JP2002336675A5 - - Google Patents
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【００１２】
基板洗浄後の汚染物質（洗浄によって基板から超臨界二酸化炭素に混入した有機物、無機物、金属、パーティクル、水等）が混じった超臨界二酸化炭素は、減圧器１７において最終的な減圧がなされて気化された後、分離回収槽１８において気体の二酸化炭素ガスと汚染物質とに分離される。分離された汚染物質は排出され、二酸化炭素ガスは、回収されて凝縮器１２で再利用される。以上の洗浄処理が所定の時間繰り返されて、基板洗浄が完了する。
基板洗浄後の汚染物質（洗浄によって基板から超臨界二酸化炭素に混入した有機物、無機物、金属、パーティクル、水等）が混じった超臨界二酸化炭素は、減圧器１７において最終的な減圧がなされて気化された後、分離回収槽１８において気体の二酸化炭素ガスと汚染物質とに分離される。分離された汚染物質は排出され、二酸化炭素ガスは、回収されて凝縮器１２で再利用される。以上の洗浄処理が所定の時間繰り返されて、基板洗浄が完了する。
【００６０】
超臨界二酸化炭素の回収が完了すると、バルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４が閉栓され、バルブＶ５，Ｖ６が開栓されて、基板洗浄槽５内に再び二酸化炭素ガスが供給される（密閉槽内パージ）（ステップＳ２８）。そして、基板洗浄槽５内に設置された基板の取り出しは、バルブＶ６が閉栓され、基板洗浄槽５内への大気成分の混入が防止された状態（開放槽内パージ）で行われる（ステップＳ２９）。
超臨界二酸化炭素の回収が完了すると、バルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４が閉栓され、バルブＶ５，Ｖ６が開栓されて、基板洗浄槽５内に再び二酸化炭素ガスが供給される（密閉槽内パージ）（ステップＳ２８）。そして、基板洗浄槽５内に設置された基板の取り出しは、バルブＶ６が閉栓され、基板洗浄槽５内への大気成分の混入が防止された状態（開放槽内パージ）で行われる（ステップＳ２９）。
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| TW091110337A TW546726B (en) | 2001-05-17 | 2002-05-17 | High pressure processing apparatus and method |
| KR10-2002-0027296A KR100472194B1 (ko) | 2001-05-17 | 2002-05-17 | 고압 처리장치 및 방법 |
| US10/879,318 US7111630B2 (en) | 2001-05-17 | 2004-06-28 | High pressure processing apparatus and method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001148194A JP4053253B2 (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 高圧処理装置及び方法 |
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