JP2002368503A

JP2002368503A - バンドパスフィルタの特性調整方法

Info

Publication number: JP2002368503A
Application number: JP2001177330A
Authority: JP
Inventors: Seiji Kaminami; 誠治神波; Naoki Mizoguchi; 直樹溝口; Naotake Okamura; 尚武岡村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-12
Filing date: 2001-06-12
Publication date: 2002-12-20
Anticipated expiration: 2021-06-12
Also published as: JP4438253B2

Abstract

(57)【要約】【課題】フィルタ特性を広い範囲に渡り容易に調整す
ることができ、かつ設計の自由度を高め得るバンドパス
フィルタの特性調整方法を提供する。【解決手段】誘電体基板２の両面にグラウンド電極
３，４が形成されており、誘電体基板２内のある高さ位
置において、複数の共振器を構成するための金属膜５が
部分的に形成されており、該金属膜５に複数の共振器を
結合するための結合回路としての貫通孔５ａが形成され
ており、金属膜５に入出力電極６，７が結合されている
バンドパスフィルタにおいて、金属膜５とグラウンド電
極３，４との間の距離を変化させることによりフィルタ
特性の調整を行う、バンドパスフィルタの特性調整方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波やミリ波
帯のような高周波用途で用いられるバンドパスフィルタ
の特性調整方法に関し、例えばマイクロストリップライ
ン構造やトリプレート構造有するバンドパスフィルタの
特性調整方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波領域で用いられるバンドパ
スフィルタとして、デュアルモード・バンドパスフィル
タが種々提案されている（MINIATURE DUAL MODE MICROS
TRIP FILTERS, J.A. Curtis and S.J. Fiedziuszko, 19
91 IEEE MTT-S Digestなど）。

【０００３】図１１及び図１２は、従来のデュアルモー
ド・バンドパスフィルタを説明するための各模式的平面
図である。図１１に示すバンドパスフィルタ２００で
は、誘電体基板（図示せず）上に円形の導電膜２０１が
形成されている。この導電膜２０１に、互いに９０°の
角度をなすように、入出力結合回路２０２及び入出力結
合回路２０３が結合されている。そして、上記入出力結
合回路２０３が配置されている部分に対して中心角４５
°の角度をなす位置に、先端開放スタブ２０４が形成さ
れている。これによって共振周波数が異なる２つの共振
モードが結合され、バンドパスフィルタ２００は、デュ
アルモード・バンドパスフィルタとして動作するように
構成されている。

【０００４】また、図１２に示すデュアルモード・バン
ドパスフィルタ２１０では、誘電体基板上に略正方形の
導電膜２１１が形成されている。この導電膜２１１に、
互いに９０°の角度をなすように、入出力結合回路２１
２，２１３が結合されている。また、入出力結合回路２
１３に対して１３５°の位置のコーナー部が欠落されて
いる。欠落部分２１１ａを設けることにより、２つの共
振モードの共振周波数が異ならされており、該２つのモ
ードの共振が結合されて、バンドパスフィルタ２１０
は、デュアルモード・バンドパスフィルタとして動作す
る。

【０００５】他方、円形の導電膜に代えて、円環状の導
電膜を用いたデュアルモードフィルタも提案されている
（特開平９−１３９６１２号公報、特開平９−１６２６
１０号公報など）。すなわち、円環状のリング伝送路を
用い、図１１に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタと同様に、中心角９０°の角度をなすように入出力
結合回路を配置し、かつリング状伝送路の一部に先端開
放スタブを設けてなるデュアルモードフィルタが開示さ
れている。

【０００６】また、特開平６−１１２７０１号公報に
も、同様のリング状伝送路を用いたデュアルモードフィ
ルタが開示されている。図１３に示すように、このデュ
アルモードフィルタ２２１では、誘電体基板上に円環状
の導電膜２２２が形成されているリング共振器が構成さ
れている。ここでは、円環状の導電膜２２２に対して、
互いに９０°をなすように４個の端子２２３〜２２６が
構成されている。４個の端子のうち、互いに９０°の角
度をなす位置に配置された２個の端子２２３，２２４が
入出力結合回路２２７，２２８に結合されており、残り
の２個の端子２２５，２２６が帰還回路２３０を介して
接続されている。

