JP2002524652A - 気相ヘテロ原子除去のための気相段間接触を伴なう２段水素処理方法 - Google Patents
気相ヘテロ原子除去のための気相段間接触を伴なう２段水素処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
容器（１２）および（１４）で表される二つの水素処理反応段と気液接触段とを含む水素処理方法が開示される。ここで、その容器は、いずれもライン（４２）および（５４）で表される液体流出物と蒸気流出物を生成するものである。第一の蒸気流出物は、ヘテロ原子化合物などの不純物を含み、該不純物は、一つまたは両反応段からの誘導される処理された液体流出物と、また随意に、処理された蒸気から回収される液体と、接触容器（２０）中で接触されることによって蒸気から除去される。第一段および接触段の液体流出物は、第二段容器（１４）に入り、水素処理で仕上げられる。接触段および第二段の蒸気流出物は、冷却されて追加の水素処理された生成物がライン（５８）および（６４）に回収される。
Description
【０００１】本発明の分野 本発明は、気相不純物除去のための段間気液接触を伴なう二つの水素処理反応
段を用いる炭化水素質原料の水素処理方法に関する。より詳しくは本発明は、二
つの連続する反応段における炭化水素質原料の接触水素処理方法に関する。いず
れの反応段も、液体流出物および蒸気流出物を生成する。ヘテロ原子（たとえば
硫黄）成分などの不純物は、水素処理された液体と接触させることによって、第
一段の蒸気から除去され、次いで該水素処理された液体は、第二段に通されて水
素処理され、不純物を低減された第一段の蒸気は、第二段の流出物と組み合わさ
れて生成物が回収される。
段を用いる炭化水素質原料の水素処理方法に関する。より詳しくは本発明は、二
つの連続する反応段における炭化水素質原料の接触水素処理方法に関する。いず
れの反応段も、液体流出物および蒸気流出物を生成する。ヘテロ原子（たとえば
硫黄）成分などの不純物は、水素処理された液体と接触させることによって、第
一段の蒸気から除去され、次いで該水素処理された液体は、第二段に通されて水
素処理され、不純物を低減された第一段の蒸気は、第二段の流出物と組み合わさ
れて生成物が回収される。
【０００２】本発明の背景 より軽質かつ清浄な原料の供給が減少するにつれて、石油産業は、石炭、ター
ルサンド、シェール油および重質原油などから誘導される相対的に高沸点の原料
の重質化に答える必要に迫られるであろう。これらはすべて、典型的には顕著に
より望ましくない成分、特に環境の観点から望ましくない成分を含むむものであ
る。これらの成分としては、ハロゲン化物、金属、不飽和物ないし硫黄、窒素お
よび酸素などのようなヘテロ原子を挙げることができる。さらに、環境の観点か
ら、燃料油、潤滑油および化学製品の規格は、そのような望ましくない成分に関
して、厳しくなり続けている。したがって、このような原料流れおよび製品流れ
は、さらに品質向上してこのような望ましくない成分の含有量を低減することが
求められており、このことは最終製品のコストを上昇させるものである。
ルサンド、シェール油および重質原油などから誘導される相対的に高沸点の原料
の重質化に答える必要に迫られるであろう。これらはすべて、典型的には顕著に
より望ましくない成分、特に環境の観点から望ましくない成分を含むむものであ
る。これらの成分としては、ハロゲン化物、金属、不飽和物ないし硫黄、窒素お
よび酸素などのようなヘテロ原子を挙げることができる。さらに、環境の観点か
ら、燃料油、潤滑油および化学製品の規格は、そのような望ましくない成分に関
して、厳しくなり続けている。したがって、このような原料流れおよび製品流れ
は、さらに品質向上してこのような望ましくない成分の含有量を低減することが
求められており、このことは最終製品のコストを上昇させるものである。
【０００３】 水素処理方法においては、適切な水素処理触媒の存在下に原料を水素と接触さ
せることにより、ヘテロ原子化合物の少なくとも一部が除去され、原料の分子構
造が変換され、またはそのいずれもが起こる。水素処理（hydroprocessing）に
は、水素化（hydrogenation）、水素化分解（hydrocracking）、水素化処理（hy
drotreating）、水素異性化（hydroisomerization）および水素化脱蝋（hydrode
waxing）が含まれ、したがって水素処理は、石油流れを品質向上して、より厳し
い品質要求を満足するために、重要な役割を果たすものである。たとえば、ヘテ
ロ原子除去の向上、芳香族飽和および沸点低減に対する要求が高まっている。こ
のようなゴールをより経済的に達成するために、たとえば、米国特許第２，９５
２，６２６号、第４，０２１，３３０号、第４，２４３，５１９号および第５，
５２２，９８３号に開示されているような多段水素処理の使用を含めて、種々の
プロセス形態が開発されている。
せることにより、ヘテロ原子化合物の少なくとも一部が除去され、原料の分子構
造が変換され、またはそのいずれもが起こる。水素処理（hydroprocessing）に
は、水素化（hydrogenation）、水素化分解（hydrocracking）、水素化処理（hy
drotreating）、水素異性化（hydroisomerization）および水素化脱蝋（hydrode
waxing）が含まれ、したがって水素処理は、石油流れを品質向上して、より厳し
い品質要求を満足するために、重要な役割を果たすものである。たとえば、ヘテ
ロ原子除去の向上、芳香族飽和および沸点低減に対する要求が高まっている。こ
のようなゴールをより経済的に達成するために、たとえば、米国特許第２，９５
２，６２６号、第４，０２１，３３０号、第４，２４３，５１９号および第５，
５２２，９８３号に開示されているような多段水素処理の使用を含めて、種々の
プロセス形態が開発されている。
【０００４】本発明の概要 本発明は、二つの連続する反応段における炭化水素質原料の接触水素処理に関
するものであり、いずれの段においても、液体流出物および蒸気流出物を生成す
るものである。ヘテロ原子（たとえば硫黄）化合物または他の望ましくない原料
成分は、第一段の蒸気を炭化水素質液体と接触させることにより、第一段の蒸気
から除かれて、不純物が蒸気から液体に移行される。接触後、蒸気および液体は
分離され、不純物を含んだ接触液体は、第一段の液体流出物と共に、さらなる水
素処理のために第二の反応段に通される。第二段の流出物は、水素処理された蒸
気および液体を含み、不純物レベルが第一段の流出物よりも低いものである。ま
た。第二段の液体流出物は、水素処理生成物液体を含むものである。第二段およ
び接触段の蒸気流出物は、いずれも不純物レベルが原料および第一段流出物より
も低いものであるが、冷却されて蒸気から液体に炭化水素質物質の少なくとも何
らかを凝縮する。この液体は、水素処理された生成物液体として、第二段の液体
流出物と組み合わされることができる。接触は、向流（countercurrent）または
交流（crosscurrent）の接触段または接触域において達成され、そこでは蒸気が
上昇する。接触域は、気液接触手段を含むものである。炭化水素質接触液体は、
好ましくは本発明の方法で生成する液体流出物であり、液体流出物は、以下に詳
しく説明されるように、少なくとも部分的に水素処理されたものである。第一の
反応段は、好ましくは並流（cocurrent）の気液流れ段であり、一方第二の反応
段は、並流（cocurrent）または向流の気液流れ段のいずれでもよい。１実施形
態においては、接触段および第二段の蒸気流出物は、組み合わされ、冷却されて
蒸気で存在する水素処理された炭化水素質物質を凝縮し、回収される。他の実施
形態においては、接触段の蒸気流出物は、第二段の蒸気および液体流出物と組み
合わされ、その混合物は、分離器に送られて水素処理された液体から蒸気が分離
される。次いで、分離された蒸気は、冷却されて蒸発した水素処理された炭化水
素質物質を液体として凝縮し分離される。次いで液体は、追加の生成物液体とし
て、第二段の液体流出物と組み合わされる。所望により、不純物を低減した接触
段の蒸気流出物は、第二段の液体流出物から別個に処理されてもよい。単一段ま
たは多段の冷却および気液分離が用いられてもよい。気液接触段または気液接触
域を蒸気からの不純物または他の成分の除去に用いることは、第一段の蒸気流出
物から不純物を除去するには大きな蒸気反応段となるであろう第三の反応段の必
要性を低減する意味で重要なことである。
するものであり、いずれの段においても、液体流出物および蒸気流出物を生成す
るものである。ヘテロ原子（たとえば硫黄）化合物または他の望ましくない原料
成分は、第一段の蒸気を炭化水素質液体と接触させることにより、第一段の蒸気
から除かれて、不純物が蒸気から液体に移行される。接触後、蒸気および液体は
分離され、不純物を含んだ接触液体は、第一段の液体流出物と共に、さらなる水
素処理のために第二の反応段に通される。第二段の流出物は、水素処理された蒸
気および液体を含み、不純物レベルが第一段の流出物よりも低いものである。ま
た。第二段の液体流出物は、水素処理生成物液体を含むものである。第二段およ
び接触段の蒸気流出物は、いずれも不純物レベルが原料および第一段流出物より
も低いものであるが、冷却されて蒸気から液体に炭化水素質物質の少なくとも何
らかを凝縮する。この液体は、水素処理された生成物液体として、第二段の液体
流出物と組み合わされることができる。接触は、向流（countercurrent）または
