JP2002368568A - Surface acoustic wave element - Google Patents
Surface acoustic wave elementInfo
- Publication number
- JP2002368568A JP2002368568A JP2001169145A JP2001169145A JP2002368568A JP 2002368568 A JP2002368568 A JP 2002368568A JP 2001169145 A JP2001169145 A JP 2001169145A JP 2001169145 A JP2001169145 A JP 2001169145A JP 2002368568 A JP2002368568 A JP 2002368568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- film
- thickness
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子に
関する。より詳細には、圧電基板上に設けられたインタ
ーディジタルトランスデューサ（以下「ＩＤＴ」と記載
する）の電極が、Ｔｉ下地膜と、当該Ｔｉ下地膜上に積
層されたＡｌ合金膜とからなる弾性表面波素子に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device. More specifically, an electrode of an interdigital transducer (hereinafter, referred to as “IDT”) provided on a piezoelectric substrate has an elastic surface composed of a Ti base film and an Al alloy film laminated on the Ti base film. Wave element.
【０００２】[0002]
【従来技術】固体の表面に沿って伝搬する弾性波を弾性
表面波といい、これを利用した振動素子を弾性表面波素
子という。弾性表面波素子は、弾性表面波フィルタや弾
性表面波共振子として、テレビや携帯電話などの電気通
信機器において広く活用されている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave that propagates along a surface of a solid is called a surface acoustic wave, and a vibration element using the surface acoustic wave is called a surface acoustic wave element. 2. Description of the Related Art A surface acoustic wave element is widely used as a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave resonator in a telecommunication device such as a television or a mobile phone.
【０００３】図１３は、フィルタとして構成された従来
の弾性表面波素子１３０の斜視図である。弾性表面波素
子１３０は、圧電基板１３１と、その上に設けられた入
力用のＩＤＴ１３２および出力用のＩＤＴ１３３からな
る。圧電基板１３１は、電界を加えることにより歪みが
生じ、また、歪みが加えられることにより電界を生じる
性質、すなわち圧電効果を示す圧電材料からなる基板で
ある。ＩＤＴ１３２は、一対の電極１３２ａ，１３２ｂ
とからなり、当該電極１３２ａ，１３２ｂは、所定のピ
ッチｄ’で交互に配された電極指１３２ａ’，１３２
ｂ’を有する。同様に、ＩＤＴ１３３は、一対の電極１
３３ａ，１３３ｂとからなり、当該電極１３３ａ，１３
３ｂは、所定のピッチｄ’で交互に配された電極指１３
３ａ’，１３３ｂ’を有する。FIG. 13 is a perspective view of a conventional surface acoustic wave device 130 configured as a filter. The surface acoustic wave element 130 includes a piezoelectric substrate 131, and an input IDT 132 and an output IDT 133 provided on the piezoelectric substrate 131. The piezoelectric substrate 131 is a substrate made of a piezoelectric material exhibiting a property of generating a distortion when an electric field is applied and generating an electric field when the distortion is applied, that is, a piezoelectric effect. The IDT 132 has a pair of electrodes 132a, 132b.
The electrodes 132a and 132b are composed of electrode fingers 132a 'and 132 alternately arranged at a predetermined pitch d'.
b ′. Similarly, the IDT 133 includes a pair of electrodes 1
33a, 133b, and the electrodes 133a, 133
3b are electrode fingers 13 alternately arranged at a predetermined pitch d '.
3a 'and 133b'.
【０００４】このような構成の弾性表面波素子１３０に
おいて、ＩＤＴ１３２に交流電圧を印加すると、隣り合
う電極指１３２ａ’と電極指１３２ｂ’との間に交流電
界が発生する。すると、圧電効果により、電極指１３２
ａ’と電極指１３２ｂ’との間の領域の圧電基板に歪み
が生じ、ＩＤＴ１３２全体によって表面波Ｗ’が励振さ
れる。励振される表面波Ｗ’の周波数は複数にわたる
が、電極指ピッチｄ’と等しい波長の表面波Ｗ’が最も
強く励振される。そして、表面波Ｗ’が圧電基板１３１
を伝搬してＩＤＴ１３３形成領域に到達すると、圧電効
果により電極指１３３ａ’と電極指１３３ｂ’との間に
交流電界が発生する。これに誘起されて、ＩＤＴ１３３
から交流電流が出力される。電極指ピッチｄ’の広狭
は、弾性表面波素子１３０の周波数特性を左右するとこ
ろ、ある特定の周波数しか通さないという特性を利用す
ることによって、弾性表面波素子１３０を帯域フィルタ
として使用することが可能となる。In the surface acoustic wave device 130 having such a configuration, when an AC voltage is applied to the IDT 132, an AC electric field is generated between the adjacent electrode fingers 132a 'and 132b'. Then, due to the piezoelectric effect, the electrode fingers 132
Distortion occurs in the piezoelectric substrate in a region between a ′ and the electrode finger 132b ′, and the surface wave W ′ is excited by the entire IDT 132. The frequency of the surface wave W 'to be excited is plural, but the surface wave W' having the wavelength equal to the electrode finger pitch d 'is most strongly excited. Then, the surface wave W ′ is
And an AC electric field is generated between the electrode fingers 133a 'and 133b' due to the piezoelectric effect. Induced by this, IDT133
Outputs an alternating current. The width of the electrode finger pitch d 'affects the frequency characteristics of the surface acoustic wave element 130. By utilizing the characteristic that only a specific frequency passes, the surface acoustic wave element 130 can be used as a bandpass filter. It becomes possible.
【０００５】従来の弾性表面波素子１３０において、Ｉ
ＤＴ１３２，１３３を構成する電極１３２ａ，１３２
ｂ，１３３ａ，１３３ｂの材料としては、電気抵抗が小
さいうえに安価で加工が容易なＡｌが主に用いられてき
た。また、弾性表面波素子１３０では、励振すべき表面
波Ｗ’が高周波になるほど、電極指１３２ａ’，１３２
ｂ’，１３３ａ’，１３３ｂ’を細く且つ薄く設計する
必要がある。しかしながら、高周波への対応を図るべく
電極指１３２ａ’，１３２ｂ’，１３３ａ’，１３３
ｂ’をＡｌによって細薄に形成すると、電極指１３２
ａ’，１３２ｂ’，１３３ａ’，１３３ｂ’において、
エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーショ
ンの発生が顕著となり、耐電力性が劣化するという問題
が生じていた。特に近年では、弾性表面波素子は、携帯
電話用のデュプレクサに代表されるような、より大電力
が供給される用途にも使用されるようになり、ＩＤＴ１
３２，１３３の耐電力性に関しては更なる向上が求めら
れている。また、現在の携帯電話に使用されている弾性
表面波フィルタの通過周波数帯域は７００〜１０００Ｍ
Ｈｚであるところ、特にこの周波数帯域において、弾性
表面波フィルタの耐電力性の向上が強く求められてい
る。In the conventional surface acoustic wave device 130, I
Electrodes 132a, 132 constituting DTs 132, 133
As materials for b, 133a, and 133b, Al that is low in electric resistance, inexpensive, and easy to process has been mainly used. Further, in the surface acoustic wave element 130, as the surface wave W ′ to be excited becomes higher in frequency, the electrode fingers 132a ′, 132
It is necessary to design b ′, 133a ′, and 133b ′ to be thin and thin. However, in order to cope with a high frequency, the electrode fingers 132a ', 132b', 133a ', 133
When b ′ is formed thinly with Al, the electrode fingers 132
a ′, 132b ′, 133a ′, 133b ′,
The occurrence of electromigration and stress migration becomes remarkable, causing a problem that power durability is deteriorated. In particular, in recent years, the surface acoustic wave element has been used for applications in which higher power is supplied, such as a duplexer for a mobile phone.
Further improvement is required for the power durability of the devices 32 and 133. Also, the pass frequency band of the surface acoustic wave filter currently used for mobile phones is 700 to 1000M.
When the frequency is Hz, particularly in this frequency band, there is a strong demand for improvement in the power durability of the surface acoustic wave filter.
【０００６】例えば、特開昭６２−１６３４０８号公
報、特開昭６４−８０１１３号公報、特開平４−２８８
７１８号公報、特開平５−９０２６８号公報、特開平８
−３２４０４号公報、特開平８−１４８９６６号公報、
特開平１０−９３３６８号公報、再公表特許ＷＯ９９／
１６１６８号公報には、そのような要求を満たすことを
目的とする手法が開示されている。これらを原理的な観
点より分類すると、電極指を構成するＡｌに異種金属
を添加することによって、電極指の強度を高める手法
（特開昭６２−１６３４０８号公報、特開昭６４−８０
１１３号公報）、電極指を構成するＡｌの結晶粒を小
さくして粒界を多数形成することによって、電極指に作
用する応力を構造的に緩和させる手法（特開平８−３２
４０４号公報、特開平８−１４８９６６号公報）、電
極指を構成するＡｌについて、その結晶方向を一定に配
向させるか単結晶にすることによって、電極指の強度を
高める手法（特開平５−９０２６８号公報、特開平１０
−９３３６８号公報、再公表特許ＷＯ９９／１６１６８
号公報）、及び、電極指を３層以上の積層構造とする
ことによって、電極指の強度を高める手法（特開平４−
２８８７１８号公報）に分けられる。For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-163408, 64-80113, 4-288
718, JP-A-5-90268, JP-A-8
-32404, JP-A-8-148966,
JP-A-10-93368, republished patent WO99 /
Japanese Patent No. 16168 discloses a technique aimed at satisfying such a demand. When these are classified from a theoretical viewpoint, a method of increasing the strength of the electrode finger by adding a dissimilar metal to Al constituting the electrode finger (JP-A-62-163408, JP-A-64-80)
No. 113), a method of structurally relieving stress acting on an electrode finger by reducing the crystal grains of Al constituting the electrode finger and forming a large number of grain boundaries (Japanese Patent Laid-Open No. 8-32).
