JP2002350597A - Radiation image conversion panel and method for manufacturing it - Google Patents
Radiation image conversion panel and method for manufacturing itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は放射線画像変換パネ
ル及び前記放射線画像変換パネルの製造方法に関する。The present invention relates to a radiation image conversion panel and a method for manufacturing the radiation image conversion panel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、放射線画像を得るために銀塩を使
用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀
塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発され
ている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収
せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励
起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍
光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方
法が開示されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a so-called radiographic method using a silver salt to obtain a radiographic image has been used. However, a method of imaging a radiographic image without using a silver salt has been developed. That is, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the fluorescent material, and then the fluorescent material is excited with a certain energy to emit the radiation energy stored in the fluorescent material as fluorescent light, and the fluorescent light is detected. A method for imaging is disclosed.
【０００３】具体的な方法としては、支持体上に輝尽性
蛍光体層を儲けたパネルを用い、励起エネルギーとして
可視光線および赤外線の一方または両方を用いる放射線
画像変換方法が知られている（米国特許第３，８５９，
５２７号参照）。As a specific method, a radiation image conversion method using a panel provided with a stimulable phosphor layer on a support and using one or both of visible light and infrared light as excitation energy has been known ( U.S. Pat. No. 3,859,
No. 527).
【０００４】より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用い
た放射線画像変換方法として、例えば特開昭５９−７５
２００号等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ2+系（Ｘ：
Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体を用いた放射線画像変換方法、
同６１−７２０８７号等に記載されているようなアルカ
リハライド蛍光体を用いた放射線画像変換方法、同６１
−７３７８６号、６１−７３７８７号等に記載のよう
に、共付活剤としてＴｌ +およびＣｅ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ
3+、Ｙ3+、Ａｇ+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+、Ｉｎ3+の金属を含
有するアルカリハライド蛍光体が開発されている。Using a stimulable phosphor of higher luminance and higher sensitivity
For example, Japanese Patent Laid-Open No. 59-75
BaFX: Eu described in No. 200, etc.2+System (X:
Cl, Br, I) a radiation image conversion method using a phosphor,
Arca as described in JP-A-61-72087 and the like
Radiation image conversion method using rehalide phosphor, 61
No.-73786, 61-737787, etc.
And Tl as a co-activator +And Ce3+, Sm3+, Eu
3+, Y3+, Ag+, Mg2+, Pb2+, In3+Metal
Alkali halide phosphors have been developed.
【０００５】更に近年、診断画像の解析においてより高
鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭
性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光
体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改
良を図る試みがされている。In recent years, there has been a demand for a radiation image conversion panel having higher sharpness in the analysis of diagnostic images. As means for improving sharpness, for example, attempts have been made to control the shape itself of a stimulable phosphor to be formed to improve sensitivity and sharpness.
【０００６】これらの試みの１つとして、例えば特開昭
６１−１４２４９７号等において行われている様な、微
細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆
積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍
光体層を用いる方法がある。As one of these attempts, a fine stimulable phosphor formed by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine concavo-convex pattern as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-142497. There is a method using a stimulable phosphor layer composed of pseudo columnar blocks.
【０００７】また、特開昭６１−１４２５００号に記載
のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍
光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショ
ック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有す
る放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６
２−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形
成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさ
せ擬柱状とした放射仙三変換パネルを用いる方法、更に
は、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支持
体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形
成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設け
る方法等も提案されている。Further, as described in JP-A-61-142500, cracks between columnar blocks obtained by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine pattern are subjected to a shock treatment, and A method using a radiation image conversion panel having a developed stimulable phosphor layer.
No. 3,973,737, a method using a radiating phosphor conversion panel in which a stimulable phosphor layer formed on the surface of a support is cracked from its surface side to form a pseudo columnar shape. As described in JP-A-62-110200, a method of forming a stimulable phosphor layer having a cavity on the upper surface of a support by vapor deposition, and then growing the cavity by heat treatment to form a crack has been proposed. I have.
【０００８】更に、特開平２−５８０００号において
は、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向
に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝
尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されて
いる。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-588000 discloses a stimulable phosphor layer in which elongated columnar crystals having a certain inclination with respect to the normal direction of the support are formed on the support by a vapor deposition method. Has been proposed.
【０００９】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱
状とすることで、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向へ
の拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反
射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができ
るため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させ
ることができるという特徴がある。In any of these attempts to control the shape of the stimulable phosphor layer, the stimulable phosphor layer is formed in a columnar shape so that stimulable excitation light (or stimulable luminescence) is generated in the lateral direction. Diffusion can be suppressed (it reaches the surface of the support while repeating reflection at the crack (columnar crystal) interface), so that sharpness of an image due to stimulated emission can be significantly increased.
【００１０】しかしながら、これらの気相成長（堆積）
により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パ
ネルにおいても、市場から要求される鮮鋭性の改善は十
分ではなく、更なる改良が求められていた。However, these vapor phase growths (deposition)
However, even in a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed by the method described above, the sharpness required from the market is not sufficiently improved, and further improvement has been demanded.
【００１１】特に、最近、輝尽性蛍光体の励起波長とし
て６８０ｎｍ付近の波長を有する高出力半導体レーザが
装置ユニットが小さくて済む（コンパクト性）ため、市
場でよく使用されているが、上記記載の技術を適用した
放射線画像変換パネルでは、前記波長での透過率が低
く、その為、励起光が輝尽性蛍光体層内で散乱しやすく
なるため、特に鮮鋭性の向上に問題点があった。In particular, recently, high-power semiconductor lasers having a wavelength around 680 nm as the excitation wavelength of the stimulable phosphor are often used in the market because the device unit can be small (compactness). In the radiation image conversion panel to which the technique of (1) is applied, the transmittance at the wavelength is low, and therefore, the excitation light is easily scattered in the stimulable phosphor layer. Was.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高鮮
鋭性を示す放射線画像変換パネル及び前記放射線画像変
換パネルの製造方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel exhibiting high sharpness and a method for manufacturing the radiation image conversion panel.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は下記
の項目１〜１０によって達成された。The above objects of the present invention have been attained by the following items 1 to 10.
【００１４】１．支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽
性蛍光体層が、上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光
体を含有し、前記輝尽性蛍光体層が気相成長法（気相堆
積法ともいう）により５０μｍ以上の膜厚を有するよう
に形成され、且つ、該輝尽性蛍光体の励起光として波長
６８０ｎｍの光を入射させたとき、前記輝尽性蛍光体層
の透過率または反射率が２０％以上であることを特徴と
する放射線画像変換パネル。1. In a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, at least one stimulable phosphor layer contains a stimulable phosphor represented by the above general formula (1), The stimulable phosphor layer is formed so as to have a thickness of 50 μm or more by a vapor deposition method (also referred to as a vapor deposition method), and light having a wavelength of 680 nm is incident as excitation light of the stimulable phosphor. A radiation image conversion panel, wherein the stimulable phosphor layer has a transmittance or a reflectance of 20% or more when the stimulable phosphor layer is formed.
