JP2002530856A - プラズマ処理システム用統合電源モジュール - Google Patents

プラズマ処理システム用統合電源モジュール

Info

Publication number
JP2002530856A
JP2002530856A JP2000583064A JP2000583064A JP2002530856A JP 2002530856 A JP2002530856 A JP 2002530856A JP 2000583064 A JP2000583064 A JP 2000583064A JP 2000583064 A JP2000583064 A JP 2000583064A JP 2002530856 A JP2002530856 A JP 2002530856A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
power supply
output port
storage container
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000583064A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002530856A5 (ja
JP4451000B2 (ja
Inventor
ディブレ・ロバート・ディ.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2002530856A publication Critical patent/JP2002530856A/ja
Publication of JP2002530856A5 publication Critical patent/JP2002530856A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4451000B2 publication Critical patent/JP4451000B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/50Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
    • G01N33/68Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving proteins, peptides or amino acids
    • G01N33/6803General methods of protein analysis not limited to specific proteins or families of proteins
    • G01N33/6848Methods of protein analysis involving mass spectrometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00Chucks or sockets
    • Y10T279/23Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Urology & Nephrology (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cell Biology (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Proteomics, Peptides & Aminoacids (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 基板を処理するように構成されたプラズマ処理室に、プラズマを維持するためのエネルギを供給する電力供給システム。この電力供給システムには、入力ポート、第一の出力ポート、第二の出力ポート、及び第三の出力ポートを備えた金属製の格納容器が設けられている。更に、格納容器内には配電ボックスが設けられている。この配電ボックスには、金属製の格納容器の外側からAC電力の供給を受ける第一のAC入力ポートが設けられており、受け取ったAC電力は金属製の格納容器の外側にあるAC負荷に第一の出力ポートを介して供給される。更に、配電ボックスと電気的に接続されたDC電源も設けられている。このDC電源は、配電ボックスからAC電力を受け取って、DC電力を出力するように構成されている。このDC電源は金属製の格納容器内に設けられている。DC電力は、金属製の格納容器の外側にあるDC負荷に、第二の出力ポートを介して供給される。加えて、AC電力を受け取るために配電ボックスに電気的に接続された第一の高周波発生器が設けられている。この第一の高周波発生器は、DC電力を受け取るためにDC電源に接続されている。この第一の高周波発生器は、金属製の格納容器内に設けられている。更に、第一の高周波発生器から高周波エネルギを受け取るべく第一の高周波発生器の出力に電気的に接続された第一のインピーダンス整合器が設けられている。この第一のインピーダンス整合器には、インピーダンスを整合した第一の高周波エネルギを、第三の出力ポートを介してプラズマ処理室の第一の電極に供給するための、第一のインピーダンス整合器出力が設けられている。この第一のインピーダンス整合器は金属製の格納容器内に設けられており、金属製の格納容器の外側には、プラズマ処理室に接続される他の高周波発生器は存在していない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造において使用するプラズマ処理システムに関
し、詳しくは、信頼性を改善するとともに取得/維持コストの低減を可能とする
プラズマ処理システムIPM(統合電源モジュール)に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマ処理システムは、以前から半導体デバイス(集積回路又はフラットパ
ネルディスプレイ等)の製造に利用されてきた。代表的なプラズマ処理システム
では、処理に際して、基板(ウェーハ又はガラスパネル等)が通常、プラズマ処
理室内に配置される。その後、プラズマ処理室に供給されたエッチング剤や蒸着
ソースガスからプラズマを発生させるために、AC、DC、高周波、又はマイク
ロ波の形態でエネルギがプラズマ処理室に導入される。このプラズマは、その後
、基板表面上に物質の層を蒸着させるため、あるいは基板表面をエッチングする
ために用いられる。
【0003】 電極でプラズマを点火して維持するためにはエネルギが必要であるため、電力
供給システムは、通常、高圧送電網からAC電力の供給を受けて、AC電力をプ
ラズマの点火及び維持に必要な適切な形態のエネルギに変換するとともに、制御
電子機器を動作させるためのDC電圧を供給する。
【0004】 説明を容易にするために、図1では、カリフォルニア州フレモントのラム・リ
サーチ・コーポレーションから入手可能なプラズマ処理システム4520XLTM の電力供給システムを簡略化して表している。図1の例では、プラズマ処理シス
テム100は、平行平板型多重周波数プラズマ処理システムを表している。しか
しながら、以下での説明は、この特定のタイプのプラズマ処理システムに限定さ
れるものではない。実際、以下で説明する概念は、電極の数、チャンバの形状、
又は利用するエネルギ源の形態に関係なく、一般のプラズマ処理システムに応用
することができる。更に、説明を容易にするためにプラズマ処理システム100
の単一のチャンバのみを表示しているが、プラズマ処理システムは、一つ以上の
モジュールを含んだクラスタツールの形態をとることも可能であり、各モジュー
ルあたり一つ以上のチャンバを備える構成とすることとしても良い。
【0005】 図1に関して、ウェーハ102は、処理のためにプラズマ処理室104に配置
されている。より詳しくは、ウェーハ102は、チャック106上に配置されて
おり、チャック106は一方の電極を兼ねている。他方の電極108は、図示の
ように、ウェーハ102の上方に配置されている。高周波発生器110は、27
MHzの高周波発生器であり、発生器は同軸ケーブル122を通じてインピーダ
ンス整合器(match network )114に高周波エネルギを供給する。広く知られ
ているように、インピーダンス整合器の機能の一つは、電力の伝達を最大にする
ためにプラズマと発生器とのインピーダンスを整合させることである。インピー
ダンス整合器114から、二重送受信器(diplexer)118を介して、電極10
8に高周波エネルギが供給される。二重送受信器は、周知のように、一定の周波
数のエネルギを通過させ、他の周波数のエネルギは接地する装置である。電極1
08は27MHz用の電極であることと対応して、二重送受信器118は27M
Hzの高周波エネルギは電極108へ供給し、他の周波数の高周波エネルギは接
地する。
【0006】 同様に、高周波発生器112は2MHzの高周波発生器であり、同軸ケーブル
124を介してインピーダンス整合器116にエネルギを供給する。インピーダ
ンス整合器116からは、同軸ケーブル126を通じて、二重送受信器120に
高周波エネルギが供給される。二重送受信器120は2MHzの高周波エネルギ
はチャック106へ供給し、その他の周波数の高周波エネルギは、そのまま接地
する。
【0007】 最近では、電力供給システムの様々な主要な機能ブロック(電源、インピーダ
ンス整合器、二重送受信器その他)は通常、複数のサブシステムに分散して置か
れ、その多くは、それぞれの電磁波シールド格納容器(EHI enclosure )に格納
され、それぞれにDC電源を内蔵している。これは、電力供給システムの現在の
設計慣行が、主要な機能ブロックあるいはサブシステムを可能な限りモジュール
にまとめているためである。言い換えれば、現在の慣行では、各サブシステムに
十分なローカルリソース(ローカルの電子機器を動作させるために供給するDC
電力等)を搭載しており、これは、プラグアンドプレイの形態で多くの異なるプ
ラズマ処理システムで容易に使用可能とするためである。こうしたサブシステム
を商品化することにより、これらサブシステムのベンダは、プラズマ処理装置市
場向けに設計し在庫を持っておかなければならないサブシステムを少なくするこ
とが可能となり、スケールメリットを享受し得るようになる。
【0008】 半導体処理装置業界には、各サブシステムに必要なリソース(DC電源など)
をサブシステム自体に設けるという別の設計思想も存在している。プラズマ処理
システムが更に複雑及び高価になるにつれ、装置が故障してプラズマ処理システ