No. 404, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-148966, and a method of increasing the strength of the electrode finger by making the crystal direction of Al constituting the electrode finger constant or by using a single crystal (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-90268). No., JP-A-10
-93368, republished patent WO99 / 16168
And a method of increasing the strength of the electrode fingers by forming the electrode fingers into a laminated structure of three or more layers (Japanese Patent Laid-Open No.
288718).
【０００７】より具体的には、の手法は、主電極材料
であるＡｌに対して、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｐｄ等
の耐マイグレーション特性(耐電力性)を向上させる添加
物を微量に添加することによって、電極材料の強度を高
めようとするものである。の手法は、Ａｌに対して、
所定の２または３種の元素を添加することによって結晶
粒を細かくし、多くの粒界を発生させることにより、応
力を分散させて耐電力性を向上させようとするものであ
る。の手法は、圧電基板上にＴｉあるいはＣｒ膜等の
金属を下地膜として形成し、その上にＡｌを一定の結晶
方向に配向させることによって、主電極材料であるＡｌ
について、結晶構造的にストレスマイグレーション耐性
を向上させようとするものである。の手法は、ＩＤＴ
を、下地膜、Ａｌ膜および他の金属膜からなる３層以上
の多層構造化することによって、電極指の機械的強度を
高めようとするものである。More specifically, the method of (1) is to add a small amount of an additive such as Cu, Ti, Ni, Mg, Pd or the like for improving migration resistance (power resistance) to Al as a main electrode material. By adding, it is intended to increase the strength of the electrode material. The method of
By adding predetermined two or three types of elements, crystal grains are made finer, and many grain boundaries are generated, thereby dispersing stress and improving power durability. Is to form a metal such as a Ti or Cr film as a base film on a piezoelectric substrate and orient Al in a certain crystal direction on the metal to form a main electrode material Al.
Is to improve stress migration resistance in terms of crystal structure. Method is IDT
Has a multi-layered structure of three or more layers consisting of a base film, an Al film, and another metal film to increase the mechanical strength of the electrode fingers.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、〜
の手法により例えば携帯電話用途の弾性表面波フィルタ
を作製すると、いずれも、デュプレクサに代表されるよ
うな大電力が供給される用途に利用できる程の耐電力性
を確保することは難しいことが確認された。これに対し
て、の手法によると、十分な耐電力性得られることが
確認された。ただし、の手法は、多層構造であるため
に、製造コストが高くなるとともに、歩留まりが低下す
るという問題がある。[Problems to be solved by the invention]
It is confirmed that it is difficult to secure the power durability enough to be used in applications where a large amount of power is supplied, such as a duplexer, when surface acoustic wave filters for mobile phones are manufactured by the method described in Was done. On the other hand, it was confirmed that according to the method, sufficient power durability could be obtained. However, this method has a problem that the manufacturing cost is increased and the yield is reduced because of the multilayer structure.
【０００９】このように、従来の技術によると、簡易な
電極構造では耐電力性を十分に向上することができず、
十分な耐電力性を確保するためには電極構造を３層以上
に多層化する必要があり、そのような多層化は製造コス
ト等の観点より好ましくなかった。As described above, according to the prior art, the power durability cannot be sufficiently improved with a simple electrode structure.
In order to ensure sufficient power durability, it is necessary to multiply the electrode structure into three or more layers, and such multi-layering is not preferable from the viewpoint of manufacturing cost and the like.
【００１０】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、以上に述べた問題点を解消ないし
軽減することを課題とし、耐電力性に優れ、且つ、歩留
まりよく製造可能な弾性表面波素子を提供することを目
的としている。特に、現在の携帯電話用途では主流とな
っている、通過周波数帯域が７００〜１０００ＭＨｚの
弾性表面波フィルタとして機能する弾性表面波素子にお
いて、耐電力性に優れ、且つ、安価に製造できるもの実
現することを目的としている。The present invention has been conceived under such circumstances, and has as its object to solve or alleviate the above-mentioned problems, to have excellent power durability and to improve the yield. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that can be manufactured. In particular, a surface acoustic wave element functioning as a surface acoustic wave filter having a pass frequency band of 700 to 1000 MHz, which is mainstream in current mobile phone applications, is realized with excellent power durability and can be manufactured at low cost. It is intended to be.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると、圧電基板と、この圧電基板上に形成されたインタ
ーディジタルトランスデューサとを備え、当該インター
ディジタルトランスデューサは、複数の電極指を備える
電極を有しており、電極は、圧電基板上に１００〜２０
０ｎｍの膜厚で設けられたＴｉ下地膜と、当該Ｔｉ下地
膜上に積層されたＡｌ合金膜と、を含むことを特徴とす
る弾性表面波素子が提供される。According to a first aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric substrate and an interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate, the interdigital transducer including a plurality of electrode fingers. Electrodes, and the electrodes are 100 to 20 on a piezoelectric substrate.
There is provided a surface acoustic wave device comprising: a Ti base film provided with a thickness of 0 nm; and an Al alloy film laminated on the Ti base film.
【００１２】本発明の第２の側面によると、圧電基板
と、この圧電基板上に形成されたインターディジタルト
ランスデューサとを備え、当該インターディジタルトラ
ンスデューサは、複数の電極指を備える電極を有してお
り、電極は、当該電極指の厚みに対して２５〜６０％の
膜厚比率で圧電基板上に設けられたＴｉ下地膜と、当該
Ｔｉ下地膜上に積層されたＡｌ合金膜と、を含むことを
特徴とする弾性表面波素子が提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric substrate, and an interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate, wherein the interdigital transducer has an electrode having a plurality of electrode fingers. The electrode includes a Ti underlayer provided on the piezoelectric substrate at a thickness ratio of 25 to 60% with respect to the thickness of the electrode finger, and an Al alloy film laminated on the Ti underlayer. A surface acoustic wave device is provided.
【００１３】弾性表面波素子のＩＤＴの形成において
は、従来の手法として既述したように、ＩＤＴの主電
極材料であるＡｌ膜の下地膜として、圧電基板上にＴｉ
膜を成膜する技術が知られている。しかしながら、従来
のＴｉ下地膜は、その上に積層されるＡｌ膜について高
配向を達成することを目的としており、極薄に成膜され
なければならない。膜厚が増すほど、当該膜表面の凹凸
の程度が著しくなり、その上に積層されるＡｌ膜の配向
性が劣化するからである。例えば、特開平５−９０２６
８号公報では、高配向のＡｌ膜を形成すべく、Ｔｉ下地
膜は０．１〜５０ｎｍの膜厚で形成されている。In the formation of an IDT of a surface acoustic wave element, as described above as a conventional method, a Ti film is formed on a piezoelectric substrate as a base film of an Al film which is a main electrode material of the IDT.
Techniques for forming a film are known. However, the conventional Ti underlayer is intended to achieve high orientation of the Al film laminated thereon, and must be formed extremely thin. This is because as the film thickness increases, the degree of irregularities on the surface of the film becomes remarkable, and the orientation of the Al film laminated thereon deteriorates. For example, JP-A-5-9026
In Japanese Patent Application Publication No. 8 (1999), a Ti underlayer is formed with a thickness of 0.1 to 50 nm in order to form a highly oriented Al film.
【００１４】これに対し本発明者らは、積層Ａｌ膜の高
配向を確保するために求められる膜厚制限を超えてＴｉ
下地膜を形成することによりＩＤＴの耐電力性を向上す
ることができる、という新たな知見を得た。そして、こ
の新たな知見に基づいて本発明が案出された。なお、従
来の薄いＴｉ下地膜に積層される場合よりも、本発明に
おけるＡｌ合金膜の配向性は低下しているのにも拘わら
ず、ＩＤＴの耐電力性を向上することが可能である。し
たがって、本発明の作用は従来とは異なる原理に基づく
ものであると考えられる。On the other hand, the present inventors have proposed that the Ti film exceeds the film thickness limit required for ensuring high orientation of the laminated Al film.
New knowledge has been obtained that the power durability of the IDT can be improved by forming a base film. And based on this new knowledge, the present invention was devised. In addition, although the orientation of the Al alloy film according to the present invention is lower than that in the case where the thin film is laminated on a conventional thin Ti underlayer, the power durability of the IDT can be improved. Therefore, it is considered that the operation of the present invention is based on a principle different from the conventional one.