【００１５】２．一般式（１）におけるＭ1がＫ、Ｒｂ
およびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ金属であることを特徴とする前記１に記載の放射
線画像変換パネル。2. M 1 in the general formula (1) is K, Rb
2. The radiation image conversion panel according to the above item 1, wherein the radiation image conversion panel is at least one alkali metal selected from the group consisting of Cs and Cs.
【００１６】３．一般式（１）におけるＸがＢｒおよび
Ｉから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを
特徴とする前記１または２に記載の放射線画像変換パネ
ル。3. 3. The radiation image conversion panel according to the above item 1 or 2, wherein X in the general formula (1) is at least one halogen selected from Br and I.
【００１７】４．一般式（１）におけるＭ2がＢｅ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種
の二価金属であることを特徴とする前記１〜３のいずれ
か１項に記載の放射線画像変換パネル。4. M 2 in the general formula (1) is Be, M
4. The radiation image conversion panel according to any one of the above items 1 to 3, wherein the radiation image conversion panel is at least one kind of divalent metal selected from g, Ca, Sr, and Ba.
【００１８】５．一般式（１）におけるＭ3がＹ、Ｃ
ｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａおよび
Ｉｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属
であることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記
載の放射線画像変換パネル。5. M 3 in the general formula (1) is Y or C
e, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga, and at least one trivalent metal selected from the group consisting of In and the radiation image according to any one of the above items 1 to 4, Conversion panel.
【００１９】６．一般式（１）におけるｂが０≦ｂ≦１
０-2であることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項
に記載の放射線画像変換パネル。6. B in the general formula (1) is 0 ≦ b ≦ 1
The radiation image conversion panel according to any one of the 1 to 5, characterized in that it is a 0 -2.
【００２０】７．一般式（１）におけるＡが、Ｅｕ、Ｃ
ｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なく
とも１種の金属であることを特徴とする前記１〜６のい
ずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。[7] FIG. A in the general formula (1) is Eu, C
The radiation image conversion panel according to any one of 1 to 6, wherein the radiation image conversion panel is at least one metal selected from the group consisting of s, Sm, Tl, and Na.
【００２１】８．輝尽性蛍光体が柱状結晶を有すること
を特徴とする前記１〜７のいずれか１項に記載の放射線
画像変換パネル。8. 8. The radiation image conversion panel according to any one of 1 to 7, wherein the stimulable phosphor has a columnar crystal.
【００２２】９．柱状結晶が主成分として上記一般式
（２）で表される輝尽性蛍光体を有する事を特徴とする
前記８に記載の放射線画像変換パネル。9. 9. The radiation image conversion panel according to the item 8, wherein the columnar crystal has a stimulable phosphor represented by the general formula (2) as a main component.
【００２３】１０．前記１〜９のいずれか１項に記載の
放射線画像変換パネルを作製するに当たり、輝尽性蛍光
体層を気相成長法により形成することを特徴とする放射
線画像変換パネルの製造方法。10. 10. A method for manufacturing a radiation image conversion panel, wherein the stimulable phosphor layer is formed by a vapor phase growth method when producing the radiation image conversion panel according to any one of the above items 1 to 9.
【００２４】以下、本発明を詳細に説明する。本発明者
等は上記記載の目的の達成の為に種々検討した結果、支
持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
において、少なくとも一層の該輝尽性蛍光体層が、前記
一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有し、前記輝
尽性蛍光体層が気相成長法により２００μｍ以上の膜厚
を有するように形成し、且つ、波長６８０ｎｍの光を入
射させたとき、前記輝尽性蛍光体層の透過率または反射
率が２０％以上であるように調整することにより、極め
て高鮮鋭性の画像を示す放射線画像変換パネルが得られ
ることを見いだした。Hereinafter, the present invention will be described in detail. The present inventors have conducted various studies to achieve the above-described object, and as a result, in a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, at least one stimulable phosphor layer is It contains a stimulable phosphor represented by the general formula (1), is formed so that the stimulable phosphor layer has a thickness of 200 μm or more by a vapor phase growth method, and emits light having a wavelength of 680 nm. By adjusting the transmittance or reflectance of the stimulable phosphor layer to 20% or more when incident, a radiation image conversion panel showing an image with extremely high sharpness can be obtained. .
【００２５】本発明に係る前記一般式（１）で表される
輝尽性蛍光体について説明する。本発明に係る前記一般
式（１）で表される蛍光体のうち輝尽性蛍光体として
は、ＭIは、Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓから選ばれる少
なくとも一種のアルカリ金属を表すが、ＲｂおよびＣｓ
から選ばれるアルカリ土類金属が好ましく、更に好まし
く用いられるのはＣｓである。The stimulable phosphor represented by the general formula (1) according to the present invention will be described. The stimulable phosphor of the phosphor represented by the general formula according to the present invention (1), M I is, Na, K, represents at least one alkali metal selected from Rb and Cs, Rb And Cs
Alkaline earth metals selected from are preferred, and Cs is more preferably used.
【００２６】Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選ばれる二価
金属であるが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選ばれる二価
金属である。M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Z
A divalent metal selected from the group consisting of n, Cd, Cu, and Ni, of which Be,
It is a divalent metal selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr and Ba.
【００２７】Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる
群から選ばれる三価金属を表すが、中でも好ましく用い
られるのは、Ｙ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇ
ｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる三価金
属である。M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, N
d, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, E
represents a trivalent metal selected from the group consisting of r, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, and among them, Y, Ce, Sm, Eu, Al, La, G
It is a trivalent metal selected from the group consisting of d, Lu, Ga and In.
【００２８】輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点か
ら、Ｘ、Ｘ′およびＸ″はＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから
なる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンである
が、Ｆ，Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンが好ましく、更に好ましく用いられるのは、Ｂｒ
及びＩからなる群から選ばれるハロゲンである。X, X 'and X "are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I from the viewpoint of improving the stimulable light emission luminance of the stimulable phosphor. And at least one halogen selected from Br and more preferably used is Br.
And I is a halogen selected from the group consisting of
【００２９】また、一般式（１）において、ｂ値は０≦
ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ≦１０-2であ
る。In the general formula (1), the value of b is 0 ≦
b <0.5, but preferably 0 ≦ b ≦ 10 −2 .
【００３０】本発明に係る一般式（１）で表される輝尽
性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造さ
れる。The stimulable phosphor represented by the general formula (1) according to the present invention is produced, for example, by the following production method.
【００３１】まず蛍光体原料として、（ａ）ＮａＦ、Ｎ
ａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、Ｋ
Ｉ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、Ｃ
ｓＣｌ、ＣｓＢｒ、ＣｓＩのうちの１種もしくは２種以
上、（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、
ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、
ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣ
ｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、Ｚｎ
Ｆ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、Ｃｄ
Ｃｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、Ｃ
ｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2、Ｎ
ｉＩ2のうち１種もしくは２種以上、及び（ｃ）一般式
（１）においては、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔ
ｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌ
ｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからな
る群から選ばれる金属を有する付活剤原料が用いられ
る。First, (a) NaF, N
aCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, K
I, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, C
one or more of sCl, CsBr and CsI, (b) MgF 2 , MgCl 2 , MgBr 2 , MgI 2 ,
CaF 2 , CaCl 2 , CaBr 2 , CaI 2 , SrF 2 ,
SrCI 2 , SrBr 2 , SrI 2 , BaF 2 , BaC
l 2 , BaBr 2 , BaBr 2 .2H 2 O, BaI 2 , Zn
F 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , CdF 2 , Cd
Cl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 , CuCl 2 , C
uBr 2 , CuI, NiF 2 , NiCl 2 , NiBr 2 , N
one or more of iI 2 , and (c) in general formula (1), Eu, Tb, In, Cs, Ce, T
m, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, L
An activator raw material having a metal selected from the group consisting of u, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg is used.
【００３２】化学量論的に一般式（Ｉ）で示される輝尽
性蛍光体において、 ０≦ａ＜０．５ 好ましくは ０≦ａ＜０．０１、 ０≦ｂ＜０．５ 好ましくは ０≦ｂ≦１０-2 ０＜ｅ≦０．２ 好ましくは ０＜ｅ≦０．１ 上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜
（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキ
サーミル等を用いて充分に混合する。In the stimulable phosphor represented by the stoichiometric formula (I), 0 ≦ a <0.5, preferably 0 ≦ a <0.01, 0 ≦ b <0.5, preferably 0 .Ltoreq.b.ltoreq.10.sup.- 2 0 <e.ltoreq.0.2, preferably 0 <e.ltoreq.1.
The phosphor material of (c) is weighed and sufficiently mixed using a mortar, a ball mill, a mixer mill or the like.
【００３３】次に、得られた原料混合物を石英ルツボ或
いはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中
で焼成を行う。焼成温度は５００乃至１０００℃が適当
である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等に
よって異なるが、一般には０．５乃至６時間が適当であ
る。焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス
雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱
還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等
の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲
気が好ましい。尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、
焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成
物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記
と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更
に高めることができる、また、焼成物を焼成温度より室
温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中
で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることがで
きるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰
囲気のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内
で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中
性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することによ
り、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高
めることができる。Next, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is suitably from 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature, and the like, but generally, 0.5 to 6 hours is appropriate. The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere, an argon gas atmosphere, or a small amount of an oxygen gas. A weakly oxidizing atmosphere is preferred. After firing once under the above firing conditions,
The fired product is taken out of the electric furnace and pulverized. Thereafter, the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and put in an electric furnace, and re-firing is performed under the same firing conditions as described above to further increase the emission luminance of the phosphor. Also, when the fired product is cooled to a room temperature from the firing temperature, the desired phosphor can be obtained by removing the fired product from the electric furnace and allowing it to cool in air, but the same as in firing. Alternatively, cooling may be performed in a weak reducing atmosphere or a neutral atmosphere. In addition, the fired product is moved from the heating unit to the cooling unit in the electric furnace, and is rapidly cooled in a weak reducing atmosphere, a neutral atmosphere, or a weak oxidizing atmosphere, so that the emission luminance due to the photostimulation of the obtained phosphor is reduced. It can be even higher.
【００３４】また、本発明に係る輝尽性蛍光体層は気相
成長法（気相堆積法ともいう）によって形成される。The stimulable phosphor layer according to the present invention is formed by a vapor deposition method (also referred to as a vapor deposition method).
【００３５】輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、その
他を用いることができる。As the vapor phase growth method of the stimulable phosphor, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and others can be used.
【００３６】第１の方法としての蒸着法においては、ま
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して
１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。次いで、
前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレ
クトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体
表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。In the vapor deposition method as the first method, first, a support is placed in a vapor deposition apparatus, and then the inside of the apparatus is evacuated to a vacuum degree of about 1.333 × 10 −4 Pa. Then
At least one of the stimulable phosphors is heated and evaporated by a method such as a resistance heating method or an electron beam method to grow the stimulable phosphor to a desired thickness on the surface of the support.
【００３７】この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、前
記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロン
ビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性
蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成するこ
とも可能である。As a result, a stimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the stimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step. Further, in the vapor deposition step, it is possible to form a stimulable phosphor layer at the same time as synthesizing a desired stimulable phosphor on a support by performing co-evaporation using a plurality of resistance heaters or electron beams. is there.
【００３８】蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光
体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることによ
り本発明の放射線画像変換パネルが製造される。尚、保
護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける
手順をとってもよい。After the deposition is completed, a radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer on the side of the stimulable phosphor layer opposite to the support side, if necessary. After the stimulable phosphor layer is formed on the protective layer, a procedure for providing a support may be adopted.
【００３９】さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必
要に応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あ
るいは加熱してもよい。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体
層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法に於いては
必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して反応性蒸着を
行ってもよい。Further, in the above-mentioned vapor deposition method, at the time of vapor deposition, the object to be deposited (support or protective layer) may be cooled or heated as required. After the deposition, the stimulable phosphor layer may be subjected to a heat treatment. In the above-described vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.
【００４０】第２の方法としてのスパッタリング法にお
いては、蒸着法と同様に支持体をスパッタリング装置内
に設置した後装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4
Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガス
としてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置
内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とす
る。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパ
ッタリングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍
光体層を所望の厚さに成長させる。In the sputtering method as the second method, the support is placed in a sputtering apparatus as in the case of the vapor deposition method, and then the inside of the apparatus is once evacuated to 1.333 × 10 -4.
The degree of vacuum is set to about Pa, and then an inert gas such as Ar or Ne is introduced into the sputtering apparatus as a gas for sputtering to a gas pressure of about 1.333 × 10 -1 Pa. Next, a stimulable phosphor layer is grown to a desired thickness on the surface of the support by sputtering using the stimulable phosphor as a target.
【００４１】前記スパッタリング工程では蒸着法と同様
に各種の応用処理を用いることができる。In the sputtering step, various applied processes can be used as in the vapor deposition method.
【００４２】第３の方法としてＣＶＤ法がある。また、
第４の方法としてイオンプレーティング法がある。As a third method, there is a CVD method. Also,
A fourth method is an ion plating method.
【００４３】また、前記気相成長における輝尽性蛍光体
層の成長速度は０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分であ
ることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の
場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く
好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える
場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましく
ない。放射線画像変換パネルを、前述の真空蒸着法、ス
パッタリイング法などにより得る場合には、結着剤が存
在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感
度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得ら
れる。The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. If the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is low, which is not preferable. If the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate, which is not preferable. When the radiation image conversion panel is obtained by the above-described vacuum deposition method, sputtering method, or the like, since the binder is not present, the packing density of the stimulable phosphor can be increased, and the radiation is preferable in terms of sensitivity and resolution. An image conversion panel is obtained.
【００４４】前記輝尽性蛍光体層の乾燥厚みは、放射線
画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体
の種類により変化するが、本発明に記載の効果を得る観
点から５０μｍ以上の膜厚が必要であり、好ましくは、
５０μｍ〜３００μｍであり、更に好ましくは、１００
μｍ〜３００μｍであり、特に好ましくは、１５０μｍ
〜３００μｍである。The dry thickness of the stimulable phosphor layer varies depending on the purpose of use of the radiation image conversion panel and the type of the stimulable phosphor, but is preferably 50 μm or more from the viewpoint of obtaining the effects described in the present invention. A film thickness is required, and preferably,
50 μm to 300 μm, more preferably 100 μm
μm to 300 μm, particularly preferably 150 μm
３００300 μm.
【００４５】上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の
作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温
度は、１００℃以上に設定することが好ましく、更に好
ましくは、１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０
℃〜４００℃である。In producing the stimulable phosphor layer by the vapor phase growth method, the temperature of the support on which the stimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher, particularly preferably 150 ° C.
C. to 400C.
【００４６】また、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネ
ルを得る観点から、本発明に係る輝尽性蛍光体層の透過
率または反射率は２０％以上であることが必要である
が、好ましくは、３０％以上であり、更に好ましくは、
４０％以上である。Further, from the viewpoint of obtaining a radiation image conversion panel exhibiting high sharpness, the transmittance or reflectance of the stimulable phosphor layer according to the present invention needs to be 20% or more, but is preferably. , 30% or more, and more preferably,
40% or more.
【００４７】本発明においては、支持体がガラス基板等
のような透明支持体の場合は、輝尽性蛍光体層の透過率
を測定し、基板上にアルミニウム等の光を反射するよう
な鏡面処理（例えば、蒸着等）が行われている場合は、
輝尽性蛍光体層の反射率を測定する。In the present invention, when the support is a transparent support such as a glass substrate or the like, the transmittance of the stimulable phosphor layer is measured, and a mirror surface such as aluminum reflecting the light on the substrate is used. When processing (for example, vapor deposition etc.) is performed,
The reflectance of the stimulable phosphor layer is measured.
【００４８】ここで、透過率または反射率の測定は、下
記の測定装置を用い、同様の測定条件にて行うことがで
きる。Here, the measurement of the transmittance or the reflectance can be performed using the following measuring apparatus under the same measuring conditions.
【００４９】装置：ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ 測定条件 測定光の波長 ：６８０ｎｍ スキャンスピード：１２０ｎｍ／ｍｉｎ 繰り返し回数 ：１０回 レスポンス ：Ａｕｔｏに設定 本発明の放射線画像変換パネルに係る輝尽性蛍光体層
は、支持体上に前記一般式（１）または前記一般式
（２）で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成さ
れるが、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成す
ることが好ましい。Apparatus: HITACHI557 type, Spec
trophotometer Measurement conditions Wavelength of measurement light: 680 nm Scan speed: 120 nm / min Number of repetitions: 10 Responses: set to Auto The stimulable phosphor layer according to the radiation image conversion panel of the present invention is formed on a support by the general formula ( The stimulable phosphor represented by 1) or the general formula (2) is formed by vapor-phase growth, and it is preferable that the stimulable phosphor forms a columnar crystal during layer formation.
【００５０】蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝
尽性蛍光体層を形成するために、前記一般式（１）で表
されるような輝尽性蛍光体材料が用いられるが、前記一
般式（２）で表される輝尽性蛍光体が好ましく用いられ
るが、中でも、ＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましく用いら
れる。In order to form a columnar stimulable phosphor layer by a method such as vapor deposition or sputtering, a stimulable phosphor material represented by the general formula (1) is used. The stimulable phosphor represented by (2) is preferably used, and among them, CsBr-based phosphor is particularly preferably used.
【００５１】次に、本発明に係る輝尽性蛍光体層の形成
を図１、図２を用いて説明する。図１は、上記記載の気
相成長法を用いて、支持体上に形成した柱状結晶を有す
る輝尽性蛍光体層の一例を示す概略断面図である。１１
は支持体、１２が輝尽性蛍光体層、１３が該輝尽性蛍光
体層を構成する柱状結晶を示している。尚、１４は柱状
結晶間に形成された間隙を示している。Next, the formation of the stimulable phosphor layer according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a stimulable phosphor layer having columnar crystals formed on a support by using the above-described vapor deposition method. 11
Denotes a support, 12 denotes a stimulable phosphor layer, and 13 denotes a columnar crystal constituting the stimulable phosphor layer. Reference numeral 14 denotes a gap formed between the columnar crystals.
【００５２】図２は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着
により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体
蒸気流１６の支持体面の法線方向（Ｒ）に対する入射角
度をθ2（図では６０°で入射している）とすると、形
成される柱状結晶の支持体面の法線方向（Ｒ）に対する
角度はθ1（図では約３０°、経験的には大体半分にな
る）で表され、この角度で柱状結晶が形成される。FIG. 2 is a view showing a state in which a stimulable phosphor layer is formed on a support by vapor deposition. The stimulable phosphor vapor flow 16 is directed to the normal direction (R) of the support surface. Assuming that the incident angle is θ 2 (incident at 60 ° in the figure), the angle of the formed columnar crystal with respect to the normal direction (R) of the support surface is θ 1 (about 30 ° in the figure, empirically At this angle, columnar crystals are formed.
【００５３】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線像変換パネルより層厚を厚くすることが
できる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が
減少することで像の鮮鋭性が向上する。Since the stimulable phosphor layer formed on the support in this manner does not contain a binder, the stimulable phosphor layer has excellent directivity, and the directivity of stimulable excitation light and stimulable luminescence is low. The thickness is higher than that of a radiation image conversion panel having a dispersion type stimulable phosphor layer in which a stimulable phosphor is dispersed in a binder. Further, the sharpness of the image is improved by reducing the scattering of the stimulating light in the stimulable phosphor layer.