ムを修理するための時間を減らすことで、所有コストを低減することが可能とな
る。サブシステムの品質を改善することに加え、プラズマ電力供給システムのベ
ンダは、リソースを様々なモジュールサブシステムに分散して配置することによ
り、サブシステムの障害の影響を分離して、素早く対処することが可能になると
考えている。サブシステムをモジュールとし、必要なリソースについては自己完
結型にすることで、障害のあるサブシステムを交換して取り外すことが可能とな
り、プラズマ処理システムを素早く稼働状態に戻すことができる。
【0009】 現実的な問題として、こうした各モジュールサブシステム(インピーダンス整
合器114及び116、二重送受信器118及び120、高周波発生器110及
び112)は、かなりのスペースを占有する。したがって、こうしたサブシステ
ムをプラズマ処理室の近くに配置し、更に保守のための十分なスペースを確保す
るのは現実的ではない場合が多い。密集化の問題は、複数のチャンバが互いにご
く接近して配置されるクラスタツールの場合には深刻なものとなる。
【0010】 従来技術においては、密集化の問題は、あるサブシステムを離れた場所に移動
させ、サブシステム同士を導線及び又は同軸ケーブルで結合させることにより対
処されている。例えば、図1では、高周波発生器110及び112は、密集化を
緩和するために水冷システム及び制御電子機器と共に、プラズマ処理室から離し
て配置されている。代表的な例において、高周波発生器110及び112は、プ
ラズマ処理室からある程度の距離(場合によっては50〜60フィート)だけ離
れたラックに設置される。インピーダンス整合器及び又は二重送受信器等のその
他のサブシステムは、プラズマ処理モジュール150として表示されたアセンブ
リの中の、チャンバ104の近くに配置される。その後、ラック152上の高周
波発生器とプラズマ処理モジュール150のサブシステムとを接続するために、
同軸ケーブル122及び124が用いられる。
【0011】 こうして、電力供給システムのサブシステムが複数箇所に分割して配置されて
いるために、独立した配電ボックスが必要になる。図1では、高圧送電網からA
C電力を受け取り(208ボルト、3相の形態等)、導線156及び158を介
してAC電力を高周波発生器110及び112に配分する配電ボックス154が
、ラック152に設けられている。これら導線156及び158は高周波発生器
110及び112に接続されており、また発生器には、素早く接続し及び接続を
解除するために相補プラグ(complementary plug)が設けられている。発生器1
10は更に、同軸ケーブル122(このケーブルが、高周波エネルギをインピー
ダンス整合器114に供給する)を接続するための追加コネクタが設けられてい
る。同様に、高周波発生器112にも、同軸ケーブル124(このケーブルが、
高周波エネルギをインピーダンス整合器116に供給する)を接続するための追
加コネクタが設けられている。
【0012】 高周波発生器110及び112内に設けられた制御電子機器へのDC電圧は、
DC電源から供給され、DC電源は通常、モジュール設計ガイドラインを満たす
べく各々の高周波発生器に搭載されている。図1の例では、高周波発生器110
には、高周波発生器110が受け取ったAC電圧を、制御電子機器が必要とする
DC電圧に変換するためのDC電源162が設けられているものとして表現され
ている。同様に、高周波発生器112には、高周波発生器112が受け取ったA
C電圧を制御電子機器が必要とするDC電圧に変換するためのDC電源164が
設けられているものとして表現されている。発生器の外に他のセンサ又は制御電
子機器がラック152上に存在している場合は、追加のDC電源をラック152
上に設けても良い。ラック152には通常、安全のためにEMO(緊急停止)サ
ブシステム160が設けられており、このサブシステムは本質的には、緊急時に
AC電力を素早く遮断することが可能なパニックスイッチである。
【0013】 プラズマ処理モジュール150はラック152から離れて設けられているため
に、プラズマ処理モジュール150用に独立した配電ボックスが必要になる。こ
の配電ボックスは、配電ボックス170として表示されており、配電ボックスに
は、プラズマ処理モジュール150内の制御電子機器に必要なDC電圧を供給す
るための独立したDC電源172が設けられている。配電ボックス154と同様
に、配電ボックス170には、ポンプ、ヒータといったプラズマ処理モジュール
150の様々なAC負荷にAC電力を供給するための接触器と、リレーと、コネ
クタとが設けられている。DC電源172からの導線は、様々な制御電子機器(
チャンバに取り付けられたもの、あるいはインピーダンス整合器に内蔵されてい
るものを含む)と、センサと、プラズマ処理モジュール150内のその他のDC
負荷とに接続されている。安全上の理由から、EMO(緊急停止)サブシステム
174がプラズマ処理モジュール150に設けられており、緊急時にはプラズマ
処理モジュール150のサブシステムへ電力供給を遮断することが可能となって
いる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の発明者は、現在の電力供給システムには一定の不都合があることを認
識している。例えば、電力供給システムの主要な各機能ブロック(電源、インピ
ーダンス整合器、二重送受信器、その他)をモジュール化しようとすると、個々
のサブシステムを組み立てたときに、電力供給システムに不必要な構成要素が重
複して存在することになる。これは、モジュールサブシステムを組み立てると、
電力供給システム内に、DC電源とEMOサブシステムと配電ボックスと電力ラ
インフィルタ(power line filter )とリレーとコネクタと接触器と同軸ケーブ
ルと導線とが、複数存在することになるためである。組み立て後の電力供給シス
テムの構成要素が多くなると、取得コストを増加させてしまう。
【0015】 皮肉なことに、こうして構成要素が重複しているにもかかわらず信頼性が増加
することはない、というのは、重複する構成要素は異なるサブシステムに設けら
れていて互いにバックアップすることがないため、ある構成要素が作動しなくな
ると、サブシステムがこの影響を受けて、プラズマ処理システム全体を停止させ
てしまうからである。実際には、構成要素数が多いことから、故障する構成要素
が増えるので信頼性はむしろ低下してしまう。
【0016】 前記したように、電力伝達サブシステムの主要な機能ブロックをモジュール化
しようとすると、更に、プラズマ処理室の周囲の狭いスペースに大きなEMI格
納容器を個別に設けたサブシステムを構成することが困難になる。あるサブシス
テムをプラズマ処理室から離して配置することによって密集化を緩和しようとす
ると、長い同軸ケーブルと導線とが必要になって、電力供給システムに損失が発
生するだけでなく、EMI上の(電磁気間の相互作用による)問題も増加する。
高電圧/大電流信号を供給するために、種々のサブシステム(高周波発生器とイ
ンピーダンス整合器等)を、同軸ケーブルおよび同軸コネクタで接続することに
よっても信頼性は減少してしまう。これは、高電圧/大電流信号が要求されると
、時間の経過とともに、同軸ケーブル及び又はコネクタが断線し易くなるためで
ある。
【0017】 以上のような観点から、プラズマ処理室内でプラズマを点火し、且つ維持する
ために必要な電力を供給する電力供給システムの改良が望まれている。
【0018】
【課題を解決するための手段】 一つの実施形態においては、本発明は、基板を処理するように構成されたプラ
ズマ処理室に、プラズマを維持するためのエネルギを供給する電力供給システム
に関するものである。この電力供給システムには、入力ポート、第一の出力ポー
ト、第二の出力ポート、及び第三の出力ポートを備えた金属製の格納容器が設け
られている。更に、格納容器内には配電ボックスが設けられている。この配電ボ
ックスには、金属製の格納容器の外側からAC電力の供給を受ける第一のAC入
力ポートが設けられており、受け取ったAC電力は金属製の格納容器の外側にあ
るAC負荷に第一の出力ポートを介して供給される。更に、配電ボックスと電気
的に接続されたDC電源も設けられている。このDC電源は、配電ボックスから
AC電力を受け取って、DC電力を出力するように構成されている。このDC電
源は金属製の格納容器内に設けられている。DC電力は、金属製の格納容器の外
側にあるDC負荷に、第二の出力ポートを介して供給される。
【0019】 加えて、AC電力を受け取るために配電ボックスに電気的に接続された第一の
高周波発生器が設けられている。この第一の高周波発生器は、DC電力を受け取
るためにDC電源に接続されている。この第一の高周波発生器は、金属製の格納
容器内に設けられている。更に、第一の高周波発生器から高周波エネルギを受け
取るべく第一の高周波発生器の出力に電気的に接続された第一のインピーダンス
整合器が設けられている。この第一のインピーダンス整合器には、インピーダン
スを整合した第一の高周波エネルギを、第三の出力ポートを介してプラズマ処理
室の第一の電極に供給するための、第一のインピーダンス整合器出力が設けられ
ている。この第一のインピーダンス整合器は金属製の格納容器内に設けられてお
り、金属製の格納容器の外側には、プラズマ処理室に接続される他の高周波発生
器は存在していない。
【0020】 他の実施形態においては、本発明は、基板を処理するように構成されたプラズ
マ処理室に、プラズマを維持するためのエネルギを供給する方法に関するもので
ある。この方法では、金属製の格納容器に、入力ポート、第一の出力ポート、第
二の出力ポート、及び第三の出力ポートが設けられている。更に、格納容器内に
は、配電ボックスが設けられている。この配電ボックスには、金属製の格納容器
の外側からAC電力の供給を受ける第一のAC入力ポートが設けられており、受
け取ったAC電力は金属製の格納容器の外側にあるAC負荷に、第一の出力ポー
トを介して供給される。更に、配電ボックスと電気的に接続されたDC電源も設
けられている。このDC電源は、配電ボックスからAC電力を受け取って、DC
電力を出力するように構成されている。このDC電源は金属製の格納容器内に設
けられている。DC電力は、金属製の格納容器の外側にあるDC負荷に、第二の
出力ポートを介して供給される。
【0021】 加えて、この方法では、AC電力を受け取るために配電ボックスと電気的に接
続された第一の高周波発生器が設けられている。この第一の高周波発生器は、D
C電力を受け取るためにDC電源に接続されている。この第一の高周波発生器は
金属製の格納容器内に設けられている。更に、この方法では、第一の高周波発生
器から高周波エネルギを受け取るべく第一の高周波発生器の出力に電気的に接続
された第一のインピーダンス整合器が設けられている。この第一のインピーダン
ス整合器には、インピーダンスを整合した第一の高周波エネルギを、第三の出力
ポートを介してプラズマ処理室の電極に供給するための、第一のインピーダンス
整合器出力が設けられている。この第一のインピーダンス整合器は金属製の格納
容器内に設けられており、金属製の格納容器の外側には、プラズマ処理室に接続
される他の高周波発生器は存在していない。
【0022】 本発明の前記した利点及びその他の利点は、以下の詳細な説明を読みながら、
各図面を参照することによって明らかとなろう。
【0023】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面に示したいくつかの好適な実施形態に基づいて本発明を詳細に
説明する。以下の説明において、本発明の完全な理解を可能とするために多数の
具体的な詳細について述べる。しかしながら、当業者にとっては、こうした具体
的な詳細の一部又は全部がなくとも本発明を実施し得ることは明らかであろう。
また、公知のステップ及び又は構造については、本発明を不必要に曖昧にするこ
とを避けるために、詳細な説明は省略する。
【0024】 本発明の一実施態様では、現状のモジュール設計思想に基づいて重複して設け
られている構成要素を、電力供給システムの主要な機能ブロックから取り除くこ
とで、組み立て後の電力供給システムの設置面積を大幅に減少させることが可能
である。更に、モジュール化されスタンドアロン型のサブシステムで採用されて
いた別体のEMI格納容器も取り除かれている。その代わりに、EMIシールド
性能を付与するために、電力供給システムの主要な機能ブロックは統合電源モジ
ュール(IPM)にグループ化され、単一のシステムレベルのEMI格納容器(
金属製の格納容器等)に格納される。重複した構成要素および別体のEMI格納
容器の両方を取り除くことで、サブシステムを密接に近接させることが可能にな
る。サブシステムを互いに密接な近接状態にグループ化し、電力供給システムの
サブシステムを単一のシステムレベルのEMI格納容器に収容することで、サブ
システム(高周波発生器及びインピーダンス整合器等)を互いに結合するための
長い同軸ケーブルは不要となる。
【0025】 電力供給システムの主要な機能ブロックが互いに離れて設けられていたのでは
決して実現できなかったであろう、このようなシステムレベルのEMI格納容器
を採用することにより、サブシステム間を単純な導線とストラップとで電気的に
接続することが可能となる。こうした導線とストラップとはEMI格納容器に格
納されていなければEMIシールド要件を満足しないので、サブシステムが互い
に離れて設けられていたのでは、このことは実現不可能であると思われる。サブ
システムとその電気的な接続部分とは、システムレベルのEMI格納容器に格納
されていることから、電気的な接続部分自体は、(電磁波に)晒される導線及び
コネクタのEMIシールド要件を満足しておく必要はない。このことから、同軸
ケーブルおよび同軸コネクタを使用して高電圧/大電流信号を伝達することに起
因した信頼性の問題は大幅に軽減される。サブシステムをEMI格納容器内で共
に接近して配置することで、長い同軸ケーブルの使用による電力の損失も大幅に
減少する。
【0026】 最も重要なことは、従来技術の電力供給システムにおけるモジュール設計思想
において必然的に発生する構成要素の重複を取り除くことで、組み立て後の電力
供給システムの構成要素数が減少する点である。構成要素数が減ると、電力供給
システム全体の取得コストは減少する。更に、構成要素数が減ることで、動作不
良を起こす構成要素も少なくなるため、信頼性が高くなる。構成要素の一つが動
作不良を起こした場合でも、電力供給システム自体の大きさが小さいため、図1
の従来技術の例において、個々のサブシステムを取り外し交換したのと同じ方法
で、統合電源モジュール全体を取り外し交換することができる。したがって、こ
のプラズマ処理システムは、素早く生産状態に復帰させることが可能であり、こ
れに伴い所有コストも減少する。
【0027】 本発明の特徴と利点との説明を容易にするために、以下の図と説明とを参照す
ることができる。図2には、統合電源モジュール200が図示されており、これ
は平行平板型多重周波数プラズマ処理室の電極に、二重の周波数を有する高周波
エネルギを供給する電力供給システムである。図2において、統合電源モジュー
ル200には、システム規模のEMI格納容器202が設けられており、これは
通常、EMI放射を格納容器内にほぼ封じ込める金属素材で形成される。
【0028】 EMI格納容器202内には、電力供給システムの主要機能ブロックが収容さ
れる。EMI格納容器202内には、配電ボックス204が表示されており、こ
の配電ボックス204は高圧送電網からAC電力を受け取る入力ポートを有する
。図2の例において、配電ボックス204に供給されるAC電力は、例えば、3
相208ボルトACの形態をとることができる。前記のように、緊急時には配電
ボックス204によって、電力供給システムの様々な機能ブロックへのAC電力
を素早く遮断できる。
【0029】 配電ボックス204には、発生器と、DC電源と、プラズマ処理室に関連する
他のAC負荷とにAC電力を出力するために、少なくとも3つの出力が設けられ
る。図2では、配電ボックス204は高周波発生器206及び208へAC電力
を出力する。一実施形態において、配電ボックス204と高周波発生器206及
び208とは、柔軟な導線によって結合される。
【0030】 高周波発生器206は、第一の周波数(図2の例において27MHz)を有す
る高周波エネルギを生成し、これはその後、インピーダンス整合器214を介し
て、プラズマ処理室212の電極210へ供給される。同様に、高周波発生器2
08は、第二の周波数(図2の例において2MHz)を有する高周波エネルギを
生成し、これはその後、インピーダンス整合器216を介して、電極210へ供
給される。同軸ケーブル/同軸コネクタによる高電圧/大電流信号の供給に伴う
信頼性の問題をほぼ取り除くために、高周波発生器とインピーダンス整合器とは
、好ましくは、同軸ケーブルと同軸コネクタとを使用せずに結合される。統合電
源モジュールにおける結合距離が短いことと、これらのサブシステムが結合部分
を含め、システム規模のEMI格納容器にほぼ収容されている事実とから、この
結合は単純な導線/ストラップを使用して達成できる。
【0031】 注意点として、高周波発生器206と高周波発生器208とは、どちらも独自
のDC電源を必要としない。代わりに、これらの高周波発生器に関連する制御電
子機器へのDC電力の供給は、統合電源モジュール200の中央DC電源によっ
て行われる。これにより、従来技術の図1の例において見られたDC電源の重複
を排除できる。
【0032】 DC電源220は、配電ボックス204からAC電力を受け取り、センサと、
制御電子機器と、統合電源モジュール200及びプラズマ処理室212のその他
のDC負荷とに必要なDC電圧を生成する。例えば、DC電源220は、統合電
源モジュール200とプラズマ処理室212内のデジタル及びアナログ回路向け
に、+5ボルト、+/−12ボルト、+/−15ボルト、及び又は+24ボルト
を生成することができる。好ましくは、このDC電源220は、統合電源モジュ
ール200の様々なサブシステムを動作させるために統合電源モジュール200
に設けられた唯一のDC電源となる。
【0033】 DC電源220は、統合電源モジュール200の外部にあるDC負荷(プラズ
マ処理室212に関連するセンサ、CPU、質量流量コントローラ、制御電子機
器その他)へDC電力を出力する。DC電源220の別の出力は、高周波発生器
206と、高周波発生器208と、インピーダンス整合器214と、インピーダ
ンス整合器216とに結合され、それらの制御電子機器にDC電力を供給する。
統合電源モジュール200内に他のDC負荷が存在する場合、こうしたDC負荷
も、好ましくは、DC電源220からDC電圧を受け取る。これにより、DC電
源の数は大幅に減少し、統合電源モジュールの設置面積は都合良く減少する。
【0034】 図2の実施において、コントローラ230もDC電源220からDC電力を受
け取る。コントローラ230は、電極210へ供給される電圧又は電流を示すV
/Iプローブ232(電流計)から信号を受け取るフィードバック制御回路であ
る。V/Iプローブ232からの信号に反応して、コントローラ230は、高周
波発生器206、高周波発生器208、インピーダンス整合器214、及びイン
ピーダンス整合器216の一つ以上に命令を出し、電力出力を調節し、高周波発
生器の出力と電極210との間の導電経路での損失を補正する。
【0035】 前記のように、配電ボックス204も、1相又は3相となるAC電力を、EM
I格納容器202外部の様々なAC負荷に供給できる。例えば、こうしたAC負
荷には、プラズマ処理室212内部から副産物を排出するターボポンプ、ヒータ
、モータ、及び又はプラズマ処理室212に関連するその他のAC負荷が含まれ
る。
【0036】 EMOサブシステム240も、EMI格納容器内に設けられる。好ましくは、
EMOサブシステム240は、配電ボックス204と関連し、緊急時には、DC
電源220、外部AC負荷、及び高周波発生器へのAC電力を素早く遮断できる
。電力供給システムのあらゆる主要機能ブロックがEMI格納容器202内に集
中しているため、必要となるEMOサブシステムは一つのみとなり、少なくとも
2つのEMOサブシステムが設けられる図1の従来技術の状況とは対照的である
【0037】 本発明の別の態様によれば、インピーダンス整合器214及び216の出力が
結合され、結合二重周波数信号がプラズマ処理室212の単一の電極のみに供給
される。これを達成するために、インピーダンス整合器214及び216はそれ
ぞれ、他方の周波数をブロックするように機能する。この直接結合手法の一実施
形態については、図5に関連して、後で説明する。
【0038】 図2の例において、インピーダンス整合器214及び216の出力は、単純な
導電ストラップ240を使用して直接結合され、これにより高周波エネルギが電
極210へ供給される。このため、同軸ケーブル及びこれに関連する同軸コネク
タは必要なくなり、インピーダンス整合器から電極まで、同軸ケーブル/(複数
の)コネクタを使用して大電流/高電圧信号を伝える際の信頼性の問題は都合よ
く未然に回避される。好ましくは、EMI格納容器202は、インピーダンス整
合器と電極210との間の導電ストラップが、その全長に渡って何らかの形態の
EMI格納容器に収容される形で、プラズマ処理室212と結合される。例えば
、EMI格納容器202は、プラズマ処理室212の格納容器と直接接触する状
態で配置され、導電ストラップはインピーダンス整合器出力と電極210との間
の全長に渡って、いずれかの格納容器内に常に収容される。
【0039】 望ましい場合は、インピーダンス整合器からの出力をプラズマ処理室の電極へ
別々に供給することができる。それぞれのインピーダンス整合器出力と、これに
関連する電極とは、導電ストラップによって結合可能であり、又は望ましい場合
は同軸ケーブルによっても結合できる。図3では、一方のインピーダンス整合器
からの高周波エネルギが同軸ケーブルによって一方の電極に供給され、他方のイ
ンピーダンス整合器出力からの高周波エネルギは導電ストラップによって他方の
電極に供給されている。この実施形態は、カリフォルニア州フレモントのラム・
リサーチ・コーポレーションから入手可能なTCPTMブランドの誘導結合プラズ
マ処理システム等の誘導結合型プラズマ処理システムにおいて特に有効である。
ここでも、高周波発生器の出力及び又はインピーダンス整合器の設定のフィード
バック制御を容易にするために、各インピーダンス整合器の出力にV/Iプロー
ブを設けることができる。
【0040】 図3においては、図面を簡単にするために単一のチャンバ212のみが図示さ
れているが、本発明のIPMは、クラスタツールのモジュール内にある任意の数
のチャンバと連動させることができる。例えば、クラスタツールにおいて、1モ
ジュールにつき複数のチャンバ212が設けられている場合、一実施形態におい
て、複数のチャンバに設けられた高周波発生器206及び208の複数のセット
を、IPM200の単一の配電ボックス204に結合させることが可能であり、
これにより、単一の配電ボックス204(及びEMOサブシステム240)によ
って、複数のチャンバに設けられた高周波発生器206及び208の複数のセッ
トのニーズを満足させることができる。この代わりに又はこれに加えて、一実施
形態においては、複数のチャンバに設けられた高周波発生器(206及び208
)の複数のセットと、インピーダンス整合器(214及び216)と、V/Iプ
ローブとは、IPMの単一のコントローラ230と通信させることが可能であり
、これにより、単一のコントローラ230によって、複数のチャンバに設けられ
た高周波発生器(206及び208)の複数のセットと、インピーダンス整合器
(214及び216)と、V/Iプローブとのニーズを満足させることができる
。この代わりに又はこれに加えて、一実施形態においては、複数のチャンバに設
けられた高周波発生器(206及び208)の複数のセットと、インピーダンス
整合器(214及び216)とは、IPMの単一のDC電源220からDC電力
を受け取ることが可能であり、これにより、単一のDC電源220によって、複
数のチャンバに設けられる高周波発生器(206及び208)の複数のセットと
、インピーダンス整合器(214及び216)とのニーズを満足させることが可
能になる。この方法では、IPMの配電ボックス204(及びEMOサブシステ
ム240)及び又はDC電源220及び又はコントローラ230は、クラスタツ
ールのモジュールの複数のチャンバのニーズを満足させるために収容能力の中で
密封する必要があるが、複数の配電ボックス、EMOサブシステム、DC電源、
及び又はコントローラ(及びその格納容器と相互接続)の必要性は都合よく排除
される。
【0041】 単一の電力電極のみを有し、単一の周波数のみで動作するシステムでは、図3
の2セットの電源/インピーダンス整合器のうち、一方を取り除くことができる
。図4は、この実施形態を表しており、EMI格納容器202内で必要になるの
は単一の高周波発生器と単一のインピーダンス整合器とのみである。図4の実施
形態は、複数のチャンバを有するクラスタツールモジュールに関係するものであ
り、好ましくは、複数のチャンバに設けられた高周波発生器208の複数のセッ
トと、インピーダンス整合器216と、V/Iプローブとは、すべて単一の配電
ボックス204(及びEMOサブシステム)及び又は単一のDC電源220及び
又は単一のコントローラ230によって機能を提供される。前記のように、こう
したクラスタツール装置では、各構成要素を収容範囲内で密封する必要があるも
のの、複数の配電ボックス、EMOサブシステム、DC電源、及び又はコントロ
ーラ(及びその格納容器と相互接続)の必要性は都合よく排除される。
【0042】 図5は、本発明の一実施形態による、インピーダンス整合器の出力を結合する
手法で、これによりプラズマ処理室内のプラズマに両方の高周波を供給する際に
単一の導線のみが必要となる。図5に関して、インピーダンス整合器214は、
2MHzの高周波を通過させるローパスフィルタとして機能する。インピーダン
ス整合器216は、27MHzの高周波を通過させるハイパスフィルタとして機
能する。どちらのインピーダンス整合器も、他の周波数は通過させないため、お
互いの高周波発生器を効果的に分離する。
【0043】 インピーダンス整合器214及び216の出力は、プラズマを点火及び又は維
持する電極に大電流/高電圧信号を伝えるのに十分な能力を有する導電ストラッ
プによって結合される。本発明の一態様によれば、ストラップ240によって伝
えられる結合信号は、二重周波数プラズマ処理室の単一の電極のみに結合される
。他の電極は接地される。単一の導電ストラップのみが必要であるため、このス
トラップを短縮し、その全長に渡って、統合電源モジュール200の格納容器及
び又はプラズマ処理室の格納容器によってEMIシールドすることができる。更
に、従来技術において設けられた二重送受信器は排除可能であり、その結果、複
雑性とコストとが減少する。
【0044】 上述したことから分かるように、本発明の設計手法により、電力モジュールの
構成要素数は都合よく減少し、統合電源モジュールの構築及びサービス寿命中の
動作に必要な原材料とエネルギとの量も減少する。これらの減少により、更に、
IPMを環境に優しい形で利用することが都合よく可能となり、これによりIP
M構成要素の製造、動作、及び(有効寿命終了時の)最終的な処分に伴うコスト
が低下する。
【0045】 以上、本発明をいくつかの好適な実施形態に基づき説明してきたが、本発明の
範囲に含まれる変更、変形、及び等価物が存在する。更に、本発明の方法及び装
置を実施するうえで多数の代替方法が存在することにも注意すべきである。した
がって、前記特許請求の範囲は、本発明の本来の趣旨及び範囲に入るこうしたあ
らゆる変更、変形、及び等価物を包含するものとして解釈されるべきである。
【0046】 本発明は、同様の符号が同様の要素を表す添付図面の各図において、例示的且
つ非限定的に図示されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】 平行平板型プラズマ処理システム用の従来技術の電力供給システムを示す図。
【図2】 本発明の一実施形態による二重周波数平行平板型プラズマ処理システム用統合
電源モジュールを示す図。
【図3】 本発明の別の実施形態による別の二重周波数プラズマ処理システム用統合電源
モジュールを示す図。
【図4】 本発明の一実施形態による単一周波数プラズマ処理システム用統合電源モジュ
ールを示す図。
【図5】 本発明の一態様によるインピーダンス整合器出力を互いに直接結合する手法を
示す図。
【符号の説明】
102 … ウェーハ 104、212 … プラズマ処理室 106 … チャック 108、210 … 電極 110、112、206、208 … 高周波発生器 114、116、214、216 … インピーダンス整合器 118、120 … 二重送受信器 122、124、126 … 同軸ケーブル 150 … プラズマ処理モジュール 152 … ラック 154、170、204 … 配電ボックス 156、158 … 導線 160、174、240 … EMOサブシステム 162、164、172、220 … DC電源 200 … 統合電源モジュール 202 … EMI格納容器 230 … コントローラ 232 … V/Iプローブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05H 1/46 H01L 21/302 B (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW ),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU, TJ,TM),AE,AL,AM,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,C R,CU,CZ,DE,DK,DM,EE,ES,FI ,GB,GD,GE,GH,GM,HR,HU,ID, IL,IN,IS,JP,KE,KG,KP,KR,K Z,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MD ,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL, PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK,S L,TJ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,UZ ,VN,YU,ZA,ZW Fターム(参考) 4G075 AA24 AA30 BA05 BC01 BC06 BD14 CA25 CA47 DA01 EC21 4K030 KA30 LA15 5F004 BA00 BA09 BB11 CA03 5F045 AA08 BB08 BB20 DP02 DQ10 DQ14 EH13 【要約の続き】 電源に接続されている。この第一の高周波発生器は、金 属製の格納容器内に設けられている。更に、第一の高周 波発生器から高周波エネルギを受け取るべく第一の高周 波発生器の出力に電気的に接続された第一のインピーダ ンス整合器が設けられている。この第一のインピーダン ス整合器には、インピーダンスを整合した第一の高周波 エネルギを、第三の出力ポートを介してプラズマ処理室 の第一の電極に供給するための、第一のインピーダンス 整合器出力が設けられている。この第一のインピーダン ス整合器は金属製の格納容器内に設けられており、金属 製の格納容器の外側には、プラズマ処理室に接続される 他の高周波発生器は存在していない。

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を処理するプラズマ処理室に、プラズマを維持するエネ
    ルギを供給するための電力供給システムであって、 入力ポートと、第一の出力ポートと、第二の出力ポートと、第三の出力ポート
    とを有する金属製の格納容器と、 前記格納容器内に設けられた第一のAC入力ポートからAC電力の供給を受け
    るとともに、前記第一の出力ポートを介して該格納容器の外部のAC負荷にAC
    電力を供給する配電ボックスと、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けて、該格納容器の外部に設けられたDC負荷に、前記第二の出力ポート
    を介してDC電力を供給するDC電源と、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けるとともに、前記DC電源から前記DC電力の供給を受ける第一の高周
    波発生器と、 前記第一の高周波発生器から受け取った高周波エネルギを、インピーダンスを
    整合した第一の高周波エネルギとして、前記プラズマ処理室の第一の電極に前記
    第三の出力ポートから供給するとともに、該プラズマ処理室に接続された全ての
    高周波発生器を格納する前記金属製の格納容器内に設けられている第一のインピ
    ーダンス整合器と を備える電力供給システム。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電力供給システムであって、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けるとともに、前記DC電源から前記DC電力の供給を受ける第二の高周
    波発生器と、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記DC電源からDC電力の供給を受け
    るとともに、前記第二の高周波発生器から受け取った高周波エネルギを、インピ
    ーダンスを整合した第二の高周波エネルギとして、前記第三の出力ポートから前
    記第一の電極に供給する第二のインピーダンス整合器と を更に備える電力供給システム。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の電力供給システムであって、 前記第一のインピーダンス整合器の出力と前記第二のインピーダンス整合器の
    出力とが導電ストラップで接続され、インピーダンスの整合された前記第一の高
    周波エネルギと前記第二の高周波エネルギとが、前記第一の電極に供給される電
    力供給システム。
  4. 【請求項4】 前記第一の高周波発生器と前記第一のインピーダンス整合器
    とが同軸ケーブルによらずに接続されている請求項3記載の電力供給システム。
  5. 【請求項5】 前記第一の高周波発生器と前記第一のインピーダンス整合器
    とが同軸コネクタによらずに接続されている請求項1記載の電力供給システム。
  6. 【請求項6】 前記金属製の格納容器の外部に設けられて前記第二の出力ポ
    ートから前記DC電力の供給を受ける前記DC負荷が、前記プラズマ処理室内の
    圧力を感知する圧力センサである請求項1記載の電力供給システム。
  7. 【請求項7】 前記金属製の格納容器の外部に設けられて前記第二の出力ポ
    ートから前記DC電力の供給を受ける前記DC負荷が、前記プラズマ処理室の制
    御電子機器である請求項1記載の電力供給システム。
  8. 【請求項8】 前記金属製の格納容器の外部に設けられて前記第二の出力ポ
    ートから前記AC電力の供給を受ける前記AC負荷が、前記プラズマ処理室から
    副産物ガスを排出するターボポンプである請求項1記載の電力供給システム。
  9. 【請求項9】 請求項1記載の電力供給システムであって、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けるとともに、前記DC電源から前記DC電力の供給を受ける第二の高周
    波発生器と、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記DC電源から前記DC電力の供給を
    受けるとともに、前記第二の高周波発生器から受け取った高周波エネルギを、イ
    ンピーダンスを整合した第二の高周波エネルギとして、前記プラズマ処理室の第
    二の電極に前記第三の出力ポートから供給する第二のインピーダンス整合器と を更に備える電力供給システム。
  10. 【請求項10】 緊急停止(EMO)サブシステムが、前記入力ポートの下
    流側ではなく、前記金属製の格納容器内に設けられている請求項1記載の電力供
    給システム。
  11. 【請求項11】 緊急停止(EMO)サブシステムが、前記金属製の格納容
    器の外部ではなく、該格納容器内に設けられている請求項1記載の電力供給シス
    テム。
  12. 【請求項12】 基板を処理するプラズマ処理室の電極に、プラズマを維持
    するエネルギを供給するための電力供給システムであって、 電磁波シールド格納容器内に前記電力供給システムの装置を格納するとともに
    、入力ポートと、第一の出力ポートと、第二の出力ポートと、第三の出力ポート
    とを備える電磁波シールド手段と、 前記格納容器内に設けられ、前記電磁波シールド手段の外部から前記入力ポー
    トを介してAC電力の供給を受けるとともに、該電磁波シールド手段の外部にあ
    るAC負荷に前記第一の出力ポートからAC電力を供給する配電手段と、 前記電磁波シールド手段の内側に設けられ、前記配電手段から前記AC電力の
    供給を受けて、該電磁波シールド手段の外側のDC負荷に前記第二の出力ポート
    からDC電力を供給するDC電源と、 前記配電手段から前記AC電力の供給を受け、前記DC電源から前記DC電力
    の供給を受けて前記電極に供給すべき前記エネルギを生成するとともに、前記プ
    ラズマ処理室に接続された全てのエネルギ生成手段を格納する前記電磁波シール
    ド手段の内側に設けられている第一のエネルギ生成手段と を備える電力供給システム。
  13. 【請求項13】 請求項12記載の電力供給システムであって、 前記電磁波シールド手段の内側に設けられ、前記配電手段から前記AC電力の
    供給を受けるとともに、前記DC電源から前記DC電力の供給を受けて、前記電
    極に供給すべき前記エネルギを生成する第二のエネルギ生成手段を、更に備える
    電力供給システム。
  14. 【請求項14】 前記第一のエネルギ生成手段および前記第二のエネルギ生
    成手段が、高周波発生器とインピーダンス整合器とを備えている請求項13記載
    の電力供給システム。
  15. 【請求項15】 前記高周波発生器と前記インピーダンス整合器とが同軸ケ
    ーブルによらずに接続されている請求項12記載の電力供給システム。
  16. 【請求項16】 前記高周波発生器と前記インピーダンス整合器とが同軸コ
    ネクタによらずに接続されている請求項12記載の電力供給システム。
  17. 【請求項17】 前記電磁波シールド手段の外部に設けられて前記第二の出
    力ポートから前記DC電力の供給を受ける前記DC負荷が、前記プラズマ処理室
    内の圧力を感知する圧力センサである請求項12記載の電力供給システム。
  18. 【請求項18】 前記電磁波シールド手段の外部に設けられて前記第二の出
    力ポートから前記DC電力の供給を受ける前記DC負荷が、前記プラズマ処理室
    の制御電子機器である請求項12記載の電力供給システム。
  19. 【請求項19】 前記電磁波シールド手段の外部に設けられて前記第二の出
    力ポートから前記AC電力の供給を受ける前記AC負荷が、前記プラズマ処理室
    から副産物ガスを排出するターボポンプである含む請求項12記載の電力供給シ
    ステム。
  20. 【請求項20】 請求項12記載の電力供給システムであって、 前記電磁波シールド手段の内部に設けられ、前記DC電源から前記DC電力の
    供給を受けるとともに、前記配電手段から前記AC電力の供給を受けて、前記プ
    ラズマ処理室の他方の電極に供給すべきエネルギを生成する第二のエネルギ生成
    手段を、更に備える電力供給システム。
  21. 【請求項21】 基板を処理するプラズマ処理室に、プラズマを維持するエ
    ネルギを供給する方法であって、 入力ポートと第一の出力ポートと第二の出力ポートと第三の出力ポートとを有
    する金属製の格納容器を準備するステップと、 前記金属製の格納容器に設けられた第一のAC入力ポートからAC電力の供給
    を受けるとともに、前記第一の出力ポートを介して前記金属製の格納容器の外側
    のAC負荷にAC電力を供給する配電ボックスを、該格納容器内に設けるステッ
    プと、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けて、該格納容器の外部に設けられたDC負荷に、前記第二の出力ポート
    からDC電力を出力するDC電源を、該配電ボックスに電気的に接続するステッ
    プと、 前記金属製の格納容器内に設けられて、前記DC電源から前記DC電力の供給
    を受ける第一の高周波発生器を、前記AC電力の供給を受けるために前記配電ボ
    ックスに電気的に接続するステップと、 前記プラズマ処理室に接続された全ての高周波発生器を格納する金属製の格納
    容器に設けられており、前記第一の高周波発生器から受け取った高周波エネルギ
    を、インピーダンスを整合した第一の高周波エネルギとして該プラズマ処理室の
    電極に前記第三の出力ポートから供給する第一のインピーダンス整合器を、該第
    一の高周波発生器に電気的に接続するステップと を備える方法。
  22. 【請求項22】 請求項21記載の方法であって、 前記金属製の格納容器内に設けられて、前記DC電源から前記DC電力の供給
    を受ける第二の高周波発生器を、前記AC電源の供給を受けるために前記配電ボ
    ックスに電気的に接続するステップと、 前記金属製の格納容器内に設けられて、前記DC電源からDC電力の供給を受
    けるとともに、前記第二の高周波発生器から受け取った高周波エネルギを、イン
    ピーダンスを整合した第二の高周波エネルギとして前記第三の出力ポートから前
    記電極に供給する第二のインピーダンス整合器を、該第二の高周波発生器に電気
    的に接続するステップと を更に備える方法。
  23. 【請求項23】 請求項22記載の方法であって、 インピーダンスの整合された前記第一の高周波エネルギと前記第二の高周波エ
    ネルギとを前記電極に供給すべく、前記第一のインピーダンス整合器の出力と前
    記第二のインピーダンス整合器の出力とを導電ストラップで接続するステップを
    、更に備える方法。
  24. 【請求項24】 前記第一の高周波発生器と前記第一のインピーダンス整合
    器とが同軸ケーブルによらずに接続されている請求項21記載の方法。
  25. 【請求項25】 基板を処理するプラズマ処理室に、プラズマを維持するエ
    ネルギを供給するための電力供給システムであって、 入力ポートと第一の出力ポートと第二の出力ポートと第三の出力ポートとを有
    する金属製の格納容器と、 前記格納容器内に設けられた第一のAC入力ポートからAC電力の供給を受け
    るとともに、前記第一の出力ポートを介して前記金属製の格納容器の外部のAC
    負荷にAC電力を供給する配電ボックスと、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けて、該格納容器の外部に設けられたDC負荷に、前記第二の出力ポート
    を介してDC電力を供給するDC電源と、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けるとともに、前記DC電源から前記DC電力の供給を受ける第一の高周
    波発生器と、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記第一の高周波発生器から受け取った
    高周波エネルギを、インピーダンスを整合した第一の高周波エネルギとして前記
    第三の出力ポートから前記プラズマに供給する第一のインピーダンス整合器と、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けるとともに、前記DC電源から前記DC電力の供給を受ける第二の高周
    波発生器と、 前記DC電源からDC電力の供給を受け取って、前記第二の高周波発生器から
    受け取った高周波エネルギを、インピーダンスを整合した第二の高周波エネルギ
    として前記第三の出力ポートから前記プラズマに供給するとともに、前記プラズ
    マ処理室に接続された全ての高周波発生器を格納する前記金属製の格納容器内に
    設けられた第二のインピーダンス整合器と を備える電力供給システム。
  26. 【請求項26】 緊急停止(EMO)サブシステムが、前記金属製の格納容
    器の外部ではなく、該格納容器内に設けられている請求項25記載の電力供給シ
    ステム。
  27. 【請求項27】 半導体基板を処理するクラスタツールモジュールの複数の
    プラズマ処理室に、プラズマを維持するエネルギを供給する電力供給システムで
    あって、 入力ポートと第一の出力ポートと第二の出力ポートと第三の出力ポートとを有
    する金属製の格納容器と、 前記格納容器内に設けられた第一のAC入力ポートからAC電力の供給を受け
    るとともに、前記第一の出力ポートを介して該格納容器の外部にあるAC負荷に
    AC電力を供給する配電ボックスと、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記配電ボックスから前記AC電力の供
    給を受けて、該格納容器の外部に設けられたDC負荷に、前記第二の出力ポート
    を介してDC電力を供給するDC電源と、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記DC電源から前記DC電力の供給を
    受けるとともに、前記配電ボックスから前記AC電力の供給を受けて、前記複数
    のプラズマ処理室に高周波電力を供給する複数の高周波発生器と を備える電力供給システム。
  28. 【請求項28】 請求項27記載の電力供給システムであって、 前記DC電源と複数の高周波発生器とに接続されて各々に高周波エネルギを受
    け取るとともに、それぞれに対応付けられた複数のプラズマ処理室の電極に、イ
    ンピーダンスの整合された高周波エネルギを供給する複数のインピーダンス整合
    器を、更に備える電力供給システム。
  29. 【請求項29】 半導体基板を処理するクラスタツールモジュールの複数の
    プラズマ処理室に、プラズマを維持するエネルギを供給する方法であって、 入力ポートと第一の出力ポートと第二の出力ポートと第三の出力ポートとを有
    する金属製の格納容器を準備するステップと、 前記第一のAC入力ポートを介して前記金属製の格納容器の外部からAC電力
    の供給を受けるとともに、該格納容器の外部のAC負荷に前記第一の出力ポート
    からAC電力を供給する配電ボックスを、該格納容器内に設けるステップと、 前記配電ボックスから前記AC電力の供給を受けて、前記金属製の格納容器の
    外部のDC負荷に、前記第二の出力ポートから前記DC電力を供給するDC電源
    を、該格納容器内に設けるステップと、 前記金属製の格納容器内に設けられ、前記DC電源から前記DC電力の供給を
    受けるとともに、前記複数のプラズマ処理室に高周波電力を供給する高周波発生
    器を、前記配電ボックスに電気的に接続するステップと を備える方法。
  30. 【請求項30】 請求項29記載の方法であって、 複数のプラズマ処理室に対応付けられて、該各々のプラズマ処理室の電極にイ
    ンピーダンスの整合された高周波エネルギをそれぞれ供給する複数のインピーダ
    ンス整合器を、前記DC電源と前記各々の高周波発生器とに接続するステップを
    、更に備える方法。
JP2000583064A 1998-11-12 1999-09-21 プラズマ処理室にプラズマを維持するエネルギを供給する方法、および電力供給システム Expired - Fee Related JP4451000B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/191,151 US6222718B1 (en) 1998-11-12 1998-11-12 Integrated power modules for plasma processing systems
US09/191,151 1998-11-12
PCT/US1999/021999 WO2000030148A1 (en) 1998-11-12 1999-09-21 Integrated power modules for plasma processing systems

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002530856A true JP2002530856A (ja) 2002-09-17
JP2002530856A5 JP2002530856A5 (ja) 2007-03-22
JP4451000B2 JP4451000B2 (ja) 2010-04-14

Family

ID=22704331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000583064A Expired - Fee Related JP4451000B2 (ja) 1998-11-12 1999-09-21 プラズマ処理室にプラズマを維持するエネルギを供給する方法、および電力供給システム

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6222718B1 (ja)
EP (2) EP1121706B1 (ja)
JP (1) JP4451000B2 (ja)
KR (1) KR100590075B1 (ja)
AU (1) AU6259599A (ja)
DE (2) DE69928429T2 (ja)
TW (1) TW439087B (ja)
WO (1) WO2000030148A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326218A (ja) * 2000-01-31 2001-11-22 Eni Technology Inc 無線周波エネルギー特性測定装置及び方法
JP2004535039A (ja) * 2001-06-07 2004-11-18 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置方法および装置
JP2006286633A (ja) * 2005-03-30 2006-10-19 Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg 真空プラズマ発生器
JP2008226820A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Mks Instruments Inc 多点電圧電流プローブシステム
JP2009070844A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
US7586099B2 (en) 2005-03-30 2009-09-08 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Vacuum plasma generator
JP2010016283A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Nuflare Technology Inc 描画装置
JP2010219026A (ja) * 2009-02-05 2010-09-30 Mks Instruments Inc 無線周波数電力制御システム
JP2010534385A (ja) * 2007-06-29 2010-11-04 ラム リサーチ コーポレーション 電源供給を局所化する分散型電源装置
CN103943451A (zh) * 2013-01-17 2014-07-23 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法
JP5731715B1 (ja) * 2014-03-31 2015-06-10 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP2015198084A (ja) * 2015-03-11 2015-11-09 Sppテクノロジーズ株式会社 高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置
JP2018520457A (ja) * 2015-05-05 2018-07-26 トゥルンプフ ヒュッティンガー スプウカ ズ オグラニショナ オドポヴィヂャルノスツィアTRUMPF Huettinger Sp. z o. o. プラズマインピーダンス整合装置、rf電力をプラズマ負荷に供給するためのシステムおよびrf電力をプラズマ負荷に供給する方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6222718B1 (en) * 1998-11-12 2001-04-24 Lam Research Corporation Integrated power modules for plasma processing systems
US6242360B1 (en) * 1999-06-29 2001-06-05 Lam Research Corporation Plasma processing system apparatus, and method for delivering RF power to a plasma processing
US6782343B2 (en) * 2001-02-28 2004-08-24 Asm International N.V. Resource consumption calculator
US6778921B2 (en) 2001-04-06 2004-08-17 Eni Technology, Inc. Modular architecture for industrial power delivery system
US7133921B2 (en) * 2001-04-06 2006-11-07 Mks Instruments, Inc. Portable devices for different control interfaces
KR100764248B1 (ko) * 2001-06-15 2007-10-05 동경 엘렉트론 주식회사 드라이 에칭 방법
WO2003046959A1 (fr) * 2001-11-27 2003-06-05 Tokyo Electron Limited Systeme de traitement de plasma
JP4388287B2 (ja) * 2003-02-12 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び高周波電力供給装置
US7431857B2 (en) * 2003-08-15 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using a dual frequency RF source
US20050106873A1 (en) * 2003-08-15 2005-05-19 Hoffman Daniel J. Plasma chamber having multiple RF source frequencies
US7510665B2 (en) * 2003-08-15 2009-03-31 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using dual frequency RF signals
KR100962428B1 (ko) * 2003-08-20 2010-06-14 주성엔지니어링(주) 대면적 플라즈마 발생을 위한 고주파전원 공급장치 및이를 이용한 전원공급방법
MXPA06003005A (es) * 2003-09-15 2006-06-23 Inamed Medical Products Corp Sistema de fijacion de dispositivo implantable y metodos de uso del mismo.
US7838430B2 (en) * 2003-10-28 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing
US20060027329A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Sinha Ashok K Multi-frequency plasma enhanced process chamber having a torroidal plasma source
KR100720989B1 (ko) * 2005-07-15 2007-05-28 주식회사 뉴파워 프라즈마 멀티 챔버 플라즈마 프로세스 시스템
CN100362619C (zh) 2005-08-05 2008-01-16 中微半导体设备(上海)有限公司 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法
EP1753011B1 (de) * 2005-08-13 2012-10-03 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Verfahren zur Erzeugung von Ansteuersignalen für HF-Leistungsgeneratoren
EP1783904B1 (de) * 2005-10-17 2008-04-16 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG HF-Plasmaversorgungseinrichtung
DE202006020568U1 (de) * 2006-06-30 2008-12-24 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Plasmaprozesssystem mit einer elektrostatischen Probenhalteanordnung
DE102006052061B4 (de) * 2006-11-04 2009-04-23 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren
US8528498B2 (en) 2007-06-29 2013-09-10 Lam Research Corporation Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity
US7736914B2 (en) * 2007-11-29 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing and controlling the level of polymer formation
WO2012156062A1 (de) * 2011-05-13 2012-11-22 Leybold Optics Gmbh Verfahren zur plasmabehandlung eines substrats in einer plasmavorrichtung
US9049665B2 (en) * 2011-12-22 2015-06-02 Advantest Corporation EMO linkage simplification
US9295148B2 (en) * 2012-12-14 2016-03-22 Lam Research Corporation Computation of statistics for statistical data decimation
US9673069B2 (en) * 2012-07-20 2017-06-06 Applied Materials, Inc. High frequency filter for improved RF bias signal stability
CN107106228B (zh) 2014-10-31 2020-05-05 美敦力先进能量有限公司 用于减少rf发生器中的泄漏电流的功率监测电路与方法
US10373794B2 (en) 2015-10-29 2019-08-06 Lam Research Corporation Systems and methods for filtering radio frequencies from a signal of a thermocouple and controlling a temperature of an electrode in a plasma chamber
US10043636B2 (en) 2015-12-10 2018-08-07 Lam Research Corporation Apparatuses and methods for avoiding electrical breakdown from RF terminal to adjacent non-RF terminal
CN107301941B (zh) * 2016-04-14 2019-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 等离子体处理设备及其操作方法
JP6913761B2 (ja) * 2017-04-21 2021-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 改善された電極アセンブリ
US10395894B2 (en) * 2017-08-31 2019-08-27 Lam Research Corporation Systems and methods for achieving peak ion energy enhancement with a low angular spread

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04362091A (ja) 1991-06-05 1992-12-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ化学気相成長装置
US5236512A (en) 1991-08-14 1993-08-17 Thiokol Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces with plasma
JP3140934B2 (ja) 1994-08-23 2001-03-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置
US5633502A (en) 1995-08-11 1997-05-27 E. A. Fischione Instruments, Inc. Plasma processing system for transmission electron microscopy specimens and specimen holders
US5737175A (en) * 1996-06-19 1998-04-07 Lam Research Corporation Bias-tracking D.C. power circuit for an electrostatic chuck
US5784238A (en) 1996-08-01 1998-07-21 Applied Materials, Inc. Coordinated cluster tool energy delivery system
US6222718B1 (en) * 1998-11-12 2001-04-24 Lam Research Corporation Integrated power modules for plasma processing systems

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326218A (ja) * 2000-01-31 2001-11-22 Eni Technology Inc 無線周波エネルギー特性測定装置及び方法
JP2004535039A (ja) * 2001-06-07 2004-11-18 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置方法および装置
JP4897195B2 (ja) * 2001-06-07 2012-03-14 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理方法、プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の製造方法
JP2006286633A (ja) * 2005-03-30 2006-10-19 Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg 真空プラズマ発生器
US7586099B2 (en) 2005-03-30 2009-09-08 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Vacuum plasma generator
US8055203B2 (en) 2007-03-14 2011-11-08 Mks Instruments, Inc. Multipoint voltage and current probe system
JP2008226820A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Mks Instruments Inc 多点電圧電流プローブシステム
JP2013084606A (ja) * 2007-03-14 2013-05-09 Mks Instruments Inc 多点電圧電流プローブシステム
US8190380B2 (en) 2007-03-14 2012-05-29 Mks Instruments, Inc. Multipoint voltage and current probe system
JP2010534385A (ja) * 2007-06-29 2010-11-04 ラム リサーチ コーポレーション 電源供給を局所化する分散型電源装置
JP2015092483A (ja) * 2007-06-29 2015-05-14 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 電源供給を局所化する分散型電源装置
JP2009070844A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
JP2010016283A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Nuflare Technology Inc 描画装置
JP2010219026A (ja) * 2009-02-05 2010-09-30 Mks Instruments Inc 無線周波数電力制御システム
CN103943451A (zh) * 2013-01-17 2014-07-23 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法
JP5731715B1 (ja) * 2014-03-31 2015-06-10 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP2015198084A (ja) * 2015-03-11 2015-11-09 Sppテクノロジーズ株式会社 高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置
JP2018520457A (ja) * 2015-05-05 2018-07-26 トゥルンプフ ヒュッティンガー スプウカ ズ オグラニショナ オドポヴィヂャルノスツィアTRUMPF Huettinger Sp. z o. o. プラズマインピーダンス整合装置、rf電力をプラズマ負荷に供給するためのシステムおよびrf電力をプラズマ負荷に供給する方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1121706A1 (en) 2001-08-08
TW439087B (en) 2001-06-07
US6411490B2 (en) 2002-06-25
US20010014003A1 (en) 2001-08-16
DE69942706D1 (de) 2010-10-07
WO2000030148A1 (en) 2000-05-25
US6222718B1 (en) 2001-04-24
AU6259599A (en) 2000-06-05
DE69928429D1 (de) 2005-12-22
KR100590075B1 (ko) 2006-06-14
JP4451000B2 (ja) 2010-04-14
DE69928429T2 (de) 2006-06-14
KR20010080911A (ko) 2001-08-25
EP1562220B1 (en) 2010-08-25
EP1121706B1 (en) 2005-11-16
EP1562220A1 (en) 2005-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002530856A (ja) プラズマ処理システム用統合電源モジュール
JP2002530856A5 (ja)
JP2003517722A (ja) 高周波電力をプラズマ処理チャンバに送給するプラズマ処理システム、装置、及び方法
JP2005285564A (ja) プラズマ処理装置
US9577448B2 (en) Integration of wireless charging unit in a wireless device
US10084338B2 (en) Wireless charging unit and coupler based docking combo for a wireless device
CN219164786U (zh) 等离子体设备
AU2014395130B2 (en) System and method for satellite using multifunctional motherboard
TW200308015A (en) Method and apparatus for routing harmonics in a plasma to ground within a plasma enhanced semiconductor wafer processing chamber
CN109659217A (zh) 用于多等离子处理腔的射频***
EP0939459A2 (en) Rigid, multiconductor power distribution bus and modular equipment rack employing the same
EP2449660B1 (en) Method for reducing electromagnetic interference radiated from a power supply arrangement
KR102192299B1 (ko) 기판 처리 장치
CN214976349U (zh) 常压等离子清洗***
US9356397B2 (en) Connector and electronic system using the same
US20040189336A1 (en) Apparatus for monitoring the connection state of connectors and a method for using the same
CN103856214B (zh) 一种射频电源外部输入信号相位同步的方法
JP2005264172A (ja) プラズマcvd装置
CN106877097A (zh) 一种双联的波导转同轴电缆组件
Seedher Earthing of electronic equipment in power stations
WO2016044107A1 (en) Power distribution unit for computing systems
JP2000036683A (ja) 高周波信号処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060920

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090907

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090915

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100112

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4451000

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees