JP2002520132A - Method and apparatus for cleaning a substrate - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 ウェーハ（８）をクリーニングする方法及び装置においてウェーハ（８）はその都度個々に少なくとも１つの粗クリーニング装置（１０，１１）内で湿式に前クリーニングされ、次いで湿った状態で処理液体を満たされた集めタンク（３０）内に搬送され、集めタンク（３０）内で集められかつ集めタンク（３０）内で特定の数に達したときに一緒に１つのバッチとして湿った状態で仕上げクリーニング装置（３５）内に搬送される。仕上げクリーニング装置（３５）内では基板（８）の該バッチは湿式に仕上げクリーニングされかつ次いで乾燥せしめられる。 (57) [Summary] In the method and apparatus for cleaning wafers (8), each wafer (8) is individually wet pre-cleaned in at least one coarse cleaning device (10, 11) and then filled with the processing liquid in the wet state. The finishing cleaning device (35) is conveyed into the collecting tank (30), collected in the collecting tank (30) and wetted together as a batch when a certain number is reached in the collecting tank (30). ). In the finish cleaning device (35), the batch of substrates (8) is finish cleaned wet and then dried.
Description
【０００１】 本発明は基板をクリーニングするための方法及び装置であって、基板がそれぞ
れ個々に少なくとも１つの粗クリーニング装置で湿式に前クリーニングされる形
式のものに関する。The present invention relates to a method and an apparatus for cleaning substrates, wherein the substrates are each individually pre-wet cleaned with at least one coarse cleaning device.
【０００２】 半導体工業においては半導体ウェーハが、例えば被覆段階、マスキング段階、
エッチング段階、ドーピング段階、研磨段階などのような種々の方法段階を受け
る。その間に基板をクリーニングすることが必要なことがある。特に研磨段階の
後には、研磨された基板をクリーニングすることが必要である。それは基板には
一般に基板の研磨粉並びに研磨液体が付着しているからである。In the semiconductor industry, semiconductor wafers are, for example, coated, masked,
It undergoes various method steps, such as an etching step, a doping step, a polishing step and the like. During that time, it may be necessary to clean the substrate. It is necessary to clean the polished substrate, especially after the polishing step. This is because polishing powder and polishing liquid for the substrate are generally attached to the substrate.
【０００３】 研磨過程の後に基板をクリーニングする従来の方法においては、例えば EP-A-
5 547 515、JP-A-7 066 161、US-A-5 547 515 あるいは JP-A-1 289 122 から公
知であるように、基板は研磨過程の後に研磨装置からブラシクリーニング設備に
搬送される。これら公知のブラシクリーニング設備においては基板は個々に回転
するブラシ及びクリーニング液体によってクリーニングされる。次いで基板は一
般に、例えば US-A-5 547 515 に記載されているように、乾燥せしめられかつバ
ッチとして集められる。Conventional methods for cleaning a substrate after a polishing process include, for example, EP-A-
As is known from US Pat. No. 5,547,515, JP-A-7 066 161, US Pat. No. 5,47,515 or JP-A-1 289 122, the substrate is transported from the polishing device to the brush cleaning facility after the polishing process. . In these known brush cleaning installations, the substrate is cleaned by individually rotating brushes and a cleaning liquid. The substrate is then generally dried and collected as a batch, for example, as described in US-A-5 547 515.
【０００４】 ブラシ装置は一般に充分ではないので、乾燥せしめられかつ集められた基板は
後で、例えば本出願人の DE-A-44 13 077、DE-A-195 46 990あるいは DE-A-196
37 875 から公知であるように、仕上げクリーニング装置内に挿入される。この
仕上げクリーニング装置においてはバッチ内にある基板は一緒に処理液体内に漬
けられかつ仕上げクリーニング装置内で例えば処理タンク内の流動を生ぜしめる
ことによって仕上げクリーニングされる。次いで基板は仕上げクリーニング装置
から出されてかつ乾燥せしめられ、その際乾燥は基板を処理液体からゆっくりと
引き上げることによって行われる。処理液体の上方に導入される流体によって、
EP-A-0 385 536 に記載されている「マランゴーニ（Marangoni）効果」により乾
燥過程が加速される。[0004] Because the brushing device is generally not sufficient, the dried and collected substrate is later used, for example, in DE-A-44 13 077, DE-A-195 46 990 or DE-A-196 of the applicant.
37 875, it is inserted into a finishing cleaning device. In this finish cleaning apparatus, the substrates in a batch are immersed together in a processing liquid and finish cleaned in the finish cleaning apparatus, for example, by creating a flow in a processing tank. The substrate is then removed from the finishing cleaning device and allowed to dry, the drying being effected by slowly lifting the substrate from the processing liquid. By the fluid introduced above the processing liquid,
The drying process is accelerated by the "Marangoni effect" described in EP-A-0 385 536.
【０００５】 上述の方法段階ではブラシクリーニング設備内での基板の個別クリーニングと
仕上げクリーニング装置内でのバッチ式のクリーニングとの間にそれぞれの基板
の乾燥が必要であり、乾燥は例えばウェーハの遠心脱水あるいは熱処理によって
行われる。この乾燥が必要なのは、ブラシクリーニングにおいて使用される処理
液体がそうでないとウェーハに付着することになりかつ後続のクリーニングにお
いて除去が困難である条痕を生じるからである。乾燥せしめられたウェーハは次
いで中間貯蔵しかつ集めて、バッチとして仕上げクリーニング装置内に挿入しな
ければならない。The method steps described above require that each substrate be dried between individual cleaning of the substrates in a brush cleaning facility and batch cleaning in a finish cleaning device, such as by centrifugal dehydration of the wafer. Alternatively, the heat treatment is performed. This drying is necessary because the processing liquid used in brush cleaning would otherwise adhere to the wafer and produce streaks that would be difficult to remove in subsequent cleaning. The dried wafers must then be interim stored and collected, and inserted as a batch into the finishing cleaning equipment.
【０００６】 ブラシクリーニングと仕上げクリーニングとの間の乾燥段階は高価でありかつ
ウェーハが遠心脱水若しくは熱処理によって損傷する危険を内有している。The drying step between brush cleaning and finish cleaning is expensive and carries the risk that the wafer will be damaged by centrifugal dewatering or heat treatment.
【０００７】 したがって本発明の根底をなす課題は、基板をクリーニングするための簡単化
されかつ改善された方法及び改善されかつ簡単化された装置を提供し、この方法
若しくは装置により基板の処理が加速されかつひいては生産性が高められるよう
にすることである。It is therefore an object underlying the present invention to provide a simplified and improved method and apparatus for cleaning a substrate, which method or apparatus accelerates the processing of a substrate. And thus increase productivity.
【０００８】 本発明によればこの課題は最初に述べた形式の方法において次のことによって
解決される。すなわち基板を粗クリーニングの後に湿った状態で処理流体で満た
されている集めタンク内に搬送し、基板を集めタンク内で集め、集め容器内で特
定の数に達したときに基板を一緒に１つのバッチとして湿った状態で仕上げクリ
ーニング装置内に搬送し、基板を仕上げクリーニング装置内で湿式に仕上げクリ
ーニングし、かつバッチを次いで乾燥するのである。According to the invention, this object is achieved in a method of the type initially described by: That is, the substrate is transported in a wet state after the rough cleaning into a collecting tank filled with a processing fluid, the substrates are collected in the collecting tank, and when a specific number is reached in the collecting container, the substrates are put together by one. The batches are transported wet in a finish cleaning apparatus, the substrates are wet finish cleaned in the finish cleaning apparatus, and the batch is then dried.
