JP2002366265A - Semiconductor disk drive - Google Patents
Semiconductor disk driveInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータシス
テムの外部記憶装置になる磁気ディスク装置に代えて、
データの書き込み／読み出しを可能にする半導体ディス
ク装置に係り、特に装置の停止時にもデータが欠損され
ることなく、かつ高速アクセスと信頼性を高める半導体
ディスク装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic disk device which is an external storage device of a computer system.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor disk device capable of writing / reading data, and more particularly to a semiconductor disk device capable of improving high-speed access and reliability without data loss even when the device is stopped.
【０００２】[0002]
【従来の技術】コンピュータシステムにおいて、データ
を大容量に高速に保存、アクセスする媒体として、一般
的に磁気ディスク装置が広く使用されている。しかし、
磁気ディスク装置は、データを保存するための磁性膜円
盤とデータを読み／書きするためのヘッド及びこれを制
御するための機構等のメカニカル部品にて構成されてい
る。このため、振動や衝撃に弱く、機械的な寿命も比較
的短い。また、磁気ディスク装置の場合、必要なデータ
を読み書きするのに、円盤の回転待ち時間とヘッドが適
切な位置に移動するためのシーク時間が必要であり、デ
ータアクセス時間が長くなる。2. Description of the Related Art In a computer system, a magnetic disk device is generally widely used as a medium for storing and accessing data in a large capacity at high speed. But,
The magnetic disk device is composed of a magnetic film disk for storing data, a head for reading / writing data, and mechanical parts such as a mechanism for controlling the head. Therefore, it is susceptible to vibration and impact, and its mechanical life is relatively short. In addition, in the case of a magnetic disk device, reading and writing of necessary data requires a rotation waiting time for the disk and a seek time for the head to move to an appropriate position, which increases the data access time.
【０００３】上記の磁気ディスク装置の弱点を克服する
手段として、半導体であるＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃ
ｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）を使い、磁気ディスクと同じオペ
レーションにてアクセスできるようにしたものが半導体
ディスク装置である。As a means for overcoming the above-mentioned weak points of the magnetic disk drive, a RAM (Random Acc
A semiconductor disk device that uses essMemory to access the same operation as a magnetic disk.
【０００４】近年の高集積半導体技術により、高容量の
ＲＡＭが安価に入手できるようになり、磁気ディスク装
置と同容量の半導体ディスクが比較的安価に製作できる
ようになりつつある。Recent high-integration semiconductor technology has made it possible to obtain a high-capacity RAM at a low cost, and it has become possible to manufacture a semiconductor disk having the same capacity as a magnetic disk device at a relatively low cost.
【０００５】この装置は、半導体であるＲＡＭを磁気デ
ィスクの代わりに使用しているので、振動や衝撃にも強
く、移動体や大きな地震時にも停止しないで動作しなけ
ればならない高信頼性を要求される装置にも、免震装置
等なしで適用できる。[0005] Since this device uses a semiconductor RAM instead of a magnetic disk, it is resistant to vibrations and shocks, and requires high reliability that must be operated without stopping even on a moving object or a large earthquake. It can also be applied to devices to be used without seismic isolation devices.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】半導体ディスク装置
は、前記のように優れた特長があるが、半導体であるＲ
ＡＭを使用するため、バッテリを必要とするという大き
な欠点がある。特に大容量を必要とする場合には、ＤＲ
ＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲＡＭ）を使う必要があるが、消
費電流が大きいため、長時間の間、データを保存してお
くには、容量の大きい巨大なバッテリが必要となる。一
方、ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲＡＭ）は、消費電流が少
なく、データを保存しておくのに、容量の小さなバッテ
リで済むが、ＤＲＡＭに較べると記録容量が小さい。Although the semiconductor disk device has the above-mentioned excellent features, the semiconductor disk device has
The use of AM has the major disadvantage of requiring a battery. Especially when large capacity is required, DR
It is necessary to use an AM (Dynamic RAM). However, since current consumption is large, a huge battery having a large capacity is required to store data for a long time. On the other hand, an SRAM (StaticRAM) consumes a small amount of current and requires only a small-capacity battery to store data, but has a smaller recording capacity than a DRAM.
