JP2002353493A - Optical module - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信システム
において使用する光モジュールに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical module used in an optical communication system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１は、従来の光モジュールの概要構
成を示す図である。また、図１２は、図１１に示した光
モジュールの等価回路を示す回路図である。図１１およ
び図１２において、この光モジュール６は、プリアンプ
ＩＣであるプリアンプ１、フォトダイオード素子２、レ
ンズ３、光ファイバ４、伝送線路基板５、金細線７、金
パターン８、フォトダイオード素子２の出力電極９、プ
リアンプ１の入力電極１０、プリアンプ１の出力電極１
１を備える。2. Description of the Related Art FIG. 11 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional optical module. FIG. 12 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the optical module shown in FIG. 11 and 12, the optical module 6 includes a preamplifier 1, which is a preamplifier IC, a photodiode element 2, a lens 3, an optical fiber 4, a transmission line substrate 5, a gold wire 7, a gold pattern 8, and a photodiode element 2. Output electrode 9, input electrode 10 of preamplifier 1, output electrode 1 of preamplifier 1
1 is provided.
【０００３】また、図１２において、金細線７は寄生イ
ンダクタンス７ａを有し、プリアンプ１の出力電極１１
は寄生キャパシタンス１１ａを有する。プリアンプ１
は、トランスインピーダンスアンプ１０１、帰還抵抗１
０２、差動アンプ１０３、出力段のエミッタフォロア１
０４、整合抵抗１０５を有する。In FIG. 12, a gold wire 7 has a parasitic inductance 7a, and an output electrode 11 of a preamplifier 1 is provided.
Has a parasitic capacitance 11a. Preamplifier 1
Is a transimpedance amplifier 101, a feedback resistor 1
02, differential amplifier 103, emitter follower 1 in output stage
04, a matching resistor 105 is provided.
【０００４】ここで、フォトダイオード素子２の出力電
極９とプリアンプ１の入力電極１０との間、およびプリ
アンプ１の出力電極１１と伝送線路基板５の金パターン
８との間は、それぞれ金細線７によって電気的に接続さ
れている。また、伝送線路基板５の金パターン８は、高
周波信号が損失なく伝搬するように、適切な特性インピ
ーダンスに設定されている。さらに、レンズ３は、光フ
ァイバ４から入射された入射光１２がフォトダイオード
素子２に効率よく入射するように配設されている。[0004] Here, a gold wire 7 is provided between the output electrode 9 of the photodiode element 2 and the input electrode 10 of the preamplifier 1 and between the output electrode 11 of the preamplifier 1 and the gold pattern 8 of the transmission line substrate 5. Are electrically connected by In addition, the gold pattern 8 of the transmission line substrate 5 is set to an appropriate characteristic impedance so that a high-frequency signal propagates without loss. Further, the lens 3 is disposed such that the incident light 12 incident from the optical fiber 4 efficiently enters the photodiode element 2.
【０００５】つぎに、この光モジュール６の動作につい
て説明する。この光モジュール６は、光通信システムの
受信側で用いられる光モジュールであり、受信した入力
光信号を効率よく電気信号に変換する機能を有するもの
である。光ファイバ４から入射された入力光信号は、レ
ンズ３を介して効率よくフォトダイオード素子２に結合
される。Next, the operation of the optical module 6 will be described. The optical module 6 is an optical module used on the receiving side of an optical communication system, and has a function of efficiently converting a received input optical signal into an electric signal. An input optical signal input from the optical fiber 4 is efficiently coupled to the photodiode element 2 via the lens 3.
【０００６】フォトダイオード素子２によって、入力光
信号は電流信号に変換され、この電流信号はプリアンプ
１内のトランスインピーダンスアンプ１０１によって、
電圧信号に変換されるとともに、増幅される。この電圧
信号は、後段の差動アンプ１０３によって、単相信号か
ら差動信号に変換されるとともに、さらに増幅され、プ
リアンプ１の最終段であるエミッタフォロア１０４から
差動の電気信号として出力される。この電気信号は、伝
送線路基板５を介して、光モジュール６外部に出力され
る。[0006] The input optical signal is converted into a current signal by the photodiode element 2, and the current signal is converted by the transimpedance amplifier 101 in the preamplifier 1.
It is converted to a voltage signal and amplified. This voltage signal is converted from a single-phase signal to a differential signal by a differential amplifier 103 at a subsequent stage, is further amplified, and is output as a differential electric signal from an emitter follower 104 which is the final stage of the preamplifier 1. . This electric signal is output to the outside of the optical module 6 via the transmission line substrate 5.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光モジ
ュールでは、高周波信号が損失なく出力され、伝搬する
ように、整合抵抗１０５の抵抗値を調整して、光モジュ
ール６外部の負荷のインピーダンスと等しくなるように
している。In the above-mentioned conventional optical module, the impedance of the load outside the optical module 6 is adjusted by adjusting the resistance of the matching resistor 105 so that the high-frequency signal is output and propagated without loss. I try to be equal.
【０００８】しかしながら、プリアンプ１の出力電極１
１の寄生キャパシタンス１１ａや、プリアンプ１と伝送
線路基板５とを電気的に接続する金細線７の寄生インダ
クタンス７ａの値によっては、高周波的にインピーダン
スの不整合が生じ、高周波信号の伝搬損失が大きくなる
という問題があった。すなわち、光モジュール６の出力
部における高周波反射減衰量が劣化するために、光モジ
ュール６の負荷との間で多重反射が生じ、高周波特性が
劣化するという問題があった。However, the output electrode 1 of the preamplifier 1
1 and the parasitic inductance 7a of the gold wire 7 that electrically connects the preamplifier 1 and the transmission line substrate 5, impedance mismatch occurs at a high frequency, and the propagation loss of a high-frequency signal increases. There was a problem of becoming. That is, since the high-frequency reflection attenuation at the output section of the optical module 6 deteriorates, multiple reflection occurs between the output of the optical module 6 and the load of the optical module 6, and the high-frequency characteristics deteriorate.
【０００９】この発明は上記に鑑みてなされたもので、
光モジュール６出力部の高周波反射減衰量を大きくし、
高周波特性に優れた光モジュールを得ることを目的とす
る。[0009] The present invention has been made in view of the above,
By increasing the high-frequency return loss of the output part of the optical module 6,
An object is to obtain an optical module having excellent high frequency characteristics.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる光モジュールは、光電変換用のフ
ォトダイオード素子と、入力された光信号を前記フォト
ダイオード素子に結合させる結合光学系と、前記フォト
ダイオード素子によって光電変換された電気信号を増幅
するプリアンプと、この電気信号を出力する伝送線路基
板とを備えた光モジュールにおいて、前記プリアンプと
前記伝送線路基板との間に設けられたインピーダンス整
合回路を備えたことを特徴とする。To achieve the above object, an optical module according to the present invention comprises a photodiode element for photoelectric conversion and a coupling optical system for coupling an input optical signal to the photodiode element. An optical module comprising: a preamplifier for amplifying an electric signal photoelectrically converted by the photodiode element; and a transmission line substrate for outputting the electric signal, wherein an impedance provided between the preamplifier and the transmission line substrate is provided. A matching circuit is provided.
【００１１】この発明によれば、プリアンプと伝送線路
基板との間に、インピーダンス整合回路を設け、このイ
ンピーダンス整合回路のキャパシタンス値およびインダ
クタンス値を適切な値に設定することによって、高周波
におけるＳ２２特性を改善することができ、光モジュー
ル出力部の高周波反射減衰量を大きくすることができ
る。According to the present invention, the impedance matching circuit is provided between the preamplifier and the transmission line substrate, and the S22 characteristic at a high frequency is improved by setting the capacitance value and the inductance value of the impedance matching circuit to appropriate values. Thus, the high-frequency return loss of the optical module output section can be increased.
【００１２】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記インピーダンス整合回路は、グラ
ンドに対してキャパシタンス成分を有する回路であるこ
とを特徴とする。The optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, the impedance matching circuit is a circuit having a capacitance component with respect to the ground.
【００１３】この発明によれば、前記インピーダンス整
合回路を、グランドに対してキャパシタンス成分を有す
る回路とし、光モジュール出力部における高周波反射減
衰量を大きくすることができる。According to the present invention, the impedance matching circuit is a circuit having a capacitance component with respect to the ground, and the high-frequency reflection attenuation at the optical module output section can be increased.
【００１４】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記インピーダンス整合回路は、グラ
ンドに対してキャパシタンス成分を有するとともに、直
列にインダクタンス成分を有する回路であることを特徴
とする。An optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, the impedance matching circuit is a circuit having a capacitance component with respect to the ground and an inductance component in series.
【００１５】この発明によれば、前記インピーダンス整
合回路を、グランドに対してキャパシタンス成分を有す
るとともに、直列にインダクタンス成分を有する回路と
し、高周波におけるインピーダンス整合を確実に行うよ
うにしている。According to the present invention, the impedance matching circuit has a capacitance component with respect to the ground and is a circuit having an inductance component in series, so that impedance matching at high frequencies is reliably performed.
【００１６】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記インピーダンス整合回路のキャパ
シタンス成分は、平行平板型のマイクロチップコンデン
サによって形成されることを特徴とする。An optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, the capacitance component of the impedance matching circuit is formed by a parallel plate type microchip capacitor.
【００１７】この発明によれば、前記インピーダンス整
合回路のキャパシタンス成分を、平行平板型のマイクロ
チップコンデンサによって具体的に形成するようにして
いる。According to the present invention, the capacitance component of the impedance matching circuit is specifically formed by a parallel plate type microchip capacitor.
【００１８】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記マイクロチップコンデンサは、容
量調整が可能なマイクロチップコンデンサであることを
特徴とする。An optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, the microchip capacitor is a microchip capacitor whose capacity can be adjusted.
【００１９】この発明によれば、前記マイクロチップコ
ンデンサを、容量調整が可能なマイクロチップコンデン
サとし、最適なキャパシタンス成分に設定できるように
している。According to the present invention, the microchip capacitor is a microchip capacitor whose capacity can be adjusted, so that an optimum capacitance component can be set.
【００２０】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記インピーダンス整合回路のキャパ
シタンス成分は、前記伝送線路基板の端部に配設された
金属パターンによって形成されることを特徴とする。The optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, the capacitance component of the impedance matching circuit is formed by a metal pattern provided at an end of the transmission line substrate.
【００２１】この発明によれば、前記インピーダンス整
合回路のキャパシタンス成分を、前記伝送線路基板の端
部に配設された金属パターンによって形成するようにし
ている。According to the present invention, the capacitance component of the impedance matching circuit is formed by the metal pattern provided at the end of the transmission line substrate.
【００２２】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記金属パターンは、容量調整が可能
なパターンであることを特徴とする。An optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, the metal pattern is a pattern whose capacitance can be adjusted.
【００２３】この発明によれば、前記金属パターンは、
容量調整が可能なパターンとし、たとえば金属パターン
自体の大きさを変化させ、あるいは隣接させた金属パタ
ーンを並列接続させることによって、容量調整を行うよ
うにしている。According to the present invention, the metal pattern is
The capacitance can be adjusted by changing the size of the metal pattern itself or by connecting adjacent metal patterns in parallel, for example.
【００２４】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記インピーダンス整合回路のインダ
クタンス成分は、金属配線によって形成されることを特
徴とする。An optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, an inductance component of the impedance matching circuit is formed by a metal wiring.
【００２５】この発明によれば、前記インピーダンス整
合回路のインダクタンス成分を、金属配線によって形成
し、長さ調整という簡易な方法によって最適なインダク
タンスに調整するようにしている。According to the present invention, the inductance component of the impedance matching circuit is formed by metal wiring, and is adjusted to an optimum inductance by a simple method of length adjustment.
【００２６】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記インピーダンス整合回路のインダ
クタンス成分は、前記伝送線路基板に配設された金属パ
ターンによって形成されることを特徴とする。An optical module according to the next invention is characterized in that, in the above invention, the inductance component of the impedance matching circuit is formed by a metal pattern disposed on the transmission line substrate.
【００２７】この発明によれば、前記インピーダンス整
合回路のインダクタンス成分を、前記伝送線路基板に配
設された金属パターンによって形成し、容易にインダク
タンス成分量の調整を行うことができるようにしてい
る。According to the present invention, the inductance component of the impedance matching circuit is formed by the metal pattern provided on the transmission line substrate, so that the amount of the inductance component can be easily adjusted.
【００２８】つぎの発明にかかる光モジュールは、上記
の発明において、前記プリアンプは、差動信号を出力
し、前記差動信号に対応し、前記プリアンプと前記イン
ピーダンス整合回路との間を接続する一対の金属細線を
備え、前記一対の金属細線は、互いに近接していること
を特徴とする。In the optical module according to the next invention, in the above invention, the preamplifier outputs a differential signal, corresponds to the differential signal, and connects a pair between the preamplifier and the impedance matching circuit. Wherein the pair of thin metal wires are close to each other.
【００２９】この発明によれば、前記プリアンプは、差
動信号を出力するが、この際、差動信号に対応して、前
記プリアンプと前記インピーダンス整合回路との間を接
続する一対の金属細線が、互いに近接して配置され、相
互インダクタンスを大きくし、それぞれの金細線に生じ
る等価的なインダクタンス値を小さくし、これによって
高周波特性の劣化を抑制するようにしている。According to the present invention, the preamplifier outputs a differential signal. At this time, a pair of thin metal wires connecting between the preamplifier and the impedance matching circuit correspond to the differential signal. Are arranged close to each other to increase the mutual inductance and reduce the equivalent inductance value generated in each gold wire, thereby suppressing the deterioration of the high frequency characteristics.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明にかかる光モジュールの好適な実施の形態を詳細に
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of an optical module according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【００３１】実施の形態１．図１は、この発明の実施の
形態１である光モジュールの概要構成を示す図である。
また、図２は、図１に示した光モジュールの等価回路を
示す回路図である。図１および図２において、この光モ
ジュール６は、プリアンプＩＣであるプリアンプ１、フ
ォトダイオード素子２、レンズ３、光ファイバ４、伝送
線路基板５、金細線７、金パターン８、フォトダイオー
ド素子２の出力電極９、プリアンプ１の入力電極１０、
プリアンプ１の出力電極１１、キャパシタンス成分およ
びインダクタンス成分を有する整合回路１３を備える。Embodiment 1 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the optical module shown in FIG. 1 and 2, the optical module 6 includes a preamplifier 1, which is a preamplifier IC, a photodiode element 2, a lens 3, an optical fiber 4, a transmission line substrate 5, a fine gold wire 7, a gold pattern 8, and a photodiode element 2. Output electrode 9, input electrode 10 of preamplifier 1,
An output electrode 11 of the preamplifier 1 and a matching circuit 13 having a capacitance component and an inductance component are provided.
