JP2002359220A - Treatment apparatus for substrate - Google Patents
Treatment apparatus for substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の処理装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，基板である例え
ば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）上にレジスト
膜を形成するレジスト塗布処理が行われる。2. Description of the Related Art For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for forming a resist film on a substrate, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") is performed.
【０００３】レジスト塗布処理では，通常，回転された
ウェハの中心にレジスト液が供給され，遠心力によって
ウェハ表面に当該レジスト液が拡散される。これによ
り，ウェハの表面全面にレジスト液が塗布される。そし
て，ウェハ上にレジスト液が塗布されると，ウェハを回
転させてウェハの裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄が行
われる。これにより，ウェハの裏面に付着したレジスト
液等が洗い落とされる。In the resist coating process, a resist solution is usually supplied to the center of a rotated wafer, and the resist solution is diffused on the wafer surface by centrifugal force. Thus, the resist liquid is applied to the entire surface of the wafer. Then, when the resist liquid is applied on the wafer, backside cleaning is performed in which the wafer is rotated to supply a cleaning liquid to the backside of the wafer. As a result, the resist solution and the like adhering to the back surface of the wafer are washed away.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，かかる
ウェハの回転を伴う塗布方法では，ウェハ上にレジスト
液が塗布された際に，遠心力や表面張力の作用によって
ウェハ外縁部のレジスト液が盛り上がり，ウェハ外縁部
の膜厚が厚くなる現象が起きる。かかるレジスト液の盛
り上がりを解消するために，例えば塗布直後のウェハを
高速回転させて，盛り上がった部分を飛散させることが
提案される。しかし，この高速回転によって，ウェハ外
縁部の盛り上がりが解消されても，その後の裏面洗浄の
際に，さらにウェハを高速回転させては，遠心力によっ
て再びウェハの外縁部に盛り上がりが生じる。それ故，
裏面洗浄の際のウェハの回転を低速回転で行う必要があ
る。しかしながら，裏面洗浄際の回転を低速回転にした
場合，今度はウェハの裏面に供給された洗浄液が，好適
に飛散されず，表面張力によってウェハの端面を伝って
ウェハの表面に回り込み，ウェハ表面のレジスト液と混
合することが懸念される。洗浄液とレジスト液とが混合
すると，ウェハ上に塗布されたレジスト液が変質し，歩
留まりの低下に繋がる。However, in such a coating method involving rotation of the wafer, when the resist liquid is applied on the wafer, the resist liquid at the outer edge of the wafer rises due to the action of centrifugal force and surface tension, and A phenomenon occurs in which the film thickness at the outer edge of the wafer increases. In order to eliminate the swelling of the resist solution, for example, it is proposed to rotate the wafer immediately after coating at a high speed to scatter the swelled portion. However, even if the bulge at the outer edge of the wafer is eliminated by this high-speed rotation, if the wafer is further rotated at a high speed during the back surface cleaning, the bulge occurs again at the outer edge of the wafer due to centrifugal force. Therefore,
It is necessary to rotate the wafer at a low speed during the back surface cleaning. However, when the rotation at the time of back surface cleaning is set to low speed rotation, the cleaning liquid supplied to the back surface of the wafer is not appropriately scattered, but flows along the edge surface of the wafer due to surface tension, and wraps around the surface of the wafer. There is a concern that it may be mixed with the resist solution. When the cleaning liquid and the resist liquid are mixed, the resist liquid applied on the wafer is deteriorated, leading to a decrease in yield.
【０００５】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，ウェハ等の基板の裏面を洗浄する際に，基板の
回転を低速回転にしても，適切な裏面洗浄が行われる基
板の処理装置を提供することをその目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and when cleaning the back surface of a substrate such as a wafer, the substrate processing is performed even when the substrate is rotated at a low speed. Its purpose is to provide a device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板を処理する処理装置であって，基板を保持し，
回転させる回転保持部と，前記回転保持部に保持された
基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄ノズルと，前記回転
された基板の裏面に供給された前記洗浄液が，当該基板
の裏面に沿って基板の外縁部側に拡散される際に，前記
基板の外縁部にて当該拡散を抑制する拡散抑制部材とを
有することを特徴とする基板の処理装置が提供される。According to the first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for processing a substrate, comprising:
A rotation holding unit for rotating, a cleaning nozzle for supplying a cleaning liquid to the back surface of the substrate held by the rotation holding unit, and a cleaning liquid supplied to the back surface of the rotated substrate, the cleaning liquid being supplied to the substrate along the back surface of the substrate And a diffusion suppressing member that suppresses the diffusion at the outer edge of the substrate when it is diffused toward the outer edge of the substrate.
【０００７】このように，回転された基板の裏面に供給
された前記洗浄液が，当該基板の裏面に沿って基板の外
縁部側に拡散される際に，前記基板の外縁部にて当該洗
浄液の拡散を抑制する拡散抑制部材を備えることによっ
て，基板の端部まで到達する洗浄液の液量が減少する。
これにより，基板の端部において，洗浄液に作用する表
面張力が小さくなるので，当該洗浄液が基板の端面を伝
って基板の表面に回り込むことが抑制される。したがっ
て，基板の裏面洗浄時の回転を低速回転に抑え，洗浄液
に作用する遠心力が小さい場合であっても，基板の裏面
洗浄が適切に行われる。As described above, when the cleaning liquid supplied to the back surface of the rotated substrate is diffused to the outer edge side of the substrate along the back surface of the substrate, the cleaning liquid of the cleaning liquid is spread at the outer edge of the substrate. By providing the diffusion suppressing member for suppressing the diffusion, the amount of the cleaning liquid reaching the edge of the substrate is reduced.
Thus, the surface tension acting on the cleaning liquid at the edge of the substrate is reduced, so that the cleaning liquid is prevented from traveling along the end surface of the substrate to the surface of the substrate. Therefore, the rotation at the time of cleaning the back surface of the substrate is suppressed to a low speed, and the back surface of the substrate is appropriately cleaned even when the centrifugal force acting on the cleaning liquid is small.
【０００８】前記拡散抑制部材は，前記基板の外縁部に
対応した環状に形成されており，前記拡散抑制部材は，
前記回転保持部に保持された基板の裏面に近接し，前記
基板の中央部側よりも狭い隙間を形成する近接部を有し
ていてもよい。このように，前記基板の中央部側よりも
狭い隙間を形成する近接部を設けることによって，基板
の中央部側から外縁部側に拡散された洗浄液の一部が，
当該近接部によって遮断され，基板の端部側まで拡散さ
れる洗浄液の液量が減少される。これにより，基板の端
部における洗浄液の表面張力が低下し，基板の回転速度
が低速回転であっても，基板の裏面洗浄が適切に行われ
る。The diffusion suppressing member is formed in an annular shape corresponding to the outer edge of the substrate.
The semiconductor device may further include a proximity portion that is close to the back surface of the substrate held by the rotation holding portion and forms a narrower gap than the central portion of the substrate. In this way, by providing the proximity portion that forms a gap narrower than the central portion of the substrate, a part of the cleaning liquid diffused from the central portion of the substrate to the outer edge portion is reduced.
The amount of the cleaning liquid blocked by the adjacent portion and diffused to the edge of the substrate is reduced. As a result, the surface tension of the cleaning liquid at the edge of the substrate is reduced, and the back surface of the substrate can be properly cleaned even when the rotation speed of the substrate is low.
【０００９】発明者の実験によると，前記隙間が０．５
ｍｍ〜１．５ｍｍの時に，洗浄液の基板表面への回り込
みを最も抑制できることが確認されている。したがっ
て，前記隙間は，０．５ｍｍ〜１．５ｍｍであることが
好ましい。According to an experiment conducted by the inventor, the gap is 0.5
It has been confirmed that when the thickness is between 1.5 mm and 1.5 mm, it is possible to most suppress the spilling of the cleaning liquid onto the substrate surface. Therefore, the gap is preferably 0.5 mm to 1.5 mm.