【００１５】本発明の第１および第２の側面において下
地膜として用いられるＴｉは、機械的強度において非常
に優れており、Ａｌ合金よりも強硬である。したがっ
て、Ｔｉ下地膜の膜厚を厚くし、電極指の総厚に対する
Ｔｉ下地膜の膜厚比率を大きくすることによって、電極
全体の機械的強度が高められる。その結果、弾性表面波
素子のＩＤＴないし電極指に生じ易いストレスマイグレ
ーションに対する耐性を向上することができる。一方、
Ｔｉの電気抵抗率は４２．０μΩ・ｃｍ（２０℃）であ
り、Ａｌの２．６６μΩ・ｃｍと比較して極めて大きい
ため、ＩＤＴないし電極指におけるＴｉ下地膜の膜厚比
率を過剰に大きくした場合、ＩＤＴないし電極指の電気
抵抗が不当に大きくなり、作製された弾性表面波素子の
電気的特性は劣化する傾向にある。以上を勘案して発明
者らが行った実験によると、ＩＤＴの電極指におけるＴ
ｉ下地膜が、１００〜２００ｎｍの厚みを有する場合、
或いは、電極指の総厚に対して２５〜６０％の膜厚比率
で形成される場合に、ＩＤＴについて、良好な電気的特
性ないしフィルタ特性を維持しつつ耐電力性を向上でき
ることが判明した。そして、７００〜１０００ＭＨｚの
通過周波数帯域を有する弾性表面波素子においても、本
発明の構成によって、耐電力性を向上することができ、
且つ、歩留まりよく製造することができることを確認し
た。[0015] In the first and second aspects of the present invention, Ti used as a base film has very excellent mechanical strength and is harder than an Al alloy. Therefore, by increasing the thickness of the Ti underlayer and increasing the ratio of the thickness of the Ti underlayer to the total thickness of the electrode fingers, the mechanical strength of the entire electrode can be increased. As a result, it is possible to improve the resistance of the surface acoustic wave element to stress migration that is likely to occur in the IDT or the electrode finger. on the other hand,
Since the electric resistivity of Ti is 42.0 μΩ · cm (20 ° C.), which is extremely large as compared with 2.66 μΩ · cm of Al, the thickness ratio of the Ti underlayer film in the IDT or the electrode finger is excessively increased. In this case, the electrical resistance of the IDT or the electrode finger becomes unduly large, and the electrical characteristics of the manufactured surface acoustic wave element tend to deteriorate. In view of the above, according to an experiment performed by the inventors, it was found that the T
When the i-underlying film has a thickness of 100 to 200 nm,
Alternatively, it has been found that when formed at a film thickness ratio of 25 to 60% with respect to the total thickness of the electrode fingers, the power durability of the IDT can be improved while maintaining good electric characteristics or filter characteristics. Further, even in a surface acoustic wave device having a pass frequency band of 700 to 1000 MHz, the configuration of the present invention can improve power durability.
In addition, it was confirmed that the device can be manufactured with a high yield.
【００１６】なお、本発明者らは、１００ｎｍ以上のＴ
ｉ下地膜の上に積層されるＡｌ合金の配向性について、
確認実験を行っている。具体的には、４２°ＹカットＸ
伝搬ＬｉＴａＯ3基板上に、Ｔｉ下地膜と、９８．０ｗ
ｔ％Ａｌ―２．０ｗｔ％Ｃｕ合金とからなる電極を形成
した構造において、Ｔｉ下地膜の膜厚を２０〜１２０ｎ
ｍの範囲で変化させて、Ａｌ合金膜についてＡｌ（１１
１）ロッキングカーブの半値幅を測定し、当該合金の配
向性を評価した。なお、本測定では、Ｔｉ下地膜厚の２
０〜１２０ｎｍの範囲における変化に対応して、Ａｌ合
金の膜厚を４００〜２７０ｎｍの範囲で適宜変化させる
ことによって、電極質量が一定となるように調整した。
すなわち、本測定においては、電極質量一定において、
電極厚は４２０〜３９０ｎｍの範囲で異なっている。図
１は、Ｔｉ下地膜の膜厚変化に対するＡｌ（１１１）ロ
ッキングカーブの半値幅の変化を表すグラフである。図
１に示すグラフによると、Ａｌ（１１１）ロッキングカ
ーブの半値幅は、Ｔｉ下地膜の膜厚が４０ｎｍあたり
で、再公表特許ＷＯ９９／１６１６８号公報に示されて
いる高配向の目安である２．１°を超えている。そし
て、Ｔｉ下地膜厚が１００ｎｍ以上では３．０°以上と
なり、もはやＡｌ合金膜が高配向ではないことが確認で
きる。Note that the present inventors have proposed a T
Regarding the orientation of the Al alloy laminated on the i underlayer,
Confirmation experiments are being conducted. Specifically, 42 ° Y cut X
On a propagating LiTaO 3 substrate, a Ti underlayer and 98.0 w
In a structure in which an electrode made of t% Al-2.0wt% Cu alloy is formed, the thickness of the Ti underlayer is set to 20 to 120 n.
m, the Al alloy film was changed to Al (11
1) The half width of the rocking curve was measured, and the orientation of the alloy was evaluated. In this measurement, the thickness of the Ti underlayer was 2
The electrode mass was adjusted to be constant by appropriately changing the thickness of the Al alloy in the range of 400 to 270 nm in accordance with the change in the range of 0 to 120 nm.
That is, in this measurement, when the electrode mass is constant,
The electrode thickness varies between 420 and 390 nm. FIG. 1 is a graph showing a change in the half width of the Al (111) rocking curve with respect to a change in the thickness of the Ti underlayer film. According to the graph shown in FIG. 1, the half width of the Al (111) rocking curve is a measure of high orientation shown in re-published patent WO99 / 16168 when the thickness of the Ti underlayer is around 40 nm. Is greater than 1 °. And when the Ti underlayer thickness is 100 nm or more, it becomes 3.0 ° or more, and it can be confirmed that the Al alloy film is no longer highly oriented.
【００１７】本発明の第１および第２の側面では、Ｔｉ
下地膜上に積層される金属としてはＡｌ合金が用いられ
る。Ａｌ合金膜は純Ａｌ膜よりも配向性が低下する傾向
にあるが、薄いＴｉ下地膜に配向性の高いＡｌ膜を形成
するよりも、厚いＴｉ下地膜に機械的強度の高いＡｌ合
金を積層した構造の方が、全体として電極指の強度が高
まり、ＩＤＴないし電極指の耐電力性は向上する。In the first and second aspects of the present invention, Ti
An Al alloy is used as the metal laminated on the base film. The orientation of the Al alloy film tends to be lower than that of the pure Al film. However, rather than forming a highly oriented Al film on a thin Ti under film, an Al alloy with high mechanical strength is laminated on a thick Ti under film. With this structure, the strength of the electrode finger is increased as a whole, and the power durability of the IDT or the electrode finger is improved.
【００１８】本発明の第１および第２の側面において、
好ましくは、Ａｌ合金膜を構成する結晶の粒径は、電極
指の幅の１／３以下とする。このような構成は、耐電力
性の向上を図る上で好適である。弾性表面波によって生
じる応力がＩＤＴに伝わると、一般に、その応力はＩＤ
Ｔの電極指を構成する結晶粒の粒界に集中するが、結晶
粒を小さくすることにより結晶粒の界面、即ち粒界を増
加させると、そのような応力は分散され、その結果、Ｉ
ＤＴないし電極指の耐電力性は向上する。In the first and second aspects of the present invention,
Preferably, the grain size of the crystal constituting the Al alloy film is set to 1/3 or less of the width of the electrode finger. Such a configuration is suitable for improving power durability. When the stress generated by the surface acoustic wave is transmitted to the IDT, the stress generally becomes the IDT.
Although the concentration is concentrated at the grain boundaries of the crystal grains constituting the electrode finger of T, when the interface of the crystal grains, that is, the grain boundary is increased by making the crystal grains smaller, such stress is dispersed, and as a result, I
The power durability of the DT or the electrode finger is improved.
【００１９】これに対し、上述の特開平５−９０２６８
号公報および再公表特許ＷＯ９９／１６１６８号公報に
開示の弾性表面波素子のＩＤＴでは、Ａｌ膜の配向性の
向上が図られ、電極膜の結晶粒は大きく成長している。
仮に、完全な単結晶により電極指が構成されるのであれ
ば、粒界が存在しないので極めて耐電力性が高い電極指
が形成されると予測される。しかしながら、実際は、完
全な単結晶膜を形成するのは極めて困難であり、種々の
条件を最適化して単結晶化を図ったとしても、電極指内
には結晶粒界が僅かに生じてしまう。僅かに生ずる粒界
には、極めて強い応力が集中してしまい、マイグレーシ
ョンが誘発されて耐電力性の向上が妨げられる場合があ
る。このような不具合を回避すべく、本発明では、電極
指を構成するＡｌ合金の結晶の粒径を電極指の幅の１／
３以下とし、多数の粒界によって、電極指に作用する応
力を分散することとしているのである。On the other hand, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 5-90268 described above
In the IDT of the surface acoustic wave device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 9-99, and WO 99/16168, the orientation of the Al film is improved, and the crystal grains of the electrode film grow large.
If the electrode finger is composed of a perfect single crystal, it is expected that an electrode finger with extremely high power durability will be formed since there is no grain boundary. However, in practice, it is extremely difficult to form a complete single crystal film, and even if various conditions are optimized for single crystallization, crystal grain boundaries are slightly generated in the electrode fingers. Extremely strong stress is concentrated on the slightly generated grain boundaries, which may induce migration and hinder improvement in power durability. In order to avoid such a problem, in the present invention, the grain size of the crystal of the Al alloy constituting the electrode finger is set to be 1/1 / the width of the electrode finger.
