JP2003006954A - 光磁気ヘッド及び光磁気記録再生装置 - Google Patents
光磁気ヘッド及び光磁気記録再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁界印加手段の電磁変換効率がよく、良好な
分布の磁界を記録媒体に印加することができる光磁気ヘ
ッド及びこの光磁気ヘッドを備えてディスクドライブの
消費電力を低減することができる光磁気記録再生装置を
提供する。 【解決手段】 記録媒体５１上を浮上走行するスライダ
ー１１に光Ｌを透過させる光透過部が設けられ、この光
透過部の周囲に磁界印加手段１３が配置され、この磁界
印加手段１３は、薄膜コイル１４（１４Ａ，１４Ｂ）
と、薄膜コイル１４（１４Ａ，１４Ｂ）の記録媒体５１
側及びその反対側にそれぞれ配置された磁界発生ヨーク
の磁性材１５とから成る光磁気ヘッド１０、及びこの光
磁気ヘッド１０を備えて記録媒体５１に対する情報の記
録・再生を行う光磁気記録再生装置を提供する。
分布の磁界を記録媒体に印加することができる光磁気ヘ
ッド及びこの光磁気ヘッドを備えてディスクドライブの
消費電力を低減することができる光磁気記録再生装置を
提供する。 【解決手段】 記録媒体５１上を浮上走行するスライダ
ー１１に光Ｌを透過させる光透過部が設けられ、この光
透過部の周囲に磁界印加手段１３が配置され、この磁界
印加手段１３は、薄膜コイル１４（１４Ａ，１４Ｂ）
と、薄膜コイル１４（１４Ａ，１４Ｂ）の記録媒体５１
側及びその反対側にそれぞれ配置された磁界発生ヨーク
の磁性材１５とから成る光磁気ヘッド１０、及びこの光
磁気ヘッド１０を備えて記録媒体５１に対する情報の記
録・再生を行う光磁気記録再生装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に対して
光磁気記録を行うための光磁気ヘッド及び光磁気記録再
生装置に係わる。
光磁気記録を行うための光磁気ヘッド及び光磁気記録再
生装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光磁気ディスクのように、記
録層に光を照射することにより、信号の記録再生が行わ
れる記録媒体（光ディスク）が普及している。そして、
できるだけ多くの情報を記録可能なように、記録密度の
高密度化が求められている。このような光ディスクの高
記録密度化に伴って、光ディスクに対して信号の記録・
再生を行う光学ピックアップに対して、光ディスクの信
号記録面に照射される光のスポット径を小さくすること
により、記録密度を向上しようとしている。
録層に光を照射することにより、信号の記録再生が行わ
れる記録媒体（光ディスク）が普及している。そして、
できるだけ多くの情報を記録可能なように、記録密度の
高密度化が求められている。このような光ディスクの高
記録密度化に伴って、光ディスクに対して信号の記録・
再生を行う光学ピックアップに対して、光ディスクの信
号記録面に照射される光のスポット径を小さくすること
により、記録密度を向上しようとしている。
【０００３】特に、近年では、ハードディスク装置等に
おける浮上型ヘッドスライダーの技術を応用して、光学
レンズをスライダーに搭載して光学ヘッド用スライダー
を構成し、光ディスクの信号記録面上を所定の浮上量で
浮上させながら、このスライダーに搭載された光学レン
ズにより集光された光を光ディスクの信号記録面に照射
することにより、光ディスクに対する信号の記録再生を
行うことが提案されている。
おける浮上型ヘッドスライダーの技術を応用して、光学
レンズをスライダーに搭載して光学ヘッド用スライダー
を構成し、光ディスクの信号記録面上を所定の浮上量で
浮上させながら、このスライダーに搭載された光学レン
ズにより集光された光を光ディスクの信号記録面に照射
することにより、光ディスクに対する信号の記録再生を
行うことが提案されている。
【０００４】このような光学ヘッド用スライダーを用い
た場合には、光学ヘッドからの光を光ディスクの信号記
録面に照射させる場合に比べて、大幅に光学レンズと光
ディスクの信号記録面との距離を短縮することができ
る。これにより、ＮＡ（開口数）の大きい光学レンズを
使用することが可能になり、その結果光ディスクの信号
記録面に照射される光のスポット径を小さくすることが
可能となる。
た場合には、光学ヘッドからの光を光ディスクの信号記
録面に照射させる場合に比べて、大幅に光学レンズと光
ディスクの信号記録面との距離を短縮することができ
る。これにより、ＮＡ（開口数）の大きい光学レンズを
使用することが可能になり、その結果光ディスクの信号
記録面に照射される光のスポット径を小さくすることが
可能となる。
【０００５】そして、記録媒体として前述した光磁気デ
ィスクを用いる場合には、さらに記録時に光磁気ディス
クに磁界を印加させるための磁界印加手段を必要とす
る。この磁界印加手段は、装置の小型化や簡素化を図る
ために、上述した光学ヘッド用スライダーと別体に設け
るよりも、一体に設ける方が望ましい。
ィスクを用いる場合には、さらに記録時に光磁気ディス
クに磁界を印加させるための磁界印加手段を必要とす
る。この磁界印加手段は、装置の小型化や簡素化を図る
ために、上述した光学ヘッド用スライダーと別体に設け
るよりも、一体に設ける方が望ましい。
【０００６】このように磁界印加手段を光学ヘッド用ス
ライダーと一体に設ける場合には、例えばスライダーの
光磁気ディスクと対向する面側に、レーザ光の焦点位置
の周囲を巻回するように埋設された薄膜コイル等によ
り、磁界印加手段を構成する。
ライダーと一体に設ける場合には、例えばスライダーの
光磁気ディスクと対向する面側に、レーザ光の焦点位置
の周囲を巻回するように埋設された薄膜コイル等によ
り、磁界印加手段を構成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の薄膜コイルによ
り構成された磁界印加手段を光学ヘッド用スライダーと
一体に設ける場合において、さらに薄膜コイルから発生
される磁界を強くするために、薄膜コイルの記録媒体
（光磁気ディスク）とは反対の側に磁性材から成る磁界
発生ヨークを配置する形態が提案されている（図１０Ａ
〜図１０Ｃ参照）。
り構成された磁界印加手段を光学ヘッド用スライダーと
一体に設ける場合において、さらに薄膜コイルから発生
される磁界を強くするために、薄膜コイルの記録媒体
（光磁気ディスク）とは反対の側に磁性材から成る磁界
発生ヨークを配置する形態が提案されている（図１０Ａ
〜図１０Ｃ参照）。
【０００８】しかしながら、この形態では、薄膜コイル
の電磁変換効率が悪いために実用化に至っていない。ま
た、記録媒体に印加させる磁界の分布も悪くなる。
の電磁変換効率が悪いために実用化に至っていない。ま
た、記録媒体に印加させる磁界の分布も悪くなる。
【０００９】このため、光磁気ディスクに記録を行う際
には、例えば２５０Ｏｅ以上の媒体面に垂直な磁界を得
るために、１５０ｍＡ以上という非常に大きい電流を必
要とする。
には、例えば２５０Ｏｅ以上の媒体面に垂直な磁界を得
るために、１５０ｍＡ以上という非常に大きい電流を必
要とする。
【００１０】このような条件では、高速でコイルを動作
させることが可能な駆動用ＩＣを形成することができ
ず、またディスクドライブとしての消費電力が大きくな
ってしまう。
させることが可能な駆動用ＩＣを形成することができ
ず、またディスクドライブとしての消費電力が大きくな
ってしまう。
【００１１】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、磁界印加手段の電磁変換効率がよく、良好な分
布の磁界を記録媒体に印加することができる光磁気ヘッ
ド及びこの光磁気ヘッドを備えてディスクドライブの消
費電力を低減することができる光磁気記録再生装置を提
供するものである。
いては、磁界印加手段の電磁変換効率がよく、良好な分
布の磁界を記録媒体に印加することができる光磁気ヘッ
ド及びこの光磁気ヘッドを備えてディスクドライブの消
費電力を低減することができる光磁気記録再生装置を提
供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気ヘッド
は、記録媒体上を浮上走行するスライダーに光を透過さ
せる光透過部が設けられ、この光透過部の周囲に磁界印
加手段が配置され、この磁界印加手段は、薄膜コイル
と、薄膜コイルの記録媒体側及び記録媒体と反対の側に
それぞれ配置された磁界発生ヨークの磁性材とから成る
ものである。
