JP2002361597A - マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、光学系、投影露光装置 - Google Patents
マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、光学系、投影露光装置Info
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- JP2002361597A JP2002361597A JP2001174957A JP2001174957A JP2002361597A JP 2002361597 A JP2002361597 A JP 2002361597A JP 2001174957 A JP2001174957 A JP 2001174957A JP 2001174957 A JP2001174957 A JP 2001174957A JP 2002361597 A JP2002361597 A JP 2002361597A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】マイクロレンズアレイの表面形状をエッチング
やモールドで形成することにより、マイクロレンズ表面
に生じる凹凸のために、表面粗さが粗くなっていること
により、回折や散乱が生じ、透過率の低下や透過光のム
ラが生じるという問題を解決し、表面精度を向上させる
ことにより、高い透過率の、透過光ムラを低減させたマ
イクロレンズアレイの製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】マイクロレンズアレイの製造方法におい
て、マイクロレンズアレイをエッチングまたはモールド
により成形した後に、研磨することにより、高い透過率
の、透過光ムラを低減させたマイクロレンズアレイの製
造方法を提供することができる。
やモールドで形成することにより、マイクロレンズ表面
に生じる凹凸のために、表面粗さが粗くなっていること
により、回折や散乱が生じ、透過率の低下や透過光のム
ラが生じるという問題を解決し、表面精度を向上させる
ことにより、高い透過率の、透過光ムラを低減させたマ
イクロレンズアレイの製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】マイクロレンズアレイの製造方法におい
て、マイクロレンズアレイをエッチングまたはモールド
により成形した後に、研磨することにより、高い透過率
の、透過光ムラを低減させたマイクロレンズアレイの製
造方法を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、マイクロレンズ
アレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、マイクロレ
ンズアレイを有する光学系、マイクロレンズアレイを有
する投影露光装置に関する物である。
アレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、マイクロレ
ンズアレイを有する光学系、マイクロレンズアレイを有
する投影露光装置に関する物である。
【０００２】
【従来の技術】図６に示すような、複数の小型レンズ
（マイクロレンズ要素と呼ぶ）の集合体であるマイクロ
レンズアレイは、一般にエッチングまたは、モールドに
より製造されている。
（マイクロレンズ要素と呼ぶ）の集合体であるマイクロ
レンズアレイは、一般にエッチングまたは、モールドに
より製造されている。
【０００３】エッチングは、通常フォトリソグラフィー
工程が用いられる。その工程を図２に沿って説明する。
まず、フォトレジストをコートした石英の基板にマスク
を介して露光する(a)。光源から発せられた光が、マス
クの光透過部を透過し、フォトレジストに照射される。
露光した部分のフォトレジストと、露光していない部分
のフォトレジストでは異なる性質となる。次に、露光し
たフォトレジストを現像する(b)。露光工程で露光した
部分は、現像液に溶けない性質になっている。そのた
め、現像工程によってマスクパターンに応じた形状にフ
ォトレジストが残留する。次に、エッチングを行う
(c)。エッチングには、化学的に基板を融解するウエッ
