JP2002353148A - System and method for processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基体を反応容器内
に設けられた複数の基体支持手段にそれぞれ設置し、基
体支持手段に設けられた基体加熱手段によって加熱を含
めた処理を基体に施す基体処理装置及び基体処理方法に
関し、特に、プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成に適し
た基体処理装置及び基体処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for mounting a substrate on a plurality of substrate supporting means provided in a reaction vessel, and subjecting the substrate to a treatment including heating by a substrate heating means provided on the substrate supporting means. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing apparatus and a substrate processing method suitable for forming a deposited film by a plasma CVD method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的に、基体にエッチング処理、アニ
ール処理、熱ＣＶＤ処理及びプラズマＣＶＤ処理等の基
体加熱を伴う基体処理を施す場合においては、基体処理
中の基体温度によって処理特性が大きく左右される。2. Description of the Related Art Generally, when a substrate is subjected to substrate processing such as etching, annealing, thermal CVD, or plasma CVD, which is accompanied by substrate heating, processing characteristics largely depend on the substrate temperature during substrate processing. Is done.
【０００３】そのため、上述したような処理を行う従来
の基体処理装置においては、基体処理中の基体温度を精
度よくコントロールするために、例えば、基体処理中
に、基体加熱手段における加熱温度もしくは基体温度を
測定し、その測定結果を基体加熱手段に接続された温度
コントローラー等にフィードバックして、基体加熱手段
へ供給される電力を調整する手段等が採用されている。
それにより、基体処理中の基体温度を精度良くコントロ
ールすることが可能となり、所望の処理特性を得てい
る。Therefore, in a conventional substrate processing apparatus for performing the above-described processing, in order to accurately control the substrate temperature during the substrate processing, for example, the heating temperature of the substrate heating means or the substrate temperature during the substrate processing. Is measured, and the measurement result is fed back to a temperature controller or the like connected to the substrate heating means to adjust power supplied to the substrate heating means.
This makes it possible to accurately control the temperature of the substrate during the substrate processing, and obtain desired processing characteristics.
【０００４】以下に、従来の基体温度制御方法を用いた
基体処理装置及び基体処理方法の一例を説明する。An example of a substrate processing apparatus and a substrate processing method using a conventional substrate temperature control method will be described below.
【０００５】図８は、従来の基体温度制御方法を用いた
基体処理装置となるプラズマＣＶＤ法による電子写真用
感光体の製造装置の代表例を示す模式的な構成図であ
り、（ａ）は内部構造を横から見た図、（ｂ）は内部構
造を上から見た図である。また、図９は、図８に示した
基体処理装置のブロック構成図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a typical example of an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member by a plasma CVD method as a substrate processing apparatus using a conventional substrate temperature control method. FIG. 2B is a diagram of the internal structure viewed from the side, and FIG. FIG. 9 is a block diagram of the substrate processing apparatus shown in FIG.
【０００６】図８及び図９に示すように本従来例におい
ては、基体１０１を収納するための反応容器１０２内
に、複数の原料ガス導入手段１０４と、基体１０１が設
置される放電電極を兼ね、基体加熱ヒーター１０６を内
包するように配置され、回転機構１１１によって回転可
能な複数の基体支持手段１０５と、複数のプラズマ発生
用高周波電極１０３とが、反応容器１０２と同じ中心軸
を持つ円周上に配置されている。また、原料ガス導入手
段１０４に加熱用ガスを供給するためのガス配管１０７
と、反応容器１０２内の圧力を測定する圧力測定手段１
０８と、圧力測定手段１０８における測定結果に基づい
て反応容器１０２内の圧力を制御するためのスロットル
バルブ１０９と、基体加熱ヒーター１０６の温度を測定
する温度測定手段３０１と、基体加熱ヒーター１０６を
加熱するための電力を供給する電力供給手段１１３と、
温度測定手段３０１における測定結果に基づいて、電力
供給手段１１３から供給された電力の基体加熱ヒーター
１０６への供給を、基体加熱ヒーター１０６の温度が予
め決められた温度になるように制御する温度コントロー
ラー３０２と、高周波電源１１０と、整合回路１１２と
が設けられている。As shown in FIGS. 8 and 9, in the conventional example, a plurality of source gas introducing means 104 and a discharge electrode on which the substrate 101 is installed are provided in a reaction vessel 102 for accommodating the substrate 101. A plurality of substrate support means 105 arranged so as to include the substrate heater 106 and rotatable by the rotation mechanism 111, and a plurality of plasma generating high-frequency electrodes 103 are arranged on a circumference having the same central axis as the reaction vessel 102. Is placed on top. Also, a gas pipe 107 for supplying a heating gas to the raw material gas introducing means 104.
And pressure measuring means 1 for measuring the pressure in the reaction vessel 102
08, a throttle valve 109 for controlling the pressure in the reaction vessel 102 based on the measurement result of the pressure measuring means 108, a temperature measuring means 301 for measuring the temperature of the substrate heater 106, and heating the substrate heater 106. Power supply means 113 for supplying power for performing
A temperature controller that controls the supply of the electric power supplied from the electric power supply unit 113 to the base heater 106 based on the measurement result in the temperature measurement unit 301 so that the temperature of the base heater 106 becomes a predetermined temperature. 302, a high-frequency power supply 110, and a matching circuit 112 are provided.
【０００７】以下に、上記のように構成された基体処理
装置における基体処理方法について説明する。Hereinafter, a substrate processing method in the substrate processing apparatus configured as described above will be described.
【０００８】まず、反応容器１０２内に基体１０１を設
置した後、排気装置（例えば真空ポンプ）を用いて反応
容器１０２内を真空引きする。反応容器１０２内を十分
排気した後、ガス供給装置（不図示）内のＨｅ、Ｎ2、
Ａｒ及びＨ2等のガスボンベから供給されるうちの必要
とされる加熱用ガスを、圧力調整器及びマスフローコン
トローラー等を介することにより適切な流量に調節し、
ガス配管１０７及び原料ガス導入手段１０４を介して反
応容器１０２内に送り込む。First, after the substrate 101 is set in the reaction vessel 102, the inside of the reaction vessel 102 is evacuated using an exhaust device (for example, a vacuum pump). After sufficiently exhausting the inside of the reaction vessel 102, He, N 2 ,
The required heating gas which is among supplied from the gas cylinder 2 such as Ar and H, was adjusted to an appropriate flow rate by passing through a pressure regulator and a mass flow controller or the like,
The gas is fed into the reaction vessel 102 via the gas pipe 107 and the raw material gas introducing means 104.
【０００９】加熱用ガス導入後の反応容器１０２内の圧
力を圧力測定手段１０８によって測定し、スロットルバ
ルブ１０９の開度を調節すること等によって、反応容器
１０２内の圧力を所定の値に制御する。The pressure in the reaction vessel 102 after the introduction of the heating gas is measured by the pressure measuring means 108, and the pressure in the reaction vessel 102 is controlled to a predetermined value by adjusting the opening of the throttle valve 109 or the like. .
【００１０】所定の基体加熱環境が整ったところで、基
体１０１を基体加熱ヒーター１０６によって間接的に所
定の温度にまで加熱する。なお、基体１０１の加熱中
は、各々の基体加熱ヒーター１０６に設置された温度測
定手段３０１によって、基体加熱ヒーター１０６の温度
を測定し、測定結果を基体加熱ヒーター１０６各々に接
続された温度コントローラー３０２にフィードバックす
ることよって、各々の基体加熱ヒーター１０６への出力
電圧を個別に調整し、それぞれの基体加熱ヒーター１０
６の温度が予め決められた温度になるようにする。また
は、基体１０１もしくは基体１０１近傍に温度測定手段
３０１を直接設置し、測定結果を基体加熱ヒーター１０
６各々に接続された温度コントローラー３０２にフィー
ドバックすることよって、各々の基体加熱ヒーター１０
６への出力電圧を個別に調整する。When a predetermined substrate heating environment is established, the substrate 101 is indirectly heated to a predetermined temperature by the substrate heater 106. During the heating of the substrate 101, the temperature of the substrate heater 106 is measured by the temperature measuring means 301 installed in each substrate heater 106, and the measurement result is sent to the temperature controller 302 connected to each of the substrate heaters 106. The output voltage to each of the substrate heaters 106 is individually adjusted by feedback to the respective substrate heaters 10.
The temperature of 6 is set to a predetermined temperature. Alternatively, the temperature measuring means 301 is directly installed on the base 101 or in the vicinity of the base 101, and the measurement result is transmitted to the base heater 10
6 by feeding back to the temperature controller 302 connected to each,
Adjust the output voltage to 6 individually.
【００１１】所定の加熱終了後、ガス供給装置内のＳｉ
Ｈ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等のガスボンベから供
給されるうちの必要とされる堆積膜形成用ガスを、圧力
調整器及びマスフローコントローラー等を介することに
より適切な流量に調節し、ガス配管１０７及び原料ガス
導入手段１０４を介して反応容器１０２内に送り込む。After the completion of the predetermined heating, the Si in the gas supply device is
A necessary deposition film forming gas supplied from a gas cylinder, such as H 4 , H 2 , CH 4 , B 2 H 6 , PH 3, is supplied through a pressure regulator, a mass flow controller or the like to an appropriate flow rate. And fed into the reaction vessel 102 via the gas pipe 107 and the raw material gas introducing means 104.
【００１２】堆積膜形成用ガス導入後の反応容器１０２
内の圧力を圧力測定手段１０８によって測定し、スロッ
トルバルブ１０９の開度を調節すること等によって、反
応容器１０２内の圧力を所定の値に制御する。Reaction vessel 102 after introduction of gas for forming a deposited film
The pressure in the reaction vessel 102 is controlled to a predetermined value by measuring the pressure in the reaction vessel 102 by adjusting the opening of the throttle valve 109 or the like.
【００１３】所定の堆積膜形成環境が整ったところで、
高周波電源１１０を接続し、整合回路１１２及びプラズ
マ発生用高周波電極１０３を通じてＶＨＦ電力を反応容
器１０２内に導入し、プラズマを生起する。このプラズ
マにより堆積膜形成用ガスが分解され、基体１０１上に
堆積膜が形成される。この堆積膜形成中においても、必
要に応じて基体加熱ヒーター１０６によって基体１０１
を加熱する場合においては、基体加熱ヒーター１０６に
設置された温度測定手段３０１によって、基体加熱ヒー
ターの温度を測定し、測定結果を基体加熱ヒーター１０
６各々に接続された温度コントローラー３０２にフィー
ドバックすることよって、各々の基体加熱ヒーター１０
６への出力電圧を個別に調整し、それぞれの基体加熱ヒ
ーター１０６の温度が予め定められた温度になるように
する。または、基体１０１もしくは基体１０１近傍に温
度測定手段３０１を直接設置し、測定結果を基体加熱ヒ
ーター１０６各々に接続された温度コントローラー３０
２にフィードバックすることよって、各々の基体加熱ヒ
ーター１０６への出力電圧を個別に調整し、所定の温度
に基体１０１を加熱する。When a predetermined deposited film forming environment is prepared,
A high-frequency power supply 110 is connected, and VHF power is introduced into the reaction vessel 102 through a matching circuit 112 and a plasma-generating high-frequency electrode 103 to generate plasma. The gas for forming a deposited film is decomposed by the plasma, and a deposited film is formed on the substrate 101. Even during the formation of the deposited film, the substrate 101 is heated by the substrate heater 106 as necessary.
When heating the substrate heater 106, the temperature of the substrate heater is measured by the temperature measuring means 301 installed in the substrate heater 106, and the measurement result is transmitted to the substrate heater 10.
6 by feeding back to the temperature controller 302 connected to each,
6 are individually adjusted so that the temperature of each of the substrate heaters 106 becomes a predetermined temperature. Alternatively, the temperature measuring means 301 is directly installed on the base 101 or in the vicinity of the base 101, and the measurement result is sent to the temperature controller 30 connected to each of the base heaters 106.
2, the output voltage to each of the substrate heaters 106 is individually adjusted, and the substrate 101 is heated to a predetermined temperature.
【００１４】上述した基体処理装置及び基体処理方法に
より、基体処理中の基体温度を精度よくコントロールす
ることが可能となり、所望の基体処理特性を得ることが
できる。With the above-described substrate processing apparatus and substrate processing method, it is possible to precisely control the substrate temperature during substrate processing, and to obtain desired substrate processing characteristics.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】例えば、プラズマＣＶ
Ｄ法において電子写真用感光体を作成する場合等におい
ては、近年、電子写真用感光体を搭載する複写機の低価
格化が進み、それに伴い電子写真用感光体自体の製造コ
ストも大幅に下げることが要求され、電子写真用感光体
製造装置自体のコストダウンも必要とされている。その
ため、製造コストを下げることを目的として、図８に示
したように、１つの反応容器に複数の基体支持手段を設
置し、複数の基体を同時に処理可能な基体処理装置が使
用されている。For example, a plasma CV
In the case of producing an electrophotographic photosensitive member by the method D, in recent years, the cost of copying machines equipped with the electrophotographic photosensitive member has been reduced, and the manufacturing cost of the electrophotographic photosensitive member itself has been drastically reduced. Therefore, it is necessary to reduce the cost of the electrophotographic photoconductor manufacturing apparatus itself. Therefore, as shown in FIG. 8, for the purpose of reducing the manufacturing cost, a plurality of substrate supporting means are installed in one reaction vessel, and a substrate processing apparatus capable of simultaneously processing a plurality of substrates is used.