【００１０】前記基板の処理装置は，少なくとも前記隙
間内の前記洗浄液を吸引する吸引部を有していてもよ
い。このように，前記隙間の洗浄液を吸引する吸引部を
有することによって，前記拡散抑制部材によって抑制さ
れる前記隙間内の洗浄液を排出することができる。した
がって，基板の端部まで拡散される洗浄液の液量を減少
させることができるので，当該洗浄液の表面張力が低下
し，洗浄液が基板表面に回り込むことが抑制される。[0010] The substrate processing apparatus may have a suction unit for sucking at least the cleaning liquid in the gap. As described above, the provision of the suction portion for sucking the cleaning liquid in the gap allows the cleaning liquid in the gap suppressed by the diffusion suppressing member to be discharged. Therefore, the amount of the cleaning liquid diffused to the edge of the substrate can be reduced, so that the surface tension of the cleaning liquid is reduced and the cleaning liquid is prevented from flowing to the substrate surface.
【００１１】前記拡散抑制部材は，前記近接部の位置が
最も高くなるような傾斜形状を有していてもよい。この
ように前記拡散抑制部材を，前記近接部が最も高くなる
ように傾斜させることによって，前記近接部で遮断され
た洗浄液の一部を前記傾斜から排出することができる。
したがって，前記拡散抑制部材によって行き場を失った
洗浄液が，基板の裏面付近に溜まることが抑制される。[0011] The diffusion suppressing member may have an inclined shape such that the position of the adjacent portion is highest. In this way, by inclining the diffusion suppressing member so that the proximity portion is highest, a part of the cleaning liquid blocked in the proximity portion can be discharged from the inclination.
Therefore, the cleaning liquid that has lost its place due to the diffusion suppressing member is suppressed from accumulating near the back surface of the substrate.
【００１２】前記基板の処理装置は，前記回転保持部に
保持された基板の外方を囲む処理容器を有し，前記拡散
抑制部材は，前記処理容器に取り付けられていてもよ
い。このように，拡散抑制部材を前記処理容器に取り付
けることによって，当該拡散抑制部材を処理容器によっ
て支持することができる。したがって，拡散抑制部材を
独立して設けた場合に比べて，支持部材等が不要とな
り，処理装置の簡略化，コンパクト化が図られる。[0012] The substrate processing apparatus may include a processing container surrounding the outside of the substrate held by the rotation holding unit, and the diffusion suppressing member may be attached to the processing container. As described above, by attaching the diffusion suppressing member to the processing container, the diffusion suppressing member can be supported by the processing container. Therefore, as compared with the case where the diffusion suppressing member is provided independently, a supporting member or the like is not required, and the processing apparatus can be simplified and downsized.
【００１３】前記基板の処理装置は，前記基板の裏面に
沿って拡散する洗浄液が前記基板の端面を伝って前記基
板の表面側へ回り込むことを防止する回り込み防止部材
を有するようにしてもよい。このように，洗浄液が基板
の端面を伝って基板の表面側に回り込むことを防止する
回り込み防止部材を備えることによって，前記拡散抑制
部材によって基板の端部に到達する現像液の量を減少さ
せてもなお，基板の端面に洗浄液が回り込む場合に，当
該洗浄液の回り込みを完全に防止することができる。こ
れによって，洗浄液が，基板表面の例えば塗布液と混合
することが抑制され，基板上に適切な塗布膜が形成され
る。[0013] The substrate processing apparatus may include a sneaking-prevention member for preventing the cleaning liquid diffused along the back surface of the substrate from flowing along the end surface of the substrate and sneaking into the front surface side of the substrate. As described above, by providing the sneaking prevention member for preventing the cleaning liquid from flowing along the end surface of the substrate to the front surface side of the substrate, the amount of the developer reaching the edge of the substrate by the diffusion suppressing member can be reduced. Still further, when the cleaning liquid wraps around the end face of the substrate, the wrapping of the cleaning liquid can be completely prevented. As a result, the cleaning liquid is prevented from being mixed with, for example, the coating liquid on the substrate surface, and an appropriate coating film is formed on the substrate.
【００１４】請求項８の発明によれば，基板を処理する
処理装置であって，基板を保持し，回転させる回転保持
部と，前記回転保持部に保持された基板の裏面に洗浄液
を供給する洗浄ノズルと，前記回転された基板の裏面に
供給された前記洗浄液が，前記基板の端面を伝って前記
基板の表面側へ回り込むことを防止する回り込み防止部
材を有することを特徴とする基板の処理装置が提供され
る。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for processing a substrate, comprising: a rotation holding section for holding and rotating the substrate; and a cleaning liquid supplied to the back surface of the substrate held by the rotation holding section. A substrate processing method comprising: a cleaning nozzle; and a wraparound preventing member for preventing the cleaning liquid supplied to the back surface of the rotated substrate from flowing along an end surface of the substrate toward the front surface side of the substrate. An apparatus is provided.
【００１５】このように，基板の裏面に供給された前記
洗浄液が，前記基板の端面を伝って前記基板の表面側へ
回り込むことを防止する回り込み防止部材を有すること
によって，基板の裏面を伝って基板の端部まで拡散され
た洗浄液が基板の表面側に回り込むことが防止され，洗
浄液と基板表面の例えば塗布液とが混合することが防止
できる。したがって，基板の裏面洗浄時の回転速度を低
速回転で行った場合でも，洗浄液の前記回り込みを防止
し，基板の裏面洗浄を好適に行うことができる。As described above, the cleaning liquid supplied to the back surface of the substrate has a sneak-preventing member for preventing the cleaning liquid from flowing along the end surface of the substrate toward the front surface of the substrate. The cleaning liquid diffused to the edge of the substrate is prevented from flowing to the surface side of the substrate, and the cleaning liquid and the coating liquid on the substrate surface can be prevented from being mixed. Therefore, even when the rotation speed at the time of cleaning the back surface of the substrate is low, the spillage of the cleaning liquid can be prevented, and the back surface of the substrate can be suitably cleaned.
【００１６】前記回り込み防止部材は，前記基板の端面
に対応した環状に形成されており，前記回り込み防止部
材は，前記基板の端面に近接されて設けられていてもよ
い。このように，前記回り込み防止部材を前記基板の端
面に対応した環状に形成し，当該回り込み防止部材を前
記基板の端面に近接して設けることによって，基板の裏
面から端面に回り込んだ洗浄液を，回り込み防止部材と
基板の端面との間にできる狭い隙間で受け止めることが
できるので，洗浄液が基板表面側に回り込むことを防止
できる。The wraparound member may be formed in an annular shape corresponding to the end face of the substrate, and the wraparound member may be provided close to the end face of the substrate. In this way, by forming the wraparound member in an annular shape corresponding to the end surface of the substrate and providing the wraparound member close to the end surface of the substrate, the cleaning liquid that has wrapped around from the back surface of the substrate to the end surface can be removed. Since the cleaning liquid can be received in a narrow gap formed between the wraparound member and the end surface of the substrate, the cleaning liquid can be prevented from wrapping around the substrate surface.
【００１７】前記基板の処理装置は，前記基板の端面に
回り込んだ前記洗浄液を吸引する吸引口を有していても
よい。このように，基板の端面に回り込んだ前記洗浄液
を吸引する吸引口を備えることによって，前記回り込み
防止部材と基板の端面との隙間に滞留した洗浄液を排出
することができる。これにより，洗浄液が基板の端面か
ら基板の表面に回り込むことが防止される。[0017] The substrate processing apparatus may have a suction port for sucking the cleaning liquid flowing around the end surface of the substrate. As described above, by providing the suction port for sucking the cleaning liquid wrapped around the end face of the substrate, the cleaning liquid staying in the gap between the wraparound member and the end face of the substrate can be discharged. This prevents the cleaning liquid from flowing from the end surface of the substrate to the surface of the substrate.
【００１８】前記基板の処理装置は，前記基板の端面に
対して気体を吹き出す吹き出し口を有していてもよい。
このように，前記基板の端面に対して基板を吹き付ける
吹き付け口を備えることによって，前記基板の端面に，
いわゆるエアカーテンが形成され，基板の裏面で拡散さ
れた洗浄液が基板の端面に回り込むことが防止できる。
それ故，洗浄液が基板の表面まで達することが防止され
る。[0018] The substrate processing apparatus may have an outlet for blowing gas toward an end face of the substrate.