トエッチングやイオン照射による基板の分解除去を行う
ドライエッチング等がある。エッチングは、基板が露出
した部分に作用し、フォトレジストが基板にのっている
部分には作用しない。したがって、フォトレジストが除
去された部分のみの基板が、エッチングによって削られ
る。削られる分量は、エッチングに用いるイオン照射条
件（ドライエッチングの場合）や融解条件（ウエットエ
ッチングの場合）や時間で制御することができる。次
に、基板上のフォトレジストを除去する(d)。マスクパ
ターンに応じた形状の凹凸のある基板になる。さらに、
フォトレジストをコートし(e)、露光・現像を行い(f)、
エッチング・レジスト除去を行う(g)。これらの(e)から
(g)の工程を繰り返し行い、所望のマイクロレンズ要素
の表面形状に近づけて行く。このようにして得られたレ
ンズの形状は、図２(g)に示すように、理想とするレン
ズの形状を階段状に近似したものとなる。
工程が用いられる。その工程を図２に沿って説明する。
まず、フォトレジストをコートした石英の基板にマスク
を介して露光する(a)。光源から発せられた光が、マス
クの光透過部を透過し、フォトレジストに照射される。
露光した部分のフォトレジストと、露光していない部分
のフォトレジストでは異なる性質となる。次に、露光し
たフォトレジストを現像する(b)。露光工程で露光した
部分は、現像液に溶けない性質になっている。そのた
め、現像工程によってマスクパターンに応じた形状にフ
ォトレジストが残留する。次に、エッチングを行う
(c)。エッチングには、化学的に基板を融解するウエッ
トエッチングやイオン照射による基板の分解除去を行う
ドライエッチング等がある。エッチングは、基板が露出
した部分に作用し、フォトレジストが基板にのっている
部分には作用しない。したがって、フォトレジストが除
去された部分のみの基板が、エッチングによって削られ
る。削られる分量は、エッチングに用いるイオン照射条
件（ドライエッチングの場合）や融解条件（ウエットエ
ッチングの場合）や時間で制御することができる。次
に、基板上のフォトレジストを除去する(d)。マスクパ
ターンに応じた形状の凹凸のある基板になる。さらに、
フォトレジストをコートし(e)、露光・現像を行い(f)、
エッチング・レジスト除去を行う(g)。これらの(e)から
(g)の工程を繰り返し行い、所望のマイクロレンズ要素
の表面形状に近づけて行く。このようにして得られたレ
ンズの形状は、図２(g)に示すように、理想とするレン
ズの形状を階段状に近似したものとなる。
【０００４】以上、露光された部分が残留するフォトレ
ジスト（ネガ型）のものについて説明した。この他に、
露光されない部分が残留するフォトレジスト（ポジ型）
があるが、現像工程におけるマスクパターンに対する残
留部分のみが異なり、他の工程に関しては同様である。
ジスト（ネガ型）のものについて説明した。この他に、
露光されない部分が残留するフォトレジスト（ポジ型）
があるが、現像工程におけるマスクパターンに対する残
留部分のみが異なり、他の工程に関しては同様である。
【０００５】またモールドは、上記と同様の方法でエッ
チングにより成形されている型を用いて成形している。
つまり、型の表面は、理想とするレンズ形状を階段状に
近似した形に成形されている。その型に光学素材を押し
当てる方法や、溶融した光学素材を型に入れ冷却する方
法により成形し、レンズに加工していた。したがって、
モールドによる方法は、型の表面形状が基板に転写され
る。つまり、モールドによる方法でも、成形されるレン
ズの形状は、基板を直接エッチングする方法と同様に、
理想とするレンズ形状を階段状に近似したものになる。
チングにより成形されている型を用いて成形している。
つまり、型の表面は、理想とするレンズ形状を階段状に
近似した形に成形されている。その型に光学素材を押し
当てる方法や、溶融した光学素材を型に入れ冷却する方
法により成形し、レンズに加工していた。したがって、
モールドによる方法は、型の表面形状が基板に転写され
る。つまり、モールドによる方法でも、成形されるレン
ズの形状は、基板を直接エッチングする方法と同様に、
理想とするレンズ形状を階段状に近似したものになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようにエッチング
によりマイクロレンズアレイを成形する方法では、各マ
イクロレンズ要素の表面形状が階段状に形成されてい
る。このことは、理想のマイクロレンズ要素の表面形状
に対し、凹凸が生じているため、表面粗さが粗くなって
いた。また、エッチング処理によって、基板表面が変質
したり、微小な凹凸が生じるため、さらに表面粗さが粗
くなっていた。
によりマイクロレンズアレイを成形する方法では、各マ
イクロレンズ要素の表面形状が階段状に形成されてい
る。このことは、理想のマイクロレンズ要素の表面形状
に対し、凹凸が生じているため、表面粗さが粗くなって
いた。また、エッチング処理によって、基板表面が変質
したり、微小な凹凸が生じるため、さらに表面粗さが粗
くなっていた。
【０００７】またモールドにおいては、型をエッチング
で成形するため、基板をエッチングで成形するのと同
じ、階段状に成形することによる表面粗さがある。さら
に、型の形状と、型によって成形された光学素材の表面
形状が一致しない、という現象も生じ、表面粗さ粗かっ
た。
で成形するため、基板をエッチングで成形するのと同
じ、階段状に成形することによる表面粗さがある。さら
に、型の形状と、型によって成形された光学素材の表面
形状が一致しない、という現象も生じ、表面粗さ粗かっ
た。
【０００８】これらの表面粗さが粗くなっていることに
より、回折や散乱が生じ、透過率の低下や透過光のムラ
が生じていた。また、エッチング処理工程の回数を増加
させると、理想のレンズ形状からの誤差は低減すること
ができる。しかし、エッチング回数を著しく増加させる
必要があり、現実的ではないという問題点あった。ま
た、マスク露光の重ね合わせには誤差が伴う。したがっ
て、エッチング処理工程を増加させると、重ね合わせ誤
差のため、マスクからの転写のずれが重なり大きくな
る。このため、個々のマイクロレンズ要素の誤差が大き
くなるため、透過光のムラが増加するという問題もあっ
た。
より、回折や散乱が生じ、透過率の低下や透過光のムラ
が生じていた。また、エッチング処理工程の回数を増加
させると、理想のレンズ形状からの誤差は低減すること
ができる。しかし、エッチング回数を著しく増加させる
必要があり、現実的ではないという問題点あった。ま
た、マスク露光の重ね合わせには誤差が伴う。したがっ
て、エッチング処理工程を増加させると、重ね合わせ誤
差のため、マスクからの転写のずれが重なり大きくな
る。このため、個々のマイクロレンズ要素の誤差が大き
くなるため、透過光のムラが増加するという問題もあっ
た。
【０００９】本発明は、これらの問題を解決し、表面精
度を向上させることにより、高い透過率の、透過光ムラ
を低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供す
ることを目的とする。
度を向上させることにより、高い透過率の、透過光ムラ
を低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、マイ
クロレンズアレイの製造方法において、マイクロレンズ
アレイをエッチングまたはモールドにより成形した後
に、研磨することを特徴としている。
クロレンズアレイの製造方法において、マイクロレンズ
アレイをエッチングまたはモールドにより成形した後
に、研磨することを特徴としている。
【００１１】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供
することができる。請求項２の発明は、マイクロレンズ
アレイにおいて、前記マイクロレンズアレイは、請求項
１に記載の方法により製造されたことを特徴としてい
る。
ラを低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供
することができる。請求項２の発明は、マイクロレンズ
アレイにおいて、前記マイクロレンズアレイは、請求項
１に記載の方法により製造されたことを特徴としてい
る。
【００１２】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させたマイクロレンズアレイを提供することが
できる。請求項３の発明は、請求項２に記載のマイクロ
レンズアレイにおいて、前記マイクロレンズアレイを構
成する各マイクロレンズ要素の表面粗さは、40nm(Rmax)
以下であることを特徴としている。
ラを低減させたマイクロレンズアレイを提供することが
できる。請求項３の発明は、請求項２に記載のマイクロ
レンズアレイにおいて、前記マイクロレンズアレイを構
成する各マイクロレンズ要素の表面粗さは、40nm(Rmax)
以下であることを特徴としている。
【００１３】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させたマイクロレンズアレイを提供することが
できる。請求項４の発明は、マイクロレンズアレイを有
する光学系において、前記マイクロレンズアレイは、請
求項３に記載のマイクロレンズであることを特徴として
いる。
ラを低減させたマイクロレンズアレイを提供することが
できる。請求項４の発明は、マイクロレンズアレイを有
する光学系において、前記マイクロレンズアレイは、請
求項３に記載のマイクロレンズであることを特徴として
いる。
【００１４】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させた光学系を提供することができる。請求項
５の発明は、マイクロレンズアレイを有する投影露光装
置において、前記マイクロレンズアレイは、請求項３に
記載のマイクロレンズであることを特徴としている。
ラを低減させた光学系を提供することができる。請求項
５の発明は、マイクロレンズアレイを有する投影露光装
置において、前記マイクロレンズアレイは、請求項３に
記載のマイクロレンズであることを特徴としている。
【００１５】この構成により、高い透過率の、透過光ム
ラを低減させた投影露光装置を提供することができる。
ラを低減させた投影露光装置を提供することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明の実施の
手順を示す概念図である。第一工程では、エッチング、
またはモールドによるマイクロレンズアレイを成形する
(S01)。エッチングまたはモールドによりマイクロレン
ズアレイを成形する（第一工程は、従来の方法と同様で
ある）。
の実施の形態について説明する。図１は本発明の実施の
手順を示す概念図である。第一工程では、エッチング、
またはモールドによるマイクロレンズアレイを成形する
(S01)。エッチングまたはモールドによりマイクロレン
ズアレイを成形する（第一工程は、従来の方法と同様で
ある）。
【００１７】第二工程では、第一工程で成形したマイク
ロレンズアレイを構成するマイクロレンズ要素の表面形
状を測定する(S02)。測定する項目は、マイクロレンズ
要素の曲率半径等の表面外形形状、表面粗さ等である。
これらの値は、光学性能に影響を及ぼす値である。測定
はマイクロレンズアレイの中からランダムに選別した複
数個のマイクロレンズ要素に対して行う。その測定結果
を平均化し、測定値とする。
ロレンズアレイを構成するマイクロレンズ要素の表面形
状を測定する(S02)。測定する項目は、マイクロレンズ
要素の曲率半径等の表面外形形状、表面粗さ等である。
これらの値は、光学性能に影響を及ぼす値である。測定
はマイクロレンズアレイの中からランダムに選別した複
数個のマイクロレンズ要素に対して行う。その測定結果
を平均化し、測定値とする。
【００１８】第三工程では、マイクロレンズアレイに対
する研磨加工条件を、第二工程での測定値を基にして決
定する(S03)。ここで、研磨加工条件とは、研磨工具材
質、研磨剤種類、摩擦運動条件である。要求されるマイ
クロレンズ要素の表面外形形状、表面粗さと、第二工程
での測定値を比較し、研磨加工条件を決定する。
する研磨加工条件を、第二工程での測定値を基にして決
定する(S03)。ここで、研磨加工条件とは、研磨工具材
質、研磨剤種類、摩擦運動条件である。要求されるマイ
クロレンズ要素の表面外形形状、表面粗さと、第二工程
での測定値を比較し、研磨加工条件を決定する。
【００１９】第四工程では、マイクロレンズアレイを研
磨する (S04)。第三工程で決定した研磨工具、研磨剤、
摩擦運動条件で、マイクロレンズアレイの研磨を行う。
この後、再び第二工程の測定を行う。その測定値が、要
求精度に入っている場合には、加工完了である。
磨する (S04)。第三工程で決定した研磨工具、研磨剤、
摩擦運動条件で、マイクロレンズアレイの研磨を行う。
この後、再び第二工程の測定を行う。その測定値が、要
求精度に入っている場合には、加工完了である。
【００２０】しかし、測定値が要求精度から外れている
場合、第二工程(S02)〜第四工程(S04)を繰り返し行う。
第一工程において成形する形状は、第四工程によって磨
耗分をあらかじめ上乗せした形状にすることも可能であ
る。
場合、第二工程(S02)〜第四工程(S04)を繰り返し行う。
第一工程において成形する形状は、第四工程によって磨
耗分をあらかじめ上乗せした形状にすることも可能であ
る。
【００２１】第四工程である研磨工程を図３を用いて説
明する。図３において、軟質スポンジや発泡ポリウレタ
ンなどの弾性体からなる研磨工具２が第一の支持体３に
接着されている。第一の支持体３は自由支点をもつ揺動
軸７によって下方に押圧されている。揺動軸７は、図３
の左右前後に揺動運動を行い、それにつれて第一の支持
体３と第一の支持体３に接着されている研磨工具２も移
動する。研磨工具２の下面は、研磨剤１を介してマイク
ロレンズアレイ４に接触している。マイクロレンズアレ
イ４は、第二の支持体５に接着され保持されている。第
二の支持体５は、研磨装置６に研磨工具２の運動に対し
て動かないように固定されている。研磨剤１は水に酸化
セリウムの微粉を分散させた物であり、マイクロレンズ
アレイ４の上にノズル８から供給される。
明する。図３において、軟質スポンジや発泡ポリウレタ
ンなどの弾性体からなる研磨工具２が第一の支持体３に
接着されている。第一の支持体３は自由支点をもつ揺動
軸７によって下方に押圧されている。揺動軸７は、図３
の左右前後に揺動運動を行い、それにつれて第一の支持
体３と第一の支持体３に接着されている研磨工具２も移
動する。研磨工具２の下面は、研磨剤１を介してマイク
ロレンズアレイ４に接触している。マイクロレンズアレ
イ４は、第二の支持体５に接着され保持されている。第
二の支持体５は、研磨装置６に研磨工具２の運動に対し
て動かないように固定されている。研磨剤１は水に酸化
セリウムの微粉を分散させた物であり、マイクロレンズ
アレイ４の上にノズル８から供給される。
【００２２】（実施例）本発明のマイクロレンズアレイ
の製造方法により、表面粗さが低減された例を説明す
る。φ５０ｍｍ、厚さ3mmの石英ガラス基板にエッチン
グを用いて、縦７０個×横７０個のマイクロレンズアレ
イを成形した。個々のマイクロレンズ要素は、200μｍ
×500μｍの長方形で、曲率半径が２ｍｍの球面であ
る。このマイクロレンズアレイに要求される精度は、表
面粗さ40nm以下、マイクロレンズ要素の曲率半径2mm±
0.3mmである。
の製造方法により、表面粗さが低減された例を説明す
る。φ５０ｍｍ、厚さ3mmの石英ガラス基板にエッチン
グを用いて、縦７０個×横７０個のマイクロレンズアレ
イを成形した。個々のマイクロレンズ要素は、200μｍ
×500μｍの長方形で、曲率半径が２ｍｍの球面であ
る。このマイクロレンズアレイに要求される精度は、表
面粗さ40nm以下、マイクロレンズ要素の曲率半径2mm±
0.3mmである。
【００２３】図４（a）はマイクロレンズアレイのエッ
チングによる成形後の表面粗さを示すグラフである。表
面粗さの測定結果は、40nm〜80nm(Rmax)であった。ま
た、曲率半径は、1.9mm〜2.0mmであった。この測定結果
を基に、研磨条件を設定した。その条件は、研磨工具を
発泡ポリウレタンで厚みを3mmとし、研磨剤として酸化
セリウム微粉を純水に１０ｗｔ％分散させた物を使用
し、揺動幅を前後2mm、左右５ｍｍとした。圧接の圧力
は、１kg/cm2とした。
チングによる成形後の表面粗さを示すグラフである。表
面粗さの測定結果は、40nm〜80nm(Rmax)であった。ま
た、曲率半径は、1.9mm〜2.0mmであった。この測定結果
を基に、研磨条件を設定した。その条件は、研磨工具を
発泡ポリウレタンで厚みを3mmとし、研磨剤として酸化
セリウム微粉を純水に１０ｗｔ％分散させた物を使用
し、揺動幅を前後2mm、左右５ｍｍとした。圧接の圧力
は、１kg/cm2とした。
【００２４】図2の様にマイクロレンズアレイと研磨工
具を固定した。研磨工具の移動速度を前後動毎分２０ｍ
ｍ、左右動毎分１００ｍｍとした。以上の条件で１時間
研磨を行った。研磨終了後のマイクロレンズ要素の表面
粗さは、図４(b)に示した様になった。表面粗さは20nm
〜30nmに低減され、要求精度である40nm以下となってい
ることがわかる。また、曲率半径は2mm〜2.2mmであり、
要求精度に収まっている。
具を固定した。研磨工具の移動速度を前後動毎分２０ｍ
ｍ、左右動毎分１００ｍｍとした。以上の条件で１時間
研磨を行った。研磨終了後のマイクロレンズ要素の表面
粗さは、図４(b)に示した様になった。表面粗さは20nm
〜30nmに低減され、要求精度である40nm以下となってい
ることがわかる。また、曲率半径は2mm〜2.2mmであり、
要求精度に収まっている。
【００２５】このように、研磨により、エッチングによ
る段差等の表面粗さが原因である回折や散乱が低減され
るため、透過率が高くなり、透過光ムラが減少した。 （実施例２）図５は、本発明に係る投影露光装置を説明
する概念図である。
る段差等の表面粗さが原因である回折や散乱が低減され
るため、透過率が高くなり、透過光ムラが減少した。 （実施例２）図５は、本発明に係る投影露光装置を説明
する概念図である。
【００２６】本発明の投影露光装置は少なくとも、表面
３０１ａに置かれた感光剤を塗布した基板Ｗを置くこと
のできるウエハステージ３０１、光を供給するための光
源１００、基板Ｗ上にマスクＲのパターンのイメージを
投影するためのマスクＲが配された最初の表面Ｐ１（物
体面）と基板Ｗの表面と一致させた二番目の表面（像
面）との間に置かれた投影光学系５００、を含む。照明
光学系１０１は、マスクＲとウェハＷとの間の相対位置
を調節するための、アライメント光学系１１０も含んで
おり、マスクＲはウェハステージ３０１の表面に対して
平行に動くことのできるレチクルステージ２０１に配置
される。レチクル交換系２００は、レチクルステージ２
０１にセットされたマスクＲを交換し運搬する。レチク
ル交換系２００はウェハーステージ３０１の表面３０１
ａに対してレチクルステージ２０１を平行に動かすため
のステージドライバーを含んでいる。投影光学系５００
は、スキャンタイプの投影露光装置に応用されるアライ
メント光学系を持っている。
３０１ａに置かれた感光剤を塗布した基板Ｗを置くこと
のできるウエハステージ３０１、光を供給するための光
源１００、基板Ｗ上にマスクＲのパターンのイメージを
投影するためのマスクＲが配された最初の表面Ｐ１（物
体面）と基板Ｗの表面と一致させた二番目の表面（像
面）との間に置かれた投影光学系５００、を含む。照明
光学系１０１は、マスクＲとウェハＷとの間の相対位置
を調節するための、アライメント光学系１１０も含んで
おり、マスクＲはウェハステージ３０１の表面に対して
平行に動くことのできるレチクルステージ２０１に配置
される。レチクル交換系２００は、レチクルステージ２
０１にセットされたマスクＲを交換し運搬する。レチク
ル交換系２００はウェハーステージ３０１の表面３０１
ａに対してレチクルステージ２０１を平行に動かすため
のステージドライバーを含んでいる。投影光学系５００
は、スキャンタイプの投影露光装置に応用されるアライ
メント光学系を持っている。
【００２７】照明光学系１０１の中には、光源から出射
した光を受けて所望の大きさに成形する成形光学系、そ
の光を均一な強度にするフライアイレンズが含まれてい
る。前記フライアイレンズとレチクルとの間にマイクロ
レンズアレイを設ける。光源を出射し、成形光学系を通
り、フライアイレンズを通過した光は、個々のフライア
イレンズの焦点を通過して拡散する。拡散した光は、マ
イクロレンズアレイに照射される。マイクロレンズアレ
イは、照射された光を通過させ、個々のマイクロレンジ
要素の焦点を通過して拡散する。個々のマイクロレンズ
要素の焦点は、いわば点光源となり、点光源の集合体か
らの照射光となるので、照射光の均一性がより高くな
る。
した光を受けて所望の大きさに成形する成形光学系、そ
の光を均一な強度にするフライアイレンズが含まれてい
る。前記フライアイレンズとレチクルとの間にマイクロ
レンズアレイを設ける。光源を出射し、成形光学系を通
り、フライアイレンズを通過した光は、個々のフライア
イレンズの焦点を通過して拡散する。拡散した光は、マ
イクロレンズアレイに照射される。マイクロレンズアレ
イは、照射された光を通過させ、個々のマイクロレンジ
要素の焦点を通過して拡散する。個々のマイクロレンズ
要素の焦点は、いわば点光源となり、点光源の集合体か
らの照射光となるので、照射光の均一性がより高くな
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
エッチングやモールドによる成形のために生じる表面粗
さを低減し、表面精度を向上させることにより、透過率
の高い、透過光ムラの少ないマイクロレンズアレイの製
造方法を提供することができる。
エッチングやモールドによる成形のために生じる表面粗
さを低減し、表面精度を向上させることにより、透過率
の高い、透過光ムラの少ないマイクロレンズアレイの製
造方法を提供することができる。
【００２９】また、投影露光装置の照射光の均一性が高
くなることにより、スループットの向上した投影露光装
置を提供することができる。
くなることにより、スループットの向上した投影露光装
置を提供することができる。
【図１】本発明における、マイクロレンズアレイの製造
工程を説明する概念図である。
工程を説明する概念図である。
【図２】従来のマイクロレンズアレイの製造方法を説明
する概念図である。
する概念図である。
【図３】マイクロレンズアレイの研磨方法を説明する概
念図である。
念図である。
【図４】従来の製造方法と本発明による方法の表面精度
を比較する図である。
を比較する図である。
【図５】本発明による、投影露光装置の実施の形態を示
す概念図である。
す概念図である。
【図６】マイクロレンズアレイを説明する図である。
１ 研磨剤 ２ 研磨工具 ３ 第一の支持体 ４ マイクロレンズアレイ ５ 第二の支持体 ６ 研磨機 ７ 揺動軸 ８ ノズル １０１ 照明光学系 ５００ 投影光学系 R レチクル W ウエハ
Claims (5)
- 【請求項１】マイクロレンズアレイの製造方法におい
て、 前記マイクロレンズアレイをエッチングまたはモールド
により成形した後に、研磨することを特徴とするマイク
ロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項２】マイクロレンズアレイにおいて、 前記マイクロレンズアレイは、請求項１に記載の方法に
より製造されたことを特徴とするマイクロレンズアレ
イ。 - 【請求項３】請求項２に記載のマイクロレンズアレイに
おいて、 前記マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズ
要素の表面粗さは、40nm（Rmax）以下であることを特徴
とするマイクロレンズアレイ。 - 【請求項４】マイクロレンズアレイを有する光学系にお
いて、 前記マイクロレンズアレイは、請求項３に記載のマイク
ロレンズであることを特徴とする光学系。 - 【請求項５】マイクロレンズアレイを有する投影露光装
置において、 前記マイクロレンズアレイは、請求項３に記載のマイク
ロレンズであることを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001174957A JP2002361597A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、光学系、投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001174957A JP2002361597A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、光学系、投影露光装置 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2002361597A true JP2002361597A (ja) | 2002-12-18 |
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ID=19016169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001174957A Pending JP2002361597A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、光学系、投影露光装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2002361597A (ja) |
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