JP2002341197A - 半導体レーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造 - Google Patents
半導体レーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバに結合されなかった未結合迷光の
半導体受光素子への侵入を防止し、半導体受光素子の計
測精度を向上させること。 【解決手段】 光ファイバ13の入力端21に向けて主
にレーザビームを出射する半導体レーザ光源7と、半導
体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザビームを
検知光として受光する半導体受光素子9とを備える半導
体レーザモジュール1において、半導体レーザ光源7及
び半導体受光素子9の取付部位近傍には半導体レーザ光
源7の後端面以外から出射されたレーザビームのうち光
ファイバ13に結合されなかった未結合迷光の半導体受
光素子9への侵入を検知光の軌跡ないしは投影形状に基
づいて防止する遮蔽手段を設けている。
半導体受光素子への侵入を防止し、半導体受光素子の計
測精度を向上させること。 【解決手段】 光ファイバ13の入力端21に向けて主
にレーザビームを出射する半導体レーザ光源7と、半導
体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザビームを
検知光として受光する半導体受光素子9とを備える半導
体レーザモジュール1において、半導体レーザ光源7及
び半導体受光素子9の取付部位近傍には半導体レーザ光
源7の後端面以外から出射されたレーザビームのうち光
ファイバ13に結合されなかった未結合迷光の半導体受
光素子9への侵入を検知光の軌跡ないしは投影形状に基
づいて防止する遮蔽手段を設けている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ光源
と、その出射光を取り出す光ファイバとが一体に構成さ
れた半導体レーザモジュールに係り、特に光ファイバに
結合されなかった未結合迷光の半導体受光素子への侵入
を防止するようにした半導体レーザモジュールにおける
未結合迷光の遮蔽構造に関する。
と、その出射光を取り出す光ファイバとが一体に構成さ
れた半導体レーザモジュールに係り、特に光ファイバに
結合されなかった未結合迷光の半導体受光素子への侵入
を防止するようにした半導体レーザモジュールにおける
未結合迷光の遮蔽構造に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザビームを出射する半導体レーザ光
源は光ファイバの入力端と対向する前端面側において約
2.5%の反射率、後端面側において約95%の反射率
を有している。これに伴い半導体レーザ光源から出射さ
れるレーザビームの約95%は前端面から、約2.5%
は後端面から出射していることとなる。
源は光ファイバの入力端と対向する前端面側において約
2.5%の反射率、後端面側において約95%の反射率
を有している。これに伴い半導体レーザ光源から出射さ
れるレーザビームの約95%は前端面から、約2.5%
は後端面から出射していることとなる。
【0003】このうち半導体レーザ光源の後端面から出
射されるレーザビームは、半導体レーザ光源の前端面か
ら出射されるレーザビームの出力を把握するための検知
光として使用される。具体的には半導体レーザ光源から
出射されるレーザビームの量は上述のように前端面側と
後端面側とで一定の比率を有していることから、後端面
から出射されるレーザビームの量を計測することで前端
面から出射されるレーザビームの量を推定しているので
ある。
射されるレーザビームは、半導体レーザ光源の前端面か
ら出射されるレーザビームの出力を把握するための検知
光として使用される。具体的には半導体レーザ光源から
出射されるレーザビームの量は上述のように前端面側と
後端面側とで一定の比率を有していることから、後端面
から出射されるレーザビームの量を計測することで前端
面から出射されるレーザビームの量を推定しているので
ある。
【0004】しかし半導体レーザ光源の前端面から出射
されるレーザビームのすべてが光ファイバに結合されて
いるわけではなく、約80%程度が結合され、残りの2
0%は未結合迷光として図7に示すように半導体レーザ
モジュール101内に散乱し、半導体レーザモジュール
101の図示しないパッケージ等の壁面に反射して半導
体受光素子105に到達している。またいわゆるファイ
バグレーティングによって3%程度反射し、戻ってくる
レーザビームも半導体レーザ光源103を通って半導体
受光素子105に入ってくる。
されるレーザビームのすべてが光ファイバに結合されて
いるわけではなく、約80%程度が結合され、残りの2
0%は未結合迷光として図7に示すように半導体レーザ
モジュール101内に散乱し、半導体レーザモジュール
101の図示しないパッケージ等の壁面に反射して半導
体受光素子105に到達している。またいわゆるファイ
バグレーティングによって3%程度反射し、戻ってくる
レーザビームも半導体レーザ光源103を通って半導体
受光素子105に入ってくる。
【0005】従って半導体受光素子105が検知するレ
ーザビームは、半導体レーザ光源103の後端面から出
射される検知用の本来のレーザビームの他に半導体レー
ザ光源103の後端面以外から出射されたレーザビーム
の一部が含まれていることになる。
ーザビームは、半導体レーザ光源103の後端面から出
射される検知用の本来のレーザビームの他に半導体レー
ザ光源103の後端面以外から出射されたレーザビーム
の一部が含まれていることになる。
【0006】また光ファイバは温度変化や経時変化によ
って位置ずれを生ずるため、位置ずれが生ずると光ファ
イバにおけるレーザビームの結合効率が低下し、光ファ
イバに結合しなかった未結合迷光は増加する傾向にあ
る。未結合迷光が増加すると半導体受光素子が検知する
レーザビームの量も増加してしまうため、半導体レーザ
光源の前端面から出射される本来のレーザビームの量を
正確に判断できなくなってしまう。
って位置ずれを生ずるため、位置ずれが生ずると光ファ
イバにおけるレーザビームの結合効率が低下し、光ファ
イバに結合しなかった未結合迷光は増加する傾向にあ
る。未結合迷光が増加すると半導体受光素子が検知する
レーザビームの量も増加してしまうため、半導体レーザ
光源の前端面から出射される本来のレーザビームの量を
正確に判断できなくなってしまう。
【0007】例えば結合効率が10%下がると半導体レ
ーザモジュール内の結合効率は半導体レーザ光源の前端
面から出射されるレーザビームの約9.5%も増加して
しまい、これは半導体レーザ光源の後端面から出射され
るレーザビームの約2倍に相当する。また半導体受光素
子として比較的安価なSi系のものを使用した場合に
は、受光面積が大きくなってしまい、半導体受光素子が
受光する未結合迷光の量が大幅に増えてしまう。
ーザモジュール内の結合効率は半導体レーザ光源の前端
面から出射されるレーザビームの約9.5%も増加して
しまい、これは半導体レーザ光源の後端面から出射され
るレーザビームの約2倍に相当する。また半導体受光素
子として比較的安価なSi系のものを使用した場合に
は、受光面積が大きくなってしまい、半導体受光素子が
受光する未結合迷光の量が大幅に増えてしまう。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように半導体受光
素子によって検知されるレーザビームに上記未結合迷光
の成分が多く含まれると半導体受光素子から出力される
電流値が変動してしまい、上記前端面から出射されるレ
ーザビームと、後端面から出射されるレーザビームの比
率や光ファイバの結合効率に基づいて半導体レーザ光源
の前端面から出射される本来のレーザビームの量を判断
することは非常に困難になってしまう。
素子によって検知されるレーザビームに上記未結合迷光
の成分が多く含まれると半導体受光素子から出力される
電流値が変動してしまい、上記前端面から出射されるレ
ーザビームと、後端面から出射されるレーザビームの比
率や光ファイバの結合効率に基づいて半導体レーザ光源
の前端面から出射される本来のレーザビームの量を判断
することは非常に困難になってしまう。
【0009】従って、本発明は、半導体レーザ光源の前
端面から出射される本来のレーザビームの量を正確に判
断するため、光ファイバに結合されなかった未結合迷光
の半導体受光素子への侵入を防止する半導体レーザモジ
ュールにおける未結合迷光の遮蔽構造を提供することを
課題とするものである。
端面から出射される本来のレーザビームの量を正確に判
断するため、光ファイバに結合されなかった未結合迷光
の半導体受光素子への侵入を防止する半導体レーザモジ
ュールにおける未結合迷光の遮蔽構造を提供することを
課題とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するために鋭意検討した結果、半導体レーザ光源の後
端面から出射されるレーザビームは一様の軌跡を描き、
また半導体受光素子における受光面に対する投影形状も
一定であることに着目し本発明に到達した。
決するために鋭意検討した結果、半導体レーザ光源の後
端面から出射されるレーザビームは一様の軌跡を描き、
また半導体受光素子における受光面に対する投影形状も
一定であることに着目し本発明に到達した。
【0011】即ち、本発明の半導体レーザモジュールに
おける未結合迷光の遮蔽構造は光ファイバの入力端に向
けて主にレーザビームを出射する半導体レーザ光源と、
半導体レーザ光源の後端面から出射されるレーザビーム
を検知光として受光する半導体受光素子とを備える半導
体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ光源及
び半導体受光素子の取付部位近傍には半導体レーザ光源
の後端面以外から出射されたレーザビームのうち光ファ
イバに結合されなかった未結合迷光の半導体受光素子へ
の侵入を前記検知光の軌跡ないしは投影形状に基づいて
防止する遮蔽手段が設けられていることを特徴とするも
のである。
おける未結合迷光の遮蔽構造は光ファイバの入力端に向
けて主にレーザビームを出射する半導体レーザ光源と、
半導体レーザ光源の後端面から出射されるレーザビーム
を検知光として受光する半導体受光素子とを備える半導
体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ光源及
び半導体受光素子の取付部位近傍には半導体レーザ光源
の後端面以外から出射されたレーザビームのうち光ファ
イバに結合されなかった未結合迷光の半導体受光素子へ
の侵入を前記検知光の軌跡ないしは投影形状に基づいて
防止する遮蔽手段が設けられていることを特徴とするも
のである。
【0012】また本発明の半導体レーザモジュールにお
ける未結合迷光の遮蔽構造において、前記遮蔽手段は前
記検知光の投影形状に対応した半導体受光素子の受光面
に形成される絞りによって構成してもよい。また本発明
の半導体レーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構
造において、前記遮蔽手段は半導体受光素子と半導体レ
ーザ光源との間に設けられる遮蔽マスクであり、当該遮
蔽マスクには前記検知光の当該位置における投影形状に
対応した開口を形成することによって構成してもよい。
ける未結合迷光の遮蔽構造において、前記遮蔽手段は前
記検知光の投影形状に対応した半導体受光素子の受光面
に形成される絞りによって構成してもよい。また本発明
の半導体レーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構
造において、前記遮蔽手段は半導体受光素子と半導体レ
ーザ光源との間に設けられる遮蔽マスクであり、当該遮
蔽マスクには前記検知光の当該位置における投影形状に
対応した開口を形成することによって構成してもよい。
【0013】また本発明の半導体レーザモジュールにお
ける未結合迷光の遮蔽構造において、前記遮蔽手段は半
導体レーザ光源の後端面側の部位から半導体受光素子の
受光面側の部位までの空間を少なくとも遮蔽する遮蔽シ
ールドによって構成してもよい。また本発明の半導体レ
ーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造におい
て、前記半導体レーザ光源及び半導体受光素子の取付部
位近傍の半導体レーザモジュールを構成する諸部材の表
面には未結合迷光を拡散ないしは吸収する拡散吸収処理
が施されていてもよい。
ける未結合迷光の遮蔽構造において、前記遮蔽手段は半
導体レーザ光源の後端面側の部位から半導体受光素子の
受光面側の部位までの空間を少なくとも遮蔽する遮蔽シ
ールドによって構成してもよい。また本発明の半導体レ
ーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造におい
て、前記半導体レーザ光源及び半導体受光素子の取付部
位近傍の半導体レーザモジュールを構成する諸部材の表
面には未結合迷光を拡散ないしは吸収する拡散吸収処理
が施されていてもよい。
【0014】
【発明の実施の形態】以下において本発明を図面に基づ
いて詳細に説明する。図1は本発明の未結合迷光の遮蔽
構造を適用した半導体レーザモジュールを示す斜視図、
図2は同上平面図である。
いて詳細に説明する。図1は本発明の未結合迷光の遮蔽
構造を適用した半導体レーザモジュールを示す斜視図、
図2は同上平面図である。
【0015】図1、2において符号1は半導体レーザモ
ジュールを示す。半導体レーザモジュール1は台座3を
備えており、該台座3の上面に光源用台座5を介して半
導体レーザ光源7と半導体受光素子9とが設けられてい
る。光源用台座5は台座3に固定されており、半導体レ
ーザ光源7及び半導体受光素子9は光源用台座5に固定
されている。図1、2において符号11は、光源用台座
5と半導体レーザ光源7との間に必要に応じて設けられ
るサブマウントである。
ジュールを示す。半導体レーザモジュール1は台座3を
備えており、該台座3の上面に光源用台座5を介して半
導体レーザ光源7と半導体受光素子9とが設けられてい
る。光源用台座5は台座3に固定されており、半導体レ
ーザ光源7及び半導体受光素子9は光源用台座5に固定
されている。図1、2において符号11は、光源用台座
5と半導体レーザ光源7との間に必要に応じて設けられ
るサブマウントである。
【0016】台座3の上面には光ファイバ13を保持す
るための一例として金属製の板材を屈曲ないし湾曲して
形成されるクリップ式の光ファイバ保持部材15が設け
られている。なお、図1、2に示す実施の形態にあって
は光ファイバ13の光軸方向に直列に二基の光ファイバ
保持部材15を配置する構成としたが、一基のみの光フ
ァイバ保持部材15によって光ファイバ13を保持する
構成とすることも可能である。また、二基の光ファイバ
保持部材15は、その一部が互いに接合していて一体と
なっていてもよい。
るための一例として金属製の板材を屈曲ないし湾曲して
形成されるクリップ式の光ファイバ保持部材15が設け
られている。なお、図1、2に示す実施の形態にあって
は光ファイバ13の光軸方向に直列に二基の光ファイバ
保持部材15を配置する構成としたが、一基のみの光フ
ァイバ保持部材15によって光ファイバ13を保持する
構成とすることも可能である。また、二基の光ファイバ
保持部材15は、その一部が互いに接合していて一体と
なっていてもよい。
【0017】光ファイバ13は中心に位置するファイバ
線17と、その周囲に形成されている金属フェルール1
9とから構成されており、入力端21から入射したレー
ザビームをファイバ線17内のコアに受け入れて、コア
とクラッドとの界面で該レーザビームを反射させながら
レーザビームが光ファイバ13内を進行する構造になっ
ている。
線17と、その周囲に形成されている金属フェルール1
9とから構成されており、入力端21から入射したレー
ザビームをファイバ線17内のコアに受け入れて、コア
とクラッドとの界面で該レーザビームを反射させながら
レーザビームが光ファイバ13内を進行する構造になっ
ている。
【0018】光ファイバ13の入力端21には半導体レ
ーザ光源7側へ凸状に膨らんだレンズ部分23が形成さ
れている。このレンズ部分23は半導体レーザ光源7か
らのレーザビームを光ファイバ13のコア内に収束させ
てレーザビームの結合効率を高める作用を有するもので
ある。
ーザ光源7側へ凸状に膨らんだレンズ部分23が形成さ
れている。このレンズ部分23は半導体レーザ光源7か
らのレーザビームを光ファイバ13のコア内に収束させ
てレーザビームの結合効率を高める作用を有するもので
ある。
【0019】次にこのような半導体レーザモジュール1
に適用される本発明の未結合迷光の遮蔽構造25につい
て説明する。半導体レーザ光源7の前端面から出射され
るレーザビームのうち光ファイバ13に結合されるのは
上述のように約80%、そしてレンズ部分23のカット
面等に反射して結合されなかった未結合迷光が約20%
である。本発明の未結合迷光の遮蔽構造25は光ファイ
バ13に結合されなかった約20%の未結合迷光の半導
体受光素子9への侵入を防止する目的で設けられてい
る。
に適用される本発明の未結合迷光の遮蔽構造25につい
て説明する。半導体レーザ光源7の前端面から出射され
るレーザビームのうち光ファイバ13に結合されるのは
上述のように約80%、そしてレンズ部分23のカット
面等に反射して結合されなかった未結合迷光が約20%
である。本発明の未結合迷光の遮蔽構造25は光ファイ
バ13に結合されなかった約20%の未結合迷光の半導
体受光素子9への侵入を防止する目的で設けられてい
る。
【0020】具体的には半導体受光素子9の受光面には
半導体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザビー
ムの投影形状に対応した絞り27が形成されており、こ
の絞り27が本発明の未結合迷光の遮蔽構造25となっ
ている。絞り27の形状は楕円形となっている。これ
は、半導体レーザ光源7から出射されるレーザビームの
断面形状が一般に円形ないし楕円形を有していること
と、半導体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザ
ビームが直接半導体受光素子9の受光面に反射して戻っ
てこないように半導体受光素子9は幾分傾斜して配置さ
れることとに関係している。
半導体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザビー
ムの投影形状に対応した絞り27が形成されており、こ
の絞り27が本発明の未結合迷光の遮蔽構造25となっ
ている。絞り27の形状は楕円形となっている。これ
は、半導体レーザ光源7から出射されるレーザビームの
断面形状が一般に円形ないし楕円形を有していること
と、半導体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザ
ビームが直接半導体受光素子9の受光面に反射して戻っ
てこないように半導体受光素子9は幾分傾斜して配置さ
れることとに関係している。
【0021】また絞り27の大きさは、半導体レーザ光
源7の種類及び半導体レーザ光源7と半導体受光素子9
との間隔が常に一定である場合には、固定しておくこと
も可能であるが、カメラの絞りのようにその大きさを調
節し得るような可動式の絞り27を採用することも可能
である。因みにこのような絞り27を半導体受光素子9
の受光面に形成した場合には、半導体レーザ光源7の後
端面以外から出射されパッケージの内壁面等に向けて飛
散し反射した未結合迷光が半導体受光素子9に入る確率
が小さくなるので、半導体レーザ光源7の後端面から出
射されるレーザビームをより正確に測定することができ
る。
源7の種類及び半導体レーザ光源7と半導体受光素子9
との間隔が常に一定である場合には、固定しておくこと
も可能であるが、カメラの絞りのようにその大きさを調
節し得るような可動式の絞り27を採用することも可能
である。因みにこのような絞り27を半導体受光素子9
の受光面に形成した場合には、半導体レーザ光源7の後
端面以外から出射されパッケージの内壁面等に向けて飛
散し反射した未結合迷光が半導体受光素子9に入る確率
が小さくなるので、半導体レーザ光源7の後端面から出
射されるレーザビームをより正確に測定することができ
る。
【0022】本発明の半導体レーザモジュールにおける
未結合迷光の遮蔽構造25は以上述べた構成を基本とす
るものであるが、かかる構成に限定されるものではな
く、以下述べるような部分的構成の変更も可能である。
未結合迷光の遮蔽構造25は以上述べた構成を基本とす
るものであるが、かかる構成に限定されるものではな
く、以下述べるような部分的構成の変更も可能である。
【0023】例えば図3に示すように上記実施の形態に
おいて採用した絞り27に代えて、半導体受光素子9と
半導体レーザ光源7との間にシート状の遮蔽マスク29
を適用することも可能である。遮蔽マスク29には、半
導体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザビーム
の、該遮蔽マスク29の存する位置における投影形状に
対応した開口31が形成されている。このような構成と
することによっても前記実施の形態と同様に未結合迷光
の半導体受光素子9への侵入は効果的に防止される。
おいて採用した絞り27に代えて、半導体受光素子9と
半導体レーザ光源7との間にシート状の遮蔽マスク29
を適用することも可能である。遮蔽マスク29には、半
導体レーザ光源7の後端面から出射されるレーザビーム
の、該遮蔽マスク29の存する位置における投影形状に
対応した開口31が形成されている。このような構成と
することによっても前記実施の形態と同様に未結合迷光
の半導体受光素子9への侵入は効果的に防止される。
【0024】また上記図3に示す実施の形態において遮
蔽マスク29の形状をシート状に平面的に形成するので
はなく、図4に示すように中空コーン状に立体的に形成
することも可能である。このような構成とした場合には
半導体受光素子9における半導体レーザ光源7の後端面
から出射される検知光として作用する本来のレーザビー
ムのみが確実に半導体受光素子9の受光面に到達し、側
方からの未結合迷光の侵入は完全に防止される。
蔽マスク29の形状をシート状に平面的に形成するので
はなく、図4に示すように中空コーン状に立体的に形成
することも可能である。このような構成とした場合には
半導体受光素子9における半導体レーザ光源7の後端面
から出射される検知光として作用する本来のレーザビー
ムのみが確実に半導体受光素子9の受光面に到達し、側
方からの未結合迷光の侵入は完全に防止される。
【0025】また図5に示すように上記遮蔽マスク29
に代えて遮蔽シールド33を適用することも可能であ
る。即ち、半導体レーザ光源7の後端面側の部位から半
導体受光素子9の受光面側の部位までの空間を遮蔽する
筐体状の遮蔽シールド33を光源用台座5上に設けるこ
とで本発明の未結合迷光の遮蔽構造25を構成する。こ
のような構成とすることによっても、図示のように光フ
ァイバ13のレンズ部分23のカット面等に反射して光
ファイバ13に結合されなかった未結合迷光が遮蔽シー
ルド33によって遮蔽シールド33の内部に侵入するこ
とはできないから、半導体受光素子9には光ファイバ1
3の後端面から出射されるレーザ光のみが到達する。
に代えて遮蔽シールド33を適用することも可能であ
る。即ち、半導体レーザ光源7の後端面側の部位から半
導体受光素子9の受光面側の部位までの空間を遮蔽する
筐体状の遮蔽シールド33を光源用台座5上に設けるこ
とで本発明の未結合迷光の遮蔽構造25を構成する。こ
のような構成とすることによっても、図示のように光フ
ァイバ13のレンズ部分23のカット面等に反射して光
ファイバ13に結合されなかった未結合迷光が遮蔽シー
ルド33によって遮蔽シールド33の内部に侵入するこ
とはできないから、半導体受光素子9には光ファイバ1
3の後端面から出射されるレーザ光のみが到達する。
【0026】なお、図5において遮蔽シールド33の半
導体レーザ光源7側の部位にはギャップ35が設けられ
ている。このギャップ35は半導体レーザ光源7の感度
を良くするためと位置調節を可能にするために設けられ
るものであるが、未結合迷光の侵入を極力少なくするた
め、できるだけ小さく設定することが好ましい。
導体レーザ光源7側の部位にはギャップ35が設けられ
ている。このギャップ35は半導体レーザ光源7の感度
を良くするためと位置調節を可能にするために設けられ
るものであるが、未結合迷光の侵入を極力少なくするた
め、できるだけ小さく設定することが好ましい。
【0027】また図示は省略するが、半導体レーザ光源
7及び半導体受光素子9の取付部位近傍の半導体レーザ
モジュール1を構成する諸部材の表面に光ファイバ13
に結合されなかった未結合迷光を拡散ないし吸収する拡
散吸収処理を施すようにすることも可能である。拡散吸
収処理としては、該諸部材の表面を梨地状ないしざらめ
状に粗して到達した未結合迷光を拡散させるようにした
もの、到達した未結合迷光を吸収する作用を奏する反射
率の極めて低いシート素材等を該諸部材の表面に貼設し
たものが一例として採用できる。
7及び半導体受光素子9の取付部位近傍の半導体レーザ
モジュール1を構成する諸部材の表面に光ファイバ13
に結合されなかった未結合迷光を拡散ないし吸収する拡
散吸収処理を施すようにすることも可能である。拡散吸
収処理としては、該諸部材の表面を梨地状ないしざらめ
状に粗して到達した未結合迷光を拡散させるようにした
もの、到達した未結合迷光を吸収する作用を奏する反射
率の極めて低いシート素材等を該諸部材の表面に貼設し
たものが一例として採用できる。
【0028】この他、図6に示すように半導体受光素子
9と半導体レーザ光源7との間に光ファイバ13におけ
るレンズ部分23と同様の作用を奏する収光レンズ37
を設け、半導体受光素子9の受光面におけるレーザビー
ムの投影面積を極めて小さく設定することも可能であ
る。勿論この場合には、半導体受光素子9の受光面に設
けられる絞り27等も当該レーザビームの投影面積に応
じて小さく設定することになる。このような構成を採用
した場合には未結合迷光の半導体受光素子9への侵入は
より一層少なくなる。
9と半導体レーザ光源7との間に光ファイバ13におけ
るレンズ部分23と同様の作用を奏する収光レンズ37
を設け、半導体受光素子9の受光面におけるレーザビー
ムの投影面積を極めて小さく設定することも可能であ
る。勿論この場合には、半導体受光素子9の受光面に設
けられる絞り27等も当該レーザビームの投影面積に応
じて小さく設定することになる。このような構成を採用
した場合には未結合迷光の半導体受光素子9への侵入は
より一層少なくなる。
【0029】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、半導体受光素
子によって検知されるレーザビームは半導体レーザ光源
の後端面から出射される検知光として作用する本来のレ
ーザビームのみとなるから、光ファイバに結合されたレ
ーザビームの計測がより正確となる。
子によって検知されるレーザビームは半導体レーザ光源
の後端面から出射される検知光として作用する本来のレ
ーザビームのみとなるから、光ファイバに結合されたレ
ーザビームの計測がより正確となる。
【0030】請求項2の発明によれば、絞りの外方に到
達した未結合迷光は半導体受光素子内に侵入することは
できないから、光ファイバに結合されたレーザビームの
計測の精度が向上する。
達した未結合迷光は半導体受光素子内に侵入することは
できないから、光ファイバに結合されたレーザビームの
計測の精度が向上する。
【0031】請求項3の発明によれば、遮蔽マスクを半
導体受光素子の受光面に貼設した場合には上記請求項2
の発明と同様の効果が得られ、遮蔽マスクを半導体受光
素子と半導体レーザ光源の中間位置に設けた場合には、
光ファイバにおけるレンズ部分のカット面等に反射して
返ってくる未結合迷光の侵入をより前段の反射直後の段
階で防止することができる。
導体受光素子の受光面に貼設した場合には上記請求項2
の発明と同様の効果が得られ、遮蔽マスクを半導体受光
素子と半導体レーザ光源の中間位置に設けた場合には、
光ファイバにおけるレンズ部分のカット面等に反射して
返ってくる未結合迷光の侵入をより前段の反射直後の段
階で防止することができる。
【0032】請求項4の発明によれば、半導体レーザモ
ジュールにおけるパッケージの内壁面で反射する未結合
迷光に対して遮蔽効果が発揮される。
ジュールにおけるパッケージの内壁面で反射する未結合
迷光に対して遮蔽効果が発揮される。
【0033】請求項5の発明によれば、半導体レーザモ
ジュールにおけるパッケージの内壁面に飛散した未結合
迷光を拡散ないし吸収するから、半導体レーザ光源の後
端面から出射されるレーザビームの領域内に未結合迷光
が侵入することが防止される。
ジュールにおけるパッケージの内壁面に飛散した未結合
迷光を拡散ないし吸収するから、半導体レーザ光源の後
端面から出射されるレーザビームの領域内に未結合迷光
が侵入することが防止される。
【図1】 本発明の未結合迷光の遮蔽構造を適用した半
導体レーザモジュールを示す斜視図である。
導体レーザモジュールを示す斜視図である。
【図2】 本発明の未結合迷光の遮蔽構造を適用した半
導体レーザモジュールを示す平面図である。
導体レーザモジュールを示す平面図である。
【図3】 本発明の未結合迷光の遮蔽構造における他の
実施の形態を示す斜視図である。
実施の形態を示す斜視図である。
【図4】 本発明の未結合迷光の遮蔽構造における他の
実施の形態を示す側面図である。
実施の形態を示す側面図である。
【図5】 本発明の未結合迷光の遮蔽構造における他の
実施の形態を示す縦断側面図である。
実施の形態を示す縦断側面図である。
【図6】 本発明の未結合迷光の遮蔽構造における他の
実施の形態を示す側面図である。
実施の形態を示す側面図である。
【図7】 従来の半導体レーザモジュールにおける未結
合迷光の侵入による問題点を示す側面図である。
合迷光の侵入による問題点を示す側面図である。
1 半導体レーザモジュール 3 台座 5 光源用台座 7 半導体レーザ光源 9 半導体受光素子 11 サブマウント 13 光ファイバ 15 光ファイバ保持部材 17 ファイバ線 19 金属フェルール 21 入力端 23 レンズ部分 25 未結合迷光の遮蔽構造 27 絞り 29 遮蔽マスク 31 開口 33 遮蔽シールド 35 ギャップ 37 収光レンズ
Claims (5)
- 【請求項1】 光ファイバの入力端に向けてレーザビー
ムを出射する半導体レーザ光源と、半導体レーザ光源の
後端面から出射されるレーザビームを検知光として受光
する半導体受光素子とを備える半導体レーザモジュール
において、前記半導体レーザ光源及び半導体受光素子の
取付部位近傍には半導体レーザ光源の後端面以外から出
射されたレーザビームのうち光ファイバに結合されなか
った未結合迷光の半導体受光素子への侵入を前記検知光
の軌跡ないしは投影形状に基づいて防止する遮蔽手段が
設けられていることを特徴とする半導体レーザモジュー
ルにおける未結合迷光の遮蔽構造。 - 【請求項2】 請求項1において、前記遮蔽手段は前記
検知光の投影形状に対応した半導体受光素子の受光面に
形成される絞りであることを特徴とする半導体レーザモ
ジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造。 - 【請求項3】 請求項1において、前記遮蔽手段は半導
体受光素子と半導体レーザ光源との間に設けられる遮蔽
マスクであり、当該遮蔽マスクには前記検知光の当該位
置における投影形状に対応した開口が形成されているこ
とを特徴とする半導体レーザモジュールにおける未結合
迷光の遮蔽構造。 - 【請求項4】 請求項1において、前記遮蔽手段は半導
体レーザ光源の後端面側の部位から半導体受光素子の受
光面側の部位までの空間を少なくとも遮蔽する遮蔽シー
ルドであることを特徴とする半導体レーザモジュールに
おける未結合迷光の遮蔽構造。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかにおいて、前記
半導体レーザ光源及び半導体受光素子の取付部位近傍の
半導体レーザモジュールを構成する諸部材の表面には、
未結合迷光を拡散ないしは吸収する拡散吸収処理が施さ
れていることを特徴とする半導体レーザモジュールにお
ける未結合迷光の遮蔽構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001150770A JP2002341197A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 半導体レーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001150770A JP2002341197A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 半導体レーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002341197A true JP2002341197A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=18995731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001150770A Pending JP2002341197A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 半導体レーザモジュールにおける未結合迷光の遮蔽構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002341197A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111699596A (zh) * | 2018-02-14 | 2020-09-22 | 古河电气工业株式会社 | 光模块 |
-
2001
- 2001-05-21 JP JP2001150770A patent/JP2002341197A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111699596A (zh) * | 2018-02-14 | 2020-09-22 | 古河电气工业株式会社 | 光模块 |
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