In this way, by providing a blowing port for blowing the substrate to the end face of the substrate,
A so-called air curtain is formed, so that the cleaning liquid diffused on the back surface of the substrate can be prevented from flowing to the end surface of the substrate.
Therefore, the cleaning liquid is prevented from reaching the surface of the substrate.
【００１９】前記基板の処理装置は，前記回転保持部に
保持された基板の外方を囲む処理容器を有し，前記回り
込み防止部材は，前記処理容器に取り付けられていても
よい。このように，前記回り込み防止部材を，前記処理
容器に取り付けることによって，前記回り込み防止部材
と前記処理容器を一体化することができ，前記回り込み
防止部材のための支持部材等を別途設ける必要がなく，
処理装置の簡略化，コンパクト化が図られる。The substrate processing apparatus may include a processing container surrounding the outside of the substrate held by the rotation holding unit, and the wraparound member may be attached to the processing container. In this way, by attaching the wraparound preventing member to the processing container, the wraparound prevention member and the processing container can be integrated, and it is not necessary to separately provide a support member or the like for the wraparound prevention member. ,
The processing device can be simplified and made compact.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかるレ
ジスト塗布装置が搭載された塗布現像処理システム１の
構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理
システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理シス
テム１の背面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a coating and developing system 1 on which a resist coating apparatus according to the present embodiment is mounted, FIG. 2 is a front view of the coating and developing system 1, and FIG. 2 is a rear view of the coating and developing system 1. FIG.
【００２１】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。As shown in FIG. 1, for example, the coating and developing system 1 carries 25 wafers W into and out of the coating and developing system 1 from the outside in units of cassettes, and carries wafers W into and out of the cassette C. A cassette station 2 for unloading, a processing station 3 in which various processing apparatuses for performing predetermined processing in a single-sheet type in a coating and developing processing step are arranged in multiple stages, and provided adjacent to the processing station 3. An interface unit 4 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) is integrally connected.
【００２２】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。In the cassette station 2, a plurality of cassettes C can be mounted in a row in the X direction (up and down direction in FIG. 1) at predetermined positions on a cassette mounting table 5 serving as a mounting portion. Then, the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z
(A vertical direction) is provided movably along a transfer path 8 so that each cassette C can be selectively accessed.
【００２３】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。The wafer carrier 7 has an alignment function for positioning the wafer W. As will be described later, the wafer carrier 7 is configured to be able to access the extension device 32 belonging to the third processing device group G3 on the processing station 3 side.
【００２４】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能であ
る。In the processing station 3, a main transfer device 13 is provided at the center thereof, and various processing devices are arranged in multiple stages around the main transfer device 13 to form a processing device group. In the coating and developing system 1,
Four processing unit groups G1, G2, G3, and G4 are disposed. The first and second processing unit groups G1 and G2 are disposed on the front side of the coating and developing processing system 1, and the third processing unit group G3 is disposed. Is disposed adjacent to the cassette station 2, and the fourth processing unit group G4 is disposed adjacent to the interface unit 4. Further, a fifth processing unit group G5 indicated by a broken line as an option can be separately arranged on the back side. The main transfer device 13 includes these processing device groups G1, G2, G3, G4, G5.
The wafer W can be loaded and unloaded to and from various processing apparatuses described below. Note that the number and arrangement of the processing apparatus groups differ depending on the type of processing performed on the wafer W, and the number of processing apparatus groups can be arbitrarily selected as long as it is one or more.
【００２５】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，本実施の形態にかかる基板の処理装置として
のレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処
理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置され
ている。処理装置群G2にも同様に，レジスト塗布装置１
９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に配置され
ている。In the first processing unit group G1, for example, as shown in FIG. 2, a resist coating unit 17 as a substrate processing unit according to the present embodiment, and a development processing unit 18 for developing a wafer W after exposure are provided. Are arranged in two stages from the bottom. Similarly, the resist coating device 1 is applied to the processing device group G2.
9 and a developing device 20 are arranged in two stages from the bottom.
【００２６】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うため
のエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸
発させるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処
理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下か
ら順に例えば６段に積み重ねられている。In the third processing unit group G3, for example, as shown in FIG.
0, an adhesion device 31 for improving the fixability between the resist solution and the wafer W, an extension device 32 for transferring the wafer W, pre-baking devices 33 and 34 for evaporating the solvent in the resist solution, a developing process Post-baking devices 35 for performing a subsequent heat treatment are stacked, for example, in six stages from the bottom.
【００２７】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポ
ストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み
重ねられている。In the fourth processing unit group G4, for example, a cooling device 40, an extension cooling device 41 for naturally cooling the mounted wafer W, an extension device 42, a cooling device 43, and post-exposure baking for performing a heat treatment after exposure. The devices 44 and 45 and the post-baking device 46 are stacked, for example, in seven stages from the bottom.
【００２８】インターフェイス部４の中央部には，図１
に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられてい
る。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方
向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心
とする回転方向）の回転が自在にできるように構成され
ており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション
・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周
辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセ
スして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成
されている。At the center of the interface unit 4, FIG.
As shown in FIG. 1, a wafer carrier 50 is provided, for example. The wafer transfer body 50 is configured to freely move in the X direction (vertical direction in FIG. 1), the Z direction (vertical direction), and rotate in the θ direction (rotation direction about the Z axis). , The extension cooling device 41, the extension device 42, the peripheral exposure device 51, and the exposure device (not shown) belonging to the fourth processing device group G4 are accessed so that the wafer W can be transferred to each of them. I have.
【００２９】次に，上述したレジスト塗布装置１７の構
成について説明する。図４は，レジスト塗布装置１７の
構成の概略を示す縦断面の説明図である。Next, the configuration of the above-described resist coating device 17 will be described. FIG. 4 is an explanatory view of a longitudinal section showing an outline of the configuration of the resist coating device 17.
【００３０】レジスト塗布装置１７は，図４に示すよう
にケーシング１７ａを有し，当該ケーシング１７ａ内に
回転保持部としてのスピンチャック６０を有する。スピ
ンチャック６０の上面は，水平に形成されており，当該
上面には，例えばウェハＷを吸着するための図示しない
吸引口が設けられている。これにより，スピンチャック
６０は，ウェハＷを水平に吸着保持することができる。The resist coating device 17 has a casing 17a as shown in FIG. 4, and has a spin chuck 60 as a rotation holding unit in the casing 17a. The upper surface of the spin chuck 60 is formed horizontally, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W is provided on the upper surface. Thus, the spin chuck 60 can horizontally hold the wafer W by suction.
【００３１】スピンチャック６０は，当該スピンチャッ
ク６０を所定の速度で回転させるための回転機構６１を
有している。回転機構６１は，例えばスピンチャッ６０
の下方に設けられた例えばモータ等を備えた駆動部６２
と，当該駆動部６２に電力を供給する電源６３と，電源
６３の電圧を調節する制御部６４とを有している。制御
部６４が電源６３を調節し，駆動部６２への供給電力を
操作することによって，スピンチャック６０の回転速度
を所定の回転速度に制御することができる。したがっ
て，レジスト塗布中のウェハＷは，各工程毎に定められ
た所定の回転速度で回転される。The spin chuck 60 has a rotation mechanism 61 for rotating the spin chuck 60 at a predetermined speed. The rotation mechanism 61 is, for example, a spin chuck 60.
Drive unit 62 provided with, for example, a motor provided below
And a power supply 63 for supplying power to the drive unit 62, and a control unit 64 for adjusting the voltage of the power supply 63. By controlling the power supply 63 by the control unit 64 and operating the power supplied to the drive unit 62, the rotation speed of the spin chuck 60 can be controlled to a predetermined rotation speed. Therefore, the wafer W being coated with the resist is rotated at a predetermined rotation speed determined for each process.