【０００７】上記構成により、１つのストリップ線路か
らなるリング共振器において、互いに結合しない直交モ
ード共振を生じさせ、上記帰還回路２３０により結合度
を制御することが可能である旨が記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図１１及び図１２に示
した従来のデュアルモード・バンドパスフィルタでは、
１つの導電膜パターンを形成することにより２段のバン
ドパスフィルタを構成することができ、従ってバンドパ
スフィルタの小型化を図り得る。

【０００９】しかしながら、円形や正方形の導電膜パタ
ーンにおいて、上記特定の角度を隔てて入出力結合回路
を結合する構成を有するため、結合度を大きくすること
ができず、広い通過帯域を得ることができないという欠
点があった。

【００１０】また、図１１に示されているバンドパスフ
ィルタでは、導電膜２０１が円形であり、図１２に示す
バンドパスフィルタでは、導電膜２１１がほぼ正方形と
形状が限定されている。従って、設計の自由度が低いと
いう問題もあった。

【００１１】また、特開平９−１３９６１２号公報や特
開平９−１６２６１０号公報に記載のようなリング状共
振器を用いたデュアルモードバンドパスフィルタにおい
ても、同様に結合度を大きくすることが困難であり、か
つリング状共振器の形状が限定されるという問題があっ
た。

【００１２】他方、前述した特開平６−１１２７０１号
公報に記載のデュアルモードフィルタ２２１では、帰還
回路２３０を用いることにより、結合度の調整が行わ
れ、広帯域化が図られるとされている。しかしながら、
この先行技術に記載のデュアルモードフィルタでは、帰
還回路２３０が必要であり、回路構成が煩雑化するとい
う問題があった。加えて、やはり、リング状共振器の形
状が円環状と限定され、設計の自由度が低いという問題
があった。

【００１３】本発明の目的が、上述した従来技術の欠点
を解消し、結合度を大きくすることができ、さらに結合
度の調整が容易であり、さまざまな特性を容易に実現す
ることができるバンドパスフィルタの特性調整方法を提
供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係るバンドパス
フィルタの特性調整方法は、第１，第２の主面を有する
誘電体基板と、前記誘電体基板のある高さ位置において
部分的に形成された複数の共振器と、前記共振器を結合
するための結合回路と、前記共振器に結合された入出力
回路部と、前記共振器と誘電体基板層と介して対向する
ように、誘電体基板の第１，第２の主面または誘電体基
板内部に形成されたグラウンド電極とを備えるバンドパ
スフィルタの特性調整方法であって、前記共振器と前記
グラウンド電極との間の距離を変化させることにより、
特性を調整することを特徴とする、バンドパスフィルタ
の特性調整方法。

【００１５】本発明の特定の局面では、上記複数波の共
振器が、２つの共振モードを発生させる１枚の金属膜に
より構成されており、かつ２つの共振モードを結合させ
るための結合回路が、上記金属膜に設けられる貫通孔に
より構成されており、それによってデュアルモード・バ
ンドパスフィルタが構成されている。

【００１６】本発明の他の特定の局面では、前記複数の
共振器の高さ方向両側において、誘電体基板層を介して
それぞれグラウンド電極が形成されており、一方のグラ
ウンド電極と共振器との間の距離が、他方のグラウンド
電極と共振器との間の距離と異ならされている。

【００１７】また、本発明の別の特定の局面では、共振
器とグラウンド電極との間の距離が部分的に異ならされ
ており、それによって異ならせ方を工夫することによ
り、バンドパスフィルタの特性をより広い範囲に渡り調
整することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
バンドパスフィルタの特性調整方法の具体的な実施形態
を説明することにより、本発明を明らかにする。

【００１９】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実
施形態において特性が調整されるバンドパスフィルタを
示す模式的平面断面図及び正面断面図である。本発明で
用いられるデュアルモード・バンドパスフィルタ１は、
トリプレート構造を有する。すなわち、デュアルモード
・バンドパスフィルタ１は、２．５ｍｍ×１．６ｍｍ×
厚み０．６ｍｍの矩形板状の誘電体基板２を有する。本
実施形態では、誘電体基板２は、比誘電率＝７、及びｔ
ａｎδ＝０．００１（３０ＧＨｚにおける値）のＭｇ−
Ｓｉ−Ｂ−Ｏ系ガラスセラミックスにより構成されてい
る。もっとも、誘電体基板２は、他のセラミック材料
や、合成樹脂などにより構成されていてもよい。

【００２０】上記誘電体基板２の上面２ａ及び下面２ｂ
には、それそれ、全面にグラウンド電極３，４が形成さ
れている。他方、誘電体基板２の中間高さ位置には、金
属膜５が形成されている。バンドパスフィルタの中心周
波数が約２２ＧＨｚとなるように、金属膜５は本実施形
態では、１．６×１．２ｍｍの寸法の長方形の形状を有
し、かつ該金属膜５の中心に１．５×０．６ｍｍの長方
形の貫通孔５ａが形成されている。この金属膜５は、２
つの共振器を構成するものであり、かつ上記貫通孔５ａ
の形成により、長方形の金属膜５の長辺方向及び短辺方
向に伝搬する２つの共振モードが結合され、デュアルモ
ード・バンドパスフィルタとしての特性が得られるよう
に構成されている。

【００２１】すなわち、上記貫通孔５ａは、本発明にお
ける結合回路を構成するために設けられている。誘電体
基板２内においては、金属膜５が形成されている高さ位
置において、金属膜５の短辺側の端縁５ｂ，５ｃと所定
距離を隔てて、入出力電極６，７が形成されている。入
出力電極６，７は、金属膜５に容量結合されている。す
なわち、入出力電極６，７の金属膜５の短辺側の端縁５
ｂ，５ｃに対向している端縁６ａ，７ａと、該端縁５
ｂ，５ｃとの対向距離を調整することにより、入出力電
極６，７が、金属膜５に容量結合されている。本実施形
態では、入出力電極６，７の端縁６ａ，７ａ金属膜５の
端縁５ｂ，５ｃの端縁との対向距離は４０μｍとされて
いる。

【００２２】入出力電極６，７は、誘電体基板２の一対
の短辺側の側面２ｃ，２ｄに引き出されており、かつ側
面２ｃ，２ｄにおいて下方に延ばされている。もっと
も、入出力電極６，７は、グラウンド電極４と電気的に
分離されている必要がある。従って、入出力電極６，７
の側面２ｃ，２ｄに至っている部分は、誘電体基板２の
下面２ｂには至らない長さとされている。

【００２３】また、上記入出力電極６，７の金属膜５と
同じ高さ位置にある電極部分は、０．４×０．３ｍｍの
長方形の形状とされている。上記入出力電極６，７のう
ち誘電体基板２の側面２ｃ，２ｄに至っている部分は、
幅３００μｍ、高さ方向寸法０．２ｍｍとされている。

【００２４】上記入出力電極６，７は、外部に電気的に
接続され、入出力電極６から入力信号が加えられ、入出
力電極７から出力が取り出されるように構成されてい
る。上記誘電体基板２内には、入出力電極６，７が設け
られている部分の両側に、ビアホール電極８，９が形成
されている。ビアホール電極８，９は、誘電体基板２の
上面２ａから下面２ｂに至るように形成されており、グ
ラウンド電極３とグラウンド電極４とを電気的に接続し
ている。

【００２５】本実施形態のデュアルモード・バンドパス
フィルタ１では、入出力電極６，７のうち、一方の入出
力電極６から入力信号が引加されると、金属膜５が共振
する。この場合、入出力電極６，７を結ぶ方向、すなわ
ち金属膜５の長辺方向に伝般する共振と、短辺方向に伝
般する共振とが生じる。そして、上記金属膜５ａが形成
されているため、この２つの共振モードが結合され、デ
ュアルモード・バンドパスフィルタとしての特性を得る
ことができる。

【００２６】図２は、デュアルモード・バンドパスフィ
ルタの周波数特性を示す図であり、図２において、実線
は反射特性を、波線は通過特性を示す。図２から明らか
なように、上記デュアルモード・バンドパスフィルタで
は、金属膜５において生じた２つの共振モードが貫通孔
５ａにより結合され、バンドパスフィルタとしての通過
帯域を得ることができることがわかる。

【００２７】なお、図３は、上記貫通孔５ａを設けず
に、金属膜５において、長辺方向に伝般する共振モード
と短辺方向に伝般する共振とを分離した場合の金属膜５
の反射特性を示す。図３から明らかなように、矢印Ａで
示す共振モードと、矢印Ｂで示す共振モードとが現れて
いる。矢印Ａで示す低周波数側の共振モードが、金属膜
５の長辺方向に伝般する共振であり、矢印Ｂで示す共振
が、短辺方向に伝般する共振である。

【００２８】本願発明者は、図３に示す共振特性が得ら
れた構造、すなわち貫通孔５ａが設けられていないこと
を除いては、図１に示したデュアルモード・バンドパス
フィルタ１と同様に構成された構造において、金属膜５
とグラウンド電極３，４との間の距離を変化させ、それ
によって共振器としての金属膜５の外部Ｑ値、すなわち
外部線路との結合の程度と、無負荷Ｑ値とがどのように
変化するかを調べた。

【００２９】まず、金属膜５の位置を変化させず、誘電
体基板２の厚みのみを変化させた。すなわち、グラウン
ド電極３と金属膜５との間の距離及びグラウンド電極４
と金属膜５との間の距離が同じように変化する場合の共
振器の外部Ｑ値を及び無負荷Ｑ値の変化を調べた。この
ようにして、誘電体基板２の厚みを変化させた場合の無
負荷Ｑ値の変化を図４に示す。なお、図４においては、
図３に示した２つの共振のうち、矢印Ａで示す共振モー
ドについての結果のみが示されている。矢印Ｂに示され
ていた短辺方向に伝般する共振モードについての結果は
示さないが、矢印Ａで示す共振モードと同様に変化する
傾向があることが確かめられている。

【００３０】図４から明らかなように、誘電体基板２の
厚みが増加するにつれて、すなわち金属膜５とグラウン
ド電極３，４との間の距離が広がるにつれて、無負荷Ｑ
値が大きくなることがわかる。

【００３１】他方、外部Ｑ値の直接的な評価は困難であ
るため、代わりに、外部線路と共振器５との結合の強弱
を以下の方法で評価した。すなわち、誘電体基板２の厚
みが増減したとしても、共振器の反射損失のピーク値が
一定となるように、すなわち外部線路との整合状態が一
定となるように調節して、外部線路と共振器との結合の
程度を評価した。なお、整合状態を一定とするための調
節は、入出力電極６，７と共振器を構成する金属膜５と
の間の対向距離を変化させることにより行った。このよ
うにして、誘電体基板２の厚みを増減させた時の入出力
電極６，７と金属膜５との間の対向距離の変化を図５に
示す。

【００３２】図５から明らかなように、誘電体基板２の
厚みが小さくなり、金属膜５とグラウンド電極３，４と
の間の距離が小さくなる程、入出力電極６，７と金属膜
５との間の対向距離を小さくする必要のあることがわか
る。すなわち、金属膜５とグラウンド電極３，４との距
離が小さくなる程、外部線路と共振器との結合が弱くな
るため、一定の結合量を得るには、上記入出力電極６，
７と金属膜５との対向距離を小さくする必要のあること
がわかる。従って、金属膜５とグラウンド電極３，４と
の間の距離を小さくすることにより、外部Ｑ値が大きく
なり、結果として負荷Ｑが大きくなることがわかる。

【００３３】図４及び図５の結果から、誘電体基板２厚
みを大きくし、金属膜５とグラウンド電極３，４との間
の距離を大きくすることにより、共振器の無負荷Ｑ値が
大きく、負荷Ｑ値が小さくなること、並びに金属膜５と
グラウンド電極３，４との間の距離を小さくすることに
より、無負荷Ｑ値が小さくなり、負荷Ｑ値が大きくなる
ことが確かめられた。

【００３４】上記のように、金属膜５とグラウンド電極
３，４との間の距離を変化させた場合のデュアルモード
・バンドパスフィルタ１の特性を確認した。前述したよ
うに、誘電体基板２の厚みが０．６ｍｍである図１に示
したデュアルモード・バンドパスフィルタ１では、図２
に示すフィルタ特性が得られていた。そこで、誘電体基
板２の厚みを０．６ｍｍから０．８ｍｍに大きくしたこ
とを除いては、図１に示したデュアルモード・バンドパ
スフィルタ１と同様にして構成されたデュアルモード・
バンドパスフィルタを作製し、そのフィルタ特性を測定
した。結果を図６に示す。

【００３５】図２と図６とを比較すれば明らかなよう
に、誘電体基板２の厚みが０．６ｍｍである場合の特性
（図２に示した特性）では挿入損失が大きく、狭帯域で
あるのに対し、誘電体基板２の厚みを０．８ｍｍにした
場合には図７に示されているように、挿入損失が小さ
く、かつ広帯域になっていることがわかる。

【００３６】図２及び図６の結果は、前述した共振器に
おける無負荷Ｑ値及び負荷Ｑ値の場合の誘電体基板２の
厚みの変化による結果と一致している。すなわち、金属
膜５とグラウンド電極３，４との間の距離を変化させる
ことにより、共振器の無負荷Ｑ値及び負荷Ｑ値を変化さ
せ、バンドパスフィルタの特性を調整し得ることがわか
る。

【００３７】次に、上記金属膜５の高さ方向位置を変化
させた実施形態を説明する。ここでは、グラウンド電極
３と金属膜５との間の距離と、グラウンド電極４と金属
膜５との間の距離を異ならせた。

【００３８】すなわち、図１に示したバンドパスフィル
タ１おいて、金属膜５の高さ方向位置を、中心から±１
００μｍの範囲で変化させた。この場合の無負荷Ｑ値の
変動及び外部線路との整合状態を一定とした場合の入出
力電極６，７と金属膜５の間の対向距離の変化を図７及
び図８に示す。なお、図７，図８の横軸は、誘電体基板
内の金属膜の高さ位置を示す。

【００３９】図７から明らかなように、金属膜５の位置
が誘電体基板２の中心位置からずれた場合、無負荷Ｑ値
が小さくなり、かつ同じ結合量を得ようとした場合に
は、入出力電極６，７と金属膜５との間の対向距離が小
さくなることがわかる。従って、金属膜５の位置を変え
ることによっても、金属膜５とグラウンド電極３，４と
の間の距離を調整することにより、共振器の無負荷Ｑ値
及び負荷Ｑ値を調節でき、それによって、バンドパスフ
ィルタの特性を調整し得ることがわかる。

【００４０】なお、本発明においては、バンドパスフィ
ルタを構成するための前述した２つの共振モードの無負
荷Ｑ値と負荷Ｑ値とを独立に調整することもできる。こ
のような変形例を、図９及び図１０を参照して説明す
る。

【００４１】図９（ａ），（ｂ）は、金属膜５において
長辺方向に伝般する共振モードを及び短辺方向に伝般す
る共振モードが生じる場合の共振電界分布を示す図であ
る。図９（ａ），（ｂ）において、斜線のハッチングを
付して示す部分が共振電界の強い部分である。

【００４２】図９（ａ），（ｂ）の共振電界の分布を考
慮すれば、図１０（ａ），（ｂ）に略図的に示すよう
に、グラウンド電極３とビアホール電極１１，１２によ
り接続される内部電極１３，１４を上記共振電界の強い
部分に対向するように形成すれば、図９（ａ）に示す共
振電界の分布を変動させることができる。すなわち、上
記内部電極１３，１４の形成により、図９（ａ）に示す
共振電界の分布が影響を受け、長辺方向に伝般する共振
モードについての無負荷Ｑ値及び負荷Ｑ値を調節し得る
ことがわかる。なお、図１０（ａ）では、金属膜５の形
成されている高さ位置の平面が示されているが、より上
方に位置される内部電極１３，１４の形成される位置及
び形状を破線で模式的に示す。

【００４３】すなわち、グラウンド電極３と金属膜５と
の間の距離を部分的に異ならせることにより、１つの共
振モードについてのみ無負荷Ｑ値及び負荷Ｑ値を調節し
得ることがわかる。

【００４４】なお、上記内部電極１３，１４は長方形の
形状とされているが、上記共振電界の強い部分に対向さ
れる限り、他の形状でもよい。前述した実施形態では、
トリプレート構造のデュアルモード・バンドパスフィル
タにつき説明したが、本発明は、トリプレート構造を有
するものに限らず、共振器と誘電体基板層を介して対向
するようにグラウンド電極が形成された適宜の誘電体共
振器構造を有するバンドパスフィルタの特性調整に広く
適用することができる。

【００４５】

【発明の効果】本発明に係る特性調整方法では、共振器
とグラウンド電極との間の距離を変化させることによ
り、フィルタ特性が調整される。従って、バンドパスフ
ィルタの挿入損失や帯域幅特性の自由度を高めることが
でき、従来得ることができなかったフィルタ特性を実現
することができる。

【００４６】複数の共振器が、２つの共振モードを発生
させる１枚の金属膜により構成されており、２つの共振
モードを結合させるための結合回路が金属膜に設けられ
た貫通孔により構成されている場合には、該貫通孔が設
けられた金属膜の位置や、金属膜の高さ位置などを調整
することにより、より一層広い範囲に渡りフィルタ特性
を調整することができ、かつバンドパスフィルタの設計
の自由度をより一層高めることができる。

【００４７】共振器とグラウンド電極との間の距離を部
分的に異ならせた場合には、特性の調整対称である共振
モードの際に発生する共振電界を上記共振器とグラウン
ド電極との間の距離を調節することにより変化させるこ
とができるので、調整しようとする共振モードについて
無負荷Ｑ値及び負荷Ｑ値を調節でき、例えば２つの共振
モードの一方の共振モードの無負荷Ｑ値及び負荷Ｑ値の
みを独立に調整することができる。従って、より一層さ
まざまなフィルタ特性のバンドパスフィルタを容易に提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の１実施形態におい
て特性が調整されるバンドパスフィルタを説明するため
の平面断面図及び正面断面図。

【図２】図１に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタの周波数特性を示す図。

【図３】図１に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタの共振器において生じる２つの共振モードを説明す
るための図。

【図４】誘電体基板の厚みを変化させた場合の無負荷Ｑ
値の変化を示す図。

【図５】誘電体基板の厚みを変化させた場合の外部Ｑ値
の変化を説明するための図。

【図６】図１に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタにおいて誘電体基板の厚みを０．８ｍｍと増加させ
た場合のフィルタ特性を示す図。

【図７】誘電体基板の厚みを０．６ｍｍとし、金属膜の
高さ方向位置を変化させた場合の無負荷Ｑ値の変化を示
す図。

【図８】誘電体基板の厚みを０．６ｍｍとし、金属膜の
高さ方向位置を変化させ、外部回路と共振器との結合量
を一定とした場合の入出力電極と金属膜との間の対向距
離の変化を示す図。

【図９】（ａ），（ｂ）は、金属膜の長辺方向及び短辺
方向に伝般する共振モードが生じる場合の共振電界分布
を説明するための図。

【図１０】（ａ），（ｂ）は、長辺方向に伝般する共振
モードの特性を調整するためにグラウンド電極と金属膜
との距離が部分的に異ならされたデュアルモード・バン
ドパスフィルタを説明するための略図的平面断面図及び
正面断面図。

【図１１】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
の一例を示す模式的平面図。

【図１２】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
の他の例を示す模式的平面図。

【図１３】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
のさらに他の例を示す模式的平面図。

【符号の説明】

１…デュアルモード・バンドパスフィルタ２…誘電体基板２ａ…上面（第１の主面）２ｂ…下面（第２の主面）２ｃ，２ｄ…側面３，４…グラウンド電極５…金属膜（共振器）５ａ…貫通孔６，７…入出力電極１１，１２…ビアホール電極１３，１４…内部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡村尚武京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 5J006 HB04 JA01 JA14 LA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１，第２の主面を有する誘電体基板
と、前記誘電体基板のある高さ位置において部分的に形成さ
れた複数の共振器と、前記複数の共振器により生じる複数の共振モードを結合
するための結合回路と、前記共振器に結合された入出力回路部と、前記共振器と誘電体基板層を介して対向するように、誘
電体基板の第１，第２の主面または誘電体基板内部に形
成されたグラウンド電極とを備えるバンドパスフィルタ
の特性調整方法であって、前記共振器と前記グラウンド電極との間の距離を変化さ
せることにより、特性を調整することを特徴とする、バ
ンドパスフィルタの特性調整方法。
【請求項２】前記複数の共振器が、２つの共振モード
を発生させる１枚の金属膜により構成されており、かつ
２つの共振モードを結合させるための結合回路が、前記
金属膜に設けられた貫通孔である、請求項１に記載のバ
ンドパスフィルタの特性調整方法。
【請求項３】前記複数の共振器の高さ方向両側におい
て、誘電体基板層を介してそれぞれグラウンド電極が形
成されており、一方のグラウンド電極と共振器との間の
距離を、他方のグラウンド電極と共振器との間の距離と
異ならせることを特徴とする、請求項１または２に記載
のバンドパスフィルタの特性調整方法。
【請求項４】前記共振器とグラウンド電極との間の距
離を部分的に異ならせることを特徴とする、請求項１〜
３のいずれかに記載のバンドパスフィルタの特性調整方
法。