【０００９】 特定の数に達したときに基板をバッチとしてやはり湿った状態で仕上げクリー
ニング装置内に搬送する前に、基板を中間乾燥なしに処理液体で満たされている
集めタンク内に搬送することによって、粗クリーニングの後の基板の乾燥が不要
になる。それは基板を液体内で保存することによって液体の乾燥及びこれと結び
ついている条痕形成が阻止されるからである。これによって中間乾燥の際の基板
の損傷の危険がなくかつ更に装置の処理速度ひいては効率が高められる。Conveying the substrate, without intermediate drying, into a collection tank filled with processing liquid before the substrate is transported as a batch into the finish cleaning device when the specific number is reached. This eliminates the need for drying the substrate after the rough cleaning. This is because storing the substrate in the liquid prevents drying of the liquid and the formation of streaks associated therewith. This eliminates the risk of damage to the substrate during intermediate drying and further increases the processing speed and thus the efficiency of the device.
【００１０】 簡単で効果的な前クリーニングのためには基板を有利には回転するブラシ及び
処理液体で前クリーニングする。For simple and effective pre-cleaning, the substrate is advantageously pre-cleaned with a rotating brush and processing liquid.
【００１１】 有利には基板を一様な前クリーニングのために前クリーニング中回転させる。Preferably, the substrate is rotated during pre-cleaning for a uniform pre-clean.
【００１２】 前クリーニング作用を高めるために、基板を有利な１実施例によれば超音波若
しくはメガソニックで放射する。In order to enhance the pre-cleaning action, the substrate is, according to an advantageous embodiment, irradiated with ultrasound or megasonics.
【００１３】 本発明の好ましい１実施形によれば基板を２つの異なった粗クリーニング装置
内で前クリーニングしかつ湿った状態で第１の粗クリーニング装置から第２の粗
クリーニング装置に搬送する。２つの粗クリーニング装置を使用することによっ
て前クリーニング作用が高められる。According to one preferred embodiment of the invention, the substrate is pre-cleaned in two different coarse cleaning devices and transported wet from the first coarse cleaning device to the second coarse cleaning device. The use of two coarse cleaning devices enhances the pre-cleaning action.
【００１４】 本発明の特に好ましい１実施形では基板を方法段階中に大体において同じの、
鉛直の方向状態に保つ。これによって特に基板のための搬送装置を簡単化するこ
とができる。それは搬送装置は基板を種々のクリーニング段階の間で回す必要が
ないからである。In one particularly preferred embodiment of the invention, the substrate is substantially the same during the method steps,
Keep in vertical orientation. This makes it possible in particular to simplify the transfer device for the substrate. This is because the transport device does not need to rotate the substrate between the various cleaning stages.
【００１５】 良好な仕上げクリーニング作用を達成するために基板をクリーニング液体及び
又は洗浄液体内に完全に漬けてクリーニング液体及び又は洗浄液体で洗う。有利
には基板をクリーニング作用を高めるためにこの場合超音波で放射する。In order to achieve a good finish cleaning action, the substrate is completely immersed in the cleaning liquid and / or the cleaning liquid and washed with the cleaning liquid and / or the cleaning liquid. Advantageously, the substrate is irradiated with ultrasonic waves in order to increase the cleaning action.
【００１６】 本発明の好ましい１実施形によれば基板を乾燥のためにクリーニング液体及び
又は洗浄液体から外方に動かして乾式移しフード内に導入しかつこの中で錠止す
る。乾燥過程を加速するために、有利には乾式移しフードを介して基板をクリー
ニング液体及び又は洗浄液体から外方に動かす前に流体を乾燥範囲内に導入する
。この場合導入される流体は窒素とイソプロピルアルコールとのガス混合物であ
って、これはクリーニング液体及び又は洗浄液体の表面張力を減少させかつこれ
によって基体を外に出す際のクリーニング液体及び又は洗浄液体の良好な流出を
生ぜしめる。According to a preferred embodiment of the invention, the substrate is moved out of the cleaning liquid and / or the cleaning liquid for drying, introduced into a dry transfer hood and locked therein. To accelerate the drying process, a fluid is advantageously introduced into the drying range before moving the substrate out of the cleaning liquid and / or the cleaning liquid via a dry transfer hood. The fluid introduced in this case is a gas mixture of nitrogen and isopropyl alcohol, which reduces the surface tension of the cleaning liquid and / or the cleaning liquid and thereby reduces the surface tension of the cleaning liquid and / or the cleaning liquid when leaving the substrate. Produces a good spill.
【００１７】 設定された課題は基板を湿式クリーニングする装置であって、液体供給部及び
処理容器を備えた少なくとも１つの個別基板粗クリーニング装置を有している形
式のものにおいては次のことによって解決される。すなわち複数の基板を受容す
るための処理液体を充てん可能な少なくとも１つの集めタンク、流体容器を備え
た１つのバッチ式仕上げクリーニング装置及び基板を個別基板粗クリーニング装
置と集めタンクとの間並びに集めタンクとバッチ式仕上げクリーニング装置との
間で搬送するための少なくとも１つの搬送装置が設けられているようにするので
ある。The problem set is an apparatus for performing wet cleaning of a substrate, which has at least one individual substrate rough cleaning apparatus including a liquid supply unit and a processing container, and is solved by the following. Is done. That is, at least one collection tank capable of being filled with a processing liquid for receiving a plurality of substrates, one batch-type finish cleaning device having a fluid container, and a substrate between an individual substrate coarse cleaning device and a collection tank and a collection tank. At least one transfer device for transferring between the and the batch type finish cleaning device is provided.
【００１８】 複数の基板を受容するための処理液体を充てん可能な少なくとも１つの集めタ
ンクを設けることによって基板は個別基板粗クリーニングの後に集めタンク内で
中間貯蔵されてからバッチ式に仕上げクリーニング装置内に搬送することができ
る。処理液体内で中間貯蔵することによって、粗クリーニングの後に基板に付着
している液体が乾燥して条痕を形成する危険はない。これにより個別粗クリーニ
ングとバッチ式仕上げクリーニングとの間の従来必要であった基板の損傷の危険
がある乾燥段階を省略することができる。更に装置の処理速度ひいては効率が高
められる。By providing at least one collection tank that can be filled with a processing liquid for receiving a plurality of substrates, the substrates are stored intermediately in the collection tanks after individual substrate rough cleaning and then batch-finished in the finish cleaning apparatus. Can be transported. By intermediate storage in the processing liquid, there is no danger of the liquid adhering to the substrate drying out after rough cleaning and forming streaks. This eliminates the previously required drying step between individual coarse cleaning and batch-type finishing cleaning, which involves the risk of substrate damage. Furthermore, the processing speed of the device and thus the efficiency are increased.
【００１９】 良好な粗クリーニング作用のために個別基板粗クリーニング装置は少なくとも
１つの回転可能なブラシを有している。本発明の１実施形によれば個別基板粗ク
リーニング装置は少なく路も１つの回転可能な圧着ローラを有していて、基板を
粗クリーニング中に回転させかつこれによって一様なクリーニング作用を得るこ
とができる。For good coarse cleaning action, the individual substrate coarse cleaning device has at least one rotatable brush. According to one embodiment of the present invention, the individual substrate coarse cleaning device has a rotatable pressure roller with a small number of paths and a single path to rotate the substrate during the coarse cleaning and thereby obtain a uniform cleaning action. Can be.
【００２０】 クリーニング作用を高めるために個別基板粗クリーニング装置は少なくとも１
つの超音波発信器を有している。本発明の好ましい１実施形によれば個別基板粗
クリーニング装置はそれぞれ少なくとも１つの液体供給部及び少なくとも１つの
ブラシを備えた２つの処理タンクを有している。これによって基板の２段階の良
好な前クリーニングを達成することができる。In order to enhance the cleaning action, at least one individual substrate rough cleaning device is provided.
