JP2002301869A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP2002301869A JP2002301869A JP2001107067A JP2001107067A JP2002301869A JP 2002301869 A JP2002301869 A JP 2002301869A JP 2001107067 A JP2001107067 A JP 2001107067A JP 2001107067 A JP2001107067 A JP 2001107067A JP 2002301869 A JP2002301869 A JP 2002301869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- optical recording
- recording
- medium according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 DVD-ROMの再生線速3.44m／sの５倍速である1
7.2m／s以上までの高線速記録に適した光記録媒体を提
供すること。 【解決手段】 基板１上に少なくとも記録層３を設ける
とともに前記記録層３の相変化を利用して情報の記録、
再生、消去を行う光記録媒体であって、前記記録層３の
原子比率９０％以上が、下記式で表される化合物からな
ることを特徴とする光記録媒体。 DyαSbβTeγ （式中、α、β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦
０．１０、かつ０．６０≦β≦０．９５であり、α＋β
＋γ＝１である）
7.2m／s以上までの高線速記録に適した光記録媒体を提
供すること。 【解決手段】 基板１上に少なくとも記録層３を設ける
とともに前記記録層３の相変化を利用して情報の記録、
再生、消去を行う光記録媒体であって、前記記録層３の
原子比率９０％以上が、下記式で表される化合物からな
ることを特徴とする光記録媒体。 DyαSbβTeγ （式中、α、β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦
０．１０、かつ０．６０≦β≦０．９５であり、α＋β
＋γ＝１である）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザービーム照射により情報の
記録・再生及び消去可能な光記録媒体には、熱を利用し
て磁化の反転を行い記録消去する光磁気記録方式と、結
晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録消去可能な相変
化記録方式がある。後者は単一ビームオーバーライトが
可能であり、ドライブ側の光学系よりも単純であること
を特徴とし、コンピューター関連や映像音響に関する記
録媒体として応用されている。その記録材料として実用
化されているものに、Ge-Sb-Te、及び、Ag-In-Sb-Teが
ある。特にAg-In-Sb-Teは高感度でアモルファス部分の
輪郭が明確であり、高密度記録に適した材料である。特
開平11-070738号公報においては、オーバーライト回数
が高く、保存信頼性にも優れたAgInSbTe４元材料の最適
組成比、最適層構成が示されている。また、Crあるいは
Zrを添加することで保存特性をさらに向上させている。
記録・再生及び消去可能な光記録媒体には、熱を利用し
て磁化の反転を行い記録消去する光磁気記録方式と、結
晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録消去可能な相変
化記録方式がある。後者は単一ビームオーバーライトが
可能であり、ドライブ側の光学系よりも単純であること
を特徴とし、コンピューター関連や映像音響に関する記
録媒体として応用されている。その記録材料として実用
化されているものに、Ge-Sb-Te、及び、Ag-In-Sb-Teが
ある。特にAg-In-Sb-Teは高感度でアモルファス部分の
輪郭が明確であり、高密度記録に適した材料である。特
開平11-070738号公報においては、オーバーライト回数
が高く、保存信頼性にも優れたAgInSbTe４元材料の最適
組成比、最適層構成が示されている。また、Crあるいは
Zrを添加することで保存特性をさらに向上させている。
【０００３】相変化記録媒体は、今後、高密度画像記録
への用途が拡大すると予想されるが、そのためには高速
オーバーライトを実現する必要があり、結晶化速度の速
い記録層材料が必要となってくる。AgInSbTe４元材料の
結晶化速度を向上させるためには、InあるいはSbの配合
比を高くすることにより可能である。しかし、Inの配合
比を高くするとオーバーライトによる劣化が進行しやす
くなってしまう。また、Sbの配合比を高くすると保存信
頼性が低下してしまうという弊害を招く。さらにまた、
記録材料の結晶化速度が大きくなるにつれ、必然的に記
録層の非晶質化が困難になり記録マークの形成が困難に
なるという問題がある。
への用途が拡大すると予想されるが、そのためには高速
オーバーライトを実現する必要があり、結晶化速度の速
い記録層材料が必要となってくる。AgInSbTe４元材料の
結晶化速度を向上させるためには、InあるいはSbの配合
比を高くすることにより可能である。しかし、Inの配合
比を高くするとオーバーライトによる劣化が進行しやす
くなってしまう。また、Sbの配合比を高くすると保存信
頼性が低下してしまうという弊害を招く。さらにまた、
記録材料の結晶化速度が大きくなるにつれ、必然的に記
録層の非晶質化が困難になり記録マークの形成が困難に
なるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、DVD-ROM
の再生線速3.44m／sの５倍速である17.2m／s以上までの
高線速記録に適した光記録媒体を提供することを目的と
する。
の再生線速3.44m／sの５倍速である17.2m／s以上までの
高線速記録に適した光記録媒体を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
上に少なくとも記録層を設けるとともに前記記録層の相
変化を利用して情報の記録、再生、消去を行う光記録媒
体において、前記記録層の原子比率９０％以上が、下記
