JP2002314455A - High frequency switch, hybrid high frequency component and mobile communication unit employing it - Google Patents
High frequency switch, hybrid high frequency component and mobile communication unit employing itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波スイッチ、
複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関
し、特に、３つの異なる通信システムに利用可能な高周
波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通
信装置に関する。The present invention relates to a high frequency switch,
The present invention relates to a composite high-frequency component and a mobile communication device using the same, and more particularly to a high-frequency switch, a composite high-frequency component and a mobile communication device using the same that can be used in three different communication systems.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、移動体通信装置として、複数の周
波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ(Dig
ital Cellular System)及びＰＣＳ(Personal Communica
tion Services)と９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ(Glo
bal System for Mobile communications)とで動作が可
能なトリプルバンド携帯電話器が提案されている。2. Description of the Related Art At present, as a mobile communication device, a DCS (Dig) using a plurality of frequency bands, for example, a 1.8 GHz band is used.
ital Cellular System) and PCS (Personal Communica)
Services) and GSM (Glo
bal System for Mobile communications) has been proposed.
【０００３】図６は、従来のトリプルバンド携帯電話器
のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接した
周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８Ｇ
Ｈｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳ、それらと周波数が異なる第
３の通信システムに９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとした場合
の一例を示したものである。FIG. 6 is a block diagram showing a front end portion of a conventional triple-band portable telephone, in which first and second communication systems having close frequencies have 1.8G.
An example is shown in which a DCS and a PCS in the Hz band and a GSM in the 900 MHz band are used in the third communication system having a different frequency from the DCS and the PCS.
【０００４】トリプルバンド携帯電話器のフロントエン
ド部は、アンテナ１、ダイプレクサ２、３ポートを備え
た第１乃至第３のスイッチ３〜５、第１及び第２のフィ
ルタ６，７を備える。ダイプレクサ２は、送信の際には
ＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭの送信信号を結合し、受
信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭに受信信号を
分配する役目を担う。第１の高周波スイッチ３は、ＤＣ
Ｓ及びＰＣＳの送信部側とＤＣＳ及びＰＣＳの受信部側
とを切り換え、第２の高周波スイッチ４は、ＤＣＳの受
信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側とを切り換え、
第３の高周波スイッチ５は、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と
受信部Ｒｘｇ側とを切り換える役目を担う。第１のフィ
ルタ６は、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を通過させ、２
次高調波及び３次高調波を減衰させ、第２のフィルタ７
は、ＧＳＭの送受信信号を通過させ、３次高調波を減衰
させる役目を担う。The front end of the triple-band portable telephone includes an antenna 1, a diplexer 2, first to third switches 3 to 5 having three ports, and first and second filters 6 and 7. The diplexer 2 has a role of combining a transmission signal of DCS, PCS or GSM at the time of transmission, and distributing a reception signal to DCS, PCS or GSM at the time of reception. The first high-frequency switch 3 has a DC
The second high-frequency switch 4 switches between the transmitting unit side of the S and PCS and the receiving unit side of the DCS and the PCS, and switches between the receiving unit Rxd side of the DCS and the receiving unit Rxp side of the PCS,
The third high-frequency switch 5 has a role of switching between the GSM transmitting unit Txg side and the receiving unit Rxg side. The first filter 6 allows transmission and reception signals of DCS and PCS to pass,
The second and third harmonics are attenuated and the second filter 7
Plays a role of passing GSM transmission / reception signals and attenuating third harmonics.
【０００５】ここで、トリプルバンド携帯電話器の動作
について、まず、ＤＣＳの場合を説明する。送信の際に
は、第１の高周波スイッチ３にてＰＣＳと共通の送信部
Ｔｘｄｐを接続して送信部Ｔｘｄｐからの送信信号を第
１のフィルタ６に送り、第１のフィルタ６を通過した送
信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信
する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号
をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号
をＤＣＳ、ＰＣＳ側の第１のフィルタ６に送り、第１の
高周波スイッチ３にて受信部側をオンにして第１のフィ
ルタ６を通過した受信信号を第２の高周波スイッチ４に
送り、第２の高周波スイッチ４にてＤＣＳの受信部Ｒｘ
ｄを接続して第２の高周波スイッチ４を通過した受信信
号をＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＰＣＳを用い
る場合にも同様の動作にて送受信される。[0005] Here, the operation of the triple band portable telephone will be described first in the case of DCS. At the time of transmission, the PCS and the common transmission unit Txdp are connected by the first high-frequency switch 3, the transmission signal from the transmission unit Txdp is transmitted to the first filter 6, and the transmission having passed through the first filter 6 The signals are multiplexed by the diplexer 2 and transmitted from the antenna 1. At the time of reception, the received signal received from the antenna 1 is split by the diplexer 2, the received signal from the antenna 1 is sent to the first filter 6 on the DCS and PCS side, and received by the first high-frequency switch 3. The receiving part that has passed through the first filter 6 with the unit turned on is sent to the second high-frequency switch 4 and the second high-frequency switch 4 receives the DCS receiving unit Rx.
d, and sends the received signal that has passed through the second high-frequency switch 4 to the DCS receiving unit Rxd. It should be noted that transmission and reception are performed by the same operation when the PCS is used.
【０００６】続いて、ＧＳＭの場合を説明する。送信の
際には、第３の高周波スイッチ５にて送信部Ｔｘｇを接
続して送信部Ｔｘｇからの送信信号を第２のフィルタ７
に送り、第２のフィルタ７を通過した送信信号をダイプ
レクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の際
には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ
２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＧＳＭ側の第
２のフィルタ７に送り、第３の高周波スイッチ５にて受
信部Ｒｘｇを接続して第２のフィルタ７を通過した受信
信号を受信部Ｒｘｇに送る。Next, the case of GSM will be described. At the time of transmission, the transmission unit Txg is connected by the third high-frequency switch 5 to transmit the transmission signal from the transmission unit Txg to the second filter 7.
And the transmission signal that has passed through the second filter 7 is multiplexed by the diplexer 2 and transmitted from the antenna 1. At the time of reception, the received signal received from the antenna 1 is split by the diplexer 2, the received signal from the antenna 1 is sent to the second filter 7 on the GSM side, and the receiving unit Rxg And sends the reception signal passing through the second filter 7 to the reception unit Rxg.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の移動体通信装置の１つであるトリプルバンド携帯電話
器によれば、近接した周波数を備える第１及び第２の通
信システム側で２つの高周波スイッチを備えているた
め、受信部に２つの高周波スイッチの挿入損失が発生
し、挿入損失が大きくなるという問題があった。However, according to the triple-band portable telephone, which is one of the above-mentioned conventional mobile communication devices, the first and second communication systems having close frequencies use two different communication systems. Since the high-frequency switch is provided, there is a problem that the insertion loss of the two high-frequency switches occurs in the receiving unit, and the insertion loss increases.
【０００８】また、高周波スイッチの占有面積が大きく
なり、回路基板が大型化し、その結果、トリプルバンド
携帯電話器（移動体通信装置）が大型化するという問題
もあった。Further, there is another problem that the area occupied by the high-frequency switch becomes large, the circuit board becomes large, and as a result, the triple-band portable telephone (mobile communication device) becomes large.
【０００９】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、挿入損失を低減し、かつ回路
の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動
体通信装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a composite high-frequency component capable of reducing insertion loss and miniaturizing a circuit, and a mobile communication device using the same. The purpose is to provide.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の高周波スイッチは、アンテナに接続され
る第１のポート、送信部に接続される第２のポート、第
１の受信部に接続される第３のポート、第２の受信部に
接続される第４のポート、及び制御端子を備え、前記第
１のポートと前記第２のポートの間には、ダイオードが
接続され、前記第１のポートと前記第３のポートの間に
は、インダクタが接続され、前記インダクタの前記第３
のポート側の一端とアースの間には、別のダイオードが
接続されており、前記第１のポートと前記第４のポート
の間には、さらに別のダイオードが接続されており、前
記制御端子に印加される電圧を制御することにより、前
記第１のポートを前記第２乃至第４のポートのいずれか
に切り換えることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a high-frequency switch according to the present invention comprises a first port connected to an antenna, a second port connected to a transmitting section, and a first receiving section. A third port connected to the second receiver, a fourth port connected to the second receiver, and a control terminal, a diode is connected between the first port and the second port, An inductor is connected between the first port and the third port, and the third port of the inductor is connected to the third port.