That is, the stress acting on the electrode finger is dispersed by a large number of grain boundaries.
【００２０】好ましくは、Ａｌ合金膜は、Ａｌと、Ｃ
ｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される金
属とからなる。Ａｌ合金を構成するためにＡｌに添加さ
れる金属がＣｕの場合には、合金中の当該Ｃｕの濃度は
０．５〜３．０ｗｔ％であるのが好ましい。一方、Ｍｇ
の場合には、合金中の当該Ｍｇの濃度は０．１〜３．０
ｗｔ％であるのが好ましい。これ以上に添加濃度が高く
なると、製造プロセスにおいて、反応性イオンエッチン
グによる電極パターンの形成が困難となる傾向にあるの
で、好ましくない。これに加えて、電気抵抗が不当に増
大することによってフィルタ特性の劣化が生じるという
理由においても、好ましくない。なお、弾性表面波素子
の製造プロセス中のウエハ切断工程において、切削水に
よる電極の腐食が低減されるという観点からは、Ａｌ―
Ｍｇ合金はＡｌ―Ｃｕ合金よりも好ましい。Preferably, the Al alloy film comprises Al, C
and a metal selected from the group consisting of u, Mg, Ti, Pd, and W. When the metal added to Al to form an Al alloy is Cu, the concentration of the Cu in the alloy is preferably 0.5 to 3.0 wt%. On the other hand, Mg
, The concentration of the Mg in the alloy is 0.1 to 3.0.
It is preferably wt%. If the additive concentration is higher than this, the formation of an electrode pattern by reactive ion etching tends to be difficult in the manufacturing process, which is not preferable. In addition to this, it is not preferable because the filter characteristic is deteriorated due to the unreasonable increase in the electric resistance. Note that, in the wafer cutting step in the manufacturing process of the surface acoustic wave element, from the viewpoint that corrosion of the electrode due to cutting water is reduced, Al-
Mg alloys are preferred over Al-Cu alloys.
【００２１】[0021]
【発明を実施するための最良の形態】以下、本発明の好
ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明す
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
【００２２】図２は、本発明に係る弾性表面波素子１０
の斜視図である。弾性表面波素子１０は、圧電基板１１
と、その上に設けられた入力用のＩＤＴ１２および出力
用のＩＤＴ１３からなる。圧電基板１１は、電界を加え
ることにより歪みが生じ、また、歪みが加えられること
により電界を生じる性質、すなわち圧電効果を示す圧電
材料により構成された基板である。ＩＤＴ１２は、一対
の電極１４，１５とからなり、当該電極１４，１５は、
所定のピッチｄで交互に配された電極指１６，１７を有
する。同様に、ＩＤＴ１３は、一対の電極１８，１９と
からなり、当該電極１８，１９は、所定のピッチｄで交
互に配された電極指２０，２１を有する。電極１４，１
５の電極指ピッチｄと、電極１８，１９の電極指ピッチ
ｄとは、同一としてもよいし、異ならしめてもよい。FIG. 2 shows a surface acoustic wave device 10 according to the present invention.
It is a perspective view of. The surface acoustic wave element 10 includes a piezoelectric substrate 11
And an input IDT 12 and an output IDT 13 provided thereon. The piezoelectric substrate 11 is a substrate made of a piezoelectric material that generates a distortion when an electric field is applied and generates an electric field when the distortion is applied, that is, a piezoelectric material that exhibits a piezoelectric effect. The IDT 12 includes a pair of electrodes 14 and 15, and the electrodes 14 and 15
It has electrode fingers 16, 17 alternately arranged at a predetermined pitch d. Similarly, the IDT 13 includes a pair of electrodes 18 and 19, and the electrodes 18 and 19 have electrode fingers 20 and 21 alternately arranged at a predetermined pitch d. Electrodes 14, 1
The electrode finger pitch d of the fifth electrode and the electrode finger pitch d of the electrodes 18 and 19 may be the same or different.
【００２３】図３は、図２に示す弾性表面波素子１０の
一本の電極指１６およびその付近の断面図である。電極
指１６は、圧電基板１１上に設けられたＴｉ下地膜１６
ａと、このＴｉ下地膜１６ａ上に積層されたＡｌ合金膜
１６ｂとからなる。Ａｌ合金膜１６ｂを構成する結晶粒
１６ｂ’の粒径は、電極指１６の幅Ｌの１／３以下とさ
れている。同様に、電極指１７，２０，２１も、Ｔｉ下
地膜１７ａ，２０ａ，２１ａと、その上に積層されたＡ
ｌ合金膜１７ｂ，２０ｂ，２１ｂとからなる。また、Ａ
ｌ合金膜１７ｂ，２０ｂ，２１ｂを構成する結晶粒の粒
径も、対応する電極指の幅の１／３以下とされている。FIG. 3 is a sectional view of one electrode finger 16 of the surface acoustic wave device 10 shown in FIG. 2 and its vicinity. The electrode finger 16 is made of a Ti base film 16 provided on the piezoelectric substrate 11.
a and an Al alloy film 16b laminated on the Ti base film 16a. The grain size of the crystal grains 16 b ′ constituting the Al alloy film 16 b is set to be not more than ３ of the width L of the electrode finger 16. Similarly, the electrode fingers 17, 20, and 21 also have Ti base films 17a, 20a, and 21a, and A
1b alloy films 17b, 20b and 21b. Also, A
The grain size of the crystal grains constituting the 1 alloy films 17b, 20b, and 21b is also set to 1/3 or less of the width of the corresponding electrode finger.
【００２４】圧電基板１１としては、水晶基板、ＬｉＮ
ｂＯ3基板、ＬｉＴａＯ3基板、Ｌｉ 4Ｂ2Ｏ7などを用い
ることができる。ＩＤＴ１２，１３は、圧電基板１１上
において、蒸着法やスッパッタリングなどによりＴｉ下
地膜を成膜し、その上に、同じく蒸着法やスッパッタリ
ングなどによりＡｌ合金膜を成膜した後、当該積層構造
をフォトリソグラフィや反応性エッチングにより所定形
状にパターンニングすることによって形成される。Ｔｉ
下地膜１６ａ，１７ａ，２０ａ，２１ａは、１００〜２
００ｎｍの厚みで設けられており、Ａｌ合金膜１６ｂ，
１７ｂ，２０ｂ，２１ｂは、Ｔｉ下地膜１６ａ，１７
ａ，２０ａ，２１ａ上において３００〜１３３ｎｍの厚
みで設けられている。本実施形態では、ＩＤＴ１２の電
極指１６，１７およびＩＤＴ１３の電極指２０，２１の
周期すなわち形成ピッチｄは約５μｍであり、このよう
な構成によって弾性表面波素子１０の通過周波数帯域は
７００〜１０００ＭＨｚとされている。Ａｌ合金は、Ａ
ｌに対して微量のＣｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｗを添加し
たものを用いることができる。例えばＣｕの場合には、
その添加量は合金全体に対して０．５〜３．０ｗｔ％で
あり、Ｍｇの場合には０．１〜３．０ｗｔ％である。As the piezoelectric substrate 11, a quartz substrate, LiN
bOThreeSubstrate, LiTaOThreeSubstrate, Li FourBTwoO7Using
Can be IDTs 12 and 13 are on the piezoelectric substrate 11
At the bottom of Ti by vapor deposition or sputtering
A base film is formed, and the vapor deposition method and sputtering
After an Al alloy film is formed by
Can be shaped by photolithography or reactive etching
It is formed by patterning in a shape. Ti
The base films 16a, 17a, 20a, and 21a are 100 to 2
The thickness of the Al alloy film 16b,
17b, 20b, 21b are Ti underlayer films 16a, 17
a, thickness of 300 to 133 nm on 20a, 21a
Only provided. In this embodiment, the IDT 12
Of the pole fingers 16 and 17 and the electrode fingers 20 and 21 of the IDT 13
The period, that is, the formation pitch d is about 5 μm.
Frequency band of the surface acoustic wave element 10
It is set to 700 to 1000 MHz. Al alloy is A
Add a small amount of Cu, Mg, Ti, Pd, W to
Can be used. For example, in the case of Cu,
The addition amount is 0.5 to 3.0 wt% based on the whole alloy.
In the case of Mg, the content is 0.1 to 3.0 wt%.
【００２５】このような構成の弾性表面波素子１０にお
いて、ＩＤＴ１２に交流電圧を印加すると、圧電効果に
より、ＩＤＴ１２の隣合う電極指１６と電極指１７との
間の領域の圧電基板に歪みが生じ、表面波Ｗが励振され
る。そして、表面波Ｗが圧電基板１０を伝搬してＩＤＴ
１３が形成されている領域に到達すると、圧電効果によ
り生ずる電界に誘起されて、ＩＤＴ１３から交流電流が
出力される。In the surface acoustic wave device 10 having such a configuration, when an AC voltage is applied to the IDT 12, distortion occurs in the piezoelectric substrate in the region between the adjacent electrode fingers 16 and 17 of the IDT 12 due to the piezoelectric effect. , A surface wave W is excited. Then, the surface wave W propagates through the piezoelectric substrate 10 and the IDT
When the IDT 13 reaches the region where the IDT 13 is formed, an AC current is output from the IDT 13 due to an electric field generated by the piezoelectric effect.
【００２６】本発明に係る弾性表面波素子１０の電極１
４，１５，１８，１９においては、当該電極の厚みに対
する膜厚比率が２５〜６０％であって、従来よりも厚い
１００〜２００ｎｍであるＴｉ下地膜１６ａ，１７ａ，
２０ａ，２１ａが設けられているところ、これらＴｉ下
地膜に積層されたＡｌ合金膜１６ｂ，１７ｂ，２０ｂ，
２１ｂは、従来と異なり、高配向膜ではなくなってい
る。その理由の１つは、図１のグラフに関して既に説明
したように、Ｔｉ下地膜が１００ｎｍ以上であると、Ａ
ｌ合金膜の配向性が劣化することにある。これに加え
て、積層される膜が純ＡｌではなくＡｌ合金であること
も理由の１つであると考えられる。Ｔｉ下地膜１６ａ，
１７ａ，２０ａ，２１ａ上の積層膜が高配向でなくと
も、下記実施例でも示すように、本発明に係る弾性表面
波素子１０のＩＤＴ１２，１３は、良好な耐電力性を有
する。Electrode 1 of surface acoustic wave device 10 according to the present invention
In Nos. 4, 15, 18, and 19, the ratio of the thickness to the thickness of the electrode is 25 to 60%, and the thickness of the Ti underlayer 16a, 17a,
20a and 21a are provided, the Al alloy films 16b, 17b, 20b,
21b is no longer a highly oriented film, unlike the prior art. One of the reasons is that, as already described with reference to the graph of FIG. 1, when the Ti underlayer is 100 nm or more, A
That is, the orientation of the alloy film is deteriorated. In addition to this, one of the reasons may be that the film to be laminated is not pure Al but an Al alloy. Ti underlayer 16a,
The IDTs 12 and 13 of the surface acoustic wave device 10 according to the present invention have good power durability even when the stacked films on the layers 17a, 20a and 21a are not highly oriented, as shown in the following examples.
【００２７】[0027]
【実施例】次に、本発明について実施例を説明する。Next, examples of the present invention will be described.
【００２８】[0028]
【実施例１】＜弾性表面波素子の作製＞圧電基板として
の４２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3基板上に、スパッ
タリングによりＴｉ下地膜を成膜し、更にその上に、ス
パッタリングにより９９．５ｗｔ％Ａｌ―０．５ｗｔ％
Ｃｕ合金を積層し、両薄膜をフォトリソグラフィおよび
反応性イオンエッチングによりパターン加工することに
よって２層構造のＩＤＴを形成し、北米の携帯電話シス
テムであるＡＭＰＳ（Advanced Mobile Phone System）
の送信フィルタ（通過帯域８２５〜８４９ＭＨｚ）用途
であって、ラダー型構成の弾性表面波フィルタを作製し
た。ＩＤＴ電極指の断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）で観察し、写真撮影した。図４は、当該写真を模し
た断面図である。図４に示すように、１本の電極指断面
は３個の結晶粒で占められていた。ただし、図４に示す
電極指におけるＴｉ下地膜の厚みは１２０ｎｍである。Example 1 <Production of surface acoustic wave device> A Ti base film was formed on a 42 ° Y-cut X-propagation LiTaO 3 substrate as a piezoelectric substrate by sputtering, and 99.5 wt% was further formed thereon by sputtering. Al-0.5wt%
By stacking a Cu alloy and patterning both thin films by photolithography and reactive ion etching to form a two-layer IDT, the AMPS (Advanced Mobile Phone System), a North American mobile phone system
In this case, a surface acoustic wave filter having a ladder-type configuration was manufactured for a transmission filter (pass band 825 to 849 MHz). The cross section of the IDT electrode finger was observed with a transmission electron microscope (TE).
Observed in M) and photographed. FIG. 4 is a sectional view simulating the photograph. As shown in FIG. 4, the cross section of one electrode finger was occupied by three crystal grains. However, the thickness of the Ti underlayer in the electrode finger shown in FIG. 4 is 120 nm.
【００２９】＜測定＞本実施例では、Ｔｉ下地膜の厚み
（電極指厚に対する比率）を変えて、ＩＤＴについて最
大入力電力および３ｄＢ通過帯域幅を測定し、ＩＤＴの
耐電力性およびフィルタ特性の変化を調べた。ここで最
大入力電力とは、デバイスに印加する電力を順次上げて
いったときに、特性が劣化する直前の電力をいうものと
する。本測定では、Ｔｉ下地膜厚を仮に０ｎｍとしたと
きのＡｌ合金膜厚を４３０ｎｍとし、ＩＤＴ全体の質量
を一定に保つように、Ｔｉ下地膜厚の変化に応じてＡｌ
合金膜厚を調整した。測定は、８５℃の環境温度下で、
３ｄＢ通過帯域の高周波端に電力を印加することによっ
て行った。<Measurement> In this embodiment, the maximum input power and the 3 dB pass bandwidth of the IDT were measured by changing the thickness of the Ti underlayer (the ratio to the electrode finger thickness), and the power durability and the filter characteristics of the IDT were measured. The changes were examined. Here, the maximum input power refers to the power immediately before the characteristics are degraded when the power applied to the device is sequentially increased. In this measurement, when the thickness of the Ti underlayer is assumed to be 0 nm, the thickness of the Al alloy is set to 430 nm, and the Al thickness is changed according to the change in the thickness of the Ti underlayer so that the mass of the entire IDT is kept constant.
The alloy film thickness was adjusted. The measurement was performed under an environment temperature of 85 ° C.
This was performed by applying power to the high-frequency end of the 3 dB pass band.
【００３０】＜測定結果＞Ｔｉ下地膜の膜厚比率の変化
に対する最大入力電力の変化を図５に示す。図５による
と、Ｔｉ下地膜を厚くするほど最大入力電力が上昇し、
ＩＤＴの耐電力性が向上していることが判る。特に、Ｔ
ｉ下地膜の膜厚比率が５０％以上において、携帯電話の
仕様を満足できる程度の耐電力性（最大入力電力２．５
ｗ以上）を有することが確認された。Ｔｉ下地膜の膜厚
比率の変化に対する３ｄＢ帯域幅の相対変化を図６に示
す。図６では、Ｔｉ下地膜厚が０ｎｍであるとした場合
の３ｄＢ帯域幅を１００％としている。図６によると、
Ｔｉ下地膜を厚くするにつれて３ｄＢ帯域幅が相対的に
低下する傾向にあることが判る。本測定により、Ｔｉ下
地膜の膜厚比率が６０％以下において、相対的な３ｄＢ
帯域幅が９６％以上であり、携帯電話の仕様を満足でき
ることが確認された。以上の結果より、弾性表面波素子
のＩＤＴにおいて、主電極材料として９９．５ｗｔ％Ａ
ｌ―０．５ｗｔ％Ｃｕ合金を用いる場合には、耐電力性
を向上させつつ良好なフィルタ特性を得るための最適な
Ｔｉ下地膜の膜厚比率の範囲は、５０％以上６０％以下
であることが理解されよう。<Measurement Results> FIG. 5 shows a change in the maximum input power with respect to a change in the film thickness ratio of the Ti underlayer. According to FIG. 5, the maximum input power increases as the thickness of the Ti underlayer increases,
It can be seen that the power durability of the IDT has been improved. In particular, T
When the film thickness ratio of the i-underlying film is 50% or more, the electric power durability (maximum input power 2.5
w or more). FIG. 6 shows a relative change in the 3 dB bandwidth with respect to a change in the film thickness ratio of the Ti underlayer. In FIG. 6, the 3 dB bandwidth when the thickness of the Ti underlayer is 0 nm is set to 100%. According to FIG.
It can be seen that the 3 dB bandwidth tends to decrease relatively as the thickness of the Ti underlayer increases. According to this measurement, when the film thickness ratio of the Ti underlayer is 60% or less, the relative 3 dB
It was confirmed that the bandwidth was 96% or more, and the specifications of the mobile phone could be satisfied. From the above results, in the IDT of the surface acoustic wave element, 99.5 wt% A was used as the main electrode material.
When a 1-0.5 wt% Cu alloy is used, the optimum range of the film thickness ratio of the Ti underlayer for obtaining good filter characteristics while improving power durability is 50% or more and 60% or less. It will be understood.
【００３１】[0031]
【実施例２】９９．５ｗｔ％Ａｌ―０．５ｗｔ％Ｃｕ合
金に代えて９９．０ｗｔ％Ａｌ―１．０ｗｔ％Ｃｕ合金
を用いた以外は実施例１と同様の方法により弾性表面波
フィルタを作製した。そして、Ｔｉ下地膜の厚み（電極
指厚に対する比率）を変えて、ＩＤＴについて最大入力
電力および３ｄＢ帯域幅を測定し、ＩＤＴの耐電力性お
よびフィルタ特性の変化を調べた。Example 2 A surface acoustic wave filter was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a 99.0 wt% Al-1.0 wt% Cu alloy was used instead of the 99.5 wt% Al-0.5 wt% Cu alloy. Produced. Then, the maximum input power and the 3 dB bandwidth of the IDT were measured while changing the thickness of the Ti base film (the ratio to the electrode finger thickness), and the changes in the power durability and filter characteristics of the IDT were examined.
【００３２】Ｔｉ下地膜の膜厚比率の変化に対する最大
入力電力の変化を図７に示す。図７によると、Ｔｉ下地
膜を厚くするほど最大入力電力が上昇し、ＩＤＴの耐電
力性が向上していることが判る。特に、Ｔｉ下地膜の膜
厚比率が３５％以上において、携帯電話の仕様を満足で
きる程度の耐電力性（最大入力電力２．５ｗ以上）を有
することが確認された。Ｔｉ下地膜の膜厚比率の変化に
対する３ｄＢ帯域幅の相対変化を図８に示す。図８によ
ると、Ｔｉ下地膜を厚くするにつれて３ｄＢ帯域幅が相
対的に低下する傾向にあることが判る。本測定により、
Ｔｉ下地膜の膜厚比率が５０％以下において、携帯電話
の仕様を満足できる程度の３ｄＢ帯域幅（相対値９６％
以上）を確保できることが確認された。以上の結果よ
り、本実施例では、耐電力性を向上させつつ良好なフィ
ルタ特性を得るための最適なＴｉ下地膜の膜厚比率の範
囲は、３５％以上５０％以下であることが理解されよ
う。FIG. 7 shows a change in the maximum input power with respect to a change in the thickness ratio of the Ti underlayer. According to FIG. 7, it can be seen that the maximum input power increases as the thickness of the Ti underlayer increases, and the power durability of the IDT improves. In particular, when the thickness ratio of the Ti underlayer was 35% or more, it was confirmed that the film had sufficient power durability (maximum input power 2.5 W or more) to satisfy the specifications of the mobile phone. FIG. 8 shows a relative change in the 3 dB bandwidth with respect to a change in the thickness ratio of the Ti underlayer. FIG. 8 shows that the 3 dB bandwidth tends to decrease relatively as the thickness of the Ti underlayer increases. By this measurement,
When the film thickness ratio of the Ti underlayer is 50% or less, a 3 dB bandwidth that can satisfy the specifications of the mobile phone (relative value 96%
Above) can be secured. From the above results, in this example, it is understood that the optimum range of the film thickness ratio of the Ti underlayer for obtaining good filter characteristics while improving power durability is 35% or more and 50% or less. Like.
【００３３】[0033]
【実施例３】９９．５ｗｔ％Ａｌ―０．５ｗｔ％Ｃｕ合
金に代えて９８．０ｗｔ％Ａｌ―２．０ｗｔ％Ｃｕ合金
を用いた以外は実施例１と同様の方法により弾性表面波
フィルタを作製した。実施例１と同様の方法により、Ｉ
ＤＴ電極指の断面を透過型電子顕微鏡で観察し、写真撮
影した。図９は、当該写真を模した断面図である。図９
に示すように、１本の電極指断面は９個の結晶粒で占め
られていた。すなわち、実施例３の電極指は、実施例１
のそれよりも、小さな結晶粒で構成されていた。ただ
し、図９に示す電極指におけるＴｉ下地膜の厚みは１２
０ｎｍである。そして、実施例１と同様の方法により、
Ｔｉ下地膜の厚み（電極指厚に対する比率）を変えて、
最大入力電力および３ｄＢ帯域幅を測定し、ＩＤＴの耐
電力性およびフィルタ特性の変化を調べた。Embodiment 3 A surface acoustic wave filter was manufactured in the same manner as in Embodiment 1, except that a 98.0 wt% Al-2.0 wt% Cu alloy was used instead of the 99.5 wt% Al-0.5 wt% Cu alloy. Produced. In the same manner as in Example 1, I
The cross section of the DT electrode finger was observed with a transmission electron microscope and photographed. FIG. 9 is a sectional view simulating the photograph. FIG.
As shown in the figure, one electrode finger cross section was occupied by nine crystal grains. That is, the electrode finger of the third embodiment is different from that of the first embodiment.
It was composed of smaller crystal grains than that of However, the thickness of the Ti underlayer in the electrode finger shown in FIG.
0 nm. Then, by the same method as in the first embodiment,
By changing the thickness of the Ti underlayer (ratio to electrode finger thickness),
The maximum input power and the 3 dB bandwidth were measured, and changes in the power durability and filter characteristics of the IDT were examined.
【００３４】Ｔｉ下地膜の膜厚比率の変化に対する最大
入力電力の変化を図１０に示す。図１０によると、Ｔｉ
下地膜を厚くするほど最大入力電力が上昇し、耐電力性
が向上していることが判る。特に、Ｔｉ下地膜の膜厚比
率が２５％以上において、携帯電話の仕様を満足できる
程度の耐電力性（最大入力電力２．５ｗ以上）を有する
ことが確認された。Ｔｉ下地膜の膜厚比率の変化に対す
る３ｄＢ帯域幅の相対変化を図１１に示す。図１１によ
ると、Ｔｉ下地膜を厚くするにつれて当該３ｄＢ帯域幅
が相対的に低下する傾向にあることが判る。本測定によ
り、Ｔｉ下地膜の膜厚比率が５０％以下において、携帯
電話の仕様を満足できる程度の３ｄＢ帯域幅（相対値９
６％以上）を確保できることが確認された。以上の結果
より、本実施例では、耐電力性を向上させつつ良好なフ
ィルタ特性を得るための最適なＴｉ下地膜の膜厚比率の
範囲は、２５％以上５０％以下であることが理解されよ
う。FIG. 10 shows a change in the maximum input power with respect to a change in the thickness ratio of the Ti underlayer. According to FIG.
It can be seen that the thicker the base film, the higher the maximum input power and the higher the power durability. In particular, it was confirmed that when the film thickness ratio of the Ti underlayer was 25% or more, it had power durability (maximum input power of 2.5 W or more) that could satisfy the specifications of the mobile phone. FIG. 11 shows the relative change of the 3 dB bandwidth with respect to the change of the film thickness ratio of the Ti underlayer. FIG. 11 shows that the 3 dB bandwidth tends to decrease relatively as the thickness of the Ti underlayer increases. According to this measurement, when the film thickness ratio of the Ti underlayer is 50% or less, the 3 dB bandwidth (relative value 9
(6% or more). From the above results, in this example, it is understood that the optimum range of the film thickness ratio of the Ti underlayer for obtaining good filter characteristics while improving power durability is 25% or more and 50% or less. Like.
【００３５】以上の実施例１〜３で得られた６つのデー
タ、即ち、Ａｌ合金中のＣｕ濃度０．５ｗｔ％，１．０
ｗｔ％，２．０ｗｔ％の各々における、最大入力電力
２．５Ｗを確保するための最小Ｔｉ膜厚比率、及び、相
対的な３ｄＢ帯域幅９６％以上を確保するための最大Ｔ
ｉ膜厚比率を用いて、Ｔｉ下地膜の膜厚比率の最適領域
の評価を行った。その評価に用いたグラフを図１２に示
す。図１２によると、Ａｌ合金中のＣｕ濃度が０．５ｗ
ｔ％より低くなると、当該濃度における最適なＴｉ膜厚
比率の範囲（斜線範囲）が極端に狭くなり、設計自由度
がなくなるとともに、製造余裕度が小さくなることが予
想され、作製歩留まりを悪くする原因となると考えられ
る。したがって、Ａｌ合金中のＣｕ濃度の下限として
は、最適なＴｉ膜厚比率の範囲が１０％程度確保できる
０．５ｗｔ％が適当である。また、Ａｌ合金中のＣｕ濃
度を高めると、Ｔｉ下地膜の膜厚比率の最適範囲が広く
なる傾向にあり、設計自由度が増すことが判る。ただ
し、本発明者らは、Ａｌ合金中のＣｕ濃度を高くするに
つれて、製造プロセスにおいて、反応性エッチングによ
るＩＤＴパターニングが難しくなり、ＩＤＴの加工性の
観点からは、Ｃｕ濃度は事実上３％が上限であることを
確認している。The six data obtained in Examples 1 to 3 above, namely, the Cu concentration in the Al alloy of 0.5 wt%, 1.0%
In each of wt% and 2.0 wt%, a minimum Ti film thickness ratio for securing a maximum input power of 2.5 W and a maximum T for securing a relative 3 dB bandwidth of 96% or more.
The optimum region of the film thickness ratio of the Ti underlayer was evaluated using the i film thickness ratio. FIG. 12 shows a graph used for the evaluation. According to FIG. 12, the Cu concentration in the Al alloy was 0.5 w
If the concentration is lower than t%, the range of the optimal Ti film thickness ratio (shaded area) at the concentration is extremely narrowed, and it is expected that the degree of freedom in design will be lost and the manufacturing margin will be reduced, thereby lowering the production yield. It is thought to be the cause. Therefore, the lower limit of the Cu concentration in the Al alloy is suitably 0.5 wt%, which can secure an optimal range of the Ti film thickness ratio of about 10%. Also, it is found that when the Cu concentration in the Al alloy is increased, the optimum range of the film thickness ratio of the Ti underlayer tends to be widened, and the degree of freedom in design increases. However, as the Cu concentration in the Al alloy is increased, the IDT patterning by reactive etching becomes more difficult in the manufacturing process. From the viewpoint of the workability of the IDT, the Cu concentration is substantially 3%. Confirmed that it is the upper limit.