It has two ultrasonic transmitters. According to a preferred embodiment of the present invention, the coarse individual substrate cleaning apparatus has two processing tanks each having at least one liquid supply and at least one brush. Thereby, a good two-stage pre-cleaning of the substrate can be achieved.
【００２１】 本発明の好ましい１実施形によれば個別基板粗クリーニング装置、集めタンク
、バッチ式仕上げクリーニング装置並びに搬送装置は、基板を大体において同じ
の、有利には鉛直の方向状態に保つために、それぞれ保持手段を有している。こ
れによって特に搬送装置が簡単化される。それは搬送装置は基板を搬送中にほか
の方向状態に回す必要がないからである。有利には基板はほぼ鉛直に保持され、
これにより公知のバッチ式仕上げクリーニング装置との両立性が達成される。According to one preferred embodiment of the invention, the individual substrate coarse cleaning device, the collecting tank, the batch finishing cleaning device and the transport device are arranged to keep the substrates in substantially the same, preferably vertical orientation. , Each having holding means. This simplifies the transport device in particular. This is because the transfer device does not need to turn the substrate in another direction during transfer. Advantageously, the substrate is held substantially vertically,
This achieves compatibility with known batch finish cleaning devices.
【００２２】 有利にはバッチ式仕上げクリーニング装置はクリーニング液体及び又は洗浄液
体のための少なくとも１つの入口並びに少なくとも１つの超音波発信器を有して
おり、これにより良好な仕上げクリーニング作用が達成される。Preferably, the batch finishing cleaning device has at least one inlet for the cleaning liquid and / or the cleaning liquid and at least one ultrasonic transmitter, so that a good finish cleaning action is achieved. .
【００２３】 基板のバッチ式仕上げクリーニング装置内への若しくはバッチ式仕上げクリー
ニング装置からの挿入及び取り出しを容易にするためにバッチ式仕上げクリーニ
ング装置は基板のための昇降装置を有している。To facilitate the insertion and removal of substrates into and out of the batch finish cleaning device, the batch finish cleaning device includes a lifting device for the substrate.
【００２４】 本発明の好ましい１実施形によれば搬送装置は基板のための保持手段を備えた
乾式移しフードを有している。乾式移しフード内の保持手段によって、基板を単
独に、換言すれば相応する基板支持体なしに受容しかつ搬送することが可能にな
り、このことは基板が基板支持体によって汚損される危険を減少させる。According to a preferred embodiment of the invention, the transport device has a dry transfer hood with holding means for the substrate. The holding means in the dry transfer hood make it possible to receive and transport the substrate alone, in other words without a corresponding substrate support, which reduces the risk of the substrate being soiled by the substrate support. Let it.
【００２５】 バッチ式仕上げクリーニング装置の流体容器内にある液体から基板を引き上げ
る際の乾燥過程を加速するために、乾式移しフードは前記液体の表面の上方にあ
る乾燥範囲内に流体を導入するための手段を有している。In order to accelerate the drying process when lifting the substrate from the liquid in the fluid container of the batch-type finishing cleaning device, a dry transfer hood introduces a fluid into the drying range above the surface of the liquid. Means.
【００２６】 有利には搬送装置は基板から成るバッチを集めタンクからバッチ式仕上げクリ
ーニング装置に搬送するための湿式移しフードを有している。乾式移しフードの
ほかに湿式移しフードを使用することによって、乾式移しフードが常に乾燥して
おりかつこれにより受容された基板が汚損せしめられないことが保証される。Advantageously, the transfer device has a wet transfer hood for collecting batches of substrates and transferring the batches from the tank to a batch finish cleaning device. The use of a wet transfer hood in addition to a dry transfer hood ensures that the dry transfer hood is always dry and that the received substrate is not soiled.
【００２７】 簡単なかつスペースを節減する構成のために、個別基板の粗クリーニング装置
、受容及び集めタンク並びにバッチ式仕上げクリーニング装置は１列に配置され
ている。これによて搬送装置も簡単化される。それは搬送装置は単に直線状の運
動を行えばよいからである。For a simple and space-saving configuration, the individual substrate coarse cleaning devices, the receiving and collecting tanks and the batch finishing cleaning devices are arranged in a single row. This also simplifies the transport device. This is because the transport device need only perform a linear motion.
【００２８】 本発明の好ましい１実施形によれば装置は受容部を備えた投入範囲並びに液体
を充てん可能な入口タンクを有している。受容部を備えた投入範囲は、外部の取
り扱い器が個別基板の粗クリーニング装置との正確な時間的な調整なしに基板を
装置に供給することができるという利点をもたらす。液体を充てん可能な入口タ
ンクは場合によっては基板に付着している液体が粗クリーニングの前に乾燥する
ことを阻止する。According to a preferred embodiment of the invention, the device has a dosing area with a receiving part and an inlet tank which can be filled with liquid. The dosing area with the receptacle has the advantage that an external handler can supply the substrate to the device without precise time coordination with the coarse cleaning device for individual substrates. The liquid-fillable inlet tank prevents any liquid adhering to the substrate from drying before the coarse cleaning.
【００２９】 装置全体のスペースを節減する構成並びに搬送装置の簡単化のために個別基板
の粗クリーニング装置、集めタンク、バッチ式仕上げクリーニング装置、入口範
囲並びに入口タンクは１列に配置されている。In order to save the space of the entire apparatus and to simplify the transfer apparatus, a rough cleaning device for individual substrates, a collecting tank, a batch-type finishing cleaning device, an inlet area and an inlet tank are arranged in one line.
【００３０】 本発明は以下においては好ましい実施例によって図面を参照しながら説明する
。The present invention is described below by way of preferred embodiments with reference to the drawings.
【００３１】 図１及び２は本発明によるクリーニング装置１を示し、これは大体において２
つのモジュール２及び３並びに該２つのモジュールを操作する搬送装置４から構
成されている。第１のモジュール２は投入及び前クリーニングステーションを形
成しているのに対し、第２のモジュール３は集め、仕上げクリーニング及び引き
渡しステーションを形成している。FIGS. 1 and 2 show a cleaning device 1 according to the invention, which generally comprises
It comprises two modules 2 and 3 and a transport device 4 for operating the two modules. The first module 2 forms a loading and pre-cleaning station, while the second module 3 forms a collecting and finishing cleaning and transfer station.
【００３２】 モジュール２はウェーハ８のための受容及び保持エレメント７を備えたウェー
ハ投入範囲５を有している。受容及び保持エレメント７は、ウェーハ８が鉛直の
位置で保持されるように、配置されている。The module 2 has a wafer input area 5 with a receiving and holding element 7 for a wafer 8. The receiving and holding elements 7 are arranged such that the wafer 8 is held in a vertical position.
【００３３】 ウェーハ８は外部の、図示していない、取り扱い器を介して研磨ステーション
から取り出され、場合により鉛直の位置に回され、かつ受容及び保持エレメント
７内に挿入される。The wafer 8 is removed from the polishing station via an external, not shown, handling device, optionally turned into a vertical position and inserted into the receiving and holding element 7.
【００３４】 受容範囲５に隣接して受容タンク９が設けられており、これは例えばＤＩ水の
ような流体で満たされており、かつ例えば５枚のウェーハのような複数のウェー
ハを受容することができる。Adjacent to the receiving area 5 is a receiving tank 9 which is filled with a fluid, for example DI water, and for receiving a plurality of wafers, for example five wafers. Can be.