【００１６】しかしながら、図８及び図９に示したもの
においては、上述したような温度制御を行うために複数
の温度コントローラー等を設ける必要があり、コストの
低減を図ることが困難となる要因が生じてしまうという
問題点がある。However, in the apparatus shown in FIGS. 8 and 9, it is necessary to provide a plurality of temperature controllers and the like in order to perform the above-described temperature control, and it is difficult to reduce the cost. There is a problem that it occurs.
【００１７】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みてなされたものであって、コストの低
減を図りながらも、基体温度を精度よく所望の値に維持
することができる基体処理装置及び基体処理方法を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and can maintain the substrate temperature at a desired value accurately while reducing the cost. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、所定の処理を行う基体が内部に設置可能に
構成された反応容器と、前記反応容器内に設けられ、前
記基体を支持するための複数の基体支持手段と、前記複
数の基体支持手段のそれぞれに設けられ、前記基体を加
熱するための複数の基体加熱手段と、前記複数の基体加
熱手段に電力を供給する電力供給手段とを少なくとも有
し、前記電力供給手段から供給される電力によって前記
基体加熱手段にて前記基体が加熱される基体処理装置に
おいて、前記電力供給手段から供給される電力の前記基
体加熱手段への供給を予め決められた量に制限する一つ
の電力調整手段と、該電力を前記複数の基体加熱手段に
分割して供給する電力分岐手段とを有することを特徴と
する。In order to achieve the above object, the present invention provides a reaction vessel in which a substrate for performing a predetermined process can be installed, and a reaction vessel provided in the reaction vessel. A plurality of substrate supporting means for supporting, a plurality of substrate heating means provided on each of the plurality of substrate supporting means for heating the substrate, and a power supply for supplying power to the plurality of substrate heating means Means for heating the substrate by the substrate heating means by the power supplied from the power supply means, wherein the power supplied from the power supply means is supplied to the substrate heating means. It is characterized by having one power adjusting means for limiting the supply to a predetermined amount, and a power branching means for dividing and supplying the power to the plurality of substrate heating means.
【００１９】また、前記反応容器内にプラズマを生成さ
せるための電力を供給する高周波発生手段を有すること
を特徴とする。Further, it is characterized by having a high frequency generating means for supplying electric power for generating plasma in the reaction vessel.
【００２０】また、前記基体加熱手段と前記基体支持手
段及び／または前記基体間の熱伝導効率を調整する熱伝
導効率調整手段を有することを特徴とする。Further, the apparatus is characterized in that the apparatus further comprises heat conduction efficiency adjusting means for adjusting the heat conduction efficiency between the substrate heating means and the substrate supporting means and / or the substrate.
【００２１】また、前記熱伝導効率調整手段は、前記基
体加熱手段の表面積を調整することを特徴とする。Further, the heat conduction efficiency adjusting means adjusts a surface area of the substrate heating means.
【００２２】また、前記熱伝導効率調整手段は、前記基
体加熱手段と前記基体支持体及び／または前記基体間の
距離を調整することを特徴とする。Further, the heat conduction efficiency adjusting means adjusts a distance between the substrate heating means and the substrate support and / or the substrate.
【００２３】また、所定の処理を行う基体を、該基体を
加熱するための複数の基体加熱手段が設けられた反応容
器内に設置し、前記複数の基体加熱手段に一つの電力供
給手段から電力を供給することにより前記基体を加熱す
る基体処理方法であって、前記電力供給手段から供給さ
れる電力の前記基体加熱手段への供給を予め決められた
量に制限するとともに該電力を前記複数の基体加熱手段
に分割して供給することを特徴とする。Further, a substrate for performing a predetermined treatment is installed in a reaction vessel provided with a plurality of substrate heating means for heating the substrate, and the plurality of substrate heating means is supplied with electric power from one power supply means. A substrate processing method of heating the substrate by supplying the power to the substrate heating means with the power supplied from the power supply means to a predetermined amount and reducing the power to the plurality of substrates. It is characterized in that it is divided and supplied to the substrate heating means.
【００２４】また、前記反応容器内に電力を供給してプ
ラズマを生成することにより前記基体に対して前記所定
の処理を行うことを特徴とする。Further, the predetermined processing is performed on the substrate by supplying electric power into the reaction vessel to generate plasma.
【００２５】また、前記反応容器内に供給される前記電
力が高周波電力であり、前記電力の周波数が１０ＭＨｚ
以上２５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする。The power supplied to the reaction vessel is high-frequency power, and the frequency of the power is 10 MHz.
The frequency is not less than 250 MHz.
【００２６】また、前記基体加熱手段と前記基体支持手
段及び／または前記基体間の熱伝導効率を調整すること
を特徴とする。Further, the heat conduction efficiency between the substrate heating means and the substrate supporting means and / or the substrate is adjusted.
【００２７】また、前記基体加熱手段の表面積を調整す
ることにより、前記基体加熱手段と前記基体支持手段及
び／または前記基体間の熱伝導効率を調整することを特
徴とする。Further, the heat transfer efficiency between the substrate heating means and the substrate supporting means and / or the substrate is adjusted by adjusting the surface area of the substrate heating means.
【００２８】また、前記基体加熱手段と前記基体支持手
段及び／または前記基体間の距離を調整することによ
り、前記基体加熱手段と前記基体支持手段及び／または
前記基体間の熱伝導効率を調整することを特徴とする。Further, by adjusting the distance between the substrate heating means and the substrate supporting means and / or the substrate, the heat conduction efficiency between the substrate heating means and the substrate supporting means and / or the substrate is adjusted. It is characterized by the following.
【００２９】また、前記基体加熱手段と前記基体支持手
段及び／または前記基体間に熱伝導効率を調整するため
の部材を設置し、その材質を変えることにより、前記基
体加熱手段と前記基体支持手段及び／または前記基体間
の熱伝導効率を調整することを特徴とする。Further, a member for adjusting the heat conduction efficiency is provided between the substrate heating means and the substrate supporting means and / or the substrate, and the material thereof is changed so that the substrate heating means and the substrate supporting means are changed. And / or adjusting the heat conduction efficiency between the substrates.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態及び作用】以下に、本発明の実施の
形態について図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００３１】図１は、本発明の基体処理装置の実施の一
形態を示す、プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体
の製造装置の代表例を示す模式的な構成図であり、
（ａ）は内部構造を横から見た図、（ｂ）は内部構造を
上から見た図である。また、図２は、図１に示した基体
処理装置のブロック構成図である。FIG. 1 is a schematic structural view showing a typical example of an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member by a plasma CVD method, showing one embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
(A) is the figure which looked at the internal structure from the side, (b) is the figure which looked at the internal structure from the top. FIG. 2 is a block diagram of the substrate processing apparatus shown in FIG.
【００３２】図１及び図２に示すように本形態において
は、基体１０１を収納するための反応容器１０２内に、
複数の原料ガス導入手段１０４と、基体１０１が設置さ
れる放電電極を兼ね、基体加熱ヒーター１０６を内包す
るように配置され、回転機構１１１によって回転可能な
複数の基体支持手段１０５と、複数のプラズマ発生用高
周波電極１０３とが、反応容器１０２と同じ中心軸を持
つ円周上に配置されている。また、原料ガス導入手段１
０４に加熱用ガスを供給するためのガス配管１０７と、
反応容器１０２内の圧力を測定する圧力測定手段１０８
と、圧力測定手段１０８における測定結果に基づいて反
応容器１０２内の圧力を制御するためのスロットルバル
ブ１０９と、基体加熱ヒーター１０６を加熱するための
電力を供給する電力供給手段１１３と、電力供給手段１
１３から供給された電力の基体加熱ヒーター１０６への
供給を、基体加熱ヒーター１０６の温度が予め決められ
た温度になるように制御し、基体加熱ヒーター１０６に
分配供給する電力調整手段１１４及び電力分岐手段１１
５と、高周波電源１１０と、整合回路１１２とが設けら
れている。ここで、高周波電源１１０、整合回路１１２
及びプラズマ発生用高周波電極１０３によって高周波発
生手段を構成している。As shown in FIGS. 1 and 2, in the present embodiment, a reaction vessel 102 for accommodating a base 101 is provided with:
A plurality of substrate support means 105, which also serve as a plurality of source gas introducing means 104, serve as a discharge electrode on which the substrate 101 is installed, and include a substrate heater 106, and which can be rotated by a rotation mechanism 111, The generating high-frequency electrode 103 is arranged on a circumference having the same central axis as the reaction vessel 102. In addition, source gas introduction means 1
A gas pipe 107 for supplying a heating gas to the gas supply line 04;
Pressure measuring means 108 for measuring the pressure in reaction vessel 102
A throttle valve 109 for controlling the pressure in the reaction vessel 102 based on the measurement result of the pressure measuring means 108, a power supply means 113 for supplying power for heating the substrate heater 106, and a power supply means. 1
The power supplied from the power supply 13 to the substrate heating heater 106 is controlled so that the temperature of the substrate heating heater 106 becomes a predetermined temperature, and the power adjusting means 114 and the power branch for supplying and supplying the power to the substrate heating heater 106 are controlled. Means 11
5, a high-frequency power supply 110, and a matching circuit 112. Here, the high frequency power supply 110 and the matching circuit 112
The high-frequency electrode 103 for plasma generation constitutes a high-frequency generator.
【００３３】以下に、上記のように構成された基体処理
装置における基体処理方法について説明する。Hereinafter, a substrate processing method in the substrate processing apparatus configured as described above will be described.
【００３４】まず、反応容器１０２内に基体１０１を設
置した後、排気装置（例えば真空ポンプ）を用いて反応
容器１０２内を真空引きする。反応容器１０２内を十分
排気した後、ガス供給装置（不図示）内のＨｅ、Ｎ2、
Ａｒ及びＨ2等のガスボンベから供給されるうちの必要
とされる加熱用ガスを、圧力調整器及びマスフローコン
トローラー等を介することにより適切な流量に調節し、
ガス配管１０７及び原料ガス導入手段１０４を介して反
応容器１０２内に送り込む。First, after the substrate 101 is set in the reaction vessel 102, the inside of the reaction vessel 102 is evacuated using an exhaust device (for example, a vacuum pump). After sufficiently exhausting the inside of the reaction vessel 102, He, N 2 ,
The required heating gas which is among supplied from the gas cylinder 2 such as Ar and H, was adjusted to an appropriate flow rate by passing through a pressure regulator and a mass flow controller or the like,
The gas is fed into the reaction vessel 102 via the gas pipe 107 and the raw material gas introducing means 104.
【００３５】加熱用ガス導入後の反応容器１０２内の圧
力を圧力測定手段１０８によって測定し、スロットルバ
ルブ１０９の開度を調節すること等によって、反応容器
１０２内の圧力を所定の値に制御する。The pressure in the reaction vessel 102 after the introduction of the heating gas is measured by the pressure measuring means 108, and the pressure in the reaction vessel 102 is controlled to a predetermined value by adjusting the opening of the throttle valve 109 or the like. .
【００３６】所定の基体加熱環境が整ったところで、基
体１０１を基体加熱ヒーター１０６によって間接的に所
定の温度にまで加熱する。基体加熱中は、１つの電力供
給手段１１３より供給された電力を、１つの電力調整手
段１１４によって予め決められた値に調整し、電力分岐
手段１１５によって基体加熱ヒーター１０６と同等数に
分岐した後、それぞれの基体加熱ヒーター１０６に供給
する。When a predetermined substrate heating environment is established, the substrate 101 is indirectly heated to a predetermined temperature by the substrate heater 106. During the heating of the substrate, the power supplied from one power supply unit 113 is adjusted to a predetermined value by one power adjustment unit 114, and the power is split by the power branching unit 115 into the same number as the substrate heater 106. Are supplied to the respective substrate heaters 106.
【００３７】所定の加熱終了後、ガス供給装置内のＳｉ
Ｈ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等のガスボンベから供
給されるうちの必要とされる堆積膜形成用ガスを、圧力
調整器及びマスフローコントローラー等を介することに
より適切な流量に調節し、ガス配管１０７及び原料ガス
導入手段１０４を介して、反応容器１０２内に送り込
む。堆積膜形成用ガス導入後の反応容器１０２内の圧力
を圧力測定手段１０８によって測定し、スロットルバル
ブ１０９の開度を調節すること等によって、所定の値に
制御する。After the predetermined heating is completed, the Si in the gas supply device is
A necessary deposition film forming gas supplied from a gas cylinder, such as H 4 , H 2 , CH 4 , B 2 H 6 , PH 3, is supplied through a pressure regulator, a mass flow controller or the like to an appropriate flow rate. And sent into the reaction vessel 102 via the gas pipe 107 and the raw material gas introducing means 104. The pressure in the reaction vessel 102 after the introduction of the deposition film forming gas is measured by the pressure measuring means 108, and the pressure is controlled to a predetermined value by adjusting the opening of the throttle valve 109 or the like.
【００３８】所定の堆積膜形成環境が整ったところで、
高周波電源１１０を接続し、整合回路１１２及びプラズ
マ発生用高周波電極１０３を通じてＶＨＦ電力を反応容
器１０２内に導入し、プラズマを生起する。該プラズマ
により堆積膜形成用ガスが分解され、基体１０１上に堆
積膜が形成される。堆積膜形成中においても必要に応じ
て基体加熱ヒーター１０６によって基体１０１を加熱す
る場合においては、１つの電力供給手段１１３より供給
された電力を、１つの電力調整手段１１４によって予め
決められた値に調整し、電力分岐手段１１５によって基
体加熱ヒーター１０６と同等数に分岐した後、それぞれ
の基体加熱ヒーター１０６に供給する。When a predetermined deposited film forming environment is prepared,
A high-frequency power supply 110 is connected, and VHF power is introduced into the reaction vessel 102 through a matching circuit 112 and a plasma-generating high-frequency electrode 103 to generate plasma. The gas for forming a deposited film is decomposed by the plasma, and a deposited film is formed on the substrate 101. When the substrate 101 is heated by the substrate heater 106 as needed even during the formation of the deposited film, the power supplied from one power supply unit 113 is changed to a value predetermined by one power adjustment unit 114. After being adjusted and branched into the same number as the substrate heaters 106 by the power branching means 115, they are supplied to the respective substrate heaters 106.
【００３９】（作用）このように、１つの電力調整手段
によって複数の基体加熱手段を一括に制御することによ
り、従来の方法と比較して大幅なコストダウンを実現す
ることができる。(Operation) As described above, by controlling a plurality of substrate heating means collectively by one power adjusting means, a significant cost reduction can be realized as compared with the conventional method.
【００４０】また、本発明においては、温度測定手段
を、基体加熱手段、基体もしくは基体近傍に設置するこ
とにより、基体加熱中の温度を監視しながら基体加熱を
実施しても良いが、所望の基体温度になる電力調整手段
の設定値を予め算出しておけば、常時温度を監視する必
要はないので、コスト面を考慮すると、温度測定手段を
設置しないことがより好ましい。In the present invention, the substrate may be heated while monitoring the temperature during the heating of the substrate by installing the temperature measuring means in the substrate heating means, the substrate or in the vicinity of the substrate. If the set value of the power adjusting means for obtaining the substrate temperature is calculated in advance, it is not necessary to constantly monitor the temperature. Therefore, considering the cost, it is more preferable not to provide the temperature measuring means.
【００４１】また、本発明の基体処理装置及び基体処理
方法は、反応容器内にプラズマを生成することにより基
体処理を実施する場合においてより効果的である。それ
は、本発明においては、電力供給手段１１３によって供
給された電力を電力調整手段１１４によって一括に制御
した後に、電力分岐手段１１５によって該電力を分岐し
て複数の基体加熱ヒーター１０６に供給するために、基
体加熱ヒーター１０６の、例えば抵抗値等の微妙な個体
差によって、基体１０１間に微妙な基体温度のばらつき
が生じ、そのため基体処理特性に微妙なばらつきが生じ
る場合があるものの、プラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成に代表されるように、反応容器内にプラズマを生成さ
せることによって基体処理を実施する場合においては、
プラズマによる基体処理の前準備である基体加熱の段階
では、基体間に微妙な基体温度のばらつきが生じたとし
ても、基体加熱後にプラズマによる基体処理を実施する
段階においては、基体１０１は基体加熱ヒーター１０６
とプラズマの双方によって加熱されるために、基体処理
の進行と共に基体１０１間の温度のばらつきがより小さ
くなるからである。Further, the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are more effective when performing the substrate processing by generating plasma in the reaction vessel. This is because, in the present invention, after the power supplied by the power supply unit 113 is controlled collectively by the power adjustment unit 114, the power is branched by the power branching unit 115 and supplied to the plurality of substrate heaters 106. Although slight variations in the substrate temperature may occur between the substrates 101 due to slight individual differences in, for example, the resistance value of the substrate heater 106, there may be slight variations in the substrate processing characteristics. When substrate processing is performed by generating plasma in a reaction vessel, as typified by deposition film formation,
In the stage of heating the substrate, which is a preparation for the substrate processing by the plasma, even if slight variations in the substrate temperature occur between the substrates, in the stage of performing the substrate processing by the plasma after the substrate is heated, the substrate 101 is heated by the substrate heater. 106
This is because the temperature variation between the substrates 101 becomes smaller with the progress of the substrate processing.
【００４２】さらに、プラズマを生成するために反応容
器１０２内に供給される電力の周波数が１０ＭＨｚ以上
になると、プラズマによる基体加熱の影響はさらに大き
くなるために、基体加熱ヒーター１０６に起因する基体
１０１間の温度のばらつきがより小さくなるのでより好
ましい。Further, when the frequency of the electric power supplied into the reaction vessel 102 for generating the plasma becomes 10 MHz or more, the influence of the substrate heating by the plasma is further increased. This is more preferable because the variation in temperature between them becomes smaller.
【００４３】しかしながら、プラズマを生成するために
反応容器１０２内に供給される電力の周波数が２５０Ｍ
Ｈｚを超えると、電界分布が不均一になり、それに付随
して、プラズマの分布も不均一となる。よって、プラズ
マ分布の不均一さのために、プラズマ加熱を受けている
基体温度にもムラが生じ、実用上問題となる基体処理特
性ムラを生じる場合がある。However, the frequency of the electric power supplied into the reaction vessel 102 for generating the plasma is 250 MHz.
Above Hz, the electric field distribution becomes non-uniform, and concomitantly the plasma distribution becomes non-uniform. Therefore, due to the non-uniformity of the plasma distribution, the temperature of the substrate subjected to the plasma heating may also be uneven, which may cause unevenness in the substrate processing characteristics which is a practical problem.
【００４４】また、本発明においては、基体加熱ヒータ
ー１０６と基体支持手段１０５及び／または基体１０１
間の伝導効率を調整する伝導効率調整手段を設置するこ
とにより、基体１０１間の基体温度のばらつきを容易に
補正することが可能となり、コストダウンを実現した上
で、基体処理特性のばらつきを防止することができる。In the present invention, the substrate heater 106 and the substrate supporting means 105 and / or the substrate 101
By installing the conduction efficiency adjusting means for adjusting the conduction efficiency between the substrates 101, it is possible to easily correct the variation in the substrate temperature between the substrates 101, and realize the cost reduction and prevent the variation in the substrate processing characteristics. can do.
【００４５】本発明における、基体加熱ヒーター１０６
と基体支持手段１０５及び／または基体１０１間の熱伝
導効率を調整する手段としては、特に制限されるもので
はないが、例えば、基体加熱ヒーター１０６の表面積を
調整する手段や、基体加熱ヒーター１０６と基体支持手
段１０５及び／または基体１０１間の距離を調整する手
段等が挙げられる。また、基体加熱ヒーター１０６と基
体支持手段１０５及び／または基体１０１間に材質の異
なる部材を設置することによって、基体加熱ヒーター１
０６と基体支持手段１０５及び／または基体１０１間の
熱伝導効率を調整しても良い。In the present invention, the substrate heater 106 is used.
The means for adjusting the heat conduction efficiency between the substrate support means 105 and / or the substrate 101 is not particularly limited. For example, a means for adjusting the surface area of the substrate heater 106, Means for adjusting the distance between the base support means 105 and / or the base 101 may be used. Further, by disposing members of different materials between the substrate heater 106 and the substrate supporting means 105 and / or the substrate 101, the substrate heater 1
06 and the substrate support means 105 and / or the heat conduction efficiency between the substrates 101 may be adjusted.
【００４６】図３は、図１に示した基体処理装置におい
て使用される基体加熱ヒーター１０６の表面積を調整す
る手段の一例を示す図であり、（ａ）は凹凸のある表面
積調整部材５０１を基体加熱ヒーター１０６にかぶせる
方式のものを示す図、（ｂ）は針金状の金属線５０２を
基体加熱ヒーター１０６に巻きつける方式のものを示す
図である。FIG. 3 is a view showing an example of a means for adjusting the surface area of the substrate heater 106 used in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. FIG. 3B is a diagram illustrating a system in which a wire is wound around the heater 106, and FIG. 2B is a diagram illustrating a system in which a wire-shaped metal wire 502 is wound around the substrate heater 106.
【００４７】図３（ａ）に示したものにおいては、表面
積調整部材５０１の凸凹の数を調整することにより基体
間の基体温度のばらつきを調整する。In the structure shown in FIG. 3A, the unevenness of the substrate temperature between the substrates is adjusted by adjusting the number of irregularities of the surface area adjusting member 501.
【００４８】また、図３（ｂ）に示したものにおいて
は、表面調整部材５０２として金属線が設けられ、この
金属線の巻き数を調整することにより基体間の基体温度
のばらつきを調整する。In the structure shown in FIG. 3B, a metal wire is provided as the surface adjusting member 502, and the number of turns of the metal wire is adjusted to adjust the variation in the substrate temperature between the substrates.
【００４９】図４は、図１に示した基体処理装置におい
て使用される基体加熱ヒーター１０６と基体支持手段１
０５及び／または基体１０１間の距離を調整する手段の
一例を示す図である。FIG. 4 shows a substrate heater 106 and a substrate supporting means 1 used in the substrate processing apparatus shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a unit that adjusts a distance between a substrate 05 and / or a substrate 101.
【００５０】図４に示すように、基体加熱ヒーター１０
６にかぶせられた距離調整部材６０１の肉厚を調整する
ことにより、基体加熱ヒーター１０６と基体支持手段１
０５及び／または基体１０１間の距離ｄを調整し、基体
間の基体温度のばらつきを調整する。As shown in FIG. 4, the substrate heater 10
By adjusting the thickness of the distance adjustment member 601 overlaid on the base 6, the base heater 106 and the base support means 1 are adjusted.
05 and / or the distance d between the substrates 101 is adjusted to adjust the variation in the substrate temperature between the substrates.
【００５１】なお、上述したような表面積調整部材５０
１，５０２、距離調整部材６０１の材質としては導電性
でも電気絶縁性であってもよく、導電性材料としては、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、及びこれらの合金、例
えばステンレス等が挙げられる。また、電気絶縁性材料
としては、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、Ｓｉ
3Ｎ4等のセラミックス等が挙げられる。これらの中で
も、熱伝導効率を考慮すると金属材料を使用することが
より好ましい。The surface adjusting member 50 as described above is used.
1, 502, the material of the distance adjusting member 601 may be conductive or electrically insulating, and as the conductive material,
Al, Cr, Mo, Au, In, Nb, Te, V, T
Metals such as i, Pt, Pd, and Fe, and alloys thereof, such as stainless steel. Further, as the electrically insulating material, Al 2 O 3 , MgO, ZrO 2 , SiO 2 , Si
3 N ceramics such as 4. Among them, it is more preferable to use a metal material in consideration of heat conduction efficiency.
【００５２】また、それぞれの基体加熱ヒーター１０６
に設置される部材の材質を変えることによって、基体加
熱ヒーター１０６と基体支持手段１０５及び／または基
体１０１間の熱伝導効率を調整し、基体間の基体温度の
ばらつきを調整してもよい。Each of the substrate heaters 106
The heat transfer efficiency between the substrate heater 106 and the substrate supporting means 105 and / or the substrate 101 may be adjusted by changing the material of the member installed in the substrate, and the variation in the substrate temperature between the substrates may be adjusted.
【００５３】また、基体１０１を加熱する際に基体１０
１の面内方向に基体温度のばらつきが生じる場合におい
ては、基体加熱ヒーター１０６の面内方向の表面積を調
整することによって、基体１０１内における基体温度の
ばらつきを補正しても良い。When heating the substrate 101, the substrate 10
In the case where the substrate temperature varies in the in-plane direction, the substrate temperature variation in the substrate 101 may be corrected by adjusting the surface area of the substrate heater 106 in the in-plane direction.
【００５４】図５は、図１に示した基体処理装置におい
て使用される基体加熱ヒーター１０６の表面積を調整す
る手段の他の例を示す図であり、（ａ）は凹凸のある表
面積調整部材５０３を基体加熱ヒーター１０６にかぶせ
る方式のものを示す図、（ｂ）は針金状の金属線を基体
加熱ヒーター１０６に巻きつける方式のものを示す図で
あり、ともに、基体１０１の軸方向中央部の基体温度が
高くなる場合に使用されるものを示す。図５に示すもの
においては図３に示したものに対して、基体１０１の軸
方向中央部の基体温度が高いため、該中央部における表
面積が小さくなるように表面積調整手段５０３の表面積
を調整したり、表面積調整手段５０４となる金属線の巻
数を調整したりすることによって、基体１０１内におけ
る基体温度のばらつきを補正している。FIG. 5 is a diagram showing another example of a means for adjusting the surface area of the substrate heater 106 used in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. (B) is a diagram showing a system in which a wire-shaped metal wire is wound around the substrate heater 106, and both of them are shown at the center of the substrate 101 in the axial direction. The following shows what is used when the substrate temperature increases. In FIG. 5, the surface temperature of the surface area adjusting means 503 is adjusted so that the surface area at the central portion of the substrate 101 is smaller than that shown in FIG. By adjusting the number of turns of the metal wire serving as the surface area adjusting means 504, the variation in the substrate temperature in the substrate 101 is corrected.
【００５５】また同様に、基体１０１を加熱する際に基
体１０１の面内方向に基体温度のばらつきが生じる場合
においては、基体加熱ヒーター１０６と基体支持手段１
０５及び／又は基体１０１間の基体面内方向の距離を調
整することによって、基体１０１内における基体温度の
ばらつきを補正してもよい。Similarly, when the temperature of the substrate 101 varies in the in-plane direction of the substrate 101 when the substrate 101 is heated, the substrate heater 106 and the substrate supporting means 1
By adjusting the distance between the substrate 05 and / or the substrate 101 in the in-plane direction of the substrate, variations in the substrate temperature within the substrate 101 may be corrected.