【００３６】以上を総合的に勘案すると、電極指厚に対
するＴｉ下地膜の膜厚比率は、全体として２５〜６０％
の範囲であるのが望ましいことが理解されよう。なお、
Ｔｉ下地膜厚を仮に０ｎｍとしたときのＡｌ合金膜厚を
４３０ｎｍとし、ＩＤＴ全体の質量を一定に保つように
Ｔｉ下地膜厚の変化に応じてＡｌ合金膜厚が調整された
ＩＤＴを有する上述の実施例においては、Ｔｉ下地膜の
電極指厚に対する膜厚比率が２５〜６０％であること
は、Ｔｉ下地膜が１００〜２００ｎｍの厚みを有するこ
とに相当する。Taking the above into consideration, the ratio of the thickness of the Ti underlayer to the thickness of the electrode finger is 25 to 60% as a whole.
It is to be understood that the range of In addition,
Assuming that the thickness of the Al underlayer is 430 nm when the thickness of the Ti underlayer is supposed to be 0 nm, the IDT in which the thickness of the Al alloy is adjusted according to the change in the thickness of the Ti underlayer so as to keep the mass of the entire IDT constant. In the embodiment of the present invention, that the film thickness ratio of the Ti underlayer to the electrode finger thickness is 25 to 60% corresponds to the Ti underlayer having a thickness of 100 to 200 nm.
【００３７】[0037]
【実施例４】Ａｌ―Ｃｕ合金に代えてＡｌ―Ｍｇ合金を
用いた以外は実施例１と同様の方法により作製した弾性
表面波フィルタの構造において、Ａｌ合金中のＭｇ濃度
およびＴｉ下地膜の厚み（電極指厚に対する比率）を変
えて、実施例１〜３に準じて最大入力電力および３ｄＢ
帯域幅を測定し、ＩＤＴの耐電力性およびフィルタ特性
の変化を調べた。その結果、合金中のＭｇの最適濃度は
０．１〜３．０ｗｔ％であることが求められた。例え
ば、Ｔｉ下地膜の膜厚比率３０．８％（Ｔｉ下地膜１２
０ｎｍ、Ａｌ合金膜２７０ｎｍ）の構成において、Ａｌ
合金中のＭｇ濃度が０．４ｗｔ％および１．０ｗｔ％で
は、ＩＤＴの最大入力電力は共に２．５Ｗであった。Example 4 In the structure of a surface acoustic wave filter manufactured in the same manner as in Example 1 except that an Al—Mg alloy was used instead of the Al—Cu alloy, the Mg concentration in the Al alloy and the Ti underlayer By changing the thickness (the ratio to the electrode finger thickness), the maximum input power and 3 dB according to the first to third embodiments.
The bandwidth was measured, and changes in the power durability and filter characteristics of the IDT were examined. As a result, the optimum concentration of Mg in the alloy was required to be 0.1 to 3.0 wt%. For example, the thickness ratio of the Ti underlayer 30.8% (Ti underlayer 12
0 nm, Al alloy film 270 nm)
When the Mg concentration in the alloy was 0.4 wt% and 1.0 wt%, the maximum input power of the IDT was both 2.5 W.
【００３８】以上のまとめとして、本発明の構成および
そのバリエーションを以下に付記として列挙する。As a summary of the above, the configuration of the present invention and its variations are listed below as supplementary notes.
【００３９】（付記１） 圧電基板と、この圧電基板上
に形成されたインターディジタルトランスデューサとを
備え、当該インターディジタルトランスデューサは、複
数の電極指を備える電極を有しており、前記電極は、前
記圧電基板上に１００〜２００ｎｍの膜厚で設けられた
Ｔｉ下地膜と、当該Ｔｉ下地膜上に積層されたＡｌ合金
膜と、を含むことを特徴とする弾性表面波素子。 （付記２） 圧電基板と、この圧電基板上に形成された
インターディジタルトランスデューサとを備え、当該イ
ンターディジタルトランスデューサは、複数の電極指を
備える電極を有しており、前記電極は、当該電極の厚み
に対して２５〜６０％の膜厚比率で前記圧電基板上に設
けられたＴｉ下地膜と、当該Ｔｉ下地膜上に積層された
Ａｌ合金膜と、を含むことを特徴とする弾性表面波素
子。 （付記３） 前記Ａｌ合金膜を構成する結晶の平均粒径
は、前記各電極指の幅の１／３以下である、付記１また
は２に記載の弾性表面波素子。 （付記４） 前記Ａｌ合金膜は、Ａｌと、Ｃｕ、Ｍｇ、
Ｔｉ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される金属とを含
む、付記１から３のいずれか１つに記載の弾性表面波素
子。 （付記５） 前記Ａｌ合金膜に含まれるＣｕの濃度は、
０．５〜３．０ｗｔ％である、付記４に記載の弾性表面
波素子。 （付記６） 前記Ａｌ合金膜に含まれるＭｇの濃度は、
０．１〜３．０ｗｔ％である、付記４に記載の弾性表面
波素子。 （付記７） ７００〜１０００ＭＨｚの通過周波数帯域
を有するフィルタとして構成されている、付記１から６
のいずれか１つに記載の弾性表面波素子。(Supplementary Note 1) A piezoelectric substrate and an interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate. The interdigital transducer has an electrode having a plurality of electrode fingers. A surface acoustic wave device comprising: a Ti underlayer provided on a piezoelectric substrate with a thickness of 100 to 200 nm; and an Al alloy film laminated on the Ti underlayer. (Supplementary Note 2) A piezoelectric substrate, and an interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate, the interdigital transducer includes an electrode having a plurality of electrode fingers, and the electrode has a thickness of the electrode. A surface acoustic wave element comprising: a Ti underlayer provided on the piezoelectric substrate at a film thickness ratio of 25 to 60% with respect to the above; and an Al alloy film laminated on the Ti underlayer. . (Supplementary Note 3) The surface acoustic wave device according to Supplementary Note 1 or 2, wherein an average particle diameter of a crystal constituting the Al alloy film is equal to or less than 1/3 of a width of each of the electrode fingers. (Supplementary Note 4) The Al alloy film includes Al, Cu, Mg,
4. The surface acoustic wave device according to any one of supplementary notes 1 to 3, further comprising a metal selected from the group consisting of Ti, Pd, and W. (Supplementary Note 5) The concentration of Cu contained in the Al alloy film is:
5. The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the content is 0.5 to 3.0 wt%. (Supplementary Note 6) The concentration of Mg contained in the Al alloy film is:
5. The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the content is 0.1 to 3.0 wt%. (Supplementary Note 7) Supplementary notes 1 to 6 configured as a filter having a pass frequency band of 700 to 1000 MHz.
The surface acoustic wave device according to any one of the above.
【００４０】[0040]
【発明の効果】本発明によれば、下地膜として１００〜
２００ｎｍのＴｉを用い、上層膜をＡｌ合金とすること
により、ＩＤＴの耐電力性を向上できる。また、本発明
よれば、電極指厚に対するＴｉ下地膜の膜厚比率を２５
〜６０％とすることによっても、ＩＤＴの耐電力性を向
上できる。これらの結果、携帯電話のデュプレクサに代
表される耐電力性が要求されるフィルタとしての弾性表
面波素子を、安価に製造することが可能となる。According to the present invention, 100 to 100%
By using 200 nm of Ti and forming the upper layer of an Al alloy, the power durability of the IDT can be improved. Further, according to the present invention, the thickness ratio of the Ti underlayer to the electrode finger thickness is set to 25.
By setting it to ６０60%, the power durability of the IDT can be improved. As a result, it becomes possible to manufacture a surface acoustic wave element as a filter, which is required to withstand power, represented by a duplexer of a mobile phone, at low cost.
【図１】Ｔｉ下地膜の膜厚変化に対するＡｌ（１１１）
ロッキングカーブの半値幅の変化を表すグラフである。FIG. 1 shows Al (111) with respect to a change in the thickness of a Ti underlayer.
6 is a graph showing a change in a half width of a rocking curve.
【図２】本発明に係る弾性表面波素子の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a surface acoustic wave device according to the present invention.
【図３】図２に示す弾性表面波素子の電極指およびその
付近の断面図である。3 is a sectional view of an electrode finger of the surface acoustic wave device shown in FIG. 2 and the vicinity thereof;
【図４】実施例１に係る電極指断面のＴＥＭ写真を模し
た図である。FIG. 4 is a diagram simulating a TEM photograph of a cross section of an electrode finger according to Example 1.
【図５】実施例１に係る弾性表面波素子について、Ｔｉ
下地膜の膜厚比率の変化に対する最大入力電力の変化を
表したグラフである。FIG. 5 is a diagram illustrating the surface acoustic wave element according to the first embodiment;
4 is a graph showing a change in maximum input power with respect to a change in a film thickness ratio of a base film.
【図６】実施例１に係る弾性表面波素子について、Ｔｉ
下地膜の膜厚比率の変化に対する３ｄＢ帯域幅の相対変
化を表すグラフである。FIG. 6 is a diagram illustrating a surface acoustic wave element according to the first embodiment;
9 is a graph showing a relative change in a 3 dB bandwidth with respect to a change in a thickness ratio of a base film.