【００３５】 モジュール２は更に第１及び第２のブラシクリーニング装置１０及び１１を有
しており、これらは受容範囲５の受容タンク９とは逆の側に隣接して配置されて
いる。第１のブラシクリーニング装置１０は図３のａ及びｂにおいて最も良く見
ることができるように、カバー１４とオーバーフローを備えた処理タンク１５と
を有しており、処理タンクは下方から処理液体１６を満たされる。タンク１５の
内部にはウェーハ受容エレメント１７が３点支持部の形で配置されていて、タン
ク１５内に入れられたウェーハ８を保持し、ウェーハは半分処理液体１６内に漬
けられてかつ鉛直に保持される。ブラシクリーニング装置１０は更に２つのブラ
シローラ２０，２１を有しており、ブラシローラはそれぞれタンク１５内に挿入
されたウェーハの互いに逆の側に配置されており、並びに２つの圧着ローラ２２
，２４を有しており、圧着ローラはクリーニングの際にウェーハ８の縁に接触し
て、ウェーハを回転させる。ブラシローラ２０，２１はタンク１５の縦方向に延
びておりかつタンク１５の上方に配置されていて、少なくとも部分的にタンク１
５内の処理液体１６内で延びている。ブラシローラ２０，２１はタンク１５内に
挿入された１つのウェーハ８のクリーニングのために回転可能である。更にブラ
シローラはその内部に１つの流体通路を有しており、該流体通路を介して処理流
体がブラシローラの内側から外側に導かれる。The module 2 further comprises first and second brush cleaning devices 10 and 11, which are arranged adjacent to the receiving area 5 on the side opposite to the receiving tank 9. The first brush cleaning device 10 has a cover 14 and a processing tank 15 with overflow, as best seen in FIGS. 3a and 3b, which process liquid 16 from below. It is filled. Inside the tank 15 a wafer receiving element 17 is arranged in the form of a three-point support for holding the wafer 8 contained in the tank 15, wherein the wafer 8 is immersed in the half-treatment liquid 16 and vertically Will be retained. The brush cleaning device 10 further has two brush rollers 20, 21 which are respectively arranged on opposite sides of the wafer inserted into the tank 15, and which have two pressure rollers 22.
, 24, and the pressure roller contacts the edge of the wafer 8 during cleaning and rotates the wafer. The brush rollers 20, 21 extend in the longitudinal direction of the tank 15 and are arranged above the tank 15, and at least partially
5 extends within the processing liquid 16. The brush rollers 20 and 21 are rotatable for cleaning one wafer 8 inserted into the tank 15. Further, the brush roller has one fluid passage therein, through which the processing fluid is guided from the inside to the outside of the brush roller.
【００３６】 第１のブラシクリーニング装置１０内には更に少なくとも１つ超音波発信器が
設けられており、ウェーハにより良好なクリーニングのために超音波を放射する
。At least one ultrasonic transmitter is provided in the first brush cleaning device 10 and emits ultrasonic waves for better cleaning of the wafer.
【００３７】 第２のブラシクリーニング装置１１は大体において第１のブラシタンクと同じ
ように構成されているが、しかし超音波発信器はない。The second brush cleaning device 11 is constructed in much the same way as the first brush tank, but without the ultrasonic transmitter.
【００３８】 投入範囲５、保管及び集めタンク９、並びにブラシタンク１０及び１１はモジ
ュール２内で１列に配置されている。The charging area 5, the storage and collection tank 9, and the brush tanks 10 and 11 are arranged in a single row in the module 2.
【００３９】 モジュール３は側方で直接にモジュール２に接続しており、それも第２のブラ
シクリーニング装置１１に隣接している。ブラシクリーニング装置１１に隣接し
てモジュール３は保管及び集めタンク３０を有しており、これは、例えば２５枚
の半導体ウェーハのような、より大きな数の半導体ウェーハ８を受容するのに適
している。この目的のために集めタンク３０は詳細に図示していない半導体ウェ
ーハ８のための受容装置並びに並びに昇降装置を有している。集めタンク３０は
例えばＤＩ水のような処理流体で満たされていて、集め容器３０内に受容された
半導体ウェーハ８は完全に流体内に漬けられている。タンク３０はオーバーフロ
ータンクであることができるが、このことは図示されていない。The module 3 is directly connected laterally to the module 2, which is also adjacent to the second brush cleaning device 11. Adjacent to the brush cleaning device 11, the module 3 has a storage and collecting tank 30, which is suitable for receiving a larger number of semiconductor wafers 8, for example 25 semiconductor wafers. . For this purpose, the collecting tank 30 has a receiving device for the semiconductor wafer 8, which is not shown in detail, as well as a lifting device. The collecting tank 30 is filled with a processing fluid such as DI water, and the semiconductor wafer 8 received in the collecting container 30 is completely immersed in the fluid. Tank 30 can be an overflow tank, but this is not shown.
【００４０】 集めタンク３０に隣接して仕上げクリーニング装置３５が設けられており、こ
れは最も良く図４において見ることができる。Adjacent to the collecting tank 30 is a finishing cleaning device 35, which can best be seen in FIG.
【００４１】 このような仕上げクリーニング装置３５の構造は例えば本出願人の DE-A-44 1
3 077、DE-A-195 46 990 あるいは DE-A-196 37 875 に記載されており、その内
容は、繰り返しを避けるために、本出願の対象にされる。基礎エレメントとして
仕上げクリーニング装置３５は処理タンク３６を有しており、これは選択的に同
時にかつ又は交互に、例えば腐食液体、化学的なクリーニング液体及び又は洗浄
液体のような処理流体で満たされる。更にタンク内にはナイフの形の昇降装置３
７が半導体ウェーハ８のために設けられている。仕上げクリーニング装置３５は
更に少なくとも１つの図示されていない超音波発信器を有しており、処理タンク
３６及び処理流体内にあるウェーハに超音波を放射する。処理タンク３６の下方
の範囲内には処理流体のための入口ノズル３８、並びにクイックダンプ弁の形の
出口３９が設けられており、該出口を介して処理流体が排出される。The structure of the finish cleaning device 35 is, for example, the structure of the applicant's DE-A-44 1
3 077, DE-A-195 46 990 or DE-A-196 37 875, the contents of which are the subject of this application to avoid repetition. As a basic element, the finishing cleaning device 35 has a processing tank 36, which is optionally simultaneously and / or alternately filled with a processing fluid, for example a corrosive liquid, a chemical cleaning liquid and / or a cleaning liquid. Furthermore, a lifting device 3 in the form of a knife is provided in the tank.
7 is provided for a semiconductor wafer 8. The finishing cleaning device 35 further includes at least one ultrasonic transmitter (not shown) for emitting ultrasonic waves to the processing tank 36 and the wafers in the processing fluid. An inlet nozzle 38 for the processing fluid and an outlet 39 in the form of a quick dump valve are provided in the area below the processing tank 36, through which the processing fluid is discharged.
【００４２】 仕上げクリーニング装置３５に隣接して引き渡しステーション４０が設けられ
ており、その上にクリーニングされかつ乾燥せしめられたウェーハがおかれ、か
つそこからウェーハが搬出される。A transfer station 40 is provided adjacent to the finishing cleaning device 35, on which the cleaned and dried wafers are placed and from which the wafers are unloaded.
【００４３】 両方のモジュール２及び３を操作する搬送装置４は、ウェーハ８を投入範囲５
から受容タンク９内にかつ受容タンク９から第１のブラシクリーニング装置１０
に搬送するための第１の水平に及び鉛直に可動の取り扱い器５０を有している。
取り扱い器５０は公知の形式でウェーハ８のためのグリッパ装置５１を有してお
り、該グリッパ装置はいわゆるエッジ グリッパとして構成されている。グリッ
パ装置は結合エレメント５２を介して搬送装置４の第１の鉛直ステー５５に対し
て間隔をおいてかつ鉛直に運動可能に搬送装置と結合されている。鉛直ステー５
５はそれ自体水平に運動可能に搬送装置の水平ステー５６，５７に取り付けられ
ている。グリッパ装置の鉛直運動はこれによりステー５５に沿って行われるのに
対し、水平運動はステー５５のステー５６，５７に沿った運動によって行われる
。The transfer device 4 that operates both the modules 2 and 3 transfers the wafer 8 to the input range 5
The first brush cleaning device 10 from the receiving tank 9 into the receiving tank 9
A first horizontally and vertically movable handler 50 for transport to
The handling device 50 has, in a known manner, a gripper device 51 for the wafer 8, which gripper device is configured as a so-called edge gripper. The gripper device is connected to the first vertical stay 55 of the transport device 4 via a coupling element 52 at a distance and vertically movable with the transport device. Vertical stay 5
5 is mounted on horizontal stays 56, 57 of the transport device so that it can move horizontally. The vertical movement of the gripper device is thereby effected along the stay 55, whereas the horizontal movement is effected by the movement of the stay 55 along the stays 56,57.
【００４４】 搬送装置４は更に第２の取り扱い器８０を有しており、これは大体において第
１の取り扱い器５０に似ており、かつやはり鉛直及び水平ステーに沿って鉛直に
かつ水平に運動可能である。取り扱い器６０は個々のウェブ８を第１のブラシク
リーニング装置１０から第２のブラシクリーニング装置１１内にかつ第２のブラ
シクリーニング装置１１から第２のモジュール３の保管及び集めタンク３０内に
搬送するのに役立つ。The transport device 4 further comprises a second handler 80, which is largely similar to the first handler 50 and also moves vertically and horizontally along vertical and horizontal stays. It is possible. The handler 60 transports the individual webs 8 from the first brush cleaning device 10 into the second brush cleaning device 11 and from the second brush cleaning device 11 into the storage and collection tank 30 of the second module 3. Help.
【００４５】 搬送装置４は更に湿式移しフード６５をウェーハのバッチを集めタンク３０か
ら仕上げクリーニング装置３５内に搬送するために有している。このような湿式
移しフード６５は例えば本出願人の DRE-A-196 52 526 から公知であり、これは
その限りにおいて、繰り返しを避けるために、本出願の対象にされる。The transport device 4 further has a wet transfer hood 65 for collecting batches of wafers and transporting them from the tank 30 into the finish cleaning device 35. Such a wet transfer hood 65 is known, for example, from the applicant's DRE-A-196 52 526, which is subject to this application in order to avoid repetition.
【００４６】 搬送装置４は更に乾式移しフード７０を有しており、これは例えば本出願人の
DE-A-196 52 526 に記載されている。繰り返しをさけるために、先願の内容は
その限りにおいて本出願の対象にされる。概略的に図４に示されている乾式移し
フード７０は処理タンク３６から外方に持ち上げられたウェーハを受容するため
及びそれを引き渡しステーション４０に搬送するために役立つ。乾式移しフード
は側方の案内７１をウェーハ８の受容及び案内のために、並びに錠止エレメント
７２を、受容されたウェーハを保持するために、有している。更にカバー７０は
ガス供給部７５を有しており、これを介して、例えば窒素とイソプロピルアルコ
ールとから成るガス混合物（N2／IPA）を装入することができる。The transport device 4 further has a dry transfer hood 70, for example, of the present applicant.
DE-A-196 52 526. In order to avoid repetition, the contents of the prior application shall be subject to the present application insofar. A dry transfer hood 70, shown schematically in FIG. 4, serves to receive the wafer lifted out of the processing tank 36 and transport it to the transfer station 40. The dry transfer hood has lateral guides 71 for receiving and guiding the wafer 8 and locking elements 72 for holding the received wafer. In addition, the cover 70 has a gas supply 75 through which a gas mixture (N2 / IPA), for example, of nitrogen and isopropyl alcohol can be introduced.
【００４７】 集めタンク３０、仕上げクリーニング装置３５並びに引き渡しユニット４０は
投入範囲５、受容及び集めタンク９、及び第１及び第２のブラシクリーニング装
置１０及び１１と１列に配置されている。The collecting tank 30, the finishing cleaning device 35 and the transfer unit 40 are arranged in one line with the charging area 5, the receiving and collecting tank 9, and the first and second brush cleaning devices 10 and 11.
【００４８】 本発明による装置を運転する場合にウェーハ８が外部の、図示していない湿式
ロボットにより図示していない研磨出力ステーションから受容され、場合により
鉛直の位置に回されかつ投入範囲５の受容及び保持エレメント７上におかれる。
次いで取り扱い器５０がウェーハをつかみかつそれをまず液体で満たされている
受容タンク９内に搬送し、かつそれを受容タンク内におく。受容タンクは例えば
５枚までのウェーハを受容することができる。In operation of the apparatus according to the invention, the wafer 8 is received by an external, wet robot, not shown, from a polishing output station, not shown, optionally turned into a vertical position and receiving the input area 5 And on the holding element 7.
The handler 50 then grips the wafer and transports it first into the receiving tank 9 which is filled with liquid and places it in the receiving tank. The receiving tank can receive, for example, up to five wafers.
【００４９】 次いで取り扱い器５０はウェーハを再び受容タンク９から取り出しかつそれを
、カバー１４が開いている第１のブラシクリーニング装置１０の上方に運ぶ。取
り扱い器５０はウェーハを処理タンク１５内の支持部１７上におきかつ該ブラシ
クリーニング装置から外方に動く。圧着ローラ２２，２４及びブラシローラ２０
，２１はウェーハと係合せしめられ、かつ処理タンク１５はオーバーフローする
まで、例えばＤＩ水のような液体１６で満たされ、これによりウェーハ８は半分
漬けられている。ブラシローラ２０，２１は回転せしめられかつこれによってウ
ェーハ８を軽く上方に向かって圧着ローラ２２，２４に押し、これによってウェ
ーハ８は受容部１７から引き上げられかつ回転する圧着ローラ２２，２４によっ
て回転運動をせしめられる。ブラシローラ２０，２１によってウェーハは粗くク
リーニングされる。このブラシがけの間超音波発信器が作動せしめられ、これに
よってクリーニング作用が高められる。ブラシローラ２０，２１及び圧着ローラ
２２，２４の回転速度はクリーニングの終わりごろ遅くされ、これによってウェ
ーハ８は再び受容部７内に下降せしめられる。ブラシローラ２０，２１及び圧着
ローラ２２，２４はウェーハ８から離れる方向に動かされかつブラシクリーニン
グ装置１０のカバー１４が開かれる。第２の取り扱い器６０が第１のブラシクリ
ーニング装置１０上に動き、ウェーハ８をつかみかつこれを第２のブラシクリー
ニング装置１１内に搬送し、そこでウェーハ８を支持部上におく。ブラシタンク
１１内では第１のブラシタンク１０のクリーニング過程が大体において繰り返さ
れ、その際今回は超音波は使用されず、かつ処理タンク内にある水はまたオーバ
ーフローせしめられない。The handler 50 then removes the wafer from the receiving tank 9 again and transports it above the first brush cleaning device 10 with the cover 14 open. The handler 50 places the wafer on the support 17 in the processing tank 15 and moves outward from the brush cleaning device. Pressure rollers 22, 24 and brush roller 20
, 21 are engaged with the wafer, and the processing tank 15 is filled with a liquid 16 such as DI water until it overflows, whereby the wafer 8 is half immersed. The brush rollers 20, 21 are rotated and thereby push the wafer 8 lightly upward against the pressure rollers 22, 24, whereby the wafer 8 is lifted from the receiving part 17 and rotated by the rotating pressure rollers 22, 24. I can be squeezed. The wafers are roughly cleaned by the brush rollers 20 and 21. During this brushing the ultrasonic transmitter is activated, which enhances the cleaning action. The rotation speed of the brush rollers 20, 21 and the pressure rollers 22, 24 is reduced at the end of cleaning, whereby the wafer 8 is lowered again into the receiving section 7. The brush rollers 20, 21 and the pressure rollers 22, 24 are moved away from the wafer 8, and the cover 14 of the brush cleaning device 10 is opened. A second handler 60 moves over the first brush cleaning device 10 and grasps the wafer 8 and transports it into the second brush cleaning device 11, where the wafer 8 is placed on a support. In the brush tank 11, the cleaning process of the first brush tank 10 is substantially repeated, this time without using ultrasonic waves and the water in the processing tank also does not overflow.
【００５０】 第２のブラシクリーニング装置１１内でのクリーニングの後にウェーハは第２
の取り扱い器６０によってつかまれ、集めタンク３０上に搬送されかつその中に
ある受容装置内に装入される。集めタンク３０内のすべての場所が占められるま
で、先行の過程がその都度新しいウェーハについて繰り返される。After the cleaning in the second brush cleaning device 11, the wafer
Is transported over the collection tank 30 and loaded into the receiving device therein. The preceding process is repeated each time with a new wafer until all the places in the collecting tank 30 are occupied.
【００５１】 集めタンク３０内のすべての場所が占められると、湿式移しフード６５が集め
タンク３０上に動かされ、かつすべてのウェーハ８が一緒に集めタンク３０から
湿式移しフード６５内に持ち上げられかつ錠止される。ウェーハ８が湿式移しフ
ード６５内で錠止されると、該フードは仕上げクリーニング装置３５上に移動す
る。処理タンク３６内にある昇降装置３７が上方に移動せしめられ、湿式移しフ
ード６５内に受容されているウェーハ８を受容する。次いで湿式移しフード６５
の錠止機構がはずされかつウェーハ８は一緒に昇降装置３７を介して、例えばＤ
Ｉ水のような処理流体で満たされている処理タンク３６内に下降せしめられる。
タンク底のノズル３８からクリーニング液体がウェーハ８の間に噴射される。容
器内のＤＩ水はこの場合上方に押しのけられかつオーバーフロー部を介して排出
される。超音波発信器は特定の処理時間に対して作動せしめられる。次いでクリ
ーニング液体が迅速排出弁（クイックダンプ）３９によって下方に排出されかつ
容器は再び下方からＤＩ水で満たされる。乾式移しフード７０は処理タンク３６
上に動かされ、かつフード７０を介して例えば N2／IPA のようなガス混合物が
層としてＤＩ水の表面上に導入される。次いでウェーハ８が一緒に昇降装置３７
によりＤＩ水から乾式移しフード７０内に持ち上げられる。ウェーハ８が乾式移
しフード７０内にあると、フードの錠止機構７２が操作され、ウェーハ８が保持
される。When all the places in the collecting tank 30 are occupied, the wet transfer hood 65 is moved onto the collecting tank 30 and all the wafers 8 are lifted together from the collecting tank 30 into the wet transferring hood 65 and Locked. When the wafer 8 is locked in the wet transfer hood 65, the hood moves onto the finishing cleaning device 35. The lifting device 37 in the processing tank 36 is moved upward to receive the wafer 8 received in the wet transfer hood 65. Next, the wet transfer hood 65
Is unlocked and the wafer 8 is brought together via the lifting device 37, for example D
It is lowered into a processing tank 36 which is filled with a processing fluid such as I water.
A cleaning liquid is ejected between the wafers 8 from a nozzle 38 at the tank bottom. The DI water in the vessel is displaced upwards in this case and is discharged via an overflow. The ultrasonic transmitter is activated for a specific processing time. The cleaning liquid is then drained down by a quick dump valve (quick dump) 39 and the container is again filled with DI water from below. The dry transfer hood 70 is a processing tank 36
A gas mixture, such as, for example, N2 / IPA, is moved over and through a hood 70 is introduced as a layer onto the surface of the DI water. Next, the wafer 8 is moved together with the lifting device 37.
The dry transfer is performed from the DI water and lifted into the hood 70. When the wafer 8 is in the dry transfer hood 70, the hood locking mechanism 72 is operated, and the wafer 8 is held.
【００５２】 次いで乾式移しフード７０が引き渡しステーション４０上に移動しかつウェー
ハ８を錠止機構７２の開放によって引き渡しステーション４０のウェーハ支持部
上におく。引き渡しステーションからウェーハ８は外部の乾式ロボットにより取
り出される。Next, the dry transfer hood 70 moves onto the transfer station 40 and places the wafer 8 on the wafer support of the transfer station 40 by opening the locking mechanism 72. From the transfer station, the wafer 8 is taken out by an external dry robot.
【００５３】 本発明は特別な実施例によって説明した。本発明はしかしこの特別な実施例に
限定されるものではない。例えば、２つのブラシクリーニング装置１０，１１の
代わりに単に１つのブラシクリーニング装置を使用して、その中で場合により単
段のあるいはまた多段の粗クリーニングを行うことも考えることができよう。ま
た、受容タンク９を取り除き、かつウェーハを直接に取り扱い器５０により投入
範囲５から第１のブラシタンク１０内に搬送することも考えることができよう。
このことはもちろん極めて正確なタイミングを前提とする。それはウェーハは過
度に長く受容範囲内に滞在してはならないからである。それはそうでないとウェ
ーハにある液体が乾燥することがあるからである。更に、ウェーハを外部のロボ
ットによって直接に受容タンク９内に装入しかつ取り扱い器５０がウェーハを単
に受容及び集めタンク９からブラシクリーニング装置１０内に搬送することも可
能である。The invention has been described by way of a special embodiment. The invention is not, however, limited to this particular embodiment. For example, it would be conceivable to use only one brush cleaning device instead of the two brush cleaning devices 10, 11 and to perform single-stage or even multi-stage coarse cleaning in that case. It is also conceivable to remove the receiving tank 9 and to transport the wafers directly from the loading area 5 into the first brush tank 10 by the handling device 50.
This of course assumes extremely accurate timing. This is because the wafer must not stay in the acceptable range too long. Otherwise, the liquid on the wafer may dry out. Furthermore, it is also possible to load the wafer directly into the receiving tank 9 by an external robot and the handler 50 simply transports the wafer from the receiving and collecting tank 9 into the brush cleaning device 10.
【図１】 本発明による基板のためのクリーニング装置の斜視図を示す。FIG. 1 shows a perspective view of a cleaning device for a substrate according to the present invention.
【図２】 図１によるクリーニング装置の平面図を示す。FIG. 2 shows a plan view of the cleaning device according to FIG. 1;
【図３】 （ａ）及び（ｂ）は図１によるクリーニング装置の第１のモジュールの縦断面
図及び第１のモジュールのブラシクリーニング装置の横断面図を示す。FIGS. 3 (a) and (b) show a longitudinal section of a first module of the cleaning device according to FIG. 1 and a cross section of a brush cleaning device of the first module.
【図４】 仕上げクリーニング装置の概略的な断面図を示す。FIG. 4 shows a schematic sectional view of a finish cleaning device.