【００３２】スピンチャック６０の外方には，ウェハＷ
から飛散したレジスト液，洗浄液等を受け止め，回収す
る処理容器としてのカップ６５が設けられている。カッ
プ６５は，上面が開口した略円筒形状を有している。カ
ップ６５は，ウェハＷの外方を囲む外壁６５ａと，その
内側であってウェハＷの下方に位置する内壁６５ｂとを
有し，２重構造に構成されている。外壁６５ａと内壁６
５ｂとの間の底部６５ｃには，回収したレジスト液，洗
浄液等を排液する第１排液管６６と，カップ６５内の雰
囲気を排気する排気管６７とが設けられている。Outside the spin chuck 60, the wafer W
A cup 65 is provided as a processing container for receiving and collecting the resist liquid, the cleaning liquid, and the like scattered from the substrate. The cup 65 has a substantially cylindrical shape whose upper surface is open. The cup 65 has an outer wall 65a surrounding the outside of the wafer W, and an inner wall 65b located inside and below the wafer W, and has a double structure. Outer wall 65a and inner wall 6
A first drain pipe 66 for draining the collected resist solution, cleaning liquid, and the like, and an exhaust pipe 67 for exhausting the atmosphere in the cup 65 are provided at the bottom 65c between the bottom 65c and the bottom 65c.
【００３３】内壁６５ｂの内側には，環状の支持壁Ａが
設けられている。支持壁Ａと内壁６５ｂとの間には，ウ
ェハＷの裏面に供給された洗浄液の拡散を抑制する拡散
抑制部材６８が設けられている。拡散抑制部材６８は，
ウェハＷの全周に渡る外縁部に対応した環状に形成され
ており，さらに支持壁Ａの上端部と内壁６５ｂの上端部
にまたがるようにして，縦断面が略山型形状に形成され
ている。拡散抑制部材６８は，図５に示すようにウェハ
Ｗの裏面に近接する近接部６８ａと，近接部６８ａの外
側の傾斜部６８ｂと，近接部６８ａの内側の傾斜部６８
ｃとを有している。近接部６８ａは，拡散抑制部材６８
の頂上部を構成し，近接部６８ａとウェハＷの裏面との
間には，例えば０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの隙間Ｄが形成
されている。これによって，ウェハＷの裏面に供給され
た洗浄液が，ウェハＷの裏面を伝ってウェハＷの外縁部
まで拡散された際に，近接部６８ａによって当該洗浄液
の流路が狭められ，洗浄液の拡散を抑制することができ
る。An annular support wall A is provided inside the inner wall 65b. Between the support wall A and the inner wall 65b, a diffusion suppressing member 68 for suppressing the diffusion of the cleaning liquid supplied to the back surface of the wafer W is provided. The diffusion suppressing member 68
It is formed in an annular shape corresponding to the outer edge portion over the entire circumference of the wafer W, and has a substantially mountain-shaped vertical cross section so as to extend over the upper end portion of the support wall A and the upper end portion of the inner wall 65b. . As shown in FIG. 5, the diffusion suppressing member 68 includes a proximity portion 68a close to the back surface of the wafer W, an inclined portion 68b outside the proximity portion 68a, and an inclined portion 68 inside the proximity portion 68a.
c. The proximity portion 68a is provided with a diffusion suppressing member 68.
And a gap D of, for example, 0.5 mm to 1.5 mm is formed between the proximity portion 68a and the back surface of the wafer W. Thereby, when the cleaning liquid supplied to the back surface of the wafer W is diffused along the back surface of the wafer W to the outer edge of the wafer W, the flow path of the cleaning liquid is narrowed by the proximity portion 68a, and the diffusion of the cleaning liquid is reduced. Can be suppressed.
【００３４】また，傾斜部６８ｂは，例えば内壁６５ｂ
の上端部に接続され，傾斜部６８ｃは，支持壁Ａの上端
部に接続されている。支持壁Ａの下端部は，例えば図５
に示すように環状に設けられた溝６９に接続されてお
り，溝６９には，例えば第２排液管７０が設けられてい
る。かかる構成により，近接部６８ａにおいて拡散の抑
制された洗浄液が傾斜部６８ｂ及び傾斜部６８ｃを伝っ
て底部６５ｃ及び溝６９に流入し，第１排液管６６及び
第２排液管７０から排液されるようになっている。The inclined portion 68b is formed, for example, on the inner wall 65b.
, And the inclined portion 68c is connected to the upper end of the support wall A. The lower end of the support wall A is, for example, as shown in FIG.
As shown in the figure, the groove 69 is connected to an annular groove 69, and the groove 69 is provided with, for example, a second drain pipe 70. With this configuration, the cleaning liquid, the diffusion of which is suppressed in the proximity part 68a, flows along the inclined part 68b and the inclined part 68c, flows into the bottom part 65c and the groove 69, and is drained from the first drain pipe 66 and the second drain pipe 70. It is supposed to be.
【００３５】カップ６５内であって，スピンチャック６
０に保持されたウェハＷの下方には，ウェハＷの裏面に
洗浄液を供給する裏面洗浄ノズル７１が設けられてい
る。裏面洗浄ノズル７１は，ウェハＷの中央部側の裏面
に向けて設けられており，図示しない洗浄液供給源から
の洗浄液がウェハＷの裏面に所定のタイミングで噴出さ
れるようになっている。In the cup 65, the spin chuck 6
Below the wafer W held at 0, a back surface cleaning nozzle 71 for supplying a cleaning liquid to the back surface of the wafer W is provided. The back surface cleaning nozzle 71 is provided toward the back surface on the central portion side of the wafer W, and a cleaning liquid from a cleaning liquid supply source (not shown) is jetted onto the back surface of the wafer W at a predetermined timing.
【００３６】ウェハＷにレジスト液を吐出するレジスト
吐出ノズル７２と，レジスト液の溶剤を吐出する溶剤吐
出ノズル７３は，カップ６５上方において，例えばホル
ダ７４に保持されている。ホルダ７４は，図示しないア
ームによって保持されており，当該アームは，例えばカ
ップ６５の外方からカップ６５内のウェハＷの中心部上
方まで移動できる。したがって，レジスト吐出ノズル７
２及び溶剤吐出ノズル７３は，ウェハＷの中心部上方ま
で移動し，ウェハＷの中心にレジスト液又は溶剤を吐出
することができる。なお，レジスト吐出ノズル７２は，
図示しないレジスト液供給装置に，溶剤吐出ノズル７２
は，図示しない溶剤供給装置にそれぞれ接続されてお
り，レジスト吐出ノズル７２及び溶剤吐出ノズル７３か
らは，所定量のレジスト液又は溶剤が所定のタイミング
で吐出できる。A resist discharge nozzle 72 for discharging the resist liquid onto the wafer W and a solvent discharge nozzle 73 for discharging the solvent of the resist liquid are held by a holder 74 above the cup 65, for example. The holder 74 is held by an arm (not shown), and the arm can move, for example, from outside the cup 65 to above the center of the wafer W in the cup 65. Therefore, the resist discharge nozzle 7
2 and the solvent discharge nozzle 73 can move to above the center of the wafer W and discharge the resist solution or the solvent to the center of the wafer W. Note that the resist discharge nozzle 72 is
A solvent discharge nozzle 72 is connected to a resist solution supply device (not shown).
Are connected to a solvent supply device (not shown), and a predetermined amount of resist liquid or solvent can be discharged from the resist discharge nozzle 72 and the solvent discharge nozzle 73 at a predetermined timing.
【００３７】ケーシング１７ａの上面には，温度及び湿
度が調節され，清浄化された気体をカップ６５内に供給
する気体供給管７５が設けられており，ウェハＷの処理
時に当該気体を供給し，カップ６５内を所定の雰囲気に
維持すると共に，カップ６５内をパージすることができ
る。On the upper surface of the casing 17a, there is provided a gas supply pipe 75 for controlling the temperature and humidity and supplying a purified gas into the cup 65. The gas supply pipe 75 supplies the gas during processing of the wafer W. The interior of the cup 65 can be maintained at a predetermined atmosphere, and the interior of the cup 65 can be purged.
【００３８】次に，以上のように構成されているレジス
ト塗布装置１７の作用について，塗布現像処理システム
１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共
に説明する。Next, the operation of the resist coating apparatus 17 configured as described above will be described together with the photolithography process performed in the coating and developing processing system 1.
【００３９】先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣか
ら未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置
群G3に属するエクステンション装置３２に搬送される。
次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージ
ョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密
着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェ
ハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に
冷却される。そして，所定温度に冷却されたウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，例えばレジスト塗布装置
１７に搬送される。First, one unprocessed wafer W is taken out of the cassette C by the wafer transfer body 7 and transferred to the extension device 32 belonging to the third processing device group G3.