Another diode is connected between one end on the port side of the port and ground, and another diode is connected between the first port and the fourth port, and the control terminal The first port is switched to one of the second to fourth ports by controlling a voltage applied to the first port.
【００１１】また、本発明の複合高周波部品は、本発明
の高周波スイッチの第１のポートまたは第２のポートの
いずれかに、フィルタを接続したことを特徴とする。Further, a composite high-frequency component according to the present invention is characterized in that a filter is connected to either the first port or the second port of the high-frequency switch according to the present invention.
【００１２】また、本発明の複合高周波部品は、ダイプ
レクサをさらに備え、前記高周波スイッチ、前記フィル
タ、及び前記ダイプレクサが複数のシート層を積層して
なるセラミック多層基板に一体化されることを特徴とす
る。Further, the composite high-frequency component of the present invention further comprises a diplexer, wherein the high-frequency switch, the filter, and the diplexer are integrated with a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of sheet layers. I do.
【００１３】本発明の移動体通信装置は、上記に記載の
高周波スイッチ、または複合高周波部品を用いたことを
特徴とする。A mobile communication device according to the present invention is characterized by using the high-frequency switch or the composite high-frequency component described above.
【００１４】本発明の複合高周波部品によれば、４ポー
トを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する第
２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成し
ているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通
信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを備
え、その結果、受信部の挿入損失を低減することが可能
となる。According to the composite high-frequency component of the present invention, since it is composed of the two high-frequency switches of the first high-frequency switch having four ports and the second high-frequency switch having three ports, the components have frequencies close to each other. Only the first high-frequency switch is provided in the reception path of the first and second communication systems, and as a result, the insertion loss of the reception unit can be reduced.
【００１５】本発明の移動体通信装置によれば、受信部
の挿入損失を低減する複合高周波部品を用いるため、３
つの通信システムに対応したフロントエンド部の特性を
向上させることができる。According to the mobile communication device of the present invention, since the composite high-frequency component for reducing the insertion loss of the receiving unit is used, 3
The characteristics of the front end unit corresponding to one communication system can be improved.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の高周波スイッチ及び
複合高周波部品の第１の実施例の回路図である。第１乃
至第３の通信システムであるＤＣＳ（１．８ＧＨｚ
帯）、ＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＧＳＭ（９００ＭＨ
ｚ帯）に対応したフロントエンド部の一部を構成する複
合高周波部品１０は、ダイプレクサ１１、４ポートを有
する第１の高周波スイッチ１２、３ポートを有する第２
の高周波スイッチ１３、第１及び第２のフィルタ１４，
１５からなる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the high-frequency switch and the composite high-frequency component of the present invention. DCS (1.8 GHz) which is the first to third communication systems
Band), PCS (1.8 GHz band), GSM (900 MHZ)
A composite high-frequency component 10 constituting a part of the front end portion corresponding to the z-band) includes a diplexer 11, a first high-frequency switch 12 having four ports, and a second high-frequency switch 12 having three ports.
High frequency switch 13, first and second filters 14,
It consists of fifteen.
【００１７】そして、ダイプレクサ１１の第１のポート
Ｐ１１にはアンテナ１が、第２のポートＰ１２には第１
のフィルタ１４の第１のポートＰ４１が、第３のポート
Ｐ１３には第２のフィルタ１５の第１のポートＰ５１が
それぞれ接続される。The antenna 1 is connected to the first port P11 of the diplexer 11, and the first port P12 is connected to the first port P12.
The first port P41 of the filter 14 is connected to the third port P13, and the first port P51 of the second filter 15 is connected to the third port P13.
【００１８】また、第１のフィルタ１４の第２のポート
Ｐ４２には第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ
２１が接続され、第１の高周波スイッチ１２の第２のポ
ートＰ２２にはＤＣＳとＰＣＳとの共通の送信部Ｔｘｄ
ｐが、第３のポートＰ２３にはＤＣＳの受信部Ｒｘｄ
が、第４のポートＰ２４にはＰＣＳの受信部Ｒｘｐがそ
れぞれ接続される。The first port P42 of the first high-frequency switch 12 is connected to the second port P42 of the first filter 14.
21 is connected to the second port P22 of the first high-frequency switch 12, and a common transmission unit Txd of DCS and PCS
p is the DCS receiving unit Rxd
However, the receiving unit Rxp of the PCS is connected to the fourth port P24.
【００１９】さらに、第２のフィルタ１５の第２のポー
トＰ５２には第２の高周波スイッチ１３の第１のポート
Ｐ３１が接続され、第２の高周波スイッチ１３の第２の
ポートＰ３２にはＧＳＭの送信部Ｔｘｇが、第３のポー
トＰ３３にはＧＳＭの受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続され
る。Further, the first port P31 of the second high-frequency switch 13 is connected to the second port P52 of the second filter 15, and the GSM port is connected to the second port P32 of the second high-frequency switch 13. The transmitting unit Txg is connected to the third port P33, and the GSM receiving unit Rxg is connected to the third port P33.
【００２０】ダイプレクサ１１は、第１のインダクタン
ス素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第
１のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１
〜Ｃ１５で構成される。The diplexer 11 includes first inductors L11 and L12, which are first inductance elements, and a first capacitor C11, which is a first capacitance element.
To C15.
【００２１】そして、第１のポートＰ１１と第２のポー
トＰ１２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直
列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１
及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。The first capacitors C11 and C12 are connected in series between the first port P11 and the second port P12, and their connection point is connected to the first inductor L11.
And via a first capacitor C13.
【００２２】また、第１のポートＰ１１と第３のポート
Ｐ１３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデ
ンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回
路の第３のポートＰ１３側が第１のコンデンサＣ１５を
介して接地される。A parallel circuit including a first inductor L12 and a first capacitor C14 is connected between the first port P11 and the third port P13, and the third port P13 side of the parallel circuit is connected to the third port P13. Grounded via a first capacitor C15.
【００２３】第１の高周波スイッチ１２は、第１のスイ
ッチング素子である第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、
第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２
１〜Ｌ２５、及び第２のキャパシタンス素子である第２
のコンデンサＣ２１〜Ｃ２５で構成される。The first high-frequency switch 12 includes first diodes D11 to D13, which are first switching elements,
A second inductor L2 which is a second inductance element
1 to L25 and a second capacitance element,
Of capacitors C21 to C25.
【００２４】そして、第１のポートＰ２１と第２のポー
トＰ２２との間にカソードが第１のポートＰ２１側にな
るように第１のダイオードＤ１１が接続され、第１のダ
イオードＤ１１には第２のインダクタＬ２１と第２のコ
ンデンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続され
る。A first diode D11 is connected between the first port P21 and the second port P22 such that the cathode is on the first port P21 side, and the second diode D11 is connected to the first diode D11. A series circuit composed of the inductor L21 and the second capacitor C21 is connected in parallel.
【００２５】また、第１のダイオードＤ１１の第２のポ
ートＰ２２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ
２２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第
２のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接
続点には第１の制御端子Ｖｃ１が設けられる。Further, the first diode D11 is connected to the second port P22, that is, the anode is connected to the second inductor L2.
22 and the second capacitor C22, and a first control terminal Vc1 is provided at a connection point between the second inductor L22 and the second capacitor C22.
【００２６】さらに、第１のポートＰ２１と第３のポー
トＰ２３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、
第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ２３側は第１
のダイオードＤ１２及び第２のコンデンサＣ２３を介し
て接地され、第１のダイオードＤ１２のカソードと第２
のコンデンサＣ２３との接続点には第２の制御端子Ｖｃ
２が設けられる。Further, a second inductor L23 is connected between the first port P21 and the third port P23,
The third port P23 side of the second inductor L23 is the first port.
Grounded via the diode D12 and the second capacitor C23, and the cathode of the first diode D12 and the second
Is connected to the second control terminal Vc
2 are provided.
【００２７】また、第１のポートＰ２１と第４のポート
Ｐ２４との間に第２のインダクタＬ２４が接続され、第
２のインダクタＬ２４の第４のポートＰ２４側は第１の
ダイオードＤ１３及び第２のコンデンサＣ２４を介して
接地され、第１のダイオードＤ１３のカソードと第２の
コンデンサＣ２４との接続点には第３の制御端子Ｖｃ３
が設けられる。The second inductor L24 is connected between the first port P21 and the fourth port P24, and the second inductor L24 has a first diode D13 and a second diode L13 connected to the fourth port P24. And a third control terminal Vc3 at the connection point between the cathode of the first diode D13 and the second capacitor C24.
Is provided.
【００２８】さらに、第１のポートＰ２１は第２のイン
ダクタＬ２５及び第２のコンデンサＣ２５を介して接地
され、第２のインダクタＬ２５と第２のコンデンサＣ２
５との接続点は、抵抗Ｒを介して接地される。Further, the first port P21 is grounded via a second inductor L25 and a second capacitor C25, and the second inductor L25 and the second capacitor C2
5 is grounded via a resistor R.
【００２９】第２の高周波スイッチ１３は、第２のスイ
ッチング素子である第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、
第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３
１〜Ｌ３３、及び第３のキャパシタンス素子である第３
のコンデンサＣ３１〜Ｃ３３で構成される。The second high-frequency switch 13 includes second diodes D21 and D22, which are second switching elements.
Third inductor L3, which is a third inductance element
1 to L33 and a third capacitance element,
Of capacitors C31 to C33.
【００３０】そして、第１のポートＰ３１と第２のポー
トＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側にな
るように第２のダイオードＤ２１が接続され、第２のダ
イオードＤ２１には第３のインダクタＬ３１と第３のコ
ンデンサＣ３１とからなる直列回路が並列に接続され
る。A second diode D21 is connected between the first port P31 and the second port P32 such that the cathode is on the first port P31 side, and a third diode D21 is connected to the second diode D21. Is connected in parallel with a series circuit composed of the inductor L31 and the third capacitor C31.
【００３１】また、第２のダイオードＤ２１の第２のポ
ートＰ３２側、すなわちアノードは第３のインダクタＬ
３２及び第３のコンデンサＣ３２を介して接地され、第
３のインダクタＬ３２と第３のコンデンサＣ３２との接
続点には第４の制御端子Ｖｃ４が設けられる。The second diode D21 has a third inductor L connected to the second port P32 side, that is, an anode.
32, and a third control terminal Vc4 is provided at a connection point between the third inductor L32 and the third capacitor C32.
【００３２】さらに、第１のポートＰ３１と第３のポー
トＰ３３との間に第３のインダクタＬ３３が接続され、
第３のインダクタＬ３３の第３のポートＰ３３側は第２
のダイオードＤ２２及び第３のコンデンサＣ３３を介し
て接地され、第２のダイオードＤ２２のカソードと第３
のコンデンサＣ３３との接続点には第５の制御端子Ｖｃ
５が設けられる。Further, a third inductor L33 is connected between the first port P31 and the third port P33,
The third port P33 side of the third inductor L33 is the second port
Of the second diode D22 and the third capacitor C33.
A fifth control terminal Vc
5 are provided.
【００３３】第１のフィルタ１４は、第４のインダクタ
ンス素子である第４のインダクタＬ４１、及び第４のキ
ャパシタンス素子である第４のコンデンサＣ４１，Ｃ４
２で構成される。The first filter 14 includes a fourth inductor L41, which is a fourth inductance element, and fourth capacitors C41, C4, which are fourth capacitance elements.
It consists of two.
【００３４】そして、第１のポートＰ４１と第２のポー
トＰ４２との間に第４のインダクタＬ４１が直列接続さ
れ、第４のインダクタＬ４１には第４のコンデンサＣ４
１が並列に接続される。また、第４のインダクタＬ４１
の第２のポートＰ４２側は第４のコンデンサＣ４２を介
して接地される。A fourth inductor L41 is connected in series between the first port P41 and the second port P42, and a fourth capacitor C4 is connected to the fourth inductor L41.
1 are connected in parallel. Also, the fourth inductor L41
Of the second port P42 is grounded via a fourth capacitor C42.
【００３５】第２のフィルタ１５は、第５のインダクタ
ンス素子である第５のインダクタＬ５１、及び第５のキ
ャパシタンス素子である第５のコンデンサＣ５１，Ｃ５
２で構成される。The second filter 15 includes a fifth inductor L51 as a fifth inductance element and fifth capacitors C51 and C5 as fifth capacitance elements.
It consists of two.
【００３６】そして、第１のポートＰ５１と第２のポー
トＰ５２との間に第５のインダクタＬ５１が直列接続さ
れ、第５のインダクタＬ５１には第５のコンデンサＣ５
１が並列に接続される。また、第５のインダクタＬ５１
の第２のポートＰ５２側は第５のコンデンサＣ５２を介
して接地される。Then, a fifth inductor L51 is connected in series between the first port P51 and the second port P52, and a fifth capacitor C5 is connected to the fifth inductor L51.
1 are connected in parallel. Also, the fifth inductor L51
The second port P52 is grounded via a fifth capacitor C52.
【００３７】図２は、図１の回路構成を有する複合高周
波部品の要部分解斜視図である。複合高周波部品１０
は、セラミック多層基板１６を含み、セラミック多層基
板１６には、図示していないが、ダイプレクサ１１を構
成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデ
ンサＣ１１〜Ｃ１５、第１の高周波スイッチ１２の第２
のインダクタＬ２１，Ｌ２３〜Ｌ２５、第２のコンデン
サＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２５、第２の高周波スイッチ１３
の第３のインダクタＬ３１，Ｌ３３、第３のコンデンサ
Ｃ３１，Ｃ３２、第１のフィルタ１４を構成する第４の
インダクタＬ４１、第４のコンデンサＣ４１，Ｃ４２、
第２のフィルタ１５を構成する第５のインダクタＬ５
１、第５のコンデンサＣ５１，Ｃ５２がそれぞれ内蔵さ
れる。FIG. 2 is an exploded perspective view of a main part of the composite high-frequency component having the circuit configuration of FIG. Composite high-frequency component 10
Includes a ceramic multilayer substrate 16, which is not shown, but includes first inductors L <b> 11, L <b> 12, first capacitors C <b> 11 to C <b> 15, and a first high-frequency switch 12 which constitute the diplexer 11. Second
L21, L23 to L25, second capacitors C21, C22, C25, second high-frequency switch 13
, The third inductors L31 and L33, the third capacitors C31 and C32, the fourth inductor L41 configuring the first filter 14, the fourth capacitors C41 and C42,
Fifth inductor L5 constituting second filter 15
First and fifth capacitors C51 and C52 are respectively incorporated.
【００３８】また、セラミック多層基板１６の表面に
は、チップ部品からなる第１の高周波スイッチ１２を構
成する第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、第２のインダ
クタＬ２２、第２のコンデンサＣ２３，Ｃ２４、第２の
高周波スイッチ１３を構成する第２のダイオードＤ２
１，Ｄ２２、第３のインダクタＬ３２、第３のコンデン
サＣ３３がそれぞれ搭載される。On the surface of the ceramic multilayer substrate 16, the first diodes D11 to D13, the second inductor L22, the second capacitors C23, C24, Second diode D2 constituting the second high-frequency switch 13
1, D22, a third inductor L32, and a third capacitor C33 are respectively mounted.
【００３９】さらに、セラミック多層基板１６の側面か
ら底面に架けて、１２個の外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリ
ーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子
Ｔａ〜Ｔｌのうち、５個の外部端子Ｔａ〜Ｔｅはセラミ
ック多層基板１１の一方長辺側、５個の外部端子Ｔｇ〜
Ｔｋはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２
個の外部端子Ｔｆ，Ｔｌはセラミック多層基板１１の相
対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより
形成される。Further, twelve external terminals Ta to Tl are formed on the ceramic multilayer substrate 16 from the side surface to the bottom surface by screen printing or the like. Of these external terminals Ta to Tl, five external terminals Ta to Te are on one long side of the ceramic multilayer substrate 11 and five external terminals Tg to Tg.
Tk is the other long side of the ceramic multilayer substrate 11 and the remaining 2
The external terminals Tf and Tl are formed on the respective opposite short sides of the ceramic multilayer substrate 11 by screen printing or the like.
【００４０】そして、外部端子Ｔａ〜Ｔｌは、それぞ
れ、ダイプレクサ１１のポートＰ１１、第１及び第２の
高周波スイッチ１２，１３の第２及び第３のポートＰ２
２，Ｐ２３，Ｐ３２，Ｐ３３、第１及び第２の高周波ス
イッチ１２，１３の第１〜第５の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ
２，Ｖｃ３，Ｖｃ４，Ｖｃ５、並びにグランド用の端子
となる。The external terminals Ta to Tl are connected to the port P11 of the diplexer 11 and the second and third ports P2 of the first and second high-frequency switches 12 and 13, respectively.
2, P23, P32, P33, first to fifth control terminals Vc1, Vc of the first and second high-frequency switches 12, 13
2, Vc3, Vc4, Vc5, and ground terminals.
【００４１】また、セラミック多層基板１６上には、セ
ラミック多層基板１６の表面を覆うように金属キャップ
１７が被せられる。この際、金属キャップ１７と、ラミ
ック多層基板１６の相対する短辺のそれぞれの側に設け
られるグランド用の端子となる外部端子Ｔｆ，Ｔｌとは
接続される。A metal cap 17 is put on the ceramic multilayer substrate 16 so as to cover the surface of the ceramic multilayer substrate 16. At this time, the metal cap 17 is connected to the external terminals Tf and Tl serving as ground terminals provided on each of the opposite short sides of the laminated multilayer substrate 16.
【００４２】ここで、図１の回路構成を有する複合高周
波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳある
いはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場
合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御
端子Ｖｃ１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖを、
第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖをそれぞれ印加して第１の
高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第２のポー
トＰ２２とを接続することにより、ＤＣＳあるいはＰＣ
Ｓの送信信号が第１の高周波スイッチ１２、第１のフィ
ルタ１４及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１か
ら送信される。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳ、
ＰＣＳの送信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調
波を減衰させている。Here, the operation of the composite high frequency component 10 having the circuit configuration of FIG. 1 will be described. First, when transmitting a DCS or PCS (1.8 GHz band) transmission signal, the first high-frequency switch 12 applies 1 V to the first control terminal Vc1 and 1 V to the second control terminal Vc2.
By applying 1 V to the third control terminal Vc3 to connect the first port P21 and the second port P22 of the first high-frequency switch 12, DCS or PC
The transmission signal of S passes through the first high-frequency switch 12, the first filter 14, and the diplexer 11, and is transmitted from the antenna 1. At this time, the first filter 14 is DCS,
The transmission signal of the PCS is passed to attenuate the second harmonic and the third harmonic.
【００４３】なお、第２の高周波スイッチ１３において
第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５
に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３を
遮断している。In the second high-frequency switch 13, 0 V is applied to the fourth control terminal Vc4, and the fifth control terminal Vc5
1 V is applied to the second high-frequency switch 13 to shut off the second high-frequency switch 13.
【００４４】次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信
信号を送信する場合には、第２の高周波スイッチ１３に
おいて第４の制御端子Ｖｃ４に１Ｖを、第５の制御端子
Ｖｃ５に０Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ
１３の第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２とを接
続することにより、ＧＳＭの送信信号が第２の高周波ス
イッチ１３、第２のフィルタ１５及びダイプレクサ１１
を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第２の
フィルタ１５はＧＳＭの送信信号を通過させ、３次高調
波を減衰させている。Next, when transmitting a GSM (900 MHz band) transmission signal, the second high-frequency switch 13 applies 1 V to the fourth control terminal Vc 4 and 0 V to the fifth control terminal Vc 5. By connecting the first port P31 and the second port P32 of the second high-frequency switch 13, the GSM transmission signal is transmitted to the second high-frequency switch 13, the second filter 15, and the diplexer 11.
And transmitted from the antenna 1. At this time, the second filter 15 passes the GSM transmission signal and attenuates the third harmonic.
【００４５】なお、第１の高周波スイッチ１２において
第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２
に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加
して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。In the first high-frequency switch 12, 0 V is applied to the first control terminal Vc1 and the second control terminal Vc2 is applied.
, And 0 V to the third control terminal Vc3 to shut off the first high-frequency switch 12.
【００４６】次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合
には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端
子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖを、第
３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高
周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第３のポート
Ｐ２３とを接続することにより、アンテナ１から受信さ
れたＤＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィ
ルタ１４、及び第１の高周波スイッチ１２を通過し、Ｄ
ＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。この際、第１のフィル
タ１４はＤＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び
３次高調波を減衰させている。Next, when receiving the DCS reception signal, the first high-frequency switch 12 applies 0 V to the first control terminal Vc1, 0 V to the second control terminal Vc2, and 0 V to the third control terminal Vc3. By applying a voltage of 1 V to connect the first port P21 and the third port P23 of the first high-frequency switch 12, the DCS reception signal received from the antenna 1 is converted to the diplexer 11, the first filter 14 , And the first high-frequency switch 12 and D
It is sent to the receiving unit Rxd of the CS. At this time, the first filter 14 passes the DCS reception signal and attenuates the second harmonic and the third harmonic.
【００４７】なお、第２の高周波スイッチ１３において
第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５
に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１４を
遮断している。In the second high-frequency switch 13, 0 V is applied to the fourth control terminal Vc4, and the fifth control terminal Vc5
1 V is applied to the second high-frequency switch 14 to shut off the second high-frequency switch 14.
【００４８】次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合
には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端
子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖを、第
３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高
周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第４のポート
Ｐ２４とを接続することにより、アンテナ１から受信さ
れたＰＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィ
ルタ１４、第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＰＣＳ
の受信部Ｒｘｐに送られる。この際、第１のフィルタ１
４はＰＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次
高調波を減衰させている。Next, when receiving the received signal of the PCS, in the first high-frequency switch 12, 0V is applied to the first control terminal Vc1, 1V is applied to the second control terminal Vc2, and 3V is applied to the third control terminal Vc3. By applying a voltage of 0 V to each of the first port P21 and the fourth port P24 of the first high-frequency switch 12, the PCS reception signal received from the antenna 1 is converted to the diplexer 11, the first filter 14 Through the first high-frequency switch 12 and the PCS
To the receiving unit Rxp. At this time, the first filter 1
Numeral 4 passes the PCS reception signal and attenuates the second and third harmonics.
【００４９】なお、第２の高周波スイッチ１３において
第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５
に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３を
遮断している。In the second high-frequency switch 13, 0 V is applied to the fourth control terminal Vc4, and the fifth control terminal Vc5
1 V is applied to the second high-frequency switch 13 to shut off the second high-frequency switch 13.
【００５０】次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合
には、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端
子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれ
ぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポート
Ｐ３１と第３のポートＰ３３とを接続することにより、
アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信号がダイプレ
クサ１１、第２のフィルタ１５、及び第２の高周波スイ
ッチ１３を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇに送られる。
この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの受信信号を通過
させ、３次高調波を減衰させている。Next, when receiving a GSM reception signal, the second high-frequency switch 13 applies 0 V to the fourth control terminal Vc 4 and 1 V to the fifth control terminal Vc 5 to apply the second high-frequency switch 13. By connecting the first port P31 and the third port P33 of the switch 13,
The GSM reception signal received from the antenna 1 passes through the diplexer 11, the second filter 15, and the second high-frequency switch 13, and is sent to the GSM reception unit Rxg.
At this time, the second filter 15 passes the GSM reception signal and attenuates the third harmonic.
【００５１】なお、第１の高周波スイッチ１２において
第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２
に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加
して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。In the first high-frequency switch 12, 0 V is applied to the first control terminal Vc1 and the second control terminal Vc2 is applied to the first high-frequency switch 12.
, And 0 V to the third control terminal Vc3 to shut off the first high-frequency switch 12.
【００５２】上述の第１の実施例の複合高周波部品によ
れば、４ポートを有する第１の高周波スイッチと３ポー
トを有する第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイ
ッチで構成しているため、近接した周波数を備える第１
及び第２の通信システムの受信経路に第１の高周波スイ
ッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減さ
せることが可能となる。According to the composite high-frequency component of the first embodiment, since it is composed of two high-frequency switches, that is, the first high-frequency switch having four ports and the second high-frequency switch having three ports, 1st with close frequency
In addition, only the first high-frequency switch is provided in the reception path of the second communication system, and as a result, the insertion loss of the reception unit can be reduced.
【００５３】また、複合高周波部品をなす２つの高周波
スイッチを５つのダイオードで構成することができるた
め、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現する
ことができる。Further, since the two high-frequency switches forming the composite high-frequency component can be constituted by five diodes, the size and cost of the composite high-frequency component can be reduced.
【００５４】さらに、第１の高周波スイッチのオン・オ
フを第１乃至第３の制御電源、第２の高周波スイッチの
オン・オフを第４及び第５の制御電源で制御しているた
め、近接した周波数を備えるＤＣＳ、ＰＣＳの送信時に
は、４ポートを有する第１の高周波スイッチを構成する
３つのダイオードが全てオンになり、その結果、複合高
周波部品の高調波歪みを低減させることができる。Further, the on / off of the first high-frequency switch is controlled by the first to third control power supplies, and the on / off of the second high-frequency switch is controlled by the fourth and fifth control power supplies. When transmitting DCS and PCS having the set frequencies, all three diodes constituting the first high-frequency switch having four ports are turned on, and as a result, harmonic distortion of the composite high-frequency component can be reduced.
【００５５】また、複合高周波部品をなすダイプレク
サ、第１及び第２の高周波スイッチ、並びに第１及び第
２のフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層
を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、
それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソ
レーション特性を確保することができ、それに伴い、ダ
イプレクサと第１及び第２の高周波スイッチとの間の整
合回路が不要となる。Further, the diplexer, the first and second high-frequency switches, and the first and second filters constituting the composite high-frequency component are integrated into a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic sheet layers. For,
The matching characteristic, attenuation characteristic, or isolation characteristic of each component can be ensured, and accordingly, a matching circuit between the diplexer and the first and second high-frequency switches becomes unnecessary.
【００５６】したがって、複合高周波部品の小型化が可
能となる。ちなみに、ダイプレクサ、第１及び第２の高
周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを６．３
ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大きさのセラミック多層基板に
一体化することが可能となった。Therefore, the size of the composite high-frequency component can be reduced. Incidentally, the diplexer, the first and second high-frequency switches, and the first and second filters are 6.3.
It has become possible to integrate it into a ceramic multilayer substrate having a size of 5 mm × 5 mm × 2 mm.
【００５７】さらに、ダイプレクサが、第１のインダク
タ、第１のコンデンサで構成され、第１の高周波スイッ
チが、第１のダイオード、第２のインダクタ、第２のコ
ンデンサで構成され、第２の高周波スイッチが、第２の
ダイオード、第３のインダクタ、第３のコンデンサで構
成され、第１のフィルタが、第４のインダクタ、第４の
コンデンサで構成され、第２のフィルタが、第５のイン
ダクタ、第５のコンデンサで構成されるとともに、それ
らがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セ
ラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって
接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多
層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品
間の配線による損失を改善することができ、その結果、
複合高周波部品全体の損失を改善することが可能とな
る。Further, the diplexer includes a first inductor and a first capacitor, the first high-frequency switch includes a first diode, a second inductor, and a second capacitor, and a second high-frequency switch. The switch is composed of a second diode, a third inductor, and a third capacitor, the first filter is composed of a fourth inductor, a fourth capacitor, and the second filter is a fifth inductor. , And the fifth capacitor, which are built in or mounted on the ceramic multilayer substrate and are connected by connection means formed inside the ceramic multilayer substrate. It can be configured and downsized. In addition, the loss due to wiring between components can be improved, and as a result,
It is possible to improve the loss of the entire composite high-frequency component.
【００５８】また、波長短縮効果により、第１〜第５の
インダクタとなるストリップライン電極の長さを短縮す
ることができるため、これらのストリップライン電極の
挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高
周波部品の小型化及び低損失化を実現することができ
る。Further, since the length of the strip line electrodes serving as the first to fifth inductors can be reduced by the wavelength shortening effect, the insertion loss of these strip line electrodes can be improved. As a result, it is possible to reduce the size and the loss of the composite high-frequency component.
【００５９】図３は、本発明の高周波スイッチ及び複合
高周波部品の第２の実施例の回路図である。複合高周波
部品２０は、ダイプレクサ１１、第１及び第２の高周波
スイッチ１２，１３、第１及び第２のフィルタ１４，１
５からなる。FIG. 3 is a circuit diagram of a high-frequency switch and a composite high-frequency component according to a second embodiment of the present invention. The composite high-frequency component 20 includes a diplexer 11, first and second high-frequency switches 12, 13, first and second filters 14, 1.
Consists of five.
【００６０】このうち、ダイプレクサ１１、第１及び第
２のフィルタ１４，１５の構成は、図１の第１の実施例
の複合高周波部品１０と同じであり、詳細な説明は省略
する。The configuration of the diplexer 11, the first and second filters 14, 15 is the same as that of the composite high-frequency component 10 of the first embodiment shown in FIG. 1, and a detailed description is omitted.
【００６１】第１の高周波スイッチ１２は、第１のスイ
ッチング素子である第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、
第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２
１〜Ｌ２５、及び第２のキャパシタンス素子である第２
のコンデンサＣ２１〜Ｃ２５で構成される。The first high-frequency switch 12 includes first diodes D11 to D13, which are first switching elements,
A second inductor L2 which is a second inductance element
1 to L25 and a second capacitance element,
Of capacitors C21 to C25.
【００６２】そして、第１のポートＰ２１と第２のポー
トＰ２２との間にカソードが第１のポートＰ２１側にな
るように第１のダイオードＤ１１が接続され、第１のダ
イオードＤ１１には第２のインダクタＬ２１と第２のコ
ンデンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続され
る。The first diode D11 is connected between the first port P21 and the second port P22 such that the cathode is on the first port P21 side, and the second diode D11 is connected to the first diode D11. A series circuit composed of the inductor L21 and the second capacitor C21 is connected in parallel.
【００６３】また、第１のダイオードＤ１１の第２のポ
ートＰ２２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ
２２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第
２のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接
続点には第１の制御端子Ｖｃ１が設けられる。The first diode D11 is connected to the second port P22, that is, the anode is connected to the second inductor L11.
22 and the second capacitor C22, and a first control terminal Vc1 is provided at a connection point between the second inductor L22 and the second capacitor C22.
【００６４】さらに、第１のポートＰ２１と第３のポー
トＰ２３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、
第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ２３側は第１
のダイオードＤ１２及び第２のコンデンサＣ２３を介し
て接地され、第１のダイオードＤ１２のカソードと第２
のコンデンサＣ２３との接続点は抵抗Ｒを介して接地さ
れる。Further, a second inductor L23 is connected between the first port P21 and the third port P23,
The third port P23 side of the second inductor L23 is the first port.
Grounded via the diode D12 and the second capacitor C23, and the cathode of the first diode D12 and the second
Is connected to the capacitor C23 via a resistor R.
【００６５】また、第１のポートＰ２１と第４のポート
Ｐ２４との間にカソードが第１のポートＰ２１側になる
ように第１のダイオードＤ１３が接続され、第１のダイ
オードＤ１３には第２のインダクタＬ２４と第２のコン
デンサＣ２４とからなる直列回路が並列に接続される。Further, a first diode D13 is connected between the first port P21 and the fourth port P24 such that the cathode is on the first port P21 side, and the second diode D13 is connected to the first diode D13. Is connected in parallel with a series circuit including the inductor L24 and the second capacitor C24.
【００６６】また、第１のダイオードＤ１３の第４のポ
ートＰ２４側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ
２５及び第２のコンデンサＣ２５を介して接地され、第
２のインダクタＬ２５と第２のコンデンサＣ２５との接
続点には第２の制御端子Ｖｃ２が設けられる。Further, the first diode D13 is connected to the fourth port P24, that is, the anode is connected to the second inductor L13.
25 and a second capacitor C25, and a second control terminal Vc2 is provided at a connection point between the second inductor L25 and the second capacitor C25.
【００６７】第２の高周波スイッチ１３は、第２のスイ
ッチング素子である第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、
第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３
１〜Ｌ３３、及び第３のキャパシタンス素子である第３
のコンデンサＣ３１〜Ｃ３３で構成される。The second high-frequency switch 13 includes second diodes D21 and D22, which are second switching elements.
Third inductor L3, which is a third inductance element
1 to L33 and a third capacitance element,
Of capacitors C31 to C33.
【００６８】そして、第１のポートＰ３１と第２のポー
トＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側にな
るように第２のダイオードＤ２１が接続され、第２のダ
イオードＤ２１には第３のインダクタＬ３１と第３のコ
ンデンサＣ３１とからなる直列回路が並列に接続され
る。Then, a second diode D21 is connected between the first port P31 and the second port P32 such that the cathode is on the first port P31 side, and a third diode D21 is connected to the second diode D21. Is connected in parallel with a series circuit composed of the inductor L31 and the third capacitor C31.
【００６９】また、第２のダイオードＤ２１の第２のポ
ートＰ３２側、すなわちアノードは第３のインダクタＬ
３２及び第３のコンデンサＣ３２を介して接地され、第
３のインダクタＬ３２と第３のコンデンサＣ３２との接
続点には第３の制御端子Ｖｃ３が設けられる。The second port P32 of the second diode D21, that is, the anode is connected to the third inductor L.
32, and a third control terminal Vc3 is provided at a connection point between the third inductor L32 and the third capacitor C32.
【００７０】さらに、第１のポートＰ３１と第３のポー
トＰ３３との間に第３のインダクタＬ３３が接続され、
第３のインダクタＬ３３の第３のポートＰ３３側は第２
のダイオードＤ２２及び第３のコンデンサＣ３３を介し
て接地され、第２のダイオードＤ２２のカソードと第３
のコンデンサＣ３３との接続点は抵抗Ｒを介して接地さ
れる。Further, a third inductor L33 is connected between the first port P31 and the third port P33,
The third port P33 side of the third inductor L33 is the second port
Of the second diode D22 and the third capacitor C33.
Is connected to the capacitor C33 via a resistor R.
【００７１】ここで、図３の回路構成を有する複合高周
波部品２０の動作について説明する。まず、ＤＣＳある
いはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場
合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御
端子Ｖｃ１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそ
れぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポー
トＰ２１と第２のポートＰ２２とを接続することによ
り、ＤＣＳあるいはＰＣＳの送信信号が第１の高周波ス
イッチ１２、第１のフィルタ１４及びダイプレクサ１１
を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第１の
フィルタ１４はＤＣＳ、ＰＣＳの送信信号を通過させ、
２次高調波及び３次高調波を減衰させている。Here, the operation of the composite high frequency component 20 having the circuit configuration of FIG. 3 will be described. First, when transmitting a DCS or PCS (1.8 GHz band) transmission signal, the first high-frequency switch 12 applies 1 V to the first control terminal Vc1 and 0 V to the second control terminal Vc2. By connecting the first port P21 and the second port P22 of the first high-frequency switch 12 with the DCS or PCS transmission signal, the first high-frequency switch 12, the first filter 14, and the diplexer 11
And transmitted from the antenna 1. At this time, the first filter 14 allows DCS and PCS transmission signals to pass through,
The second harmonic and the third harmonic are attenuated.
【００７２】なお、第２の高周波スイッチ１３において
第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波ス
イッチ１３を遮断している。In the second high-frequency switch 13, 0 V is applied to the third control terminal Vc3 to shut off the second high-frequency switch 13.
【００７３】次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信
信号を送信する場合には、第２の高周波スイッチ１３に
おいて第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖを印加して第２の高
周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第２のポート
Ｐ３２とを接続することにより、ＧＳＭの送信信号が第
２の高周波スイッチ１３、第２のフィルタ１５及びダイ
プレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。こ
の際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの送信信号を通過さ
せ、３次高調波を減衰させている。Next, when transmitting a transmission signal of GSM (900 MHz band), 1 V is applied to the third control terminal Vc 3 in the second high-frequency switch 13, and the first port of the second high-frequency switch 13 is By connecting P31 and the second port P32, the GSM transmission signal passes through the second high-frequency switch 13, the second filter 15, and the diplexer 11, and is transmitted from the antenna 1. At this time, the second filter 15 passes the GSM transmission signal and attenuates the third harmonic.
【００７４】なお、第１の高周波スイッチ１２において
第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２
に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を
遮断している。In the first high-frequency switch 12, 0V is applied to the first control terminal Vc1 and 0V is applied to the second control terminal Vc2.
0V is applied to the first high-frequency switch 12 to shut off the first high-frequency switch 12.
【００７５】次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合
には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端
子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれ
ぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポート
Ｐ２１と第３のポートＰ２３とを接続することにより、
アンテナ１から受信されたＤＣＳの受信信号がダイプレ
クサ１１、第１のフィルタ１４、及び第１の高周波スイ
ッチ１２を通過し、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。
この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳの受信信号を通過
させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。Next, when receiving a DCS reception signal, the first high-frequency switch 12 applies 0 V to the first control terminal Vc 1 and 0 V to the second control terminal Vc 2 to apply the first high-frequency switch. By connecting the first port P21 and the third port P23 of the switch 12,
The DCS reception signal received from the antenna 1 passes through the diplexer 11, the first filter 14, and the first high-frequency switch 12, and is sent to the DCS reception unit Rxd.
At this time, the first filter 14 passes the DCS reception signal and attenuates the second harmonic and the third harmonic.
【００７６】なお、第２の高周波スイッチ１３において
第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波ス
イッチ１３を遮断している。In the second high frequency switch 13, 0V is applied to the third control terminal Vc3 to shut off the second high frequency switch 13.
【００７７】次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合
には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端
子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖをそれ
ぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポート
Ｐ２１と第４のポートＰ２４とを接続することにより、
アンテナ１から受信されたＰＣＳの受信信号がダイプレ
クサ１１、第１のフィルタ１４、第１の高周波スイッチ
１２を通過し、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐに送られる。この
際、第１のフィルタ１４はＰＣＳの受信信号を通過さ
せ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。Next, when receiving a PCS reception signal, the first high-frequency switch 12 applies 0 V to the first control terminal Vc 1 and 1 V to the second control terminal Vc 2 to apply the first high-frequency switch. By connecting the first port P21 and the fourth port P24 of the switch 12,
The received signal of the PCS received from the antenna 1 passes through the diplexer 11, the first filter 14, and the first high-frequency switch 12, and is sent to the receiving unit Rxp of the PCS. At this time, the first filter 14 passes the PCS reception signal and attenuates the second harmonic and the third harmonic.
【００７８】なお、第２の高周波スイッチ１３において
第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第３の高周波ス
イッチ１３を遮断している。In the second high-frequency switch 13, 0 V is applied to the third control terminal Vc 3 to shut off the third high-frequency switch 13.
【００７９】次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合
には、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端
子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３の
第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３とを接続する
ことにより、アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信
号がダイプレクサ１１、第２のフィルタ１５、及び第２
の高周波スイッチ１３を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇ
に送られる。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの受
信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。Next, when receiving a GSM reception signal, the second high-frequency switch 13 applies 0 V to the third control terminal Vc 3 to connect the first port P 31 of the second high-frequency switch 13 to the third port P 31. , The GSM reception signal received from the antenna 1 is connected to the diplexer 11, the second filter 15, and the second
GSM receiving unit Rxg
Sent to At this time, the second filter 15 passes the GSM reception signal and attenuates the third harmonic.
【００８０】なお、第１の高周波スイッチ１２において
第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２
に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を
遮断している。In the first high-frequency switch 12, 0 V is applied to the first control terminal Vc1 and the second control terminal Vc2
0V is applied to the first high-frequency switch 12 to shut off the first high-frequency switch 12.
【００８１】上述の第２の実施例の複合高周波部品によ
れば、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１及び第
２の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第
３の制御電源で制御しているため、第１の高周波スイッ
チの後段のＤＣＳ、及び第２の高周波スイッチの後段の
ＧＳＭの受信時には、第１の高周波スイッチが備える第
１及び第２の制御電源、及び第２の高周波スイッチが備
える第３の制御電源に印加する印加電圧が０Ｖになり、
その結果、複合高周波部品の消費電流を低減させること
ができる。According to the composite high-frequency component of the second embodiment, the first high-frequency switch is turned on and off by the first and second control power supplies, and the second high-frequency switch is turned on and off by the third high-frequency switch. Since the control is performed by the control power supply, the first and second control power supplies included in the first high-frequency switch when receiving the DCS downstream of the first high-frequency switch and the GSM downstream of the second high-frequency switch, and The applied voltage applied to the third control power supply included in the second high-frequency switch becomes 0 V,
As a result, the current consumption of the composite high-frequency component can be reduced.
【００８２】図４は、本発明の複合高周波部品の第３の
実施例のブロック図である。複合高周波部品３０は、第
１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較して第
１及び第２のフィルタ１４，１５の配置位置が異なる。FIG. 4 is a block diagram showing a third embodiment of the composite high-frequency component according to the present invention. The composite high-frequency component 30 is different from the composite high-frequency component 10 of the first embodiment (FIG. 1) in the positions of the first and second filters 14 and 15.
【００８３】すなわち、第１のフィルタ１４が第１の高
周波スイッチ１２の後段の送信部側であるＤＣＳ、ＰＣ
Ｓの共通の送信部Ｔｘｄｐ側に、第２のフィルタ１５が
第２の高周波スイッチ１３の後段の送信部側であるＧＳ
Ｍの送信部Ｔｘｇとの間にそれぞれ配置される。That is, the first filter 14 is a DCS, PC which is a transmission unit side on the subsequent stage of the first high-frequency switch 12.
The second filter 15 is provided on the common transmission unit Txdp side of S, and the second filter 15 is the GS which is the transmission unit side of the second high frequency switch 13
And M transmission units Txg.
【００８４】上述の第３の実施例の複合高周波部品によ
れば、フィルタが高周波スイッチの後段の送信部側、す
なわち高周波スイッチと送信部との間に配置されるた
め、送信の際に、送信部にある高出力増幅器の歪みをこ
のフィルタで減衰させることができる。したがって、受
信側の挿入損失を改善することができる。According to the composite high-frequency component of the third embodiment described above, the filter is arranged on the transmission section side after the high-frequency switch, that is, between the high-frequency switch and the transmission section. The distortion of the high power amplifier in the section can be attenuated by this filter. Therefore, insertion loss on the receiving side can be improved.
【００８５】図５は、移動体通信機であるトリプルバン
ド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、
１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳと９００ＭＨｚ帯の
ＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。トリ
プルバンド携帯電話器４０は、アンテナ１及び複合高周
波部品１０（図１）を備える。FIG. 5 is a block diagram showing a part of the configuration of a triple band portable telephone which is a mobile communication device.
This shows an example in which DCS and PCS in the 1.8 GHz band are combined with GSM in the 900 MHz band. The triple-band mobile phone 40 includes the antenna 1 and the composite high-frequency component 10 (FIG. 1).
【００８６】そして、複合高周波部品１０のポートＰ１
１にはアンテナ１が、ポートＰ２２，Ｐ２３，Ｐ２４，
Ｐ３２，Ｐ３３には、ＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔ
ｘｄｐ、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐ、ＤＣＳの受信部Ｒｘ
ｄ、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇが、
それぞれ接続される。The port P1 of the composite high frequency component 10
1 has antennas 1 at ports P22, P23, P24,
P32 and P33 have a common transmission unit T for DCS and PCS.
xdp, PCS receiving unit Rxp, DCS receiving unit Rx
d, GSM transmitting unit Txg, GSM receiving unit Rxg,
Connected respectively.
【００８７】上述のトリプルバンド携帯電話器によれ
ば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているた
め、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小
型化及び高性能化が実現できる。According to the above-mentioned triple-band portable telephone, since a small and low-loss composite high-frequency component is used, a mobile communication device equipped with the composite high-frequency component can be reduced in size and improved in performance. .
【００８８】なお、複合高周波部品１０に複合高周波部
品２０，３０（図２、図３）を用いても同様の効果が得
られる。The same effect can be obtained by using the composite high frequency components 20 and 30 (FIGS. 2 and 3) for the composite high frequency component 10.
【００８９】[0089]
【発明の効果】本発明の複合高周波部品によれば、４ポ
ートを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する
第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成
しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の
通信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを
備え、その結果、受信部の挿入損失を低減させることが
可能となる。According to the composite high-frequency component of the present invention, since it is composed of the two high-frequency switches of the first high-frequency switch having four ports and the second high-frequency switch having three ports, adjacent high-frequency components are provided. The first and second communication systems each include only the first high-frequency switch in the reception path, and as a result, the insertion loss of the reception unit can be reduced.
【００９０】また、複合高周波部品をなす２つの高周波
スイッチを５つのダイオードで構成することができるた
め、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現する
ことができる。Further, since the two high-frequency switches constituting the composite high-frequency component can be constituted by five diodes, the size and cost of the composite high-frequency component can be reduced.
【００９１】本発明の複合高周波部品によれば、第１の
高周波スイッチのオン・オフを第１乃至第３の制御電
源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第４及び第５
の制御電源で制御しているため、近接した周波数を備え
る第１及び第２の通信システムの送信時には、４ポート
を有する第１の高周波スイッチを構成する３つのダイオ
ードが全てオンになり、その結果、複合高周波部品の高
調波歪みを低減させることができる。According to the composite high frequency component of the present invention, the on / off of the first high frequency switch is controlled by the first to third control power supplies, and the on / off of the second high frequency switch is controlled by the fourth and fifth control power supplies.
, All three diodes constituting the first high-frequency switch having four ports are turned on during transmission in the first and second communication systems having close frequencies, and as a result, In addition, the harmonic distortion of the composite high-frequency component can be reduced.
【００９２】本発明の複合高周波部品によれば、第１の
高周波スイッチのオン・オフを第１及び第２の制御電
源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第３の制御電
源で制御しているため、第１の高周波スイッチの後段の
第１及び第２の通信システムのいずれか一方、及び第２
の高周波スイッチの後段の第３の通信システムの受信時
には、第１の高周波スイッチが備える第１及び第２の制
御電源、及び第２の高周波スイッチが備える第３の制御
電源に印加する印加電圧が０Ｖになり、その結果、複合
高周波部品の消費電流を低減させることができる。According to the composite high-frequency component of the present invention, the on / off of the first high-frequency switch is controlled by the first and second control power supplies, and the on / off of the second high-frequency switch is controlled by the third control power supply. Therefore, one of the first and second communication systems after the first high-frequency switch and the second
At the time of reception of the third communication system at the subsequent stage of the high-frequency switch, the applied voltage applied to the first and second control power supplies provided in the first high-frequency switch and the third control power supply provided in the second high-frequency switch is As a result, the current consumption of the composite high-frequency component can be reduced.
【００９３】本発明の複合高周波部品によれば、第１及
び第２のフィルタの少なくとも１つが高周波スイッチの
後段の送信部側に配置されるため、送信部に構成する高
出力増幅器による送信信号の歪みを減衰させることがで
きる。したがって、受信部の挿入損失を改善することが
できる。According to the composite high-frequency component of the present invention, since at least one of the first and second filters is disposed on the transmission unit side after the high-frequency switch, the transmission signal of the high-output amplifier included in the transmission unit is reduced. Distortion can be attenuated. Therefore, the insertion loss of the receiving unit can be improved.
【００９４】本発明の複合高周波部品によれば、複合高
周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィ
ルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層し
てなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプレ
クサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、
ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波スイ
ッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路を設
ける必要がなくなる。According to the composite high-frequency component of the present invention, the diplexer, the high-frequency switch and the filter, which constitute the composite high-frequency component, are integrated with the ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic sheet layers. Adjustment adjustment with the switch becomes easy,
It is not necessary to provide a matching circuit for performing matching between the diplexer and the high-frequency switch and between the high-frequency switch and the filter.
【００９５】したがって、部品点数を減らすことができ
るため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成
する回路基板の小型化が可能となる。Therefore, since the number of components can be reduced, the size of a circuit board forming a microwave circuit having a plurality of signal paths can be reduced.
【００９６】本発明の複合高周波部品によれば、ダイプ
レクサが、第１のインダクタンス素子、第１のキャパシ
タンス素子で構成され、第１乃至第３の高周波スイッチ
が、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダク
タンス素子、第２のキャパシタンス素子で構成され、第
１及び第２のフィルタが、第３のインダクタンス素子、
第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、それ
らがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セ
ラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって
接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多
層基板で構成でき、さらに小型化が実現できる。加え
て、部品間の配線による損失を改善することができ、そ
の結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可
能となる。According to the composite high-frequency component of the present invention, the diplexer is composed of the first inductance element and the first capacitance element, and the first to third high-frequency switches are composed of the first and second switching elements. A second inductance element and a second capacitance element, wherein the first and second filters are provided with a third inductance element;
The composite high-frequency component is composed of one ceramic multi-layer substrate because it is composed of the third capacitance element and is built in or mounted on the ceramic multi-layer substrate and connected by connection means formed inside the ceramic multi-layer substrate. It can be configured, and further downsizing can be realized. In addition, the loss due to wiring between components can be improved, and as a result, the loss of the entire composite high-frequency component can be improved.
【００９７】また、波長短縮効果により、各インダクタ
ンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮する
ことができるため、これらのストリップライン電極の挿
入損失を向上させることができる。その結果、複合高周
波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。Further, since the length of the strip line electrodes serving as each inductance element can be reduced by the wavelength shortening effect, the insertion loss of these strip line electrodes can be improved. As a result, it is possible to reduce the size and the loss of the composite high-frequency component.
【００９８】本発明の移動体通信装置によれば、小型で
かつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この複
合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高
性能化が実現できる。According to the mobile communication device of the present invention, since a small and low-loss composite high-frequency component is used, the miniaturization and high performance of the mobile communication device on which the composite high-frequency component is mounted can be realized. .
【図１】 本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例
の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment according to a composite high frequency component of the present invention.
【図２】 図１の複合高周波部品の要部分解斜視図であ
る。FIG. 2 is an exploded perspective view of a main part of the composite high-frequency component of FIG.
【図３】 本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例
の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment according to the composite high-frequency component of the present invention.
【図４】 本発明の複合高周波部品に係る第３の実施例
のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a third embodiment according to the composite high-frequency component of the present invention.
【図５】 図１の複合高周波部品を用いた移動体通信機
の構成の一部を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a part of a configuration of a mobile communication device using the composite high-frequency component of FIG. 1;
【図６】 一般的なトリプルバンド携帯電話器（移動体
通信装置）のフロントエンド部の構成を示すブロック図
である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a front end unit of a general triple-band mobile phone (mobile communication device).
１０，２０，３０ 複合高周波部品 １１ ダイプレクサ １２，１３ 第１、第２の高周波スイッチ １４，１５ 第１、第２のフィルタ １６ セラミック多層基板 ４０ 移動体通信機（トリプルバンド携帯電話器） Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５，Ｃ３１〜Ｃ３３，Ｃ
４１，Ｃ４２，Ｃ５１，Ｃ５２ 第１〜第５のキャ
パシタンス素子 Ｄ１１〜Ｄ１３，Ｄ２１，Ｄ２２ 第１、第２のス
イッチング素子 Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１〜Ｌ２５，Ｌ３１〜Ｌ３３，Ｌ
４１，Ｌ５１ 第１〜第５のインダクタ素子 Ｔｘｄｐ，Ｔｘｇ 送信部 Ｒｘｄ，Ｒｘｐ，Ｒｘｇ 受信部10, 20, 30 Composite high frequency component 11 Diplexer 12, 13 First, second high frequency switch 14, 15, First, second filter 16 Ceramic multilayer substrate 40 Mobile communication device (triple band mobile phone) C11-C15 , C21-C25, C31-C33, C
41, C42, C51, C52 First to fifth capacitance elements D11 to D13, D21, D22 First, second switching elements L11, L12, L21 to L25, L31 to L33, L
41, L51 First to fifth inductor elements Txdp, Txg transmitter Rxd, Rxp, Rxg receiver
Claims (4)
信部に接続される第２のポート、第１の受信部に接続さ
れる第３のポート、第２の受信部に接続される第４のポ
ート、及び制御端子を備え、前記第１のポートと前記第
２のポートの間には、ダイオードが接続され、前記第１
のポートと前記第３のポートの間には、インダクタが接
続され、前記インダクタの前記第３のポート側の一端と
アースの間には、別のダイオードが接続されており、前
記第１のポートと前記第４のポートの間には、さらに別
のダイオードが接続されており、前記制御端子に印加さ
れる電圧を制御することにより、前記第１のポートを前
記第２乃至第４のポートのいずれかに切り換えることを
特徴とする高周波スイッチ。1. A first port connected to an antenna, a second port connected to a transmitting unit, a third port connected to a first receiving unit, and a third port connected to a second receiving unit. 4 port, and a control terminal, a diode is connected between the first port and the second port,
An inductor is connected between the first port and the third port, and another diode is connected between one end of the inductor on the third port side and ground, and the first port is connected to the first port. Another diode is connected between the first port and the fourth port, and the first port is connected to the second to fourth ports by controlling the voltage applied to the control terminal. A high-frequency switch characterized by switching to any one.
のポートまたは第２のポートのいずれかに、フィルタを
接続したことを特徴とする複合高周波部品。2. The high-frequency switch according to claim 1, wherein
Wherein a filter is connected to either the first port or the second port.
スイッチ、前記フィルタ、及び前記ダイプレクサが複数
のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化
されることを特徴とする請求項２に記載の複合高周波部
品。3. The composite according to claim 2, further comprising a diplexer, wherein the high-frequency switch, the filter, and the diplexer are integrated with a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of sheet layers. High frequency components.
は請求項２乃至請求項３に記載の複合高周波部品を含ん
でなることを特徴とする移動体通信装置。4. A mobile communication device comprising the high-frequency switch according to claim 1 or the composite high-frequency component according to claim 2 or 3.
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|---|---|---|---|---|
| JP2017098632A (en) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 株式会社村田製作所 | High frequency module and communication apparatus |
-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002040615A patent/JP3931681B2/en not_active Expired - Lifetime
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