JP2002314441A - Transmission system - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、移動無
線等に使用する送信装置に関し、特に、半導体高周波ス
イッチを用いた送受信切換え回路を備えて構成される送
信装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmission apparatus used for a portable telephone, a mobile radio, and the like, and more particularly to a transmission apparatus including a transmission / reception switching circuit using a semiconductor high-frequency switch.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の携帯電話、移動無線等に使用する
送信装置においては、送受信切換え回路に用いる半導体
高周波スイッチとして、低損失、低電力のＧａＡｓＦＥ
Ｔが採用されている。2. Description of the Related Art In a conventional transmitting device used for a portable telephone, a mobile radio, or the like, a low-loss, low-power GaAsFE is used as a semiconductor high-frequency switch used in a transmission / reception switching circuit.
T is adopted.
【０００３】図９に従来の送信装置におけるこのような
半導体高周波スイッチを用いた送受信切換え回路を示
す。図９において、９０１は受信専用サブアンテナ、９
０２は送受信兼用メインアンテナ、９０３は半導体高周
波スイッチ、９０４はアイソレータ、９０５は電力増幅
器、９０６は帯域制限フィルタ、９０７はフロントエン
ド用ローノイズアンプである。FIG. 9 shows a transmission / reception switching circuit using such a semiconductor high-frequency switch in a conventional transmission device. In FIG. 9, reference numeral 901 denotes a reception-only sub-antenna;
02 is a transmission / reception main antenna, 903 is a semiconductor high-frequency switch, 904 is an isolator, 905 is a power amplifier, 906 is a band limiting filter, and 907 is a front-end low-noise amplifier.
【０００４】図９のように構成された送受信切換え回路
において、送信変調波は電力増幅器９０５で所定の振幅
まで増幅され、アイソレータ９０４を通して半導体高周
波スイッチ９０３に入力される。送信オン時には、半導
体高周波スイッチ９０３の送信用ＦＥＴのゲートバイア
スを制御してオンに切換えることにより、アイソレータ
９０４の送信電力出力が送受信兼用メインアンテナ９０
２に送られる。In a transmission / reception switching circuit configured as shown in FIG. 9, a transmission modulation wave is amplified to a predetermined amplitude by a power amplifier 905 and input to a semiconductor high-frequency switch 903 through an isolator 904. When the transmission is on, the transmission power output of the isolator 904 is controlled by controlling the gate bias of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 903 to be turned on so that the transmission / reception main antenna 90 is turned on.
Sent to 2.
【０００５】また、受信オン時は、送受信兼用メインア
ンテナ９０２または受信専用サブアンテナ９０１で受信
された信号が、送受信切換え用の半導体高周波スイッチ
９０３の受信用ＦＥＴにより選択され、帯域制限フィル
タ９０６およびフロントエンド用ローノイズアンプ９０
７を通して受信系に伝達される。When reception is on, a signal received by the transmission / reception main antenna 902 or the reception-only sub-antenna 901 is selected by the reception FET of the semiconductor high-frequency switch 903 for switching transmission / reception, and the band-limiting filter 906 and the front end are selected. Low noise amplifier 90 for end
7 to the receiving system.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】携帯電話、移動無線等
の送信装置において、このような送受信切換え回路用の
半導体高周波スイッチとしてＧａＡｓＦＥＴが広く採用
されているが、ＧａＡｓＦＥＴは製造プロセスにより特
性にバラツキを生ずるものがある。GaAs FETs are widely used as semiconductor high-frequency switches for such transmission / reception switching circuits in transmission devices such as portable telephones and mobile radios. However, GaAs FETs vary in characteristics depending on the manufacturing process. There is something that happens.
【０００７】図９に示した送受信切換え回路において、
半導体高周波スイッチ９０３の送信用ＦＥＴがオンのと
きには、送信用ＦＥＴのソースバイアスに通常はゲート
のリーク電圧が印加されている。図９では、半導体高周
波スイッチ９０３の電源電圧ＶＣＣが３．３Ｖのとき
に、このリーク電圧は約３．０Ｖになる。In the transmission / reception switching circuit shown in FIG.
When the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 903 is turned on, the gate leakage voltage is normally applied to the source bias of the transmission FET. In FIG. 9, when the power supply voltage VCC of the semiconductor high-frequency switch 903 is 3.3 V, this leak voltage becomes about 3.0 V.
【０００８】このような送受信切換え回路において、送
信パワーが変動すると送信用のＧａＡｓＦＥＴの特性の
バラツキによりパワーが回り込み、この送信用ＦＥＴの
ソースバイアスに４．０Ｖ以上の電圧が発生し、送信用
ＦＥＴをオフにしてしまうことがある。In such a transmission / reception switching circuit, when the transmission power fluctuates, the power wraps around due to variations in the characteristics of the GaAs FET for transmission, and a voltage of 4.0 V or more is generated in the source bias of the transmission FET, and May be turned off.
【０００９】図１０に送信用ＦＥＴのソースバイアスを
外部から強制的に印加したときの半導体高周波スイッチ
のＲＦ損失特性を示す。強制的に外部バイアス４．０Ｖ
を印加したときにはＲＦ損失が１７ｄＢ程度になってお
り、半導体高周波スイッチがオフになっていることがわ
かる。FIG. 10 shows the RF loss characteristics of the semiconductor high-frequency switch when the source bias of the transmission FET is forcibly applied from the outside. Forced external bias 4.0V
, The RF loss is about 17 dB, which indicates that the semiconductor high-frequency switch is off.
【００１０】パワーの回り込みによりこのような影響を
受ける現象は半導体高周波スイッチ動作の立ち上りで起
き易く、通常は数μＳの送受信切換え時間が１０倍から
１００倍にもなる遅れが発生することがあり、携帯電
話、移動無線等において送受信切換え動作が規格外れと
なってしまう問題があった。The phenomenon affected by the power sneak is likely to occur at the rise of the operation of the semiconductor high-frequency switch. Usually, a delay of several μS between transmission and reception switching times of 10 to 100 times may occur. There has been a problem that the transmission / reception switching operation in a mobile phone, a mobile radio, or the like is out of specification.
【００１１】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、送信用ＦＥＴの特性にバラツキのある半導体高周波
スイッチを用いた送受信切換え回路であっても、半導体
高周波スイッチにおけるパワーの回り込みの影響を抑
え、送受信切換え時間の遅れの発生を防止することがで
きる送信装置を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems. Even in a transmission / reception switching circuit using a semiconductor high-frequency switch having a variation in characteristics of a transmission FET, the influence of power sneak in the semiconductor high-frequency switch can be reduced. It is an object of the present invention to provide a transmission device capable of suppressing the occurrence of a delay in transmission / reception switching time.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記従来の問題を解決す
るために、本発明においては、半導体高周波スイッチの
送信用ＦＥＴのソース電圧を一定にする回路を付加する
ことにより、パワーの回り込みで好ましくないソース電
圧が印加されて送信用ＦＥＴがオフになる現象を抑え、
半導体高周波スイッチの立ち上りのバラツキによる送受
信切換え時間の遅れの発生を防止する。In order to solve the above-mentioned conventional problems, in the present invention, by adding a circuit for keeping the source voltage of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch constant, it is preferable to reduce the power sneak. Suppress the phenomenon that the transmission FET is turned off by applying no source voltage,
It is possible to prevent a delay in transmission / reception switching time due to variations in rising of a semiconductor high-frequency switch.
【００１３】本発明の請求項１記載の送信装置は、半導
体高周波スイッチ（１０３）の送信ＦＥＴのソースバイ
アスを、半導体高周波スイッチの電源電圧と同じ外部電
源ＶＣＣから、高周波信号を遮断するためのチョークコ
イル（１０８）を介して供給するものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a choke for cutting off a high frequency signal from an external power supply VCC which is the same as the power supply voltage of the semiconductor high frequency switch. It is supplied via a coil (108).
【００１４】請求項１記載の送信装置によれば、ソース
バイアスを外部電源ＶＣＣに固定することによって、パ
ワーの回り込みが原因で過大なソースバイアスが印加さ
れることを防止し、半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴ
がオフになる現象を抑え、送受信切換え時間の遅れの発
生を防止するという作用を有する。According to the first aspect of the present invention, by fixing the source bias to the external power supply VCC, it is possible to prevent an excessive source bias from being applied due to the power sneak, and to transmit the semiconductor high-frequency switch. FET
Has the effect of suppressing the phenomenon of turning off the switch, and preventing the occurrence of a delay in the transmission / reception switching time.
【００１５】本発明の請求項２記載の送信装置は、半導
体高周波スイッチ（２０３）の送信ＦＥＴのソース端子
を、高周波チョークコイル（２０８）および順方向のダ
イオード（２１０）を介して、前記半導体高周波スイッ
チの電源電圧ＶＣＣを供給する外部電源に接続すること
により、ソースバイアスが外部電源ＶＣＣにダイオード
の順方向電圧を加えた電圧を越えないようにするもので
ある。According to a second aspect of the present invention, in the transmission device, the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch (203) is connected to the semiconductor high-frequency switch via a high-frequency choke coil (208) and a forward diode (210). By connecting the switch to an external power supply that supplies the power supply voltage VCC of the switch, the source bias is prevented from exceeding a voltage obtained by adding the forward voltage of the diode to the external power supply VCC.
【００１６】請求項２記載の送信装置によれば、ダイオ
ード回路でソースバイアスが外部電源ＶＣＣにダイオー
ドの順方向電圧を加えた電圧に抑えられることにより、
パワーの回り込みが原因で過大なソースバイアスが印加
されることを防止し、半導体高周波スイッチの送信ＦＥ
Ｔがオフになる現象を抑え、送受信切換え時間の遅れの
発生を防止するとともに、通常動作時は送信ＦＥＴのソ
ース端子にＶＣＣが印加されないようにし、送信ＦＥＴ
のソースバイアスと外部電源ＶＣＣの電源電圧に差が生
ずる場合の特性劣化を防止するという作用を有する。According to the second aspect of the present invention, the source bias is suppressed to a voltage obtained by adding the forward voltage of the diode to the external power supply VCC in the diode circuit.
Prevents excessive source bias from being applied due to power sneak path, and reduces the transmission FE of the semiconductor high-frequency switch.
T suppresses the phenomenon that T is turned off, prevents the delay of the transmission / reception switching time, and prevents VCC from being applied to the source terminal of the transmission FET during normal operation.
Has the effect of preventing the characteristic deterioration when a difference occurs between the source bias of the external power supply VCC and the power supply voltage of the external power supply VCC.
【００１７】本発明の請求項３記載の送信装置は、半導
体高周波スイッチ（５０３）の送信ＦＥＴのソースバイ
アスを、送信用ＦＥＴのゲートリーク電圧によるソース
バイアスと同電位に設定された外部電源ＶＤＤから、高
周波信号を遮断するための高周波チョークコイル（５０
８）を介して供給するものである。According to a third aspect of the present invention, the source bias of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch (503) is changed from the external power supply VDD set to the same potential as the source bias due to the gate leakage voltage of the transmission FET. , A high-frequency choke coil (50
8).
【００１８】請求項３記載の送信装置によれば、ソース
バイアスを外部電源ＶＤＤに固定することによって、送
信ＦＥＴの基本特性を確保しながら、パワーの回り込み
が原因で過大なソースバイアスが印加されることを防止
し、半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴがオフになる現
象を抑え、送受信切換え時間の遅れの発生を防止すると
いう作用を有する。According to the transmission device of the third aspect, by fixing the source bias to the external power supply VDD, an excessive source bias is applied due to the power sneak while securing the basic characteristics of the transmission FET. This prevents the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch from being turned off, and prevents a delay in transmission / reception switching time.
【００１９】本発明の請求項４記載の送信装置は、半導
体高周波スイッチ（６０３）の送信ＦＥＴのソース端子
を、高周波チョークコイル（６０８）および順方向のダ
イオード（６１０）を介して、送信用ＦＥＴのゲートリ
ーク電圧によるソースバイアスと同電位に設定された外
部電源ＶＤＤに接続することにより、ソースバイアスが
外部電源ＶＤＤにダイオードの順方向電圧を加えた電圧
を越えないようにするものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the transmission device, the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch (603) is transmitted through the high-frequency choke coil (608) and the forward diode (610). Is connected to the external power supply VDD set to the same potential as the source bias due to the gate leakage voltage of the above, so that the source bias does not exceed the voltage obtained by adding the forward voltage of the diode to the external power supply VDD.
【００２０】請求項４記載の送信装置によれば、ダイオ
ード回路でソースバイアスが外部電源ＶＤＤにダイオー
ドの順方向電圧を加えた電圧に抑えられることにより、
送信ＦＥＴの基本特性を確保しながら、パワーの回り込
みが原因で過大なソースバイアスが印加されることを防
止し、半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴがオフになる
現象を抑え、送受信切換え時間の遅れの発生を防止する
とともに、通常動作時は送信ＦＥＴのソース端子にＶＤ
Ｄが印加されないようにし、送信ＦＥＴのソースバイア
スと外部電源ＶＤＤの電源電圧に差が生ずる場合の特性
劣化を防止するという作用を有する。According to the transmission device of the fourth aspect, the source bias is suppressed to a voltage obtained by adding the forward voltage of the diode to the external power supply VDD in the diode circuit.
While maintaining the basic characteristics of the transmission FET, it prevents the excessive source bias from being applied due to the power sneak, suppresses the phenomenon that the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch is turned off, and delays the transmission / reception switching time During normal operation, the VD is connected to the source terminal of the transmission FET.
D is not applied, and there is an effect of preventing deterioration of characteristics when a difference occurs between the source bias of the transmission FET and the power supply voltage of the external power supply VDD.
【００２１】本発明の請求項５記載の送信装置は、請求
項１から４のうちいずれか一項記載の送信装置におい
て、高周波チョークコイル（３０８：４０８：７０８：
８０８）にコンデンサ（３１０：４１１：７１０：８１
１）を並列に接続して並列共振回路を形成するものであ
る。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the transmission apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the high-frequency choke coil (308: 408: 708:
808) and a capacitor (310: 411: 710: 81)
1) are connected in parallel to form a parallel resonance circuit.
【００２２】請求項５記載の送信装置によれば、並列に
接続された高周波チョークコイルとコンデンサが形成す
る並列共振回路により、送信変調波に対する高周波イン
ピーダンスをより高くし、高周波回路のＲＦ損失を最小
にするという作用を有する。According to the transmission device of the fifth aspect, the high-frequency impedance to the transmission modulation wave is further increased by the parallel resonance circuit formed by the high-frequency choke coil and the capacitor connected in parallel, and the RF loss of the high-frequency circuit is minimized. Has the effect of
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１に係る２
以上の送受信切換え回路を有する半導体高周波スイッチ
を用いた送信装置の構成を示すブロック図である。図１
に示されるように、送信装置は、送受信兼用サブアンテ
ナ１０１と、送受信兼用メインアンテナ１０２と、送受
信切換え用の半導体高周波スイッチ１０３と、アイソレ
ータ１０４と、電力増幅器１０５と、帯域制限フィルタ
１０６と、フロントエンド用ローノイズアンプ１０７
と、半導体高周波スイッチ１０３の送信用ＦＥＴのソー
ス端子と電源ＶＣＣとの間に挿入される高周波遮断用チ
ョークコイル１０８と、高周波遮断用チョークコイル１
０８のＶＣＣ接続点に付加される高周波バイパス用コン
デンサ１０９と、を有する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 shows Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having the transmission / reception switching circuit. FIG.
As shown in FIG. 2, the transmitting apparatus includes a transmitting / receiving sub-antenna 101, a transmitting / receiving main antenna 102, a semiconductor high-frequency switch 103 for transmission / reception switching, an isolator 104, a power amplifier 105, a band limiting filter 106, Low noise amplifier 107 for end
A high-frequency cutoff choke coil 108 inserted between the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 103 and the power supply VCC;
08 high-frequency bypass capacitor 109 added to the VCC connection point.
