JP2002334943A - 電子部品 - Google Patents
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子素子と電子素子を収納したパッケージとか
らなり、パッケージは、中空構造を有するパッケージ本
体と、パッケージ本体の上面に設けられ、パッケージ本
体の開口部を封止する蓋体と有し、パッケージ本体と蓋
体とが接合材により接合されている電子部品において、
クラックなどによる封止不良が起こる割合を低減した電
子部品を提供する。 【解決手段】蓋体の熱膨張係数をパッケージ本体の熱膨
張係数よりも大きくし、かつ、接合材の熱膨張係数を蓋
体の熱膨張係数よりも大きくする。
らなり、パッケージは、中空構造を有するパッケージ本
体と、パッケージ本体の上面に設けられ、パッケージ本
体の開口部を封止する蓋体と有し、パッケージ本体と蓋
体とが接合材により接合されている電子部品において、
クラックなどによる封止不良が起こる割合を低減した電
子部品を提供する。 【解決手段】蓋体の熱膨張係数をパッケージ本体の熱膨
張係数よりも大きくし、かつ、接合材の熱膨張係数を蓋
体の熱膨張係数よりも大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子素子をパッケ
ージに収納してなる電子部品に関する。
ージに収納してなる電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、弾性表面波素子や半導体素子
などの電子素子をパッケージに収納してなる電子部品が
広く用いられている。このような電子部品のパッケージ
は、中空構造を有するパッケージ本体と、パッケージ本
体の上面に設けられ、パッケージ本体の開口部を封止す
る蓋体と有している。また、このような電子部品は、電
子素子をパッケージ本体内部に実装した後、パッケージ
本体と蓋体とをロウ材などの接合材による接合、または
溶接などの方法により接合することにより構成されてい
る。
などの電子素子をパッケージに収納してなる電子部品が
広く用いられている。このような電子部品のパッケージ
は、中空構造を有するパッケージ本体と、パッケージ本
体の上面に設けられ、パッケージ本体の開口部を封止す
る蓋体と有している。また、このような電子部品は、電
子素子をパッケージ本体内部に実装した後、パッケージ
本体と蓋体とをロウ材などの接合材による接合、または
溶接などの方法により接合することにより構成されてい
る。
【０００３】このようなパッケージからなる電子部品に
おいて、接合信頼性を確保するために、蓋体とパッケー
ジ本体との熱膨張係数を考慮して両者の材料を選ぶ技術
が知られている。例えば、特開平１１−１７６９６９号
公報には、セラミックスからなるパッケージ本体の熱膨
張係数と同様な熱膨張係数とするために、４０〜４５重
量％のＮｉを含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる蓋体を
用い、かつ、その蓋体に３μｍ以上の厚さを有するＮｉ
メッキ層を設け、３０３〜５７３Ｋでの熱膨張係数を５
０〜５５×１０-7／Ｋの範囲にすることで、蓋体とパッ
ケージ本体との接合信頼性を高めた電子部品が開示され
ている。
おいて、接合信頼性を確保するために、蓋体とパッケー
ジ本体との熱膨張係数を考慮して両者の材料を選ぶ技術
が知られている。例えば、特開平１１−１７６９６９号
公報には、セラミックスからなるパッケージ本体の熱膨
張係数と同様な熱膨張係数とするために、４０〜４５重
量％のＮｉを含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる蓋体を
用い、かつ、その蓋体に３μｍ以上の厚さを有するＮｉ
メッキ層を設け、３０３〜５７３Ｋでの熱膨張係数を５
０〜５５×１０-7／Ｋの範囲にすることで、蓋体とパッ
ケージ本体との接合信頼性を高めた電子部品が開示され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パッケ
ージ本体と蓋体とを接合材により接合する電子部品にお
いては、引用した公報に記載されている技術を用いても
熱衝撃試験時にクラックが生じることがあった。これ
は、接合材の熱膨張係数を考慮していないため、不適当
な接合材を使った場合に、接合材とパッケージ本体、な
らびに接合材と蓋体の両者の間で熱応力が加わったこと
によるものである。
ージ本体と蓋体とを接合材により接合する電子部品にお
いては、引用した公報に記載されている技術を用いても
熱衝撃試験時にクラックが生じることがあった。これ
は、接合材の熱膨張係数を考慮していないため、不適当
な接合材を使った場合に、接合材とパッケージ本体、な
らびに接合材と蓋体の両者の間で熱応力が加わったこと
によるものである。
【０００５】本発明は、上述の問題を鑑みてなされたも
のであり、これらの問題を解決し、パッケージ本体と蓋
体とを接合材により接合する電子部品において、クラッ
クなどによる封止不良が起こる割合を低減した電子部品
を提供することを目的としている。
のであり、これらの問題を解決し、パッケージ本体と蓋
体とを接合材により接合する電子部品において、クラッ
クなどによる封止不良が起こる割合を低減した電子部品
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の請求項１に係る電子部品は、電子素子と、電子
素子を収納したパッケージとからなり、パッケージは、
中空構造を有するパッケージ本体と、パッケージ本体の
上面に設けられ、パッケージ本体の開口部を封止する蓋
体と有し、パッケージ本体と蓋体とが接合材により接合
されている電子部品において、蓋体の熱膨張係数がパッ
ケージ本体の熱膨張係数よりも大きく、かつ、接合材の
熱膨張係数が蓋体の熱膨張係数よりも大きいことを特徴
とする電子部品である。
本発明の請求項１に係る電子部品は、電子素子と、電子
素子を収納したパッケージとからなり、パッケージは、
中空構造を有するパッケージ本体と、パッケージ本体の
上面に設けられ、パッケージ本体の開口部を封止する蓋
体と有し、パッケージ本体と蓋体とが接合材により接合
されている電子部品において、蓋体の熱膨張係数がパッ
ケージ本体の熱膨張係数よりも大きく、かつ、接合材の
熱膨張係数が蓋体の熱膨張係数よりも大きいことを特徴
とする電子部品である。
【０００７】蓋体の熱膨張係数をパッケージ本体の熱膨
張係数よりも大きくし、かつ、接合材の熱膨張係数を蓋
体の熱膨張係数よりも大きくしたことで、クラックなど
による封止不良が起こる割合を大幅に低減することがで
きる。
張係数よりも大きくし、かつ、接合材の熱膨張係数を蓋
体の熱膨張係数よりも大きくしたことで、クラックなど
による封止不良が起こる割合を大幅に低減することがで
きる。
【０００８】また、本発明の請求項２に係る電子部品
は、パッケージ本体がセラミックスからなり、接合材が
エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の
電子部品である。
は、パッケージ本体がセラミックスからなり、接合材が
エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の
電子部品である。
【０００９】パッケージ本体がセラミックスからなると
き、接合材としてエポキシ樹脂を用いることで封止不良
が起こる割合を最も低減することができる。
き、接合材としてエポキシ樹脂を用いることで封止不良
が起こる割合を最も低減することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である電子
部品を、図１および図２に基づいて説明する。図１は、
本実施例の電子部品を示す側断面図である。図１に示す
ように、本実施例の電子部品１は、電子素子である弾性
表面波素子２と、弾性表面波素子２を収納したパッケー
ジ３とからなっている。パッケージ３は、中空構造を有
するパッケージ本体３１と、パッケージ本体３１の上面
に設けられ、パッケージ本体３１の開口部を封止する蓋
体３２とからなっている。
部品を、図１および図２に基づいて説明する。図１は、
本実施例の電子部品を示す側断面図である。図１に示す
ように、本実施例の電子部品１は、電子素子である弾性
表面波素子２と、弾性表面波素子２を収納したパッケー
ジ３とからなっている。パッケージ３は、中空構造を有
するパッケージ本体３１と、パッケージ本体３１の上面
に設けられ、パッケージ本体３１の開口部を封止する蓋
体３２とからなっている。
【００１１】パッケージ本体３１は、本実施例では、ア
ルミナセラミックス（熱膨張係数７．０ｐｐｍ／Ｋ）か
らなり、幅３．８０ｍｍ、奥行き３．８０ｍｍ、高さ
１．２０ｍｍ、中空部分の高さ０．７０ｍｍ、中空部分
の側壁の厚み０．４５ｍｍのものを用いている。
ルミナセラミックス（熱膨張係数７．０ｐｐｍ／Ｋ）か
らなり、幅３．８０ｍｍ、奥行き３．８０ｍｍ、高さ
１．２０ｍｍ、中空部分の高さ０．７０ｍｍ、中空部分
の側壁の厚み０．４５ｍｍのものを用いている。
【００１２】弾性表面波素子２は、パッケージ本体３１
の開口部の底部に設けられた電極６上に設けられた金属
バンプ５によりフリップチップ接続されている。また、
パッケージ本体３１と蓋体３２とが接合材４により接合
されている。
の開口部の底部に設けられた電極６上に設けられた金属
バンプ５によりフリップチップ接続されている。また、
パッケージ本体３１と蓋体３２とが接合材４により接合
されている。
【００１３】ここで本発明者は、パッケージ本体３１、
接合材４および蓋体３２の熱膨張係数と封止不良が起こ
る割合の関係を調べるため、接合材４と蓋体３２の材料
を複数用意し、それらを組み合わせる実験を行った。
接合材４および蓋体３２の熱膨張係数と封止不良が起こ
る割合の関係を調べるため、接合材４と蓋体３２の材料
を複数用意し、それらを組み合わせる実験を行った。
【００１４】以下に、この実験で用いたパッケージ本体
３１、接合材４および蓋体３２の材料を示す。 パッケージ本体３１： アルミナセラミックス（熱膨張係数７．０ｐｐｍ／Ｋ） 接合材４： はんだ（熱膨張係数２５ｐｐｍ／Ｋ） エポキシ樹脂（熱膨張係数２８ｐｐｍ／Ｋ） ガラス（熱膨張係数１０ｐｐｍ／Ｋ） 蓋体３２： ３７．５重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数１．２ｐｐ
ｍ／Ｋ） ４０．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数３．０ｐｐ
ｍ／Ｋ） ４２．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数４．５ｐｐ
ｍ／Ｋ） ４７．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数７．３ｐｐ
ｍ／Ｋ） ５０．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数９．０ｐｐ
ｍ／Ｋ） ５２．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数１０．１ｐ
ｐｍ／Ｋ） 洋白（熱膨張係数１６．０ｐｐｍ／Ｋ） 以下に、上記に挙げた材料を適用した場合のパッケージ
３の組み立て工程をそれぞれ説明する。 １．接合材４にはんだを用いる場合 上記に掲げた数種のＮｉ−Ｆｅ合金または洋白からなる
蓋体３２を用意し、この蓋体３２の両面に保護のためＮ
ｉ層を数μｍ設ける。また、パッケージ本体３１の蓋体
と接触する部分にメタライズ層を形成しておく。そし
て、蓋体３２の片面のパッケージ本体３１と接触する部
分に、２０〜４０μｍのはんだ層を設け、パッケージ本
体３１と蓋体３２とを組み合わせる。そして、組み合わ
せたパッケージ３を公知のリフロー炉に入れ、リフロー
処理を行い、はんだ接合および封止を行った。この接合
においては、蓋体の浮きを防ぎ、さらに接合材の厚みを
薄くするために加圧することが望ましく、荷重は１．０
〜５．０Ｎ程度が好ましい。 ２．接合材４にエポキシ樹脂を用いる場合 上記に掲げた数種のＮｉ−Ｆｅ合金または洋白からなる
蓋体３２を用意し、この蓋体３２の両面に保護のためＮ
ｉ層を数μｍ設ける。そして、蓋体３２の片面のパッケ
ージ本体３１と接触する部分に、溶剤により軟化させた
厚さ１５μｍのエポキシ樹脂層を設ける。溶剤が乾燥し
た後、パッケージ本体３１と蓋体３２とを組み合わせ、
２００℃の環境で２時間放置し、エポキシ樹脂を固化さ
せてパッケージ本体３１と蓋体３２との接合および封止
を行った。この接合においては、蓋体の浮きを防ぎ、さ
らに接合材の厚みを薄くするために加圧することが望ま
しく、荷重は１．０〜５．０Ｎ程度が好ましい。 ３．接合材４にガラスを用いる場合 上記に掲げた数種のＮｉ−Ｆｅ合金または洋白からなる
蓋体３２を用意し、この蓋体３２の少なくともパッケー
ジ本体３１と接触する部分に、適宜の方法により酸化膜
を形成させておく。この蓋体３２とパッケージ本体３１
との間にガラスをはさみ、３６０℃の環境にてガラスを
固着させて、パッケージ本体３１と蓋体３２との接合お
よび封止を行った。この接合においては、蓋体の浮きを
防ぎ、さらに接合材の厚みを薄くするために加圧するこ
とが望ましく、荷重は１．０〜５．０Ｎ程度が好まし
い。
３１、接合材４および蓋体３２の材料を示す。 パッケージ本体３１： アルミナセラミックス（熱膨張係数７．０ｐｐｍ／Ｋ） 接合材４： はんだ（熱膨張係数２５ｐｐｍ／Ｋ） エポキシ樹脂（熱膨張係数２８ｐｐｍ／Ｋ） ガラス（熱膨張係数１０ｐｐｍ／Ｋ） 蓋体３２： ３７．５重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数１．２ｐｐ
ｍ／Ｋ） ４０．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数３．０ｐｐ
ｍ／Ｋ） ４２．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数４．５ｐｐ
ｍ／Ｋ） ４７．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数７．３ｐｐ
ｍ／Ｋ） ５０．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数９．０ｐｐ
ｍ／Ｋ） ５２．０重量％Ｎｉ−Ｆｅ合金（熱膨張係数１０．１ｐ
ｐｍ／Ｋ） 洋白（熱膨張係数１６．０ｐｐｍ／Ｋ） 以下に、上記に挙げた材料を適用した場合のパッケージ
３の組み立て工程をそれぞれ説明する。 １．接合材４にはんだを用いる場合 上記に掲げた数種のＮｉ−Ｆｅ合金または洋白からなる
蓋体３２を用意し、この蓋体３２の両面に保護のためＮ
ｉ層を数μｍ設ける。また、パッケージ本体３１の蓋体
と接触する部分にメタライズ層を形成しておく。そし
て、蓋体３２の片面のパッケージ本体３１と接触する部
分に、２０〜４０μｍのはんだ層を設け、パッケージ本
体３１と蓋体３２とを組み合わせる。そして、組み合わ
せたパッケージ３を公知のリフロー炉に入れ、リフロー
処理を行い、はんだ接合および封止を行った。この接合
においては、蓋体の浮きを防ぎ、さらに接合材の厚みを
薄くするために加圧することが望ましく、荷重は１．０
〜５．０Ｎ程度が好ましい。 ２．接合材４にエポキシ樹脂を用いる場合 上記に掲げた数種のＮｉ−Ｆｅ合金または洋白からなる
蓋体３２を用意し、この蓋体３２の両面に保護のためＮ
ｉ層を数μｍ設ける。そして、蓋体３２の片面のパッケ
ージ本体３１と接触する部分に、溶剤により軟化させた
厚さ１５μｍのエポキシ樹脂層を設ける。溶剤が乾燥し
た後、パッケージ本体３１と蓋体３２とを組み合わせ、
２００℃の環境で２時間放置し、エポキシ樹脂を固化さ
せてパッケージ本体３１と蓋体３２との接合および封止
を行った。この接合においては、蓋体の浮きを防ぎ、さ
らに接合材の厚みを薄くするために加圧することが望ま
しく、荷重は１．０〜５．０Ｎ程度が好ましい。 ３．接合材４にガラスを用いる場合 上記に掲げた数種のＮｉ−Ｆｅ合金または洋白からなる
蓋体３２を用意し、この蓋体３２の少なくともパッケー
ジ本体３１と接触する部分に、適宜の方法により酸化膜
を形成させておく。この蓋体３２とパッケージ本体３１
との間にガラスをはさみ、３６０℃の環境にてガラスを
固着させて、パッケージ本体３１と蓋体３２との接合お
よび封止を行った。この接合においては、蓋体の浮きを
防ぎ、さらに接合材の厚みを薄くするために加圧するこ
とが望ましく、荷重は１．０〜５．０Ｎ程度が好まし
い。
【００１５】上記１．〜３．のようにして作成したパッ
ケージ３のサンプルに熱衝撃試験を行い、封止不良率を
調べた。なお、接合材４として、はんだまたはエポキシ
樹脂を用いた場合は、−５５℃から１５０℃の熱衝撃を
２０００サイクル実施し、接合材４として、ガラスを用
いた場合は、−５５℃から１２５℃の熱衝撃を５００サ
イクル実施した。この熱衝撃試験の結果を図２に示す。
ケージ３のサンプルに熱衝撃試験を行い、封止不良率を
調べた。なお、接合材４として、はんだまたはエポキシ
樹脂を用いた場合は、−５５℃から１５０℃の熱衝撃を
２０００サイクル実施し、接合材４として、ガラスを用
いた場合は、−５５℃から１２５℃の熱衝撃を５００サ
イクル実施した。この熱衝撃試験の結果を図２に示す。
【００１６】図２は、熱衝撃試験後のパッケージの封止
不良率を示す表である。図２を参照すると、接合材４と
して、はんだ、エポキシ樹脂およびガラスを用いたと
き、アルミナセラミックス（熱膨張係数７．０ｐｐｍ／
Ｋ）からなるパッケージ本体３１よりも熱膨張係数が大
きい蓋体３２を用い、かつ、蓋体３２よりも熱膨張係数
が大きい接合材４を用いた場合に、封止不良率は０．１
〜０．２％と大幅に低いが、それ以外の場合には、封止
不良率はそれより高い値を示していることがわかる。
不良率を示す表である。図２を参照すると、接合材４と
して、はんだ、エポキシ樹脂およびガラスを用いたと
き、アルミナセラミックス（熱膨張係数７．０ｐｐｍ／
Ｋ）からなるパッケージ本体３１よりも熱膨張係数が大
きい蓋体３２を用い、かつ、蓋体３２よりも熱膨張係数
が大きい接合材４を用いた場合に、封止不良率は０．１
〜０．２％と大幅に低いが、それ以外の場合には、封止
不良率はそれより高い値を示していることがわかる。
【００１７】以上から、蓋体３２としてパッケージ本体
３１よりも熱膨張係数が大きいものを用い、かつ、接合
材４として蓋体３２よりも熱膨張係数が大きいものを用
いた場合（図２において、＊印のついた組み合わせのと
き）に、封止不良の起こる割合が低く、好ましいことが
わかる。
３１よりも熱膨張係数が大きいものを用い、かつ、接合
材４として蓋体３２よりも熱膨張係数が大きいものを用
いた場合（図２において、＊印のついた組み合わせのと
き）に、封止不良の起こる割合が低く、好ましいことが
わかる。
【００１８】また、図２を参照すると、接合材４の材料
としては、他の材料と比較し、エポキシ樹脂が最も良好
な結果を示している。したがって、パッケージ本体３１
として、アルミナセラミックスを用いた場合の接合材４
としては、エポキシ樹脂を採用するのがもっとも好まし
いことがわかる。
としては、他の材料と比較し、エポキシ樹脂が最も良好
な結果を示している。したがって、パッケージ本体３１
として、アルミナセラミックスを用いた場合の接合材４
としては、エポキシ樹脂を採用するのがもっとも好まし
いことがわかる。
【００１９】なお、本実施例では電子素子として弾性表
面波素子を用いる例を示したが、これに限るものではな
く、例えば半導体素子などの他の電子素子を用いてもよ
いことは勿論である。また、本実施例では、弾性表面波
素子をフリップチップ接続により接合したが、これに限
るものではなく、例えばワイヤーボンディングなどによ
り接合してもよい。また、パッケージの組み立て工程も
本実施例で示した例に限るものではなく、種々の変更が
可能である。
面波素子を用いる例を示したが、これに限るものではな
く、例えば半導体素子などの他の電子素子を用いてもよ
いことは勿論である。また、本実施例では、弾性表面波
素子をフリップチップ接続により接合したが、これに限
るものではなく、例えばワイヤーボンディングなどによ
り接合してもよい。また、パッケージの組み立て工程も
本実施例で示した例に限るものではなく、種々の変更が
可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、蓋体の熱
膨張係数をパッケージ本体の熱膨張係数よりも大きく
し、かつ、接合材の熱膨張係数を蓋体の熱膨張係数より
も大きくしたことで、クラックなどによる封止不良が起
こる割合を大幅に低減することができる。
膨張係数をパッケージ本体の熱膨張係数よりも大きく
し、かつ、接合材の熱膨張係数を蓋体の熱膨張係数より
も大きくしたことで、クラックなどによる封止不良が起
こる割合を大幅に低減することができる。
【００２１】また、パッケージ本体がセラミックスから
なるとき、接合材としてエポキシ樹脂からなるものを用
いることで封止不良が起こる割合を最も低減することが
できる。
なるとき、接合材としてエポキシ樹脂からなるものを用
いることで封止不良が起こる割合を最も低減することが
できる。
【図１】本実施例の電子部品を示す側断面図
【図２】熱衝撃試験後のパッケージの封止不良率を示す
表
表
１ 電子部品 ２ 弾性表面波素子 ３ パッケージ ４ 接合材 ３１ パッケージ本体 ３２ 蓋体
Claims (2)
- 【請求項１】電子素子と、電子素子を収納したパッケー
ジとからなり、パッケージは、中空構造を有するパッケ
ージ本体と、パッケージ本体の上面に設けられ、パッケ
ージ本体の開口部を封止する蓋体と有し、パッケージ本
体と蓋体とが接合材により接合されている電子部品にお
いて、 蓋体の熱膨張係数がパッケージ本体の熱膨張係数よりも
大きく、かつ、接合材の熱膨張係数が蓋体の熱膨張係数
よりも大きいことを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】パッケージ本体がセラミックスからなり、
接合材がエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項
１記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139107A JP2002334943A (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139107A JP2002334943A (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002334943A true JP2002334943A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18985940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001139107A Pending JP2002334943A (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002334943A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073711A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気密封止パッケージおよび光サブモジュール |
| JPWO2016111281A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2017-10-12 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板、電子部品およびセラミック基板の製造方法 |
| WO2020071452A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | Ａｇｃ株式会社 | 窓材、光学パッケージ |
| WO2022004390A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | 日本電気硝子株式会社 | 蓋部材、蓋部材の製造方法、パッケージ、及びパッケージの製造方法 |
-
2001
- 2001-05-09 JP JP2001139107A patent/JP2002334943A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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