Next, the wafer W is carried into the adhesion device 31 by the main transfer device 13, and the wafer W is coated with, for example, HMDS for improving the adhesion of the resist solution. Next, the wafer W is transferred to the cooling device 30 and cooled to a predetermined temperature. Then, the wafer W cooled to a predetermined temperature
Is transported by the main transport device 13 to, for example, a resist coating device 17.
【００４０】レジスト塗布装置１７においてレジスト液
が塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によってプリ
ベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装
置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によっ
て周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送
され，各装置で所定の処理が施される。そして露光処理
の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクス
テンション装置４２に搬送され，その後，主搬送装置１
３によってポストエクスポージャーベーキング装置４
４，クーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベ
ーキング装置４６及びクーリング装置３０に順次搬送さ
れ，各装置において所定の処理が施される。その後，ウ
ェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセット
Ｃに戻され，一連の塗布現像処理が終了する。The wafer W to which the resist liquid has been applied in the resist coating device 17 is sequentially transferred to the pre-baking device 33 and the extension cooling device 41 by the main transfer device 13, and further to the peripheral exposure device 51 and the exposure device 51 by the wafer transfer body 50. The sheets are sequentially conveyed to devices (not shown), and are subjected to predetermined processing in each device. Then, the wafer W having been subjected to the exposure processing is transferred by the wafer transfer body 50 to the extension device 42, and thereafter, the main transfer device 1
3 by post exposure baking device 4
4. The cooling device 43, the development processing device 18, the post-baking device 46, and the cooling device 30 sequentially transport the cooling device 43 to perform predetermined processing in each device. Thereafter, the wafer W is returned to the cassette C via the extension device 32, and a series of coating and developing processes is completed.
【００４１】次に，上述のレジスト塗布処理のプロセス
について説明する。先ず前処理の終了したウェハＷが，
主搬送装置１３によってレジスト塗布装置１７内に搬入
され，スピンチャック６０上に吸着保持される。Next, the process of the above-described resist coating process will be described. First, the wafer W that has been subjected to the pre-processing is
It is carried into the resist coating device 17 by the main transfer device 13 and is suction-held on the spin chuck 60.
【００４２】次いで，カップ６５の外方で待機していた
ホルダ７４がウェハＷの中心上方まで移動し，溶剤吐出
ノズル７３がウェハＷの中心部上方に位置される。溶剤
吐出ノズル７３がウェハＷの上方に位置されると，回転
機構６１によってウェハＷが，例えば１０００ｒｐｍで
回転され始め，溶剤吐出ノズル７３からは，所定量のレ
ジスト液の溶剤がウェハＷの中心部に向けて吐出され
る。ウェハＷの中心部に吐出された溶剤は，遠心力によ
ってウェハＷ全面に拡散され，ウェハＷの濡れ性が向上
される。Next, the holder 74 waiting outside the cup 65 moves to above the center of the wafer W, and the solvent discharge nozzle 73 is positioned above the center of the wafer W. When the solvent discharge nozzle 73 is positioned above the wafer W, the rotation mechanism 61 starts to rotate the wafer W at, for example, 1000 rpm. It is discharged toward. The solvent discharged to the center of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by centrifugal force, and the wettability of the wafer W is improved.
【００４３】溶剤の供給が終了すると，レジスト吐出ノ
ズル７２がウェハＷの中心部上方に移動される。そし
て，ウェハＷの回転速度が，例えば３０００ｒｐｍに上
昇され，レジスト吐出ノズル７２からは，ウェハＷの中
心部に向かって所定量のレジスト液が吐出される。ウェ
ハＷの中心に供給されたレジスト液は，遠心力によって
ウェハＷ全面に拡散され，ウェハＷ上にレジスト液が液
盛りされる。When the supply of the solvent is completed, the resist discharge nozzle 72 is moved above the center of the wafer W. Then, the rotation speed of the wafer W is increased to, for example, 3000 rpm, and a predetermined amount of resist liquid is discharged from the resist discharge nozzle 72 toward the center of the wafer W. The resist solution supplied to the center of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by centrifugal force, and the resist solution is deposited on the wafer W.
【００４４】ウェハＷ上に所定量のレジスト液が供給さ
れ，ウェハＷ上に液盛りが形成されると，レジスト液の
吐出が停止され，その後ウェハＷの回転速度が一旦，例
えば５００ｒｐｍに減速される。これによって，ウェハ
Ｗ上のレジスト液の挙動が安定する。次いで，ウェハＷ
の回転速度が，例えば２５００ｒｐｍに上昇され，ウェ
ハＷ上の余分なレジスト液が振り切られて，レジスト液
の膜厚調節が行われる。このとき，ウェハＷの外縁部で
は，表面張力等によってレジスト液の盛り上がりが発生
する。また，この膜厚調節工程では，ウェハＷの回転に
よって，レジスト液中に含まれていた溶剤の蒸発が促進
され，レジスト液がウェハＷ上で固まり始める。When a predetermined amount of the resist solution is supplied onto the wafer W and the liquid is formed on the wafer W, the discharge of the resist solution is stopped, and then the rotation speed of the wafer W is temporarily reduced to, for example, 500 rpm. You. Thereby, the behavior of the resist liquid on the wafer W is stabilized. Next, the wafer W
Is increased to, for example, 2500 rpm, excess resist liquid on the wafer W is shaken off, and the thickness of the resist liquid is adjusted. At this time, at the outer edge of the wafer W, swelling of the resist liquid occurs due to surface tension or the like. In this film thickness adjusting step, the evaporation of the solvent contained in the resist solution is promoted by the rotation of the wafer W, and the resist solution starts to solidify on the wafer W.
【００４５】かかる膜厚調節工程が終了すると，ウェハ
Ｗの回転速度が，例えば４０００ｒｐｍに上昇され，ウ
ェハＷが高速回転される。これによってウェハＷの外縁
部で固まりかけていたレジスト液が，強い遠心力によっ
て飛散し，ウェハＷ外縁部の前記盛り上がり部分が除去
される。When the film thickness adjusting step is completed, the rotation speed of the wafer W is increased to, for example, 4000 rpm, and the wafer W is rotated at a high speed. As a result, the resist liquid that has been solidified at the outer edge of the wafer W is scattered by a strong centrifugal force, and the raised portion at the outer edge of the wafer W is removed.
【００４６】ウェハＷの高速回転が終了すると，ウェハ
Ｗの裏面に付着したレジスト液等を洗浄する裏面洗浄が
行われる。この裏面洗浄では，ウェハＷの回転速度が，
例えば５００ｒｐｍに減速され，ウェハＷが低速回転で
回転される。そして，先ず裏面洗浄ノズル７１からウェ
ハＷの中心部側の裏面に洗浄液が供給される。ウェハＷ
の裏面に供給された洗浄液は，遠心力によってウェハＷ
の外縁部側に向けて拡散する。このとき，洗浄液は，ウ
ェハＷの裏面に付着したレジスト液等を洗い落としなが
ら，ウェハＷの裏面に沿って流れる。図６に示すように
洗浄液が，拡散抑制部材６８の接近部６８ａのある流路
が狭くなった隙間Ｄまで進むと，当該洗浄液の流れが妨
げられる。このとき洗浄液の一部は，傾斜部６８ｂ又は
傾斜部６８ｃに落下し，残りの洗浄液が隙間Ｄを通過し
てウェハＷの端部まで拡散される。これにより，ウェハ
Ｗの端部まで到達する洗浄液の液量が減少され，ウェハ
Ｗ端部における洗浄液の表面張力が低下される。それ
故，当該洗浄液は，ウェハＷの端面に回り込むことな
く，ウェハＷの外方に飛散される。When the high-speed rotation of the wafer W is completed, the back surface cleaning for cleaning the resist solution and the like adhering to the back surface of the wafer W is performed. In this back surface cleaning, the rotation speed of the wafer W is
For example, the speed is reduced to 500 rpm, and the wafer W is rotated at a low speed. Then, first, the cleaning liquid is supplied from the rear surface cleaning nozzle 71 to the rear surface on the central portion side of the wafer W. Wafer W
The cleaning liquid supplied to the back surface of the wafer W
Diffuses toward the outer edge side of the. At this time, the cleaning liquid flows along the back surface of the wafer W while washing away the resist solution and the like adhering to the back surface of the wafer W. As shown in FIG. 6, when the cleaning liquid advances to the gap D where the flow path including the approaching portion 68a of the diffusion suppressing member 68 is narrowed, the flow of the cleaning liquid is hindered. At this time, a part of the cleaning liquid falls to the inclined portion 68b or the inclined portion 68c, and the remaining cleaning liquid passes through the gap D and is diffused to the end of the wafer W. As a result, the amount of the cleaning liquid reaching the edge of the wafer W is reduced, and the surface tension of the cleaning liquid at the edge of the wafer W is reduced. Therefore, the cleaning liquid is scattered to the outside of the wafer W without going around the end face of the wafer W.
