ）乃至（ｄ）に示
す洗浄処理工程及びすすぎ水（常温）供給によるリンス
処理工程が完了する。As described above, the cleaning process shown in FIGS. 3A to 3D and the rinse process by supplying rinse water (normal temperature) are completed.
【００３５】更に、本発明による実施の形態による乾燥
方法及び乾燥装置は、図３（ｄ）で示す純水（ＤＩＷ）
によるリンス処理工程終了後の乾燥工程において、図３
（ｅ）に示すように、 純水（ＤＩＷ）に代えて、還元
性を示す水素添加純水を用いるものである（ステップＳ
４）。すなわち、シリコンウエハなどの基板を乾燥する
際に気層空間や純水中に極微量含まれる酸素によって基
板表面が酸化されてウォーターマークや自然酸化膜が生
成されるが、水素ガスを純水中に飽和近くまで溶解させ
てあるため、水素添加純水は還元性を示し、その結果、
酸化の抑制作用を有する。つまり、純水中に含まれる溶
存酸素がウォーターマークや自然酸化膜の生成原因であ
る場合（シリコンウエハが純水中に浸漬している場
合）、水素添加純水は還元性を示して基板表面の酸化を
抑制する。特に、図３（ｃ）で示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2
Ｏ）（希釈フッ酸）等のエッチング液の処理後のリンス
・乾燥工程に用いると、水素添加純水自信は還元性を示
してシリコンウエハの基板表面の酸化抑制作用があると
同時に、水素添加純水中に水素原子を通常の純水と比較
して非常に多く持っており、シリコンウエハの基板表面
が水素でターミネート、すなわちＳｉＨの形態となり、
水素終端と呼ばれる安定な表面状態を形成することが可
能となる。Further, the drying method and the drying apparatus according to the embodiment of the present invention are pure water (DIW) shown in FIG. 3 (d).
In the drying process after the rinsing process by
As shown in (e), hydrogenated pure water exhibiting reducibility is used in place of pure water (DIW) (step S).
4). That is, when a substrate such as a silicon wafer is dried, a very small amount of oxygen contained in the gas phase space or pure water oxidizes the substrate surface to generate a watermark or a natural oxide film. Since hydrogenated pure water shows a reducing property because it has been dissolved to near saturation,
It has the effect of suppressing oxidation. That is, when the dissolved oxygen contained in pure water is the cause of the formation of watermarks and natural oxide films (when the silicon wafer is immersed in pure water), hydrogenated pure water shows a reducing property and shows Suppresses the oxidation of. In particular, the DHF (HF / H 2 shown in FIG.
O) (diluted hydrofluoric acid) is used in the rinsing / drying process after the treatment, the hydrogen-added pure water shows the reducing property and has the effect of suppressing the oxidation of the substrate surface of the silicon wafer, and at the same time the hydrogen-added Compared with normal pure water, the pure water has much more hydrogen atoms, and the surface of the silicon wafer substrate is terminated with hydrogen, that is, SiH.
It is possible to form a stable surface state called hydrogen termination.
【００３６】次に、図２及び図４（ｆ）に示すように、
弁４９を開けてＩＰＡタンク４５から常温の有機溶剤
（ＩＰＡ）がノズル２６に供給されて有機溶剤ミストが
純水槽２０内に供給されると同時にフィルタ５２を介し
て常温の窒素ガス（Ｎ２）もノズル２６に供給される。
常温の有機溶剤（ＩＰＡ）と常温の窒素ガス（Ｎ２）に
よってノズル２６から有機溶剤ミストが形成される。そ
れによって、有機溶剤ミストの雰囲気が形成されて、純
水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成される層、
すなわち、ＩＰＡ層の液膜が形成される（ステップＳ
５）。Next, as shown in FIGS. 2 and 4 (f),
When the valve 49 is opened, the room temperature organic solvent (IPA) is supplied from the IPA tank 45 to the nozzle 26, the organic solvent mist is supplied into the pure water tank 20, and at the same time, the room temperature nitrogen gas (N 2 ) is supplied through the filter 52. Is also supplied to the nozzle 26.
An organic solvent mist is formed from the nozzle 26 by the organic solvent (IPA) at room temperature and the nitrogen gas (N 2 ) at room temperature. As a result, an atmosphere of organic solvent mist is formed, and a layer formed by the organic solvent mist on the surface of pure water (DIW),
That is, the liquid film of the IPA layer is formed (step S
5).
【００３７】次に、図２及び図４（ｇ）に示すように、
有機溶剤ミストの雰囲気下にある純水槽２０内への有機
溶剤ミストの供給を停止（図２のステップＳ６のＡ１）
すると同時にヒータ４１を作動させず、温調器４２、弁
４３、フィルタ４４から供給される常温の不活性ガスで
ある窒素ガス（Ｎ２）を窒素ガス供給口２４から純水槽
２０内に供給して純水（ＤＩＷ）の液面上に十分な厚さ
のＩＰＡ層を形成すると共に窒素ガス（Ｎ２）の雰囲気
を形成する（図２のステップＳ６のＡ２）。そして、排
気弁２５を作動して常温の不活性ガスである窒素ガス
（Ｎ２）雰囲気にする。この排気弁２５による排気は、
ステップＳ８の工程が終了するまで行われている。Next, as shown in FIGS. 2 and 4 (g),
The supply of the organic solvent mist into the pure water tank 20 under the atmosphere of the organic solvent mist is stopped (A1 in step S6 of FIG. 2).
At the same time, the heater 41 is not operated, and nitrogen gas (N 2 ) which is an inert gas at room temperature supplied from the temperature controller 42, the valve 43, and the filter 44 is supplied from the nitrogen gas supply port 24 into the pure water tank 20. As a result, an IPA layer having a sufficient thickness is formed on the surface of pure water (DIW) and an atmosphere of nitrogen gas (N 2 ) is formed (A2 in step S6 in FIG. 2). Then, the exhaust valve 25 is operated to create a nitrogen gas (N 2 ) atmosphere which is an inert gas at room temperature. Exhaust by the exhaust valve 25 is
The process is repeated until the step S8 is completed.
【００３８】なお、本発明による実施の形態によれば、
有機溶剤ミストの発生は、スプレー式によるものである
が、これに限らず、超音波を発生して生成するものや超
音波シャワー式の装置などを用いて噴霧して生成するも
のであってもよい。また、本実施の形態による有機溶剤
ミストのミスト粒径は、１００μｍ以下のものがよく、
また、有機溶剤ミストの供給の停止と窒素ガス（Ｎ２）
の供給は、同時制御ではなく、有機溶剤ミストの供給の
停止の後、一定時間おいてから窒素ガス（Ｎ２）の供給
を行うようにしてもよい。According to the embodiment of the present invention,
The generation of the organic solvent mist is of a spray type, but is not limited to this, and it may be generated by generating ultrasonic waves or by spraying using an ultrasonic shower type device. Good. Further, the mist particle size of the organic solvent mist according to the present embodiment is preferably 100 μm or less,
Also, stop the supply of organic solvent mist and nitrogen gas (N2)
The nitrogen gas (N2) may be supplied after a fixed time after the supply of the organic solvent mist is stopped, instead of the simultaneous control.
【００３９】次に、図２及び図４（ｈ）に示すように、
液供給排出手段としての排水弁２２ａ及びポンプ５３を
作動して純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）をハイスピード
で排出すると同時に窒素ガス（Ｎ２）の供給をし続けて
純水（ＤＩＷ）の液面上に形成されたＩＰＡ層の液膜を
均一に保持しながら純水（ＤＩＷ）を排出する（図２に
示すステップＳ７）。なお、本実施の形態によれば、ポ
ンプ５３を制御することによって図示せぬコントローラ
側でハイ(high)スピード及びロウ(low)スピードの切り
替えができるようになっている。Next, as shown in FIGS. 2 and 4 (h),
The drain valve 22a and the pump 53 as liquid supply / discharge means are operated to discharge the pure water (DIW) in the pure water tank 20 at a high speed, and at the same time, the nitrogen gas (N2) is continuously supplied to supply the pure water (DIW). Pure water (DIW) is discharged while uniformly maintaining the liquid film of the IPA layer formed on the liquid surface (step S7 shown in FIG. 2). In addition, according to the present embodiment, by controlling the pump 53, the high speed and the low speed can be switched on the controller side (not shown).
【００４０】また、図２に示すステップＳ７によるハイ
スピード排水が所定時間行われて図４（ｉ）に示すよう
な状態となると、液面センサ２９が液面を検知してロー
スピードの排水工程に切り替わり、完全に排出する。な
お、これらの排水工程中も窒素ガス供給口２４から常温
の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）が供給されること
によって純水槽２０内を不活性ガス雰囲気に保ち、ウエ
ハ、例えばシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化の防止を図る
ことが可能である。Further, when the high speed drainage in step S7 shown in FIG. 2 is performed for a predetermined time and the state shown in FIG. 4 (i) is reached, the liquid level sensor 29 detects the liquid level and the low speed drainage process is performed. Switch to and completely discharge. Even during these drainage steps, the nitrogen gas supply port 24 supplies the nitrogen gas (N2), which is an inert gas at room temperature, to maintain the inside of the pure water tank 20 in an inert gas atmosphere, so that the wafer such as silicon (Si ) It is possible to prevent reoxidation of the surface.
【００４１】次に、図２及び図４（ｊ）に示すように、
ヒータ４１を作動させて窒素ガス供給口２４から加温さ
れた不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を純水槽２０内
に供給してウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）を急速
に気化させて乾燥する（図２に示すステップＳ８）。以
上のような工程が完了すると、図１に示す純水槽２０内
の洗浄物である半導体ウエハ等の洗浄物５０が支持台２
８上から搬出される（ステップＳ９）。Next, as shown in FIGS. 2 and 4 (j),
The heater 41 is operated to supply the heated nitrogen gas (N2) from the nitrogen gas supply port 24 into the pure water tank 20 to rapidly vaporize the organic solvent (IPA) on the surface of the wafer. And dry (step S8 shown in FIG. 2). When the above steps are completed, the cleaning object 50 such as a semiconductor wafer, which is the cleaning object in the pure water tank 20 shown in FIG.
8 is carried out from above (step S9).
【００４２】以上のように、本発明による乾燥装置を備
えた洗浄乾燥装置の実施の形態によれば、純水槽２０で
構成された１槽式の洗浄乾燥装置である。このような構
成からなる１槽式の洗浄乾燥装置は、省スペース化を図
ることができる。As described above, according to the embodiment of the cleaning / drying apparatus equipped with the drying apparatus according to the present invention, the cleaning / drying apparatus of the one-tank type is constituted by the pure water tank 20. The one-tank type washing / drying apparatus having such a configuration can save space.
【００４３】また、本発明による乾燥装置を備えた洗浄
乾燥装置は、キャリアガスとしての窒素ガス（Ｎ２）と
純水（ＤＩＷ）との間に十分な厚さのＩＰＡ層が形成さ
れるから、純水（ＤＩＷ）が排水される状態であっても
ＩＰＡ層による液膜が形成されるためマランゴニ力が発
生せず、パーティクルの転写がおきないという効果を有
する。Further, in the cleaning / drying apparatus equipped with the drying apparatus according to the present invention, the IPA layer having a sufficient thickness is formed between the nitrogen gas (N2) as the carrier gas and the pure water (DIW). Even when the pure water (DIW) is drained, the liquid film is formed by the IPA layer, so that the Marangoni force is not generated and the particles are not transferred.
【００４４】また、本発明による乾燥方法では、不活性
ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、常温のガスを使用する
（図２のステップＳ６）。常温の雰囲気を維持するため
である。しかして、有機溶剤（ＩＰＡ）を気化させて乾
燥する不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、加温した
ものを使用する（図２のステップＳ８）。急速な乾燥を
行うことができるからである。この加温する温度は、実
験例によれば２０℃〜１００℃の範囲がよい。しかし、
加温せずに常温のものも洗浄物によって使用してもよ
い。また、不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ２）を用いて
いるが、その他のガスとしては、アルゴンガスを用いて
もよい。また、本発明によれば、酸化膜及びパターン付
きウエハからのパーティクルの付着を抑制し、かつシリ
コン（Ｓｉ）表面の再酸化を防止することが可能であ
る。In the drying method according to the present invention, the nitrogen gas (N2) which is an inert gas is a gas at room temperature (step S6 in FIG. 2). This is to maintain the room temperature atmosphere. Then, as the nitrogen gas (N2) which is an inert gas for vaporizing and drying the organic solvent (IPA), a heated one is used (step S8 in FIG. 2). This is because rapid drying can be performed. According to the experimental example, the heating temperature is preferably in the range of 20 ° C to 100 ° C. But,
A non-heated material at room temperature may also be used depending on the washed product. Although nitrogen gas (N2) is used as the inert gas, argon gas may be used as the other gas. Further, according to the present invention, it is possible to suppress the adhesion of particles from the oxide film and the patterned wafer and prevent re-oxidation of the silicon (Si) surface.
【００４５】また、本発明による乾燥装置を備えた洗浄
乾燥装置は、１槽式に限らず、２槽式、３槽式の洗浄乾
燥装置としても構成することが可能である。The cleaning / drying apparatus equipped with the drying apparatus according to the present invention is not limited to the one-tank type cleaning / drying apparatus, and may be configured as a two-tank type three-tank type cleaning / drying apparatus.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
純水（ＤＩＷ）によるリンス処理工程終了後の乾燥工程
において、 純水（ＤＩＷ）に代えて、還元性を示す水
素添加純水を用いるものであるから酸化の抑制作用を有
する効果がある。As described above, according to the present invention,
In the drying process after the rinsing process with pure water (DIW), hydrogenated pure water exhibiting reducibility is used instead of pure water (DIW), so that it has an effect of suppressing oxidation.
【図１】本発明による実施の形態である乾燥装置の一部
断面を含む図である。FIG. 1 is a diagram including a partial cross section of a drying device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明による乾燥方法の工程を示すフローチャ
ートである。FIG. 2 is a flow chart showing the steps of the drying method according to the present invention.
【図３】（ａ）乃至（ｅ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す
図である。3 (a) to 3 (e) are diagrams showing a process of DHF cleaning.
【図４】（ｆ）乃至（ｊ）は、本発明による乾燥方法の
乾燥工程を説明する図である。4 (f) to (j) are views for explaining a drying step of the drying method according to the present invention.
【図５】従来の乾燥装置を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a conventional drying device.
１０ 乾燥装置 ２０ 純水槽 ２１ 液供給弁 ２２ａ，２２ｂ 排水弁 ２３ 気相部 ２４ 窒素ガス供給口 ２５ 排気弁 ２６ ノズル ２７ 開閉蓋 ２８ 支持台 ２９ 液面センサ ３０ 給排システム ４１ ヒータ ４２ 温調器 ４３ 弁 ４４ フィルタ ４５ ＩＰＡタンク ４６ ポンプ ４７ フィルタ ４８，４９ 弁 ５０ 洗浄物 ５１，５２ フィルタ ５３ ポンプ 10 Drying device 20 pure water tank 21 Liquid supply valve 22a, 22b drain valve 23 Gas Phase Department 24 Nitrogen gas supply port 25 Exhaust valve 26 nozzles 27 Open / close lid 28 Support 29 Liquid level sensor 30 supply and discharge system 41 heater 42 Temperature controller 43 valves 44 Filter 45 IPA tank 46 pumps 47 Filter 48,49 valves 50 washed items 51,52 Filter 53 pumps
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡野 勝一 東京都羽村市栄町３−１−５ 株式会社カ イジョー内 Ｆターム(参考） 3L113 AA05 AB09 BA34 DA10 DA24 4K057 WA01 WB06 WE07 WM14 WN01 5F043 AA01 BB27 DD12 DD13 GG10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Shoichi Okano 3-1-5 Sakaemachi, Hamura-shi, Tokyo Ka Corporation In Ijo F-term (reference) 3L113 AA05 AB09 BA34 DA10 DA24 4K057 WA01 WB06 WE07 WM14 WN01 5F043 AA01 BB27 DD12 DD13 GG10
Claims (5)
搬送手段により支持台上に搬送する工程と、 前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬し
てエッチング処理を行うエッチング処理工程と、 前記エッチング処理工程完了後に純水（ＤＩＷ）を前記
槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換
してリンスするリンス処理工程と、 前記リンス処理工程終了後に前記純水（ＤＩＷ）に代え
て還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリンスするリン
ス処理工程と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で
前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの
雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有
機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成する工
程と、 前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガ
ス雰囲気を形成する工程と、 前記洗浄物の表面上の還元性添加純水が前記有機溶剤ミ
ストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性
ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを
有することを特徴とする洗浄物の乾燥方法。1. A step of transporting a cleaning material onto a support by a transporting means into a tank to which a chemical solution is not supplied, and supplying a chemical solution into the tank to immerse the cleaning material in the chemical solution for etching treatment. And a rinse treatment step of supplying pure water (DIW) into the bath to gradually replace the chemical liquid with pure water (DIW) and rinsing after the etching treatment step is completed. After the process, the rinse treatment step of rinsing the cleaning product using reductive addition pure water instead of the pure water (DIW); and the cleaning product being immersed in the pure water (DIW) in the tank Supplying an organic solvent mist into the tank to form an atmosphere of the organic solvent mist and forming a layer having a sufficient thickness generated by the organic solvent mist on the liquid surface of the pure water (DIW); Supply inert gas inside A step of forming an inert gas atmosphere in a closed space, and supplying the inert gas after the reducing additive pure water on the surface of the cleaning material is replaced with an organic solvent in the layer generated by the organic solvent mist. And a step of vaporizing and drying the organic solvent.
は、水素であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄
物の乾燥方法。2. The method for drying a washed product according to claim 1, wherein the gas added to the reducing pure water is hydrogen.
（希釈フッ酸）であることを特徴とする請求項１に記載
の洗浄物の乾燥方法。3. The chemical solution is DHF (HF / H 2 O)
It is (diluted hydrofluoric acid), The drying method of the washing | cleaning thing of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
を一定時間若しくは予め設定した時間薬液中に浸漬する
ことを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。4. The method for drying a washed product according to claim 1, wherein in the etching step, the washed product is immersed in a chemical solution for a certain period of time or a preset time.
支持台上に搬送する搬送手段と、前記槽内に薬液を供給
して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行
い、前記エッチング処理完了後に純水（ＤＩＷ）を前記
槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換
してリンス処理し、前記リンス処理終了後に前記純水
（ＤＩＷ）に代えて還元性添加純水を用いて前記洗浄物
をリンス処理し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が
浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤ミストを供給して
有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（Ｄ
ＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さ
の層を形成し、前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空
間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記洗浄物の表面上
の還元性添加純水が前記有機溶剤ミストで生成された層
で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前記
有機溶剤を気化し乾燥することを特徴とする洗浄物の乾
燥装置。5. A transport means for transporting a cleaning product onto a support table in a tank to which a chemical solution is not supplied, and a chemical solution is supplied into the tank to immerse the cleaning product in the chemical solution to perform an etching treatment. After the etching process is completed, pure water (DIW) is supplied into the bath to gradually replace the chemical liquid with pure water (DIW) to perform a rinse process, and after the rinse process is completed, the pure water (DIW) is replaced. The rinsed product is rinsed with reducing pure water, and the organic solvent mist is supplied to the tank while the rinsed product is immersed in pure water (DIW) in the tank. The atmosphere is formed and the pure water (D
IW), a layer having a sufficient thickness formed by an organic solvent mist is formed on the liquid surface, and an inert gas is supplied into the tank to form an inert gas atmosphere in the closed space. After the reducing added pure water on the surface is replaced with an organic solvent in the layer formed by the organic solvent mist, an inert gas is supplied to vaporize and dry the organic solvent to be washed. Drying device.
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