交流（crosscurrent）の接触段または接触域において達成され、そこでは蒸気が
上昇する。接触域は、気液接触手段を含むものである。炭化水素質接触液体は、
好ましくは本発明の方法で生成する液体流出物であり、液体流出物は、以下に詳
しく説明されるように、少なくとも部分的に水素処理されたものである。第一の
反応段は、好ましくは並流（cocurrent）の気液流れ段であり、一方第二の反応
段は、並流（cocurrent）または向流の気液流れ段のいずれでもよい。１実施形
態においては、接触段および第二段の蒸気流出物は、組み合わされ、冷却されて
蒸気で存在する水素処理された炭化水素質物質を凝縮し、回収される。他の実施
形態においては、接触段の蒸気流出物は、第二段の蒸気および液体流出物と組み
合わされ、その混合物は、分離器に送られて水素処理された液体から蒸気が分離
される。次いで、分離された蒸気は、冷却されて蒸発した水素処理された炭化水
素質物質を液体として凝縮し分離される。次いで液体は、追加の生成物液体とし
て、第二段の液体流出物と組み合わされる。所望により、不純物を低減した接触
段の蒸気流出物は、第二段の液体流出物から別個に処理されてもよい。単一段ま
たは多段の冷却および気液分離が用いられてもよい。気液接触段または気液接触
域を蒸気からの不純物または他の成分の除去に用いることは、第一段の蒸気流出
物から不純物を除去するには大きな蒸気反応段となるであろう第三の反応段の必
要性を低減する意味で重要なことである。
【０００５】 第一段の液体および蒸気流出物は、各相の不純物レベルに関して、互いに平衡
状態にある。したがって、炭化水素質接触液体は、不純物レベルが第一段の液体
流出物に存在するより大きくないか、または好ましくは少ない炭化水素質液体を
意味する。接触液体の不純物レベルが第一段の液体流出物と同じである場合には
、液体は、不純物を蒸気から液体に移行するために、第一段の蒸気と接触する前
に冷却される。好ましくは、接触液体中の不純物レベルは、第一段の液体流出物
におけるより少ない。より好ましくは、接触に先立って、第一段の蒸気温度以下
に冷却される。このことは、蒸気から液体への不純物の移行を、より効率よくま
た大きなものにすることを確証するものである。典型的には、接触液体は、第一
および第二の反応段の液体流出物のいずれかまたは両方を含むものである。反応
段においては、炭化水素質原料は、適切な水素処理触媒の存在下に、所望の水素
処理を達成するに十分な反応条件で水素と反応される。水素は、水素ガスであり
、反応、生成物またはプロセスに逆効果を及ぼさない他のガスまたは蒸気成分と
混合されるかまたは希釈されてもよく、またはそうでなくてもよい。水素ガスが
他のこのような成分を含む場合には、水素ガスはしばしば水素処理ガスとして引
用される。新規な水素または実質的に純水素が可能な場合には、それは少なくと
も第二の反応段で用いられることが好ましい。各段で水素処理される炭化水素質
物質の少なくとも一部、またより典型的には殆ど（たとえば＞５０ｗｔ％）は、
反応条件において液体である。水素処理は、結果的に各段において液体の一部を
蒸気に変換する。殆どの場合、炭化水素質物質は、炭化水素を含むものである。
状態にある。したがって、炭化水素質接触液体は、不純物レベルが第一段の液体
流出物に存在するより大きくないか、または好ましくは少ない炭化水素質液体を
意味する。接触液体の不純物レベルが第一段の液体流出物と同じである場合には
、液体は、不純物を蒸気から液体に移行するために、第一段の蒸気と接触する前
に冷却される。好ましくは、接触液体中の不純物レベルは、第一段の液体流出物
におけるより少ない。より好ましくは、接触に先立って、第一段の蒸気温度以下
に冷却される。このことは、蒸気から液体への不純物の移行を、より効率よくま
た大きなものにすることを確証するものである。典型的には、接触液体は、第一
および第二の反応段の液体流出物のいずれかまたは両方を含むものである。反応
段においては、炭化水素質原料は、適切な水素処理触媒の存在下に、所望の水素
処理を達成するに十分な反応条件で水素と反応される。水素は、水素ガスであり
、反応、生成物またはプロセスに逆効果を及ぼさない他のガスまたは蒸気成分と
混合されるかまたは希釈されてもよく、またはそうでなくてもよい。水素ガスが
他のこのような成分を含む場合には、水素ガスはしばしば水素処理ガスとして引
用される。新規な水素または実質的に純水素が可能な場合には、それは少なくと
も第二の反応段で用いられることが好ましい。各段で水素処理される炭化水素質
物質の少なくとも一部、またより典型的には殆ど（たとえば＞５０ｗｔ％）は、
反応条件において液体である。水素処理は、結果的に各段において液体の一部を
蒸気に変換する。殆どの場合、炭化水素質物質は、炭化水素を含むものである。
【０００６】 広い意味で、本発明は、炭化水素質原料から、少なくとも一つの不純物を除去
する方法であって、該方法は、下記工程（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とする
水素処理方法（hydroprocessing process）を含むものである。 （ａ）第一の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該原料を水素 と反応させて該原料より不純物含有量が低い第一段流出物を形成し、該流出 物は、第一段の水素処理された炭化水素質液体および蒸気を含み、かつ水素 処理された炭化水素質原料成分を含み、しかも該液体流出物および蒸気流出 物の両者は、該不純物が該液体流出物と該蒸気流出物との間で平衡状態にあ る該不純物を含む工程 （ｂ）該第一段の液体流出物と蒸気流出物とを分離する工程 （ｃ）接触段において、該蒸気中の不純物が該液体に移行するような条件下に、 該蒸気流出物を炭化水素質液体と接触させて接触段流出物を形成し、該接触 段流出物は、不純物含有量が増加した炭化水素質液体および蒸気を含む、か つ不純物含有量が該第一段の流出物より少ない水素処理された炭化水素質原 料成分を含む工程 （ｄ）第二の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該第一段およ び接触段の液体流出物を水素と反応させて第二段の流出物を形成し、該第二 段の流出物は、水素処理された炭化水素質液体と、水素処理された炭化水素 質原料成分を含む蒸気とを含むものであり、しかも該液体は、不純物含有量 が該原料および第一段の液体流出物より低いものである工程
する方法であって、該方法は、下記工程（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とする
水素処理方法（hydroprocessing process）を含むものである。 （ａ）第一の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該原料を水素 と反応させて該原料より不純物含有量が低い第一段流出物を形成し、該流出 物は、第一段の水素処理された炭化水素質液体および蒸気を含み、かつ水素 処理された炭化水素質原料成分を含み、しかも該液体流出物および蒸気流出 物の両者は、該不純物が該液体流出物と該蒸気流出物との間で平衡状態にあ る該不純物を含む工程 （ｂ）該第一段の液体流出物と蒸気流出物とを分離する工程 （ｃ）接触段において、該蒸気中の不純物が該液体に移行するような条件下に、 該蒸気流出物を炭化水素質液体と接触させて接触段流出物を形成し、該接触 段流出物は、不純物含有量が増加した炭化水素質液体および蒸気を含む、か つ不純物含有量が該第一段の流出物より少ない水素処理された炭化水素質原 料成分を含む工程 （ｄ）第二の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該第一段およ び接触段の液体流出物を水素と反応させて第二段の流出物を形成し、該第二 段の流出物は、水素処理された炭化水素質液体と、水素処理された炭化水素 質原料成分を含む蒸気とを含むものであり、しかも該液体は、不純物含有量 が該原料および第一段の液体流出物より低いものである工程
【０００７】 第二段の液体流出物は、ストリッピングを必要としてもよいが、水素処理生成
物液体を含むものである。所望により、並流（cocurrent）の第二の反応段によ
り、組み合わされた液体流出物および蒸気流出物は、単に分離域に通されて、冷
却に先立つことなく、蒸気相と液相とを分離してもよい。次いで、分離された蒸
気相は、（ｉ）第二段の蒸気、または（ｉｉ）第二段および接触段の蒸気組み合
わせのすべてまたは一部のいずれであってもよいが、冷却されて、水素処理され
た蒸気の一部が液体に凝縮される。本方法の特定の実施例は、硫黄、窒素および
酸素などのヘテロ原子不純物を、中間留出油の燃料留分およびより重質な原料の
ような原料から除去する水素化処理方法（hydrotreating process）である。し
かし、本発明は水素化処理方法に限定するものでないことは明らかである。この
ことは以下に詳細に説明される。さらに、また実施の観点で、各反応段からの蒸
気流出物は、未反応水素を含むものであろう。
物液体を含むものである。所望により、並流（cocurrent）の第二の反応段によ
り、組み合わされた液体流出物および蒸気流出物は、単に分離域に通されて、冷
却に先立つことなく、蒸気相と液相とを分離してもよい。次いで、分離された蒸
気相は、（ｉ）第二段の蒸気、または（ｉｉ）第二段および接触段の蒸気組み合
わせのすべてまたは一部のいずれであってもよいが、冷却されて、水素処理され