【００４７】なお，傾斜部６８ｂに落下した洗浄液は，
底部６５ｃに流され，第１排液管６６から排出される。
また，傾斜部６８ｃに落下した洗浄液は，溝６９で回収
され，第２排液管７０から排出される。The cleaning liquid dropped on the inclined portion 68b is
The liquid is flowed to the bottom 65 c and discharged from the first drain pipe 66.
The cleaning liquid that has dropped onto the inclined portion 68c is collected by the groove 69 and discharged from the second drain pipe 70.
【００４８】このようなウェハＷの裏面洗浄が所定時間
行われ，その後洗浄液の供給が停止される。そして，ウ
ェハＷが例えば５００ｒｐｍの低速回転で回転され続
け，ウェハＷに付着した洗浄液が飛散されて，ウェハＷ
が乾燥される。The cleaning of the back surface of the wafer W is performed for a predetermined time, and thereafter, the supply of the cleaning liquid is stopped. Then, the wafer W is continuously rotated at a low speed of, for example, 500 rpm, and the cleaning liquid attached to the wafer W is scattered, and the wafer W
Is dried.
【００４９】ウェハＷの乾燥が終了すると，ウェハＷの
回転が停止される。その後，ウェハＷは，スピンチャッ
ク６０から主搬送装置１３に受け渡され，レジスト塗布
装置１７から搬出される。これにより，一連のレジスト
塗布処理が終了する。When the drying of the wafer W is completed, the rotation of the wafer W is stopped. Thereafter, the wafer W is transferred from the spin chuck 60 to the main transfer device 13 and unloaded from the resist coating device 17. Thus, a series of resist coating processing ends.
【００５０】以上の実施の形態によれば，ウェハＷの裏
面に，洗浄液の拡散を抑制する拡散抑制部材６８を設
け，近接部６８ａによってウェハＷの裏面との間に狭小
な隙間Ｄを形成したので，ウェハＷの裏面を拡散する洗
浄液の一部の拡散が妨げられ，ウェハＷ端部に到達する
洗浄液の液量を減少させることができる。これによっ
て，ウェハＷ端部における洗浄液の表面張力が減少し，
ウェハＷを低速回転させている場合であっても，洗浄液
がウェハＷの外方に好適に飛散される。したがって，裏
面洗浄における洗浄液のウェハＷ表面への回り込みが防
止される。According to the above-described embodiment, the diffusion suppressing member 68 for suppressing the diffusion of the cleaning liquid is provided on the back surface of the wafer W, and the narrow gap D is formed between the back surface of the wafer W and the proximity portion 68a. Therefore, diffusion of a part of the cleaning liquid that diffuses on the back surface of the wafer W is prevented, and the amount of the cleaning liquid that reaches the edge of the wafer W can be reduced. As a result, the surface tension of the cleaning liquid at the edge of the wafer W decreases,
Even when the wafer W is being rotated at a low speed, the cleaning liquid is preferably scattered outside the wafer W. Therefore, the cleaning liquid is prevented from flowing to the front surface of the wafer W in the back surface cleaning.
【００５１】近接部６８ａの中心側と外方側にそれぞれ
傾斜部６８ｂ，６８ｃを設け，近接部６８ａの位置が最
も高くなるようにしたので，近接部６８ａによって拡散
を妨げられた洗浄液が，傾斜部６８ｂ又は６９ｃを伝っ
て流される。したがって，洗浄液を近接部６８ａ付近に
滞留させることなく，好適に排出することができる。The inclined portions 68b and 68c are provided on the center side and the outer side of the proximity portion 68a, respectively, so that the position of the proximity portion 68a is the highest. It flows along the part 68b or 69c. Therefore, the cleaning liquid can be suitably discharged without staying in the vicinity of the proximity portion 68a.
【００５２】拡散抑制部材６８をカップ６５と一体化さ
せて設けたので，別途拡散抑制部材６８のための支持部
材等を設ける必要が無く，既存のカップ６５を用いて拡
散抑制部材６８を支持することができる。これにより，
レジスト塗布装置１７の簡略化，コンパクト化が図られ
る。なお，以上の実施の形態では，近接部６８ａの上面
が角張っていたが，平坦であってもよい。Since the diffusion suppressing member 68 is provided integrally with the cup 65, there is no need to separately provide a support member or the like for the diffusion suppressing member 68, and the diffusion suppressing member 68 is supported using the existing cup 65. be able to. This gives
The resist coating device 17 can be simplified and made compact. In the above embodiment, the upper surface of the proximity portion 68a is angular, but may be flat.
【００５３】以上の実施の形態において，隙間Ｄ内の洗
浄液を吸引する吸引部を設けるようにしてもよい。図７
は，その一例を示すものであり，拡散抑制部材８０の近
接部８０ａには，吸引部としてのスリット８１が設けら
れる。スリット８１は，図８に示すように近接部８０ａ
に環状に設けられている。近接部８０ａ内には，環状の
圧力調節管８２が設けられており，圧力調節管８２は，
図７に示すようにスリット８１と連通している。さらに
圧力調節管８２には，吸引管８３が接続されている。吸
引管８３には，例えば所定の圧力で吸引できる吸引ポン
プ８４が設けられている。したがって，吸引ポンプ８４
によって吸引管８３から圧力調節管８２内の雰囲気が吸
引され，圧力調節管８２の減圧によってウェハＷの全周
に渡るスリット８１から隙間Ｄ内の洗浄液を吸引でき
る。In the above embodiment, a suction unit for sucking the cleaning liquid in the gap D may be provided. FIG.
Shows an example thereof, and a slit 81 as a suction part is provided in the proximity part 80a of the diffusion suppressing member 80. As shown in FIG.
Is provided in an annular shape. An annular pressure adjusting tube 82 is provided in the proximity portion 80a.
As shown in FIG. 7, it communicates with the slit 81. Further, a suction pipe 83 is connected to the pressure adjusting pipe 82. The suction pipe 83 is provided with, for example, a suction pump 84 that can suction at a predetermined pressure. Therefore, the suction pump 84
Thus, the atmosphere in the pressure adjusting tube 82 is sucked from the suction tube 83, and the cleaning liquid in the gap D can be sucked from the slit 81 over the entire circumference of the wafer W by reducing the pressure in the pressure adjusting tube 82.
【００５４】そして，裏面洗浄時に，スリット８１から
の吸引が行われ，ウェハＷの裏面に沿って拡散し，隙間
Ｄに流れ込んだ洗浄液の一部がスリット８１から排出さ
れる。これにより，ウェハＷ端部まで達する洗浄液の液
量を減少することができ，ウェハＷ端部における洗浄液
の表面張力を減少させることができる。したがって，洗
浄液が小さい遠心力でも適切に飛散され，洗浄液のウェ
ハＷ表面への回り込みを防止することができる。また，
吸引ポンプ８４の吸引圧力を調節することによって，洗
浄液の吸引量を調節することができ，ウェハＷの端部ま
で達する洗浄液の液量を最適な量にすることができる。At the time of back surface cleaning, suction from the slit 81 is performed, and the cleaning liquid diffuses along the back surface of the wafer W, and a part of the cleaning liquid flowing into the gap D is discharged from the slit 81. As a result, the amount of the cleaning liquid reaching the edge of the wafer W can be reduced, and the surface tension of the cleaning liquid at the edge of the wafer W can be reduced. Therefore, the cleaning liquid is appropriately scattered even with a small centrifugal force, and it is possible to prevent the cleaning liquid from entering the surface of the wafer W. Also,
By adjusting the suction pressure of the suction pump 84, the suction amount of the cleaning liquid can be adjusted, and the amount of the cleaning liquid that reaches the edge of the wafer W can be optimized.