式で表される化合物からなることを特徴とする光記録媒
体である。 DyαSbβTeγ （式中、α、β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦
０．１０、かつ０．６０≦β≦０．９５であり、α＋β
＋γ＝１である） 請求項２の発明は、記録層が、さらにAgを含むことを特
徴とする請求項１に記載の光記録媒体である。請求項３
の発明は、記録層が、さらにGeを含むことを特徴とする
請求項１に記載の光記録媒体である。請求項４の発明
は、記録層が、さらにAgおよびGeを含むことを特徴とす
る請求項１に記載の光記録媒体である。請求項５の発明
は、記録層が、所定組成の合金ターゲットを用いたスパ
ッタ法により成膜されたものであることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
る。請求項６の発明は、光記録媒体が、基板上に少なく
とも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、および反射
層をこの順で設けたものであり，前記反射層が少なくと
もＡｇを９０％以上含む金属であることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
る。請求項７の発明は、上部誘電体層が少なくとも２層
構造からなり、その内の１層が、反射層との界面から前
記上部誘電体層の内部に向かって1nm以上の幅を有する
とともに硫化物を含まない層であることを特徴とする請
求項６に記載の光記録媒体である。請求項８の発明は、
硫化物を含まない層が、炭素化物、あるいは炭素化物に
対して酸化物または窒化物を混合した材料からなること
を特徴とする請求項７に記載の光記録媒体である。請求
項９の発明は、炭素化物がＳｉＣであることを特徴とす
る請求項８に記載の光記録媒体である。請求項１０の発
明は、記録層として、初期結晶化されたものを用いるこ
とを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載
の光記録媒体である。請求項１１の発明は、初期結晶化
が、レーザービームによる溶融初期化方法、あるいは、
固相初期化によりなされたものであることを特徴とする
請求項１０に記載の光記録媒体である。
上に少なくとも記録層を設けるとともに前記記録層の相
変化を利用して情報の記録、再生、消去を行う光記録媒
体において、前記記録層の原子比率９０％以上が、下記
式で表される化合物からなることを特徴とする光記録媒
体である。 DyαSbβTeγ （式中、α、β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦
０．１０、かつ０．６０≦β≦０．９５であり、α＋β
＋γ＝１である） 請求項２の発明は、記録層が、さらにAgを含むことを特
徴とする請求項１に記載の光記録媒体である。請求項３
の発明は、記録層が、さらにGeを含むことを特徴とする
請求項１に記載の光記録媒体である。請求項４の発明
は、記録層が、さらにAgおよびGeを含むことを特徴とす
る請求項１に記載の光記録媒体である。請求項５の発明
は、記録層が、所定組成の合金ターゲットを用いたスパ
ッタ法により成膜されたものであることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
る。請求項６の発明は、光記録媒体が、基板上に少なく
とも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、および反射
層をこの順で設けたものであり，前記反射層が少なくと
もＡｇを９０％以上含む金属であることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
る。請求項７の発明は、上部誘電体層が少なくとも２層
構造からなり、その内の１層が、反射層との界面から前
記上部誘電体層の内部に向かって1nm以上の幅を有する
とともに硫化物を含まない層であることを特徴とする請
求項６に記載の光記録媒体である。請求項８の発明は、
硫化物を含まない層が、炭素化物、あるいは炭素化物に
対して酸化物または窒化物を混合した材料からなること
を特徴とする請求項７に記載の光記録媒体である。請求
項９の発明は、炭素化物がＳｉＣであることを特徴とす
る請求項８に記載の光記録媒体である。請求項１０の発
明は、記録層として、初期結晶化されたものを用いるこ
とを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載
の光記録媒体である。請求項１１の発明は、初期結晶化
が、レーザービームによる溶融初期化方法、あるいは、
固相初期化によりなされたものであることを特徴とする
請求項１０に記載の光記録媒体である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明者らは、記録層を特定組成
範囲のDySbTeにし、必要に応じてAgもしくはGe、あるい
は、AgとGeの両方を添加した４元あるいは５元組成とす
ることで高線速記録に適し、また、オーバーライト特
性、保存特性にも優れる光記録媒体を形成できることを
見出した。AgInSbTeは繰り返し記録特性に優れた相変化
記録材料であるが、AgInSbTeの母材となるSbTeは非晶質
相の安定性が悪く、70℃程度の高温保存信頼性の点で問
題がある。そのため、通常はAg、Inなど結晶化温度を高
くして非晶質相の安定化を図る第３元素を１種類以上添
加して用いられる。Ag、Inには、保存安定性を向上させ
るだけではなく、Agは初期化を容易にする、記録密度を
向上するなどの効果、Inは記録線速の向上，記録密度を
向上するなどの効果もある。しかし、それぞれ添加量が
多すぎると、オーバーライト特性などに悪影響を及ぼ
す。本発明では、Inの一部またはすべてをDyで置き換え
ることで、DyはInより少量でも記録線速向上に対する寄
与が大きいために、オーバーライト特性に悪影響をもた
らさずに記録線速を向上できることを見出した。また、
その際にAgやGeも添加することにより、高記録密度かつ
高線速記録が可能であり、保存信頼性、オーバーライト
特性に優れ、初期化も容易なディスクを形成できること
を見出した。ただし、Dy-Sb-Teに添加されるAgやGeは、
合計で１０％より少なくする必要がある。これより多く
なると、記録感度，及び、オーバーライト特性の低下を
招く。また、DyもSb-Teに対しては１０％以下とする。
これより多くなると、やはりオーバーライト特性が低下
するためである。Sbは、Dy-Teに対して６０％以上、９
５％以下とする。従来、Sb量が８０％を越えると、保存
信頼性の低下、オーバーライト特性が悪化すると考えら
れていたが、本発明ではDyを添加したことにより９５％
までの範囲で添加が可能となった。
範囲のDySbTeにし、必要に応じてAgもしくはGe、あるい
は、AgとGeの両方を添加した４元あるいは５元組成とす
ることで高線速記録に適し、また、オーバーライト特
性、保存特性にも優れる光記録媒体を形成できることを
見出した。AgInSbTeは繰り返し記録特性に優れた相変化
記録材料であるが、AgInSbTeの母材となるSbTeは非晶質
相の安定性が悪く、70℃程度の高温保存信頼性の点で問
題がある。そのため、通常はAg、Inなど結晶化温度を高
くして非晶質相の安定化を図る第３元素を１種類以上添
加して用いられる。Ag、Inには、保存安定性を向上させ
るだけではなく、Agは初期化を容易にする、記録密度を
向上するなどの効果、Inは記録線速の向上，記録密度を
向上するなどの効果もある。しかし、それぞれ添加量が
多すぎると、オーバーライト特性などに悪影響を及ぼ
す。本発明では、Inの一部またはすべてをDyで置き換え
ることで、DyはInより少量でも記録線速向上に対する寄
与が大きいために、オーバーライト特性に悪影響をもた
らさずに記録線速を向上できることを見出した。また、
その際にAgやGeも添加することにより、高記録密度かつ
高線速記録が可能であり、保存信頼性、オーバーライト
特性に優れ、初期化も容易なディスクを形成できること
を見出した。ただし、Dy-Sb-Teに添加されるAgやGeは、
合計で１０％より少なくする必要がある。これより多く
なると、記録感度，及び、オーバーライト特性の低下を
招く。また、DyもSb-Teに対しては１０％以下とする。
これより多くなると、やはりオーバーライト特性が低下
するためである。Sbは、Dy-Teに対して６０％以上、９
５％以下とする。従来、Sb量が８０％を越えると、保存
信頼性の低下、オーバーライト特性が悪化すると考えら
れていたが、本発明ではDyを添加したことにより９５％
までの範囲で添加が可能となった。
【０００７】本発明の光記録媒体は、上記の記録層を有
しているが、光記録媒体、例えばディスクの層構成とし
ては、図１に示すように、基板１上に下部誘電体層２、
記録層３、上部誘電体層４、反射層５、有機保護層６が
設けたものからなる。高速オーバーライトの実現を狙っ
て結晶化速度の大きい記録材料を用いた場合、記録材料
の結晶化速度が大きくなるにつれ、必然的に記録層の非
晶質化が困難になり記録マークの形成が困難になるとい
う問題がある。そのため、層構成による熱設計が非常に
重要となる。すなわち、記録層再凝固時の冷却速度を高
めるべく、各層の熱伝導率と膜厚を最適化することが重
要である。そこで反射層は、できるだけ放熱を促進する
ために、熱伝導率の高い材料が望ましい。例えばAl、A
u、Ag、またはそれらを９０％以上含む金属からなる反
射層が挙げられる。本発明では前記反射層をAgまたはAg
を９０％以上含む合金としたことにより、より高線速記
録に適した光記録媒体を形成できることを見出した。
しているが、光記録媒体、例えばディスクの層構成とし
ては、図１に示すように、基板１上に下部誘電体層２、
記録層３、上部誘電体層４、反射層５、有機保護層６が
設けたものからなる。高速オーバーライトの実現を狙っ
て結晶化速度の大きい記録材料を用いた場合、記録材料
の結晶化速度が大きくなるにつれ、必然的に記録層の非
晶質化が困難になり記録マークの形成が困難になるとい
う問題がある。そのため、層構成による熱設計が非常に
重要となる。すなわち、記録層再凝固時の冷却速度を高
めるべく、各層の熱伝導率と膜厚を最適化することが重
要である。そこで反射層は、できるだけ放熱を促進する
ために、熱伝導率の高い材料が望ましい。例えばAl、A
u、Ag、またはそれらを９０％以上含む金属からなる反
射層が挙げられる。本発明では前記反射層をAgまたはAg
を９０％以上含む合金としたことにより、より高線速記
録に適した光記録媒体を形成できることを見出した。
【０００８】上部誘電体層、下部誘電体層としては、例
えばZnS／SiO2(ZnSとSiO2との混合物)が用いられるが、
反射層をAgまたはAgを９０％以上含む合金とした場合に
は、保護層が含有する硫黄との硫化反応を防止する必要
がある。本発明では上部保護層が、少なくとも２層構造
からなり、その内の１層が、反射層との界面から前記上
部誘電体層の内部に向かって1nm以上の幅を有するとと
もに硫化物を含まない層であることで硫化反応を防ぐこ
とができた。すなわち、ZnS／SiO2と前記反射層との間
に炭素化物、あるいは炭素化物に対して酸化物または窒
化物を混合した材料からなるバリア層を設けることで硫
化反応を防ぐことができた。炭素化物を母材とすること
で耐久性、製膜の容易性が得られた。炭化物としてはＳ
ｉＣなどが好ましい。
えばZnS／SiO2(ZnSとSiO2との混合物)が用いられるが、
反射層をAgまたはAgを９０％以上含む合金とした場合に
は、保護層が含有する硫黄との硫化反応を防止する必要
がある。本発明では上部保護層が、少なくとも２層構造
からなり、その内の１層が、反射層との界面から前記上
部誘電体層の内部に向かって1nm以上の幅を有するとと
もに硫化物を含まない層であることで硫化反応を防ぐこ
とができた。すなわち、ZnS／SiO2と前記反射層との間
に炭素化物、あるいは炭素化物に対して酸化物または窒
化物を混合した材料からなるバリア層を設けることで硫
化反応を防ぐことができた。炭素化物を母材とすること
で耐久性、製膜の容易性が得られた。炭化物としてはＳ
ｉＣなどが好ましい。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。直径
12cm、厚さ0.6mm、トラックピッチ0.74μmのグルーブ付
きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した
後、スパッタ法により下部誘電体層、記録層、上部誘電
体層、反射層を順次成膜した。下部誘電体層としてはZn
S・SiO2ターゲットを用い、７０ｎｍ厚さとした。記録
層は、所定の組成比の合金ターゲットをアルゴンガス圧
３×１０-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタ
し、膜厚２０ｎｍとした。記録層の組成については実施
例に示す。上部誘電体層は下部保護層と同様、ZnS・SiO
2ターゲット用い、厚さ２０ｎｍとした。反射層として
は、Al・Ti合金ターゲットを用い、厚さ１２０ｎｍとし
た。さらに、反射放熱層上にアクリル系紫外線硬化樹脂
からなる有機保護層をスピナーによって５〜１０μｍに
塗布し、紫外線硬化させた。この面にさらに、直径12c
m、厚さ0.6mmのポリカーボネートディスクを接着シート
により貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層
を初期結晶化して光記録媒体とした。記録再生には、波
長656nm、NA0.65のピックアップを用いた。記録はパル
ス変調法を用い、記録データはEFM+変調方式により、各
記録層に応じた最適記録線速，最適記録パワーで記録し
た。記録ストラテジもジッターが最小となるように各々
最適化して使用した。再生は全てパワー0.7mW，線速3.5
m／sで行い、data toclock ジッター、及び反射率を測
定した。
12cm、厚さ0.6mm、トラックピッチ0.74μmのグルーブ付
きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した
後、スパッタ法により下部誘電体層、記録層、上部誘電
体層、反射層を順次成膜した。下部誘電体層としてはZn
S・SiO2ターゲットを用い、７０ｎｍ厚さとした。記録
層は、所定の組成比の合金ターゲットをアルゴンガス圧
３×１０-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタ
し、膜厚２０ｎｍとした。記録層の組成については実施
例に示す。上部誘電体層は下部保護層と同様、ZnS・SiO
2ターゲット用い、厚さ２０ｎｍとした。反射層として
は、Al・Ti合金ターゲットを用い、厚さ１２０ｎｍとし
た。さらに、反射放熱層上にアクリル系紫外線硬化樹脂
からなる有機保護層をスピナーによって５〜１０μｍに
塗布し、紫外線硬化させた。この面にさらに、直径12c
m、厚さ0.6mmのポリカーボネートディスクを接着シート
により貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層
を初期結晶化して光記録媒体とした。記録再生には、波
長656nm、NA0.65のピックアップを用いた。記録はパル
ス変調法を用い、記録データはEFM+変調方式により、各
記録層に応じた最適記録線速，最適記録パワーで記録し
た。記録ストラテジもジッターが最小となるように各々
最適化して使用した。再生は全てパワー0.7mW，線速3.5
m／sで行い、data toclock ジッター、及び反射率を測
定した。
【００１０】[実施例１]記録層組成をDy6Sb78Te16とし
たディスクの記録特性を評価した。記録密度0.267μm／
bitでは、線速や記録ストラテジを調整してもジッター
σ／Twは１０％以下とすることができなかった。そこ
で、記録密度を0.300μm／bitにしたところ、記録線速1
7.5m／sまで、良好な記録が可能であり、初回記録、及
び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Twは共に
１０％未満という値が得られた。さらに、このディスク
を70℃85％RH環境下で1000時間の保存試験を行った後も
初回記録部の劣化はみられなかった。ただし、繰り返し
記録１０００回行った部分のジッターは１２％程度まで
上昇していた。
たディスクの記録特性を評価した。記録密度0.267μm／
bitでは、線速や記録ストラテジを調整してもジッター
σ／Twは１０％以下とすることができなかった。そこ
で、記録密度を0.300μm／bitにしたところ、記録線速1
7.5m／sまで、良好な記録が可能であり、初回記録、及
び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Twは共に
１０％未満という値が得られた。さらに、このディスク
を70℃85％RH環境下で1000時間の保存試験を行った後も
初回記録部の劣化はみられなかった。ただし、繰り返し
記録１０００回行った部分のジッターは１２％程度まで
上昇していた。
【００１１】[実施例２]記録層組成をAg1Dy5Sb78Te16と
したディスクの記録特性を評価した。記録密度0.267μm
／bitで記録線速17.5m／sまで、良好な記録が可能であ
り、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッ
ターσ／Twは共に１０％未満という値が得られた。さら
に、このディスクを70℃85％RH環境下で1000時間の保存
試験を行った後も初回記録部の劣化はみられなかった。
ただし、繰り返し記録１０００回行った部分のジッター
は１２％程度まで上昇していた。
したディスクの記録特性を評価した。記録密度0.267μm
／bitで記録線速17.5m／sまで、良好な記録が可能であ
り、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッ
ターσ／Twは共に１０％未満という値が得られた。さら
に、このディスクを70℃85％RH環境下で1000時間の保存
試験を行った後も初回記録部の劣化はみられなかった。
ただし、繰り返し記録１０００回行った部分のジッター
は１２％程度まで上昇していた。
【００１２】[比較例１]記録層組成をAg1In5Sb78Te16と
したディスクの記録特性を評価した。記録密度0.267μm
／bitで良好な記録が可能な線速は12m／sであった。そ
こで、実施例１と同様に17.5m／sまで記録可能にするた
めに、記録層組成をAg1In15Sb68Te16，Ag1In5Sb81Te13
としたディスクの評価も行った。前者は初回記録のジッ
ターは１０％未満であったが、１０００回後は１２％ま
で上昇してしまった。後者は、初回記録、及び、繰り返
し記録１０００回後のジッターは共に１０％未満であっ
たが、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間保存した
ところ、初回記録部でも１２％まで上昇していた。
したディスクの記録特性を評価した。記録密度0.267μm
／bitで良好な記録が可能な線速は12m／sであった。そ
こで、実施例１と同様に17.5m／sまで記録可能にするた
めに、記録層組成をAg1In15Sb68Te16，Ag1In5Sb81Te13
としたディスクの評価も行った。前者は初回記録のジッ
ターは１０％未満であったが、１０００回後は１２％ま
で上昇してしまった。後者は、初回記録、及び、繰り返
し記録１０００回後のジッターは共に１０％未満であっ
たが、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間保存した
ところ、初回記録部でも１２％まで上昇していた。
【００１３】[実施例３]記録層組成をGe3Dy5Sb78Te14と
したディスクの記録特性を評価した。実施例２と同様に
記録密度0.267μm／bitで記録線速１７．５ｍ／ｓまで
良好な記録が可能であり、初回記録、及び、繰り返し記
録１０００回後のジッターσ／Twは共に１０％未満とい
う値が得られた。さらに、このディスクを70℃85％RH環
境下で1000時間の保存試験を行ったところ、初回記録，
及び、繰り返し記録１０００回共に劣化はみられなかっ
た。ただし、初期結晶化する際に、実施例２に比較して
大口径ＬＤビームの走査線速を0.5m／s遅くしないと、
反射率は均一とならなかった。
したディスクの記録特性を評価した。実施例２と同様に
記録密度0.267μm／bitで記録線速１７．５ｍ／ｓまで
良好な記録が可能であり、初回記録、及び、繰り返し記
録１０００回後のジッターσ／Twは共に１０％未満とい
う値が得られた。さらに、このディスクを70℃85％RH環
境下で1000時間の保存試験を行ったところ、初回記録，
及び、繰り返し記録１０００回共に劣化はみられなかっ
た。ただし、初期結晶化する際に、実施例２に比較して
大口径ＬＤビームの走査線速を0.5m／s遅くしないと、
反射率は均一とならなかった。
【００１４】[実施例４]記録層組成をAg1In1Ge3Dy5Sb77
Te13としたディスクの記録特性を評価した。実施例２と
同様に記録密度0.267μm／bitで記録線速１７．５ｍ／
ｓまで良好な記録が可能であり、初回記録、及び、繰り
返し記録１０００回後のジッターσ／Twは共に１０％未
満という値が得られた。さらに、このディスクを70℃85
％RH環境下で1000時間の保存試験を行ったところ、初回
記録，及び、繰り返し記録１０００回共に劣化はみられ
なかった。また、このディスクを初期結晶化する際に
は、実施例１に比較して大口径ＬＤビームの走査線速を
0.2m／s遅くすることにより、均一な反射率が得られ
た。
Te13としたディスクの記録特性を評価した。実施例２と
同様に記録密度0.267μm／bitで記録線速１７．５ｍ／
ｓまで良好な記録が可能であり、初回記録、及び、繰り
返し記録１０００回後のジッターσ／Twは共に１０％未
満という値が得られた。さらに、このディスクを70℃85
％RH環境下で1000時間の保存試験を行ったところ、初回
記録，及び、繰り返し記録１０００回共に劣化はみられ
なかった。また、このディスクを初期結晶化する際に
は、実施例１に比較して大口径ＬＤビームの走査線速を
0.2m／s遅くすることにより、均一な反射率が得られ
た。
【００１５】[実施例５]実施例４において、上部誘電体
層と反射層の構成を以下のように変更した。すなわち、
上部誘電体層はZnS・SiO2(膜厚１６nm)とSiC(膜厚４nm)
の２層とし、反射層側をＳｉＣとした。反射放熱層とし
ては、Ａｇターゲットを用い、厚さ１２０ｎｍとした。
このディスクの記録特性を評価した。実施例４と同様に
初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッター
σ／Twは１０％未満という値が得られたが、ジッターσ
／Twの値は実施例５の方が小さい値が得られた。また、
初回記録における変調度は実施例４が６８％であったの
対して、実施例５では７３％であった。いずれも実施例
４よりも良好な特性が得られていることがわかった。さ
らに、このディスクを70℃85％RH環境下で1000時間の保
存試験を行ったところ、初回記録，及び、繰り返し記録
１０００回共にＡｇの硫化による腐食はみられなかっ
た。
層と反射層の構成を以下のように変更した。すなわち、
上部誘電体層はZnS・SiO2(膜厚１６nm)とSiC(膜厚４nm)
の２層とし、反射層側をＳｉＣとした。反射放熱層とし
ては、Ａｇターゲットを用い、厚さ１２０ｎｍとした。
このディスクの記録特性を評価した。実施例４と同様に
初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッター
σ／Twは１０％未満という値が得られたが、ジッターσ
／Twの値は実施例５の方が小さい値が得られた。また、
初回記録における変調度は実施例４が６８％であったの
対して、実施例５では７３％であった。いずれも実施例
４よりも良好な特性が得られていることがわかった。さ
らに、このディスクを70℃85％RH環境下で1000時間の保
存試験を行ったところ、初回記録，及び、繰り返し記録
１０００回共にＡｇの硫化による腐食はみられなかっ
た。
【００１６】[比較例２]実施例５において、上部誘電体
層はZnS・SiO2(膜厚２０nm)の１層とした。このディス
クを70℃85％RH環境下で1000時間の保存試験を行い、デ
ィスクの反射率測定を行ったところ、Ａｇの硫化腐食に
よるドロップアウト(反射率の低下)が顕著であった。
層はZnS・SiO2(膜厚２０nm)の１層とした。このディス
クを70℃85％RH環境下で1000時間の保存試験を行い、デ
ィスクの反射率測定を行ったところ、Ａｇの硫化腐食に
よるドロップアウト(反射率の低下)が顕著であった。
【００１７】[比較例３]実施例５において、上部誘電体
層はZnS・SiO2(膜厚１６nm)とＺｎＯ(膜厚４nm)の２層
とし、反射層側をＺｎＯとした。このディスクを70℃85
％RH環境下で1000時間の保存試験を行い、ディスクの反
射率測定を行ったところ、初回記録ではＡｇの硫化によ
る腐食はみられなかったが、繰り返し記録１０００回で
はＡｇの硫化腐食によるドロップアウト(反射率の低下)
が顕著であった。
層はZnS・SiO2(膜厚１６nm)とＺｎＯ(膜厚４nm)の２層
とし、反射層側をＺｎＯとした。このディスクを70℃85
％RH環境下で1000時間の保存試験を行い、ディスクの反
射率測定を行ったところ、初回記録ではＡｇの硫化によ
る腐食はみられなかったが、繰り返し記録１０００回で
はＡｇの硫化腐食によるドロップアウト(反射率の低下)
が顕著であった。
【００１８】[比較例４]記録層組成は実施例１と同じも
のを用いたが、初期結晶化をランプアニールで行った。
反射率は均一であったが、記録ストラテジやパワーの調
整によっても評価に値するような記録はできなかった。
そこで、記録層のみをガラス基板にスパッタで成膜し、
ＬＤビームとランプアニールによりそれぞれ結晶化させ
た薄膜を粉末Ｘ線回折法で結晶構造を調べた。ＬＤビー
ムにより結晶化した膜は単一のNaCl構造に近い結晶相に
よると考えられる回折スペクトルが得られたのに対し、
ランプアニールにより結晶化した膜は、単一の結晶相で
はなく、InSbの析出に伴うと推定される六方晶やSb2Te3
の析出に伴うと推定される三方晶の出現がみられ、この
ために記録ができない状態になっているものと考えられ
る。
のを用いたが、初期結晶化をランプアニールで行った。
反射率は均一であったが、記録ストラテジやパワーの調
整によっても評価に値するような記録はできなかった。
そこで、記録層のみをガラス基板にスパッタで成膜し、
ＬＤビームとランプアニールによりそれぞれ結晶化させ
た薄膜を粉末Ｘ線回折法で結晶構造を調べた。ＬＤビー
ムにより結晶化した膜は単一のNaCl構造に近い結晶相に
よると考えられる回折スペクトルが得られたのに対し、
ランプアニールにより結晶化した膜は、単一の結晶相で
はなく、InSbの析出に伴うと推定される六方晶やSb2Te3
の析出に伴うと推定される三方晶の出現がみられ、この
ために記録ができない状態になっているものと考えられ
る。
【００１９】[比較例５]記録層を形成する際に所定組成
のSb-Te合金ターゲット上に、Sb,Dy,Ag,Geのチップを載
せてスパッタを行った。しかし、所望組成の記録層を得
るのは困難であり、安定して同一組成の記録相を形成す
ることはできなかった。
のSb-Te合金ターゲット上に、Sb,Dy,Ag,Geのチップを載
せてスパッタを行った。しかし、所望組成の記録層を得
るのは困難であり、安定して同一組成の記録相を形成す
ることはできなかった。
【００２０】
【発明の効果】請求項１の発明は、基板上に少なくとも
記録層を設けるとともに前記記録層の相変化を利用して
情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体において、前
記記録層の原子比率９０％以上が、下記式で表される化
合物からなることを特徴とする光記録媒体であるので、
高線速記録が可能で、オーバーライト特性に優れた光記
録媒体を提供できる。 DyαSbβTeγ （式中、α、β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦
０．１０、かつ０．６０≦β≦０．９５であり、α＋β
＋γ＝１である） 請求項２の発明は、記録層が、さらにAgを含むことを特
徴とする請求項１に記載の光記録媒体であるので、記録
密度を向上させることができる。請求項３の発明は、記
録層が、さらにGeを含むことを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体であるので、保存信頼性を向上させるこ
とができる。請求項４の発明は、記録層が、さらにAgお
よびGeを含むことを特徴とする請求項１に記載の光記録
媒体であるので、記録密度、保存信頼性，オーバーライ
ト特性、初期結晶化時間の短縮にバランスのとれた優れ
た光記録媒体を提供できる。請求項５の発明は、記録層
が、所定組成の合金ターゲットを用いたスパッタ法によ
り成膜されたものであることを特徴とする請求項１ない
し４のいずれか１項に記載の光記録媒体であるので、記
録特性、信頼性に優れた光記録媒体を安定して提供でき
る。請求項６の発明は、光記録媒体が、基板上に少なく
とも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、および反射
層をこの順で設けたものであり，前記反射層が少なくと
もＡｇを９０％以上含む金属であることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
るので、高線速記録により適した光記録媒体を提供でき
る。請求項７の発明は、上部誘電体層が少なくとも２層
構造からなり、その内の１層が、反射層との界面から前
記上部誘電体層の内部に向かって1nm以上の幅を有する
とともに硫化物を含まない層であることを特徴とする請
求項６に記載の光記録媒体であるので、Ａｇの硫化反応
を防止できるため、高線速記録により適した光記録媒体
を信頼性の高い状態で提供できる。請求項８の発明は、
硫化物を含まない層が、炭素化物、あるいは炭素化物に
対して酸化物または窒化物を混合した材料からなること
を特徴とする請求項７に記載の光記録媒体であるので、
Ａｇの硫化反応を防止できるため、高線速記録により適
した光記録媒体を信頼性の高い状態で提供できる。請求
項９の発明は、炭素化物がＳｉＣであることを特徴とす
る請求項８に記載の光記録媒体であるので、Ａｇの硫化
反応を防止できるため、高線速記録により適した光記録
媒体を信頼性の高い状態で提供できる。請求項１０の発
明は、記録層として、初期結晶化されたものを用いるこ
とを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載
の光記録媒体であるので、高密後記録が可能で、繰り返
し記録性に優れる光記録媒体を非晶質マークを記録可能
な状態で提供できる。請求項１１の発明は、初期結晶化
が、レーザービームによる溶融初期化方法、あるいは、
固相初期化によりなされたものであることを特徴とする
請求項１０に記載の光記録媒体であるので、高密後記録
が可能で、繰り返し記録性に優れる光記録媒体を良好な
記録が可能な状態で提供できる。
記録層を設けるとともに前記記録層の相変化を利用して
情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体において、前
記記録層の原子比率９０％以上が、下記式で表される化
合物からなることを特徴とする光記録媒体であるので、
高線速記録が可能で、オーバーライト特性に優れた光記
録媒体を提供できる。 DyαSbβTeγ （式中、α、β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦
０．１０、かつ０．６０≦β≦０．９５であり、α＋β
＋γ＝１である） 請求項２の発明は、記録層が、さらにAgを含むことを特
徴とする請求項１に記載の光記録媒体であるので、記録
密度を向上させることができる。請求項３の発明は、記
録層が、さらにGeを含むことを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体であるので、保存信頼性を向上させるこ
とができる。請求項４の発明は、記録層が、さらにAgお
よびGeを含むことを特徴とする請求項１に記載の光記録
媒体であるので、記録密度、保存信頼性，オーバーライ
ト特性、初期結晶化時間の短縮にバランスのとれた優れ
た光記録媒体を提供できる。請求項５の発明は、記録層
が、所定組成の合金ターゲットを用いたスパッタ法によ
り成膜されたものであることを特徴とする請求項１ない
し４のいずれか１項に記載の光記録媒体であるので、記
録特性、信頼性に優れた光記録媒体を安定して提供でき
る。請求項６の発明は、光記録媒体が、基板上に少なく
とも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、および反射
層をこの順で設けたものであり，前記反射層が少なくと
もＡｇを９０％以上含む金属であることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
るので、高線速記録により適した光記録媒体を提供でき
る。請求項７の発明は、上部誘電体層が少なくとも２層
構造からなり、その内の１層が、反射層との界面から前
記上部誘電体層の内部に向かって1nm以上の幅を有する
とともに硫化物を含まない層であることを特徴とする請
求項６に記載の光記録媒体であるので、Ａｇの硫化反応
を防止できるため、高線速記録により適した光記録媒体
を信頼性の高い状態で提供できる。請求項８の発明は、
硫化物を含まない層が、炭素化物、あるいは炭素化物に
対して酸化物または窒化物を混合した材料からなること
を特徴とする請求項７に記載の光記録媒体であるので、
Ａｇの硫化反応を防止できるため、高線速記録により適
した光記録媒体を信頼性の高い状態で提供できる。請求
項９の発明は、炭素化物がＳｉＣであることを特徴とす
る請求項８に記載の光記録媒体であるので、Ａｇの硫化
反応を防止できるため、高線速記録により適した光記録
媒体を信頼性の高い状態で提供できる。請求項１０の発
明は、記録層として、初期結晶化されたものを用いるこ
とを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載
の光記録媒体であるので、高密後記録が可能で、繰り返
し記録性に優れる光記録媒体を非晶質マークを記録可能
な状態で提供できる。請求項１１の発明は、初期結晶化
が、レーザービームによる溶融初期化方法、あるいは、
固相初期化によりなされたものであることを特徴とする
請求項１０に記載の光記録媒体であるので、高密後記録
が可能で、繰り返し記録性に優れる光記録媒体を良好な
記録が可能な状態で提供できる。
【図１】本発明の光記録媒体の一例を説明するための断
面図である。
面図である。
１ 基板 ２ 下部誘電体層 ３ 記録層 ４ 上部誘電体層 ５ 反射層 ６ 有機保護層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｇ ５３５ ５３５Ｈ ５３８Ｄ ５３８ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA32 EA48 FA01 FA12 FA21 FB05 FB09 FB12 FB16 FB17 FB24 FB30 GA03 5D029 HA05 HA06 JA01 JB18 LA12 LB04 LB07 LB11 LC21 MA13
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層を設けるとと
もに前記記録層の相変化を利用して情報の記録、再生、
消去を行う光記録媒体において、前記記録層の原子比率
９０％以上が、下記式で表される化合物からなることを
特徴とする光記録媒体。 DyαSbβTeγ （式中、α、β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦
０．１０、かつ０．６０≦β≦０．９５であり、α＋β
＋γ＝１である） - 【請求項２】 記録層が、さらにAgを含むことを特徴と
する請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層が、さらにGeを含むことを特徴と
する請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録層が、さらにAgおよびGeを含むこと
を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 記録層が、所定組成の合金ターゲットを
用いたスパッタ法により成膜されたものであることを特
徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記
録媒体。 - 【請求項６】 光記録媒体が、基板上に少なくとも下部
誘電体層、記録層、上部誘電体層、および反射層をこの
順で設けたものであり，前記反射層が少なくともＡｇを
９０％以上含む金属であることを特徴とする請求項１な
いし４のいずれか１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 上部誘電体層が少なくとも２層構造から
なり、その内の１層が、反射層との界面から前記上部誘
電体層の内部に向かって1nm以上の幅を有するとともに
硫化物を含まない層であることを特徴とする請求項６に
記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 硫化物を含まない層が、炭素化物、ある
いは炭素化物に対して酸化物または窒化物を混合した材
料からなることを特徴とする請求項７に記載の光記録媒
体。 - 【請求項９】 炭素化物がＳｉＣであることを特徴とす
る請求項８に記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 記録層として、初期結晶化されたもの
を用いることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか
１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 初期結晶化が、レーザービームによる
溶融初期化方法、あるいは、固相初期化によりなされた
ものであることを特徴とする請求項１０に記載の光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107067A JP2002301869A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107067A JP2002301869A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002301869A true JP2002301869A (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=18959452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001107067A Pending JP2002301869A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002301869A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085167A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法 |
| US7491436B2 (en) | 2002-11-18 | 2009-02-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
-
2001
- 2001-04-05 JP JP2001107067A patent/JP2002301869A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491436B2 (en) | 2002-11-18 | 2009-02-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2004085167A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6958180B2 (en) | Phase change optical recording medium | |
| JP2004255698A (ja) | 光記録媒体 | |
| EP1672622A1 (en) | Phase-change optical recording medium and reproducing method thereof | |
| JP2003291534A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002074741A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2002301869A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3927410B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP4248323B2 (ja) | 相変化型光記録媒体とその製造方法及び記録方法 | |
| JP2003211849A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2003022570A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP4109011B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002096560A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004119003A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JP4248645B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP3971198B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4437727B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2005035058A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JP2004206866A (ja) | 光記録方法 | |
| JP3620597B1 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2004050763A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2003211839A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2003145944A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002337451A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004249603A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2005161730A (ja) | 相変化型光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080326 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090821 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090826 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091222 |