【００３２】ここで、図２に示すように、各金細線７は
寄生インダクタンス７ａを有し、プリアンプ１の出力電
極９は寄生キャパシタンス１１ａを有する。さらに、プ
リアンプ１は、トランスインピーダンスアンプ１０１、
帰還抵抗１０２、差動アンプ１０３、出力段のエミッタ
フォロア１０４、整合抵抗１０５を有する。整合回路１
３は、インダクタンス成分１３１ａおよびキャパシタン
ス成分１３２ａを有する。なお、整合回路１３のキャパ
シタンス成分１３２ａはシャント接続され、インダクタ
ンス成分１３１ａは直列接続されている。Here, as shown in FIG. 2, each gold wire 7 has a parasitic inductance 7a, and the output electrode 9 of the preamplifier 1 has a parasitic capacitance 11a. Further, the preamplifier 1 includes a transimpedance amplifier 101,
It has a feedback resistor 102, a differential amplifier 103, an emitter follower 104 at the output stage, and a matching resistor 105. Matching circuit 1
3 has an inductance component 131a and a capacitance component 132a. The capacitance component 132a of the matching circuit 13 is shunt-connected, and the inductance component 131a is connected in series.
【００３３】フォトダイオード素子２の出力電極９とプ
リアンプ１の入力電極１０との間、プリアンプ１の出力
電極１１と整合回路１３との間、および整合回路１３と
伝送線路基板５の金パターン８との間は、それぞれ金細
線７によって電気的に接続されている。伝送線路基板５
の金パターン８は、高周波信号が損失なく伝搬すべく、
適切な特性インピーダンスに設定されている。また、レ
ンズ３は、光ファイバ４から入射された入射光１２がフ
ォトダイオード素子２に効率よく入射するように配設さ
れている。Between the output electrode 9 of the photodiode element 2 and the input electrode 10 of the preamplifier 1, between the output electrode 11 of the preamplifier 1 and the matching circuit 13, and between the matching circuit 13 and the gold pattern 8 of the transmission line substrate 5. Are electrically connected to each other by gold wires 7. Transmission line board 5
Gold pattern 8 in order to propagate high frequency signals without loss,
It is set to an appropriate characteristic impedance. The lens 3 is disposed such that the incident light 12 incident from the optical fiber 4 efficiently enters the photodiode element 2.
【００３４】ここで、この光モジュール６の動作につい
て説明する。この光モジュール６は、光通信システムの
受信側において用いられる光モジュールであり、受信し
た光信号を効率よく電気信号に変換する機能を有する。
光ファイバ４から入射された入力光信号は、レンズ３を
介して効率よくフォトダイオード素子２に結合される。
フォトダイオード素子２は、この入力光信号を電流信号
に変換し、この電流信号はプリアンプ１内のトランスイ
ンピーダンスアンプ１０１によって、電圧信号に変換さ
れるとともに増幅される。Here, the operation of the optical module 6 will be described. The optical module 6 is an optical module used on the receiving side of an optical communication system, and has a function of efficiently converting a received optical signal into an electric signal.
An input optical signal input from the optical fiber 4 is efficiently coupled to the photodiode element 2 via the lens 3.
The photodiode element 2 converts the input optical signal into a current signal, and the current signal is converted into a voltage signal and amplified by a transimpedance amplifier 101 in the preamplifier 1.
【００３５】この電圧信号は、後段の差動アンプ１０３
によって、単相信号から差動信号に変換されるととも
に、さらに増幅され、プリアンプ１の最終段であるエミ
ッタフォロア１０４から差動の電気信号として出力され
る。この電気信号は、整合回路１３によってインピーダ
ンス整合された後に、伝送線路基板５を介して、光モジ
ュール６の外部に出力される。This voltage signal is supplied to the differential amplifier 103 at the subsequent stage.
Thus, the single-phase signal is converted into a differential signal, further amplified, and output from the emitter follower 104, which is the final stage of the preamplifier 1, as a differential electric signal. This electric signal is output to the outside of the optical module 6 through the transmission line substrate 5 after impedance matching by the matching circuit 13.
【００３６】ここで、この光モジュール６では、高周波
信号が損失なく出力され、伝搬するように、整合抵抗１
０５の抵抗値を調整して、光モジュール６外部の負荷の
インピーダンスと直流的に等しくなるようにしており、
直流的には、光モジュール６は負荷に対して整合がとれ
ている。Here, in the optical module 6, the matching resistor 1 is provided so that the high-frequency signal is output and propagated without loss.
05 is adjusted so that the impedance of the load outside the optical module 6 becomes DC equivalent.
In terms of direct current, the optical module 6 is matched to the load.
【００３７】一方、整合抵抗１０５の後段には、プリア
ンプ１の出力電極１１の寄生キャパシタンス１１ａや、
プリアンプ１と伝送線路基板５とを電気的に接続するた
めの金細線７の寄生インダクタンス７ａが存在するため
に、高周波的に不整合が生じることとなるが、寄生キャ
パシタンス１１ａおよび寄生インダクタンス７ａを考慮
し、整合回路１３のインダクタンス値およびキャパシタ
ンス値を最適化することによって、高周波におけるイン
ピーダンスの不整合を抑制でき、高周波信号の伝搬損失
が抑えることが可能となる。すなわち、光モジュール６
の出力部における高周波反射減衰量を大きくすることが
できる。On the other hand, downstream of the matching resistor 105, the parasitic capacitance 11 a of the output electrode 11 of the preamplifier 1,
The presence of the parasitic inductance 7a of the gold wire 7 for electrically connecting the preamplifier 1 and the transmission line substrate 5 causes a mismatch in high frequency, but the parasitic capacitance 11a and the parasitic inductance 7a are taken into consideration. By optimizing the inductance value and the capacitance value of the matching circuit 13, impedance mismatch at high frequencies can be suppressed, and propagation loss of high-frequency signals can be suppressed. That is, the optical module 6
, The amount of high-frequency reflection attenuation at the output unit can be increased.
【００３８】ここで、整合回路１３におけるインダクタ
ンス値およびキャパシタンス値の最適化について、図３
を参照して説明する。図３は、図１および図２に示した
光モジュール６の出力部の回路構成を変化させた場合の
高周波反射減衰特性、すなわちＳ２２特性をスミスチャ
ートで示した概念図である。Here, the optimization of the inductance value and the capacitance value in the matching circuit 13 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a conceptual diagram showing a high-frequency reflection attenuation characteristic when the circuit configuration of the output unit of the optical module 6 shown in FIGS.
【００３９】まず、図３（ａ）は、整合抵抗１０５の後
段に何も接続されていない場合におけるＳ２２特性の概
念図を示しており、プリアンプ１の出力電極１１の寄生
キャパシタンス１１ａを追加した場合、スミスチャート
の等コンダクタンス線上を時計回りに移動するため、図
３（ｂ）に示すＳ２２特性となる。さらに、金細線７の
寄生インダクタンス７ａをも追加した場合、等レジスタ
ンス線上を時計回りに移動するため、図３（ｃ）に示す
Ｓ２２特性となり、寄生インダクタンス７ａが大きいほ
ど、高周波におけるＳ２２特性が劣化することになる。First, FIG. 3A shows a conceptual diagram of the S22 characteristic when nothing is connected after the matching resistor 105, and shows a case where the parasitic capacitance 11a of the output electrode 11 of the preamplifier 1 is added. 3 (b), since it moves clockwise on the equal conductance line of the Smith chart. Furthermore, when the parasitic inductance 7a of the gold wire 7 is also added, the S22 characteristic moves clockwise on the equi-resistance line, resulting in the S22 characteristic shown in FIG. 3C. As the parasitic inductance 7a increases, the S22 characteristic at high frequencies deteriorates. Will do.
【００４０】さらに、整合回路１３を追加した場合を考
える。まず、キャパシタンス成分１３２ａのみ追加した
場合、等コンダクタンス線上を時計回りに移動するた
め、図３（ｄ）に示すＳ２２特性となり、最適点でも高
周波特性の改善効果は小さいことがわかる。さらに、イ
ンダクタンス成分１３１ａを追加すると、等レジスタン
ス線上を時計回りに移動するために、図３（ｅ）に示す
Ｓ２２特性となり、高周波特性を大きく改善できること
がわかる。Further, consider the case where a matching circuit 13 is added. First, when only the capacitance component 132a is added, since it moves clockwise on the equal conductance line, the S22 characteristic shown in FIG. 3D is obtained, and it can be seen that the improvement effect of the high frequency characteristic is small even at the optimum point. Further, when the inductance component 131a is added, since the clock signal moves clockwise on the equal resistance line, the S22 characteristic shown in FIG. 3E is obtained, and it can be seen that the high frequency characteristic can be greatly improved.
【００４１】したがって、整合回路１３のキャパシタン
ス値およびインダクタンス値を適切な値とすることによ
って、図３（ｃ）〜図３（ｅ）に示すように、高周波に
おけるＳ２２特性を改善できる。これによって、光モジ
ュール６出力部の高周波反射減衰量を大きくすることが
でき、高周波特性に優れた光モジュールを得ることがで
きる。Therefore, by setting the capacitance value and the inductance value of the matching circuit 13 to appropriate values, the S22 characteristic at a high frequency can be improved as shown in FIGS. 3 (c) to 3 (e). As a result, the high-frequency reflection attenuation of the output section of the optical module 6 can be increased, and an optical module having excellent high-frequency characteristics can be obtained.
【００４２】実施の形態２．つぎに、この発明の実施の
形態２について説明する。図４は、この発明の実施の形
態２である光モジュールの概要構成を示す図である。ま
た、図５は、図４に示した光モジュールの等価回路を示
す回路図である。図４および図５において、整合回路１
３のキャパシタンス成分を、金細線７で接続可能なマイ
クロチップコンデンサ１４で構成し、プリアンプ１の出
力電極１１とマイクロチップコンデンサ１４との間、お
よびマイクロチップコンデンサ１４と伝送線路基板５の
金パターン８との間は、それぞれ金細線７によって電気
的に接続されている。その他の構成は、実施の形態１と
同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。Embodiment 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 5 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the optical module shown in FIG. 4 and 5, the matching circuit 1
3 is constituted by a microchip capacitor 14 connectable by a gold wire 7, between the output electrode 11 of the preamplifier 1 and the microchip capacitor 14, and between the microchip capacitor 14 and the gold pattern 8 of the transmission line substrate 5. Are electrically connected to each other by gold wires 7. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals.
【００４３】ここで、マイクロチップコンデンサ１４と
は、平行平板型のコンデンサであり、マイクロチップコ
ンデンサ１４の下面を半田等によってグランド面に実装
し、上面を金細線で接続することによって、シャント接
続のキャパシタンスを容易に実現できるものである。な
お、このマイクロチップコンデンサ１４の容量調整は可
能である。また、マイクロチップコンデンサ１４と伝送
線路基板５の金パターン８とを接続する金細線７によっ
て、整合回路１３のインダクタンス成分を実現できるた
め、整合回路１３と伝送線路基板５とを接続する金細線
を別途用意する必要もなくなる。Here, the microchip capacitor 14 is a parallel plate type capacitor, and the lower surface of the microchip capacitor 14 is mounted on the ground surface by soldering or the like, and the upper surface is connected by a fine gold wire to form a shunt connection. Capacitance can be easily realized. The capacitance of the microchip capacitor 14 can be adjusted. In addition, the gold wire 7 connecting the microchip capacitor 14 and the gold pattern 8 of the transmission line substrate 5 can realize the inductance component of the matching circuit 13. Therefore, the gold wire connecting the matching circuit 13 and the transmission line substrate 5 can be realized. There is no need to prepare separately.
【００４４】たとえば、実施の形態１では、整合回路１
３と伝送線路基板５とを接続するための金細線を別途用
意する必要があり、この金細線のインダクタンス成分に
よって、整合回路１３を挿入したにもかかわらず、再度
インピーダンスの不整合によって、高周波特性が劣化す
る可能性があったが、この実施の形態２では、整合回路
１３のインダクタンス成分と、整合回路１３と伝送線路
基板５とを接続するための金細線とを、一本の金細線７
で兼用できるため、光モジュール６の電気信号出力端に
おいて良好な高周波特性を得ることができる。For example, in the first embodiment, matching circuit 1
It is necessary to separately prepare a gold wire for connecting the transmission line 3 to the transmission line substrate 5. Due to the inductance component of the gold wire, even though the matching circuit 13 is inserted, the impedance mismatch again causes the high-frequency characteristics. However, in the second embodiment, the inductance component of the matching circuit 13 and the gold wire for connecting the matching circuit 13 and the transmission line substrate 5 are replaced by a single gold wire 7.
Therefore, good high-frequency characteristics can be obtained at the electric signal output end of the optical module 6.
【００４５】また、光モジュール６の組立時に、この金
細線７の長さを変化させることで、整合回路１３のイン
ダクタンス値を調整することが可能であり、プリアンプ
１やフォトダイオード素子２の特性のバラツキや、組立
時の金細線長のバラツキに応じて、柔軟に対応できるよ
うになる。これによって、歩留まりを向上させることが
できる。By changing the length of the gold wire 7 when assembling the optical module 6, the inductance value of the matching circuit 13 can be adjusted, and the characteristics of the preamplifier 1 and the photodiode element 2 can be adjusted. It is possible to flexibly cope with the variation and the variation of the gold wire length at the time of assembly. Thereby, the yield can be improved.
【００４６】すなわち、この実施の形態２では、簡単な
構成によって、光モジュール６出力部の高周波反射減衰
量を大きくすることができ、高周波特性に優れ、かつ高
歩留まりの光モジュールを得ることができる。That is, in the second embodiment, the high-frequency reflection attenuation of the output section of the optical module 6 can be increased with a simple configuration, and an optical module having excellent high-frequency characteristics and a high yield can be obtained. .
【００４７】実施の形態３．つぎに、この発明の実施の
形態３について説明する。図６は、この発明の実施の形
態３である光モジュールの概要構成を示す図である。図
６において、この実施の形態３では、整合回路１３のキ
ャパシタンス成分を、伝送線路基板５上の金パターン８
１によって形成し、プリアンプ１の出力電極１１と金パ
ターン８１との間、および金パターン８１と金パターン
８とは、一本の金細線７によって電気的に接続されてい
る。その他の構成は、実施の形態１と同じであり、同一
構成部分には同一符号を付している。Embodiment 3 Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 6, in the third embodiment, the capacitance component of the matching circuit 13 is changed to the gold pattern 8 on the transmission line substrate 5.
1 and between the output electrode 11 of the preamplifier 1 and the gold pattern 81, and between the gold pattern 81 and the gold pattern 8, are electrically connected by one thin gold wire 7. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals.
【００４８】ここで、伝送線路基板５上の金パターン８
１は、実施の形態２に示したマイクロチップコンデンサ
１４と同様に、平行平板のキャパシタンスとして機能
し、金パターン８１の大きさを変えることによって、キ
ャパシタンス値を変化させることができる。伝送線路基
板５と同一の基板上に、整合回路１３のキャパシタンス
成分を形成しているため、光モジュール６を構成する部
品数の削減が可能であるとともに、組立工程数も削減可
能であるため、簡単な構成によって、光モジュール６出
力部の高周波反射減衰量を大きくすることができ、高周
波特性に優れ、かつ高歩留まりで安価な光モジュールを
得ることができる。Here, the gold pattern 8 on the transmission line substrate 5
1 functions as a parallel plate capacitance similarly to the microchip capacitor 14 shown in the second embodiment, and can change the capacitance value by changing the size of the gold pattern 81. Since the capacitance component of the matching circuit 13 is formed on the same substrate as the transmission line substrate 5, the number of components constituting the optical module 6 can be reduced, and the number of assembly steps can be reduced. With a simple configuration, it is possible to increase the amount of high-frequency reflection attenuation at the output section of the optical module 6, and to obtain an inexpensive optical module with excellent high-frequency characteristics, high yield, and high yield.
【００４９】実施の形態４．つぎに、この発明の実施の
形態４について説明する。図７は、この発明の実施の形
態４である光モジュールの概要構成を示す図である。図
７において、この実施の形態４では、整合回路１３のイ
ンダクタンス成分を、伝送線路基板５上の金パターン８
２によって形成し、この金パターン８２は、整合回路１
３のキャパシタンス成分として機能する金パターン８１
と、伝送線路として機能する金パターン８とを各々接続
している。その他の構成は、実施の形態３と同じであ
り、同一構成部分には同一符号を付している。Embodiment 4 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 7, in the fourth embodiment, the inductance component of the matching circuit
2 and the gold pattern 82 is
Gold pattern 81 functioning as a capacitance component of No. 3
And a gold pattern 8 functioning as a transmission line. Other configurations are the same as those of the third embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals.
【００５０】ここで、伝送線路基板５上の金パターン８
２は、パターン幅を細くし、パターン長を長くすると、
金細線と同様にインダクタンスとして機能する。伝送線
路基板５と同一の基板上に、整合回路１３のインダクタ
ンス成分を形成しているため、接続用の金細線が不要と
なり、組立工程数が削減可能であるため、簡単な構成に
よって、光モジュール６出力部の高周波反射減衰量を大
きくすることができ、高周波特性に優れ、かつ安価な光
モジュールを得ることができる。Here, the gold pattern 8 on the transmission line substrate 5
2 is to narrow the pattern width and lengthen the pattern length,
It functions as an inductance like a gold wire. Since the inductance component of the matching circuit 13 is formed on the same substrate as the transmission line substrate 5, no gold wire for connection is required, and the number of assembly steps can be reduced. (6) The high-frequency reflection attenuation of the output unit can be increased, and an inexpensive optical module having excellent high-frequency characteristics can be obtained.
【００５１】実施の形態５．つぎに、この発明の実施の
形態５について説明する。図８は、この実施の形態５で
ある光モジュールの概要構成を示す図である。図８にお
いて、この実施の形態５では、整合回路１３のキャパシ
タンス成分およびインダクタンス成分を、伝送線路基板
５上の金パターン８１および金パターン８２によって形
成し、整合回路１３のキャパシタンス成分として機能す
る金パターン８１、整合回路１３のインダクタンス成分
として機能する金パターン８２、および伝送線路として
機能する金パターン８は、各々接続されている。さら
に、金パターン８１の近傍には、いずれの金パターン
８，８１，８２に接続されていない金パターン８３が配
設されている。Embodiment 5 FIG. Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to the fifth embodiment. 8, in the fifth embodiment, the capacitance component and the inductance component of the matching circuit 13 are formed by the gold pattern 81 and the gold pattern 82 on the transmission line substrate 5, and the gold pattern functioning as the capacitance component of the matching circuit 13 is formed. The gold pattern 81 that functions as an inductance component of the matching circuit 13 and the gold pattern 8 that functions as a transmission line are connected to each other. Further, a gold pattern 83 that is not connected to any of the gold patterns 8, 81, 82 is disposed near the gold pattern 81.
【００５２】ここで、整合回路１３のキャパシタンス成
分として機能する金パターン８１と、その近傍に配設さ
れている金パターン８３とを、たとえば金細線７０で接
続した場合、整合回路１３のキャパシタンス値が変化す
ることになり、簡単な調整によって、プリアンプ１やフ
ォトダイオード素子２の特性のバラツキ、あるいは組立
時の金細線長のバラツキに応じて、柔軟に対応できるよ
うになる。これは歩留まりの向上につながる。なお、キ
ャパシタンス値の調整の手順としては、あらかじめ金パ
ターン８１と金パターン８３とを、金細線７０で接続し
ておき、調整時に金細線を切断するようにしてもよい。Here, when the gold pattern 81 functioning as a capacitance component of the matching circuit 13 and the gold pattern 83 disposed in the vicinity thereof are connected by, for example, a gold wire 70, the capacitance value of the matching circuit 13 becomes smaller. As a result, it is possible to flexibly cope with variations in the characteristics of the preamplifier 1 and the photodiode element 2 or variations in the gold wire length during assembly by simple adjustment. This leads to an improvement in yield. As a procedure for adjusting the capacitance value, the gold pattern 81 and the gold pattern 83 may be connected in advance by the gold wire 70, and the gold wire may be cut at the time of adjustment.
【００５３】この実施の形態５では、簡単な構成によっ
て、光モジュール６出力部の高周波反射減衰量を大きく
することができ、高周波特性に優れ、かつ高歩留まりで
安価な光モジュールを得ることができる。In the fifth embodiment, the high-frequency reflection attenuation of the output section of the optical module 6 can be increased by a simple configuration, and an inexpensive optical module having excellent high-frequency characteristics, high yield, and high yield can be obtained. .
【００５４】実施の形態６．つぎに、この発明の実施の
形態６について説明する。図９は、この発明の実施の形
態６である光モジュールの概要構成を示す図である。図
９において、この実施の形態６では、整合回路１３のキ
ャパシタンス成分およびインダクタンス成分を、伝送線
路基板５上の金パターン８１および金パターン８２によ
って形成し、整合回路１３のキャパシタンス成分として
機能する金パターン８１、整合回路１３のインダクタン
ス成分として機能する金パターン８２、および伝送線路
として機能する金パターン８は、各々接続されている。
さらに、金パターン８１と金パターン８２は、所望のキ
ャパシタンス値およびインダクタンス値が得られるパタ
ーンの大きさよりも若干大きめに形成されている。Embodiment 6 FIG. Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to Embodiment 6 of the present invention. 9, in the sixth embodiment, the capacitance component and the inductance component of the matching circuit 13 are formed by the gold pattern 81 and the gold pattern 82 on the transmission line substrate 5, and the gold pattern functioning as the capacitance component of the matching circuit 13 is formed. The gold pattern 81 that functions as an inductance component of the matching circuit 13 and the gold pattern 8 that functions as a transmission line are connected to each other.
Further, the gold pattern 81 and the gold pattern 82 are formed slightly larger than the size of the pattern that can obtain the desired capacitance value and inductance value.
【００５５】ここで、整合回路１３のキャパシタンス成
分として機能する金パターン８１と、整合回路１３のイ
ンダクタンス成分として機能する金パターン８２とが、
所望のキャパシタンス値およびインダクタンス値が得ら
れるパターンの大きさよりも若干大きめに形成されてい
るため、パターンをトリミングすることによって、キャ
パシタンス値は小さく、インダクタンス値は大きくなる
方向に調整することが可能となる。したがって、簡単な
調整によって、プリアンプ１やフォトダイオード素子２
の特性のバラツキ、あるいは組立時の金細線長のバラツ
キに応じて、柔軟に対応できるようになる。これは歩留
まりの向上につながる。Here, a gold pattern 81 functioning as a capacitance component of the matching circuit 13 and a gold pattern 82 functioning as an inductance component of the matching circuit 13 are:
Since the desired capacitance value and inductance value are formed to be slightly larger than the size of the pattern that can be obtained, by trimming the pattern, it is possible to adjust the capacitance value to be small and the inductance value to be increased. . Therefore, the preamplifier 1 and the photodiode element 2 can be easily adjusted.
Can be flexibly dealt with in accordance with the variation in the characteristics of the above or the variation in the gold wire length at the time of assembly. This leads to an improvement in yield.
【００５６】この実施の形態６では、簡単な構成によっ
て、光モジュール６出力部の高周波反射減衰量を大きく
することができ、高周波特性に優れ、かつ高歩留まりで
安価な光モジュールを得ることができる。In the sixth embodiment, with a simple structure, the high-frequency reflection attenuation of the output section of the optical module 6 can be increased, and an inexpensive optical module having excellent high-frequency characteristics, high yield, and high yield can be obtained. .
【００５７】実施の形態７．つぎに、この発明の実施の
形態７について説明する。図１０は、この発明の実施の
形態７である光モジュールの概要構成を示す図である。
図１０において、この実施の形態７では、プリアンプ１
の出力電極１１と、整合回路１３とを接続する金細線７
１，７２が、互いに近接して配設されている。Embodiment 7 FIG. Next, a seventh embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to Embodiment 7 of the present invention.
In FIG. 10, in the seventh embodiment, the preamplifier 1
Gold wire 7 connecting the output electrode 11 and the matching circuit 13
1, 72 are arranged close to each other.
【００５８】金細線７１，７２同士が近接して配設され
ている場合、各金細線７１，７２に電流を流すと相互イ
ンダクタンスが生じることが一般に知られている。ま
た、これらの金細線７１，７２に、それぞれ逆方向の電
流が流れる場合には、唯一の金細線が存在するときに生
じる自己インダクタンスから相互インダクタンスを差し
引いた値が、等価的にそれぞれの金細線に生じるインダ
クタンス値となる。この実施の形態７においては、プリ
アンプ１の2つの出力電極１１から差動の電気信号が出
力されるため、すなわち、それぞれ各金細線７１，７２
に逆方向の電流が出力されるため、金細線７１，７２同
士が近接しているほど相互インダクタンスが大きくな
り、それぞれの金細線７１，７２に生じる等価的なイン
ダクタンス値は小さくなり、高周波特性の劣化を抑制で
きる。従って、整合回路１３のキャパシタンス値および
インダクタンス値を小さくでき、もしくは整合回路１３
を不要にすることができる。When the gold wires 71 and 72 are arranged close to each other, it is generally known that a mutual inductance is generated when a current flows through each of the gold wires 71 and 72. When currents in opposite directions flow through the gold wires 71 and 72, respectively, the value obtained by subtracting the mutual inductance from the self-inductance generated when only one gold wire is present is equivalent to each gold wire. Is the inductance value generated at In the seventh embodiment, since a differential electric signal is output from the two output electrodes 11 of the preamplifier 1, that is, the gold wires 71 and 72 are respectively provided.
Is output in the opposite direction, the closer the gold wires 71 and 72 are to each other, the greater the mutual inductance becomes, the equivalent inductance value generated in each of the gold wires 71 and 72 becomes smaller, and the Deterioration can be suppressed. Therefore, the capacitance value and the inductance value of the matching circuit 13 can be reduced, or the matching circuit 13
Can be eliminated.
【００５９】この実施の形態７では、簡単な構成によっ
て、光モジュール６出力部の高周波反射減衰量を大きく
することができ、高周波特性に優れ、かつ安価な光モジ
ュールを得ることができる。In the seventh embodiment, the high-frequency reflection attenuation of the output section of the optical module 6 can be increased with a simple configuration, and an inexpensive optical module having excellent high-frequency characteristics can be obtained.
【００６０】[0060]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、プリアンプと伝送線路基板との間に、インピーダン
ス整合回路を設け、このインピーダンス整合回路のキャ
パシタンス値およびインダクタンス値を適切な値に設定
することによって、高周波におけるＳ２２特性を改善す
ることができ、光モジュール出力部の高周波反射減衰量
を大きくすることができるので、高周波特性に優れた光
モジュールを実現することができるという効果を奏す
る。As described above, according to the present invention, an impedance matching circuit is provided between a preamplifier and a transmission line substrate, and the capacitance value and the inductance value of the impedance matching circuit are set to appropriate values. As a result, the S22 characteristics at high frequencies can be improved, and the high-frequency reflection attenuation of the optical module output section can be increased, so that an optical module having excellent high-frequency characteristics can be realized.
【００６１】つぎの発明によれば、前記インピーダンス
整合回路を、グランドに対してキャパシタンス成分を有
する回路とし、光モジュール出力部における高周波反射
減衰量を大きくすることができるので、簡易な構成によ
って、高周波特性に優れた光モジュールを実現すること
ができるという効果を奏する。According to the next invention, the impedance matching circuit is a circuit having a capacitance component with respect to the ground, and the amount of high-frequency reflection attenuation at the optical module output section can be increased. There is an effect that an optical module having excellent characteristics can be realized.
【００６２】つぎの発明によれば、前記インピーダンス
整合回路を、グランドに対してキャパシタンス成分を有
するとともに、直列にインダクタンス成分を有する回路
とし、高周波におけるインピーダンス整合を確実に行う
ようにしているので、高周波特性に優れた光モジュール
を実現することができるという効果を奏する。According to the next invention, the impedance matching circuit has a capacitance component with respect to the ground and is a circuit having an inductance component in series, so that impedance matching at high frequencies is reliably performed. There is an effect that an optical module having excellent characteristics can be realized.
【００６３】つぎの発明によれば、前記インピーダンス
整合回路のキャパシタンス成分を、平行平板型のマイク
ロチップコンデンサによって具体的に形成するようにし
ているので、簡易な構成によって、高周波特性に優れ、
高い歩留まりをもった光モジュールを実現できるという
効果を奏する。According to the next invention, the capacitance component of the impedance matching circuit is specifically formed by a parallel plate type microchip capacitor.
This has the effect that an optical module having a high yield can be realized.
【００６４】つぎの発明によれば、前記マイクロチップ
コンデンサを、容量調整が可能なマイクロチップコンデ
ンサとし、最適なキャパシタンス成分に設定できるよう
にしているので、簡易な構成によって最適なキャパシタ
ンス成分を確実に設定でき、高周波特性に優れた光モジ
ュールを実現することができるという効果を奏する。According to the next invention, the microchip capacitor is a microchip capacitor whose capacity can be adjusted and can be set to an optimum capacitance component. Therefore, the optimum capacitance component can be reliably obtained with a simple configuration. There is an effect that an optical module that can be set and has excellent high-frequency characteristics can be realized.
【００６５】つぎの発明によれば、前記インピーダンス
整合回路のキャパシタンス成分を、前記伝送線路基板の
端部に配設された金属パターンによって形成するように
しているので、簡易な構成によって所望の最適なキャパ
シタンス成分を確実に設定でき、高周波特性に優れた光
モジュールを実現することができるという効果を奏す
る。According to the next invention, since the capacitance component of the impedance matching circuit is formed by the metal pattern disposed at the end of the transmission line substrate, a desired optimum configuration can be obtained with a simple configuration. This has the effect that the capacitance component can be reliably set and an optical module having excellent high-frequency characteristics can be realized.
【００６６】つぎの発明によれば、前記金属パターン
は、容量調整が可能なパターンとし、たとえば金属パタ
ーン自体の大きさを変化させ、あるいは隣接させた金属
パターンを並列接続させることによって、容量調整を行
うようにしているので、最適な容量調整を簡易かつ迅速
に行うことができ、高周波特性に優れた光モジュールを
実現することができるという効果を奏する。According to the next invention, the metal pattern is a pattern whose capacitance can be adjusted. For example, by changing the size of the metal pattern itself or by connecting adjacent metal patterns in parallel, the capacitance can be adjusted. Since the adjustment is performed, the optimum capacitance adjustment can be easily and quickly performed, and an effect that an optical module having excellent high frequency characteristics can be realized can be achieved.
【００６７】つぎの発明によれば、前記インピーダンス
整合回路のインダクタンス成分を、金属配線によって形
成し、長さ調整という簡易な方法によって最適なインダ
クタンスに調整するようにしているので、簡易な構成に
よって、高周波特性に優れた光モジュールを実現するこ
とができるという効果を奏する。According to the next invention, the inductance component of the impedance matching circuit is formed by metal wiring and adjusted to an optimum inductance by a simple method of length adjustment. There is an effect that an optical module having excellent high-frequency characteristics can be realized.
【００６８】つぎの発明によれば、前記インピーダンス
整合回路のインダクタンス成分を、前記伝送線路基板に
配設された金属パターンによって形成し、容易にインダ
クタンス成分量の調整を行うことができるようにしてい
るので、簡易な構成によって、容易に最適なインダクタ
ンス値に設定でき、その結果、高周波特性に優れた光モ
ジュールを実現することができるという効果を奏する。According to the next invention, the inductance component of the impedance matching circuit is formed by the metal pattern provided on the transmission line substrate, so that the amount of the inductance component can be easily adjusted. Therefore, it is possible to easily set the optimum inductance value with a simple configuration, and as a result, it is possible to realize an optical module having excellent high-frequency characteristics.
【００６９】つぎの発明によれば、前記プリアンプは、
差動信号を出力するが、この際、差動信号に対応して、
前記プリアンプと前記インピーダンス整合回路との間を
接続する一対の金属細線が、互いに近接して配置され、
相互インダクタンスを大きくし、それぞれの金細線に生
じる等価的なインダクタンス値を小さくし、これによっ
て高周波特性の劣化を抑制するようにしているので、イ
ンピーダンス整合回路のキャパシタンス値およびインダ
クタンス値を小さくでき、さらにはインピーダンス整合
回路を不要にし、簡易な構成によって、高周波特性に優
れ、かつ小型化された光モジュールを実現することがで
きるという効果を奏する。According to the next invention, the preamplifier
A differential signal is output. At this time, in response to the differential signal,
A pair of thin metal wires connecting between the preamplifier and the impedance matching circuit are arranged close to each other,
Since the mutual inductance is increased and the equivalent inductance value generated in each gold wire is reduced, thereby suppressing the deterioration of the high-frequency characteristics, the capacitance value and the inductance value of the impedance matching circuit can be reduced. Has an effect of eliminating the need for an impedance matching circuit, and realizing a small-sized optical module having excellent high-frequency characteristics with a simple configuration.
【図１】 この発明の実施の形態１である光モジュール
の概要構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示した光モジュールの等価回路を示す
回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the optical module shown in FIG.
【図３】 図１および図２に示した光モジュール出力部
の回路構成を変化させた場合の高周波反射減衰特性であ
るＳ２２特性をスミスチャートで示した概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram showing a Smith chart of an S22 characteristic as a high-frequency reflection attenuation characteristic when the circuit configuration of the optical module output unit shown in FIGS. 1 and 2 is changed.
【図４】 この発明の実施の形態２である光モジュール
の概要構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 図４に示した光モジュールの等価回路を示す
回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the optical module shown in FIG.
【図６】 この発明の実施の形態３である光モジュール
の概要構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to a third embodiment of the present invention.
【図７】 この発明の実施の形態４である光モジュール
の概要構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to a fourth embodiment of the present invention.
【図８】 この発明の実施の形態５である光モジュール
の概要構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to a fifth embodiment of the present invention.
【図９】 この発明の実施の形態６である光モジュール
の概要構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to a sixth embodiment of the present invention.
【図１０】 この発明の実施の形態７である光モジュー
ルの概要構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a schematic configuration of an optical module according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１１】 従来のモジュールの概要構成を示す図であ
る。FIG. 11 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional module.
【図１２】 図１１に示した光モジュールの等価回路を
示す回路図である。12 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the optical module shown in FIG.
１ プリアンプ、２ フォトダイオード素子、３ レン
ズ、４ 光ファイバ、５ 伝送線路基板、６ 光モジュ
ール、７，７０，７１，７２ 金細線、７ａ寄生インダ
クタンス、８，８１，８２，８３ 金パターン、９，１
１ 出力電極、１０ 入力電極、１１ａ 寄生キャパシ
タンス、１２ 入射光、１３ 整合回路、１４ マイク
ロチップコンデンサ、１０１ トランスインピーダンス
アンプ、１０２ 帰還抵抗、１０３ 差動アンプ、１０
４ エミッタフォロア、１０５整合抵抗、１３１ａ イ
ンダクタンス成分、１３２ａ キャパシタンス成分。1 preamplifier, 2 photodiode element, 3 lens, 4 optical fiber, 5 transmission line board, 6 optical module, 7, 70, 71, 72 gold wire, 7a parasitic inductance, 8, 81, 82, 83 gold pattern, 9, 1
Reference Signs List 1 output electrode, 10 input electrode, 11a parasitic capacitance, 12 incident light, 13 matching circuit, 14 microchip capacitor, 101 transimpedance amplifier, 102 feedback resistor, 103 differential amplifier, 10
4 Emitter follower, 105 matching resistance, 131a inductance component, 132a capacitance component.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/14 10/26 10/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04B 10/14 10/26 10/28
Claims (10)
入力された光信号を前記フォトダイオード素子に結合さ
せる結合光学系と、前記フォトダイオード素子によって
光電変換された電気信号を増幅するプリアンプと、この
電気信号を出力する伝送線路基板とを備えた光モジュー
ルにおいて、 前記プリアンプと前記伝送線路基板との間に設けられた
インピーダンス整合回路を備えたことを特徴とする光モ
ジュール。1. A photodiode element for photoelectric conversion,
An optical module comprising: a coupling optical system that couples an input optical signal to the photodiode element; a preamplifier that amplifies an electric signal photoelectrically converted by the photodiode element; and a transmission line substrate that outputs the electric signal. The optical module according to claim 1, further comprising an impedance matching circuit provided between the preamplifier and the transmission line substrate.
ドに対してキャパシタンス成分を有する回路であること
を特徴とする請求項１に記載の光モジュール。2. The optical module according to claim 1, wherein the impedance matching circuit is a circuit having a capacitance component with respect to a ground.
ドに対してキャパシタンス成分を有するとともに、直列
にインダクタンス成分を有する回路であることを特徴と
する請求項１に記載の光モジュール。3. The optical module according to claim 1, wherein said impedance matching circuit is a circuit having a capacitance component with respect to ground and an inductance component in series.
タンス成分は、平行平板型のマイクロチップコンデンサ
によって形成されることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか一つに記載の光モジュール。4. The optical module according to claim 1, wherein the capacitance component of the impedance matching circuit is formed by a parallel plate type microchip capacitor.
調整が可能なマイクロチップコンデンサであることを特
徴とする請求項４に記載の光モジュール。5. The optical module according to claim 4, wherein the microchip capacitor is a microchip capacitor whose capacity can be adjusted.
タンス成分は、前記伝送線路基板の端部に配設された金
属パターンによって形成されることを特徴とする請求項
１〜３のいずれか一つに記載の光モジュール。6. The device according to claim 1, wherein the capacitance component of the impedance matching circuit is formed by a metal pattern provided at an end of the transmission line substrate. Optical module.
パターンであることを特徴とする請求項６記載の光モジ
ュール。7. The optical module according to claim 6, wherein the metal pattern is a pattern whose capacitance can be adjusted.
タンス成分は、金属配線によって形成されることを特徴
とする請求項３〜７のいずれか一つに記載の光モジュー
ル。8. The optical module according to claim 3, wherein the inductance component of the impedance matching circuit is formed by a metal wiring.
タンス成分は、前記伝送線路基板に配設された金属パタ
ーンによって形成されることを特徴とする請求項３〜７
のいずれか一つに記載の光モジュール。9. The transmission device according to claim 3, wherein the inductance component of the impedance matching circuit is formed by a metal pattern disposed on the transmission line substrate.
The optical module according to any one of the above.
し、 前記差動信号に対応し、前記プリアンプと前記インピー
ダンス整合回路との間を接続する一対の金属細線を備
え、 前記一対の金属細線は、互いに近接していることを特徴
とする請求項１に記載の光モジュール。10. The preamplifier outputs a differential signal, and includes a pair of thin metal wires corresponding to the differential signal and connecting between the preamplifier and the impedance matching circuit. The optical module according to claim 1, wherein the optical modules are close to each other.
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134385A (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Yokogawa Electric Corp | Process for fabricating optical receiving module |
| JP2007294660A (en) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Opnext Japan Inc | Light receiving element module |
| JP2007335838A (en) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Hitachi Cable Ltd | Multi-channel optical receiving module |
| JP2009071369A (en) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Fuji Xerox Co Ltd | Optical signal transmission device and optical signal transmitter and receiver |
| WO2009072163A1 (en) | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Kyosemi Corporation | Photoelectric conversion module |
| JP2012065277A (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Ntt Docomo Inc | Optical receiver |
| US8936405B2 (en) | 2006-05-19 | 2015-01-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Multi-channel optical receiver module |
| CN107342819A (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-10 | 珠海天启技术有限公司 | Optical receiver and preparation method thereof, interior match circuit |
| WO2023240949A1 (en) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | Optical module |
-
2001
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134385A (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Yokogawa Electric Corp | Process for fabricating optical receiving module |
| JP2007294660A (en) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Opnext Japan Inc | Light receiving element module |
| JP2007335838A (en) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Hitachi Cable Ltd | Multi-channel optical receiving module |
| US8936405B2 (en) | 2006-05-19 | 2015-01-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Multi-channel optical receiver module |
| JP2009071369A (en) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Fuji Xerox Co Ltd | Optical signal transmission device and optical signal transmitter and receiver |
| US7750277B2 (en) | 2007-09-10 | 2010-07-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical signal transmitting apparatus, optical signal transmitting device, and optical signal receiving device |
| WO2009072163A1 (en) | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Kyosemi Corporation | Photoelectric conversion module |
| JP2012065277A (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Ntt Docomo Inc | Optical receiver |
| CN107342819A (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-10 | 珠海天启技术有限公司 | Optical receiver and preparation method thereof, interior match circuit |
| WO2023240949A1 (en) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | Optical module |
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