【００２４】以上のように構成された送受信切換え回路
について、以下にその動作を説明する。送信変調波は電
力増幅器１０５で所定の振幅まで増幅され、アイソレー
タ１０４に入力される。増幅された送信変調波は、アイ
ソレータ１０４を通過後に、送受信切換え用の半導体高
周波スイッチ１０３に入力される。The operation of the transmission / reception switching circuit configured as described above will be described below. The transmission modulation wave is amplified to a predetermined amplitude by the power amplifier 105 and input to the isolator 104. After passing through the isolator 104, the amplified transmission modulation wave is input to the semiconductor high-frequency switch 103 for transmission / reception switching.
【００２５】送信オン時でメインアンテナ選択時は、ア
イソレータ１０４の送信電力出力が送受信兼用メインア
ンテナ１０２に出力されるように、半導体高周波スイッ
チ１０３の送受信兼用メインアンテナ１０２側に接続さ
れた送信ＦＥＴをオンに切換える。送信オン時でサブア
ンテナ選択時は、アイソレータ１０４の送信電力出力が
送受信兼用サブアンテナ１０１に出力されるように、半
導体高周波スイッチ１０３の送受信兼用サブアンテナ１
０１側に接続された送信ＦＥＴをオンに切換える。When the main antenna is selected when transmission is on, the transmission FET connected to the transmission / reception main antenna 102 of the semiconductor high-frequency switch 103 is connected so that the transmission power output of the isolator 104 is output to the transmission / reception main antenna 102. Switch on. When the sub-antenna is selected when the transmission is on, the transmission / reception sub-antenna 1 of the semiconductor high-frequency switch 103 is output so that the transmission power output of the isolator 104 is output to the transmission / reception sub-antenna 101.
The transmission FET connected to the 01 side is turned on.
【００２６】また、受信オン時は、送受信兼用メインア
ンテナ１０２または送受信兼用サブアンテナ１０１で受
信された信号が、送受信切換え用の半導体高周波スイッ
チ１０３の受信用ＦＥＴにより選択され、帯域制限フィ
ルタ１０６およびフロントエンド用ローノイズアンプ１
０７を通して受信系に伝達される。When reception is on, a signal received by the transmission / reception main antenna 102 or the transmission / reception sub-antenna 101 is selected by the reception FET of the semiconductor high-frequency switch 103 for transmission / reception switching, and the band limiting filter 106 and the front Low noise amplifier for end 1
07 to the receiving system.
【００２７】半導体高周波スイッチ１０３の送信用ＦＥ
Ｔのソース端子には高周波遮断用チョークコイル１０８
を通して半導体高周波スイッチの電源電圧と同じ外部電
源電圧ＶＣＣが供給されるので、送信用ＦＥＴのソース
バイアスは強制的にＶＣＣに固定される。このときに高
周波遮断用チョークコイル１０８の作用により高周波信
号が遮断されるので、高周波回路のＲＦ損失の増加を防
ぐことができる。Transmission FE of semiconductor high-frequency switch 103
The source terminal of T has a choke coil 108 for blocking high frequency.
, The same external power supply voltage VCC as the power supply voltage of the semiconductor high-frequency switch is supplied, so that the source bias of the transmission FET is forcibly fixed to VCC. At this time, since the high-frequency signal is cut off by the action of the high-frequency cut-off choke coil 108, an increase in the RF loss of the high-frequency circuit can be prevented.
【００２８】このようにして送信用ＦＥＴのソースバイ
アスをＶＣＣに固定することにより、パワーの回り込み
でソースバイアスに電圧が印加されることを防ぐことが
できる。その結果、送信オン時の半導体高周波スイッチ
動作の立ち上り時にオフになることがなくなり、半導体
高周波スイッチの送受信切換えの遅れの発生を防ぐこと
ができる。By fixing the source bias of the transmission FET to VCC in this way, it is possible to prevent a voltage from being applied to the source bias due to power sneak. As a result, the semiconductor high-frequency switch does not turn off at the rise of the operation of the semiconductor high-frequency switch when the transmission is on, and it is possible to prevent a delay in the transmission and reception switching of the semiconductor high-frequency switch.
【００２９】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２に係る２以上の送受信切換え回路を有する半導体高
周波スイッチを用いた送信装置の構成を示すブロック図
である。(Embodiment 2) FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a transmission apparatus using a semiconductor high-frequency switch having two or more transmission / reception switching circuits according to Embodiment 2 of the present invention.
【００３０】図２に示されるように送信装置は、送受信
兼用サブアンテナ２０１と、送受信兼用メインアンテナ
２０２と、送受信切換え用の半導体高周波スイッチ２０
３と、アイソレータ２０４と、電力増幅器２０５と、帯
域制限フィルタ２０６と、フロントエンド用ローノイズ
アンプ２０７と、高周波遮断用チョークコイル２０８
と、高周波バイパス用コンデンサ２０９と、ダイオード
２１０と、を有する。As shown in FIG. 2, the transmitting apparatus includes a transmitting / receiving sub-antenna 201, a transmitting / receiving main antenna 202, and a semiconductor high-frequency switch 20 for switching between transmission and reception.
3, an isolator 204, a power amplifier 205, a band-limiting filter 206, a front-end low-noise amplifier 207, and a high-frequency cut-off choke coil 208.
, A high-frequency bypass capacitor 209, and a diode 210.
【００３１】図２を構成する符号２０１から２０７を付
したそれぞれの構成要素は、図１を構成する符号１０１
から１０７を付したそれぞれの構成要素に符号順に対応
し、それぞれ対応する構成要素と同等の機能および役割
を持つ。したがって、図２を構成する符号２０１から２
０７の機能については説明を省略する。The components denoted by reference numerals 201 to 207 in FIG. 2 are denoted by reference numeral 101 in FIG.
Corresponding to the components denoted by numerals 107 through 107 in the order of reference numerals, and have the same functions and roles as the corresponding components. Therefore, reference numerals 201 to 2 constituting FIG.
Description of the function 07 is omitted.
【００３２】図１に示した送受信切換え回路の動作状態
として、送受信兼用メインアンテナ側の送信用ＦＥＴが
オンのとき、ＶＣＣが３．３Ｖであると送信用ＦＥＴの
ソース端子に３．３Ｖが印加されるが、送信用ＦＥＴの
ソースバイアスへのリーク電圧は約３．０Ｖであるの
で、０．３Ｖの逆耐圧がソースバイアスに印加される。
この逆耐圧のバイアスにより、送信用ＦＥＴは外部バイ
アスが印加されない状態に比較してＲＦ損失が約０．１
ｄＢ大きくなってしまう。As an operation state of the transmission / reception switching circuit shown in FIG. 1, when the transmission FET on the transmission / reception main antenna side is on, if VCC is 3.3 V, 3.3 V is applied to the source terminal of the transmission FET. However, since the leakage voltage to the source bias of the transmission FET is about 3.0 V, a reverse breakdown voltage of 0.3 V is applied to the source bias.
Due to this reverse withstand voltage bias, the transmission FET has an RF loss of about 0.1 compared to a state where no external bias is applied.
dB will increase.
【００３３】図１１に、ＶＣＣが３．３Ｖのときの半導
体高周波スイッチの送信用ＦＥＴに対するバイアス印加
時のＲＦ損失特性を拡大して示す。送信用ＦＥＴにバイ
アスを印加しないときのＲＦ損失は０．４ｄＢである
が、３．３Ｖのバイアス印加時のＲＦ損失は０．５ｄＢ
となり、０．１ｄＢ劣化していることになる。FIG. 11 is an enlarged view showing RF loss characteristics when a bias is applied to the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch when VCC is 3.3 V. The RF loss when no bias is applied to the transmission FET is 0.4 dB, but the RF loss when a 3.3 V bias is applied is 0.5 dB.
It means that it has deteriorated by 0.1 dB.
【００３４】このように、半導体高周波スイッチ２０３
の送信用ＦＥＴのソース端子に強制的に半導体高周波ス
イッチの電源電圧ＶＣＣを印加すると、送信用ＦＥＴの
逆耐圧のバイアスのために、通常よりＲＦ損失が約０．
１ｄＢ大きくなってしまう。As described above, the semiconductor high-frequency switch 203
When the power supply voltage VCC of the semiconductor high-frequency switch is forcibly applied to the source terminal of the transmission FET, the RF loss is about 0.
It will increase by 1 dB.
【００３５】この問題を解決するために、半導体高周波
スイッチ２０３の送信用ＦＥＴのソース端子にＶＣＣを
直接印加する代わりに、送信用ＦＥＴのソース端子を高
周波遮断用チョークコイル２０８および順方向のダイオ
ード２１０を介して半導体高周波スイッチの電源ＶＣＣ
に接続することにより、送信用ＦＥＴのソースバイアス
をＶＣＣにダイオードの順方向電圧を加えた電位以下に
抑えるようにしている。高周波遮断用チョークコイル２
０８とダイオード２１０の接続点には高周波バイパス用
コンデンサ２０９を付加する。To solve this problem, instead of directly applying VCC to the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 203, the source terminal of the transmission FET is connected to the high-frequency cut-off choke coil 208 and the forward diode 210. Power supply for semiconductor high-frequency switch via
, The source bias of the transmission FET is suppressed to a potential equal to or lower than the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VCC. High frequency cutoff choke coil 2
A high-frequency bypass capacitor 209 is added to the connection point between the reference numeral 08 and the diode 210.
【００３６】送信用ＦＥＴのソースを順方向のダイオー
ドを介してＶＣＣに接続することにより、通常動作時に
は送信ＦＥＴに逆耐圧のバイアスがかからないようにす
ることができる。このようにして、パワーの回り込み等
により送信用ＦＥＴのソースバイアスが高くなってしま
う場合にも、ＶＣＣにダイオードの順方向電圧を加えた
電位が上限になるようにし、送信用ＦＥＴが瞬時でもオ
フにならないように制御している。By connecting the source of the transmission FET to VCC via a forward diode, it is possible to prevent the transmission FET from being applied with a reverse withstand voltage bias during normal operation. In this way, even when the source bias of the transmission FET becomes high due to power sneak, etc., the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VCC becomes the upper limit, and the transmission FET is turned off even instantaneously. It is controlled so that it does not become.
【００３７】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３に係る２以上の送受信切換え回路を有する半導体高
周波スイッチを用いた送信装置の構成を示すブロック図
であり、実施の形態１に係る送信装置の作用を補う機能
を備えるものである。(Embodiment 3) FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus using a semiconductor high-frequency switch having two or more transmission / reception switching circuits according to Embodiment 3 of the present invention. And a function for supplementing the operation of the transmitting device according to the above.
【００３８】図３に示されるように、送受信兼用サブア
ンテナ３０１と、送受信兼用メインアンテナ３０２と、
送受信切換え用の半導体高周波スイッチ３０３と、アイ
ソレータ３０４と、電力増幅器３０５と、帯域制限フィ
ルタ３０６と、フロントエンド用ローノイズアンプ３０
７と、高周波遮断用チョークコイル３０８と、高周波バ
イパス用コンデンサ３０９と、高周波遮断用チョークコ
イル３０８に並列に接続されるコンデンサ３１０と、を
有する。As shown in FIG. 3, a transmission / reception sub-antenna 301, a transmission / reception main antenna 302,
Semiconductor high-frequency switch 303 for transmission / reception switching, isolator 304, power amplifier 305, band-limiting filter 306, front-end low-noise amplifier 30
7, a high-frequency cutoff choke coil 308, a high-frequency bypass capacitor 309, and a capacitor 310 connected in parallel to the high-frequency cutoff choke coil 308.
【００３９】図３を構成する符号３０１から３０７を付
したそれぞれの構成要素は、図１を構成する符号１０１
から１０７を付したそれぞれの構成要素に符号順に対応
し、それぞれ対応する構成要素と同等の機能および役割
を持つ。したがって、図３を構成する符号３０１から３
０７の機能については説明を省略する。The components denoted by reference numerals 301 to 307 constituting FIG. 3 are denoted by reference numeral 101 constituting FIG.
Corresponding to the components denoted by numerals 107 through 107 in the order of reference numerals, and have the same functions and roles as the corresponding components. Therefore, reference numerals 301 to 3 constituting FIG.
Description of the function 07 is omitted.
【００４０】また、図１と同様に、高周波遮断用チョー
クコイル３０８は半導体高周波スイッチ３０３の送信用
ＦＥＴのソース端子と電源ＶＣＣとの間に挿入され、高
周波バイパス用コンデンサ３０９は高周波遮断用チョー
クコイル３０８のＶＣＣ接続点に付加される。さらに図
３においては、高周波遮断用チョークコイル３０８に並
列にコンデンサ３１０が接続されてＬＣ並列共振回路を
形成している。Also, as in FIG. 1, the high frequency cutoff choke coil 308 is inserted between the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high frequency switch 303 and the power supply VCC, and the high frequency bypass capacitor 309 is connected to the high frequency cutoff choke coil. 308 is added to the VCC connection point. Further, in FIG. 3, a capacitor 310 is connected in parallel with the high frequency cutoff choke coil 308 to form an LC parallel resonance circuit.
【００４１】半導体高周波スイッチ３０３の送信用ＦＥ
Ｔのソース端子には高周波遮断用チョークコイル３０８
を通して半導体高周波スイッチの電源電圧と同じ外部電
源電圧ＶＣＣが供給されるので、送信用ＦＥＴのソース
バイアスは強制的にＶＣＣに固定される。Transmission FE of semiconductor high-frequency switch 303
The source terminal of T has a choke coil 308 for blocking high frequency.
, The same external power supply voltage VCC as the power supply voltage of the semiconductor high-frequency switch is supplied, so that the source bias of the transmission FET is forcibly fixed to VCC.
【００４２】このようにして送信用ＦＥＴのソースバイ
アスをＶＣＣに固定することにより、パワーの回り込み
でソースバイアスに電圧が印加されることを防ぐことが
できる。その結果、送信オン時の半導体高周波スイッチ
動作の立ち上り時にオフになることがなくなり、半導体
高周波スイッチの送受信切換えの遅れの発生を防ぐこと
ができる。By fixing the source bias of the transmission FET to VCC in this way, it is possible to prevent a voltage from being applied to the source bias due to power sneak. As a result, the semiconductor high-frequency switch does not turn off at the rise of the operation of the semiconductor high-frequency switch when the transmission is on, and it is possible to prevent a delay in the transmission and reception switching of the semiconductor high-frequency switch.
【００４３】このとき、高周波遮断用チョークコイル３
０８とコンデンサ３１０とで形成されるＬＣ並列共振回
路により、遮断用チョークコイル３０８のみを用いる実
施の形態１に比べて、送信変調波に対する高周波インピ
ーダンスを高くすることができるため、高周波回路のＲ
Ｆ損失を最小にすることができる。At this time, the high frequency cutoff choke coil 3
08 and the capacitor 310, the high-frequency impedance with respect to the transmission modulation wave can be increased as compared with the first embodiment using only the choke coil 308 for cutoff.
F loss can be minimized.
【００４４】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４に係る２以上の送受信切換え回路を有する半導体高
周波スイッチを用いた送信装置の構成を示すブロック図
であり、実施の形態２に係る送信装置の作用を補う機能
を備えるものである。(Embodiment 4) FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus using a semiconductor high-frequency switch having two or more transmission / reception switching circuits according to Embodiment 4 of the present invention. And a function for supplementing the operation of the transmitting device according to the above.
【００４５】図４に示されるように送信装置は、送受信
兼用サブアンテナ４０１と、送受信兼用メインアンテナ
４０２と、送受信切換え用の半導体高周波スイッチ４０
３と、アイソレータ４０４と、電力増幅器４０５と、帯
域制限フィルタ４０６と、フロントエンド用ローノイズ
アンプ４０７と、高周波遮断用チョークコイル４０８
と、高周波バイパス用コンデンサ４０９と、ダイオード
４１０と、高周波遮断用チョークコイル４０８に並列に
接続されるコンデンサ４１１と、を有する。As shown in FIG. 4, the transmitting apparatus includes a transmitting / receiving sub-antenna 401, a transmitting / receiving main antenna 402, and a semiconductor high-frequency switch 40 for transmission / reception switching.
3, an isolator 404, a power amplifier 405, a band limiting filter 406, a front-end low-noise amplifier 407, and a high-frequency cut-off choke coil 408.
, A high-frequency bypass capacitor 409, a diode 410, and a capacitor 411 connected in parallel with the high-frequency cutoff choke coil 408.
【００４６】図４を構成する符号４０１から４０７を付
したそれぞれの構成要素は、図１を構成する符号１０１
から１０７を付したそれぞれの構成要素に符号順に対応
し、それぞれ対応する構成要素と同等の機能および役割
を持つ。したがって、図４を構成する符号４０１から４
０７の機能については説明を省略する。The components denoted by reference numerals 401 to 407 constituting FIG. 4 are denoted by reference numeral 101 constituting FIG.
Corresponding to the components denoted by numerals 107 through 107 in the order of reference numerals, and have the same functions and roles as the corresponding components. Therefore, reference numerals 401 to 4 constituting FIG.
Description of the function 07 is omitted.
【００４７】また、図２と同様に、半導体高周波スイッ
チ４０３の送信用ＦＥＴのソース端子は高周波遮断用チ
ョークコイル４０８および順方向のダイオード４１０を
介して半導体高周波スイッチの電源ＶＣＣに接続され、
高周波バイパス用コンデンサ４０９は高周波遮断用チョ
ークコイル４０８とダイオード４１０の接続点に付加さ
れている。さらに図４においては、高周波遮断用チョー
クコイル４０８に並列にコンデンサ４１１が接続されて
ＬＣ並列共振回路を形成している。Similarly to FIG. 2, the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 403 is connected to the power supply VCC of the semiconductor high-frequency switch via the high-frequency cutoff choke coil 408 and the forward diode 410.
The high-frequency bypass capacitor 409 is added to the connection point between the high-frequency cutoff choke coil 408 and the diode 410. Further, in FIG. 4, a capacitor 411 is connected in parallel with the high frequency cutoff choke coil 408 to form an LC parallel resonance circuit.
【００４８】送信用ＦＥＴのソース端子を順方向のダイ
オードを介してＶＣＣに接続することにより、送信用Ｆ
ＥＴのソースバイアスをＶＣＣにダイオードの順方向電
圧を加えた電位に抑えることができ、実施の形態２にお
いて説明したように、通常動作時には送信ＦＥＴに逆耐
圧のバイアスがかからないようにすることができる。By connecting the source terminal of the transmission FET to VCC via a forward diode, the transmission F
The source bias of ET can be suppressed to the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VCC, and as described in the second embodiment, the reverse breakdown voltage bias is not applied to the transmission FET during normal operation. .
【００４９】このようにして、パワーの回り込み等によ
り送信用ＦＥＴのソースバイアスが高くなってしまう場
合にも、ＶＣＣにダイオードの順方向電圧を加えた電位
が上限になるようにし、送信用ＦＥＴが瞬時でもオフに
ならないように制御している。In this way, even when the source bias of the transmission FET becomes high due to power sneak, etc., the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VCC is set to the upper limit, and the transmission FET becomes It is controlled so that it does not turn off instantaneously.
【００５０】このとき、高周波遮断用チョークコイル４
０８とコンデンサ４１０とで形成されるＬＣ並列共振回
路により、遮断用チョークコイル４０８のみを用いる実
施の形態２に比べて、送信変調波に対する高周波インピ
ーダンスを高くすることができるため、高周波回路のＲ
Ｆ損失を最小にすることができるAt this time, the high frequency cutoff choke coil 4
Since the LC parallel resonance circuit formed of the capacitor 08 and the capacitor 410 makes it possible to increase the high-frequency impedance with respect to the transmission modulation wave as compared with the second embodiment using only the choke coil 408 for blocking,
F loss can be minimized
【００５１】（実施の形態５）図５は本発明の実施の形
態５に係る２以上の送受信切換え回路を有する半導体高
周波スイッチを用いた送信装置の構成を示すブロック図
である。(Embodiment 5) FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus using a semiconductor high-frequency switch having two or more transmission / reception switching circuits according to Embodiment 5 of the present invention.
【００５２】図５に示されるように送信装置は、送受信
兼用サブアンテナ５０１と、送受信兼用メインアンテナ
５０２と、送受信切換え用の半導体高周波スイッチ５０
３と、アイソレータ５０４と、電力増幅器５０５と、帯
域制限フィルタ５０６と、フロントエンド用ローノイズ
アンプ５０７と、高周波遮断用チョークコイル５０８
と、高周波バイパス用コンデンサ５０９と、を有する。As shown in FIG. 5, the transmitting apparatus includes a transmitting / receiving sub-antenna 501, a transmitting / receiving main antenna 502, and a semiconductor high-frequency switch 50 for transmission / reception switching.
3, an isolator 504, a power amplifier 505, a band limiting filter 506, a low noise amplifier 507 for a front end, and a choke coil 508 for high frequency cutoff
And a high-frequency bypass capacitor 509.
【００５３】図５を構成する符号５０１から５０７を付
したそれぞれの構成要素は、図１を構成する符号１０１
から１０７を付したそれぞれの構成要素に符号順に対応
し、それぞれ対応する構成要素と同等の機能および役割
を持つ。したがって、図５を構成する符号５０１から５
０７の機能については説明を省略する。Each of the components denoted by reference numerals 501 to 507 in FIG. 5 is denoted by reference numeral 101 in FIG.
Corresponding to the components denoted by numerals 107 through 107 in the order of reference numerals, and have the same functions and roles as the corresponding components. Therefore, reference numerals 501 to 5 constituting FIG.
Description of the function 07 is omitted.
【００５４】図１の場合と異なり、図５の構成において
は、半導体高周波スイッチ５０３の電源ＶＣＣとは異な
る外部電源ＶＤＤを備え、高周波遮断用チョークコイル
５０８は半導体高周波スイッチ５０３の送信用ＦＥＴの
ソース端子と電源ＶＤＤとの間に挿入され、高周波バイ
パス用コンデンサ５０９は高周波遮断用チョークコイル
５０８のＶＤＤ接続点に付加される。Unlike the case of FIG. 1, the configuration of FIG. 5 includes an external power supply VDD different from the power supply VCC of the semiconductor high-frequency switch 503, and the high-frequency cut-off choke coil 508 is connected to the source of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 503. The high frequency bypass capacitor 509 is inserted between the terminal and the power supply VDD, and is added to the VDD connection point of the high frequency cutoff choke coil 508.
【００５５】ここで外部電源ＶＤＤは、半導体高周波ス
イッチ５０３において送信用ＦＥＴのゲートリーク電圧
によるソースバイアスと同電位に設定する。半導体高周
波スイッチ５０３のＶＣＣが３．３Ｖのときに、このリ
ーク電圧は約３．０Ｖである。Here, the external power supply VDD is set to the same potential as the source bias in the semiconductor high-frequency switch 503 due to the gate leak voltage of the transmission FET. When VCC of the semiconductor high-frequency switch 503 is 3.3 V, the leakage voltage is about 3.0 V.
【００５６】半導体高周波スイッチ５０３の送信用ＦＥ
Ｔのソース端子には高周波遮断用チョークコイル５０８
を通して外部電源電圧ＶＤＤが供給されるので、送信用
ＦＥＴのソースバイアスは強制的にＶＤＤに固定され
る。このときに高周波遮断用チョークコイル５０８の作
用により高周波信号が遮断されるので、高周波回路損失
の増加を防ぐことができる。Transmission FE of semiconductor high-frequency switch 503
The source terminal of T has a choke coil 508 for blocking high frequency.
, The source bias of the transmission FET is forcibly fixed to VDD. At this time, since the high-frequency signal is cut off by the action of the high-frequency cut-off choke coil 508, an increase in high-frequency circuit loss can be prevented.
【００５７】このようにして送信用ＦＥＴのソースバイ
アスをゲートリーク電圧によるソースバイアスと同電位
のＶＤＤに固定することにより、パワーの回り込みでソ
ースバイアスに電圧が印加されることを防ぐことができ
る。その結果、送信オン時の半導体高周波スイッチ動作
の立ち上り時にオフになることがなくなり、半導体高周
波スイッチの送受信切換えの遅れの発生を防ぐことがで
きる。By fixing the source bias of the transmission FET to VDD having the same potential as the source bias due to the gate leak voltage in this way, it is possible to prevent a voltage from being applied to the source bias due to power sneak. As a result, the semiconductor high-frequency switch does not turn off at the rise of the operation of the semiconductor high-frequency switch when the transmission is on, and it is possible to prevent a delay in the transmission and reception switching of the semiconductor high-frequency switch.
【００５８】（実施の形態６）図６は本発明の実施の形
態６に係る２以上の送受信切換え回路を有する半導体高
周波スイッチを用いた送信装置の構成を示すブロック図
である。(Embodiment 6) FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus using a semiconductor high-frequency switch having two or more transmission / reception switching circuits according to Embodiment 6 of the present invention.
【００５９】図６に示されるように送信装置は、送受信
兼用サブアンテナ６０１と、送受信兼用メインアンテナ
６０２と、送受信切換え用の半導体高周波スイッチ６０
３と、アイソレータ６０４と、電力増幅器６０５と、帯
域制限フィルタ６０６と、フロントエンド用ローノイズ
アンプ６０７と、高周波遮断用チョークコイル６０８
と、高周波バイパス用コンデンサ６０９と、ダイオード
６１０と、を有する。As shown in FIG. 6, the transmitting apparatus comprises a transmitting / receiving sub-antenna 601, a transmitting / receiving main antenna 602, and a semiconductor high-frequency switch 60 for transmitting / receiving switching.
3, an isolator 604, a power amplifier 605, a band limiting filter 606, a front-end low-noise amplifier 607, and a high-frequency cut-off choke coil 608.
, A high-frequency bypass capacitor 609, and a diode 610.
【００６０】図６を構成する符号６０１から６０７を付
したそれぞれの構成要素は、図１を構成する符号１０１
から１０７を付したそれぞれの構成要素に符号順に対応
し、それぞれ対応する構成要素と同等の機能および役割
を持つ。したがって、図６を構成する符号６０１から６
０７の機能については説明を省略する。The components denoted by reference numerals 601 to 607 in FIG. 6 are denoted by reference numeral 101 in FIG.
Corresponding to the components denoted by numerals 107 through 107 in the order of reference numerals, and have the same functions and roles as the corresponding components. Therefore, reference numerals 601 to 601 constituting FIG.
Description of the function 07 is omitted.
【００６１】図２の場合と異なり、図６の構成において
は、半導体高周波スイッチ６０３の電源ＶＣＣとは異な
る外部電源ＶＤＤを備え、半導体高周波スイッチ６０３
の送信用ＦＥＴのソース端子は高周波遮断用チョークコ
イル６０８および順方向のダイオード６１０を介して電
源ＶＤＤに接続され、高周波バイパス用コンデンサ６０
９は高周波遮断用チョークコイル６０８とダイオード６
１０の接続点に付加されている。Unlike the case of FIG. 2, the configuration of FIG. 6 includes an external power supply VDD different from the power supply VCC of the semiconductor high-frequency switch 603, and the semiconductor high-frequency switch 603
The source terminal of the transmission FET is connected to the power supply VDD via the high frequency cutoff choke coil 608 and the forward diode 610, and the high frequency bypass capacitor 60
9 is a choke coil 608 for high frequency cutoff and a diode 6
10 connection points are added.
【００６２】送信用ＦＥＴのソース端子を順方向のダイ
オードを介してＶＤＤに接続することにより、送信用Ｆ
ＥＴのソースバイアスをゲートリーク電圧によるソース
バイアスと同電位のＶＤＤにダイオードの順方向電圧を
加えた電位に抑えることができ、通常動作時には送信Ｆ
ＥＴに逆耐圧のバイアスがかからないようにすることが
できる。By connecting the source terminal of the transmission FET to VDD via a forward diode, the transmission F
The source bias of ET can be suppressed to the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VDD of the same potential as the source bias due to the gate leak voltage, and the transmission F
It is possible to prevent a reverse withstand voltage bias from being applied to the ET.
【００６３】このようにして、パワーの回り込み等によ
り送信用ＦＥＴのソースバイアスが高くなってしまう場
合にも、ＶＤＤにダイオードの順方向電圧を加えた電位
が上限になるようにし、送信用ＦＥＴが瞬時でもオフに
ならないように制御している。In this way, even when the source bias of the transmission FET increases due to power sneak, etc., the upper limit is set to the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VDD. It is controlled so that it does not turn off instantaneously.
【００６４】（実施の形態７）図７は本発明の実施の形
態７に係る２以上の送受信切換え回路を有する半導体高
周波スイッチを用いた送信装置の構成を示すブロック図
であり、実施の形態５に係る送信装置の作用を補う機能
を備えるものである。(Embodiment 7) FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus using a semiconductor high-frequency switch having two or more transmission / reception switching circuits according to Embodiment 7 of the present invention. And a function for supplementing the operation of the transmitting device according to the above.
【００６５】図７に示されるように送信装置は、送受信
兼用サブアンテナ７０１と、送受信兼用メインアンテナ
７０２と、送受信切換え用の半導体高周波スイッチ７０
３と、アイソレータ７０４と、電力増幅器７０５と、帯
域制限フィルタ７０６と、フロントエンド用ローノイズ
アンプ７０７と、高周波遮断用チョークコイル７０８
と、高周波バイパス用コンデンサ７０９と、高周波遮断
用チョークコイル７０８に並列に接続されるコンデンサ
７１０と、を有する。As shown in FIG. 7, the transmitting apparatus includes a transmitting / receiving sub-antenna 701, a transmitting / receiving main antenna 702, and a semiconductor high-frequency switch 70 for switching between transmission and reception.
3, an isolator 704, a power amplifier 705, a band limiting filter 706, a low noise amplifier 707 for a front end, and a choke coil 708 for high frequency cutoff
And a high-frequency bypass capacitor 709, and a capacitor 710 connected in parallel with the high-frequency cutoff choke coil 708.
【００６６】図７を構成する符号７０１から７０７を付
したそれぞれの構成要素は、図１を構成する符号１０１
から１０７を付したそれぞれの構成要素に符号順に対応
し、それぞれ対応する構成要素と同等の機能および役割
を持つ。したがって、図７を構成する符号７０１から７
０７の機能については説明を省略する。The components denoted by reference numerals 701 to 707 in FIG. 7 are denoted by reference numerals 101 to 701 in FIG.
Corresponding to the components denoted by numerals 107 through 107 in the order of reference numerals, and have the same functions and roles as the corresponding components. Accordingly, reference numerals 701 to 7 constituting FIG.
Description of the function 07 is omitted.
【００６７】また、図５と同様に、半導体高周波スイッ
チ５０３の電源ＶＣＣとは異なる外部電源ＶＤＤを備
え、高周波遮断用チョークコイル７０８は半導体高周波
スイッチ７０３の送信用ＦＥＴのソース端子と電源ＶＤ
Ｄとの間に挿入され、高周波バイパス用コンデンサ７０
９は高周波遮断用チョークコイル７０８のＶＤＤ接続点
に付加される。さらに図７においては、高周波遮断用チ
ョークコイル７０８に並列にコンデンサ７１０が接続さ
れてＬＣ並列共振回路を形成している。As in FIG. 5, an external power supply VDD different from the power supply VCC of the semiconductor high-frequency switch 503 is provided, and the high-frequency cut-off choke coil 708 is connected to the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 703 and the power supply VDD.
D and a high-frequency bypass capacitor 70
9 is added to the VDD connection point of the choke coil 708 for blocking high frequency. Further, in FIG. 7, a capacitor 710 is connected in parallel with the high frequency cutoff choke coil 708 to form an LC parallel resonance circuit.
【００６８】半導体高周波スイッチ７０３の送信用ＦＥ
Ｔのソース端子には高周波遮断用チョークコイル７０８
を通して外部電源電圧ＶＤＤが供給されるので、送信用
ＦＥＴのソースバイアスは強制的にＶＤＤに固定され
る。Transmission FE of semiconductor high-frequency switch 703
The source terminal of T has a choke coil 708 for blocking high frequency.
, The source bias of the transmission FET is forcibly fixed to VDD.
【００６９】このようにして送信用ＦＥＴのソースバイ
アスをゲートリーク電圧によるソースバイアスと同電位
のＶＤＤに固定することにより、パワーの回り込みでソ
ースバイアスに電圧が印加されることを防ぐことができ
る。その結果、送信オン時の半導体高周波スイッチ動作
の立ち上り時にオフになることがなくなり、半導体高周
波スイッチの送受信切換えの遅れの発生を防ぐことがで
きる。By fixing the source bias of the transmission FET to VDD having the same potential as the source bias due to the gate leak voltage in this way, it is possible to prevent a voltage from being applied to the source bias due to power sneak. As a result, the semiconductor high-frequency switch does not turn off at the rise of the operation of the semiconductor high-frequency switch when the transmission is on, and it is possible to prevent a delay in the transmission and reception switching of the semiconductor high-frequency switch.
【００７０】このとき、高周波遮断用チョークコイル７
０８とコンデンサ７１０とで形成されるＬＣ並列共振回
路により、遮断用チョークコイル７０８のみを用いる実
施の形態５に比べて、送信変調波に対する高周波インピ
ーダンスを高くすることができるため、高周波回路のＲ
Ｆ損失を最小にすることができる。At this time, the choke coil 7 for blocking high frequency
Since the LC parallel resonance circuit formed by the capacitor 08 and the capacitor 710 can increase the high-frequency impedance with respect to the transmission modulation wave as compared with the fifth embodiment using only the choke coil 708 for blocking, the R
F loss can be minimized.
【００７１】（実施の形態８）図８は本発明の実施の形
態８に係る２以上の送受信切換え回路を有する半導体高
周波スイッチを用いた送信装置の構成を示すブロック図
であり、実施の形態６に係る送信装置の作用を補う機能
を備えるものである。(Eighth Embodiment) FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus using a semiconductor high-frequency switch having two or more transmission / reception switching circuits according to an eighth embodiment of the present invention. And a function for supplementing the operation of the transmitting device according to the above.
【００７２】図８に示されるように送信装置は、送受信
兼用サブアンテナ８０１と、送受信兼用メインアンテナ
８０２と、送受信切換え用の半導体高周波スイッチ８０
３と、アイソレータ８０４と、電力増幅器８０５と、帯
域制限フィルタ８０６と、フロントエンド用ローノイズ
アンプ８０７と、高周波遮断用チョークコイル８０８
と、高周波バイパス用コンデンサ８０９と、ダイオード
８１０と、高周波遮断用チョークコイル８０８に並列に
接続されるコンデンサ８１１と、を有する。As shown in FIG. 8, the transmitting apparatus comprises a transmitting / receiving sub-antenna 801, a transmitting / receiving main antenna 802, and a semiconductor high-frequency switch 80 for switching between transmission and reception.
3, an isolator 804, a power amplifier 805, a band limiting filter 806, a low noise amplifier 807 for a front end, and a choke coil 808 for high frequency cutoff
, A high-frequency bypass capacitor 809, a diode 810, and a capacitor 811 connected in parallel with the high-frequency cutoff choke coil 808.
【００７３】図８を構成する符号８０１から８０７を付
したそれぞれの構成要素は、図１を構成する符号１０１
から１０７を付したそれぞれの構成要素に符号順に対応
し、それぞれ対応する構成要素と同等の機能および役割
を持つ。したがって、図８を構成する符号８０１から８
０７の機能については説明を省略する。The components denoted by reference numerals 801 to 807 constituting FIG. 8 are denoted by reference numeral 101 constituting FIG.
Corresponding to the components denoted by numerals 107 through 107 in the order of reference numerals, and have the same functions and roles as the corresponding components. Therefore, reference numerals 801 to 8 constituting FIG.
Description of the function 07 is omitted.
【００７４】また、図６と同様に、半導体高周波スイッ
チ８０３の電源ＶＣＣとは異なる外部電源ＶＤＤを備
え、半導体高周波スイッチ８０３の送信用ＦＥＴのソー
ス端子は高周波遮断用チョークコイル８０８および順方
向のダイオード８１０を介して電源ＶＤＤに接続され、
高周波バイパス用コンデンサ８０９は高周波遮断用チョ
ークコイル８０８とダイオード８１０の接続点に付加さ
れている。As in FIG. 6, an external power supply VDD different from the power supply VCC of the semiconductor high-frequency switch 803 is provided, and the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch 803 is a high-frequency cut-off choke coil 808 and a forward diode. 810 connected to the power supply VDD,
A high-frequency bypass capacitor 809 is added to a connection point between the high-frequency cutoff choke coil 808 and the diode 810.
【００７５】送信用ＦＥＴのソース端子を順方向のダイ
オードを介してＶＤＤに接続することにより、送信用Ｆ
ＥＴのソースバイアスをゲートリーク電圧によるソース
バイアスと同電位のＶＤＤにダイオードの順方向電圧を
加えた電位に抑えることができ、通常動作時には送信Ｆ
ＥＴに逆耐圧のバイアスがかからないようにすることが
できる。By connecting the source terminal of the transmission FET to VDD via a forward diode, the transmission F
The source bias of ET can be suppressed to the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VDD of the same potential as the source bias due to the gate leak voltage, and the transmission F
It is possible to prevent a reverse withstand voltage bias from being applied to the ET.
【００７６】このようにして、パワーの回り込み等によ
り送信用ＦＥＴのソースバイアスが高くなってしまう場
合にも、ＶＤＤにダイオードの順方向電圧を加えた電位
が上限になるようにし、送信用ＦＥＴが瞬時でもオフに
ならないように制御している。In this way, even when the source bias of the transmission FET increases due to power sneak, etc., the upper limit is set to the potential obtained by adding the forward voltage of the diode to VDD. It is controlled so that it does not turn off instantaneously.
【００７７】このとき、高周波遮断用チョークコイル８
０８とコンデンサ８１１とで形成されるＬＣ並列共振回
路により、遮断用チョークコイル８０８のみを用いる実
施の形態６に比べて、送信変調波に対する高周波インピ
ーダンスを高くすることができるため、高周波回路のＲ
Ｆ損失を最小にすることができる。At this time, the high frequency cutoff choke coil 8
Since the LC parallel resonance circuit formed by the capacitor 081 and the capacitor 811 can increase the high-frequency impedance with respect to the transmission modulation wave as compared with the sixth embodiment using only the choke coil 808 for blocking, the R
F loss can be minimized.
【００７８】[0078]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
携帯電話や移動無線機等に使用する送受信切換え回路を
有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置におい
て、半導体高周波スイッチの送信用ＦＥＴのソース電圧
を一定にする回路を付加することにより、パワーの回り
込みが原因で生ずる送信用ＦＥＴがオフになる現象を抑
え、半導体高周波スイッチの送受信切換え時間の遅れの
発生を防止することができる。As described above, according to the present invention,
In a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit used for a mobile phone, a mobile wireless device, and the like, a circuit for keeping the source voltage of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch constant is added to reduce the power sneak. It is possible to suppress a phenomenon that the transmission FET is turned off due to the cause, and to prevent a delay in transmission / reception switching time of the semiconductor high-frequency switch.
【図１】本発明の実施の形態１に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態２に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 2 of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態３に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 3 of the present invention.
【図４】本発明の実施の形態４に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 4 of the present invention.
【図５】本発明の実施の形態５に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 5 of the present invention.
【図６】本発明の実施の形態６に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 6 of the present invention.
【図７】本発明の実施の形態７に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 7 of the present invention.
【図８】本発明の実施の形態８に係る送受信切換え回路
を有する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成
を示すブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit according to Embodiment 8 of the present invention.
【図９】従来の送信装置における送受信切換え回路を有
する半導体高周波スイッチを用いた送信装置の構成を示
すブロック図である。FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit in a conventional transmission device.
【図１０】半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴのソース
端子に外部バイアスを与えたときのＲＦ損失を示す特性
図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing RF loss when an external bias is applied to the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch.
【図１１】半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴのソース
端子に外部バイアスを与えたときのＲＦ損失を示す拡大
特性図である。FIG. 11 is an enlarged characteristic diagram showing RF loss when an external bias is applied to the source terminal of the transmission FET of the semiconductor high-frequency switch.
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７
０１、８０１ 送受信兼用サブアンテナ １０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２、７
０２、８０２ 送受信兼用メインアンテナ １０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３、７
０３、８０３ 送受信切換え用の半導体高周波スイッチ １０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４、７
０４、８０４ アイソレータ １０５、２０５、３０５、４０５、５０５、６０５、７
０５、８０５ 電力増幅器 １０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６、７
０６、８０６ 帯域制限フィルタ １０７、２０７、３０７、４０７、５０７、６０７、７
０７、８０７ フロントエンド用ローノイズアンプ １０８、２０８、３０８、４０８、５０８、６０８、７
０８、８０８ 高周波遮断用チョークコイル １０９、２０９、３０９、４０９、５０９、６０９、７
０９、８０９ 高周波バイパス用コンデンサ ２１０、４１０、６１０、８１０ ダイオード ３１０、４１１、７１０、８１１ 高周波共振用コンデ
ンサ101, 201, 301, 401, 501, 601, 7
01,801 Transmission / reception sub-antenna 102,202,302,402,502,602,7
02, 802 Transmit / receive main antenna 103, 203, 303, 403, 503, 603, 7
03, 803 Semiconductor high frequency switch for transmission / reception switching 104, 204, 304, 404, 504, 604, 7
04, 804 Isolators 105, 205, 305, 405, 505, 605, 7
05, 805 Power amplifier 106, 206, 306, 406, 506, 606, 7
06, 806 Band limiting filter 107, 207, 307, 407, 507, 607, 7
07, 807 Low-noise amplifier for front end 108, 208, 308, 408, 508, 608, 7
08, 808 High-frequency choke coil 109, 209, 309, 409, 509, 609, 7
09, 809 High frequency bypass capacitor 210, 410, 610, 810 Diode 310, 411, 710, 811 High frequency resonance capacitor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 曽布川 敦 静岡県浜松市元城町216番地18号 株式会 社松下通信静岡研究所内 Ｆターム(参考） 5J012 BA04 5K011 DA12 DA21 DA29 FA01 GA04 JA01 KA08 5K060 BB07 CC04 CC12 DD04 HH06 HH39 JJ03 JJ06 JJ08 JJ23 LL12 MM00 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Atsushi Sobugawa 216-18 Motoshiro-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka F-term in Matsushita Communication Shizuoka Research Laboratories Co., Ltd. 5J012 BA04 5K011 DA12 DA21 DA29 FA01 GA04 JA01 KA08 5K060 BB07 CC04 CC12 DD04 HH06 HH39 JJ03 JJ06 JJ08 JJ23 LL12 MM00
Claims (5)
スイッチを用いた送信装置において、 前記半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴのソース端子
を、高周波チョークコイルを介して、前記半導体高周波
スイッチの電源電圧ＶＣＣを供給する外部電源に接続す
ることにより、前記送信ＦＥＴのソース電圧を前記電源
電圧ＶＣＣに固定するように前記送信ＦＥＴのソース端
子にバイアスを与えることを特徴とする送信装置。1. A transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit, wherein a source terminal of a transmission FET of the semiconductor high-frequency switch is supplied with a power supply voltage VCC of the semiconductor high-frequency switch via a high-frequency choke coil. A transmission device, wherein a bias is applied to a source terminal of the transmission FET so as to fix the source voltage of the transmission FET to the power supply voltage VCC by being connected to an external power supply.
スイッチを用いた送信装置において、 前記半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴのソース端子
を、高周波チョークコイルおよび順方向のダイオードを
介して、前記半導体高周波スイッチの電源電圧ＶＣＣを
供給する外部電源に接続することにより、前記送信ＦＥ
Ｔのソース電圧が前記電源電圧ＶＣＣにダイオードの順
方向電圧を加えた電圧を越えないように前記送信ＦＥＴ
のソース端子のバイアスをコントロールすることを特徴
とする送信装置。2. A transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit, comprising: By connecting to an external power supply that supplies the voltage VCC, the transmission FE
The transmission FET so that the source voltage of T does not exceed the voltage obtained by adding the forward voltage of the diode to the power supply voltage VCC.
A transmission terminal for controlling a bias of a source terminal of the transmission device.
スイッチを用いた送信装置において、 前記半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴのソース端子
を、高周波チョークコイルを介して、送信用ＦＥＴのゲ
ートリーク電圧によるソースバイアスと同電位に設定さ
れた外部電源ＶＤＤに接続することにより、前記送信Ｆ
ＥＴのソース電圧を前記電源電圧ＶＤＤに固定するよう
に前記送信ＦＥＴのソース端子にバイアスを与えること
を特徴とする送信装置。3. A transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit, wherein a source terminal of a transmission FET of the semiconductor high-frequency switch is connected to a source bias by a gate leak voltage of the transmission FET via a high-frequency choke coil. By connecting to the external power supply VDD set to the same potential, the transmission F
A transmission device, wherein a bias is applied to a source terminal of the transmission FET so that a source voltage of the ET is fixed to the power supply voltage VDD.
スイッチを用いた送信装置において、 前記半導体高周波スイッチの送信ＦＥＴのソース端子
を、高周波チョークコイルおよび順方向のダイオードを
介して、送信用ＦＥＴのゲートリーク電圧によるソース
バイアスと同電位に設定された外部電源ＶＤＤに接続す
ることにより、前記送信ＦＥＴのソース電圧が前記電源
電圧ＶＤＤにダイオードの順方向電圧を加えた電圧を越
えないように前記送信ＦＥＴのソース端子のバイアスを
コントロールすることを特徴とする送信装置。4. A transmission device using a semiconductor high-frequency switch having a transmission / reception switching circuit, wherein a source terminal of a transmission FET of the semiconductor high-frequency switch is connected to a gate leakage of a transmission FET via a high-frequency choke coil and a forward diode. By connecting to the external power supply VDD set to the same potential as the source bias by the voltage, the transmission FET is controlled so that the source voltage of the transmission FET does not exceed the voltage obtained by adding the forward voltage of the diode to the power supply voltage VDD. A transmitting device for controlling a bias of a source terminal.
を並列に接続して並列共振回路を形成することを特徴と
する請求項１乃至請求項４の何れか１項記載の送信装
置。5. The transmission device according to claim 1, wherein a capacitor is connected in parallel to the high-frequency choke coil to form a parallel resonance circuit.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001114224A JP2002314441A (en) | 2001-04-12 | 2001-04-12 | Transmission system |
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329669A (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | Power amplifying apparatus |
-
2001
- 2001-04-12 JP JP2001114224A patent/JP2002314441A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
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| JP2007329669A (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | Power amplifying apparatus |
| JP4670741B2 (en) * | 2006-06-07 | 2011-04-13 | 株式会社村田製作所 | Power amplifier |
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