JP2003003252A

JP2003003252A - アーク式イオンプレーティング装置

Info

Publication number: JP2003003252A
Application number: JP2001192239A
Authority: JP
Inventors: Naoto Okazaki; 尚登岡崎; Kazuhiko Irisawa; 一彦入澤; Nobuhiko Nakamura; 信彦中村; Kazunori Hikawa; 和紀飛川; Satoshi Otani; 聡大谷
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 2001-06-26
Filing date: 2001-06-26
Publication date: 2003-01-08

Abstract

(57)【要約】【課題】基体に対する冷却性能を高めて、成膜時の基
体の温度上昇による劣化等を防止する。【解決手段】このアーク式イオンプレーティング装置
は、回転軸４ａの真空容器２内側の端部に取り付けられ
ていて、回転軸４ａの冷媒流路６よりも広い面積の冷媒
流路３６を内部に有しており、かつ回転軸４ａの冷媒流
路６との間で冷媒１６の受け渡しが行われる冷却器３４
を備えている。そしてこの冷却器３４に、成膜しようと
する基体２０を保持する回転テーブル１８を取り付けて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、アーク式蒸発源
を用いたアーク式イオンプレーティング法によって、例
えば工具、機械部品、金型、外装部品等の基体の耐摩耗
性、摺動性、耐焼き付き性、装飾性等を向上させるため
に、基体の表面に薄膜を形成するアーク式イオンプレー
ティング装置に関し、より具体的には、基体の温度上昇
による劣化等を防止する手段に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のアーク式イオンプレーティング
装置の従来例を図７に示す。このアーク式イオンプレー
ティング装置は、真空に排気される真空容器２と、この
真空容器２を貫通する回転軸４と、この回転軸４の真空
容器内側の端部に取り付けられていて成膜しようとする
基体２０を保持する回転テーブル１８と、真空容器２外
に設けられていて回転軸４を回転（矢印Ａはその回転方
向の一例を示す）させる回転駆動装置１２と、真空容器
２の壁面に回転テーブル上の（または後述する冷却器３
４上の。以下同じ）基体２０に向けて取り付けられたア
ーク式蒸発源２２とを備えている。

【０００３】回転テーブル１８を設けているのは、当該
回転テーブル１８に大型の基体２０や複数の基体２０を
保持して当該基体２０を矢印Ａのように回転させること
ができ、それによって基体２０に均一性良く成膜するこ
とが可能になるからである。

【０００４】回転軸４は、真空シール機能を有する軸受
８によって支えられており、かつ絶縁物１０によって真
空容器２から電気的に絶縁されている。回転テーブル１
８上の基体２０には、バイアス電源３２から回転軸４を
経由して、例えば−数百Ｖ程度の負のバイアス電圧が印
加される。

【０００５】アーク式蒸発源２２は、陰極２４とこの例
では陽極を兼ねる真空容器２との間の真空アーク放電に
よって、陰極２４を局所的に溶解させて陰極物質２６を
蒸発させるものである。このとき、陰極物質２６の一部
はイオン化される。２８は絶縁物、３０はアーク電源で
ある。このようなアーク式蒸発源２２は、１台以上、通
常は複数台設けられる。

【０００６】基体２０の形状、数等は任意である。

【０００７】イオン化した陰極物質２６は、基体２０に
印加された負バイアス電圧等によって基体２０に引き込
まれて衝突して堆積し、基体２０の表面に薄膜が形成さ
れる。その場合、真空容器２内に反応性ガスを導入して
おくと、それと陰極物質２６とが反応して、基体２０の
表面に化合物薄膜が形成される。このような手法によっ
て、例えば、ＴiＮ、ＴiＣＮ、ＴiＡlＮ、ＣrＮ、Ｃ等
の薄膜を形成することができ、これによって基体２０の
耐摩耗性、摺動性、耐焼き付き性、装飾性等を向上させ
ることができる。

【０００８】その場合従来は、膜の密着性向上等のため
に、成膜直前または成膜時に、ヒータやイオンボンバー
ド（イオン化した陰極物質２６を大きな負バイアス電圧
によって基体２０に強く衝突させること）によって、基
体２０を積極的に加熱することが通常行われていた。

【０００９】このようにして基体２０を加熱すると、熱
伝導によって回転軸４および軸受８も加熱される。この
回転軸４および軸受８を冷却するために、特に軸受８を
冷却して保護するために、従来は、回転軸４内に、真空
容器２の外部から軸受８付近にまで通じる往復の冷媒流
路６を設けて、そこに冷却水等の冷媒１６を流してい
た。この回転軸４に対する冷媒１６の受け渡しは、真空
容器２外に設けられた公知のロータリーフィード装置１
４によって行われる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】アーク式蒸発源２２を
用いた上記のようなアーク式イオンプレーティング装置
では、ヒータ加熱やイオンボンバード加熱を行わなくて
も、成膜時に、イオン化した陰極物質２６の入射衝突に
よって基体２０は不可避的に加熱される。

【００１１】そのために、耐熱性の低い基体（例えばア
ルミニウム、マグネシウム合金、低温焼き戻し鋼、プラ
スチック等の材料から成る基体）２０に成膜する場合、
基体２０の温度上昇が大きくなり過ぎて、基体２０の硬
度等の特性が劣化したり、熱によって基体２０が変形す
る等、基体２０が劣化するという課題がある。

【００１２】回転軸４内に冷媒１６を流していても、上
記構造では基体２０に対する冷却性能は悪いので、基体
２０の温度上昇が大きくなり過ぎていた。例えば、アル
ミニウムでは約３００℃、マグネシウム合金および低温
焼き戻し鋼では約２００℃、プラスチックでは約１５０
℃を越えると劣化するけれども、従来の装置では成膜時
の基体２０の温度は３００℃を越えてしまっていた。

【００１３】また、高速度工具鋼等の比較的熱に強い基
体２０の場合でも、成膜速度を上げる（例えば、多数の
アーク式蒸発源２２を同時に用いて、大きなアーク放電
電流で成膜する）ような条件では、成膜時の基体２０の
温度上昇が大きくなり過ぎて、その硬度低下等の劣化が
見られた。

【００１４】更に、成膜後に基体２０の温度が下がって
取り出せるようになるまでに長時間を要するので、サイ
クルタイム（基体２０を真空容器２に入れてから成膜し
た後に取り出すまでに要する時間）が長く、生産性が悪
いという課題もあった。

【００１５】そこでこの発明は、基体に対する冷却性能
を高めて、成膜時の基体の温度上昇による劣化等を防止
することを主たる目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に係るアーク式
イオンプレーティング装置は、その概要を述べれば、前
述したような回転軸の真空容器内側の端部に取り付けら
れていて、回転軸の冷媒流路よりも広い面積の冷媒流路
を内部に有しており、かつ回転軸の冷媒流路との間で冷
媒の受け渡しが行われる冷却器を備えており、この冷却
器に、（ａ）基体を直接取り付けたり、（ｂ）基体を保
持する回転テーブルを取り付けたり、（ｃ）基体を保持
し回転させる第２回転軸を取り付けたり、（ｄ）ブッシ
ュを用いて基体を保持したりしていることを特徴として
いる。

【００１７】上記構成によれば、いずれの場合も、回転
軸の冷媒流路よりも広い面積の冷媒流路を内部に有する
冷却器を備えているので、回転軸内の途中までしか冷媒
を流さない従来の装置に比べて、基体に対する冷却性能
が大幅に向上する。その結果、成膜時の基体の温度上昇
による劣化を防止することができる。しかも、成膜後の
基体の冷却に要する時間が短縮され、それによってサイ
クルタイムを短縮することができるので、生産性も向上
する。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るアーク式
イオンプレーティング装置の一例を示す断面図である。
図７に示した従来例と同一または相当する部分には同一
符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主
に説明する。

【００１９】この例のアーク式イオンプレーティング装
置は、前述した回転軸４に代わる回転軸４ａを有してい
る。この回転軸４ａは、その内部に、前述したロータリ
ーフィード装置１４から後述する冷却器３４まで通じて
いる往復の冷媒流路６を有している。その他は、前述し
た回転軸４と同様である。