【図７】実施例２に係る弾性表面波素子について、Ｔｉ
下地膜の膜厚比率の変化に対する最大入力電力の変化を
表したグラフである。FIG. 7 is a diagram illustrating a surface acoustic wave element according to a second embodiment;
4 is a graph showing a change in maximum input power with respect to a change in a film thickness ratio of a base film.
【図８】実施例２に係る弾性表面波素子について、Ｔｉ
下地膜の膜厚比率の変化に対する３ｄＢ帯域幅の相対変
化を表すグラフである。FIG. 8 shows a surface acoustic wave element according to a second embodiment,
9 is a graph showing a relative change in a 3 dB bandwidth with respect to a change in a thickness ratio of a base film.
【図９】実施例３に係る電極指断面のＴＥＭ写真を模し
た図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a TEM photograph of a cross section of an electrode finger according to Example 3.
【図１０】実施例３に係る弾性表面波素子について、Ｔ
ｉ下地膜の膜厚比率の変化に対する最大入力電力の変化
を表したグラフである。FIG. 10 is a graph showing the relationship between T and T for the surface acoustic wave element according to the third embodiment.
11 is a graph showing a change in the maximum input power with respect to a change in a film thickness ratio of an i-underlying film.
【図１１】実施例３に係る弾性表面波素子について、Ｔ
ｉ下地膜の膜厚比率の変化に対する３ｄＢ帯域幅の相対
変化を表すグラフである。FIG. 11 shows the surface acoustic wave element according to the third embodiment,
9 is a graph showing a relative change in a 3 dB bandwidth with respect to a change in a film thickness ratio of an i-underlying film.
【図１２】Ａｌ合金中のＣｕ濃度の変化に対するＴｉ下
地膜の最適膜厚比率範囲の変化を表すグラフである。FIG. 12 is a graph showing a change in an optimum thickness ratio range of a Ti underlayer film with respect to a change in a Cu concentration in an Al alloy.
【図１３】従来の弾性表面波素子の斜視図である。FIG. 13 is a perspective view of a conventional surface acoustic wave device.
１０，１３０ 弾性表面波素子 １１，１３１ 圧電基板 １２，１３，１３２，１３３ ＩＤＴ １４，１５，１８，１９ 電極 １６，１７，２０，２１ 電極指 １６ａ，１７ａ，２０ａ，２１ａ Ｔｉ下地膜 １６ｂ，１７ｂ，２０ｂ，２１ｂ Ａｌ合金膜 Ｗ 表面波 ｄ 電極指ピッチ 10, 130 Surface acoustic wave element 11, 131 Piezoelectric substrate 12, 13, 132, 133 IDT 14, 15, 18, 19 Electrode 16, 17, 20, 21, Electrode finger 16a, 17a, 20a, 21a Ti base film 16b, 17b , 20b, 21b Al alloy film W Surface wave d Electrode finger pitch
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堤 潤 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 伊形 理 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA26 AA32 BB15 DD28 FF03 GG03 HA02 HB08 KK05 KK09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Jun Tsutsumi 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Osamu Igata 4-chome, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture No. 1 No. 1 Fujitsu Limited F term (reference) 5J097 AA26 AA32 BB15 DD28 FF03 GG03 HA02 HB08 KK05 KK09
Claims (5)
たインターディジタルトランスデューサとを備え、当該
インターディジタルトランスデューサは、複数の電極指
を備える電極を有しており、 前記電極は、前記圧電基板上に１００〜２００ｎｍの膜
厚で設けられたＴｉ下地膜と、当該Ｔｉ下地膜上に積層
されたＡｌ合金膜と、を含むことを特徴とする弾性表面
波素子。1. A piezoelectric substrate, comprising: an interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate; the interdigital transducer having an electrode having a plurality of electrode fingers; A surface acoustic wave device comprising: a Ti base film provided thereon with a thickness of 100 to 200 nm; and an Al alloy film laminated on the Ti base film.
たインターディジタルトランスデューサとを備え、当該
インターディジタルトランスデューサは、複数の電極指
を備える電極を有しており、 前記電極は、当該電極の厚みに対して２５〜６０％の膜
厚比率で前記圧電基板上に設けられたＴｉ下地膜と、当
該Ｔｉ下地膜上に積層されたＡｌ合金膜と、を含むこと
を特徴とする弾性表面波素子。2. A piezoelectric substrate, comprising: an interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate; the interdigital transducer having an electrode having a plurality of electrode fingers; A surface acoustic wave comprising: a Ti underlayer provided on the piezoelectric substrate at a film thickness ratio of 25 to 60% with respect to a thickness; and an Al alloy film laminated on the Ti underlayer. element.
径は、前記各電極指の幅の１／３以下である、請求項１
または２に記載の弾性表面波素子。3. An average particle size of a crystal constituting the Al alloy film is not more than 1/3 of a width of each of the electrode fingers.
Or the surface acoustic wave device according to 2.
％の濃度のＣｕを含んでいる、請求項１から３のいずれ
か１つに記載の弾性表面波素子。4. The Al alloy film has a thickness of 0.5 to 3.0 wt.
The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 3, wherein the surface acoustic wave device contains Cu at a concentration of 0.1%.
％の濃度のＭｇを含む、請求項１から３のいずれか１つ
に記載の弾性表面波素子。5. The Al alloy film has a thickness of 0.1 to 3.0 wt.
The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 3, wherein the surface acoustic wave device contains Mg at a concentration of 0.1%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169145A JP3971128B2 (en) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169145A JP3971128B2 (en) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | Surface acoustic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002368568A true JP2002368568A (en) | 2002-12-20 |
| JP3971128B2 JP3971128B2 (en) | 2007-09-05 |
Family
ID=19011258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001169145A Expired - Lifetime JP3971128B2 (en) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3971128B2 (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6965190B2 (en) | 2001-09-12 | 2005-11-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| WO2006046545A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Kyocera Corporation | Elastic surface wave element and communication device |
| US7213322B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-05-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US7423365B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-09-09 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US7605524B2 (en) | 2005-11-10 | 2009-10-20 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| JP2011109306A (en) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| JP2016105559A (en) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 株式会社村田製作所 | Acoustic wave resonator, acoustic wave filter and duplexer |
| JP2019121880A (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 太陽誘電株式会社 | Elastic wave device, filter and multiplexer |
| CN111294009A (en) * | 2018-12-10 | 2020-06-16 | 太阳诱电株式会社 | Acoustic wave device, filter and multiplexer |
| JP2023112408A (en) * | 2022-02-01 | 2023-08-14 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | Acoustic wave device and module with acoustic wave device |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001169145A patent/JP3971128B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6965190B2 (en) | 2001-09-12 | 2005-11-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7213322B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-05-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US7423365B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-09-09 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US7795788B2 (en) | 2004-10-26 | 2010-09-14 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave element and communication device |
| JPWO2006046545A1 (en) * | 2004-10-26 | 2008-08-07 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave element and communication device |
| WO2006046545A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Kyocera Corporation | Elastic surface wave element and communication device |
| JP4686472B2 (en) * | 2004-10-26 | 2011-05-25 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave element and communication device |
| US7605524B2 (en) | 2005-11-10 | 2009-10-20 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| JP2011109306A (en) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| JP2016105559A (en) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 株式会社村田製作所 | Acoustic wave resonator, acoustic wave filter and duplexer |
| JP2019121880A (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 太陽誘電株式会社 | Elastic wave device, filter and multiplexer |
| CN111294009A (en) * | 2018-12-10 | 2020-06-16 | 太阳诱电株式会社 | Acoustic wave device, filter and multiplexer |
| JP2020096226A (en) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 太陽誘電株式会社 | Acoustic wave device, filter, and multiplexer |
| JP2023112408A (en) * | 2022-02-01 | 2023-08-14 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | Acoustic wave device and module with acoustic wave device |
| JP7364197B2 (en) | 2022-02-01 | 2023-10-18 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | Acoustic wave device and module comprising the elastic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3971128B2 (en) | 2007-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9159900B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| KR100638777B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP7377920B2 (en) | surface acoustic wave device | |
| JP4314118B2 (en) | Electrode structure with improved output tolerance and manufacturing method | |
| US6271617B1 (en) | Surface acoustic wave device with a tungsten-aluminum layered interdigital transducer | |
| JP4760908B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| US7876020B2 (en) | Boundary acoustic wave device including idt electrodes including a plurality of conductive layers with different densities | |
| JP5187444B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2007282294A (en) | Acoustic surface wave element and device | |
| JP2010193429A (en) | Acoustic wave device | |
| JPH09223944A (en) | Surface acoustic wave element and its manufacture | |
| JP2006513649A (en) | SAW device having improved temperature characteristics | |
| CN108141198B (en) | Elastic wave device | |
| US7898145B2 (en) | Boundary acoustic wave device | |
| JP2003243961A (en) | Surface acoustic wave element | |
| EP1184978B1 (en) | Surface acoustic wave device and method of producing the same | |
| JP2002368568A (en) | Surface acoustic wave element | |
| JP5273247B2 (en) | Ladder type filter | |
| JP5110091B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2007235711A (en) | Surface acoustic wave apparatus | |
| JPH06350377A (en) | Surface acoustic wave element | |
| JP4363443B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2004172990A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPH1022766A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP3945504B2 (en) | Manufacturing method of surface acoustic wave device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061011 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070327 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070605 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070607 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3971128 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |