JP2003007579A - 有機薄膜形成方法 - Google Patents
有機薄膜形成方法Info
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低粘度の有機材料を用いてシリコン窒化膜又
はシリコン窒化酸化膜上に有機薄膜を形成する場合に
も、塗布むらの発生を防止して膜厚均一性の優れた有機
薄膜を実現できるようにする。 【解決手段】 半導体基板10上にシリコン窒化膜又は
シリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を形成した後、
下地膜11に対して洗浄液12を用いた湿式洗浄処理を
行なう。その後、下地膜11に対して遠紫外線13を照
射した後、半導体基板10を回転させながら半導体基板
10上に液状の有機材料を供給することによって、下地
膜11上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜14を形
成する。
はシリコン窒化酸化膜上に有機薄膜を形成する場合に
も、塗布むらの発生を防止して膜厚均一性の優れた有機
薄膜を実現できるようにする。 【解決手段】 半導体基板10上にシリコン窒化膜又は
シリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を形成した後、
下地膜11に対して洗浄液12を用いた湿式洗浄処理を
行なう。その後、下地膜11に対して遠紫外線13を照
射した後、半導体基板10を回転させながら半導体基板
10上に液状の有機材料を供給することによって、下地
膜11上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜14を形
成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト膜又は反射
防止膜等となる有機薄膜の形成方法に関する。
防止膜等となる有機薄膜の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】複雑な半導体集積回路を使用したシステ
ムの小型化に伴って、レジストパターンつまりパターン
化されたレジスト膜をマスクとして用いるパターンリソ
グラフィ法により複雑な回路を小さいサイズのチップ上
に転写することが極めて困難になってきている。その理
由としては、パターンリソグラフィ法で用いられるエネ
ルギービームの短波長化に伴って、レジスト膜となる感
光性有機膜を通過したエネルギービームの被エッチング
膜(レジスト膜の下側に形成されている)での反射率が
高くなる結果、感光性有機膜における不必要な領域(エ
ネルギービームを照射したくない領域)まで感光されて
しまうことが考えられる。
ムの小型化に伴って、レジストパターンつまりパターン
化されたレジスト膜をマスクとして用いるパターンリソ
グラフィ法により複雑な回路を小さいサイズのチップ上
に転写することが極めて困難になってきている。その理
由としては、パターンリソグラフィ法で用いられるエネ
ルギービームの短波長化に伴って、レジスト膜となる感
光性有機膜を通過したエネルギービームの被エッチング
膜(レジスト膜の下側に形成されている)での反射率が
高くなる結果、感光性有機膜における不必要な領域(エ
ネルギービームを照射したくない領域)まで感光されて
しまうことが考えられる。
【0003】そこで、レジスト膜となる感光性有機膜を
形成する前に、被エッチング膜上に、エネルギービーム
を吸収する有機材料を塗布して該有機材料よりなる反射
防止膜を形成し、それによって感光性有機膜を通過した
エネルギービームの反射を抑制する方法が提案されてい
る。
形成する前に、被エッチング膜上に、エネルギービーム
を吸収する有機材料を塗布して該有機材料よりなる反射
防止膜を形成し、それによって感光性有機膜を通過した
エネルギービームの反射を抑制する方法が提案されてい
る。
【0004】図9(a)及び(b)は従来の有機膜形成
方法の各工程を示す断面図である。
方法の各工程を示す断面図である。
【0005】まず、図9(a)に示すように、被エッチ
ング膜(図示省略)が形成された半導体基板100に対
して、被エッチング膜の形成時等に半導体基板100の
表面に付着した異物を除去するために湿式洗浄処理を行
なう。具体的には、半導体基板100上にノズル101
から洗浄液102を供給しながら半導体基板100を回
転させる。
ング膜(図示省略)が形成された半導体基板100に対
して、被エッチング膜の形成時等に半導体基板100の
表面に付着した異物を除去するために湿式洗浄処理を行
なう。具体的には、半導体基板100上にノズル101
から洗浄液102を供給しながら半導体基板100を回
転させる。
【0006】次に、図9(b)に示すように、湿式洗浄
処理が行なわれた半導体基板100上に、レジスト膜又
は反射防止膜等となる有機膜103を形成する。
処理が行なわれた半導体基板100上に、レジスト膜又
は反射防止膜等となる有機膜103を形成する。
【0007】ところで、近年の電子デバイスの微細化に
伴って、レジスト膜となる感光性有機膜の厚さが大きい
場合、微細なレジストパターンを形成することが困難に
なってきている。また、反射防止膜となる有機膜につい
ても、その厚さが大きいとレジスト膜が不必要に削られ
てしまう。このため、レジストパターンを微細化するた
めに、レジスト膜又は反射防止膜等となる有機膜の厚さ
を小さくする方法が提案されている。
伴って、レジスト膜となる感光性有機膜の厚さが大きい
場合、微細なレジストパターンを形成することが困難に
なってきている。また、反射防止膜となる有機膜につい
ても、その厚さが大きいとレジスト膜が不必要に削られ
てしまう。このため、レジストパターンを微細化するた
めに、レジスト膜又は反射防止膜等となる有機膜の厚さ
を小さくする方法が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】有機材料を用いて薄膜
を形成する場合、当然、有機材料を用いて厚膜を形成す
る場合と比べて同じレベル又はそれ以上の膜厚均一性が
要求される。
を形成する場合、当然、有機材料を用いて厚膜を形成す
る場合と比べて同じレベル又はそれ以上の膜厚均一性が
要求される。
【0009】しかしながら、有機薄膜を形成する場合、
使用する有機材料の粘度を低くするために有機材料中に
占める溶媒の量を多くする必要がある一方、溶媒の量が
多くなるに従って溶媒の気化熱が有機膜の膜厚均一性に
悪影響を及ぼしやすくなる(特開平8−186072
号)。
使用する有機材料の粘度を低くするために有機材料中に
占める溶媒の量を多くする必要がある一方、溶媒の量が
多くなるに従って溶媒の気化熱が有機膜の膜厚均一性に
悪影響を及ぼしやすくなる(特開平8−186072
号)。
【0010】また、前記の課題に加えて、本願発明者
は、ハードマスクや無機反射防止膜等として用いられる
シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜の上に厚さ10
0nm程度以下の有機薄膜を形成した場合、該有機薄膜
に、基板となるウェハの中心部から周縁部方向に沿って
延びる放射状の塗布模様(以下、塗布むらと称する)が
発生してしまうという新たな課題を見出した。このよう
な塗布むらが生じた有機薄膜をレジスト膜又は反射防止
膜等として用いることはできない。
は、ハードマスクや無機反射防止膜等として用いられる
シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜の上に厚さ10
0nm程度以下の有機薄膜を形成した場合、該有機薄膜
に、基板となるウェハの中心部から周縁部方向に沿って
延びる放射状の塗布模様(以下、塗布むらと称する)が
発生してしまうという新たな課題を見出した。このよう
な塗布むらが生じた有機薄膜をレジスト膜又は反射防止
膜等として用いることはできない。
【0011】前記に鑑み、本発明は、低粘度の有機材料
を用いてシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜上に有
機薄膜を形成する場合にも、塗布むらの発生を防止して
膜厚均一性の優れた有機薄膜を実現できるようにするこ
とを目的とする。
を用いてシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜上に有
機薄膜を形成する場合にも、塗布むらの発生を防止して
膜厚均一性の優れた有機薄膜を実現できるようにするこ
とを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明に係る第1の有機薄膜形成方法は、基板上
にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地
膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用いた湿
式洗浄処理を行なう工程と、湿式洗浄処理が行なわれた
下地膜に対して遠紫外線を照射する工程と、基板を回転
させながら基板上に液状の有機材料を供給することによ
って、遠紫外線が照射された下地膜上に厚さ100nm
程度以下の有機薄膜を形成する工程とを備えている。
めに、本発明に係る第1の有機薄膜形成方法は、基板上
にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地
膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用いた湿
式洗浄処理を行なう工程と、湿式洗浄処理が行なわれた
下地膜に対して遠紫外線を照射する工程と、基板を回転
させながら基板上に液状の有機材料を供給することによ
って、遠紫外線が照射された下地膜上に厚さ100nm
程度以下の有機薄膜を形成する工程とを備えている。
【0013】第1の有機薄膜形成方法によると、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、下地膜に対して遠紫外線
を照射し、その後、下地膜上に厚さ100nm程度以下
の有機薄膜を形成する。このため、下地膜に対して遠紫
外線の照射を行なわない従来の有機膜形成方法と比べ
て、低粘度の有機材料を用いた場合にも有機薄膜に塗布
むらが生じることを抑制できるので、有機薄膜の膜厚均
一性を向上させることができる。従って、有機薄膜がレ
ジスト膜又は反射防止膜等として形成されている場合に
は、レジストパターンを微細化でき、それによって電子
デバイスを確実に微細化できる。
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、下地膜に対して遠紫外線
を照射し、その後、下地膜上に厚さ100nm程度以下
の有機薄膜を形成する。このため、下地膜に対して遠紫
外線の照射を行なわない従来の有機膜形成方法と比べ
て、低粘度の有機材料を用いた場合にも有機薄膜に塗布
むらが生じることを抑制できるので、有機薄膜の膜厚均
一性を向上させることができる。従って、有機薄膜がレ
ジスト膜又は反射防止膜等として形成されている場合に
は、レジストパターンを微細化でき、それによって電子
デバイスを確実に微細化できる。
【0014】本発明に係る第2の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用
いた湿式洗浄処理を行なう工程と、基板を回転させなが
ら基板上に液状の有機材料を供給することによって、湿
式洗浄処理が行なわれた下地膜上に厚さ100nm程度
以下の有機薄膜を形成する工程とを備え、有機材料は、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチ
ル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプ
ロピオネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソ
ルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸
メチル、ピルビン酸メチル及びジエチレングリコールジ
メチルエーテルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む。
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用
いた湿式洗浄処理を行なう工程と、基板を回転させなが
ら基板上に液状の有機材料を供給することによって、湿
式洗浄処理が行なわれた下地膜上に厚さ100nm程度
以下の有機薄膜を形成する工程とを備え、有機材料は、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチ
ル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプ
ロピオネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソ
ルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸
メチル、ピルビン酸メチル及びジエチレングリコールジ
メチルエーテルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む。
【0015】第2の有機薄膜形成方法によると、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピ
オネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタ
ノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルメ
トキシプロピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチル
及びジエチレングリコールジメチルエーテルのうちの少
なくとも1つの溶剤を含む有機材料を用いて、下地膜上
に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成する。この
ため、前述の溶剤を含む有機材料を用いない従来の有機
膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合に
も有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制できるので、
有機薄膜の膜厚均一性を向上させることができる。従っ
て、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜等として形成
されている場合には、レジストパターンを微細化でき、
それによって電子デバイスを確実に微細化できる。
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピ
オネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタ
ノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルメ
トキシプロピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチル
及びジエチレングリコールジメチルエーテルのうちの少
なくとも1つの溶剤を含む有機材料を用いて、下地膜上
に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成する。この
ため、前述の溶剤を含む有機材料を用いない従来の有機
膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合に
も有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制できるので、
有機薄膜の膜厚均一性を向上させることができる。従っ
て、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜等として形成
されている場合には、レジストパターンを微細化でき、
それによって電子デバイスを確実に微細化できる。
【0016】また、第2の有機薄膜形成方法によると、
本発明に係る第1の有機薄膜形成方法と比べて、下地膜
に対して遠紫外線の照射を行なう工程を省略できるの
で、有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜
形成工程に要する処理時間を短縮できる。
本発明に係る第1の有機薄膜形成方法と比べて、下地膜
に対して遠紫外線の照射を行なう工程を省略できるの
で、有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜
形成工程に要する処理時間を短縮できる。
【0017】第1又は第2の有機薄膜形成方法におい
て、湿式洗浄処理を行なう工程は、洗浄液中に超音波を
透過させる工程を含むことが好ましい。
て、湿式洗浄処理を行なう工程は、洗浄液中に超音波を
透過させる工程を含むことが好ましい。
【0018】このようにすると、下地膜の形成時に下地
膜の表面に付着した異物をより確実に除去できる。
膜の表面に付着した異物をより確実に除去できる。
【0019】第1又は第2の有機薄膜形成方法におい
て、下地膜を形成する工程と湿式洗浄処理を行なう工程
との間に、下地膜上に他の有機膜を形成した後に該他の
有機膜を除去する工程をさらに備えていることが好まし
い。
て、下地膜を形成する工程と湿式洗浄処理を行なう工程
との間に、下地膜上に他の有機膜を形成した後に該他の
有機膜を除去する工程をさらに備えていることが好まし
い。
【0020】このようにすると、他の有機膜の除去時に
下地膜の表面に付着した残さ等が湿式洗浄処理によって
確実に除去される。
下地膜の表面に付着した残さ等が湿式洗浄処理によって
確実に除去される。
【0021】本発明に係る第3の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して遠紫外線を
照射する工程と、基板を回転させながら基板上に液状の
有機材料を供給することによって、遠紫外線が照射され
た下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備え、有機材料は、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロ
ピオネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプ
タノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル
メトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチ
ル及びジエチレングリコールジメチルエーテルのうちの
少なくとも1つの溶剤を含む。
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して遠紫外線を
照射する工程と、基板を回転させながら基板上に液状の
有機材料を供給することによって、遠紫外線が照射され
た下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備え、有機材料は、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロ
ピオネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプ
タノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル
メトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチ
ル及びジエチレングリコールジメチルエーテルのうちの
少なくとも1つの溶剤を含む。
【0022】第3の有機薄膜形成方法によると、基板上
に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よ
りなる下地膜に対して遠紫外線を照射を行なった後、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、
メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピ
オネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブ
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチ
ル、ピルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチ
ルエーテルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む有機材
料を用いて、下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機
薄膜を形成する。このため、下地膜に対して遠紫外線の
照射を行なわず且つ前述の溶剤を含む有機材料を用いな
い従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を
用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制
できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。従って、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よ
りなる下地膜に対して遠紫外線を照射を行なった後、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、
メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピ
オネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブ
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチ
ル、ピルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチ
ルエーテルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む有機材
料を用いて、下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機
薄膜を形成する。このため、下地膜に対して遠紫外線の
照射を行なわず且つ前述の溶剤を含む有機材料を用いな
い従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を
用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制
できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。従って、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
【0023】また、第3の有機薄膜形成方法によると、
本発明に係る第1の有機薄膜形成方法と比べて、下地膜
に対して湿式洗浄処理を行なう工程を省略できるので、
有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成
工程に要する処理時間を短縮できる。
本発明に係る第1の有機薄膜形成方法と比べて、下地膜
に対して湿式洗浄処理を行なう工程を省略できるので、
有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成
工程に要する処理時間を短縮できる。
【0024】第1又は第3の有機薄膜形成方法におい
て、遠紫外線を照射する工程は、基板に対して加熱処理
を行なう工程を含むことが好ましい。
て、遠紫外線を照射する工程は、基板に対して加熱処理
を行なう工程を含むことが好ましい。
【0025】このようにすると、有機薄膜に塗布むらが
生じることをより確実に抑制できる。
生じることをより確実に抑制できる。
【0026】第1、第2又は第3の有機薄膜形成方法に
おいて、有機薄膜を形成する工程において用いられる有
機材料の液量の合計は0.8ml以上であることが好ま
しい。
おいて、有機薄膜を形成する工程において用いられる有
機材料の液量の合計は0.8ml以上であることが好ま
しい。
【0027】このようにすると、有機薄膜の膜厚均一性
をより一層向上させることができる。
をより一層向上させることができる。
【0028】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面
を参照しながら説明する。
の第1の実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面
を参照しながら説明する。
【0029】図1(a)〜(d)は第1の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【0030】まず、図1(a)に示すように、8インチ
サイズのシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、
シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜
11を化学的気相成長法により形成する。
サイズのシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、
シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜
11を化学的気相成長法により形成する。
【0031】次に、図1(b)に示すように、半導体基
板10上にノズル50から洗浄液12を供給しながら半
導体基板10を回転させることにより、下地膜11に対
して湿式洗浄処理を行なう。このとき、洗浄効果を向上
させるために、洗浄液12中に超音波を透過させる。
板10上にノズル50から洗浄液12を供給しながら半
導体基板10を回転させることにより、下地膜11に対
して湿式洗浄処理を行なう。このとき、洗浄効果を向上
させるために、洗浄液12中に超音波を透過させる。
【0032】図2は、第1の実施形態に係る有機薄膜形
成方法における湿式洗浄処理の具体的な様子を示してい
る。
成方法における湿式洗浄処理の具体的な様子を示してい
る。
【0033】図2に示すように、モーターの回転軸61
に固着されたウェハチャック60によって半導体基板1
0が保持されている。そして、回転軸61により半導体
基板10を回転させながら、ノズル50から半導体基板
10に対して洗浄液12を吐出することによって、半導
体基板10の表面を洗浄する。このとき、ノズル50内
に設けられた超音波発振器51によって管52中を流れ
る洗浄液12に対して、例えば周波数1MHz、出力1
00Wの超音波が印加される。
に固着されたウェハチャック60によって半導体基板1
0が保持されている。そして、回転軸61により半導体
基板10を回転させながら、ノズル50から半導体基板
10に対して洗浄液12を吐出することによって、半導
体基板10の表面を洗浄する。このとき、ノズル50内
に設けられた超音波発振器51によって管52中を流れ
る洗浄液12に対して、例えば周波数1MHz、出力1
00Wの超音波が印加される。
【0034】尚、第1の実施形態においては、洗浄液1
2として、CO2 を混入した純水を用いた。純水にCO
2 を混入させる目的は、半導体基板10における静電破
壊を防止するための抵抗値低減対策であって、純水の比
抵抗が18MΩであるのに対して、CO2 を混入した純
水の比抵抗は0.01MΩである。
2として、CO2 を混入した純水を用いた。純水にCO
2 を混入させる目的は、半導体基板10における静電破
壊を防止するための抵抗値低減対策であって、純水の比
抵抗が18MΩであるのに対して、CO2 を混入した純
水の比抵抗は0.01MΩである。
【0035】次に、下地膜11の表面に付着した微小な
異物をより確実に除去するために、図1(c)に示すよ
うに、下地膜11に対して遠紫外線13を照射する。図
1(c)に示す遠紫外線13の照射工程は、具体的に
は、遠紫外線13の照射処理(以下、ランプモードと称
する)と、ヒーター70による半導体基板10に対する
加熱処理(以下、加熱モードと称する)との組み合わせ
処理から構成される。組み合わせ処理の総処理時間は1
55秒である。ランプモードは、組み合わせ処理の開始
より10秒間はOFF(停止)、次の2秒間はON(照
射)、次の58秒間はOFF、次の75秒間はON、次
の10秒間はOFFに設定される。加熱モードは、組み
合わせ処理の開始より70秒間は加熱温度100℃、次
の85秒間は加熱温度140℃に設定される。
異物をより確実に除去するために、図1(c)に示すよ
うに、下地膜11に対して遠紫外線13を照射する。図
1(c)に示す遠紫外線13の照射工程は、具体的に
は、遠紫外線13の照射処理(以下、ランプモードと称
する)と、ヒーター70による半導体基板10に対する
加熱処理(以下、加熱モードと称する)との組み合わせ
処理から構成される。組み合わせ処理の総処理時間は1
55秒である。ランプモードは、組み合わせ処理の開始
より10秒間はOFF(停止)、次の2秒間はON(照
射)、次の58秒間はOFF、次の75秒間はON、次
の10秒間はOFFに設定される。加熱モードは、組み
合わせ処理の開始より70秒間は加熱温度100℃、次
の85秒間は加熱温度140℃に設定される。
【0036】次に、図1(d)に示すように、下地膜1
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜14を反射防止膜として形成する。
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜14を反射防止膜として形成する。
【0037】図3は、第1の実施形態に係る有機薄膜形
成方法における有機材料の回転塗布の具体的な様子を示
している。
成方法における有機材料の回転塗布の具体的な様子を示
している。
【0038】図3に示すように、モーターの回転軸81
に固着されたウェハチャック80によって半導体基板1
0が保持されている。そして、回転軸81により半導体
基板10を回転させながら、ノズル90内の管91から
液状の有機材料92を半導体基板10の中心に滴下する
ことによって、下地膜11上に有機薄膜14を形成す
る。このとき、有機材料92の溶剤としてシクロヘキサ
ノンを用いると共に、半導体基板10に対する有機材料
92の総滴下量を1.5mlとする。
に固着されたウェハチャック80によって半導体基板1
0が保持されている。そして、回転軸81により半導体
基板10を回転させながら、ノズル90内の管91から
液状の有機材料92を半導体基板10の中心に滴下する
ことによって、下地膜11上に有機薄膜14を形成す
る。このとき、有機材料92の溶剤としてシクロヘキサ
ノンを用いると共に、半導体基板10に対する有機材料
92の総滴下量を1.5mlとする。
【0039】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜14(厚さ60nm程度)には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜14の膜厚均一性はレ
ンジで3nm程度以下と良好であった。
機薄膜14(厚さ60nm程度)には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜14の膜厚均一性はレ
ンジで3nm程度以下と良好であった。
【0040】その後、図示は省略しているが、有機薄膜
14上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜14を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
14上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜14を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
【0041】すなわち、第1の実施形態によると、シリ
コン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11
に対して湿式洗浄処理を行なった後、下地膜11に対し
て遠紫外線13を照射し、その後、下地膜11上に有機
薄膜14を形成する。このため、下地膜に対して遠紫外
線の照射を行なわない従来の有機膜形成方法と比べて、
低粘度の有機材料を用いた場合にも有機薄膜14に塗布
むらが生じることを抑制できるので、有機薄膜14の膜
厚均一性を向上させることができる。従って、有機薄膜
14よりなる反射防止膜を均一に形成できるため、反射
防止膜上にレジスト膜を均一に形成できるので、レジス
トパターンを微細化でき、それによって電子デバイスを
確実に微細化できる。
コン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11
に対して湿式洗浄処理を行なった後、下地膜11に対し
て遠紫外線13を照射し、その後、下地膜11上に有機
薄膜14を形成する。このため、下地膜に対して遠紫外
線の照射を行なわない従来の有機膜形成方法と比べて、
低粘度の有機材料を用いた場合にも有機薄膜14に塗布
むらが生じることを抑制できるので、有機薄膜14の膜
厚均一性を向上させることができる。従って、有機薄膜
14よりなる反射防止膜を均一に形成できるため、反射
防止膜上にレジスト膜を均一に形成できるので、レジス
トパターンを微細化でき、それによって電子デバイスを
確実に微細化できる。
【0042】尚、第1の実施形態において、有機薄膜1
4の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が1
00nm程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第1の実施形態において、膜厚60nm程度の有機
薄膜14を形成したが、膜厚20nm程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
4の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が1
00nm程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第1の実施形態において、膜厚60nm程度の有機
薄膜14を形成したが、膜厚20nm程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
【0043】また、第1の実施形態において、半導体基
板10に対する有機材料92の総滴下量は特に限定され
るものではないが、該滴下量が0.8ml以上である
と、有機薄膜14における塗布むらの発生を確実に防止
できる。また、該滴下量を大きくしていくと、半導体基
板10上に有機材料92を均一に拡げることが容易にな
るので、有機薄膜14の膜厚均一性が向上することは明
らかである。
板10に対する有機材料92の総滴下量は特に限定され
るものではないが、該滴下量が0.8ml以上である
と、有機薄膜14における塗布むらの発生を確実に防止
できる。また、該滴下量を大きくしていくと、半導体基
板10上に有機材料92を均一に拡げることが容易にな
るので、有機薄膜14の膜厚均一性が向上することは明
らかである。
【0044】また、第1の実施形態において、図1
(b)に示す洗浄工程で洗浄液12中に超音波を透過さ
せなくてもよい。
(b)に示す洗浄工程で洗浄液12中に超音波を透過さ
せなくてもよい。
【0045】また、第1の実施形態において、図1
(c)に示す遠紫外線13の照射工程において、ヒータ
ー70による加熱処理を行なわなくてもよい。
(c)に示す遠紫外線13の照射工程において、ヒータ
ー70による加熱処理を行なわなくてもよい。
【0046】また、第1の実施形態において、有機薄膜
14を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
14を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
【0047】また、第1の実施形態において、半導体基
板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
【0048】(第1の実施形態の変形例)以下、本発明
の第1の実施形態の変形例に係る有機薄膜形成方法につ
いて図面を参照しながら説明する。
の第1の実施形態の変形例に係る有機薄膜形成方法につ
いて図面を参照しながら説明する。
【0049】図4(a)〜(c)及び図5(a)〜
(c)は第1の実施形態の変形例に係る有機薄膜形成方
法の各工程を示す断面図である。
(c)は第1の実施形態の変形例に係る有機薄膜形成方
法の各工程を示す断面図である。
【0050】まず、第1の実施形態の図1(a)に示す
工程と同様に図4(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
工程と同様に図4(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
【0051】次に、図4(b)に示すように、下地膜1
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の第1
の有機薄膜15を反射防止膜として形成する。具体的に
は、半導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半
導体基板10を回転させながら半導体基板10の中心部
に液状の有機材料を滴下することによって(図3参
照)、第1の有機薄膜15を形成する。このとき、有機
材料の溶剤としてシクロヘキサノンを用いると共に、該
有機材料の総滴下量を1.5mlとする。
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の第1
の有機薄膜15を反射防止膜として形成する。具体的に
は、半導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半
導体基板10を回転させながら半導体基板10の中心部
に液状の有機材料を滴下することによって(図3参
照)、第1の有機薄膜15を形成する。このとき、有機
材料の溶剤としてシクロヘキサノンを用いると共に、該
有機材料の総滴下量を1.5mlとする。
【0052】ところが、図4(b)に示す工程において
は、第1の有機薄膜15に塗布むらが発生し、また、第
1の有機薄膜15の膜厚均一性はレンジで25nm程度
と良くなかった。
は、第1の有機薄膜15に塗布むらが発生し、また、第
1の有機薄膜15の膜厚均一性はレンジで25nm程度
と良くなかった。
【0053】そこで、次に、塗布むらが生じた第1の有
機薄膜15を除去するために、図4(c)に示すよう
に、酸素をプラズマ分解して活性な酸素原子及びオゾン
16を発生させて、該活性な酸素原子及びオゾン16を
第1の有機薄膜15上に輸送することによりアッシング
処理を行なう。
機薄膜15を除去するために、図4(c)に示すよう
に、酸素をプラズマ分解して活性な酸素原子及びオゾン
16を発生させて、該活性な酸素原子及びオゾン16を
第1の有機薄膜15上に輸送することによりアッシング
処理を行なう。
【0054】次に、図4(c)に示すアッシング処理に
よって下地膜11の表面から除去できなかった異物を除
去するために、第1の実施形態の図1(b)に示す工程
と同様に図5(a)に示すように、半導体基板10上に
ノズル50から、例えばCO 2 を混入した純水よりなる
洗浄液12を供給しながら半導体基板10を回転させる
ことにより、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行な
う。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液1
2中に、例えば周波数1MHz、出力100Wの超音波
を透過させる(図2参照)。
よって下地膜11の表面から除去できなかった異物を除
去するために、第1の実施形態の図1(b)に示す工程
と同様に図5(a)に示すように、半導体基板10上に
ノズル50から、例えばCO 2 を混入した純水よりなる
洗浄液12を供給しながら半導体基板10を回転させる
ことにより、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行な
う。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液1
2中に、例えば周波数1MHz、出力100Wの超音波
を透過させる(図2参照)。
【0055】次に、下地膜11の表面に付着した微小な
異物をより確実に除去するために、第1の実施形態の図
1(c)に示す工程と同様に図5(b)に示すように、
下地膜11に対して遠紫外線13を照射する。図5
(b)に示す遠紫外線13の照射工程は、具体的には、
遠紫外線13の照射処理つまりランプモードと、ヒータ
ー70による半導体基板10に対する加熱処理つまり加
熱モードとの組み合わせ処理から構成される。組み合わ
せ処理の総処理時間は155秒である。ランプモード
は、組み合わせ処理の開始より10秒間はOFF、次の
2秒間はON、次の58秒間はOFF、次の75秒間は
ON、次の10秒間はOFFに設定される。加熱モード
は、組み合わせ処理の開始より70秒間は加熱温度10
0℃、次の85秒間は加熱温度140℃に設定される。
異物をより確実に除去するために、第1の実施形態の図
1(c)に示す工程と同様に図5(b)に示すように、
下地膜11に対して遠紫外線13を照射する。図5
(b)に示す遠紫外線13の照射工程は、具体的には、
遠紫外線13の照射処理つまりランプモードと、ヒータ
ー70による半導体基板10に対する加熱処理つまり加
熱モードとの組み合わせ処理から構成される。組み合わ
せ処理の総処理時間は155秒である。ランプモード
は、組み合わせ処理の開始より10秒間はOFF、次の
2秒間はON、次の58秒間はOFF、次の75秒間は
ON、次の10秒間はOFFに設定される。加熱モード
は、組み合わせ処理の開始より70秒間は加熱温度10
0℃、次の85秒間は加熱温度140℃に設定される。
【0056】次に、図5(c)に示すように、下地膜1
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の第2
の有機薄膜17を反射防止膜として形成する。具体的に
は、半導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半
導体基板10を回転させながら半導体基板10の中心部
に液状の有機材料を滴下することによって(図3参
照)、第2の有機薄膜17を形成する。このとき、有機
材料の溶剤としてシクロヘキサノンを用いると共に、該
有機材料の総滴下量を1.5mlとする。
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の第2
の有機薄膜17を反射防止膜として形成する。具体的に
は、半導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半
導体基板10を回転させながら半導体基板10の中心部
に液状の有機材料を滴下することによって(図3参
照)、第2の有機薄膜17を形成する。このとき、有機
材料の溶剤としてシクロヘキサノンを用いると共に、該
有機材料の総滴下量を1.5mlとする。
【0057】以上に説明した工程によって形成された第
2の有機薄膜17(厚さ60nm程度)には塗布むらの
発生は見られなかった。また、第2の有機薄膜17の膜
厚均一性はレンジで3nm程度以下と良好であった。
2の有機薄膜17(厚さ60nm程度)には塗布むらの
発生は見られなかった。また、第2の有機薄膜17の膜
厚均一性はレンジで3nm程度以下と良好であった。
【0058】その後、図示は省略しているが、第2の有
機薄膜17上にレジスト膜を形成した後、第2の有機薄
膜17を反射防止膜としてレジスト膜に対して露光を行
ない、その後、レジスト膜を現像してレジストパターン
を形成する。
機薄膜17上にレジスト膜を形成した後、第2の有機薄
膜17を反射防止膜としてレジスト膜に対して露光を行
ない、その後、レジスト膜を現像してレジストパターン
を形成する。
【0059】すなわち、第1の実施形態の変形例による
と、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下
地膜11に対して湿式洗浄処理を行なった後、下地膜1
1に対して遠紫外線13を照射し、その後、下地膜11
上に第2の有機薄膜17を形成する。このため、下地膜
に対して遠紫外線の照射を行なわない従来の有機膜形成
方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合にも第2
の有機薄膜17に塗布むらが生じることを抑制できるの
で、第2の有機薄膜17の膜厚均一性を向上させること
ができる。従って、第2の有機薄膜17よりなる反射防
止膜を均一に形成できるため、反射防止膜上にレジスト
膜を均一に形成できるので、レジストパターンを微細化
でき、それによって電子デバイスを確実に微細化でき
る。
と、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下
地膜11に対して湿式洗浄処理を行なった後、下地膜1
1に対して遠紫外線13を照射し、その後、下地膜11
上に第2の有機薄膜17を形成する。このため、下地膜
に対して遠紫外線の照射を行なわない従来の有機膜形成
方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合にも第2
の有機薄膜17に塗布むらが生じることを抑制できるの
で、第2の有機薄膜17の膜厚均一性を向上させること
ができる。従って、第2の有機薄膜17よりなる反射防
止膜を均一に形成できるため、反射防止膜上にレジスト
膜を均一に形成できるので、レジストパターンを微細化
でき、それによって電子デバイスを確実に微細化でき
る。
【0060】また、第1の実施形態の変形例によると、
下地膜11上に第1の有機薄膜15を形成した後、塗布
むらが生じた第1の有機薄膜15を除去し、その後、下
地膜11に対して湿式洗浄処理を行なうので、第1の有
機薄膜15の除去時に下地膜11の表面に付着した残さ
等が確実に除去される。
下地膜11上に第1の有機薄膜15を形成した後、塗布
むらが生じた第1の有機薄膜15を除去し、その後、下
地膜11に対して湿式洗浄処理を行なうので、第1の有
機薄膜15の除去時に下地膜11の表面に付着した残さ
等が確実に除去される。
【0061】尚、第1の実施形態の変形例において、第
2の有機薄膜17の膜厚は特に限定されるものではない
が、該膜厚が100nm程度以下であると、従来の有機
膜形成方法と比べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕
著になる。また、第1の実施形態において、膜厚60n
m程度の第2の有機薄膜17を形成したが、膜厚20n
m程度の極薄の有機薄膜を本実施形態の方法により形成
した場合にも塗布むらの発生は見られなかった。
2の有機薄膜17の膜厚は特に限定されるものではない
が、該膜厚が100nm程度以下であると、従来の有機
膜形成方法と比べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕
著になる。また、第1の実施形態において、膜厚60n
m程度の第2の有機薄膜17を形成したが、膜厚20n
m程度の極薄の有機薄膜を本実施形態の方法により形成
した場合にも塗布むらの発生は見られなかった。
【0062】また、第1の実施形態の変形例において、
第2の有機薄膜17を形成するために半導体基板10に
滴下される有機材料の液量は特に限定されるものではな
いが、該液量が0.8ml以上であると、第2の有機薄
膜17における塗布むらの発生を確実に防止できる。ま
た、該有機材料の液量を大きくしていくと、半導体基板
10上に有機材料を均一に拡げることが容易になるの
で、第2の有機薄膜17の膜厚均一性が向上することは
明らかである。
第2の有機薄膜17を形成するために半導体基板10に
滴下される有機材料の液量は特に限定されるものではな
いが、該液量が0.8ml以上であると、第2の有機薄
膜17における塗布むらの発生を確実に防止できる。ま
た、該有機材料の液量を大きくしていくと、半導体基板
10上に有機材料を均一に拡げることが容易になるの
で、第2の有機薄膜17の膜厚均一性が向上することは
明らかである。
【0063】また、第1の実施形態の変形例において、
図5(a)に示す洗浄工程で洗浄液12中に超音波を透
過させなくてもよい。
図5(a)に示す洗浄工程で洗浄液12中に超音波を透
過させなくてもよい。
【0064】また、第1の実施形態の変形例において、
図5(b)に示す遠紫外線13の照射工程において、ヒ
ーター70による加熱処理を行なわなくてもよい。
図5(b)に示す遠紫外線13の照射工程において、ヒ
ーター70による加熱処理を行なわなくてもよい。
【0065】また、第1の実施形態の変形例において、
第2の有機薄膜17を反射防止膜として形成したが、こ
れに代えて、レジスト膜となる感光性有機膜、又は層間
膜となる有機絶縁膜等を形成してもよい。
第2の有機薄膜17を反射防止膜として形成したが、こ
れに代えて、レジスト膜となる感光性有機膜、又は層間
膜となる有機絶縁膜等を形成してもよい。
【0066】また、第1の実施形態の変形例において、
半導体基板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板
等の他の基板を用いてもよい。
半導体基板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板
等の他の基板を用いてもよい。
【0067】(第1の比較例)以下、第1の比較例に係
る有機薄膜形成方法について図面を参照しながら説明す
る。
る有機薄膜形成方法について図面を参照しながら説明す
る。
【0068】図6(a)〜(c)は第1の比較例に係る
有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【0069】まず、第1の実施形態の図1(a)に示す
工程と同様に図6(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
工程と同様に図6(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
【0070】次に、第1の実施形態の図1(b)に示す
工程と同様に図6(b)に示すように、半導体基板10
上にノズル50から、例えばCO2 を混入した純水より
なる洗浄液12を供給しながら半導体基板10を回転さ
せることにより、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行
なう。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液
12中に例えば周波数1MHz、出力100Wの超音波
を透過させる(図2参照)。
工程と同様に図6(b)に示すように、半導体基板10
上にノズル50から、例えばCO2 を混入した純水より
なる洗浄液12を供給しながら半導体基板10を回転さ
せることにより、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行
なう。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液
12中に例えば周波数1MHz、出力100Wの超音波
を透過させる(図2参照)。
【0071】次に、図6(c)に示すように、下地膜1
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜18を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜18を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
シクロヘキサノンを用いると共に、該有機材料の総滴下
量を1.5mlとする。
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜18を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜18を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
シクロヘキサノンを用いると共に、該有機材料の総滴下
量を1.5mlとする。
【0072】すなわち、第1の比較例においては、第1
の実施形態の図1(c)に示す遠紫外線13の照射工程
を行なうことなく、有機薄膜18を形成する。
の実施形態の図1(c)に示す遠紫外線13の照射工程
を行なうことなく、有機薄膜18を形成する。
【0073】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜18には塗布むらの発生が見られた。また、有機
薄膜18の膜厚均一性はレンジで25nm程度と良くな
かった。
機薄膜18には塗布むらの発生が見られた。また、有機
薄膜18の膜厚均一性はレンジで25nm程度と良くな
かった。
【0074】尚、第1の比較例において、有機薄膜18
を形成するための有機材料の溶剤として、シクロヘキサ
ノンに代えてジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合にも、シクロヘキサノンを用いた場合と同
様の塗布むらが発生した。
を形成するための有機材料の溶剤として、シクロヘキサ
ノンに代えてジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合にも、シクロヘキサノンを用いた場合と同
様の塗布むらが発生した。
【0075】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面を参照し
ながら説明する。
実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面を参照し
ながら説明する。
【0076】図7(a)〜(c)は第2の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【0077】まず、第1の実施形態の図1(a)に示す
工程と同様に図7(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
工程と同様に図7(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
【0078】次に、第1の実施形態の図1(b)に示す
工程と同様に図7(b)に示すように、半導体基板10
上にノズル50から、例えばCO2 を混入した純水より
なる洗浄液12を供給しながら半導体基板10を回転さ
せることにより、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行
なう。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液
12中に例えば周波数1MHz、出力100Wの超音波
を透過させる(図2参照)。
工程と同様に図7(b)に示すように、半導体基板10
上にノズル50から、例えばCO2 を混入した純水より
なる洗浄液12を供給しながら半導体基板10を回転さ
せることにより、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行
なう。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液
12中に例えば周波数1MHz、出力100Wの超音波
を透過させる(図2参照)。
【0079】次に、図7(c)に示すように、下地膜1
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜18を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜19を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を1.5mlとす
る。
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜18を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜19を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を1.5mlとす
る。
【0080】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜19(厚さ60nm程度)には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜19の膜厚均一性はレ
ンジで2nm程度以下と、第1の実施形態よりもさらに
良好であった。
機薄膜19(厚さ60nm程度)には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜19の膜厚均一性はレ
ンジで2nm程度以下と、第1の実施形態よりもさらに
良好であった。
【0081】その後、図示は省略しているが、有機薄膜
19上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜19を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
19上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜19を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
【0082】すなわち、第2の実施形態によると、シリ
コン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11
に対して湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテートを溶剤として含む有
機材料を用いて、下地膜11上に有機薄膜19を形成す
る。このため、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテートを含む有機材料を用いない従来の有機膜形
成方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合にも有
機薄膜19に塗布むらが生じることを抑制できるので、
有機薄膜19の膜厚均一性を向上させることができる。
従って、有機薄膜19よりなる反射防止膜を均一に形成
できるため、反射防止膜上にレジスト膜を均一に形成で
きるので、レジストパターンを微細化でき、それによっ
て電子デバイスを確実に微細化できる。
コン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11
に対して湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテートを溶剤として含む有
機材料を用いて、下地膜11上に有機薄膜19を形成す
る。このため、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテートを含む有機材料を用いない従来の有機膜形
成方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合にも有
機薄膜19に塗布むらが生じることを抑制できるので、
有機薄膜19の膜厚均一性を向上させることができる。
従って、有機薄膜19よりなる反射防止膜を均一に形成
できるため、反射防止膜上にレジスト膜を均一に形成で
きるので、レジストパターンを微細化でき、それによっ
て電子デバイスを確実に微細化できる。
【0083】また、第2の実施形態によると、第1の実
施形態と比べて、下地膜11に対して遠紫外線13の照
射を行なう工程(図1(c)参照)を省略できるので、
有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成
工程に要する処理時間を短縮できる。
施形態と比べて、下地膜11に対して遠紫外線13の照
射を行なう工程(図1(c)参照)を省略できるので、
有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成
工程に要する処理時間を短縮できる。
【0084】尚、第2の実施形態において、有機薄膜1
9の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が1
00nm程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第2の実施形態において、膜厚60nm程度の有機
薄膜19を形成したが、膜厚20nm程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
9の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が1
00nm程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第2の実施形態において、膜厚60nm程度の有機
薄膜19を形成したが、膜厚20nm程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
【0085】また、第2の実施形態において、有機薄膜
19を形成するために半導体基板10に滴下する有機材
料の液量は特に限定されるものではないが、該有機材料
の液量が0.8ml以上であると、有機薄膜19におけ
る塗布むらの発生を確実に防止できる。また、該有機材
料の液量を大きくしていくと、半導体基板10上に有機
材料を均一に拡げることが容易になるので、有機薄膜1
9の膜厚均一性が向上することは明らかである。
19を形成するために半導体基板10に滴下する有機材
料の液量は特に限定されるものではないが、該有機材料
の液量が0.8ml以上であると、有機薄膜19におけ
る塗布むらの発生を確実に防止できる。また、該有機材
料の液量を大きくしていくと、半導体基板10上に有機
材料を均一に拡げることが容易になるので、有機薄膜1
9の膜厚均一性が向上することは明らかである。
【0086】また、第2の実施形態において、図7
(b)に示す洗浄工程で洗浄液12中に超音波を透過さ
せなくてもよい。
(b)に示す洗浄工程で洗浄液12中に超音波を透過さ
せなくてもよい。
【0087】また、第2の実施形態において、有機薄膜
19を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
19を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
【0088】また、第2の実施形態において、半導体基
板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
【0089】また、第2の実施形態において、有機薄膜
19を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜19を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピ
ルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチルエー
テルのうちの少なくとも1つの溶剤を含むと、本実施形
態と同様の効果が得られる。しかし、有機薄膜19を形
成するための有機材料の溶剤としてシクロヘキサノン、
ジグライム又はメチルイソブチルケトン等を用いた場合
には、本実施形態と同様の効果は得られず、塗布むらが
発生した。
19を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜19を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピ
ルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチルエー
テルのうちの少なくとも1つの溶剤を含むと、本実施形
態と同様の効果が得られる。しかし、有機薄膜19を形
成するための有機材料の溶剤としてシクロヘキサノン、
ジグライム又はメチルイソブチルケトン等を用いた場合
には、本実施形態と同様の効果は得られず、塗布むらが
発生した。
【0090】また、第2の実施形態において、図7
(a)に示す下地膜11を形成する工程と、図7(b)
に示す湿式洗浄処理を行なう工程との間に、下地膜11
上に他の有機膜を形成した後に該他の有機膜を除去する
工程をさらに備えていてもよい。このようにすると、他
の有機膜の除去時に下地膜の表面に付着した残さ等が湿
式洗浄処理によって確実に除去される。
(a)に示す下地膜11を形成する工程と、図7(b)
に示す湿式洗浄処理を行なう工程との間に、下地膜11
上に他の有機膜を形成した後に該他の有機膜を除去する
工程をさらに備えていてもよい。このようにすると、他
の有機膜の除去時に下地膜の表面に付着した残さ等が湿
式洗浄処理によって確実に除去される。
【0091】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の
実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面を参照し
ながら説明する。
実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面を参照し
ながら説明する。
【0092】図8(a)〜(c)は第3の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【0093】まず、第1の実施形態の図1(a)に示す
工程と同様に図8(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
工程と同様に図8(a)に示すように、8インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板10上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を
化学的気相成長法により形成する。
【0094】次に、第1の実施形態の図1(c)に示す
工程と同様に図8(b)に示すように、下地膜11に対
して遠紫外線13を照射する。図8(b)に示す遠紫外
線13の照射工程は、具体的には、遠紫外線13の照射
処理(以下、ランプモードと称する)と、ヒーター70
による半導体基板10に対する加熱処理(以下、加熱モ
ードと称する)との組み合わせ処理から構成される。組
み合わせ処理の総処理時間は155秒である。ランプモ
ードは、組み合わせ処理の開始より10秒間はOFF、
次の2秒間はON、次の58秒間はOFF、次の75秒
間はON、次の10秒間はOFFに設定される。加熱モ
ードは、組み合わせ処理の開始より70秒間は加熱温度
100℃、次の85秒間は加熱温度140℃に設定され
る。
工程と同様に図8(b)に示すように、下地膜11に対
して遠紫外線13を照射する。図8(b)に示す遠紫外
線13の照射工程は、具体的には、遠紫外線13の照射
処理(以下、ランプモードと称する)と、ヒーター70
による半導体基板10に対する加熱処理(以下、加熱モ
ードと称する)との組み合わせ処理から構成される。組
み合わせ処理の総処理時間は155秒である。ランプモ
ードは、組み合わせ処理の開始より10秒間はOFF、
次の2秒間はON、次の58秒間はOFF、次の75秒
間はON、次の10秒間はOFFに設定される。加熱モ
ードは、組み合わせ処理の開始より70秒間は加熱温度
100℃、次の85秒間は加熱温度140℃に設定され
る。
【0095】次に、図8(c)に示すように、下地膜1
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜20を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜20を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を1.5mlとす
る。
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜20を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜20を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を1.5mlとす
る。
【0096】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜20(厚さ60nm程度)には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜20の膜厚均一性はレ
ンジで2nm程度以下と、第1の実施形態よりもさらに
良好であった。
機薄膜20(厚さ60nm程度)には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜20の膜厚均一性はレ
ンジで2nm程度以下と、第1の実施形態よりもさらに
良好であった。
【0097】その後、図示は省略しているが、有機薄膜
20上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜20を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
20上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜20を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
【0098】すなわち、第3の実施形態によると、半導
体基板10上に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン
窒化酸化膜よりなる下地膜11に対して遠紫外線13を
照射を行なった後、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートを溶剤として含む有機材料を用いて、
下地膜11上に有機薄膜20を形成する。このため、下
地膜に対して遠紫外線の照射を行なわず且つプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートを含む有機材
料を用いない従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の
有機材料を用いた場合にも有機薄膜20に塗布むらが生
じることを抑制できるので、有機薄膜20の膜厚均一性
を向上させることができる。従って、有機薄膜20より
なる反射防止膜を均一に形成できるため、反射防止膜上
にレジスト膜を均一に形成できるので、レジストパター
ンを微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微
細化できる。
体基板10上に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン
窒化酸化膜よりなる下地膜11に対して遠紫外線13を
照射を行なった後、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートを溶剤として含む有機材料を用いて、
下地膜11上に有機薄膜20を形成する。このため、下
地膜に対して遠紫外線の照射を行なわず且つプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートを含む有機材
料を用いない従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の
有機材料を用いた場合にも有機薄膜20に塗布むらが生
じることを抑制できるので、有機薄膜20の膜厚均一性
を向上させることができる。従って、有機薄膜20より
なる反射防止膜を均一に形成できるため、反射防止膜上
にレジスト膜を均一に形成できるので、レジストパター
ンを微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微
細化できる。
【0099】また、第3の実施形態によると、第1の実
施形態と比べて、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行
なう工程(図1(b)参照)を省略できるので、有機薄
膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成工程に
要する処理時間を短縮できる。
施形態と比べて、下地膜11に対して湿式洗浄処理を行
なう工程(図1(b)参照)を省略できるので、有機薄
膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成工程に
要する処理時間を短縮できる。
【0100】尚、第3の実施形態において、有機薄膜2
0の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が1
00nm程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第3の実施形態において、膜厚60nm程度の有機
薄膜20を形成したが、膜厚20nm程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
0の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が1
00nm程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第3の実施形態において、膜厚60nm程度の有機
薄膜20を形成したが、膜厚20nm程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
【0101】また、第3の実施形態において、有機薄膜
20を形成するために半導体基板10に滴下する有機材
料の液量は特に限定されるものではないが、該有機材料
の液量が0.8ml以上であると、有機薄膜20におけ
る塗布むらの発生を確実に防止できる。また、該有機材
料の液量を大きくしていくと、半導体基板10上に有機
材料を均一に拡げることが容易になるので、有機薄膜2
0の膜厚均一性が向上することは明らかである。
20を形成するために半導体基板10に滴下する有機材
料の液量は特に限定されるものではないが、該有機材料
の液量が0.8ml以上であると、有機薄膜20におけ
る塗布むらの発生を確実に防止できる。また、該有機材
料の液量を大きくしていくと、半導体基板10上に有機
材料を均一に拡げることが容易になるので、有機薄膜2
0の膜厚均一性が向上することは明らかである。
【0102】また、第3の実施形態において、図8
(b)に示す遠紫外線13の照射工程において、ヒータ
ー70による加熱処理を行なわなくてもよい。
(b)に示す遠紫外線13の照射工程において、ヒータ
ー70による加熱処理を行なわなくてもよい。
【0103】また、第3の実施形態において、有機薄膜
20を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
20を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
【0104】また、第3の実施形態において、半導体基
板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
板10を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
【0105】また、第3の実施形態において、有機薄膜
20を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜20を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピ
ルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチルエー
テルのうちの少なくとも1つの溶剤を含むと、本実施形
態と同様の効果が得られる。しかし、有機薄膜20を形
成するための有機材料の溶剤としてシクロヘキサノン、
ジグライム又はメチルイソブチルケトン等を用いた場合
には、本実施形態と同様の効果は得られず、塗布むらが
発生した。
20を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜20を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピ
ルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチルエー
テルのうちの少なくとも1つの溶剤を含むと、本実施形
態と同様の効果が得られる。しかし、有機薄膜20を形
成するための有機材料の溶剤としてシクロヘキサノン、
ジグライム又はメチルイソブチルケトン等を用いた場合
には、本実施形態と同様の効果は得られず、塗布むらが
発生した。
【0106】
【発明の効果】本発明によると、低粘度の有機材料を用
いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制で
きるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることがで
きる。このため、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制で
きるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることがで
きる。このため、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
【図1】(a)〜(d)は本発明の第1の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る有機薄膜形成方
法における湿式洗浄処理の具体的な様子を示す図であ
る。
法における湿式洗浄処理の具体的な様子を示す図であ
る。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る有機薄膜形成方
法における有機材料の回転塗布の具体的な様子を示す図
である。
法における有機材料の回転塗布の具体的な様子を示す図
である。
【図4】(a)〜(c)は本発明の第1の実施形態の変
形例に係る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
形例に係る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図5】(a)〜(c)は本発明の第1の実施形態の変
形例に係る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
形例に係る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図6】(a)〜(c)は第1の比較例に係る有機薄膜
形成方法の各工程を示す断面図である。
形成方法の各工程を示す断面図である。
【図7】(a)〜(c)は本発明の第2の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【図8】(a)〜(c)は本発明の第3の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【図9】(a)及び(b)は従来の有機膜形成方法の各
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
10 半導体基板
11 下地膜
12 洗浄液
13 遠紫外線
14 有機薄膜
15 第1の有機薄膜
16 活性な酸素原子及びオゾン
17 第2の有機薄膜
18 有機薄膜
19 有機薄膜
20 有機薄膜
50 ノズル
51 超音波発振器
52 管
60 ウェハチャック
61 回転軸
70 ヒーター
80 ウェハチャック
81 回転軸
90 ノズル
91 管
92 有機材料
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成14年2月13日(2002.2.1
3)
3)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項2
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項5
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】本発明に係る第2の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用
いた湿式洗浄処理を行なう工程と、基板を回転させなが
ら基板上に液状の有機材料を供給することによって、湿
式洗浄処理が行なわれた下地膜上に厚さ100nm程度
以下の有機薄膜を形成する工程とを備え、有機材料は、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチ
ル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプ
ロピオネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソ
ルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸
メチル及びピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの
溶剤を含む。
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用
いた湿式洗浄処理を行なう工程と、基板を回転させなが
ら基板上に液状の有機材料を供給することによって、湿
式洗浄処理が行なわれた下地膜上に厚さ100nm程度
以下の有機薄膜を形成する工程とを備え、有機材料は、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチ
ル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプ
ロピオネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソ
ルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸
メチル及びピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの
溶剤を含む。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】第2の有機薄膜形成方法によると、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピ
オネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタ
ノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルメ
トキシプロピオネート、乳酸メチル及びピルビン酸メチ
ルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む有機材料を用い
て、下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形
成する。このため、前述の溶剤を含む有機材料を用いな
い従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を
用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制
できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。従って、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピ
オネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタ
ノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルメ
トキシプロピオネート、乳酸メチル及びピルビン酸メチ
ルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む有機材料を用い
て、下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形
成する。このため、前述の溶剤を含む有機材料を用いな
い従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を
用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制
できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。従って、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】本発明に係る第3の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して遠紫外線を
照射する工程と、基板を回転させながら基板上に液状の
有機材料を供給することによって、遠紫外線が照射され
た下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備え、有機材料は、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロ
ピオネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプ
タノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル
メトキシプロピオネート、乳酸メチル及びピルビン酸メ
チルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む。
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して遠紫外線を
照射する工程と、基板を回転させながら基板上に液状の
有機材料を供給することによって、遠紫外線が照射され
た下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備え、有機材料は、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロ
ピオネート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプ
タノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル
メトキシプロピオネート、乳酸メチル及びピルビン酸メ
チルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】第3の有機薄膜形成方法によると、基板上
に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よ
りなる下地膜に対して遠紫外線を照射を行なった後、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、
メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピ
オネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブ
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチ
ル及びピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの溶剤
を含む有機材料を用いて、下地膜上に厚さ100nm程
度以下の有機薄膜を形成する。このため、下地膜に対し
て遠紫外線の照射を行なわず且つ前述の溶剤を含む有機
材料を用いない従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度
の有機材料を用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じ
ることを抑制できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上
させることができる。従って、有機薄膜がレジスト膜又
は反射防止膜等として形成されている場合には、レジス
トパターンを微細化でき、それによって電子デバイスを
確実に微細化できる。
に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よ
りなる下地膜に対して遠紫外線を照射を行なった後、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、
メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピ
オネート、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブ
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチ
ル及びピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの溶剤
を含む有機材料を用いて、下地膜上に厚さ100nm程
度以下の有機薄膜を形成する。このため、下地膜に対し
て遠紫外線の照射を行なわず且つ前述の溶剤を含む有機
材料を用いない従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度
の有機材料を用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じ
ることを抑制できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上
させることができる。従って、有機薄膜がレジスト膜又
は反射防止膜等として形成されている場合には、レジス
トパターンを微細化でき、それによって電子デバイスを
確実に微細化できる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0079
【補正方法】変更
【補正内容】
【0079】次に、図7(c)に示すように、下地膜1
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜19を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜19を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を1.5mlとす
る。
1上に有機材料を回転塗布して厚さ60nm程度の有機
薄膜19を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板10を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板10を回転させながら半導体基板10の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって(図3参照)、有機
薄膜19を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を1.5mlとす
る。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0089
【補正方法】変更
【補正内容】
【0089】また、第2の実施形態において、有機薄膜
19を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜19を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル及び
ピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む
と、本実施形態と同様の効果が得られる。しかし、有機
薄膜19を形成するための有機材料の溶剤としてシクロ
ヘキサノン、ジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合には、本実施形態と同様の効果は得られ
ず、塗布むらが発生した。
19を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜19を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル及び
ピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む
と、本実施形態と同様の効果が得られる。しかし、有機
薄膜19を形成するための有機材料の溶剤としてシクロ
ヘキサノン、ジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合には、本実施形態と同様の効果は得られ
ず、塗布むらが発生した。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0105
【補正方法】変更
【補正内容】
【0105】また、第3の実施形態において、有機薄膜
20を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜20を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル及び
ピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む
と、本実施形態と同様の効果が得られる。しかし、有機
薄膜20を形成するための有機材料の溶剤としてシクロ
ヘキサノン、ジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合には、本実施形態と同様の効果は得られ
ず、塗布むらが発生した。
20を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜20を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、2−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル及び
ピルビン酸メチルのうちの少なくとも1つの溶剤を含む
と、本実施形態と同様の効果が得られる。しかし、有機
薄膜20を形成するための有機材料の溶剤としてシクロ
ヘキサノン、ジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合には、本実施形態と同様の効果は得られ
ず、塗布むらが発生した。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H01L 21/304 643 H01L 21/304 643D
21/312 A
21/312 21/30 563
564D
Fターム(参考) 2H025 AA18 AB16 DA34 EA01
2H096 AA25 CA01 CA06
4D075 AC64 AC92 AC94 AE03 AE27
BB13Y BB20Y BB25Y BB44Y
BB45Y BB46Y BB49Y BB65Y
BB70Y BB85X CA48 CB02
DA08 DB13 DB14 DC22 DC24
EA07 EA45 EC30
5F046 HA03 HA07 JA13
5F058 AA03 AE02 AE04 AF04 AH02
AH10
Claims (7)
- 【請求項1】 基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒
化酸化膜よりなる下地膜を形成する工程と、 前記下地膜に対して洗浄液を用いた湿式洗浄処理を行な
う工程と、 前記湿式洗浄処理が行なわれた前記下地膜に対して遠紫
外線を照射する工程と、 前記基板を回転させながら前記基板上に液状の有機材料
を供給することによって、前記遠紫外線が照射された前
記下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備えていることを特徴とする有機薄膜形成
方法。 - 【請求項2】 基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒
化酸化膜よりなる下地膜を形成する工程と、 前記下地膜に対して洗浄液を用いた湿式洗浄処理を行な
う工程と、 前記基板を回転させながら前記基板上に液状の有機材料
を供給することによって、前記湿式洗浄処理が行なわれ
た前記下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を
形成する工程とを備え、 前記有機材料は、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピオネート、エ
チルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、ピルビ
ン酸エチル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、メチルセルソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、エチルメトキシプロ
ピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチル及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルのうちの少なくとも1
つの溶剤を含むことを特徴とする有機薄膜形成方法。 - 【請求項3】 前記湿式洗浄処理を行なう工程は、前記
洗浄液中に超音波を透過させる工程を含むことを特徴と
する請求項1又は2に記載の有機薄膜形成方法。 - 【請求項4】 前記下地膜を形成する工程と前記湿式洗
浄処理を行なう工程との間に、前記下地膜上に他の有機
膜を形成した後に該他の有機膜を除去する工程をさらに
備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の有
機薄膜形成方法。 - 【請求項5】 基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒
化酸化膜よりなる下地膜を形成する工程と、 前記下地膜に対して遠紫外線を照射する工程と、 前記基板を回転させながら前記基板上に液状の有機材料
を供給することによって、前記遠紫外線が照射された前
記下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備え、 前記有機材料は、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピオネート、エ
チルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、ピルビ
ン酸エチル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、メチルセルソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、エチルメトキシプロ
ピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチル及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルのうちの少なくとも1
つの溶剤を含むことを特徴とする有機薄膜形成方法。 - 【請求項6】 前記遠紫外線を照射する工程は、前記基
板に対して加熱処理を行なう工程を含むことを特徴とす
る請求項1又は5に記載の有機薄膜形成方法。 - 【請求項7】 前記有機薄膜を形成する工程において用
いられる前記有機材料の液量の合計は0.8ml以上で
あることを特徴とする請求項1、2又は5に記載の有機
薄膜形成方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001184236A JP2003007579A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 有機薄膜形成方法 |
EP01126047A EP1271244B1 (en) | 2001-06-19 | 2001-10-31 | Method for fabricating an organic thin film |
DE60105141T DE60105141T2 (de) | 2001-06-19 | 2001-10-31 | Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht |
TW090127542A TW498427B (en) | 2001-06-19 | 2001-11-06 | Method for fabricating organic thin film |
US09/987,004 US6797647B2 (en) | 2001-06-19 | 2001-11-13 | Method for fabricating organic thin film |
CNB021050767A CN1267974C (zh) | 2001-06-19 | 2002-02-20 | 有机薄膜形成方法 |
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---|---|---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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EP (1) | EP1271244B1 (ja) |
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CN (1) | CN1267974C (ja) |
DE (1) | DE60105141T2 (ja) |
TW (1) | TW498427B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005602A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表面処理方法及び半導体装置の作製方法 |
JP2005210038A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
WO2012144286A1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム |
JP2013057129A (ja) * | 2004-03-22 | 2013-03-28 | Global Oled Technology Llc | 流動化した有機材料の気化 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6638871B2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-10-28 | United Microlectronics Corp. | Method for forming openings in low dielectric constant material layer |
KR101319108B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR20130100165A (ko) * | 2010-11-11 | 2013-09-09 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 유기 박막 형성용 고형물 또는 유상물을 사용한 유기 박막 적층체 제조 방법 |
KR101736888B1 (ko) * | 2011-06-22 | 2017-05-17 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 실리콘 옥시나이트라이드 막의 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 실리콘 옥시나이트라이드 막을 가지는 기판 |
US20160118241A1 (en) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate cleaning method |
KR101571711B1 (ko) * | 2015-02-06 | 2015-11-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 신너 조성물 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4075367A (en) * | 1976-03-18 | 1978-02-21 | Ncr Corporation | Semiconductor processing of silicon nitride |
JPS6028235A (ja) | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0659453B2 (ja) | 1986-06-06 | 1994-08-10 | 株式会社東芝 | 基板へのレジスト塗布方法 |
JP2723726B2 (ja) | 1991-11-27 | 1998-03-09 | シャープ株式会社 | レジストパターン形成方法 |
US5234990A (en) * | 1992-02-12 | 1993-08-10 | Brewer Science, Inc. | Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography |
KR0133469B1 (en) * | 1994-05-16 | 1998-04-23 | Korea Electronics Telecomm | Method of manufacturing gaas substrate having high density |
JPH08186072A (ja) | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Sony Corp | 基板の回転塗布方法及び基板の回転塗布装置 |
US6029679A (en) * | 1995-09-07 | 2000-02-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor cleaning and production methods using a film repulsing fine particle contaminants |
JP3166065B2 (ja) | 1996-02-08 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JPH1064864A (ja) | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 洗浄装置 |
JPH10296642A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-10 | Tdk Corp | 研磨テープ |
JP3682364B2 (ja) | 1997-09-02 | 2005-08-10 | 東京応化工業株式会社 | 無機粉末含有感光性樹脂組成物およびパターンの形成方法 |
JP4200565B2 (ja) | 1998-06-24 | 2008-12-24 | 日立金属株式会社 | 電子部品の洗浄方法 |
JP2000095992A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 顔料分散剤及び感光性着色組成物 |
JP2001151824A (ja) | 1999-06-09 | 2001-06-05 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト組成物 |
JP2001158966A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Ebara Corp | 金属ないし金属化合物薄膜の作製方法 |
-
2001
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2002
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005602A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表面処理方法及び半導体装置の作製方法 |
US7449408B2 (en) * | 2003-06-13 | 2008-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP4524774B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2005210038A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2013057129A (ja) * | 2004-03-22 | 2013-03-28 | Global Oled Technology Llc | 流動化した有機材料の気化 |
WO2012144286A1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム |
JP2012227319A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム |
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