【００２０】この回転軸４ａの真空容器内側の端部に、
この例では、回転軸４ａよりも広がった冷却器３４を取
り付けている。この冷却器３４は、回転軸４ａの冷媒流
路６よりも広い面積の冷媒流路３６を内部に有してい
る。即ち、回転軸４ａの往復の冷媒流路６の合計の水平
断面積をＳ₁とし、冷却器３４の上部の冷媒流路３６の
水平断面積をＳ₂とした場合、Ｓ₁＜Ｓ₂としている。
この関係は、他の例においても同じく保たれている。

【００２１】この冷却器３４は、回転軸４ａの冷媒流路
６との間で冷媒１６の受け渡しが行われる。即ち、回転
軸４ａの往路の冷媒流路６から冷媒１６の供給を受け、
当該冷媒１６を冷媒流路３６に流し、そして回転軸４ａ
の復路の冷媒流路６に冷媒１６を返す（排出する）。こ
の冷却器３４の内部には、この例では、行きの冷媒１６
と帰りの冷媒１６とを分離する（混じらないようにす
る）仕切板３８が設けられている。

【００２２】この冷却器３６の上部に、成膜しようとす
る基体２０を保持する前述した回転テーブル１８が取り
付けられている。この回転テーブル１８は、冷却器３４
に着脱可能に取り付けるのが好ましい。この例では、両
者の取付け部５０で着脱可能にしている。このようにす
れば、回転テーブル１８から上をそっくり取り外すこと
ができるので、回転テーブル１８に基体２０を取り付け
たり取り外したりする作業が、即ち基体２０の交換作業
が容易になる。

【００２３】このアーク式イオンプレーティング装置に
よれば、回転軸４ａの冷媒流路６よりも広い面積の冷媒
流路３６を有する冷却器３４を備えていて、基体２０の
より近くから、しかもより広い面積で、基体２０を冷媒
１６によって冷却することができるので、図７に示した
ような、回転軸４内の途中までしか冷媒１６を流さない
従来の装置に比べて、基体２０に対する冷却性能が大幅
に向上する。その結果、成膜時の基体２０の温度上昇に
よる特性劣化、変形等の劣化を防止することができる。

【００２４】しかも、成膜後の基体２０の冷却に要する
時間が短縮され、それによって、サイクルタイムを短縮
することができるので、生産性も向上する。

【００２５】また、基体２０の表面に形成する膜がダイ
ヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）膜の場合、成膜時の基体
２０の温度が高い状態では、ＤＬＣがそれよりも硬度の
低いグラファイトに変化する等の理由によって、硬度の
高いカーボン膜を得ることが従来の装置では困難であっ
たけれども、このアーク式イオンプレーティング装置に
よれば、成膜時の基体２０の温度を下げることができる
ので、ＤＬＣを多く含み硬度の高いカーボン膜を形成す
ることが可能になる。

【００２６】図２は、この発明に係るアーク式イオンプ
レーティング装置の冷却器周りの他の例を示す断面図で
ある。先の例との相違点を主体に説明すると、この例
は、前述した回転テーブル１８を介在させずに、冷却器
３４に基体２０を直接設置する（保持させる）ものであ
る。このようにすると、回転テーブル１８を介在させる
ことなく冷却器３４によって基体２０を直接冷却するこ
とができるので、図１の例よりも基体２０に対する冷却
性能がより向上する。

【００２７】図３は、この発明に係るアーク式イオンプ
レーティング装置の冷却器周りの更に他の例を示す断面
図である。先の例との相違点を主体に説明すると、この
例は、冷却器３４の上部に回転自在（矢印Ｂはその回転
方向の一例を示す）に設けられていて基体２０をそれぞ
れ保持する複数の第２回転軸４０と、この各第２回転軸
４０を基体２０と共に回転させる回転機構４２とを備え
ている。

【００２８】回転機構４２は、例えば実開平３−８１３
５７号公報にも記載されているように、各第２回転軸４
０に横に張り出すように取り付けられた複数本（例えば
４本）のアーム４４と、回転軸４ａおよび冷却器３４等
が矢印Ａのように回転したときにこのアーム４４に当た
って第２回転軸４０を矢印Ｂのように回転（自転）させ
るキッカー４６とを備えている。

【００２９】この図３の例は、第２回転軸４０を介する
分、図２の例よりも基体２０に対する冷却性能は低下す
るけれども、各基体２０を、矢印Ａに示す回転（公転）
と矢印Ｂに示す回転（自転）の両方に回転させることが
できるので、各基体２０に対する成膜の均一性をより向
上させることができる。

【００３０】図３の例のような第２回転軸４０を設ける
代わりに、図４に示す例のように、冷却器３４の上部内
に埋め込まれていて基体２０の下部を回転自在（矢印Ｂ
はその回転方向の一例を示す）に保持する複数のブッシ
ュ４８を設けても良い。この場合は、前記回転機構４２
を構成するアーム４４によって各基体２０を回転させ
る。

【００３１】この構造によれば、各基体２０を回転させ
ることができると共に、各基体２０の下部がブッシュ４
８と共に冷却器３４内に差し込まれた構造になるので、
冷却器３４内を流れる冷媒１６による各基体２０に対す
る冷却性能が図３の例よりも向上する。

【００３２】各第２回転軸４０内に、図６に示す例のよ
うに、往復の冷媒流路４１をそれぞれ設け、かつこの各
回転軸４０と冷却器３４との間で冷媒１６の受け渡し
（供給および排出）をそれぞれ行う複数の第２ロータリ
ーフィード装置６２を冷却器３４上に設けても良い。６
４は仕切板である。各第２回転軸４０は、一つまたは複
数の基体２０をそれぞれ保持する。

【００３３】この構造にすれば、各基体２０を矢印Ｂの
ように回転させることができると共に、各基体２０を保
持する第２回転軸４０を冷媒１６によって直接冷却する
ことができるので、各基体２０に対する冷却性能が図３
および図４の例よりも向上する。

【００３４】冷却器３４への冷媒１６の供給および排出
は、図５または図６に示す例のように、冷媒１６を通す
接続管５８を用いて行っても良い。その場合、冷却器３
４への冷媒１６の入口５４と出口５６とを大きく離せ
ば、例えばこの例のように入口５４と出口５６とを互い
に回転軸４ａの反対側に位置するように離せば、行きと
帰りの冷媒１６がすぐには混じらないので、冷却器３４
内に図１〜図４の例に示したような仕切板３８を設けな
くても良い。

【００３５】また、図５または図６に示す例のように、
冷却器３４を回転軸４ａに着脱可能に取り付ける（５２
はその取付け部を示す）と共に、回転軸４ａの往復の冷
媒流路６と冷却器３４の冷媒流路３６とを、冷媒１６を
通すものであって着脱可能な接続器６０を介して接続し
ても良い。接続器６０は、この例では往復の接続管５８
の途中の端部付近にそれぞれ設けている。

【００３６】この構造にすれば、回転軸４ａからの冷却
器３４の切り離しが自由になるので、基体２０の交換作
業や冷却器３４のメインテナンス等が容易になる。

【００３７】接続器６０は、外したときに自動的に冷媒
１６の流出が防止される弁の付いたものを用いるのが好
ましい。そのようにすれば、真空容器２内への冷媒１６
の漏れをより確実に防止することができる。また、接続
器６０を解放する前に予め、接続管５８等の中にある冷
媒１６を圧縮空気等の圧力で外に押し出し、内部を空に
してから解放を行うようにしても良い。

【００３８】冷媒１６は、例えば水（冷却水）である
が、それ以外のもの、例えば冷却油等を用いても良い。

【００３９】なお、上記各例は、冷却器３４への冷媒１
６の供給および排出を、回転軸４ａ内を通して行うもの
であるが、回転軸４ａ内を通さずにこれを行うようにし
ても良い。例えば、真空容器２の上部から別途接続器を
経由する等して、冷却器３４への冷媒１６の供給および
排出を行うようにしても良い。

【００４０】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００４１】請求項１記載の発明によれば、回転軸の冷
媒流路よりも広い面積の冷媒流路を内部に有する冷却器
を備えているので、回転軸内の途中までしか冷媒を流さ
ない従来の装置に比べて、基体に対する冷却性能が大幅
に向上する。その結果、成膜時の基体の温度上昇による
特性劣化、変形等の劣化を防止することができる。しか
も、成膜後の基体の冷却に要する時間が短縮され、それ
によってサイクルタイムを短縮することができるので、
生産性も向上する。

【００４２】また、成膜時の基体の温度を下げることが
できるので、ダイヤモンド状カーボンを多く含み硬度の
高いカーボン膜を形成することも可能になる。

【００４３】請求項２記載の発明によれば、冷却器によ
って基体を直接冷却することができるので、回転テーブ
ルを介在させる場合よりも基体に対する冷却性能がより
向上する、という更なる効果を奏する。

【００４４】請求項３記載の発明によれば、各基体を、
回転軸による回転（公転）と第２回転軸による回転（自
転）の両方に回転させることができるので、各基体に対
する成膜の均一性をより向上させることができる、とい
う更なる効果を奏する。

【００４５】請求項４記載の発明によれば、各基体を公
転および自転させることができると共に、各基体の下部
がブッシュと共に冷却器内に差し込まれた構造になるの
で、冷却器内を流れる冷媒による各基体に対する冷却性
能が、第２回転軸を設ける場合よりも向上する、という
更なる効果を奏する。

【００４６】請求項５記載の発明によれば、各基体を公
転および自転させることができると共に、各基体を保持
する第２回転軸を冷媒によって直接冷却することができ
るので、各基体に対する冷却性能がより向上する、とい
う更なる効果を奏する。

【００４７】請求項６記載の発明によれば、回転テーブ
ルから上をそっくり取り外すことができるので、回転テ
ーブルに基体を取り付けたり取り外したりする作業が、
即ち基体の交換作業が容易になる、という更なる効果を
奏する。

【００４８】請求項７記載の発明によれば、回転軸から
の冷却器の切り離しが自由になるので、基体の交換作業
や冷却器のメインテナンス等が容易になる、という更な
る効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の一例を示す断面図である。

【図２】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の冷却器周りの他の例を示す断面図である。

【図３】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の冷却器周りの更に他の例を示す断面図である。

【図４】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の冷却器周りの更に他の例を示す断面図である。

【図５】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の冷却器周りの更に他の例を示す断面図である。

【図６】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の冷却器周りの更に他の例を示す断面図である。

【図７】従来のアーク式イオンプレーティング装置の一
例を示す断面図である。

【符号の説明】

２真空容器４ａ回転軸６冷媒流路１２回転駆動装置１４ロータリーフィード装置１６冷媒１８回転テーブル２０基体２２アーク式蒸発源３４冷却器３６冷媒流路４０第２回転軸４２回転機構４８ブッシュ６２第２ロータリーフィード装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中村信彦京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (72)発明者飛川和紀京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (72)発明者大谷聡京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA01 CA03 DD06 EA08 JA00 JA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空に排気される真空容器と、この真空
容器を貫通するものであって内部に往復の冷媒流路を有
する回転軸と、前記真空容器外に設けられていて前記回
転軸を回転させる回転駆動装置と、前記真空容器外に設
けられていて前記回転軸との間で冷媒の受け渡しを行う
ロータリーフィード装置と、前記回転軸の真空容器内側
の端部に取り付けられていて、前記回転軸の冷媒流路よ
りも広い面積の冷媒流路を内部に有しており、かつ前記
回転軸の冷媒流路との間で冷媒の受け渡しが行われる冷
却器と、この冷却器の上部に取り付けられていて成膜し
ようとする基体を保持する回転テーブルと、真空アーク
放電によって陰極を蒸発させて前記基体に成膜を行うア
ーク式蒸発源とを備えることを特徴とするアーク式イオ
ンプレーティング装置。
【請求項２】真空に排気される真空容器と、この真空
容器を貫通するものであって内部に往復の冷媒流路を有
する回転軸と、前記真空容器外に設けられていて前記回
転軸を回転させる回転駆動装置と、前記真空容器外に設
けられていて前記回転軸との間で冷媒の受け渡しを行う
ロータリーフィード装置と、前記回転軸の真空容器内側
の端部に取り付けられていて、前記回転軸の冷媒流路よ
りも広い面積の冷媒流路を内部に有しており、前記回転
軸の冷媒流路との間で冷媒の受け渡しが行われるもので
あり、かつ成膜しようとする基体を直接保持する冷却器
と、真空アーク放電によって陰極を蒸発させて前記基体
に成膜を行うアーク式蒸発源とを備えることを特徴とす
るアーク式イオンプレーティング装置。
【請求項３】真空に排気される真空容器と、この真空
容器を貫通するものであって内部に往復の冷媒流路を有
する回転軸と、前記真空容器外に設けられていて前記回
転軸を回転させる回転駆動装置と、前記真空容器外に設
けられていて前記回転軸との間で冷媒の受け渡しを行う
ロータリーフィード装置と、前記回転軸の真空容器内側
の端部に取り付けられていて、前記回転軸の冷媒流路よ
りも広い面積の冷媒流路を内部に有しており、かつ前記
回転軸の冷媒流路との間で冷媒の受け渡しが行われる冷
却器と、この冷却器の上部に回転自在に設けられていて
成膜しようとする基体を保持する複数の第２回転軸と、
この各第２回転軸を基体と共に回転させる回転機構と、
真空アーク放電によって陰極を蒸発させて前記基体に成
膜を行うアーク式蒸発源とを備えることを特徴とするア
ーク式イオンプレーティング装置。
【請求項４】真空に排気される真空容器と、この真空
容器を貫通するものであって内部に往復の冷媒流路を有
する回転軸と、前記真空容器外に設けられていて前記回
転軸を回転させる回転駆動装置と、前記真空容器外に設
けられていて前記回転軸との間で冷媒の受け渡しを行う
ロータリーフィード装置と、前記回転軸の真空容器内側
の端部に取り付けられていて、前記回転軸の冷媒流路よ
りも広い面積の冷媒流路を内部に有しており、かつ前記
回転軸の冷媒流路との間で冷媒の受け渡しが行われる冷
却器と、この冷却器の上部内に埋め込まれていて成膜し
ようとする基体の下部を回転自在に保持する複数のブッ
シュと、この各ブッシュに保持された基体を回転させる
回転機構と、真空アーク放電によって陰極を蒸発させて
前記基体に成膜を行うアーク式蒸発源とを備えることを
特徴とするアーク式イオンプレーティング装置。
【請求項５】真空に排気される真空容器と、この真空
容器を貫通するものであって内部に往復の冷媒流路を有
する回転軸と、前記真空容器外に設けられていて前記回
転軸を回転させる回転駆動装置と、前記真空容器外に設
けられていて前記回転軸との間で冷媒の受け渡しを行う
ロータリーフィード装置と、前記回転軸の真空容器内側
の端部に取り付けられていて、前記回転軸の冷媒流路よ
りも広い面積の冷媒流路を内部に有しており、かつ前記
回転軸の冷媒流路との間で冷媒の受け渡しが行われる冷
却器と、この冷却器の上部に回転自在に設けられていて
成膜しようとする基体を保持するものであって、内部に
往復の冷媒流路をそれぞれ有する複数の第２回転軸と、
この各第２回転軸を基体と共に回転させる回転機構と、
前記各第２回転軸と前記冷却器との間で冷媒の受け渡し
をそれぞれ行う複数の第２ロータリーフィード装置と、
真空アーク放電によって陰極を蒸発させて前記基体に成
膜を行うアーク式蒸発源とを備えることを特徴とするア
ーク式イオンプレーティング装置。
【請求項６】前記回転テーブルを前記冷却器に着脱可
能に取り付けている請求項１記載のアーク式イオンプレ
ーティング装置。
【請求項７】前記冷却器を前記回転軸に着脱可能に取
り付けており、かつ前記回転軸の往復の冷媒流路と前記
冷却器の冷媒流路とを、冷媒を通すものであって着脱可
能な接続器を介して接続している請求項２、３、４また
は５記載のアーク式イオンプレーティング装置。