【００５４】又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を
充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高
光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、
これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体
層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有
効である。The gap between the columnar crystals may be filled with a filler such as a binder to reinforce the stimulable phosphor layer and to fill a material having a high light absorption, a material having a high light reflectance, or the like. May be
This is effective not only in providing the reinforcing effect, but also in reducing the lateral light diffusion of the stimulating excitation light incident on the stimulable phosphor layer.
【００５５】高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００
〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射
率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウ
ム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑
色から赤色領域の色材を用いることができる。The substance having a high reflectivity is defined as stimulating excitation light (500
To 900 nm, especially 600 to 800 nm). For example, a white pigment and a coloring material in a green to red region such as aluminum, magnesium, silver, indium and other metals can be used.
【００５６】白色顔料は輝尽発光も反射することができ
る。白色顔料として，ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル
型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳ
Ｏ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢ
ａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣ
ｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、Ｃａ
ＣＯ 3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポ
ン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性
珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげ
られる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大
きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽
発光を容易に散乱し、得られる放射線像変換パネルの感
度を顕著に向上させうる。The white pigment can also reflect stimulated emission.
You. As a white pigment, TiOTwo(Anatase type, rutile
Type), MgO, PbCOThree・ Pb (OH)Two, BaS
OFour, AlTwoOThree, M (II) FX (where M (II) is B
a is at least one of a, Sr and Ca, and X is C
1 and at least one of Br. ), Ca
CO Three, ZnO, SbTwoOThree, SiOTwo, ZrOTwo, Litopo
(BaSOFour・ ZnS), magnesium silicate, basic
Examples include silicate sulfate, basic lead phosphate, and aluminum silicate.
Can be These white pigments have strong hiding power and high refractive index.
Irritating by reflecting or refracting light
The luminescence is easily scattered and the feeling of the radiation image conversion panel obtained
The degree can be significantly improved.
【００５７】また、高光吸収率の物質としては、例え
ば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など
及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発
光も吸収する。As the substance having a high light absorption rate, for example, carbon, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide and the like and a blue coloring material are used. Of these, carbon also absorbs stimulated emission.
【００５８】また、色材は、有機若しくは無機系色材の
いずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファース
トブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブル
ーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１
（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷
化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント
製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカ
チロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルー
ＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産
業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学
製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライ
オノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。
またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、
７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２
３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５
７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４
２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４
０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金
属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コ
バルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ
2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。The coloring material may be an organic or inorganic coloring material. Examples of organic color materials include Pomelo Fast Blue 3G (manufactured by Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (manufactured by Sumitomo Chemical), and D & C Blue No. 1
(Made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical), Oil Blue No. 603 (manufactured by Orient), Kiton Blue A (manufactured by Ciba Geigy), Aizen Chillon Blue GLH (manufactured by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (manufactured by Kyowa Sangyo), 6MX Primocyanin (manufactured by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (manufactured by Hodogaya) Chemical Blue), Cyan Blue BNRCS (manufactured by Toyo Ink), Lionoyl Blue SL (manufactured by Toyo Ink) and the like are used.
Also, the color index No. 24411, 23160,
74180, 74200, 22800, 23154, 2
3155, 24401, 14830, 15050, 15
760, 15707, 17941, 74220, 134
25, 13361, 13420, 11836, 7414
And organic metal complex salt coloring materials such as 0, 74380, 74350, and 74460. Ultramarine, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, TiO
Examples include 2- ZnO-Co-NiO-based pigments.
【００５９】本発明の放射線像変換パネルに用いられる
支持体としては各種のガラス、高分子材料、金属等が用
いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化
ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィ
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィル
ム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィル
ム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄
シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の
被覆層を有する金属シートが好ましい。これら支持体の
表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着
性を向上させる目的でマット面としてもよい。As the support used in the radiation image storage panel of the present invention, various types of glass, polymer materials, metals and the like are used. For example, plate glass such as quartz, borosilicate glass, chemically strengthened glass, cellulose, etc. A plastic film such as an acetate film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyamide film, a polyimide film, a triacetate film, a polycarbonate film, a metal sheet such as an aluminum sheet, an iron sheet, a copper sheet or a metal sheet having a coating layer of the metal oxide. Is preferred. The surface of the support may be a smooth surface or a mat surface for the purpose of improving the adhesion to the stimulable phosphor layer.
【００６０】また、本発明においては、支持体と輝尽性
蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支
持体の表面に予め接着層を設けてもよい。これら支持体
の厚みは用いる支持体の材質等によって異なるが、一般
的には８０μｍ〜２０００μｍであり、取り扱い上の観
点から、更に好ましいのは８０μｍ〜１０００μｍであ
る。In the present invention, an adhesive layer may be provided on the surface of the support, if necessary, in order to improve the adhesion between the support and the stimulable phosphor layer. The thickness of the support varies depending on the material of the support to be used and the like, but is generally 80 μm to 2000 μm, and from the viewpoint of handling, more preferably 80 μm to 1000 μm.
【００６１】また、本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保
護層を有していても良い。保護層は、保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
らかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着
してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍
光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料と
しては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチル
メタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホ
ルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデ
ン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−
塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン
共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護
層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層
としてもちいることもできる。また、この保護層は蒸着
法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＮ、Ａｌ2Ｏ3などの無機物質を積層して形成してもよ
い。これらの保護層の層厚は一般的には０．１μｍ〜２
０００μｍ程度が好ましい。The stimulable phosphor layer according to the present invention may have a protective layer. The protective layer may be formed by directly applying a coating liquid for a protective layer on the stimulable phosphor layer, or may be formed by adhering a separately formed protective layer on the stimulable phosphor layer. Alternatively, a procedure of forming a stimulable phosphor layer on a separately formed protective layer may be taken. As the material of the protective layer, cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-
Conventional protective layer materials such as ethylene chloride, ethylene tetrafluoride-propylene hexafluoride copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, and vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer are used. Alternatively, a transparent glass substrate can be used as the protective layer. Further, this protective layer is made of SiC, SiO 2 , S
An inorganic material such as iN or Al 2 O 3 may be stacked. The thickness of these protective layers is generally 0.1 μm to 2 μm.
It is preferably about 000 μm.
【００６２】図３は、本発明の放射線画像変換パネルの
構成の１例を示す概略図である。図３において２１は放
射線発生装置、２２は被写体、２３は輝尽性蛍光体を含
有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネル、２４は放射線画像変換パネル２３の
放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起
光源、２５は放射線画像変換パネル２３より放出された
輝尽発光を検出する光電変換装置、２６は光電変換装置
２５で検出された光電変換信号を画像として再生する装
置、２７は再生された画像を表示する装置、２８は光源
２４からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル２
３より放出された光のみを透過させるためのフィルタで
ある。尚、図３は被写体の放射線透過像を得る場合の例
であるが、被写体１２自体が放射線を放射する場合に
は、前記放射線発生装置２１は特に必要ない。また、光
電変換装置２５以降は放射線画像変換パネル２３からの
光情報を何らかの形で画像として再生できるものであれ
ばよく、前記に限定されない。FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 21 denotes a radiation generator, 22 denotes a subject, 23 denotes a radiation image conversion panel having a visible light or infrared light stimulable phosphor layer containing a stimulable phosphor, and 24 denotes radiation of the radiation image conversion panel 23. A stimulating excitation light source for emitting a latent image as stimulating light, 25 is a photoelectric conversion device for detecting the stimulating light emitted from the radiation image conversion panel 23, and 26 is a photoelectric conversion signal detected by the photoelectric converting device 25. Is a device for reproducing the image, 27 is a device for displaying the reproduced image, 28 is a device for cutting the reflected light from the light source 24 and
3 is a filter for transmitting only the light emitted from 3. FIG. 3 shows an example in which a radiation transmission image of a subject is obtained. However, when the subject 12 itself emits radiation, the radiation generator 21 is not particularly necessary. In addition, the photoelectric conversion device 25 and the subsequent devices are not limited to those described above as long as the optical information from the radiation image conversion panel 23 can be reproduced as an image in some form.
【００６３】図３に示されるように、被写体２２を放射
線発生装置２１と放射線画像変換パネル２３の間に配置
し放射線Ｒを照射すると、放射線Ｒは被写体２２の各部
の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像ＲＩ
（すなわち放射線の強弱の像）が放射線画像変換パネル
２３に入射する。この入射した透過像ＲＩは放射線画像
変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによ
って輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した
数の電子及び／または正孔が発生し、これが輝尽性蛍光
体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過
像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの
潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可
視あるいは赤外領域の光を照射する光源２４によって輝
尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電
子及び／または正孔を追い出し、蓄積されたエネルギー
を輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝尽発
光の強弱は蓄積された電子及び／または正孔の数、すな
わち放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収
された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光
信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置２５で電気
信号に変換し、画像処理装置２６によって画像として再
生し、画像表示装置２７によってこの画像を表示する。
画像処理装置２６は単に電気信号を画像信号として再生
するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像
の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効であ
る。As shown in FIG. 3, when the subject 22 is disposed between the radiation generator 21 and the radiation image conversion panel 23 and is irradiated with the radiation R, the radiation R is transmitted according to the change in the radiation transmittance of each part of the subject 22. And its transmission image RI
(That is, an image of the intensity of radiation) enters the radiation image conversion panel 23. The incident transmission image RI is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23, whereby a number of electrons and / or holes proportional to the amount of radiation absorbed in the stimulable phosphor layer is generated. Occurs and accumulates at the trap level of the stimulable phosphor. That is, a latent image storing the energy of the radiation transmission image is formed. Next, this latent image is excited by light energy to become visible. That is, by irradiating the stimulable phosphor layer with a light source 24 that irradiates light in the visible or infrared region, electrons and / or holes accumulated at the trap level are expelled, and the accumulated energy is emitted as stimulable luminescence. . The intensity of the emitted photostimulated luminescence is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23. The optical signal is converted into an electric signal by a photoelectric conversion device 25 such as a photomultiplier tube, reproduced as an image by an image processing device 26, and the image is displayed by an image display device 27.
It is more effective for the image processing device 26 to use a device capable of so-called image processing, image calculation, image storage, storage, and the like, as well as simply reproducing an electric signal as an image signal.
【００６４】また、光エネルギーで励起する際、輝尽励
起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光
とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放
出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ
以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなると
いう理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光
はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったもの
が望ましい。本発明に係わる輝尽性蛍光体の発光波長域
は３００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５
００〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たす
が、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射
画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は
高出力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好
まれ、そのレーザ光の波長は６８０ｎｍであり、本発明
の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体
は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な
鮮鋭性を示すものである。Further, when excited by light energy, it is necessary to separate reflected light of the stimulating phosphor from stimulable luminescence emitted from the stimulable phosphor layer. The photoelectric converter that receives the emitted light is generally 600 nm
From the viewpoint that the sensitivity to the following short-wavelength light energy is increased, it is desirable that the stimulable luminescence emitted from the stimulable phosphor layer has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible. The stimulable phosphor according to the present invention has an emission wavelength range of 300 to 500 nm, while the stimulable excitation wavelength range is 5 to 500 nm.
Although the above conditions are satisfied at the same time since the wavelength is 100 to 900 nm, recently, the downsizing of the diagnostic apparatus has progressed, and the excitation wavelength used for image reading of the radiation image conversion panel has a high output and is easy to make compact. Is preferred, and the wavelength of the laser beam is 680 nm. The stimulable phosphor incorporated in the radiation image conversion panel of the present invention exhibits extremely good sharpness when using an excitation wavelength of 680 nm. is there.
【００６５】すなわち、本発明に係わる輝尽性蛍光体は
いずれも５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示
し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度
とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系
の感度を固めることができる。That is, all of the stimulable phosphors according to the present invention emit light having a main peak at 500 nm or less, and the stimulable phosphor easily separates the stimulable excitation light and well matches the spectral sensitivity of the photodetector. As a result, the sensitivity of the image receiving system can be increased.
【００６６】輝尽励起光源２４としては、放射線画像変
換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長
を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学
系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくすること
ができるために輝尽発光効率をあげることができ、より
好ましい結果が得られる。As the stimulating light source 24, a light source containing the stimulating excitation wavelength of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel 23 is used. In particular, when a laser beam is used, the optical system is simplified, and the intensity of the stimulating light can be increased, so that the stimulating luminous efficiency can be increased, and more preferable results can be obtained.
【００６７】レーザとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ
−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、
Ｎ2レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビー
レーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レー
ザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ−Ｎｅレー
ザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ま
しいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させれ
ばパルス発振のレーザを用いることもできる。又、フィ
ルタ２８を用いずに特開昭５９−２２０４６号に示され
るような、発光の遅延を利用して分離する方法によると
きは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発
振のレーザを用いる方が好ましい。As the laser, a He—Ne laser, He
-Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser,
There are an N 2 laser, a YAG laser and its second harmonic, a ruby laser, a semiconductor laser, various dye lasers, a metal vapor laser such as a copper vapor laser, and the like. Normally, a continuous oscillation laser such as a He-Ne laser or an Ar ion laser is desirable, but a pulse oscillation laser can also be used if the pulse is synchronized with the scanning time of one pixel of the panel. Further, when the separation is performed by using the delay of light emission as disclosed in JP-A-59-22046 without using the filter 28, the pulse oscillation laser is used rather than the modulation using the continuous oscillation laser. It is preferable to use them.
【００６８】上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レ
ーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるの
で特に好ましく用いられる。Among the above various laser light sources, semiconductor lasers are particularly preferably used because they are small and inexpensive and do not require a modulator.
【００６９】フィルタ２８としては放射線画像変換パネ
ル２３から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光を
カットするものであるから、これは放射線画像変換パネ
ル２３に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励
起光源２４の波長の組合わせによって決定される。Since the filter 28 transmits the stimulating light emitted from the radiation image conversion panel 23 and cuts off the stimulating light, the stimulable phosphor contained in the radiation image conversion panel 23 is used. And the wavelength of the stimulating light source 24.
【００７０】例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎ
ｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実
用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば
東芝社製Ｃ−３９、Ｃ−４０、Ｖ−４０、Ｖ−４２、Ｖ
−４４、コーニング社製７−５４、７−５９、スペクト
ロフィルム社製ＢＧ−１、ＢＧ−３、ＢＧ−２５、ＢＧ
−３７、ＢＧ−３８等の紫〜青色ガラスフィルタを用い
ることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程
度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電
変換装置２５としては、光電管、光電子倍増管、フォト
ダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素
子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら
何れでもよい。For example, if the stimulating excitation wavelength is 500 to 900 n
In the case of a practically preferable combination in which the photostimulated emission wavelength is 300 to 500 nm at m, filters such as C-39, C-40, V-40, V-42, and V-42 manufactured by Toshiba Corp.
-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-25, BG
A purple to blue glass filter such as -37 and BG-38 can be used. If an interference filter is used, a filter having an arbitrary characteristic can be selected and used to some extent. As the photoelectric conversion device 25, any device that can convert a change in light amount into a change in an electronic signal, such as a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, or a photoconductive element, may be used.
【００７１】[0071]
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれらに限定されない。The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００７２】実施例１ 《放射線画像変換パネル試料１〜６の作製》表１に示し
た条件で、１ｍｍ厚の結晶化ガラス（日本電気ガラス社
製）支持体の表面に図４に示した蒸着装置（但し、θ１
＝５度、θ２＝５度に設定する）を用いて輝尽性蛍光体
（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を形成し
た。Example 1 << Preparation of Radiation Image Conversion Panel Samples 1-6 >> Under the conditions shown in Table 1, a 1 mm thick crystallized glass (manufactured by NEC Corporation) support was vapor-deposited as shown in FIG. Equipment (however, θ1
= 5 degrees and θ2 = 5 degrees) to form a stimulable phosphor layer having a stimulable phosphor (CsBr: Eu).
【００７３】図４に示した蒸着装置においては、アルミ
ニウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離
ｄを６０ｃｍとして、支持体と平行な方向に支持体を搬
送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが３０
０μｍになるように調整した。In the vapor deposition apparatus shown in FIG. 4, an aluminum slit is used, the distance d between the support and the slit is set to 60 cm, and vapor deposition is performed while transporting the support in a direction parallel to the support. The thickness of the phosphor layer is 30
It was adjusted to be 0 μm.
【００７４】尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着
器内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）
を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。In the vapor deposition, the support was placed in a vapor deposition device, and then a phosphor material (CsBr: Eu) was used.
Was placed in a crucible which was press-formed and water-cooled as a vapor deposition source.
【００７５】その後、蒸着器内を一旦排気し、その後Ｎ
2ガスを導入し０．１３３Ｐａに真空度を調整した後、
支持体の温度（基板温度ともいう）を約３５０℃に保持
しながら、蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μ
ｍとなったところで蒸着を終了させ、次いで、この蛍光
体層を温度４００℃で加熱処理した。乾燥空気の雰囲気
内で、支持体および硼珪酸ガラスからなる保護層周縁部
を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射
線画像変換パネル試料１（比較例）を得た。Thereafter, the inside of the evaporator is once evacuated, and then N
After introducing 2 gases and adjusting the degree of vacuum to 0.133 Pa,
Vapor deposition was performed while maintaining the temperature of the support (also referred to as the substrate temperature) at about 350 ° C. 300 μm thick stimulable phosphor layer
When it reached m, the vapor deposition was terminated, and then this phosphor layer was subjected to a heat treatment at a temperature of 400 ° C. In a dry air atmosphere, the periphery of the support and the protective layer made of borosilicate glass were sealed with an adhesive to obtain a radiation image conversion panel sample 1 (comparative example) having a structure in which the phosphor layer was sealed.
【００７６】放射線画像変換パネル試料１（比較例）の
作製において、表１に記載の条件を用いた以外は同様に
して、放射線画像変換パネル試料２、３（いずれも比較
例）、放射線画像変換パネル試料４〜６（いずれも本発
明）を各々作製した。In the preparation of the radiation image conversion panel sample 1 (comparative example), the radiation image conversion panel samples 2 and 3 (both comparative examples) and the radiation image conversion Panel samples 4 to 6 (all of the present invention) were produced.
【００７７】得られた放射線画像変換パネル試料１〜６
について、下記のように鮮鋭性を評価した。The obtained radiation image conversion panel samples 1 to 6
Was evaluated for sharpness as follows.
【００７８】《鮮鋭性評価》放射線画像変換パネル試料
の鮮鋭性は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めて評価し
た。<< Evaluation of Sharpness >> The sharpness of the radiation image conversion panel sample was evaluated by obtaining a modulation transfer function (MTF).
【００７９】ＭＴＦは、放射線画像変換パネル試料にＣ
ＴＦチャートを貼付した後、放射線画像変換パネル試料
に８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離：
１．５ｍ）照射した後、１００μｍφの直径の半導体レ
ーザ（６８０ｎｍ：パネル上でのパワー４０ｍＷ）を用
いてＣＴＦチャート像を走査読み取りして求めた。表の
値は、１．０ｌｐ／ｍｍのＭＴＦ値を足し合わせた値で
示す。The MTF is obtained by adding C to the radiation image conversion panel sample.
After attaching the TF chart, X-rays of 80 kVp were applied to the radiation image conversion panel sample by 10 mR (distance to the subject:
After irradiation, the CTF chart image was scanned and read using a semiconductor laser having a diameter of 100 μmφ (680 nm: power on the panel: 40 mW). The values in the table are shown by adding the MTF values of 1.0 lp / mm.
【００８０】得られた結果を表１に示す。Table 1 shows the obtained results.
【００８１】[0081]
【表１】 [Table 1]
【００８２】表１から、比較の試料と比べて、本発明の
試料は、鮮鋭性（ＭＴＦ特性）が良好であることが明ら
かである。From Table 1, it is clear that the sample of the present invention has better sharpness (MTF characteristic) than the comparative sample.
【００８３】[0083]
【発明の効果】本発明により、高鮮鋭性を示す放射線画
像変換パネル及び前記放射線画像変換パネルの製造方法
を提供することが出来た。According to the present invention, a radiation image conversion panel exhibiting high sharpness and a method of manufacturing the radiation image conversion panel can be provided.
【図１】支持体上に形成した柱状結晶からなる輝尽性蛍
光体層の断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a stimulable phosphor layer composed of columnar crystals formed on a support.
【図２】支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成さ
れる様子を示す図。FIG. 2 is a view showing a state in which a stimulable phosphor layer is formed on a support by vapor deposition.
【図３】本発明の放射線像変換パネルの構成の一例を示
す概略図。FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel of the present invention.
【図４】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を作製す
る方法の一例を示す概略図。FIG. 4 is a schematic view showing an example of a method for producing a stimulable phosphor layer on a support by vapor deposition.
１１ 支持体 １２ 輝尽性蛍光体層 １３ 柱状結晶 １４ 柱状結晶間に形成された間隙 １５ 支持体ホルダ ２１ 放射線発生装置 ２２ 被写体 ２３ 放射線像変換パネル ２４ 輝尽励起光源 ２５ 該変換パネルにより放射された輝尽蛍光を検出す
る光電変換装置 ２６ 画像再生装置 ２７ 画像表示装置 ２８ フィルタREFERENCE SIGNS LIST 11 support 12 stimulable phosphor layer 13 columnar crystal 14 gap formed between columnar crystals 15 support holder 21 radiation generator 22 subject 23 radiation image conversion panel 24 stimulating excitation light source 25 emitted by the conversion panel Photoelectric conversion device for detecting stimulated fluorescence 26 Image reproduction device 27 Image display device 28 Filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/85 Ｃ０９Ｋ 11/85 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｂ Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC03 DD02 EE02 4H001 CA04 CA08 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 XA57 XA58 XA59 XA60 XA61 XA62 XA63 XA64 XA65 XA66 XA67 XA68 XA69 XA70 XA71 YA11 YA12 YA29 YA39 YA47 YA49 YA55 YA58 YA59 YA60 YA62 YA63 YA64 YA65 YA66 YA67 YA68 YA69 YA70 YA71 YA81 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C09K 11/85 C09K 11/85 G01T 1/00 G01T 1/00 B F-term (Reference) 2G083 AA03 BB01 CC03 DD02 EE02 4H001 CA04 CA08 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 XA57 XA58 XA59 XA XA XA XA XA X X X X X X YA59 YA60 YA62 YA63 YA64 YA65 YA66 YA67 YA68 YA69 YA70 YA71 YA81
Claims (10)
線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性
蛍光体層が、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体
を含有し、前記輝尽性蛍光体層が気相成長法（気相堆積
法ともいう）により５０μｍ以上の膜厚を有するように
形成され、且つ、該輝尽性蛍光体の励起光として波長６
８０ｎｍの光を入射させたとき、前記輝尽性蛍光体層の
透過率または反射率が２０％以上であることを特徴とす
る放射線画像変換パネル。 一般式（１） Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ 〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからな
る群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも
一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎか
らなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であ
り、Ｘ、Ｘ′およびＸ″はＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから
なる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐ
ｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、
Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそ
れぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．
２の範囲の数値を表す。〕1. A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, wherein at least one stimulable phosphor layer has a stimulable phosphor represented by the following general formula (1). And the stimulable phosphor layer is formed so as to have a film thickness of 50 μm or more by a vapor deposition method (also referred to as a vapor deposition method), and has a wavelength as excitation light of the stimulable phosphor. 6
A radiation image conversion panel, wherein the transmittance or reflectance of the stimulable phosphor layer is 20% or more when 80 nm light is incident. General formula (1) M 1 X.aM 2 X ′ 2 .bM 3 X ″ 3 : eA wherein M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs Yes, M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, C
d, at least one divalent metal selected from the group consisting of Cu and Ni, and M 3 is Sc, Y, La, Ce,
Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H
at least one trivalent metal selected from the group consisting of o, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, wherein X, X 'and X "are selected from the group consisting of F, Cl, Br and I At least one type of halogen,
A is Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, P
r, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y,
At least one metal selected from the group consisting of Tl, Na, Ag, Cu and Mg, and a, b and e are respectively 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, 0 < e ≦ 0.
Represents a numerical value in the range of 2. ]
よびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアル
カリ金属であることを特徴とする請求項１に記載の放射
線画像変換パネル。2. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein M 1 in the general formula (1) is at least one kind of alkali metal selected from the group consisting of K, Rb and Cs.
から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを特
徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネ
ル。3. X in the general formula (1) is Br and I
The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the radiation image conversion panel is at least one halogen selected from the group consisting of:
ｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種
の二価金属であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項に記載の放射線画像変換パネル。4. M 2 in the general formula (1) is Be, M
The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 3, wherein the radiation image conversion panel is at least one divalent metal selected from g, Ca, Sr, and Ba.
Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、ＧａおよびＩｎ
からなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であ
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載
の放射線画像変換パネル。5. A M 3 in the general formula (1) is Y, Ce,
Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In
The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 4, wherein the radiation image conversion panel is at least one kind of trivalent metal selected from the group consisting of:
-2であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項
に記載の放射線画像変換パネル。6. In the formula (1), b is 0 ≦ b ≦ 10.
The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 5, wherein the radiation image conversion panel is -2 .
ｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なく
とも１種の金属であることを特徴とする請求項１〜６の
いずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。7. In the general formula (1), A is Eu, C
The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 6, wherein the radiation image conversion panel is at least one metal selected from the group consisting of s, Sm, Tl, and Na.
特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線
画像変換パネル。8. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the stimulable phosphor has a columnar crystal.
（２）で表される輝尽性蛍光体を有する事を特徴とする
請求項８に記載の放射線画像変換パネル。 一般式（２） ＣｓＸ：Ａ 〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔ
ｂまたはＣｓを表す。〕9. The radiation image conversion panel according to claim 8, wherein the columnar crystal has a stimulable phosphor represented by the following general formula (2) as a main component. General formula (2) CsX: A [wherein X represents Br or I, and A represents Eu, In, T
represents b or Cs. ]
放射線画像変換パネルを作製するに当たり、輝尽性蛍光
体層を気相成長法により形成することを特徴とする放射
線画像変換パネルの製造方法。10. A radiation image conversion panel, wherein the stimulable phosphor layer is formed by a vapor phase growth method in producing the radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 9. Manufacturing method.
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Effective date: 20060221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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Effective date: 20090609 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |