JP2002328329A - 光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置 - Google Patents
光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置Info
- Publication number
- JP2002328329A JP2002328329A JP2001133712A JP2001133712A JP2002328329A JP 2002328329 A JP2002328329 A JP 2002328329A JP 2001133712 A JP2001133712 A JP 2001133712A JP 2001133712 A JP2001133712 A JP 2001133712A JP 2002328329 A JP2002328329 A JP 2002328329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical scanning
- scanning device
- substrate
- holding substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Image Input (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が
低く、回動が安定である光走査装置及びその光走査装置
の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装
置及びその光走査装置を具備する読取装置を提供する。 【解決手段】 入射光を正反射する反射手段１と、上記
反射手段１を保持する反射手段保持基板２と、上記反射
手段保持基板２を回動可能に支持するねじり回動軸３
と、上記ねじり回動軸３に支持された上記反射手段保持
基板２の側面の可動電極４と、上記可動電極４の対向面
４ａと上記反射手段保持基板２の厚み方向にずれた位置
に形成された固定電極５とからなる。
低く、回動が安定である光走査装置及びその光走査装置
の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装
置及びその光走査装置を具備する読取装置を提供する。 【解決手段】 入射光を正反射する反射手段１と、上記
反射手段１を保持する反射手段保持基板２と、上記反射
手段保持基板２を回動可能に支持するねじり回動軸３
と、上記ねじり回動軸３に支持された上記反射手段保持
基板２の側面の可動電極４と、上記可動電極４の対向面
４ａと上記反射手段保持基板２の厚み方向にずれた位置
に形成された固定電極５とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光走査装置及びそ
の光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備す
る画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置
に関し、詳しくは、静電力でねじり回動軸を回動して入
射光の反射方向を変えて光走査を行なう光走査装置及び
その光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備
する電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形
成する画像形成装置及びその光走査装置を具備する被読
み取り面を光走査して読み取りを行なう読取装置に関す
る。
の光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備す
る画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置
に関し、詳しくは、静電力でねじり回動軸を回動して入
射光の反射方向を変えて光走査を行なう光走査装置及び
その光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備
する電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形
成する画像形成装置及びその光走査装置を具備する被読
み取り面を光走査して読み取りを行なう読取装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の光走査装置は、同一直線上に設け
られた２本の梁で支持された薄膜で形成されたミラー基
板を、ミラー基板に対向する位置に設けた電極との間の
静電引力で、２本の梁をねじり回転軸として往復振動さ
せている。このように、マイクロマシニング技術で薄膜
で形成される光走査装置は、従来のモーターを使ったポ
リゴンミラーの回転による光走査装置と比較して、構造
が簡単で半導体プロセスでの一括形成が可能なため、小
型化が容易で製造コストも低く、また単一の反射面であ
るため複数面による精度のばらつきがなく、さらに往復
走査であるため高速化にも対応できる等の効果が期待さ
れて、電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を
形成する画像形成装置や光走査を行なって読み取りを行
なう読取装置等に搭載することが提案されている。この
ような、ミラー基板の平面に対向して電極を設ける静電
駆動のねじり振動型光走査装置では、駆動電圧を低くす
るため電極面積を広くとっているが、同時に電極間距離
も狭くするとミラーの振れ角が大きくとれないという問
題点があった。これに対し、他の光走査装置では、対向
電極をミラーの振れの中心位置から傾斜させて設置する
ことで、駆動電圧を下げながらもミラーの振れ角を変え
ないようにしている。一方、ミラーの振れ角を大きくと
るために、ミラーの振動領域に電極が重ならないように
するため、ミラー基板の端面に対向電極を設ける静電駆
動のねじり振動型光走査装置も提案されている。すなわ
ち可動電極であるミラー基板と、ミラー基板端面に微小
なギャップを隔てて対向する固定電極に段差をもたせて
ねじり回転軸に対してモーメントを与えことも公知であ
る（特許第２９２４２００号、特許第３０１１１４４号
等の公報を参照）。更に、同一出願人の発明者から、小
さなミラー基板の振れ角で大きな光走査角が得られるよ
うにしたものとして、偏向部と対向して反射部を設け、
両者間で２回以上反射させて走査するねじり振動型の光
走査装置も提案されている。２本の梁でミラー基板を両
側から保持し、この梁をねじり回転軸としてミラー基板
を静電引力により往復振動させる光走査装置では、ミラ
ー基板を一方の共通電極として、ねじり回転軸の両側に
ある駆動のための他方の２つの電極を、ミラー基板の平
面側に対向させるものとミラー基板の端面側に対向させ
るものがある。ここで、静電引力Ｗは、εを誘電率、Ｖ
を印加電圧、ｔを電極間距離、Ｓを電極面積とすると、
次式、Ｗ＝１／２＊ε＊（Ｖ／ｔ）2＊Ｓで与えられ
る。これより、印加電圧（Ｖ）を変えずに、大きな静電
引力（Ｗ）を得るためには、電極間距離（ｔ）を短くす
るか、あるいは電極面積（Ｓ）を大きくすればよいこと
がわかる。又、二乗に反比例する電極間距離（ｔ）のほ
うが効果はより大きい。ミラー基板のミラー面と反対側
の平面に対向して電極を設けた場合、電極面積（Ｓ）を
広くとることにより静電引力（Ｗ）を大きくすることが
できる。
られた２本の梁で支持された薄膜で形成されたミラー基
板を、ミラー基板に対向する位置に設けた電極との間の
静電引力で、２本の梁をねじり回転軸として往復振動さ
せている。このように、マイクロマシニング技術で薄膜
で形成される光走査装置は、従来のモーターを使ったポ
リゴンミラーの回転による光走査装置と比較して、構造
が簡単で半導体プロセスでの一括形成が可能なため、小
型化が容易で製造コストも低く、また単一の反射面であ
るため複数面による精度のばらつきがなく、さらに往復
走査であるため高速化にも対応できる等の効果が期待さ
れて、電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を
形成する画像形成装置や光走査を行なって読み取りを行
なう読取装置等に搭載することが提案されている。この
ような、ミラー基板の平面に対向して電極を設ける静電
駆動のねじり振動型光走査装置では、駆動電圧を低くす
るため電極面積を広くとっているが、同時に電極間距離
も狭くするとミラーの振れ角が大きくとれないという問
題点があった。これに対し、他の光走査装置では、対向
電極をミラーの振れの中心位置から傾斜させて設置する
ことで、駆動電圧を下げながらもミラーの振れ角を変え
ないようにしている。一方、ミラーの振れ角を大きくと
るために、ミラーの振動領域に電極が重ならないように
するため、ミラー基板の端面に対向電極を設ける静電駆
動のねじり振動型光走査装置も提案されている。すなわ
ち可動電極であるミラー基板と、ミラー基板端面に微小
なギャップを隔てて対向する固定電極に段差をもたせて
ねじり回転軸に対してモーメントを与えことも公知であ
る（特許第２９２４２００号、特許第３０１１１４４号
等の公報を参照）。更に、同一出願人の発明者から、小
さなミラー基板の振れ角で大きな光走査角が得られるよ
うにしたものとして、偏向部と対向して反射部を設け、
両者間で２回以上反射させて走査するねじり振動型の光
走査装置も提案されている。２本の梁でミラー基板を両
側から保持し、この梁をねじり回転軸としてミラー基板
を静電引力により往復振動させる光走査装置では、ミラ
ー基板を一方の共通電極として、ねじり回転軸の両側に
ある駆動のための他方の２つの電極を、ミラー基板の平
面側に対向させるものとミラー基板の端面側に対向させ
るものがある。ここで、静電引力Ｗは、εを誘電率、Ｖ
を印加電圧、ｔを電極間距離、Ｓを電極面積とすると、
次式、Ｗ＝１／２＊ε＊（Ｖ／ｔ）2＊Ｓで与えられ
る。これより、印加電圧（Ｖ）を変えずに、大きな静電
引力（Ｗ）を得るためには、電極間距離（ｔ）を短くす
るか、あるいは電極面積（Ｓ）を大きくすればよいこと
がわかる。又、二乗に反比例する電極間距離（ｔ）のほ
うが効果はより大きい。ミラー基板のミラー面と反対側
の平面に対向して電極を設けた場合、電極面積（Ｓ）を
広くとることにより静電引力（Ｗ）を大きくすることが
できる。
【０００３】然し、より大きな静電引力（Ｗ）を得るた
めに電極間距離（ｔ）を短くすると、電極がミラー基板
の振動方向に近接するため変位の妨げになり、ミラー部
の振れ角が電極に接触しない範囲に制限されてしまう。
一方、電極をミラー基板の端面側に設けた場合、電極間
距離（ｔ）を短くすることにより静電引力を大きくする
ことができる。この場合、電極どうしはミラー基板の振
動の大きさにかかわらず接触しない位置にあるため、ミ
ラー基板の変位を妨げることはない。この場合の駆動方
法は、可動電極であるミラー基板と、ミラー基板端面に
微小なギャップを隔てて対向する固定電極に段差をもた
せることによってねじり回転軸に対してモーメントを与
えるというものである。このとき、大きなねじりモーメ
ントを得るために、電極は通常、ねじり回転軸から最も
離れた端面、すなわちに梁で支持されていない側の端面
に設けられる。然し、静電力によってモーメントが与え
られるのは可動電極と固定電極の端面どうしの段差がな
くなって互いに向き合う位置までである。それ以上の角
度への回転はミラー基板の慣性力によるものであり、そ
こでは静電力は逆方向すなわち振れ角を抑えようとする
方向に働くことになる。又、段差位置から向き合う位置
までの移動の過程で、可動電極と固定電極の端面どうし
は次第に距離が離れていくため静電力は振れ角の増大に
ともない小さくなっている。又、梁と平行方向に小さく
つぶれた形状の入射ビームを走査する場合、共振周波数
を上げるためにミラー形状もそれにあわせて梁と平行方
向を短くすることが可能であるが、そうすると電極端面
の面積が小さくなってしまう。このように、ねじり回転
軸から最も離れた側の端面で駆動する静電駆動のねじり
振動ミラーでは、静的な振れ角の最大値が可動電極と固
定電極が重なる位置までに制限され、その位置に近づく
ほど両電極の法線方向の距離は離れ静電引力が小さくな
っていく。従って、従来の静電力でねじり回動軸を回動
して入射光の反射方向を変えて光走査を行なう光走査装
置は、光走査を行なう振れ角が小さく、駆動電圧が高
く、回動が不安定であると言う不具合が生じていた。
めに電極間距離（ｔ）を短くすると、電極がミラー基板
の振動方向に近接するため変位の妨げになり、ミラー部
の振れ角が電極に接触しない範囲に制限されてしまう。
一方、電極をミラー基板の端面側に設けた場合、電極間
距離（ｔ）を短くすることにより静電引力を大きくする
ことができる。この場合、電極どうしはミラー基板の振
動の大きさにかかわらず接触しない位置にあるため、ミ
ラー基板の変位を妨げることはない。この場合の駆動方
法は、可動電極であるミラー基板と、ミラー基板端面に
微小なギャップを隔てて対向する固定電極に段差をもた
せることによってねじり回転軸に対してモーメントを与
えるというものである。このとき、大きなねじりモーメ
ントを得るために、電極は通常、ねじり回転軸から最も
離れた端面、すなわちに梁で支持されていない側の端面
に設けられる。然し、静電力によってモーメントが与え
られるのは可動電極と固定電極の端面どうしの段差がな
くなって互いに向き合う位置までである。それ以上の角
度への回転はミラー基板の慣性力によるものであり、そ
こでは静電力は逆方向すなわち振れ角を抑えようとする
方向に働くことになる。又、段差位置から向き合う位置
までの移動の過程で、可動電極と固定電極の端面どうし
は次第に距離が離れていくため静電力は振れ角の増大に
ともない小さくなっている。又、梁と平行方向に小さく
つぶれた形状の入射ビームを走査する場合、共振周波数
を上げるためにミラー形状もそれにあわせて梁と平行方
向を短くすることが可能であるが、そうすると電極端面
の面積が小さくなってしまう。このように、ねじり回転
軸から最も離れた側の端面で駆動する静電駆動のねじり
振動ミラーでは、静的な振れ角の最大値が可動電極と固
定電極が重なる位置までに制限され、その位置に近づく
ほど両電極の法線方向の距離は離れ静電引力が小さくな
っていく。従って、従来の静電力でねじり回動軸を回動
して入射光の反射方向を変えて光走査を行なう光走査装
置は、光走査を行なう振れ角が小さく、駆動電圧が高
く、回動が不安定であると言う不具合が生じていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の静電力でねじり
回動軸を回動して入射光の反射方向を変えて光走査を行
なう光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにそ
の光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装
置を具備する読取装置は、光走査を行なう振れ角が小さ
く、駆動電圧が高く、回動が不安定であると言う問題が
発生していた。そこで本発明の課題は、このような問題
点を解決するものである。即ち、光走査を行なう振れ角
が大きく、駆動電圧が低く、回動が安定である光走査装
置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置
を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する
読取装置を提供することを目的とする。
回動軸を回動して入射光の反射方向を変えて光走査を行
なう光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにそ
の光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装
置を具備する読取装置は、光走査を行なう振れ角が小さ
く、駆動電圧が高く、回動が不安定であると言う問題が
発生していた。そこで本発明の課題は、このような問題
点を解決するものである。即ち、光走査を行なう振れ角
が大きく、駆動電圧が低く、回動が安定である光走査装
置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置
を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する
読取装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の本発明は、静電力でねじり回動軸を回動
して入射光の反射方向を変えて光走査を行なう光走査装
置において、入射光を正反射する反射手段と、上記反射
手段を保持する反射手段保持基板と、上記反射手段保持
基板を回動可能に支持するねじり回動軸と、上記ねじり
回動軸に支持された上記反射手段保持基板の側面の可動
電極と、上記可動電極の対向面と上記反射手段保持基板
の厚み方向にずれた位置に形成された固定電極とからな
る光走査装置であることを最も主要な特徴とする。請求
項２の本発明は、請求項１に記載の光走査装置におい
て、反射手段保持基板の側面の対称な位置に対向して固
定電極を対で配置した光走査装置であることを主要な特
徴とする。請求項３の本発明は、請求項１又は２に記載
の光走査装置は、反射手段保持基板の側面と固定電極の
対向面は、直線形状で平行に対向するようにした光走査
装置であることを主要な特徴とする。請求項４の本発明
は、請求項１又は２に記載の光走査装置において、反射
手段保持基板の側面と固定電極の対向面は、直線形状で
ねじり回動軸に近づくに従って隙間が狭くなるように対
向するようにした光走査装置であることを主要な特徴と
する。請求項５の本発明は、請求項１、２、３又は４に
記載の光走査装置において、可動電極の対向面と対向す
る固定電極の対向面は、反射手段保持基板の厚み方向で
向かい合わない位置までずらした位置に配置した光走査
装置であることを主要な特徴とする。請求項６の本発明
は、請求項１、２、３、４又は５に記載の光走査装置に
おいて、ねじり回動軸は、反射手段保持基板を同一直線
上の２本の梁部材で回動可能に支持する光走査装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項７の本発明は、請求
項項１、２、３、４、５又は６に記載の光走査装置にお
いて、反射手段保持基板の反射手段側には、第２反射基
板を配置した光走査装置であることを主要な特徴とす
る。
に、請求項１の本発明は、静電力でねじり回動軸を回動
して入射光の反射方向を変えて光走査を行なう光走査装
置において、入射光を正反射する反射手段と、上記反射
手段を保持する反射手段保持基板と、上記反射手段保持
基板を回動可能に支持するねじり回動軸と、上記ねじり
回動軸に支持された上記反射手段保持基板の側面の可動
電極と、上記可動電極の対向面と上記反射手段保持基板
の厚み方向にずれた位置に形成された固定電極とからな
る光走査装置であることを最も主要な特徴とする。請求
項２の本発明は、請求項１に記載の光走査装置におい
て、反射手段保持基板の側面の対称な位置に対向して固
定電極を対で配置した光走査装置であることを主要な特
徴とする。請求項３の本発明は、請求項１又は２に記載
の光走査装置は、反射手段保持基板の側面と固定電極の
対向面は、直線形状で平行に対向するようにした光走査
装置であることを主要な特徴とする。請求項４の本発明
は、請求項１又は２に記載の光走査装置において、反射
手段保持基板の側面と固定電極の対向面は、直線形状で
ねじり回動軸に近づくに従って隙間が狭くなるように対
向するようにした光走査装置であることを主要な特徴と
する。請求項５の本発明は、請求項１、２、３又は４に
記載の光走査装置において、可動電極の対向面と対向す
る固定電極の対向面は、反射手段保持基板の厚み方向で
向かい合わない位置までずらした位置に配置した光走査
装置であることを主要な特徴とする。請求項６の本発明
は、請求項１、２、３、４又は５に記載の光走査装置に
おいて、ねじり回動軸は、反射手段保持基板を同一直線
上の２本の梁部材で回動可能に支持する光走査装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項７の本発明は、請求
項項１、２、３、４、５又は６に記載の光走査装置にお
いて、反射手段保持基板の反射手段側には、第２反射基
板を配置した光走査装置であることを主要な特徴とす
る。
【０００６】請求項８の本発明は、請求項項７に記載の
光走査装置において、第２反射基板は、反射手段に入反
射するビームが通過する開口部からなる光走査装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項９の本発明は、請求
項項７又は８に記載の光走査装置において、第２反射基
板は、第２固定電極からなる光走査装置であることを主
要な特徴とする。請求項１０の本発明は、請求項９に記
載の光走査装置において、第２固定電極は、ねじり回動
軸と平行で、上記ねじり回動軸を挟む対称な位置に配置
された光走査装置であることを主要な特徴とする。請求
項１１の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９又は１０に記載の光走査装置において、可動
電極、固定電極又は第２固定電極の各駆動電圧は、駆動
電圧印加手段により、それぞれがずらしたタイミングで
印加される光走査装置であることを主要な特徴とする。
請求項１２の本発明は、請求項１、２、３、４、５、
６、７、８、９、１０又は１１に記載の光走査装置にお
いて、反射手段保持基板は、減圧密閉手段により少なく
とも回動空間を減圧密閉する光走査装置であることを主
要な特徴とする。請求項１３の本発明は、請求項１２に
記載の光走査装置において、減圧密閉手段は、反射手段
への入反射光が透過する入反射光透過部からなる光走査
装置であることを主要な特徴とする。請求項１４の本発
明は、請求項１２又は１３に記載の光走査装置におい
て、減圧密閉手段は、可動電極、固定電極又は第２固定
電極を取り出す電極取り出し部からなる光走査装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１５の本発明は、静
電力でねじり回動軸を回動して入射光の反射方向を変え
て光走査を行なう請求項１乃至１４の何れか一項に記載
の光走査装置の製造方法において、基板の裏面側に薄膜
で反射手段保持基板を形成した後、上記基板の表面側に
可動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向に
ずれた位置に薄膜で固定電極を形成して上記光走査装置
を製造する光走査装置の製造方法であることを最も主要
な特徴とする。請求項１６の本発明は、請求項１５に記
載の光走査装置の製造方法において、基板を表面にエッ
チング用のマスクを貼りつけて形成する基板形成工程
と、フレームの形状にパターニングするフレームパター
ニング工程と、上記フレームの形状にエッチングするフ
レーム形成工程と、裏面を反射手段保持基板とねじり回
動軸の形状にパターニングする反射手段保持基板パター
ニング工程と、上記反射手段保持基板と上記ねじり回動
軸を薄膜で形成する反射手段保持基板形成工程と、上記
基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、可動電極の
対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向にずれた位置
に薄膜で固定電極を形成する固定電極形成工程と、コン
タクトホールとミラー成膜面を形成するコンタクトホー
ルとミラー成膜面形成工程と、上記反射手段を形成する
反射手段形成工程とからなる光走査装置の製造方法であ
ることを主要な特徴とする。
光走査装置において、第２反射基板は、反射手段に入反
射するビームが通過する開口部からなる光走査装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項９の本発明は、請求
項項７又は８に記載の光走査装置において、第２反射基
板は、第２固定電極からなる光走査装置であることを主
要な特徴とする。請求項１０の本発明は、請求項９に記
載の光走査装置において、第２固定電極は、ねじり回動
軸と平行で、上記ねじり回動軸を挟む対称な位置に配置
された光走査装置であることを主要な特徴とする。請求
項１１の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９又は１０に記載の光走査装置において、可動
電極、固定電極又は第２固定電極の各駆動電圧は、駆動
電圧印加手段により、それぞれがずらしたタイミングで
印加される光走査装置であることを主要な特徴とする。
請求項１２の本発明は、請求項１、２、３、４、５、
６、７、８、９、１０又は１１に記載の光走査装置にお
いて、反射手段保持基板は、減圧密閉手段により少なく
とも回動空間を減圧密閉する光走査装置であることを主
要な特徴とする。請求項１３の本発明は、請求項１２に
記載の光走査装置において、減圧密閉手段は、反射手段
への入反射光が透過する入反射光透過部からなる光走査
装置であることを主要な特徴とする。請求項１４の本発
明は、請求項１２又は１３に記載の光走査装置におい
て、減圧密閉手段は、可動電極、固定電極又は第２固定
電極を取り出す電極取り出し部からなる光走査装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１５の本発明は、静
電力でねじり回動軸を回動して入射光の反射方向を変え
て光走査を行なう請求項１乃至１４の何れか一項に記載
の光走査装置の製造方法において、基板の裏面側に薄膜
で反射手段保持基板を形成した後、上記基板の表面側に
可動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向に
ずれた位置に薄膜で固定電極を形成して上記光走査装置
を製造する光走査装置の製造方法であることを最も主要
な特徴とする。請求項１６の本発明は、請求項１５に記
載の光走査装置の製造方法において、基板を表面にエッ
チング用のマスクを貼りつけて形成する基板形成工程
と、フレームの形状にパターニングするフレームパター
ニング工程と、上記フレームの形状にエッチングするフ
レーム形成工程と、裏面を反射手段保持基板とねじり回
動軸の形状にパターニングする反射手段保持基板パター
ニング工程と、上記反射手段保持基板と上記ねじり回動
軸を薄膜で形成する反射手段保持基板形成工程と、上記
基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、可動電極の
対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向にずれた位置
に薄膜で固定電極を形成する固定電極形成工程と、コン
タクトホールとミラー成膜面を形成するコンタクトホー
ルとミラー成膜面形成工程と、上記反射手段を形成する
反射手段形成工程とからなる光走査装置の製造方法であ
ることを主要な特徴とする。
【０００７】請求項１７の本発明は、請求項１５又は１
６に記載の光走査装置の製造方法において、反射手段保
持基板を形成したフレームに第２反射基板を形成して上
記光走査装置を製造する光走査装置の製造方法であるこ
とを主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請求項
１７に記載の光走査装置の製造方法において、第２反射
基板は、基板に絶縁膜を形成する基板形成工程と、開口
部を形成するパターニングをする開口部パターニング工
程と、上記開口部を異方性エッチングで形成する開口部
形成工程と、上記開口部に残る上記絶縁膜を除去する絶
縁膜除去工程と、第２固定電極をスパッタ法で形成する
第２固定電極形成工程、基板にスペーサを形成するスペ
ーサ形成工程と、上記スペーサを介して上記基板をフレ
ームに接着する接着工程とからなる光走査装置の製造方
法であることを主要な特徴とする。請求項１９の本発明
は、電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形
成する画像形成装置において、回動可能に保持されて形
成画像を担持する画像担持体と、上記画像担持体上を光
書き込みを行なって潜像を形成する請求項１乃至１４の
何れか一項に記載の光走査装置からなる潜像形成手段
と、上記潜像形成手段の上記光走査装置によって形成さ
れた潜像を顕像化してトナー画像を形成する現像手段
と、上記現像手段で形成されたトナー画像を被転写体に
転写する転写手段とからなる画像形成装置であることを
最も主要な特徴とする。請求項２０の本発明は、光走査
を行なって読み取りを行なう読取装置において、被読み
取り面を光走査する請求項項１乃至１４の何れか一項に
記載の光走査装置と、上記光走査装置が被読み取り面を
光走査した反射光を受光する受光素子とからなる読取装
置であることを最も主要な特徴とする。
６に記載の光走査装置の製造方法において、反射手段保
持基板を形成したフレームに第２反射基板を形成して上
記光走査装置を製造する光走査装置の製造方法であるこ
とを主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請求項
１７に記載の光走査装置の製造方法において、第２反射
基板は、基板に絶縁膜を形成する基板形成工程と、開口
部を形成するパターニングをする開口部パターニング工
程と、上記開口部を異方性エッチングで形成する開口部
形成工程と、上記開口部に残る上記絶縁膜を除去する絶
縁膜除去工程と、第２固定電極をスパッタ法で形成する
第２固定電極形成工程、基板にスペーサを形成するスペ
ーサ形成工程と、上記スペーサを介して上記基板をフレ
ームに接着する接着工程とからなる光走査装置の製造方
法であることを主要な特徴とする。請求項１９の本発明
は、電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形
成する画像形成装置において、回動可能に保持されて形
成画像を担持する画像担持体と、上記画像担持体上を光
書き込みを行なって潜像を形成する請求項１乃至１４の
何れか一項に記載の光走査装置からなる潜像形成手段
と、上記潜像形成手段の上記光走査装置によって形成さ
れた潜像を顕像化してトナー画像を形成する現像手段
と、上記現像手段で形成されたトナー画像を被転写体に
転写する転写手段とからなる画像形成装置であることを
最も主要な特徴とする。請求項２０の本発明は、光走査
を行なって読み取りを行なう読取装置において、被読み
取り面を光走査する請求項項１乃至１４の何れか一項に
記載の光走査装置と、上記光走査装置が被読み取り面を
光走査した反射光を受光する受光素子とからなる読取装
置であることを最も主要な特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態
に係る光走査装置の一例のＸ−Ｘ断面図、図２は図１の
下側正面図（底面図）、図３は図１の変形例の下側正面
図である。静電力でねじり回動軸を回動して入射光の反
射方向を変えて光走査を行なう光走査装置０は、入射光
を正反射するミラーの反射手段１と、上記反射手段１を
保持する薄膜で形成されたミラー基板の反射手段保持基
板２と、上記反射手段保持基板２を回動可能に支持する
ねじり回動軸３と、上記ねじり回動軸３に支持された上
記反射手段保持基板２の側面に薄膜で形成された可動電
極４と、上記可動電極４の対向面４ａと上記反射手段保
持基板２の厚み方向にずれた位置に形成された固定電極
５とからなり、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧
が低く回動も安定である。ミラー基板の上記反射手段保
持基板２は、上記ねじり回動軸３の同一直線上に設けら
れた２本の梁部材３ａと、梁部材３ｂによって、その中
央部分を支持されている。上記ねじり回動軸３は、簡単
な構造の同一直線上に設けられた２本の上記梁部材３ａ
と、上記梁部材３ｂは、ミラー基板の上記反射手段保持
基板２が光走査に必要とする振れ角が安定して確実に得
られるような剛性となるように、断面が１００μｍ×８
０μｍの長方形、長さが１ｍｍに設定され、上記反射手
段１のミラー部の外側に設けられた厚さ２００μｍの共
通のフレーム０ｃに固定されている。ミラー基板の上記
反射手段保持基板２は、上記ねじり回動軸３の同一直線
上に設けられた２本の上記梁部材３ａと上記梁部材３ｂ
方向に偏平な入射光のビーム形状にあわせて５ｍｍ＊１
ｍｍ＊０．１ｍｍ（厚さ）の長方形としており、上記ね
じり回動軸３の同一直線上に設けられた２本の上記梁部
材３ａと上記梁部材３ｂに支持されているミラー基板の
上記反射手段保持基板２の直線形状の両側面の上記可動
電極４の対抗面４ａは、２本の上記梁部材３ａと上記梁
部材３ｂに対して対称に配置され、それぞれミラー部の
上記反射手段１の外側に設けられた上記フレーム０ｃの
内側に平行に１０ｍｍの間隔で近接対向して形成されて
いる。上記フレーム０ｃは、ミラー基板の上記反射手段
保持基板２と一体構造の導電性材料からなり、その表面
は絶縁材料の絶縁膜９で構成されている。ミラー基板の
上記反射手段保持基板２の直線形状の両側面の上記可動
電極４の上記対抗面４ａに近接対向した対称の位置にあ
る上記フレーム０ｃ内側の端面の上記絶縁材料絶縁膜９
上には、上記固定電極５の対向面５ａのそれぞれ対向面
５ａ1、対向面５ａ2が薄膜で対で形成されている。従っ
て、片側面にしか上記固定電極５がないものに比較して
低電圧で安定した駆動が行なわれる。
を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態
に係る光走査装置の一例のＸ−Ｘ断面図、図２は図１の
下側正面図（底面図）、図３は図１の変形例の下側正面
図である。静電力でねじり回動軸を回動して入射光の反
射方向を変えて光走査を行なう光走査装置０は、入射光
を正反射するミラーの反射手段１と、上記反射手段１を
保持する薄膜で形成されたミラー基板の反射手段保持基
板２と、上記反射手段保持基板２を回動可能に支持する
ねじり回動軸３と、上記ねじり回動軸３に支持された上
記反射手段保持基板２の側面に薄膜で形成された可動電
極４と、上記可動電極４の対向面４ａと上記反射手段保
持基板２の厚み方向にずれた位置に形成された固定電極
５とからなり、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧
が低く回動も安定である。ミラー基板の上記反射手段保
持基板２は、上記ねじり回動軸３の同一直線上に設けら
れた２本の梁部材３ａと、梁部材３ｂによって、その中
央部分を支持されている。上記ねじり回動軸３は、簡単
な構造の同一直線上に設けられた２本の上記梁部材３ａ
と、上記梁部材３ｂは、ミラー基板の上記反射手段保持
基板２が光走査に必要とする振れ角が安定して確実に得
られるような剛性となるように、断面が１００μｍ×８
０μｍの長方形、長さが１ｍｍに設定され、上記反射手
段１のミラー部の外側に設けられた厚さ２００μｍの共
通のフレーム０ｃに固定されている。ミラー基板の上記
反射手段保持基板２は、上記ねじり回動軸３の同一直線
上に設けられた２本の上記梁部材３ａと上記梁部材３ｂ
方向に偏平な入射光のビーム形状にあわせて５ｍｍ＊１
ｍｍ＊０．１ｍｍ（厚さ）の長方形としており、上記ね
じり回動軸３の同一直線上に設けられた２本の上記梁部
材３ａと上記梁部材３ｂに支持されているミラー基板の
上記反射手段保持基板２の直線形状の両側面の上記可動
電極４の対抗面４ａは、２本の上記梁部材３ａと上記梁
部材３ｂに対して対称に配置され、それぞれミラー部の
上記反射手段１の外側に設けられた上記フレーム０ｃの
内側に平行に１０ｍｍの間隔で近接対向して形成されて
いる。上記フレーム０ｃは、ミラー基板の上記反射手段
保持基板２と一体構造の導電性材料からなり、その表面
は絶縁材料の絶縁膜９で構成されている。ミラー基板の
上記反射手段保持基板２の直線形状の両側面の上記可動
電極４の上記対抗面４ａに近接対向した対称の位置にあ
る上記フレーム０ｃ内側の端面の上記絶縁材料絶縁膜９
上には、上記固定電極５の対向面５ａのそれぞれ対向面
５ａ1、対向面５ａ2が薄膜で対で形成されている。従っ
て、片側面にしか上記固定電極５がないものに比較して
低電圧で安定した駆動が行なわれる。
【０００９】上記フレーム０ｃは、ミラー基板の上記反
射手段保持基板２よりも厚くなっており、端面の厚さ方
向に可動電極４の対抗面４ａとは向かい合わないずれた
位置に、可動電極４の対抗面４ａに直線形状で平行に近
接対向してそれぞれの対向面５ａ1、上記対向面５ａ2が
設けられている（図２を参照）。従って、上記反射手段
保持基板２と上記可動電極４の変位時に、静止状態から
駆動開始時に両電極の法線方向の静電引力が無いのでよ
り低電圧で駆動を開始して、上記固定電極５と接触する
ことなく電極間隔を微小にすることにより駆動電圧が低
下し、形状が簡単で破損も無く歩留まりも高く信頼性も
たかくなり、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧が
更に低く回動も更に安定で低コストの上記光走査装置０
を提供することが出来るようになった。又は、端面の厚
さ方向に対抗面４ａとは向かい合わないずれた位置に、
対抗面４ａに、直線形状で上記ねじり回動軸３に近づく
に従って隙間が狭くなるように、近接対向して対向面５
ａ1、対向面５ａ2が設けられることによる駆動電圧の更
に低い上記光走査装置を提供することが出来る（図３を
参照）。又、上記フレーム０ｃの一部は、上記絶縁膜９
で被覆されておらず上記フレーム０ｃが露出した部分が
設けられ、その部分には上記可動電極４の引き出し用の
パット４ｂが形成されている。ミラー基板の上記反射手
段保持基板２上には使用する光に対して十分な反射率を
もつ上記反射手段１のミラーが形成されている。上記フ
レーム０ｃ端面の対向面５ａ１、５ａ２はそれぞれ、上
記フレーム０ｃ裏面に形成された電極引き出しパット５
ｂのパット５ｂ1、パット５ｂ2と導通している。
射手段保持基板２よりも厚くなっており、端面の厚さ方
向に可動電極４の対抗面４ａとは向かい合わないずれた
位置に、可動電極４の対抗面４ａに直線形状で平行に近
接対向してそれぞれの対向面５ａ1、上記対向面５ａ2が
設けられている（図２を参照）。従って、上記反射手段
保持基板２と上記可動電極４の変位時に、静止状態から
駆動開始時に両電極の法線方向の静電引力が無いのでよ
り低電圧で駆動を開始して、上記固定電極５と接触する
ことなく電極間隔を微小にすることにより駆動電圧が低
下し、形状が簡単で破損も無く歩留まりも高く信頼性も
たかくなり、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧が
更に低く回動も更に安定で低コストの上記光走査装置０
を提供することが出来るようになった。又は、端面の厚
さ方向に対抗面４ａとは向かい合わないずれた位置に、
対抗面４ａに、直線形状で上記ねじり回動軸３に近づく
に従って隙間が狭くなるように、近接対向して対向面５
ａ1、対向面５ａ2が設けられることによる駆動電圧の更
に低い上記光走査装置を提供することが出来る（図３を
参照）。又、上記フレーム０ｃの一部は、上記絶縁膜９
で被覆されておらず上記フレーム０ｃが露出した部分が
設けられ、その部分には上記可動電極４の引き出し用の
パット４ｂが形成されている。ミラー基板の上記反射手
段保持基板２上には使用する光に対して十分な反射率を
もつ上記反射手段１のミラーが形成されている。上記フ
レーム０ｃ端面の対向面５ａ１、５ａ２はそれぞれ、上
記フレーム０ｃ裏面に形成された電極引き出しパット５
ｂのパット５ｂ1、パット５ｂ2と導通している。
【００１０】図４乃至図７は光走査装置の動作を説明す
る断面図であり、同図により光走査装置０の動作を説明
する、上記ねじり回動軸３の同一直線上に設けられた２
本の梁部材３ａ、３ｂで支持されたミラー基板の上記反
射手段保持基板２の両側面を共通の上記可動電極４の上
記対抗面４ａとして、上記フレーム０ｃ上に形成された
電極引き出しの上記パット４ｂから駆動電圧印加手段１
０を介して接地した（図４を参照）。上記フレーム０ｃ
内側端面に形成された駆動用の対向面５ａ１、５ａ２か
ら引き出された電極引き出しの上記パット５ｂの上記パ
ット５ｂ1、上記パット５ｂ2に上記駆動電圧印加手段１
０を介して駆動電圧が印加できるようになっている。上
記固定電極５の上記対向面５ａのそれぞれの上記対向面
５ａ1に接続された上記パット５ｂ1に正電圧５０（Ｖ）
を印加すると、法線方向に１０μｍのギャップを隔てて
互いに向き合わないように、ミラー基板の上記反射手段
保持基板２の厚さ方向にずらして設けられている対向面
５ａ1と対向面５ａ2と、可動電極４の対抗面４ａとの間
には、反射手段保持基板２が対向面５ａ1方向に、上記
ねじり回動軸３の同一直線上に設けられた２本の梁部材
３ａ、３ｂを軸として、図示の矢印Ａ方向に回動する静
電引力が働き、ミラー基板の上記反射手段保持基板２の
両側面の上記可動電極４の上記対抗面４ａは、図示の端
部側の図示Ｂ部分が上記固定電極５の上記対向面５ａの
上記対向面５ａ1と向き合う位置に達する（図５を参
照）。
る断面図であり、同図により光走査装置０の動作を説明
する、上記ねじり回動軸３の同一直線上に設けられた２
本の梁部材３ａ、３ｂで支持されたミラー基板の上記反
射手段保持基板２の両側面を共通の上記可動電極４の上
記対抗面４ａとして、上記フレーム０ｃ上に形成された
電極引き出しの上記パット４ｂから駆動電圧印加手段１
０を介して接地した（図４を参照）。上記フレーム０ｃ
内側端面に形成された駆動用の対向面５ａ１、５ａ２か
ら引き出された電極引き出しの上記パット５ｂの上記パ
ット５ｂ1、上記パット５ｂ2に上記駆動電圧印加手段１
０を介して駆動電圧が印加できるようになっている。上
記固定電極５の上記対向面５ａのそれぞれの上記対向面
５ａ1に接続された上記パット５ｂ1に正電圧５０（Ｖ）
を印加すると、法線方向に１０μｍのギャップを隔てて
互いに向き合わないように、ミラー基板の上記反射手段
保持基板２の厚さ方向にずらして設けられている対向面
５ａ1と対向面５ａ2と、可動電極４の対抗面４ａとの間
には、反射手段保持基板２が対向面５ａ1方向に、上記
ねじり回動軸３の同一直線上に設けられた２本の梁部材
３ａ、３ｂを軸として、図示の矢印Ａ方向に回動する静
電引力が働き、ミラー基板の上記反射手段保持基板２の
両側面の上記可動電極４の上記対抗面４ａは、図示の端
部側の図示Ｂ部分が上記固定電極５の上記対向面５ａの
上記対向面５ａ1と向き合う位置に達する（図５を参
照）。
【００１１】このとき、ミラー基板の上記反射手段保持
基板２の両側面の上記可動電極４の上記対抗面４ａは、
２本の梁部材３ａ、３ｂ側の図示Ｃ部分の上方の一部が
対向面５ａ1とは向き合っていないため、いぜんとして
ミラー基板の上記反射手段保持基板２には対向面５ａ1
方向に回転させるような静電引力が作用している。従っ
て、ミラー基板の上記反射手段保持基板２は、更に振れ
角が大きくなり、２本の梁部材３ａ、３ｂ側の図示Ｃ部
分が更に振れ角を大きくしようとする静電引力と、図示
の端部側の図示Ｂ部分が振れ角を戻そうとする静電引力
と、梁部材３ａ、３ｂのねじり剛性がつりあった位置に
達した（図６を参照）。尚、図３で図示したように、可
動電極４の上記対抗面４ａに、直線形状で上記ねじり回
動軸３に近づくに従って隙間が狭くなるように、近接対
向して対向面５ａ1 、５ａ2が設けられることにより、つ
りあい位置における振れ角をより大きくすることができ
る。この位置で、上記パット５ｂの上記パット５ｂ1と
接続された上記固定電極５の上記対向面５ａ上記対向面
５ａ1への駆動電圧の印加を停止すると、ミラー基板の
上記反射手段保持基板２は慣性モーメントに応じて、更
に振れ角が大きくなり、慣性モーメントと上記ねじり回
動軸３の梁部材３ａ、３ｂのねじり剛性がつりあった位
置に達したところで回転は停止した（図７を参照）。そ
の後は、上記ねじり回動軸３の梁部材３ａ、３ｂのねじ
り剛性により逆回転して振れ角は小さくなり、ミラー基
板の上記反射手段保持基板２は水平位置にもどり、この
ときの慣性モーメントと他方の上記固定電極５の上記対
向面５ａの上記対向面５ａ2への電圧印加により逆方向
への回動を開始するようになっている。
基板２の両側面の上記可動電極４の上記対抗面４ａは、
２本の梁部材３ａ、３ｂ側の図示Ｃ部分の上方の一部が
対向面５ａ1とは向き合っていないため、いぜんとして
ミラー基板の上記反射手段保持基板２には対向面５ａ1
方向に回転させるような静電引力が作用している。従っ
て、ミラー基板の上記反射手段保持基板２は、更に振れ
角が大きくなり、２本の梁部材３ａ、３ｂ側の図示Ｃ部
分が更に振れ角を大きくしようとする静電引力と、図示
の端部側の図示Ｂ部分が振れ角を戻そうとする静電引力
と、梁部材３ａ、３ｂのねじり剛性がつりあった位置に
達した（図６を参照）。尚、図３で図示したように、可
動電極４の上記対抗面４ａに、直線形状で上記ねじり回
動軸３に近づくに従って隙間が狭くなるように、近接対
向して対向面５ａ1 、５ａ2が設けられることにより、つ
りあい位置における振れ角をより大きくすることができ
る。この位置で、上記パット５ｂの上記パット５ｂ1と
接続された上記固定電極５の上記対向面５ａ上記対向面
５ａ1への駆動電圧の印加を停止すると、ミラー基板の
上記反射手段保持基板２は慣性モーメントに応じて、更
に振れ角が大きくなり、慣性モーメントと上記ねじり回
動軸３の梁部材３ａ、３ｂのねじり剛性がつりあった位
置に達したところで回転は停止した（図７を参照）。そ
の後は、上記ねじり回動軸３の梁部材３ａ、３ｂのねじ
り剛性により逆回転して振れ角は小さくなり、ミラー基
板の上記反射手段保持基板２は水平位置にもどり、この
ときの慣性モーメントと他方の上記固定電極５の上記対
向面５ａの上記対向面５ａ2への電圧印加により逆方向
への回動を開始するようになっている。
【００１２】図８は他の実施形態に係る光走査装置の縦
断面図、図９は一部を省略した平面図であり、光走査装
置０は、ミラー基板の上記反射手段保持基板２のミラー
の上記反射手段１側に、更に、第２ミラーの第２反射基
板６が一体となって配置されている。ミラー基板の上記
反射手段保持基板２が形成された上記フレーム０ｃの上
には、厚さ２００μｍのシリコン基板からなるスペーサ
６ｄが接合されている。上記スペーサ６ｄの上には厚さ
２００μｍのシリコン基板からなる基板６ｂが接合され
ている。上記基板６ｂには、異方性エッチングによって
形成したミラー基板の上記反射手段保持基板２上のミラ
ーの上記反射手段１に入射する入射光のビームが通過す
る開口部６ａの入射ビーム開口部６ａ1と、ミラー基板
の上記反射手段保持基板２上のミラーの上記反射手段１
に対向した側の面に配置された反射手段６ｅの多重反射
ミラー面と、ミラーの上記反射手段１で偏向、更にミラ
ーの上記反射手段１と上記反射手段６ｅの多重反射ミラ
ー面間で折り返し複数回反射されたビームが通過する上
記開口部６ａの反射ビーム開口部６ａ2が設けられてい
る。上記基板６ｂ上には絶縁材料の絶縁膜６ｃが形成さ
れており、上記ねじり回動軸３と平行で、上記ねじり回
動軸の梁部材３ａ、３ｂを挟む対称な位置のミラー基板
の上記反射手段保持基板２上のミラーの上記反射手段１
に対向する面には、第２の固定電極７の２つの第２固定
電極７ａと第２固定電極７ｂが形成されており、２つの
上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂが、それ
ぞれ電極取り出しのパド７ｃのパッド７ｃ1とパッド７
ｃ2端によって、上記第２反射基板６の外側まで引き出
されようになっている。
断面図、図９は一部を省略した平面図であり、光走査装
置０は、ミラー基板の上記反射手段保持基板２のミラー
の上記反射手段１側に、更に、第２ミラーの第２反射基
板６が一体となって配置されている。ミラー基板の上記
反射手段保持基板２が形成された上記フレーム０ｃの上
には、厚さ２００μｍのシリコン基板からなるスペーサ
６ｄが接合されている。上記スペーサ６ｄの上には厚さ
２００μｍのシリコン基板からなる基板６ｂが接合され
ている。上記基板６ｂには、異方性エッチングによって
形成したミラー基板の上記反射手段保持基板２上のミラ
ーの上記反射手段１に入射する入射光のビームが通過す
る開口部６ａの入射ビーム開口部６ａ1と、ミラー基板
の上記反射手段保持基板２上のミラーの上記反射手段１
に対向した側の面に配置された反射手段６ｅの多重反射
ミラー面と、ミラーの上記反射手段１で偏向、更にミラ
ーの上記反射手段１と上記反射手段６ｅの多重反射ミラ
ー面間で折り返し複数回反射されたビームが通過する上
記開口部６ａの反射ビーム開口部６ａ2が設けられてい
る。上記基板６ｂ上には絶縁材料の絶縁膜６ｃが形成さ
れており、上記ねじり回動軸３と平行で、上記ねじり回
動軸の梁部材３ａ、３ｂを挟む対称な位置のミラー基板
の上記反射手段保持基板２上のミラーの上記反射手段１
に対向する面には、第２の固定電極７の２つの第２固定
電極７ａと第２固定電極７ｂが形成されており、２つの
上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂが、それ
ぞれ電極取り出しのパド７ｃのパッド７ｃ1とパッド７
ｃ2端によって、上記第２反射基板６の外側まで引き出
されようになっている。
【００１３】ミラー基板の上記反射手段保持基板２の両
側面の上記可動電極４の上記対抗面４ａを共通の可動電
極として、上記フレーム０ｃ側面に設けられた駆動用の
上記固定電極５の上記対向面５ａのそれぞれの上記対向
面５ａ1と上記対向面５ａ2と上記第２の固定電極７の上
記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂが、上記駆
動電圧印加手段１０を介して駆動電圧が、それぞれずら
したタイミングで交互に印加を行うことで、ミラー基板
の上記反射手段保持基板２の両側面の上記可動電極４と
駆動用の上記固定電極５間に静電引力が発生し、上記ね
じり回動軸３の梁部材３ａ、３ｂを回動軸としてミラー
基板の上記反射手段保持基板２を回動させて往復振動を
させることが出来た。この往復振動の駆動周波数を上記
反射手段保持基板２の共振周波数に設定することで、上
記反射手段保持基板２の振れ幅は急激に大きくなり、上
記第２反射基板６の上記基板６ｂ上の上記第２の固定電
極７の上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂに
近接する位置まで、上記反射手段保持基板２端部を変位
させることができた。
側面の上記可動電極４の上記対抗面４ａを共通の可動電
極として、上記フレーム０ｃ側面に設けられた駆動用の
上記固定電極５の上記対向面５ａのそれぞれの上記対向
面５ａ1と上記対向面５ａ2と上記第２の固定電極７の上
記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂが、上記駆
動電圧印加手段１０を介して駆動電圧が、それぞれずら
したタイミングで交互に印加を行うことで、ミラー基板
の上記反射手段保持基板２の両側面の上記可動電極４と
駆動用の上記固定電極５間に静電引力が発生し、上記ね
じり回動軸３の梁部材３ａ、３ｂを回動軸としてミラー
基板の上記反射手段保持基板２を回動させて往復振動を
させることが出来た。この往復振動の駆動周波数を上記
反射手段保持基板２の共振周波数に設定することで、上
記反射手段保持基板２の振れ幅は急激に大きくなり、上
記第２反射基板６の上記基板６ｂ上の上記第２の固定電
極７の上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂに
近接する位置まで、上記反射手段保持基板２端部を変位
させることができた。
【００１４】上記第２の固定電極７の上記第２固定電極
７ａと上記第２固定電極７ｂは、上記フレーム０ｃ側面
の対向面５ａ１、５ａ２と比較して面積が大きいため、
同じ距離まで近接させることができれば静電引力はより
大きく作用する。上記反射手段保持基板２端部が共振で
上記第２の固定電極７の上記第２固定電極７ａと上記第
２固定電極７ｂと近接位置に達することで、記第２固定
電極７ａ、７ｂも、上記反射手段保持基板２の駆動に寄
与する。このとき各々の電極の電圧印加タイミングは、
上記駆動電圧印加手段１０により、上記反射手段保持基
板２の回動による変位と合わせることができ、又、上記
反射手段保持基板２端部の上記固定電極５と平面部の上
記第２の固定電極７の両電極により振動をより安定に維
持させることができた。上記第２反射基板６の上記開口
部６ａの上記入射ビーム開口部６ａ1を通って１５°斜
め方向から入射し、往復振動する上記反射手段１のミラ
ー面で偏向走査された光は、２００μｍ厚の上記スペー
サ６ｄを介して対向して設けられた上記基板６ｂの上記
反射手段６ｅのミラー面との間で４回往復した後、上記
第２反射基板６の上記開口部６ａの上記反射ビーム開口
部６ａ2を通って出射された。その際、非平行な上記反
射手段１と上記反射手段６ｅのミラー間の４回の多重反
射により反射ごとに光の反射角度が広がり、上記反射手
段保持基板２の駆動周波数を５ｋＨｚ、振れ角を３°と
したとき、ビームの走査角２４°を得ることができた。
７ａと上記第２固定電極７ｂは、上記フレーム０ｃ側面
の対向面５ａ１、５ａ２と比較して面積が大きいため、
同じ距離まで近接させることができれば静電引力はより
大きく作用する。上記反射手段保持基板２端部が共振で
上記第２の固定電極７の上記第２固定電極７ａと上記第
２固定電極７ｂと近接位置に達することで、記第２固定
電極７ａ、７ｂも、上記反射手段保持基板２の駆動に寄
与する。このとき各々の電極の電圧印加タイミングは、
上記駆動電圧印加手段１０により、上記反射手段保持基
板２の回動による変位と合わせることができ、又、上記
反射手段保持基板２端部の上記固定電極５と平面部の上
記第２の固定電極７の両電極により振動をより安定に維
持させることができた。上記第２反射基板６の上記開口
部６ａの上記入射ビーム開口部６ａ1を通って１５°斜
め方向から入射し、往復振動する上記反射手段１のミラ
ー面で偏向走査された光は、２００μｍ厚の上記スペー
サ６ｄを介して対向して設けられた上記基板６ｂの上記
反射手段６ｅのミラー面との間で４回往復した後、上記
第２反射基板６の上記開口部６ａの上記反射ビーム開口
部６ａ2を通って出射された。その際、非平行な上記反
射手段１と上記反射手段６ｅのミラー間の４回の多重反
射により反射ごとに光の反射角度が広がり、上記反射手
段保持基板２の駆動周波数を５ｋＨｚ、振れ角を３°と
したとき、ビームの走査角２４°を得ることができた。
【００１５】図１０は本発明の他の実施形態に係る光走
査装置の構成を示す断面図であり、同図において、ミラ
ー基板の上記反射手段保持基板２は、減圧密閉手段８の
シール部材で覆われて、少なくとも回動空間を減圧密閉
して、上記反射手段保持基板２の回動して振動の際の空
気抵抗が減少して、より高周波数で減圧密閉手段８のシ
ール部材内で光走査が低駆動電圧で安定した回動が行な
われるようになっている。尚、減圧密閉手段８のシール
部材には、減圧密閉状態を維持するために、上記反射手
段１のミラーへの入反射光が透過する部材からなる入反
射光透過部８ａ、上記可動電極４、上記固定電極５、又
は、上記第２固定電極７の密閉を維持して取り出す電極
取り出し部８ｂが配置されている。
査装置の構成を示す断面図であり、同図において、ミラ
ー基板の上記反射手段保持基板２は、減圧密閉手段８の
シール部材で覆われて、少なくとも回動空間を減圧密閉
して、上記反射手段保持基板２の回動して振動の際の空
気抵抗が減少して、より高周波数で減圧密閉手段８のシ
ール部材内で光走査が低駆動電圧で安定した回動が行な
われるようになっている。尚、減圧密閉手段８のシール
部材には、減圧密閉状態を維持するために、上記反射手
段１のミラーへの入反射光が透過する部材からなる入反
射光透過部８ａ、上記可動電極４、上記固定電極５、又
は、上記第２固定電極７の密閉を維持して取り出す電極
取り出し部８ｂが配置されている。
【００１６】図１１乃至図１４において、上記光走査装
置０は、上記基板０ａの裏面側に薄膜で上記反射手段保
持基板２を形成して、上記基板０ａの表面側に上記可動
電極４の上記対向面４ａと上記反射手段保持基板２の厚
み方向にずれた位置に薄膜で上記固定電極５を形成した
後に、上記反射手段保持基板２を形成した上記フレーム
０ｃに上記第２反射基板６を形成してを取り付けるよう
に、上記基板０ａを表面にエッチング用のマスク０ｂを
貼りつけて形成する基板形成工程（ａ）と、上記フレー
ム０ｃの形状にパターニングするフレームパターニング
工程（ｂ）と、上記フレーム０ｃの形状にエッチングす
るフレーム形成工程（ｃ）と、裏面を上記反射手段保持
基板２と上記ねじり回動軸３の形状にパターニングする
反射手段保持基板パターニング工程（ｄ）と、上記反射
手段保持基板２と上記ねじり回動軸３を薄膜で形成する
反射手段保持基板形成工程（ｅ）と、上記基板０ａに上
記絶縁膜９を形成する絶縁膜形成工程（ｆ）と、上記可
動電極４の上記対向面４ａと上記反射手段保持基板２の
厚み方向にずれた位置に薄膜で上記固定電極５を形成す
る固定電極形成工程（ｇ）と、コンタクトホール（０
ｄ）とミラー成膜面（０ｅ）を形成するコンタクトホー
ルとミラー成膜面形成工程（ｈ）と、上記反射手段
（１）を形成する反射手段形成工程（ｉ）と、上記基板
６ｂに上記絶縁膜６ｃを形成する基板形成工程（ｊ）
と、上記開口部６ａを形成するパターニングをする開口
部パターニング工程（ｋ）と、上記開口部６ａを異方性
エッチングで形成する開口部形成工程（ｌ）と、上記開
口部６ａに残る上記絶縁膜６ｃを除去する絶縁膜除去工
程（ｍ）と、上記第２固定電極をスパッタ法で形成する
第２固定電極形成工程（ｎ）、上記基板６ｂに上記スペ
ーサ６ｄを形成するスペーサ形成工程（ｏ）と、上記ス
ペーサ６ｄを介して上記基板６ｂを上記フレーム０ｃに
接着する接着工程（ｐ）とからで製造される。
置０は、上記基板０ａの裏面側に薄膜で上記反射手段保
持基板２を形成して、上記基板０ａの表面側に上記可動
電極４の上記対向面４ａと上記反射手段保持基板２の厚
み方向にずれた位置に薄膜で上記固定電極５を形成した
後に、上記反射手段保持基板２を形成した上記フレーム
０ｃに上記第２反射基板６を形成してを取り付けるよう
に、上記基板０ａを表面にエッチング用のマスク０ｂを
貼りつけて形成する基板形成工程（ａ）と、上記フレー
ム０ｃの形状にパターニングするフレームパターニング
工程（ｂ）と、上記フレーム０ｃの形状にエッチングす
るフレーム形成工程（ｃ）と、裏面を上記反射手段保持
基板２と上記ねじり回動軸３の形状にパターニングする
反射手段保持基板パターニング工程（ｄ）と、上記反射
手段保持基板２と上記ねじり回動軸３を薄膜で形成する
反射手段保持基板形成工程（ｅ）と、上記基板０ａに上
記絶縁膜９を形成する絶縁膜形成工程（ｆ）と、上記可
動電極４の上記対向面４ａと上記反射手段保持基板２の
厚み方向にずれた位置に薄膜で上記固定電極５を形成す
る固定電極形成工程（ｇ）と、コンタクトホール（０
ｄ）とミラー成膜面（０ｅ）を形成するコンタクトホー
ルとミラー成膜面形成工程（ｈ）と、上記反射手段
（１）を形成する反射手段形成工程（ｉ）と、上記基板
６ｂに上記絶縁膜６ｃを形成する基板形成工程（ｊ）
と、上記開口部６ａを形成するパターニングをする開口
部パターニング工程（ｋ）と、上記開口部６ａを異方性
エッチングで形成する開口部形成工程（ｌ）と、上記開
口部６ａに残る上記絶縁膜６ｃを除去する絶縁膜除去工
程（ｍ）と、上記第２固定電極をスパッタ法で形成する
第２固定電極形成工程（ｎ）、上記基板６ｂに上記スペ
ーサ６ｄを形成するスペーサ形成工程（ｏ）と、上記ス
ペーサ６ｄを介して上記基板６ｂを上記フレーム０ｃに
接着する接着工程（ｐ）とからで製造される。
【００１７】基板形成工程（ａ）（図１１）において、
上記基板０ａ、上記ねじり回動軸３、上記フレーム０ｃ
には高精度の微細加工が容易で、それぞれの部材全体を
共通の電極として使用できるように高濃度の不純物が含
まれた低抵抗のシリコン基板を用いた。厚さ２００μｍ
の両面研磨されたこのようなシリコンの上記基板０ａの
片面に、厚さ７０μｍのマスク０ｂ1を貼り付けた。こ
こで貼り付けた上記マスク０ｂ1は、上記基板０ａのシ
リコンを深くエッチングするためのドライフィルムレジ
ストであり、シリコンとの密着性がよく、エッチング選
択比として１００μｍのシリコンエッチング時にもマス
クとして残る程度に大きく、かつエッチング後には容易
に除去できるような材料であればよく、Ｎｉメッキ膜等
を利用してもよい。フレームパターニング工程（ｂ）に
おいて、次に上記マスク０ｂ1のドライフィルムレジス
トを露光、現像することで上記フレーム０ｃの形状にパ
ターニングした。フレーム形成工程（ｃ）において、上
記マスク０ｂ1をドライフィルムレジストとして、シリ
コンの上記基板０ａをエッチング速度が大きく異方性の
高いドライエッチング装置を用いて、上記フレーム０ｃ
の形状に１００μｍの深さまでエッチング除去した。こ
こで形成されるエッチング端面に後の工程で駆動電極の
上記固定電極５を形成する。反射手段保持基板パターニ
ング工程（ｄ）において、上記マスク０ｂ1のドライフ
ィルムレジストを溶解、除去した後、シリコンの上記基
板０ａを上記フレーム０ｃの形状にエッチングした面と
反対側の面に厚さ７０μｍのマスク０ｂ2のドライフィ
ルムレジストを貼り付け、上記フレーム０ｃの内側のシ
リコンの上記基板０ａが薄くなった領域の裏面を、上記
反射手段保持基板２、及び、梁上記ねじり回動軸３の梁
部材３ａ、３ｂの形状にパターニングした。
上記基板０ａ、上記ねじり回動軸３、上記フレーム０ｃ
には高精度の微細加工が容易で、それぞれの部材全体を
共通の電極として使用できるように高濃度の不純物が含
まれた低抵抗のシリコン基板を用いた。厚さ２００μｍ
の両面研磨されたこのようなシリコンの上記基板０ａの
片面に、厚さ７０μｍのマスク０ｂ1を貼り付けた。こ
こで貼り付けた上記マスク０ｂ1は、上記基板０ａのシ
リコンを深くエッチングするためのドライフィルムレジ
ストであり、シリコンとの密着性がよく、エッチング選
択比として１００μｍのシリコンエッチング時にもマス
クとして残る程度に大きく、かつエッチング後には容易
に除去できるような材料であればよく、Ｎｉメッキ膜等
を利用してもよい。フレームパターニング工程（ｂ）に
おいて、次に上記マスク０ｂ1のドライフィルムレジス
トを露光、現像することで上記フレーム０ｃの形状にパ
ターニングした。フレーム形成工程（ｃ）において、上
記マスク０ｂ1をドライフィルムレジストとして、シリ
コンの上記基板０ａをエッチング速度が大きく異方性の
高いドライエッチング装置を用いて、上記フレーム０ｃ
の形状に１００μｍの深さまでエッチング除去した。こ
こで形成されるエッチング端面に後の工程で駆動電極の
上記固定電極５を形成する。反射手段保持基板パターニ
ング工程（ｄ）において、上記マスク０ｂ1のドライフ
ィルムレジストを溶解、除去した後、シリコンの上記基
板０ａを上記フレーム０ｃの形状にエッチングした面と
反対側の面に厚さ７０μｍのマスク０ｂ2のドライフィ
ルムレジストを貼り付け、上記フレーム０ｃの内側のシ
リコンの上記基板０ａが薄くなった領域の裏面を、上記
反射手段保持基板２、及び、梁上記ねじり回動軸３の梁
部材３ａ、３ｂの形状にパターニングした。
【００１８】反射手段保持基板形成工程（ｅ）（図１
２）において、上記マスク０ｂ2をドライフィルムレジ
ストとして、シリコンの上記基板０ａをエッチング速度
が大きく異方性の高いドライエッチング装置を用いて、
貫通するまでドライエッチングすることで上記反射手段
保持基板２、及び、梁上記ねじり回動軸３の梁部材３
ａ、３ｂを形成した。絶縁膜形成工程（ｆ）において、
上記マスク０ｂ2のドライフィルムレジストを溶解、除
去した後、上記基板０ａの全体を熱酸化し、上記基板０
ａとの絶縁材料となる上記絶縁膜９として表面に厚さ
０．５μｍのＳｉＯ2膜を形成した。固定電極形成工程
（ｇ）において、次に、上記フレーム０ｃの内側の端面
のＳｉＯ2膜の上記絶縁膜９上に、駆動用電極の対向面
５ａ１、５ａ２として、上記フレーム０ｃの裏面のＳｉ
Ｏ2膜の上記絶縁膜９上に、引き出し電極の上記パッド
５ｂ1、上記パッド５ｂ2として、Ｔi薄膜３００Åをス
パッタ法で成膜したあと、Ｐｔ薄膜１２００Åをスパッ
タ法で成膜した。成膜の際、対向面５ａ１、５ａ２以外
の領域には金属薄膜が形成されないように、金属性のス
テンシルマスクで遮蔽した。ここで、Ｔｉ薄膜は、Ｓｉ
Ｏ2膜の上記絶縁膜９上でのＰｔ薄膜の密着性を向上さ
せるためのものである。尚、ここではＰｔ薄膜を駆動用
電極の対向面５ａ１、５ａ２の電極材料として用いてい
るが、他に導電性が高く、ＳｉＯ2との密着性を確保で
きれば、Ａｕ、Ｔｉ等他の材料を使用してもよい。又、
ここでは成膜方法として真空蒸着法を用いたが、マスク
での十分な遮蔽効果が得られる方法であればスパッタ
法、イオンプレーティング法等の他の方法で成膜しても
よい。コンタクトホールとミラー成膜面形成工程（ｈ）
において、次に、上記フレーム０ｃの表面の一部とミラ
ー基板の上記反射手段保持基板２表面のＳｉＯ2膜をメ
タルマスクを使ってエッチング除去し、コンタクトホー
ル０ｄとミラー成膜面０ｅを形成した。
２）において、上記マスク０ｂ2をドライフィルムレジ
ストとして、シリコンの上記基板０ａをエッチング速度
が大きく異方性の高いドライエッチング装置を用いて、
貫通するまでドライエッチングすることで上記反射手段
保持基板２、及び、梁上記ねじり回動軸３の梁部材３
ａ、３ｂを形成した。絶縁膜形成工程（ｆ）において、
上記マスク０ｂ2のドライフィルムレジストを溶解、除
去した後、上記基板０ａの全体を熱酸化し、上記基板０
ａとの絶縁材料となる上記絶縁膜９として表面に厚さ
０．５μｍのＳｉＯ2膜を形成した。固定電極形成工程
（ｇ）において、次に、上記フレーム０ｃの内側の端面
のＳｉＯ2膜の上記絶縁膜９上に、駆動用電極の対向面
５ａ１、５ａ２として、上記フレーム０ｃの裏面のＳｉ
Ｏ2膜の上記絶縁膜９上に、引き出し電極の上記パッド
５ｂ1、上記パッド５ｂ2として、Ｔi薄膜３００Åをス
パッタ法で成膜したあと、Ｐｔ薄膜１２００Åをスパッ
タ法で成膜した。成膜の際、対向面５ａ１、５ａ２以外
の領域には金属薄膜が形成されないように、金属性のス
テンシルマスクで遮蔽した。ここで、Ｔｉ薄膜は、Ｓｉ
Ｏ2膜の上記絶縁膜９上でのＰｔ薄膜の密着性を向上さ
せるためのものである。尚、ここではＰｔ薄膜を駆動用
電極の対向面５ａ１、５ａ２の電極材料として用いてい
るが、他に導電性が高く、ＳｉＯ2との密着性を確保で
きれば、Ａｕ、Ｔｉ等他の材料を使用してもよい。又、
ここでは成膜方法として真空蒸着法を用いたが、マスク
での十分な遮蔽効果が得られる方法であればスパッタ
法、イオンプレーティング法等の他の方法で成膜しても
よい。コンタクトホールとミラー成膜面形成工程（ｈ）
において、次に、上記フレーム０ｃの表面の一部とミラ
ー基板の上記反射手段保持基板２表面のＳｉＯ2膜をメ
タルマスクを使ってエッチング除去し、コンタクトホー
ル０ｄとミラー成膜面０ｅを形成した。
【００１９】反射手段形成工程（ｉ）（図１３）におい
て、上記基板０ａのシリコンが露出した上記コンタクト
ホール０ｄと上記ミラー成膜面０ｅに、それぞれミラー
基板の上記反射手段保持基板２の上記可動電極４に駆動
電圧を印加するための上記パッド４ｂ、上記反射手段１
のミラーとしてＡｌをメタルマスクを使って成膜し、上
記反射手段保持基板２の上記可動電極４と基板と上記パ
ッド４ｂの抵抗を下げるための４００℃の熱処理を行っ
た。ここでは、上記反射手段１のミラーの金属薄膜とし
て、Ａｌを成膜したが、使用するレーザー光に対し必要
十分な反射率が得られる金属薄膜ならばＡｕ等の他の材
料も選択可能である。又、成膜方法としては真空蒸着法
を用いたが、マスクでの十分な遮蔽効果が得られる方法
であればスパッタ法、イオンプレーティング法等の他の
方法で成膜してもよい。基板形成工程（ｊ）において、
上記第２反射基板６の基板６ｂには、高精度の微細加工
が容易なシリコンの基板を用いた。厚さ２００μｍの両
面研磨されたシリコンの基板に厚さ１μｍのＳｉＯ2膜
の上記絶縁膜６ｃを熱酸化によって形成した。開口形状
パターニング工程（ｋ）において、次に、シリコンの上
記基板６ｂ上のＳｉＯ2膜の上記絶縁膜６ｃを、レジス
トをマスクとしてふっ酸でエッチングすることにより、
上記開口部６ａの形状にパターニングした。この際、パ
ターニングせずにＳｉＯ2の上記絶縁膜６ｃを残してお
く面はレジストで保護しておいた。開口形状部形成工程
（ｌ）において、次に、上記開口部６ａの形状にパター
ニングしたＳｉＯ2膜の上記絶縁膜６ｃをマスクとし
て、シリコンの上記基板６ｂを裏面のＳｉＯ2膜の上記
絶縁膜６ｃに達するまで８５℃、３０％のＫＯＨ水溶液
で異方性エッチングして上記開口部６ａを形成した。こ
こでは異方性エッチング液として、ＫＯＨ溶液を用いた
が、シリコンとＳｉＯ2のエッチング選択比が十分大き
い他の異方性エッチング液、たとえばＴＭＡＨ、ヒドラ
ジン等を使用してもよい。また、ここではＳｉＯ2を異
方性エッチング時のマスク材料として使用しているが、
シリコンのエッチング液にエッチングされない他の薄膜
材料、たとえばＳｉＮ膜、ＳｉＮ／ＳｉＯ2二層膜等を
使用してもよい。
て、上記基板０ａのシリコンが露出した上記コンタクト
ホール０ｄと上記ミラー成膜面０ｅに、それぞれミラー
基板の上記反射手段保持基板２の上記可動電極４に駆動
電圧を印加するための上記パッド４ｂ、上記反射手段１
のミラーとしてＡｌをメタルマスクを使って成膜し、上
記反射手段保持基板２の上記可動電極４と基板と上記パ
ッド４ｂの抵抗を下げるための４００℃の熱処理を行っ
た。ここでは、上記反射手段１のミラーの金属薄膜とし
て、Ａｌを成膜したが、使用するレーザー光に対し必要
十分な反射率が得られる金属薄膜ならばＡｕ等の他の材
料も選択可能である。又、成膜方法としては真空蒸着法
を用いたが、マスクでの十分な遮蔽効果が得られる方法
であればスパッタ法、イオンプレーティング法等の他の
方法で成膜してもよい。基板形成工程（ｊ）において、
上記第２反射基板６の基板６ｂには、高精度の微細加工
が容易なシリコンの基板を用いた。厚さ２００μｍの両
面研磨されたシリコンの基板に厚さ１μｍのＳｉＯ2膜
の上記絶縁膜６ｃを熱酸化によって形成した。開口形状
パターニング工程（ｋ）において、次に、シリコンの上
記基板６ｂ上のＳｉＯ2膜の上記絶縁膜６ｃを、レジス
トをマスクとしてふっ酸でエッチングすることにより、
上記開口部６ａの形状にパターニングした。この際、パ
ターニングせずにＳｉＯ2の上記絶縁膜６ｃを残してお
く面はレジストで保護しておいた。開口形状部形成工程
（ｌ）において、次に、上記開口部６ａの形状にパター
ニングしたＳｉＯ2膜の上記絶縁膜６ｃをマスクとし
て、シリコンの上記基板６ｂを裏面のＳｉＯ2膜の上記
絶縁膜６ｃに達するまで８５℃、３０％のＫＯＨ水溶液
で異方性エッチングして上記開口部６ａを形成した。こ
こでは異方性エッチング液として、ＫＯＨ溶液を用いた
が、シリコンとＳｉＯ2のエッチング選択比が十分大き
い他の異方性エッチング液、たとえばＴＭＡＨ、ヒドラ
ジン等を使用してもよい。また、ここではＳｉＯ2を異
方性エッチング時のマスク材料として使用しているが、
シリコンのエッチング液にエッチングされない他の薄膜
材料、たとえばＳｉＮ膜、ＳｉＮ／ＳｉＯ2二層膜等を
使用してもよい。
【００２０】膜除去工程（ｍ）（図１４）において、次
に、上記開口部６ａに残されたＳｉＯ2膜の上記絶縁膜
６ｃをふっ酸でエッチング除去した 。第２固定電極形
成工程（ｎ）において、次に、シリコンの上記基板６ｂ
の裏面の熱酸化膜の上記絶縁膜６ｃ上に、Ｔｉ薄膜３０
０Åをスパッタ法で成膜したあと、上記第２固定電極７
の上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂとし
て、ＰＴ薄膜１２００Åをでスパッタ法で成膜した。成
膜の際、上記第２固定電極７の上記第２固定電極７ａと
上記第２固定電極７以外の領域には金属薄膜が形成され
ないように、金属性のステンシルマスクで遮蔽した。
尚、Ｔｉ薄膜は、ＳｉＯ2膜の上記絶縁膜９上でのＰＴ
薄膜の密着性を向上させるためのものである。又、ここ
では、上記第２固定電極７の上記第２固定電極７ａと上
記第２固定電極７の材料として、Ｐｔ薄膜を用いたが、
他に導電性が高く、上記絶縁膜９との密着力の大きい薄
膜であれば、Ａｕ、Ｔｉ等の他の材料を使用してもよ
い。成膜方法としてここでは、スパッタ法を用いている
が、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の他の方法
で成膜してもよい。スペーサ形成工程（ｏ）において、
次に、ここでは図示していないが、上記開口部６ａの２
つの上記入射ビーム開口部６ａ1と上記反射ビーム開口
部６ａ2の間の部分のＳｉＯ2膜の上記絶縁膜９をドライ
エッチングで除去し、多重反射用の上記反射手段６ｅの
ミラー面としてＡｌ薄膜を成膜した。このときのエッチ
ング、成膜時にはいずれも処理領域以外は金属製のステ
ンシルマスクで遮蔽した。そして、上記第２反射基板６
の上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂ及び上
記反射手段６ｅのミラーが形成されている面側に、上記
第２反射基板６と上記反射手段保持基板２の間の多重反
射部を確保のための厚さ２００μｍのシリコンの基板か
らなる上記スペーサ６ｄ を接着した。接着工程（ｐ）
において、上記スペーサ６ｄ、及び、上記第２反射基板
６を、上記反射手段保持基板２の上記フレーム０ｃ上に
接着することにより、上記第２反射基板６からなる上記
光走査装置０が完成した。従って、光走査を行なう振れ
角が大きく、駆動電圧が低く、回動が安定である光走査
装置の製造方法を提供することが出来るようになった。
に、上記開口部６ａに残されたＳｉＯ2膜の上記絶縁膜
６ｃをふっ酸でエッチング除去した 。第２固定電極形
成工程（ｎ）において、次に、シリコンの上記基板６ｂ
の裏面の熱酸化膜の上記絶縁膜６ｃ上に、Ｔｉ薄膜３０
０Åをスパッタ法で成膜したあと、上記第２固定電極７
の上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂとし
て、ＰＴ薄膜１２００Åをでスパッタ法で成膜した。成
膜の際、上記第２固定電極７の上記第２固定電極７ａと
上記第２固定電極７以外の領域には金属薄膜が形成され
ないように、金属性のステンシルマスクで遮蔽した。
尚、Ｔｉ薄膜は、ＳｉＯ2膜の上記絶縁膜９上でのＰＴ
薄膜の密着性を向上させるためのものである。又、ここ
では、上記第２固定電極７の上記第２固定電極７ａと上
記第２固定電極７の材料として、Ｐｔ薄膜を用いたが、
他に導電性が高く、上記絶縁膜９との密着力の大きい薄
膜であれば、Ａｕ、Ｔｉ等の他の材料を使用してもよ
い。成膜方法としてここでは、スパッタ法を用いている
が、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の他の方法
で成膜してもよい。スペーサ形成工程（ｏ）において、
次に、ここでは図示していないが、上記開口部６ａの２
つの上記入射ビーム開口部６ａ1と上記反射ビーム開口
部６ａ2の間の部分のＳｉＯ2膜の上記絶縁膜９をドライ
エッチングで除去し、多重反射用の上記反射手段６ｅの
ミラー面としてＡｌ薄膜を成膜した。このときのエッチ
ング、成膜時にはいずれも処理領域以外は金属製のステ
ンシルマスクで遮蔽した。そして、上記第２反射基板６
の上記第２固定電極７ａと上記第２固定電極７ｂ及び上
記反射手段６ｅのミラーが形成されている面側に、上記
第２反射基板６と上記反射手段保持基板２の間の多重反
射部を確保のための厚さ２００μｍのシリコンの基板か
らなる上記スペーサ６ｄ を接着した。接着工程（ｐ）
において、上記スペーサ６ｄ、及び、上記第２反射基板
６を、上記反射手段保持基板２の上記フレーム０ｃ上に
接着することにより、上記第２反射基板６からなる上記
光走査装置０が完成した。従って、光走査を行なう振れ
角が大きく、駆動電圧が低く、回動が安定である光走査
装置の製造方法を提供することが出来るようになった。
【００２１】図１５において、電子写真プロセスで光書
き込みを行なって画像を形成する画像形成装置１００
は、図示の矢印Ｄ方向に回動可能に保持されて形成画像
を担持する画像担持体１０１のドラム形状の感光体と、
帯電手段１０５で均一に帯電された上記画像担持体１０
１のドラム形状の感光体上を上記光走査装置０からなる
潜像形成手段１０２で光書き込みを行なって潜像を形成
し、上記潜像形成手段１０２の上記光走査装置０によっ
て形成された潜像を現像手段１０３で顕像化してトナー
画像を形成し、上記現像手段１０３で形成されたトナー
画像を転写手段１０４で被転写体（Ｐ）の転写用紙に転
写して、被転写体（Ｐ）の転写用紙に転写されたトナー
画像を定着手段１０６で定着した後に、被転写体（Ｐ）
の転写用紙を排紙トレイ１０７に排紙して収納される。
他方、トナー画像を上記転写手段１０４で被転写体
（Ｐ）の転写用紙に転写した後の上記画像担持体１０１
のドラム形状の感光体は、クリーニング手段１０８でク
リーニングされて次工程の画像形成に備えるようになっ
ている。上記潜像形成手段１０２は、光源１０２ａから
の入射光束（Ｒ）を、第１のレンズシステム１０２ｂを
介して上記光走査装置０に照射し、上記光走査装置０は
画像情報に応じて、上記反射手段１のミラーを通じて入
射光束（Ｒ）を第２のレンズシステム１０２ｃを通じて
上記画像担持体１０１のドラム形状の感光体上の表面に
結像させるようになっている。従って、光走査を行なう
振れ角が大きく、駆動電圧が低く、回動が安定である上
記光走査装置０を具備する上記画像形成装置１００を提
供することが出来るようになった。
き込みを行なって画像を形成する画像形成装置１００
は、図示の矢印Ｄ方向に回動可能に保持されて形成画像
を担持する画像担持体１０１のドラム形状の感光体と、
帯電手段１０５で均一に帯電された上記画像担持体１０
１のドラム形状の感光体上を上記光走査装置０からなる
潜像形成手段１０２で光書き込みを行なって潜像を形成
し、上記潜像形成手段１０２の上記光走査装置０によっ
て形成された潜像を現像手段１０３で顕像化してトナー
画像を形成し、上記現像手段１０３で形成されたトナー
画像を転写手段１０４で被転写体（Ｐ）の転写用紙に転
写して、被転写体（Ｐ）の転写用紙に転写されたトナー
画像を定着手段１０６で定着した後に、被転写体（Ｐ）
の転写用紙を排紙トレイ１０７に排紙して収納される。
他方、トナー画像を上記転写手段１０４で被転写体
（Ｐ）の転写用紙に転写した後の上記画像担持体１０１
のドラム形状の感光体は、クリーニング手段１０８でク
リーニングされて次工程の画像形成に備えるようになっ
ている。上記潜像形成手段１０２は、光源１０２ａから
の入射光束（Ｒ）を、第１のレンズシステム１０２ｂを
介して上記光走査装置０に照射し、上記光走査装置０は
画像情報に応じて、上記反射手段１のミラーを通じて入
射光束（Ｒ）を第２のレンズシステム１０２ｃを通じて
上記画像担持体１０１のドラム形状の感光体上の表面に
結像させるようになっている。従って、光走査を行なう
振れ角が大きく、駆動電圧が低く、回動が安定である上
記光走査装置０を具備する上記画像形成装置１００を提
供することが出来るようになった。
【００２２】図１６において、光走査を行なって読み取
りを行なう読取装置２００のバーコードリーダやスキャ
ナーは、上記光走査装置０が光走査を行って、読み取り
を行なう入射光束（Ｒ）の反射方向を変えて被読み取り
面（Ｏ）を照射して、上記光走査装置０の光走査による
被読み取り面（Ｏ）の光情報を受光素子２０１で受光し
て読み取りが行なわれるようになている。上記光走査装
置０は、光源２０２からの入射ビーム（Ｒ）が上記光走
査装置０に照射され、上記光走査装置０の上記反射手段
１のミラーにより反射し、投影レンズ２０３、及び、絞
り２０４を介して被読み取り面（Ｏ）に投影する。従っ
て、光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が低く、
回動が安定である上記光走査装置０を具備する上記読取
装置２００を提供することが出来るようになった。
りを行なう読取装置２００のバーコードリーダやスキャ
ナーは、上記光走査装置０が光走査を行って、読み取り
を行なう入射光束（Ｒ）の反射方向を変えて被読み取り
面（Ｏ）を照射して、上記光走査装置０の光走査による
被読み取り面（Ｏ）の光情報を受光素子２０１で受光し
て読み取りが行なわれるようになている。上記光走査装
置０は、光源２０２からの入射ビーム（Ｒ）が上記光走
査装置０に照射され、上記光走査装置０の上記反射手段
１のミラーにより反射し、投影レンズ２０３、及び、絞
り２０４を介して被読み取り面（Ｏ）に投影する。従っ
て、光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が低く、
回動が安定である上記光走査装置０を具備する上記読取
装置２００を提供することが出来るようになった。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、請求項１の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能に
支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板の
側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保持
基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成す
るようにしたので、光走査を行なう振れ角が大きく駆動
電圧が低く回動も安定である光走査装置を提供すること
が出来るようになった。請求項２の発明によれば、入射
光を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基板を
回動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射手段
保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反
射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄
膜で形成すると共に反射手段保持基板の側面の対称な位
置に対向して固定電極を対で配置するようにしたので、
片側面にしか固定電極がないものに比較して低電圧で安
定した駆動が行なわれ、光走査を行なう振れ角が大きく
駆動電圧が更に低く回動も安定である光走査装置を提供
することが出来るようになった。請求項３の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を保持する反射手段保
持基板を回動可能に支持するねじり回動軸に支持された
反射手段保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面
と上記反射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定
電極を薄膜で形成すると共に反射手段保持基板の側面と
固定電極の対向面は直線形状で平行に対向するようにし
たので、反射手段保持基板と可動電極の変位時に固定電
極と接触することなく電極間隔が微小にすることにより
駆動電圧が低下し形状が簡単で破損も無く歩留まりも高
く信頼性もたかくなり、光走査を行なう振れ角が大きく
駆動電圧が更に低く回動も更に安定で低コストである光
走査装置を提供することが出来るようになった。
ているので、請求項１の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能に
支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板の
側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保持
基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成す
るようにしたので、光走査を行なう振れ角が大きく駆動
電圧が低く回動も安定である光走査装置を提供すること
が出来るようになった。請求項２の発明によれば、入射
光を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基板を
回動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射手段
保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反
射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄
膜で形成すると共に反射手段保持基板の側面の対称な位
置に対向して固定電極を対で配置するようにしたので、
片側面にしか固定電極がないものに比較して低電圧で安
定した駆動が行なわれ、光走査を行なう振れ角が大きく
駆動電圧が更に低く回動も安定である光走査装置を提供
することが出来るようになった。請求項３の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を保持する反射手段保
持基板を回動可能に支持するねじり回動軸に支持された
反射手段保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面
と上記反射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定
電極を薄膜で形成すると共に反射手段保持基板の側面と
固定電極の対向面は直線形状で平行に対向するようにし
たので、反射手段保持基板と可動電極の変位時に固定電
極と接触することなく電極間隔が微小にすることにより
駆動電圧が低下し形状が簡単で破損も無く歩留まりも高
く信頼性もたかくなり、光走査を行なう振れ角が大きく
駆動電圧が更に低く回動も更に安定で低コストである光
走査装置を提供することが出来るようになった。
【００２４】請求項４の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能に
支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板の
側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保持
基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成す
ると共に反射手段保持基板の側面と固定電極の対向面は
直線形状でねじり回動軸に近づくに従って隙間が狭くな
るように対向するようにしたので、光走査を行なう振れ
角が大きく駆動電圧が更に低く回動も安定である光走査
装置を提供することが出来るようになった。請求項５の
発明によれば、入射光を正反射する反射手段を保持する
反射手段保持基板を回動可能に支持するねじり回動軸に
支持された反射手段保持基板の側面の可動電極と可動電
極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向にずれた
位置に固定電極を薄膜で形成すると共に可動電極の対向
面と対向する固定電極の対向面は反射手段保持基板の厚
み方向で向かい合わない位置までずらした位置に配置す
るようにしたので、反射手段保持基板と可動電極の変位
時に静止状態から駆動開始時に両電極の法泉方向の静電
引力が無いのでより低電圧で駆動を開始して、光走査を
行なう振れ角が大きく駆動電圧が更に低く回動も安定で
ある光走査装置を提供することが出来るようになった。
請求項６の発明によれば、入射光を正反射する反射手段
を保持する反射手段保持基板を回動可能に支持するねじ
り回動軸に支持された反射手段保持基板の側面の可動電
極と可動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方
向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成すると共にねじ
り回動軸は反射手段保持基板を同一直線上の２本の梁部
材で回動可能に支持するようにしたので、簡単な構造
で、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧が低く回動
も確実で安定である光走査装置を提供することが出来る
ようになった。請求項７の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能
に支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板
の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成
すると共に反射手段保持基板の反射手段側には第２反射
基板を配置するようにしたので、光走査を行なう振れ角
が更に大きく駆動電圧が低く回動も安定である光走査装
置を提供することが出来るようになった。
する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能に
支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板の
側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保持
基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成す
ると共に反射手段保持基板の側面と固定電極の対向面は
直線形状でねじり回動軸に近づくに従って隙間が狭くな
るように対向するようにしたので、光走査を行なう振れ
角が大きく駆動電圧が更に低く回動も安定である光走査
装置を提供することが出来るようになった。請求項５の
発明によれば、入射光を正反射する反射手段を保持する
反射手段保持基板を回動可能に支持するねじり回動軸に
支持された反射手段保持基板の側面の可動電極と可動電
極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向にずれた
位置に固定電極を薄膜で形成すると共に可動電極の対向
面と対向する固定電極の対向面は反射手段保持基板の厚
み方向で向かい合わない位置までずらした位置に配置す
るようにしたので、反射手段保持基板と可動電極の変位
時に静止状態から駆動開始時に両電極の法泉方向の静電
引力が無いのでより低電圧で駆動を開始して、光走査を
行なう振れ角が大きく駆動電圧が更に低く回動も安定で
ある光走査装置を提供することが出来るようになった。
請求項６の発明によれば、入射光を正反射する反射手段
を保持する反射手段保持基板を回動可能に支持するねじ
り回動軸に支持された反射手段保持基板の側面の可動電
極と可動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方
向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成すると共にねじ
り回動軸は反射手段保持基板を同一直線上の２本の梁部
材で回動可能に支持するようにしたので、簡単な構造
で、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧が低く回動
も確実で安定である光走査装置を提供することが出来る
ようになった。請求項７の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能
に支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板
の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成
すると共に反射手段保持基板の反射手段側には第２反射
基板を配置するようにしたので、光走査を行なう振れ角
が更に大きく駆動電圧が低く回動も安定である光走査装
置を提供することが出来るようになった。
【００２５】請求項８の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能に
支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板の
側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保持
基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成す
ると共に反射手段保持基板の反射手段側には反射手段に
入反射するビームが通過する開口部からなる第２反射基
板を配置するようにしたので、入反射光のビームの通過
が行なわれ、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電
圧が低く回動も安定である光走査装置を提供することが
出来るようになった。請求項９の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基板を回
動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射手段保
持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射
手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜
で形成すると共に反射手段保持基板の反射手段側には第
２固定電極からなる第２反射基板を配置するようにした
ので、共振周波数での駆動時には反射手段保持基板の触
れ角が大きくなりその端部がより面積の大きな第２固定
電極に近接するために、反射手段保持基板端面と平面の
両方の電極の駆動により振動維持をより安定かすること
ができ、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電圧が
低く回動も更に安定である光走査装置を提供することが
出来るようになった。請求項１０の発明によれば、入射
光を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基板を
回動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射手段
保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反
射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄
膜で形成すると共に反射手段保持基板の反射手段側に
は、ねじり回動軸と平行でねじり回動軸を挟む対称な位
置に配置された第２固定電極からなる第２反射基板を配
置するようにしたので、ねじり回動軸に対して対称な位
置に効率的に静電引力が加わり、共振周波数での駆動時
には反射手段保持基板の触れ角が大きくなりその端部が
より面積の大きな第２固定電極に近接するために、反射
手段保持基板端面と平面の両方の電極の駆動により振動
維持をより安定化することができ、光走査を行なう振れ
角が更に大きく駆動電圧が更に低く回動も更に安定であ
る光走査装置を提供することが出来るようになった。
する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能に
支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板の
側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保持
基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成す
ると共に反射手段保持基板の反射手段側には反射手段に
入反射するビームが通過する開口部からなる第２反射基
板を配置するようにしたので、入反射光のビームの通過
が行なわれ、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電
圧が低く回動も安定である光走査装置を提供することが
出来るようになった。請求項９の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基板を回
動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射手段保
持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射
手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜
で形成すると共に反射手段保持基板の反射手段側には第
２固定電極からなる第２反射基板を配置するようにした
ので、共振周波数での駆動時には反射手段保持基板の触
れ角が大きくなりその端部がより面積の大きな第２固定
電極に近接するために、反射手段保持基板端面と平面の
両方の電極の駆動により振動維持をより安定かすること
ができ、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電圧が
低く回動も更に安定である光走査装置を提供することが
出来るようになった。請求項１０の発明によれば、入射
光を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基板を
回動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射手段
保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反
射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄
膜で形成すると共に反射手段保持基板の反射手段側に
は、ねじり回動軸と平行でねじり回動軸を挟む対称な位
置に配置された第２固定電極からなる第２反射基板を配
置するようにしたので、ねじり回動軸に対して対称な位
置に効率的に静電引力が加わり、共振周波数での駆動時
には反射手段保持基板の触れ角が大きくなりその端部が
より面積の大きな第２固定電極に近接するために、反射
手段保持基板端面と平面の両方の電極の駆動により振動
維持をより安定化することができ、光走査を行なう振れ
角が更に大きく駆動電圧が更に低く回動も更に安定であ
る光走査装置を提供することが出来るようになった。
【００２６】請求項１１の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能
に支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板
の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成
すると共に可動電極、固定電極又は第２固定電極の各駆
動電圧は、駆動電圧印加手段により、それぞれがずらし
たタイミングで印加されるようにしたので、光走査を行
なう振れ角が大きく駆動電圧が低く回動も更に安定であ
る光走査装置を提供することが出来るようになった。請
求項１２の発明によれば、入射光を正反射する反射手段
を保持する反射手段保持基板を回動可能に支持するねじ
り回動軸に支持された反射手段保持基板の側面の可動電
極と可動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方
向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成すると共に反射
手段保持基板は減圧密閉手段により少なくとも回動空間
を減圧密閉するようにしたので、光走査を行なう振れ角
が大きく駆動電圧が更に低く回動も更に安定である光走
査装置を提供することが出来るようになった。請求項１
３の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を保持
する反射手段保持基板を回動可能に支持するねじり回動
軸に支持された反射手段保持基板の側面の可動電極と可
動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向にず
れた位置に固定電極を薄膜で形成すると共に反射手段保
持基板は反射手段への入反射光が透過する入反射光透過
部からなる減圧密閉手段により少なくとも回動空間を減
圧密閉するようにしたので、反射手段への入反射光の透
過が可能で、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧が
更に低く回動も更に安定である光走査装置を提供するこ
とが出来るようになった。請求項１４の発明によれば、
入射光を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基
板を回動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射
手段保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上
記反射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極
を薄膜で形成すると共に反射手段保持基板は可動電極、
固定電極又は第２固定電極を取り出す電極取り出し部か
らなる減圧密閉手段により少なくとも回動空間を減圧密
閉するようにしたので、電極取り出しが可能で、光走査
を行なう振れ角が大きく駆動電圧が更に低く回動も更に
安定である光走査装置を提供することが出来るようにな
った。
射する反射手段を保持する反射手段保持基板を回動可能
に支持するねじり回動軸に支持された反射手段保持基板
の側面の可動電極と可動電極の対向面と上記反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成
すると共に可動電極、固定電極又は第２固定電極の各駆
動電圧は、駆動電圧印加手段により、それぞれがずらし
たタイミングで印加されるようにしたので、光走査を行
なう振れ角が大きく駆動電圧が低く回動も更に安定であ
る光走査装置を提供することが出来るようになった。請
求項１２の発明によれば、入射光を正反射する反射手段
を保持する反射手段保持基板を回動可能に支持するねじ
り回動軸に支持された反射手段保持基板の側面の可動電
極と可動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方
向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成すると共に反射
手段保持基板は減圧密閉手段により少なくとも回動空間
を減圧密閉するようにしたので、光走査を行なう振れ角
が大きく駆動電圧が更に低く回動も更に安定である光走
査装置を提供することが出来るようになった。請求項１
３の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を保持
する反射手段保持基板を回動可能に支持するねじり回動
軸に支持された反射手段保持基板の側面の可動電極と可
動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方向にず
れた位置に固定電極を薄膜で形成すると共に反射手段保
持基板は反射手段への入反射光が透過する入反射光透過
部からなる減圧密閉手段により少なくとも回動空間を減
圧密閉するようにしたので、反射手段への入反射光の透
過が可能で、光走査を行なう振れ角が大きく駆動電圧が
更に低く回動も更に安定である光走査装置を提供するこ
とが出来るようになった。請求項１４の発明によれば、
入射光を正反射する反射手段を保持する反射手段保持基
板を回動可能に支持するねじり回動軸に支持された反射
手段保持基板の側面の可動電極と可動電極の対向面と上
記反射手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極
を薄膜で形成すると共に反射手段保持基板は可動電極、
固定電極又は第２固定電極を取り出す電極取り出し部か
らなる減圧密閉手段により少なくとも回動空間を減圧密
閉するようにしたので、電極取り出しが可能で、光走査
を行なう振れ角が大きく駆動電圧が更に低く回動も更に
安定である光走査装置を提供することが出来るようにな
った。
【００２７】請求項１５の発明によれば、基板の裏面側
に薄膜で反射手段保持基板を形成した後、基板の表面側
に可動電極の対向面と反射手段保持基板の厚み方向にず
れた位置に固定電極を薄膜で形成して光走査装置を製造
するようにしたので、光走査を行なう振れ角が大きく、
駆動電圧が低く、回動が安定である光走査装置の製造方
法を提供することが出来るようになった。請求項１６の
発明によれば、基板の裏面側に薄膜で反射手段保持基板
を形成した後、基板の表面側に可動電極の対向面と反射
手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜
で形成するために基板を表面にエッチング用のマスクを
貼りつけて形成する基板形成工程と、フレームの形状に
パターニングするフレームパターニング工程と、フレー
ムの形状にエッチングするフレーム形成工程と、裏面を
反射手段保持基板とねじり回動軸の形状にパターニング
する反射手段保持基板パターニング工程と、反射手段保
持基板とねじり回動軸を薄膜で形成する反射手段保持基
板形成工程と、基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、可動電極の対向面と反射手段保持基板の厚み方向に
ずれた位置に薄膜で固定電極を形成する固定電極形成工
程と、コンタクトホールとミラー成膜面を形成するコン
タクトホールとミラー成膜面形成工程と、反射手段を形
成する反射手段形成工程とから光走査装置を製造するよ
うにしたので、光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電
圧が低く、回動が安定である光走査装置の製造方法を提
供することが出来るようになった。請求項１７の発明に
よれば、基板の裏面側に薄膜で反射手段保持基板を形成
した後、基板の表面側に可動電極の対向面と反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成
すると共に反射手段保持基板を形成したフレームに第２
反射基板を形成して光走査装置を製造するようにしたの
で、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電圧が低く
回動も安定である光走査装置の製造方法を提供すること
が出来るようになった。請求項１８の発明によれば、基
板の裏面側に薄膜で反射手段保持基板を形成した後、基
板の表面側に可動電極の対向面と反射手段保持基板の厚
み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成すると共に
反射手段保持基板を形成したフレームに、基板に絶縁膜
を形成する基板形成工程と、開口部を形成するパターニ
ングをする開口部パターニング工程と、上記開口部を異
方性エッチングで形成する開口部形成工程と、開口部に
残る絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、第２固定電極
をスパッタ法で形成する第２固定電極形成工程、基板に
スペーサを形成するスペーサ形成工程と、スペーサを介
して基板をフレームに接着する接着工程で製造した第２
反射基板を形成して光走査装置を製造するようにしたの
で、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電圧が低く
回動も安定である光走査装置の製造方法を提供すること
が出来るようになった。
に薄膜で反射手段保持基板を形成した後、基板の表面側
に可動電極の対向面と反射手段保持基板の厚み方向にず
れた位置に固定電極を薄膜で形成して光走査装置を製造
するようにしたので、光走査を行なう振れ角が大きく、
駆動電圧が低く、回動が安定である光走査装置の製造方
法を提供することが出来るようになった。請求項１６の
発明によれば、基板の裏面側に薄膜で反射手段保持基板
を形成した後、基板の表面側に可動電極の対向面と反射
手段保持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜
で形成するために基板を表面にエッチング用のマスクを
貼りつけて形成する基板形成工程と、フレームの形状に
パターニングするフレームパターニング工程と、フレー
ムの形状にエッチングするフレーム形成工程と、裏面を
反射手段保持基板とねじり回動軸の形状にパターニング
する反射手段保持基板パターニング工程と、反射手段保
持基板とねじり回動軸を薄膜で形成する反射手段保持基
板形成工程と、基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、可動電極の対向面と反射手段保持基板の厚み方向に
ずれた位置に薄膜で固定電極を形成する固定電極形成工
程と、コンタクトホールとミラー成膜面を形成するコン
タクトホールとミラー成膜面形成工程と、反射手段を形
成する反射手段形成工程とから光走査装置を製造するよ
うにしたので、光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電
圧が低く、回動が安定である光走査装置の製造方法を提
供することが出来るようになった。請求項１７の発明に
よれば、基板の裏面側に薄膜で反射手段保持基板を形成
した後、基板の表面側に可動電極の対向面と反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成
すると共に反射手段保持基板を形成したフレームに第２
反射基板を形成して光走査装置を製造するようにしたの
で、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電圧が低く
回動も安定である光走査装置の製造方法を提供すること
が出来るようになった。請求項１８の発明によれば、基
板の裏面側に薄膜で反射手段保持基板を形成した後、基
板の表面側に可動電極の対向面と反射手段保持基板の厚
み方向にずれた位置に固定電極を薄膜で形成すると共に
反射手段保持基板を形成したフレームに、基板に絶縁膜
を形成する基板形成工程と、開口部を形成するパターニ
ングをする開口部パターニング工程と、上記開口部を異
方性エッチングで形成する開口部形成工程と、開口部に
残る絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、第２固定電極
をスパッタ法で形成する第２固定電極形成工程、基板に
スペーサを形成するスペーサ形成工程と、スペーサを介
して基板をフレームに接着する接着工程で製造した第２
反射基板を形成して光走査装置を製造するようにしたの
で、光走査を行なう振れ角が更に大きく駆動電圧が低く
回動も安定である光走査装置の製造方法を提供すること
が出来るようになった。
【００２８】請求項１９の発明によれば、回動可能に保
持されて形成画像を担持する画像担持体上を光書き込み
を行なって潜像を形成する請求項１乃至１４の何れか一
項に記載の光走査装置からなる潜像形成手段の光走査装
置によって形成された潜像を顕像化してトナー画像を形
成する現像手段で形成されたトナー画像を被転写体に転
写手段で転写して画像を形成するようにしたので、光走
査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が低く、回動が安
定である光走査装置を具備する画像形成装置を提供する
ことが出来るようになった。請求項２０の発明によれ
ば、被読み取り面を光走査する請求項項１乃至１４の何
れか一項に記載の光走査装置が被読み取り面を光走査し
た反射光を受光素子が受光して読み取りを行なうように
したので、光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が
低く、回動が安定である光走査装置を具備する読取装置
を提供することが出来るようになった。
持されて形成画像を担持する画像担持体上を光書き込み
を行なって潜像を形成する請求項１乃至１４の何れか一
項に記載の光走査装置からなる潜像形成手段の光走査装
置によって形成された潜像を顕像化してトナー画像を形
成する現像手段で形成されたトナー画像を被転写体に転
写手段で転写して画像を形成するようにしたので、光走
査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が低く、回動が安
定である光走査装置を具備する画像形成装置を提供する
ことが出来るようになった。請求項２０の発明によれ
ば、被読み取り面を光走査する請求項項１乃至１４の何
れか一項に記載の光走査装置が被読み取り面を光走査し
た反射光を受光素子が受光して読み取りを行なうように
したので、光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が
低く、回動が安定である光走査装置を具備する読取装置
を提供することが出来るようになった。
【図１】本発明の実施の形態例を示す光走査装置を説明
する図２のＸ−Ｘ線断面図である。
する図２のＸ−Ｘ線断面図である。
【図２】図１の下面からの正面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態例を示す光走査装置の
図１の下面からの正面図である。
図１の下面からの正面図である。
【図４】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の主要
部の状態を説明する説明図である。
部の状態を説明する説明図である。
【図５】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の主要
部の他の状態を説明する説明図である。
部の他の状態を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の主要
部の他の状態を説明する説明図である。
部の他の状態を説明する説明図である。
【図７】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の主要
部の他の状態を説明する説明図である。
部の他の状態を説明する説明図である。
【図８】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の他の
主要部を説明する図９のＹ−Ｙ線断面図である。
主要部を説明する図９のＹ−Ｙ線断面図である。
【図９】図８の上面からの正面図である。
【図１０】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の他
の主要部を説明する説明図である。
の主要部を説明する説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の製
造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態例を示す光走査装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態例を示す光走査装置を具
備する画像形成装置を説明する説明図である。
備する画像形成装置を説明する説明図である。
【図１６】本発明の実施の形態例を示す光走査装置を具
備する読取装置を説明する説明図である。
備する読取装置を説明する説明図である。
０ 光走査装置、０ａ 基板 ０ｂ マスク、０ｂ1 マスク、０ｂ2 マスク、 ０ｃ フレーム、 ０ｄ コンタクトホール、 ０ｅ ミラー成膜面 １ 反射手段 ２ 反射手段保持基板 ３ ねじり回動軸、３ａ 梁部材、３ｂ 梁部材 ４ 可動電極、４ａ 対向面、４ｂ パッド ５ 固定電極、５ａ 対向面、５ａ1 対向面、５ａ2
対向面、 ５ｂ パッド、５ｂ1 パッド、５ｂ2 パッド ６ 第２反射基板、６ａ 開口部、６ａ1 入射ビーム
開口部、６ａ2 反射ビーム開口部、 ６ｂ 基板 ６ｃ 絶縁膜 ６ｄ スペーサ ６ｅ 反射手段 ７ 第２固定電極、７ａ 第２固定電極、７ｂ 第２固
定電極、７ｃ パッド、７ｃ1 パッド、７ｃ2 パッド ８ 減圧密閉手段 ８ａ 入反射光透過部、８ｂ 電極
取り出し部 ９ 絶縁膜 １０ 駆動電圧印加手段 １００ 画像形成装置 １０１ 画像担持体 １０２ 潜像形成手段、１０２ａ 光源、１０２ｂ 第
１のレンズシステム、１０２ｃ 第２のレンズシステム １０３ 現像手段 １０４ 転写手段 １０５ 帯電手段 １０６ 定着手段 １０７ 排紙トレイ １０８ クリーニング手段 ２００ 読取装置 ２０１ 受光素子 ２０２ 光源 ２０３ 投影レンズ ２０４ 絞り （ａ） 基板形成工程 （ｂ） フレームパターニング工程 （ｃ） フレーム形成工程 （ｄ） 反射手段保持基板パターニング工程 （ｅ） 反射手段保持基板形成工程 （ｆ） 絶縁膜形成工程 （ｇ） 固定電極形成工程 （ｈ） コンタクトホールとミラー成膜面形成工程 （ｉ） 反射手段形成工程 （ｊ） 基板形成工程 （ｋ） 開口形状パターニング工程 （ｌ） 開口形状部形成工程 （ｍ） 膜除去工程 （ｎ） 第２固定電極形成工程 （ｏ） スペーサ形成工程 （ｐ） 接着工程
対向面、 ５ｂ パッド、５ｂ1 パッド、５ｂ2 パッド ６ 第２反射基板、６ａ 開口部、６ａ1 入射ビーム
開口部、６ａ2 反射ビーム開口部、 ６ｂ 基板 ６ｃ 絶縁膜 ６ｄ スペーサ ６ｅ 反射手段 ７ 第２固定電極、７ａ 第２固定電極、７ｂ 第２固
定電極、７ｃ パッド、７ｃ1 パッド、７ｃ2 パッド ８ 減圧密閉手段 ８ａ 入反射光透過部、８ｂ 電極
取り出し部 ９ 絶縁膜 １０ 駆動電圧印加手段 １００ 画像形成装置 １０１ 画像担持体 １０２ 潜像形成手段、１０２ａ 光源、１０２ｂ 第
１のレンズシステム、１０２ｃ 第２のレンズシステム １０３ 現像手段 １０４ 転写手段 １０５ 帯電手段 １０６ 定着手段 １０７ 排紙トレイ １０８ クリーニング手段 ２００ 読取装置 ２０１ 受光素子 ２０２ 光源 ２０３ 投影レンズ ２０４ 絞り （ａ） 基板形成工程 （ｂ） フレームパターニング工程 （ｃ） フレーム形成工程 （ｄ） 反射手段保持基板パターニング工程 （ｅ） 反射手段保持基板形成工程 （ｆ） 絶縁膜形成工程 （ｇ） 固定電極形成工程 （ｈ） コンタクトホールとミラー成膜面形成工程 （ｉ） 反射手段形成工程 （ｊ） 基板形成工程 （ｋ） 開口形状パターニング工程 （ｌ） 開口形状部形成工程 （ｍ） 膜除去工程 （ｎ） 第２固定電極形成工程 （ｏ） スペーサ形成工程 （ｐ） 接着工程
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０６Ｔ 1/00 ４２０ Ｇ０６Ｔ 1/00 ４２０Ｃ Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ａ 1/036 1/036 Ｚ 1/113 1/04 １０４Ｚ Ｆターム(参考） 2H042 DA02 DA05 DA12 DC02 DE00 2H045 AB06 AB10 AB16 AB73 5B047 BB01 BC05 BC09 BC11 BC14 5C051 AA01 AA02 BA02 CA06 DB01 DB02 DB22 DB24 DB28 DC04 DC07 5C072 AA01 AA03 BA13 CA02 DA02 DA04 DA18 DA21 EA04 HA01 HA09 HA14 WA05
Claims (20)
- 【請求項１】 静電力でねじり回動軸を回動して入射光
の反射方向を変えて光走査を行なう光走査装置におい
て、入射光を正反射する反射手段と、上記反射手段を保
持する反射手段保持基板と、上記反射手段保持基板を回
動可能に支持するねじり回動軸と、上記ねじり回動軸に
支持された上記反射手段保持基板の側面の可動電極と、
上記可動電極の対向面と上記反射手段保持基板の厚み方
向にずれた位置に形成された固定電極とからなることを
特徴とする光走査装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光走査装置において、
反射手段保持基板の側面の対称な位置に対向して固定電
極を対で配置したことを特徴とする光走査装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の光走査装置は、
反射手段保持基板の側面と固定電極の対向面は、直線形
状で平行に対向するようにしたことを特徴とする光走査
装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の光走査装置にお
いて、反射手段保持基板の側面と固定電極の対向面は、
直線形状でねじり回動軸に近づくに従って隙間が狭くな
るように対向するようにしたことを特徴とする光走査装
置。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４に記載の光走査
装置において、可動電極の対向面と対向する固定電極の
対向面は、反射手段保持基板の厚み方向で向かい合わな
い位置までずらした位置に配置したことを特徴とする光
走査装置。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４又は５に記載の光
走査装置において、ねじり回動軸は、反射手段保持基板
を同一直線上の２本の梁部材で回動可能に支持すること
を特徴とする光走査装置。 - 【請求項７】 請求項項１、２、３、４、５又は６に記
載の光走査装置において、反射手段保持基板の反射手段
側には、第２反射基板を配置したことを特徴とする光走
査装置。 - 【請求項８】 請求項項７に記載の光走査装置におい
て、第２反射基板は、反射手段に入反射するビームが通
過する開口部を備えることを特徴とする光走査装置。 - 【請求項９】 請求項項７又は８に記載の光走査装置に
おいて、第２反射基板は、第２固定電極を備えることを
特徴とする光走査装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の光走査装置におい
て、第２固定電極は、ねじり回動軸と平行で、上記ねじ
り回動軸を挟む対称な位置に配置されたことを特徴とす
る光走査装置。 - 【請求項１１】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９又は１０に記載の光走査装置において、可動電
極、固定電極又は第２固定電極の各駆動電圧は、駆動電
圧印加手段により、それぞれがずらしたタイミングで印
加されることを特徴とする光走査装置。 - 【請求項１２】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０又は１１に記載の光走査装置において、反
射手段保持基板は、減圧密閉手段により少なくとも回動
空間を減圧密閉することを特徴とする光走査装置。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の光走査装置におい
て、減圧密閉手段は、反射手段への入反射光が透過する
入反射光透過部を備えることを特徴とする光走査装置。 - 【請求項１４】 請求項１２又は１３に記載の光走査装
置において、減圧密閉手段は、可動電極、固定電極又は
第２固定電極を取り出す電極取り出し部を備えることを
特徴とする光走査装置。 - 【請求項１５】 静電力でねじり回動軸を回動して入射
光の反射方向を変えて光走査を行なう請求項１乃至１４
の何れか一項に記載の光走査装置の製造方法において、
基板の裏面側に薄膜で反射手段保持基板を形成した後、
上記基板の表面側に可動電極の対向面と上記反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に薄膜で固定電極を形成
して上記光走査装置を製造することを特徴とする光走査
装置の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の光走査装置の製造
方法において、基板を表面にエッチング用のマスクを貼
りつけて形成する基板形成工程と、フレームの形状にパ
ターニングするフレームパターニング工程と、上記フレ
ームの形状にエッチングするフレーム形成工程と、裏面
を反射手段保持基板とねじり回動軸の形状にパターニン
グする反射手段保持基板パターニング工程と、上記反射
手段保持基板と上記ねじり回動軸を薄膜で形成する反射
手段保持基板形成工程と、上記基板に絶縁膜を形成する
絶縁膜形成工程と、可動電極の対向面と上記反射手段保
持基板の厚み方向にずれた位置に薄膜で固定電極を形成
する固定電極形成工程と、コンタクトホールとミラー成
膜面を形成するコンタクトホールとミラー成膜面形成工
程と、上記反射手段を形成する反射手段形成工程と、か
らなることを特徴とする光走査装置の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１５又は１６に記載の光走査装
置の製造方法において、反射手段保持基板を形成したフ
レームに第２反射基板を形成して上記光走査装置を製造
することを特徴とする光走査装置の製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載の光走査装置の製造
方法において、第２反射基板は、基板に絶縁膜を形成す
る基板形成工程と、開口部を形成するパターニングをす
る開口部パターニング工程と、上記開口部を異方性エッ
チングで形成する開口部形成工程と、上記開口部に残る
上記絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、第２固定電極
をスパッタ法で形成する第２固定電極形成工程、基板に
スペーサを形成するスペーサ形成工程と、上記スペーサ
を介して上記基板をフレームに接着する接着工程とから
なることを特徴とする光走査装置の製造方法。 - 【請求項１９】 電子写真プロセスで光書き込みを行な
って画像を形成する画像形成装置において、回動可能に
保持されて形成画像を担持する画像担持体と、上記画像
担持体上を光書き込みを行なって潜像を形成する請求項
１乃至１４の何れか一項に記載の光走査装置からなる潜
像形成手段と、上記潜像形成手段の上記光走査装置によ
って形成された潜像を顕像化してトナー画像を形成する
現像手段と、上記現像手段で形成されたトナー画像を被
転写体に転写する転写手段とからなることを特徴とする
画像形成装置。 - 【請求項２０】 光走査を行なって読み取りを行なう読
取装置において、被読み取り面を光走査する請求項項１
乃至１４の何れか一項に記載の光走査装置と、上記光走
査装置が被読み取り面を光走査した反射光を受光する受
光素子とからなることを特徴とする読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001133712A JP2002328329A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001133712A JP2002328329A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002328329A true JP2002328329A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18981519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001133712A Pending JP2002328329A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002328329A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2033572A2 (en) | 2007-09-04 | 2009-03-11 | FUJIFILM Corporation | Optical scanning probe, optical scanning probe device and method for controlling the optical scanning probe |
| JP2009214231A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Ricoh Co Ltd | 振動素子、振動素子の製造方法、光走査装置及び画像形成装置 |
| WO2018216122A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 株式会社島津製作所 | 耐熱性反射鏡、ガス濃度モニタ及び耐熱性反射鏡の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001133712A patent/JP2002328329A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2033572A2 (en) | 2007-09-04 | 2009-03-11 | FUJIFILM Corporation | Optical scanning probe, optical scanning probe device and method for controlling the optical scanning probe |
| US7612330B2 (en) | 2007-09-04 | 2009-11-03 | Fujifilm Corporation | Optical scanning probe, optical scanning probe device and method for controlling the optical scanning probe |
| JP2009214231A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Ricoh Co Ltd | 振動素子、振動素子の製造方法、光走査装置及び画像形成装置 |
| WO2018216122A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 株式会社島津製作所 | 耐熱性反射鏡、ガス濃度モニタ及び耐熱性反射鏡の製造方法 |
| JPWO2018216122A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2020-01-16 | 株式会社島津製作所 | 耐熱性反射鏡、ガス濃度モニタ及び耐熱性反射鏡の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7190507B2 (en) | Deflection mirror, a deflection mirror manufacturing method, an optical writing apparatus, and an image formation apparatus | |
| US7148591B2 (en) | Oscillating device | |
| JP4092283B2 (ja) | ２次元光スキャナ及び光学装置 | |
| JP3065611B1 (ja) | マイクロミラ―装置およびその製造方法 | |
| JP2003172897A (ja) | 光走査装置とその製造方法、光書込装置、画像形成装置、振動ミラーチップとその製造方法、光走査モジュール | |
| US20030227538A1 (en) | Vibration mirror, optical scanning device, and image forming using the same, method for making the same, and method for scanning image | |
| JP2005128147A (ja) | 光偏向器及び光学装置 | |
| EP3276393A1 (en) | Light deflector, optical scanning device, image forming apparatus, image projection apparatus, and method for manufacturing the light deflector | |
| JP4151959B2 (ja) | 振動ミラー及びその製造方法、光書込装置、画像形成装置 | |
| JP2008070863A (ja) | 振動ミラー、光書込装置および画像形成装置 | |
| JP2004341364A (ja) | 振動ミラーとその製造方法、光走査モジュール、光書込装置、画像形成装置 | |
| JP2001311900A (ja) | 光走査装置 | |
| JP2002328329A (ja) | 光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置 | |
| JP2012163792A (ja) | 光走査素子及び画像表示装置 | |
| JP2002048998A (ja) | 光走査装置 | |
| JP5353761B2 (ja) | 光偏向器の製造方法 | |
| JP2006154315A (ja) | 静電櫛歯型揺動体装置、及びその作製方法 | |
| JP2003315724A (ja) | 振動ミラーとその製造方法、光走査装置、画像形成装置 | |
| JP2004198798A (ja) | 揺動体 | |
| JP2003241134A (ja) | 光走査装置、その製造方法、その光走査装置を具備する画像形成装置、及び読取装置 | |
| JP4409858B2 (ja) | 振動ミラー、光書込装置及び画像形成装置 | |
| JP2007171780A (ja) | 駆動素子及びその製造方法、並びに表示装置 | |
| JP2002267995A (ja) | 光走査装置 | |
| US8809200B2 (en) | Method of manufacturing a structure based on anisotropic etching, and silicon substrate with etching mask | |
| JP5171489B2 (ja) | 異方性エッチングによる構造体の作製方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 |