た蒸気の一部が液体に凝縮される。本方法の特定の実施例は、硫黄、窒素および
酸素などのヘテロ原子不純物を、中間留出油の燃料留分およびより重質な原料の
ような原料から除去する水素化処理方法（hydrotreating process）である。し
かし、本発明は水素化処理方法に限定するものでないことは明らかである。この
ことは以下に詳細に説明される。さらに、また実施の観点で、各反応段からの蒸
気流出物は、未反応水素を含むものであろう。
【０００８】詳細な説明 水素処理（hydroprocessing）は、水素が炭化水素質原料と反応して、一つ以
上の不純物を除去し、原料または両者の少なくとも一部の分子構造を変化または
転化する方法である。例示的であるが、限定的でない不純物の例としては、（ｉ
）硫黄、窒素および酸素などのヘテロ原子不純物、（ｉｉ）ナフテン、芳香族、
縮合芳香族および他の環状不飽和物などの環状化合物、（ｉｉｉ）金属、（ｉｖ
）他の不飽和物、（ｖ）ワックス質物質などを挙げることができる。したがって
、不純物は、原料から水素処理によって除くことが望ましい如何なる原料成分を
も意味するものである。例示的であるが、限定的でない実施されうる水素処理方
法の例としては、軽質および重質原料から、水素化分解（hydrocracking）、芳
香族および他の不飽和物の水素化（hydrogenating）、ワックスやワックス質原
料の水素異性化および／または接触脱蝋、および重質流れの脱メタルによって、
より軽沸点の留分を形成することが含まれる。開環、特にナフテン環の開環も、
また水素処理方法とみなすことができる。炭化水素質原料は、原油石油、タール
サンド、石炭液化、シェール油および炭化水素合成から得られるか、または誘導
される主として炭化水素物質を意味するものである。本発明を実施する際に用い
られる反応段は、望ましい反応に対して適切な温度および圧力で運転される。た
とえば、典型的な水素処理温度は、圧力約５０〜約３，０００ｐｓｉｇ、好まし
くは５０〜２，５００ｐｓｉｇで約４０〜約４５０℃の範囲であろう。第一の反
応段の蒸気流出物は、硫黄または他のヘテロ原子化合物などの不純物または望ま
しくない原料成分を含んでもよく、第一段の蒸気から除くことが望ましいもので
ある。炭化水素質接触液体は、不純物濃度が第一段の蒸気と平衡状態にある第一
段の液体流出物よりも大きくなく、好ましくは低いものである。この接触液体は
、本方法または望ましい水素処理生成物液体のいずれにも、悪影響を与えること
がないいかなる炭化水素質液体であってもよく、また蒸気の不純物が移行するで
あろういかなる炭化水素質液体であってもよい。一方、より典型的には第一およ
び第二の反応段の液体流出物のいずれか、または両方を含むものであろう。好ま
しくは、それは、接触の前に、第一段の蒸気流出物より低い温度に冷却されるで
あろう。液体中の低い不純物濃度は、蒸気からいくつかの不純物をそれに移行さ
せることとなり、一方蒸気より低い温度の接触液体を有することは、それが蒸気
と同じ温度にある場合よりも、多くの不純物が移行することとなる。
上の不純物を除去し、原料または両者の少なくとも一部の分子構造を変化または
転化する方法である。例示的であるが、限定的でない不純物の例としては、（ｉ
）硫黄、窒素および酸素などのヘテロ原子不純物、（ｉｉ）ナフテン、芳香族、
縮合芳香族および他の環状不飽和物などの環状化合物、（ｉｉｉ）金属、（ｉｖ
）他の不飽和物、（ｖ）ワックス質物質などを挙げることができる。したがって
、不純物は、原料から水素処理によって除くことが望ましい如何なる原料成分を
も意味するものである。例示的であるが、限定的でない実施されうる水素処理方
法の例としては、軽質および重質原料から、水素化分解（hydrocracking）、芳
香族および他の不飽和物の水素化（hydrogenating）、ワックスやワックス質原
料の水素異性化および／または接触脱蝋、および重質流れの脱メタルによって、
より軽沸点の留分を形成することが含まれる。開環、特にナフテン環の開環も、
また水素処理方法とみなすことができる。炭化水素質原料は、原油石油、タール
サンド、石炭液化、シェール油および炭化水素合成から得られるか、または誘導
される主として炭化水素物質を意味するものである。本発明を実施する際に用い
られる反応段は、望ましい反応に対して適切な温度および圧力で運転される。た
とえば、典型的な水素処理温度は、圧力約５０〜約３，０００ｐｓｉｇ、好まし
くは５０〜２，５００ｐｓｉｇで約４０〜約４５０℃の範囲であろう。第一の反
応段の蒸気流出物は、硫黄または他のヘテロ原子化合物などの不純物または望ま
しくない原料成分を含んでもよく、第一段の蒸気から除くことが望ましいもので
ある。炭化水素質接触液体は、不純物濃度が第一段の蒸気と平衡状態にある第一
段の液体流出物よりも大きくなく、好ましくは低いものである。この接触液体は
、本方法または望ましい水素処理生成物液体のいずれにも、悪影響を与えること
がないいかなる炭化水素質液体であってもよく、また蒸気の不純物が移行するで
あろういかなる炭化水素質液体であってもよい。一方、より典型的には第一およ
び第二の反応段の液体流出物のいずれか、または両方を含むものであろう。好ま
しくは、それは、接触の前に、第一段の蒸気流出物より低い温度に冷却されるで
あろう。液体中の低い不純物濃度は、蒸気からいくつかの不純物をそれに移行さ
せることとなり、一方蒸気より低い温度の接触液体を有することは、それが蒸気
と同じ温度にある場合よりも、多くの不純物が移行することとなる。
【０００９】 このような系での使用に適切な原料としては、ナフサ沸点範囲から、ガスオイ
ル、残油などの重質原料までのものが挙げられる。本発明を実施する際に用いる
ことができる原料の具体例には、減圧残油、常圧残油、減圧ガスオイル（ＶＧＯ
）、常圧ガスオイル（ＡＧＯ）、スチーム分解ガスオイル（ＳＣＧＯ）、脱れき
油（ＤＡＯ）、軽質接触循環油（ＬＣＣＯ）、それにタールサンド、シェール油
石炭液化、フィッシャートロプシュタイプの炭化水素合成によってＨ２とＣとの
混合物から合成される炭化水素から誘導される天然原料および合成原料、および
これらの混合物が含まれるが、これらに限定されるものではない。
ル、残油などの重質原料までのものが挙げられる。本発明を実施する際に用いる
ことができる原料の具体例には、減圧残油、常圧残油、減圧ガスオイル（ＶＧＯ
）、常圧ガスオイル（ＡＧＯ）、スチーム分解ガスオイル（ＳＣＧＯ）、脱れき
油（ＤＡＯ）、軽質接触循環油（ＬＣＣＯ）、それにタールサンド、シェール油
石炭液化、フィッシャートロプシュタイプの炭化水素合成によってＨ２とＣとの
混合物から合成される炭化水素から誘導される天然原料および合成原料、および
これらの混合物が含まれるが、これらに限定されるものではない。
【００１０】 水素処理のためにまた本発明に関連して、「新規の水素」および「水素含有処
理ガス」という用語は同義語であり、純粋の水素または水素含有処理ガスのいず
れかであって、該水素含有処理ガスは、目的の反応に対して少なくとも十分な量
の水素と、反応や生成物のいずれをも阻害したりあるいはそれらに逆効果を与え
ない他のガスまたはガス類（たとえば窒素およびメタンなどの軽質炭化水素）と
を含む処理ガス流れである。これらの用語は、存在する汚染物質および少なくと
も一部の任意の炭化水素質蒸気を除くために処理されることなく、他段から循環
される蒸気流出物を除外するものである。これらは、任意の好都合な出所からの
水素または水素含有ガスのいずれをも含むことを意味するものであり、まず炭化
水素（たとえばＣ４＋〜Ｃ５＋）または炭化水素質物質、および汚染物質（Ｈ２ ＳおよびＮＨ３）の少なくとも一部、好ましくは大部分を蒸気から除き、清浄な
水素リッチな処理ガスとした後、水素処理された蒸気流出物から回収された未反
応水素を含むものである。反応段に導入される処理ガス流れは、好ましくは少な
くとも約５０ｖｏｌ％、より好ましくは少なくとも約７５ｖｏｌ％の水素を含有
する。任意の特定段の蒸気流出物における未反応水素が、任意段の水素処理にお
いて用いられる運転では、その段の蒸気流出物に対してその段に導入される新規
の処理ガスには、後続する一段または複数段のための十分な水素を含有するべく
、十分な水素が存在しなければならない。
理ガス」という用語は同義語であり、純粋の水素または水素含有処理ガスのいず
れかであって、該水素含有処理ガスは、目的の反応に対して少なくとも十分な量
の水素と、反応や生成物のいずれをも阻害したりあるいはそれらに逆効果を与え
ない他のガスまたはガス類（たとえば窒素およびメタンなどの軽質炭化水素）と
を含む処理ガス流れである。これらの用語は、存在する汚染物質および少なくと
も一部の任意の炭化水素質蒸気を除くために処理されることなく、他段から循環
される蒸気流出物を除外するものである。これらは、任意の好都合な出所からの
水素または水素含有ガスのいずれをも含むことを意味するものであり、まず炭化
水素（たとえばＣ４＋〜Ｃ５＋）または炭化水素質物質、および汚染物質（Ｈ２ ＳおよびＮＨ３）の少なくとも一部、好ましくは大部分を蒸気から除き、清浄な
水素リッチな処理ガスとした後、水素処理された蒸気流出物から回収された未反
応水素を含むものである。反応段に導入される処理ガス流れは、好ましくは少な
くとも約５０ｖｏｌ％、より好ましくは少なくとも約７５ｖｏｌ％の水素を含有
する。任意の特定段の蒸気流出物における未反応水素が、任意段の水素処理にお
いて用いられる運転では、その段の蒸気流出物に対してその段に導入される新規
の処理ガスには、後続する一段または複数段のための十分な水素を含有するべく
、十分な水素が存在しなければならない。
【００１１】 本発明は、図面を引用して、さらに理解することができる。したがって、まず
図１を引用すると、本発明を実施する際に有用である水素処理ユニットについて
図式的な流れ図が示される。この特定の実施形態において、水素処理方法（hydr
oprocessing process）は、水素化処理方法（hydrotreating process）であり、
反応段は水素化処理段である。簡便のために、反応容器の内部装置、バルブ、ポ
ンプ、熱交換装置などは、すべて示されていない。したがって、水素化処理ユニ
ット１０は、第一段および第二段の水素化処理反応容器１２および１４を含み、
それらはそれぞれ内部に、留出油またはディーゼル燃料原料を水素化処理するた
めの固定触媒床１６および１８を含む。第三の容器２０は、気液接触段容器であ
り、気液遊離および分離域（disengaging and separating zone）２２を底部に
含み、その上流部に接触段として気液接触物質の床２４を含む。また、本実施形
態に示されるように、液体移行ポンプ２６、随意の熱交換器２８、高温および低
温分離域３２および３４を有する二段分離容器３０が、冷却用の熱交換器３６お
よび３８を付随して含まれる。水素化処理されるべきヘテロ原子含有炭化水素原
料は、ライン３６および３８を経由して、第一段の反応容器１２に入る。本発明
のこの特定の例図においては、原料は硫黄、窒素および恐らくは酸素のヘテロ化
合物を含む石油誘導の留出油またはディーゼル燃料留分である。新規の貫流水素
または水素を含む処理ガスは、ライン４０および３８から入る。原料および水素
は、容器１２に入り、触媒床１６を並流（cocurrent）して通って下流する。そ
れは、硫黄耐性触媒を含み、そこで原料は触媒の存在下に水素と反応して、原料
中に存在する含酸素化合物、硫黄化合物および窒素化合物を、Ｈ２ＳないしＮＨ ３ 、水および飽和オレフィンないし芳香族として除去し、蒸発した原料成分、未
反応水素、Ｈ２ＳおよびＮＨ３と共に、部分的に水素処理された炭化水素の液体
および蒸気の混合物を生成する。当業者において知られるように、水素化処理方
法および他の水素処理方法においては、水素処理反応段に入る水素量は、所望の
転化程度を達成するために理論的に必要な水素量の過剰量である。これは、反応
域に亘って十分な水素分圧を維持することによってなされる。したがって、各水
素処理反応段からの蒸気流出物は、未反応水素を含有する。原料の水素化処理の
殆ど（たとえば≧５０％）は、第一段において達成される。二段水素化処理方法
においては、原料中のヘテロ原子（Ｓ、ＮおよびＯ）の６０％、７５％および≧
９０％さえが、Ｈ２Ｓ、ＮＨ３およびＨ２Ｏに転化されることによって、第一の
反応段の液体から除かれることは、異常なことではない。したがって、第二段の
触媒は、動力学的により活性であるが、ヘテロ原子の除去に対して第一段の触媒
より硫黄耐性が低い触媒であり、またその上より大きな芳香族飽和を達成するこ
とができる。この実施形態においては、第一段の触媒は、アルミナに担持された
コバルトおよびモリブデン触媒成分を含むものであってよく、第二段の触媒は、
アルミナ担体に担持したニッケル−モリブデンまたはニッケル−タングステン触
媒金属成分を含むものである。第一段の液体および蒸気流出物は、各相における
不純物の濃度に関して平衡状態にあり、容器１２の底部から排出され、ライン４
２を経由して、接触段容器２０の底部の気液の遊離および分離域２２に入る。部
分的に水素化処理された液体は、蒸気流出物から分離され、該容器の底部から排
出され、ライン４４および４６を経由して、第二の反応段容器１４の頂部に入る
。この実施形態においては、第一の反応段は、第二の反応段より高い圧力で運転
される。したがって、液体移行ポンプは必要とされない。遊離（disengaged）さ
れ、分離（separated）された第一段の蒸気は、気液接触床手段２４通過して上
流し、そこで少なくとも部分的に水素化処理された流下する炭化水素液体と会し
、そしてそこでは不純物化合物の濃度は、第一段の蒸気流出物と平衡状態にある
第一段の液体流出物におけるより大きくないか、好ましくは少ない。接触に先立
って、液体は、好ましくは接触段における第一段の蒸気の温度より低い温度に冷
却される。接触手段は、ラシヒリング、ベルルサドル、ワイヤメッシュ、リボン
、オープンハニカム、バブルキャップトレイおよび他の装置などの気液接触トレ
イなどの任意の知られた気液接触手段を含むものである。図面に示される実施形
態においては、接触手段２４として示されている破線は、気液接触トレイを表す
。随意の熱交換器２８は、必要に応じて炭化水素液体を冷却して、蒸気より低い
温度にする。液体の温度は、蒸気温度および各相におけるヘテロ原子化合物の相
対濃度、溶解度および凝縮温度によって決定される。温度と濃度の組み合わせは
、たとえばこれらの化合物の望ましい量を、吸着、凝縮および平衡濃度差（equi
librium concentration differential）によって液体に移行して、望ましい蒸気
純度を得るためのものである。この実施形態に示されるように、接触液体は、第
二段の液体流出物を含んでよく、該流体流出物は、接触に先立って熱交換器２８
によって冷却されてもよいし、または冷却されなくてもよいものである。それは
、また循環され、熱交換器２８によって、接触段における第一段の蒸気流出物の
温度以下に冷却された接触段の流出物を含んでもよい。それは、また冷却される
かまたは冷却されることなくこれらの二つの液体の混合物であってもよい。さら
に、図１に示されるように、接触段および第二段の蒸気流出物から回収された、
凝縮され水素化処理された液体のすべてまたは一部は、第一段、第二段および／
または接触段の液体流出物を伴ってまたは伴うことなく、接触液体として用いら
れてもよい。接触液体は、いまやそれが第一段の蒸気流出物に接触する前よりも
これらの不純物を多く含むが、分離および遊離域２２に流下し、そこで第一段の
液体流出物と混合し、第二の反応段に入る。同時に、新規の水素または水素処理
ガスは、ライン４０、４８および４６を経由して、第二段の頂部に入る。第二の
反応段においては、炭化水素液体および水素は、いずれも触媒床１８を通って並
流（cocurrent）して流下する。第二段の反応の間、残留する原料へテロ化合物
の大部分は、いまや硫黄および窒素化合物であるが、硫黄および窒素がＨ２Ｓお
よびＮＨ３を形成して、液体から除去される。Ｈ２ＳおよびＮＨ３は、第二段の
蒸気に入る。接触段および第二段の蒸気流出物の両者は、Ｃ４−〜Ｃ５−炭化水
素の蒸気および通常にはガス状のＣ４−〜Ｃ５−炭化水素を含むものである。ヘ
テロ原子を減少した炭化水素液体およびヘテロ原子を含有する蒸気は、いずれも
容器１８の底部へと流下し、ライン５０を経由して排出され、ライン５２を経由
して容器２０から排出されるヘテロ原子を減少した第一の反応段の蒸気と組み合
わされる。組み合わされた液体および蒸気の流出物は、次いで、ライン５４を経
由して熱交換器３６に入り、冷却されて蒸気状態のより重質な炭化水素成分の大
部分を凝縮し、次いで得られた蒸気と液体の混合物は、ライン５６を経由して、
第一の、すなわち容器３０の高温分離域３２に入る。域３２においては、蒸気は
、遊離して液体から分離され、ライン５８を経由して、水素化処理された液体が
排出され、生成物ストリッパーに送られる。蒸気は、ライン６０を経由して域３
２から排出され、第二の、すなわち低温熱交換器３８を通過して通り、そこでさ
らに冷却されて液体の、より水素化処理された炭化水素（Ｃ４−〜Ｃ５−）とし
て凝縮される。残留蒸気は、殆どのＨ２ＳおよびＮＨ３と共に、大部分がメタン
および水素を含む。Ｈ２ＳおよびＮＨ３を含む凝縮された炭化水素および蒸気は
、ライン６２を経由して低温分離域３４に入ってそれらを分離し、ライン６４を
経由して液体が排出され、生成物ストリッパーに送られる。残留蒸気は、ライン
６６を経由して、テ−ルガスとして排出され、さらに処理されてＨ２ＳおよびＮ
Ｈ３が除去される。第一段および第二段の液体流出物のいずれかまたはいずれも
、接触段の接触液体として用いられてよいことから、これらの流れに対する循環
線は、点線として示されている。したがって、ライン６８は、容器２０の底部か
ら回収される液体のスリップ流れ（slip stream）を循環するための結合点（tie
-in point）であり、ポンプ２６を経由して熱交換器２８に入る。そこで、第一
段の蒸気流出物の温度以下に冷却され、不純物が蒸気から接触液体に移行される
。次いで、冷却された液体は、ライン２９を経由して容器２０の頂部に戻される
。ライン７０、７２および７４は、随意の移行および循環線として示され、水素
化処理された第二段の液体流出物および／または水素化処理された液体が、第二
段および／または接触段の蒸気からポンプ２６に戻って回収され、接触液体のす
べてまたは一部として、随意の熱交換器２８、ライン２９そして２０の頂部に入
る。
図１を引用すると、本発明を実施する際に有用である水素処理ユニットについて
図式的な流れ図が示される。この特定の実施形態において、水素処理方法（hydr
oprocessing process）は、水素化処理方法（hydrotreating process）であり、
反応段は水素化処理段である。簡便のために、反応容器の内部装置、バルブ、ポ
ンプ、熱交換装置などは、すべて示されていない。したがって、水素化処理ユニ
ット１０は、第一段および第二段の水素化処理反応容器１２および１４を含み、
それらはそれぞれ内部に、留出油またはディーゼル燃料原料を水素化処理するた
めの固定触媒床１６および１８を含む。第三の容器２０は、気液接触段容器であ
り、気液遊離および分離域（disengaging and separating zone）２２を底部に
含み、その上流部に接触段として気液接触物質の床２４を含む。また、本実施形
態に示されるように、液体移行ポンプ２６、随意の熱交換器２８、高温および低
温分離域３２および３４を有する二段分離容器３０が、冷却用の熱交換器３６お
よび３８を付随して含まれる。水素化処理されるべきヘテロ原子含有炭化水素原
料は、ライン３６および３８を経由して、第一段の反応容器１２に入る。本発明
のこの特定の例図においては、原料は硫黄、窒素および恐らくは酸素のヘテロ化
合物を含む石油誘導の留出油またはディーゼル燃料留分である。新規の貫流水素
または水素を含む処理ガスは、ライン４０および３８から入る。原料および水素
は、容器１２に入り、触媒床１６を並流（cocurrent）して通って下流する。そ
れは、硫黄耐性触媒を含み、そこで原料は触媒の存在下に水素と反応して、原料
中に存在する含酸素化合物、硫黄化合物および窒素化合物を、Ｈ２ＳないしＮＨ ３ 、水および飽和オレフィンないし芳香族として除去し、蒸発した原料成分、未
反応水素、Ｈ２ＳおよびＮＨ３と共に、部分的に水素処理された炭化水素の液体
および蒸気の混合物を生成する。当業者において知られるように、水素化処理方
法および他の水素処理方法においては、水素処理反応段に入る水素量は、所望の
転化程度を達成するために理論的に必要な水素量の過剰量である。これは、反応
域に亘って十分な水素分圧を維持することによってなされる。したがって、各水
素処理反応段からの蒸気流出物は、未反応水素を含有する。原料の水素化処理の
殆ど（たとえば≧５０％）は、第一段において達成される。二段水素化処理方法
においては、原料中のヘテロ原子（Ｓ、ＮおよびＯ）の６０％、７５％および≧
９０％さえが、Ｈ２Ｓ、ＮＨ３およびＨ２Ｏに転化されることによって、第一の
反応段の液体から除かれることは、異常なことではない。したがって、第二段の
触媒は、動力学的により活性であるが、ヘテロ原子の除去に対して第一段の触媒
より硫黄耐性が低い触媒であり、またその上より大きな芳香族飽和を達成するこ
とができる。この実施形態においては、第一段の触媒は、アルミナに担持された
コバルトおよびモリブデン触媒成分を含むものであってよく、第二段の触媒は、
アルミナ担体に担持したニッケル−モリブデンまたはニッケル−タングステン触
媒金属成分を含むものである。第一段の液体および蒸気流出物は、各相における
不純物の濃度に関して平衡状態にあり、容器１２の底部から排出され、ライン４
２を経由して、接触段容器２０の底部の気液の遊離および分離域２２に入る。部
分的に水素化処理された液体は、蒸気流出物から分離され、該容器の底部から排
出され、ライン４４および４６を経由して、第二の反応段容器１４の頂部に入る
。この実施形態においては、第一の反応段は、第二の反応段より高い圧力で運転
される。したがって、液体移行ポンプは必要とされない。遊離（disengaged）さ
れ、分離（separated）された第一段の蒸気は、気液接触床手段２４通過して上
流し、そこで少なくとも部分的に水素化処理された流下する炭化水素液体と会し
、そしてそこでは不純物化合物の濃度は、第一段の蒸気流出物と平衡状態にある
第一段の液体流出物におけるより大きくないか、好ましくは少ない。接触に先立
って、液体は、好ましくは接触段における第一段の蒸気の温度より低い温度に冷
却される。接触手段は、ラシヒリング、ベルルサドル、ワイヤメッシュ、リボン
、オープンハニカム、バブルキャップトレイおよび他の装置などの気液接触トレ
イなどの任意の知られた気液接触手段を含むものである。図面に示される実施形
態においては、接触手段２４として示されている破線は、気液接触トレイを表す
。随意の熱交換器２８は、必要に応じて炭化水素液体を冷却して、蒸気より低い
温度にする。液体の温度は、蒸気温度および各相におけるヘテロ原子化合物の相
対濃度、溶解度および凝縮温度によって決定される。温度と濃度の組み合わせは
、たとえばこれらの化合物の望ましい量を、吸着、凝縮および平衡濃度差（equi
librium concentration differential）によって液体に移行して、望ましい蒸気
純度を得るためのものである。この実施形態に示されるように、接触液体は、第
二段の液体流出物を含んでよく、該流体流出物は、接触に先立って熱交換器２８
によって冷却されてもよいし、または冷却されなくてもよいものである。それは
、また循環され、熱交換器２８によって、接触段における第一段の蒸気流出物の
温度以下に冷却された接触段の流出物を含んでもよい。それは、また冷却される
かまたは冷却されることなくこれらの二つの液体の混合物であってもよい。さら
に、図１に示されるように、接触段および第二段の蒸気流出物から回収された、
凝縮され水素化処理された液体のすべてまたは一部は、第一段、第二段および／
または接触段の液体流出物を伴ってまたは伴うことなく、接触液体として用いら
れてもよい。接触液体は、いまやそれが第一段の蒸気流出物に接触する前よりも
これらの不純物を多く含むが、分離および遊離域２２に流下し、そこで第一段の
液体流出物と混合し、第二の反応段に入る。同時に、新規の水素または水素処理
ガスは、ライン４０、４８および４６を経由して、第二段の頂部に入る。第二の
反応段においては、炭化水素液体および水素は、いずれも触媒床１８を通って並
流（cocurrent）して流下する。第二段の反応の間、残留する原料へテロ化合物
の大部分は、いまや硫黄および窒素化合物であるが、硫黄および窒素がＨ２Ｓお
よびＮＨ３を形成して、液体から除去される。Ｈ２ＳおよびＮＨ３は、第二段の
蒸気に入る。接触段および第二段の蒸気流出物の両者は、Ｃ４−〜Ｃ５−炭化水
素の蒸気および通常にはガス状のＣ４−〜Ｃ５−炭化水素を含むものである。ヘ
テロ原子を減少した炭化水素液体およびヘテロ原子を含有する蒸気は、いずれも
容器１８の底部へと流下し、ライン５０を経由して排出され、ライン５２を経由
して容器２０から排出されるヘテロ原子を減少した第一の反応段の蒸気と組み合
わされる。組み合わされた液体および蒸気の流出物は、次いで、ライン５４を経
由して熱交換器３６に入り、冷却されて蒸気状態のより重質な炭化水素成分の大
部分を凝縮し、次いで得られた蒸気と液体の混合物は、ライン５６を経由して、
第一の、すなわち容器３０の高温分離域３２に入る。域３２においては、蒸気は
、遊離して液体から分離され、ライン５８を経由して、水素化処理された液体が
排出され、生成物ストリッパーに送られる。蒸気は、ライン６０を経由して域３
２から排出され、第二の、すなわち低温熱交換器３８を通過して通り、そこでさ
らに冷却されて液体の、より水素化処理された炭化水素（Ｃ４−〜Ｃ５−）とし
て凝縮される。残留蒸気は、殆どのＨ２ＳおよびＮＨ３と共に、大部分がメタン
および水素を含む。Ｈ２ＳおよびＮＨ３を含む凝縮された炭化水素および蒸気は
、ライン６２を経由して低温分離域３４に入ってそれらを分離し、ライン６４を
経由して液体が排出され、生成物ストリッパーに送られる。残留蒸気は、ライン
６６を経由して、テ−ルガスとして排出され、さらに処理されてＨ２ＳおよびＮ
Ｈ３が除去される。第一段および第二段の液体流出物のいずれかまたはいずれも
、接触段の接触液体として用いられてよいことから、これらの流れに対する循環
線は、点線として示されている。したがって、ライン６８は、容器２０の底部か
ら回収される液体のスリップ流れ（slip stream）を循環するための結合点（tie
-in point）であり、ポンプ２６を経由して熱交換器２８に入る。そこで、第一
段の蒸気流出物の温度以下に冷却され、不純物が蒸気から接触液体に移行される
。次いで、冷却された液体は、ライン２９を経由して容器２０の頂部に戻される
。ライン７０、７２および７４は、随意の移行および循環線として示され、水素
化処理された第二段の液体流出物および／または水素化処理された液体が、第二
段および／または接触段の蒸気からポンプ２６に戻って回収され、接触液体のす
べてまたは一部として、随意の熱交換器２８、ライン２９そして２０の頂部に入
る。
【００１２】 図２は、本発明の方法の別の実施形態を図式的に例示するものであり、気液接
触段および第二の水素化処理段のいずれも同じ容器に配置されるものであり、第
一および第二の反応段は、それぞれ並流（cocurrent）の気液流れ段および向流
の気液流れ段である。図１に示される実施形態における場合のように、この実施
形態は、またヘテロ原子含有の燃料留出油留分を水素化処理する特定の参照を説
明するものである。したがって、図１に示されると同一の容器、熱交換器、ライ
ンおよびポンプは、図１および図２のいずれにおいても同じ機能を有し、同じ番
号を有する。また、図２に示される実施形態においては、第一段の液体流出物は
、接触液体のすべてまたは一部として使用されず、さらに組み合わされた第一段
および第二段の蒸気が接触段において液体と接触されるという実質的な相違があ
る。ほかの点では、この方法は、図１に示される実施形態と類似のものである。
触段および第二の水素化処理段のいずれも同じ容器に配置されるものであり、第
一および第二の反応段は、それぞれ並流（cocurrent）の気液流れ段および向流
の気液流れ段である。図１に示される実施形態における場合のように、この実施
形態は、またヘテロ原子含有の燃料留出油留分を水素化処理する特定の参照を説
明するものである。したがって、図１に示されると同一の容器、熱交換器、ライ
ンおよびポンプは、図１および図２のいずれにおいても同じ機能を有し、同じ番
号を有する。また、図２に示される実施形態においては、第一段の液体流出物は
、接触液体のすべてまたは一部として使用されず、さらに組み合わされた第一段
および第二段の蒸気が接触段において液体と接触されるという実質的な相違があ
る。ほかの点では、この方法は、図１に示される実施形態と類似のものである。
【００１３】 図２を参照すると、水素化処理ユニット１００において、原料はライン３６お
よび３８を経由して第一の反応段容器１２に通される。同時に、新規の水素また
は水素含有処理ガスがライン４０および３８を経由して容器に通される。原料お
よび水素は、触媒床１６を並流（cocurrent）して流下し、触媒床においては、
図１の実施形態においてと同様に、ヘテロ原子化合物が除去され、ある成分が飽
和される。ヘテロ原子化合物は、主としてＨ２Ｓ、ＮＨ３および水に変換される
ことによって除去される。これは、部分的に水素化処理された液体および蒸気を
含む第一段の流出物を生成し、ここで蒸気は部分的に水素化処理され蒸発した原
料成分、水素、Ｈ２Ｓ、ＮＨ３およびより軽質な炭化水素（殆どメタン）を含む
。液体および蒸気の流出物は、容器の底部に流下し、ライン４２を経由して排出
され、容器８０の原料入り口および蒸気空間８２に通される。容器８０は、接触
段のための気液接触手段２４と、第二段の水素化処理のための下流の水素化触媒
床１８とを含む。第一段の液体流出物は、主として水素化処理床１８によって定
義付けられる第二の水素化処理反応段を通って流下し、水素および蒸気流出物は
流上する。したがって、液体および水素は、第二位の反応段を互いに向流する。
第二段の水素化処理された蒸気流出物は、床１８から接触段の域２４に流上し、
そこで第一段の蒸気流出物と組み合わされる。組み合わされた第一段および第二
段の蒸気流出物は、床２４を流上する。そこで、ライン２９を経由して、床の上
に入り、流下する水素化処理された第二段の液体と接触する。図１の実施形態に
おけると同様に、組み合わされた蒸気に残留するヘテロ原子化合物は、吸着、凝
縮および／または平衡差移行（equilibrium differential transfer）によって
、流下する液体中に除去される。次いで、接触段の蒸気流出物は、いまやＨ２Ｓ
、ＮＨ３を含み、実質的にヘテロ原子原料成分が減少したものであるが、ライン
８６に通され、そこでライン８４からの水素化処理された第二段の液体流出物と
組み合わされる。接触段の液体流出物は、２４を流下して触媒床１８に入り、そ
こで流下する第一段の液体流出物と混合する。水素または水素処理ガスは、ライ
ン８５を経由して第二の水素化処理域に上方向に通され、下流する液体中の原料
へテロ原子化合物と反応し、それらを主としてＨ２ＳおよびＮＨ３に変換するこ
とによって液体から除去する。水素化処理された第二段の液体流出物は、ライン
８４を経由して排出され、接触段の蒸気流出物と組み合わされ、そして混合物は
、ライン５４を経由して、図１に示される実施形態におけると同様に高温熱交換
器などに通される。水素化処理された接触液体は、（ｉ）第二段の液体流出物お
よび（ｉｉ）液体に凝縮されて回収された水素化処理された炭化水素の蒸気成分
のひとつ以上から誘導されてもよい。これは、随意のつなぎライン（tie line）
７０、７４、７２および６８によって示される。図１に示される実施形態におけ
るように、ライン５８および６４の水素化処理された液体は、典型的にはストリ
ッパーに送られ、そして接触液体もまたストリッピングされた液体から誘導され
てもよい。
よび３８を経由して第一の反応段容器１２に通される。同時に、新規の水素また
は水素含有処理ガスがライン４０および３８を経由して容器に通される。原料お
よび水素は、触媒床１６を並流（cocurrent）して流下し、触媒床においては、
図１の実施形態においてと同様に、ヘテロ原子化合物が除去され、ある成分が飽
和される。ヘテロ原子化合物は、主としてＨ２Ｓ、ＮＨ３および水に変換される
ことによって除去される。これは、部分的に水素化処理された液体および蒸気を
含む第一段の流出物を生成し、ここで蒸気は部分的に水素化処理され蒸発した原
料成分、水素、Ｈ２Ｓ、ＮＨ３およびより軽質な炭化水素（殆どメタン）を含む
。液体および蒸気の流出物は、容器の底部に流下し、ライン４２を経由して排出
され、容器８０の原料入り口および蒸気空間８２に通される。容器８０は、接触
段のための気液接触手段２４と、第二段の水素化処理のための下流の水素化触媒
床１８とを含む。第一段の液体流出物は、主として水素化処理床１８によって定
義付けられる第二の水素化処理反応段を通って流下し、水素および蒸気流出物は
流上する。したがって、液体および水素は、第二位の反応段を互いに向流する。
第二段の水素化処理された蒸気流出物は、床１８から接触段の域２４に流上し、
そこで第一段の蒸気流出物と組み合わされる。組み合わされた第一段および第二
段の蒸気流出物は、床２４を流上する。そこで、ライン２９を経由して、床の上
に入り、流下する水素化処理された第二段の液体と接触する。図１の実施形態に
おけると同様に、組み合わされた蒸気に残留するヘテロ原子化合物は、吸着、凝
縮および／または平衡差移行（equilibrium differential transfer）によって
、流下する液体中に除去される。次いで、接触段の蒸気流出物は、いまやＨ２Ｓ
、ＮＨ３を含み、実質的にヘテロ原子原料成分が減少したものであるが、ライン
８６に通され、そこでライン８４からの水素化処理された第二段の液体流出物と
組み合わされる。接触段の液体流出物は、２４を流下して触媒床１８に入り、そ
こで流下する第一段の液体流出物と混合する。水素または水素処理ガスは、ライ
ン８５を経由して第二の水素化処理域に上方向に通され、下流する液体中の原料
へテロ原子化合物と反応し、それらを主としてＨ２ＳおよびＮＨ３に変換するこ
とによって液体から除去する。水素化処理された第二段の液体流出物は、ライン
８４を経由して排出され、接触段の蒸気流出物と組み合わされ、そして混合物は
、ライン５４を経由して、図１に示される実施形態におけると同様に高温熱交換
器などに通される。水素化処理された接触液体は、（ｉ）第二段の液体流出物お
よび（ｉｉ）液体に凝縮されて回収された水素化処理された炭化水素の蒸気成分
のひとつ以上から誘導されてもよい。これは、随意のつなぎライン（tie line）
７０、７４、７２および６８によって示される。図１に示される実施形態におけ
るように、ライン５８および６４の水素化処理された液体は、典型的にはストリ
ッパーに送られ、そして接触液体もまたストリッピングされた液体から誘導され
てもよい。
【００１４】 当業者においては、本発明が二つ以上の反応段および接触段に拡張できること
は、理解できるところである。したがってまた、三つ以上の反応段を用いてもよ
く、そこでは第一段からの部分的に処理された液体流出物が第二段の原料であり
、第二段の液体流出物が第三段の原料であるなどであり、一つ以上の気液接触段
において接触する蒸気段を付随してもよい。反応段は、少なくとも一つの接触反
応段を意味し、そこで液体または液体と蒸気の混合物は、適切な水素処理触媒の
存在下で反応して、少なくとも部分的に水素処理された流出物を生成する。反応
域における触媒は、固定床、流動床またはスラリー液中に分散された形態であっ
てもよい。一つ以上の触媒は、特定域において混合物として、または層（触媒床
に対して）の形態で用いることもまたできる。さらに、固定床が用いられる場合
には、同一または異なる一つ以上の触媒床が用いられてもよく、そのために一つ
以上の反応域が存在するであろう。床は、各床の上流に、随意のガスと液体の分
配手段が配置されてもよく、または二つ以上の分離した触媒の一つの床が、触媒
が層の形態でありかつ層間に殆ど空間がない状態で用いられてもよい。液体は、
連続的に一つの域から次の域に通される。
は、理解できるところである。したがってまた、三つ以上の反応段を用いてもよ
く、そこでは第一段からの部分的に処理された液体流出物が第二段の原料であり
、第二段の液体流出物が第三段の原料であるなどであり、一つ以上の気液接触段
において接触する蒸気段を付随してもよい。反応段は、少なくとも一つの接触反
応段を意味し、そこで液体または液体と蒸気の混合物は、適切な水素処理触媒の
存在下で反応して、少なくとも部分的に水素処理された流出物を生成する。反応
域における触媒は、固定床、流動床またはスラリー液中に分散された形態であっ
てもよい。一つ以上の触媒は、特定域において混合物として、または層（触媒床
に対して）の形態で用いることもまたできる。さらに、固定床が用いられる場合
には、同一または異なる一つ以上の触媒床が用いられてもよく、そのために一つ
以上の反応域が存在するであろう。床は、各床の上流に、随意のガスと液体の分
配手段が配置されてもよく、または二つ以上の分離した触媒の一つの床が、触媒
が層の形態でありかつ層間に殆ど空間がない状態で用いられてもよい。液体は、
連続的に一つの域から次の域に通される。
【００１５】 ここで用いられる用語「水素化処理（hydrotreating）」は、水素含有処理ガ
スが、硫黄および窒素などのヘテロ原子の除去、非芳香族の飽和および場合によ
っては芳香族の飽和に対して主に活性である適切な触媒の存在下に用いられる方
法を言う。本発明の水素化処理形態において使用される適切な水素化処理触媒は
、任意の通常の水素化処理触媒を含むものである。たとえば、アルミナなどの高
表面積の担体物質に担時した少なくとも一つの第８族金属触媒成分、好ましくは
Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉ、より好ましくはＣｏおよび／またはＮｉ、もっとも好ま
しくはＣｏ、および少なくとも一つの第６族金属触媒成分、好ましくはＭｏおよ
びＷ、より好ましくはＭｏを含む触媒を挙げることができる。他の適切な水素化
処理触媒としては、ＰｄやＰｔから選ばれる貴金属触媒のようなゼオライト触媒
が含まれる。ここにいう族とは、サージェント−ウェルチ科学社（Sargent-Welc
h Scientific Company）による１９６８年の版権に基づく元素周期律表に見られ
るものである。上述したように、一種以上の水素化処理触媒を同一の反応段また
は反応域において用いることは、本発明の範囲に入る。典型的な水素化処理温度
は、約５０ｐｓｉｇ〜約３，０００ｐｓｉｇ、好ましくは約５０ｐｓｉｇ〜約２
，５００ｐｓｉｇの圧力で、約１００℃〜４００℃の範囲である。反応段の一つ
が水素化分解段である場合には、触媒は任意の通常の水素化分解触媒であってよ
く、典型的な水素化分解条件で運転される。典型的な水素化分解触媒は、ＵＯＰ
社に対する米国特許第４，９２１，５９５号に記載されており、ここに引用して
包含するものである。このような触媒は、典型的にはゼオライト分解ベースに担
持した第８族金属水素化成分を含むものである。水素化分解条件としては、温度
約２００〜４２５℃、圧力約２００〜３，０００ｐｓｉｇおよび時間当たり液空
間速度約０．５〜１０Ｖ／Ｖ／Ｈｒ、好ましくは約１〜５Ｖ／Ｖ／Ｈｒを挙げる
ことができる。芳香族水素化触媒としては、ニッケル、コバルト−モリブデン、
ニッケル−モリブデンおよびニッケル−タングステンを挙げることができるが、
これに限定されるものではない。貴金属（たとえば白金および／またはパラジウ
ム）含有触媒もまた使用される。芳香族飽和域は、好ましくは温度約４０〜約４
００℃、より好ましくは約２６０〜約３５０℃、圧力約１００〜約３，０００ｐ
ｓｉｇ、好ましくは約２００〜約１，２００ｐｓｉｇ、時間あたり液空間速度（
ＬＨＳＶ）約０．３〜約２Ｖ／Ｖ／Ｈｒで運転される。
スが、硫黄および窒素などのヘテロ原子の除去、非芳香族の飽和および場合によ
っては芳香族の飽和に対して主に活性である適切な触媒の存在下に用いられる方
法を言う。本発明の水素化処理形態において使用される適切な水素化処理触媒は
、任意の通常の水素化処理触媒を含むものである。たとえば、アルミナなどの高
表面積の担体物質に担時した少なくとも一つの第８族金属触媒成分、好ましくは
Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉ、より好ましくはＣｏおよび／またはＮｉ、もっとも好ま
しくはＣｏ、および少なくとも一つの第６族金属触媒成分、好ましくはＭｏおよ
びＷ、より好ましくはＭｏを含む触媒を挙げることができる。他の適切な水素化
処理触媒としては、ＰｄやＰｔから選ばれる貴金属触媒のようなゼオライト触媒
が含まれる。ここにいう族とは、サージェント−ウェルチ科学社（Sargent-Welc
h Scientific Company）による１９６８年の版権に基づく元素周期律表に見られ
るものである。上述したように、一種以上の水素化処理触媒を同一の反応段また
は反応域において用いることは、本発明の範囲に入る。典型的な水素化処理温度
は、約５０ｐｓｉｇ〜約３，０００ｐｓｉｇ、好ましくは約５０ｐｓｉｇ〜約２
，５００ｐｓｉｇの圧力で、約１００℃〜４００℃の範囲である。反応段の一つ
が水素化分解段である場合には、触媒は任意の通常の水素化分解触媒であってよ
く、典型的な水素化分解条件で運転される。典型的な水素化分解触媒は、ＵＯＰ
社に対する米国特許第４，９２１，５９５号に記載されており、ここに引用して
包含するものである。このような触媒は、典型的にはゼオライト分解ベースに担
持した第８族金属水素化成分を含むものである。水素化分解条件としては、温度
約２００〜４２５℃、圧力約２００〜３，０００ｐｓｉｇおよび時間当たり液空
間速度約０．５〜１０Ｖ／Ｖ／Ｈｒ、好ましくは約１〜５Ｖ／Ｖ／Ｈｒを挙げる
ことができる。芳香族水素化触媒としては、ニッケル、コバルト−モリブデン、
ニッケル−モリブデンおよびニッケル−タングステンを挙げることができるが、
これに限定されるものではない。貴金属（たとえば白金および／またはパラジウ
ム）含有触媒もまた使用される。芳香族飽和域は、好ましくは温度約４０〜約４
００℃、より好ましくは約２６０〜約３５０℃、圧力約１００〜約３，０００ｐ
ｓｉｇ、好ましくは約２００〜約１，２００ｐｓｉｇ、時間あたり液空間速度（
ＬＨＳＶ）約０．３〜約２Ｖ／Ｖ／Ｈｒで運転される。
【００１６】 本発明の実施手順の種々の他の実施形態および変更形態は、自明であろう考え
られるとともに、上述した本発明の範囲および精神から逸脱することなく、当業
者により容易に実施できると考えられる。従って、本明細書に添付の請求の範囲
は、以上の記載内容そのものに限定されるものではなく、これらの請求の範囲に
は、本発明に関連した当業者により等価物であるとみなされるすべての特徴およ
び実施形態を含めて、本発明のもつ特許取得可能な新規な特徴はいずれも含まれ
るものと考えられる。
られるとともに、上述した本発明の範囲および精神から逸脱することなく、当業
者により容易に実施できると考えられる。従って、本明細書に添付の請求の範囲
は、以上の記載内容そのものに限定されるものではなく、これらの請求の範囲に
は、本発明に関連した当業者により等価物であるとみなされるすべての特徴およ
び実施形態を含めて、本発明のもつ特許取得可能な新規な特徴はいずれも含まれ
るものと考えられる。
【図１】 図１は、本発明の実施形態の流れ図を図式的に示すものであり、並流（cocurr
ent flow）の反応段を用い、別の容器に接触段を有するものである。
ent flow）の反応段を用い、別の容器に接触段を有するものである。
【図２】 図２は、本発明の実施形態の簡単な図式的な流れ図を示すものであり、並流（
cocurrent flow）の第一の反応段、向流の第二の反応段および第二の反応段容器
に配置された接触段を伴なうものである。
cocurrent flow）の第一の反応段、向流の第二の反応段および第二の反応段容器
に配置された接触段を伴なうものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＵ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＣＡ ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＥＥ，ＧＥ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＰ，ＫＲ，ＬＣ，ＬＫ，Ｌ Ｒ，ＬＴ，ＬＶ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＲＯ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＲ，ＴＴ， ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ (72)発明者 グプタ，ラメシュ アメリカ合衆国，ニュージャージー州 07922，バークレー ハイツ，ローレンス ドライブ 57 (72)発明者 エリス，エドワード，スタンレー アメリカ合衆国，ニュージャージー州 07920，バスキング リッジ，ランキン アヴェニュー 39 (72)発明者 レウィス，ウィリアム，アーネスト アメリカ合衆国，ルイジアナ州 70808， バトン ルージュ，ノース フィールドゲ イト コート 6933
Claims (28)
- 【請求項１】 炭化水素質原料から、少なくとも一つの不純物を除去する方
法であって、該方法は、下記工程（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とする水素処
理方法（hydroprocessing process）。 （ａ）第一の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該原料を水素 と反応させて該原料より不純物含有量が低い第一段流出物を形成し、該流出 物は、第一段の水素処理された炭化水素質液体および蒸気を含み、かつ水素 処理された炭化水素質原料成分を含み、しかも該液体流出物および蒸気流出 物の両者は、該不純物が該液体流出物と該蒸気流出物との間で平衡状態にあ る該不純物を含む工程 （ｂ）該第一段の液体流出物と蒸気流出物とを分離する工程 （ｃ）接触段において、該蒸気中の不純物が該液体に移行するような条件下に、 該蒸気流出物を炭化水素質液体と接触させて接触段流出物を形成し、該接触 段流出物は、不純物含有量が増加した炭化水素質液体および蒸気を含む、か つ不純物含有量が該第一段の流出物より少ない水素処理された炭化水素質原 料成分を含む工程 （ｄ）第二の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該第一段およ び接触段の液体流出物を水素と反応させて第二段の流出物を形成し、該第二 段の流出物は、水素処理された炭化水素質液体と、水素処理された炭化水素 質原料成分を含む蒸気とを含むものであり、しかも該液体は、不純物含有量 が該原料および第一段の液体流出物より低いものである工程 - 【請求項２】 該第二の反応段の液体流出物は、生成物液体を含むことを特
徴とする請求項１記載の水素処理方法。 - 【請求項３】 該第一段および該第二段の触媒は、同一であるかまたは異な
ることを特徴とする請求項２記載の水素処理方法。 - 【請求項４】 該原料および該水素は、該第一の反応段を並流（cocurrent
）することを特徴とする請求項３記載の水素処理方法。 - 【請求項５】 該接触段および該第二段の蒸気流出物の少なくとも一つは、
冷却されて、不純物含有量が該原料および該第一段の液体流出物より低い水素処
理された液体として、該蒸発した水素処理された炭化水素質原料成分に凝縮され
、そして回収されることを特徴とする請求項４記載の水素処理方法。 - 【請求項６】 該接触液体は、（ｉ）該第一の反応段の液体流出物、（ｉｉ
）該第二の反応段の液体流出物、（ｉｉｉ）不純物のレベルが該原料またはそれ
らの混合物より低い凝縮された炭化水素質原料の蒸気成分、またはこれらの混合
物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項５記載の水素処理方法
。 - 【請求項７】 該凝縮された炭化水素質原料成分の液体は、不純物含有量の
レベルが該原料および該第一段の液体流出物より低く、そして該接触段および該
第二段の蒸気流出物の両者から得られることを特徴とする請求項６記載の水素処
理方法。 - 【請求項８】 該接触液体は、該接触の前に、該接触域における該蒸気より
低い温度に冷却されることを特徴とする請求項６記載の水素処理方法。 - 【請求項９】 該移行条件は、不純物含有量が該第一の反応段の液体流出物
より大きくない該接触液体を含むことを特徴とする請求項８記載の水素処理方法
。 - 【請求項１０】 該液体および該水素は、該第二の反応段を向流することを
特徴とする請求項６記載の水素処理方法。 - 【請求項１１】 不純物レベルが該原料および第一段の液体流出物より低い
該凝縮された炭化水素質液体は、該接触段の蒸気流出物から得られることを特徴
とする請求項１０記載の水素処理方法。 - 【請求項１２】 該接触液体は、該接触の前に、該接触域における該蒸気よ
り低い温度に冷却されることを特徴とする請求項１１記載の水素処理方法。 - 【請求項１３】 該移行条件は、不純物含有量が該第一の反応段の液体流出
物より大きくない該接触液体を含むことを特徴とする請求項１２記載の水素処理
方法。 - 【請求項１４】 原料ヘテロ原子化合物および不飽和物を含む不純物を含有
する炭化水素原料を処理する方法であって、該方法は、下記工程（ａ）〜（ｄ）
を含むことを特徴とする水素化処理方法（hydrotreating process）。 （ａ）第一の水素化処理反応段において、水素化処理触媒の存在下に、該原料を 水素と反応させて該原料より不純物含有量が低い第一段流出物を形成し、該 流出物は、第一段の水素化処理された炭化水素液体および蒸気を含み、かつ 水素化処理された炭化水素原料成分を含み、しかも該液体流出物および蒸気 流出物の両者は、該不純物が該液体流出物と該蒸気流出物との間で平衡状態 にある該不純物を含む工程 （ｂ）該第一段の液体流出物と蒸気流出物とを分離する工程 （ｃ）接触段において、該蒸気中の不純物が該液体に移行するような条件下に、 該蒸気流出物を炭化水素液体と接触させて接触段流出物を形成し、該接触段 流出物は、不純物含有量が増加した炭化水素液体および蒸気を含み、かつ不 純物含有量が該第一段の流出物より少ない水素化処理された炭化水素原料成 分を含む工程 （ｄ）第二の水素化処理反応段において、水素化処理触媒の存在下に、該第一段 および接触段の液体流出物を水素と反応させて第二段の流出物を形成し、該 第二段の流出物は、水素化処理された炭化水素液体および蒸気を含み、かつ 水素化処理された炭化水素原料成分を含み、しかも該液体は、不純物含有量 が該原料および該第一段の液体流出物より低いものである工程 - 【請求項１５】 該第二の反応段の液体流出物は、水素化処理された生成物
液体を含むことを特徴とする請求項１４記載の水素化処理方法。 - 【請求項１６】 該原料および該水素は、該第一の反応段を並流（cocurren
t）することを特徴とする請求項１５記載の水素化処理方法。 - 【請求項１７】 追加の生成物液体は、該接触段および該第二の反応段の少
なくとも一つから水素化処理された蒸気流出物を凝縮することによって得られる
ことを特徴とする請求項１６記載の水素化処理方法。 - 【請求項１８】 該第一段および該第二段の水素化処理触媒は、同一である
かまたは異なることを特徴とする請求項１７記載の水素化処理方法。 - 【請求項１９】 該接触段および該第二段の蒸気流出物の少なくとも一つは
、冷却されて、不純物含有量が該原料および該第一段の液体流出物より低い水素
化処理された液体として、該蒸発した水素化処理された炭化水素原料成分に凝縮
され、そして回収されることを特徴とする請求項１８記載の水素化処理方法。 - 【請求項２０】 該接触液体は、（ｉ）該第一の反応段の液体流出物、（ｉ
ｉ）該第二の反応段の液体流出物、（ｉｉｉ）不純物のレベルが該原料またはそ
れらの混合物より低い凝縮された炭化水素原料の蒸気成分、またはこれらの混合
物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１９記載の水素化処理
方法。 - 【請求項２１】 該凝縮された炭化水素原料成分の液体は、不純物含有量の
レベルが該原料および該第一段の液体流出物より低く、そして該接触段および該
第二段の蒸気流出物の両者から得られることを特徴とする請求項２０記載の水素
化処理方法。 - 【請求項２２】 該接触液体は、該接触の前に、該接触段における該蒸気よ
りも低い温度に冷却されることを特徴とする請求項２２記載の水素化処理方法。 - 【請求項２３】 該移行条件は、不純物の含有量が該第一の反応段の液体流
出物よりも大きくない該接触液体を含むことを特徴とする請求項２０記載の水素
化処理方法。 - 【請求項２４】 該液体および該水素は、該第二の反応段を向流することを
特徴とする請求項２０記載の水素化処理方法。 - 【請求項２５】 該凝縮された炭化水素質原料成分の液体は、不純物のレベ
ルが該原料および該第一段の液体流出物より低く、そして該接触段の蒸気流出物
から得られることを特徴とする請求項２４記載の水素化処理方法。 - 【請求項２６】 該接触液体は、該接触の前に、該接触段における該蒸気よ
りも低い温度に冷却されることを特徴とする請求項２５記載の水素化処理方法。 - 【請求項２７】 該移行条件は、不純物の含有量が該第一の反応段の液体流
出物よりも大きくない該液体接触を含むことを特徴とする請求項２６記載の水素
化処理方法。 - 【請求項２８】 炭化水素質原料から、少なくとも一つの不純物を除去する
方法であって、該方法は、下記工程（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とする水素
処理方法（hydroprocessing process）。 （ａ）第一の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該原料を水素 と反応させて第一段流出物を形成し、該第一段流出物は、第一段の水素処理 された炭化水素質液体および蒸気を含み、かつ水素処理された炭化水素質原 料成分を含み、しかも該液体流出物および蒸気流出物の両者は、該不純物が 該液体流出物と該蒸気流出物との間で平衡状態にある該不純ん物を含む工程 （ｂ）該第一段の液体流出物と蒸気流出物とを分離する工程 （ｃ）接触段において、該蒸気中の不純物が該液体に移行するような条件下に、 該蒸気流出物を炭化水素質液体と接触させて接触段流出物を形成し、該接触 段流出物は、不純物含有量が増加した炭化水素質液体と蒸気を含み、かつ水 素処理された炭化水素質原料成分を含む工程 （ｄ）第二の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該第一段およ び接触段の液体流出物を水素と反応させて第二段の流出物を形成し、該第二 段の流出物は、水素処理された炭化水素質液体と蒸気を含み、かつ水素処理 された炭化水素質原料成分を含む工程
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/153,921 | 1998-09-16 | ||
| US09/153,921 US5968346A (en) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | Two stage hydroprocessing with vapor-liquid interstage contacting for vapor heteroatom removal |
| PCT/US1999/020325 WO2000015735A1 (en) | 1998-09-16 | 1999-09-03 | Two stage hydroprocessing with vapor-liquid interstage contacting for vapor heteroatom removal |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2000570263A Expired - Fee Related JP4422905B2 (ja) | 1998-09-16 | 1999-09-08 | 気相ヘテロ原子除去のための気相段間接触を伴なう２段水素処理方法 |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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