【０００７】尚、上記のＳＲＡＭ，ＤＲＡＭのどちらの
場合でも、バッテリは必ず必要であり、長期に停止する
装置では、バッテリの充電時間が十分確保できず、デー
タを損失する可能性がある。また、バッテリ自体にも寿
命があり、長期間安定した動作が困難となる。In both cases of the above-mentioned SRAM and DRAM, a battery is always required, and in a device that is stopped for a long period of time, the charging time of the battery cannot be sufficiently secured, and data may be lost. In addition, the battery itself has a life, and stable operation for a long time becomes difficult.
【０００８】バッテリを不要とする方法としては、ＳＲ
ＡＭの代わりにＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリを使用
し、半導体ディスクを構成する方法があるが、ＥＥＰＲ
ＯＭやフラッシュメモリには、書込回数の制限があり、
何度も同じ箇所にデータの書き込みができない。このた
め、頻繁な書き込みを要求される磁気ディスクの代替え
はできない。[0008] As a method of eliminating the need for a battery, there is an SR
There is a method of configuring a semiconductor disk by using an EEPROM or a flash memory instead of the AM.
OM and flash memory have a limit on the number of writes.
Data cannot be written to the same location many times. For this reason, a magnetic disk that requires frequent writing cannot be replaced.
【０００９】本発明の目的は、長期電源遮断にもデータ
保存を可能とし、高速アクセスと信頼性を高め、さらに
バッテリ電源の小型化を図ることができる半導体ディス
ク装置を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a semiconductor disk device capable of storing data even when power is shut down for a long time, improving high-speed access and reliability, and reducing the size of a battery power supply.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ディス
ク及びフラッシュメモリを使用することで高速アクセス
と信頼性を高め、これらに半導体ディスク／フラッシュ
メモリ制御回路を連動させ、電源断時に半導体ディスク
からフラッシュメモリに、電源投入時にフラッシュメモ
リから半導体ディスクへデータ転送を行うことで長期電
源遮断時にも確実なデータ保存を可能にし、さらに半導
体ディスクからフラッシュメモリへ或いはフラッシュメ
モリから半導体ディスクへの転送が完了するとバッテリ
電源からの供給を遮断することでバッテリの無駄な消費
を防止するもので、以下の構成を特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention uses a semiconductor disk and a flash memory to improve high-speed access and reliability, and to link a semiconductor disk / flash memory control circuit to the semiconductor disk and flash memory when power is cut off. Transfers data from the flash memory to the semiconductor disk when power is turned on in the flash memory, enabling reliable data storage even when power is shut down for a long time, and completes the transfer from the semiconductor disk to the flash memory or from the flash memory to the semiconductor disk Then, the supply from the battery power supply is cut off to prevent wasteful consumption of the battery, and is characterized by the following configuration.
【００１１】コンピュータシステムの外部記憶装置とし
てデータの書き込みと読み出しを可能にする半導体ディ
スク装置であって、コンピュータシステムとの間でデー
タ転送できる半導体ディスクと、前記半導体ディスクと
の間でデータを転送できるフラッシュメモリと、コンピ
ュータの電源断時に前記半導体ディスクから前記フラッ
シュメモリにデータ転送制御を行い、電源投入時に前記
フラッシュメモリから前記半導体ディスクへデータ転送
を行う半導体ディスク／フラッシュメモリ制御回路と、
前記データ転送が完了したときにバッテリ電源からの電
源供給を遮断するバッテリ供給制御回路とを備えたこと
を特徴とする。A semiconductor disk device capable of writing and reading data as an external storage device of a computer system, wherein a semiconductor disk capable of transferring data to and from a computer system and a semiconductor disk device capable of transferring data to and from the semiconductor disk. A flash memory, and a semiconductor disk / flash memory control circuit that controls data transfer from the semiconductor disk to the flash memory when the power of the computer is turned off, and transfers data from the flash memory to the semiconductor disk when the power is turned on;
A battery supply control circuit for interrupting power supply from a battery power supply when the data transfer is completed.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態を示す
半導体ディスク装置のブロック構成図である。従来の半
導体ディスクを記憶装置とするコンピュータは、ＣＰＵ
１、主メモリ２、半導体ディスク１／Ｆ３、半導体ディ
スク４で構成される。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor disk device according to an embodiment of the present invention. A computer using a conventional semiconductor disk as a storage device has a CPU
1, a main memory 2, a semiconductor disk 1 / F3, and a semiconductor disk 4.
【００１３】これに加えて、本実施形態では、フラッシ
ュメモリ５と半導体ディスク／フラッシュメモリ制御回
路６を別途設け、通常の稼働時には、従来の一般的な機
構と同様、主メモリ２側からのデータを半導体ディスク
３に書き込む、或いは半導体ディスク３から主メモリ２
に読み込む。In addition to this, in this embodiment, a flash memory 5 and a semiconductor disk / flash memory control circuit 6 are separately provided, and during normal operation, data from the main memory 2 is provided in the same manner as in a conventional general mechanism. Is written to the semiconductor disk 3 or the main memory 2
Read in.
【００１４】但し、電源が喪失された時には、半導体デ
ィスク４の内容が消失してしまうため、電源入力検出回
路７とバッテリ供給制御回路８、バッテリ９を設け、半
導体ディスク４及びフラッシュメモリ５へバッテリ電源
を供給し、半導体ディスク４のデータを保持させる。However, when the power is lost, the contents of the semiconductor disk 4 are lost. Therefore, a power input detection circuit 7, a battery supply control circuit 8, and a battery 9 are provided. Power is supplied to hold the data on the semiconductor disk 4.
【００１５】一方、電源入力検出回路７は、電源が遮断
されたことを検出すると、電源遮断信号（ＡＣ ＬＯ
Ｗ）を半導体ディスク／フラッシュメモリ制御回路６に
送出する。これにより、半導体ディスク／フラッシュメ
モリ制御回路６は、半導体ディスク４とフラッシュメモ
リ５に対して、半導体ディスク４からフラッシュメモリ
５への書き込みを指示する。このときのデータの転送に
対しては、半導体ディスク／フラッシュメモリ制御回路
６が相互の同期をとるための信号を送出する。On the other hand, when the power supply input detection circuit 7 detects that the power supply has been cut off, the power supply cutoff signal (AC LO
W) to the semiconductor disk / flash memory control circuit 6. Thus, the semiconductor disk / flash memory control circuit 6 instructs the semiconductor disk 4 and the flash memory 5 to write data from the semiconductor disk 4 to the flash memory 5. For the data transfer at this time, the semiconductor disk / flash memory control circuit 6 sends a signal for synchronizing each other.
【００１６】逆に、電源投入時には、電源入力検出回路
７が電源入力が投入されたことを検出すると、電源遮断
信号（ＡＣ ＬＯＷ）を正常に復帰させ、半導体ディス
ク／フラッシュメモリ制御回路６に電源が投入されたこ
とを通知する。この通知により、半導体ディスク／フラ
ッシュメモリ制御回路６は、半導体ディスク４とフラッ
シュメモリ５に対して、フラッシュメモリ５から半導体
ディスク４へ読み込みの指示を行う。このときのデータ
転送に対しては、半導体ディスク／フラッシュメモリ制
御回路６が相互の同期をとるための信号を送出する。Conversely, when the power is turned on, when the power input detection circuit 7 detects that the power input has been turned on, the power cutoff signal (AC LOW) is restored to normal, and the power is supplied to the semiconductor disk / flash memory control circuit 6. Is notified. In response to this notification, the semiconductor disk / flash memory control circuit 6 instructs the semiconductor disk 4 and the flash memory 5 to read from the flash memory 5 to the semiconductor disk 4. For the data transfer at this time, the semiconductor disk / flash memory control circuit 6 sends a signal for synchronizing each other.
【００１７】また、バッテリ供給制御回路８は、半導体
メモリ／フラッシュメモリ制御回路６から、転送完了信
号を受信すると、半導体ディスク４及びフラッシュメモ
リ５へのバッテリ電源の供給を停止し、バッテリ９の消
費を最小限に抑える。When receiving the transfer completion signal from the semiconductor memory / flash memory control circuit 6, the battery supply control circuit 8 stops supplying battery power to the semiconductor disk 4 and the flash memory 5 and consumes the battery 9. Minimize.
【００１８】したがって、本実施形態によれば、入力電
源断時の半導体ディスクのデータのバックアップとして
フラッシュメモリを採用しているので、長期電源供給が
なくても、データが損失されることがない。Therefore, according to the present embodiment, since the flash memory is used as a backup of the data of the semiconductor disk when the input power is turned off, no data is lost even without long-term power supply.
【００１９】また、電源断検出回路により、電源断時の
み、フラッシュメモリへの書き込みを行う方式としてい
るので、書き込み制限があるフラッシュベの書き込み回
数を最低限にできる。また、電源入力検出回路７にカウ
ンタ回路を付加すれば、フラッシュメモリへの書き込み
回数もチェックできる。Further, since the writing to the flash memory is performed only when the power is turned off by the power-off detecting circuit, the number of times of writing to the flash memory having the writing limit can be minimized. If a counter circuit is added to the power input detection circuit 7, the number of times of writing to the flash memory can be checked.
【００２０】また、半導体ディスク４とフラッシュメモ
リ５間の転送の同期に半導体ディスク／フラッシュ制御
回路６を置いて、両者の同期を行うため、高速転送が可
能である。特に、半導体ディスク４、フラッシュメモリ
５とも半導体であるため、高速の転送が可能である。例
えば、半導体ディスク／フラッシュメモリ制御回路６か
ら半導体ディスク４、フラッシュメモリ５に対して同一
アドレスを送出するアドレスによる同期方式をとれば、
容易に高速転送が実現できる。Further, since the semiconductor disk / flash control circuit 6 is placed in synchronization with the transfer between the semiconductor disk 4 and the flash memory 5, and the two are synchronized, high-speed transfer is possible. In particular, since both the semiconductor disk 4 and the flash memory 5 are semiconductors, high-speed transfer is possible. For example, if a synchronization method based on an address for sending the same address from the semiconductor disk / flash memory control circuit 6 to the semiconductor disk 4 and the flash memory 5 is adopted,
High-speed transfer can be easily realized.
【００２１】また、半導体ディスク４、フラッシュメモ
リ５間の高速転送により、電源断時のバッテリによる供
給時間を短縮でき、同一容量のバッテリでもその寿命を
延ばすことができる。また、半導体ディスク／フラッシ
ュメモリ制御回路６からバッテリ供給制御回路８へ転送
完了を通知すれば、不要なバッテリ供給も行わずに、バ
ッテリの延命がはかれる。Further, the high-speed transfer between the semiconductor disk 4 and the flash memory 5 can shorten the supply time of the battery when the power is turned off, and can extend the life of a battery having the same capacity. Further, if the transfer completion is notified from the semiconductor disk / flash memory control circuit 6 to the battery supply control circuit 8, the battery life can be extended without unnecessary battery supply.
【００２２】また、バックアップのフラッシュメモリ５
を含め、半導体化（磁気ディスクを使っていない）する
ため、振動、衝撃に強い機構を実現できる。The backup flash memory 5
, A mechanism that is resistant to vibration and shock can be realized.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、半導体
ディスク及びフラッシュメモリを使用することで高速ア
クセスと信頼性を高めることができる。As described above, according to the present invention, high-speed access and reliability can be improved by using a semiconductor disk and a flash memory.
【００２４】また、半導体ディスクとフラッシュメモリ
間は、電源断時に半導体ディスクからフラッシュメモリ
にデータ転送し、電源投入時にフラッシュメモリから半
導体ディスクへデータ転送を行うことで長期間のデータ
保存を可能にする。Further, between the semiconductor disk and the flash memory, data is transferred from the semiconductor disk to the flash memory when the power is turned off, and data is transferred from the flash memory to the semiconductor disk when the power is turned on, thereby enabling long-term data storage. .
【００２５】さらに、半導体ディスクからフラッシュメ
モリへ或いはフラッシュメモリから半導体ディスクへの
転送が完了するとバッテリ電源からの供給を遮断するこ
とでバッテリの無駄な消費を防止し、その小型化を図る
ことができる。Further, when the transfer from the semiconductor disk to the flash memory or from the flash memory to the semiconductor disk is completed, the supply from the battery power supply is cut off, thereby preventing wasteful consumption of the battery and reducing its size. .
【図１】本発明の実施形態を示す半導体ディスク装置の
ブロック構成図。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor disk device according to an embodiment of the present invention.
１…ＣＰＵ ２…主メモリ ３…半導体ディスクＩ／Ｆ ４…半導体ディスク ５…フラッシュメモリ ６…半導体ディスク／フラッシュメモリ制御回路 ７…電源入力検出回路 ８…バッテリ供給制御回路 ９…バッテリ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... CPU 2 ... Main memory 3 ... Semiconductor disk I / F 4 ... Semiconductor disk 5 ... Flash memory 6 ... Semiconductor disk / flash memory control circuit 7 ... Power input detection circuit 8 ... Battery supply control circuit 9 ... Battery
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5B011 EB01 EB07 JA05 MB01 MB11 MB16 5B018 GA04 HA04 NA01 NA06 QA05 QA06 5B065 BA05 CA15 CC08 CE11 EA23 ZA14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 5B011 EB01 EB07 JA05 MB01 MB11 MB16 5B018 GA04 HA04 NA01 NA06 QA05 QA06 5B065 BA05 CA15 CC08 CE11 EA23 ZA14
Claims (1)
してデータの書き込みと読み出しを可能にする半導体デ
ィスク装置であって、 コンピュータシステムとの間でデータ転送できる半導体
ディスクと、 前記半導体ディスクとの間でデータを転送できるフラッ
シュメモリと、 コンピュータの電源断時に前記半導体ディスクから前記
フラッシュメモリにデータ転送制御を行い、電源投入時
に前記フラッシュメモリから前記半導体ディスクへデー
タ転送を行う半導体ディスク／フラッシュメモリ制御回
路と、 前記データ転送が完了したときにバッテリ電源からの電
源供給を遮断するバッテリ供給制御回路とを備えたこと
を特徴とする半導体ディスク装置。1. A semiconductor disk device capable of writing and reading data as an external storage device of a computer system, comprising: a semiconductor disk capable of transferring data to and from a computer system; A flash memory that can be transferred; a semiconductor disk / flash memory control circuit that controls data transfer from the semiconductor disk to the flash memory when the power of the computer is turned off, and transfers data from the flash memory to the semiconductor disk when the power is turned on; And a battery supply control circuit for interrupting power supply from a battery power supply when data transfer is completed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177886A JP2002366265A (en) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Semiconductor disk drive |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177886A JP2002366265A (en) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Semiconductor disk drive |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002366265A true JP2002366265A (en) | 2002-12-20 |
Family
ID=19018663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001177886A Pending JP2002366265A (en) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Semiconductor disk drive |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002366265A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005137872A (en) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Jvm Co Ltd | Tablet identification machine of tablet cassette for automatic medicine packaging device and its control method |
| JP2012063884A (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | Storage device, electronics and control method of storage device |
-
2001
- 2001-06-13 JP JP2001177886A patent/JP2002366265A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8411526B2 (en) | 2010-09-14 | 2013-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device, electronic device, and storage device control method |
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