は、記録媒体上を浮上走行するスライダーに光を透過さ
せる光透過部が設けられ、この光透過部の周囲に磁界印
加手段が配置され、この磁界印加手段は、薄膜コイル
と、薄膜コイルの記録媒体側及び記録媒体と反対の側に
それぞれ配置された磁界発生ヨークの磁性材とから成る
ものである。
【００１３】本発明の光磁気記録再生装置は、記録媒体
上を浮上走行するスライダーに光を透過させる光透過部
が設けられ、この光透過部の周囲に磁界印加手段が配置
され、この磁界印加手段は、薄膜コイルと、この薄膜コ
イルの記録媒体側及び記録媒体と反対の側にそれぞれ配
置された磁界発生ヨークの磁性材とから成る光磁気ヘッ
ドを備え、記録媒体に対して光磁気記録による情報の記
録・再生を行うものである。
上を浮上走行するスライダーに光を透過させる光透過部
が設けられ、この光透過部の周囲に磁界印加手段が配置
され、この磁界印加手段は、薄膜コイルと、この薄膜コ
イルの記録媒体側及び記録媒体と反対の側にそれぞれ配
置された磁界発生ヨークの磁性材とから成る光磁気ヘッ
ドを備え、記録媒体に対して光磁気記録による情報の記
録・再生を行うものである。
【００１４】上述の本発明の光磁気ヘッドの構成によれ
ば、記録媒体上をスライダーに光を透過させる光透過部
が設けられていることにより、この光透過部を通じてス
ライダー内に光を通して、記録媒体に対して情報の記録
・再生に必要な光を照射させることが可能になる。ま
た、光透過部の周囲に磁界印加手段が配置されているこ
とにより、磁界印加手段から記録媒体に対する情報の記
録に必要な磁界を記録媒体に印加することができ、光と
磁界を記録媒体の同じ側から供給することができる。さ
らに、磁界印加手段が、薄膜コイルと、この薄膜コイル
の記録媒体側及び記録媒体と反対の側にそれぞれ配置さ
れた磁界発生ヨークの磁性材とから構成されていること
により、薄膜コイルにより発生した磁界を磁界発生ヨー
クの磁性材によって強度や分布を制御して効率よく記録
媒体に印加することが可能になる。
ば、記録媒体上をスライダーに光を透過させる光透過部
が設けられていることにより、この光透過部を通じてス
ライダー内に光を通して、記録媒体に対して情報の記録
・再生に必要な光を照射させることが可能になる。ま
た、光透過部の周囲に磁界印加手段が配置されているこ
とにより、磁界印加手段から記録媒体に対する情報の記
録に必要な磁界を記録媒体に印加することができ、光と
磁界を記録媒体の同じ側から供給することができる。さ
らに、磁界印加手段が、薄膜コイルと、この薄膜コイル
の記録媒体側及び記録媒体と反対の側にそれぞれ配置さ
れた磁界発生ヨークの磁性材とから構成されていること
により、薄膜コイルにより発生した磁界を磁界発生ヨー
クの磁性材によって強度や分布を制御して効率よく記録
媒体に印加することが可能になる。
【００１５】上述の本発明の光磁気記録再生装置の構成
によれば、上記本発明の光磁気ヘッドを備えたことによ
り、光磁気ヘッドから効率よく記録媒体に磁界を印加す
ることができるため、例えば磁界印加手段の薄膜コイル
に供給する電流を従来より低減しても、記録媒体に記録
を行うために必要な磁界を印加することが可能になる。
によれば、上記本発明の光磁気ヘッドを備えたことによ
り、光磁気ヘッドから効率よく記録媒体に磁界を印加す
ることができるため、例えば磁界印加手段の薄膜コイル
に供給する電流を従来より低減しても、記録媒体に記録
を行うために必要な磁界を印加することが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、記録媒体上を浮上走行
するスライダーに光を透過させる光透過部が設けられ、
この光透過部の周囲に磁界印加手段が配置され、この磁
界印加手段は、薄膜コイルと、この薄膜コイルの記録媒
体側及び記録媒体と反対の側にそれぞれ配置された磁界
発生ヨークの磁性材とから成る光磁気ヘッドである。
するスライダーに光を透過させる光透過部が設けられ、
この光透過部の周囲に磁界印加手段が配置され、この磁
界印加手段は、薄膜コイルと、この薄膜コイルの記録媒
体側及び記録媒体と反対の側にそれぞれ配置された磁界
発生ヨークの磁性材とから成る光磁気ヘッドである。
【００１７】また本発明は、上記光磁気ヘッドにおい
て、磁界発生ヨークの磁性材が、記録媒体側の部分と記
録媒体と反対の側の部分とが磁気的に接続されるように
連続して形成されている構成とする。
て、磁界発生ヨークの磁性材が、記録媒体側の部分と記
録媒体と反対の側の部分とが磁気的に接続されるように
連続して形成されている構成とする。
【００１８】また本発明は、上記光磁気ヘッドにおい
て、磁界発生ヨークの磁性材が光透過部の記録媒体側の
開口径を記録媒体と反対の側の開口径よりも大とした構
成とする。
て、磁界発生ヨークの磁性材が光透過部の記録媒体側の
開口径を記録媒体と反対の側の開口径よりも大とした構
成とする。
【００１９】また本発明は、上記光磁気ヘッドにおい
て、薄膜コイルを２層のコイルにより構成する。
て、薄膜コイルを２層のコイルにより構成する。
【００２０】本発明は、記録媒体上を浮上走行するスラ
イダーに光を透過させる光透過部が設けられ、この光透
過部の周囲に磁界印加手段が配置され、この磁界印加手
段は、薄膜コイルと、この薄膜コイルの記録媒体側及び
記録媒体と反対の側にそれぞれ配置された磁界発生ヨー
クの磁性材とから成る光磁気ヘッドを備え、記録媒体に
対して光磁気記録による情報の記録・再生を行う光磁気
記録再生装置である。
イダーに光を透過させる光透過部が設けられ、この光透
過部の周囲に磁界印加手段が配置され、この磁界印加手
段は、薄膜コイルと、この薄膜コイルの記録媒体側及び
記録媒体と反対の側にそれぞれ配置された磁界発生ヨー
クの磁性材とから成る光磁気ヘッドを備え、記録媒体に
対して光磁気記録による情報の記録・再生を行う光磁気
記録再生装置である。
【００２１】図１は、本発明の一実施の形態として、光
磁気記録再生装置の要部（光磁気ヘッド付近）の概略構
成図を示す。この光磁気記録再生装置は、記録媒体とし
て光磁気ディスク５１を用いて、その内部に形成された
記録層５２に対して、情報の記録及び再生を行うもので
あり、そのための光磁気ヘッド１０を備えて成る。
磁気記録再生装置の要部（光磁気ヘッド付近）の概略構
成図を示す。この光磁気記録再生装置は、記録媒体とし
て光磁気ディスク５１を用いて、その内部に形成された
記録層５２に対して、情報の記録及び再生を行うもので
あり、そのための光磁気ヘッド１０を備えて成る。
【００２２】光磁気ヘッド１０は、例えばバネによる弾
性材２１を介して、アーム状に伸びるレール２３に沿っ
て平行移動する部材２２に取り付けられたスライダー１
１と、このスライダー１１の上及び内部に配置されたレ
ンズ１２と、スライダー１１の内部に設けられた磁界印
加手段１３とにより構成されている。
性材２１を介して、アーム状に伸びるレール２３に沿っ
て平行移動する部材２２に取り付けられたスライダー１
１と、このスライダー１１の上及び内部に配置されたレ
ンズ１２と、スライダー１１の内部に設けられた磁界印
加手段１３とにより構成されている。
【００２３】スライダー１１の左側の部分は斜めに傾斜
していて、光磁気ディスク５１の回転に伴って発生する
空気流により浮揚力を発生するための空気潤滑面１１Ｂ
が形成されている。この空気潤滑面１１Ｂが形成されて
いることにより、光磁気ディスク５１の回転により生じ
る空気流を受けて浮揚力を発生し、光磁気ディスク５１
上を所定の浮上量で浮上する。尚、この空気潤滑面１１
Ｂの形状は、特に限定されるものではなく、任意の形状
とすることが可能である。
していて、光磁気ディスク５１の回転に伴って発生する
空気流により浮揚力を発生するための空気潤滑面１１Ｂ
が形成されている。この空気潤滑面１１Ｂが形成されて
いることにより、光磁気ディスク５１の回転により生じ
る空気流を受けて浮揚力を発生し、光磁気ディスク５１
上を所定の浮上量で浮上する。尚、この空気潤滑面１１
Ｂの形状は、特に限定されるものではなく、任意の形状
とすることが可能である。
【００２４】そして、部材２２及びレール２３と図示し
ない駆動手段とによりリニアモーター駆動がなされ、光
磁気ヘッド１０が光磁気ディスク５１に対して平行に移
動する。
ない駆動手段とによりリニアモーター駆動がなされ、光
磁気ヘッド１０が光磁気ディスク５１に対して平行に移
動する。
【００２５】また、部材２２とレール２３の根元とにそ
れぞれミラー２４，２５が配置されている。これらのミ
ラー２４，２５により、レーザダイオードやフォトダイ
オード等を備えた光学素子部２６から出射されたレーザ
光Ｌが反射されて、光磁気ヘッド１０へ導かれる。
れぞれミラー２４，２５が配置されている。これらのミ
ラー２４，２５により、レーザダイオードやフォトダイ
オード等を備えた光学素子部２６から出射されたレーザ
光Ｌが反射されて、光磁気ヘッド１０へ導かれる。
【００２６】さらに、図１の磁界印加手段１３付近の拡
大図を図２に示す。磁界印加手段１３は、薄膜コイル１
４と磁性材から成る磁界発生ヨーク１５とを有して構成
される。尚、この磁界印加手段１３の中央部には、レー
ザ光Ｌを透過させるために、薄膜コイル１４及び磁界発
生ヨーク１５を設けないようにしている。薄膜コイル１
４は、巻き数を増やす目的で２段に形成されており、記
録媒体である光磁気ディスク５１に近い側の第１の薄膜
コイル１４Ａと、遠い側の第２の薄膜コイル１４Ｂとか
らなり、第１の薄膜コイル１４Ａの方が第２の薄膜コイ
ル１４Ｂより巻き数が多くなっている。そして、この薄
膜コイル１４をコ字状に囲むように、磁性材から成る磁
界発生ヨーク１５が配置されている。
大図を図２に示す。磁界印加手段１３は、薄膜コイル１
４と磁性材から成る磁界発生ヨーク１５とを有して構成
される。尚、この磁界印加手段１３の中央部には、レー
ザ光Ｌを透過させるために、薄膜コイル１４及び磁界発
生ヨーク１５を設けないようにしている。薄膜コイル１
４は、巻き数を増やす目的で２段に形成されており、記
録媒体である光磁気ディスク５１に近い側の第１の薄膜
コイル１４Ａと、遠い側の第２の薄膜コイル１４Ｂとか
らなり、第１の薄膜コイル１４Ａの方が第２の薄膜コイ
ル１４Ｂより巻き数が多くなっている。そして、この薄
膜コイル１４をコ字状に囲むように、磁性材から成る磁
界発生ヨーク１５が配置されている。
【００２７】一方、光磁気ディスク５１に対して情報の
記録・再生を行うためのレーザ光Ｌは、薄膜コイル１４
の中央部（後述する光透過部）をスライダー１１の背面
から進入して、スライダー１１の摺動面（ＡＢＳ面）１
１Ａ側から出て光磁気ディスク５１の記録層５２に入射
し、記録層５２にて反射して、その後同じ経路を逆に進
行する（戻る）。
記録・再生を行うためのレーザ光Ｌは、薄膜コイル１４
の中央部（後述する光透過部）をスライダー１１の背面
から進入して、スライダー１１の摺動面（ＡＢＳ面）１
１Ａ側から出て光磁気ディスク５１の記録層５２に入射
し、記録層５２にて反射して、その後同じ経路を逆に進
行する（戻る）。
【００２８】このとき、光磁気ヘッド１０のレンズ１２
や光学素子部２６のプリズム等を使用して入射光と反射
光を分離して干渉しないようにしている。
や光学素子部２６のプリズム等を使用して入射光と反射
光を分離して干渉しないようにしている。
【００２９】ここで、本発明に適用される光磁気ディス
ク５１の断面構造の一形態を図９に示す。図９に示すよ
うに、ポリカーボネート基板５３、第１の誘電体膜５４
として例えばＳｉ3 Ｎ4 膜１４５ｎｍ、記録層５２とし
て例えばＴｂＦｅＣｏＣｒ膜を２５ｎｍ、第２の誘電体
膜５５として例えばＳｉ3 Ｎ4 膜を１００ｎｍ、反射膜
５６として例えばＡｌＴｉ膜１００ｎｍを形成し、さら
に保護層５７を形成して成る。
ク５１の断面構造の一形態を図９に示す。図９に示すよ
うに、ポリカーボネート基板５３、第１の誘電体膜５４
として例えばＳｉ3 Ｎ4 膜１４５ｎｍ、記録層５２とし
て例えばＴｂＦｅＣｏＣｒ膜を２５ｎｍ、第２の誘電体
膜５５として例えばＳｉ3 Ｎ4 膜を１００ｎｍ、反射膜
５６として例えばＡｌＴｉ膜１００ｎｍを形成し、さら
に保護層５７を形成して成る。
【００３０】偏向レーザ光Ｌはポリカーボネート基板５
３側から照射され、記録層５２を通過して反射膜５６に
より反射され、再度記録層５２を通過して戻る。記録層
５２を通過する際に、偏向レーザ光Ｌの偏向方向が回転
する。そして、記録層５２の垂直磁化反転により、偏向
レーザ光Ｌのカー回転角が相違するので、このカー回転
角の相違を検出することにより、情報の内容（０或いは
１）に対応した信号が得られる。
３側から照射され、記録層５２を通過して反射膜５６に
より反射され、再度記録層５２を通過して戻る。記録層
５２を通過する際に、偏向レーザ光Ｌの偏向方向が回転
する。そして、記録層５２の垂直磁化反転により、偏向
レーザ光Ｌのカー回転角が相違するので、このカー回転
角の相違を検出することにより、情報の内容（０或いは
１）に対応した信号が得られる。
【００３１】本実施の形態の光磁気ヘッド１０では、磁
界印加手段１３とレーザ光Ｌとを光磁気ディスク５１に
対して同じ側に配置するため、磁界もレーザ光Ｌもポリ
カーボネート基板５３の側から供給される。
界印加手段１３とレーザ光Ｌとを光磁気ディスク５１に
対して同じ側に配置するため、磁界もレーザ光Ｌもポリ
カーボネート基板５３の側から供給される。
【００３２】また、図１及び図２に示した構成の光磁気
ヘッド１０の具体的な形態の斜視図を図３に示す。この
図３は、光磁気ディスク５１の側から光磁気ヘッド１０
のスライダー１１を見た図である。尚、図１ではスライ
ダー１１に空気潤滑面１１Ｂが形成されているが、図３
ではこの空気潤滑面１１Ｂの部分は省略している。
ヘッド１０の具体的な形態の斜視図を図３に示す。この
図３は、光磁気ディスク５１の側から光磁気ヘッド１０
のスライダー１１を見た図である。尚、図１ではスライ
ダー１１に空気潤滑面１１Ｂが形成されているが、図３
ではこの空気潤滑面１１Ｂの部分は省略している。
【００３３】レーザ光Ｌを通すための円柱状の光透過部
１６の周囲に、ドーナツ状に磁界発生ヨーク１５が設け
られ、その下に薄膜コイル１４が配置されている。
１６の周囲に、ドーナツ状に磁界発生ヨーク１５が設け
られ、その下に薄膜コイル１４が配置されている。
【００３４】現在の光磁気ディスク５１用には、この光
透過部１６の径を例えば５０μｍφとする。また、薄膜
コイル１４を２層構造の３４ターン（巻き数）とする。
透過部１６の径を例えば５０μｍφとする。また、薄膜
コイル１４を２層構造の３４ターン（巻き数）とする。
【００３５】薄膜コイル１４からは、配線１７Ａ，１７
Ｂが延びており、それぞれ端子部１８Ａ，１８Ｂに接続
されている。薄膜コイル１４、磁界発生ヨーク１５、並
びに配線１７Ａ，１７Ｂは、スライダー１１に形成され
た溝の内部に配置されている。端子部１８Ａ，１８Ｂ
は、スライダー１１の側面にも臨むように斜めに形成さ
れた溝内に、第１の金属１例えば金及び第２の金属２例
えば銅がそれぞれ埋め込まれて形成されている。配線１
７Ａ，１７Ｂは、端子部１８Ａ，１８Ｂの第２の金属
（例えば銅）２に接続されている。
Ｂが延びており、それぞれ端子部１８Ａ，１８Ｂに接続
されている。薄膜コイル１４、磁界発生ヨーク１５、並
びに配線１７Ａ，１７Ｂは、スライダー１１に形成され
た溝の内部に配置されている。端子部１８Ａ，１８Ｂ
は、スライダー１１の側面にも臨むように斜めに形成さ
れた溝内に、第１の金属１例えば金及び第２の金属２例
えば銅がそれぞれ埋め込まれて形成されている。配線１
７Ａ，１７Ｂは、端子部１８Ａ，１８Ｂの第２の金属
（例えば銅）２に接続されている。
【００３６】そして、例えば金から成る導線（図示せ
ず）を、端子部１８Ａ，１８Ｂの側面（第１の金属１が
臨む）にワイヤボンディング等により接続して、薄膜コ
イル１４（１４Ａ，１４Ｂ）に磁界を発生させるための
電流を外部から供給することができる。
ず）を、端子部１８Ａ，１８Ｂの側面（第１の金属１が
臨む）にワイヤボンディング等により接続して、薄膜コ
イル１４（１４Ａ，１４Ｂ）に磁界を発生させるための
電流を外部から供給することができる。
【００３７】さらに、スライダー１１の光磁気ディスク
５１とは反対側に図１に示したようなレンズ１２を設け
る。
５１とは反対側に図１に示したようなレンズ１２を設け
る。
【００３８】さらに、図４に図２の磁界印加手段１３の
詳細な構成を示す。この図４では磁界印加手段の中心部
から一方の側のみを示しており、スライダー１１の摺動
面（ＡＢＳ面）１１Ａ側を上にしている。図２と同様
に、第１の薄膜コイル１４Ａ及び第２の薄膜コイル１４
Ｂにより、２段の薄膜コイル１４が形成されており、こ
の薄膜コイル１４をコ字状に囲むように磁性材（例えば
パーマロイ）から成る磁界発生ヨーク１５が配置されて
いる。
詳細な構成を示す。この図４では磁界印加手段の中心部
から一方の側のみを示しており、スライダー１１の摺動
面（ＡＢＳ面）１１Ａ側を上にしている。図２と同様
に、第１の薄膜コイル１４Ａ及び第２の薄膜コイル１４
Ｂにより、２段の薄膜コイル１４が形成されており、こ
の薄膜コイル１４をコ字状に囲むように磁性材（例えば
パーマロイ）から成る磁界発生ヨーク１５が配置されて
いる。
【００３９】磁界発生ヨーク１５は、摺動面１１Ａ側の
第１の部分１５Ａと、摺動面１１Ａとは反対側の第２の
部分１５Ｂと、薄膜コイル１４の外側に斜めに配置され
た第３の部分１５Ｃとを有している。磁界発生ヨークの
第１の部分１５Ａは、磁界印加手段１３の磁界中心から
長さＤ１の開口を有している。磁界発生ヨークの第２の
部分１５Ｂは、磁界印加手段１３の磁界中心から長さＤ
２の開口を有している。この場合は、第１の部分１５Ａ
の方が第２の部分１５Ｂよりも、長さＤ３（＝Ｄ１−Ｄ
２）だけ開口が大きくなっている。
第１の部分１５Ａと、摺動面１１Ａとは反対側の第２の
部分１５Ｂと、薄膜コイル１４の外側に斜めに配置され
た第３の部分１５Ｃとを有している。磁界発生ヨークの
第１の部分１５Ａは、磁界印加手段１３の磁界中心から
長さＤ１の開口を有している。磁界発生ヨークの第２の
部分１５Ｂは、磁界印加手段１３の磁界中心から長さＤ
２の開口を有している。この場合は、第１の部分１５Ａ
の方が第２の部分１５Ｂよりも、長さＤ３（＝Ｄ１−Ｄ
２）だけ開口が大きくなっている。
【００４０】磁界発生ヨークの第１の部分１５Ａの開口
を通じて、記録媒体に強度や分布が制御された磁界を印
加することができる。
を通じて、記録媒体に強度や分布が制御された磁界を印
加することができる。
【００４１】また、磁界発生ヨーク１５の各部分１５
Ａ，１５Ｂの開口の長さＤ１，Ｄ２を調整する（適当な
差Ｄ３を付ける）ことにより、光磁気ディスク５１に最
適な分布の磁界を印加することが可能になる。
Ａ，１５Ｂの開口の長さＤ１，Ｄ２を調整する（適当な
差Ｄ３を付ける）ことにより、光磁気ディスク５１に最
適な分布の磁界を印加することが可能になる。
【００４２】続いて、図３に示す光磁気ヘッド１０の製
造工程を図５〜図９に示す。尚、図５〜図９も図３と同
様に光磁気ディスク５１に近い側即ちスライダー１１の
摺動面１１Ａ側から見た図である。そして、以下光磁気
ディスク５１に近い方を上、遠い方を下と定義して説明
する。
造工程を図５〜図９に示す。尚、図５〜図９も図３と同
様に光磁気ディスク５１に近い側即ちスライダー１１の
摺動面１１Ａ側から見た図である。そして、以下光磁気
ディスク５１に近い方を上、遠い方を下と定義して説明
する。
【００４３】まず、基板として、記録・再生用に使用す
るレーザ光Ｌを集光するレンズ（図１の１２）と同じ屈
折率を有するガラス基板を使用する。尚、この基板は、
多数の光磁気ヘッド１０を一括して作製するものであ
り、最終的に切断されて個々のスライダー１１に分離さ
れるものである。
るレーザ光Ｌを集光するレンズ（図１の１２）と同じ屈
折率を有するガラス基板を使用する。尚、この基板は、
多数の光磁気ヘッド１０を一括して作製するものであ
り、最終的に切断されて個々のスライダー１１に分離さ
れるものである。
【００４４】次に、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ガラ
ス基板３１に薄膜コイル１４とアンプ等の回路との間を
電気的に接続するための端子部を、パウダービームを用
いて形成する（特願２０００−４６８３４号参照）。具
体的には、ガラス基板３１の主面上に、レジスト（図示
せず）を形成し、さらに端子部に対応する部分に開口を
有するマスク（図示せず）を使用して、露光・現像して
パターニングする。これにより、レジストの端子部に対
応する部分に開口部が形成される。その後、レジストを
充分に乾燥させ、さらにベーキング処理を行う。
ス基板３１に薄膜コイル１４とアンプ等の回路との間を
電気的に接続するための端子部を、パウダービームを用
いて形成する（特願２０００−４６８３４号参照）。具
体的には、ガラス基板３１の主面上に、レジスト（図示
せず）を形成し、さらに端子部に対応する部分に開口を
有するマスク（図示せず）を使用して、露光・現像して
パターニングする。これにより、レジストの端子部に対
応する部分に開口部が形成される。その後、レジストを
充分に乾燥させ、さらにベーキング処理を行う。
【００４５】次に、レジストが形成されたガラス基板３
１の主面に対して、研磨剤を圧縮空気中に分散させた噴
流（パウダービーム）を所定角度で斜めに噴射する。こ
れにより、ガラス基板３１がエッチングされる。その
後、レジストマスクを除去することにより、図５Ａに示
すように、ガラス基板３１に深さ方向に底面が傾斜した
端子溝３２が形成される。
１の主面に対して、研磨剤を圧縮空気中に分散させた噴
流（パウダービーム）を所定角度で斜めに噴射する。こ
れにより、ガラス基板３１がエッチングされる。その
後、レジストマスクを除去することにより、図５Ａに示
すように、ガラス基板３１に深さ方向に底面が傾斜した
端子溝３２が形成される。
【００４６】続いて、ガラス基板３１を洗浄して乾燥さ
せた後、その上に全面的にスパッタ法によりメッキ下地
膜（図示せず）例えばＣｒ／Ｃｕの積層膜を形成する。
さらに、メッキ下地膜上にレジスト（図示せず）を形成
し、端子溝３２上に端子溝３２より一回り大きい開口部
を形成する。その後、レジストを充分に乾燥させ、さら
にベーキング処理を行う。
せた後、その上に全面的にスパッタ法によりメッキ下地
膜（図示せず）例えばＣｒ／Ｃｕの積層膜を形成する。
さらに、メッキ下地膜上にレジスト（図示せず）を形成
し、端子溝３２上に端子溝３２より一回り大きい開口部
を形成する。その後、レジストを充分に乾燥させ、さら
にベーキング処理を行う。
【００４７】次に、端子溝３２の深さよりやや厚い膜厚
で、メッキ膜として第１の金属及び第２の金属を順次成
膜する。即ち第１の金属として例えば金を５０μｍの厚
さに、第２の金属として例えば銅を２５０μｍの厚さに
順次メッキにより成膜する。その後、レジストを除去す
ることにより、図５Ｂに示すように、端子溝３２の内部
及びその周囲のガラス基板３１上に、第１の金属３３及
び第２の金属３４が積層形成される。
で、メッキ膜として第１の金属及び第２の金属を順次成
膜する。即ち第１の金属として例えば金を５０μｍの厚
さに、第２の金属として例えば銅を２５０μｍの厚さに
順次メッキにより成膜する。その後、レジストを除去す
ることにより、図５Ｂに示すように、端子溝３２の内部
及びその周囲のガラス基板３１上に、第１の金属３３及
び第２の金属３４が積層形成される。
【００４８】続いて、ガラス基板３１を洗浄して乾燥さ
せた後、ガラス基板３１の表面が望む位置まで研磨して
平坦化することにより、図５Ｃに示すように、端子溝３
２内に第１の金属３３及び第２の金属３４が残る。
せた後、ガラス基板３１の表面が望む位置まで研磨して
平坦化することにより、図５Ｃに示すように、端子溝３
２内に第１の金属３３及び第２の金属３４が残る。
【００４９】ここで、図６Ｄ以降は、１つのスライダー
１１の部分を抽出して図示する。次に、図６Ｄに示すよ
うに、ガラス基板３１（スライダー１１）にイオンエッ
チングにより溝３５を形成する。この溝３５は、端子部
及び配線の形成溝３５Ａとコイル形成溝３５Ｂとに大別
される。このとき、コイル形成溝３５Ｂをドーナツ状に
形成することにより、中央部に円柱状の光透過部１６が
形成される。
１１の部分を抽出して図示する。次に、図６Ｄに示すよ
うに、ガラス基板３１（スライダー１１）にイオンエッ
チングにより溝３５を形成する。この溝３５は、端子部
及び配線の形成溝３５Ａとコイル形成溝３５Ｂとに大別
される。このとき、コイル形成溝３５Ｂをドーナツ状に
形成することにより、中央部に円柱状の光透過部１６が
形成される。
【００５０】尚、このとき、ガラス基板３１に例えば４
０μｍの深さの溝３５を形成する必要があるが、ガラス
に対するエッチングレートが５μｍ／ｈと遅いため、連
続で４０μｍのエッチングを行うと、ガラス基板３１表
面の温度が上昇してレジストに発泡を生じてパターンが
変形する問題が発生する。また、レジストには例えばノ
ボラック系のポジ型レジストを使用できるが、レジスト
を３０μｍ以上と厚く塗布した場合には微細パターンを
形成することが困難である。そこで、通常は１０μｍ毎
のエッチングを４回行って、合計４０μｍのエッチング
を行う。
０μｍの深さの溝３５を形成する必要があるが、ガラス
に対するエッチングレートが５μｍ／ｈと遅いため、連
続で４０μｍのエッチングを行うと、ガラス基板３１表
面の温度が上昇してレジストに発泡を生じてパターンが
変形する問題が発生する。また、レジストには例えばノ
ボラック系のポジ型レジストを使用できるが、レジスト
を３０μｍ以上と厚く塗布した場合には微細パターンを
形成することが困難である。そこで、通常は１０μｍ毎
のエッチングを４回行って、合計４０μｍのエッチング
を行う。
【００５１】次に、図６Ｅに示すように、コイル形成溝
３５Ｂの内部にフレームメッキによりパーマロイを成膜
して、磁界発生ヨーク１５の第２の部分１５Ｂとなる磁
性膜３７を形成する。このときのメッキの厚さは３〜４
μｍ程度あればよい。また、磁性膜３７のパターンは、
図６Ｅに示すように、コイル形成溝３５Ｂより少し小さ
くする。
３５Ｂの内部にフレームメッキによりパーマロイを成膜
して、磁界発生ヨーク１５の第２の部分１５Ｂとなる磁
性膜３７を形成する。このときのメッキの厚さは３〜４
μｍ程度あればよい。また、磁性膜３７のパターンは、
図６Ｅに示すように、コイル形成溝３５Ｂより少し小さ
くする。
【００５２】次に、図６Ｆに示すように、薄膜コイルと
磁性膜３７との絶縁性を確保するために、レジスト膜３
８、例えば東京応化製のＡＺ−４４００を３０００ｒｐ
ｍにて約４μｍの厚さに塗布する。このとき、磁界発生
ヨークの第１の部分１５Ａと磁気的接合を行うために磁
界発生ヨークの第２の部分１５Ｂの磁性膜３７の外周部
（例えば約５μｍ：ただし、配線１７Ｂが磁界発生ヨー
クを横切る部分は、ヨークの外側１０μｍ程度まではレ
ジスト膜３８が残るようにして、ヨークと配線１７Ｂが
電気的に短絡することを防ぐ。）と光透過部１６にレジ
スト膜３８が残らないようにパターニングする。続い
て、真空中２８０℃付近でレジスト膜３８の硬化（レジ
ストキュア）を施す。このときに、磁性膜３７のパーマ
ロイの磁気特性を劣化させないように、４ｋＯｅ程度の
真空回転磁場中でレジスト膜３８の硬化を行ってもよ
い。
磁性膜３７との絶縁性を確保するために、レジスト膜３
８、例えば東京応化製のＡＺ−４４００を３０００ｒｐ
ｍにて約４μｍの厚さに塗布する。このとき、磁界発生
ヨークの第１の部分１５Ａと磁気的接合を行うために磁
界発生ヨークの第２の部分１５Ｂの磁性膜３７の外周部
（例えば約５μｍ：ただし、配線１７Ｂが磁界発生ヨー
クを横切る部分は、ヨークの外側１０μｍ程度まではレ
ジスト膜３８が残るようにして、ヨークと配線１７Ｂが
電気的に短絡することを防ぐ。）と光透過部１６にレジ
スト膜３８が残らないようにパターニングする。続い
て、真空中２８０℃付近でレジスト膜３８の硬化（レジ
ストキュア）を施す。このときに、磁性膜３７のパーマ
ロイの磁気特性を劣化させないように、４ｋＯｅ程度の
真空回転磁場中でレジスト膜３８の硬化を行ってもよ
い。
【００５３】次に、２層のコイル１４Ａ，１４Ｂのう
ち、下層のコイル１４Ｂをパターンメッキにより銅をメ
ッキして形成するために、スパッタ法によりメッキ成長
膜（メッキ下地膜）として例えば膜厚２０ｎｍのＣｒ膜
と膜厚１００ｎｍのＣｕ膜とを順次成膜する。このう
ち、Ｃｒ膜はレジストとＣｕ膜との間の密着性を改善す
るためのものであり、ＴｉやＴａ等でもよい。続いて、
溝３５Ｂの中に薄膜コイルを形成するために微細なレジ
ストパターンを形成する。例えば信越化学性のＳＩＰＲ
−９２７０を使用して、レジストを成膜した後に、第２
の薄膜コイル及びその配線のパターンを除去して（抜い
て）形成する。次に、メッキ膜３９として、硫酸銅液の
電界メッキ法により、例えばＣｕを３μｍの厚さに成膜
する。その後、レジストをアセトン等の溶剤により剥離
する。最後に全面をイオンエッチングによりエッチング
し、不要なメッキ成長層を除去する。
ち、下層のコイル１４Ｂをパターンメッキにより銅をメ
ッキして形成するために、スパッタ法によりメッキ成長
膜（メッキ下地膜）として例えば膜厚２０ｎｍのＣｒ膜
と膜厚１００ｎｍのＣｕ膜とを順次成膜する。このう
ち、Ｃｒ膜はレジストとＣｕ膜との間の密着性を改善す
るためのものであり、ＴｉやＴａ等でもよい。続いて、
溝３５Ｂの中に薄膜コイルを形成するために微細なレジ
ストパターンを形成する。例えば信越化学性のＳＩＰＲ
−９２７０を使用して、レジストを成膜した後に、第２
の薄膜コイル及びその配線のパターンを除去して（抜い
て）形成する。次に、メッキ膜３９として、硫酸銅液の
電界メッキ法により、例えばＣｕを３μｍの厚さに成膜
する。その後、レジストをアセトン等の溶剤により剥離
する。最後に全面をイオンエッチングによりエッチング
し、不要なメッキ成長層を除去する。
【００５４】このようにして、図７Ｇに示すように、メ
ッキ膜３９により、第２の薄膜コイル１４Ｂ及び配線１
７Ｂが形成され、配線１７Ｂが端子部１８Ｂを構成する
第２の金属２に接続される。
ッキ膜３９により、第２の薄膜コイル１４Ｂ及び配線１
７Ｂが形成され、配線１７Ｂが端子部１８Ｂを構成する
第２の金属２に接続される。
【００５５】次に、上下２つの薄膜コイル１４Ａ，１４
Ｂ間の絶縁を保つため、前述したレジスト膜３８形成と
同様の工程を行う。即ち図７Ｈに示すように、第２の薄
膜コイル１４Ｂを覆ってレジスト膜４０を形成する。た
だし、ここでは第１の薄膜コイル１４Ａと第２の薄膜コ
イル１４Ｂとの接続を可能にするため、第２の薄膜コイ
ル１４Ｂの配線１７Ｂと反対側の端部上に接続窓が形成
されるようにする。また、磁界発生ヨークの第１の部分
１５Ａと磁気的接合を行うために磁界発生ヨークの第２
の部分１５Ｂの磁性膜３７の外周部（例えば約５μｍ：
ただし、配線１７Ａが磁界発生ヨークを横切る部分は、
ヨークの外側１０μｍ程度まではレジスト膜４０が残る
ようにして、ヨークと配線１７Ａが電気的に短絡するこ
とを防ぐ。）と光透過部１６にレジスト膜４０が残らな
いようにパターニングする。その後、レジスト膜４０を
パターニングして、レジストキュアを施す。
Ｂ間の絶縁を保つため、前述したレジスト膜３８形成と
同様の工程を行う。即ち図７Ｈに示すように、第２の薄
膜コイル１４Ｂを覆ってレジスト膜４０を形成する。た
だし、ここでは第１の薄膜コイル１４Ａと第２の薄膜コ
イル１４Ｂとの接続を可能にするため、第２の薄膜コイ
ル１４Ｂの配線１７Ｂと反対側の端部上に接続窓が形成
されるようにする。また、磁界発生ヨークの第１の部分
１５Ａと磁気的接合を行うために磁界発生ヨークの第２
の部分１５Ｂの磁性膜３７の外周部（例えば約５μｍ：
ただし、配線１７Ａが磁界発生ヨークを横切る部分は、
ヨークの外側１０μｍ程度まではレジスト膜４０が残る
ようにして、ヨークと配線１７Ａが電気的に短絡するこ
とを防ぐ。）と光透過部１６にレジスト膜４０が残らな
いようにパターニングする。その後、レジスト膜４０を
パターニングして、レジストキュアを施す。
【００５６】次に、第１の薄膜コイル１４Ａを形成する
ために、Ｃｒ／Ｃｕのメッキ成長膜（メッキ下地膜）を
スパッタにて成膜、以降は前述と同様に工程を行う。即
ちメッキ成長膜上に第１の薄膜コイル１４Ａ及びその配
線に対応するレジストパターンを形成し、電界メッキに
よりメッキ膜４１例えばＣｕを成膜する。そして、レジ
ストを溶剤により除去してさらに不要なメッキ成長膜を
エッチオフすることにより、図７Ｉに示すように、メッ
キ膜４１により第１の薄膜コイル１４Ａ及びその配線１
７Ａが形成され、配線１７Ａが端子部１８Ａを構成する
第２の金属２に接続される。この時点で第１の薄膜コイ
ル１４Ａ及び第２の薄膜コイル１４Ｂから成る薄膜コイ
ル１４が完成する。
ために、Ｃｒ／Ｃｕのメッキ成長膜（メッキ下地膜）を
スパッタにて成膜、以降は前述と同様に工程を行う。即
ちメッキ成長膜上に第１の薄膜コイル１４Ａ及びその配
線に対応するレジストパターンを形成し、電界メッキに
よりメッキ膜４１例えばＣｕを成膜する。そして、レジ
ストを溶剤により除去してさらに不要なメッキ成長膜を
エッチオフすることにより、図７Ｉに示すように、メッ
キ膜４１により第１の薄膜コイル１４Ａ及びその配線１
７Ａが形成され、配線１７Ａが端子部１８Ａを構成する
第２の金属２に接続される。この時点で第１の薄膜コイ
ル１４Ａ及び第２の薄膜コイル１４Ｂから成る薄膜コイ
ル１４が完成する。
【００５７】次に、図８Ｊに示すように、磁界発生ヨー
クの第１の部分１５Ａの磁性層と第１の薄膜コイル１４
Ａとの間の絶縁を確保するために、レジストキュア膜４
２を形成する。このときも、磁界発生ヨークの第１の部
分１５Ａと磁気的接合を行うために磁界発生ヨークの第
２の部分１５Ｂの磁性膜３７の外周部（例えば約５μ
ｍ：ただし、配線１７Ａが磁界発生ヨークを横切る部分
は、ヨークの外側１０μｍ程度まではレジスト膜４２が
残るようにして、ヨークと配線１７Ａが電気的に短絡す
ることを防ぐ。）と光透過部１６にレジスト膜４２が残
らないようにパターニングする。
クの第１の部分１５Ａの磁性層と第１の薄膜コイル１４
Ａとの間の絶縁を確保するために、レジストキュア膜４
２を形成する。このときも、磁界発生ヨークの第１の部
分１５Ａと磁気的接合を行うために磁界発生ヨークの第
２の部分１５Ｂの磁性膜３７の外周部（例えば約５μ
ｍ：ただし、配線１７Ａが磁界発生ヨークを横切る部分
は、ヨークの外側１０μｍ程度まではレジスト膜４２が
残るようにして、ヨークと配線１７Ａが電気的に短絡す
ることを防ぐ。）と光透過部１６にレジスト膜４２が残
らないようにパターニングする。
【００５８】続いて、下層の磁性膜３７と同様に、磁性
膜４３としてフレームメッキによりパーマロイを厚さ４
μｍ程度に成膜し、これをパターニングすることによ
り、図８Ｋに示すように、磁性膜４３から成る磁界発生
ヨーク１５の第１の部分１５Ａを形成する。同時に、レ
ジスト膜３８，４０，４２に形成された開口の部分に磁
界発生ヨークの第３の部分１５Ｃが形成される。これに
より、薄膜コイル１４を略コ字上に囲う磁界発生ヨーク
１５が完成する。
膜４３としてフレームメッキによりパーマロイを厚さ４
μｍ程度に成膜し、これをパターニングすることによ
り、図８Ｋに示すように、磁性膜４３から成る磁界発生
ヨーク１５の第１の部分１５Ａを形成する。同時に、レ
ジスト膜３８，４０，４２に形成された開口の部分に磁
界発生ヨークの第３の部分１５Ｃが形成される。これに
より、薄膜コイル１４を略コ字上に囲う磁界発生ヨーク
１５が完成する。
【００５９】次に、保護膜４４として、溝３５の深さ程
度、例えば厚さ約４０μｍ程度のアルミナを成膜する。
その後、機械研磨により平坦化を施し、図８Ｌに示すよ
うに、ガラス基板３１の表面を再露出させる。これによ
り、溝３５内に保護膜４４が残る。
度、例えば厚さ約４０μｍ程度のアルミナを成膜する。
その後、機械研磨により平坦化を施し、図８Ｌに示すよ
うに、ガラス基板３１の表面を再露出させる。これによ
り、溝３５内に保護膜４４が残る。
【００６０】その後は、ガラス基板３１を最終的なチッ
プの厚さと同じ厚さに研磨して、ウェハから各チップに
切断し、また空気潤滑面１１Ｂを形成する加工を行っ
て、その後チップをサスペンションに接着する。
プの厚さと同じ厚さに研磨して、ウェハから各チップに
切断し、また空気潤滑面１１Ｂを形成する加工を行っ
て、その後チップをサスペンションに接着する。
【００６１】尚、磁界発生ヨークのうち側壁の第３の部
分１５Ｃは、全周にわたって形成する必要はなく、第１
の部分１５Ａ及び第２の部分１５Ｂが磁気的に連続すれ
ばよい。また、薄膜コイル１４の配線１７Ａ，１７Ｂと
磁界発生ヨーク１５が短絡することは好ましくない。従
って、磁界発生ヨーク１５の第３の部分１５Ｃは薄膜コ
イル１４の配線１７Ａ，１７Ｂの引き出し部分を避けて
形成する。そのためにレジスト膜３８，４０，４２は磁
界発生ヨーク１５と配線１７Ａ，１７Ｂが接触しないよ
うに、磁界発生ヨークの外周部でも配線１７Ａ，１７Ｂ
の上下に形成するようにする。
分１５Ｃは、全周にわたって形成する必要はなく、第１
の部分１５Ａ及び第２の部分１５Ｂが磁気的に連続すれ
ばよい。また、薄膜コイル１４の配線１７Ａ，１７Ｂと
磁界発生ヨーク１５が短絡することは好ましくない。従
って、磁界発生ヨーク１５の第３の部分１５Ｃは薄膜コ
イル１４の配線１７Ａ，１７Ｂの引き出し部分を避けて
形成する。そのためにレジスト膜３８，４０，４２は磁
界発生ヨーク１５と配線１７Ａ，１７Ｂが接触しないよ
うに、磁界発生ヨークの外周部でも配線１７Ａ，１７Ｂ
の上下に形成するようにする。
【００６２】ここで、本実施の形態の光磁気ヘッド１０
の構成と、図１０Ａ〜図１０Ｃに示す従来提案されてい
る光磁気ヘッドの構成について、記録媒体（光磁気ディ
スク）に印加される磁界の強度や分布について比較を行
った。
の構成と、図１０Ａ〜図１０Ｃに示す従来提案されてい
る光磁気ヘッドの構成について、記録媒体（光磁気ディ
スク）に印加される磁界の強度や分布について比較を行
った。
【００６３】まず、図４に示した本実施の形態の構成
と、図１０Ａに示すように磁界発生ヨーク７３が薄膜コ
イル７２の下側即ち記録媒体とは反対の側７３Ａ及び外
側７３Ｂに設けられた構成と、図１０Ｂに示すように磁
界発生ヨーク７３が薄膜コイル７２の下側即ち記録媒体
とは反対の側７３Ａ、外側７３Ｂ及び内側７３Ｃに設け
られた構成と、図１０Ｃに示すように磁界発生ヨーク７
３が薄膜コイル７２の下側即ち記録媒体とは反対の側の
みに設けられた構成について、磁界中心となる薄膜コイ
ルの中心における上下方向の磁界強度Ｈｙを計算して求
めた。
と、図１０Ａに示すように磁界発生ヨーク７３が薄膜コ
イル７２の下側即ち記録媒体とは反対の側７３Ａ及び外
側７３Ｂに設けられた構成と、図１０Ｂに示すように磁
界発生ヨーク７３が薄膜コイル７２の下側即ち記録媒体
とは反対の側７３Ａ、外側７３Ｂ及び内側７３Ｃに設け
られた構成と、図１０Ｃに示すように磁界発生ヨーク７
３が薄膜コイル７２の下側即ち記録媒体とは反対の側の
みに設けられた構成について、磁界中心となる薄膜コイ
ルの中心における上下方向の磁界強度Ｈｙを計算して求
めた。
【００６４】各構成とも薄膜コイル１４，７３の寸法や
巻き数、磁界発生ヨーク１５，７２の厚さ、並びにそれ
らの磁界中心からの距離は同一として、下記の条件とし
て計算を行った。 薄膜コイルの電流：７５ｍＡ 薄膜コイルの巻き数：３４ターン 薄膜コイルの幅：３μｍ 薄膜コイルの高さ：３μｍ 薄膜コイルの間隔：２μｍ 薄膜コイル−磁界発生ヨークの間隔：４μｍ 第１の薄膜コイル−第２の薄膜コイルの間隔：４μｍ 磁界発生ヨークの厚さ：２μｍ 磁界発生ヨークの透磁率：１０００ 光透過領域の径：５０μｍ そして、図４の摺動面１１Ａは磁界発生ヨークの第１の
部分１５Ａより１０μｍ上として、図１０Ａ〜図１０Ｃ
の構成も薄膜コイル７２から摺動面７１Ａまでの距離を
図４に合わせた。
巻き数、磁界発生ヨーク１５，７２の厚さ、並びにそれ
らの磁界中心からの距離は同一として、下記の条件とし
て計算を行った。 薄膜コイルの電流：７５ｍＡ 薄膜コイルの巻き数：３４ターン 薄膜コイルの幅：３μｍ 薄膜コイルの高さ：３μｍ 薄膜コイルの間隔：２μｍ 薄膜コイル−磁界発生ヨークの間隔：４μｍ 第１の薄膜コイル−第２の薄膜コイルの間隔：４μｍ 磁界発生ヨークの厚さ：２μｍ 磁界発生ヨークの透磁率：１０００ 光透過領域の径：５０μｍ そして、図４の摺動面１１Ａは磁界発生ヨークの第１の
部分１５Ａより１０μｍ上として、図１０Ａ〜図１０Ｃ
の構成も薄膜コイル７２から摺動面７１Ａまでの距離を
図４に合わせた。
【００６５】計算の結果は次の通り。
図４に示す構成：Ｈｙ＝２．１２×１０4 Ａ／ｍ（２７
０Ｏｅ） 図１０Ａに示す構成：Ｈｙ＝１．７３×１０4 Ａ／ｍ
（２２０Ｏｅ） 図１０Ｂに示す構成：Ｈｙ＝１．２６×１０4 Ａ／ｍ
（１６０Ｏｅ） 図１０Ｃに示す構成：Ｈｙ＝１．４１×１０4 Ａ／ｍ
（１８０Ｏｅ）
０Ｏｅ） 図１０Ａに示す構成：Ｈｙ＝１．７３×１０4 Ａ／ｍ
（２２０Ｏｅ） 図１０Ｂに示す構成：Ｈｙ＝１．２６×１０4 Ａ／ｍ
（１６０Ｏｅ） 図１０Ｃに示す構成：Ｈｙ＝１．４１×１０4 Ａ／ｍ
（１８０Ｏｅ）
【００６６】即ち図４に示すように、薄膜コイルの記録
媒体側にも磁界発生ヨークを設けて薄膜コイルの上下に
磁界発生ヨークを設けた方が、垂直磁界Ｈｙが強く、同
じ電流で強い磁界を記録媒体に印加することができるこ
とがわかる。
媒体側にも磁界発生ヨークを設けて薄膜コイルの上下に
磁界発生ヨークを設けた方が、垂直磁界Ｈｙが強く、同
じ電流で強い磁界を記録媒体に印加することができるこ
とがわかる。
【００６７】続いて、図４に示した本実施の形態におい
て、磁界発生ヨーク１５の第１の部分１５Ａと第２の部
分１５Ｂの開口部の長さの差Ｄ３を変化させて、垂直磁
界Ｈｙの強度の変化を調べた。また、比較例として、図
１０Ｃに示す構成についても同様の計算を行った。
て、磁界発生ヨーク１５の第１の部分１５Ａと第２の部
分１５Ｂの開口部の長さの差Ｄ３を変化させて、垂直磁
界Ｈｙの強度の変化を調べた。また、比較例として、図
１０Ｃに示す構成についても同様の計算を行った。
【００６８】計算の条件は、次のようにした。
薄膜コイルの電流：７５ｍＡ
薄膜コイルの巻き数：３４ターン
薄膜コイルの幅：３μｍ
薄膜コイルの高さ：３μｍ
薄膜コイルの間隔：２μｍ
薄膜コイル−磁界発生ヨークの間隔：４μｍ
第１の薄膜コイル−第２の薄膜コイルの間隔：４μｍ
磁界発生ヨークの厚さ：３μｍ
磁界発生ヨークの透磁率：１０００
光透過領域の径：５０μｍ
薄膜コイルの下側の磁界発生ヨークの内径（開口部の長
さＤ２）：６０μｍ（半径） 磁界発生ヨークの外径：２８５μｍ（半径） そして、上下の磁界発生ヨーク１５Ａ，１５Ｂの開口部
の長さの差Ｄ３を５μｍ，２０μｍ，４０μｍ，６０μ
ｍと変化させ、それぞれの場合で磁界発生ヨークの磁界
中心上の位置及び磁界中心から外側に２５μｍの位置
で、それぞれ薄膜コイルの下側の磁界発生ヨークから４
０μｍ離れた位置における磁界の強度を計算して求め
た。計算結果（垂直磁界Ｈｙの相対値）を表１に示す。
さＤ２）：６０μｍ（半径） 磁界発生ヨークの外径：２８５μｍ（半径） そして、上下の磁界発生ヨーク１５Ａ，１５Ｂの開口部
の長さの差Ｄ３を５μｍ，２０μｍ，４０μｍ，６０μ
ｍと変化させ、それぞれの場合で磁界発生ヨークの磁界
中心上の位置及び磁界中心から外側に２５μｍの位置
で、それぞれ薄膜コイルの下側の磁界発生ヨークから４
０μｍ離れた位置における磁界の強度を計算して求め
た。計算結果（垂直磁界Ｈｙの相対値）を表１に示す。
【００６９】
【表１】
【００７０】表１より、図４の構成では、下側の磁界発
生ヨーク１５Ｂから４０μｍ上の位置における垂直磁界
Ｈｙの強度は上下の磁界発生ヨークの開口部の長さの差
Ｄ３が２０μｍ（上側の磁界発生ヨーク１５Ａの内径８
０μｍ（半径）／下磁性層６０μｍ（半径））で最も強
い垂直磁界Ｈｙが得られる。この傾向は、磁界中心上で
も磁界中心から外側に２５μｍの位置でも同様にみられ
る。また、図４の構成では、図１０Ｃの構成と比較して
垂直磁界Ｈｙが強くなることがわかる。
生ヨーク１５Ｂから４０μｍ上の位置における垂直磁界
Ｈｙの強度は上下の磁界発生ヨークの開口部の長さの差
Ｄ３が２０μｍ（上側の磁界発生ヨーク１５Ａの内径８
０μｍ（半径）／下磁性層６０μｍ（半径））で最も強
い垂直磁界Ｈｙが得られる。この傾向は、磁界中心上で
も磁界中心から外側に２５μｍの位置でも同様にみられ
る。また、図４の構成では、図１０Ｃの構成と比較して
垂直磁界Ｈｙが強くなることがわかる。
【００７１】尚、他の条件が変化すれば、上下の磁界発
生ヨークの開口部の長さの差Ｄ３の最適値は変化する。
例えば薄膜コイルから光磁気ディスクの記録層５２まで
の距離が変わることにより、最適な垂直磁界Ｈｙが得ら
れる開口部の長さＤ１，Ｄ２も変化するため、開口部の
長さの差Ｄ３の最適値も変化する。その場合には、最適
な垂直磁界Ｈｙが得られるように、開口部の長さＤ１，
Ｄ２をそれぞれ設定すればよい。
生ヨークの開口部の長さの差Ｄ３の最適値は変化する。
例えば薄膜コイルから光磁気ディスクの記録層５２まで
の距離が変わることにより、最適な垂直磁界Ｈｙが得ら
れる開口部の長さＤ１，Ｄ２も変化するため、開口部の
長さの差Ｄ３の最適値も変化する。その場合には、最適
な垂直磁界Ｈｙが得られるように、開口部の長さＤ１，
Ｄ２をそれぞれ設定すればよい。
【００７２】上述の本実施の形態によれば、光磁気ヘッ
ド１０の磁界印加手段１３として、薄膜コイル１４に加
えて磁性材から成る磁界発生ヨーク１５を設けたことに
より、磁界発生ヨーク１５によって薄膜コイル１４から
発生する磁界を制御することができる。これにより、薄
膜コイル１４から発生する磁界の強度や分布を制御し
て、光磁気ディスク５１に印加することができる。
ド１０の磁界印加手段１３として、薄膜コイル１４に加
えて磁性材から成る磁界発生ヨーク１５を設けたことに
より、磁界発生ヨーク１５によって薄膜コイル１４から
発生する磁界を制御することができる。これにより、薄
膜コイル１４から発生する磁界の強度や分布を制御し
て、光磁気ディスク５１に印加することができる。
【００７３】さらに、磁界発生ヨーク１５の形状を、薄
膜コイル１４の記録媒体５１側の第１の部分１５Ａとそ
の反対側の第２の部分１５Ｂと、これら２つの部分１５
Ａ，１５Ｂとをつなぐ第３の部分１５Ｃとを有して、薄
膜コイル１４を略コ字状に覆う形状としたことにより、
磁界発生ヨーク１５の第１の部分１５Ａの開口から、強
度の大きい良好な分布の磁界を効率よく光磁気ディスク
５１に印加することができる。
膜コイル１４の記録媒体５１側の第１の部分１５Ａとそ
の反対側の第２の部分１５Ｂと、これら２つの部分１５
Ａ，１５Ｂとをつなぐ第３の部分１５Ｃとを有して、薄
膜コイル１４を略コ字状に覆う形状としたことにより、
磁界発生ヨーク１５の第１の部分１５Ａの開口から、強
度の大きい良好な分布の磁界を効率よく光磁気ディスク
５１に印加することができる。
【００７４】これにより、薄膜コイル１４の電磁変換効
率を向上することができ、薄膜コイル１４に同じ電流量
を供給しても、より強い磁界を光磁気ディスク５１に印
加することができる。また、薄膜コイル１４に供給する
電流量を従来より低減しても、光磁気ディスク５１に記
録を行うために必要な磁界を印加することが可能にな
る。これにより、高速で薄膜コイル１４を動作させるこ
とが可能な駆動用ＩＣを形成することも可能になり、薄
膜コイル１４を高速駆動させて、高記録密度に対応させ
ることができるようになる。
率を向上することができ、薄膜コイル１４に同じ電流量
を供給しても、より強い磁界を光磁気ディスク５１に印
加することができる。また、薄膜コイル１４に供給する
電流量を従来より低減しても、光磁気ディスク５１に記
録を行うために必要な磁界を印加することが可能にな
る。これにより、高速で薄膜コイル１４を動作させるこ
とが可能な駆動用ＩＣを形成することも可能になり、薄
膜コイル１４を高速駆動させて、高記録密度に対応させ
ることができるようになる。
【００７５】そして、本実施の形態の光磁気ヘッド１０
を備えてディスクドライブを形成して、光磁気ディスク
５１に対して情報の記録・再生を行う光磁気記録再生装
置を構成することにより、光磁気ヘッド１０の磁界印加
手段１３の薄膜コイル１４の電磁変換効率がよく、良好
な分布の磁界を光磁気ディスク５１に印加して、高い記
録密度の記録再生を行うことを可能にする。また、ディ
スクドライブの消費電力を低減して、光磁気記録再生装
置の消費電力を低減することが可能になる。
を備えてディスクドライブを形成して、光磁気ディスク
５１に対して情報の記録・再生を行う光磁気記録再生装
置を構成することにより、光磁気ヘッド１０の磁界印加
手段１３の薄膜コイル１４の電磁変換効率がよく、良好
な分布の磁界を光磁気ディスク５１に印加して、高い記
録密度の記録再生を行うことを可能にする。また、ディ
スクドライブの消費電力を低減して、光磁気記録再生装
置の消費電力を低減することが可能になる。
【００７６】尚、光透過部１６は、スライダー１１に穴
を貫通させて空洞にしてもよく、この場合も同様にレー
ザ光Ｌを透過させることが可能になる。ただし、光透過
部１６内にレンズを配置する場合には、レンズを汚れな
どから保護するために、空洞ではなく光学材料により光
透過部１６を構成した方がよい。
を貫通させて空洞にしてもよく、この場合も同様にレー
ザ光Ｌを透過させることが可能になる。ただし、光透過
部１６内にレンズを配置する場合には、レンズを汚れな
どから保護するために、空洞ではなく光学材料により光
透過部１６を構成した方がよい。
【００７７】また、光学材料により光透過部１６を構成
することにより、例えばニアフィールドの光学系にも対
応することが可能になる。
することにより、例えばニアフィールドの光学系にも対
応することが可能になる。
【００７８】上述の実施の形態では、光磁気ヘッド１０
が、部材２２とレール２３によりリニア駆動されて、光
磁気ディスク５１の内周部から外周部まで移動可能とな
っている構成としたが、その他の構成にも本発明を適用
することができる。例えば、光磁気ヘッドをアームに取
り付けて、アームの根元にある回動中心の周りにアーム
が回動動作することにより、光磁気ヘッドが光磁気ディ
スクの内周部から外周部まで移動可能となる構成として
もよい。
が、部材２２とレール２３によりリニア駆動されて、光
磁気ディスク５１の内周部から外周部まで移動可能とな
っている構成としたが、その他の構成にも本発明を適用
することができる。例えば、光磁気ヘッドをアームに取
り付けて、アームの根元にある回動中心の周りにアーム
が回動動作することにより、光磁気ヘッドが光磁気ディ
スクの内周部から外周部まで移動可能となる構成として
もよい。
【００７９】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
【００８０】
【発明の効果】上述の本発明の光磁気ヘッドによれば、
強度の強く良好な分布の磁界を効率よく記録媒体に印加
することができる。特に、磁性材から成る磁界発生ヨー
クが薄膜コイルの記録媒体とは反対の側のみに配置され
た従来の場合と比較して、磁界強度を向上させることが
できる。
強度の強く良好な分布の磁界を効率よく記録媒体に印加
することができる。特に、磁性材から成る磁界発生ヨー
クが薄膜コイルの記録媒体とは反対の側のみに配置され
た従来の場合と比較して、磁界強度を向上させることが
できる。
【００８１】また、本発明の光磁気記録再生装置によれ
ば、ディスクドライブの消費電力を低減して、光磁気記
録再生装置の消費電力の低減を図ることができる。従っ
て、磁界印加手段の薄膜ヘッドを高速駆動して高い記録
密度の記録再生を行うことが可能になる。
ば、ディスクドライブの消費電力を低減して、光磁気記
録再生装置の消費電力の低減を図ることができる。従っ
て、磁界印加手段の薄膜ヘッドを高速駆動して高い記録
密度の記録再生を行うことが可能になる。
【図１】本発明の一実施の形態の光磁気記録再生装置の
要部（光磁気ヘッド付近）の概略構成図である。
要部（光磁気ヘッド付近）の概略構成図である。
【図２】図１の磁界印加手段付近の拡大図である。
【図３】図１及び図２に示した構成の光磁気ヘッド１０
の具体的な形態の斜視図である。
の具体的な形態の斜視図である。
【図４】図２の磁界印加手段の詳細な構成を示す図であ
る。
る。
【図５】Ａ〜Ｃ 図３の光磁気ヘッドの製造方法を示す
製造工程図である。
製造工程図である。
【図６】Ｄ〜Ｆ 図３の光磁気ヘッドの製造方法を示す
製造工程図である。
製造工程図である。
【図７】Ｇ〜Ｉ 図３の光磁気ヘッドの製造方法を示す
製造工程図である。
製造工程図である。
【図８】Ｊ〜Ｌ 図３の光磁気ヘッドの製造方法を示す
製造工程図である。
製造工程図である。
【図９】本発明に適用される光磁気ディスクの断面構造
の一形態を示す図である。
の一形態を示す図である。
【図１０】Ａ〜Ｃ 薄膜コイルに磁界発生ヨークを設け
た従来の光磁気ヘッドの概略構成図である。
た従来の光磁気ヘッドの概略構成図である。
１０ 光磁気ヘッド、１１ スライダー、１１Ａ 摺動
面、１２ レンズ、１３磁界印加手段、１４ 薄膜コイ
ル、１４Ａ 第１の薄膜コイル、１４Ｂ 第２の薄膜コ
イル、１５ 磁界発生ヨーク、１６ 光透過部、３１
基板、５１ 光磁気ディスク、５２ 記録層、Ｌ レー
ザ光
面、１２ レンズ、１３磁界印加手段、１４ 薄膜コイ
ル、１４Ａ 第１の薄膜コイル、１４Ｂ 第２の薄膜コ
イル、１５ 磁界発生ヨーク、１６ 光透過部、３１
基板、５１ 光磁気ディスク、５２ 記録層、Ｌ レー
ザ光
Claims (5)
- 【請求項１】 記録媒体上を浮上走行するスライダー
に、光を透過させる光透過部が設けられ、 上記光透過部の周囲に磁界印加手段が配置され、 上記磁界印加手段は、薄膜コイルと、該薄膜コイルの上
記記録媒体側及び上記記録媒体と反対の側にそれぞれ配
置された磁界発生ヨークの磁性材とから成ることを特徴
とする光磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記磁界発生ヨークの磁性材は、上記記
録媒体側の部分と上記記録媒体と反対の側の部分とが磁
気的に接続されるように、連続して形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記磁界発生ヨークの磁性材は、上記光
透過部の上記記録媒体側の開口径を上記記録媒体と反対
の側の開口径よりも大とされたことを特徴とする請求項
１に記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４】 上記薄膜コイルが２層のコイルにより構
成されていることを特徴とする請求項１に記載の光磁気
ヘッド。 - 【請求項５】 記録媒体上を浮上走行するスライダー
に、光を透過させる光透過部が設けられ、 上記光透過部の周囲に磁界印加手段が配置され、 上記磁界印加手段は、薄膜コイルと、該薄膜コイルの上
記記録媒体側及び上記記録媒体と反対の側にそれぞれ配
置された磁界発生ヨークの磁性材とから成る光磁気ヘッ
ドを備え、 上記記録媒体に対して光磁気記録による情報の記録・再
生を行うことを特徴とする光磁気記録再生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001186971A JP2003006954A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | 光磁気ヘッド及び光磁気記録再生装置 |
| US10/171,074 US20030016592A1 (en) | 2001-06-20 | 2002-06-13 | Magneto-optical head and magneto-optical read/write apparatus |
| US11/135,913 US20050213437A1 (en) | 2001-06-20 | 2005-05-24 | Magneto-optical head and magneto-optical read/write apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001186971A JP2003006954A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | 光磁気ヘッド及び光磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003006954A true JP2003006954A (ja) | 2003-01-10 |
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ID=19026335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001186971A Pending JP2003006954A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | 光磁気ヘッド及び光磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2003006954A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0520723A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 光磁気記録型記録装置の浮動ヘツド |
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| US5886959A (en) * | 1997-04-18 | 1999-03-23 | Read-Rite Corporation | Thin-film electro-magnetic coil design for use in a flying magneto-optical head |
| US6307818B1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-10-23 | Seagate Technology Llc | Magneto-optical head with integral mounting of lens holder and coil |
| JP4165013B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | カタディオプトリックレンズ、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
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2001
- 2001-06-20 JP JP2001186971A patent/JP2003006954A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-13 US US10/171,074 patent/US20030016592A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-05-24 US US11/135,913 patent/US20050213437A1/en not_active Abandoned
Also Published As
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031224 |