１ クリーニング装置、 ２ 第１のモジュール、 ３ 第２のモジュール、
４ 搬送装置、 ５ ウェーハ投入範囲、受容範囲、 ７ 受容及び保持エレメ
ント、 ８ ウェーハ、半導体ウェーハ、 ９ 受容タンク、保管及び集めタン
ク、 １０ 第１のブラシクリーニング装置、 １１ 第２のブラシクリーニン
グ装置、ブラシタンク、 １４ カバー、 １５ 処理タンク、 １６ 処理液
体、 １７ ウェーハ受容エレメント、支持部、 ２０ ブラシローラ、 ２１
ブラシローラ、 ２２ 圧着ローラ、 ２４ 圧着ローラ、 ３０ 保管及び
集めタンク、 ３５ 仕上げクリーニング装置、 ３６ 処理タンク、 ３７
昇降装置、 ３８ 入口ノズル、 ３９ 出口、 ４０ 引き渡しステーション
、引き渡しユニット、 ５０ 取り扱い器、 ５１ グリッパ装置、 ５２ 結
合エレメント、 ５５ 鉛直ステー、 ５６ 水平ステー、 ５７ 水平ステー
、 ６０ 取り扱い器、 ６５ 湿式移しフード、 ７０ 乾式移しフード、カ
バー、 ７１ 案内、 ７２ 錠止エレメント、錠止機構、 ７５ ガス供給部1 cleaning device, 2 first module, 3 second module,
4 transfer device, 5 wafer input range, receiving range, 7 receiving and holding element, 8 wafer, semiconductor wafer, 9 receiving tank, storage and collection tank, 10 first brush cleaning device, 11 second brush cleaning device, brush Tank, 14 cover, 15 processing tank, 16 processing liquid, 17 wafer receiving element, support, 20 brush roller, 21
Brush roller, 22 pressure roller, 24 pressure roller, 30 storage and collection tank, 35 finish cleaning device, 36 processing tank, 37
Lifting device, 38 inlet nozzle, 39 outlet, 40 delivery station, delivery unit, 50 handling device, 51 gripper device, 52 coupling element, 55 vertical stay, 56 horizontal stay, 57 horizontal stay, 60 handling device, 65 wet transfer hood, 70 dry transfer hood, cover, 71 guide, 72 locking element, locking mechanism, 75 gas supply unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB24 AB33 AB42 BA02 BA14 BB04 BB83 BB92 CA01 CC01 CC11 CC12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3B201 AA03 AB24 AB33 AB42 BA02 BA14 BB04 BB83 BB92 CA01 CC01 CC11 CC12
Claims (36)
，１１）で湿式に前クリーニングし； ｂ） 基板（８）を次いで湿った状態で処理流体で満たされている集めタンク（
３０）内に搬送し、 ｃ） 基板（８）を集めタンク（３０）内で集め、 ｄ） 集め容器（３０）内で特定の数に達したときに基板（８）を一緒に１つの
バッチとして湿った状態で仕上げクリーニング装置（３５）内に搬送し、 ｅ） 基板（８）の該バッチを仕上げクリーニング装置（３５）内で湿式に仕上
げクリーニングし、 ｆ） 該バッチを次いで乾燥する、 基板をクリーニングする方法。1. A method for cleaning substrates (8), comprising: a) each of the substrates (8) individually having at least one coarse cleaning device (10);
, 11) wet pre-cleaning; b) the substrate (8) is then wetted with a collection tank (
C) collect the substrates (8) in a collecting tank (30); d) combine the substrates (8) together in one batch when a certain number is reached in the collecting container (30). E) wet-cleaning the batch of substrates (8) in the finish cleaning device (35), and f) drying the batch, and then drying the batch. How to clean.
なくとも１つの処理液体で前クリーニングすることを特徴とする、請求項１記載
の方法。2. The method according to claim 1, wherein the substrate is pre-cleaned with at least one brush and at least one processing liquid.
リーニングのために回転させることを特徴とする、請求項２記載の方法。3. The method according to claim 2, wherein the at least one brush is rotated for pre-cleaning the substrate.
る、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。4. The method according to claim 1, wherein the substrate is rotated during pre-cleaning.
ことを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。5. The method as claimed in claim 1, wherein the substrate is irradiated megasonically during the pre-cleaning.
１）内で前クリーニングし、かつ湿った状態で第１の粗クリーニング装置（１０
）から第２の粗クリーニング装置（１１）に搬送することを特徴とする、請求項
１から５までのいずれか１項記載の方法。6. The substrate (8) is cleaned by two different coarse cleaning devices (10, 1).
The first rough cleaning device (10) is pre-cleaned in 1) and wet in a wet state.
6. The method according to claim 1, wherein the first cleaning device is transported to a second coarse cleaning device.
ことを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。7. The method according to claim 1, wherein the substrate is maintained in substantially the same orientation during the method steps.
求項７記載の方法。8. The method according to claim 7, wherein the substrate is kept substantially vertical.
リーニング液体及び又は洗浄液体にさらすことを特徴とする、請求項１から８ま
でのいずれか１項記載の方法。9. The method according to claim 1, wherein the substrate is exposed to at least one cleaning liquid and / or a cleaning liquid during the final cleaning.
に漬けることを特徴とする、請求項９記載の方法。10. The method according to claim 9, wherein the substrate is completely immersed in the cleaning liquid and / or the cleaning liquid.
とを特徴とする、請求項９又は１０記載の方法。11. The method according to claim 9, wherein the substrate is washed with a cleaning liquid and / or a cleaning liquid.
請求項９から１１までのいずれか１項記載の方法。12. Emitting the substrate (8) megasonic.
A method according to any one of claims 9 to 11.
ーニング液体及び又は洗浄液体から外方に動かすことを特徴とする、請求項９か
ら１２までのいずれか１項記載の方法。13. The method according to claim 9, wherein the substrate is moved out of the cleaning liquid and / or the cleaning liquid for drying after the final cleaning.
することを特徴とする、請求項１３記載の方法。14. The method according to claim 13, wherein the substrate is introduced into a dry transfer hood and locked therein.
に動かす前にかつ又はその間に流体を乾燥範囲内に導入することを特徴とする、
請求項１３又は１４記載の方法。15. Introducing the fluid into the drying area before and / or during the movement of the substrate (8) out of the cleaning liquid and / or the cleaning liquid.
The method according to claim 13.
する、請求項１５記載の方法。16. The method according to claim 15, wherein the fluid is introduced into a dry transfer hood (70).
ることを特徴とする、請求項１５又は１６記載の方法。17. The method according to claim 15, wherein the fluid is a gas mixture of nitrogen and isopropyl alcohol.
件、すなわち： 液体供給部及び処理容器（１５）を備えた少なくとも１つの個別基板粗クリー
ニング装置（１０，１１）； 複数の基板（８）を受容するための処理液体を充てん可能な少なくとも１つの
集めタンク（３０）； 流体容器（３６）を備えた１つのバッチ式仕上げクリーニング装置（３５）； 及び 基板（８）を個別基板粗クリーニング装置（１０，１１）と集めタンク（３０
）との間並びに集めタンク（３０）とバッチ式仕上げクリーニング装置（３５）
との間で搬送するための少なくとも１つの搬送装置（４） を有している、基板を湿式クリーニングする装置。18. An apparatus for wet cleaning a substrate (8), comprising: at least one individual substrate rough cleaning apparatus (10, 11) with a liquid supply and a processing vessel (15); At least one collection tank (30) capable of being filled with a processing liquid for receiving a plurality of substrates (8); one batch finish cleaning device (35) with a fluid container (36); and the substrates (8). And a collecting tank (30).
) As well as the collecting tank (30) and the batch-type finishing cleaning device (35)
An apparatus for wet cleaning a substrate, the apparatus comprising at least one transport device (4) for transporting between substrates.
１つのブラシ（２０，２１）を有していることを特徴とする、請求項１８記載の
装置。19. The apparatus according to claim 18, wherein the individual substrate coarse cleaning device has at least one brush.
リーニングするために回転可能であることを特徴とする、請求項１９記載の装置
。20. The device according to claim 19, wherein the at least one brush is rotatable for cleaning the substrate.
１つの回転可能な圧着ローラ（２２，２４）を有していることを特徴とする、請
求項１８から２０までのいずれか１項記載の装置。21. An individual substrate rough cleaning device (10, 11) having at least one rotatable pressure roller (22, 24). Item.
超音波発信器を有していることを特徴とする、請求項１８から２１までのいずれ
か１項記載の装置。22. Apparatus according to claim 18, wherein the individual substrate coarse cleaning device has at least one ultrasonic transmitter.
なくとも１つの液体供給部を備えた２つの処理タンクを有していることを特徴と
する、請求項１８から２２までのいずれか１項記載の装置。23. The apparatus according to claim 18, wherein the individual substrate coarse cleaning device has two processing tanks each having at least one liquid supply. An apparatus according to claim 1.
れていることを特徴とする、請求項２３記載の装置。24. The apparatus according to claim 23, wherein at least one brush is provided in each of the tanks.
（３０）、バッチ式仕上げクリーニング装置（３５）並びに搬送装置（４）が、
基板（８）を大体において同じ方向状態に保つために、それぞれ保持手段を有し
ていることを特徴とする、請求項１８から２４までのいずれか１項記載の装置。25. An individual substrate rough cleaning device (10, 11), a collecting tank (30), a batch type finish cleaning device (35), and a transfer device (4).
Device according to one of the claims 18 to 24, characterized in that it has holding means in each case for holding the substrates (8) in substantially the same orientation.
つことを特徴とする、請求項２５記載の装置。26. The device according to claim 25, wherein each holding device keeps the substrate (8) substantially vertical.
液体及び又は洗浄液体のための少なくとも１つの入口（３８）を有していること
を特徴とする、請求項１８から２６までのいずれか１項記載の装置。27. The batch finishing cleaning device (35) has at least one inlet (38) for cleaning liquid and / or cleaning liquid. An apparatus according to claim 1.
つの超音波発信器を有していることを特徴とする、請求項１８から２７までのい
ずれか１項記載の装置。28. A batch finishing cleaning device (35) comprising at least one
28. The device according to claim 18, comprising two ultrasonic transmitters.
ための昇降装置（３７）を有していることを特徴とする、請求項１８から２８ま
でのいずれか１項記載の装置。29. The method according to claim 18, wherein the batch-type cleaning device comprises a lifting device for the substrate. apparatus.
２）を備えた乾式移しフード（７０）を有していることを特徴とする、請求項１
８から２９までのいずれか１項記載の装置。30. A transport device (4) comprising holding means (71, 7) for a substrate (8).
2. A dry transfer hood (70) provided with (2).
30. The apparatus according to any one of items 8 to 29.
の表面の上方の乾燥範囲内に流体を導入するための手段（７５）を有しているこ
とを特徴とする、請求項３０記載の装置。31. A dry transfer hood (70) comprising means (75) for introducing a fluid into a dry area above a surface of a liquid in a fluid container (36). 31. The device of claim 30.
（３０）からバッチ式仕上げクリーニング装置（３５）に搬送するための湿式移
しフード（６５）を有していることを特徴とする、請求項１８から３１までのい
ずれか１項記載の装置。32. The transport device (4) has a wet transfer hood (65) for transporting a batch of substrates (8) from a collecting tank (30) to a batch finishing cleaning device (35). The device according to any one of claims 18 to 31, characterized in that:
集めタンク（３０）並びにバッチ式仕上げクリーニング装置（３５）が１列に配
置されていることを特徴とする、請求項１８から３２までのいずれか１項記載の
装置。33. The cleaning device according to claim 18, wherein the individual substrate rough cleaning devices (10, 11), the receiving and collecting tanks (30) and the batch finishing cleaning device (35) are arranged in a row. 33. The apparatus according to any one of the preceding claims.
とを特徴とする、請求項１８から３２までのいずれか１項記載の装置。34. Apparatus according to claim 18, characterized in that a dosing area (5) with a receiving part (7) is provided.
とを特徴とする、請求項１８から３３までのいずれか１項記載の装置。35. Apparatus according to claim 18, wherein an inlet tank (9) capable of being filled with a liquid is provided.
ク（３０）、バッチ式仕上げクリーニング装置（３５）、入口範囲（５）並びに
入口タンク（９）が１列に配置されていることを特徴とする、請求項３４又は３
５記載の装置。36. A rough cleaning device (10, 11) for individual substrates, a collecting tank (30), a batch type finishing cleaning device (35), an inlet area (5) and an inlet tank (9) are arranged in a line. 34. The method according to claim 34, wherein
An apparatus according to claim 5.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19830162A DE19830162A1 (en) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | Method and device for cleaning substrates |
| DE19830162.6 | 1998-07-06 | ||
| PCT/EP1999/004633 WO2000002234A2 (en) | 1998-07-06 | 1999-07-03 | Method and device for cleaning substrates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002520132A true JP2002520132A (en) | 2002-07-09 |
Family
ID=7873131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000558541A Pending JP2002520132A (en) | 1998-07-06 | 1999-07-03 | Method and apparatus for cleaning a substrate |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1101245A2 (en) |
| JP (1) | JP2002520132A (en) |
| KR (1) | KR20010071759A (en) |
| DE (1) | DE19830162A1 (en) |
| TW (1) | TW439135B (en) |
| WO (1) | WO2000002234A2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN109518203A (en) * | 2018-12-13 | 2019-03-26 | 黎造枢 | A kind of non-ferrous metal surface processing unit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002016038A (en) * | 2000-04-11 | 2002-01-18 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus for semiconductor wafer cleaning and method for wafer cleaning using the same |
| KR20010096566A (en) * | 2000-04-11 | 2001-11-07 | 윤종용 | Semiconductor wafer cleaning apparatus and method thereof using the same |
| DE10103111A1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Mattson Wet Products Gmbh | Device for treating substrates |
| DE10122669A1 (en) * | 2001-05-10 | 2002-12-12 | Mattson Wet Products Gmbh | Device for wet cleaning of disc-shaped substrates |
| DE10200525A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-10-23 | Mattson Wet Products Gmbh | Device and method for treating disc-shaped substrates |
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| TWI415533B (en) * | 2010-09-15 | 2013-11-11 | Zhen Ding Technology Co Ltd | Apparatus and method for wet process |
| DE102022104205B3 (en) | 2022-02-22 | 2023-06-22 | Hiwin Technologies Corp. | Automatic parameter loading procedure and system as well as service server and client server |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2683940B2 (en) * | 1989-08-09 | 1997-12-03 | 信越半導体 株式会社 | Automatic work cleaning device |
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1998
- 1998-07-06 DE DE19830162A patent/DE19830162A1/en not_active Withdrawn
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1999
- 1999-07-02 TW TW088111310A patent/TW439135B/en active
- 1999-07-03 KR KR1020017000196A patent/KR20010071759A/en not_active Application Discontinuation
- 1999-07-03 EP EP99934565A patent/EP1101245A2/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000002234A3 (en) | 2000-08-24 |
| KR20010071759A (en) | 2001-07-31 |
| WO2000002234A2 (en) | 2000-01-13 |
| EP1101245A2 (en) | 2001-05-23 |
| DE19830162A1 (en) | 2000-01-20 |
| TW439135B (en) | 2001-06-07 |
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