JP2003002681A - 光ファイバ母材の製造方法および製造装置 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法および製造装置Info
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Abstract
確に制御できる光ファイバ母材の製造方法とそれに用い
る製造装置を提供する。 【解決手段】チャンバ2内にて、光ファイバ母材用のコ
アガラスロッド6に、回転チャック5によるコアガラス
ロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動および支持部
材3による延伸方向へのトラバース運動をさせながら、
バーナ4によりコアガラスロッドの外周面に火炎を吹き
つけてガラス微粒子8を堆積させ、光ファイバ用多孔質
母材を形成するときに、コアガラスロッドよりも高い第
1の位置と低い第2の位置などのチャンバ内の複数箇所
に設けた温度測定手段(9A,9B)で温度測定し、測
定した温度の結果に応じて給気風量を調節する。あるい
は、レーザ変位計10によって多孔質母材(スート母
材)の外径を測定し、これによってガラス微粒子の堆積
量を管理する。
Description
製造方法および装置に関し、特にOVD(outside vapo
r deposition)法により光ファイバ用の多孔質のスート
母材を合成する光ファイバ母材の製造方法および装置に
関する。
ステムは、高速かつ大容量の信号を伝送することができ
るものであり、光ファイバはその重要な構成要素の一つ
である。例えば、大容量伝送が可能な光通信システムを
実現するためには、波長1550nmにおける波長分散
がゼロであり、伝送損失が小さい分散シフト光ファイバ
が好適である。光ファイバは通常、コアの外周部に、コ
アより屈折率が低いクラッドが形成されている構成であ
り、上記の分散シフト光ファイバは、コアとクラッドの
屈折率の差が大きい方が望ましい。
VAD(vapor-phase axial deposition)法やOVD
(outside vapor deposition)法で合成した光ファイバ
用の多孔質のスート母材(多孔質母材ともいう)を、ガ
ラス化炉で脱水および焼結(ガラス化)して透明な中間
母材とし、その母材を燃焼火炎やプラズマ火炎でもしく
は電気炉で延伸し、コアターゲットとなるガラスロッド
とする。得られたコアターゲットに、さらにOVD法な
どによりガラス微粒子(スート)を堆積させ、得られた
多孔質のスート母材をガラス化炉で脱水および焼結(ガ
ラス化)を行い、プリフォームとする。得られたプリフ
ォームを線引き用加熱炉で加熱溶融してプリフォームの
先端から線引きする線引き工程により、光ファイバとす
る。
r deposition)法やプラズマ法では、直接ロッドを形成
することができ、この場合にはガラス化炉による熱処理
を行わずに、燃焼火炎などにより延伸し、コアターゲッ
トとなるガラスロッドとする。得られたコアターゲット
に、さらに上述のようにOVD法によりガラス微粒子を
堆積させ、得られた多孔質のスート母材を脱水および焼
結(ガラス化)してプリフォームとし、線引き加工して
光ファイバとする。
ラス微粒子を堆積させるには、例えば図4に示すOVD
装置を用いる。OVD装置1は、チャンバ2内に支持部
材3とバーナ4を備えている。支持部材3に設けられた
回転チャック5に、コアターゲットとなるガラスロッド
6が保持され、ガラスロッド6の外周面にバーナ4から
原材料を含有する火炎を吹きつけ、ガラス微粒子を堆積
させる。このとき、ガラスロッド6は、回転チャック5
によるガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動
と、支持部材3が取り付けられた駆動部7によるガラス
ロッド6の延伸方向へのトラバース運動を行い、これに
よりガラスロッド6の外周面上に繰り返しガラス微粒子
が積層して、クラッドとなるスート8を均一に合成する
ことができる。
焼結することで光ファイバ母材(プリフォーム)が得ら
れるが、光ファイバ母材の各部分の屈折率は、積層され
るガラス微粒子中の添加物の種類および濃度に依存す
る。例えば、高屈折率のコアとなる領域を合成する際に
は、屈折率を上昇せしめる所定の添加物原料をバーナか
ら送って、その添加物が含まれるガラス微粒子を積層さ
せることが必要である。
ち、所望の特性を有する光ファイバを線引きして製造し
うる光ファイバ母材を製造するには、光ファイバ母材の
屈折率分布を正確に測定し、スート母材あるいは光ファ
イバ母材の製造条件を制御することが重要である。
よりの低屈折率のディプレスト層と、ディプレスト層よ
りも高屈折率のセグメント層を積層してなる光ファイバ
を瀬蔵するための光ファイバ母材を製造する場合には、
コアをVAD法で製造し、ディプレスト層をフッ素添加
のJVD(jacketed vapor deposition )法で製造し、
セグメント層をゲルマニウム添加のJVD法で製造し、
それぞれの層の屈折率を正確に制御しながら製造する。
従来の光ファイバ母材の製造方法では、下記の理由によ
り、ディプレスト層やセグメント層などの屈折率やガラ
ス微粒子の堆積量を正確に制御して合成することが困難
となる場合があるという問題があった。
VD法によりセグメント層を製造する際に、脈理が原因
で正確な屈折率プロファイルが測定できないため、歩留
りが良くないという問題があった。ここで、脈理とは、
光ファイバ母材中のゲルマニウム添加濃度について、コ
アの延伸方向の軸に対して平行に同心円状に形成される
不均一層が生じる現象のことを示す。
のΔ(基準となる屈折率に対する屈折率差)と幅(セグ
メント層の厚さ)を正確に制御することが必要である
が、上記の層を合成するためのゲルマニウム添加のJV
D法においては弱い火炎を用いて合成しており、この弱
い火炎ではターゲットの中心に当たりにくいという問題
があった。
の堆積量の安定化を図るために、重量センサなどを用い
てガラス微粒子を堆積させたスート母材の重量を測定し
ていたが、例えばコアガラスロッドの直径が12mmあ
るいは16mm程度に小さい場合や、トラバース長が2
00mmあるいは300mm程度に短い場合では、重量
センサによる堆積量の測定が不能であるという問題があ
った。
であり、従って本発明の目的は、ディプレスト層やセグ
メント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる光ファイバ母材の製造方
法と、それに用いる製造装置を提供することである。
め、本発明の光ファイバ母材の製造方法は、チャンバ内
にて、光ファイバ母材用のコアガラスロッドに、当該コ
アガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動およ
び前記延伸方向へのトラバース運動をさせながら、前記
コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけてガラス微
粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形成する工
程と、前記光ファイバ用多孔質母材を焼結する工程とを
有し、前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工程にお
いて、前記チャンバ内の複数箇所で温度測定し、測定し
た温度の結果に応じて給気風量を調節する。
は、好適には、前記光ファイバ用多孔質母材を形成する
工程において、前記チャンバ内における前記コアガラス
ロッドよりも高い第1の位置と前記コアガラスロッドよ
りも低い第2の位置との2箇所で温度測定し、前記第1
の位置の測定温度が第1の目標温度より高く、前記第2
の位置の測定温度が第2の目標温度より低い場合に、前
記給気風量を多く調節し、前記第1の位置の測定温度が
第1の目標温度より低く、前記第2の位置の測定温度が
第2の目標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく
調節する。
においては、チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコア
ガラスロッドに、コアガラスロッドの延伸方向を回転軸
とする回転運動および延伸方向へのトラバース運動をさ
せながら、コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけ
てガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を
形成するときに、コアガラスロッドよりも高い第1の位
置と低い第2の位置などのチャンバ内の複数箇所で温度
測定し、測定した温度の結果に応じて給気風量を調節す
る。
によれば、チャンバー内の複数箇所で温度を測定して給
気風量を調整することにより、堆積面の温度を一定に保
ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御すること
が可能であり、これによってディプレスト層やセグメン
ト層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御
して合成することができる。
の光ファイバ母材の製造方法は、光ファイバ母材用のコ
アガラスロッドに、当該コアガラスロッドの延伸方向を
回転軸とする回転運動および前記延伸方向へのトラバー
ス運動をさせながら、前記コアガラスロッドの外周面に
火炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ
用多孔質母材を形成する工程と、前記光ファイバ用多孔
質母材を焼結する工程とを有し、前記光ファイバ用多孔
質母材を形成する工程において、レーザ変位計を用いて
前記光ファイバ用多孔質母材の外径を測定し、前記ガラ
ス微粒子の堆積量を管理する。
は、チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコアガラスロ
ッドに、コアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回
転運動および延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけてガラ
ス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形成す
るときに、レーザ変位計によって多孔質母材(スート母
材)の外径を測定し、これによってガラス微粒子の堆積
量を管理する。
によれば、レーザ変位計によってスート母材の外径を測
定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理するの
で、ディプレスト層やセグメント層などのガラス微粒子
の堆積量を正確に制御して合成することができる。
の製造装置は、チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材
用のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、当該コアガラスロッドを支持する手段と、前記チャ
ンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバーナと、前
記チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測定
手段と、前記温度測定手段の測定した温度の結果に応じ
て給気風量を調節する手段とを有する。
記複数個ので温度測定手段が、前記チャンバ内における
前記コアガラスロッドよりも高い第1の位置と前記コア
ガラスロッドよりも低い第2の位置とに設けられてお
り、前記給気風量を調節する手段により、前記第1の位
置の測定温度が第1の目標温度より高く、前記第2の位
置の測定温度が第2の目標温度より低い場合に、前記給
気風量を多く調節し、前記第1の位置の測定温度が第1
の目標温度より低く、前記第2の位置の測定温度が第2
の目標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく調節
する。
ラスロッドよりも高い第1の位置と低い第2の位置など
のチャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測定
手段により温度を測定し、測定した温度の結果に応じて
給気風量を調節することができるので、堆積面の温度を
一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御
することが可能であり、これによってディプレスト層や
セグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正
確に制御して合成することができる。
の製造装置は、チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材
用のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、当該コアガラスロッドを支持する手段と、前記チャ
ンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバーナと、前
記チャンバ内に設けられたレーザ変位計とを有し、前記
レーザ変位計を用いて前記光ファイバ用多孔質母材の外
径を測定し、前記ガラス微粒子の堆積量を管理する。
変位計によってスート母材の外径を測定し、これによっ
てガラス微粒子の堆積量を管理するので、ディプレスト
層やセグメント層などのガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる。
て図面を用いて詳しく説明する。
(プリフォーム)の製造方法について説明する。例え
ば、VAD(vapor-phase axial deposition)法やOV
D(outside vapor deposition)法で合成した光ファイ
バ用の多孔質のスート母材を、ガラス化炉で脱水および
焼結(ガラス化)して透明な中間母材とし、その母材を
燃焼火炎やプラズマ火炎でもしくは電気炉で延伸し、コ
アターゲットとなるガラスロッドとする。得られたコア
ターゲットに、下記に説明するOVD法によりガラス微
粒子(スート)を堆積させ、得られた多孔質のスート母
材をガラス化炉で脱水および焼結(ガラス化)を行い、
プリフォームとする。
r deposition)法やプラズマ法では、直接ロッドを形成
することができ、この場合にはガラス化炉による熱処理
を行わずに、燃焼火炎などにより延伸し、コアターゲッ
トとなるガラスロッドとする。得られたコアターゲット
に、さらに上述のようにOVD法によりガラス微粒子を
堆積させ、得られた多孔質のスート母材を脱水および焼
結(ガラス化)してプリフォームとする。
は、線引き用加熱炉において加熱溶融し、プリフォーム
の先端から線引きする線引き工程により、光ファイバと
することができる。
ラス微粒子を堆積させるには、例えば図1に示すOVD
装置を用いる。図1中、(A)は上面から見たときの模
式図、(B)は側面から見たときの模式図である。OV
D装置1は、チャンバ2内に支持部材3とバーナ4を備
えている。支持部材3に設けられた回転チャック5に、
コアターゲットとなるガラスロッド6が保持され、ガラ
スロッド6の外周面にバーナ4から原材料を含有する火
炎を吹きつけ、ガラス微粒子を堆積させる。このとき、
ガラスロッド6は、回転チャック5によるガラスロッド
の延伸方向を回転軸とする回転運動と、支持部材3が取
り付けられた駆動部7によるガラスロッド6の延伸方向
へのトラバース運動を行い、これによりガラスロッド6
の外周面上に繰り返しガラス微粒子が積層して、クラッ
ドとなるスート8を均一に合成することができる。
は、ガラスロッド6よりも高い第1の位置に第1の温度
測定部(熱画像温度計)9Aが設けられており、一方、
ガラスロッドよりも低い第2の位置に第2の温度測定部
(放射温度計)9Bが設けられている。
9Aと第2の温度測定部(放射温度計)9Bの測定温度
に応じて、不図示の調節手段により給気風量を調節す
る。例えば、第1の温度測定部(熱画像温度計)9Aの
測定温度が第1の目標温度(例えば280〜290℃)
よりも高く、第2の温度測定部(放射温度計)9Bが第
2の目標温度(例えば490〜500℃)よりも低い場
合には、火炎がターゲットであるガラスロッド6よりも
上に当たっているため、給気風量を多く調節して火炎を
水平に近づけて火炎の上昇を抑える。一方、第1の温度
測定部(熱画像温度計)9Aの測定温度が第1の目標温
度(例えば280〜290℃)よりも低く、第2の温度
測定部(放射温度計)9Bが第2の目標温度(例えば4
90〜500℃)よりも高い場合には、火炎がターゲッ
トであるガラスロッド6よりも下に当たっているため、
給気風量を少なく調節することで火炎を上向きにさせ
る。
を測定し、給気風量を調節することで堆積面温度を一定
に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御する
ことが可能であり、これによってディプレスト層やセグ
メント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる。
ガラスロッド6の上部にレーザ変位計10が設けられて
いる。レーザ変位計10によって、ガラス微粒子の堆積
厚tを測定し、これによってスート8の形成後のスート
母材の外径を求め、ガラス微粒子の堆積量を管理する。
例えば、ガラスロッド径φ1 、ガラス微粒子の堆積厚t
とすると、スートが形成されたスート母材の外径φ2 は
下記の式(1)で示される。
ρとすると、ガラス微粒子の堆積量Mは近似的に下記の
式(2)で示される。
微粒子の堆積厚tを測定し、これによってスート8の形
成後のスート母材の外径を求め、得られた結果の値およ
びその他の各パラメータを上記の式に代入することで、
ガラス微粒子の堆積量Mを求め、管理することができ
る。
ーザ変位計によって多孔質母材(スート母材)の外径を
測定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理する
ので、ディプレスト層やセグメント層などのガラス微粒
子の堆積量を正確に制御して合成することができる。
置により、給気風量を0m/秒とする条件下でガラスロ
ッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、ガラ
スロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計とガ
ラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計によ
りそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計の測
定値が285℃であり、目標温度(280〜290℃)
の範囲内であった。また、放射温度計の測定値が496
℃であり、目標温度(490〜500℃)の範囲内であ
った。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドに
水平に当たっており、給気風量の調節は行わなかった。
置により、給気風量を0m/秒とする条件下でガラスロ
ッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、ガラ
スロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計とガ
ラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計によ
りそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計の測
定値が294℃であり、目標温度(280〜290℃)
よりも高かった。また、放射温度計の測定値が481℃
であり、目標温度(490〜500℃)よりも低かっ
た。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドより
も上に当たっており、給気風量を0.14m/秒に大き
くした。この調節の結果、熱画像温度計の測定値が28
9℃で目標温度(280〜290℃)の範囲内となり、
また、放射温度計の測定値が497℃で目標温度(49
0〜500℃)の範囲内となり、火炎がターゲットであ
るガラスロッドに水平に当たるようになった。
置により、給気風量を0.6m/秒とする条件下でガラ
スロッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、
ガラスロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計
とガラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計
によりそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計
の測定値が269℃であり、目標温度(280〜290
℃)よりも低かった。また、放射温度計の測定値が57
1℃であり、目標温度(490〜500℃)よりも高か
った。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドよ
りも下に当たっており、給気風量を0.14m/秒に小
さくした。この調節の結果、熱画像温度計の測定値が2
89℃で目標温度(280〜290℃)の範囲内とな
り、また、放射温度計の測定値が497℃で目標温度
(490〜500℃)の範囲内となり、火炎がターゲッ
トであるガラスロッドに水平に当たるようになった。
OVD装置に設けられた熱画像温度計および放射温度計
の温度測定結果から給気風量を調節し、堆積面の温度を
一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御
することが可能であり、これによってディプレスト層や
セグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正
確に制御して合成することができた。
置により、直径φ1 =16mmのガラスロッドの外周部
に、トラバース長L=300mmとして、クラッドとな
るガラス微粒子を堆積させた。このとき、レーザ変位計
出力電圧の時間に対する変化を調べ、結果を図2に示し
た。図2では、ガラス微粒子の非堆積部Aと堆積部Bを
読み取っている。この図内の下に凸の頂部を結んだ破線
が堆積部Bの変化を示している。また、ガラス微粒子の
堆積厚のトラバース回数に対する変化を図3に示した。
堆積厚はトラバース回数に比例している。上記の合成中
において、ガラス微粒子の密度ρは一定であり、その値
は0.23g/cm3 であった。合成中のある時点で、
レーザ変位計10によってガラス微粒子の堆積厚tを測
定すると、その値は11.2mmであった。従って、ス
ートが形成されたスート母材の外径φ2 およびガラス微
粒子の堆積量Mは下記の式(3)と(4)のように求
め、管理することができた。
レーザ変位計によって多孔質母材(スート母材)の外径
を測定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理す
るので、これによってディプレスト層やセグメント層な
どの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合
成することができた。
い。例えば、チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個
の温度測定手段は、上記の実施形態で示したガラスロッ
ドよりも高い第1の位置と前記コアガラスロッドよりも
低い第2の位置とに限らず、その他の位置で測定しても
よく、さらにチャンバ内の3箇所以上に温度測定手段を
設けて、温度測定してもよい。その他、本発明の要旨を
変更しない範囲で種々の変更をすることができる。
所で温度を測定して給気風量を調整することにより、堆
積面の温度を一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当
たり方を制御することが可能であり、これによってディ
プレスト層やセグメント層などの屈折率やガラス微粒子
の堆積量を正確に制御して合成することができる光ファ
イバ母材の製造方法を提供できる。
ート母材の外径を測定し、これによってガラス微粒子の
堆積量を管理するので、ディプレスト層やセグメント層
などのガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合成する
ことができる光ファイバ母材の製造方法を提供できる。
高い第1の位置と低い第2の位置などのチャンバ内の複
数箇所に設けられた複数個の温度測定手段により温度を
測定し、測定した温度の結果に応じて給気風量を調節す
ることができるので、堆積面の温度を一定に保ち、ター
ゲットに対する火炎の当たり方を制御することが可能で
あり、これによってディプレスト層やセグメント層など
の屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合成
することができる熱処理装置を提供できる。
ート母材の外径を測定し、これによってディプレスト層
やセグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を
正確に制御して合成することができる熱処理装置を提供
できる。
製造するためのOVD装置の(A)上面および(B)側
面から見たときの模式構成図である。
力電圧の時間に対する変化を示す図である。
堆積厚のトラバース回数に対する変化を示す図である。
である。
Claims (6)
- 【請求項1】チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコア
ガラスロッドに、当該コアガラスロッドの延伸方向を回
転軸とする回転運動および前記延伸方向へのトラバース
運動をさせながら、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ用
多孔質母材を形成する工程と、 前記光ファイバ用多孔質母材を焼結する工程とを有し、 前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工程において、
前記チャンバ内の複数箇所で温度測定し、測定した温度
の結果に応じて給気風量を調節する光ファイバ母材の製
造方法。 - 【請求項2】前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工
程において、前記チャンバ内における前記コアガラスロ
ッドよりも高い第1の位置と前記コアガラスロッドより
も低い第2の位置との2箇所で温度測定し、 前記第1の位置の測定温度が第1の目標温度より高く、
前記第2の位置の測定温度が第2の目標温度より低い場
合に、前記給気風量を多く調節し、 前記第1の位置の測定温度が第1の目標温度より低く、
前記第2の位置の測定温度が第2の目標温度より高い場
合に、前記給気風量を少なく調節する請求項1に記載の
光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項3】光ファイバ母材用のコアガラスロッドに、
当該コアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、前記コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけて
ガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形
成する工程と、 前記光ファイバ用多孔質母材を焼結する工程とを有し、 前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工程において、
レーザ変位計を用いて前記光ファイバ用多孔質母材の外
径を測定し、前記ガラス微粒子の堆積量を管理する光フ
ァイバ母材の製造方法。 - 【請求項4】チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材用
のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動
および前記延伸方向へのトラバース運動をさせながら、
当該コアガラスロッドを支持する手段と、 前記チャンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外
周面に火炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバー
ナと、 前記チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測
定手段と、 前記温度測定手段の測定した温度の結果に応じて給気風
量を調節する手段とを有する光ファイバ母材の製造装
置。 - 【請求項5】前記複数個ので温度測定手段が、前記チャ
ンバ内における前記コアガラスロッドよりも高い第1の
位置と前記コアガラスロッドよりも低い第2の位置とに
設けられており、 前記給気風量を調節する手段により、前記第1の位置の
測定温度が第1の目標温度より高く、前記第2の位置の
測定温度が第2の目標温度より低い場合に、前記給気風
量を多く調節し、前記第1の位置の測定温度が第1の目
標温度より低く、前記第2の位置の測定温度が第2の目
標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく調節する
請求項4に記載の光ファイバ母材の製造装置。 - 【請求項6】チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材用
のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動
および前記延伸方向へのトラバース運動をさせながら、
当該コアガラスロッドを支持する手段と、 前記チャンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外
周面に火炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバー
ナと、 前記チャンバ内に設けられたレーザ変位計とを有し、 前記レーザ変位計を用いて前記光ファイバ用多孔質母材
の外径を測定し、前記ガラス微粒子の堆積量を管理する
光ファイバ母材の製造装置。
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