【００５６】図６は、図１に示した基体処理装置におい
て使用される基体加熱ヒーター１０６と基体支持手段１
０５及び／または基体１０１間の距離を調整する手段の
他の例を示す図であり、基体１０１の軸方向下部の基体
温度が高くなる場合に使用されるものを示す。図６に示
すものにおいては図４に示したものに対して、基体１０
１の軸方向下部の基体温度が高いため、該下部における
距離が長くなるように距離調整手段６２によって基体加
熱ヒーター１０６と基体支持手段１０５及び／または基
体１０１間の基体面内方向の距離を調整することによっ
て、基体内における基体温度のばらつきを補正してい
る。FIG. 6 shows the substrate heater 106 and the substrate supporting means 1 used in the substrate processing apparatus shown in FIG.
FIG. 10 is a view showing another example of the means for adjusting the distance between the base member 05 and / or the base member 101, which is used when the base member temperature in the lower portion of the base member 101 in the axial direction increases. 6 is different from that shown in FIG.
Since the substrate temperature at the lower part in the axial direction is high, the distance in the in-plane direction between the substrate heater 106 and the substrate supporting means 105 and / or the substrate 101 is adjusted by the distance adjusting means 62 so that the distance in the lower part becomes longer. By doing so, variations in the substrate temperature within the substrate are corrected.
【００５７】また同様に、基体１０１を加熱する際に基
体１０１の面内方向に基体温度のばらつきが生じる場合
においては、基体加熱手段に設置される部材の基体面内
方向の材質を変えることによって、基体内における基体
温度のばらつきを補正してもよい。Similarly, when the temperature of the substrate 101 varies in the in-plane direction of the substrate 101 when the substrate 101 is heated, by changing the material in the in-plane direction of the member installed in the substrate heating means. Alternatively, variations in the substrate temperature within the substrate may be corrected.
【００５８】[0058]
【実施例】以下に、本発明の基体処理装置及び基体処理
方法について、実験例、実施例及び比較例により更に詳
しく説明する。なお、本発明はこれらにより限定される
ものではない。EXAMPLES Hereinafter, the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention will be described in more detail with reference to experimental examples, examples and comparative examples. The present invention is not limited by these.
【００５９】（実験例１）図1に示した基体処理装置
に、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウ
ムシリンダを基体１０１として６本設置し、さらにそれ
ぞれのアルミニウムシリンダに熱電対を設置する。熱電
対の設置位置は、シリンダ軸方向においては中央位置と
し、シリンダ周方向においては反応容器１０２中央に面
する位置とする。(Experimental Example 1) In the substrate processing apparatus shown in FIG. 1, six cylindrical aluminum cylinders having a diameter of 80 mm and a length of 358 mm are provided as the substrate 101, and a thermocouple is provided in each aluminum cylinder. The installation position of the thermocouple is a center position in the cylinder axis direction, and a position facing the center of the reaction vessel 102 in the cylinder circumferential direction.
【００６０】アルミニウムシリンダ及び熱電対を設置し
た後、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウムシリ
ンダの加熱を行った。After installing the aluminum cylinder and the thermocouple, the aluminum cylinder was heated under the heating conditions shown in Table 1.
【００６１】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４によって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給され
る電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダの
うちの１つのアルミニウムシリンダが所定の温度（Ｔ）
となるように調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, the electric power supplied to the six substrate heaters 106 is collectively controlled, so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T).
Adjust so that
【００６２】１つのアルミニウムシリンダがほぼ所定の
温度に到達した時点で、残りの５本のアルミニウムシリ
ンダの温度を測定し、６本のアルミニウムシリンダの基
体加熱時における温度のばらつきを評価する。When one aluminum cylinder reaches a substantially predetermined temperature, the temperatures of the remaining five aluminum cylinders are measured, and the variation in temperature during heating of the base of the six aluminum cylinders is evaluated.
【００６３】その後、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波
電源１１０を用いて、表２に示した条件で反応容器１０
２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシリンダにプ
ラズマによる基体処理を実施する。Thereafter, using a high-frequency power supply 110 having an oscillation frequency of 105 MHz, under the conditions shown in Table 2, the reaction vessel 10
A plasma is generated in 2 and a substrate treatment is performed on the aluminum cylinder by the plasma.
【００６４】なお、基体処理時は、基体加熱ヒーター１
０６を用いて、アルミニウムシリンダの加熱を実施す
る。６本のアルミニウムシリンダのうちの１つのアルミ
ニウムシリンダが所定の温度（Ｔ）となるように、電力
調整手段１１４を用いることによって、６個の基体加熱
ヒーター１０６に供給される電力を一括に制御し、１つ
のアルミニウムシリンダがほぼ所定の温度に到達した時
点で、残りの５本のシリンダの温度を測定し、６本のア
ルミニウムシリンダの基体処理時の温度のばらつきを評
価する。During the substrate processing, the substrate heater 1
Use 06 to heat the aluminum cylinder. By using the power adjusting means 114 so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T), the power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively. At the time when one aluminum cylinder has almost reached a predetermined temperature, the temperatures of the remaining five cylinders are measured, and the variation in the temperature during the substrate processing of the six aluminum cylinders is evaluated.
【００６５】[0065]
【表１】 [Table 1]
【００６６】[0066]
【表２】 [Table 2]
【００６７】（比較実験例）本比較実験例では、実験例
１で使用した図１に示した基体処理装置に代えて、図８
に示した基体処理装置を使用し、直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダを基体１０１と
して６本設置し、さらにそれぞれのアルミニウムシリン
ダに熱電対を設置する。熱電対の設置位置は、シリンダ
軸方向においては中央位置とし、シリンダ周方向におい
ては反応容器１０２中央に面する位置とする。(Comparative Experimental Example) In this comparative experimental example, the substrate processing apparatus shown in FIG.
Using the substrate processing apparatus shown in the above, a diameter of 80 mm and a length of 3
Six 58 mm cylindrical aluminum cylinders are installed as the base 101, and a thermocouple is installed in each aluminum cylinder. The installation position of the thermocouple is a center position in the cylinder axis direction, and a position facing the center of the reaction vessel 102 in the cylinder circumferential direction.
【００６８】アルミニウムシリンダ及び熱電対を設置し
た後、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウムシリ
ンダの加熱を行った。After installing the aluminum cylinder and the thermocouple, the aluminum cylinder was heated under the heating conditions shown in Table 1.
【００６９】なお、シリンダ加熱時は基体加熱ヒーター
１０６各々に設置された、温度測定手段３０１及び温度
コントローラー３０２を用いることによって、６個の基
体加熱ヒーター１０６に供給される電力をそれぞれ独立
に制御し、６本のアルミニウムシリンダそれぞれが所定
の温度（Ｔ）となるようにする。When the cylinder is heated, the electric power supplied to the six substrate heaters 106 is controlled independently by using the temperature measuring means 301 and the temperature controller 302 provided in each of the substrate heaters 106. , So that each of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T).
【００７０】それぞれのアルミニウムシリンダの温度が
ほぼ所定の温度に到達した時点で、６本のアルミニウム
シリンダの温度を測定し、６本のアルミニウムシリンダ
の基体加熱時における温度のばらつきを評価する。When the temperature of each aluminum cylinder has reached a substantially predetermined temperature, the temperatures of the six aluminum cylinders are measured, and the variations in the temperatures of the six aluminum cylinders when the substrate is heated are evaluated.
【００７１】その後、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波
電源１１０を用いて、表２に示した条件で反応容器１０
２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシリンダにプ
ラズマによる基体処理を実施する。Thereafter, using a high-frequency power supply 110 having an oscillation frequency of 105 MHz, the reaction vessel 10 was produced under the conditions shown in Table 2.
A plasma is generated in 2 and a substrate treatment is performed on the aluminum cylinder by the plasma.
【００７２】なお、基体処理時は、基体加熱ヒーター１
０６を用いて、アルミニウムシリンダの加熱を実施す
る。６本のアルミニウムシリンダそれぞれが所定の温度
（Ｔ）となるように、基体加熱ヒーター１０６各々に設
置された、温度測定手段３０１及び温度コントローラー
３０２を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター
１０６に供給される電力をそれぞれ独立に制御する。そ
れぞれのアルミニウムシリンダの温度がほぼ所定の温度
に到達した時点で、６本のアルミニウムシリンダの温度
を測定し、６本のアルミニウムシリンダの基体処理時の
温度のばらつきを評価する。During the substrate processing, the substrate heater 1
Use 06 to heat the aluminum cylinder. The six aluminum cylinders are supplied to the six substrate heaters 106 by using the temperature measuring means 301 and the temperature controller 302 installed in each of the substrate heaters 106 so that each of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T). The power to be supplied is controlled independently. At the time when the temperature of each aluminum cylinder has reached a substantially predetermined temperature, the temperature of the six aluminum cylinders is measured, and the variation in the temperature of the six aluminum cylinders during substrate processing is evaluated.
【００７３】（実験例２）本実験例では実験例１と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に図３（ａ）に示した表面積調整手段
５０１を設置する。(Experimental Example 2) In this experimental example, the same substrate processing apparatus shown in FIG. 1 as in Experimental Example 1 was used, and the surface heaters 106 were provided with the surface area adjusting means 501 shown in FIG. Install.
【００７４】なお、実験例１のシリンダ間の温度のばら
つきの結果から、それぞれの基体加熱ヒーター１０６に
設置される表面積調整手段５０１の表面積は調整されて
いる。The surface area of the surface area adjusting means 501 installed in each of the substrate heaters 106 is adjusted based on the result of the temperature variation between the cylinders in Experimental Example 1.
【００７５】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムシリンダを基体１０１として６本設置し、さ
らにそれぞれのアルミニウムシリンダに熱電対を設置す
る。熱電対の設置位置は、シリンダ軸方向においては中
央位置とし、シリンダ周方向においては反応容器１０２
中央に面する位置とする。Six cylindrical aluminum cylinders having a diameter of 80 mm and a length of 358 mm are provided as a base 101, and a thermocouple is further provided in each aluminum cylinder. The thermocouple is installed at the center position in the cylinder axis direction, and the reaction vessel 102 in the cylinder circumferential direction.
The position faces the center.
【００７６】アルミニウムシリンダ及び熱電対を設置し
た後、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウムシリ
ンダの加熱を行った。After installing the aluminum cylinder and the thermocouple, the aluminum cylinder was heated under the heating conditions shown in Table 1.
【００７７】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダのうちの１つのアルミニウムシリンダが所定
の温度（Ｔ）となるように調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The electric power supplied to 6 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders is adjusted to have a predetermined temperature (T).
【００７８】１つのアルミニウムシリンダがほぼ所定の
温度に到達した時点で、残りの５本のアルミニウムシリ
ンダの温度を測定し、６本のアルミニウムシリンダの基
体加熱時における温度のばらつきを評価する。At the time when one aluminum cylinder has almost reached a predetermined temperature, the temperatures of the remaining five aluminum cylinders are measured, and the variation in temperature during heating of the base of the six aluminum cylinders is evaluated.
【００７９】その後、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波
電源１１０を用いて、表２に示した条件で反応容器１０
２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシリンダにプ
ラズマによる基体処理を実施する。Thereafter, using a high-frequency power supply 110 having an oscillation frequency of 105 MHz, the reaction vessel 10 was produced under the conditions shown in Table 2.
A plasma is generated in 2 and a substrate treatment is performed on the aluminum cylinder by the plasma.
【００８０】なお、基体処理時は、基体加熱ヒーター１
０６を用いて、アルミニウムシリンダの加熱を実施す
る。６本のアルミニウムシリンダのうちの１つのアルミ
ニウムシリンダが所定の温度（Ｔ）となるように、電力
調整手段１１４を用いることによって、６個の基体加熱
ヒーター１０６に供給される電力を一括に制御し、１つ
のアルミニウムシリンダがほぼ所定の温度に到達した時
点で、残りの５本のアルミニウムシリンダの温度を測定
し、６本のアルミニウムシリンダの基体処理時の温度の
ばらつきを評価する。During the substrate processing, the substrate heater 1
Use 06 to heat the aluminum cylinder. By using the power adjusting means 114 so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T), the power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively. At the time when one aluminum cylinder almost reaches a predetermined temperature, the temperatures of the remaining five aluminum cylinders are measured, and the variation in the temperature of the six aluminum cylinders during substrate processing is evaluated.
【００８１】（実験例３）本実験例では実験例１と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に図４に示した距離調整手段６０１を
設置する。(Experimental Example 3) In this experimental example, the same substrate processing apparatus as that of Experimental Example 1 shown in FIG. 1 is used, and further, the distance adjusting means 601 shown in FIG.
【００８２】なお、実験例１のシリンダ間の温度のばら
つきの結果から、それぞれの基体加熱ヒーター１０６に
設置される距離調整手段６０１の厚みは調整されてい
る。The thickness of the distance adjusting means 601 provided in each of the substrate heaters 106 is adjusted based on the result of the temperature variation between the cylinders in Experimental Example 1.
【００８３】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムシリンダを基体１０１として６本設置し、さ
らにそれぞれのアルミニウムシリンダに熱電対を設置す
る。熱電対の設置位置は、シリンダ軸方向においては中
央位置とし、シリンダ周方向においては反応容器１０２
中央に面する位置とする。Six cylindrical aluminum cylinders having a diameter of 80 mm and a length of 358 mm are provided as the base 101, and a thermocouple is further provided in each aluminum cylinder. The thermocouple is installed at the center position in the cylinder axis direction, and the reaction vessel 102 in the cylinder circumferential direction.
The position faces the center.
【００８４】アルミニウムシリンダ、熱電対を設置した
後、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を行った。After installing the aluminum cylinder and the thermocouple, the aluminum cylinder was heated under the heating conditions shown in Table 1.
【００８５】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダのうちの１つのアルミニウムシリンダが所定
の温度（Ｔ）となるように電力調整手段１１４を調整す
る。When the cylinder is heated, the power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The power supplied to 6 is controlled collectively, and power adjusting means 114 is adjusted such that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T).
【００８６】１つのアルミニウムシリンダがほぼ所定の
温度に到達した時点で、残りの５本のアルミニウムシリ
ンダの温度を測定し、６本のアルミニウムシリンダの基
体加熱時における温度のばらつきを評価する。When one aluminum cylinder almost reaches a predetermined temperature, the temperatures of the remaining five aluminum cylinders are measured, and the variation in temperature during heating of the base of the six aluminum cylinders is evaluated.
【００８７】その後、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波
電源１１０を用いて、表２に示した条件で反応容器１０
２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシリンダにプ
ラズマによる基体処理を実施する。Then, using a high-frequency power supply 110 having an oscillation frequency of 105 MHz, the reaction vessel 10 was produced under the conditions shown in Table 2.
A plasma is generated in 2 and a substrate treatment is performed on the aluminum cylinder by the plasma.
【００８８】なお、基体処理時は、基体加熱ヒーター１
０６を用いて、アルミニウムシリンダの加熱を実施す
る。６本のアルミニウムシリンダのうちの１つのアルミ
ニウムシリンダが所定の温度（Ｔ）となるように、電力
調整手段１１４を用いることによって、６個の基体加熱
ヒーター１０６に供給される電力を一括に制御し、１つ
のアルミニウムシリンダがほぼ所定の温度に到達した時
点で、残りの５本のシリンダの温度を測定し、６本のア
ルミニウムシリンダの基体処理時の温度のばらつきを評
価する。During the substrate processing, the substrate heater 1
Use 06 to heat the aluminum cylinder. By using the power adjusting means 114 so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T), the power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively. At the time when one aluminum cylinder has almost reached a predetermined temperature, the temperatures of the remaining five cylinders are measured, and the variation in the temperature during the substrate processing of the six aluminum cylinders is evaluated.
【００８９】（実験例４）本実験例では実験例１と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に図４に示した距離調整手段６０１を
設置する。(Experimental Example 4) In this experimental example, the same substrate processing apparatus as that of Experimental Example 1 shown in FIG. 1 is used, and further, the distance adjusting means 601 shown in FIG.
【００９０】なお、本例においては、それぞれの距離調
整手段６０１の厚みは一定とした上で、実験例１のシリ
ンダ間の温度のばらつきの結果から、それぞれの距離調
整手段６０１の材質を変えている。材質については、Ａ
ｌ、Ｍｏ、Ｆｅ、ＳＵＳの中から選択した。In this example, the thickness of each distance adjusting means 601 was kept constant, and the material of each distance adjusting means 601 was changed based on the result of the temperature variation between cylinders in Experimental Example 1. I have. About material, A
1, Mo, Fe, and SUS were selected.
【００９１】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として６
本設置し、さらにそれぞれのアルミニウムシリンダに熱
電対を設置する。熱電対の設置位置は、シリンダ軸方向
においては中央位置とし、シリンダ周方向においては反
応容器１０２中央に面する位置とする。A cylindrical aluminum aluminum cylinder 80 mm in diameter and 358 mm in length was
This is installed, and a thermocouple is installed in each aluminum cylinder. The installation position of the thermocouple is a center position in the cylinder axis direction, and a position facing the center of the reaction vessel 102 in the cylinder circumferential direction.
【００９２】アルミニウムシリンダ及び熱電対を設置し
た後、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウムシリ
ンダの加熱を行った。After setting the aluminum cylinder and the thermocouple, the aluminum cylinder was heated under the heating conditions shown in Table 1.
【００９３】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダのうちの１つのアルミニウムシリンダが所定
の温度（Ｔ）となるように調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The electric power supplied to 6 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders is adjusted to have a predetermined temperature (T).
【００９４】１つのアルミニウムシリンダの所定の温度
で安定した時点で、残りの５本のアルミニウムシリンダ
の温度を測定し、６本のアルミニウムシリンダの基体加
熱時における温度のばらつきを評価する。When the temperature of one aluminum cylinder is stabilized at a predetermined temperature, the temperature of the remaining five aluminum cylinders is measured, and the variation in temperature during heating of the base of the six aluminum cylinders is evaluated.
【００９５】その後、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波
電源１１０を用いて、表２に示した条件で反応容器１０
２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシリンダにプ
ラズマによる基体処理を実施する。Then, using a high-frequency power source 110 having an oscillation frequency of 105 MHz, the reaction vessel 10 was produced under the conditions shown in Table 2.
A plasma is generated in 2 and a substrate treatment is performed on the aluminum cylinder by the plasma.
【００９６】なお、基体処理時は、基体加熱ヒーター１
０６を用いて、アルミニウムシリンダの加熱を実施す
る。６本のアルミニウムシリンダのうちの１つのアルミ
ニウムシリンダが所定の温度（Ｔ）となるように、電力
調整手段１１４を用いることによって、６個の基体加熱
ヒーター１０６に供給される電力を一括に制御し、１つ
のアルミニウムシリンダがほぼ所定の温度に到達した時
点で、残りの５本のアルミニウムシリンダの温度を測定
し、６本のアルミニウムシリンダの基体処理時の温度の
ばらつきを評価する。In the processing of the substrate, the substrate heater 1
Use 06 to heat the aluminum cylinder. By using the power adjusting means 114 so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature (T), the power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively. At the time when one aluminum cylinder almost reaches a predetermined temperature, the temperatures of the remaining five aluminum cylinders are measured, and the variation in the temperature of the six aluminum cylinders during substrate processing is evaluated.
【００９７】（実験例１〜４及び比較実験例評価結果） （基体加熱時のシリンダ間温度のばらつき）実験例１〜
４及び比較実験例において、それぞれ測定した６本のア
ルミニウムシリンダーの基体加熱時の温度の内の最大値
（ＴMAX）及び最小値（ＴMIN）と所定の温度（Ｔ）との
関係（ＴMAX−ＴMIN）／Ｔの値を、６本のアルミニウム
シリンダの基体加熱時の温度のばらつきとして評価し
た。よって値が小さいほど温度のばらつきが少ない。そ
の結果を表３に示す。(Experimental Examples 1 to 4 and Comparative Experimental Example Evaluation Results) (Variation in Temperature Between Cylinders When Heating Substrate) Experimental Examples 1 to 4
4 and the comparative experimental example, the relationship (T MAX ) between the maximum value (T MAX ) and the minimum value (T MIN ) of the measured temperatures of the six aluminum cylinders at the time of heating the substrate and the predetermined temperature (T), respectively. −T MIN ) / T was evaluated as the temperature variation during heating of the substrate of the six aluminum cylinders. Therefore, the smaller the value, the smaller the temperature variation. Table 3 shows the results.
【００９８】[0098]
【表３】 [Table 3]
【００９９】なお、評価に使用したランクは以下の通り
である Ａ：（ＴMAX−ＴMIN）/Ｔ＜０．０５ Ｂ：０．０５≦（ＴMAX−ＴMIN）/Ｔ＜０．１ Ｃ：０．１≦（ＴMAX−ＴMIN）/Ｔ （プラズマによる基体処理時のシリンダ間温度のばらつ
き） 実験例１〜４及び比較実験例において、それぞれ測定し
た６本のアルミニウムシリンダーのプラズマによる基体
処理時の温度の内の最大値（ＴMAX）及び最小値
（ＴMIN）と所定の温度（Ｔ）との関係（ＴMAX−
ＴMIN）/Ｔの値を６本のアルミニウムシリンダのプラズ
マによる基体処理時の温度のばらつきとして評価した。
よって値が小さいほど温度のばらつきが少ない。その結
果を表４に示す。The ranks used in the evaluation are as follows: A: (T MAX −T MIN ) / T <0.05 B: 0.05 ≦ (T MAX −T MIN ) / T <0.1 C: 0.1 ≦ (T MAX −T MIN ) / T (Variation in inter-cylinder temperature during substrate processing by plasma) In the experimental examples 1 to 4 and the comparative experimental example, the plasma was measured using six aluminum cylinders. The relationship (T MAX −) between the maximum value (T MAX ) and the minimum value (T MIN ) of the substrate processing temperatures and the predetermined temperature (T).
The value of (T MIN ) / T was evaluated as a temperature variation when the substrate was treated with plasma of six aluminum cylinders.
Therefore, the smaller the value, the smaller the temperature variation. Table 4 shows the results.
【０１００】[0100]
【表４】 [Table 4]
【０１０１】また、実験例１〜４で使用した図1に示し
た装置を、比較実験例で使用した図８に示した装置のコ
ストを比較したところ、複数の基体加熱手段を１つの電
力調整手段で制御するために、使用するユニットを減ら
すことができ、実験例１〜４で示した装置の方が大幅な
コストダウンを実現することが可能となった。また、実
験例２〜４においては、それぞれ表面積調整手段、距離
調整手段等を使用しているが、構成が単純なため、コス
ト的には大きな影響はなかった。When the apparatus shown in FIG. 1 used in Experimental Examples 1 to 4 was compared in terms of the cost of the apparatus shown in FIG. Since the unit is controlled by the means, the number of units to be used can be reduced, and the apparatuses shown in Experimental Examples 1 to 4 can realize a significant cost reduction. In each of Experimental Examples 2 to 4, the surface area adjusting unit, the distance adjusting unit, and the like are used. However, since the configuration is simple, the cost is not significantly affected.
【０１０２】以上の結果から、実験例１で使用した装置
においては比較実験例で使用した装置と比較して、プラ
ズマによる基体処理時においてはほぼ同等の基体温度制
御を実現した上で、大幅なコストダウンを実現すること
ができた。また、実験例２〜４で使用した装置において
は、極めて精度の良い基体温度制御を実現した上で、大
幅なコストダウンを実現することができた。From the above results, in the apparatus used in the experimental example 1, compared with the apparatus used in the comparative experimental example, substantially the same substrate temperature control was achieved during the processing of the substrate by plasma, Cost reduction was realized. Further, in the apparatuses used in Experimental Examples 2 to 4, extremely accurate substrate temperature control was achieved, and a significant cost reduction was realized.
【０１０３】（実施例１）図1に示した基体処理装置
に、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウ
ムシリンダを基体１０１として６本設置し、表１に示し
た加熱条件を用いてアルミニウムシリンダの加熱を行っ
た。Example 1 Six cylindrical aluminum cylinders having a diameter of 80 mm and a length of 358 mm were installed as substrates 101 in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1, and the aluminum cylinders were heated under the heating conditions shown in Table 1. Was heated.
【０１０４】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダの内の１つのアルミニウムシリンダが所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The power supply unit 6 is controlled collectively, and the power adjustment unit 114 is adjusted according to a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature.
【０１０５】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表５に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the predetermined heating is completed, the oscillation frequency is set to 105 MH.
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 5 using a high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder, and the A photoreceptor was produced.
【０１０６】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じて基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリ
ンダの加熱を実施する。電力調整手段１１４を用いるこ
とによって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給され
る電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダの
うちの１つのアルミニウムシリンダが表５に示した所定
の温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに
従って電力調整手段１１４を調整する。In forming the deposited film, the aluminum cylinder is heated by using the substrate heater 106 as necessary. By using the power adjusting means 114, the electric power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5. Thus, the power adjusting means 114 is adjusted according to a preset heating sequence.
【０１０７】[0107]
【表５】 [Table 5]
【０１０８】（比較例）本比較例では、実施例１で使用
した図１に示した基体処理装置に代えて、図８に示した
基体処理装置を使用し、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ
の円筒状アルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０
１として６本設置し、表１に示した加熱条件を用いてア
ルミニウシリンダの加熱を行った。Comparative Example In this comparative example, the substrate processing apparatus shown in FIG. 8 was used instead of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 used in Example 1, and the diameter was 80 mm and the length was 358 mm.
Cylindrical aluminum aluminum cylinder with base 10
6 were installed, and the aluminum cylinder was heated using the heating conditions shown in Table 1.
【０１０９】なお、シリンダ加熱時は基体加熱ヒーター
１０６各々に設置された、温度測定手段３０１及び温度
コントローラー３０２を用いることによって、予め設定
された加熱シーケンスに従って、６個の基体加熱ヒータ
ー１０６に供給される電力をそれぞれ独立に制御する。When the cylinder is heated, the temperature is supplied to the six substrate heaters 106 in accordance with a preset heating sequence by using the temperature measuring means 301 and the temperature controller 302 provided in each of the substrate heaters 106. Power is controlled independently.
【０１１０】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表５に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the end of the predetermined heating, the oscillation frequency is 105 MH
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 5 using a high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder, and the A photoreceptor was prepared.
【０１１１】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じ基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を実施する。６本のアルミニウムシリンダそれ
ぞれが表５に示した所定の温度となるように、基体加熱
ヒーター１０６各々に設置された、温度測定手段３０１
及び温度コントローラー３０２を用いることによって、
予め設定された加熱シーケンスに従って、６個の基体加
熱ヒーター１０６に供給される電力をそれぞれ独立に制
御する。It should be noted that the aluminum cylinder is heated by using the substrate heater 106 as needed even when the deposited film is formed. Temperature measuring means 301 installed in each of the base heaters 106 so that each of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5.
And using the temperature controller 302
In accordance with a preset heating sequence, the power supplied to the six substrate heaters 106 is independently controlled.
【０１１２】（実施例２）本実施例では実施例１と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に図３（ａ）に示した表面積調整手段
５０１を設置する。(Embodiment 2) In this embodiment, the same substrate processing apparatus shown in FIG. 1 as in Embodiment 1 is used, and the surface heaters 106 shown in FIG. Install.
【０１１３】なお、予め行った加熱実験により、それぞ
れの基体加熱ヒーター１０６に設置される表面積調整手
段５０１の表面積は調整されている。Incidentally, the surface area of the surface area adjusting means 501 installed in each of the substrate heaters 106 has been adjusted by a heating experiment conducted in advance.
【０１１４】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として６
本設置し、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウム
シリンダの加熱を行った。A cylindrical aluminum aluminum cylinder 80 mm in diameter and 358 mm in length was
This installation was performed, and the aluminum cylinder was heated under the heating conditions shown in Table 1.
【０１１５】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダの内の１つのアルミニウムシリンダが所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The power supply unit 6 is controlled collectively, and the power adjustment unit 114 is adjusted according to a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature.
【０１１６】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表５に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the predetermined heating is completed, the oscillation frequency is 105 MHz.
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 5 using a high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder, and the A photoreceptor was produced.
【０１１７】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じ基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を実施する。電力調整手段１１４を用いること
によって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給される
電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダの内
の１つのアルミニウムシリンダが表５に示した所定の温
度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従っ
て電力調整手段１１４を調整する。It should be noted that, also at the time of forming the deposited film, the aluminum cylinder is heated by using the substrate heater 106 as necessary. By using the power adjusting means 114, the power supplied to the six substrate heaters 106 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5. Thus, the power adjusting means 114 is adjusted according to a preset heating sequence.
【０１１８】（実施例３）本実施例では実施例１と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に図４に示した距離調整手段６０１を
設置する。(Embodiment 3) In this embodiment, the same substrate processing apparatus shown in FIG. 1 as in Embodiment 1 is used, and the distance adjusting means 601 shown in FIG.
【０１１９】なお、予め行った加熱実験により、それぞ
れの基体加熱ヒーター１０６に設置される距離調整手段
６０１の厚みは調整されている。The thickness of the distance adjusting means 601 installed in each substrate heater 106 has been adjusted by a heating experiment conducted in advance.
【０１２０】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として６
本設置し、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウム
シリンダの加熱を行った。A cylindrical aluminum aluminum cylinder 80 mm in diameter and 358 mm in length was
This installation was performed, and the aluminum cylinder was heated under the heating conditions shown in Table 1.
【０１２１】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダの内の１つのアルミニウムシリンダが所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The power supply unit 6 is controlled collectively, and the power adjustment unit 114 is adjusted according to a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature.
【０１２２】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表２に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the end of the predetermined heating, the oscillation frequency is 105 MHz.
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 2 by using the high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder. A photoreceptor was produced.
【０１２３】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じ基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を実施する。電力調整手段１１４を用いること
によって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給される
電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダのう
ちの１つのアルミニウムシリンダが表５に示した所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。Note that, also at the time of forming the deposited film, the aluminum cylinder is heated using the substrate heater 106 as necessary. By using the power adjusting means 114, the electric power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5. Thus, the power adjusting means 114 is adjusted according to a preset heating sequence.
【０１２４】（実施例４）本実施例では実施例１と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に図４に示した距離調整手段６０１を
設置する。(Embodiment 4) In this embodiment, the same substrate processing apparatus shown in FIG. 1 as in Embodiment 1 is used, and further, the distance adjusting means 601 shown in FIG.
【０１２５】なお、本例においては、それぞれの距離調
整手段６０１の厚みは一定とした上で、予め行った加熱
実験の結果から、それぞれの距離調整手段６０１の材質
を変えている。材質については、Ａｌ、Ｆｅ、ＳＵＳの
中から選択した。In this example, the thickness of each distance adjusting means 601 is fixed, and the material of each distance adjusting means 601 is changed based on the result of a heating experiment conducted in advance. The material was selected from Al, Fe, and SUS.
【０１２６】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として６
本設置し、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウム
シリンダの加熱を行った。A cylindrical aluminum aluminum cylinder 80 mm in diameter and 358 mm in length was
The aluminum cylinder was heated under the above conditions and under the heating conditions shown in Table 1.
【０１２７】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダの内の１つのアルミニウムシリンダが所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整して加熱を実施する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
6 is controlled collectively, and the electric power adjusting means 114 is adjusted in accordance with a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature to perform heating. carry out.
【０１２８】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表５に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the predetermined heating is completed, the oscillation frequency is set to 105 MHz.
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 5 using a high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder, and the A photoreceptor was prepared.
【０１２９】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じ基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を実施する。電力調整手段１１４を用いること
によって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給される
電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダのう
ちの１つのアルミニウムシリンダが表５に示した所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。In forming the deposited film, the aluminum cylinder is heated by using the substrate heater 106 as necessary. By using the power adjusting means 114, the electric power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5. Thus, the power adjusting means 114 is adjusted according to a preset heating sequence.
【０１３０】（実施例１〜４の評価結果）実施例１〜４
及び比較例において作製した電子写真用感光体の電子写
真特性を以下に記載した方法で評価し、実施例１〜４で
作製した電子写真用感光体と比較例で作製した電子写真
用感光体との比較を行った。その結果を表６に示す。(Evaluation Results of Examples 1 to 4) Examples 1 to 4
The electrophotographic properties of the electrophotographic photosensitive members produced in Comparative Examples were evaluated by the methods described below, and the electrophotographic photosensitive members produced in Examples 1 to 4 and the electrophotographic photosensitive members produced in Comparative Examples were evaluated. Was compared. Table 6 shows the results.
【０１３１】[0131]
【表６】 [Table 6]
【０１３２】《電子写真特性ばらつき評価方法》作製し
た各々の電子写真用感光体を本テスト用に改造されたキ
ヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置し、評価項目
は、《帯電能ばらつき》、《感度ばらつき》、《光メモ
リーばらつき》の三項目とし、以下の具体的評価法によ
り各項目の評価を行った。<< Electrophotographic Characteristic Variation Evaluation Method >> Each of the produced electrophotographic photosensitive members was installed in a Canon copier NP-6750 modified for this test. The three items, “sensitivity variation” and “optical memory variation”, were evaluated by the following specific evaluation methods.
【０１３３】《帯電能ばらつき》複写機の主帯電器に一
定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を『帯
電能』とする（但し、周方向一周の平均値とする）。各
実施例及び比較例で作製したそれぞれ６本の電子写真用
感光体の軸方向中位置における『帯電能』を測定する。
６本の電子写真用感光体の『帯電能』の平均値に対する
最大値と最小値の差を『帯電能ばらつき』として評価す
る。従って、数値が小さいほど良好である。それぞれの
実施例について比較例と比較することにより以下のラン
クに区分した。<< Charging Ability Variation >> The dark portion potential at the developing device position when a constant current is applied to the main charger of the copying machine is defined as “charging capability” (however, an average value in one circumferential direction). The “charging ability” of each of the six electrophotographic photosensitive members produced in each of the examples and comparative examples was measured at a position in the axial center.
The difference between the maximum value and the minimum value of the "chargeability" of the six electrophotographic photosensitive members with respect to the average value is evaluated as "chargeability variation". Therefore, the smaller the numerical value, the better. Each example was classified into the following ranks by comparing with the comparative example.
【０１３４】Ａ：比較例と比較してほぼ同等 Ｂ：比較例と比較して同等以上１５０％未満 Ｃ：比較例と比較して１５０％以上 《感度ばらつき》現像器位置における暗部電位が所定の
値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、像露
光を照射する。ついで像露光光源の光量を調整して、現
像器位置における表面電位（明電位）が所定の値となる
ようにし、そのときの露光量を『感度』とする（但し、
周方向一周の平均値とする）。各実施例及び比較例で作
製したそれぞれ６本の電子写真用感光体の軸方向中位置
における『感度』を測定する。６本の電子写真用感光体
の『感度』の平均値に対する最大値と最小値の差を『感
度ばらつき』として評価する。従って、数値が小さいほ
ど良好である。それぞれの実施例について比較例と比較
することにより以下のランクに区分した。A: almost equal to the comparative example B: equal to or more than the comparative example and less than 150% C: 150% or more compared to the comparative example << Sensitivity variation >> The dark portion potential at the developing device position is a predetermined value. After adjusting the current value of the main charger so as to obtain a value, image irradiation is performed. Next, the light amount of the image exposure light source is adjusted so that the surface potential (bright potential) at the developing device position becomes a predetermined value, and the exposure amount at that time is defined as “sensitivity” (however,
Average value for one round in the circumferential direction). The "sensitivity" of each of the six electrophotographic photosensitive members produced in each of the examples and comparative examples was measured at an axially middle position. The difference between the maximum value and the minimum value of the “sensitivity” of the six electrophotographic photosensitive members with respect to the average value is evaluated as “sensitivity variation”. Therefore, the smaller the numerical value, the better. Each example was classified into the following ranks by comparing with the comparative example.
【０１３５】Ａ：比較例と比較してほぼ同等 Ｂ：比較例と比較して同等以上１５０％未満 Ｃ：比較例と比較して１５０％以上 《光メモリーばらつき》現像器位置における暗部電位が
所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した
後、現像器位置における表面電位（明電位）が所定の値
となるよう光量が調整された像露光を照射し、その後再
度先と同じ電流値で帯電したときの現像位置での表面電
位と、先の非露光状態での表面電位（暗部電位）との電
位差を測定し『光メモリー』とする（但し、周方向一周
の平均値とする）。各実施例及び比較例で作製したそれ
ぞれ６本の電子写真用感光体の軸方向中位置における
『光メモリー』を測定する。６本の電子写真用感光体の
『光メモリー』の平均値に対する最大値と最小値の差を
『光メモリーばらつき』として評価する。従って、数値
が小さいほど良好である。それぞれの実施例について比
較例と比較することにより以下のランクに区分した。A: almost equal to the comparative example B: equal to or more than the comparative example and less than 150% C: 150% or more as compared to the comparative example << Optical memory variation >> The dark portion potential at the developing device position is predetermined. After adjusting the current value of the main charger so that the surface potential (bright potential) at the developing device position becomes a predetermined value, the image exposure is performed with the light amount adjusted so that the surface potential (bright potential) attains a predetermined value. Measure the potential difference between the surface potential at the development position when charged with the same current value and the surface potential (dark portion potential) in the previous non-exposure state, and use it as "optical memory" (however, the average value of one round in the circumferential direction) And). The "optical memory" of each of the six electrophotographic photosensitive members produced in each of the examples and comparative examples was measured at the axial middle position. The difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value of the “optical memory” of the six electrophotographic photosensitive members is evaluated as “optical memory variation”. Therefore, the smaller the numerical value, the better. Each example was classified into the following ranks by comparing with the comparative example.
【０１３６】Ａ：比較例と比較してほぼ同等 Ｂ：比較例と比較して同等以上１５０％未満 Ｃ：比較例と比較して１５０％以上 また、実施例１〜４で使用した図1に示した装置を、比
較例で使用した図８に示した装置とコスト面について比
較したところ、複数の基体加熱ヒーターを１つの電力調
整手段で制御するために、使用するユニットを減らすこ
とができ、実施例１〜４で示した装置の方が大幅なコス
トダウンを実現することが可能となった。また、実施例
２〜４においては、それぞれ表面積調整手段、距離調整
手段等を使用しているが、構成が単純なため、コスト的
には大きな影響はなかった。A: almost equal to that of the comparative example B: equal to or more than 150% of the comparative example C: 150% or more of the comparative example Also, FIG. Comparing the apparatus shown in FIG. 8 used in the comparative example with the apparatus shown in FIG. 8 in terms of cost, it is possible to reduce the number of units to be used in order to control a plurality of substrate heating heaters with one power adjusting means, The apparatuses shown in the first to fourth embodiments can realize a significant cost reduction. In Examples 2 to 4, surface area adjusting means, distance adjusting means, and the like are used. However, since the configuration is simple, there is no significant effect on cost.
【０１３７】以上の結果から、実施例１〜４で使用した
装置においては比較例で使用した装置と比較して、大幅
なコストダウンを実現することができた。また、実施例
１〜４で作製した電子写真用感光体においては、比較例
で作製した電子写真用感光体とほぼ同等レベルの電子写
真特性のばらつきを得ることができた。From the above results, the apparatus used in Examples 1 to 4 was able to realize a significant cost reduction as compared with the apparatus used in Comparative Example. Further, in the electrophotographic photosensitive members manufactured in Examples 1 to 4, it was possible to obtain the same level of variation in electrophotographic characteristics as the electrophotographic photosensitive members manufactured in Comparative Examples.
【０１３８】（実施例５）本実施例では実施例２と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に、図５（ａ）に示すように、基体加
熱ヒーター１０６と基体支持体１０５間の軸方向の熱伝
導効率のムラをも同時に調整可能な、表面積調整手段５
０１を設置する。(Embodiment 5) In this embodiment, the same substrate processing apparatus shown in FIG. 1 as in Embodiment 2 was used, and each substrate heater 106 was heated as shown in FIG. Surface area adjusting means 5 capable of simultaneously adjusting unevenness in the heat conduction efficiency in the axial direction between heater 106 and substrate support 105.
01 is set.
【０１３９】なお、予め行った加熱実験により、それぞ
れの基体加熱ヒーター１０６に設置される表面積調整手
段５０１の表面積は調整されている。また、各表面積調
整手段５０１の軸方向の表面積も調整されている。The surface area of the surface area adjusting means 501 installed in each of the substrate heaters 106 has been adjusted by a heating experiment performed in advance. The surface area of each surface area adjusting means 501 in the axial direction is also adjusted.
【０１４０】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として６
本設置し、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウム
シリンダの加熱を行った。A cylindrical aluminum aluminum cylinder 80 mm in diameter and 358 mm in length was
The aluminum cylinder was heated under the above conditions and under the heating conditions shown in Table 1.
【０１４１】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダの内の１つのアルミニウムシリンダが所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The power supply unit 6 is controlled collectively, and the power adjustment unit 114 is adjusted according to a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature.
【０１４２】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表５に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the predetermined heating is completed, the oscillation frequency is 105 MH
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 5 using a high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder, and the A photoreceptor was prepared.
【０１４３】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じ基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を実施する。電力調整手段１１４を用いること
によって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給される
電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダのう
ちの１つのアルミニウムシリンダが表５に示した所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。At the time of forming the deposited film, the aluminum cylinder is heated by using the substrate heater 106 as necessary. By using the power adjusting means 114, the electric power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5. Thus, the power adjusting means 114 is adjusted according to a preset heating sequence.
【０１４４】（実施例６）本実施例では実施例３と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に、図６に示すように、基体加熱ヒー
ター１０６と基体支持体１０５間の軸方向の熱伝導効率
のムラをも同時に調整可能な、距離調整手段６０１を設
置する。(Embodiment 6) In this embodiment, the same substrate processing apparatus shown in FIG. 1 as in Embodiment 3 is used, and each substrate heater 106 is further provided with a substrate heater 106 as shown in FIG. A distance adjusting means 601 is provided, which can simultaneously adjust unevenness in heat conduction efficiency in the axial direction between the base supports 105.
【０１４５】なお、予め行った加熱実験により、それぞ
れの基体加熱ヒーター１０６に設置される距離調整手段
６０１の厚みは調整されている。また、各距離調整手段
６０１の軸方向の厚みも調整されている。The thickness of the distance adjusting means 601 installed on each substrate heater 106 has been adjusted by a heating experiment conducted in advance. Further, the thickness of each distance adjusting means 601 in the axial direction is also adjusted.
【０１４６】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として６
本設置し、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウム
シリンダの加熱を行った。A cylindrical aluminum aluminum cylinder 80 mm in diameter and 358 mm in length was
The aluminum cylinder was heated under the above conditions and under the heating conditions shown in Table 1.
【０１４７】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダのうちの１つのアルミニウムシリンダが所定
の温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに
従って電力調整手段１１４を調整する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
The power supply unit 6 is controlled collectively, and the power adjustment unit 114 is adjusted according to a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature.
【０１４８】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表２に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the end of the predetermined heating, the oscillation frequency is 105 MHz.
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 2 by using the high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder. A photoreceptor was produced.
【０１４９】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じ基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を実施する。電力調整手段１１４を用いること
によって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給される
電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダのう
ちの１つのアルミニウムシリンダが表５に示した所定の
温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従
って電力調整手段１１４を調整する。In forming the deposited film, the aluminum cylinder is heated by using the substrate heater 106 as necessary. By using the power adjusting means 114, the electric power supplied to the six base heaters 106 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5. Thus, the power adjusting means 114 is adjusted according to a preset heating sequence.
【０１５０】（実施例７）本実施例では実施例４と同様
の図1に示した基体処理装置を使用し、さらに各基体加
熱ヒーター１０６に図４に示した距離調整手段６０１を
設置する。(Embodiment 7) In this embodiment, the same substrate processing apparatus as that of Embodiment 4 shown in FIG. 1 is used, and the distance adjusting means 601 shown in FIG.
【０１５１】なお、本例においては、それぞれの距離調
整手段６０１の厚みは一定とした上で、予め行った加熱
実験の結果から、それぞれの距離調整手段６０１の材質
を変えている。また、各距離調整手段６０１の軸方向の
材質も変えている。材質については、Ａｌ、Ｆｅ、ＳＵ
Ｓの中から選択した。In this example, the thickness of each distance adjusting means 601 is fixed, and the material of each distance adjusting means 601 is changed based on the result of a heating experiment conducted in advance. Further, the axial material of each distance adjusting means 601 is also changed. For materials, Al, Fe, SU
Selected from among S.
【０１５２】直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として６
本設置し、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウム
シリンダの加熱を行った。A cylindrical aluminum aluminum cylinder 80 mm in diameter and 358 mm in length was
The aluminum cylinder was heated under the above conditions and under the heating conditions shown in Table 1.
【０１５３】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダのうちの１つのアルミニウムシリンダが所定
の温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに
従って電力調整手段１１４を調整して加熱を実施する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
6 is controlled collectively, and heating is adjusted by adjusting the power adjusting means 114 according to a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature. carry out.
【０１５４】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０を用いて、表５に示した条件で反
応容器１０２内にプラズマを発生させ、アルミニウムシ
リンダ上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順次
積層し、電子写真用感光体を作製した。After the predetermined heating is completed, the oscillation frequency is set to 105 MHz.
Plasma is generated in the reaction vessel 102 under the conditions shown in Table 5 using a high-frequency power source 110 of z, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder, and the A photoreceptor was prepared.
【０１５５】なお、堆積膜形成時においても、必要に応
じ基体加熱ヒーター１０６を用いてアルミニウムシリン
ダの加熱を実施する。電力調整手段１１４を用いること
によって、６個の基体加熱ヒーター１０６に供給される
電力を一括に制御し、６本のアルミニウムシリンダの内
の１つのアルミニウムシリンダが表５に示した所定の温
度となるように、予め設定された加熱シーケンスに従っ
て電力調整手段１１４を調整する。In forming the deposited film, the aluminum cylinder is heated by using the substrate heater 106 as necessary. By using the power adjusting means 114, the power supplied to the six substrate heaters 106 is controlled collectively, and one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature shown in Table 5. Thus, the power adjusting means 114 is adjusted according to a preset heating sequence.
【０１５６】（実施例５〜７の評価結果）実施例５〜７
及び比較例において作製した電子写真用感光体の電子写
真特性を以下に記載した方法で評価し、実施例５〜７で
作製した電子写真用感光体と比較例で作製した電子写真
用感光体との比較を行った。その結果を表７に示す。(Evaluation Results of Examples 5 to 7) Examples 5 to 7
The electrophotographic properties of the electrophotographic photoreceptors produced in Comparative Examples were evaluated by the methods described below, and the electrophotographic photoreceptors produced in Examples 5 to 7 and the electrophotographic photoreceptors produced in Comparative Examples were evaluated. Was compared. Table 7 shows the results.
【０１５７】[0157]
【表７】 [Table 7]
【０１５８】《電子写真特性軸方向ムラ評価方法》作成
した各々の電子写真用感光体を本テスト用に改造された
キヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置し、評価項目
は、『帯電能軸方向ムラ』、『感度軸方向ムラ』、『光
メモリー軸方向ムラ』の三項目とし、以下の具体的評価
法により各項目の評価を行った。<< Electrophotographic Characteristic Axial Nonuniformity Evaluation Method >> Each of the prepared electrophotographic photosensitive members was installed in a Canon copier NP-6750 modified for this test, and the evaluation item was “charging ability axis”. The three items of "uniformity in direction", "unevenness in sensitivity axis direction", and "unevenness in optical memory axis direction" were evaluated by the following specific evaluation methods.
【０１５９】《帯電能軸方向ムラ》電子写真用感光体の
軸方向全域にわたって『帯電能』を測定し、平均値に対
する最大値と最小値の差を帯電能軸方向ムラとして評価
した。従って、数値が小さいほど良好である。それぞれ
について比較例と比較することにより以下のランクに区
分した。<< Chargeability axial unevenness >> The "chargeability" was measured over the entire area of the electrophotographic photosensitive member in the axial direction, and the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value was evaluated as the chargeability axial unevenness. Therefore, the smaller the numerical value, the better. Each was classified into the following ranks by comparing with the comparative example.
【０１６０】Ａ：比較例と比較して５０％未満に良化 Ｂ：比較例と比較して５０％以上７５％未満に良化 Ｃ：比較例と比較して７５％以上同等以下に良化 Ｄ：比較例と比較して悪化 《感度軸方向むら》電子写真用感光体の軸方向全域にわ
たって『感度』を測定し、平均値に対する最大値と最小
値の差を感度軸方向むらとして評価した。従って数値が
小さいほど良好である。それぞれについて比較例と比較
することにより以下のランクに区分した。A: improved to less than 50% compared to the comparative example B: improved to 50% or more and less than 75% compared to the comparative example C: improved to 75% or more and equal to or less than the comparative example D: Deterioration as compared with Comparative Example << Sensitivity axial direction unevenness >>"Sensitivity" was measured over the entire area of the electrophotographic photosensitive member in the axial direction, and the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value was evaluated as the sensitivity axial direction unevenness. . Therefore, the smaller the numerical value, the better. Each was classified into the following ranks by comparing with the comparative example.
【０１６１】Ａ：比較例と比較して５０％未満に良化 Ｂ：比較例と比較して５０％以上７５％未満に良化 Ｃ：比較例と比較して７５％以上同等以下に良化 Ｄ：比較例と比較して悪化 《光メモリー母線方向むら》電子写真用感光体の軸方向
全域にわたって『光メモリー』を測定し、平均値に対す
る最大値と最小値の差を感度むらとして評価した。従っ
て数値が小さいほど良好である。それぞれについて比較
例と比較することにより以下のランクに区分した。A: improved to less than 50% compared to the comparative example B: improved to 50% or more and less than 75% compared to the comparative example C: improved to 75% or more and equal to or less than the comparative example D: Deterioration compared with Comparative Example << Optical memory bus direction unevenness >>"Opticalmemory" was measured over the entire area of the electrophotographic photosensitive member in the axial direction, and the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value was evaluated as sensitivity unevenness. . Therefore, the smaller the numerical value, the better. Each was classified into the following ranks by comparing with the comparative example.
【０１６２】Ａ：比較例と比較して５０％未満に良化 Ｂ：比較例と比較して５０％以上７５％未満に良化 Ｃ：比較例と比較して７５％以上同等以下に良化 Ｄ：比較例と比較して悪化 表７より明らかなように、表面積調整手段５０１、距離
調整手段６０１を用いることによって、軸方向の熱伝導
効率を補正することにより、電子写真特性の軸方向ムラ
を極力低減することができ、良好な電子写真用感光体を
得ることができることがわかる。A: improved to less than 50% compared to the comparative example B: improved to 50% or more and less than 75% compared to the comparative example C: improved to 75% or more and equal to or less than the comparative example D: Deterioration compared to Comparative Example As is clear from Table 7, by using the surface area adjusting means 501 and the distance adjusting means 601 to correct the heat transfer efficiency in the axial direction, the unevenness in the axial direction of the electrophotographic characteristics was obtained. Can be reduced as much as possible, and a good electrophotographic photoreceptor can be obtained.
【０１６３】（実施例８）図７は、本発明の基体処理装
置の他の実施の形態を示す、プラズマＣＶＤ法による電
子写真用感光体の製造装置の代表例を示す模式的な構成
図であり、（ａ）は内部構造を横から見た図、（ｂ）は
内部構造を上から見た図である。(Embodiment 8) FIG. 7 is a schematic structural view showing a typical example of an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member by a plasma CVD method, showing another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention. FIG. 2A is a diagram of the internal structure viewed from the side, and FIG. 2B is a diagram of the internal structure viewed from above.
【０１６４】本形態は図７に示すように、図１に示した
基体処理装置に対して、プラズマ発生用高周波電極１０
３がアルミナセラミックス製の誘電体部材９０１の外に
配置され、さらに１本の原料ガス導入手段１０４が誘電
体部材９０１の中央に配置されて構成されたものであ
り、さらに、各基体加熱ヒーター１０６に図３（ｂ）に
示した表面積調整手段５０２が設置されている。In this embodiment, as shown in FIG. 7, a high-frequency electrode 10 for plasma generation is applied to the substrate processing apparatus shown in FIG.
3 is disposed outside a dielectric member 901 made of alumina ceramics, and one raw material gas introducing means 104 is disposed at the center of the dielectric member 901. The surface area adjusting means 502 shown in FIG.
【０１６５】なお、予め行った加熱実験により、それぞ
れの基体加熱ヒーター１０６に設置される表面積調整手
段５０１の表面積は調整されている。The surface area of the surface area adjusting means 501 installed in each of the substrate heaters 106 has been adjusted by a heating experiment performed in advance.
【０１６６】直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状
アルミニウムアルミニウムシリンダを基体１０１として
６本設置し、表１に示した加熱条件を用いてアルミニウ
ムシリンダの加熱を行う。Six cylindrical aluminum aluminum cylinders having a diameter of 108 mm and a length of 358 mm are provided as the base 101, and the aluminum cylinders are heated under the heating conditions shown in Table 1.
【０１６７】なお、シリンダ加熱時は電力調整手段１１
４を用いることによって、６個の基体加熱ヒーター１０
６に供給される電力を一括に制御し、６本のアルミニウ
ムシリンダのうちの１つのアルミニウムシリンダが所定
の温度となるように、予め設定された加熱シーケンスに
従って電力調整手段１１４を調整して加熱を実施する。When the cylinder is heated, the electric power adjusting means 11
4, six substrate heaters 10
6 is controlled collectively, and heating is adjusted by adjusting the power adjusting means 114 according to a preset heating sequence so that one of the six aluminum cylinders has a predetermined temperature. carry out.
【０１６８】所定の加熱終了後、発振周波数１０５ＭＨ
ｚの高周波電源１１０Ａと発振周波数７０ＭＨｚの高周
波電源１１０Ｂを用いて、表８に示した条件でプラズマ
を発生させ、アルミニウムシリンダ上に、電荷注入阻止
層、光導電層、表面層を順次積層し、電子写真用感光体
を作製した。After the predetermined heating is completed, the oscillation frequency is set to 105 MH.
Plasma is generated under the conditions shown in Table 8 using a high-frequency power supply 110A of z and a high-frequency power supply 110B of an oscillation frequency of 70 MHz, and a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer are sequentially laminated on an aluminum cylinder, An electrophotographic photoreceptor was prepared.
【０１６９】作成した各々の電子写真用感光体を本テス
ト用に改造されたキヤノン製の複写機ＧＰ−６０５に設
置し、電子写真用感光体間の電子写真特性のばらつきに
ついて評価したところ、良好な結果が得られた。Each of the produced electrophotographic photosensitive members was installed in a Canon copier GP-605 modified for this test, and the variation in electrophotographic characteristics among the electrophotographic photosensitive members was evaluated. Results were obtained.
【０１７０】さらに、文字原稿を複写したところ、いず
れの電子写真用感光体も黒濃度が高く鮮明な画像が得ら
れた。また、写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮
明な画像を得ることができた。Further, when the text original was copied, clear images with high black density were obtained for all the electrophotographic photosensitive members. Also, in copying a photographic original, a clear image faithful to the original could be obtained.
【０１７１】[0171]
【表８】 [Table 8]
【０１７２】[0172]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、基体処理装置のコストダウンを実現しなが
らも、基体温度を精度良く所望の値に維持することがで
きる。According to the present invention, as described above, the substrate temperature can be accurately maintained at a desired value while the cost of the substrate processing apparatus is reduced.
【図１】本発明の基体処理装置の実施の一形態を示す、
プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の
代表例を示す模式的な構成図であり、（ａ）は内部構造
を横から見た図、（ｂ）は内部構造を上から見た図であ
る。FIG. 1 shows an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
It is a schematic block diagram which shows the typical example of the manufacturing apparatus of the electrophotographic photoreceptor by a plasma CVD method, (a) is the figure which looked at the internal structure from the side, (b) is the figure which looked at the internal structure from the top. It is.
【図２】図１に示した基体処理装置のブロック構成図で
ある。FIG. 2 is a block diagram of the substrate processing apparatus shown in FIG.
【図３】図１に示した基体処理装置において使用される
基体加熱ヒータの表面積を調整する手段の一例を示す図
であり、（ａ）は凹凸のある表面積調整部材を基体加熱
ヒータにかぶせる方式のものを示す図、（ｂ）は針金状
の金属線を基体加熱ヒーターに巻きつける方式のものを
示す図である。3A and 3B are diagrams showing an example of a means for adjusting the surface area of a substrate heater used in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1, wherein FIG. FIG. 2B is a view showing a system in which a wire-like metal wire is wound around a substrate heater.
【図４】図１に示した基体処理装置において使用される
基体加熱ヒータと基体支持手段及び／または基体間の距
離を調整する手段の一例を示す図である。FIG. 4 is a view showing an example of a substrate heater and a substrate supporting means and / or a means for adjusting a distance between the substrates used in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1;
【図５】図１に示した基体処理装置において使用される
基体加熱ヒーターの表面積を調整する手段の他の例を示
す図であり、（ａ）は凹凸のある表面積調整部材を基体
加熱ヒーターにかぶせる方式のものを示す図、（ｂ）は
針金状の金属線を基体加熱ヒーターに巻きつける方式の
ものを示す図である。5A and 5B are diagrams showing another example of a means for adjusting the surface area of the substrate heater used in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. FIG. 3B is a view showing a method of covering, and FIG. 4B is a view showing a method of winding a wire-like metal wire around a base heater.
【図６】図１に示した基体処理装置において使用される
基体加熱ヒーターと基体支持手段及び／または基体間の
距離を調整する手段の他の例を示す図である。FIG. 6 is a view showing another example of the substrate heating heater and the substrate supporting means and / or the means for adjusting the distance between the substrates used in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1;
【図７】本発明の基体処理装置の他の実施の形態を示
す、プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装
置の代表例を示す模式的な構成図であり、（ａ）は内部
構造を横から見た図、（ｂ）は内部構造を上から見た図
である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a representative example of an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member by a plasma CVD method, showing another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention, wherein (a) is an internal structure. Is a side view, and (b) is a view of the internal structure viewed from above.
【図８】従来の基体温度制御方法を用いた基体処理装置
となるプラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造
装置の代表例を示す模式的な構成図であり、（ａ）は内
部構造を横から見た図、（ｂ）は内部構造を上から見た
図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a typical example of an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus by a plasma CVD method, which is a substrate processing apparatus using a conventional substrate temperature control method, and FIG. FIG. 2B is a diagram viewed from the side, and FIG.
【図９】図８に示した基体処理装置のブロック構成図で
ある。9 is a block diagram of the substrate processing apparatus shown in FIG.
１０１ 基体 １０２ 反応容器 １０３ プラズマ発生用高周波電極 １０４ 原料ガス導入手段 １０５ 基体支持手段 １０６ 基体加熱手段 １０７ ガス配管 １０８ 圧力測定手段 １０９ スロットルバルブ １１０，１１０Ａ，１１０Ｂ 高周波電源 １１１ 回転機構 １１２，１１２Ａ，１１２Ｂ 整合回路 １１３ 電力供給手段 １１４ 電力調整手段 １１５ 電力分岐手段 ５０１〜５０４ 表面積調整手段 ６０１，６０２ 距離調整手段 ９０１ 誘電体部材 ９０２ アースシールド Reference Signs List 101 substrate 102 reaction vessel 103 high-frequency electrode for plasma generation 104 source gas introducing means 105 substrate supporting means 106 substrate heating means 107 gas pipe 108 pressure measuring means 109 throttle valve 110, 110A, 110B high-frequency power supply 111 rotation mechanism 112, 112A, 112B matching Circuit 113 Power supply means 114 Power adjustment means 115 Power branching means 501 to 504 Surface area adjustment means 601 and 602 Distance adjustment means 901 Dielectric member 902 Earth shield
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 和敬 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 新納 博明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 FA03 GA02 JA03 JA16 JA18 KA24 KA41 KA46 5F045 AA08 AC01 AD06 AE05 AF10 BB08 CA16 DP25 DP28 EB02 EB03 EE04 EF03 EF08 EH04 EH12 EK07 EK22 EK23 EK25 EM02 GB05 GB06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kazutaka Akiyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Hiroaki Shinno 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon In-house F term (reference) 4K030 FA03 GA02 JA03 JA16 JA18 KA24 KA41 KA46 5F045 AA08 AC01 AD06 AE05 AF10 BB08 CA16 DP25 DP28 EB02 EB03 EE04 EF03 EF08 EH04 EH12 EK07 EK22 EK23 EK25 EM02 GB05 GB06
Claims (12)
に構成された反応容器と、前記反応容器内に設けられ、
前記基体を支持するための複数の基体支持手段と、前記
複数の基体支持手段のそれぞれに設けられ、前記基体を
加熱するための複数の基体加熱手段と、前記複数の基体
加熱手段に電力を供給する電力供給手段とを少なくとも
有し、前記電力供給手段から供給される電力によって前
記基体加熱手段にて前記基体が加熱される基体処理装置
において、 前記電力供給手段から供給される電力の前記基体加熱手
段への供給を予め決められた量に制限する一つの電力調
整手段と、 該電力を前記複数の基体加熱手段に分割して供給する電
力分岐手段とを有することを特徴とする基体処理装置。Claims: 1. A reaction container, in which a substrate for performing a predetermined treatment is configured to be installed inside, and provided in the reaction container,
A plurality of substrate supporting means for supporting the substrate; a plurality of substrate heating means provided on each of the plurality of substrate supporting means for heating the substrate; and supplying power to the plurality of substrate heating means. A substrate processing apparatus, wherein the substrate is heated by the substrate heating unit by the power supplied from the power supply unit, wherein the substrate supplied by the power supply unit is heated by the substrate heating unit. A substrate processing apparatus, comprising: one power adjusting unit for limiting supply to a unit to a predetermined amount; and a power branching unit for dividing and supplying the power to the plurality of substrate heating units.
て、 前記反応容器内にプラズマを生成させるための電力を供
給する高周波発生手段を有することを特徴とする基体処
理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a high-frequency generator for supplying electric power for generating plasma in the reaction vessel.
理装置において、 前記基体加熱手段と前記基体支持手段及び／または前記
基体間の熱伝導効率を調整する熱伝導効率調整手段を有
することを特徴とする基体処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a heat conduction efficiency adjusting unit that adjusts a heat conduction efficiency between the substrate heating unit and the substrate supporting unit and / or the substrate. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
て、 前記熱伝導効率調整手段は、前記基体加熱手段の表面積
を調整することを特徴とする基体処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said heat conduction efficiency adjusting means adjusts a surface area of said substrate heating means.
て、 前記熱伝導効率調整手段は、前記基体加熱手段と前記基
体支持体及び／または前記基体間の距離を調整すること
を特徴とする基体処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the heat conduction efficiency adjusting unit adjusts a distance between the substrate heating unit and the substrate support and / or the substrate. Processing equipment.
するための複数の基体加熱手段が設けられた反応容器内
に設置し、前記複数の基体加熱手段に一つの電力供給手
段から電力を供給することにより前記基体を加熱する基
体処理方法であって、 前記電力供給手段から供給される電力の前記基体加熱手
段への供給を予め決められた量に制限するとともに該電
力を前記複数の基体加熱手段に分割して供給することを
特徴とする基体処理方法。6. A substrate for performing a predetermined treatment is placed in a reaction vessel provided with a plurality of substrate heating means for heating the substrate, and the plurality of substrate heating means is supplied with electric power from one power supply means. A substrate treatment method for heating the substrate by supplying the power supplied from the power supply unit to the substrate heating unit to a predetermined amount and reducing the power to the plurality of substrates. A substrate treating method, wherein the substrate is divided and supplied to a substrate heating means.
て、 前記反応容器内に電力を供給してプラズマを生成するこ
とにより前記基体に対して前記所定の処理を行うことを
特徴とする基体処理方法。7. The substrate processing method according to claim 6, wherein the predetermined processing is performed on the substrate by supplying power into the reaction vessel to generate plasma. Method.
て、 前記反応容器内に供給される前記電力が高周波電力であ
り、前記電力の周波数が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以
下であることを特徴とする基体処理方法。8. The substrate processing method according to claim 7, wherein the power supplied into the reaction vessel is high-frequency power, and the frequency of the power is 10 MHz or more and 250 MHz or less. Method.
基体処理方法において、 前記基体加熱手段と前記基体支持手段及び／または前記
基体間の熱伝導効率を調整することを特徴とする基体処
理方法。9. The substrate processing method according to claim 6, wherein a heat conduction efficiency between the substrate heating unit and the substrate supporting unit and / or the substrate is adjusted. Substrate treatment method.
て、 前記基体加熱手段の表面積を調整することにより、前記
基体加熱手段と前記基体支持手段及び／または前記基体
間の熱伝導効率を調整することを特徴とする基体処理方
法。10. The substrate processing method according to claim 9, wherein a heat transfer efficiency between the substrate heating unit and the substrate supporting unit and / or the substrate is adjusted by adjusting a surface area of the substrate heating unit. A method for treating a substrate, comprising:
て、 前記基体加熱手段と前記基体支持手段及び／または前記
基体間の距離を調整することにより、前記基体加熱手段
と前記基体支持手段及び／または前記基体間の熱伝導効
率を調整することを特徴とする基体処理方法。11. The substrate processing method according to claim 9, wherein the distance between the substrate heating unit and the substrate supporting unit and / or the distance between the substrates is adjusted so that the substrate heating unit and the substrate supporting unit and / or Alternatively, a method of treating a substrate, comprising adjusting heat conduction efficiency between the substrates.
て、 前記基体加熱手段と前記基体支持手段及び／または前記
基体間に熱伝導効率を調整するための部材を設置し、そ
の材質を変えることにより、前記基体加熱手段と前記基
体支持手段及び／または前記基体間の熱伝導効率を調整
することを特徴とする基体処理方法。12. The substrate processing method according to claim 9, wherein a member for adjusting heat conduction efficiency is provided between the substrate heating unit and the substrate supporting unit and / or the substrate, and the material thereof is changed. A heat treatment efficiency between the substrate heating means and the substrate supporting means and / or the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001155318A JP2002353148A (en) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | System and method for processing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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