JP2002367962A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた一方の電極に高周波電力を供給して、前記一方の電極とこれに相対向した他方の電極との間に発生したプラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
   前記被処理基板の処理が終了したのちに、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記高周波電力を前記一方の電極に供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、
   前記第２の工程が終了したのちに、前記一方の電極に直流電圧を印加しながら前記被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
   を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 第１の工程および第２の工程の少なくとも一方の工程において、高周波電力に直流電圧を重畳して一方の電極に供給するようにした請求項１に記載のプラズマ処理方法。
3. 第２の工程において、直流電圧を重畳した高周波電力を一方の電極に供給しながら被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出し、
   第３の工程を削減した請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
4. 真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた一方の電極に、高周波電力を所定周期のパルス信号に同期してパルス化した高周波パルスを供給して、前記一方の電極とこれに相対向した他方の電極との間に発生したパルスプラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
   前記被処理基板の処理が終了したのちに、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記高周波パルスを前記一方の電極に供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、
   前記第２の工程が終了したのちに、前記被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
   を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
5. 数μｓ〜数ｍｓの周期でパルスを出力するパルス信号を用いて高周波パルスを生成するようにした請求項４に記載のプラズマ処理方法。
6. 第２の工程において、除電プラズマを発生させながら被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出し、
   第３の工程を削減した請求項４または５に記載のプラズマ処理方法。
7. 真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
   前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１の高周波電源から前記第１の電極への高周波電力の供給を停止し、その停止時点から所定時間の経過後に前記第２の高周波電源から前記第２の電極への高周波電力の供給を停止する第２の工程と、
   前記第２の工程が終了したのちに、前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
   を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
8. 第１の高周波電源の駆動停止時から第２の高周波電源を駆動停止させるまでの所定時間を0.1 ｓ〜５ｓの範囲内に設定した請求項７に記載のプラズマ処理方法。
9. 第２の工程において、被処理基板の処理の終了を検出した時点で第１の高周波電源から第１の電極への高周波電力の供給を停止したのちに、第２の高周波電源から第２の電極への高周波電力の供給を継続しながら被処理基板の第１の電極からの離間動作を開始して、所定時間の経過後に前記第２の高周波電源の駆動を停止し、
   第３の工程を削減した請求項７または８に記載のプラズマ処理方法。
10. 真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
    前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１および第２の両高周波電源の駆動を同時に停止したのち、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記第１および第２の両高周波電源から高周波電力を前記第１および第２の両電極にそれぞれ供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、
    前記第１の電極にのみ直流電圧を印加しながら前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
    を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
11. 第１の工程および第２の工程の少なくとも一方の工程において、第１の高周波電源の高周波電力に直流電圧を重畳して第１の電極に供給し、
    第２の工程において、真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、第１の高周波電源の高周波電力に直流電圧を重畳して前記第１の電極に供給し、且つ第２の高周波電源の高周波電力を第２の電極に供給して除電プラズマを発生させながら被処理基板を前記第１の電極から離間させる動作を開始するとともに、所定時間の経過後に前記両電極への電力供給を停止し、
    第３の工程を削減した請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
12. 真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を所定周期のパルス信号に同期してパルス化した高周波パルスを供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
    前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１および第２の両高周波電源の駆動を同時に停止したのち、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記第１の電極に高周波パルスを、且つ前記第２の電極に高周波電力をそれぞれ供給して除電プラズマを発生させる第２の工程とを備え、
    前記第２の工程と同時または前記第２の工程の終了後に、前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出すようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。
13. 排気手段によって内部が真空に排気される真空チャンバと、
    前記真空チャンバの内部に設けられて被処理基板が取り付けられる第１の電極と、
    前記第１の電極に相対向する配置で前記真空チャンバの内部に設けられ、ガスをガス吹出孔から前記真空チャンバの内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極と、
    前記第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
    所定の直流電力を出力する直流電源と、
    前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す基板リフトアップユニットと、
    前記被処理基板への処理が終了したのちの除電プラズマによる除電プロセスの終了時に前記高周波電源の駆動を停止するとともに、前記被処理基板の処理の開始時または前記除電プロセスの開始時或いは前記基板リフトアップユニットによる前記被処理基板の取り出し開始時の何れかのタイミングで前記直流電源の直流電圧を前記高周波電源の高周波電力に重畳して前記第１の電極に供給、或いは前記直流電力をそのまま前記第１の電極に供給するよう制御する制御部とを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
14. 直流電源に代えて、数μｓ〜数ｍｓの周期でパルスを出力するパルス発生回路と、高周波電源の高周波電力を前記パルス発生回路の出力パルスに同期してパルス化することにより、高周波電力をパルス化した高周波パルスを生成して第１の電極に対し供給する高周波パルス生成回路とを設けたことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
15. 他方の電極に代えて、真空チャンバの内部一端部に誘電体の仕切板により形成された真空封止空間に配置されているコイル状電極部を有する第２の電極を設け、
    前記第２の電極に高周波電力を供給する第２の高周波電源と、
    被処理基板が取り付けられる第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源および前記第２の高周波電源を所定のタイミングで駆動および駆動停止させる制御部とを備えていることを特徴とする請求項１３または１４に記載のプラズマ処理装置。