JP2002353098A - 露光方法及び装置 - Google Patents
露光方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002353098A JP2002353098A JP2001153008A JP2001153008A JP2002353098A JP 2002353098 A JP2002353098 A JP 2002353098A JP 2001153008 A JP2001153008 A JP 2001153008A JP 2001153008 A JP2001153008 A JP 2001153008A JP 2002353098 A JP2002353098 A JP 2002353098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- mask
- illumination
- isolated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク上に形成された微細な孤立パターンの
像を高い解像力でウェハ上に転写可能な露光方法及び装
置を提供する。 【解決手段】 ある波長の光でマスクの孤立パターンを
投影光学系により被露光面上に投影する段階を含む露光
方法において、当該孤立パターンの前記孤立パターンの
両端から出て前記投影光学系を介して前記被露光面に入
射する光束間の位相が実質的に当該光束の半波長ずれる
ように前記光により前記マスクを所定方向から照明する
ことを特徴とする露光方法を提供する。
像を高い解像力でウェハ上に転写可能な露光方法及び装
置を提供する。 【解決手段】 ある波長の光でマスクの孤立パターンを
投影光学系により被露光面上に投影する段階を含む露光
方法において、当該孤立パターンの前記孤立パターンの
両端から出て前記投影光学系を介して前記被露光面に入
射する光束間の位相が実質的に当該光束の半波長ずれる
ように前記光により前記マスクを所定方向から照明する
ことを特徴とする露光方法を提供する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、露光方
法に関し、特に、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶デ
ィスプレイ(LCD)用のガラス基板などのデバイスを
製造するのに使用される露光方法及び装置、デバイス製
造方法、及び、前記被処理体から製造されるデバイスに
関する。本発明は、例えば、フォトリソグラフィ工程に
おいて、被処理体に微細な孤立パターンを投影露光する
露光方法に好適である。
法に関し、特に、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶デ
ィスプレイ(LCD)用のガラス基板などのデバイスを
製造するのに使用される露光方法及び装置、デバイス製
造方法、及び、前記被処理体から製造されるデバイスに
関する。本発明は、例えば、フォトリソグラフィ工程に
おいて、被処理体に微細な孤立パターンを投影露光する
露光方法に好適である。
【0002】
【従来の技術】フォトリソグラフィ技術を用いてデバイ
スを製造する際に、マスク又はレチクル(本出願ではこ
れらの用語を交換可能に使用する)に描画されたパター
ンを投影光学系によってウェハに投影してパターンを転
写する投影露光装置が従来から使用されている。投影光
学系はパターンからの回折光をウェハ上に干渉及び結像
させ、通常の露光ではパターンからの0次及び±1次の
回折光(即ち、三光束)を干渉させる。
スを製造する際に、マスク又はレチクル(本出願ではこ
れらの用語を交換可能に使用する)に描画されたパター
ンを投影光学系によってウェハに投影してパターンを転
写する投影露光装置が従来から使用されている。投影光
学系はパターンからの回折光をウェハ上に干渉及び結像
させ、通常の露光ではパターンからの0次及び±1次の
回折光(即ち、三光束)を干渉させる。
【0003】マスクパターンは、近接した周期的なライ
ンアンドスペース(L&S)パターン、近接及び周期的
なコンタクトホール列、近接せずに孤立した孤立ライン
パターンや孤立コンタクトホール等を含むが、高解像度
でパターンを転写するためには、パターンの種類に応じ
て最適な露光条件(照明条件や露光量など)を選択する
必要がある。
ンアンドスペース(L&S)パターン、近接及び周期的
なコンタクトホール列、近接せずに孤立した孤立ライン
パターンや孤立コンタクトホール等を含むが、高解像度
でパターンを転写するためには、パターンの種類に応じ
て最適な露光条件(照明条件や露光量など)を選択する
必要がある。
【0004】投影露光装置の解像度Rは、光源の波長λ
と投影光学系の開口数(NA)を用いて以下のレーリー
の式で与えられる。
と投影光学系の開口数(NA)を用いて以下のレーリー
の式で与えられる。
【0005】
【数1】
【0006】ここで、k1は現像プロセスなどによって
定まるプロセス定数であり、通常露光の場合にはk1は
約0.5〜0.7である。
定まるプロセス定数であり、通常露光の場合にはk1は
約0.5〜0.7である。
【0007】近年のデバイスの高集積化に対応して、転
写されるパターンの微細化、即ち、高解像度化が益々要
求されている。高解像力を得るには、上式から開口数N
Aを大きくすること、及び、波長λを小さくすることが
有効であるが、これらの改善は現段階では限界に達して
いる。そこで、パターンを経た回折光の中で二光束を干
渉及び結像させる変形照明法や位相シフトマスク技術が
従来から提案されている。変形照明法は、斜入射照明法
などと呼ばれる場合もあるが、マスクパターンを光軸か
ら傾斜した角度で照明し、0次回折光と+又は−1次回
折光を干渉させて結像するものである。また、位相シフ
トマスクは、マスクの隣接する光透過部分の位相を18
0°反転することによって0次回折光を相殺し、2つの
±1次回折光を干渉させて結像するものである。これら
の技術によれば、上式のk1を実質的に0.25にする
ことができ、高解像度化に寄与する。
写されるパターンの微細化、即ち、高解像度化が益々要
求されている。高解像力を得るには、上式から開口数N
Aを大きくすること、及び、波長λを小さくすることが
有効であるが、これらの改善は現段階では限界に達して
いる。そこで、パターンを経た回折光の中で二光束を干
渉及び結像させる変形照明法や位相シフトマスク技術が
従来から提案されている。変形照明法は、斜入射照明法
などと呼ばれる場合もあるが、マスクパターンを光軸か
ら傾斜した角度で照明し、0次回折光と+又は−1次回
折光を干渉させて結像するものである。また、位相シフ
トマスクは、マスクの隣接する光透過部分の位相を18
0°反転することによって0次回折光を相殺し、2つの
±1次回折光を干渉させて結像するものである。これら
の技術によれば、上式のk1を実質的に0.25にする
ことができ、高解像度化に寄与する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の技術
は、周期的なL&Sパターンのような単純なパターンに
は効果的であるが、孤立ラインパターンには適用しにく
く、従って、孤立ラインパターンとL&Sパターンが混
在するような複雑なパターンにも適用しにくいため、こ
れらのパターンに対しては十分な解像度が得られなかっ
た。特に後者のパターンについては、近年の半導体産業
は、より高付加価値な、多種多様なパターンが混在する
システムチップに生産が移行しつつあり、マスクにも複
数種類のパターンを混在させる必要が生じてきている。
加えて、単位時間当たり処理される枚数(スループッ
ト)の低下を防止するために、マスクの交換をせずに後
者のパターンを同時に露光したいという需要もある。
は、周期的なL&Sパターンのような単純なパターンに
は効果的であるが、孤立ラインパターンには適用しにく
く、従って、孤立ラインパターンとL&Sパターンが混
在するような複雑なパターンにも適用しにくいため、こ
れらのパターンに対しては十分な解像度が得られなかっ
た。特に後者のパターンについては、近年の半導体産業
は、より高付加価値な、多種多様なパターンが混在する
システムチップに生産が移行しつつあり、マスクにも複
数種類のパターンを混在させる必要が生じてきている。
加えて、単位時間当たり処理される枚数(スループッ
ト)の低下を防止するために、マスクの交換をせずに後
者のパターンを同時に露光したいという需要もある。
【0009】そこで、微細な孤立ラインパターンや、孤
立ラインパターンとL&Sパターンを組み合わせた複雑
なパターンを含むマスクパターンを解像度良く露光可能
な露光方法及び装置を提供することを本発明の例示的目
的とする。
立ラインパターンとL&Sパターンを組み合わせた複雑
なパターンを含むマスクパターンを解像度良く露光可能
な露光方法及び装置を提供することを本発明の例示的目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の一側面としての
露光方法は、ある波長の光でマスクの孤立パターンを投
影光学系により被露光面上に投影する段階を含む露光方
法において、当該孤立パターンの前記孤立パターンの両
端から出て前記投影光学系を介して前記被露光面に入射
する光束間の位相が実質的に当該光束の半波長ずれるよ
うに前記光により前記マスクを所定方向から照明するこ
とを特徴とする。前記光束間の位相のずれは、前記波長
をλ、mを整数として、(λ/2)+mλを満足するこ
とを特徴とする。また、本発明の別の側面としての露光
方法は、マスクに形成された孤立ラインパターンを、当
該孤立ラインパターンの短手方向に関して前記孤立パタ
ーンの両端に入射する照明光束の位相が当該照明光束の
半波長と波長の整数倍の和に相当する量だけずれるよう
に照明し、前記マスクを経た照明光束を、投影光学系を
介して被露光面に投影することを特徴とする。また、本
発明の更に別の側面としての露光方法は、物体面上のパ
ターンを波長λの照明光束によって照明し、該パターン
の像を、投影光学系を介して像面上に投影露光する方法
において、前記物体面上に設けられ、短手方向に幅Lを
有する孤立ラインパターンを、mを整数として、前記短
手方向に関して斜めから光軸と角度θで、Lsinθ=
(λ/2)+mλを満足するように照明することによっ
て前記像面上に前記孤立ラインパターンに対応する暗線
を形成することを特徴とする。これらの露光方法は、前
記両端から発生する散乱光の位相が反転させるため、被
露光面上ではこれらが打ち消し合ってシャープな光学像
を形成し、解像度を向上させる。
露光方法は、ある波長の光でマスクの孤立パターンを投
影光学系により被露光面上に投影する段階を含む露光方
法において、当該孤立パターンの前記孤立パターンの両
端から出て前記投影光学系を介して前記被露光面に入射
する光束間の位相が実質的に当該光束の半波長ずれるよ
うに前記光により前記マスクを所定方向から照明するこ
とを特徴とする。前記光束間の位相のずれは、前記波長
をλ、mを整数として、(λ/2)+mλを満足するこ
とを特徴とする。また、本発明の別の側面としての露光
方法は、マスクに形成された孤立ラインパターンを、当
該孤立ラインパターンの短手方向に関して前記孤立パタ
ーンの両端に入射する照明光束の位相が当該照明光束の
半波長と波長の整数倍の和に相当する量だけずれるよう
に照明し、前記マスクを経た照明光束を、投影光学系を
介して被露光面に投影することを特徴とする。また、本
発明の更に別の側面としての露光方法は、物体面上のパ
ターンを波長λの照明光束によって照明し、該パターン
の像を、投影光学系を介して像面上に投影露光する方法
において、前記物体面上に設けられ、短手方向に幅Lを
有する孤立ラインパターンを、mを整数として、前記短
手方向に関して斜めから光軸と角度θで、Lsinθ=
(λ/2)+mλを満足するように照明することによっ
て前記像面上に前記孤立ラインパターンに対応する暗線
を形成することを特徴とする。これらの露光方法は、前
記両端から発生する散乱光の位相が反転させるため、被
露光面上ではこれらが打ち消し合ってシャープな光学像
を形成し、解像度を向上させる。
【0011】前記孤立ラインパターンは、入射光の一部
を透過すると共に透過した光の位相を該パターンが設け
られていない部分を透過した光に対して180°反転さ
せるハーフトーン型位相シフト部材から形成され、かつ
その透過率は、像面上に形成される前記暗線の中央部の
光強度がゼロになるように設定されてもよい。ハーフト
ーン型位相シフト部材は孤立パターンに比較的効果的で
あるので上述の露光方法に組み合わされてその作用を高
めることができる。前記マスクは、線幅と間隔が共にL
/2のラインアンドスペースパターンを更に含み、前記
照明は前記照明光束から生じる二つの回折光を干渉させ
るための変形照明であってもよい。これにより、孤立ラ
インパターンとL&Sパターンとを同時に露光すること
ができる。
を透過すると共に透過した光の位相を該パターンが設け
られていない部分を透過した光に対して180°反転さ
せるハーフトーン型位相シフト部材から形成され、かつ
その透過率は、像面上に形成される前記暗線の中央部の
光強度がゼロになるように設定されてもよい。ハーフト
ーン型位相シフト部材は孤立パターンに比較的効果的で
あるので上述の露光方法に組み合わされてその作用を高
めることができる。前記マスクは、線幅と間隔が共にL
/2のラインアンドスペースパターンを更に含み、前記
照明は前記照明光束から生じる二つの回折光を干渉させ
るための変形照明であってもよい。これにより、孤立ラ
インパターンとL&Sパターンとを同時に露光すること
ができる。
【0012】本発明の別の側面としてのマスクは、上述
の露光方法によって照明された場合に、前記被露光面の
光強度分布が、前記孤立ラインパターンの前記短手方向
の中心において0になるような透過率に設定されたハー
フトーン位相シフタによって前記孤立ラインパターンが
形成されていることを特徴とする。かかるマスクは、被
露光面の光強度がゼロになるために、コントラストの高
い像を形成することができる。
の露光方法によって照明された場合に、前記被露光面の
光強度分布が、前記孤立ラインパターンの前記短手方向
の中心において0になるような透過率に設定されたハー
フトーン位相シフタによって前記孤立ラインパターンが
形成されていることを特徴とする。かかるマスクは、被
露光面の光強度がゼロになるために、コントラストの高
い像を形成することができる。
【0013】本発明の更に別の側面としての露光装置
は、上述の照明を行う照明装置と、上述の投影を行う投
影光学系とを有する。かかる露光装置は、上述の露光方
法と同様の作用を奏する。また、本発明の更に別の側面
としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて
被処理体を投影露光するステップと、前記投影露光され
た前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有
する。上述の露光方法の作用と同様の作用を奏するデバ
イス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデ
バイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイス
は、例えば、LSIやVSLIなどの半導体チップ、C
CD、LCD、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含
む。
は、上述の照明を行う照明装置と、上述の投影を行う投
影光学系とを有する。かかる露光装置は、上述の露光方
法と同様の作用を奏する。また、本発明の更に別の側面
としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて
被処理体を投影露光するステップと、前記投影露光され
た前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有
する。上述の露光方法の作用と同様の作用を奏するデバ
イス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデ
バイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイス
は、例えば、LSIやVSLIなどの半導体チップ、C
CD、LCD、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含
む。
【0014】本発明の更なる目的又はその他の特徴は、
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の例示的な露光装置1について説明する。ここで、図6
は、露光装置1の概略ブロック図である。露光装置1
は、図6で示すように、回路パターンが形成されたマス
ク10を照明する照明装置100と、プレートを支持す
るステージ45と、照明されたマスクパターンから生じ
る回折光をプレート30に投影する投影光学系300と
を有する。
の例示的な露光装置1について説明する。ここで、図6
は、露光装置1の概略ブロック図である。露光装置1
は、図6で示すように、回路パターンが形成されたマス
ク10を照明する照明装置100と、プレートを支持す
るステージ45と、照明されたマスクパターンから生じ
る回折光をプレート30に投影する投影光学系300と
を有する。
【0016】露光装置1は、例えば、ステップアンドリ
ピート方式やステップアンドスキャン方式でマスク10
に形成された回路パターンをプレート30に露光する投
影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンや
クオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適であ
り、以下、本実施形態ではステップアンドスキャン方式
の露光装置(「スキャナー」とも呼ばれる)を例に説明
する。ここで、「ステップアンドリピート方式」は、マ
スクに対してウェハを連続的にスキャンしてマスクパタ
ーンをウェハに露光すると共に、1ショットの露光終了
後ウェハをステップ移動して、次のショットの露光領域
に移動する露光法である。「ステップアンドリピート方
式」は、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをス
テップ移動して次のショットを露光領域に移動する露光
法である。
ピート方式やステップアンドスキャン方式でマスク10
に形成された回路パターンをプレート30に露光する投
影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンや
クオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適であ
り、以下、本実施形態ではステップアンドスキャン方式
の露光装置(「スキャナー」とも呼ばれる)を例に説明
する。ここで、「ステップアンドリピート方式」は、マ
スクに対してウェハを連続的にスキャンしてマスクパタ
ーンをウェハに露光すると共に、1ショットの露光終了
後ウェハをステップ移動して、次のショットの露光領域
に移動する露光法である。「ステップアンドリピート方
式」は、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをス
テップ移動して次のショットを露光領域に移動する露光
法である。
【0017】マスク10は、例えば、石英などの透明な
基板12に転写されるべき回路パターン(本実施形態で
は孤立ラインパターン11)が形成され、図示しないス
テージ(「レチクルステージ」と呼ばれる場合もある)
に支持される。マスク10を経た照明光から生じる回折
光は投影光学系300を通り、プレート30に投影され
る。
基板12に転写されるべき回路パターン(本実施形態で
は孤立ラインパターン11)が形成され、図示しないス
テージ(「レチクルステージ」と呼ばれる場合もある)
に支持される。マスク10を経た照明光から生じる回折
光は投影光学系300を通り、プレート30に投影され
る。
【0018】図1に、マスク10の概略断面図を示す。
同図を参照するに、マスク10は、透明基板12を含
み、その短手方向Aに線幅Lの遮光部14によって孤立
ラインパターン11が構成されている。遮光部14は、
例えば、クロムなどによって形成される。なお後述する
ように、遮光部14は透過光の位相を変換させる光透過
部に置換されてもよい。なお、本実施形態のマスク10
に構成された孤立ラインパターン11は、簡略化及び説
明の都合上、同図紙面と垂直方向に長く伸びた1次元物
体とする。線幅Lは、例えば、約0.15μmであり、
照明装置100が一括して露光することができる大きさ
である。ここでの説明では、便宜上投影光学系300の
結像倍率を1としているが、実際の装置ではマスク上の
パターンはプレート30上に4分の1倍、或いは5分の
1倍に縮小投影される構成をとることが多い。その場合
には、マスク上の遮光部の線幅は4L或いは5Lに拡大
された大きさになる。
同図を参照するに、マスク10は、透明基板12を含
み、その短手方向Aに線幅Lの遮光部14によって孤立
ラインパターン11が構成されている。遮光部14は、
例えば、クロムなどによって形成される。なお後述する
ように、遮光部14は透過光の位相を変換させる光透過
部に置換されてもよい。なお、本実施形態のマスク10
に構成された孤立ラインパターン11は、簡略化及び説
明の都合上、同図紙面と垂直方向に長く伸びた1次元物
体とする。線幅Lは、例えば、約0.15μmであり、
照明装置100が一括して露光することができる大きさ
である。ここでの説明では、便宜上投影光学系300の
結像倍率を1としているが、実際の装置ではマスク上の
パターンはプレート30上に4分の1倍、或いは5分の
1倍に縮小投影される構成をとることが多い。その場合
には、マスク上の遮光部の線幅は4L或いは5Lに拡大
された大きさになる。
【0019】プレート30は、ウェハや液晶基板などの
被処理体である。プレート30にはフォトレジストが塗
布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、
密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、
プリベーク処理とを含む。前処理は洗浄、乾燥などを含
む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地と
の密着性を高めるための表面改質(即ち、界面活性剤塗
布による疎水性化)処理であり、HMDS(Hexam
ethyl−disilazane)などの有機膜をコ
ート又は蒸気処理する。プリベークはベーキング(焼
成)工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶
剤を除去する。
被処理体である。プレート30にはフォトレジストが塗
布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、
密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、
プリベーク処理とを含む。前処理は洗浄、乾燥などを含
む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地と
の密着性を高めるための表面改質(即ち、界面活性剤塗
布による疎水性化)処理であり、HMDS(Hexam
ethyl−disilazane)などの有機膜をコ
ート又は蒸気処理する。プリベークはベーキング(焼
成)工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶
剤を除去する。
【0020】プレート30は、ステージ(「ウェハステ
ージ」と呼ばれる場合もある。)45に支持される。ス
テージ45は、当業界で周知のいかなる構成をも適用す
ることができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説
明は省略する。例えば、ステージ45はリニアモータを
利用してXY方向にプレート30を移動することができ
る。マスク10とプレート30は、例えば、同期して走
査され、レチクルステージ及びステージ45の位置は、
例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一
定の速度比率で駆動される。ステージ45は、例えば、
ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に
設けられ、レチクルステージ及び投影光学系300は、
例えば、鏡筒定盤は床等に載置されたベースフレーム上
にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に
設けられる。
ージ」と呼ばれる場合もある。)45に支持される。ス
テージ45は、当業界で周知のいかなる構成をも適用す
ることができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説
明は省略する。例えば、ステージ45はリニアモータを
利用してXY方向にプレート30を移動することができ
る。マスク10とプレート30は、例えば、同期して走
査され、レチクルステージ及びステージ45の位置は、
例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一
定の速度比率で駆動される。ステージ45は、例えば、
ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に
設けられ、レチクルステージ及び投影光学系300は、
例えば、鏡筒定盤は床等に載置されたベースフレーム上
にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に
設けられる。
【0021】照明装置100は転写用の孤立パターンが
形成されたマスク10を照明し、光源部110と、照明
光学系120とを有する。
形成されたマスク10を照明し、光源部110と、照明
光学系120とを有する。
【0022】光源部110は、例えば、光源としてレー
ザーを使用する。レーザーは、波長約193nmのAr
Fエキシマレーザー、波長約248nmのKrFエキシ
マレーザー、波長約157nmのF2エキシマレーザー
などを使用することができるが、レーザーの種類はエキ
シマレーザーに限定されず、例えば、YAGレーザーを
使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されな
い。例えば、独立に動作する2個の固体レーザーを使用
すれば固体レーザー相互間のコヒーレンスはなく、コヒ
ーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さら
にスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転
的に揺動させてもよい。また、光源部12にレーザーが
使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望の
ビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントな
レーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレン
ト化光学系を使用することが好ましい。また、光源部1
10に使用可能な光源はレーザーに限定されるものでは
なく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどの
ランプも使用可能である。本実施例では光源部110
は、波長λの露光光を生成する。
ザーを使用する。レーザーは、波長約193nmのAr
Fエキシマレーザー、波長約248nmのKrFエキシ
マレーザー、波長約157nmのF2エキシマレーザー
などを使用することができるが、レーザーの種類はエキ
シマレーザーに限定されず、例えば、YAGレーザーを
使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されな
い。例えば、独立に動作する2個の固体レーザーを使用
すれば固体レーザー相互間のコヒーレンスはなく、コヒ
ーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さら
にスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転
的に揺動させてもよい。また、光源部12にレーザーが
使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望の
ビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントな
レーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレン
ト化光学系を使用することが好ましい。また、光源部1
10に使用可能な光源はレーザーに限定されるものでは
なく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどの
ランプも使用可能である。本実施例では光源部110
は、波長λの露光光を生成する。
【0023】照明光学系120はマスク10を照明する
光学系であり、本実施例では、波長λの照明光400を
投影光学系300の光軸Hから角度θだけ傾けてマスク
10に照射することによってマスク10を照明する。但
し、本実施形態の照明光学系120による照明は従来の
斜入射照明とは異なる。従来の斜入射照明法の特徴は照
明光を、周期的なパターンの繰り返し方向を含む面内で
角度θだけ傾けることであるのに対して、本実施形態の
照明光学系120は、孤立ラインパターン11のように
周期的なパターンを使用していないからである。
光学系であり、本実施例では、波長λの照明光400を
投影光学系300の光軸Hから角度θだけ傾けてマスク
10に照射することによってマスク10を照明する。但
し、本実施形態の照明光学系120による照明は従来の
斜入射照明とは異なる。従来の斜入射照明法の特徴は照
明光を、周期的なパターンの繰り返し方向を含む面内で
角度θだけ傾けることであるのに対して、本実施形態の
照明光学系120は、孤立ラインパターン11のように
周期的なパターンを使用していないからである。
【0024】角度θを決定するに当たり、本発明者は、
まず、θ=0の場合に線幅Lの変化による光学像の劣化
について検討した。まず、図10に示すように、孤立ラ
インパターン501を垂直に照明した場合の像形成につ
いて説明する。図10において、マスク500は、透明
基板502と線幅Lの遮光部504とを有する。遮光部
504によってマスクパターンとしての孤立ラインパタ
ーン501が構成されている。説明の都合上、マスクパ
ターンを同図紙面と垂直方向に長く伸びた1次元物体と
する。マスク500を波長λの照明光550で照明する
と、マスク500をそのまま透過した光束552及び5
54と共に遮光部502の両端で散乱した散乱光556
及び558は投影光学系520に入射し、ウェハ540
に光学像530を形成する。理解されるように、散乱光
556及び558は、ウェハ540上の遮光部504の
中央に対応する中央位置Oで干渉し、本来ゼロになるべ
き光強度を増加させる。この結果、コントラストが減少
し、光学像530が劣化する。
まず、θ=0の場合に線幅Lの変化による光学像の劣化
について検討した。まず、図10に示すように、孤立ラ
インパターン501を垂直に照明した場合の像形成につ
いて説明する。図10において、マスク500は、透明
基板502と線幅Lの遮光部504とを有する。遮光部
504によってマスクパターンとしての孤立ラインパタ
ーン501が構成されている。説明の都合上、マスクパ
ターンを同図紙面と垂直方向に長く伸びた1次元物体と
する。マスク500を波長λの照明光550で照明する
と、マスク500をそのまま透過した光束552及び5
54と共に遮光部502の両端で散乱した散乱光556
及び558は投影光学系520に入射し、ウェハ540
に光学像530を形成する。理解されるように、散乱光
556及び558は、ウェハ540上の遮光部504の
中央に対応する中央位置Oで干渉し、本来ゼロになるべ
き光強度を増加させる。この結果、コントラストが減少
し、光学像530が劣化する。
【0025】ウェハ540上には感光性のレジスト54
5が塗布されており、光学像530にレジスト545が
感光することによりマスク500のパターン501がウ
ェハ540上に転写される。転写後に得られるウェハ5
40は、図11に示すようなレジスト形状をもつ。図1
1(a)はレジスト545aがネガタイプの場合のウェ
ハ540上のレジスト形状、図11(b)はレジスト5
45bがポジタイプの場合のウェハ540上のレジスト
形状を示している。但し、図10に示す遮光部504の
線幅Lが狭くなると、光学像530が不明瞭となるた
め、形成可能なレジスト像の幅Yには下限が存在する。
5が塗布されており、光学像530にレジスト545が
感光することによりマスク500のパターン501がウ
ェハ540上に転写される。転写後に得られるウェハ5
40は、図11に示すようなレジスト形状をもつ。図1
1(a)はレジスト545aがネガタイプの場合のウェ
ハ540上のレジスト形状、図11(b)はレジスト5
45bがポジタイプの場合のウェハ540上のレジスト
形状を示している。但し、図10に示す遮光部504の
線幅Lが狭くなると、光学像530が不明瞭となるた
め、形成可能なレジスト像の幅Yには下限が存在する。
【0026】図12に、遮光部504の線幅Lの変化に
よる光学像530の劣化を示す。グラフの縦軸は光強度
を表し、遮光部504の影響が及ばない位置の強度が1
となるように規格化されている。また、横軸は線幅Lの
大きさをλ/NA(投影光学系30の開口数)で規格化
した値である。例えば、λ=193nm、NA=0.7
の場合には、図に示す数値×276nmが実際の値にな
っている。また、グラフは、遮光部504の線幅Lを1
とした場合、遮光部504の線幅Lを0.5とした場
合、遮光部504の線幅Lを0.25とした場合のウェ
ハ540上の光強度分布をそれぞれ示している。
よる光学像530の劣化を示す。グラフの縦軸は光強度
を表し、遮光部504の影響が及ばない位置の強度が1
となるように規格化されている。また、横軸は線幅Lの
大きさをλ/NA(投影光学系30の開口数)で規格化
した値である。例えば、λ=193nm、NA=0.7
の場合には、図に示す数値×276nmが実際の値にな
っている。また、グラフは、遮光部504の線幅Lを1
とした場合、遮光部504の線幅Lを0.5とした場
合、遮光部504の線幅Lを0.25とした場合のウェ
ハ540上の光強度分布をそれぞれ示している。
【0027】ウェハ540上に微細なパターン像を形成
するためには光強度が弱くなる部分(暗部)の幅を小さ
くする必要があるが、同時に暗部の光強度がほぼゼロと
なるように抑えることが必要である。図12を参照する
に、遮光部504の線幅Lを狭くするにつれて暗部wの
幅は小さくなる。しかし、暗部の中心の光強度をゼロに
抑えるという条件からは、遮光部504の線幅Lは0.
5程度が下限となることが理解される。ここで、光強度
が0.5となる位置における暗部の幅w(即ち、光学像
が形成可能なレジスト像の幅Y)を定義すれば、wは次
式で与えられ、これが暗部線幅の最小値となる。
するためには光強度が弱くなる部分(暗部)の幅を小さ
くする必要があるが、同時に暗部の光強度がほぼゼロと
なるように抑えることが必要である。図12を参照する
に、遮光部504の線幅Lを狭くするにつれて暗部wの
幅は小さくなる。しかし、暗部の中心の光強度をゼロに
抑えるという条件からは、遮光部504の線幅Lは0.
5程度が下限となることが理解される。ここで、光強度
が0.5となる位置における暗部の幅w(即ち、光学像
が形成可能なレジスト像の幅Y)を定義すれば、wは次
式で与えられ、これが暗部線幅の最小値となる。
【0028】
【数2】
【0029】従って、遮光部504の線幅Lが(例え
ば、本実施形態のように約0.15μmに)狭くなると
良好な光学像530が得られないため、ウェハ540上
に微細な線幅を有する孤立のマスクパターンを形成する
ことができない。
ば、本実施形態のように約0.15μmに)狭くなると
良好な光学像530が得られないため、ウェハ540上
に微細な線幅を有する孤立のマスクパターンを形成する
ことができない。
【0030】次に、本発明者は、図10に示す遮光部5
04を透明な位相シフト部材に置換して同様に光学像の
劣化を検討した。この場合のマスク500Aを図13に
示す。マスク500Aは、透明基板502と透明な位相
シフタ506とを有する。照明光550によって照明し
た際に、位相シフタ506を透過した光束562と位相
シフタ506が存在しない部分を透過した光束564、
566の間に180度の相対位相差が発生する。そのた
めに位相シフタ506の屈折率をnとすれば、その厚み
dは次式により決定される。
04を透明な位相シフト部材に置換して同様に光学像の
劣化を検討した。この場合のマスク500Aを図13に
示す。マスク500Aは、透明基板502と透明な位相
シフタ506とを有する。照明光550によって照明し
た際に、位相シフタ506を透過した光束562と位相
シフタ506が存在しない部分を透過した光束564、
566の間に180度の相対位相差が発生する。そのた
めに位相シフタ506の屈折率をnとすれば、その厚み
dは次式により決定される。
【0031】
【数3】
【0032】マスク500A上の孤立ラインパターン5
01Aとしてこのような位相シフタ506を用いた場合
に、図示しないウェハ上に形成される光学像の劣化を図
14に示す。位相シフタ506の幅Lを狭くすることに
より像の暗部の幅が減少するのは図12を参照して説明
したようにマスク500を用いた場合と同様である。こ
こで図12の場合と同様に、暗部中心の光強度がほぼゼ
ロになるということを良質な像が得られることの条件と
すれば、位相シフタ506の幅の値としてL=0.25
程度が下限となる。前と同様に光強度が0.5となる位
置で暗部の幅wを定義すれば、wは次式で与えられ、こ
れが暗部線幅の最小値となる。
01Aとしてこのような位相シフタ506を用いた場合
に、図示しないウェハ上に形成される光学像の劣化を図
14に示す。位相シフタ506の幅Lを狭くすることに
より像の暗部の幅が減少するのは図12を参照して説明
したようにマスク500を用いた場合と同様である。こ
こで図12の場合と同様に、暗部中心の光強度がほぼゼ
ロになるということを良質な像が得られることの条件と
すれば、位相シフタ506の幅の値としてL=0.25
程度が下限となる。前と同様に光強度が0.5となる位
置で暗部の幅wを定義すれば、wは次式で与えられ、こ
れが暗部線幅の最小値となる。
【0033】
【数4】
【0034】数式4に示すwは数式2に示すw=0.7
77よりも僅かながら小さくなっており、遮光部504
の代わりに位相シフタ506を用いたことの効果が現れ
ている。但し、改善された値は微細な孤立ラインパター
ンを形成する露光について、LSI等の更なる高集積化
の要求を満足する解像度を提供するには至っていない。
これには、互いに位相が同じである散乱光568及び5
69による影響がある。
77よりも僅かながら小さくなっており、遮光部504
の代わりに位相シフタ506を用いたことの効果が現れ
ている。但し、改善された値は微細な孤立ラインパター
ンを形成する露光について、LSI等の更なる高集積化
の要求を満足する解像度を提供するには至っていない。
これには、互いに位相が同じである散乱光568及び5
69による影響がある。
【0035】さて、図1に戻って、本実施形態の照明光
学系120は、散乱光402及び404によるプレート
30上の悪影響をなくすために、以下の次式に示す条件
を満足するように照明光400の入射角度θを設定して
いる。
学系120は、散乱光402及び404によるプレート
30上の悪影響をなくすために、以下の次式に示す条件
を満足するように照明光400の入射角度θを設定して
いる。
【0036】
【数5】
【0037】数式5の条件は、遮光部14の右端と左端
を照明する光束の位相が相対的に180度(即ち、長さ
λ/2)ずれることに相当する。なぜなら、照明光40
0のうち、図1に示す遮光部14の左端15に到達する
光と右端16に到達する光の光路差はLsinθに相当
し、これが半波長(λ/2)であれば数式5のようにな
るからである。数式5は、整数mを用いて以下の数式5
に示す一般式に拡張することができることが理解される
であろう。
を照明する光束の位相が相対的に180度(即ち、長さ
λ/2)ずれることに相当する。なぜなら、照明光40
0のうち、図1に示す遮光部14の左端15に到達する
光と右端16に到達する光の光路差はLsinθに相当
し、これが半波長(λ/2)であれば数式5のようにな
るからである。数式5は、整数mを用いて以下の数式5
に示す一般式に拡張することができることが理解される
であろう。
【0038】
【数6】
【0039】数式5により、遮光部14の左端15から
発せられる散乱光402と遮光部14の右端16から発
せられる散乱光404は相対的に位相が反転することに
なる。散乱光402及び404と共にマスク10をその
まま透過した光束406及び408は投影光学系300
に入射する。従って、投影光学系300を介した散乱光
402及び404は実質的に半波長の位相差が生じた状
態でプレート30上に入射し、部分的に重なることにな
る。但し、同図中のマスク10をそのまま透過した光束
406及び408、散乱光402及び404の矢印方向
は、実際の方向を示しているのではなく便宜的に示した
ものである。
発せられる散乱光402と遮光部14の右端16から発
せられる散乱光404は相対的に位相が反転することに
なる。散乱光402及び404と共にマスク10をその
まま透過した光束406及び408は投影光学系300
に入射する。従って、投影光学系300を介した散乱光
402及び404は実質的に半波長の位相差が生じた状
態でプレート30上に入射し、部分的に重なることにな
る。但し、同図中のマスク10をそのまま透過した光束
406及び408、散乱光402及び404の矢印方向
は、実際の方向を示しているのではなく便宜的に示した
ものである。
【0040】照明光学系120は、レンズ、ミラー、ラ
イトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデ
ンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサ
ーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等であ
る。照明光学系120は、軸上光、軸外光を問わず使用
することができる。ライトインテグレーターは、ハエの
目レンズや2組のシリンドリカルレンズアレイ(又はレ
ンチキュラーレンズ)板を重ねることによって構成され
るインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子
に置換される場合もある。本実施形態の照明光学系12
0は、その図示しない光軸を投影光学系300の光軸H
から角度θだけ傾けることによってマスク10に対する
斜入射照明光を生成してもよい。代替的に、照明光学系
120は、例えば、図示しないハエの目レンズの射出面
の直後に配置される開口絞りの形状を制御することによ
ってマスク10に対する斜入射照明光を生成する。いず
れにしても本実施形態では、数式5に定義する角度θは
予め算出されて固定されている。但し、照明角度θの固
定は本発明に必須のものではなく、後述する別の実施形
態では角度θは使用される孤立ラインパターン11に応
じて可変に調節される。開口絞りの形状についてもかか
る他の実施例と共に説明する。
イトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデ
ンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサ
ーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等であ
る。照明光学系120は、軸上光、軸外光を問わず使用
することができる。ライトインテグレーターは、ハエの
目レンズや2組のシリンドリカルレンズアレイ(又はレ
ンチキュラーレンズ)板を重ねることによって構成され
るインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子
に置換される場合もある。本実施形態の照明光学系12
0は、その図示しない光軸を投影光学系300の光軸H
から角度θだけ傾けることによってマスク10に対する
斜入射照明光を生成してもよい。代替的に、照明光学系
120は、例えば、図示しないハエの目レンズの射出面
の直後に配置される開口絞りの形状を制御することによ
ってマスク10に対する斜入射照明光を生成する。いず
れにしても本実施形態では、数式5に定義する角度θは
予め算出されて固定されている。但し、照明角度θの固
定は本発明に必須のものではなく、後述する別の実施形
態では角度θは使用される孤立ラインパターン11に応
じて可変に調節される。開口絞りの形状についてもかか
る他の実施例と共に説明する。
【0041】投影光学系300はマスク10を経た光を
プレート30に投影して光学像410を形成する。投影
光学系300は、複数のレンズ素子のみからなる光学
系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有
する光学系(カタディオプトリック光学系)、複数のレ
ンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光
学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用
することができる。色収差の補正が必要な場合には、互
いに分散値(アッベ値)の異なるガラス材からなる複数
のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子
と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
プレート30に投影して光学像410を形成する。投影
光学系300は、複数のレンズ素子のみからなる光学
系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有
する光学系(カタディオプトリック光学系)、複数のレ
ンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光
学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用
することができる。色収差の補正が必要な場合には、互
いに分散値(アッベ値)の異なるガラス材からなる複数
のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子
と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【0042】投影光学系300は、倒立像を形成するた
めに、図1に示すように光束406及び408の位置は
投影光学系300の前後で逆転する。もっとも、本発明
は、投影光学系300が正立像を形成する場合にも適用
することができる。散乱光402及び404は、位相が
反転しているため、投影光学系300により投影された
プレート30上で両者は互いに打ち消し合うので高品位
の光学像410を形成することができる。
めに、図1に示すように光束406及び408の位置は
投影光学系300の前後で逆転する。もっとも、本発明
は、投影光学系300が正立像を形成する場合にも適用
することができる。散乱光402及び404は、位相が
反転しているため、投影光学系300により投影された
プレート30上で両者は互いに打ち消し合うので高品位
の光学像410を形成することができる。
【0043】露光において、光源部110から発せられ
た光束は、ビーム整形系などを経た後で、波長λの露光
光として照明光学系120に導入される。数式5で表さ
れる照明角度θでマスク10を照明する。
た光束は、ビーム整形系などを経た後で、波長λの露光
光として照明光学系120に導入される。数式5で表さ
れる照明角度θでマスク10を照明する。
【0044】ステップアンドスキャン方式の露光装置1
であれば、光源部110と投影光学系300は固定し
て、マスク10とプレート30の同期走査してショット
全体を露光する。更に、プレート30のステージをステ
ップして、次のショットに移り、プレート30上に多数
のショットを露光転写する。これにより、孤立パターン
をプレート30上に転写する。なお、露光装置1がステ
ップアンドリピート方式であれば、マスク10とプレー
ト30を静止させた状態で露光を行う。
であれば、光源部110と投影光学系300は固定し
て、マスク10とプレート30の同期走査してショット
全体を露光する。更に、プレート30のステージをステ
ップして、次のショットに移り、プレート30上に多数
のショットを露光転写する。これにより、孤立パターン
をプレート30上に転写する。なお、露光装置1がステ
ップアンドリピート方式であれば、マスク10とプレー
ト30を静止させた状態で露光を行う。
【0045】マスク10を通過した散乱光402、40
4及び光束406、408は投影光学系300の結像作
用によって、プレート30上に所定倍率で縮小投影され
て光学像410を形成する。光学像410は、散乱光4
02及び404とマスク10をそのまま透過した光束4
06及び408がプレート30上で干渉して形成され
る。プレート30上の中心位置Oは、幾何光学的にはマ
スク10の遮光部14の影となりマスク10をそのまま
透過した光束は存在しないため、遮光部14の両端から
の散乱光402及び404のみの干渉によって光学像が
形成される。
4及び光束406、408は投影光学系300の結像作
用によって、プレート30上に所定倍率で縮小投影され
て光学像410を形成する。光学像410は、散乱光4
02及び404とマスク10をそのまま透過した光束4
06及び408がプレート30上で干渉して形成され
る。プレート30上の中心位置Oは、幾何光学的にはマ
スク10の遮光部14の影となりマスク10をそのまま
透過した光束は存在しないため、遮光部14の両端から
の散乱光402及び404のみの干渉によって光学像が
形成される。
【0046】数式5で表現される照明角度θでマスク1
0を照明することによって散乱光402及び404の位
相は反転するため、プレート30上の中心位置Oにおい
て散乱光402及び404の振幅が打ち消しあって結果
的に非常にシャープな暗線を形成することが可能とな
る。換言すれば、本発明は、散乱光402及び404に
よる光学像410の劣化を抑えることができる。これに
より、露光装置1はレジストへのパターン転写を高精度
に行って高品位なデバイス(半導体素子、LCD素子、
撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供
することができる。
0を照明することによって散乱光402及び404の位
相は反転するため、プレート30上の中心位置Oにおい
て散乱光402及び404の振幅が打ち消しあって結果
的に非常にシャープな暗線を形成することが可能とな
る。換言すれば、本発明は、散乱光402及び404に
よる光学像410の劣化を抑えることができる。これに
より、露光装置1はレジストへのパターン転写を高精度
に行って高品位なデバイス(半導体素子、LCD素子、
撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供
することができる。
【0047】ここで、数式5で表される照明角度θは、
従来の斜入射照明法による照明角度とは異なることを、
図15を参照して説明する。ここで、図15は、従来の
斜入射照明法の原理を説明するための概略断面図であ
る。マスク500Bは、透明基板502上には幅Lの遮
光部505が周期的に形成され、周期2Lのパターン5
01Bが形成されている。従来の斜入射照明法の特徴
は、周期パターンが繰り返す方向Bを含む面(紙面)内
で照明光570を角度θだけ傾けて、角度θの方向に発
生する0次回折光572と、角度βの方向に発生する1
次回折光576によって図示しないウェハ上に像を形成
することである。ここでβ=θの条件を選ぶことによっ
て二光束の回折光が発生することになり、以下の数式6
に示す解像可能なパターン線幅の範囲を有するようにな
る。β=θとするためには、照明光570の入射角度θ
を以下の数式7を満足するように設定する必要がある。
従来の斜入射照明法による照明角度とは異なることを、
図15を参照して説明する。ここで、図15は、従来の
斜入射照明法の原理を説明するための概略断面図であ
る。マスク500Bは、透明基板502上には幅Lの遮
光部505が周期的に形成され、周期2Lのパターン5
01Bが形成されている。従来の斜入射照明法の特徴
は、周期パターンが繰り返す方向Bを含む面(紙面)内
で照明光570を角度θだけ傾けて、角度θの方向に発
生する0次回折光572と、角度βの方向に発生する1
次回折光576によって図示しないウェハ上に像を形成
することである。ここでβ=θの条件を選ぶことによっ
て二光束の回折光が発生することになり、以下の数式6
に示す解像可能なパターン線幅の範囲を有するようにな
る。β=θとするためには、照明光570の入射角度θ
を以下の数式7を満足するように設定する必要がある。
【0048】
【数7】
【0049】
【数8】
【0050】このように、本実施形態の線幅Lの遮光部
14から構成されるマスク10を照明する場合、周期的
なパターンを照明する従来の斜入射照明法による照明角
度θと比較して、孤立ラインパターンを照明する本発明
の照明角度θは数式5及び8からsinで2倍となるこ
とが理解される。
14から構成されるマスク10を照明する場合、周期的
なパターンを照明する従来の斜入射照明法による照明角
度θと比較して、孤立ラインパターンを照明する本発明
の照明角度θは数式5及び8からsinで2倍となるこ
とが理解される。
【0051】
【実施例1】本発明の効果を実証するシミュレーション
結果を図2に示す。ここで、図2は線幅L=0.6を有
する孤立ラインパターン11を垂直に照明した場合、及
び、数式5を満足するように斜入射照明を行った場合の
光学像の比較を示すグラフである。Lの値、図の横軸が
λ/NAで規格化された値となっていることは前述の通
りである。同図から理解されるように、本発明の斜入射
照明を適用することにより暗部の線幅が著しく減少し、
それに対応して、プレート30上に従来よりも微細な線
幅の孤立パターンを形成することが可能となる。
結果を図2に示す。ここで、図2は線幅L=0.6を有
する孤立ラインパターン11を垂直に照明した場合、及
び、数式5を満足するように斜入射照明を行った場合の
光学像の比較を示すグラフである。Lの値、図の横軸が
λ/NAで規格化された値となっていることは前述の通
りである。同図から理解されるように、本発明の斜入射
照明を適用することにより暗部の線幅が著しく減少し、
それに対応して、プレート30上に従来よりも微細な線
幅の孤立パターンを形成することが可能となる。
【0052】
【実施例2】図2の結果では、本発明の斜入射照明法に
よって暗部の線幅は狭くなっているが、プレート30上
の中心位置Oの光強度はゼロになっていない。これは、
中心位置Oの光強度は図1に示す散乱光402及び40
4の干渉の結果として与えられ、中心位置Oでは散乱光
402及び404の位相は反転しているものの、散乱光
402及び404の振幅の大きさが異なるために完全に
打ち消し合うことができないためと解釈される。
よって暗部の線幅は狭くなっているが、プレート30上
の中心位置Oの光強度はゼロになっていない。これは、
中心位置Oの光強度は図1に示す散乱光402及び40
4の干渉の結果として与えられ、中心位置Oでは散乱光
402及び404の位相は反転しているものの、散乱光
402及び404の振幅の大きさが異なるために完全に
打ち消し合うことができないためと解釈される。
【0053】そこで、遮光部14を入射する光束の一部
を透過し、且つ、透過光の位相を周囲と反転させるハー
フトーン型位相シフタに置換した図示しないマスク10
Aを使用した。ハーフトーン型位相シフタは、例えば、
MoSi系半透膜から構成することができ、透過率及び
位相は、例えば、MoSi系半透膜の厚さと濃度を設定
することにより設定することができる。
を透過し、且つ、透過光の位相を周囲と反転させるハー
フトーン型位相シフタに置換した図示しないマスク10
Aを使用した。ハーフトーン型位相シフタは、例えば、
MoSi系半透膜から構成することができ、透過率及び
位相は、例えば、MoSi系半透膜の厚さと濃度を設定
することにより設定することができる。
【0054】本実施例では、ハーフトーン型位相シフタ
の振幅透過率を46%(強度透過率を21%)、位相を
180度に設定し、孤立ラインパターン11の線幅Lを
0.6に設定した。かかるマスク10Aを数式5で表さ
れる照明角度θで照明した場合にプレート30に現れる
光強度分布を図3に示す。図2と同様に、縦軸は光強度
を表し、遮光部14の影響が及ばない位置の強度が1と
なるように規格化されている。また、横軸は線幅Lの大
きさをλ/NA(投影光学系300の開口数)で規格化
されている。図3の結果から微細な線幅で、かつ、プレ
ート30上の中心位置Oにおける光強度ゼロの理想的な
光強度分布が実現されていることが理解される。
の振幅透過率を46%(強度透過率を21%)、位相を
180度に設定し、孤立ラインパターン11の線幅Lを
0.6に設定した。かかるマスク10Aを数式5で表さ
れる照明角度θで照明した場合にプレート30に現れる
光強度分布を図3に示す。図2と同様に、縦軸は光強度
を表し、遮光部14の影響が及ばない位置の強度が1と
なるように規格化されている。また、横軸は線幅Lの大
きさをλ/NA(投影光学系300の開口数)で規格化
されている。図3の結果から微細な線幅で、かつ、プレ
ート30上の中心位置Oにおける光強度ゼロの理想的な
光強度分布が実現されていることが理解される。
【0055】光強度が0.5となる位置における暗部の
幅wを定義すれば、wは次式で与えられる。
幅wを定義すれば、wは次式で与えられる。
【0056】
【数9】
【0057】かかるwの値が本発明の斜入射照明による
暗部線幅の最小値であり、数式2及び数式4で表される
暗部線幅wと比較すると非常に大きな解像度の向上が実
現されていることがわかる。
暗部線幅の最小値であり、数式2及び数式4で表される
暗部線幅wと比較すると非常に大きな解像度の向上が実
現されていることがわかる。
【0058】なお、照明装置100は、照明光400を
左右2方向から対称的にマスク10に与えることが好ま
しい。図4に、照明光400を左方向400a及び右方
向400bから与える例を示す。投影光学系300に内
在する収差及び/又は焦点深度の影響等で光学像410
の横方向のずれが生じる場合において、左右2方向から
対称的に与えられる照明光400a及び400bは光学
像410が非対称になるのを防ぐ効果がある。
左右2方向から対称的にマスク10に与えることが好ま
しい。図4に、照明光400を左方向400a及び右方
向400bから与える例を示す。投影光学系300に内
在する収差及び/又は焦点深度の影響等で光学像410
の横方向のずれが生じる場合において、左右2方向から
対称的に与えられる照明光400a及び400bは光学
像410が非対称になるのを防ぐ効果がある。
【0059】
【実施例3】以下、図5を参照して、マスク10の例と
してマスク10Bに形成された周期パターン及び孤立ラ
インパターンの解像度を同時に向上させる露光方法につ
いて説明する。ここで、図5は、マスク10Bの概略断
面図である。同図を参照するに、マスク10Bは透明基
板12を含み、線幅Lの遮光部14によって図1に示す
孤立ラインパターン11が構成される。照明光400
(左方向から入射する照明光400a及び右方向から入
射する照明光400b)は、遮光部14の線幅L及び照
明角度θにおいて本発明の斜入射照明法を適用するため
に数式5の関係を維持している。
してマスク10Bに形成された周期パターン及び孤立ラ
インパターンの解像度を同時に向上させる露光方法につ
いて説明する。ここで、図5は、マスク10Bの概略断
面図である。同図を参照するに、マスク10Bは透明基
板12を含み、線幅Lの遮光部14によって図1に示す
孤立ラインパターン11が構成される。照明光400
(左方向から入射する照明光400a及び右方向から入
射する照明光400b)は、遮光部14の線幅L及び照
明角度θにおいて本発明の斜入射照明法を適用するため
に数式5の関係を維持している。
【0060】マスク10Bは、周期パターン11Aを形
成する遮光部14Bを更に有する。遮光部14Bは、線
幅をL/2とし、遮光部14B及び光透過部17を合わ
せた周期パターンのピッチはLとなるように設定されて
いる。かかる構成は、マスク10Aの周期パターンに対
しても従来の斜入射照明法によって解像度が向上する条
件となっている。このことは、従来の斜入射照明法に最
適な照明角度θを表す数式7のLをL/2で置換すると
数式5と同等になることからも理解される。
成する遮光部14Bを更に有する。遮光部14Bは、線
幅をL/2とし、遮光部14B及び光透過部17を合わ
せた周期パターンのピッチはLとなるように設定されて
いる。かかる構成は、マスク10Aの周期パターンに対
しても従来の斜入射照明法によって解像度が向上する条
件となっている。このことは、従来の斜入射照明法に最
適な照明角度θを表す数式7のLをL/2で置換すると
数式5と同等になることからも理解される。
【0061】マスク10Bのパターン構成において、周
期パターン11Aは、従来の斜入射照明法の効果によっ
て解像度が向上し、孤立ラインパターン11は、上述し
たように本発明の斜入射照明法の効果によって解像度が
向上する。従って、マスク10Bに構成された孤立ライ
ンパターン11及び周期パターン11Aに関して同時に
解像度を向上させることが可能である。
期パターン11Aは、従来の斜入射照明法の効果によっ
て解像度が向上し、孤立ラインパターン11は、上述し
たように本発明の斜入射照明法の効果によって解像度が
向上する。従って、マスク10Bに構成された孤立ライ
ンパターン11及び周期パターン11Aに関して同時に
解像度を向上させることが可能である。
【0062】
【実施例4】照明装置100は、任意のマスク10に対
する照明角度θを可変的に制御してもよい。かかる実施
例を図7及び図16を参照して説明する。ここで、図7
は、露光装置1の変形例としての露光装置1Aの概略断
面図である。露光装置1Aは、照明制御部170を有す
る点で露光装置1と異なる。
する照明角度θを可変的に制御してもよい。かかる実施
例を図7及び図16を参照して説明する。ここで、図7
は、露光装置1の変形例としての露光装置1Aの概略断
面図である。露光装置1Aは、照明制御部170を有す
る点で露光装置1と異なる。
【0063】照明制御部170は、検出部172と、演
算部174と、駆動部176とを有する。検出部172
は、マスク10及び演算部174に接続され、マスク1
0の遮光部14で形成された孤立ラインパターン11の
線幅Lを読み取る。例えば、検出部172は、マスク1
0に予め記載されて、孤立ラインパターン11の線幅L
を識別する識別子又はバーコード等を読み取る。読み取
られたマスク10に形成された孤立ラインパターン11
のデータは演算部174に送信される。演算部174
は、検出部172及び駆動部176に接続され、検出部
172からのデータに基づいてマスク10の孤立ライン
パターン11の位置を認識し、数式5で表される照明角
度θを算出して駆動部176に送信する。駆動部176
は、演算部174及び照明装置100に接続され、演算
部174の算出した照明角度θでマスク10を照明する
ように照明装置100を駆動する。
算部174と、駆動部176とを有する。検出部172
は、マスク10及び演算部174に接続され、マスク1
0の遮光部14で形成された孤立ラインパターン11の
線幅Lを読み取る。例えば、検出部172は、マスク1
0に予め記載されて、孤立ラインパターン11の線幅L
を識別する識別子又はバーコード等を読み取る。読み取
られたマスク10に形成された孤立ラインパターン11
のデータは演算部174に送信される。演算部174
は、検出部172及び駆動部176に接続され、検出部
172からのデータに基づいてマスク10の孤立ライン
パターン11の位置を認識し、数式5で表される照明角
度θを算出して駆動部176に送信する。駆動部176
は、演算部174及び照明装置100に接続され、演算
部174の算出した照明角度θでマスク10を照明する
ように照明装置100を駆動する。
【0064】例えば、演算部174は、図8に示す複数
の開口絞り150が装備されたターレットを回転させて
最適な開口絞りを選択することによって照明角度θを形
成する。なお、参照番号150は、以下に説明する15
0A、150Bなどを総括するものとする。
の開口絞り150が装備されたターレットを回転させて
最適な開口絞りを選択することによって照明角度θを形
成する。なお、参照番号150は、以下に説明する15
0A、150Bなどを総括するものとする。
【0065】以下、図16を参照して、開口絞り150
に適用可能な例示的な形状を説明する。ここで、図16
は開口絞り150の例示的形状の概略平面図である。図
16(A)は、遮光部151Aと四重極の円152から
なる透過率1の光透過部とを有する開口絞り150Aの
概略平面図である。円形開口152は、中心位置のσが
1以下の照明光をもたらし、それぞれ、±45度と±1
35度に配置されている。好ましくは、各円152がも
たらす照明光のσは等しい。開口153の形状は、四角
形その他の多角形、扇形の一部など種々の変更が可能で
ある。また、σが1を超えてもよい。図16(B)は、
遮光部151Bと輪帯開口153からなる透過率1の光
透過部とを有する開口絞り150Bの概略平面図であ
る。
に適用可能な例示的な形状を説明する。ここで、図16
は開口絞り150の例示的形状の概略平面図である。図
16(A)は、遮光部151Aと四重極の円152から
なる透過率1の光透過部とを有する開口絞り150Aの
概略平面図である。円形開口152は、中心位置のσが
1以下の照明光をもたらし、それぞれ、±45度と±1
35度に配置されている。好ましくは、各円152がも
たらす照明光のσは等しい。開口153の形状は、四角
形その他の多角形、扇形の一部など種々の変更が可能で
ある。また、σが1を超えてもよい。図16(B)は、
遮光部151Bと輪帯開口153からなる透過率1の光
透過部とを有する開口絞り150Bの概略平面図であ
る。
【0066】図示しないターレットにはσが異なる(即
ち、円152や輪帯153の位置や寸法が異なる)開口
絞り150が複数搭載されており、演算部174は最適
の照明角度θをもたらす開口絞り150を選択する。
ち、円152や輪帯153の位置や寸法が異なる)開口
絞り150が複数搭載されており、演算部174は最適
の照明角度θをもたらす開口絞り150を選択する。
【0067】次に、図8及び図9を参照して、上述の露
光装置1を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図8は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チ
ップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフロ
ーチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例
に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの
回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステッ
プ3(ウェハ製造)ではシリコンなどの材料を用いてウ
ェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は前工
程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリソグラ
フィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ス
テップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4に
よって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの
検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、それが出荷(ステップ7)される。
光装置1を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図8は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チ
ップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフロ
ーチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例
に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの
回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステッ
プ3(ウェハ製造)ではシリコンなどの材料を用いてウ
ェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は前工
程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリソグラ
フィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ス
テップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4に
よって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの
検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、それが出荷(ステップ7)される。
【0068】図9は、ステップ4のウェハプロセスの詳
細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では
ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)で
は、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13
(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウェ
ハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)
では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露
光)では、露光装置1によってマスクの回路パターンを
ウェハに露光する。ステップ17(現像)では、露光し
たウェハを現像する。ステップ18(エッチング)で
は、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステッ
プ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り
返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが
形成される。
細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では
ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)で
は、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13
(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウェ
ハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)
では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露
光)では、露光装置1によってマスクの回路パターンを
ウェハに露光する。ステップ17(現像)では、露光し
たウェハを現像する。ステップ18(エッチング)で
は、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステッ
プ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り
返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが
形成される。
【0069】本発明の露光方法及び装置によれば、製造
が困難な特殊なマスク構造を用いることなく、微細な孤
立ラインパターンの像をウェハ上に転写可能にする。
が困難な特殊なマスク構造を用いることなく、微細な孤
立ラインパターンの像をウェハ上に転写可能にする。
【0070】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずにその趣旨の範囲内で
様々な変形や変更が可能である。
が、本発明はこれらに限定されずにその趣旨の範囲内で
様々な変形や変更が可能である。
【0071】
【発明の効果】本発明の露光方法及び装置によれば、微
細な孤立ラインパターンや、孤立ラインパターンとL&
Sパターンを組み合わせた複雑なパターンを含むマスク
パターンを解像度良く露光することができる。また、か
かる露光方法及び装置を使用したデバイス製造方法は高
品位なデバイスを製造することができる。
細な孤立ラインパターンや、孤立ラインパターンとL&
Sパターンを組み合わせた複雑なパターンを含むマスク
パターンを解像度良く露光することができる。また、か
かる露光方法及び装置を使用したデバイス製造方法は高
品位なデバイスを製造することができる。
【図1】 本発明による露光装置の概略断面図である。
【図2】 本発明による斜入射照明と従来の垂直照明に
よってプレート上に現れる光強度分布である。
よってプレート上に現れる光強度分布である。
【図3】 本発明による斜入射照明法によってハーフト
ーン位相シフトマスクを露光する際にプレート上に現れ
る光強度分布である。
ーン位相シフトマスクを露光する際にプレート上に現れ
る光強度分布である。
【図4】 本発明による照明を左右二方向から対称的に
与える例を示す図である。
与える例を示す図である。
【図5】 図1に示すマスクの変形例の概略断面図であ
る。
る。
【図6】 本発明の一側面としての露光装置の概略断面
図である。
図である。
【図7】 図6に示す露光装置の変形例の概略断面図で
ある。
ある。
【図8】 本発明の露光工程を有するデバイス製造方法
を説明するためのフローチャートである。
を説明するためのフローチャートである。
【図9】 図7に示すステップ4の詳細なフローチャー
トである。
トである。
【図10】 遮光部によって形成された孤立ラインパタ
ーンを従来の垂直照明光によって露光する方法を説明す
る概略断面図である。
ーンを従来の垂直照明光によって露光する方法を説明す
る概略断面図である。
【図11】 ウェハに形成されるレジストの種類に応じ
て形成されるパターン形状を示す概略断面図である。
て形成されるパターン形状を示す概略断面図である。
【図12】 図10に示す露光によってウェハに現れる
光強度分布である。
光強度分布である。
【図13】 ハーフトーン位相シフタによって形成され
た孤立ラインパターンを従来の垂直照明光によって露光
する方法を説明する概略断面図である。
た孤立ラインパターンを従来の垂直照明光によって露光
する方法を説明する概略断面図である。
【図14】 図13に示す露光によってウェハに現れる
光強度分布である。
光強度分布である。
【図15】 従来の斜入射照明法の原理を説明するため
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図16】 図7に示す露光装置に適用可能な開口絞り
の概略平面図である。
の概略平面図である。
1 露光装置 10及び10a マスク 14、14B 遮光部 400 照明光 402、404 散乱光 410 光学像
Claims (12)
- 【請求項1】 ある波長の光でマスクの孤立パターンを
投影光学系により被露光面上に投影する段階を含む露光
方法において、当該孤立パターンの前記孤立パターンの
両端から出て前記投影光学系を介して前記被露光面に入
射する光束間の位相が実質的に当該光束の半波長ずれる
ように前記光により前記マスクを所定方向から照明する
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項2】 前記光束間の位相のずれは、前記波長を
λ、mを整数として、(λ/2)+mλを満足すること
を特徴とする請求項1記載の露光方法。 - 【請求項3】 マスクに形成された孤立ラインパターン
を、当該孤立ラインパターンの短手方向に関して前記孤
立パターンの両端に入射する照明光束の位相が当該照明
光束の半波長と波長の整数倍の和に相当する量だけずれ
るように照明し、 前記マスクを経た照明光束を、投影光学系を介して被露
光面に投影することを特徴とする露光方法。 - 【請求項4】 物体面上のパターンを波長λの照明光束
によって照明し、該パターンの像を、投影光学系を介し
て像面上に投影露光する方法において、前記物体面上に
設けられ、短手方向に幅Lを有する孤立ラインパターン
を、mを整数として、前記短手方向に関して斜めから前
記投影光学系の光軸と角度θで、Lsinθ=(λ/
2)+mλを満足するように照明することによって前記
像面上に前記孤立ラインパターンに対応する暗線を形成
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項5】 前記孤立ラインパターンは、入射光の一
部を透過すると共に透過した光の位相を該パターンが設
けられていない部分を透過した光に対して180°反転
させるハーフトーン型位相シフト部材から形成され、か
つその透過率は、像面上に形成される前記暗線の中央部
の光強度がゼロになるように設定されることを特徴とす
る請求項3又は4記載の露光方法。 - 【請求項6】 前記マスクは、線幅と間隔が共にL/2
のラインアンドスペースパターンを更に含み、 前記照明は前記照明光束から生じる二つの回折光を干渉
させるための変形照明である請求項3又は4記載の露光
方法。 - 【請求項7】 マスクに形成された孤立ラインパターン
を、当該孤立ラインパターンの短手方向に関して前記孤
立パターンの両端に入射する照明光束が当該照明光束の
半波長と波長の整数倍の和だけずれるように照明する照
明装置と、前記マスクを経た照明光束を、投影光学系を
介して被露光面に投影する投影光学系とを有する露光装
置。 - 【請求項8】 前記マスクは、線幅と間隔が共にL/2
のラインアンドスペースパターンを更に含み、 前記照明装置は前記照明光束から生じる二つの回折光を
干渉させるための変形照明によって前記孤立ラインパタ
ーンと前記ラインアンドスペースパターンを同時に照明
する請求項7記載の露光装置。 - 【請求項9】 前記孤立ラインパターンを応じて、前記
マスクに対する前記照明光束の照明角度を決定して前記
照明装置を制御する制御部を更に有する請求項7記載の
露光装置。 - 【請求項10】 請求項7乃至9のうちいずれか一項記
載の露光装置を用いて被処理体を投影露光するステップ
と、 前記投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行
うステップとを有するデバイス製造方法。 - 【請求項11】 請求項7乃至9のうちいずれか一項記
載の露光装置を用いて投影露光された被処理体より製造
されるデバイス。 - 【請求項12】 請求項3記載の露光方法によって照明
された場合に、前記被露光面の光強度分布が、前記孤立
ラインパターンの前記短手方向の中心において0になる
ような透過率に設定されたハーフトーン位相シフタによ
って前記孤立ラインパターンが形成されていることを特
徴とするマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001153008A JP2002353098A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 露光方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001153008A JP2002353098A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 露光方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002353098A true JP2002353098A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=18997595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001153008A Pending JP2002353098A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 露光方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002353098A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7384712B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001153008A patent/JP2002353098A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7384712B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
US7662523B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
US7794899B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6991877B2 (en) | Exposure method and apparatus | |
US7079220B2 (en) | Illumination optical system and method, and exposure apparatus | |
US8675177B2 (en) | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas | |
US6930754B1 (en) | Multiple exposure method | |
US6934009B2 (en) | Illumination apparatus, illumination-controlling method, exposure apparatus, device fabricating method | |
JP2003318086A (ja) | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 | |
EP1293834B1 (en) | Illumination apparatus | |
JP4750525B2 (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2007123333A (ja) | 露光方法 | |
JPH04225357A (ja) | 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 | |
US20060197933A1 (en) | Exposure apparatus | |
JP2004071776A (ja) | 照明光学系、露光方法及び装置 | |
JP3997199B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP2009043933A (ja) | 露光装置、調整方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2008172102A (ja) | 測定方法及び露光装置 | |
JP2003203850A (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP3262074B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2000021762A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2002353098A (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP2003173956A (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP2006135346A (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP3337983B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP3298585B2 (ja) | 投影露光装置及び方法 | |
JPH0653119A (ja) | 投影型露光装置 | |
JP2000021756A (ja) | パターン形成方法及び露光装置 |