【００５５】なお，吸引部の形状は，環状のスリットに
限らず，例えば図９に示すように拡散抑制部材８６の接
近部８６ａに複数の円弧状の孔８７を同一円周上に設け
るようにしてもよい。かかる場合でも，ウェハＷは，回
転しているため，ウェハＷの端部全周に渡って洗浄液の
液量を減少させることができる。The shape of the suction portion is not limited to an annular slit. For example, as shown in FIG. 9, a plurality of arc-shaped holes 87 are provided on the approaching portion 86a of the diffusion suppressing member 86 on the same circumference. You may. Even in such a case, since the wafer W is rotating, the amount of the cleaning liquid can be reduced over the entire circumference of the end of the wafer W.
【００５６】以上の実施の形態では，洗浄液がウェハＷ
の表面に回り込まないように拡散抑制部材を備えていた
が，ウェハＷの端面において洗浄液の回り込みを防止す
る回り込み防止部材を備えるようにしてもよい。以下，
かかる構成を採用した例を第２の実施の形態として説明
する。In the above embodiment, the cleaning liquid is
Although the diffusion suppressing member is provided so as not to wrap around the surface of the wafer W, a wraparound preventing member for preventing the cleaning liquid from wrapping around the end face of the wafer W may be provided. Less than,
An example employing such a configuration will be described as a second embodiment.
【００５７】図１０に示すように，カップ９０には，先
端がウェハＷの端面Ｅに近接する回り込み防止部材９１
が設けられる。回り込み防止部材９１は，ウェハＷの端
面Ｅの全周に渡って設けられ，例えばカップ９０の内壁
９０ａに取り付けられる。回り込み防止部材９１の先端
部９１ａとウェハＷ端面Ｅとの隙間は，例えば，０．５
〜１．５ｍｍに形成される。なお，他の部分の構成は，
第１の実施の形態と同様であるので説明を省略する。As shown in FIG. 10, the cup 90 has a wraparound member 91 whose tip is close to the end face E of the wafer W.
Is provided. The wraparound member 91 is provided over the entire circumference of the end surface E of the wafer W, and is attached to, for example, the inner wall 90 a of the cup 90. The gap between the leading end portion 91a of the wraparound member 91 and the end face E of the wafer W is, for example, 0.5
１．５1.5 mm. The configuration of the other parts is
The description is omitted because it is the same as that of the first embodiment.
【００５８】そして，ウェハＷの裏面洗浄の際には，図
１１に示すようにウェハＷの裏面に供給された洗浄液
が，ウェハＷの裏面を伝ってウェハＷの端部まで到達
し，当該洗浄液の一部がウェハＷの端面Ｅに回り込む。
そして，ウェハＷの端面Ｅに回り込んだ洗浄液は，回り
込み防止部材９１の先端部９１ａと端面Ｅとの狭い隙間
に入り込み，そこで表面張力の作用によって滞留する。
これにより，新しくウェハＷの外縁部に拡散された洗浄
液が，ウェハＷの端面Ｅに回り込むことが阻止される。
したがって，洗浄液がウェハＷの表面に回り込み，ウェ
ハＷ上のレジスト液と混合することが防止される。When the back surface of the wafer W is cleaned, the cleaning liquid supplied to the back surface of the wafer W reaches the edge of the wafer W along the back surface of the wafer W as shown in FIG. Is wrapped around the end face E of the wafer W.
Then, the cleaning liquid that has flowed to the end face E of the wafer W enters a narrow gap between the tip end portion 91a of the wrap prevention member 91 and the end face E, and stays there due to the action of surface tension.
Thus, the cleaning liquid newly diffused to the outer edge of the wafer W is prevented from flowing to the end surface E of the wafer W.
Therefore, it is possible to prevent the cleaning liquid from flowing around the surface of the wafer W and mixing with the resist liquid on the wafer W.
【００５９】かかる第２の実施の形態において，回り込
み防止部材９１に，ウェハＷの端面Ｅに滞留した洗浄液
を吸引する吸引口を設けてもよい。図１２に示す回り込
み防止部材１００は，その一例を示すものであり，回り
込み防止部材１００の先端部１００ａには，吸引口１０
１が設けられる。吸引口１０１は，例えば吸引管１０２
によって図示しない吸引ポンプに接続されている。そし
て，ウェハＷの裏面洗浄時には，ウェハＷの端面Ｅと先
端部１００ａとの間に滞留する洗浄液が吸引口１０１か
ら吸引され，当該洗浄液が吸引管１０２を介して排出さ
れる。これにより，ウェハＷの表面に洗浄液が回り込む
ことが防止される。In the second embodiment, the wraparound member 91 may be provided with a suction port for sucking the cleaning liquid retained on the end face E of the wafer W. The sneak prevention member 100 shown in FIG. 12 is an example of the sneak prevention member 100.
1 is provided. The suction port 101 is, for example, a suction tube 102
Is connected to a suction pump (not shown). When the back surface of the wafer W is cleaned, the cleaning liquid staying between the end face E of the wafer W and the front end portion 100a is sucked from the suction port 101, and the cleaning liquid is discharged through the suction pipe 102. This prevents the cleaning liquid from flowing around the surface of the wafer W.
【００６０】また，かかる吸引口１０１の代わりに，気
体，例えば不活性気体を吹き出す吹き出し口を設けても
よい。図１３に示す回り込み防止部材１１０は，その一
例を示しており，回り込み防止部材１１０の先端部１１
０ａには，吹き出し口１１１が設けられる。吹き出し口
１１１は，ウェハＷの端面Ｅに向けられる。吹き出し口
１１１は，図示しない気体供給源に供給管１１２によっ
て接続されている。そして，ウェハＷの裏面洗浄時に吹
き出し口１１１からウェハＷの端面Ｅに向けて気体が吹
き出され，回り込み防止部材１１０とウェハＷの端面Ｅ
との間に前記気体によるいわゆるエアカーテンが形成さ
れる。これにより，ウェハＷの裏面を拡散し，ウェハＷ
の端部間で達した洗浄液がウェハＷの端面Ｅに回り込む
ことが防止され，ひいてはウェハＷの表面側に回り込む
ことも防止される。In place of the suction port 101, a blowing port for blowing a gas, for example, an inert gas may be provided. The wrap-around preventing member 110 shown in FIG.
An outlet 111 is provided at 0a. The outlet 111 is directed toward the end face E of the wafer W. The outlet 111 is connected to a gas supply source (not shown) by a supply pipe 112. Then, at the time of cleaning the back surface of the wafer W, gas is blown from the outlet 111 toward the end face E of the wafer W, and the wraparound member 110 and the end face E of the wafer W are blown.
A so-called air curtain is formed by the gas. As a result, the back surface of the wafer W is diffused,
Is prevented from reaching the end surface E of the wafer W, and is prevented from reaching the front side of the wafer W.
【００６１】上記第２の実施の形態では，カップ９０に
回り込み防止部材９１，１００又は１１０のみを設けて
いたが，第１の実施の形態で記載した拡散抑制部材６８
又は８０と併用してもよい。かかる場合，洗浄液のウェ
ハＷ表面への回り込みがさらに確実に防止され，ウェハ
Ｗの裏面洗浄が好適に行われる。In the second embodiment, only the wraparound members 91, 100 or 110 are provided in the cup 90. However, the diffusion suppressing member 68 described in the first embodiment is used.
Or you may use together with 80. In such a case, it is possible to more reliably prevent the cleaning liquid from flowing to the front surface of the wafer W, and the back surface of the wafer W is preferably cleaned.
【００６２】以上の実施の形態は，本発明をレジスト塗
布装置に適用したものであったが，本発明は，他の処理
装置，例えば現像処理装置等にも適用できる。また，本
発明は，ウェハＷ以外の基板例えばＬＣＤ基板の膜形成
方法にも適用される。In the above embodiment, the present invention is applied to a resist coating apparatus. However, the present invention can be applied to other processing apparatuses, for example, a developing apparatus. The present invention is also applicable to a method for forming a film on a substrate other than the wafer W, for example, an LCD substrate.
【００６３】[0063]
【発明の効果】本発明によれば，基板の表面に洗浄液が
回り込んで，基板表面の処理液を変質させることが防止
されるので，歩留まりの向上が図られる。According to the present invention, it is possible to prevent the cleaning liquid from flowing into the surface of the substrate and to alter the processing liquid on the substrate surface, thereby improving the yield.
【図１】実施の形態にかかるレジスト塗布装置が搭載さ
れた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図で
ある。FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a coating and developing system equipped with a resist coating apparatus according to an embodiment.
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system of FIG.
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system of FIG. 1;
【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の
説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a longitudinal section schematically showing the configuration of a resist coating apparatus.
【図５】拡散抑制部材の構成を示す縦断面の説明図であ
る。FIG. 5 is an explanatory view of a longitudinal section showing a configuration of a diffusion suppressing member.
【図６】ウェハの外縁部の裏面に洗浄液が拡散された場
合の拡散抑制部材とウェハの縦断面の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a vertical section of the wafer and a diffusion suppressing member when a cleaning liquid is diffused to the back surface of the outer edge of the wafer.
【図７】拡散抑制部材の近接部にスリットを設けた場合
の拡散抑制部材の縦断面の説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a longitudinal section of the diffusion suppressing member when a slit is provided in the vicinity of the diffusion suppressing member.
【図８】近接部にスリットを設けた場合の拡散抑制部材
の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a diffusion suppressing member when a slit is provided in a proximity portion.
【図９】近接部に円弧状の孔を設けた場合の拡散抑制部
材の平面図であ。FIG. 9 is a plan view of a diffusion suppressing member when an arc-shaped hole is provided in a proximity portion.
【図１０】カップに回り込み防止部材を取り付けた場合
のカップの縦断面の説明図である。FIG. 10 is an explanatory view of a vertical section of the cup when a wraparound member is attached to the cup.
【図１１】回り込み防止部材を設けた場合の洗浄液の流
れを示すウェハと回り込み防止部材の縦断面の説明図で
ある。FIG. 11 is an explanatory view of a vertical cross section of the wafer and the wraparound preventing member, showing the flow of the cleaning liquid when the wraparound preventing member is provided.
【図１２】回り込み防止部材に吸引口を設けた場合のウ
ェハと回り込み防止部材の縦断面の説明図である。FIG. 12 is an explanatory view of a vertical section of a wafer and a wraparound prevention member when a suction port is provided in the wraparound prevention member.
【図１３】回り込み防止部材に吹き出し口を設けた場合
のウェハと回り込み防止部材の縦断面の説明図である。FIG. 13 is an explanatory view of a vertical section of a wafer and a wraparound prevention member when a blowout port is provided in the wraparound prevention member.
１ 塗布現像処理システム １７ レジスト塗布装置 ６０ スピンチャック ６５ カップ ６８ 拡散抑制部材 ６８ａ 近接部 ７１ 裏面洗浄ノズル Ｄ 隙間 Ｗ ウェハ REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing processing system 17 resist coating device 60 spin chuck 65 cup 68 diffusion suppressing member 68 a proximity portion 71 back surface cleaning nozzle D gap W wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA05 3B201 AA03 AB33 AB47 BB09 BB24 BB92 CD35 5F046 JA02 JA05 JA07 JA09 JA13 JA15 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA18 AB16 EA05 3B201 AA03 AB33 AB47 BB09 BB24 BB92 CD35 5F046 JA02 JA05 JA07 JA09 JA13 JA15
Claims (12)
を保持し，回転させる回転保持部と，前記回転保持部に
保持された基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄ノズル
と，前記回転された基板の裏面に供給された前記洗浄液
が，当該基板の裏面に沿って基板の外縁部側に拡散され
る際に，前記基板の外縁部にて当該拡散を抑制する拡散
抑制部材とを有することを特徴とする，基板の処理装
置。1. A processing apparatus for processing a substrate, comprising: a rotation holding unit configured to hold and rotate the substrate; a cleaning nozzle configured to supply a cleaning liquid to a back surface of the substrate held by the rotation holding unit; A diffusion suppressing member that suppresses the diffusion at the outer edge of the substrate when the cleaning liquid supplied to the rear surface of the substrate is diffused toward the outer edge of the substrate along the rear surface of the substrate. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
に対応した環状に形成されており，前記拡散抑制部材
は，前記回転保持部に保持された基板の裏面に近接し，
前記基板の中央部側よりも狭い隙間を形成する近接部を
有することを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理
装置。2. The diffusion suppressing member is formed in an annular shape corresponding to an outer edge portion of the substrate, and the diffusion suppressing member is close to a back surface of the substrate held by the rotation holding portion,
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a proximity portion that forms a gap narrower than a central portion of the substrate.
あることを特徴とする，請求項２に記載の基板の処理装
置。3. The apparatus according to claim 2, wherein the gap is 0.5 mm to 1.5 mm.
引する吸引部を有することを特徴とする，請求項２又は
３のいずれかに記載の基板の処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a suction unit that suctions at least the cleaning liquid in the gap.
が最も高くなるような傾斜形状を有することを特徴とす
る，請求項２，３又は４のいずれかに記載の基板の処理
装置。5. The apparatus for processing a substrate according to claim 2, wherein the diffusion suppressing member has an inclined shape such that the position of the adjacent portion is highest.
を囲む処理容器を有し，前記拡散抑制部材は，前記処理
容器に取り付けられていることを特徴とする，請求項
１，２，３，４又は５のいずれかに記載の基板の処理装
置。6. The processing container according to claim 1, further comprising a processing container surrounding the outside of the substrate held by the rotation holding unit, wherein the diffusion suppressing member is attached to the processing container. 6. The apparatus for processing a substrate according to any one of claims 3, 4, and 5.
が前記基板の端面を伝って前記基板の表面側へ回り込む
ことを防止する回り込み防止部材を有することを特徴と
する，請求項１，２，３，４，５又は６のいずれかに記
載の基板の処理装置。7. A wraparound member for preventing a cleaning liquid diffused along a back surface of the substrate from flowing along an end surface of the substrate and wrapping around the front surface of the substrate. 7. The apparatus for processing a substrate according to any one of claims 1, 3, 4, 5, and 6.
を保持し，回転させる回転保持部と，前記回転保持部に
保持された基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄ノズル
と，前記回転された基板の裏面に供給された前記洗浄液
が，前記基板の端面を伝って前記基板の表面側へ回り込
むことを防止する回り込み防止部材を有することを特徴
とする，基板の処理装置。8. A processing apparatus for processing a substrate, comprising: a rotation holding unit configured to hold and rotate the substrate; a cleaning nozzle configured to supply a cleaning liquid to a back surface of the substrate held by the rotation holding unit; A wraparound preventing member for preventing the cleaning liquid supplied to the backside of the substrate from flowing along the end surface of the substrate toward the front side of the substrate.
面に対応した環状に形成されており，前記回り込み防止
部材は，前記基板の端面に近接されて設けられているこ
とを特徴とする，請求項７又は８のいずれかに記載の基
板の処理装置。9. The wraparound member is formed in an annular shape corresponding to an end surface of the substrate, and the wraparound member is provided close to an end surface of the substrate. Item 10. A substrate processing apparatus according to any one of Items 7 and 8.
液を吸引する吸引口を有することを特徴とする，請求項
７，８又は９のいずれかに記載の基板の処理装置。10. The apparatus for processing a substrate according to claim 7, further comprising a suction port for sucking the cleaning liquid flowing around the end face of the substrate.
す吹き出し口を有することを特徴とする，請求項７，８
又は９のいずれかに記載の基板の処理装置。11. An air outlet for blowing gas to an end face of said substrate.
Or a substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 9.
方を囲む処理容器を有し，前記回り込み防止部材は，前
記処理容器に取り付けられていることを特徴とする，請
求項７，８，９，１０又は１１のいずれかに記載の基板
の処理装置。12. The processing container according to claim 7, further comprising a processing container surrounding the outside of the substrate held by the rotation holding unit, wherein the wraparound preventing member is attached to the processing container. , 9, 10, or 11.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |